Electronica Analoga Teoria y Laboratorio (PDFDrive)

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ELECTRÓNICA
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TEORÍA Y LABORAT'ORIO
(opv _ ctCerme s
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--. HUMBERTO H. GUTIÉRREZ R.
EDICIÓN
AMPLIADA
ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORiA Y LABORA TORIO
Humbcrto Hcrnando Gutiérrcz Ramírcz
Edición: Humberto Gutiérrez

Impresión: fOTOCOPIAR IMPRESORES
Calle 48 No. 13 - 62
Primera Edición publicada en 1996

Edición ampliada, se publica en Santafé de Bogotá, Febrero de 2002.
© Esta obra no puede ser reproducida parcial ni totalmente,

sin la autorización del autor . .
ÍNDICE GENERAL ¡.;u:crnóNICA AN,Í.L()(;¡\: T EORÍA y ),,\fiORATORIO
-..... :
INDICE GENERAL
- VOLVi\IEN 1 VOL2j
PHÓLOGO .......................................................................................................................................... . ix
CAPÍTULO o. CONCEPTOS BASICOS

0. 1. INTRODUCClÚi" .......................................................................... VOl.l
0. 2. VOLT.VE-CORRlENTE·RESlSTl,NCIA.................................... VOI.I
<U. VOLTAJE Y CORRIENTE ;\!.TERNA li\IPED1\NClA ............ 1'.! VOI.1
0.4. Sl~llJL.-\CIÓ N .... . . . .................. . .... . ............... . .. . . ..... . . .......... ......... .. . 19 VO!.I
0.5. CiR..\FICAS Y CUR \'i\S DE TR,\NSFERE'.':CIA........................ J3 \ ' r !l. I
0.6. l'RACTIC,\S................................ ... ... ....................... ...................... ·l l \"Ol.l
0.7. 1--!EDIDAS...................................................... ................ ................ . ,14 \'C>l,l
LABORATORIO O. CONCEPTOS B.Á.SICOS

LABO. ! . INTROOl.iCC!()N......................................................... ......... 4R \'OLI
LAíl0.2. PROCEDIMIE:'-iTO............................ .................... ................ 48 \'Ol.1
l..1\130.J . PROYECTO-INVESTiGACIÓN.................................... ....... 55 \\)1.1
CAPÍTULO 1. EL DIODO
l.l. INTRODllCCIÚN................ ...... ................................................... 5K \'<ll.l
1.2. TEORÍA DEL SE~llCONDUCTO:z... . ....... ........ . . . .. ........... . ..... .. ... 58 \ 'OLI
1.3. DIODO DE l..(\IÚN ....... ............................. .............. ...................... 65 VOl.1
·- l .4. ClJR\.,\ C!\R,\CTERÍSTIC,\ DEL DIODO................................ . 67
1.5. ESPECif'iCAClONES TÉCNIC :\S............................. .................. 73

VOL!
\ ' 01..l
1.6. EL RECTIFICADOR
RECTIFICADOR DE 1--IEDl:\ ONDA ..................... 77 VOL!
-· RECTiFIC,\DOR DF. 0:-\D,\ COi\IPLET,\ .............. 85
RF.CTlflC.-\D< lR Pl TNTE....................................... ?O
\'OLl
VOL!
1.7. AJ'UCAC!üi':ES l);·:L D!ODO RECT!FICADOR....................... 96 VOL!
1.7.1. FUENTES DE AU:-.tENT1\Cl(1N NO REGULAD,\:' .... 96 VOL!
1.7.2. MULTIPUCADORES DE VOLT1VE.......... .................. l 12 \'OLI
1.7.J. FIJADORES O RESTAL1R:\OORES.............................. 120 \'OL!
1 R. OTROS D!ODOS............................................................................ 1-19 VOL!

1.l(. l. DIODO ZENER.......... ............. .................. ........................ l 49 \'OLI
1.l<.l.I . ESl'EC!FiC:\CIO~ES .. .... .. ........... . .... . ... .... ... ...... 151 \'01.1
l .~.1.2. :\PUC ,\CIONES.... .............................................. l 56 \ 'OLI

t.n. OlODOE~llSORDl.'Ll 'í'................................................. 173 VOU
l.~.2. 1 . DF.FlNICIÓN....................................................... \73 VOL!
U<.2.2. ESPECIFIC:\CIONES......................................... 175 VOL!

Ui.2J. C:\R.\CTERÍSTJC,\S Y DISEÑO............ ......... 179 VOL!
ÍNDICE GENERAL ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TF.ORlA Y LABORATORIO 11
l .l!.2.4. APl.1C t\CIONES ............... ~. . .. .. . ...................... .... l l!O VOi .1
l.lU. DIODO DE CAPACIOAD VARl1\IJLE........................... 182 VOLI
l .!U. I. ESPEClFICACIONES.......................................... 183 VOL!
l .l<.3.2. APL!C,o\CION ES.................................................. 190 VOLI
l.X.4. DIOTlO Tt°!NEL........................................................ ......... 192 V0!.1
l .l\.4.1 . ESPí:.CIFJC,\ClONES... ............................. .......... 195 VOL!
l .l<.-1.2..-\PI .IC;\CIONES................................................. 197 VOLI
1.9. OTRAS ESl'ECll'ICACIO~ES Tf'.CNlC:\S..................... ............ 202 VOi .1
TIEMPO OE RECI iPERACIÓN INVERS!\............................... 202 VOLI
DIODO SC!l01TKY................................................................... 206 VOl.I

DIODO OE POTENCIA.............................................................. 208 VOl .I
LABORATORIO 1. EL DIODO
l.Aíl 1.1. INTRODUCCIÓN...................................................... ............ 220 VOL.1
L•\B 1.2. PROCEDl:\llENT O ... ........................................................... 220 VOLI
LABl.3. l'ROYECTCl-IN\'ESTlC;:\CIÓN .........................._................. 225 VOl..l
CAPÍTULO 2. EL TRANSISTOR
2.1 . INTRODUCCIÓN ......................... ... ........ .... ....... ........................... 226 \101.1
2 .2. ESTRl.'CTUR/\ Y flJNCIONAMIENTO. ................................... . 226 VOl.1
2.3. POI .:\Rl7.ACIÚ"I nr:L TR.\NSISTOR ......................................... 233 v or.1

2.4. CONl'l(il :n.-\CIOl\FS y ARRECiI.rn; TÍPICOS ......................... 257 VOl.l
2.5. ESl'ECIFIC.-\CIC>NES.................................................................... 2'J4 VC >l.I
LABORATORIO 2. TRANSISTOR llfPOLAR

LAll2. l. INTRODUCCIÓN.................. .......... ................ ...................... 30l< VOl.l
LAf32.2. PROCEDlt\flENTO......................... ......... .............................. 308 VOL!
LA132.J. PROYECTO INVEHIG.-\CIÓN ................... ......................... J l2 VOL!
CAPÍTULO 3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO

3.1. INTRODUCCIÓN............................................... ........................... 313 VOl.l
3.2. Fl TNCION.-\:\111'.NTO........... ..................................... .................... 313 VOl.l
3.3. POI .AR17.ACIÓN .................... ······················································ J 17 vou
1 3.4. MOSl'ET.........................................................................................
3.5. TRANSISTOR DE POTENCIA SIP:\IOS ...................................... 353
3.6. ESPECIFIC.-\CIONES DE !.OS ldOSFF.T.................................... JS5

337 VOL!
VOL!
VOLI
LABORATORIO 3. TRANSlSTO R .JFET

1_,\BJ. l. INTR011l.1CCIÓI'.. ............................................................... :159 VOLI
-
1.. \fH .2. PROCFD11'11F.NTO. .............................................................. 359 VOl.1
LAl.l:U . PIHlYf.C'f(l-IN\'F.STl<L\Clc'lN ................................. .......... .361 \'Ol.l
CAPÍTULO ..i. APLICACIONES DEL TRANSISTOR
4 . 1. li'-!TRODlJCCIÓN.......................................................................... JG2 VOLI
4.2. REG U l.:\DORES DE VOLTAJE LINF.1\.LES ............................... 362 VOLI
J .l. cm1r1:r.RT:\S ()[(;(T..\ ! .FS .. ..................... .... ........................... ·'')() VOi . (
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- •
i1 iNDICE GENERAL fü .ECTHÚN IC\ AN,\l.OCA : TEORL\ \' I.AílORATORIO 111
~- \
t 4.3.1. Ül(i!C1\ Tl~ 1\NS J STOR-R ESISTENClA (RT!.) ............. 397 VOU
·~ l
)
4.J.2. LÓGICA DIO DO TRANSISTOR (DTI .).......................... ·100 VOLI
,1.3.J. Ü)CllCA TRANS ISTOR-TRANSISTOR crrL) ........... ... 404 VOL.1
¡ voLUMEN 2 VOL2 I
CAPÍTULO 5. ANALISIS DE PEQUEÑ1\ SEÑAL
5. 1. JNTRC1J1.:cc1(l'i ...................................................... .............. .... 407 V\ll .2
5.2. NO/\t ExCL\Tl ;¡e\....................................................................... 407 \ºt J!.2
5-:'. 11. IOOF.U 1 i\l:\TL\1.-\TIC:O.. ............. ........................................... 4 0'1 \'()! .2
5.4. .-\N:Ú.IS IS \ 1 \TU.1.\m:o ............. ........ ........ .......................... ·112 \'(;: ,;:
5.5. ;\)\!:Í.l .ISIS l·:i\llSOR CO\ll°':-J............. .... .................. ........... ....... 415 VOi .2
5.(.. A:-.: .. \usis 1-:\llSOR CO~!l"~ SI:\ DES .. \COPl.F. ........ ... ......... ... .'12 1 \'01.2
5. 7. TF.\Wnf:\ DF. \111 l.ER... .................... .......... .................... ...... ·12(1 VOi .:2
5 . ~ . :\l'R0.'<1\1,\Cl(>l\: ,\ LOS l'.\R,\i\!ETROS...................... .. ... ..... ·l 2? VOL2
5.'J. R FCT.-\S DE C\l{C :.-\................... ............................................... .. 4JG VOL2
5.10. Dl:->1 5:0 l'R.\CTICOC:O:\ ílll'OL.- \R ............. ....... .......... .......... 4 55 \101.2
LABORATORIO -t. PAH..\METROS IIÍílRiDOS

1.. \ 1 ~ .. ¡ i . 1:-.:THt.llll'(Tl•°> 1'... .. ........ . ·171 \ºCil J.
L\T.l·l.2. \l:'.DJ f) ,\S ......................................... .............. ................. .. <1 7 1 \ ' 01.2
l ..\n.1 3 i\IEfllilc\ DE r.ns l':\R,Í.\ IETIH>S 11 ................................. . 47·1 VOi .2
! .:\l.l4.4. J'R(l\' FCTO-l \\'F.STl(;,\Clc°):'-!..................................... .... . 478 \'OL2
LABORATORIO:'. CO;\FIGURACI ÓN EMISOR COi\ilJN

l...·\flS. l . ::\TROJ)\ 'CCi<·i:--; ............................. ............. .. .......... ......... . <17? \'CL2
l..-\B5.2. l'ROCLDI'· 1:;:,;Tf) .. ....... .... ... .......... .................. ... ... ... . . 4 7•) vrn.2
- CAPÍTULO 6.
1...1.BS.3. PR.< 1'1'F.CT( 1-1':\TSTIC i:\Clc°> N ..................... ........... .
OTRAS COi'\flGLR.ACI ONES

.¡ ~: 1 \'01.2
G. I. !NTR O!)(.!C CIÓ:-: ..... ......... ................... ........................................ . 4in VO l,2
6.2 . COLECTOR cm.1 1·~ .......... .... ... ......... ................................. ....... . 41!2 VOL.2
íí ..l. CONFIG! ' R.\C!Ó\ fl .- \SE COll.I L::-i ....................... .................... . 494 VOL2
LABORATORIO 6. CONFl GUR:\CI ÓN CO LECTOR COMÚN
.- 1..\!Y• l
1...\Bfi ~
J.', Ti~ C >DI 'CC l!.l N . .... .. ............. ... .. .......................... .
l'l/()C'Fl)l\liF'>:T(l.. ... .. ... .................. ............................. .

5 10
5 10
VOl.2
\'Ol.2
- LABORATORIO 7. IlASE COl\IÚN

L:\ll7.1 . l:"TR< lllL'CCi(>:O.:................................. .......................... ... ... 5 11 VOU
L:\!17.2. PROCl'D !\ ltE~;To. .... .... .... ... . ...... .......................... ..... ...... .. 511 VOL2
1.:\lli .\. 1'!{1 l\TC:T0-1'.'i\.'ESTl<i.-\('IC°J:'\... .............................. ...... . 5 12 VOi 2
-
ÍNDICE GENERAL F.LEC.TRÓNIC.\ ,\i''l.\LOGi\: TEORÍA Y LADOllATORTO IV 1! "'-"'
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CAPÍTULO 7. EFECTOS TÉRMICOS
7. 1. VARIACIÓN DE LOS PARMIETROS....................................... 51J VOL2
1
~
.1
,~
7.2. COt-.IPENSACIÓN POR CA.\HllOS Tf,RMICOS ........................ 527 VOL2
"-"
7.3. CONSIDER1\CIONF.S DE DISEÑO............................................. 531 VOL2
&
LABORATORIO 8. EFECTOS TÉRMICOS
l.1\llll. I. INTRODl ICC!ÓN ..................................................................
LJ\íl!<.2. PROCEDIMIENTO................................................................ 533
5]) VOT.2
VOL2
--
LABll.3. PROYECTO-INVEHIGACIÓN........................................... 534 \'OL2
CAPÍTULO 8 . TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO. ANÁLISIS AC

R. I. INTRODUCCIÓN.......................................................................... 535 VOL2
"l<.2. AN..\l .!SIS CON SEÑ/\L DEL ffET............................................. 535 \101.2
ll.3 ..<\;~..Í..LISIS GR;Í.f'ICO.................................................................... 543 VOL2
8.4. 1\;\f PLlf'lCADOR DRAIN COMÚN (OC) ............ ....................... . 558 VOT.2
?..5. AMPLll'lCADOR í300TSTRAP................................................... 566 VOL2
LABORATORIO 9. AMPLIFICADOR SO URCE COMÚN

LAB9.1. CNTRODUCCIÓN.................................................................. 570 VOL2
L1\B9.2. PROCEDIMIENTO................................................................ 570 VOL2
l.A89.J . PRO)'ECTO-INVESTIGACIÓN........................................... 572 VOL2
CAPÍTULO 9. A!\lPLIFTCADOR MULTfETAPA

?. l. INTIWDI 1cc1 c"1N.......................................................................... 57'.I VOl.2
9.2. P<lTENCIA.................................................................................... 574 VOL2
9.3. AC'OPL,\.\!IENTO RC................................................................... 575 VOL2
9.4. ACOPLA~l!ENTO DIRECTO....................................................... Gl 1 VOL2
'J.4.1. CONr!GllR:\Clc'>N DARUNTON .................................. 615 VOL2
'>.U. CO\"¡:[{i{JR,\CIÓN Ci\SCOOE . ... ................................. 647 V0!.2
9.4.3. fl.IENTES DF. CORRIE~TE... . .. . .. . . . . ....... . .... ... ....... . ... . .... 655 VOL2
9.4.4. CARGAS ACTI VAS......................................................... 665 VOl.2
9.4.5. AMPLirlCADOR DlFERENCIAL.................................. 677 VOL2
LABORATORIO 10. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

LABIO. I. INTRODUCCIÓN ................................................................ 705 VOL2
LABl0.2. DESARROU.0.................................................................... 705 VOL2
LABI0.3. PROYECTO-INVESTIGACIÓN ......................................... 705 VOL2
9.5. ACOPLAMIENTO CON TRA'ISFORi\lADOR........................... 706 VOL2

LABORATORIO 11. AMPLIFICADOR MUL TIETAPA
1.AOl 1.1. INTRODUCCIÓN................................................................ 7 13 VOL2
LAIJI 1.2. PROCF.DIMlEl"TO.... .......................................................... 713 VOL2

L\Dl 1.3. l~VEH! GAR.. ...... ...... ....... ... ..... . . .. ................... . ..... ...... ....... 7 14 VOL2
CAPÍTULO 10. REALIMENTACIÓN

10.I . INTRODL:cclóN ..................................................................: ..... 71 5 VOL2
ÍNDICE GENERAL El.Fc:rnó:-;rc;\ ,.\ ;'\,\LO(;¡\; TEORIA y J.AnORATOIUO V
10.2. r>F.FIN[CIÓN ................................................................................ 715 VOL2
10.3. l'ORivf/\S DE REAU~!ENTAC!Ól'\ .............. ............................. 71? VOl.2
10.4. ANAus1s DE cmc1 11Tos......... .............................................. 723 vou

LABORATORIO 12. REALIMENTACIÓN
L\B 12. 1. li'<TRODI ;('('!(JN...... ............. ............................ ................ i71': VO[ .2
l .Ml 12. 2. rrmcEDl.\111·.:\Tl >........................ ..................................... 77X \!01 .2
l./\lll 2.3. INVESTIGAR.......... ......... ................................................... 779 VOl.2
CAPÍTULO 11. AMPLIFICADORES DE SEÑAL GRAl'IDE PARA AtJDIO

1l.l . 1:--'TRODl'CCró;-.; ................................ ....................................... 780 VOL2
11 .2. El .EldE:\TOS J)F. l "N SISTE:0-1,\ r>E REl'llUDUCCI(lN DE
SONIDO................................................................................ . . 7811 \''.l l.2

l l.J . CAR,.\CTEldSTICAS Y CL1\SIFIC.\Cl<'ii\ DE LOS
Ai\ ll'l .ll'!C:\DORES ........... ... .......... .............. .......... ..... ... .
11.4. A,\!PLIFIC:\DOl~ES CLASE A[L.................................. ........... 71<1< VOl.l
1 l.5 . ,'\SPF.CTOS rR.\CTlCOS llE LOS A~ll'!.IFIC\!)OIU·: S DE
POTF.l'\CI ,\..................... ......................... ........... ...................... 1\17 V<>I.2
l 1.5. 1. <¡:-.;!),\ Cl J,\ORr\I lA...................................................... S 17 VOl .2

11. 5 '.! . PROTECCIONES CONTll.:\ SOIJREC.'\Jl( ;:\s ............. ~¿e¡ VOl.2
11 .5. 3. DISTOl~ S ltl N .................... .............................................. ~22 V0! .2
1 1.5.•1. 1.1:-.llT,\Ci(l:\ DE 1 OS ,\ :O. !l'L!i' ll',\DOR I·::; Df.
l'l >TENC:I.\ ............................... .. ........... .......... ......... . VOl.2
LABORATORIO 13. AMPLll'lCADOR DE POTENCIA

LADD.I. ll'iTRODl'CCIÓN ...................... ................................... ..... .. x:n VOl.2
l.Aíll).2. IN\'ESTIC; ..\R ............................................................ .......... X.\1 V0!.2
- 1 YOLlii\l EN 3
CAPÍTULO 12. AMPLJFIC\DOR OPERAClONAL

12.1. INTRom;cc1óN........ ............ ....... ......... ................................... &35 VOLJ
12.2. OEFIMCIÓl'\ ............. ............ .................. .................................. 835 \'Ol3

12.3. P..\RA~IETP.OS ............ ................... ... ...................... .. ............... !Olí VOi.:\
12.:l. I. ESi'ECIFIC,.\C IO:--:ES...................................................... f\50 \'OL.3
1 ~.4 . Tl'RJ\111-i..\L Y TlFRR:\ VIRn.;_.\L. ............... ........................... 862 VOU
12.5. CONFl(;t;¡tACIÓN ......... ............. ........ ..... .. ... ................... ......... 863 VOL1
12.G. S:\Tl 'lt •\(!()N....... .. ................................... ................................ l\6'1 VOU
12.7. ESTRvC n .: R:\ 1:-\TER:--JA......... .... ............ ...... .... ....................... 865 \'()!J
12.8. :\J\ll'UJ'IC,.\DOR 1 ll'ER.\CION,.\I. Rf.1\1................................. 880 \ 'O L3
LABORATORIO 14. AMPÜFICADOR OPERACIONAL

l.Aíll ·1.1. INTROOL'Cl' l(l>!. ............ .. ......... ..................................... f\X •I VOU
ÍNDICE GENERAL ELEC.TRÓNICA ANÁLOGA: TEORiA Y LA UORATORIO VI
LAll 14.2. PROCEDll-llENTO.............................................................. !<R4 VOl.3
CAPÍTULO 13. OPERACIONES BÁSICAS

13. 1. INTRODUCCl(>N........................................................................ RR5 VOL3
1:1.2. 1\1\IPl.IFICADOR INVERSOR.................................................... ~R5 VOL.3

LU. AM PLIFICADOR NO INVERSOR............................................. R94 VOL3
IJ.4. SF.<•UIDOR m: VOLTAJE.... ................... ................................... 899 VOl.3
IJ.5. Sl.IM/\DOR.................................................................................. 'J03 VOIJ

IJ.6. RESTADOR............. .................................................................... no VOIJ
13.7. A:\IPLIFICADOll DE INSTRUMENTACIÓN ........................... 923 VOLJ
LABORATORIO 15. AMPUFICADOR OPERACIONAL

APLICACIONES LINEALES
LABI 5. 1. INTRODUCCIÓN...................... ......................................... 9J 5 vorJ ~
1
~
l.ABl5.2. l'ROCEDl/\llENTO...................................... ........................ 935 VOIJ
CAPÍTU LO 14. DIAGRAMAS DE BODE i

~
¡;
14.1. INTRODUCCIÓN........................................................................ 936 VOLJ ;
-~
14.2. Sli\flJI .:\CIÓN.................. ........................................................... 93R VOL1 ~
l
14.3. Tf'.:Ri\llNOS OE LA R.INCIÓN G(S)ll(S).................................. 9J9 VOLJ ~
·~
FACTORES IN\',.\RIANTF.S CON l.i\ FRECUENC IA.
CEROS-POI.OS EN EL. ORIGEN i
CEROS-POI.OS CON FREC\IENCl1\ DIFERENTE AL
~
ORIGEN
1
~
FACTORES DE SECil JNDO ORDEN
CAPÍTULO 15. FILTROS ?

15. 1. INT(H)Dl'CCIÚN ................................ ..................................... .. %9 VOIJ
15.2. OPERACIO:-.:ES i\f,\ TE~f..\TICAS............................................. 97-l VOLJ
INTERGRACIÓN-OER IC.-\C IÓN, CO~IB I NACIÓN
15.3. FILTROS DE SEGUNOO ORDEN............................................. 995 VOl..3
PA.'\Al3.·VO, P1\SAALTO. PASAl31\J'\/Di\, RECHAZABANDA
LABORATORIO 16. FILTROS

l.AI316. l. TNTRODL'CC IÓN .............................................................. . 1026 VOI..3
l..ABl6.2. F.CUALl7...·\CIÓN................................................................. 1026 VOl.J
LAB 16.3. FILTRr\JE DE \'OC,\LES................................................... 1028 VOlJ
CAPÍTULO 16. COMPARADORES

16.1 . INTRODUCCIÓN........................................................................ 1030 VOLJ
16.2. T IPOS DE CO:-.IPARADORES.................................................... 1030 VOL3

LAZO :\BlERTO. L·\7.0 CERR:\DO.
OETECTOR DF. CRUCE l'OR CERO
DETECTOR DE \"ENT:\N.-\
DIS Pi\R,\DOR DE SCI !.\ llTT
16.3. CON\"ERSORES :\NALOGO-D!GITA!~ ................................... 1054 VOI.3

ÍNDICE GENERAL l•'.1.ECrlH).' i((',\ AN,\T.()G,\ : TF.ORL\ y LAnORATOR!O vii
J(...l. CON\"ERSORES Dlt•IT:\l.·ANAl.OGO ... ................................. 1062 VOL3
1<o.5. OTROS CIRCI 1rrns.................................................................... 1OGR vou

RF.CTIFIC..\DOR DF. l'RECISl(lN.............................................. IOGX VOl.J
REC<lRTAD<JRES.................... ................................................... 1070 VOl.1
SUJE.Ti\DC>Rí'S .................. .... ......... ............................................ 1072 VOU

D ETECTOR DF PICO.. .............................................. ........... ...... 107.1 VOlJ
LABORATORIO 17. APLICACIONES NO LINEALES

l ..·\1117.l . 1:-.JTRODlTC:IÓ;\ ............. .................................................. 1077 VOLl
L\Bl7.2. PR..\CTIC'.\S un10STRt\Tl\'AS ...................................... 1077 \'OL1
L:\1'317.:l. l'ROYF.CTOS........................................................................ 10í7 v: il~1
CAPÍTULO 17. Ai\l PLIFICAD OR DE UANDA ANCHA

17.1. INTRC)Dl.ICCI(>:\...................................................................... .. 107:< \'OL3
17.2. 1\.'iALISIS DF.I. TR.-\NSISTOR E:-< íl:\.fi\ fRECUf.NCIA...... \07R VOU
1D. AN.-\l.ISIS F.N .-\l.T:\ FR1-:c¡;r::;-.;c1:\ ......................................... 10~5 \'OL1
17.4. CO:-<l'IGPR.\CIONl'S EN Al .'!'1\ FRECl IE:\CIA..................... 1089 VOU

17.<1 . l. E.\l\SOR C'O\I\":-\ ('():\ DF.S,\C'OPl.E......................... \<)')() VOL:\
.......... 17.4 .2. F.~[IS CJR COl-.ll.:N SIN llFS.-\COPl..E.. ............. .......... 109·1 \'()IJ
17.4 ..1. COl.ECT!lR CO\ll°IN. ................................................... ion \'OL3
17.4..1. lli\SE CO\!lJN.............. ................. ............................... 11 0 ! VOl.J
17..1.5. SOl'11C F. 1' DR,\J:--i (;(l~tt'1~: ........................ .. ..... 110·1 VOU
LABORATORIO 18. AMPLIFICADOR DE BAND.-\ ANCHA

L;\ll 1~. I . l NTRODUCC!c'>N .................... ......................................... 11 :;..¡ VOlJ
LAíl l S. 2. .-\~.I PU FICADORES CI ),SICC >S........................................ l lJ.J \'OU
1..:\131 ~ .'.l . l"\'F.STICi.-\Cl();-,i .............. ... .................................... ..... ..... . 1 IJG VOL1
CAPÍTULO 18. EST.-\B lLI DAD DE LOS A:\lPLIFIC:\DORES

l l'. I. i:-\TRom:cc1(>¡-.; ...................................................................... 1i:l 7 VOl.3
ll!.2. EFECTO~ DE J.:\ Rf·:.-\1.1 1'.IF.i"TACl<°>N .................................. .. 11.17 VOL:l
l!U. IIERl!A\!ll:YL-\S :'\l:\TEl-.1:\T\Ci\S ........................................ . 1140 VOL1

1S.J.1 \ :ÉTODO DE Rt ll 'Tll l IURWITZ.. ....... ...... ................ . 1140 VOLJ
1S..1.2. \íJ'.:TODO DEI. 1.110 .-\R DE 1.1\S R.-\ICES ................. .. 1147 YO[.]
l ~ ..U . ~lr'Tnno DF. :" YC.}l!IST........... .................................... . 11 5.l vou
1:0.4. ;..JÉTOD<l DE NICI 101.<\-llODE.................................. .. 1155 VOD
18.5 . CO~IPF.~;s,.\CiÓN DE FRECl.'ENCI:\.............. ......................... 117? VOL.3
RFD\'CC!Ói'< DE G.\.'1;\;-.iC I:\. .................................................. l ll<O VOL3
PO I.O nmw~_.\'\TF .. ...... .. .... ........ ...... ...... ... ................... ...... . .... 1 i:!~ vou
,...--,, .
C:O~.ll'l·:~~S,\C I<°>': POI .C >-Ct-:R O............................ ................... 11 '!2 VOl.J
CO\!PE:"S .\C!(>N POR AI.TER.-\CIÓN DF. L\ RED... ........... 120.'i \ 'OU
CAPÍTULO 19. OSCILADORES

~I 19. I . i NTIWDGCCIÚi'i ........................................................................ 1212 VOU
~l l ').2. Plll~C trto DE LOS OS('!l.,\[)()RES ....................................... . 1212 VOIJ

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'
ÍNDICE GENERAL ELECl'RÓNICA ANÁLOGA: TEORIA \'LABORATORIO VIII
í-
1 ...._,,
19.J. OSCll.ADORF.S SIN\.ISOIOAl.ES RC....................................... 1215 VOLl 1l -
19.3. 1. OSCILJ\T)(lR P<)RC:ORRIMIF.NTODEFASE............ 1215 VOLJ t
''·
19.J.2. OSCILADOR PUENTE DE WIF.N ............................. .... 1226 VO!..J '
~
'-'
19.4. OSCILADORES SINUSOJl)Al.ES SINTONIZADOS............... 1no VOl.J
}
l 'J..1.1. OSCll.1\DOR c:m.rrrrs ............................................... 12:10 VOIJ '!
19.4.2. OSCll .J\DOR CI .1\l'I'...................................................... 12·14 VOi .1
19.4.3. OSCILADOR l!ARTLEY............................................ ... 1253 VOl.J

19.5. OSCILADORES DE RF.L1\JACl<°>N...........................................
19.5. 1. Ml 'LTIVIBRADORES ....................................................

12D VOL1
1253 VOl.J ¡
~
-
"---"'
19.5.2. 1\ST,\íll .E CON Ol'ERACIOK\I,................................. 1261 VOU "~
.!!
19 5.J . l\ST ABl .E CON UJT....................................................... 126•1 VOi .1 . ~
1
19.5.4. OSCILADOR CON IC 555 .............................................. 1273 VOl.3 [~
19.6. OSCILADOR CONTROL\DO POR VOLT;.VE (VCO)........... 12l<3 VOU ·:< "-'
19.7. GENERADOHES DE SEÑAL..................................................... 1289 VOU
1
~
LAUOllATOIUO 18. OSCILADORES

l...·\ll I K. 1. l~TRODl 'CCIÓN................................................................ 129.l \'OLJ '--
l.¡\f.11:<.2. l'ltlll'l ' EST.-\ Df. PR<>YECT<l............. .............................. 1293 VOLJ
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BIBLIOGRAFÍA .. ..... .... ...................... ...... .................... ..................... ................................... VOLJ ";!
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APf:NDICE .............................. ... ... ........................ ............ ................................................... VOLJ ;,
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-- ÍNDICE GENERAL ELl~CfRÓNICA ANALOGA: TEOIÜA Y LAUORATORIO IX
PRÓLOGO
ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LABORA TORIO es el resultado de varios

años de trabajo con mis estudiantes en el área de la Electrónica Análoga; gracias a Ellos, a su
trabajo en el aula de clase y el laboratorio, a su curiosidad e interés, se ha llegado a resultados
y conclusiones, que estoy seguro, enriquece y complementa la gran variedad de textos
dedicados al estudio de la electrónica análoga.
Respecto a la edición del año 2000, se incluyen temas tan interesantes como: respuesta del
amplificador de banda ancha, estabilidad y osciladores y se ha ampliado el estudio de los
amplificadores operacionales a tópicos tan importantes como los filtros y comparadores.
En cuanto a la metodología del texto, se mantiene el enfoque sencillo, abundante en ejemplos

de análisis y diseño soportados por la simulación con el paquete PSPlCE. La matemática
utilizada es sencilla como es el caso de las herramientas matemáticas para el análisis de la
estabilidad de los amplificadores, en donde se utilizan los distintos mecanismos propuestos,
pero sin entrar en detalle de su demostración matemática, porque considero ciue el soporte
matemático es suficientemente estud iado en cursos avanzados de control; solo interesa
aplicarlos en forma rápida.
Se reitera la importancia de los laboratorios complementados con la simulación; por esto se

proponen prácticas de lab oratorio para cada capítulo, en la mayoría de los casos consistente en
diseños y proyectos.
Finalmente, extiendo mis agradecimientos a los Profesores que han dado cabida en sus
clases a este texto: Sin ellos este trabajo sería completamente desconocido.
A mis estudiantes mil gracias: Sin ellos ·este trabajo no existiría.
Gracias también a quienes han desarrollado la tecnología de las computadoras: Sin este
equipo, el trabajo no tendría est.a presentación.
Gracias a mi esposa EDJLMA e hijos Adri y Nico: Con su paciencia y resignación han
soportado mi alejamiento y abandono, en momentos que tal vez, m:ls me necesitaban.
Infinitas gracias a nuestro Dios: Por permitirme vivir estos momentos tan felices.
Cualquier inciuietud, aclaración y asesoría, comunicarse con los teléfonos: 246 4694
HUMDERTO HERNANDO GUTitRREZ RAMÍREZ

·-
CONCEPTOS fü\SfCOS ELEC.THÓNICA ANALOGA: TEORiA Y LABORATORIO
Cl.I. INTRODUCCIÓN 0.2. VOLTAJE-CORRIENTE-RESISTENClA
o~ CONCEPTOS BASICOS
,
INTRODUCCION
El libro ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LABORATORIO da al
estudiante que inicia el estudio de la electrónica, los conocimientos generales de la electrónica
análoga, comenzando con el semiconductor, pasando por los dispositivos básicos como son el
diodo y transistor y muchos otros incluyendo los amplificadores operacionales, hasta
aplicaciones tan importantes como los osciladores, reguladores, PLL, etc., todos temas
relacionados con la parte análoga.
Pero para iniciar apropiadamente un curso de electrónica básica es necesario tener alguno s
conceptos básicos y que el estudiante debe tener siempre presentes porque se estarán
utilizando a menudo . Así que el autor recomienda al estudiante, leer el capítulo con
detenimiento y, necesariamente, profundizar los temas tratados aquí en otros textos.
¡0.2.¡ ~ VOLTAJE-CORRIENTE-RESISTENCIA
El voltaje, que también se puede llamar potencial eléctrico representa el
potencial para hacer trabajo. Una fuente de voltaje continuo o OC (direct current) tal como una
pila o batería y que se identifica con la letra V, existe porque partículas cargadas
negativamente (electrones) son concentradas en un punto de la batería más que en otro punto
de la misma; esa diferencia de carga establece una diferencia de potencial. Y el voltaje es el
trabajo que se debe realizar para mover de un punto a otro esa carga.
La unidad de voltaje es el VOLTTO (V).
CotTientc es la cantidad de carga que se desplaza de un punto a otro en un determinado
tiempo. La unidad básica de corriente es el AMPERIO (A) y para electrónica se trabaja con
corrientes pequeñas, normalmente por debajo de un amperio. En aplicaciones de electrónica de
potencia, se trabaja con corrientes grandes, en el orden de los cientos de amperios.
Resistencia es la oposición que presenta un material al movimiento de cargas. La unidad
básica es el OHMIO (D.).
Los tres parámetros anotados se relacionan mediante la LEY de O B M (formulada por Georg
Simon Ohm) que se define como:
'La corriente que circula en un circuito es directamente proporcional al voltaje e
inversamente proporcional a In resistencia '.
O también: 'el voltaje en un circuito es directamente proporcional a la corriente' . La
proporcionalidad entre el voltaje y la corriente es In resistencia.
CONCEPTOS DÁSTCOS f.LECTHÓNICA ANALOGA: TEOllÍA Y LAllOllATOIUO 2
0.2. VOLTAJE-CORRIENTE-RESISTENCIA
En ecuación se expresa:
V= 1 R ó I=V/R
Como el voltaje, corriente y resistencia se opera con los múltiplos y submúltiplos, es
importante manejar el concepto de la potencia de 1O. Así se tiene:
NÚMEROS GRANDES NÚMEROS PEQUEÑOS
1 ->toº '--•
10 - > 10 1 0.1 4 10-I

100 410 2 0.01 410- 2
3
1000 410 (k) 0.001 410-3 (m)
4
10000 410 0.0001 410- 4
100000 410 5 0.00001 4 10:5
1000000 410 6 (M) 0.000001 4 10-6 (µ)
10000000 ->10 7 0.0000001 4 10-7
100000000 410 11 0.00000001 4 io-8
9
1000000000 410 (G) 0.000000001 410-9 (n)
0.0000000001 4 10-IO
0.00000000001 410- 11
0.000000000001 410- 12 (p)
SIGLAS MULTIPLICATfVAS COMUNES EN ELECTRÓNICA: K significa Kilo, M

significa mega, G significa giga, m significa mili, µ significa micro, n significa nano y p
significa pico
Para el voltaje, se utiliza el voltio V y los submúltiplos: m V, µV.
La corriente se utiliza el amperio .A y los submúltiplos: mA, µA, nA.
Para la resistencia se utiliza el Ohmio .Q y los múltiplos: KD, MD.
Un cuarto parámetro eléctrico es la Potencia y está basada en la Ley de Joule. La potencia
fisicamente es el trabajo que se realiza en la unidad de tiempo. Se sabe que una corriente
circulado a través de una resistencia produce calor, entonces Joule demostró que esa potencia
del calor es igual al producto de la resistencia (en Ohmios) por el cuadrado de la corriente que
circula a través de ella: P = R I2
Y combinando la Ley de Ohm con la Ley de Joule, se llega a otra relación como:
p = y2 IR
La unidad básica de potencia es el vatio (W) y para aplicaciones en electrónica se utilizan los
submúlliplos: m\V. µ\V.
CONCEPTOS 'IlÁSICOS ELHTIH)NICA ANÁLO(;A: TEOldA Y LABORATOIUO 3
EJERCICIO C8J
1. Exprese los siguientes números ert múltiplos de l O:
0 .00023, 12300000, 12523.90, 0.00007687, 920000000, 865000000, 0.000000000345,
0 .0062, 910000000, 0.0000245, 0.0386, 4 l 5000000000, 0.000000005297, 40002930000.
2. Aplique la Ley de Ohm y reduzca a las siglas multiplicativas a los siguientes problemas:
o Cuál es la corriente que circula a través de una resistencia de 1OOD. que se alimenta con
IOV.
o Una resistencia de 1OK (equivalente a decir 1OKD) es atravesada por una corriente de
1OOmA. Determine el voltaje.
o l 5V sobre una resistencia circula l OO~tA. ¿Cuál es el valor de la resistencia?
o Una caída de l 5m V sobre una resistencia de l OOK, ¿qué corriente circula?
o 1O~tA en una resistencia de 2M, ¿qué caída produce?
o Una resistencia de 15K produce una caída de 2.5V, ¿qué corriente circula? s1 Ja
resistencia se duplica para la misma caída de voltaje, ¿cuál es la corriente ahora?
3. Dibuje los símbolos de las fuentes continuas de voltaje y de resistencia.
4. Se conectan tres resistencias de igual valor en serie, ¿cuál es la resistencia equivalente?
5. Si se conectan tres resistencias de igual valor en paralelo, ¿cuál es la resistencia
equivalente?
6. Se conectan cuatro resistencias en serie con los siguientes valores: ! OOD., 3 .5K, 180M y
l M. Determine la resistencia equivalente.
7. Las cuatro resistencias anotadas en el numeral 6. se conectan en paralelo. ¿Cuál es la
resistencia equivalente?
8. ¿Qué sucede si se conectan tres fuentes de voltaje de diferente valor en serie?
9. Y ¿qué pasa si tres fuentes de voltaje de diferente valor se conectan en paralelo? Explique.
1O. ¿De que parámetros ftsicos depende la resistencia?
11. ¿Cómo se identifica el valor de una resistencia de carbón?
12. Anote el código de colores de las resistencias
1J . Dé el valor de las siguientes resistencias de acuerdo a los siguientes colores:
Rojo - verde - amarillo - dorado Azul - café - café - plateado
Amarillo - rojo -naranja - plateado Verde - negro - café - dorado
Café - rojo - rojo - rojo B la neo - violeta - verde - dorado
Naranja -- café - azul -- plateado Gris - negro - dorado - dorado
Café - café -- pl<ltcado - clornclo Amarillo - rojo - rojo - café - dorado
CONCEPTOS nAs1cos El.ECrllÚNIC\ AN,Í.LOGA: TEOJ{Í,\ Y LABOHJ\TOHIO 4
11.2. VOLTAJE- CORRlENTE-RES ISTE NCIA
Naranja - negro - dorado - café Azul - negro - azul

14. Anote el código de colores correspondiente a las siguientes resistencias:
100.0. / 5%; IOK I 5%; 2.5M / 10%; 120K I 5%; J.6K I 2%; 1.2K I 1%; 332K/ 2%; lOM
/20%; 10.0./ 5%; 1.2.0. / 2%; 0.15.0. I 1%; 2K2 I 5%; 8M2 I 5%; 7. IK I 10%; 6.7K I 5%.,
190.0. / 2%, 9M / 20%, 71.2.0. / 1%, 0.07.0. I 5%, 0.47.0. I 5%, 4.7.0 I 2%, 47.0. I 1%.
15 . ¿Q ué signi fi ca la tolerancia de una resistencia?
16. Una resistencia de 1OK al 5% de tol erancia, entre ¿qué valores puede variar la resistencia?
Y si es del l %, ¿cuál es el rango en que cambia la resistencia?
17. Al adquirir una resistencia comercialmente, ¿qué datos técni cos se deben entregar?
18. ¿Cómo se identi fica el valor de una resistencia alambrada?
19. ¿Cuáles son los valores de potencia comerciales de una resis tencia alambrada.?
20. Se di spone de tres resistencias de igual valor. Construya un circu ito mixto con esas tres
resistencias. ¿Cuál es la resistencia equivalente? Coloque una fuente de V voltios al
circuito mixto y determine: corriente total que requiere el circuito, corriente que circula a
través de cada resistencia, caída de voltaje en cada resistencia, potencia total que disipa el
circuito y potencia que disipa cada resistencia, de sus resultados analí ticamente, sin ningún
valor numérico.
2 1. La siguiente lista de valores estándar se debe tener en cuenta al comprar un a resistencia:
l - l . l - 1.2 - 1.3 - l _S - 1.6 - 1.8 - 2.0 - 2.2 - 2.4 - 2.7 - 3.0 -
3.3 - 3.6 - 3.9 - 4. 3 - 4.7 - 5.1 - 5.6 - 6.2 - 6.8 - 7.5 - 8.2 - 9. 1.
Con esa lista de valores se determinan las resistencias comerciales; por ejemplo,
considerando el valor 1 de la tabla, se pueden conseguir comercialm ente resistencias de
O. 1.O., 1.O., 1O.O., 100.0., 1K, l OK, 1OOK, 1M, l OM. Si se considera por ejemplo 1.8, se
consiguen comercialmente resistencias de: 0.18.0., 1.8.0., 18.0., 180.0, l .8K, l 8K, l 80K,
1.8M. Si se considera el número 9.1, significa que comercialmente, se puede adquirir
resistencias de 0.91 .O, 9. 1n, 91 Q , 9 1OQ, 9. 1K, 91 K, 9 1OK, 9.1 M: y así sucesivamente.
Hacer arreglos de resistencias comerciales utilizando la tabla para obtener las siguientes
resistencias:
345.0, l 24K, 2.5K, 454.36.0, 2.468M, 998K, 1267.0, 368900.0, '/6.54K, 23.568K,
5.248.0, 140D., 9.6K, 280K, 85K, 3.SM, 0.72.0, 45.Q, 6.53.0, 580.0, 780K, 0.06.0, 2.5M.
22. Cuando se trabaja teóricamente, al efectuar cálculos se obtienen valo res de compo nentes
que contienen varios decimales, por ejemplo: 2.36924mA, 5.7238V, 632.4792K, etc. Sin
embargo, manejar esas cifras puede resultar impráctico, así que se pueden redondear o
aproximar. Lógicamente que al aproximar se pierde exactitud. La forma más simple de
aproximar es: co nsidere el dígito menos significativo (el de más a la derecha), si es menor
que cinco (5) se pierde este dígito, pero si es mayor o igual que cinco, se aumenta en uno
al dígito que se encuentra a su izquierda. Por ejemplo: 2.36924mA; el menos significativo
es 4 así que se desprecia por ser menor que cinco, entonces el número se aproxima a
2.3692111A. Ahora se mira el menos significativo que es 2. también se desprecia por ser
CONCEPTOS nASICOS l~LECfRÓNICA ANALOGA: n:onlA y LAfiORATOHIO s
menor que cinco. El nuevo número aproximado es 2.369mA. Continuando con el número,
ahora el menos significativo es 9 y, como es mayor que cinco, se añade uno al que le sigue
a su izquierda, la nueva aproximación queda: 2.37mA. Se puede dejar el resultado con dos
decimales, pero se puede redondear a un decimal, quedando: 2.4mA.
Resumiendo: la corriente 2.36924mA, se puede aproximar a 2.37mA o 2.4mA. ¿Cuál de
los dos valores se deja? La respuesta depende de la exactitud que se quiera, así que, se
define el error absoluto como:
Error Absoluto= 1 Valor teórico - Valor Aproximado 1
Para el ejemplo se tiene: Valor Teórico = 2 .36924mA, valor aproximado = 2 .37mA,

luego el error absoluto es:
Error Absoluto = 1 2.369 24 - 2.37 1 = 0.00076mA
Pero si se toma como valor aproximado a 2.4mA, el error absoluto es:
Error Absoluto= 1 2.36924 - 2.4 1 = 0.03076mA
Como se observa en los resultados, es menor el error absoluto entre mayor sea el número
de decimales considerado respecto del valor teórico
Se define el error relativo como:
. Error Absoluto
Error Relativo= - - ··-----· --- - -- * LOO'Yt, = V.
__! __-· ·V-- '~ * 100%
Valor Teorico VT
En donde VT es el valor teórico y V" es el valor aproximado. Normalmente el error
relativo se expresa en porcentaje y también se le suele denominar Porcentaje de
Error.
Volviendo al ejemplo, para la aproximación de dos decimales el porcentaje de error es de·
%ERROR= 0.032%
Mientras que para la aproximación de un decimal el porcentaje de error es:
º!t1ERilOR = 1.298%
Observe la diferencia en el error entre las dos aproximaciones.
Cuando se están efectuando diseños y esos diseños se llevan a la práctica, es recomendable
determinar el porcentaje de error entre los cálculos y las medidas efectuadas; en este caso
el porcentaje de error se determina como:
V -V i i
Error Relativo== ___ ...:~. --·---~.!. ·· * 100%
v,.
En donde V i\I es el valor medido. Las barras verticales en la ecuación indican que si la
diferencia es negativa, se toma su valor positivo
Basados en la teoría expuesta determinar el error absoluto y porcentaje de error del
ejercicio del numeral 21 .
CONCEPTOS BÁSICOS ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOidA Y LABOHATORIO 6
23. Se requiere de un circuito conformado por dos resistencias en serie y una fuente de voltaje
de l SV; se desea que el voltaje sobre una de esas resistencias sea de 7V con una corriente
de 13.SmA. Calcule el valor de las resistencias y luego ajuste a valor comercial esas
resistencias. Calcule voltajes y corrientes con los valores comerciales de las resistencias y
determine el porcentaje de error en el cambio de resistencias, corriente y voltajes.
24 . Para los siguientes circuitos determinar lo que se pide.
R1
RS
+ V2
RlQ
(B)
R21
(A)
R19 R.25
R.13
'~
I~
../'V\
fT
R22
- ~- ~ R24 R27
R12l rRlS R2G

