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INGENIERÍA MECATRÓNICA
27/05/2022
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Ejercicio 1. Analizar esta configuración del MOSFET y establecer SI ES
POSIBLE, que el transistor opere en la región lineal u óhmica. Justificar la
respuesta.
Figura 1 - Circuito 1
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Figura 3 – Simulaciones del circuito 1 con mediciones de voltaje y corriente
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Ejercicio 4. Realizar SOLO la simulación considerando que la señal de
entrada opera a 1kHz con un ciclo de trabajo al 50%. Para el MOSFET
considere el IRF510, los transistores bipolares los que uds gusten. Grafiquen
el voltaje 𝑉 vs 𝑉 y la 𝐼 vs 𝑉 . Esta configuración de los BJT se conoce como
“Push-pull”.
Figura 4 – Circuito 4
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Figura 6 – Gráfico 𝑉 vs 𝑉
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Figura 8 – Gráfico 𝐼 vs 𝑉
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Ejercicio 5. Determinar la corriente de drenaje y los voltajes compuerta a fuente y
drenaje a fuente. Considerar que 𝑉 1.7𝑉, 𝑘 0.24 𝐴/𝑉 .
Figura 9 – Circuito 5
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Figura 13 – Mediciones del voltaje 𝑉
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Figura 15 – Circuito 6
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Figura 17 – Simulaciones para el circuito 6 con mediciones de voltaje y corriente