(C)
¡ (D)
FJGO. l
Para el circuito dt.· la FIGO. !(A): Considere V = 20V, R 1 = 3.2K, Rz = SK, RJ = 1.8K,
Ri = 6K. Determine la corriente total que requiere el circuito y la co rriente que circu la a
través de cada res.istencia; calcule el voltaje que cae sobre cada resistencia y la potencia
que disipa tod o {1 circuito. Luego ajuste las resistencias a los valores más próximos
comerciales y efeoúe todos los cálculos realizados para el circuito original; determine los
porcentajes de error.
Para el circuito (B) : La corriente que suministra la fuente V es de 500mA, la corriente que
pide el circuito es l 6mA, la resistencia que 've' la fuen te es de 937.5.0, las resistencias con
subíndice par son iguales, el voltaje sobre Rr. es de 1OV mientras que el voltaje que cae
sobre R 9 es de 8V, la corriente que circula a través de R 10 es de 3mA. Determine el valor
de las resistencias del circuito y el voltaje ele la fuente V. Efectúe cálculos co n
aproximación a dos decimales.
Luego de determinar las resiste ncias, cambiarlas a su valor comercial más prox1mo y
efectuar el análisis de l circuito; firrnlmente, determine los porcentajes de error de
resistencia equivalente. corrien te total del ci rcu ito al cambiar las resistencias al valor
comercial. . . . . .-
CONCEPTOS nAs1cos t·:LEC'TRÚNIC''A ANA Loe;,\: TEORL\ Y LAllOllATOIHO 7
Para el circuito (C): La fuente es de 30V y la corriente que pide el circuito es de l SmA.
Todas las resistencias tienen igual valor óhmico. Determine el valor de las resistencias, y
luego calcule las caídas y corrientes en cada una de esas resistencias. Aproxime a dos
decimales todos los cálculos.
Ahora, ajuste las resistencias al valor comercial más cercano y calcule los voltajes y
corrientes con un decimal de aproximación. Finalmente, determine los porcentajes de error
de resistencia total, corrientes y voltajes. Evalúe el error acumulado al calcular los valores
totales.
Para el circuito (O): El valor de las resistencias es el que indica los subíndices de cada
elemento divididos en 1O en KD., por ejemplo: R19 = l.9K, Rw = 2K, R11 = 2.1 K y así
sucesivamente. Además, la füente de voltaje V es de 35V @ 2A. Calcule la resistencia
equivalente que 've ' la fuente y la corriente que debe suministrar al circuito, luego calcule
-"' todos los voltajes y' corrientes en cada resistencia haciendo aproximación a tres decimales.
Finalmente, aproxime resultados a un decimal y determine los porcentajes de error en los
voltajes y corrientes. ¿Qué potencia total disipa el circuito? ·
25. Para el circuito de la FIG0.2(A) se tiene un circuito serie conformado por tres resistencias
y la füente V. Se indican dos puntos de medida: V2 y \13; cuando los puntos de medida
solo tienen un subíndice, significa que se miden respecto de la referencia del circuito
(tierra), y cuando tiene doble subíndice significa que se mide sobre los puntos que indican
los subíndices. Así que \13 es el voltaje desde el punto 3 a tierra, V2 es el voltaje desde el
punto 2 a tierra, V 23 es el voltaje entre los puntos 2 y 3, específicamente el voltaje sobre la
resistencia R1 en el circuito.
Para determinar el voltaje \13 se procede así:
-~.
Se calcula la resistencia equivalente que se 've' desde la fuente: Req = R1 + R1 + R3
Se determina la corriente que circula a través de las tres resistencias aplicando la Ley de
Ohm: 1 = VI Rcq.
En un circuito srl'Ír, In corriente es igual a trn·vé~ de cada componente de circuito,
bajo este principio se tiene que la corriente a través "de R, es la misma corriente que a
través de R2 e igual corriente a través de R3 , así que se aplica otro principio:
En un circuito serie, los voltajes dependen directamente del valor de los componentes
y la sumn de esos voltajes es igual al voltaje de la fuente.
Rl
r R2
V2
V3
+ V Rl
[2
R2
Vo
R.3
(B)
FlG0.2
CONCEPTOS nASICOS ELE< THÓNIC1\ ANALOGA: TEO ldA Y L;\llOllATORIO 8
ll.2. VOLTAJE-CORRIENTE-RESISTENCIA
Significa que sí las tres resistencias son diferentes, también serán diferentes sus caídas de
voltaje y entre mayor sea la resistencia, mayor será la caída sobre la resistencia, así que:
Y1u = l Ri, VRl = I Ri, VRJ = l RJ.
Como el objetivo es determinar el voltaje V 3 , que es igual al voltaje sobre 1'3, se tiene:
V
------R3
R 1 +R 2 +R 3
Tgualrnente si se desea obtener el voltaje sobre Ri, se tiene:
V
V1u = - - -- - - - R1
R 1 + R2 + R3
V
Y sobre R1: Vn1= R
R, + Ri + R3 t
Observar que en las tres expresiones, no aparece la corriente, entonces se puede determinar
el voltaje sobre cualquier componente de un circuito serie apl icando lo que se denomina un
Divisor de Voltaje. Se puede generalizar para un circuito de o-resistencias, en donde el
voltaje sobre la resistencia n es:
V1t11 = V - - - - Rn
R,+R 2 +R 3 + ... +Rn
Determine para el circuito ele la flG0.2(A) el voltaje sobre R 2 y R3 aplicando el principio

de divisor de voltaje si las resistencias son: R 1 = l .2K, R2 = 5. l K, RJ = 2.2K y el circuito
se alimenta con 20V.
26. Un circuito está alimentado con 25 voltios, se requiere de un voltaje de SV. Utilizando
divisor de voltaje construir el circuito que satisface esa condición.
27. Ahora considerar el circuito de la FlG0.2(B). Es un circuito paralelo con tres ramales en
los cuales se cumplen los siguientes principios:
En un circuito paralelo, el voltaje sobre cada rama del paralelo es igual al voltaje de ·--
la fuente de alimentación.
La co1Ticnte que circula en cada ramal depende inversamente de la resistencia y la
suma de las corrientes de todos los ramales es igual a la corriente total del circuito.
Considerando los principios anotados, el objetivo es determinar la corriente a través de
cada resistencia del circuito paralelo, entonces se procede así: -·
\
La corriente a través de la resistencia Ri en el circuito considerado es: 11 = V / R 1, la

corriente a través de Ri es: 12 =V/ Ri.
La suma de las corrientes es la corriente total del circuito: 1 = l 1 + Ji. Reemplazando se
obtiene:
l =V ( 1 I R1 + 1 I R1) =Y (R1+ Ri) I (Rt Ri)
De donde: V = 1 ( R1 Ri) I ( R1 + Ri)
CONCEPTOS oi\s1cos EU-:C.THÚNIC/\ ANALOGJ\: TE<mlA Y LAilORATOIUO 9
0.2. VOLTAJE-CORRTENTE-RESISTENClA
Entonces la corriente Ii se define como:

h =VI Ri =l R1 I (R1 + Ri)
Y la corriente a través de R 1 es: 11 = J Ri / (R1 + Ri)
Se deduce que para determinar la corriente a través de cualquier ramal de un circuito
paralelo sin tener en cuenta el voltaje, se aplica un Divisor de Corriente. Para el
circuito analizado, suponer que I = 30 mA, R 1 = 6.2K, R 2 === 1OK, determinar la corriente
a través de R1 y Ri aplicando el principio de divisor de corriente.
28. Un circuito paralelo de dos resistencias tiene una equivalente de 2.SK y una de las
componentes del paralelo es de 4. 7K. Además, el circuito se alimenta para que la füente
suministre 6.SmA. Determine las componentes del circuito y la corriente a través de cada
_....... ramal del paralelo.
29. Una fuente suministra una corriente de 1OOmA a un circuito paralelo, y se requiere de una
corriente de 25mA. Determine las
componentes del circuito. Asumir lo que se
l
requiera.
30. Un circuito que se utiliza para determinar una
resistencia desconocida es el puente de
v-=- \Vheatstone y cuyo circuito típico se muestra
en la FIG0.3. Consta de cuatro resistencias,
tres de ellas conocidas y la cuarta es la
resistencia que se desea determinar; el arreglo
resistivo se alimenta con una fuente OC y
entre los puntos Va y Vb se conecta un
medidor (voltímetro). Cuando el instrumento
FlG0.3 indica cero voltios, se dice que el puente estfi
equilibrado y entonces se determina la resistencia desconocida. Utilizando el principio
de divisor de voltaje obtenga la relación entre las cuatro resistencias.
31 . ¿Qué es un potenciómetro?. ¿Qué es un potenciómetro lineal?, ¿Qué es un potenciómetro
logarítmico'7. /\note un ejemplo práctico en donde se utilice un potenciómetro
logarítmico.
32. Otra herramienta matemática que se
utiliza en electrónica son las Leyes de
Kirchhoff y se utilizan cuando los
circuitos contienen dos o más fuentes y
la reducción ele sus circuitos resistivos
v1 no son tan sencillas. Son dos estas
leyes: ley de Kirchhoff de voltajes y ley
de Kirchhoff de corrientes. La primera,
la ley de Kirchhoff de voltajes define el
lazo o malla (loop) de un circuito como
FIG0.4
CONCEPTOS Bi\SICOS ELECTllÓNICi\ ANÁLOGA: TEORfA Y LABORATORIO lQ
un recorrido cerrado a través de distintos elementos. Por ejemplo, en la FlG0.4, el circuito

tiene dos mallas y que se indican como Ml y M2. El sentido de la malla es arbitrario y, como
se indica en la figura, se colocó en sentido reloj . Una vez se establece el sentido de la malla, se
fija la caída en las resistencias, considerando la caída con polaridad contraria a la de la
fuente, es decir, más(+) por donde entra la corriente y menos(-) por donde sale. Si observa la
resistencia Ri, para la malla l\'Il, el + está arriba, pero para la malla M2 el + está abajo. Una
vez establecidas las mallas, su sentido y la polaridad de la caída sobre cada componente (La
polaridad en las fuentes es inalterable) se procede a plantear la malla; la ley de Kirchhoff de
voltajes dice: La suma algebraica de voltajes alrededor de una malla es igual a
cero. Entonces, las mallas quedan:
Para Ml: - Y1 + 11 R1 + 11 R1 - h R1 =O, o: V,= I1 ( R, + Ri )- 12 Ri
Para M2: - V2 + li R2 + li R3 - 11 R2 =O o: V2 = h ( R2 + RJ ) - J, R2
El procedimiento que sigue es resolver las dos mallas, puesto que se conocen los voltajes
de las fuentes y las resistencias, se determinan las corrientes y otros cálculos adicionales.
Considere para el circuito de la FIG0.4 que: V, = 8V, V2 = SV, Ri = 3K, R1 = SK y
R 3 = 8K, determine las corrientes y la caída de voltaje en cada resistencia; hacer
aproximaciones con dos decimales .
33. Determine corrientes y voltajes en cada resistencia para los circuitos de la FIG0.5.
Considere para los tres circuitos: V,= IOV, V2 = SV, \'3 = 8V, V.i = 12V y seleccionar las
resistencias con valores comerciales para que estén comprendidas entre 800D. a 20K
R1 Vl
--""•\~------11 .
--
rlG0.5
CONCEPTOS n,\s1cos l·:u:crnóNH',\ ANAL!H;,.\; TEOHÍ:\ \' l.,\llOll,\'rOIUO 11
0.2. VOLT1\.JE-CORRI ENTE-RESISTENCIA
34. Desarrolle los circuitos de la FIG0.5, sí: V 1 = 8V, V 2 = -6V, V 3 = -1.SV, V~ = lOV;
Seleccionar la s resistencias que estén comprendidas entre 100.0. y 5K
35. La segunda ley de Kirchhoff es la de corrientes y define el término nodo como un punto
del circuito en que se tiene tres o más conductores unidos. Por ejemplo en el circuito de la
FIG0.6 se presenta un circuito en el que se identifican tres nodos marcados como Va, Vb y
O, además, se establecen las corrientes que entran y/o salen de cada nodo; la selección de
los sentidos de estas corrientes es arbitraria, puesto que al resolver las ecuaciones
resultarán positivas o negativas. Si el resultado indica una corriente negativa, simplemente
se invierte el sentido de esa corriente. La ley de Kirchhoff de corrientes dice que la suma
algebnlica de las corrientes en un nodo es igual a cero, entonces para el nodo
Va del circuito se tiene: r1 + 12 + IJ + I~ =O . Y para el nodo Vb . I.1 + I~ + Is= O
Determinando las corrientes se obtiene:
FIG0.6
Va - V 1 -0 Va-V2 -0 Vn-Vb Va+V3 -Vb
Nodo Va: o= ·- - - - - - - + - -·--------- -- + - ---- - + - - - ---·--
RI Rl R4 R5
Vb-V3 - Va Vb-Va Vb-0
Nodo Vb: o= + ------ + - --
RS R4 R3
Las incógnitas en las ecuaciones son los nodos Va y Vb, así que se resuelve el sistema de
dos ecuaciones y dos incógnitas.
-- Resolver los circuitos de la FIG0.5, aplicando la ley de Kirchhoff de corrientes.
36. Consultar : Teorema de Thevenin, Teorcnrn de Norton, Teorema ele superposición y
plantee, de cada uno de ellos, tres ejemplos.
37. ¿Qué es un multímetro? ¿Qué funciones básicas contiene un multímetro?
38. ¿Qué es un multímetro digital y un multímetro análogo? Dibuje cada uno de ellos.
39. ¿Qué significan las siglas VOM y qué hace este instrumento?
40. Describa el proceso que sigue para: medir resistencia, medir voltajes y mec.lir corrientes
41. En los circuitos ele la FlG0.6A anotar la letra A de amperímetro y la letra V de voltímetro
en donde corresponda. Para cada uno ele los instrumentos anotados, escribir sobre qué
elementos mide el voltaje y a través ele que elementos mide la corriente.
CONCEPTOS uAs1cos ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOR\/\ y LABORATORIO 12
0.3. VOLTAJE Y CORRIENTE ALTERNA. lf\1PEDANCIA
~-·
o
Rt R2
(A)
FIG0.6A
~-> VOLTAJE Y CORRIENTE ALTERNA

IMPEDANCIA
La energía eléctrica que se utiliza en las viviendas, en la industria, etc.,
es llamada corriente alterna, pues esta corriente es fácil de generar y transportar a grandes
distancias. Igualm~nte en electrónica la corriente alterna se utiliza en muchas aplicaciones, por
ejemplo en las co1~1unicaciones para la transmisión de señales.
La tensión alterm. común tiene forma de señal sinusoidal como se muestra en la FIGO. 7 en
donde se dibuja d diagrama vectorial (el círculo) y la señal seno. Cada radio en el diagrama ·
vectorial correspcnde a la hipotenusa de un triangulo rectángulo y que representa la tensión
correspondiente a cada ángulo en la señal seno, así se observa que para un ángulo de 30° en el
círculo vectorial, -;orrespondc una amplitud en la seiial seno; entonces se logran los máximos
voltajes para 90º, y 270°.
La señal seno me )tracia en la flGO .7 corresponde a un ciclo, significa que la señal se repite
periódicamente; e1 tonces se define un ciclo como una oscilación completa de 360º.
Se definen alguno parámetros de la señal variable, como: Periodo es el tiempo que tarda un
ciclo; Frecucnci a define el número de ciclos o de veces que se repite una señal en un
scgu nclo.
CONCEPTOS BÁSICOS ELECl'HÓNICAANÁLOGA:TEORIA Y LABORATORIO 13
0.3. VOLTAJE Y CORRIENTE ALTERNA. IMPEDANCIA
~
. ···---·•••mHH•••---••HHH•-•n•m·- · 7
/ 90° 18, 270º 60°
~ ..-----:::. ............................................................................................................ ~____,/
l'IG0.7
Existe una relación recíproca entre el periocto y la frecuencia, así:
f = 1/ T
Con: f la frecuencia expresada en Hertz (Hz) y T el periodo expresado en segundos (s)
Otro parámetro es la frecuencia angular ((¡)) y se define como el ángulo descrito en un
determinado tiempo: ro= 2 n: f
La velocidad angular se expresa en radianes por segundo (Rad/s).
-- Entonces una señal seno se puede expresar matemáticamente como:

v = Vm sen (2 re f t) = Vm sen rot
Con: v el voltaje instnntáneo de la seíhl, Vrn el voltaje pico o máximo. De acuerdo con la
FIG0.7, los valores pico o máximo (son expresiones sinónimas) se obtienen en 90° y 270º.
La señal de la FlG0.7 se observa en un osciloscopio, pero cuando se coloca un voltímetro, el
instrumento indica un voltaje; pues bien, existe una relación entre la medida que se toma del
osciloscopio y la tensión que se mide en el voltímetro- y esa relación es un número que es
exactamente '12. así que: .
Vef =Vm/,,/2 y lcf = Im / '12
En donde V ef es la tensión eficaz o también conocida como tension RMS (Root mean
Square). Una definición del valor eficaz es: In tensión y corriente eficaz son equivnlentes a
lns tensiones continua y corriente continun que genernn la mismn potencia. Por ejemplo,
una tensión RMS de l OOV y corriente RMS de 1 A, generan el mismo calentamiento sobre
una resistencia que una tensión continua de 1OOV y una corriente continua de 1 A. El valor
efectivo es entonces medido con el voltímetro, mientras que el voltaje Ym se determina en el
osciloscopio. Es importante nclnrnr que In constante '12 es únicnmcntc válida p:irn
scii:ilcs sinusoictnlcs.
Junto con la señal alterna, se asocian dos componentes importantes: Uobina y condensador.
Condensador: Es un dispositivo que tiene la capacidad ele almacenar carga; está
conforrnaclo por dos placas conductoras separadas por un material aislante que se denomina
dieléctrico. C11a11do un condensador se conrcla a 11na ruente de voltaje, la placa conectada al
CONCEPTOS BASlCOS ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO J4
0.3. VOLTAJE Y CORRIENTE ALTERNA. IMPEDANCIA
borne negativo de la fuente recibe electrones, mientras que la otra placa pierde electrones; este
proceso de acumulación de cargas y déficit en una y otra placa continúa hasta que la diferencia
de potencial entre ambas placas es exactamente igual al voltaje aplicado. En este momento se
dice que el condensador está cargado. Esta carga se mantiene mientras siga conectada la
fuente. Es importante tener en cuenta que a través del condensador no hay paso de cargas
porque entre placas existe un aislante, es decir, no hay corriente a través r:lel condensador y si
existiera alguna corriente, entonces se dice que el condensador está perforado.
En el instante de conectar el condensador a la fuente, el voltaje sobre el condensador es cero y
al transcurrir el tiempo, el condensador se va cargando; lo anotado implica que en primera
instancia el condensador se comporta como un corto circuito y cuando tiene completa carga,
se comporta como circuito abierto; por otro lado, también se concluye que el condensador se
opone a los cambios de voltaje.
La unidad de capacidad es el Faradio, pero en electrónica se utilizan los submúltiplos: ~lF, nF,
pF.
Bobinas: es un alambre enrollado en un núcleo . Al hacer circular una corriente a través de

una bobina, se genera un campo magnético alrededor de ella. Si el campo magnético varía, se
genera en la bobina una tensión, así que la corriente que genera el campo magnético variable
también es variable; a la tensión generada se le denomina tensión autoinducida.
Cuando se conecta una bobina a una fuente, el voltaje sobre ella, en el primer instante, es igual
al voltaje de la fuente y su corriente es cero. Al transcurrir el tiempo, el volt.aje disminuye y la
corriente aumenta, hasta que el voltaje es cero con máxima corriente. Lo anterior implica que
inicialmente la bobina se comporta como un circuito abierto y luego, cuando tiene máxima
corriente se comporta como un corto circuito; además, la bobina se opone a los cambios de
corriente. La unidad de inductancia es el Henrio . y en electrónica se trabaja con los
submliltiplos: m I-1, ~tH.
Cuando una bobina y/o un condensador se conectan a una tensión alterna, se presenta una
oposición. Esta oposición se denomina reactancia que se identifica con la letra X; así se
tiene la reactancia capacitiva (Xc) y la reactancia inductiva (XL). Ambas dependen de la
frecuencia y se definen como:
Xc = 1 / (2 7t f C) XL= 2 1t f L
-'
Las reactancias son expresiones complejas U) opuestas y se expresan en Ohmios e indican

oposición al paso de la corriente alterna. Cuando se conecta el condensador, la bobina y una
resistencia, se tiene un circuito RLC y al energizar con una fuente alterna, se obtiene una
frecuencia llamada frecuencia de resonancia. Esta frecuencia se da cuando las dos
--
reactancias son iguales; como están en un plano complejo y son opuestas, esas reactancias s~
anulan y sólo queda la componente resistiva. Entonces en resonancia el circuito tiene
comportamiento netamente resistivo. La frecuencia de resonancia se expresa como: ·--
l
fr= -~=
27t.fLC
La resultante de sumar vcclorialmcntc la resistencia y la reactancia se denomina
·~-
i mpcd ancia expresada en Ohmios, y se define como:
CONCEPTOS nAsrcos l~l.l·:r:rnóNICA ANALOGA: TEORÍA V L/\UOrtxroaio 15
11.J. VOLTA.IE Y CORRIENTE ALTERNA. IJ\IPEOANCl1\
Así que la impedancia es la oposición que presenla un circuito RLC al paso de la corriente
alterna.
EJERCICIO ~
1. Una señal seno tiene 1OKHz de frecuencia. Determ ina su peíiodo.
2. Si una señal tiene l 00 MHz, ¿cuál es el periodo?
3. ¿Qué es longitud ele onda y cómo se define?
4. ¿Qué significa que una señal sea de microondas y de onda corta?
5. Una señal de 1KHz de frecuenci<l, ¿Qué periodo, velocidad angular y longitud de ond:~
tiene?
6. Una seiial tiene la siguiente forma: vi = 50 sen (3 14. l 6x 1OJt) Dclcrmine: frecuencia,
periodo, longitud de onda, velocidad angular, voltaje máximo, voltaje pico a pico. voltaje
eficaz, y voltaje en los instantes: 1 ~ts, 4 ¡ts, 5 ~ts, 1O µs, 14 ~ts, 18 ~ts y 20 ~ts.
-._
7. Una bombilla de 1OOW se conecta a la red ele 11 SV. Determine: voltaje eficaz, corriente
eficaz, voltaje máximo, voltaje pico a pico, frecuencia, periodo, voltaje y corriente cuando
..........
la señal esté en: 10°, 30°, 45°, 90º, 135°, 180°, 230°, 300º.
8. ¿Qué significa: desfase entre dos seiialcs'' Dibuje dos señales sinusoidales de la misma
frecuencia y diferente amplitud llamándolas A y B, con A en adelanto 30º respecto a B;
.---
luego dibujarlas cuando A esté en atraso 60º respecto a J3; ahora la seífal A está l 80º
........ desfasada respecto a la seií.al B; por último dibujarlas cuando las dos señales están en fase .
9. Respecto al numeral anterior, suponer que la señal A tiene lOVp (voltios pico) y la seií.al ll
tiene 30Vp Dibuje la señal resultante para los casos anotados en ese numeral si cada seña!
se obtiene de un generador y los dos generadores se conectan en :3erie. Adicionalmente
sumar las dos seiiales si presentan un desfase de 90°. Para este ejercicio resuelva cada
parte de la pregunta pero utilizando vectores que represente a la señal A y B.
1O. Determinar el vol taj e máximo y voltaje pico -pico de los siguientes voltajes RMS: 120V,
350V, 1OOmV, 18.95V, 150~LV, 220Y, 440Y.
11. Se conecta ur1a carga de sn a la red de 120Y. Determinar: corriente eficaz, potencia,
-- voltaje máximo, corriente máxi1m1, periodo de la señal y su velocidad angular. ¿Qué
sucede con los valores calculados si se duplica la frecuencia'J
12. ¿Qué hace un condensador? ¿De que partes está conformado? ¿Qué es el voltaje de trabajo
del condensador'7
13. Se tienen tres condensadores de igual valor conectados en paralelo, ¿A qt1é es igual su
capacidad equivalente? Y si los tres condensadores se conectan en paralelo, ¿cuá[ es la
capacidad equivalente ahorn?
14. Al adquirir un condensaclor, ¿qué datos técnicos se entrega11' 1
CONCEPTOS nAs1cos 1'.LECrtlÓNICA ANÁLOGA: nmnlA y LAllOllATOntO 16
O.J. VOLTAJE Y COHRIENTE ALTERNA. IMPEDANCIA
15. ¿Qué es un condensador electrolítico?. ¿Qué es un condensador no polarizado?

16. ¿Porqué causas se puede perforar el dieléctrico del condensador?
17. Al igual que las resistencias, los condensadores se adquieren comercialmente con valores
estandarizados, así que se dispone de la siguiente tabla con la que se pueden determinar
esos condensadores: ·
pF: 1 - 1.2 - 1.5 - 2.2 - 2.7 - 3.3 - 3.9 - 4.7 - 5.6 - 6.8 - 8.2
~tr: 1 - 1.s - 2.2- 3.3 - 4.7 - 6.8
Así, se dispone de condensadores de 1Opr, 1SOpF, 3300pF, 47000pF, 0.1 S~tf', 3.JµF, 220
pF, 2200~tF, ele. De acuerdo a la rabia, hacer arreglos de condensadores para obtener los
siguientes valores teóricos: 125nF, 12.8pF, 2.3htF, 866.91.tF, 33.87nr. SOOO~tF. Parn cada
uno de los casos planteados, luego de hacer el arreglo capacitivo que se acerque al valor
teórico dado, determinar el porcentaje de error.
18. Determinar el valor de los condensadores que se presentan en la FIG0.8
R~ R
(~Fl
FlG0.8
19. ¿Qué es un trirrnncr?. Un ejemplo práctico en donde se utilice el trimmcr. Dibuje un
trimmer.
20. Consulte cuál es el v<llor máximo en fnrnclios que fabrican los condensadores
21. ¿Cómo se comporta un condensador cuando está iniciando su carga y ~ómo se comporta
cuando está completamente cargado?
22. ¿Un condensador se opone a los cambios ele qué componente eléctrica?
23. ¿Qué es reactancia capacitiva? ¿Cómo se expresa? ¿En qué unidades se da?
24. Se tiene un condensador de 1OOpF, y se conecta a un generador que tiene una frecuencia
de 1OKI-Tz. Determine la reactancia que presenta el condensador. ¿Cómo será la reactancia
si la frecuencia es de 1OOKtlz?
25. Un generador de señal se ajusta para que entregue 1OVcíectivos con una frecuencia de
50KHz. Al generador se conectC111 en serie !res condensadores de 1OnF, 22nf y l 2nF. ¿Qué
.-,
CONCEPTOS fü\SICOS El.ITrnÚNICA ,\NALoC:A: TEORÍ1\ V LABOllATOIUO J7
0.3. VOLTAJE Y CORRIENTE ALTERNA. 11\IPEDANCIA
capacidad equivalente 've' el generador?. ¿Qué voltaje almacena cada condensador?. ¿Qué
reactancia presenta cada condensador?
26. Un circuito serie conformado por un condensador de 1OnF y una resistencia de 1OOD se
conecta a un generador que tiene 30VRMS y 50KHz. Determinar la impedancia que 've' el
generador, el voltaje que cae sobre el condensador y la resistencia, la co rriente que
atraviesa al circuito. ¿Existe desfase entre el condensador y la resistencia?. Si la respuesta
es afirmativa, determinar ese desfase. Igualmente determine los desfases entre: los voltajes
del generador y del condensador y los voltajes del generador con el de la resistencia.
27. ·¿Qué es una bobina?¿De qué componentes está conformada?
28. ¿De qué parámetro eléctrico depende el material del núcleo?
29. ¿Cuál es la unidad de la inductancia?
30. Tres bobinas de igual valor conectadas en serie, ¿cuál es la inductancia equivalente?. Si se
conectan las tres bobinas en paralelo, ¿cuál es ahora la inductancia equivalente?
31 . ¿De qué parámetro eléctrico depende el calibre del alambre en la bobina?. Y ¿de qué
parámetro depende la cantidad de vueltas de alambre en la bobina?
32. Consulte sobre los distintos materiales de que está fabricado el núcleo de las bobinas.
33 . Consulte lo que dice la Ley de Faraclay y la Ley de Lenz.
34 . ¿Qué es reactancia inductiva, cómo es la ecuación que la define y en qué unidades se
expresa?
35. Una bobina de IOO~LH se conecta a un generador de lOVefcctivos. ¿Qué frecuencia debe
tener el generador para que la reactancia de esa bobina sea de 1OOD?
36. Se conectan tres bobinas de 50~tH, 80~LH y lOO~tH en serie a un generador de 1OYp y
l OOKI-Iz de frecuencia. Determine: Reactancia que 've' el generador, corriente que circula
a través de las bobinas y voltaje que cae sobre cada bobina.
37 . Se tiene un circuito RLC con: R = 250~l L = 1mH y C = 80nF. Este circuito se conecta a
un generador sinusoidal de 60Yef. Determinar: la frecuencia a la que está resonando el
circuito; impedancia que 've' el generador cuando el circuito está resonando; voltaje que
cae sobre cada componte del circuito y la corriente .que requiere el circuito; desfase sobre
cada componente entre el voltaje y la corriente; ¿qué comportamiento presenta el circuito
en resonancia?. Ahora la frecuencia del generador se reduce a la mitad de la de resonancia.
Determine: Impedancia que 've' el generador, voltaje sobre cada componente y corriente
total, Desfase de voltajes con la corriente en cada componente; ¿qué comportamiento
presenta el circuito a esta frecuencia?. Por último, la frecuencia del generador se hace
doble de la de resonancia. Determine: Impedancia del circuito, voltaje sobre cada
componente y corriente, desfases de voltaje y corriente en cada componente. ¿Qué
,,-.
comportamiento presenta el circuito a esta frecuencia? Como resultado del desarrollo ele
este numeral, anote sus conclusiones.
38. ¿Qué es el factor ele calidad Q de una bobina? ¿Con qué ecuación se define?
39. ¿Cómo se determi na la resistencia propia de una bobina?
CONCEPTOS IlÁS 1COS ELECTllÓNICA ANiÍ.LOGA: TEOHÍA Y LABOHATOIUO 18
O.J. VOLTAJE Y CORRIENTE ALTERNA. 11\'fl>EDANCIA
40. Describa como es el compo1tamiento de un circuito RLC conectado en paralelo.

41. ¿Qué es un cristal de cuarzo? Dibuje su circuito equivalente. ¿Para qué se utiliza un
cristal? Anote la frecuencia de oscilación del cristal útilizado en los televisores a color.
42. ¿Cómo se denomina el recíproco de: resistencia, reactancia, impedancia? ¿Con qué siglas
se identifican esos recíprocos?.
SECUNDARIO
3(~ (
_r L
(E)
(O)
(A)
J(
(H)
(C)
(A) TR.:\.NSFORJl.lADOR. COf\.tUN

(D)
(B) (C) SENTIDOS DE LOS DEVANADOS

JE
(1)
--
(D) AUTOTRANSFORJl.L.1..DOR
REPRESEN'TACION DE LOS TR.ANSFORJ\.lADORES
(E) NUCLEO DE HIERRO (F) NUCLEO DE FERRJTA
(G) NUCLEO DE FERI'.JT.A AJUSTABLE (H) NUCLEO DE AIRE
(l) TR.:\NSFORM •.1..DOR CON DOBLE DEVANADO Y TAP CENTRAL EN SECUNDARJO
FfG0.9
El transformador es un dispositivo estático (¿ ?) y auto reversible (¿ ?), muy utilizado en el
hogar, la industria y, obviamente en la electrónica. Gracias a este dispositivo, se pueden
,_
transportar grandes cantidades de energía eléctrica entre puntos remotos; así es posible
llevar tensiones del orden de kilovoltios con pequeñas corrientes y luego bajarlas de ·
voltaje, por ejemplo a 1 1OV y aumentar las corrientes.
En la FIG0.9 se muestran diversos transformadores y sus símbolos. Cualquiera que sea el
transformador, se tiene algunas relaciones entre el voltaje, corriente y cantidad de espiras
del primario y secundario, así que se cumple:
Vp Np lp Ns
---·- -=-
Vs Ns Is Np
Que significa: el voltaje es directamente proporcional al número de espiras; así que, entre
mayor célnticlad de vueltas de alambre, mayor es el voltaje. Y la corriente es inversamente
CONCEPTOS uAs1cos ELECrHÓNICA ANÁLOGA: TEOHl1\ \' LABOJU\TOHIO J9
ll.4. SIMULACIÓN
proporcional al número de espiras, luego a mayor cantidad de vueltas de alambre, menor

es la corriente a través del devanado.
Es de anotar que las ecuaciones anteriores son realmente relaciones y se deben leer así:
"Voltaje de primario es al voltaje de secundario corno el número de espiras del primario es
al número de espiras del secundario" En igual forma se dice: " La corriente del primario es
a la corriente del secundario como el número de espiras del secundario es al número de
espiras del primario". Y es precisamente gracias a estas relaciones entre voltaje y
corrientes, que es posible transportar grandes cantidades de voltaje con pequeñas
corrientes y luego transformarlas a pequeños voltajes con grandes corrientes.
A la relación Np I Ns se denomina relación de transformación y se representa con la letra
Np
a: a = -.-
Ns
Por ejemplo si a = 50, significa que se tiene 50 vueltas de alambre en el primario por cada
vuelta de alambre en el secundario. Este es un transformador reductor; si el primario tiene
11 OV, para esa relación de transformación se tiene en el secundario 2.2V.
El transformador como dispositivo real tiene pérdidas. Consulte que son las pérdidas por:
Corrientes de Foucoult, pérdidas de histéresis, pérdidas por el cobre, pérdidas por
flujo . Qué solución se da para reducir cada una de esas pérdidas.
43. Se tiene en red 440Vef y se coloca un transformador de manera que en el secundario se
obtiene 20V; por razones normales la tensión en la red varió ±20%. Determinar para esa
variación ¿cuánto cambia el voltaje en el secundario?
44. En el secundario de un transformador se tiene 35Vp, aplicando en el primario 220Vef;
¿cuál es el voltaje en el secundario R.Ivf S si el primario varia en ±15% su voltaje?
45 . Sobre una carga resistiva hay una caída de 42Vpp, voltaje que es obtenido de un
transformador con una relación de transformación de 60. ¿Cuánto cambia el voltaje pico a
pico en la carga si el voltaje en primario cambia en ±50Vef?
46. ¿Qué es la inducción mutua?
47. ¿Qué es un choque? ¿Para c¡ue se usa?
48. ¿Qué es un variac?
,
SIMULACION
Una herramienta poderosa que dispone el ingeniero para verificar un circuito
son los pac¡uetes de simulación. Se disponen ele algunos de estos paquetes como son :
Microcap, Workhcnch , Circuit l\'lakcr y el Pspicc entre otros. Básicamente lo que permite
la simulación es construir un circuito en forma virtual ayudado con una computadora y
efectuar los análisis, mostrando resultados en forma rápida. Así se optimiza el tiempo de
trabajo, porque una vez se efectúa la simulación y se conoce el comportamiento del circuito,
se puede llevar al montaje real.
CONCEPTOS BÁSICOS ELEC:rRÓNICA ANALOGA: ·rnoHIA y LAJJORJ\TORIO 20
0.-t. SIMULACIÓN
Cualquiera que sea el paquete, su uso presenta ventajas indiscutibles, a saber:

1. Se puede verificar cualquier circuito en forma rápida y segura.
2. Se determinan las características eléctricas, respuesta en frecuencia y tiempo fácilmente.
3. Se pueden variar los componentes del circuito y determinar los efectos de estos cambios.
4. Las gráficas que se entregan son fáciles de analizar en todos ·sus detalles.
5. Si se adquieren componentes originales, al efectuar el montaje del circuito en forma real , el
porcentaje de error entre la simu laci ón y la respuesta real es muy pequeño.
6. Se considera la simulación un montaje virtual; esto refuerza lo expuesto en el punto 5.
7. Se pueden crear componentes, generando librerías de usuario.
8. Los circuitos, gráficas, tablas, etc., obtenidos en las simu laciones, se pueden 1mpnrntr,
editar y llevar a otros paquetes.
9. El manejo es sencillo y se encuentra bastante apoyo técnico en Internet.
En el proceso de diseñar un circuito, un paso necesario posteri or al diseño es la verificación
para asegurarse que se comporta de acuerdo a las condiciones deseadas. Algunas de las
pruebas realizadas son: la verificación del punto de funcionamiento, compo11amiento cuando
se aplica señá.1, respuesta cuando cambia uno u otro parámetro o cambio de la temperatura o de
la frecuencia, cte. Si estas pruebas se realizan en el laboratori o, el tiempo empleado es grande,
además del equipo que se requiere puede resultar inalcanzable.
Todas estas pruebas se pueden realizar virtualmente, mediante los paquetes ele simulación. En
este libro, se utiliza con mayor énfasis el paquete de simulación PSPICE.
SPICE significa Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis.
El análisis de circuitos usando PSPICE tiene, entre otras, las siguientes características:
• Observa el funcionamiento de un circuito en forma virtual, antes de emprender su montaje
real .
• Usa componentes ideales y también reales para los diseños.
• Realiza medidas que involucra variaciones en el tiempo, en frecuencia, Fourier.
• Simula un circuito varias veces con variaciones en los componentes.
• Cambia los parámetros de los modelos de los dispositivos semiconductores, de tal manera
que se puedan hacer simulaciones para distintas condiciones de estos.
• Observa la dependencia de la temperatura, generación de ruido, así como los efectos de las
capacidades intrínsecas y de las propiedades fisicas de los di spositivos usados.
Es importante resaltar dos aspectos: Uno, que PSPICE o cualquier paquete de simulación,
sólo analiza circuitos. No se puede diseilar ni optimizar; esto lo hace Usted: ¡El
diseñador, el Ingeniero! Y dos, el laboratorio es fundamental; la simu lación es un paso
previo al montaje y prueba real.
Inicialmente se va a analizar un circuito. ---
CONCEPTOS nAs1cos El.F.CrnÓNICA /\NALOC;A: TEOIÜ/\ Y LABOllJ\TOlHO 21
OA. SIMULACIÓN
~ E.JEIVIPLO
Construya y analice mediante los paquetes de simulación un circuito RLC serie con:
R = 1OOD, L = 20 mH y C = 1OnF, conectado a un generador sinusoidal de 20Vp y 30KHz
SOLUCIÓN. -./
Como se comentó, la simulación con los paquetes de electrónica es una herramienta para el
estudiante y el profesional, es así que se estará utilizando continuamente a lo largo de todo el
libro. En la mayor parte de las simulaciones se utiliza el paquete de Microsim: PSPICE.
El análisis se va a hacer inicialmente en PSPICE en la versión 8.0 y para comenzar se debe
entrar al SCHEMA Tres que es un protoboard virtual en donde se va a construir el circuito.
Para llegar al paquete se procede en el siguiente orden: INICIO - PROGRAMAS - DESIGN
LAY EVALS - SCHEMATICS. Aparece una pantalla como muestra la FIG0 ." 11 que es el
tablero del esquemático con todas las herramientas disponibles. La FIG solo muestra la parte
supenor.
Ahora se procede a dibujar el circuito que se va a analizar; este contiene: el generador que se
indica en el circuito como VI. Para llevar el generador y los demás componentes al
esquemático se procede así: con el teclado pisar simultáneamente CTRL G, aparece la
librería que dispone el simulador. En el espacio superior de la librería se escribe VSl.N, que
significa generador de voltaje sinusoidal y aceptar (OK). En igual forma se trae los demás
componentes del circuito: la resistencia R, el condensador C la bobina L y la tierra EGND.
Se disponen los componentes en el esquemático teniendo en cuenta que:
• Si se quiere desplazar un componente, se pica el componente con el puntero y con el botón
izquierdo del ratón se da un click cambiando de color el componente (rojo), luego
manteniendo el botón izquierdo presionado y el puntero sobre el elemento, se desplaza a
donde se quiere llevar.
~ MJcraSim Scfuimatlcs • 1Schrmatic1 p.1 J · ··
¡1j Eile ~·fü ~r•w t:!•vi'd~ ~i~w ~~titns .ó.n•lysis Ittls M•rk~rs Wimlew H~I~
¡n11~Jeil ~ pq¡~Ji'fil ~ ¡§Jlf(]f'T(~-1¡cq l [~J~llGP~J Id G~1
ElfilJ 1
Non• [j ift]!]g] fY]@IT]f*]
FIG0.1 l
CONCEPTOS DÁSICOS ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LA110HATORIO 22
OA. SIMULACIÓN
• Si se desea rotar un componente, se pica componente con el puntero, un click con el botón
izquierdo del ratón cambiando de color el componente, luego se presiona simultáneamente
las teclas CTRL R las veces que se requieran. Cada clic rota 90°.
• Si se desea borrar un componente, se pica el componente con el puntero, click con el botón
izquierdo cambiando de color el componente, luego con la tecla DELETE se borra el
componente.
• Cuando se trae un componente de la librería, cada vez que se da un click con el botón
izquierdo, se pega el componente en el esquemático. Para no pegar más componentes, dar
un click con el botón derecho.
Ahora se unen los componentes con líneas; si observa, en la parte superior del esquemático
aparecen dos lápices, uno da un trazo delgado y el otro da trazo grueso. Utilizando el lápiz de
trazo delgado se procede así:
Puntero sobre un extremo del elemento, click con el botón izquierdo, se mueve puntero al
extremo del otro componente a donde se desea llevar la línea; observe que aparece una línea
punteada. Cuando el puntero pica el extremo del elemento a donde se quiere unir la línea, se
da otro click con el botón izquierdo. El lápiz también se puede llamar por medio del teclado
así : presione las CTRL ,V.
Ahora se configura el generador y se da el valor deseado a los componentes.
Para configurar el generador: puntero sobre el generador, doble click con el botón izquierdo,
así que aparece una ventana como la que se indica en la FIG0.12. Para configurar el generador,
se requiere de los siguientes elatos numéricos:
DC: Indica si la señal tiene un nivel continuo. Para el ejemplo se escribe OV. Se puede
escribir únicamente O y será interpretado como cero voltio.
V.t PartName: VSIN 13
_t!ame ~.alue
ITD = (1 ~ave Attr

• AEFDES=Vl Cb-~nge Displ.!!y 1
• TEMPL~TE·V~@RE FDES 4• 4· ?DCIDC@DCI ?.6.Cl.\C@t-
DC=O .
.6.C=20
VOFF=O
V.u.MPL=20
FREQ=30KHz ..:J
P lnclude N.Qn·ch~nge~ble Attribl1tes QK

P 1nclude S ~stem·defined .6.thibutes Cancel
FIG0.12
AC es la amplitud pico y es un dato que se debe entregar cuando se hace simulación de
BARRLDO AC (AC SWEEP). Para el ejemplo se escribe AC = 20
VOFI' indica una tensión offset o de desbalance y se puede dejar en cero voltios: VOFF =O
VAM PL es la amplitud pico y se debe dar valor cuando se hace simulación de
TRANSIENTE (TRANSTENT). VAIVIPL = 20
CONCEPTOS nAs1cos 'ELl~Cl'HÓNICA AN..\ LOCA: TEC>n iA Y LAllOHATOHIO 23
11..t. SIMULACIÓN
FREQ Es la frecuencia de la señal que se aplica en el generador: FREQ = 30 KHz

Para dar valor a la resistencia se coloca puntero sobre el valor indicado de la resistencia
(generalmente se da por defecto l K); doble click con el botón izquierdo, se abre una ventana
en donde se coloca el valor deseado. Igual proceso de realiza para colocar el valor de los otros
componentes. Tenga en cuenta las siguientes letras para los múltiplos y submúltiplos: m, M:
indica milis; u, U: micro; n, N: nano; p, P: pico; K, k: kilo; Mcg, mcg: mega; G, g: indica
giga.
,-
Finalmente, para indicar puntos de medida en el circuito se añaden tres marcadores que en la
librería se conocen como BUBBLES. Un marcador (o indicador) se coloca en el generador y
los otros marcadores se colocan entre C y L y en la resistencia. Para dar nombre a estos
marcadores, con el puntero sobre el marcador, se da doble click con el botón izquierdo del
mouse, como se hizo con el valor de las resistencias; aparece una ventana en donde se coloca
el nombre deseado. Para el ejemplo se coloca: vi, V1, Yo . El circuito terminado se muestra en
la FIG0. 13.
,,..¡ VL Vo f$1MfJ
j
T uls t-.·1;orkers Yi'.in clew He
j J;,lectric ..l l": u le Check
. . ~~
(.). ___,-:;;,;-..1--11 l J;;;re .,te Netlist
V1 lr l 1: Se!llp... · · - -
1,ilor.ary .ancl lnclucle File~ ...
I"\... ,.., R1 ~imul.a\e
> 100
1
l"re_!e Selu¡a .
F11
~un l"¡elte F12

1
1 E:«•mine !:!ellist
FIG0.13 FIG0.14
Para efectuar la simulación, con el puntero se coloca en el menú superior y se pica la
herramienta ANALYSlS . Se abre una ventana como la que se muestra en la FTG0.14.
Ana(J.1si• Selup · · . · :. . . . - .. . . r:::;
En.,ltlecl En.altlecl
¡----------t:e:-;;::~-~:;;~-----------1 [------¡;(~-$~-------]
n ¡ep;se
r·------·---~-~~ -~·-1 ·;-;;;·¡.;·~¡;~¡:-.·.·--·------- ·1 1··--·------- - ---6·;~~;;¡;¡~::·.----------·--·-··1
......... o o
o 1 ~"ve l i.;os l"eint.. .
1 o s ensitivity .. - ]
,....._
o 1
:!C Swee,. ...
1 o T~m,.er .ature ...
1
n [ !0. er1te Cilrl•,l\r/erst Cilse... ·1 o T r.ansle r functie n ...
1
Pi r !i<1s l'"eint •et«il
..
-·1
¡---·--- · ----·--¡;·¡~;¡-~·, 5·~·¡~;;·.·.·~-··-··--··--··1
o I1.-r".c;.ier1t. .. ·1
FIG0.15
En esa ventana, interesa la utilidad SETUP. Picando en Setup se habilita otra ventana como la
que se muestra en la FlG0.15_ En esta nueva ventana, se indican todas las simulaciones que se
pueden realizar con el paquete PSPICE, entre las que se dest aca n: AC S\VEEP, OC SWEEP,
ílIAS POINT DETAIL, TEMPI~ RATURE y TRANSlENT. En el transcurso de los temas
CONCEPTOS 0As1cos ELEC..THÓNIC..\ ,\Ni\LOGA: TEORÍA Y LAllOIU\TOIUO 24
OA. SIMULACIÓN
se van explicando estas y otras utilidades: por ahora solo interesa las simulaciones en
transiente.
La simulación inicial consiste en observar las señales en los tres marcadores: vi, VL y Vo
como si se tratara de un osciloscopio, es decir, como si se colocara una sonda del osciloscopio
en la entrada sobre el generador y la otra sonda sobre los otros puntos de interés. Estas señales
se pueden observar con la utilidad TRANSIENT, así que picando sobre esta ventana en la
FIG0.15, aparece otra ventana que se muestra en la FlG0.16.
Allí se indican dos espacios para completar: uno
Translent . El indicado corno PRlNT STEP, o pasos de impresión e
T ransient Analysis
indica la definición de la gráfica. El otro espacio está
Erint Step: J10ou
indicado como FCNA L TIME y el valor que se
[inal Time: J1001.1
coloque allí indicará el tiempo máximo de barrido.
t!o·Print Del.?1y: Para escoger el FfNAL TIME se procede con la
dtep Ceíling: siguiente lógica:
í .Qetailed Bias Pt. El generador tiene dentro de los datos de su
í S!sip inilial lransienl solulion
configuración la frecuencia. Para el ejemplo se
Fourier .11.nalytis consideró una frecuencia de 30KHz. Entonces se
í _Enable Fourier determina el periodo de esa frecuencia, recordando
r;enter FreQlJency: que la frecuencia y el periodo son recíprocos (no
Number of barmonics: inversos(¿?)), es decir:
Q.utput Vars.: T = l/f
OK C.:mcel j Así que para la seiíal considerada el periodo es de:

T = 33.33ps. Entonces, a criterio, se decide cuantos
FIG0.16 ciclos de la señal se quiere observar en la pantalla, por
ejemplo, se quiere ver 3 ciclos de la señal entonces el FINAL Tilv1E será de lOOµs; si se desea
ver l O ciclos, el FINAL Til'v!E es: 333.3~Ls (se puede aproximar a 400~Ls) .
Por comodidad al PR.lNT STEP se le asigna el mismo tiempo del FINAL TIJ\1E. En la
ventana de la FIG0.16, se escribió los dos tiempos en 1OOu .
El PSPICE interpreta. que l OOu se refiere a 1OOµs; otro detalle a tener en cuenta es que los
datos que se entreguen no deben contener espacios entre letras y números. Por ejemplo, si se
escribe: 100 u con espacio entre l 00 y la letra u, al correr el programa se indicará error; para
una resistencia al escribir: 5 K, con espacio entre 5 y K, se indicará error en la simulación.
Continuando con la simulación del circuito, se cierran todas las ventanas picando en O K (o
con ENTER del teclado) y se retorna al esquemático (que realmente se puede llamar
protoboard virtual). Ahora se corre el programa (que es equivalente a decir que se va a
simular el circuito), así que picando en ANA LISYS (ver FIG0.14), y seleccionando
SlMULATE (que también se puede en forma rúpida con Fl 1 del teclado), aparece una
ventana de advertencia. Picar en aceptar: inmediatamente, en otra ventana pide el nombre que
se quiere dar al circuito. Para este circuito se dio el nombre de CT02. Se pica en GUARDAR
y el programa sigue corriendo. Después de un instante aparece una pantalla negra como se
presenta en la fIG0 . 17 (aquí se invirtió el color para efectos de impresión y solo se escogió la
parte superior) en la que aparece: una barra de herramientas correspondientes al PROBE, que
CONCEPTOS nAs1cos ELJ·:crnóNJCA ANAi ,()(';¡\: TEOHÍA y J .J\BORATOHIO 25
0.4. SIMULACIÓN
es en donde se está ubicado; más adelante se utilizarán algunas de estas herramientas; también
aparece en la parte inferior una escala horizontal de tiempo (TIME), que va desde O hasta
JOOus como se había previsto. A continuación se van a observar las señales, así que picando
en la herramienta indicada como TRACE, aparece una ventana que se muestra en la FlG0.18.
Allí se pica con el puntero en la utilidad indicada como ADD y se genera otra ventana
mostrada en la FlG0.19 en donde se indican todas las variables posibles del circu ito que
pueden ser observadas.
t.a M1cr11srm Pr11llo • [1'41 1 ·
.-------- -------- ----------- ------------------------------------ -- ------------------------

1'
FIG0.17
La FLGO. 17, como se menciono anteriormente,

Add... lnseit corresponde a una ventana de simulación denominada
J!elete ft.11 íJ1l+[) el PROBE; contiene un menú propio (FlLE, EDIT,
!J.ndelele í#1l+U TRACE, PLOT, VIEW, TOOLS, \VTNDOW, HELP).
Seleccionando TRACE, aparece Ja ventana mostrada en
Eewier Ja FIG0.18 en la que se puede seleccionar ADD y otras
~erf•rrn4rnce .•.ro•lysi~...
funciones como se puede apreciar (FOURIER,
PERFOMANCE ANALISYS, etc.).
g1il Funcliens...
Seleccionando ADD se obtiene la ventana mostrada en la
f.vil G• il Functi•n...
FIG0.19. Allí se incluyen voltajes y corrientes asociadas al
FIG0.18 circuito en análisis. En la parte central de la ventana hay
otro listado en el que se .tiene: ANALOG, VOLTAGES, CURRENTS y ALIAS
NAMES, todos 'habilitados (/). Y finalmente, al lado derecho del ADD TRACES se
prese.nta las FUNCTIONS OR MACROS y que realmente son operadores matemáticos que
se pueden utilizar en el PRO BE; por ejemplo, se puede realizar un producto I(RL) * V(vo) y
que mostrará una señal que corresponde a la potencia disipada por la carga; o se puede dividir:
V(vo) / I(RL) y cuyo resultado es una gráfica que indica el valor de la carga; se puede
obtener la gráfica del valor promedio del voltaje sobre la carga con la función matemática
A VG(V(Vo)); Se puede hallar el valor absoluto (ABS), funciones trigonométricas,
logaritmos y muchas otras operaciones matemáticas como se aprecia en el listado. Esta
diversidad de operaciones muestra la versatilidad y poder del análisis del paquete PSPICE.
La selección de las variables y de los operadores matemáticos se logra picando con el puntero
del mouse lo que se desea observar en la pantalla del PROBE y con un click del botón
izquierdo, lo que se ha seleccionado aparece en el recuadro indicado como: Trace
Expression. Por ejemplo, si se desea obtener la potencia sobre la resistencia se pica en el
siguiente orden:
V(vo)*l(Rl). Esta operación aparece en el recuadro Trace Expression; luego se acepta (OK).
CONCEPTOS I3ASICOS ELECrnÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LAllORATOilIO 26
0.4. SIMULACIÓN
Add Traces .
Simulation Output Variables Fun c tions or Macros
jAnalo!:l Operators <lnd Functions ::::J
l(lt) o
l(R1)
l(V11
Time P ~oltages
V(O) /
V(C1 : 1) @
P Cu¡renls
ABS()
V(C1 :2)
V(l1 :1) ARCTAN( )
V(l1 : 2) ATAN()
V(R1:1) P Alias tJ.ames AVG()
V(R1:2) AVGX(.)
VtV1 :+] r COS( l
V('v'l :·) O( )
V(vi) 08( l
vr1/LJ ENV l.t.6X( , ]
vr./o) ENVMIN( . )
Vl(C.11 EXP()
V1(L1) G( )
Vl(F: l) IMG [ )
v1¡v·11 LOG()
V2(Cll 23 vari~bles listed LOG10()
V2(Ll ) M()
MAX()
Full Lisl
Irace E:<pre~~ion: 1 QK ~anee! j J:!elp
FIG0.19
En la FIG0.20 se muestran algunas herramientas que posee la pantall a PROBE y se indica el
nombre que tiene cada icono mostrado allí. Es interesante conocer su aplicación.
Recorriendo de izquierda a derecha se ti ene:
OPEN: abre cu alqui er archivo referido al PROBE.
APPEND FILE: muestra lo·s archivos del PROBE que se tienen guardados.
PRINT: permite la impresión directa de las señales que se tienen en el PROBE.
CUT: equivalente a cortar, es decir, seleccionar una zona de la gráfica y la suprime. Lo que se
corta queda pegado en el portapapeles .
.!.rae'!!' flot ~iew T ~olt Wind·~w !::!elp
,,., ¡j o~ w
~ :X:
~
~
~ ~ ~ E;:: ~ ~ ~
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...:¡ ~ § ¡....¡
r:5 ~
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a
~ C/)
t.:> u
o u
!-
FIG0.20
CONCEPTOS BÁSICOS ELEC:l"llÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LABORATORIO 27
0.4. SIMULACIÓN
COPY: la zona seleccionada es copiada en el portapapeles.

PASTE: copia en el PROBE lo que se tenga guardado en el portapapeles.
VIEW IN : aumenta en tamaño todas las gráficas del PROBE.
VIE\V OUT: reduce en tamaño las gráficas del PROBE.
VIEW AREA: se selecciona una zona de la gráfica que se quiere detallar y ia aumenta. Para
encerrar la zona deseada, con el puntero del mouse y el botón izquierdo presionado se rodea la
zona.
VIE\V FIT: vuelve las gráficas al tamaño original.
LOG X AXIS: coloca el eje X en escala logarítmica.
ro URIE R: herramienta matemática, COll la que se puede hacer, entre otras, un análisis
gráfico de la distorsión de una seiial.
LOG Y AXIS: coloca el eje Y en escala logarítmica.
A OD TRACE: lleva directamente al listado de variables del circuito que pueden ser
observables.
TEXT LABEL: se escribe un te;..:to y se puede colocar sobre las gráficas.
TOGGLE CURSOR: al picar este icono. aparece sobre la pantalla del PROBl~ dos cursores
con los que se puede determinar en forma exacta el punto Y y X numéricamente de una
gráfica. Uno de los cursores se maneja con el botón izquierdo del mouse, y se desplaza el
cursor a lo largo de la gráfica manteniendo el botón izquierdo presionado. El otro cursor se
controla con el botón derecho y se desplaza manteniendo este botón presionado.
CURSOR PEAK: coloca el cursor en el pico máximo de la señal.
CURSOR PEAK: coloca el cursor en el pico mínimo de la señal.
CURSOR SLOPE : coloca el cursor en algún punto de la gráfica, diferente del máximo y del
mínimo.
n~ ?Out; Rnu~
n U(ul) • U(Ul) ~ U(Uo)
FlG0.21
CONCEPTOS IlÁSICOS ELEC.TRÓNICAAN.\LOGA: TEORÍA Y LABORATORIO 28
OA. Sll'vfULACIÓN
Volviendo al circuito analizado, del resultado de la simulación se obtiene las señales en los
puntos vi, V1, y Vo mostrados en la FIG0.2 1. Se observa en la figura que las señales tienen
diferentes amplitudes y, además, los picos de las señales están en diferentes puntos de tiempo;
se marcaron algunos puntos indicando: para vi: el primer pico se da en 8.1 OS~ls con 19. 977V;
VL tiene su primer pico en 22.07hls con amplitud de 11. l 98V y la señal Vo tiene su primer
pico en 14.842~ls con amplitud de 838mV. Esos resultados llevan a algunas conclusiones:
1. Las caídas de voltaje sobre cada elemento son diferentes.
2. Las señales tienen diferentes desfases.
3. La señal en el nodo V L no es sinusoidal
En el transcurso de los temas se va profundizando en el manejo del paquete PSPICE. Por
ahora, se presenta una rápida vista de otros paquetes de simulación diferentes al PSPCCE.
En primera instancia se tiene el \VORKBENCH, que es otro paquete de simulación; en este
paquete se pueden abrir interruptores, cambiar valor de componentes mientras se está
simulando. Esta operación no es posible con el PSPICE, puesto que en este paquete, si se
desea cambiar el valor de . ~n componente, necesariamente se debe salir de la simulación,
cambiar el componente o componentes que se desean y volver a simular.
• -Elet:tl'onlt:s Workbench Personal Edlllon . · ·
file .E.dlt .Q_lrcult .8,n<ilysls !!Y.indow J:ielp
Dl~l~l~I 1 l~I 1 1 1 l!Lsl_J ~l~ll.__ 00

%_º____.JI~
!::] ~l--:;\.-1 ~ 1~ 1Q j"~ºI O~T I :12- l:aJJI l§l lr¡tl ~ 1~
Untltlad · ·
FIG0.22
La presentación del tablero de trabajo se muestra en la FIG0.22; presenta tres menús en la
parte superior: en la primera están todas la s tareas que puede realizar (File, Edit, ...), en la
segunda línea presenta tareas inmediatas que se habilitan solo con picar con el puntero del
mouse; en la tercera línea, se encuentra la selección de librerías. Picando en la línea de
librerías se trae los componentes para constrnir los circuitos.
En Ja FIG0.23 se muestra el circuito analizado al que .se añade un osciloscopio. El
osciloscopio es un equipo de laboratorio con el que se puede observar las señales reales de un
circuito, determinar su periodo, amplitud pico a pico y medir desfases de dos señales. El
osciloscopio virtual del \VORKBENCH es muy parecido al osciloscopio real, en el que se
distingue (observar el osciloscopio de la rIG0.23)
• La base de tiempo (Time Base) con la que se expande horizontalmen te la se ñal para medir
el periodo de la señal o el desfase en tiempo de dos señales. La unidad que maneja es
tiempo / división y en la figura aparece O.O1ms/div; entonces para determinar el periodo,
se cuenta en la pantalla el número de divisiones horizontalmente que tiene un ciclo de la
señal. P;'lra la señal que aparece en la pantalla se lee aproximadamente 3.3 divisiones
CONCEPTOS BASICOS El.EC TllÓNICA ANiÍ.LOG,\: TEORÍA\' LABORATOIUO 29
llA. SIMULACIÓN
horizontalmente, luego el periodo es: T = 3.3 divisiones x O.O l ms/div = 0.033ms, así que
la frecuencia es: f = 1 / T = 30.3 KHz, que es aproximadamente la frecuencia de la señal.
1 O nF
:)(1 mH
-"
20 V/30 kHzlO Dea
........
FIG0.23
• Tiene dos canales: canal A (Channel A) y canal B (Channel D) con los que se puede
calcular la amplitud pico a pico de las señales que estén conectadas a esos canales. Para el
ejemplo en el canal A se tiene la señal del generador y en el canal B la señal de salida (que
es el voltaje sobre R); la amplitud pico a pico se calcula contando el número de divisiones
verticales que tiene la señal y se multiplica por lo que ind ica el canal, entonces se tiene:
Para el canal A, Ja señal tiene aproximadamente 5.5 divisiones, luego la amplitud pico a
pico es: Vipp = 5.5 divisiones x 1O V / Div = 55V. La señal del generador es de
20Vef = 28.28Vp = 56.57 Vpp, así que el voltaje feído es apr<?ximado.
Para el canal Il la señal tiene aproximadamente 2 divisiones verticalmente luego la
amplitud pico a pico es: Vopp = 2 divisiones x SOOmV / Div = 1V
• En la parte inferior del osciloscopio, debajo de cada canal se tienen tres cuadros que
indican AC, O, DC. Significa que si se habilita el cuadro AC, se bloquea cualquier nivel
continuo que tenga la señal presente; si se habilita el cuadro O, se lleva a tierra el canal y
aparece una línea; si se habilita el cuadro OC, la señal saldrá con nivel continuo si es que
lo tiene. Es interesante entender esta función del osciloscopio, así que, en la FlG024 se
ilustra lo anotado.
El objetivo es observar la resultante de sumar una señal sinusoidal con un nivel continuo
tal como se indica en la FIG0.24(A), en donde se colocan las dos fuentes en serie.
En la F!G (B) se coloca la referencia habilitando O, así que aparece una línea y que se
ubica en el centro de la pantalla.
CONCEPTOS IlÁSICOS ELECTI~Ó N! Ci\ ANALOGA: TEORÍA Y LAUORATORIO 30
0.-t. Sil\lUL/\CIÓN
±· = Vp ,:n(M<) ,....... ~.. ; ...

...../
T Vdc
'-----o (A)
(B)
(A) SENAL SENO SUMADA

CON TENSION OC
r-_..A ~ ---
V de °"'-/ '· "-._/
{B) HABILIT A TIERRA L__ ~ -:····=····=····=····'····:····=····'···=····=····=···:····'
(C) HABILITA AC
(O) HABILITA OC
._/
FIG0.24
En la FIG (C), se habilita el botón AC, entonces aparece la señal del generador alrededor
de la referencia (alrededor del cero).
En la FIG (C) , se habilita el botón DC y observe que la señal sinusoidal se desplaza hacia
arriba del cero. El desplazamiento es igual al nivel continuo Vdc.
Entonces, al habilitar el botón AC lo que hace el osciloscopio internamente es suprimir el
nivel continuo y dejar únicamente la señal AC, mientras que cuando se habilita el botón
DC, pasa los dos voltajes. (¿Cómo se puede eliminar el nivel DC?).
Normalmente en un o::¡ciloscopio real, la función de AC, O, DC se realiza con un
interruptor de tres posiciones.
• Continuando con la descripción del osciloscopio, se tienen tres cuadros indicados como
Y/T, BIA, NB . En la FIG0.23 está habilitado el cuadro Y/T y que entrega las señales con
la base de tiempo, pero si se habilita .el cuadro A!B o B/A, aparece una gráfica como se
muestra en la FIG0.25
:····:····:····:····:····:···· ····=···· ····:····=····:····: ...;.... :
(A) (B)
FIG0.25 --
CONCEPTOS 11As1cos J<:Ll~CTHÓNICA AN;\ L<)(;A: Tl-:OHIA V LAllOlu\TOIUO J1
0.-l. Sll\lULACIÓN
Estas gráficas se denominan curvas <le Lissajous y muestran el desfase que se tiene
entre dos señales: al habilitar cualquiera de esos cuadros, se deshabilita la base de tiempo.
··/
e= oº
.
· ·· · ···· ·· ........... & ........... ···············e::>····
0° L 8
.
L 90° e == 90º
.- ·1 ·· · · ~·· • C(Jl···-·· ···

1
90° L 8 L..180° e= 180º

FIG0.26
En la FlG0.26 se rnuestrnn algunas de esas figuras,
indicando cada una ele ellas el desfase
correspondiente (Para la última gráfica, ¿cómo
· ~~)l serán las señales que se comparan?).
:.....:......r:. L.:.7..:.. . ....:. s···:....:
· .:.r
..... : 1
. . . . . . . . Para determinar el desfase de dos señales utilizando
las curvas de Lissajous se procede así: observe la
-- .i: 1 FIG0.27, se tiene una elipse con pendiente positiva,
significa que el ángulo de desfase está entre 0° y
90º; Entonces, se coloca la señal de manera que
quede ubicada en el centro de Ja pantalla, luego se
FIG0.27 cuenta el número de divisiones verticales que cubra
de extremo a extremo a la elipse y a esta medida se indica corno B. Enseguida,
considerando como referencia el eje vertical, se cuenta el número de divisiones en que
la elipse corta al eje vertical y a esta medida se llama A Entonces, el desfase entre las
1 .
señales se calcula como : 8 = sen- (A I Il)
Para el osciloscopio real, las curvas de Lissajous se obtienen con un botón que se indica
·- como XY. Pero existe otra forma de calcular el desfase de dos señales, y es con las
señales, estableciendo el tiempo que una señal está desplazada con respecto a la otra
(consultar cómo se determina el desfase utilizando esta técnica).
• Las funciones de posición X y posición Y (X position, Y position) lo que hacen es
desplazar la señal horizontal y verticalmente, operación que se realiza en el osciloscopio
real con perillas dedicadas a esta operación
• Tiene en el osciloscopio de la FIG0.23, los cuadros indicados como: AUTO, A, B, EXT y
que cumplen con la ti.111ción de: ¡\ UTO: internamente el osciloscopio sincroniza las dos
señales, A: solo permite ver la seiial del canal A, quitando la señal del canal 8;
CONCEPTOS nASICOS ELl~C.TRÓNIC,\ ANÁLOGA: TEORÍA Y LABORATORIO ) 2 -
n.-t. SIMULACIÓN
.._-
igualmente el cuadro B hace la operac1on contraria; EXT: se utiliza cuando se quiere
sincronizar con algún equipo externo al osciloscopio. Las mismas operaciones anotadas,
las realiza un osciloscopio real.
--
FIG0.28
Esta breve descripción de funcionamiento del osciloscopio virtual que presenta el paquete
\VORKBENCH, se puede aplicar al osciloscopio real, y servirá de preámbulo para las
prácticas de laboratorio que se proponen en este capitulo.
Para terminar la breve exposición sobre el paquete de simulación WORKBENCH, es
interesante mencionar otras dos herramientas virtuales que dispone el paquete: son el
generador de señal y el multímetro y que se muestran en la FIG0.28. El multímetro tiene la
posibilidad de entregar lecturas de Ohmios, voltios y amperios
en OC, AC y dB (Decibelio que es una unidad de ganancia). En cuanto al generador de señal,
contiene tres formas de onda típicas en electrónica: seno, triangular y cuadrada; selección de la
frecuencia, relación de ciclo (Duty Cycle), amplitud y posibilidad de introducir offset.
En resumen, El paquete WORKBENCH es un ven.ladero laboratorio virtual.
Otro paquete de simulación es el CIRCUITMAKER, con objetivos semejantes a los dos
paquetes mencionados, pero con características diferentes en presentación
Ll Cl
' .
~r1 ActN.C"""°"""'t
Al'r'l("Jirlfl"ftl8linl':t:t
Anolog
Cac.acieou:
Cf'IMC'W' ~ICW$
~ ., Corinet:tOlt
._____ ___,f 100 C1ysl.;,ls
OMAr:l"WW'l"l:rtM~
:¡: oyi.i
C>91.IA........ ed
~~"J'!.~.!"!~.:~; ....................... .'
FIG0.30
CONCEPTOS BÁSICOS ELl~CrRÓNICAANALOGA: TEOHIA Y LAílORATOHIO 33
0.5. GRÁFICAS Y CURVAS DE TRANSFERENCIA
En la FIG0.30 se presenta el tablero de trabajo con una ventana en donde se muestran algunas
de las librerías~ el montaje de los circuitos es parecido a los otros paquetes.
Xa: 166 . 7u :o,: <47. S8u a-b: 11!'. lu tT~q: 8. 39S>c

Ye: ZO.S3 Yd:-21.00 c-d: H.S3
A
Ll Cl B
30.Jt lOnP' e
-'1ílfú'-0j e
A
B~"f-"~+--+-*=~-J-l--..P,.."*~--'t-~-f~~r---~j-1.~+--~
H
100
FlG0.31
En la FlG0.31 se muestra el circuito RLC que se ha estado analizando y las señales como las
entrega el paquete; se detallan las tres señales: la del generador, la del punto común entre C y
L y el voltaje en la resistencia. Si se comparan estas señales con las obtenidas en la simulación
con PSPICE (FIG0 .21), resultan muy parecidas.
En esta forma se han explorado tres de los paquetes de simulación que se irán utilizando a lo
largo del libro; sin embargo, el énfasis es el paquete PSPICE porque, como se irá
demostrando, presenta muchas más posibilidades de análisis, grá ficas más manejables por
parte del usuario, y un mejor desempeño y calidad de gráficas. Se añade un punto más a su
favor: el disco compacto de demostración es fácil de adquirir puesto que el fabricante
"M ICROSIM" lo obsequia o se puede copiar desde Internet.
GRÁFICAS Y CURVAS DE TRANSFERENCIA

-, Antes de culminar este rápido repaso conceptual, es interesante mencionar lo
referente a gráficas y curvas ele transfcreitCia. El estudiante, en el proceso de estudio, en su
.vida profesional, prácticamente e;1 todas las actividades, tiene que ver con gráficas: dibujarlas
e interpretarlas; describir el funcionamiento de un dispositivo a partir de sus características, las
cuales son entregadas en gráficas; analizar un oscilograma; graficar la respuesta de un circuito;
en fin, es innumerable la cantidad de aplicaciones que tienen gráficas. En esta sección se busca
que el estudiante aprenda a trazar e interpretar algunas gráficas y, con estas bases, utilizarlas
adecuadamente.
Inicialmente se tienen las escalas: pueden ser lineales o logarítmicas; en la FIG0.32 se
muestran las dos escalas. En la FIG0.32(A) la escala es lineal ya que cada segmento es igual a
una unidad y la separación entre unidades es igual; por tanto se tiene una escala lineal con un
alcance de 20 unidades (O a 20). En la rIG0.32(B) la escala es logarítmica y se identifica
porque la distancia entre cada unidad es diferente, así, la distancia entre 1 y 2 es diferente a la
- distancia entre 2 y 3, etc. También se observa que la distancia entre 1 y 1O es igual a la

distancia entre l O y 100, pero la magnitud es diferente.
CONCEPTOS BÁSICOS ELEC.TllÓNICA ANALOGA: TEORiA Y LABOIV\TOJUO 34
Usualmente a la distancia entre cada múltiplo de 1O se le denomina década, así que la escala
logarítmica presentada en la figura tiene 6 décadas.
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
o 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
(A)
1 11 1~ 1 1111~ 1 1111~ 1 1111~ 1 11 1 ~ 1 1111~

..- o
..- o o o o o
o o o o o
(B)
..- o o o o
o..- o o
o o
..- o
..-
FlG0.32
La utilización el e una u otra escala depende de las magnitudes que se vayan a manej ar; por
ejemplo, si se va a colocar en la escala voltajes, corrientes o temp eraturas, lo más indicado es
utili zar escala lineal, pu esto que el valor máximo y mínimo de estas magnitudes no va a ser
·-
grande; entonces en la gráfica de la FIG0.32(A) se puede colocar una escala de temp eratura
que cu bra desde Oº hasta 200º, en donde cada segmento va aumentando en 1Oº. Ó si se coloca
voltajes, se ti ene un alcance de O a 20V en donde cada segmento vale 1 voltio.
Pero si se desea barrer (término mu y utilizado en electrónica qu e significa: exp lorar, cubrir)
frecuencia, por ejemplo, en un amplificador de banda ancha, en donde se cubren frecuencias
desde unos pocos Heriz hasta Giga Hertz; o se desea graficar el cambio de resistencia en algún
transd uctor resistivo y cuyos valores óhmicos varían desde las unidad es de Ohmio hasta los
Mega Ohmio, etc., la escala más adecuada es la logarítmica. Observe en la FIG0.32, que para
la misma distancia, la escala lineal ll ega solo a 20, mientras que la logarítmica alcanza hasta
i l 000000!.
--
Ahora, las dos escalas se colocan en un plano XY corno se indica en la FlG0 .33; se dibujan
las posibilidades más comunes de enco ntrar las gráficas, entonces se tienen planos con un solo
cuad rante o con cuatro cuadrantes y las escalas de estos planos se pueden combinar co n
escalas lineales y logarítmicas. Cada eje de esos planos tomará el nombre de la magnitud que
se desea graficar, anotando la unidad correspondiente, por ejemplo: V(volt), l (mA), T(ºC),
R(Q), etc. -
Se presentan a conti nuación algunos ejemplos de gráfi cas.
1. Graficar la respuesta V-l de una resistencia. De acuerdo con la Ley de Ohm:
'-''
V = R1
La ecuació n dice que el vo lt aje es proporcional a la corriente en una constante que se llama
resistencia. Entonces, en un plano de un cuadrante, se coloca en el eje verti cal la corriente y en
el eje horizontal el voltaje como se indi ca en la FlG0.34(A); se fij a el valor de una resistencia
y en una tabla se da distintos valores de vol taje, obteniendo los correspondientes a la corriente
de acuerdo a la resistencia asumida. Esa tabla se traslad a a la gráfica.
CONCEPTOS BÁSICOS ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LAilORATORIO 35
(A) (B) (C)
(A) PLANO CON ESCALAS LllNEALES

11
(B) PLANO SEMILOGARITMO
(C) PLANO LOGARITMICO
(D) PLANO CON CUATRO CUADRANTES

111 IV
(O)
FIG0.33
2. Graficar la respuesta de la carga de un condensador a través de una resistencia. Corno se
podrá verificar posteriormente, la carga de un condensador a través de una resistencia no es
lineal, así que esa respuesta es exponencial y la gráfica de voltaje sobre el condensador contra
tiempo se muestra en la FIG0.34(B); en la gráfica se utilizan escalas lineales.
Ve (v) Z(sq
l(A)
R3
f(Hz)
t(s)
""' V (v)
(A) (B) (C)
JXL(-9
......... Av(dB)
..-...
R(-n}
1 1111~ 1 1 1111~
f(Hz)
j Xc(st} (D) (E)

..-...
,.--._ FIG0.34
CONCEPTOS BÁSICOS ELECTHÓNICAANÁLOGA: TEOHL\ Y LAílORATORIO 36
3. Trazar la respuesta de un circuito RLC al variar la frecuencia. En la FlG0.34(C) se muestra

la gráfica de la impedancia Z(.0.) Vs f(Hz) (las letras Vs significan versus). Como se ~uede
observar, la escala de frecuencia es lineal, ya que el cambio alrededor de la frecuencia de
resonancia es pequeño. Se indica en la gráfica las letras BW que significan ancho de banda
(Band Wide) y que son los puntos cuando la amplitud se reduce en 0.707 del valor máximo
(consultar el significado del comentario que está resaltado)
4. Trazar un plano de impedancia; recuerde que la reactancia es la oposición de una bobina o
condensador al paso de la corriente alterna. Estas componentes reactivas se representan como
vectores y, junto con la componente resistiva, se colocan sobre un plano complejo, en donde,
las reactancias se colocan en el eje vertical (imaginario) y la resistencia en el eje horizontal
(real). Así que cuando se combina resistencias con reactancias, realmente se está operando con
números complejos de Ja forma: R + jX, con: jX = j(X1, - Xc).
En la FIG0.34(D) se muestra el plano complejo y tres vectores de impedancia: Z1, Z2 y R.
Cuando se tiene Z 1 significa que en la resta vectorial de reactancias predomina la reactancia
inductiva: cuando se tiene Z 2 , la reactancia capacitiva es mayor que la reactancia inductiva.
Para el v1 :ctor R, significa que la resultante neta de sumar las reactancias es cero. En la gráfica
analizada se opera con escalas lineales en los cuadrantes I y IV
5. Respu~sta de ganancia Vs frecuencia de un amplificador de banda ancha; esta gráfica se
muestra ~n la FIG0.34(E) y se denomina diagrama de Bode. Como se tiene que hacer un
barrido grande de frecuencia para poder determinar la respuesta del amplificador,
necesaric mente la escala de frecuencia tiene que ser logarítmica; el eje vertical representa la
ganancia del amplificador y se entrega en unidades de decibelios (¿ ?) por lo que esa escala es
lineal (e: ta gráfica es del tipo sernilogarítmica).
Las otr 1s gráficas mencionadas en esta sección son las curvas de transferencia. Con
ayuda é e estas curvas se puede explicar perfectamente el funcionamiento de un circuito.
En la FIG0.35 se ilustra un ejemplo de estas curvas. En la FIG0.35(A) se tiene el circuito del
que se desea analizar su funcionamiento gráficamente; la señal que se aplica en la entrada Vi
es una sinusoide y como resultado el circuito entrega en su salida Vo una señal sinusoidal pero
desfas Lda 180º. Esas dos señales se muestran en la FIG0.35(8); observe que son señales
sinuso dales trazadas sobre una gráfica de amplitud contra liempo. Para trazar la curva de
transf :rencia se disponen las dos señales Vi y Yo como se indica en la FlGO.JS(C); se marcan
sobre cada señal cinco puntos ( 1 a 5) y, desde esos puntos, se proyectan unas rectas de manera
que ~ .! cnizan, como se indica en la figura y en esos puntos de cruce se marca con el número
corrE >pendiente al de las señales. Se obtiene, como resultado de unir los puntos de cruce, una
recta con pendiente negativa, y en el centro de esa recta se tienen en común los puntos 1, 3 y
5, ql e no se indican en la gráfica.
En I:·. FIG0.35(D) se muestra la curva de transferencia del circuito analizado; obsérve que la
recta resultante está en un plano con la señal Vi en el eje horizontal y la señal Yo en el eje
verti ·;al.
Enlences, en la curva de transferencia, desaparece el tiempo, es, pues, la gráfica de dos
voltí jes.
CONCEPTOS BÁSICOS Jo:I.ECTRÓN!CA ANÁLOGA: TIWlliA Y LAUOllATOH!O J7
0.5. GRÁFICAS Y CURVAS DE TRA.J'ISFERENCIA
FIG0.35
La gráfica resultante ele la FIG0.35(D) es realmente una curva de Lissajous (mencionada
anteriormente, volver a la FlG0.26), entonces, las figuras de Lissajous son realmente curvas de
transferencia.
vr EJE!\1PLO
Trace las curvas de transferencia µara las señales mostradas en la f!G 0.36.
SOLUCIÓN. -'-Í
lnicialmente se analiza las señales de la FIG0.36(A). Se aplica al circuito una señal sinusoidal
y se obtiene, por efecto del circuito, la señal sinusoidal pero superpuesta en un nivel continuo
+V.
En la FIG0.37(A) se disponen las dos señales Vi y Vo como se había explicado. Se marcan
siete puntos sobre las gráficas ( l a 7) haciendo corresponder esto:; puntos en ambas señales, se
trazan las líneas desde cada uno de estos puntos y, uniendo los runtos de intersección se
obtiene la gráfica resultante.
ELECTR8' NICA AN1~LOGA: TEon¡· ¡\y LAilORATORIO 38
l•: LECTR N ICA J\NALOGA: TEOn ¡\y f,¡\J)Olv\TOIUO }8
· -~ - .•. · -·· ··- · - -- --
VI
Yo
+V1
+V l O-l'~~-y~~-1-~~-'r-~~--r
. v2
o .;........ ........ :. .. ~ -- · · t
i!
(A) (B)
FIG0.36
En la FIG0.37(8) se tiene la curva de transferencia para el circuito analizado. Detallando esta
respuesta, se observa en la curva de transferencia que. cuando la señal de entrada está en cero,
la señal de salida está en el voltaje +V, y en el punto indicado como 2, cuando la señal de
entrada tiene + Vp, la señal ele salida está en +V + Vp . En igual forma, en el punto
3
..'
7
8
1
(A)
(A) Vo
Vo
+V1
7 o Vi
Vi -V2
(B} ....... (B)
marcado
FIG0.37 FIG0.38
como 5, cuando la señal Vi está en -Vp, la señal en la salida está en +V - Vp. Estos
razonamientos y muchos más"se pueden deducir a partir de la curva de transferencia.
Ahora se determina la curva de transferencia del circuito de la FIG0.36(8). Se aplica a la
entrada (Vi) una señal seno y el circuito recorta la señal de modo que en la salida (Vo) se
obtiene la señal variando entre los niveles continuos: +V l y-V2.
Para trazar la curva de transferencia se procede igual que en los ejemplos anteriores, como se
indica en la flGOJ8(/\).
CONCEPTOS nAsrcos ELIO:CrnÓNICA AN,\J,OGA: nmniA y LABORATOIHO 39
Se coloca sobre las señales los puntos de referencia del al 9 y de cada uno de estos puntos se
trazan las líneas en cada señal. Los puntos de intersección de las rectas, se marcan con los
puntos correspondientes al de las gráficas. Pero observe que el punto 3 y 7 en donde la señal
de entrada tiene +Vp y -Vp respectivamente, en la salida no hay señal, así que estos puntos no
aparecen en la curva de transferencia. Entonces en la salida, entre los puntos 2-4 y los puntos
6-8 se tiene los niveles continuos +V 1 y -V2 respectivamente, esto es, que aunque la señal Vi
cambie, la salida permanece constante en esos trdmos . Mientras entre los puntos 1-6, la señal
de salida cambia en la misma forma corno lo hace la señal de entrada. La curva de
transferencia del circuito de la FIG0.36(8) se muestra en la FIG0.38(8).
En el paquete de simulación PSPICE, se puede obtener las curvas de transferencia, en la

misma forma como se describió. Para mostrar esta función se propone el siguiente ejeniplo.
EJEIVIPLO
Determinar la función de transferencia de un circuito que presenta las señales indicadas en la
FIG0.39 utilizando PSPICE.
SOLUCIÓN. -'1
La Señal de entrada (Vi) es una s~nu soide (determine la amplitud pico a pico y frecuencia de
esa seña l) mientras que la señal de salida (Yo) es una sinusoide pero recortada en lo s
scmicicl os positivos por un nivel continuo ele SV.
'º"\~~---- --- - - --~--- --------- ---------~-------- -¡
-1 ou
: "" /: :
l _--------- ~ - ~--·---------------- ------------------ ~ _l
: . ' /:
o U (vi)
10U------------------- -------------- ------ ------ ----- ------------- - -----:
: SV
'
''
. . . . . .
'
'1
1
SE L> >: ,
-10U+----------,----- - -- - - ~ - ----------r---- ----- - ,- - ---------~----- - ----4
os O.Srns 1. OIT\S 1 _srns 2. Orns 2 .5ms 3 . Oms
o U(vo)
Ti111e
FIG0.39
La curva de transferencia obtenida en PSPTCE se muestra en la FIG0 .40 y se obtiene con el
siguiente procedimiento:
1. Se dibuja el circuito en el SCHEMATIC.
2. Habilita ANALISYS y SETUP. Allí define los tiempos: Print y Final Time.
3. Se corre el programa (Simula te ó F l l) De allí se pasa a la p<111talla del PROBE.
CONCEPTOS BÁSICOS ELECTHÓNICA AN;\LOGA: TEORIA Y LABOfü\TOHIO 40
n.s. GRÁFICAS y CURVAS DE TRANSFERENCIA
4. Se continúa con el procedimiento descrito en la FIG0.41 (seguir el orden de los números

encerrados en círculo)
5. Luego en el menú del PROBE se pica ADD. AJ!í se escoge el voltaje V(vo), y se acepta.
10U T------ ------------------- --------------- ---- ---------------------------------------------1'

'1 1
''
SU-!
''
'
'
-su i
': ,/
v~
- 1ou+---------------------~---------------------- ----------------------.----------------------¡
-1 OU -5U OU SU 1 OU
o U(vo)
U(vi)
FIG0.40
Como resultado aparece la señal ele la FIG0.40, que corresponde a la curva de transferencia del
circuito analizado, en donde, en el eje horizontal se tiene el voltaje de entrada Vi y en el eje
vertical se dispone la señal de salida Yo.
X Axis Val'lable ·· · " . :

SimUMion Otitput Vat~,,s
· l( Axis Selllngs... -
V Axi• .il,•ttlnot> .
Add )'. Axlt Ctrl+Y
r
Aaa Etot
r X Axfg Salllngg
1O v.ariabfes: li:ted Oala Range U$e Dala
Ful Li<I r. ~ulo AotllJC r. full
lr.oce E>tpt"essiorr V(vt)

!J:•r Define<!
'º --- r B•<hiciod f•MIQQ~::;c.I_ _

'º
PrC'Cei ";"it)Q Opifon•
1. en probe picar trace r. Lineor r Fou!et

2. picar: X Axis Setting .. r l.09 r E(!1focmancs Ana~•tit
3. picar: Axis Variable ...
4. picar: V(vl)
5. OK
6. OK
FIG0.41
O. CONCEPTOS BÁSICOS ELECTHÓNICA ANALOGA: TEO!lÍ,\ V LAllOllATOIHO 4)
CJ.6. PRÁCTICAS
Analizando la señal, se observa que desde -l OV hasta aproximadamente +5V, la señal de

salida sigue a la señal de entrada, pero arriba de los SV, la salida se mantiene constante en este
nivel, aunque la señal de entrada siga aumentando; entonces, para Vi desde +5V hasta + 1OV,
la salida Vo es constante e igual a +5V.
Esta señal se puede observar en el osciloscopio, colocando una sonda en la entrada y la otra
sonda en la salida y activando la función XY.
EJERCICIO [2)
Dibujar las señales Vi y Vo, si las curvas de transferencia de algunos circuitos son las que se
muestran en la FIG0.42.
Vo Vo Vo Vo
Vo Vo Vo Vo
FIG0.42
PRÁCTICAS.
Una parte importante de toda actividad técnica es la práctica, y en especial en
la electrónica, el proceso de aprendizaje implica el desarrollo de prácticas.
Considero que el estudiante de electrónica debe tener algunas características necesarias que
contribuyen a un óptimo aprendizaje. Tales características son:
Gusto: que le guste lo que está haciendo. Magníficos resultados se logran cuando la actividad
que se realiza se hace de buena gana.
Buena orientación: nosotros, los profe.sores tenemos la obligación moral (no laboral) de
orientar a nuestros estudiantes. Maestros que llenen sus expectativas, que incentiven, que
despierten el interés y permitan el cuestionamiento y la crítica de nuestros estudiantes. Seamos
abie1tos al cambio y tratemos de acercarnos, vivir y comprender su época.
O. CONCEPTOS UÁSICOS ELE(.THÓNIC\ ANiÍ.LOG1\: TEOllÍA Y LABORATORIO 42
0.6. PRÁCTICAS
Curiosidad : cuando está en el laboratorio realizando las prácticas es el momento mas

adecuado para cuestionar, indagar, ensayar y, evidentemente, confrontar la teoría con sus
observaciones prácticas. Es cuando esperamos que nuestros estudiantes muestren su interés
por lo que están haciendo.
Tiempo: disponer del tiempo necesario para desarrollar las prácticas y todas sus actividades
académicas. En este aspecto es importante que el estudiante. organice sus actividades,
distribuya su tiempo de modo que pueda responder a sus obligaciones académicas y de
entretenimiento (porque también debe distraer su mente y su cuerpo).
Sociabilidad: es un aspecto importante y que no se debe descuidar. El compartir, intercambiar
ideas, saber trabajar en grupo, entenderse con sus compañeros y no convertirse en el estudiante
aislado o, peor aún, egoísta.
El siguiente texto ( s tomado de : INTRODUCCIÓN A LA INGENIERÍA Y AL DISEÑO

EN LA lNGENlEl~ÍA, de E. V. KRICK, ( Ed . LIMUSA, Pág. 58)
"Cultive una actitud nterrogante, una curiosidad con el 'ccímo' y el 'por qué' de las cosas. Esa actitud le
permitid obtener 1111 .cha informacicín útil y numerosas itleas aprovechables. Pa1·te de esa actitud proviene
de la cudosidad, y pai-te de 1111 cierto escepticismo 1111e inclina a desconfiar ele la utilidad de una cierta
pr;íctica, de la valide~ de un 'hecho', de la conveniencia de determinada característica, o de la necesidad de
un elemento pa1iicufar. El dudar acerca de dive1·sos ' hechos, requisitos, características', etc., para hacer
que 'se pniehen por .>í mismos', especialmente cuando son asuntos o conceptos de ~ran arraigo, realmente
puede resultar muy i:·_r_o\_'e_·c_h_o_s<_>"_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _~
Es en las horas de práctica que el estudiante tiene la oportunidad de desarrollar ese instinto de
curiosidad; poco provecho obtiene, si simplemente se limita a desarrollar unas guías, a
cumplir con una práctica programada y peor papel haría si simplemente se convierte en el
estudiante pasiv·:> que únicamente participa como inversionista (aporta el dinero para los
materiales), o sec·:etario (que pasa los informes), o es el estudiante encargado de las relaciones
sociales (es el ge':ente del grupo).
Las prácticas pu~den ser:
De consulta, cuando se recurre a la información escrita, de Internet u otros medios, para
conocer sobre a:gún tópico propuesto, o por curiosidad, se desea conocer sobre algún tema que
esté relacionadc con su estudio.
De simple demostración, en donde so lo se verifica una ley, se observa la respuesta de unos
dispositivos qw~ ya se conocen, se obtiene una curva ya prevista, se verifica un circuito del que
se conoce su comportamiento.
De discfio, CL•ando se fijan condiciones y luego de un proceso que involucra teoría y criterios,
se construye el circuito que teóricamente satisface esas condiciones. Cuando se diseña, el
estud iante titne la oportunidad de alterar, ajustar, fijar sus puntos de vista y aplicarlos,
cúriosear y e:,pecular. En este tipo de práctica también se puede hablar de proyecto.
Cualquiera cJe sea la práctica, el estudiante debe registrar sus resultados, observaciones y
conclusiones es decir. debe elaborar un informe en donde se consigna en forma ordenada lo
que se hizo 1 n la práctica.
O. CONCEPTOS DÁSICOS EL ECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LABORATORIO 43
O.tí. PRÁCTICAS
Los diseños, cálculos, datos, resultados, etc. de una práctica deben ser consignados por escrito
en lo que se denomina el informe de laboratorio. Normalmente el informe se presenta en
forma elaborada, escrito en un PC; no deben aparecer enmendaduras ni tachones, y
lógicamente se busca buena presentación. La otra forma de presentar el informe es llevar un
cuaderno de laboratorio en el que la presentación no es importante. En este cuaderno se
consignan todos los resultados, observaciones incluyendo tachones y enmendaduras. ¿Qué
será más conveniente? La respuesta depende.
En el informe elaborado se busca además de los resultados de la práctica, que el estudiante se
acostumbre a elaborar informes utilizando las técnicas y normas que para tal fin están
establecidas. No olvidar que el ingeniero debe ser pulcro al presentar los informes, cuidando la
presentación, ortografia y aplicación de las normas técnicas.
El cuaderno de laboratorio es más informal y hasta cierto punto, más real, puesto que se
anotan medidas y datos en el mismo momento en que se realiza la práctica; allí aparecen
medidas incorrectas y verdaderas, gráficas del osciloscopio que en un momento dan diferentes
que en otro instante, observaciones que pueden diferir en distintos instantes.
Sin embargo, se puede argumentar que para realizar el informe formal, necesariamente se debe
tener anotado en borrador los resultados y observaciones. Este borrador es realmente un
cuaderno de laboratorio. ¡Correcto' · Entonces se puede llevar el cuaderno de laboratorio pero
en forma ordenada, es decir, no en hojas que se pueden extraviar o tirar al cesto de la basura
luego de pasadas al informe final, s1110 que se llevan las anotaciones en forma secuencial en
todas las prácticas.
Como sea la forma en que se consigne la práctica desarrollada, se · recomienda seguir el
siguiente orden:
l. Nombres de estudiantes y fecha.
2. Nombre de la pr·áctica.
3. Objetivos de la práctica.
4. Cálculos del análisis y/o diseño.
5. Elementos parn la construcción del circuito y equipo requerido.
6. Datos de lecturas y observaciones registradas durante la práctica.
7. Resultados anotados en tablas y gráficos. Se deben anotar los cálculos y las medidas
resultantes como forma de comparación, determinando los porcentajes de error.
8. Conclusiones (Deben incluir las causas de los porcentajes de error.)
9. Bibliografía o referencias.
Algunos comentarios adicionales:
Es conveniente no dejar prácticas inconclusas. Las medidas que se toman hoy pueden diferir
de las que se tornarán mañana. (Por qué?) .
Los diseños, cálculos, simulaciones y montajes se deben realizar en horas extra-laboratorio.
En esta forma se optimiza el tiempo disponible para la práctica real.
O. CONCEPTOS IlÁSlCOS ELECI'HÓNICA ANÁLOGA: TEO!dA Y LABORATORIO 44
0.7. MEDillAS
Cualquier cambio que se realice del circuito dentro de la práctica debe ser anOté\dO
explicando la razón del cambio o los cambios.
Los errores cometidos en el registro de datos no deben borrarse, sino trazar una raya sobre
ellos y anotar la c,orrección al lado.
Las gráficas deben llevar el nombre que corresponda, las unidades de los ejes; los
oscilogramas deben incluir magnitudes y multiplicadores de amplitud y período.
Se pueden anotar conclusiones particulares a cada numeral desarrollado y se harán
comentarios acerca de las dificultades y observaciones más importantes. Al final se expondrán
las conclusiones generales.
Es conveniente calcular los porcentajes de error entre el diseño y la práctica y sus posibles
causas.
Normalmente las prácticas son desarrolladas por grupos de trabajo. Se debe distribuir el
trabajo para que todos participen activamente tanto en la parte física del desarrollo de la
práctica corno en la aportación de ideas y comentarios. La práctica debe ser desarróllada por
todos y si algo no se entiende, no dudar en consultar al profesor o monitor encargado. .
'~
En el informe destacan dos aspectos: los objetivos y las conclusiones; por esto, debe haber
coherencia entre estos dos tópicos.
,_,
La bibliografia debe incluir nombre del libro, autor y las páginas consultadas. La fecha si se
trata de alguna revista técnica y la dirección si la información es tomada de Internet.
ME:DIDAS.
Al realizar las prácticas de laboratorio se requiere djsponer de los elementos
que conforman el circ Jito diseñado, protoboard y del equipo mínimo necesario como es:
fu ente DC, generador c:e señales, osciloscopio y multímetros. Es importante tener el plano
del circuito que se va;. construir: ¡no se confíe de la memoria!
El elemento básico y que se utiliza para construir los circuitos es el Protoboard; es un
tablero en el que se pueden insertar los componentes físicamente, pues posee externamente
gran cantidad de orificios y que comunican a una serie de láminas ubicadas internamente que
conectan esos orificios De esa manera se construyen los circuitos y fácilmente se pueden
cambiar y volver a colo ;ar los elementos. En la FIG0.43(izquierda) se muestra el dibujo de un
protoboard, y una vista interna. Así que el protoboard se constituye en elemento fundamental ·
para el montaje de circu 1tos.
El multímetro es el in ;trumento básico de medida; se pueden efectuar medidas básicas de
voltaje (OC y AC) coi ri ente (DC y AC) y resist encia. Adicionalmente posee otras funciones
tales como: medida de jiodos y continuidad, medida del beta de los transistores, capacímetro,
frecuencímetro, algunc•s tienen la posibilidad de monitorear temperatura, y otros, mas
sofisticados, poseen puerto de interconexión con un PC. En la FIG0.43(derecha) se presenta la
fotografía de un rnultímetro marca Tektrnnix. Entonces se puede afirmar que el mullímetrp es
el instrumento básico más importante (y relativamente económico) de laboratorio.
Para el uso del multímetro, es importante considerar algunos aspectos:
o. CONCEPTOS nAs1cos ELECrilÓNJ CA ANi\LOGA: TlmRI/\ Y LAllOJlATOlllO 45
0.7. MEDffiAS
,,......_ ....•............•.........••.•.•••.•....•.•......••
•........•................ ········•··••••••••··•·•··
•..••..••••.•••••••..•••.••...••..•.•.•.....•..•.....
...........................•..•............•.........
'"' ••••....•.••••...•...........••••••...••.••••..••..••
................•......•.•...•...•...................
....... ..........................•......•.•..........•..•..•.
..........•..•••.•.......•......•.•...•...••....•...
.......•..•..........................................
~,
.............•...........•.......•.•....•...•...•....
......•..••.........••.....•.•......................
•.•....•.....•...........• ···•···••··•·•···•·•··•·••
/'""',
----
PROTOBOARD LAMINILLAS
METALICAf I
,-
.........
..........
.......•.
11
,..__,
CORTE INTERNO
,.....,,
,......._ FIG0.43
./ Conocer los alcances del multímetro, por eso se recomienda consultar el manual de
~
fabricante. Con ese conocimiento se evita exceder los valores máximos .

./ Utilizarlo correctamente, es decir, colocarlo correctamente en el circuito bajo pmeba. Por
ejemplo, no hacer medidas de corriente colocándolo en paralelo con el circuito, o medir
resistencia con el circuito energizado, etc.
./ No maltratarlo y operar con delicadeza la perilla del cambio de escalas .
./ Mantener en buen estados las puntas de prueba. Puede suceder qüe se está efectuando
alguna medida en el circuito y no se toma lectura; lo primero que se cree es que el circuito
no está funcionando correctamente, sin embargo, posiblemente una de las puntas de prueba
está abierta .
./ Cuando el multímetro no es de auto rango (¿ ?), se recomienda colocar al máximo rango de
lo que se va a medir .
./ En el caso de efectuar una medida incorrecta de corriente, es decir, colocar las puntas en
paralelo cuando se tiene escala de corrientes (en donde el instrumento es más delicado), lo
mas seguro es que el fusible de protección se funda. Entonces al reemplazar el fusible que
sea de igual especificación de corriente al original.
./ Reemplazar la. pila, cuando se indique en la pantalla el símbolo de la pila. Tomar lecturas
con la batería deficiente en voltaje, impli ca tomar lecturas incorrectas.
En la FIG0.44 se muestran algunas medidas con el multímctro y la forma correcta de
conectarlo al circuito.
O. CONCEPTOS BÁSICOS ELEC.TilÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LAHORATOnIO 46
O. 7. MED1DAS
>
-T.____ _} ~t
FIG0.44
El siguiente equipo en importancia es la fuente de alimentación.
Es la encargada de entregar las tensiones continuas (polarización)
[t~ que requieren los circuitos construidos en el protoboard. En la

f'IG0.45 se presenta el dibujo de una fuente 'casera' que contiene
•-
tres bornes marcados como COM, +V y -V lo que significa que
la fuente es dual (¿?); el indicador de voltaje con alcance desde
cero hasta 30V y dos perillas, una de ajuste 'grueso' del voltaje y
F INE
la otra de ajuste 'fino'.
@ @ @ Existe una variedad de fuentes de alimentación para laboratorio,
+V COM . -V desde la más sencilla hasta las más sofisticadas (y costosas); sin
embargo, es un circuito que lo puede construir el estudiante y le
resulta de bajo costo y de mucha utilidad en su laboratorio.
FIG0.45 Continuando con la descripción del equipo de laboratorio, se tiene
El generador de seiial. Es un equipo que está en la posibilidad de suministrar señales variables
con frecuencias desde los pocos Hertz hasta los 2 tvffiz (o algo mas), amplitudes desde unos
pocos milivo.tios hasta cerca de los 1O voltios pico a pico y, además, proporcionan diferentes
formas de 0;1da, siendo las más usuales la señal seno, cuadrada y triangular. También se
dispone de generadores de radiofrecuencia que suministran seiiales sinusoidales con
frecuencias c.::rcanas al GHz y posibilidad de modulación en AM y FM (¿?).
-.
O. CONCEPTOS nAs1cos ELECrHÓNICA ANÁLOGA: TEOlllA Y LAllORATOillO 47
0.7. MEDlDAS
Por último, dentro del equipo común y fundamental para el laboratorio, está el osciloscopio,
1 para el que se hizo una breve explicación anteriormente.
~ ,
1
Es pues, importante conocer el equipo con que se trabaja; este conocimiento
~! es básicamente el manejo, características eléctricas, respuesta en frecuencia,
i
! niveles máximos de señal o voltajes. Por esto se recomienda consultar el
"' 1
i manual de usuario del equipo y, en lo posible, usar el mismo equipo en todas
--!
: las sesiones de laboratorio.
EJERCICIO ~
1. ¿Qué es un tubo de rayos catódicos y en donde se utiliza?
2. ¿Cuál es la diferencia entre precisión y exactitud?
3. ¿Qué es un analizador de espectro y para qué se utiliza?
4. ¿Qué es la persistencia? ¿En qué aplicación práctica se utiliza este principio?
5. ¿Qué es un YOM?
6. ¿Qué es un multímetro TRUE RMS?
7. ¿Qué es un frecuencímetro y para qué se utiliza?
8. ¿Qué otro nombre recibe el frecuencírnetro?
9. ¿Qué es el error de paralaje y en qué instrumentos se presenta?
1O. Dibuje el diagrama en bloques de: un mu ltímetro y un osciloscopio
1 1. ¿En qué consiste el auto rango en un multímetro?
12. ¿Qué es un generador de señal?
13. ¿Qué formas de onda se pueden obtener con un generador de señal?
14. ¿Qué es un generador de Rf?
--. 15. Anote algunas diferencias entre un generador de señal y un generador de RF
16. Describa la forma de medir: corriente, voltaje y resistencia utilizando un multímetro.
17. ¿Para qué sirve la sonda de un osciloscopio?
18. Mencione cuatro medidas que se pueden hacer con un osciloscopio.
19. ¿Qué es un osciloscopio digital?
20. ¿Para qué se utili zan las figuras de Lissajous?
21. ¿En qué equipo de laboratorio se pueden determinar las figuras de Lissajous?
22. ¿En qué instrumento se pueden medir potencias?
23 . ¿Se puede medir corriente con un osciloscopio?. Explique su respuesta.
LAIJORATORIO 11 F.LEC:rnÓNICA Ai'-IALOGA: TEOnlA \' LAUOllATOIUO 48
CONCEPTOS 0As1cos
E7LABORATORIO O.
,
CONCEPTOS BASICOS
,
INTRODUCCION -·
Se proponen algunas prácticas que ayudarán a reforzar los temas
básicos estudiados a lo largo del capítulo. Se ruega desarrollar con cuidado y detalladamente
cada práctica y, en lo posible, si se encuentran deficiencias, volver a leer la teoría; no olvidar
que estos temas son la base para iniciar el estudio de la electrónica y se debe llegar con buenas
bases.
~B0.2.¡ ~ PROCEDIMIENTO
0.2.1. Inicialmente se debe conocer el equipo de trabajo, así que solicite
el siguiente equipo ojalá con el manual de fabricante: multímetro, fuente de alimentación,
generador <le señal y osciloscopio. De cada uno de ellos identifique los botones, llaves,
interruptores; leer los manuales de usuario que suministra el fabricante y siga su lectura con la
observación del equipo. Preferiblemente que el profesor o monitor esté dirigiendo esta primera
exploración, así todos los grupos van conociendo el equipo en forma correcta. En esta primera
práctica se pueden utilizar una o dos sesiones.
0.2.2. Con el multímetro en la posición de continuidad, conozca el protoboard: identifique las
pistas, las zonas en donde está abierto, construya dos o tres circuitos distintos y verifique (con
ayuda del profesor) si están correctamente construidos. No olvidar siempre dibujar el
plano eléctrico del circuito que está construyendo, así que no confíe a la
memoria esta tarea.
0.2.3. Identificación de resistencias y su medida. Disponga de la mayor cantidad de
resistencias que pueda y de cada una de ellas determine su valor por código de colores
y su potencia. Luego con el óhmetro, mida cada una de esas resistencias y el abore una
tabla como la que se propone a continuación:
VALOR VALOR
MEDIDA ERROR 1Y.1 MEDIDA ERROR%
LEIDO LEIDO
Recuerde el código de colores de las resistencias, y para ello tenga en cuenta la tabla que se
presenta a continuación. De acuerdo al valor leído y al medido es interesante determinar cuáles
resistencias están dentro de la tolerancia prevista. Hay aplicaciones en electrónica en donde el .__.
-
LAUORATORIO o ELEC.'TllÓNIC'A ANi\1,0C;A: TlmHiA Y LAllOfü\TOIHO 49
CONCEPTOS BÁSICOS
. valor de la resistencia es crítico,· por ejemplo fn los filtros y osciladores, y en donde se

·requieren resistencias de precisión. ;;
TABLA
CÓDIGO DE COLORES
......_
,......._
[JJ.~I(]
•l'o. ' ~ ~"'
t
0111
• i-.
t·"''
o
t
[] 11 o
... '~ '"' t TOLE RANCIA
....,,
1 DIGITO l
,,_,
2 DIGITO
1
,....._ 3 DIGITO DORADO X0.1
PLATA X 0.01
MULTIPL ICADOR
~
'
1 DIGITO 2 DIGITO 3 DIGITO MULTIPLICADOR TOLERANCIA

.......... 1 CAFE O NEGRO O NEGRO X10º NEGRO 1% CAFE
1
2 ROJO 1 CAFE 1 CAFE X10 CAFE 2% ROJO
- 3 NARANJA
4AMARILLO
2 ROJO
3 NARANJA
2 ROJO
3 NARANJA
2
X10 ROJO
3
X10 NARANJA
5% DORADO
10% PLATA
- 5 VERDE
6AZUL
4 AMARILLO
5VEROE
4 AMARILLO
5VERDE
4
X10 AMARILLO
5
X10 VERDE
6
20% SIN COLOR
7 VIOL ETA 6AZUL 6AZUL X10 AZUL

8 GRIS 7 VIOLETA 7 VIOLETA X0.1 DORADO
9 BLANCO 8 GRIS BGRIS X0.01PLATA
9 BLANCO 9 BLANCO
,....__
0.2.4. Se propone analizar y construir un circuito mixto. El profesor o monitor propone un

circuito que involucra varias resistencias y una sola fuente. Inicialmente se :mnlizn
determinando: resistencia equivalente, corriente total, corriente a través de cada ramal paralelo
y voltaje sobre cada resistencia. Estos cálculos se efectúan considerando el valor leído en cada
resistencia de acuerdo al código de colores.
Posteriormente se mide cada resistencia, se efectúa el montaje y se realizan todas las medidas
propuestas en el análisis (resistencia equivalente, corrientes y voltajes). Luego se elabora una
tabla que contenga: los valores calculados, valores medidos y porcentajes de error. Siempre
es recomendable calcular los porcentajes de error. Saber qué tanto se diferencia la
teoría de las medidas; en otras palabras, se está determinando la calidad de los
componentes utilizados .
0.2.5. Cuando se utilizan los potenciómetros, es necesario determinar si son de respuesta
lineal o logarítmica; entonces se propone la siguiente práct ica. Marcar puntos de giro del
cursor del potenciómetro como se indica en la FlG0.46 (allí se indica desde O hasta 25).
LABORATORIO O ELECl'RÓNIC.\ ANALOGA: TEORIA Y LADORATOlllO 50
CONCEPTOS BÁSICOS
21 20 19
en
22@ 4 -
3 518 (/)CO
23 7 1 17 Q ,_
24 8 o 16 ~
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\n
25 9 15 >
1 4 M
11 12 13 .
"'
NUMERO DEVUELTA
FIGOA6
Luego construir el circuito propuesto, con una fuente DC ajustada a 1OV y el potenciómetro
colocando el voltímetro entre el cursor del potenciómetro y negativo de la fuente. Y comenzar
a desplazar el cursor y por cada marca, anotar el vol.taje que indica el voltímetro. Estos
resultados llevarlos a la gráfica que aparece a la derecha de la FIG0.46. Uniendo los puntos
resultantes en la gráfica, se obtiene una línea con la que se deduce si el potenciómetro es de
respuesta lineal o logarítmica.
0.2.6. Una ~plicación del divisor de voltaje es el puente de Wheatstone que se reproduce en
la FIG0.47, y que se había estudiado anteriormente. Para la práctica propuesta, seleccionar tres
resistencias con sus valores medidos, y el potenciómetro que en el circuito se va a llamar Rx.
Calcule el valor que se espera de Rx . Construir el circuito alimentando con 1OVne.
Varíe el reóstato (¿ ?) hasta que el voltímetro indique OV. Mida ahora la resistencia Rx y anote.
¿Qué diferencia hay entre este valor medido y el valor que se calcula? Determine el porcentaje
de error. Reemplace R 1 por el doble del valor inicial; calcule Rx. Varíe el reóstato.
'-
Ch1
L e
Ch2 -
.._
+
.....
y- vi
1 Va
''-'
R
"--
'--
FTG0.47 FIG0.48
Mida el nuevo valor de R." y calcule el porcentaje de error. Se mantiene el error o varía?
Explique sus resultados.
LABORATORIO O F.LECTHÓNlCA ANÁLO<":A: n:olllA y LAllOHATORJO 51
CONCEPTOS l3ÁSICOS
0.2. 7. Para las siguientes prácticas se utiliza el generador y osciloscopio. Se debe estar seguro
que se conoce y opera este equipo adecuadamente. Si Ja red dispone de tres terminales en la
toma: fase neutro y tierra, es rccomend:-ible colocar un adaptador de tres a dos p<1ra
concct<1r el osciloscopio, al igual que el generador de señal. lnicialmente conecte el
generador a un canal del osciloscopio y fije las siguientes señales y frecuencias:
Señal seno: IOOHz a 1mYp; 1KHz a SmVpp: 5KHz a lOOmVpp; lOKHz a 50mVp; 50KHz a
1Vpp; 1OOKHz a 2Vpp; 500KHz a 3.5Vpp; l MI-lz y la máxima amplitud pico-pico.
Seiial Triangular: lKHz a 2Vp; 51<.Hz a JVp: determine la frecuencia en que la señal deja de
ser triangular.
Señal cuadrada: 2KHz a 3Vpp; 1OKHz a 4Ypp. ¿A cuál frecuencia la señal deja de ser
cuadrada? Consulte por que se presenta Ja distorsión de Ja señal triangular y cuadrada en alta
frecuencia.
0.2.8. Construya el circuito de la FIG0.48. Con los siguientes valores: Vi = SVpp señal
sinusoidal, C = 1Onf< R = 100.0. y cualquier bobina. Disponer el osci loscopio como se indica
en esa rIG. Comenzar a aumentar la frecuencia del generador desde 1OHz, lentamente y
observe las señales en el osciloscopio. Cuando llegue al extremo derecho de la perilla del
ajuste de frecuencia, antes ele cambiar de rango (multiplicador), gire la perilla al extremo
izquierdo. Siga aumentado Ja frecuencia; observará que en la medida que aumenta la
frecuencia del generador, la amplitud de la señal sobre R aumenta a un valor máximo y
luego disminuye. I .a frecuencia a la que se tiene la máxima amplitud de señal sobre la
resistencia se denomina frecuencia de resonancia. Esta es una propiedad de los circuitos
Rl .C. Rccucrclc que la bobina se colocc") sin tener en cuenta su va lor. entonces de In ecunciún
característica ele resonancia, calcule el valor de L.
No olvide: un circuito RLC serie está en resonancia cuando:
Las reactancias del condensador y la bobina son iguales.
El circuito tiene un comportamiento netamente resistivo.
Por consiguiente, se tiene el máximo voltaje con la mayor corriente.
Regrese la frecuencia del generador a 1OHz. manteniendo la amplitud de la señal. Coloque la
fi.111ción XY del osciloscopio; entonces se van a observar las curvas de Lissajous. Comience a
aumentar la frecuencia del generador y observe la señal en el osciloscopio; realice toda la
exploración ele frecuencia , pasando por la de resonancia. Anote sus observaciones. Fije tres
figuras de Lissajous distintas: una antes de resonancia, la otra exactamente en resonancia y la
tercera posterior a la resonancia. Para cada caso calcule el desfase entre las dos señales. Para
los tres resultados. deduzca en qué rango ele frecuencia el circuito tiene comportamie~to
capacitivo. en donde se presenta comportamiento inductivo y en donde el comportamiento es
netamente resistivo.
fije una frecuencia arb itraria en donde el circuito tenga comportamiento capacitivo,
deshabilite la función XY (es decir, volver a la base de tiempo), adecuar las señales en la
pantalla del osciloscopio y determine el desfase pero basado en la diferencia de tiempo de las
señales. Para este cálculo proceda con la siguiente lógica.
LABORATORIO O ELl~CrnÓNIC\ ANALOGJ\: TEOHÍA Y LABORATORIO 52
CONCEPTOS OÁSICOS
En la FIG0.49 se presentan dos señales A y B, ambas tienen la misma frecuencia pero

diferente fase
td
FlG0.49
Considerando como referencia la señal A, entonces en la FIG(A) la señal B está en atraso
respecto a la señal A y en la FIG(B ), la sei1a! B está en adelanto respecto a la señal A. Para
determinar el desfase de las dos señales entonces se plantea la siguiente regla de tres simple:
T (periodo de la seiial) --) 360°
tcl (tiempo de desfase) -> 8º
Con esa simple relación se determina el desfase; pero no olvide algo importante: las señales
tienen que ser de igual frecuencia .
0.2.9. En esta práctica se utiliza el transformador.
Recuerde que es un dispositivo que tiene la
capacidad de aumentar o reducir voltajes, pero sin
alterar la forma de la señal. En la FIGO.SO se
dibujó un transformador con varios terminales (A,
B, ... G); En algunos transformadores el fabricante
indica los voltajes en los terminales (por ejemplo los
marca LASER y MAGOM), así que se puede
identificar fácilmente el primario y secundario; sin
embargo, en otros transformadores (como el que se
tiene en la FIG) no se conoce el primario ni
secundario ni mucho menos los voltajes de trabajo.
FIGO.SO El objetivo es determinar el primario y secundario, es
así que se marcan los terminales; luego con el óhmetro, se determina la resistencia entre
parejas de terminales, entonces por facilidad y orden se elabora una tabla como se indica a
continuación:
1--n~~1-===1~A_C~1~A_D--1~B_c--1~B_D__+~c_o--+~A_E--+~E-·F--t1~E_G--+1~F_G~
En donde se efectúan todas las combinaciones posibles; ele esas combinaciones, por ejemplo
A-E si marca abierto, significa que el primario y secundario está aislado eléctricamente.
LABORATORIO 11 ELECJ'UÓN!Ci\ i\N,Í.LOGJ\: TEOHL\ Y LAnOitATOIHO 53
CONCEPTOS BÁSICOS
Una vez se completa la tabla, se escoge la combinación que marque la mayor resistencia, y
este es el primario, en donde se aplica la tensión de la red; así que el secundario está en los
devanados que marcan menor resistencia indicando, de paso, que el transformador es del tipo
reductor. Ahora, por ejemplo, si en la combinación A-B y B-C marca igual resistencia, es
seguro que entre A-C se tiene el doble de resistencia, así que se tiene un secundario con tap
central, en donde la derivación central es el cable B.
A continuación se conecta el primario a la red, pero antes de realizar esta operación se deben
tener ciertas precauciones para evitar accidcn tes peligrosos. Observe ta FIG0.51:
¡todo comentario sobra!
Ahora se determinan los voltajes que se obtienen en el secundario, para ello se completa una
tabla como la siguiente:
AB AC AD BC BD CD
Voltios
En esta forma se determina el primario y secundario y los voltajes que suministra el

secundario, en un transformador que no se conocen sus conexiones.
INTERRUPTOR
rc=J
CONEXION CORRECTA
CONEXION INCORRECTA
PELIGROSA
FlG0.51
LAílORATORIO O ELEC.TllÓNl\.A ANÁLOGA: n:onL\ y LABOHATOHIO 54
CONCEPTOS 13ÁSICOS
La siguiente parte de la práctica es observar la señal de la red y del secundario del

transformador. Para tomar la señal de la red con la sonda del osciloscopio, se debe tener las
mismas precauciones anotadas anteriormente pero, además, es necesario utilizar una sonda
para el osciloscopio que permita la atenuación de la señal 1O veces (xl O); entonces se ajusta la
perilla de amplitud del canal para máxima magnitud (girada completamente al extremo
izquierdo). Se lleva la sonda a la red y observe la señal en el osciloscopio. Determine la
amplitud pico a pico y el periodo. Anote esos valores. Ahora mida con voltímetro AC la
tensión de la red y verifique la relación entre el valor RMS medido y el valor pico a pico de la --
seiial. Desarrolle un proceso semejante al que hizo con el primario, pero ahora con el
secundario.
0.2.10. En la siguiente práctica se observa en osciloscopio las señales de las vocales. En la
PlG0.52, se presentan las señales de las vocales pronunciadas por dos personas diferentes;
entonces se busca, con esta práctica, obtener las señales de las vocales pronunciadas por Ud.,
comparar con las señales que se presentan en la FIG0.52 y, además, determinar la frecuencia y
forma de onda de cada una de las vocales. Para tomar la señal de la voz se requiere de un
micrófono y construir el circuito de la FIG0.53 ·
>! 'lliT.i !~···. . 1·-,(:..·: .

·:::::::~+
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.
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. ·· ···· ·· .··. ·· . ..
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.. .
..
.
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1 . .... .
.
.
-
FIG0.52
Una vez construid8 el circuito, colocar la sonda del osciloscopio en el punto indicado y
--
pronuncie cada unc1 de las vocales en forma sostenida: observe la señal característica que tiene
ca~la vocal. Compare la vocal pronunciada con las seiiales de la FlG 1.52 e indique sobre la
gralica la vocal correspondiente: además. determine la frecuencia de l<1s vornles y onótclas.
LAilORATORIO o 1-:l .ECTHÓNICA ANALUC ;..\: TEOH IA Y LAllOllATOHIO 55
CONCEPTOS BASTCOS
Compare las señales de las vocales que Ud.

pronuncia con las de otro compañero. ¿Varía
la frecuencia? ¿Cambia la forma?.
Mencione una aplicación real de la práctica.
0.2.11. La siguiente práctica consiste en
observar el comportamiento de un circuito RL
y RC cuando se alimentan con una señal
cuadrada. Para obtener la señal cuadrada, se
utiliza un circuito integrado que es el
LMSSS. Este es un integrado denominado
temporizador (timer) y con el que se pueden
realizar diferentes funciones, entre ellas están:
FlG0.53 generar un tren de pulsos. Para esta práctica
no interesa cómo funciona el integrado ni· las ecuaciones que se utilizan para deducir los
componentes, solo interesa obtener el tren de pulsos necesarios para la práctica. Entonces
construya los circuitos de la FIG0.54, colocando los componentes que disponga.
+10V
Ch1 Ch2
1K
L"~
OUT 3
_fl_ ) L
O>--- ---'r
GND
Ch1
Ch1 Ch2
~L .¡. R i
JL~c
1LIF 8 7 6 5
¡ JL R
º T
1 2 3 4
FIG0.54
Para cada uno de los circuitos propuestos, dibujar las señales y anotar sus observaciones.
Consulte en los textos la forma de analizar cada circuito y las ecuaciones correspondientes.
,
ILAB0.3.¡ ~ PRO\rECTO - INVESTIGACION
En esta sección del Laboratorio. se pretende que el estudiante desarrolle
algún proyecto o investigación extraclase, lógicamente relacionado con los temas estudiados.
Algunas propucst as son:
LABORATORIO O ELECTHÓNlCA ANALOGA: TEORL\ Y LABORATORIO 56
CONCEPTOS BÁSICOS
./ Construir un VOM del tipo análogo para obtener medidas de resistencia, voltaje y corriente
oc.
./ Construir un tipo de puente (consultar el puente de Maxwell) para determinar bobinas
desconocidas. Ó utilizando el principio de resonancia, determinar bobinas desconocidas .
./ Utilizando la función XY del osciloscopio, obtener la respuesta V-1 de cualquier elemento
(del tipo resistivo) y de esta manera saber si satisface o no la Ley de Ohm .
./ Construya una sonda para el osciloscopio. Este práctica es sencilla pero muy interesante;
además, teniendo en cuenta que una sonda de calidad aceptable puede ser muy costosa, la
fabricación de la sonda resulta muy económica. ·-
En la FIG0.55 se dibujan las siguientes partes: el conector de la sonda del osciloscopio.
Internamente presenta el circuito de entrada del osciloscopio una resistencia y capacidad Ri y .
Ci que están dadas por el fabricante (los dos valores están escritos cerca al conector); el BNC
que es el conector que va al cable de la sonda; el cable, que debe ser blindado; el circuito que
representa el atenuador y que es el propuesto en la práctica. Normalmente R es del orden de
las unidades o decenas de Kilo Ohmio y para el condensador C se escoge un trimmer
(condensador variable); la sonda termina con la punta que se denomina el 'vivo' y la tierra que
normalmente va a un caimán, como se dibujó en Ja figura. La prueba se efectúa con un
generador que entreg .1e onda cuadrada.
1
OSCILOSCOPIC BNC
CABLE CIRCUITO
.= i i BLINDADO PROPUESTO
1 VIVO DE
LA SONDA
_______
....._
i VIVO DE
LA SONDA
TIERRA
FlG0.55
Entonces conectar a la ¡iunta un generador de onda cuadrada y variar la frecuencia; cuando la
señal se distorsione, variar el trimmer, hasta reducir la distorsión.
Anote los siguientes resultados: frecuencia a la que la sonda distorsiona aunque se ajuste el
trimmer y atenuación de la sonda. Ensayar con distintos valores de R hasta obtener el valor
que considere óptimo para su sonda. ¿De qué parámetro depende la selección de R y C?
./ Como última práctica, se propone construir un condensador que actúe como transductor
(¿ ?). El condensador es un dispositivo que se construye con dos placas conductoras y entre
ellas se coloca un dieléctrico (aislante); esta disposición permite construir el condensador y
como dieléctrico se coloquen distintos materiales aislantes, de manera que se pueda censar
por ejemplo presión, humedad, etc. Entonces se deja a la creatividad e imaginación del
estudiante para emprender este proyecto. No olvidar q\1e hay que tener en cuenta los factores
LABOHATORIO O El.HTnÓN!{'A 1\N..\l.O(;A: n:onlA y LAllORATOHIO 57
CONCEPTOS BASICOS
que inciden en la capacidad del condensador: arca de las placas, separación entre placas,
naturaleza del dieléctrico .
../ Para consulta se proponen los siguientes temas:
• Condensadores que se han fabricado de mayor capacidad. valor de las capacidades,
voltaje de trabajo y fabricante.
• Qué es un termistor, tipos de tcrmistores, para qué se utilizan. Especificacione~
técnicas y fabricantes.
• Funcionamiento del osciloscopio y un diagrama en bloques del osciloscopio
análogo y del osciloscopio digital.
• ¿Qué es un puente RLC y para qué se utiliza?
• Qué equipos utiliz.an principios magnéticos para su funcionamiento.
• Si un amperímetro puede medir hasta 1O A, ¿qué se tiene que hacer para que
amplíe su alcance hasta 20 A?
• Algunos multímetros ti enen protección con fusible. ¿Para qué medidas se coloca
ese fusible?
• ¿Cómo es la resistencia interna de un amperímetro y de un voltímetro?
• ¿Qué significa que un multímetro tenga auto rango?
• ¿Cuáles ele los equipos de trabajo se pueden construir en forma~_casera?
---
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NOTAS PERSON1-\LES
-
------------·---·-·--·----· ·------ ·--· ---· ----· --- ------ . __.. , - ·-·-·-- __________ ¡
1. EL DIODO ELECTl~ÓNICAi\NÁLOGi\:Tl~OHIA YLABORATOIUO 58
1.1. INTRODUCCIÓN 1.2. TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR
EL DIODO
1~
INTRODUCCIÓN.
En este primer capítulo de ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y
LABORA TORIO, se estudia el dispositivo electrónico más básico como es el DIODO. Pero
estudiar el diodo implica tener un conocimiento previo de la teoría del semiconductor, su
comportamiento frente a la temperatura y a potenciales externos aplicados y finalmente, como
se llega a construir el diodo.
Es de anotar que este breve estudio del semiconductor es muy elemental, pues solo interesa
estudiar el diodo como tal y su comportamiento en un circuito electrónico y no exponer una
teoría avanzada de la física del semiconductor.
Si el estudiante tiene curiosidad y desea profundizar en el tema, se recomienda al final del
libro, en la bibliografía, algunos textos que lo orientarán en su estudio.
~ ~ TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR

Los diodos. los transistores, los circuitos integrados y, en general, todos los
dispositivos electrónicos en su mayoría están construidos con materiales semiconductores. Un
semiconductor es un material que no es buen conductor ni tampoco buen aislante, es decir,
presenta características intermedias entre estos dos tipos de materiales.
La naturaleza está compuesta de materia: el agua, el aire, la piedra, etc., son materia que
ocupan espacio y tienen masa. Estos elementos están conformados por partículas que son los
átomos.
A su vez el átomo contiene partículas subatómicas entre las que se detallan: los electrones, los
protones y los neutrones. Todos los electrones son idénticos entre sí, ~ igual sucede con los
protones y los neutrones ; lo que diferencia a un átomo de otro, es el número de estas y otras
partículas que contiene el átomo.
El electrón y el protón son cargas eléctricas, iguales en magnitud pero opuestas en signo, es
decir, la carga del electrón es negativa, mientras que la carga del protón es positiva. Desde el
punto de vista de masa, el protón tiene mucha mayor masa que el electrón.
Para describir la construcción del átomo, se recurren a modelos siendo el más aceptado. el
modelo propuesto por Borh : representa al átomo como un sistema solar en miniatura con el
núcleo en su centro y los electrones girando a su alrededor como se muestra en la FIG 1.1 . En
el núcleo se alojan los protones, neutrones junto con otras partículas subatómicas; los
electrones, a su vez, están girando alrededor del núcleo, al igual que lo hacen los planetas del
sistema solar alrededor del sol.
l. EL DIODO 1-:u:crnÓNICA ANALO<;,\: TIWltlA y LAUORATORIO 59
1.2. TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR
Existen dos fuerzas básicas que explican la atracción que ejerce el

núcleo sobre los electrones y que, a su vez, evita que los
electrones caigan al núcleo: una es la fuerza de Coulomb; esta
fuerza es radial y se define como: F = K qcq,/r2 .
La segunda fuerza es expresada como Ja segunda Ley de Newton:
F = ma, en donde m es la masa y a es la aceleración del
electrón hacia el núcleo en donde la aceleración es dada como v2 /r
Esta aceleración es radial. Reemplazando esta aceleración en la
ecuación de fuerza se tiene: F = m (v2 /r).
FIG 1.1 Las fuerzas anotadas, la de Coulomb y la segunda ley de Newton
mantienen al electrón en su órbita girando alrededor del núcleo, sin que se salga de la órbita
por efecto de la aceleración centrífuga, ni que se acerque al núcleo.
Un átomo debe tener dos características que aseguran su equilibrio: una es la estabilidad
química, es decir, que en su última banda, la más alejada del núcleo y que se suele denominar
banda de valcucia, contenga exactamente ocho electrones. Segunda, todo átomo debe ser
eléctricamente neutro, es decir, el 11(1mcro de electrones es igual al número ele cargas positivas .
Se puede afirmar que un átomo que es químicamente est able y eléctricamente neutro, está
completamente equilibrado. Observando la tabla periódica, los únicos átomos que satisfacen
este equilibrio son los denominados elementos nob les: Helio, Neón, Argón, Criptón, Xenón.
Todos los demás áto1nos son eléctricamente neutros pero no son químicamente estables. Por
ejemplo:
lloro: 5 electrones 5 protones 3 clcctrnnes tic Yalencia
- Sodio:
Silicio:
11 electrones
14 electrones
11 protones
1.t protones
1 electrón Yalencia
4 electrones tic rnlencia
Azufre: 16 electrones 16 protones 6 electrones tic valencia
Cloro: 17 electrones 17 ¡1 ro tones 7 electrones tic valencia
Potasio: 19 electrones 19 (l rotoncs 1 electrón tic valencia
Calcio: 20 electrones 20 protones 2 electrones de valencia
Galio: 31 electrones J 1 protones 3 electrones de valencia

Germanio: 32 electrones 32 protones 4 electrones de valencia
Arsénico: 33 electrones 33 protones 5 electrones tic valencia
Y ocio: 53 electrones 53 protones 7 electrones tic valencia
Y así con todos los demás átomos excepto, como se dijo, con los elementos nobles.
Como se observa en la tabla anterior, algunos átomos solo tienen uno, dos o tres electrones en
la banda de valencia, mient ras que otros tienen seis o siete electrones en su banda de valencia
y otros tienen cuatro electrones de valencia. Esta diferencia en el número de electrones de
valencia, define otro concepto denominad o enlace químico.
Como la naturaleza busca el equilibrio tanto químico como eléctrico y I::\ mayoría de átomos
no son químicamente estables, entonces los átomos tienden a unirse químicamente formando
compuestos llamados moléculns logrando de esta manera el eq uilibrio químico. Las moléculas
1. EL DIODO ELEC'fRÓNICAANALOGA: TEORIA Y LABORATORIO 60
1.2. TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR
son compuestos ele átomos con afinidad química y parte de esta afinidad proviene
precisamente del número de electrones de valencia.
Por ejemplo el sodio presenta tres bandas de energía distribuidas así: el nivel K con dos
electrones, Ja banda L con ocho electrones y Ja banda M con un electrón, así que para lograr el
equilibrio químico, es más fáci l para el sodio liberar el electrón de la banda de valencia y así
quedar con los ocho electrones de la banda L , que tomar siete electrones.
Mientras que el cloro que tiene la siguiente distribución: banda K con dos electrones, la banda
L con ocho electrones y la banda M con siete electrones: En este átomo sucede la situación
contraria a la del sodio, es decir que para el cloro le queda más fácil recibir un electrón en su
banda de valencia y completar el octeto, que desprenderse de siete electrones.
Así pues, Ja naturaleza en su sabiduría, hace que estos dos átomos sean afines químicamente y
se unen de manera que el sodio cede su electrón de valencia al cloro logrando que cada átomo
sea químicamente estab le, puesto que en su última banda de energía cada uno completa el
_.- octeto. Como resultado de este intercambio de cargas se producen dos cambios apreciables:
:·
uno, se genera un compuesto que se denomina el cloruro de sodio y cuya naturaleza es
:completamente diferente a cada uno ele los átomos que lo conforman y, dos, cuando el sodio
pierde un electrón, su carga neta se desbalancea, puesto que queda con una carga positiva en
exceso; situación semejante sucede al cloro, que al recibir un electrón adicional, su carga neta
es ahora negativa. Sin embargo, la molécula de cloruro de sodio es eléctricamente neutra,
puesto que el sodio se convierte en un ion positivo o catión y el cloro se convierte en un ion
negativo o anión .
La situación anotada para el cloro y sodio sucede para todos los átomos que tienen en su banda
de valencia dos y tres electrones que ceden electrones a los átomos que tienen en la banda de
valencia cinco y seis electrones respectivamente. En la
química, a este tipo de unión entre átomos se deno mina
enlace iónico pu esto que un átomo cede electrones a
otro átomo, convirtiéndose cada uno de ellos en iones.
Cuando un átomo tiene cuatro electrones de valencia,
como es el caso del silicio y germanio, etc., el átomo no
se desprende de estos electrones, puesto que requeriría
elevadas energías para lograrlo, así que en este caso, su
naturaleza lo que hace es unirlos entre sí de manera que
sus electrones de valencia son compartidos y en esta
forma cada átomo tiene sus cuatro electrones de valencia
mas los cuatro electrones compartidos con otros cuatro
FlG 1.2 átomos de su misma naturaleza. Una representación de lo
que sucede con estos átomos se ilustra en la Fl G 1.2 en donde se observa que cad a átomo
comparte sus cuatro electrones de valencia con otros cuatro átomos. Esta combinación de '--"
átomos se denomina enlace covnlcnte y como resultado se forman estnicturas cristalinas; este
es el enlace que se da en los materiales semiconductores y por esto toma importancia en el
estudio de la electrónica.
La distribución energética de los cristales formados por enlaces cova lcntes es definida por tres
zonas de energía importantes y que se denominan bandas de energía. Estas bandas de energía
l. EL DIODO El.H~fHÓNICJ\ AN,Í.LOC:A: TEOHIA Y LABO!v\TORIO 61
1.2. TEORIA DEL SEMICONDUCTOR
son: la banda de valencia, la banda de conducción y una banda en donde no existen cargas
que se denomina banda prohibida. En la flG 1.3 se muestran estas tres bandas para los
distintos tipos de materiales.
:: ~. :::• ·. : : ~- : ..... ~ .
.
·\
·;':···.·~·:: ... -.;. ·:.~::· ..: ·'.~ :_: ..:~-
. . .
" ....... ··:·.: .. -~··. =:---· :=.. ...~
BANDA
IHATIJUAL PROHIBIDA
CONDUCTOR
l'vlATERIAL
BANDA SEMICONDUCTOR
PROHIBIDA
DISTRIBUCION DE l\'lATER1AL
BANDAS DE ENERGL>\ AISLANIT
EN UN t\'li\TERIAL
FIGl.3
En la figura de la izquierda se presenta la distribución de energías en un cristal cualquiera. Allí
se indica en la banda inferior una banda saturada en donde se alojan los electrones más
cercanos al núcleo y que están fu ertemente atrapados por este. Sigue una banda prohibida, y
- que indica la cantidad de energía que se debe aplicar al átomo para poder liberar un electrón de
la banda saturada. Luego se tiene la banda de valencia en Ja que se alojan los electrones mfls
alejados del núcleo y que mediante algún tipo de energía externa son fácilmente liberados.
Sigue otra banda prohibida y cuya magnitud indica qué tanta energía se requiere aplicar al
cristal para liberar electrones de la banda de valencia. Finalmente se tiene la banda de
conducción y en la que se encuentran los electrones liberados de la banc!a de valencia y que
pueden formar parte de una corriente eléctrica. Entonces, las bandas de interés son la de
valencia, la de conducción y la prohibida; dependiendo de la magnitud de esta banda prohibida
es que se definen los distintos materiales en cuanto a la conducción de corriente.
Un material es conductor cuando no existe la banda prohibida entre las bandas de valencia y
de conducción; se dice que estas bandas se encuentran solapadas como se indica en la FIG 1.3.
Los electrones de valencia prácticamente están libres y a temperatura ambiente esos electrones
están en la banda de conducción, por lo que pueden formar un flujo de corriente eléctrica.
Cuando la energía que se requiere para liberar un electrón de la banda de valen.cia, y
convertirlo en electrón de conducción, es extremadamente grande, significa que la banda
prohibida es muy grnnde y se trata, entonces, de un material aislante.
Pero si la banda prohibida es intermedia, es decir: la energía que se requiere para liberar
electrones de la banda de valencia no es muy grande, y a temperatura ambiente algunos de
estos electrones adquieren la suticicnte energía para liberarse de la atracción del núcleo y, por
tanto, ser portador de corriente eléctrica, se dice que el material es un semiconductor.
1. EL DIODO ELEC.:rnÓNICA AN;\LQ(:A: TEOHIA Y LADORATORIO 62
1.2. TEORlA DEL SEMlCON"DUCTOR
Para un cristal de silicio, la energía de la banda prohibida es de aproximadamente l.11 eV (el

electrón-voltio cV es la unidad de energía e indica la energía que adquiere un electrón cuando
cae en un diferencial de potencial de 1 voltio: 1 eV = l.602x10- 19 (cou1omb)(1 voltio) =
1.602x ¡ 0· 19 Joules). Si el cristal de silicio está a cero absoluto de temperatura, todos los
electrones de valencia están llenando las órbitas de esta banda y no hay posibilidad que algún
electrón se libere para pasar a la banda de conducción; bajo esta situación el silicio es un
aislante. Pero. al someter el cristal a temperatura ambiente, algunos de los electrones de la
banda de valencia adquieren energía superior a 1.11 eV para liberarse y pasar a la banda de
conducción, y así, convertirse en portadores libres. Una vez en la banda de conducción,
algunos de estos electrones _libres, luego de sucesivas colisiones pierden la energía que
adquirieron y vuelven a la banda de valencia; pero otros electrones toman su lugar. Este
proceso continúa mientras el cristal esté en temperatura ambiente. Normalmente el promedio
de los electrones que pasan a la banda de conducción es relativamente constante por unidad de ---
volumen, sin embargo este número es muy pequeño si se compara con el número de electrones
en la banda de conducción de un conductor: la relación es de aproximadamente 1O 12 veces
mayor por centímetro cúbico en un conductor que en un semiconductor.
Los materiales adecuados para la fabricación de los dispositivos electrónicos son el silicio y el
germanio y que forman cristales como resultado de los enlaces covalentes. Estos cristales
semiconductores, pueden llegar a ser aislantes o conductores dependiendo de la energía
térmica a que estén expuestos. Si el cristal está a OºK (grados Kelvin), todos los electrones -
están en la banda de valencia y la banda de conducción está vacía. Cuando la temperatura
aumenta, algunos electrones de la banda de valencia adquieren energía superior a 1.11 eV y se
liberan convirtiéndose en portadores libres y se pueden desplazar libremente a través del
cristal; esta libertad dura instantes muy cortos mientras que pierden la energía que adquirieron
inicialmente, luego vuelven a ser atrapados por un enlace covalente y regresan a la banda de
valencia. El tiempo promedio que el electrón permanece libre, es decir, en la banda de
conducción, se denomina tiempo de vida del portador.
Cuando el electrón abandona un enlace covalente, queda en su lugar un espacio o hueco, el
cual es ocupado por otro electrón que venga de la handa de conducción o por un electrón de un
enlace vecino. Si el hueco es llenado por un electrón proveniente de un enlace próximo, este
electrón deja también otro hueco así que el hueco aparentemente también se desplaza; esta
situación se repite, por lo que cada electrón liberado, genera un hueco: "cada electrón liberado,
es un hueco generado". Esta característica de igualdad en los electrones y los espacios vacíos
es la característica de los semiconductores denominados: semiconductores intrínsecos.
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, sin contaminantes o impurezas.
El término hueco en la teoría de los semiconductores y en especial de los dispositivos
electrónicos es importante, ya que este espacio vacío que deja un electrón libre entra a formar
otro tipo de poriador de carga. Entonces en un semiconductor se tienen dos tipos de
portadores de carga : los electrones y los huecos. Al hueco generalmente se le asocia una
carga positiva, pero lo que sucede es qu~ el átomo. al perder un electrón, adquiere una carga
positiva en exceso y se convierte en un ion positivo. En resumen, en un semiconductor
afectado por la temperatura ambiente, algunos electrones de valencia adquieren energía
suficiente para liberarse de sus enlaces covalcntes y pasan a la banda de conducción en donde
son libres de desplazarse por el cristal. A su ve7., al liberarse el electrón ~uccla en su lugar un
1. EL DIODO El.ECTllÓNIC/\ ANÁLOGA: TEORIA Y LAilOIV\TOIUO 63
1.2. TEORiA DEL SEMICONDUCTOR
espacio o hueco, es decir, en la banda de valencia se tiene

ELEClRON un exceso de iones positivos. Estos hueco son rápidamente
LIBRE ocupados por electrones que estaban libres y que por
sucesivas colisiones, perdieron la energía inicial y caen a
la banda de valencia a ocupar los huecos abandonados;
otros huecos son llenados por electrones que están en
enlaces vecinos al hueco, es decir electrones que están en la
banda de valencia pero que con un mínimo de energía se
pueden desplazar entre los enlaces (estos electrones no son
portadores de carga). Este intercambio de energía entre
HUECO electrones y huecos depende de la generación y
--. recombinación de pares electrón-hueco.
FIGI.4 . El interés por los semiconductores puros o intrínsecos es
muy limitado en electrónica, e igualmente sus aplicaciones son pocas. El procedimiento que se
sigue es introducir al cristal de semiconductor intrínseco impurezas conocidas. A este cristal
impuro o dopado se denomina semiconductor extrínseco. La adición de una pequeña
cantidad de impurezas al semiconductor cambia drásticamente las características del cristal
original. Las impurezas son átomos que tienen cinco o tres electrones de valencia tales como
el arsénico, antimonio que son átomos de cinco electrones de valencia y el boro, galio o indio
que son átomos con tres electrones de valencia; cualquiera que sea el átomo de impureza
introducido, su proporción es muy pequeña: de un átomo de impureza por cada 109 átomos de
cristal semiconductor, sin embargo, esta minúscula
proporción altern la est rnctura del cristal original.
Suponer que impurezas del grupo cinco como el antimonio,
se introducen en la estructura cristalina del silicio como
indica la FIG 1.5. Cuatro de los electrones del antimonio son
compartidas por igual número de átomos de silicio; luego
sobra un electrón, el cual se libera con un mínimo de energía
y pasa a la banda de conducción (con energía menor de 0.05
- FIG l.5
eV el eiectrón sobrante de la impureza es liberado), así que a
temperatura del medio ambiente, la mayoría de electrones de
impurezas están en !a banda de conducción. Estos átomos de impurezas son denominados
donadores y su densidad de portadores se indica como Nn.
La presencia de electrones en exceso en la banda de
conducción aumenta la conductividad del semiconductor (se
enti ende como conductividad de un material la habilidad para
conducir la corriente; un buen conductor tiene alta
conductividad) . Sumado a los electrones de impurezas se
tienen los pares electro-huecos generados térmicamente.
Al cristal semiconductor intrí nseco también se puede
introducir impurezas del periodo tres tales como el boro, galio
FIG l.G y aluminio que contienen tres electrones de valencia. En la
F!G 1.6 se ilustra el efecto de introducir átomos de galio al cristal de silicio, tres electrones de
l. EL DIODO ELECTHÓNICA ANÁLOGA: TEOHIA Y LAllOHATORIO 64
1.2. TEORIA DEL SEMICONDUCTOR
la impureza forman enlace covalentes con tres átomos de silicio, pero uno de los enlaces queda
incompleto y entonces produce un hueco. Este hueco generado es ocupado por electrones que
pasan de la banda de conducción cuando pierden su energía o por electrones de la banda de
valencia que pasan de un enlace vecino; estos últimos, al trasladarse dentro de la misma
banda de valencia, dejan un hueco_en su lugar y a su vez, ionizan negativamente al átomo de
impureza. Los átomos de impurezas del periodo tres se denominan átomos aceptores y su
concentración se indica como N,\. El incremento de huecos en la banda de valencia también
incrementa la conductividad del semiconductor.
La FIG 1. 7 muestra una tabla resumen de lo mencionado. La introducción de impurezas al
semiconductor altera las características del semiconductor aumentando, como consecuencia,
ELECTRON
SEIHlCONDUCTOR GENERACION
INIRINSECO TIRl'.,.llCA
HUECO
BELECffiON
N
IMPUREZAS
y
GENERACION
TERl\·llCA
GENERACION 1
SB.·llCONDUCTOR 1 HUECO TER.1\-llCA
EXIRINSECO
BIELECffiON
p
GENERACION
TERl\UCA
1
m·IPUREZAS
HUECO y
GENERACION
TERl\UCA
FJGl.7
su conductividad (lo hace mas conductor). Si las impurezas son del grupo cinco, es decir,
átomos con cinco electrones de valencia, aumenta la concentración de electrones en la banda ---
de conducción y produce un semiconductor tipo N. Pero si las impurezas son con átomos
del grupo tres, esto es, átomos con tres electrones de valencia, aumenta la concentración de
huecos en la banda de va lencia y produce un semiconductor tipo P.
Para ambas situaciones, por efecto de la temperatura se tendrá generación de pares electrón-
hueco, así que · en un semiconductor tipo N se tiene portadores mayoritarios los
electrones que son los introducidos por impurezas mas lo generados térmicamente y los
huecos que son portadores minoritarios.
Igualmente, cuando las impurezas son trivalentes, los portadores mayoritarios son los
' .
huecos que son la suma de los huecos debidos a impurezas mas los huecos generador por
efecto térmico, mientras que los portadores minoritarios son los electrones que son
generados por efecto térmico.
Cuando un cristal semiconductor es contaminado, se presenta una alta concentración de
portadores mayoritarios en algunas zonas del cristal y baja concentración en otras zonas. Este
l. EL DIODO F.l.ECTRÓNICA ANALOGA: TEORIA Y J.,ABOllJ\TOIUO 65
1.3. DIODO DE UNIÓN
efecto es semejante a cuando en un recipiente que contenga agua pura se introduce con un
gotero unas pocas gotas de tintura, el resultado es que la tintura se difunde rápidamente en el
agua igualando la concentración de tintura en toda el agua. En el cristal semiconductor lo que
sucede es que debido a esa distribución no uniforme de cargas, se establece una corriente de
portadores mayoritarios que se denomina corriente de difusión y que tiende a
equilibrar esa diferencia de concentración de cargas en el cristal. El equilibrio se obtiene
cuando las cargas en exceso se distribuyen uniformemente en todo el cristal y la corriente de
difusión desaparece.
,
DIODO DE UNION
El primer dispositivo electrónico construido con semiconductores es el diodo.
Esta formado por dos cristales semiconductores extrínsecos contrarios: tipo P y tipo N como
se ilustra en la FIG 1.8. Se indica el exceso de electrones en el lado N y algunos huecos que
representan los portadores minoritarios. y el exceso de
TIPON TIPOP huecos en el lad o P, con algunos electrones como
portadores minoritarios. Centrando Ja atención en la
-- o-:.
- -- juntura, al lado N hay exceso de electrones cerca de la
unión, mientras que al lado P, el exceso es de huecos,
-O-
luego se tiene concentraciones no uniformes de carga a
JUNTURA lad o y lad o de la juntura. Debido a estas diferencias de
concentraciones se establece una corriente de difi..tsión a
través de la juntura, así que electrones del lado N pasan
FIG 1.8 a ll enar huecos en el lado P, dejando en su lugar iones
positivos; a su vez, los electrones que pasan al lado P van ionizando negativamente los átomos
del lado P. El resultado es una corriente inicial de difusión que va dejando a ambos lados de la
juntura una cantidad de iones inmóviles generando un campo eléct rico entre estos iones, tal
wmo se muestra en la FlGl .9. El campo generado se ll ama potencial de barrera o Vy.
Como se observa en la FI G l. 9, debido al campo que se
TIPON TIPOP
establece, no es posible que electrones del lado N y
----
- +- 00000
ººº-ºº -
huecos del lado P puedan atravesar esa barrera de
- º-:ci:= + -- oo-ooc potencial, así que la corriente de difusión cesa; sin
-º::: + -- ººººº
oóboo embargo, en el lado N existen algunos portadores
minoritarios como resultado del efecto térmico y lo
~'Y mismo sucede en el lado P. Estos portadores
minoritarios tienen la posibilidad de atravesar la barrera
FIG 1.9 de potencial y, efectivamente, son forzados por los iones
que forman la barrera para atravesar la juntura y al atravesarla, reducen ligeramente el
potencial de la barrera. Entonces, debido a este movimiento de portadores minoritarios a
través del cristal, se establece otra corriente que es diferente a la de difusió n; esta corriente es
debida al campo eléctrico de la barrera de potencial y que se denomina corriente de
arrastre. Así que en el diodo, en la formación de la juntura se establecen dos corrientes: una
por diferencia de concentraciones y que se denomina corriente de difusión y la segunda,
l. EL DIODO F.LELTllÓNICA ANALOGA: TlmltiA \' LADORATORIO 66
1.3. DIODO DE UNIÓN
debida al potencial de la barrera y que se denomina corriente de arrastre. La componente de la

corriente de arrastre se suele denominar, también, corriente inversa de saturación Is, y
constituye uno de los parámetros dados por fabricante en los manuales de especificaciones.
Observar que ambas corrientes tienen los dos portadores, así, la corriente de difusión la
componen los portadores mayoritarios del lado N y P (electrones y huecos) e igualmente, la
corriente de arrastre está formada por los dos portadores, huecos y electrones, pero que son
portadores minoritarios.
El voltaje del potencial de barrera (campo alrededor de la juntura) depende del material
semiconductor: si el material es germanio, Vy puede estar alrededor de 0.2V, pero si el
material es el silicio, ese potencial de barrera puede estar comprendido entre 0.5 V a 0.8 V. El
potencial depende también de la temperatura: si la temperatura aumenta, se tendrá más pares
electrón-hueco y más portadores minoritarios, las corrientes de difusión y de saturación
aumentan, pero la de saturación aumenta en mayor proporción, así que para equilibrar las
corrientes, necesariamente el potencial de barrera decrece; experimentalmente se encuentra
que el potencial decrece aproximadamente 2 mV por cada grndo Celsius de aumento,
mientras que la corriente de saturación se dobla por cada lO"C de aumento en la
temperatura.
El diodo de unión se puede polarizar en dos formas: polarización en inverso y polarización en
directo. Se dice que un dispositivo se polariza cuando se colocan las fuentes de voltaje
para que funcione de acuerdo a ciertas condiciones, así que para que el diodo tenga utilidad
en electrónica, se debe polarizar.
En la FIG 1. 1O se muestra el símbolo elect rónico que representa al diodo de unión y las
distintas formas de polarización.
V-y
+-.L.
Sll'vffiOLO
p N
A --Li--- K
-1 1 ~p N
11
V
+
~---1+ 11t--~
V
A:Anodo PO LAR.IZA CION P OLARIZACION
K: Catodo INVERSA DIRECTA
FIGl.10
Una .polarización inversa del diodo consiste en colocar la fuente externa V con el positivo
hacia el cristal N y el negativo de la fuente conectado al cristal P.
El resultado es que el voltaje externo aplicado refuerza el voltaje inicial de la juntura, se
incrementa el potencial de barrera y es muy poco probable que portadores mayoritarios de los
cristales N y P atraviesen la juntura; sin embargo, puede existir un incremento de la corriente
inversa de saturación, puesto que el número de pares electrón-hueco se incrementa
ligeramente. El voltaje que se tiene entre ánodo (A) y cátodo (K) del diodo es igual al de la
1. EL DIODO ELECTHÓNICA ANÁLOGA: TEORfA Y L1\nORATOJHO 67
1.4. CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO
fuente externa lo que significa que el diodo se comporta como un circuito abierto y, por
consiguiente. la corriente que circula por el circuito externo es prácticamente cero (excepto
por la pequeña corriente Is).
La otra forma de polarización es directa, en donde el positivo de Ja fuente se conecta al ánodo
del diodo y el negativo de la fuente al cátodo del diodo. El resultado es que el campo externo,
si es mayor, anula al campo interno de la juntura, se produce un gran paso de portadores
mayoritarios a través de la juntura y un aumento de la corriente externa del circuito.
Idealmente el voltaje entre el ánodo y cátodo del diodo es de cero voltios, lo que significa que
el dispositivo se comporta como un corto circuito. Al detallar el movimiento de portadores
dentro del cristal, se nota un gran flujo de electrones de conducción del lado N hacia el lado P
y de huecos en sentido contrario, significando que en la conducción del diodo intervienen los
dos tipos de portadores: Huecos y electrones.
Una expresión matemática que define el comportamiento del diodo frente a las dos
polarizaciones dice que:
Io =Is [c«1"n'KTJ -11 (1.1)
En donde: q es la carga del electrón ( 1.6x 10· 1'.l coulomb), K: la constante de Boltzman
(1.38xl0· 2JºK), T: temperatura (grados Kelvin) y V0 : el voltaje aplicado al diodo.
CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO

- La Ec( 1. 1) describe la respuesta del diodo a diferentes factores como son el
voltaje y la temperatura. Como se observa en esa ecuación, el diodo no responde linealmente,
sino que presenta una respuesta exponencial; por esta razón el diodo es un dispositivo no
lineal.
Una gráfica de la respuesta del diodo se muestra en la FIG 1.1 l.
En ella se muestra en el eje horizontal el voltaje sobre el diodo y en el eje vertical la corriente
a través del diodo . Esa respuesta corresponde al diodo cuando se pola riza en directo. Se
observa que con pequeiios voltajes, el diodo maneja corrientes relativamente grandes (la
característica dibujada corresponde a un diodo de referencia l N4001 ). La característica del
diodo polarizado en inverso se muestra en la FIG 1.12. De esa gráfica se deduce que cuando el
diodo se polariza en inverso la corriente es prácticamente cero y para voltaje inverso de
aproximadamente -75 V, se presenta un aumento súbito de la corriente ·j el diodo entra en
plena conducción; cuando el diodo supera ese voltaje, el dispositivo puede llegar a destrui rse.
En la siguiente sección se explica este fenómeno.
En resumen, el diodo es un dispositivo electrónico construido con semiconductores
extrínsecos del tipo N y tipo P, que se puede polarizar en inverso y en directo; cuand o se
polariza en inverso se comporta como un interruptor abierto y cuando se polariza en directo su
comportamiento es semejante a un interruptor cerrado. Esto significa que si el dispositivo se
polariza con una fuente que varíe alred edor de cero voltios, como por ejemplo una tensión
alterna, se puede deducir que: cuando la tensión alterna está en un semiciclo, el diodo
conduce y cuando la tensión está en el otro semiciclo, el diodo está en inverso.
1. EL DIODO l~Ll~CTRÓNICA ANALOGJ\: TEORIA y LJ\llOR.ATORIO (¡8
1
1
1
1
400mA -'- ---- ---------------------------,----. ---, -- -
I 1 - 1 1
1 1 1
1 1
1 1
1 1
1 1
1 1
1
1
1
1
1
: 1
1 1 1
1 .• 1 1 1 :
: . • • • 1 1 1 1
200 mA-,.- - - - - - - - - - - - --- ---- ------- -------:-- --¡- - - 1
l 1 1
1 1 1
1 1
1 1
1 1 1 1
1 1 1 1
1 1 1
lOOnv\-+- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 1
- - - - • 1
1 1 1
! 1 :
1 1 1 1 1
50mA+---- --- - - - --- - - --- - ------ - ---.-/,· : : : ,~
I ------- 1 1 1 1 V~
-:-::-:::OA:fi- - t- - - - - - - - - - - - - - - - +- _.-- - -._- --: - -- ..¡~- - - +- .:. - J - - - ~ ..:
400mU 6 OOmU 8 OOmU 985mU
FIGl.11
'
1
1
- O. Oíl~
1
1
1
-o.sn+- ---- ------- ---- r--- ----------- --T-- --------- ---

-8 OU -6 OU -40U
FIGl.12
Esta respuesta del diodo frente a una tensión alterna se denomina RECTIFICACIÓN,
así que el diodo es un rectificador y al dispositi vo, efecti vamente, se le conoce como
diodo rectificador. Posteriormente se entra a detall ar este funcionamiento .
~-
l. EL DIODO El .E< ~rnóNICA ,\ N,Í.LOGA: TIWHIA Y LABORATORIO 69

cu=- E.JEIVIPLO
Una juntura PN tiene una corriente inversa de saturaci ón Is = 10· 14 A cuando está a
temperatura ambiente e Is = 10·9 A cuando esta a + l 25ºC. El diodo está polarizado en directo
con una füente de corriente constante de 1 rnA a la temperatura ambiente (25ºC). Encuentre el
voltaje del diodo a las dos temperaturas: 25ºC y 125ºC. Considere que:
kT/q = 0.026 V @ 25ºC y kT/q = 0.035 V@ 125ºC
SOLUCIÓN. -)
De la Ec(l .1): ( 0 = Is ¡c«1' ' 0 '",.l - 1]
Despejando V 0 se obtiene:·
Yn = -kT In(--·
In
+ 1)
q Is
Y reemplazand o valores se obtiene:

Vn (T = 25ºC) = 0.6585 V
Yn (T = l 25ºC) = 0.497V
El resultado confirma lo que se anotó anteriormente; que la tensión del diodo decrece
conforme aumenta la temperatura.; queda como ejercicio, comprobar si se cumple que la
tensión disminuye a razón de 2mV por cada grado Celsius.
EJERCICIO l2J
-, Suponga que se tiene un diodo con Is = 10· 1-' A y kT/q = 26 mV. Efectuar una tabla de
voltaje y corriente utilizando la Ec(.1 .1 ). Calcule para los siguientes valores de Vn:
O, O. 1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.62, 0.64, 0.66, y de aquí en adelante variar en dos milésimas de
voltio, así: 0.662, 0.664, 0.666, ..... , hasta 0.8.
Los valores de la tabla anterior llevarlos a una gráfica de voltaje contra corriente, trazada en
papel milimetrado. Tenga esa gráfica disponible para ejemplos y ejercicios posteriores.
(ji:> E.JEIVIPLO
Se ti ene el circuito indicado como EJEMPLO. El circuito se alimenta con V = 1O V, el diodo
está directamente polarizado y como !imitadora <le corriente y simultúneamente carga se tiene
una resistencia de 2 K. Es importante tener en cuenta que, cuando un diodo se polariza en
directo, si se conecta sin colocar una resistencia en serie, el diodo puede destruirse debido a la
alta corriente que circula, entonces, cuando un diodo se polariza en di1·ecto siempre
se debe colocar u na resistencia )imitadora de corriente .
Se requiere determinar la corriente que circula a través del diodo y su caída de tensión.
1. EL DIODO ELECTHÚNICA AN,Í.LOGA: TEOld1\ Y LABOllATORIO 70
lA. CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO
SOLUCIÓN. -'Í
Inicialmente se plantea la malla que rodea al circuito:
V =Yo +Rlo
Reemplazando: 10 = Yo + 2 lo (A)
El problema tiene dos soluciones: Analítica y gráfica. Para la
solución analítica se combina la Ec(A) con la ecuación
característica del diodo, la Ec(l. l): 10 =Is [ecqvº'KT> -1) Se ·
observa que las dos ecuaciones tienen en común dos
incógnitas: 1n y V 0 . Despejando de la Ec(A) la corriente lo:
lo = (10 - Yo)/ 2
EJEMPLO Y reemplazando en la Ec(l. l):
10-Vn =10-1~[evºrn.026 -11

2000
Aplicando logaritmo en ambos lados de la igualdad, se obtiene:
111 110 - V11O + 1J = __

VD_
2x10- 0.026
10-V
2x10 · 1
O: 0.026 In [ ~- 1 = V0 (B)
En la Ec(B) se eliminó el sumando puesto que no incide en los cálculos. El resultado es una
ecuación compleja de resolver, puesto que la variable Yo se encuentra simultáneamente
independiente y bajo un logaritmo. Una solución es la siguiente: considerar que V 0 = O para
el término que está dentro del logaritmo, así que desarrollando se llega a:
lO
Y 0 =0.026 In( ----·11-· ) = 0.7 V (C)
2xl0
Este valor de Vn se reemplaza en Vn que está dentro del paréntesis de la Ec(B):
7
V 0 = 0.026 In [!O - 0. ] = 0.698498 V (D)
11
2x10-·
Los resultados de la Ecs(C) y (D) se restan dando como resultado: l.502xl0.3 . Esta diferencia
es muy pequcifa, sin embargo, se espera qu e sea cercana a cero, así que el resultado de la
Ec(D) se coloca en el paréntesis de la Ec(B), resultando:
V =0.026 In! ~-=-~· 11-4.

698 98
-¡ = 0.6985 (E)
n 2x10 ·
Ahora la diferencia entre los resultados de las Ecs(O y (E) es: 2xl0º6 (en valor absoluto), una
diferencia aún más pequeiia. Se continua con el procedimiento, es decir, el resul tado de la
Ec(E) se reemplaza en el paréntesis de la Ec(B), y su nuevo resultado se resta con el resultado
anterior, hasta que la diferencia sea prácticamente cero. Sin embargo, se puede aceptar como
1. EL DIODO El.ECTJtÚNIC1\ ANAi.O(:,\: TEOllfA Y LAllORATOIUO 71
1.4. CURVA CARACTERÍSTrCA OEL DIOUO
resultado el que se obtuvo en la Ec(E), es decir: Vn = 0.6985 V. Es este, pues, el voltaje

sobre el diodo. La corriente lo se determina reemplazando el voltaje obtenido en cualquiera de
las ecuaciones: Ec(A) o Ec(l.1 ), obteniendo: 10 = 4.65 mA. En resumen, para el circuito
de la FIG EJEMPLO, se obtiene: Vo = 0.699 V e lo = 4.651 mA.
El segundo método es el gráfico y consiste en disponer de la gráfica del diodo como la que se
mostró en la FlG 1.1 1, o como la que se trazó en el ejercicio anterior; sobre esa gráfica se traza
una recta de carga que consiste en determinar dos puntos extremos de operación: uno,
llamado de corte y el otro denominado de saturación. Para encontrar esos puntos se
considera la Ec(A):
10 = Yo + 2 Tn
El punto de corte se define como cualquier punto sobre el eje de voltaje parn el que la
corriente es cero y el punto de saturnción es cualquier punto sobre el eje de corriente
para el que la tensión es cero, así que de la ecuación: 1O = Vn + 2 In
Para corte: 11> = O luego: Vnc = 1O V
Vnc significa tensión del diodo para corte. De ese resultado se deduce que en el punto de
,....__ corte el diodo se comporta como circu ito abierto. Ahora:
Para saturación: Yo = O, luego: Ins = JO/ 2 mA = S mA.
los significa la corriente del diodo en saturación. El resultado indica que en el punto ele
saturación el diodo se comporta como un co110 circuito. Se ubican esos dos puntos sobre cada
eje y se unen como indica la FIG 1. 1J, obteniendo la recta de carga.
ID
IDS
PUNTO DE
l/ION~umro
RECTA DE Q(Vo,ID)
CARGA 1
VDC
Pill'ITO DE
CORTE
FIG 1.13
En la FIG 1.13 se muestra el plano Vn vs In. la recta de carga y sus puntos extremos, la curva
característica del diodo obtenida a partir ele la Ec( 1. 1). El punto de intersección de la recta ele
carga con la curva del diodo, se denomina punto de funcionamiento Q. Allí se
l. EL DIODO ELECrRÓNICA ANÁLOGA: TEOllfA Y LAOOllATORIO 72
l.4. CURVA CARACTERtSTICA DEL DIODO
determina la tensión y corriente de operación del diodo en el circuito. De la gráfica de la

FTG 1. 13 se deduce lo siguiente:
..._-
1. Cuando el diodo está polarizado en directo, como en el ejemplo, la operación normalmente
se establece en el primer cuadrante.
2. En la gráfica el voltaje se coloca sobre el eje horizontal y la corriente sobre el eje vertical.
3. La gráfica de la figura se denomina la curva característica de voltaje-corriente del diodo.
4. Para determinar cómo funciona el diodo en un circuito como el del EJEMPLO, utilizando
el método gráfico, se traza sobre el plano V-I la recta de carga.
5. Esa recta de carga se obtiene fijando un punto de saturación y un punto de corte.
6 . Los puntos de corte y saturación se determinan a partir de la malla del circuito. El punto de
saturación se obtiene cuando se reemplaza al diodo por un corto circuito, así que la
corriente es determinada por la fuente de voltaje y las resistencias que contenga el circuito.
7. El punto de corte se obtiene reemplazando al diodo por un circuito abierto, luego el
voltaje sobre el diodo es siempre igual al de la fuente que alimenta al circuito.
8. Lo anterior indica que la recta de carga es determinada únicamente por los elementos del
circuito y no por el diodo
9. El punto de funcionamiento se obtiene en el punto en donde se cortan la recta de carga y la
curva del diodo, allí se determina In y Yo.
I O. Usualmente al punto de funcionamiento se le denomina punto Q (Quiescente).
En esta forma se analiza cualquier circuito como el que se planteó en este ejemplo. Se propone
como ejercicio, determinar el punto de funcionamiento utilizando la gráfica que se trazó en
papel milimetrado y verificar el resultado con el que se obtuvo analíticamente.
EJERCICIO [8J
1. Se tiene un circuito como el de la Figura, con V = 20V y R
varía desde 2K hasta 1OK. ·El diodo es de silicio con una
corriente de saturación de 3 x 10· 13 A, a la temperatura ambiente
(25ºC).
Determine lo y Yo para el cambio de carga.
2. Considerar el mismo circuito pero ahora se fúa R en SK y la '--
füente varía desde SV hasta l SV. Determina In y VD para este
cambio de voltaje. Utilice el mismo diodo. ·
3. Para el mismo circuito, suponga que se ajusta Y = 12V y R = 4K. El diodo tiene
15
Is = 4x 10- A, a temperatura ambiente. Determine In y Y 0 . Ahora, el diodo se coloca en un
ambiente de manera que la tempera tu ra aumenta a + l 25ºC. Determine In y Vn para esta
temperatura.
l. EL DIODO El.ECTllÓNIC'A ANÁLOC:A: TlmltÍA Y LABOHJ\TOIUO 7J
1.5. ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Cuando se trabaje con dispositivos electrónicos o en general con cualquier
equipo electrónico, una fuente de información imprescindible son los manuales del
fabricante . ¡Quién mejor que el fabricante puede describir los dispositivos que fabrica!.
Cualquier ingeniero que se dedique al trabajo de laboratorio, diseño y mantenimiento, debe
disponer de los diferentes manuales técnicos y consultarlos cada vez que tenga dudas.
La utilización de dispositivos electrónicos requiere del conocimiento de su funcionamiento y
ele las especificaciones técnicas dadas por el fabricante, así que es necesario interpretar y
entender esas especificaciones y de ese modo, utilizar adecuadamente los dispositivos, o
adquirirlos en los mercados especializados.
En esta sección, se estudian las especificaciones que el fabricante suministra de los diodos
rectificadores; posiblemente algunas de estas especificaciones no las entienda el estudiante,
pero no se preocupe, en el transcurso de los temas se van aclarando esas dudas.
Posteriormente se irán adicionando especificaciones de otros diodos con características
especiales.
La mayor parte de las especificaciones técnicas del diodo rectificador se obtienen a partir de la
curva característica del dispositivo tal como se muestra en la FIG 1.14, así, para polarización
directa, la corriente es mucho más grande que cuando está polarizado en inverso y situación
contraria sucede con el voltaje que en directo la caída sobre el diodo es muy pequeña, mientras
que la caída en inverso es grande.
Centrando la atención en la característica
Io inversa del diodo, la corriente es muy
CAR.A CT.ERI STI CA
pequeña y se denomina corriente inversa de
DIRECTA saturación; esta corriente se incrementa al
RUPTURA aumentar la tensión inversa aplicada al diodo,
y, para tensiones intensas de ánodo a cátodo,
-~:::::=:::=="'!..,.---VD se produce un fenómeno de ruptura de la
juntura y, por tanto, aumenta la corriente
PUNfODE
rápidamente; pero el efecto destructor se
CONDUCCION
debe a la temperatura. Cuando el diodo está
polarizado en inverso la corriente que se
CA.RACTERISTICA
INVERSA establece a través de la juntura y que cruza el
potencial inverso de la barrera es de
poriadores minoritarios que se encuentran en
FIGl.14 cada cristal semiconductor del diodo. Esta
corriente permanecería constante; sin embargo, por efecto del aumento en la temperatura
interna, se generan pares electrón-hueco que incrementan el número de portadores libres.
Estos portadores libres, cuando están cerca de la unión, adquieren elevada energía debido al
potencial inverso de la fuente e impactan con iones de la zona vacía rompiendo enlaces
covalentes y generando más pares electrón-hueco; estos nue\'OS portadores, a su vez, también
adquieren energía y liberan pares electrón-hueco de otros iones por choques sucesivos. Este
proceso de liberación ele portadores libres por colisiones sucesivas continúa en forma
l. EL DIODO Eu:cm6NICA ANÁLOGA: TEUHÍA y LAllORATOHIO 74
1.5. ESPECIFlCAClONES TÉCNICAS
multiplicativa y es tal que se produce el fenómeno de ruptura de la unión por avalancha de

portadores. El diodo puede perfectamente operar en la zona de ruptura sin riesgo de su
destrucción, pero por efecto del embalamiento térmico (aumento incontrolado de la
temperatura en la juntura que lleva a su fusión), el dispositivo se destrnye.
Una especificación del diodo dada por fabricante se denomina voltaje pico inverso (PRV:
Peak Reverse Voltage) e indica el máximo voltaje pico inverso que puede "ser aplicado al
diodo sin que se destruya .
Además del voltaje pico inverso, se especifica otros tres tipos de voltaje a saber:
o Voltaje Inverso Máximo Repetitivo: se identifica con las siglas VnnM (Voltaje Reverse
Repetitive Maximum), V1nvl\·t, Vn y que se pueden asociar con el PRV anotado
anteriormente. Se define, entonces, como el máximo voltaje inverso que se puede aplicar
en forma repetitiva sin que se destruya el dispositivo.
e:> Sobrcvoltajc Inverso Máximo no repetitivo o Accidental: Se identifica como YnsM
(Voltage Reverse Surge Maximum), es un voltaje que se puede dar ocasional o
accidentalmente y que el dispositivo puede soportar siempre y cuando se presente en
tiempos cortos y que el dispositivo vuelva a su estado normal repetitivo como indica la
FIG 1.15. Si esos sobrevoltajes se dan consecutivamente o en tiempos grandes, el
dispositivo se destruye.
e:> Voltaje Inverso RMS, identificado con la
sigla VR(Ri\TS)- El voltaje RMS (Root
NOREPETITlVO tvledium Square) o voltaje efectivo de una
... - -----1 . señal periódica es igual a la corriente
continua que disipa la misma energía sobre
___¿__[\_,._,._(___.\..,____/"_,__,__f\_.__REPrnrrvo una resistencia. Para una señal sinusoidal:
VRMS = 0.707 VM
FJGl.15 Otro parámetro para el diodo polarizado en
inverso es la Corriente Inversa IR referida al voltaje inverso nominal. También se identifica
como IRl\I y se especifica para diferentes temperaturas de operación. Es una corriente para
condición estática (en OC) y también se especifica para condición dinámica (con tensión AC)
y se representa como IRt:w) (av =average= promedio); esta corriente se da para una frecuencia
de la señal.
Las siguientes especificaciones se entregan cuando el diodo se polariza en directo:
e:> Máxima Corriente Directa Promedio lo, especificada para diferentes temperaturas de
trabajo. Ya que el movimiento de cargas no es uniforme a través de los cristales y unión
del diodo, entonces se especifican diferentes corrientes: Corriente directa promedio.
Corriente pico ([p) y corriente eficaz (JRi\ts). Se establecen relaciones matemáticas entre
esas tres corrientes así :
fp = n lo = 2 IHi\rs
o Sobre corriente M:b:im:i Directa o Accidental (li:si\r) (Forward Surge Maximum): es un

exceso de corriente que se puede producir en instantes muy cortos, como por ejemplo en la
activación de una carga reactiva, o un corto circuito; el dispositivo puede absorberlos y
t. EL DIODO l•:LECTltÓNICA ANALoc;A: TE<mlA Y LAílOHATORIO 75
l.5. ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
solo se manifiesta en calentamiento de la juntura. Si la sobrecorriente supera la

especificación, se da en periodos grandes de tiempo o se repite continuamente el
dispositivo sufre embaJamiento térmico y se destruye.
e> Caída Máxima ele Voltaje Directo Instantáneo VF: es la tensión directa máxima que cae
sobre el ánodo-cátodo del dispositivo a temperatura determinada y a corriente directa dada.
Enseguida se muestran hojas de especificaciones dadas por algunos fabricantes.
Una descripción rápida de los diodos l N4001 y l N4007 en el que se indica: corriente directa
promedio, voltaje inverso repetitivo máximo, sobrecorriente directa máxima y Ja temperatura
de Ja juntura. Todos estos valores se muestran en el siguiente cuadro. (Tomado de Moto rola).
'GenerH Tur,1ese ~ect íTiers------,
lcvice •.•. ·-··· · · · ····- 1H,111 i lcvice ................. 1H~ll7 i
lf(ftU) l'•W< (ft). ••.•.. ·- 1 lF(ftU) r•ux (ft). ••••••• . 1
UllllM'(U) ••••••.•••••.•• SI UllllH (U) .••...••••••••• 1111
IFSM CA)···-····· ...... 31 IFSM (ft). .••.••.••••.•• 31
C! TJ < 1e,_c) MixiMurii •• ns Q TJ ( lc, . C) MiXiMuM •• 175
~icki,c . .•. _ ...•....... ft~l~l lEftt ricki,e •..•.......••••• ftXlftl LEftl
Mileriil ...•...•.••..•• rlistic Milcriil ......•• .. •..•. rlislic
Una tabla algo mas detallada se muestra a continuación. Se copió de SEMICONDUCTOR

DATA LIURARY MOTOROLA
MAXlMUM RATINGS
RATING SYMBO L 1N4001 1 N4004 1 N4007 UNIT

Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM
Working Peak Reverse Vo ltage VRWM 50 400 1000 Volts
OC Blocking Voltagc VR
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM 60 480 1200 Volts
(half wave. single phase. 60 Hz)
RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 280 700 Volts
Av erage Rectified Forward Current lo 1 Amp
Non· Repctitive Peak Surge Curren\ IFSM 30(for 1 cycle) Amp
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum lnstantaneou s Forwa rd Voltage Orop VF 0 .93 1. 1 Volts
(iF = 1 .o Amp, TL = 75 G c
Maximum Full Cycl e Average Forward Voltage Orop VF(AV) 0 .8 Volts
(lo= 1.0Amp. TL = 75 G C)
Maximum Reverse Curren\ (rated de Vollage) IR uA
Tj = 25 G C 0 .05 10
Tj =100GC 1 50
Maximum Full Cycle Avera ge Reverse Curren! IR (AV) uA
(lo= 1.0Amp , TL = 75 G C) 30
1. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOltÍA Y LAJJOJU\TORIO 76
1.S. ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
La siguiente tabla se copió del manual: THE TRANSISTOR AND DIODE DATA BOOK
FOR DESIGN ENGINEERS. TEXAS INSTRUMENTS
TYPES 1N4001 THRU 1N4007
SJLICON RECTIFIERS
50-1000 VOLTS • 1 Aiv1P AVERAGE

• Ruggcd Double-pulg Constmction
• Hcrmetic case
• 30 Amp Surge Rating
Description
Thcse onc-;101p rcctilicr diodcs ;irc thc product of combining the best of both silicon materi;il proccssing and
p;ickaging technologics. The si!icon die is a mesa oxide-pnssivated stmcture which has additionéll nitridc
passivation and glass passivation ovcr thc junction.
*Absolutc maximum ratings at specilicd ambient't tempera tu re (unless otherwise noted)
1 N400 1 1 N4003 1N4005 1 N4006 1 N4007 unit
VRM Peak Reverse Vollagc lrom 50 200 600 800 1000 V
.·65 GC to 175 G C (see note 1)
VR S l eady State Reverse Vollage so 200 600 800 1000 V
from 25 GC to 75 GC
lo Avarage Raclificd Forward Curren! 1 A
lrom 25 GC to 75 GC (see notes 1 and 2)
IFRM Rcpelilive _Peak Forward Currenl. 10 Cycles 10 A
al (or belowl 75 GC (see nole 3)
IFSM Peak s urge c urren!, one cyc le 30 A
al (or below) 75 GC (see note 3)
TA Opern ting Ambient Ternperalure Range • 65 to 175 oc
Notes: l. Thcse vnlucs m;iy be applicd continuously undcr single-phasc, 60 Hz, half sine wave operalion
with resistive load . Above 75"C.
2. This rcctificr is a lcad-conduction-coolcd dcvice. Al (or belovc) ambienl tempernturcs of 75ºC.
lhe lcad lcmperalurc 3/8 inch from case musl be no higher !han 5ºC abovc Lhc ambicnl
tcmpcrnture for thcse ratings lo npply.
3. Thcsc valucs apply far 60 Hz h;ilf sine w;ivcs when the devicc is opcraling al (or belove) ratcd
v;ilucs of peak reverse voltagc and average rcctified forward currcnt. Surge may be rcpcnlcd aflcr
the device hns returncd lo original thcrmal equilibrium.
*JEDEC rcgistcrcd elata. This dala sheet contains ;ill applicable rcgistcrcd data in effecl at the time ofpublicntion. 'v
tThe ambient tempcrature is mc;isurcd at <1 poinl 2 inchcs below thc dc\·ice. Nature air-cooling is used
En el transcurso de los siguientes temas, se incluirán otras especificaciones de los dispositivos

que se vayan estudiando. No olvide: es importante consultar la s especificaciones cuando se
vaya a emprender un diseño .
Sin embargo, la afirmación anterior tiene un pero ... : Infortunadamente parte del mercado
electrónico es muy regular y es así que en algun os almacenes electrónicos lo que nos venden "--'
son dispositivos que no cumplieron con los controles de calidad y, lógicamente, no satisfacen
t. EL DIODO ELECTHÓNIC.\ AN,\I.OGA: TEOltL\ \' LABOllATOHIU 77
1.6. EL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
las especificaciones dadas en los manuales. Entonces, para este tipo de dispositivos de mala
calidad, las hojas de especificaciones no sirven. Se tendrá que pensar en formas prácticas para
determinar las características de esos componentes.
Otra situación se da cuando el ingeniero en su desempeño profesional tiene que entrar a
desarrollar algún circuito muy especial. Hay aplicaciones de la electrónica en donde la calidad
de los dispositivos es primordial, por ejemplo en instrumentación, medicina, etc. En estos
casos, las hojas de especificaciones son fundamentales y, necesariamente el ingeniero tiene
que importar esos componentes.
EL RECTIFICADOR
Como se mencionó en la sección anterior, dadas las características del diodo, se
puede utilizar como rectificador en aplicaciones tan importantes como las füentes de
alimentación.
Se entiende como circuito rectificador aquel que convierte señal alterna en señal
continua. Y el diodo es el dispositivo adecuado para realizar esta operación, gracias a la
posibilidad de polarización en directo e inverso y a su comportamiento particular en cada
polarización.
Los tres rectificadores básicos son: Rectific:-idor de medi:-i ondt1, rcctifirndor de ondt1
complctt1 y rectificador puente.
RECTIFICADOR DE l\tIEDIA ONDA
La forma más simple de rectificación es la de media onda y cuyo circuito básico se muestra en
la FIG 1.16. Consiste en un generador de tensión indicado
D como vi, el elemento rectificador que es el diodo D y la
carga R1. ( L = Load = carga) .
- ' - El generador puede ser el secundario de un transformador
y cuyo primario está conectado a la red de suministro o
vi
puede ser un generador de laboratorio. El generador de
laboratorio es un equipo que está en la capacidad de
suministrar señales variables en el tiempo tales como la
sinusoidal, cuadrada y triangular, su amplitud y
frecuencia se pueden variar y generalmente se le conoce
FIGl.16 como generador de señales. La carga es la utilización del
circuito y puede ser inductiva como un motor o resistiva como la que se muestra en el circuito.
Del valor óhmico de la carga depende la corriente que circula por el circuito. Se indica en el
circuito la referencia o tierra. Aunque la señal es alterna, sin embargo todos los equipos de
laboratorio están referencia dos a una tierra (observar que todos los equipos tienen bornera roja
y negra y ei osciloscopio tiene el vivo y la tierra en la sonda).
El objetivo es determinar la señal en la salida de la carga, así que una primera aproximación es
considerar al diodo como un dispositivo ideal: en esta forma, el diodo es un corto circuito
cuando se polariza en directo y un circuito abierto cuando se polariza en inverso. Los
resultados como se observan gráficamente se ilu stra n en la FIG 1. 17.
--
L EL DlODO ELECrilÓNICA ANALOGA: TEOHÍA \'LABORATORIO 78
Uí. EL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
En la FlG1. l 7(A) se tiene el circuito original y una señal sinusoidal en donde se muestran tres
serniciclos positivos y dos semiciclos negativos.
En la gráfica (B), el generador aplica los scrniciclos positivos, esto hace que el diodo quede
polarizado en directo y se comporte, idealmente, como un corto circuito; entonces en la salida,
sobre la carga se observa la señal del centro en donde solo aparecen los semiciclos positivos.
Cuando se tienen los semiciclos negativos como en la FIG(C), el diodo se polariza en inverso
y se reemplaza por un circuito abierto, es así que sobre la carga no hay voltaje y no aparece
señal en la salida.
Entonces, la señal procesada por el circuito es la que aparece en la FIG(D), en donde solo
aparecen los semiciclos positivos y se eliminan los semiciclos negativos. Un circuito que
realiza esta transformación se denomina RECTIFICADOR. En general, rectificar una señal
alterna, es permitir el paso de unos semiciclos e impedir el paso de los semiciclos contrarios:
Y esta operación la hace et diodo rectificador.
,o (r--~l~---<O "º
'·- <Ri,
(A)
.---------1r----<:' "º DIODO POLARIZADO EN DIRECTO

(\ DIODO
~ ~
P OLARIZ.AD O
EN DIRECTO <R¡,
(B)
(\ (\ [\
V
vi '\.., J
DIOD
POLARIZADq
EN INVffi.S O
---0
:~ R¡,
''º
.~
/~
/ \
\
(O)
.-- ' I
(C) i
DIODO POLARIZADO EN INVERSO
i
f<IGl.17
Matemáticamente se explica la respuesta del diodo en la siguiente forma : una expresión para
la seílal sinusoidal de entrada es:
vi = Vi\ 1 scn(2 re f l) = V;-. 1 sen (w t)
En donde: v1 es el voltaje de la señal en algún instante de tiempo t, Vr, 1 es la máxima
amplitud de la señal sinusoidal; también se conoce a Vi\ 1 como Vp o voltaje pico, f es la
frecuencia de la seiial, m se conoce como frecuencia angulnr y se define como w = 2 re f.
l. EL DIODO l~LECTRÓNICA ANALOGA: TEOlllA Y LJ\llOll.ATOHIO 79
1.lí. EL RECTIFICADOR DE MEDlA ONDA
Recordar que un ciclo de la señal se da en 360° (algunos autores lo indican como grados
- eléctricos), así que un semiciclo de la señal se da en 180º.
Entonces, de acuerdo a la gráfica de. la señal rectificada se puede afirmar que el diodo
conduce los primeros 180º de la señal del generador, es decir el primer semiciclo de la señal y
no conduce durante los siguientes 180°, esto es en el semicic!o negativo. Expresado
matemáticamente se tiene:
Vo = Vi\t sen((!) t) Para O ~ ro t ~ 7t (define el semiciclo positivo)
y: Vo =O P a rn 7t ~ ro t ~ 2 7t (define el semiciclo negativo)
Y para determinar la corriente que circula a través del circuito, aplicando la ley de Ohm se
tiene: i = Vi\ 1/Ri, sen (co t) Para O~ co t ~ 7t (para semiciclo positivo)
1 = o Para n: ~ co t ~ 2 n: (para semiciclo negativo)
Por otro lado, si se observa la señal del generador, está formada por semiciclos positivos y
negativos que tienen la misma amplitud, así que si se determina el nivel promedio de la señal
sinusoidal se encuentra que es cero. Ahora, al observar la señal de salida sobre la carga, es
decir la señal rectificada, ya el nivel promedio no es cero.
Expresando la anterior afirmación en otras palabras: si se coloca un vo ltímetro DC sobre el
generador, se obtiene cero voltios, mientras que si se coloca el voltímetro DC sobre la carga
del circuito, el voltaje no es cero. Este resultado es uno de los objetivos de la rectificación:
convierte AC en DC. Para determinar el nivel continuo matemáticamente, se determina el
área bajo la curva, que es lo mismo, se efectúa una integración. Entonces, el voltaje continuo
sobre la carga se expresa como:
1 cot=2n: .
\lo = --.
,.J
oc 2n: co t =o
VI d((l)t)
Desarrollando la integral se obtiene:

VM
\ T0 -
11c - - - ( 1.2)
7t
La corriente: t !)(' . - v"1 ( 1. 3)

7t RL
Pero alrededor de este ni vel continuo, existe una señal variable, así que su valor RMS se
·determina como:
Desarrollando se llega a:
v~,
\lo l li\1~ -- ·--2·" - ( 1.4)
l. EL DIODO ELECTRÓNICA Ai'L\LOGA: TEOHIA Y LABOIV\TORIO 80
Finalmente, se define una medida que indica la cantidad de tensión allerna que contiene la
componente continua. Es un número que se denomina el factor de ripplc R.F (Ripple Factor)
y se expresa matemáticamente así:
~rs -
2
R.F = V oc (l .S)
Yoc
2
O:
R.F = ffR.,\IS - I L>c
(1.6)
J ne
Se resume a continuación, lo estudiado hasta el momento del rectificador de media onda.
1. Cuando se requiere convertir una tensión (y corriente) alterna en tensión (y corriente)
continua, la señal se pasa por un circuito rectificador.
2. El rectificador más simple se puede hacer con un diodo, aprovechando su característica de
conducir en un sentido (cuando está polarizado en directo) e impedir el paso en otro
sentido (cuando está polarizado en inverso).
3. Se asume que la señal alterna que se desea convertir en DC no tiene componente continua,
así que su voltaje DC es cero voltios. ·----
4. Cuando la señal pasa por el diodo, el dispositivo conduce en unos semiciclos, es decir que
sobre la carga se tiene los semiciclos que pasan de la señal de entrada, mientras que los
otros semiciclos, los contrarios a los anteriores no pasan , así que sobre la carga hay cero
voltios.
5. La señal que se obtiene sobre la carga presenta: nivel continuo diferente de cero y una
señal alterna alrededor del nuevo nivel continuo; la relación entre el nivel continuo y la
señal alterna se denomina factor de ripple o rizado. Esa situación se explica en la gráfica
de la FlGl.18.
6. El nivel continuo, el valor efectivo de la señal de ripple y el factor de ripple se determinan
con las ecuaciones: (1.2), (1.4) y (1.5) o las correspondientes para corriente.
7. Las ecuaciones anotadas únicamente son validas cuando la señal aplicada es sinusoidal.
8. Si se invierte el diodo en el circuito se obtiene un nivel continuo negativo como se aprecia
en la FlGl.18.
9. Un rectificador de media onda solo tiene un diodo rectificador.
1O. El rectificador de media onda se puede conectar directamente a la red o al secundario de
un transformador; solo se debe tener en cuenta las especificaciones del diodo para que
soporte las tensiones inversas cuando se polariza en mverso y la corriente cuando se
polariza en directo.
Si en la ecuación Ec(l.5), se reemplaza Vo1u1rs y Vooc por las Ecs(l .2) y (1.4)
respectivamente, se obtiene que el factor de ripple (R.F) es constante e igual a: R.F = l.2l.
Expresado en porcentaje, el factor de ripple es de: F.R = 12 l 'Yo. Como se estudiará en
secciones posteriores, este es un rizado exageradamente grande, ya que el ideal es aquel que se
acerque a F.R = 0%.
l. EL DIODO ELECrilÓNICA ANiÍ.LOG1\: TEO:t!A V LAllOHATOIUO 81
VIL~ /"'>.
o "C./ "C./
FIGl.18
Es interesante determinar la característica de
vo transferencia del rectificador de media onda. Esta
señal de vo respuesta se ilustra en la FIG 1. 18 A y se construye en la
que vana
corúonue siguiente forma:
,.____cambia '~ En el eje horizontal se sitúa el voltaje de entrada vi, así
que cubre los dos scmicic\os (positivo y negativo) y en el
semiciclo semiciclo eje vertical se traza el voltaje de salida.
negativo positivo
de vi de vi Analizando la gráfica se observa que, para el semiciclo
positivo de vi, el diodo está polarizado en directo, y la
señal de salida es igual que la entrada, enton_ces se traza
una recta y que indica el cambio de Vo al cambiar Vi.
Cuando llega el semiciclo negativo de Vi, el diodo se
FIG l.18A polariza en inverso, luego en la salida no hay voltaje. Es
así como se determina la característica de transferencia.
Como se recuerda, el análisis que se realizó fue para un diodo ideal, pero ¿qué respuesta y qué
consideraciones se deben tener cuando el diodo es real?. Para ello, se recurre a la simulación
como se indica en el siguiente ejemplo.
E.JEIVIPLO
Analice un circuito como el de la FIG 1.19 ut ilizando el diodo 1N4002 y Vip = 1OV, f = 60Hz.
SOLUCIÓN. -'1
Como se comentó en el capítulo introdu ctorio, Ja simulación con los paquetes de electrónica es
una herramienta para el estudiante y el profesional, es así que se estará utilizando
continuamente a lo largo de todo el libro. En l<t mayor parte de las simulaciones se utiliza el
paquete de MICROSJM: PSPICE.
l. EL DIODO ELECfllÚN!CA ,\N.\LOGA: TEOlliA \' LABORATOlllO 82
1.6. EL RECTIFICADOR DE !HEDIA ONDA
La señal de entrada sinusoidal de lOV pico (20Vpp) se aplica

al ánodo del diodo y como resultado, la señal se obtiene sobre
la carga rectificada, es decir, se elimina el semiciclo negativo
y pasa el semiciclo positivo. Se observa en las señales de la
FIG 1.20 que la señal de salida tiene la amplitud del semiciclo
positivo ligeramente menor que la señal del generador y es
porque sobre el diodo se produce una caída de
aproximadamente O.7V cuando se polariza en directo;
entonces, el voltaje pico sobre la carga es aproximadamente
FIG l.19 9.3V. Esta afirmación se puede corroborar directamente con
las señales obtenidas en el PROilE.
' '
'''
··50 "''!
'
-1 nu -•·' - - - - - - - - - - - - - - - - .... - _______ __ ______ ... _ _ _________ _

Os "1 .. ums 2 • Urr\ S 3 . Off'IS
a U(vi) i• U(llO)
T11"e
FIG 1.20
Para ello, se puede hacer una observación minuciosa como se explica a continuación.
Se detalla en la gráfica de la FIG 1.21 un semi ciclo de la señal rectificada, y allí, con ayuda del
icono TOGGLE CURSOR se tienen los valores indicados:
Para t = 1.235 ms, se obtiene: Yo = 9. 97 1V y Vi= 9.2727'1
Así que la diferencia en voltaje es de 0.6983V que es el voltaj e que cae sobre el diodo:
Vn = 0.6983V
l. EL DIODO l•:LECTRÓNICAANÁLOGA: TEOtdA Y LAHORATOHIO 83
10.00000000UT------------ ~~~----- - ------------- -- -- --- -- -- -- ----- ---- - -----------------,

:
1
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/ ,/'° ·
¡ I/ (1 . 2369m I9. 27t:)

1 J
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_,..-¡--..: ..·--..-... (1 . 2353m, 9 . 971)
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. . . . ¡· :.
-1 .619 Ol1762U
1.01115
l----------,- ------------,------~\~-~-- -
1.21115 1.4f.l5
T" - - - - - - - - - - - - , - - - - - - - - - - -
1.61115 1.81115
_L ,_ -- -- -- __
2.01115
j
2.11115
o U(vi) ,, U(vo)
Time
FIGl.21
1 ou -::.~e-~ .- .~-- .- -~-~ -~-~ -~~~ -~~~ -~:~~ -~ -~ -~-~-~ .- .- .-.-.- -~ -~-~-~~~~ .~~ -.~ -~ ---~-- -~ -~ -.-.-/'..~.l.~.~ -~~~ ~~ .~~-~~ -~-~.~-~"~--~ -~ -~.- -~~ .:.:.:;
1 ! /\ {\ '\ 1 • ,, 1
1 i ' l ' ' _, ' Vo . \1 , , ,
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j
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1
: 1\,. j . 1! l
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1
: ~- / 1. · / \ AVG(VO) i i¡ ,. \ :
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t,.~J,,.,-,,,·7 . :¡; ·•·1Í)•
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0U j • « ' -· V -_____) I -. l \ . ./ lf ~
: 1 1 :
' 1 ! 1
1 1 ! 1
1 l . . 1
1 i !
¡ j : GRAF 1CA DEL 1
t: l
1
1 ; i
-su~ 1v~LOR PROMEO)O 1·
1 · !n1.r 3.3359111, 3.1821 ~:UP.SOR IZQUIERDO
!n2 ~ 254.297u, 9 . 3548 CURSOR DERECHO
!l.lif· 3.0816111, -6.1728 DIFERENCIA
¡
t 1 i 1
-1ou+- ~ -~------ - -- --~ ----------------.----------------·-- - -~----------~---------------~

Os 1 • Or:is 2 • 0111s 3 • Oms 4 • 0111s 5 • Oms
(ci:; OUG(U(vo)) ::~ :; U(vo)
Time
FIGl.22
-. En la FIG 1.22, se tiene la señal de salida Vo y la señal promedio AVG(Vo). Con el icono
TOGGLE CURSOR se presenta un recuadro con algunos valores; así, en la primera
columna se tiene: A t que corresponde a las lecturas del cursor controlado por el botón
izquierdo del mouse, A2 es el cursor controlado por el botón derecho, DlF es la diferencia de
las lecturas de los dos cursores. En la segu nda columna, se presenta la lectura del eje X y que
corresponde a tiempo y en la tercera columna se tiene la lectura del eje Y, que es de voltaje.
Entonces el promedio de la señal rectificada es de: Vo(DC)::::: 3. 1821 V.
En la FIGl.23 se muestra la gráfica del voltaje RMS sobre la carga RMS(Vo) y el valor que
se indica en los cursores es: Vo1t;-.1s : : :- 4.98 V.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORL\ Y LAllOllATORIO 84
Ui. EL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
1ou ¡ - _-,~ - - - - - - -- - - - ~ - - -;,- - - - - -r----.- 1 ----------- ---,:.,--------

-- ~ ~ --- ~ -- - ----------:
~-
I ' '\ ' , '\ 1 , 'Vo / ' /\\ '

I
I ' \ \
I
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: ! ·, . ( \ \ . I \ . 1 \ ¡
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l ·/ \ ·i
·J ! \ \. l.
'. \ .. , 1 .I 1 .i \. ·¡ \
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¡-------
: GRAF I CA OEL
VOL TAJE ~~IS
- su,' i
¡¡¡ n1 =
1'12 •
1 6718
- "'.
1.6718rn,
11.9805
'• .981lS
i diF- 0. 000, o. 000
1 ! 1
-1 ou+ ------ -- - - --- --,--- ------- J-- - - ~--------- - -- --- -r----- -- ------ - -,---- --- ------- -~
os 1 • orns 2 _ llrns 3. 0111s 4. Oms S. Oms
C~) íl MS ( u( V o) ) ~ u( V o)
Ti111e
FIGl.23
A Xa: S.OOOm. Xb: 0.000 a-b: S.OOOm. freq: 200.0

Ye: 12.00 Yd:-12.00 c-d: 24.00
833u l.67m Z.Sm 3 . 33m. '---

Ref=Ground X=8 33u/Div Y=vo l t aqe
A '---
Xe.:S. OO Om Xb: 0.000 a-h: S.OOOm freq: 200.0
Ye: 10.00 Y'd:-2.000 c - d: 12.00
'-'
,_
"- -
-~-
833u l.67m 2:. Sm. 3.33m.

Ref=Ground X=833u/Div Y=vol.tage
FIGt.24
En resumen, para el circuito analizado de la FIG 1. 9 se obtiene:
Vo1>c = 3. 182 1\/ y Von~ 1s = 4.98V
1. EL DIODO ELEC'TUÓl';(CA ANALOGA: n:oniA y LJ\llOll,\TORlO 85
1.6. EL RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
Teóricamente se pueden determinar estos voltajes con ias ecuaciones:

Vonc= Vp/rc=3.182Y y VoRMs=Vp/2=5V
Entonces los cálculos son prácticamente iguales a los que se obtienen en la simulación
En la FIG 1.24 se muestran las señales que resultan de la simulación con el paquete de
simulación CIRCUlT MAKER
La gráfica superior corresponde a la señal del generador, mientras ·que la señal inferior es la
señal observada sobre la carga.
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

El segundo tipo de rectificador para analizar es el denominado rectificador de onda
completa y cuyo circuito típico se muestra en la FIG 1.25. El circuito contiene dos diodos
rectificadores dispuestos como se indica en la figura, se utiliza un transformador del tipo doble
devanado (primario y secundario están aislados eléctricamente) y el secundario con derivación
(tap) central; además, es un transformador reductor (el voltaje de primario es mayor que el
voltaje de secundario). La carga está dispuesta en dos formas equivalentes como se muestra en
la FIG 1.25. Entonces, circuitalmente el rectificador de onda completa se distingue por dos
aspectos: dos diodos y transformador que debe tener derivación central. Si se utilizara
generador de señal, se debe di sponer ele dos generado res de igual amplitud y, obviamente, de
igual frecuencia.
;-...
Dl DI
• •
.------{,.'.i:---
r--0 Yo o ·t:-
,........ \~. .,,.
RL
VV'1 Vo
vi
l[l
~
<RL
~"
I D2
,......__
FIG l.24
El funcionamiento del circuito se explica con la ayuda de Ja FIG 1.25
-. El secundario del transformador, por la derivación, divide el voltaje total del secundario en la
mitad. Los puntos indicados en los arrollamientos del transformador indican la forma en que
se devana cada bobina.
Se inicia con el semicic\o positivo de la seilal de entrada, el cual se transforma en el
secundario del transformador, así que se tiene en cada devanado del secundario pa1ie del
semi ciclo positivo como se indica en la FIG 1.25(A). Este voltaje se aplica a los diodos y la
carga; para el diodo D 1, el sentido de la corriente hace que se polarice en directo, luego se
establece una corriente apreciable a través de D, y la carga, con la polaridad indicada sobre la
carga.
l. EL DIODO ELECrRÓNICAANALOGA: TEORIA \' LAllORATOIUO 86
Simultaneo a la operación del diodo D1, el

DI voltaje aplicado al diodo D2 lo polariza en
inverso, así que no hay corriente a través
del diodo (hay una corriente muy pequeña
que es la corriente inversa de saturación).
Entonces, para el serniciclo positivo, la
carga produce una caída Vo gracias al
diodo 0 1, al igual que se tiene una corriente
D2 (A) 11,. Cuando llega el semiciclo negativo
desde el generador, se presenta voltaje
DI negativo en cada devanado del secundario
. vl~~1Qr
como se ilustra en el circuito de la
FIGl .25(B) y, esta nueva polaridad hace
y,
que el diodo D2 se polarice en directo
V -~
SEl\·llCICLO
NEGATIVO o--'
[
estableciéndose corriente a través del diodo
y la carga y se observa algo interesante: la
D2 (B)
caída de voltaje sobre la carga Vo coincide
en polaridad a la que se estableció para
FIG l.25 el semiciclo positivo. Simultáneamente, el
semiciclo negativo polariza en inverso al diodo D1 .
La señal que se obtiene sobre la carga luego de la rectificac_ión se muestra en la FIG 1.26. De la
disposición y funcionamiento del circuito se pueden plantear algunas conclusiones a saber:
....... -
FIG 1.26
1. El circuito requiere de dos generadores de señal o un transformador que tenga tap central
en el secundario.
2. Es importante tener en cuenta el sentido en que se devanan los arrollamientos del primario
y secu ndario del transformador, de manera que se asegure que cuando se tiene el semiciclo
positivo en el primario, en cada devanado secundario se tiene un semiciclo positivo y
cuando se tiene el serniciclo negativo en el pri mario, en el secundario se tiene un semiciclo
negativo en cada devanado.
l. EL DIODO EU:crnúNICA i\Ni\t.or;A: TIWHIA y LAllOHATOIUO 87
!.tí. EL RECTIFICADOR DE ONDA COJ'vfPLETA
..,
.) . El rectificador contiene dos diodos rectificadores .
4. El punto en donde se deriva el secundario, el tap, se lleva a la tierra del circuito.
---.,_
5. Cada extremo del devanado secundario va al ánodo de un diodo, mientras que los dos
,....._ cátodos se unen en un punto común.
6. La carga se conecta entre el punto común de los cátodos y la tierra del circuito. El tap del
transformador es también tierra.
7. En el semiciclo positivo, un diodo queda polarizado en directo, mientras que el otro diodo
queda polarizado en inverso.
8. En el semic_iclo negativo cambia la polarización en cada diodo respecto al anterior
semi ciclo.
9. Entonces. en cada semiciclo queda un diodo polarizado en directo y el otro se polariza en
inverso.
1O. En ambos semiciclos se produce una caída de voltaje sobre la carga y cuya polaridad
coincide para los dos semiciclos.
l l. Lo anterior implica que el semiciclo pos1t1vo de la entrada, sobre la carga se tiene el
mis_mo semiciclo positivo; en el semiciclo negativo de la entrada, e! circuito lo invierte
de manera c¡ue sobre la carga siempre se va a tener un voltaje positivo.
Y es la última conclusión que hace interesante al ciícuito y, lógicamente, lo hace útil; s111
embargo, tiene tres problemas:
• Requerir de dos generadores o de un transformador con derivación central
• El vo ltaje c¡ue cae sobre la carga (teóricamente) es la mitad del voltaje que suministra el
secundario en su totalidad.
• No es posible conectar un rectificador de onda completa directamente a la red(¿?).
Considerando como V1, 1 el voltaje máximo que suministra el secundario en su totalidad, por la
derivación central, el voltaje se reduce a la mi.tCld; de acuerdo a la FIG 1.27 se tiene:
VAn = V¡q
V,,o = Ynn = Vl\1 /2
Si la señal que se tiene en el secundario es:
v~ = V i\I sen 2 7t: f t
Entonces para: o5 2rc:f t 5; re: vo = VAn sen 2 7t f t
Y para: 7t 5 2rcf t 5 27t : vo = VAo sen 2 7t ft
FIG 1.27 Otras conclusiones interesantes son: para el rectificador de onda
completa aumenta el nivel continuo, reduce el voi taje de rizado y, por tanto, su factor de
rizado también se reduce. Estas afirmaciones se pueden demostrar matemáticamente.
Vonc = 2 VAn I rr Von;\tS = V ,,OHi\1S I '12
Luego el factor de rizado , reemplazando en la Ec( l . 5) es:
l. EL DIODO F..Ll~CTllÓ NICA AN.\LOGA: TEORÍA Y LAllORATOIUO 88
R.F = .f\r~~-;;; = 0.483

Yoc
Pero, además de todas las conclusiones anotadas, y diferencias con respecto al rectificador de
media onda, se tiene otra característica del rectificador de onda completa: la señal sobre la
carga tiene el doble de frecuencia que la señal de entrada. Observe la FIGl.26;
mientras la señal de entrada da un ciclo, la señal de salida presenta dos ciclos. ¿Cómo es la
frecuencia de la señal sobre la carga en el rectificador de media onda?
E.JEJ\1PLO
Analice un circuito como el de la FIG 1.28 y efectúe la simulación.
SOLUCIÓN. -'1
El circuito contiene dos generadores con amplitud pico de 1O voltios y frecuencia de 60 Hz,
dos diodos 1N400 l y la carga de 2K.
Matemáticamente el voltaje DC y RMS sobre la carga es:
Vonc = 2Vg1 In =6.37V y VoR~1s = Vg1 1.../2 = 7.07V
Y la corriente a través de la carga es: Ionc = Vonc I Rt. = 12.685 mA
01
Va
01N4001
Vg1
"-'
~
2K
RL
02
01N4001
i
FIGl.28
El resultado de la simulación en PSPICE se muestra en la fIG 1.29.
Se observa en la FlG 1.29 la rectificación de onda completa y se detalla el máximo vo ltaje pico
que alcanza el voltaje en la carga así. que se puede deducir la caída sobre el diodo:
Vn = Vg1 - Vo = 10 - 9,326 = 0.674 V
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: T EO!l lA Y LAnORATORIO 9J
1.6. EL RECTIFICADOR PUENTE
la FIG1.33(A), en donde los diodos D1 y D" quedan polarizados en directo, reemplazándolos

por cortos circuito, mientras que los diodos 02 y D3 se polarizan en inverso indicándolos como
circuito abierto en el circuito. Observar la polaridad de la caída sobre RL. El voltaje que 've'
RL es prácticamente e! del generador (menos la suma de las caídas en los diodos D 1 y 0 4 ) .
Para el semiciclo negativo, el circuito se explica mediante el circuito de la FIG1.33(B); se

establece una corriente que se indica en la figura mediante las flechas y, en esta situación, los
diodos DJ y D2 quedan polarizados en directo mientras que los diodos D1 y D4 se polarizan en
inverso . Al igual que con el rectificador de onda completa, en el sem iciclo negativo la caída
sobre la carga coincide en polaridad con la que se obtuvo para el semiciclo positivo y que
implica, por tanto, que el circuito invierte el semiciclo negativo que ll ega del generador.
La simu lación del circuito de la FIG 1.32 en PSPICE, se muestra en la FIG 1.34.
DI • D2 Dl D2
•
+
/\ + +
í~'
-
t
"" Vo
~
<....
RL5
Vl -
D3 D4
v +
D3 04
RL
(A) (B)
FIG 1.33
···¡~~- -----~------- ---- --- -- -- --- -- --- -- -- ------ - ---------- - - - !
- l
1
1
1
(4 . 304·1rn,38 . 431) J. ¡
•
1
1
1
1
1
1
1 1
-400+ -- ----- - ----, - --------- - --r - -- ---- --- --r-- -- ---- -- - - ,- ---- -- -- - - - - r - ----------- t
Os !:>111s 1 01115 151115 2 OfTlS 251115 3 OfTlS
o U ( VO)
Time
FIG 1.34
La señal que se obtiene en la carga tiene exactamente la misma fo rma que la señal que se
obtuvo en el rectificador de onda completa, pero difiere en su amplitud pico, ya que en el
rectificador de onda completa, el voltaje que cae sobre la carga es aproximadamente la mitad
de la tensión del secundario del transformador (o la mitad de la amplitud del generador de
entrada) en el rect ificador puente. en cambio, el voltaje sobre la carga es aproximadamente
igual al voltaje de todo el generador. Analíticamente se cumplen las mismas ecuaciones a
¡
,........_¡ saber: Vooc = 2 V¡r 17l Vo1t:-1s = Y1r I '12
¡
Pa ra el ejemplo se consideró: Vip = 40Y, luego:
1. EL DIODO ELECTltÓNICA Ar-IALOGA: T ROHÍA Y LAílOltATOJUO 92
1.6. EL RECTIFICADOR PUENTE
Vonc = 2 V;p / 7t = 25.46 V; VoRMS = V1r I "'-'2 = 28.3 V

Y el factor de forma se obtiene de la Ec:
R.F = .Jv_iRMs ·_ y2oc = 0.485

VDC
Y que es igual al que se calculó para el rectificador de onda completa.

Del circuito y funcionamiento descrito del rectificador puente se_ pueden anotar algunas
conclusiones:
1. Un rectificador puente requiere de cuatro diodos rectificadores.
2. Si se utiliza transformador, no requiere tap central.
3. En cada semi ciclo de la señal de entrada conducen dos diodos y los otros dos diodos están
polarizados en inverso en forma alternada para cada semiciclo.
4. El voltaje sobre la carga en AC es igual al del generador menos la suma de las caídas de
los dos diodos.
5. Para ambos semiciclos la polaridad del voltaje sobre la carga es igual.
6. Lo anterior implica que el circuito invierte uno de los semiciclos.
7. La señal rectificada tiene doble frecuencia que la señal del generador.
8. Las características eléctricas del rectificador puente y rectificador de onda completa son
semejantes; sin embargo, si el mismo secundario de transformador se aplica a los dos tipos
de rectificadores, con el rectificador puente se obtiene el doble ele voltaje que con el '..,/
rectificador de onda completa.
9. Un rectificador puente, perfectamente se puede conectar a la red, solo se debe tener en
cuenta las especificaciones de los diodos para que puedan soportar los grandes voltajes
inversos de la red.
EJERCICIO r8J
Algunos de las expresiones dadas a lo largo de las secciones anteriores son importantes
tenerlas presente, entonces se presenta el siguiente cuestionario para recordarlas.
l. ¿Cuál es la mínima parte de la materia?.
2. ¿Qué componentes básicos conforman al átomo? .
~·
3 . ¿Qué son los electrones de valencia?.

4. ¿Qué fuerzas intervienen para mantener a los electrones alrededor del núcleo?.
5. ¿En qué consiste el equilibrio eléctrico del átomo?.
6. ¿En que consiste el equilibrio químico en un átomo?_ ....._.
7. ¿Qué es el enlace iónico y entre qué átomos se presenta?.
8. ¿Qué es el enlace covalcnte y entre qué átomos se presenta?.
t. EL DIODO ELl~rTHÓNICA ANALOGA : TF.OttfA Y LABORATORIO 93
1.6. EL RECTIFlCADOR PUENTE
9. ¿Qué es el enlace metálico?.

1O. ¿Qué nombre adquiere el resultado de enlazar dos o más átomos?.
11 . ¿Los gases nobles forman enlace?
12. Cuando los átomos se enlazan coovalentemente, ¿qué forman los compuestos resultantes?.
- .,
[
~
13 . ¿Cuáles son los niveles de energía que se consideran en un átomo?.
'
14. ¿De los niveles de energía cuáles son los que interesan?.
-:
l S. ¿Qué es el electrón voltio?.
16. ¿Qué significa que un electrón de valencia pase a la banda de conducción?.
17. ¿Porqué un electrón de conducción regresa a la banda de valencia?.
18. ¿Qué es un portador de corriente?.
19. ¿Cuál es la diferencia entre un conductor, un aislante y un semiconductor desde el punto
de vista de las bandas de energía?.
20. ¿Cómo se comporta un semiconductor a temperatura cero absoluto?.
21 . ¿Cuáles son los potiadores en un semiconductor?.
22. ¿Qué carga se le asocia a un hueco?.
23. ¿De los dos portadores de carga, cuál es el que realmente se mueve y porqué el otro no se
mueve?.
24. ¿Cuales son los semiconductores utilizados en la fabricación de los dispositivos
electrónicos?.
25. ¿Porqué se suele utilizar más a menudo el silicio y no el germanio?
26 ¿Qué es un semiconductor intrínseco?.
27. Qué es el tiempo de vida de un portador.
- 28 . ¿Cómo es el número de huecos comparado con el de electrones en un semiconductor

intrínseco y porqué?.
29. ¿Qué significa dopar un semiconductor?.
30. ¿Cómo se denomina a un semiconductor contaminado?.
31 . ¿Con qué materiales se contamina un semiconductor?.
32. ¿Cuáles son los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo N?.
33 . ¿Cuáles son los portadores minoritario s en un semiconductor tipo N?.
34. ¿Cuúles son los portadores mayoritarios y minoritarios en un semiconductor tipo P y quién
los genera?.
3 S. ¿Qué es un átomo aceptar y un átomo donador? .
36. ¿Porqué se genera la corriente de difusión en el semiconductor?.
}7. ¿Cuándo se genera la corriente de arra stre en el semiconductor?.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANi\LOGA: TEORIA Y LAilOilATOHIO 94
t.r.. EL RECTIFICADOR PUENTE
38 . ¿Cómo se forma un diodo?.

39. ¿Porqué se forma una barrera de potencial en la unión del diodo?.
40. ¿Qué significa polarizar un dispositivo?.
41. ¿Qué corriente se genera al polarizar en inverso un diodo y a qué se debe esa corriente?.
42. ¿Qué características eléctricas presenta un diodo polarizado en inverso?.
43 . ¿Qué caracteristicas eléctricas presenta un diodo polarizado en directo?.
44. ¿Cómo se reduce la barrera de potencial del diodo?
45. ¿Qué efecto tiene la temperatura en la polarización directa e inversa del diodo?.
· 46. ¿Qué sucede si un diodo supera el PRV? .
47. ¿En qué consiste la avalancha térmica del diodo?.
48 . ¿Cómo cambia la corriente inversa de saturación al aumentar la temperatura?.
49. ¿Qué sucede con la tensión de barrera cuando aumenta la temperatura?.
50. Si un diodo está en capacidad de manejar alta corriente, ¿cómo cree que se puede controlar
la temperatura de trabajo".
51. ¿Es el diodo un dispositivo lineal o no lineal?. Sustentar su respuesta.
52. ¿Qué características debe tener el diodo ideal?.
53 . ¿Porqué se denomina al diodo rectificador?.
54. ¿Cómo se denominan los terminales del diodo?.
'---
55 . ¿Se puede establecer una forma normal de polarizar un diodo?. Explicar su respuesta.
56. ¿Qué se debe añadir al circuito en que está un diodo polarizado en directo y porqué?.
57. ¿En qué afecta una resistencia en serie con el diodo cuando se polariza en inverso?
Explique su respuesta.
58. ¿Porqué a un diodo se le podría denominar dispositivo bipolar?.
59. ¿Qué características circuitales y de funcionam iento tiene un rectificador de media onda?.
,_
60. ¿Qué características circuitales y de funcionam iento tiene un rectificador de onda
completa.?.
61 . ¿Qué características circuitales y de funcionamiento tiene un rectificador puente?.
62. Al seleccionar uno de los tres rectificadores, ¿cuál se escogería y porqué?.
,_.
63. Trace la curva de transferencia de L1n rectificador puente.
64. Determinar el voltaje pico inverso que soporta el diodo en cada uno de los tres
rectificador-es.
65. ¿Con qué especificaciones técnicas se adquiere comercialmente un diodo?.
66. ¿Qué especificaciones eléctricas no se deben superar en el funcionamiento del diodo?.
l. EL DIODO ELECTHÓNIC\ ANA LOCA: TIO:O HIA Y LAUORATOIUO 95
1.lí. EL RECTIFICADOR PUENTE
67. ¿Qué es el factor de rizado y, desde su punto de vista, que es mejor: un factor de rizado
pequeño o grande? . Explicar su respuesta.
68. ¿Cuál de los tres rectificadores se puede conectar directamente a la red de energía eléctri ca
y cuál no?. Sustentar su respuesta.
69. Al conectar uno de los rectificadores a la red de energía doméstica, ¿qué parámetros
eléctricos se deben tener en cuenta para seleccionar los diodos?.
70. ¿Cuál de los tres rectificadores se consigue comercialmente integrado?.
71 . Consultar en el manual ECG (Master Rcplaccmcnt Guidc Philips ECG) referencias de
rectificadores integrados y escribir sus especificaciones eléctricas.
72. ¿Qué es la recta de ca rga y cómo se construye?.
73 . ¿Qué efecto se obtiene si coloca dos o más diodos en paralelo?
74. Y ¿qué se logra cuando se colocan dos o más diodos en serie?
75. Explique el sign ifi cado de los siguientes parámet ros: lri\1, JFsi\1, V1t, PVR, VF(Av), Vnitilt,
Ynsi\1, Tj, Ynwi\1, IFR!\I, TA, lo, JEDEC
Tabla resumen, de los diferentes rectificadores.
P AR...\J\·IITR O DE RECTIFICADOR RECTIFICADOR RECTIFICADOR

corvIP .-\RACIÓN DEI\.Y:EDIA ONDA ONDA COJ\·IPLITA PUENTE
NUl\·IERO DE l ...., 4
DIODOS
' UN GENERADOR DOS GENERADORES UN GENERADOR O
CONDICION DE
ALIMENTACIÓN O TRANSFORI\·Lo\DOR O SECUNDARIO TRANSFOlThlADOR
CON ~ECUNDAR,10 . CONTAP CON SECUNDARIO
UNICO CENTRAL 'ÚNICO
FORI\·L<\ DE ONDA
EN LA CARGA ~/\ !VV\ /V\/\
ERECUENCIA DE IGUAL A LA DEL DOBLE DEL DOBLE DEL
LA SENAL EN LA GENERADOR GENER.o\DOR GENERADOR
CARGA
VOLTAJE Rl\·IS
05Vp 0.707 Vp 0.707 Vp
ENLA CARGA
VOLTA.JEDC 0.637Vp 0.637Vp
0.318 Vp
EN LA CARGA
FACTOR DE RJZO 121 <l.·o 48% -18%

l. EL DIODO ELECTllÓNICA ANALOGA: TEORÍA y LAilO!lATOlllO 96
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: FUENTES NO REGULADAS
lt.7.¡ ~APLICACIONES DEL DIODO RECTIFICADOR

So n variadas las aplicaciones del diodo rectificador así que en esta sección se
detallarán algunas de ellas.
1.7.1 FUENTES DE ALI1\1ENTACIÓN NO REGULADAS
El título anotado. requiere de expl icación. Cuando se habla de fuente de alimentación, se
entiende como el circu ito que suministra una tensión continua a una carga (tensión OC) y la
expresión no regulada significa que la tensión continua que se tiene sobre Ja carga puede
contener componente alterna (factor de rizado RF ~ O) y el voltaje sobre la carga puede variar
si varía la carga o varía la tensión del generador de donde se .toma la alimentación de entrada.
Cua ndo la fuente es regulada, significa que el voltaje sobre la carga idealmente no tiene
tensión de rizado y el voltaje continuo es absolutamente constante, aunque cambie la carga o
varíe el vo ltaje de ent ·ada.
Así, pues, los rectific ldores analizados van a formar parte de estas fuentes de alimentación,
pero, como se dedujo anteriormente, su factor de rizado es muy grande. El objetivo es añadir
otros circuitos a los re :tificadores estudiados para reducir su factor de rizado y estos circuitos
adicionales se denomi ian FILTROS. Así qu e el objetivo básico de los filtros colocados
después de los rectifictdores es reducir el rizado y suministrar una tensión continua a la carga
lo más lineal posible.
El filtro más elemental es el condensador y en la FIG 1.35 se muestra la disposición circu it al
del filtro en un rectificat or de media onda.
Vo El circuito contiene el generador que
normalmente es la red monofásica de
11 OVac o l 15Vac @ 60Hz (el símbolo @
se utiliza a menudo en las especificaciones
técnicas; en este caso indica que se tiene
11 SVac a 60Hz). Un transformador del tipo
reductor con doble devanado, es decir, el
primario y secundario está n aislados
eléctricamente, la interacción entre ell os es
J'IG 1.35 magnética; los puntos sobre el dispositivo
indi can el sentido como s• · devanan las bobinas en el núcleo.
Continuando con la descripción del circuito de la FIG l.35, está el rectificador de media onda y
en paralelo con la carga se coloca el condensador C que desempeña el papel de filtro .
El füncionamiento del circuito se explica con la ayuda del circuito de la FIG 1.36. '- .
Se ini cia con el semicicl o positivo de la señal de entrada, el diodo queJa polarizado en directo,
así que, idealmente, el diodo se reemplaza por un co rto circuito y queda ap licado el voltaje del
secundario directamente al condensado r y a la carga como se muestra en la f!G l .J6(A). El
condensador va almacenando el volt aje del secundario del transformad or y simultáneamente
circula corriente a través de la carga (recordar que a través del co ndensador. no hay circul ación
de corriente(¿?). El proceso corHin(1a hasta que el secundario alcanza el voltnjc Vp y es este el
voltaje que almacena el cnndensador entre sus placas.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: Tt·:oRlA Y LABO rtAToruo 97
Ahora el voltaje del generador comienza a reducirse de su valor máximo Vp; así que el ánodo
del diodo '·(que está conectado al generador), queda con voltaje inferior al cátodo (que es el
terminal que está conectado al condensador), de modo que el diodo se polariza en inverso y
permanece en este estado el resto del semiciclo positivo y todo el semiciclo negativo; en esta
situación de polarización inversa se puede reemplazar el diodo, idealmente, por un circuito
abierto, corno se indica en la FIG 1.36(8); entonces el transformador se desconecta
prácticamente del circuito y el condensador se comporta como una 'fuente de voltaje'
formando un circuito cerrado con RL, suministrándole una corriente. Refiriéndose a la señal de
entrada desde el punto de vista de grados eléctricos, el condensador se carga en los primeros
90º de la señal de entrada, situación en la que el diodo se polariza en directo, luego,
ligeramente arriba de los 90º, el diodo se polariza en inverso y permanece en esa condición la
segunda mitad del semiciclo positivo, (desde 90º hasta 180º) y todo el semiciclo negativo.
Entonces, desde 90º hasta 360º el condensador está en proceso de descarga sobre la resistenci a
R1, como se observa en la FIG (B)
Vo Vo
\i] T~
eT~ RL~
r---L~J
(f\.._ --- ·,
' ~\\
L_j CARGAll DESCARGA. EL
L CONDENSADOR
HASTA EL
CONDENSADOR
A 1RAVES DE RL
VOLTAJE Vp
(A) (B)
FlGl.36
Cuando llega el siguiente semiciclo positivo, el condensador vuelve a cargar repitiendo el
proceso anotado.
EJEl\:IPLO
Efectúe la simulación del circuito de la FIG 1.3 7 y analice su respuesta
SOLUCIÓN. --J.
El circuito es un rectificador ele media onda alimentado con una tensión igual a la de la red:
Vip = 11 O "'12 :.: : 156 V, y como liltro se coloca un condensador de 100 µF y carga la
resistencia de 2k.
1. EL DIODO ELl~Cl'RÓNICA AN1\LOGA : TEOHIA Y LJ\ílOllATORIO 98
l.7. APLICACIONES DEL DIODO: FUENTES NO REGULADAS
Ya se había analizado el mismo circuito pero sin

01
vi VO el filtro; ahora el efecto del filtro altera el
0 º11\14001
comportamiento del rectificado r, esperándose
que el nivel continuo aumente y reduzca su
C1 RL nivel de rizado. En la FlG1 .38 se muestran tres
100u 21< señales: la señal de entrada, la .señal de salida
en la carga y el nivel promedio de la señal de
salida. Recordar que el nivel de rizado del
rectificador de media onda es excesivamente
grande (121 %), así que el efecto de colocar el
filtro aunque aumenta su nivel promedio, sin
FIG l.37 embargo, ese nivel promed io es bajo y, además,
presenta, como se observa en las gráficas, un nivel alterno en la carga bastante grande.
1 Ó8 • 2 U T - - - - - - - - - - - - - - ,--=-=-=--=~~ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -~-:-..=_:...:..::_-~ _1_6_3_V_ -

:
1
. . ;'"-.f
/__ \
· ·~SEí'lAL DE SAL IDA /
,,... '\.
\
•
: /
1 154v
~
\
SENAL DE ENTRADA /
· / .
\
\
I \ / '
..-----¡-L----- \ 40 2v . 1f\
j \ \· ! 1
/ \'·, ,. VOL TAJE PROi'IE D 1O
7 / . . ' -.. '·-

'··---¡·
,/ SOBRE. LA CARGA
-15 7 • 2 U ~ -----r
97ms 100ms
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
110ms
~ - - - - - - - - - - - -,-
120ms
~ - - - - - - - - - - - - - -
e U(ui) " U(uo) v AUG{U(uo))

Time
FIGl.38
En conclusión, si sobre la carga se quiere obtener una señal lo más continua posible, con
pequeño vo ltaje de alterna y, consecuentemente, bajo factor de rizado, el rectificador de media
onda no es el adecuado.
EJEIVIPLO
Simule el circuito de la FlGl .39 y analice sus seiiales.
SOLUCIÓN. 'Í
El circuito contiene un generador de señal de 200Vpp, un puente rectificador de referencia
2KBP 1O, el diodo D2: 1Nl200A, la resistencia de 1OK que sirve ele carga para el puente
cuando el diodo esté abierto. el condensador C 1 que actúa como filtro y la carga del circuito
total que es R 1. La simulación se efectúa en el paquete CIRCUIT MAKER.
' -/
l. EL DIODO ELEcTnóNICAANA1.ocA: TJmnlA v LAnOIV\T01uo 99
VAVC
ZKB:P l.O
Dl.
84.60 V
Vl DZ R"faCro'-i.nd
- 100/lOQV l.Hl.ZOOA
..l\J
60 Hz
1-----'
_J nz
lOk
~:I iou ~
~l
21<
FIGl.39
Ye: 98.Sl Yd: 72.27 c - d : 26.23 freq : 6~_36
83.4
65•~/ \ \ :
<U~ r~~~;,,~
30..
.. .. ....
T ,\l-l()DO !)J'L DI<)P()

..... . . s. . . . l. C.~;:·~n:~ODO .
• '"\ • . . ... ......... .. ... .
\}··· · : :
.. .... ... . . . . . . .... . ...... ,..........·····¡
·-4.33L-..L-..L--L--'--'--'-~--'--'--'--'--'--'--'--'--'---'---'---'---'---'---'---'--'__J'--'--'--'--1_J
P.e f =Grr.'\U1d ?~=2.
'1m/Div Y=voltage 578>
í<IGL40
Lo interesante del circuito es la presencia del diodo D2 que se coloca para poder separar l<1s
señales del rectificador y del filtro y así pod erlas analizar. Para entender el füncionarniento del
diodo D 2 en el circuito, se recurre a las señales de I¡¡ FlG 1.40. Como se observa en estas
gráficas, la señal filtrada presenta un volt<lje mayor que la señal rectificada por lo menos po r
debajo del cursor 'el ' de la gráfica; signi!tc<l que du rante este tiempo, el cátodo del diodo D2
ti ene voltaje mayor que el ánodo. por lo que el diodo está polarizado en inverso e ideal mente
l. EL DIODO ELl~CTllÓNICAANALOGA: TEOHIA y L/\UORATOIUO 100
está abierto; entonces. sobre la resistencia R1 se tiene la señal del rectificador, mientras que
sobre la carga R 1 se produce la descarga del condensador.
Entre los cursores 'e' y 'd' se presentan dos situaciones: cuando la señal de entrada
aumenta. el condensador inicia su carga, así que el diodo D2 está en directo y las señales sobre
R 2 y R1, son iguales como se observa en las gráficas; la segunda situación se tiene cuando la
señal decrece. el condensador inicia su descarga a través de R1, pero. corno se observa en las
gráficas de la FIG 1.40, la descarga es más lenta que la caída de la señal de entrada, por lo que
el diodo D 2 se polariza en inverso y nuevamente, se observan diferentes señales en el ánodo y
cátodo del diodo.
Así pues, colocando el diodo en esa forma se pueden separar dos señales siempre que se
presenten diferentes niveles de voltaje entre ánodo y cátodo y, específicamente, el cátodo
presente más alto voltaje que el ánodo.
La señal que se observa sobre la carga y que es la que se tiene en el cátodo del diodo D2, está
comprendida entre los cursores C y O de la FIG 1.40 y sus voltajes se indican en esta FIG
como: Ye = 98.51 V y Y<l = 72.27 V , luego se tiene un voltaje de rizado pico a pico de:
Ye - Yd = 26.24 Y.
Este nivel de rizado es muy grande, y se puede reducir aumentando el valor del condensador
de filtro en el circuito de la FlG1.39. Con un condensador de 1000 µF, se obtiene la señal
mostrada en la FIG 1.41
\:
\
. . . 1. ... . ... . : \:'"" ""
. . . • • . . • • . • •. i . •. . j . • • • • •• • . • . • • • ¡ i . . .
\ SENA.LEN EL
ANODO DEL
DIODO D1
FIGI.41
Se observa en la gráfica que el nivel de rizado se reduce apreciablemente y se espera, como se
muestra posteriormente, que el nivel continuo sobre la carga también aumente.
Además del filtro con condensador, se pueden construir otros tipos de filtros, siendo los más
comunes los que se muestran en la flG 1.42. Estos son: el filtro tipo C como el que se
mencionó, el tipo L en el que el filtro es una bobina, el tipo LC en que se combina una bobina
y el condensador y el tipo Pi. La selección de uno u otro tipo de filtro depende, entre otros
factores, de la cantidad de corriente que requiere !a car-g¡1, siendo los uti lizados para corrientes
grandes, los tipo L, mientras que si se requiere bajo rizado. el más recomendado es el tipo Pi.
1. EL DIODO ELECTilÓNlCAANÁLOGA: TEOHIA Y LAnORATOHIO ¡o¡
Cualquiera que sea el filtro utilizado, los objetivos son los mismos a saber:
Obtener el mínimo rizad o.
.-.,.... Máximo nivel continuo de voltaje sobre la carga
vi = VM semat vi = Vl'tI senei>1
, ,-_
Ioc
___..
~,,.
+
Voc
'"'Di __.
oc +
Voc
I CI
FILTRO
e
~
<'.: RL
1 FILTRO
TIPO LC
~ 1~RL .
-- TIPO C
vi = VM scm;,1 vi = VM senrnt
FILTRO
TIPO L
FIGI.42
Es de anotar algunos detalles que se observan en la FlG 1.42 y que vale la pena comentar:
1. El rombo con el diodo representa un rectificador puente.
2. Las dos líneas paralelas sobre la bobina indi can que el núcleo es de hierro. La naturaleza
del núcleo es importante cuando se refiere a la frecuencia de trabajo. Como la frecuencia
es baja ( 120 Hz ¿?) el núcleo adecuado es el de hierro. Si las líneas se dibujan punteadas,
indican un núcleo de ferrita material adecuado para trabajar en frecuencias medias-altas. Si
no se dibujan las líneas significa que el núcleo es de aire y la bobina puede operar en
frecu encias muy altas.
3. La señal del generador es generalmente una· señal sinusoidal cuya forma matemática se
expresa mediante la ecuación: vi = Vi\ 1 sen (cot), en donde: vi es el voltaje instantáneo,
VM es el voltaje máximo de la señal, co = 2 n f y se denomina la velocidad angular. La
· frecuencia de la señal es siempre de 60 Hz.
~
;
4. Algo importante y que se debe tener en cuenta al efectuar medidas: el neutro (o tierra)
del generador es completamente diferente de la tierra del circuito. Si se utiliza un
--- osciloscopio y se coloca la misma tierra para el generador y la carga, hay conflicto (¡, ?).
--
,.-.
........
t. EL DIODO ELECTH6N1c.\ ,\NALOGA: TJ·:onlA Y LABORATOlllO 102
1.7. APLICACIONES rmL DIODO: FUENTES NO REGULADAS
5. Por último, el rectificador utilizado también puede ser un rectificador de onda completa,
sólo que el voltaje máximo que· 've' la carga es la mitad puesto que el rectificador debe
tener derivación central.
-
Asi como se establecía la calidad del rectificador llamándolo factor de rizado y que se expresa
__ .JVlru.1~ - V 2 oc
como: R.F
Voc
Para las fuentes de alimentación se da otro factor que indica qué tan estable es la fuente frente
a cambios en la carga y la red. Se denomina el porcentaje de regulación y se expresa
\ ' 1 vacio-VLcarga *
como: ºlc1REG = -··!.--.~---·--- ·-·-·---·- 100 Yo 0
( 1. 7)
Vt.carga
En donde: VLvacío es el voltaje sin la carga.

Vi,carga es el voltaje con la carga .
.El porcentaje de regulación de la fuente ideal es de 0°/ci, es decir, cuando :
V1,vacío = Vi,carga
Lo cual significa que el voltaje de salida es igual tenga o no tenga carga. Así que el porcentaje
de regulación dependerá del tipo de filtro y del valor de sus componentes. ·
En la siguiente tabla, se presentan los diferentes tipos de filtros y las ecuaciones con las que se
puede emprender un análisis o diseño . .
TABLA l
Sin Filtro Tipo L Tipo C. Tipo LC Tipo n

·\!"vacío 0.636 VM 0.636 VM Yi\1 V," V i\1
417illr .f 170 1 L
V carga 0.636V,, 1 0.636VM v"1 - ·-----~
e 0.636V~ 1 V¡,1--·- C -
RF 0.48
RL
16000 L ·.-Rt- 24 UI
- --
CRr.
0.83
--
LC
3300
- - · --·- -
C 1 C 1 L R1.
En la tabla se considera que: C cst:l cnCQF, Len 11, lt en A, V en voltios y R en Q

~·
Referido a los filtros que contienen bobina s, se define una inductancia crítica Le y que se
obtiene considerando la siguiente situación: cada uno de los diodos que conforman el
rectificador conduce durante una pequeña pa11e del ciclo de la señal de entrada y durante otra
parte del ciclo están en inverso; durante la conducción de los diodos, el condensador de filtro
se carga a la tensión pico de la entrada y, curmdo llega el punto de corte de los diodos, el
condensador se descarga a través de la carga.
Cu¡¡nclo se conecta una bobina como filtro. el tiempo en que suministra corriente el diodo
aumenta reduciendo el tiempo en que el diodo permanece en corte (¿ ?), y si se aumen ta aún
más el valor de la inductancia, se llega al punto en que el corte del diodo desaparece; es este
valor de inductancia que se denomina incluct:rncin crítica.
El valor de la inductancia crítica se define como :
l. E.L DIODO El.ECTHÓNIC.\ AN;\LOG,\ : TEOilf¡\ y LAUOH.J\TOIUO 103
Con:
Para efectos de diseño, se recomienda como criterio considerar :
(1.8)
EJEIVIPLO
Se toma tensión de red de l 50VRMS @ 60Hz, esta señal pasa a un transformador que tiene una
relación de transformación: a/ 1 <::::> 20 / l. Luego sigue un rectificador puente y se coloca un
- .. ; filtro tipo C = 1OOO~tF. Si la corriente que circula por la carga es de 1OOmA, determine el
voltaje en la carga y el factor de rizo .
-.
SOLUCIÓN. --J
De acuerdo a los datos, el voltaje que se tiene en el secundario del transformador es:
Vs = Vp I a = 7.SVnMs = 7 .5 -/2 = 10.61Vp.
41711 IL
De la Ec: Vnc = vM ----e- = 10. 19V
-- 1
El valor calculado del voltaje sobre la carga no tiene en cuenta la caída adicional debida a la
conducción de dos diodos en cada semiciclo; considerando esta caída, el voltaje sobre la carga
.t J7() J L
es: Voc = v"" -- e- - 2 Vn
Asumiendo una caída de O. 7V en cada diodo, entonces el voltaje en la carga es:
Vnc = 8.79V
24 ]() .
Para el cálculo del factor de rizo, de la Ec: R.F = - - , se tiene que calcular el valor de la
CRL
carga, así que de la Ley de Ohm: RL = Vi,/ h. = 87.90, con V1. = 8.79V
Y: FR%=
-¡
¡
r lb{-·---.----...----,.-----,,---
lt. ºº
---. . C• S < ~-·p-=:-1: :::.:o-C::::: ~~·~::O:::.~::::

;
6:!
Vl
-.10 . (/10 .(!J
o~:---~-----+--~1--->---
E
• ~0_....._._l_J.....
. 9~R•-'-'-'-Z7.....
TI•t~C~o~nd
..
, ~Qa_._..._...~l.-7_~~.-.-~a
X-ll . 9•/0iv Y•volt•q•
·- FIG 1.43
'~"-
·'
~¿
·-~-
1. EL DIODO ELECfRÓNICA ANALOGA: TEORiA Y L/\llORATOIUO l 04

1.7. APLICACIONES DEL DlODO: FUENTES NO REGULADAS
Efectuando la simulación en el paquete CIRCUIT MAKER, en la FIG 1.43 se muestra el

circuito y el resultado de la simulación; el circuito contiene: un generador con 10.6Vp @ 60Hz
(recuerde que ese es el voltaje de secundario calculado), el puente rectificador conformado por
los diodos 1N4002, el filtro C 1 = IOOOµF y la carga RL = 87.9.0.. Al efectuar la simulación, se
obtiene la señal en la carga (observar el rizado) y el multímetro indica el voltaje promedio en
la carga: VL = 8.458V.
En la FIGl.44 se efectúa la simulación del mismo circuito, pero se suprime la carga. Observe
cómo una vez el condensador carga al voltaje pico, mantiene indefinidamente ese voltaje,
puesto que, teóricamente, no existe camino de descarga. El voltaje promedio en la salida
aumenta, así que con los dos valores obtenidos se puede calcular el porcentaje de regulación.
"{d: -z. ººº c:-d: lZ . 00
(b]
o
8 I
... '=" u«oo2

t>S 06
6 I
1 l!HOOZ
~
lOOOuY
Cl 2
08
- - O? UHOOZ
o
_. lirt.. UHOOZ
z
O 1~ .. 9• 27 .. Ba 41 .. 7• SS.6~
Ret•Cround X•l3 .. 9•/Div Y•volea9•
FIGL44
De la Ec: <!fc, REG = ''i.vacio - V1,carg a* 100%

V Lcnrga
Con: Vi.vacío = 8.884V y VLcarga = 8.458V, reemplazando en Ja ecuación se

obtiene: % REG = 5.04%; obviamente es un porcentaje alto si se compara con el ideal
(REG ;::: 0%)
E~ El\1PLO
Diseñe una fue lte de alimentación no regulada, si se requiere en la carga VL = 12V@ l A. Se
toma voltaje d( la red de 220VRMS@ 60Hz. Asegure que el factor de rizado no supere 1.6%.
Asumir lo que : e requiera.
SOLUCIÓN. ~
De los datos del problema, se obtiene el valor de la carga: RL = V1, / JL = 12.0. Se escoge
241 o .
como fidtro el tipo C, así que de la Ec: R.F = ----. As11n11cndo R.F == 1.6 %, se calcula:
C Ri,
C = 12552~tF. Este valor es absurdo e impr:íclico, así que este tipo de filtro no es adecuado
para las condiciones. Entonces se escoge el filtro tipo LC: se determina la inductancia crítica
l. EL DIODO ELl~CTRÓNICA ANALOGA: TEOHIA V LABORATORIO J 05
1.7. APUCACIONES DEL DIODO: P'UENTES NO REGULADAS
Le > RL I (3ro), con ro = 2 nf (recuerde que la frecuencia es f = 120Hz). Reemplazando

valores se obtiene:
Le > 5~.05mH
Se asume: L = 80mH
De la Ec: R.F = 0.83 I (LC) se determina el valor de C:
C = 648.4~tF
Como se debe buscar un valer de condensador comercial, se eswge:
C < 648.4µF
Al seleccionar C inferior al valor calculado, se está asegurando c¡uc L > Le. Entonces se
escoge el valor comercial para C = 470µF, recalculando L = 110.4rnH
Por último queda por determinar el voltaje requerido en el secundario; una primera
aproximación es: Vi\·I = VL I 0.636 = 18 .87V. Como segunda consideración, se tiene en
- cuenta la caída en los diodos, así que: Vi\ 1 = VL / 0.636 +2 Vo. Si Vo = 0.75V, entonces:
Vi\1 = 20.37V
En esta forma se termina el diseño propuesto.
EJE!VIPLO
Un circuito filtro tipo LC debe suministrar a una carga 12 V @ l OOmA con un factor de
....--...
rizado RF < 0.3%. Diseñar el filtro .
SOLUCIÓN. '1
- 01N4001 X 4 L
VV>,_--+__;_;VO:___.r-
De los datos la carga es: R1,
DelaEc(l.8): Le> R1,/(3ro)
= l 20 D..
100tnH
01 Considerando la frecuencia· del rectificador
33201.1
c puente de 120 Hz, la inductancia crítica es:
Le> 53 .05 ml-I
Asumiendo: Le= l 00 mH
Consultando la tabla, para el filtro LC, de la
0 83
Ec RF = · , asumiendo un factor de rizado
LC
FTGl.45 RF = 0.25 %. se obtiene: C = 3320 µF.

Para calcular el voltaje pico que debe suministrar el generador o el secundario del
transformador, se debe tener en cuenta las resistencias que introduce la bobina, el alambre de!
secundario del transfo rmador y la resistencia que presentan los diodos cuando están en
conducción. De las componentes resistivas mencionadas, las ciue tienen c¡ue ver con los
arrollamientos de las bobinas se determinan mediante tablas o experimentalmente, así c¡ue no
1. EL DIODO ELl~CTTlÓNICAANALOGA : TEOHIA Y LAnOnATORIO l 06
es posible entrar a considerar en este ejemplo esos valores. Sin embargo, si se conocen esas
resistencias, el vo ltaje pico se determina mediante la sigu iente ecuación:
Vl\l= 7t(Voc+l 0 cR+2Vo)/2 (1.9)
En donde R es la sumato ria de todas las componentes resistivas diferentes a la carga y Vo es
el voltaje directo de cada diodo, teniendo en cuenta que en cada semiciclo conducen dos
diodos .
Asumiendo: v 0 ~ 0 .75V, reemplazando en la Ec(l .9) se obtiene: VM =21.2V
40UT------------------------ ----- ----------,

1 1
1 1
1
1
1
1
1 --
i/ .
1
Vdc =. 12 04V :
1 1
1 1
1 1
ou+ -- ---- - -----,------ - - - ----r- -- - -- --- - - - ~
Os lLSs 1 . Os 1.Ss
o U(vo)
Time
FIGl.46
En la FIG 1.46 se muestra la simulación del circuito diseñado. Observe el sobrepico que se
presenta al comienzo de la señal; se debe tener en cuenta que la carga lo soporte.
~ EJEIVIPLO
Diseñar un filtro tipo PI para fuente de alimentación si la .carga requiere Vne = SV para una
corriente loe= 1 A. Mantener el factor de rizado máximo en RF =O.O 15%. Asumi r lo que se
requiera.
. . _.
SOLUCIÓN. :J.
El circuito que se va a diseñar se
L
muestra en la FIGl.47, en donde se
'"Y""1 ---+----~
observa el filtro en la forma Pi: dos
condensadores C 1 y C2 y la bobina L.
D1
Igual que en el circuito anterior, se
C1 _._ C2 _._ utiliza un rectificador puente puesto
RL que con ese rectificador se aprovecha
D3 todo el voltaje de secundario, además,
que no requiere de tap central.
Recurriendo a Ja TABLA 1 de la
Ec: RF = _.._.3300
___ _
C¡ C2 L RL
FlG 1.47 Con: R1, = VnC' / Inc = 5.0.

Se puede nsmnir que: C 1 = C2 = C
l. EL DIODO ELECTRÓNICAANAr.oc:A:TEonlA YLAnORAT01uo 107
Luego el factor de rizado se puede expresar como:

RF = 3300
C 2 LR L
Entonces cualquier combinación de C y L con valores lógicos, claro está, satisfacen la
ecuación. En este caso se toma la solución más práctica: asumir el valor de los condensadores
y determinar la bobina, ya c¡ue es más fácil construir la bobina que fabricar los
condensadores. Por ejemplo, se nsume: C = 1000 µF, entonces se obtiene: L = 4.4 H
El voltaje pico que debe tener el-secundario del transformador se obtiene mediante la siguiente
I ne
-. ecuación: Vr.i=Vnc +Ir>cR+
4f{C 1 +C 2 )
+2V0 (1.10)
En donde R es la suma de todas las componentes resistivas diferentes a la carga. Para este
ejemplo, considerando idealmente R = O y V 0 = O. 75 V, reemplazando en la Ec( 1.1 O) se
llega a: Vj\ 1 ;::::: 8.6 V
Ya c¡ue la corriente que requiere la carga es de 1 A, es importante seleccionar diodos cuya
corriente directa lo >' 1 A. Se recomiendan diodos que manejen por lo menos 2 A.
Ya determinados los componentes del circuito de la FIG 1.47, se efectúa la simulación del
circuito, obteniendo la señal de la FIG 1.48.
8 . 0UT-- - ------------ -- --- -- --- -- -- --- - --- --- - -- - --- --- -- - --- --- - - - - --1
Vdc = 5 . 1V
1
1
-0.0U --- -- -- -- ---r---- - --- - -- - r - ------ -- ---r--- -- -------r - - - ---- - ----1'

Os 2s 1~s ós Bs 1 os
o U(uo)
Tirne
FIG l.48
=1 1
l
Se observa en esta gráfica que no se existe el sobrepico como sucede con el filtro anterior LC.
Se presenta una alternativa interesante al filtro Pi y consiste en reemplazar la bobina L por una
resistencia cuyo valor Óhmico sea igual a la reactancia de la bobina. Para el ejemplo anterior,
con f = 120 Hz, L = 4.4 H, se obtiene una reactancia dada como:
X1. = 2 n f L = 3.32KD.
Si se reemplaza la bobina por una resistencia con el valor en óhmios igual a su reactancia, se
produce igual factor de rizado. Sin embargo, el valor obtenido es bastante alto y, para la
corriente requerida en la carga, se produce una caída absurda (3320V para la corriente de 1A).
Luego el reemplazo de la bobina por una resistencia resulta interesante, simple y práctico,
~, siempre y cuan do se tengan en cuenta los siguien tes criterios:
t. EL DIODO ELECTllÓi'IICAANÁLOGA:TEORIA Y LAilOI~ATOlUO 108
1.7. APLICACIONES DEL 01000: FUENTES NO REGULADAS
1. La corriente que requiere la carga debe ser pequeña, de modo que la caída sobre esta
resistencia sea pequeña y, obviamente, su disipación de potencia sea también baja.
2. Al colocar la resistencia en lugar de la bobina necesariamente el voltaje del generador o
secundario del transformador se tiene que aumentar.
El primer problema se puede manejar tratando de obtener inductancia pequeña de manera que
su reactancia sea también pequeña, y mantener una corriente relativamente alta, pero el valor
de los condensadores del filtro se deben aumentar.
Y para el segundo problema, es decir el aumento en el voltaje de entrada, es inevitable, así que
este tipo de filtro será adecuado cuando se puede hacer fácil este aumento.
Entonces, queda a disposición del diseñador la alternativa que crea más conveniente y,
lógicamente, la más práctica. En el siguiente ejemplo se aclara lo anotado.
e:¡¡:. EJEl\1PLO
Diseñe un filtro tipo Pi para una fuente de alimentación si para la carga de 5 V se requiere de
una corriente de 50 mA, con un factor de
L rizo RF s; 0 .015% . Efectuar el diseño
Y"\ utilizando la bobina y luego reemplazarla
01 por una resistencia.
Cl ~ C2 ~
RL SOLUCIÓN. -'1
03 Se desea diseñar un circuito semejante al
del ejemplo anterior y que se reproduce en
la FIG 1.49 por comodidad.
Como en el caso anterior, se considera
C1 = C2 = 1OOO~LF, así que de la Ec:
FIGl.49 RF = -~~· -
C1 C2 L RL
Con R1, = 1000 y RF = 0.00015 se obtiene: L = 220 mH.

El voltaj e pico del generador se obtiene a partir de la Ec( 1.1 O), considerando f = 60 Hz,
Vn ~ 0.75 V y R =O. Reemplazando se
obtiene: Vl\1 = V
ne
+ J .R +
11(.
· ··--_!._º-~+e
4 f( e 1
---
2 )
+ 2V
IJ
= 6.6 V
Las señales en voltaje y corriente sobre la carga simuladas en PSPICE se muestran en la

FIG 1.50
Observar en la gráfica que se presentan dos ejes verticales indicados como t y 2. El eje 1
corresponde al voltaje V(Vo) y el eje 2 corresponde a la corriente J(L} . En esta forma se
pueden observar señales en el PROBE del PSPJCE con magnitudes y escalas completamente
diferentes: de voltios y tlc miliamperios.
~ ,,~,,;:
'. l. EL PJODO ELP-CrRÓNICAAN,Í.LOGA: TEORIA Y LAílOllATOHIO l 09
-.-...... '
--,1
--..!
1
8. ou 2
40ílm~--- - - -- - --- - --------- - -- -- - ----- - -- - - -- -- ---- - ----- - -- ------ - - - -- -·
1 1
1
1
1
1
1
1
1
200ml'I . . Vo . = . 4 . 76 V . :
~,~,_,.~~--~·~~---·~--~-·~·~~~~~~~-----1
4. ou ' '
lo = 50 mA · :
~..... ~-- ........-.,.,....,u .... ~-,..,~----~,,.-• ..,•.4'>1,,.I~"'"'_,,,_~~'"'-''-"'•...."-'~-...~-.... __,.,,....,.,~~
oll - 1 :
» 1
-o. ou -200ml'I ---------------------r----------- ----------r-------- -------------1
Os Ss 1íls 1Ss
m ·a U(VO) rn l (l) K
Time
FJGl.50
Continuando con el diseño, ahora se reemplaza la bobina por una resistencia equivalente a la
reactancia de esa bobina.
Esta inductancia presenta una reactancia dada como:
Xi. = 2 rr f L = 165.88 D, con f = 120 Hz
Y si se reemplaza esta reactancia como una resistencia, para la corriente que requiere la carga,
produce una caída de: 'I = ( 165 .88 D) (SO mA) = 8.29 V
Es una caída mayor que a que produce la carga, aunque no exagerada y se puede dejar así. El
factor de rizado se deter ina, en general, con la siguiente ecuación:
RF
Y es con esa ecuación q e se deduce el factor de rizo dado en la TABLA l para el filtro Pi;
como verificación, reem lace f =. 120 HZ en la expresión: -..J2 / [(2 7t 120) ] l 0· ~ 3300 que
3 12
3300 .
es la constante dada en 1 RF = - - -- - -
e, C 1 LR._
Pero ahora no se tiene la bobina sino gue se reemplaza por una resistencia de valor óhmico
equivalente a la reaetancia de L. Entonces en la ecuación del factor de rizo se reemplaza a XL
por R = 165 .88 D. y el factor de rizo queda ahora como:
RF = Vrms = .fi, I ncXc1 Xc2 = .fi,

2
Ync vnc RL(27tf) CIC2R
Reemplazando valores se obtiene: RF = O.O 15% que es exactamente igual al valor previsto
anteriormente. El voltaje pico del generador se· obtiene de la Ec( 1. 1O), considerando que:
R = 165.88 D, f = 60 Hz, Vn <=::: 0.75 V, se obtiene:
V
l\t
= Vne + I oc R + ·---~ne ---
f(Ci +C )
+ 2V
n
~ - 14.9 Y
4 2
1. EL DIODO ELECI'RÓNICAANÁLOGA:TEORIA YLAHORATOIUO 110
1.7. APLICAClONES DEL DIODO: FUENTES NO REGULADAS ......,..
El circuito final se muestra en la FIGl.51 y el resultado de la simulación en PSPICE se

presenta en la FIG 1.52.
DlM4002 R /vo
~l
165 .88 ..__....
DI D3
~ Cl
"ºº RL '-
10001.1 10001.1
D2 ....._,
D4
._,
FIGl.51
SOmA -.-- ---- --- - ---- --- ---- --------- --------------------- - -- - -- - -------- -~
{ • 1o = 48. S mA . . :
onl-----------~------------~-----------~~------------~- -----~----~------------j
o -
s.ou-.-r:-
I ( Rl)
==----- · V~- = 4 . 85V· _... , .. ~- -- • ~-..... -¡
1 • • • • • 1
SEL~: ~
-- ---- ___ ---,-- - -- - __ ---- _ ----------- ~- ------- ----~---- _---- _ --~- -- - ----- __ J
os 2s 4s 6s Ss 10s 12s
o U(uo)
Time
FIG 1.52
La gráfica superior de la FIG 1.52 corresponde a la corriente a través de la carga y la gráfica
inferior es el voltaje sobre la mi sma; como se observa en los resultados de la simulación el
error es inferior al 5%. En esta for.ma se culmina el diseño pedido.
Para los estudiantes que estén interesados en construir los transformadores o bobinas para sus
diseños, se presenta la siguiente tabla denominada: 'TABLA DE ALAMBRES '--'
ESMALTADOS PARA TRANSFORMADORES Y BOBINAS' (Cortesía del Profesor

Jorge Yory, jefe de laboratorio de la Universidad Antonio Nariño)
Se indica el número del alamb re, la equivalencia en milímetros, la capacidad máxima de
corriente que soportan, las vueltas por cada centímetro y la longitud en metros con su peso
equivalente en kilos. El alambre es mas delgado, cuanto mayor es su número : así, el alambre
#8 es mucho más grueso que el #40 (observe las corrientes que manejan).
,,-.._ l. EL 01000 ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOnl/\ Y LAilOHATORIO 111
1.7. APUCJ\CIONES DEL DIODO: FUENTES NO REGllLADAS
TABLA DE AikMBRES ESMALTADOS PARA

TRANSFORMADORES Y BOBINAS
Corriente en Vueltas por vueltas metros
No. milímetros amo. pulo. por cmt. por kilo
8 326 33.38 7.0 13.39
9 2 906 26,56 8.0 3.1 16 89
,- 10 2.588 21.20 9.0 3.5 21.28
11 2 305 16.60 . 10.0 3.9 26.84
12 2.053 13.30 11.0 4.3 33.80
13 1.828 10.50 12.0 4.7 42.56
14 1,628 8.30 14.0 5.5 53.65
15 1,45 6.60 16.0 6 .3 67.60
16 1.291 5.20 18.0 7 89.50
17 1.150 4.10 21 8.3 170.55
18 1.024 3.20 23 9 135.40
19 0.9116 2.60 27 10.6 170.40
20 0.8118 2.00 29 11.4 214.70
21 0 .7230 1.62 32 12.5 270.00
22 0.6438 1.28 36 14.2 341 .30
23 0 .5733 1.00 40 15.7 429.40
24 0.5106 0.80 45 18 540.00
.- 25 0.4547 0.64 50 19.7 ·680.30
26 0.4049 0.50 57 22.4 862.00
27 0.3606 0.40 64 25.2 1070:00
28 . 0.3211 0.32 71 28 1368.00
29 0 .2859 0.26 81 32 1701.00
30 0.2546 0.20 88 34 2165.00
31 0.2268 0.16 104 41 2736.00
32 0.2019 0.12 120 47.2 3402.00
33 0.1798 0.10 130 51 4330.00
34 0.1 601 0,080 140 55 5472.00
35 0.1426 0,060 165 64 6804.00
36 0.1270 0,042 190 74 8660.00
37 0.11 31 0,036 198 78 0944.0C
38 0.1007 0,032 205 81 13608.0C
39 0.0896 0024 217 85 17320.0
40 0.7098 0,020 230 90 21888.0<
Cortesía del Ingeniero JORGE YORY, catedrático de la Uni versidad Antonio Nariño
1. ELDIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LAUORATOIUO J 12
1.7. /\PLICACIONF.S DEL DIODO: l\'fiJLTLPLICADORES DE VOLTAJE
EJERCICIO [8l
1. Se requiere tener sobre una carga un voltaje de 12 V para una corriente de 500 mA con un
factor de rizo máximo de 0.01%. Diseñar si el filtro es capacitivo.
2. Diseñar una fuente de alimentación no regulada para tener en la carga 24V @ lA con un
factor de rizo de O. O12%. Utilice un filtro LC
3. Diseñar una fuente no regulada para una carga de l O Q a través de la cual circula 2A.
Dimensionar el transformador utilizado.
4. Diseñar una fuente no regulada si la carga requiere 5V para una corriente de 5A y factor de
rizado que no supere el 0.2%. Dimensionar el transformador y los diodos utilizados.
5. Se tiene una carga variable desde 5D. hasta l OOD.. Diseñar una füente de voltaje que
suministre un voltaje de 12 V para cualquier valor de carga y asegurar que el factor de
rizado no supere 0.2%. Diseñe para que el filtro utilizado sea del tipo Pi. Determinar
características del transformador y de los diodos utilizados. ¿Cómo se determina el
PRV de los diodos para cada uno de los tipos de filtros analizados?.
6. Una carga requiere 10 voltios@ 500 mA y factor de rizo máximo de 0.01%. Diseñar la
fuente de voltaje no regulada y utilizar los distintos tipos de filtros. Para cada uno de ellos
efectuar una tabla de comparación. También realizar el filtro tipo Pi reemplazando la
bobina por una resistencia. ¿Resulta práctico este último tipo de filtro?
7. Una carga por la que circula 1A, necesita 12V. La füente toma la señal desde la red de
220VAC. Diseñar la fuente no regulada, incluyendo el diseño del transformador y
seleccionando el calibre de los alambres. Utilice el filtro Pi, y luego hacer el diseño con el
filtro con condensador.
Ahora, la tensión de ·red sufre un cambio ¡:le ± 1OV. ¿Cuánto cambia el voltaje en la carga
debido a esa fluctuación en la red? .
8. Mencionar tres cargas que requieran factor de rizo pequeño y tres cargas en las que el
factor de rizo no es crítico.
1.7.2 MULTIPLICADORES DE VOLTAJE

Otra aplicación de los diodos son los multiplicadores de voltaje; son circuitos que a partir de
diodos rectificadores y condensadores se obtienen voltajes mayores que los aplicados
desde un generador o secundario de transformador.
El primer prototipo de estos multiplicadores se muestra en Ja FIG 1.53 en el que se dispone de
dos diodos rectificadores y dos condensadores.
El funcionami ento del circuito se explica con la ayuda de los circuitos de la FIG l .54.
Para facilitar la explicación del funcionamiento, se asume que los diodos son ideales, ~ntonces
se comportan como corto circuito cuando conducen y circuito abierto cuando no conducen .
l. ELDIODO ELEC:rnÓNICA ANALOGA : TEORÍA Y LA DORATORIO l J >
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: l'vfULTfPLICADORES DE VOLTAJE
Cl
va
~
D2
V!
1
01
C2
I R3
FIGl.53
-vl'r!+
1~
+
~
C! D2 VO
~
+ j C2 _,_
Rr,
......._ ----..--
(A)
......._
-,
-Vrir+
1~----,...__,,--_ __ __ _ _,.__l +
-- !
r + CI D2 + vo
'""'\
,.-,_ .1
l
J___ c2
f
I~ 2v., j
R1
~ 1
; ~-----------~- (8)
-----..
1
FTGl.54
,....... ;
l Inicialmente se considera el semiciclo negativo como indica el circuito de la FIG l.54(A),
l
- luego el di odo D 1 queda en conducción y se reemplaza por un corto circuito, así que e!
condensador C 1 se carga al voltaje VM dado por el generador con la polaridad indicada. Todo
lo que se encuentra a la derecha del diodo 0 1 no opera durante el primer semiciclo negativo.
,.-..
1
..-... t ¡
Termina el semiciclo negativo e inicia el semiciclo positi vo tal como se indica en el circuito de
l
la FTG1.54(B); en esta nueva situación el diodo D 1 se polariza en inverso así que se representa
como tin circuito abierto, mientras que el diodo D2 queda en conducción directa,
reemplazándose por un corto circuito. Entonces se establece una malla como se indica en la
figura y el condensador C 2 se carga a 2V~1, puesto que se suma el voltaje pico del generador
con el voltaje almacenado anteriormente en el condensador e, (observar Ja polaridad de los
voltajes). Significa que durante este semiciclo, la carga está viendo el doble del voltaje pico
del generador.
1. ELDIODO ELECTRÓNICA ANi\LOGA: TEOlliA Y LABORATORIO } ] 4
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
Al llegar el siguiente semiciclo negativo, retorna la situación inicial, es decir: D1 en

conducción, C 1 se carga al voltaje del generador con la polaridad indicada y C2 se descarga a
través de la carga Ri,. Al siguiente semiciclo positivo, D 1 se abre, D2 entra en conducción, C2
se recarga al voltaje 2 V i\I, y así continua el proceso mientras se tenga aplicado el voltaje del
generador.
Jdealmente el condensador C2 almacena el doble del voltaje del generador y, además, por
efecto de la rectificación, el voltaje sobre la carga es continuo.
Entonces el circuito de la FlG 1.53 es un doblador de voltaje de media onda y,
además, ese voltaje es continuo. Es de anotar, que el voltaje sobre la carga no es
exactamente el doble del voltaje del generador, puesto que los diodos no son ideales y,
además, dependiendo del valor de la carga, el condensador C 2 se descargará más rápido o
menos rápido.
vr EJE~"IPLO
Analice un circuitc• como el de la FIGl.55 . Efectuar su simulación.
D1N4002
Cl vo
· r~~u
Vl
D2
~
DI C2 ~
1 D1N4002 tOOu RL
~------+-----1 lOk
FIGl.55
SOLUCIÓN. ~
El circuito propu• :sto tiene un voltaje pico del generador de VI\( = J OOV y 60 Hz de
frecuencia. Los di· )dos son 1N4002, los condensadores iguales y de l 00 ~tF y la carga es de "-'
lOK.
El resultado de la simulación en PSPICE se muestra en la gráfica de la FTG 1.56. De los
voltajes anotados en la gráfica, uno es el voltaje pico suministrado por el generador y el
segundo es el voltaje promedio o DC sobre la carga; la diferencia de los dos voltajes es la
suma de caídas en los dos diodos, es decir, en cada diodo cae: Vn ~ 0 .75V.
Se observa que el rizado en el voltaje de salida es muy pequeño y, quitando la pequeña caída
de los diodos. prácticamente todo el voltaje pico del generador se convierte en OC; sin
embargo, si se reduce el valor de la carga y/o el valor de los condensadores. ese rizado va a ser
1
-~
1. ELDIODO ELECTRÓNICAANÁLOC;A:TEOHIAYLABORATOIUO 115

grande, y la descarga del condensador C 2 sobre la carga va a ser más rápida. Esta apreciac1on
se puede notar en el resultado de la simulación de la FIG 1.57 en donde RL = 100 .O..
,,...._.
118 . 57142857U~----------------------------- - ------------ - ------ - ---- - ---------------~
Vo = 98 5 ._J
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1.115 1.1 2 5 1.145 1 . 165 1.185
a U( v o) •· U(vi)
FIGl.56
99U ..- - - - - - -- - ----- - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - -- --- - - - - - - --- - -- - - - - -,,,.-.,. - - - - -- - - -- - -- --- --- -- - - - ,

: / /' \ Vomax = 98 . 386V /~' :
' / / ' / -~ . NI VEL CONTINU01 :
/ \ ! \ EN LA CARGA
50U ~
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1.26s 1. 2 7s 1.295 1.29s 1 . Jlls
o U(vo) o U(vi) ... AUG(U( v o))
Time
FIG 1.57
En el resultado de la simulación dado en la FlGl .57 hay varios aspectos para analizar .
./ Se aplica un a señal desde un generador con amplitud pico : V i\I = 100 V @ 60Hz.
./ El circuito es teóricamente un doblad or de vo ltaj e de media onda, es decir, sobre la carga
se espera tener un voltaje continu o: Vo = 1OOV
./ Sin emb argo, la carga R1, es de un valor óhmico bajo ( 100.0.), lo que hace que el
condensador C 2 se descargue más rápid o.
1. ELDIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORIA Y LABORATORIO J J6
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: l\fULTJ:PLICADORES DE VOLTAJE
./ Ese valor bajo de la carga hace que sobre ella se tenga una señal de rizado bastante grande
y. como consecuencia, un nivel continuo más bajo si se compara con el nivel obtenido en
la simulación de la FlG 1.56 .
./ Efectivamente, en la señal de la FIGl.57 se tiene: Vomáx ~ 98.386V, Vomín ~ 33.9V y
un nivel continuo dado como el promedio de esos dos voltajes: Voavg = 66. 14V (avg
significa average); en la simulación se lee un voltaje DC: Vonc = 64. l2V. En forma
comparativa se concluye c¡ue entre menor sea la resistencia de carga, mayor será el voltaje
pico-pico de rizado y menor será el voltaje continuo en ella .
./ Entonces surge una primera limitación del multiplicador de voltaje y es que: para cargas
muy pequeñas, el multiplicador prácticamente pierde su esencia, entonces el circuito es
adecuado para manejar corrientes pequeñas (cargas de valor óhmico alto) . Pero ¿qué
sucederá si la frecuencia del generador es más alta?. ¿Será que para frecuencias altas, el
multiplicador se hace adecuado para manejar corrientes altas?. Queda por resolver estas
interrogantes .
./ De acuerdo al funcionamiento del circuito explicado anteriormente, cuando se tiene el
semiciclo negativo el condensador C 1 se carga o recarga y, simultáneamente el
condensador C2 está en el proceso de descarga a través de Rr,. Pero en el resultado
mostrado en la FIG 1.57 se observa que el proceso de descarga se inicia cerca de la mitad
del semiciclo positivo (antes de completar los 90º del semiciclo positivo) hasta más allá de
la mitad del semiciclo negativo (posterior a los 270º del ciclo total). Este comportamiento
tan lejano de la explicación teórica se debe precisamente al valor tan bajo de la resistencia
de la carga. Se indica en la figura el punto en donde termina la descarga de C2 y se da
cuando la señal del generador tiene: vi = -66. 1Y; si suma el voltaje de vi en ese punto con
el voltaje que tiene almacenado C2 da exactamente l OOV (pero observe la polaridad de los
dos voltajes para que se de la suma).
Por último, es importante utilizar los diodos con las especificaciones adecuadas, en especial lo
referente a la corriente directa y al voltaje pico inverso.
El primer parámetro, la corriente directa que debe suministrar el diodo está dada básicamente
por el voltaje promedio en la carga y el valor de esta carga, es decir:
If > Vavg / RL
El máximo voltaje inverso que debe soportar los diodos es igual al voltaje que almacena C 2, es
decir, 2Vl\t, así que:
PRV>2Vi\r
Otra alternativa del doblador de voltaje se presenta en el siguiente ejemplo.
(jJ=> EJEIVIPLO
Analizar el circuito que se muestra en la FlG l.58.
SOLUCIÓN. -f
l. ELDJODO ELECTHÓNICA ANALOGA: TimnfA y 1,A130RATORJO 1l7
' Se presenta otra alternativa al circuito

analizado anteriormente, y es un multiplicador
de voltaje denominado doblador de onda
completa. Lo conforma el generador, dos
diodos y dos condensadores, pero se observan
algunas diferencias respecto al doblador de
media onda: cuando se presenta el semiciclo
positivo del generador, el diodo D1 conduce y
carga a C 1 al vo ltaje VM con la placa superior
más positiva; simultáneamente, D 2 está
abierto. En el semiciclo negativo, D 1 se
polariza en inverso y D 2 entra en conducción,
FIG 1.58 cargando al condensador C2 al voltaje VM, con
la placa superior positiva, así que la carga Rr, está viendo la suma de los voltajes almacenados
por los dos condensadores. Teóricamente sobre la carga se tiene 2Vi\f.
100U
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\ Í (220 51-Sm, 81 . 926) \ /
/NIVEL oc EN LA CARG¿\ i
,(209 . 297m, 98 876} · / \ /
'
: ( 2 11 . 756m, 98 . 951 ) \ .
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\. SENAL DEL
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: 215.751m,5 1. 618) \
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2021115 2101115 2201'15 230Jll5 2371'15
o U(Ua,Ub) .. U(vi) ,, AUG(U(ua)-U(ub))
Timl'
FIGl.59
Se muestra en la FIG l.59 la simulación en PSPICE del circuito de la FIG 1.58 y su respuesta a
la señal del generador muestra marcadas diferencias con respecto al doblador de media onda.
Las diferencias entre los dos dobladores estudiados son:
/ En el doblador de media onda uno de los condensadores almacena e! doble de voltaje
mientras que en el doblador de onda completa el voltaje en la carga se distribuye entre
dos condensadores. Así que la disposición del doblador de onda completa tiene una
l. ELD JODO ELECrRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LAílORATOlllO 118
ventaja importante en cuanto a la selección de las características <le los condensadores,

en especial lo referente a su voltaje de trabajo. (Deducir esta ventaja).
/
I
/
I
SEÑAL SOBRE LA CARGA
PARA EL DOBLADOR
DELAF1GIS5 --·
I
l. I
ou { /
FIG l.60
En la FIG 1.60 se superponen las tres señales de interés: la señal del generador, la señal que se
obtiene sobre la carga en el doblador de media onda analizado anteriormente (FIGI .55) y la
señal sobre la carga del doblador de onda completa (FIG 1.58). Las diferencias son apreciables,
considerando qu e se tienen exactamente los mismos componentes, así que se detallan esas
diferencias en la siguiente tabla.
TABLA2
CARACTERÍSTICAS DOBLADOR DE MEDIA DOBLADOR DE ONDA
PARA fGUALES ONDA COMPLETA
COMPONENTES
R!Zl\00 EN LA CARGA MAYOR MENOR
NIVEL CONTINUO EN LA
MENOR MAYOR
CARGA
MANEJO DE CORRIENTE EN
MENOR MAYOR
LA Cl\RGA
VOLTAJE DE TRABAJO DE
Vc 1= VM, Vci = 2VM Vc1 =Vc2 = VM
LOS CONDENSADORES
PRV DE LOS DIODOS 2VM 2VM
TIERRA DE LA CARGA TIERRA DrFERENTE A LA DEL

LA DEL TRANSFORMADOR
TRANSfORMJ\DOR
COMPLE.llDAD DEL
---
IGUAL IGUAL
CIRCUITO
./ Otra diferencia importante (se observa en los circuitos) es que la carga, para el
doblador de onda completa, no tiene la misma tierra que el generador o secundario del
transformador (se deja como interrogante al estudiante si esta característica del
circuito es una ventaja o desventaja)
l. ELDIODO ELEC:rHÓNICA ANALOGA: TE.OflL\ Y LArtORATORIO 119
1.7. APLICACIONES DEL DfODO: MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
Se debe tener en cuenta en el circuito del doblador de onda completa la especificación de los
diodos en cuanto al PRV. ¿Cuál es el voltaje pico inverso mínimo que soporta cada diodo en
este circuito?.
Finalmente, existen aplicaciones en donde se requieren voltajes elevados, mucho mayores que
los que suministra un generador o secundario de transformador, como en algunos de Jos
circuitos de televisión, en donde a partir de tensiones de red ( 11 SVAC) se requieren voltajes
de 1OOOV y mayores (30000V en los TRC (¿ ?) de los televisores a color) y claro está, que
tensiones continuas. Estos voltajes son posibles utilizando los multiplicadores de voltaje. Un
prototipo de este multiplicador se muestra en el siguiente ejemplo.
EJEl\1PLO
Analice el circuito de la FIG 1.61 y efectúe su simulación.
D1N4002 x6 Vo3 Vo5

Cl C3 o C5 o
~ ~
,r~
100u lOOu
,-"\_, Dl D3 D5-
D2 L D6
D4
C4 C6
- -n
C2
lOOu
-n- ___.__
lOOu
___ -+----Ir~--.
lOOu
Vo2 Vo4 Vo6
FlGI.61
SOLUCION.
'
~
El circuito es un multiplicador de media onda de varias secciones. El condensador C 1 se carga
al voltaje VM del generador y todos los demás condensadores almacenan 2VM. Entonces, si
coloca una carga entre el punto Vo 2 y tierra, se tiene un doblador de voltaje (Vo 2 = lOOV); si
la carga se coloca entre el punto Vo 3 y tierra, se obtiene un triplicador, es decir, Vo3 = lSOV;
si la carga se coloca entre el punto V04 y tierra. se obtiene cuatro veces el voltaje, Vo 4 = 200Y
y así_ sucesivamente. Entonces, colocando la carga entre el punto V 06 y tierra se obtiene
Vo 6 = 300 V. Estos son voltajes ideales, considerando la carga infinita. En la FlG 1.62 se tiene
la simulación del circuito multiplicador indicando el voltaje promedio entre cada uno de los
puntos indicados con respecto a tierra.
¿Porqué cada una de las señales mostradas en la FIG 1.62 es lineal y no se presenta rizado?
1. ELDIODQ ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOnlA Y LAl30RA'f0R10 120
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: FIJADORES O RESTAURADORES
400UT------------------------------- --------------------------- ---------------------, 1

1
1
1
. . 1
,._.....
---····--····· ·················----····························-vo6 = 289 • sv •
1
__,,..-·- -··- vos···;·-24·2·v·--········:

~~~--····: ..--······::~.-.-:.·_·_·_·:::.·.·.-
....-.-·--······························--········································-v04···;;;···1·9·4··.· ·3v-¡
¡::,.-·-- -··· Vo3 = 146 . 7V :
?-
oí
. Vo2 = 98 . 3V ;
1
r :
-ou+ -- -------------r---------------r- ---- ----------r----- ----------r--------- ------1
Os 1 • Os 2 • Os 3 • Os 4 • Os 5 • Os
o OUG(U(Uo2)) ~ AUG(U(Uo3)) .,. AUG(U(Uo4)) "' AUG(U(Uo5)) 'º AUG(U(Uoó))
Ji(tle
FIGl.62
1.7.3 FIJADORES O RESTAURADORES

Otra aplicación interesante y práctica de los diodos rectificadores es lo que se denomina
circuitos fijadores o 1·cstaurndores o también llamados sujetadores de nivel continuo.
Son circuitos que hacen que una señal alterna se desplace alrededor de un nivel continuo, es
decií, la señal aplicada desde un generador y que no co ntiene nivel continuo, es superpuesta
con un nivel continuo que genera el circuito. La condición que debe cumplir el circu ito
sujetador es que no debe alterar la forma de la señal de entrada, esto es, que la
carga debe ver exactamente la misma seiial del generador, sin alteraciones: así, si la señal del
generador es una sinusoide, la salida del circuito debe entregar una señal sinusoidal; si la señal
es una cuadrada, la salida del circuito debe entregar una señal cuadrada. Lo único diferente de
la señal de salida con respecto a la señal de entrada es que la nueva señal tiene un nivel
continuo diferente al que entró al circuito sujetador.
En la FlG 1.63 se ilustra lo que se anotó.
+VDcL\
. \ /
o V
SENAL DE
SUJETADOR SALIDA
A
º - ~~/
0
7 S .
>
<
.vóc V '-'
FIGl.63
El circuito lo que hace es desplazar a la señal de entrada hacia arriba o hacia abajo,
dependiendo del nivel continuo que genere.
El circuito propuesto de sujetador se muestra en la FIG 1.64.
---·
l. ELDlODO 11.LECTRÓNIC,\ ANÁLOGA: TEOllÍA y LAllORATOHIO 121
vil vo1 vi2 vo2

Cl C2
~ ~
Vl RL1 V2 RL2
D1
J D2
(A) FIG 1.64 (B)

El sujetador típico contiene básicamente un condensador y un diodo, y el diodo se puede
' disponer en cualquiera de las formas indicadas en la FIG 1.64. La señal que se aplica para el
....__ ~
! análisis es una señal cuadrada y que en el PSPTCE se edita como se indica a continuación.
l.
r" !
f
ts PULSO IDEAL
90o/oVm
L
FIG 1.65
La fuente de señal cuadrada se identifica en PSPICE como VPULSE y su respuesta se basa

en las características de un pulso real como se muestra en la FIG 1.65; un pulso como el ideal
al pasar por cualquier circuito que contenga elementos react ivos (por ejemplo capacidades) el
pulso se deforma quedando como indica en la FIG 1.6 5. De ese pulso se i9entifican los
siguientes tiempos:
td: que significa tiempo de rctnrdo (Delay) y es el tiempo que tarda el circuito en
responder al flanco de subida del pulso ideal y va desde el instante que se aplica el pulso hasta
que la señal ha subido el l 0% del voltaje máximo del pulso ideal.
tr: es el tiempo de subida (Rise); es el tiempo que tarda la señal real en ir desde el 10%
hasta el 90% del voltaje máximo.
ts: significa el tiempo de cargn almacenado (Storage) y es el tiempo que se mantiene el
voltaje de salida, desde el instante que se da el flanco de bajada del pulso ideal hasta que la
amplitud cae al 90% del valor máximo.
tf: es el tiempo ele caída (Fall) y es el tiempo en que el pulso real va desde el 90% hasta el
l 0% del valor máximo.
--
l. E LO IODO . ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOHIA Y LABOllATOIUO 122
1.7. APLICACIONES DEL DIODO : FfJADORES O RESTAlffiADORES
PW: es el tiempo en que el pulso se mantiene en voltaje alto (Pulse Wide).

PER: es el período de la señal, es decir, el tiempo total de un ciclo.
De estas características anotadas, excepto ts, se piden al editar la fuente VPULSE.
Volviendo al circuito de la FlGl .64, se analiza el circuito (A) de la FIGl .64 y para explicar su
funcionamiento, se recurre al circuito de la FlG 1.66. En el se indica la señal de entrada que es
un pulso con voltajes+ V y -V alrededor de O. Se considera por facilidad que el diodo es ideal. -
Inicialmente, se toma el flanco descendente de la señal de entrada, así qúe el generador tiene la
polaridad indicada en la FIG 1.66(A): el menos en la parte superior y el mas en la parte
inferior; con esta polaridad, el diodo queda polarizado en directo así que se establece la malla
indicada.
vil vo1
FLANCO
_ v+
DESCENDENTE ~
()
+V
RLl '--
<
SEÑALD;-1_
ENIRADA -V
"'---'""
+
..__.
(A)
o
AJ vil vo1
LV
V+ SENAL DE
~ SALIDA
+V
1 RLll +
+2V
+
o=f
FLANCO -V
Dl
2V
+v-fl-
o
'-
ASCENDENTE
(B)
.......
FIG 1.66 ..._...
Observe el circuito de la FIG l.66(A); el condensador se carga al voltaje de la fuente (+V) con
la placa derecha más positiva que la izquierda. En la carga idealmente se tiene cero voltios (el
diodo es un corto circuito).
Ahora pasa al flanco ascendente, se produce cambio en la polaridad del generador quedando
positiva la parte superior del generador y negativa la parte inferior; con esta polaridad el diodo
queda polarizado en inverso así que se muestra como circuito abierto y se establece una malla
que cubre al generador, .. el condensador y la carga, como se observa en el circuito de la
FIGl.78(8). En esta nueva situación la carga 've' exactamente la suma de los voltajes del '--·
generador y el voltaje almacenado anteriormente en el condensador, es decir, el voltaje de
salida es +2V.
Al terminar el flanco ascendente se repite el proceso: se inicia el flanco descendente, se

cambia la polaridad en el generador, el diodo queda en directo, el condensador se recarga
.·
l. ELDIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORL\ Y LAílORATOIHO 123
l. 7. APLICACIONES DEL DIODO: FlJADORES O RESTAURADORES
nuevamente al voltaje +V con la placa derecha más positiva y la carga tiene exactamente cero
voltios. .
Termina este flanco e inicia el siguiente flanco ascendente, cambia la polaridad del generador,
el diodo queda polarizado en inverso y sobre la carga se tiene la suma de los voltajes del
generador y el condensador. Y así sucesivamente se repite el proceso anotado.
Para efectos de diseño solo se tiene una condición crítica: para que la señal de salida sea
exactamente igual que la señal de entrada, se debe cumplir que la constante de tiempo del
circuito: i: = RL C sea mucho mayor que el tiempo en que el diodo está en
inverso. En el siguiente ejemplo se ilustra esa condición.
EJEl\tlPLO
Analice el circuito de la FlG l .67 y efectúe simulación del circuito. Invierta el diodo y analice.
¿Qué sucede si se aplica una señal sinusoidal?. Analice esta situación.
--..... '
~
\
~ vil vol
SOLUCIÓN. '1
-.... Cl
::
El circuito es un sujetador y como señal de entrada se
·t ---~~----<~~~~-+~~~--+
¡ aplica una señal cuadrada con amplitud pico de SV
~ ¡ lOOu (Vipp = 1OV) y periodo de 1O ms. La señal es
¡
Dl RLl 5: simétrica, es decir, el semiciclo positivo tiene igual
tiempo que el semiciclo negativo. La constante de
20k
tiempo del circuito es:
i: = R1,1 C1 = 2 s, así que: 't >> T/2.
FIG 1.67 Luego el circuito cumple con la condición que asegura
que la señal de salida es igual a la señal de entrada en su forma. Ahora se muestra la
simulación del circuito en PSPICE. La FIG l .68 presenta las señales de entrada y salida, la
gráfica superior es la señal del generador y la señal inferior es la señal en la carga.
_:. ]:~-~ _I------¡ --- __ ¡------ ¡______ _¡------¡ ______ ¡·-----¡______ ¡------¡
1 ou r:
e U(vi1)
ov ¡------, ¡------, ¡------, 1------¡ . 1
SEL>>: :
- 1 OU + - - - - - - - - - - - - - , - - - - - - - - - - - - - -,- - - - - - - - - - - - - - r - - - - - - - - - - - - - , - - - - - - - - - - - - - -l
Os ·1 0[!15 2 Oms 3 Ons I¡ llfTIS 5 0[!15
e U(vo1)
TifTle
FIG 1.68
l. ELDIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LABORATORIO 124
La salida (Vo 1) está sobre OV y llega a lOV, por tanto, el circuito cumple con su objetivo, es '--
decir subir de nivel continuo a la señal de entrada, sin alterar esa señal.
'
Ahora se observa el comportamiento del circuito al invertir el diodo (queda como ejercicio
analizar el circuito). El resultado de la simulación se muestra en la FIGl.69.
1···---·1 ,------, ¡·---·--:

_,_,J~....1
5.00 - ov . ------ . ,------- ,
o U(vi2)
lnnm o nnm omon o•n•o•'-----J.
10U
1 ----------------------------------- - ------------- - - -- -------- ---- ------------,
~ov : . : : ¡
SEL»¡ 1
-1ou+-----------
1 1 1 1
--,------- - ----- -r--------- -- --- -r--------
1 l 1 l
-,-------
¡
---- 1
Os 1 Orns 21lrns 30rns 40rns S0111s
o U(vo2)
Time
FIGI.69
10U --------------- ---- -- - ·

-
10U --- ------------------- 6.0357 V
su-: 7864V.
ou ~----------- -- ------------ ----· ------- -535 . 714mV

: ~-
'
1
e = 1 uF 8L = 1 oK
: -571 . 429mV J
: C = 1uF, RL = 20K -1 OU-i--- --- -------r--------- ·

-su~------------~-~------ -
Os 1 Oms
os 10ms
c~~i u( vo1)
C~:: U(vo1) Time
(A) FIGl.70 (B)

El resultado está de acuerdo a su análisis, el nivel continuo que genera el circuito es negativo,
así que la señal del generador se desplaza por debajo del cero quedando la señal en la carga
(vo 2) entre OV y -1 OV.
Si no se cumple la condición que i: >> T/2, el resultado es que el circuito deforma a la señal
de entrada como se observa en las gráficas de la FI G l. 70
Como se anotó, al reducir la constante de tiempo del circuito RLC, y hacerla comparable o
inferior al semiperiodo de la señal del generador, la señal de salida se deforma como
efectivamente se observa en las señales de la FI G l. 70. Para cada una de ellas se especifica el
valor del condensador y la carga que se utiliza, así se tiene: para la señal de la FIG l. 70(A) la -
constante de tiempo es: t = 20ms, tiempo comparable con T/2 = 5 ms.
l. ELDIODO ELECrnóNICA ANÁLOGA: n:oniA y LABOllATOIUO 125
Este tiempo comparable implica que el condensador se

1 ou - -- - - - - - - -- -- alcanza a cargar con polaridad contraria (placa derecha se
carga negativo y la placa izquierda se carga positivo) antes
de que termine la mitad del ciclo, es decir, cuando el diodo
está en inverso, entonces la salida alcanza a perder:
lOV - 7.864V = 2.136V y es este el voltaje que carga el
condensador con polaridad contraria.
ou -i--------- En la gráfica de la FIG l. 70(B), la constante de tiempo es de
1Oms, siendo un tiempo menor que el semiperiodo de la
señal de entrada y mayor es el voltaje que pierde la salida
respecto a la entrada, ahora pierde IOV - 6.0357V = 3.964V
y que es el voltaje que almacena el condensador con
C = uF , 8L . = 1K polaridad contraria. Por último, en la señal de la FIG 1.71, la
1 0U .;. - - - - - r - - - - -
_I _ - - - - -
constante de tiempo es de 1 = l ms < T/2, luego la señal de
Os 1 Oms
salida es completamente deformada, y se hace cero voltios
¡~~)U{vo1)
antes de terminar los Sms del semiperiodo; significa que
cuando la carga pierde todo el voltaje, el condensador carga
FIGl.71 todo el voltaje de la fuente con polaridad contraria.
Se observa en las tres señales que, cuando termina el semiciclo en q~e el diodo está en inverso
y se inicia el semiciclo en el que el diodo queda polarizado en directo, se presenta un
transiente de voltaje negativo. En la FlG l. 72 se indican esos transientes (un transiente es un
pico de voltaje grande que sucede en un tiempo muy pequeño).
cu ¡-------·--~ -----
: ~ ••J'.:.571 .:429mV
----- ·-t=:
1
ou ~-----------F
:
_.: :. :._- - - - - - --· --¡-----
-535.714mV
'. .,.
' RL · = 1K
TR.ANSIENTEDEBrDO AL e 1 uF, 8L lOK C= uF,
VOLTAJE QUEAL"l\·lACENA EL - 1 cu ..!..-r-+
CONDENSADOR EN EL
SEl\-IICICLO ANTERIOR
FIGl.72
Esos transientes . se generan porque el condensador se carga en el semiciclo anterior con
polaridad contraria a Ja normal del sujetador, como se dijo anteriormente, (recordar que la
carga normal del condensador para el circuito es: la placa derecha se carga positivamente y Ja
placa izquierda se carga negativamente). Entonces cuando llega el semiciclo en que el diodo
pasa a polarización directa, un instante antes de lograr esa polarización el diodo, presenta aún
comportamiento de circuito abierto y la carga ve en ese instante el voltaje negativo del
condensador. Es un pico de voltaje muy corto en tiempo, pero puede ser tan grande en voltaje
como en la gráfica de la FIG 1.71 en donde el transiente alcanza - lOV. Entonces, el transiente
es exactamente igual al voltaje que perdió la carga en cada caso pero negativo.
Por último, al circuito de la FlG 1.67 se cambia la señal cuadrada del generador por una señal
sinusoidal de 1 KHz de frecuencia y 1O Vp. La señal de salida, como se espern, es desplazada
arriba del cero, así que la señal de salida, teóricamente, queda sobre cero voltios y llega hasta
L ELDIODO ELI~CfRÓNlCAA:"lÁLOGA: TEOlliA Y LABORATORIO 126
20V; sin embargo, como se observa en la FIG l. 73, la señal de salida queda abajo del cero en
0.647V, que es el voltaje del diodo cuando queda en conducción; recordar que cuando el diodo
queda en conducción, presenta la tensión de la barrera de potencial de la juntura y como el
diodo está en paralelo con la carga en el circuito y, además, el cátodo está hacia arriba,
entonces es como si se colocara una fuente de voltaje negativa en paralelo con la carga de
valor igual al potencial de barrera del diodo. Las gráficas de la FIGI.73 resultan con
e = i oo µF y RL = 20 K.
En la FIG l. 74 se presenta otras señales, pero ahora se reduce la constante de tiempo
colocando C = 1 µF y Rr. = 1K.
,_
2ou 1 ----- - -------;<-- -- ---- - ---- -- --------~:- - ---- - --- -- ----- - ------ ~ ~------ -- ·
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1
-1 ou + -- - - - ,- - - - -- -- - - -- - - - -- - ----,--------- ----------- -----r---------------1
11.7m5 12 . 0ms 13 - Oms 14. Oms 14. 611'15
o U(vi 1) ., U(vo1)
Time
FIG 1.73
200 -- ---- --- -------------------- --- ----- -- ---- -- --------- - ------- - --------------
: C = 1 LlF , Rl = 1 K
1
. . :
1
1
1 15 . .782V 1
1 t
1 1
1 ou, • • • •
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Vo. / , / "'
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-1 OU +- -- - - - -':.'•---~ - - - - - - - r - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - r - -- - - - --'::.~~--- - - -- - - r- - - - - - - -- --l
11.5111s 12.0ms 12.5111s 13.0ms 13 . 3ms
o U(vo1) ., U(vi1)
Time
FIGl.74
Como resultado de la reducción de la constante de tiempo (t = 1 ms) la señal de salida sufre

dos alteraciones: reduce su amplitud y di storsiona. Si se detallan las señales de la F1G l. 74, la
señal de salida (Vo) tiene forma diferente a la señal de entrada (vi), sin embargo, la señal de
salida sigue siendo sinusoidal.
-
Cuando se tiene una señal sinusoidal y no se aprecia a simple vista si esa seiíal tiene distorsi ó n
(se entiende como distorsión la alteración de una señal respecto a otra), existe una herramienta
en el PSPICE que es el rouricr (el Teorema de Fourier es una herramienta matemática que se
1. ELDIOD.0 m.ECTRÓNICAANÁLOGA: TEOHIA YLADORATOilIO 127
utiliza para el estudio de las señales) y que aparece en el PROBE con un icono como el que
se muestra al lado. Picando con el mouse este icono, la señal sinusoidal se transforma
en una serie de transientes con el eje vertical en voltios y el eje horizontal en hertz. Sin
•
profundizar en el tema de la teoría de Fourier porque no es el objetivo, esa serie de
transientes nos indica la cantidad de distorsión que tiene una señal. Por ejemplo, si la señal es
una sinusoide pura, solo existe un transíente de máxima amplitud ubicado en la frecuencia
de la señal seno; a este transiente se le denomina la fundamental o primera armónica.
Cuando la gráfica muestra mas de un transiente, significa que existe distorsión. Pues bien,
volviendo a las señales de la FIG l. 74, se habilita el icono de Fou rier en el PRO BE y se
obtiene la gráfica de la FIG 1.75.
En la gráfica de abajo se presenta el Fourier de la señal de entrada (vi) y, como se observa,
tiene únicamente un transiente, la fundamental que está ubicada en la frecuencia de 1 KHz;
entonces la señal de entrada no tiene distorsión y es una sinusoide pura.
En la gráfica de arriba, la señal corresponde al Fourier de la salida (Vo) y contiene la
fundamental que es el primer transiente (el de la izquierda) o primera armónica y otros
transientes muy pequeños en amplitud, pero que indican que la señal de salida presenta
distorsión. Se indican en la gráfica la segunda armónica, tercera armónica y cuarta armónica
ubicadas en 2 KHz, J KHz y 4 KHz respectivamente. El hecho de tener pequeña amplitud esas
armónicas significa que la distorsión es pequeña, pero ¡existe distorsión!
Entonces cuando se tenga duda de la fidelidad(¿?) de alguna señal o simplemente se quiera
determinar gráficamente la distorsión de una señal mediante la simulación en PSPICE,
recurrir a la herramienta del Fourier: esta es una de las muchas herra mientas de este paquete
de simulación.
En esta forma se termina el análisis pedido en el ejemplo.
8 .333:133333U T -- -
1
----- --F-oüP.IER-oE--LA----- --- ----------------------------------¡
SENAL DE SALIDA :1
1 1
: - - - PR l ME P.A AP.MON 1CA :
: SEGUNDA ARMONICA :
SEL>> :
:
:1
,
[
l~--- TERCERA ARMON 1CA

¡-- CUAR TA ARMON ! CA
~
:1
¡
:.
'
ou.1-.r~1'--~-~-~-~-"-~~-~---~------~-~~
e U(vo1)
10UT ------ -- --- ---- --------------- ------- -- ---- --- ------- - --------------,
PR 1MERA ARtlON 1CA :
LJ
, O FUNDAl"IEtHAL . . •
:
:
1 NO EXISTEN MAS
ARMON !CAS
¡,
1 1
'----------------------------~1
1
1
1
FOUR I ER. DE LA :
, SENAL DE ENTRADA _ :
-1ou +---- - --------,--- -- ---- ---- ---- --r -------------- - ---, ------- - - ---- -- ~
0.5Kllz 2. 0l<H z 4.0K llz 6.0l<Hz 7.7 Kllz
e U(vi1)
Frequency.
FIG 1.75
- - ../
l. ELDIODO ELECrRÓNICAANALOGA:TEORÍA YLAllOHATOIUO 128
El sujetador estudiado en el ejemplo anterior es el circuito común, sin embargo, se pueden

hacer algunas adiciones a este circuito. Una adición es colocar una fuente de voltaje continuo
en serie con el diodo. Lógicamente, el valor del voltaje de la fuente añadida debe ser menor
que el voltaje pico de la señal que se quiere sujetar: Yoc < Vp. En la FIG 1.76 se presentan
algunos circuitos con la fuente continua.
vol
mr.~I
vol
mr.~I
vi Dl '111 DI
"-... RL "-... RL
V V ---
-=- (A} -::" {B)
vol
'Js~,
vol
mlr~' '111 DI vi Dl
"-... RL '"""-" RL
V V
(C) (O)
FIG 1.76
EJERCICIO [81
1. La FIG l. 76 añade la fuente continua a los sujetadores. Analice cada uno de los circuitos de
la FIG 1. 76 y dibuje la curva de transferencia
2. La FlGl.77 corresponde a las señales de uno de los circuitos de la FlGl.76, solo que la
señal aplicada es un diente de sierra con amplitud pico-pico de lOV que se obtiene con el
generador PULSE del PSPICE. Aparece en las señales de la FIG l. 77, la señal de salida
(vo1) superpuesta a un nivel continuo de 5V. Deducir para cuál de los circuitos de la
FIG 1. 76 corresponde esas señales.
3. Si se desea que la señal de salida qUede con un nivel continuo de -5V, a ¿cuál de los
circuitos de la FIG 1. 76 corresponderá esa situación?
4. Se desea aplicar desde el generador una señal triangular utilizando el PSPICE, que tenga
una amplitud pico-pico de 20V al circuito de la FIG l. 76(0), colocando una tensión de
fuente continua de 8V. Construya el circuito con los valores adecuados de RuC 1 para que
no se presente distorsión en la señal de salida y efectuar la simulación. Verificar con la
l. ELDIODO El.ECTilÓNICA ANALOGA: TEOHIA Y L.\BOHATOIUO J 29
........... 1.7. APLICACIONES DEL DIODO: RECORTAOORES
herramienta Fourier que el número de armónicas de la señal del generador es exactamente

igual que el de la señal de salida.
5. Genere una señal cuadrada de 20 V pico-pico y aplicarla al circuito del numeral 4.
Provocar la distorsión de esa señal en la salida y analizar el Fourier. Anote las diferencias
de los Fourier de las señales de entrada y salida.
ZOUT-----------------------------------------------------------------1
vi 1 ·
1
1
1 1
1 1
-1ou +- ---------- ----,------- ---------r---- -----------,-- --------- -----1
Os 2oous 1.1 oous 600us soous
o U(vi1) " U(V01)
Time
FIG t.77
1.7.4 RECORTADORES
Otra aplicación para analizar de los diodos rectificadores son los recortadores también
conocidos corno lirnitadores. Son circuitos que toman una señal de generador y la recortan,
con la posibilidad de sujetarlas a algún nivel continuo de referencia.
En la FIG l. 78 se muestra uno de es los
circuitos; consiste de un diodo , una fuente
vo conti nua que es la que fija el nivel de
referencia y dos resistencia, una de ellas la
carga. La señal de entrada es un generador de
>
señal variable, normalmente sm nivel
RL continuo.
Para el análisis del circuito, se puede
considerar corno primera aproximación que el
diodo es ideal, esto es, al polarizarlo en
directo es. un corto y cuando se polariza en
inverso es un circuito abierto.
FIGl.78 Con esta aproximación se recurre a la FIGI.79
en donde se muestra la señal de entrada y el nivel continuo de la fuente V indicado como nivel
de referencia; estas dos señales se superponen y se dibuja una zona sombreada que indica la
1. ELDIODO ELECTllÓNICAANÁLOGA: TEOlllA Y LAllORATOIUO 130 .....,,.
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: RECORTADORES
zona en que la señal de entrada está por encima del nivel continuo. Analizando el circuito de la
FlG 1. 78, cuando la fuente continua V es mayor que el voltaje de la señal del generador, V> Vi
el diodo está en directo, así que reemplazando al diodo por un corto circuito la señal de salida,
sobre la carga es el nivel continuo V. Significa que en la gráfica de la FIG l.79(A), para todo
lo que no esté sombreado la salida es +V.
+V NIVEL DE
------REFERENCIA
vi
(A)
SENALDE
SALIDA
'
'
:
(B} .'
FIG 1.79
Ahora, cuando el nivel de referencia está por debajo de la señal de entrada, es decir, V <Vi, el
diodo está polarizado en inverso y al reemplazarlo por un circuito abierto, la salida está viendo
al voltaje de entrada; entonces, para las zonas sombreadas de la gráfica de la FIG l.79(A), la
señal de salida es igual a la señal de entrada. En Ja FIG 1. 79(B) se tiene la señal observada en
la carga.de donde se deduce que la señal de entrada ha sido recortada por el circuito.
Resumiendo, se tiene: Para V> Vi, Vo =+V
Para V< Vi, Vo = Vi
Para el análisis del circuito de la FlG 1.78, se considera un circuito equivalente del diodo
cuando se polariza en directo y cuando se polariza en inverso, así, cuando el diodo se polariza
en directo se reemplaza por una fuente Vf que representa el potencial de barrera y en serie una
resistencia rf, mientras que el diodo polarizado en inverso se reemplaza por una resistencia
rr. En la FIG 1.80 se muestran los dos circuitos equivalentes.
(A) (B)
CIRCUITO EQUIVALENTE CIRCUITO EQUIVALENTE
DEL DIODO POLARIZADO
EN DIRECTO DEL DIODO POLARIZADO
EN INVERSO
FIG 1.80
l. ELDIODO ErnCTRÓNICAANALOGA: TEORIA Y LABORATORIO 131
Basados en esos circuitos equivalentes se presenta en la FIG 1. 81 tres circuitos que indican: la
figura (A) es el circuito recortador que se analiza, la figura (B) es el circuito cuando se da la
situación que V > Vi (recordar que Vi es el voltaje de la señal de entrada), y la figura (C)
corresponde a la situación cuando V < Vi.
R 6
Vo R
Vi Vi Vo
V1 R Vo
rr l
l
D Vr
'"\.,,
- RL
.- RL RL
(A) RECORTADOR (B} V>V¡ (C} V< V¡
FIGl.81
Cuando el voltaje de la fuente V es mayor que el voltaj e del generador, predomina la fuente V
(esta situación comprende todo el semiciclo negativo y parte del semiciclo positivo de la señal
del generador como se indica en la FIG 1.82).
Entonces se establece una malla cuyo sentido la fija la fuente V y que se da como:
Para el semiciclo positivo de la señal Vi :
R Vo -V+ Vf + (rf + R) lf+ Vi= O (A)
VI
+
..L- y para el semiciclo negativo de Vi:
hJ~f
-V+ Vf + (rf + R) If - Vi= O (B)
- +
De las dos ecuaciones se despeja If:
'"'-' RL
+
lf = (V - Vf + Vi) I (rf + R) (C)
-. v1 (\
Y se: determina el voltaje sobre la carga Yo:
Yo= rf lf - Vf +V (D)
Reemplazando la Ec(C) en la Ec(D) se tiene:
FIGl.82 Vo = (V - Vf ::¡: ~!L.r - Vf +V (E)

rr + R
Como situación particular; si R » rf, la Ec(E) se reduce a:
(V - Vf ::¡:Vi)
Vo = --------··
R r -
r
Vf +V (F)
1. ELDIODO . ELECTHÓNICA ANALOGA: TEOllÍA Y LABORATORIO 132
l.7. APLICACIONES DEL DIODO: RECORTADORES
Reemplazando valores y variando a Vi, se obtiene la respuesta del circuito para la primera
situación: V > Vi (el subíndice f en las
ecuaciones indica forward) .
Vi Vo Ahora se analiza la situación cuando V < Vi,
se obtiene un circuito como el de la FIGI.83.
+ Como se comentó anteriormente, el diodo se
rr reemplaza por una resistencia rr de valor muy
grande (el subíndice significa reverse), se
Ir
RL establece una malla como se indica en el
circuito y que es:
+
v-=- -Vi +(R+rr)Ir+V=O (G)

De donde:
Ir = (Vi - V) / (R + rr) (H)

Y el voltaje sobre la carga, Vo es:
FIGl.83 Vo = rr Ir + V (1)
Reemplazando la Ec(H) en la Ec(I) se llega a:
Vi - V
Vo=---- r +V (J)
R + rr r
Como situación particular, si rr » R, la Ec(J) se reduce a:

Vo ~Vi
EJEMPLO
Analizar el circuito de la FIG\.78 con los valores que se indican en la FIG\.84 y considerando
que : Vf : : :; O. 7V, rf:::::; l 00.0., rr:::::; l OOK y Ja señal del generador tienen la forma:
Vi = 1O sen(2n 103 t). Efectuar simulación del circuito.
SOLUCIÓN. -'1
Vi R Vo El análisis se reduce a reemplazar los valores de los
1K componentes en las ecuaciones (E) y (J), haciendo un
+ rastreo (variación) de la señal Vi
RL Para V> Vi de la Ec(E):
V 20K
, (V - Vf :¡: Vi)
sv - , . o =- -- ---·-- .. --- r - Vf +V
rr + R r
Reemplazando valores en la Ec(E) se tiene:
FJG 1.84 Yo::: 4.691 ~: 0.09 1 Vi

1. ELDIODO F.LEC:rnóNIC:,\ .\NAT.OG,\: nwnlA y LAUOnATOIUO l 33
1.7. APLrCACIONES DEL DIODO: RECORTAOORES
Recordar que el +Vi corresponde a los scmiciclos positivo (-) y negativo (+) de Vi. Dando
v_alores a Vi se obtiene la siguiente tabla (solo se dan los valores enteros de Vi).
Para el semiciclo negativo de Vi:
Vi -lOV -9V -8V -7V -6V -SV -4V -3V -2V - IV
Vo 3.78V 3.87V 3 .96V 4.0SV 4. 15V 4.24V 4.33V 4.42V 4.51 V 4.6V
Para el semiciclo positivo de Vi:

Vi ov lV 2\1 JV 4V 5V
--
Vo 4.69V 4.78V 4.87V 4.96V 5.06V 5. ISV
1 1
Ahora, para cuando V< Vi, de la Ec(J), reemplazando valores se obtiene la siguiente tabla:
Vi-V
Yo= ..- -.. r +V
R + rr r
Vo = 0.99Vi + 0.0495
Vi 6V 7V 8V 9V lOV
Yo 5.99V 6.98\/ 7.97V 8.96V 9.95V
Llevando a una gráfica las tres tablas se obtiene la resultante en la FlGI .8 5 en donde se
muestra la señal de entrada Vi y la señal de salida Vo (en trazo grueso).
101---·-~c--------------;,....,.-------------,..,---
a 1----1--_....-----------J.J.~'----'~-------------·~--'---
61--~f--------------~---_....,---------~--_...-
4 ·-·- ..... -..................................._......._.....................................................................\ .........- -......................................................... - ............

2 1
..
~ ===:::==~~?\~==
1---------'T----~1
-41---------
..._,_______________,,______
-
. .-.. . . . . . . . . . . . . . . _. . . . . . .\. _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . _. . .
---·-·--------!.
--------¡-- -- · - -----·
-01----------'r--·--.;-..----------+----1-------
~ 1-----------..,.....--r-----------~'---;'----------
.10 ,,_________,,__ ,,_ ___________ ..__
FIG l.85
Se observa el recorte que el circuito provoca a la señal de entrada, permitiendo el paso de solo
una parte de esa se ñal.
Ahora se realiza la simulación del circu ito de la FIG 1.84 en PSPICE. La señal que se obtiene
se muestra en la FIG l.86 y es muy semejante a la gráfica de la FIG l.85 .
1. ELDIODO ELECTHÓNIC..\ ,\NALOGA: TEOIÜA Y LABORATORIO 134
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: RECOiffADORES
' '
' '
'
1. 4.29v • 1
'
1
1 • • 1
.
1' ' '
,,
1'
'
1
ou,,j_~~~~~~~~~~~~~~~~.~~~~~~~~~~~~~~~--..--~~~
,\
'
. ' '
,.'
1
•
..
1 ..
'
'..._-
1
-5U ~
SENAL .DE · :
ENTRADA '
1
' . ,.. . .•
·1 ou +-- - - -- -- - - - - - -- - -T- - - -- - _ _:."°'":- - - - - -- ,- - -- - - -- - - - - - - - - - -1- - - - -- - ---~- - - - - - - -r- - ---- - - ·
Os 0.51115 1 . 0fllS 1.5fllS 2.01115
o U(Uo) o U(Ui)
FIG 1.86
Así como el circuito de la FIG 1.84, se pueden hacer diferentes combinaciones de la posición
del diodo y de la fuente de referencia. Esos arreglos se muestran en los circuitos de la
FlGI .87.
. Vi Vi R Vo
~-r
R Vo
----
º1
. D
V1
~RL '1 S RL '\_, RL
V V V
(A) (B) ..,. (C)
Vi<> R ,., Vo
v.t,~~trn· "º
Vi R Vo
¡1 .
-'Vl/v~ll
V V
VI
D
º~Lr
RL "\.., D RL
~E) L
t.
(O) (F)
,.
~
l. ELDIODO ELECrnÓNICA ANALOGA: n:o1dA y 1,ABOHATOJUO 13 5

Yo Vi R
11 ~Vo
R
~Vo
Vi
.....
11
V V V
--.
D RL '\.., RL '\.., RL
- (G) - (!·!) (1)
~Vo
Vi R
11~1Vo
r
I/! R
,,.,__
11
V V O
, --- 0 -1 02
,......_ ~RL '\_, RL '\.., RL
V1-=--
r-
(L)
-:- (K)
FIGI.87
Cada uno del circuito de la FIG 1.87 tiene su característica de la señal de sal ida; entonces se
propone analizar el circuito de la FIG 1.87(0) por lo que se recurre a los circuitos de la
FTG 1.88 para facilitar su análisis.
El circuito de la FIG l.88(A) es el que se analiza; contiene la fuente continua V cuyo valor
debe ser inferior al voltaje máximo de la señal Vi.
Inicialmente se tiene el semiciclo positivo de la señal de entrada y, como se observa en la
FIG(B), la señal Vi y la fuente V coinciden en polaridad y pol ariz~n en directo al diodo, así
que se reemplaza el dispositivo por su circuito equivalente. Planteando la malla indicada en la
F!G (B) se obtiene:
O = - Vi - V + Vf + (R +rf) lf
De donde: If = ( Vi + V - Vf) I (R + rf)
,-. Y el voltaje sobre la carga Yo se define como:
Vo=Vf+rflf
Reemplazando la corriente lf se llega a:
Vi+ V- Vf
Yo= Vf + rr --··-- ---·- · ·- ·- (A)
R + rr
Ahora inicia el semiciclo negativo de Vi, entonces se presentan dos sit uaciones: la primera,
cuando Vi < V, por lo que el diodo sigue en conducción como se indica en la FIG l .S8(C).
Planteand o la malla indicada en el circuito se tiene:
l. ELDIODO ELEC.TRÓNICAANÁLOG.\: TEORÍA y LABORATOlllO 136
V
Vi + Vo Vi + Vo
+
11
-=-vr
+ + ----
D RL f'f RL
(A) CIRCUITO (B) SEMICICLO POSITIVO

RECORTADOR
R Vo
Ir
(C) Vi< V (D) Vi> V ~

SEMICICLO NEGATIVO
FIG 1.88
O= +Vi -V+Vf +(R +rf)Jf

De donde se obtiene:
lf = (V - Vi - Vf) / (R + rf)
El voltaje sobre la carga es:
Yo= Vf+ rf lf
V-Vi-Vf
Así que: V o= Vf +rr - - - -- (B)
R+rr
Como se observa, las ecuaciones (A) y (B) son diferentes. La segunda situación se tiene en el
scmiciclo negativo cuando Vi > V; ahora el diodo se polariza en inverso y se tiene un circuito
como el que se indica en la FIG 1.88(0) en donde se indica una malla con la corriente lr
(corriente inversa). La malla queda:
O= - Vi+ V + ( R +ne) fr
Por lo que: Ir= (Vi - V) I (R + RL)
Así que el voltaje sobre la carga Vo es:
Vo = - RL Ir
l. ELDI000 ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOHIA Y LABORATORIO 137
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: RECORTADOHES
Vi-V
Vo=-R - - - (C)
t. R+R
l.
Resumiendo el análisis, para el circuito recortador de la FIG l .88(A) se tienen tres situaciones:
l. Semiciclo positivo de Vi, la polaridad de Vi coincide con la polaridad de la fuente V y
el diodo D está en conducción durante todo el semiciclo, teniendo un voltaje sobre la
carga dado como:
Vo = Vf + rr -Vi+ V-Vf
----- (A)
R +rr
2. Semiciclo negativo de Vi y, además, Vi < V, por lo que el diodo queda polarizado en
directo por causa de la fuente V y se tiene el voltaje sobre la carga como:
V-Vi-Vf
Yo= Vf + rr (B)
R + rr
3. Semiciclo negativo de Vi, pero Vi> V, así que el diodo queda polarizado en inverso y
el voltaje sobre la carga es:
Vi-V
Vo = -R ----- -· (C)
L R+ RL
()U
.........
1
1
-su~'---~-.,__ ......_,r---,--.,."="',.._--1...-~--.~-~-~--1:---
,
Os
~r
-1ou+-----------------T------------- ---,-------------·
1 • Orns 2. Orns
a U(ui) o U(uo)
Time
f<IG l.89
1. ELDIODO ELECTRÓNlCAANALOGA: TEOiilA \' LABOHATOlUO J 38
Efectuando la simulación del recortador da como resultado la señal de la FIG 1.89. Para esa
gráfica se utilizó en el circuito: señal del generador de l OV pico @ l KHz, R = l K,
RL = 20K, V= 5 V y diodo 1N4002 con las siguientes características obtenidas del PSPICE:
DIODES
NAME D Dl '-·
MODEL DlN4q02
ID 4 . 32E-03
VD 6.48E-Ol
REQ l . 19E+Ol
CA!? 4.0lE-07
En donde: Vf =V 0 = 0.648V y rf = RF.Q = 11. 9 .Q, valores medidos para una corriente
lf = 4.32 mA
La curva de transferencia del circuito analizado, y de acuerdo a
Vo las señales resultantes de la FIGl.89, se muestra en la FIGl.90.
Observe que para el semiciclo positivo de Vi, la salida está
limitada por el voltaje de barrera del diodo; para el semiciclo
negativo de Vi, la salida sigue a la entrada hasta que Vi alcanza
------.('------- Vi el nivel de referencia de la fuente: V - Vn.
-----,1-4.48V Pero de los circuitos de la FIG 1.87, tal vez el más interesante
es el de la FIG (L), puesto que la señal que entrega se utiliza
muy a manudo, así que vale la pena analizar.
FIG l. 90 Considere para el análisis que V 1 = V2; además, V 1 fija un
nivel de voltaje positivo en la salida, mientras que V2 fija un nivel de voltaje negativo en la
salida (observar la polaridad de cada fuente respecto del voltaje de salida Vo) así que el
análisis se puede dividir en varias partes a saber:
l. Vi < V1 y Vi < V2.
2. Vi >V 1 '-..-·
3. Vi > V2
Para la primera parte, Vi < V 1 y Vi < V2 , la fuente V1 polariza en inverso al diodo D1 y
la fuente V2 polariza en inverso al diodo D2, por lo que ambos diodos están abiertos y en la
carga se tiene el voltaje Vi.
Para la segunda parte, Vi> V 1, y corresponde al semiciclo positivo de Vi, así que el diodo D 1
queda polarizado en directo, conduce y se reemplaza (idealmente) por un corto circuito,
mientras que el diodo D2 permanece abierto, luego la carga 've' el vollé1je de la fuente V 1 .
Para la tercera parte, en donde Vi > V2, corresponde al semiciclo negativo de la señal de
entrada, el diodo D2 queda polarizado en directo, conduce y se reemplaza por un corto
circuito; simultáneamente el diodo D1 permanece polarizado en inverso. Para esta situación,
Vo está 'viendo' el voltaje de la füente V2 .
En la FIG 1.91 se ilustra la situaci ón anotada en el texto anterior; en esta gráfica se muestra en
sombreado oscuro las situaciones dadas como Vi > \' 1 para el semiciclo rositivo y Vi < V2
l. ELDIODO ELl~CfRÓNJCAANÁLOGA:TEOHIA Y LAHORATOIUO J 39
para el semiciclo negativo y en sombreado claro, la situación cuando Vi es inferior a los

voltajes V 1 y V2. Por comodidad se dibuja el circuito bajo análisis.
+Vp
R Vo
CONDUCE Dl
Vl
01 02
o RL
V1-=- -=-V2
V2
CONDUCE D2
-Vp
l'IGl.91
Vol Vl
V2
FIGl.92
Como resultado del análisis efectuado, se obtiene sob re la carga la señal mostrada en la
FIGl.92; es una señal recortada en el semiciclo positivo por la fuente V 1 y en el semiciclo
negativo por la .fuente V2 . Adecuando la señal pico a pico del generador y los niveles de
referencia (es decir, las fuentes V 1 y V2 ), se puede obtener una señal cuadrada y que es muy
utilizada en variadas aplicaciones en electrónica.
El circuito que se acaba de estudiar se suele denominar doble recortador y para el análisis
algo más cercano al real, se consideran los circuitos equivalentes del diodo polarizado en
directo y en inverso dados en la FIG 1.79 y que se reproducen en Ja FIG 1.93; por facilidad se
considera que rr >> R para el diodo polarizado en inverso, entonces solo se tiene en cuenta el
circuito equivalente para el diodo po larizado en directo, mientras que en inverso se reemplaza
el diodo por un circuito abierto.
(A) (B)
CIRCUIT O EQUIVALENTE CIRCUITO EQUIVALENTE
EN DIRECTO
EN INVERS O
FIG l.93
,__,
.__.
t. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOHIA Y LAUORATORIO 140
1.7. APLIC~\CIONES DEL DIODO: RECORTADORES
'-"
...._.,.
Vi R Vo Vi R Vo
01 02
-
....__.
'\_. _:j_ ·l RL ~RL RL
v1-==- ....__
(A)
FIGl.94
Con ayuda de los circuitos de la FIG 1.94 se tiene:
Para: Vi < V 1 y V 2 : los dos diodos están polarizados en inverso por causa de las fuentes V 1 y
V 2 , luego el voltaje de salida es igual al voltaje Vi : Vo ::::: Vi. Esta situación se da para los dos
semiciclos de Vi.
Para: Vi> V 1: el circuito equivalente se muestra en la FIG l.94(B) en la que se muestra que el
diodo D 1 queda polarizado en directo ya que la señal Vi, es mas positiva que la tensión V 1
(lógicamente corresponde al semiciclo positivo de Vi), mientras que el diodo D 2 sigue
polarizado en inverso. Entonces se establece una malla como indica la figura y que se puede
escribir como :
-Vi + (R + rr) Jf + Vf + V1 = O
Oc donde: Jf = (Vi - Vf - Vl) I ( R + rr) (A)

Entonces el voltaje de salida se define como:
Vo = rr Jf + Vf + V1
Reemplazando la Ec(A):
Vo = rr (Vi - Vf - Vi) I ( R + rr) + Vf + V 1 (B)

Para Vi > V2: corresponde al semiciclo negativo de Vi, ya que V 2 fija una tensión negativa
en la carga (tener en cuenta que por ejemplo -1 OV es mayor que -2V), entonces Vi supera a
V 1 en magnitud, aunque ambas tensiones son negativas con respecto a la salida. Esta situación
se ilustra en la FIGI.94(C) en la que se muestra que el diodo D 1 se polariza en inverso,
mientras que el diodo D2 queda polarizado en directo puesto que el cátodo es más negativo
que el ánodo. Entonces se establece la malla indicada en la FIG y que se define como:
-Vi+ (R+rr)If +Vf+V2 = O

-
Y: If = (Vi - Vf - V 2) I (R + rr)
El voltaje de salida se define como:
Vo = - rr lf - Vf - V2
Reemplazando la corriente se obtiene:
Vo = - rr (Vi - Vf - Y2) / ( R + rr) - Vf - V2 (C)

l. EL DIODO F.LECTllÓN!CA ANALOGA: TlmHL\ Y LAllORATOIUO 14 J
; J.7. APLICACIONES DEL DIODO: COJYTPUERTAS DIGITALES
Vi-Vf-V1
En resumen: Vo=rr +Vf+V1
R+rf
Yo= Vi
Vi-Vf-V
Vo=-r -----~- -Vf - V2
r R +rf
Con estas ecuaciones se determina la forma de onda en la carga del circuito doble recortador.
EJERCICIO [8]
Efectúe el análisis de los circuitos de la FIGl.87 considerando: Vp = 20V, V = 4V, V 1 = SV,
V2 = SV, rr = 20.Q, R = 2K y Vf = O. 7Y. Para todos los casos dibujar la señal de salida si
la señal de entrada es una triangular. Dibuje la curva de transferencia de cada circuito y
efectúe simulación de los circuitos en PSPICE. Compare sus resultados teóricos con los
......,, .
simulados
-.
1.7.5 COMPUERTAS DIGITALES CON DIODOS
Además de las aplicaciones anotadas, los diodos se pueden disponer para conformar lo que se
denomina las compuertas digitales , siendo la base de la lógica denominada lógica del
diodo DL.
Un sistema digital usualmente trabaja con el sistema numérico binario o sistema de base dos,
en donde se identifican dos estados: alto y bajo; también se conocen esos estados como
estados cierto o falso, o estados uno o cero : son formas diferentes de expresar lo mi smo .
Basados en esos estados lógicos, funci o nan los circuitos digitales y en particular, las
compuertas digitales.
Las compuertas digitales basadas en la lógica del diodo son básicamente dos: la compuerta OR
y la compuerta AND . Cada una de esas compuertas realiza la operación lógica OR y ANO
respectivamente . Para e ntender la lógica OR y lógica AND, se puede recurrir al siguiente
ejemplo:
S\Vl
r
V-=-
1
S\17.2
SW.3
L
(A) (B)
FIG 1.95
En la FlG 1.95 se tienen dos circuitos que contienen una fuente V, tres interruptores (SW) que
son normalmente ahicrtos (NO) y una lámpara que es la carga. En el circuito (A), para que la
lámpara encienda se tienen que cerrar los tres interruptores necesariamente, porque si uno de
1. EL DIODO ELEC.TllÓNICA ANA.LOCA: TF.ORL\ Y LAílORATOllIO 142
t.7. APLICACIONES DEL DIODO: COl\.IPUERTAS DIGITALES
ellos no se cierra, la lámpara no enciende. Entonces se dice: para que la bombilla encienda, el
interruptor SWl Y el interruptor S\V2 Y el interruptor SW3 deben estar cerrados. Así que en
la operación del circuito (A) se está realizando una operación lógica Y o AND.
El circuito de la FIG1.95(B) realiza una operación completamente diferente, así, para que la
lámpara encienda con un solo interruptor que se cierre es suficiente, entonces se d_ice:
Para que la lámpara encienda el interruptor S'Wl 0 interruptor S\.V2 0 interruptor SW3 se
deben cerrar. Entonces el circuito de la FlG(B) realiza la operación lógica O u OR.
Usualmente estas operaciones lógicas se llevan a una tabla en donde se muestra todas las
combinaciones de las entradas, que en el ejemplo son los interruptores, y la salida, que para el
ejemplo es la lámpara; esta tabla se denomina la tabla de verdad, entonces desarrollando la
tabla de verdad para los circuitos de la FlG 1.95, se deduce:
SWI SW2 SWJ L (OR) L (ANO)
() () o o o
u o 1 l o
o 1 o l o
o 1 l 1 o
1 o o 1 o
1 o 1 1 o
1 1 () 1 o
1 1 l 1 1
Si se tiene mínimo una sola entrada que esté en alto (1), la salida es alto para la función
OR.
Todas las entradas tienen que estar en alto para que la salida sea alto en la compuerta
ANO. Con una sola entrada en bajo, la salida es cero.
Con base en el comportamiento de las compuertas, es posible construir circuitos con diodos
rectificadores que realicen esas fünciones lógicas y esos circuitos se muestran en la FIG l. 96.
-
En los circuitos dibujados, las resistencias R básicamente limitan la corriente a través de los
diodos para cuando quedan polarizados en directo. El funcionamiento de los circuitos es muy
simple y se explica en la siguiente forma: considere el circuito de la FIG 1. 96 superior y que
corresponde a la compuerta OR observe en este circuito que no se coloca fuentes de voltaje,
ya que quien polariza al circuito son las señales de entrada (V 1, V2 , V 3 ). Suponer que la
entrada V 1 está en alto (es un voltaje mayor que OV) y las otras entradas están en cero (OV),
significa que el nivel positivo en V 1 polariza en directo al diodo 0 1, puesto que el cátodo de
este diodo está en tierra, entonces el diodo conduce (se comporta idealmente como un corto) y
en la salida, sobre la carga, se va a tener aproxi madamente el voltaje de V 1; entonces hay un
nivel alto en la salida.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: rnonlA y LADO!lATORIO · 143
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: COMPUERTAS DIGITALES
Si dos de las entradas, por ejemplo V 1 y V2 están en alto, entonces los diodos D1 y D2 quedan
polarizados en directo y la salida es un nivel alto. Al lado derecho del circuito OR se muestran
las señales de entrada y la señal de salida Vo. Si hay nivel alto en cualquier entrada o en varias
entradas, la salida es alto.
-..._ Vl R Dl
,,,..._ Vl
y¿ R D2
V2
D3
Vo
V3
COMPUERTA OR RL
DE TRES ENTRADAS
Vo
-:-
+V ce
RL
Vl Dl Vl
Va
vz D2 V2
V3 D3 V3 L
Va
COMPUERTA AND
DE TRES ENTfü\.DAS
FIGl.96
En el circuito inferior de la FIG 1.96 se tiene una compuerta ANO de tres entradas; la
estructura del circuito es completamente diferente que la de la compuerta OR pues, como se
observan las señales se aplican al cátodo de los. diodos, mientras que el ánodo se conecta a
través de la carga a una fuente continua. Con todas las entradas en OV, los tres diodos están en
directo, se comportan como corto circuito, así que el voltaje de salida (contra tierra) es OV. Si
alguna entrada cambia a estado alto, por ejemplo V1, entonces el diodo D1 quedará polarizado
en inverso siempre que el nivel alto de V 1 sea de mayor voltaje que el voltaje aplicndo en
el ánodo desde la fuente + Vcc; sin embargo, si las otras dos entradas permanecen en estado
bajo, la salida continua en nivel de OV. La situación anotada se ilustra en la FIG l. 97
(figura(A)) en donde se observa que aunque 0 1 esté abierto, los otros dos diodos siguen en
corto (polarizados en directo), colocando, por tanto, la salida en corto. En la FlG(B), las dos
entradas V 1 y V2 se colocan en nivel alto, los diodos correspondientes a estas entradas se
/
,.-""'..
t. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LAilORATORIO 144
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: COl\fi>UERTAS DIGITALES
representan , como circuito abierto, pero el diodo 03 permanece en conducción,

cortocircuitando la salida.
+Vce +V ce
+V ce +V +V
+V
Dl D1
D1
• Vl= +V Vl= +V
Vl=+V
D2 D2
D2
V2 =+V V2= +V
Vo =O
D3 Vo =O D3 VO = +Vcc
1
V3 =O
1
V3= +V
(C)
¡
(B)
FIG l.97
En la FIG(C) las tres señales se colocan en nivel alto, los tres diodos quedan polarizados en
inverso y la salida Yo queda conectada a la fuente +Ycc, así que la salida cambia a nivel
lógico alto. Entonces, para que la salida esté en alto (+Y ce), todas las entradas deben estar en
alto. Esta es la característica de la compuerta AND .
r::¡¡ EJElVIPLO
Para la compuerta de la FIG 1.98, determine la corriente y el voltaje en la carga para las
siguientes situaciones:
a) Vi = Y2 =O
b) Vi = SV, Yz =O
c) Vi = SV, V2 = SV
Consid_ere que: R = 100 .O, RL = 5 K, y los diodos son iguales con: rr = 50 .O, Vf = O.71 V
rr ~oc
.
SOLUCIÓN. -'Í '-
El circuito que se analiza es el de la FlG 1.98(A), que corresponde a una compuerta OR de dos
entradas.
Solución para a): las dos señales Y 1 y Y2 están en nivel lógico cero, así que no se establece .
corriente a través del circuito, puesto que no existen fuentes de voltaje. En el circuito (B) se
muestra la situación anotada reemplazando los diodos por circuito abierto, aunque, realmente
no se puede hablar de polarización como tal. Por consiguiente, el voltaje de salida es: Yo= O.
Solución para b) : la situación planteada se muestra en la fIG(C) en donde Y 1 se lleva a +Y y
Y 2 se mantiene en tierra. Así que el diodo 0 1 queda polarizado en directo reemplazándolo por
su ci rcuito equivalente, se establece una malla como indica la figura y que se define como :
O= -V + Vf + (R + rr + Ri.) If
·-
1. EL DIODO ELEC'TRÓNlCAANALOGA: n:oRIA y LABORATOIHO 145
1.7. APUCACIONES DEL DIODO: COMPUERTAS OIGITALES
De donde: lf = (V - Vf) / ( R + rr + RL)
R Dl
-.
(A)
If If
+V~~·
1 ~~~·---+-<J Vo
lo
(D)
FIG l.9S
. ~. Entonces el voltaje de salida es:
V-Vf
Vo =RLif = RL-- --
R + r,+RL
Reemplazando los valores dados en el enunciado se obtiene:

If = 833 pA y Vo = 4.165V
Solución para c): la FIG 1. 98(0) muestra la situación planteada para este numeral, en donde
las dos entradas se llevan a +V y como muestra el circuito, se establecen dos mallas. La
corriente que va a través de la carga es To y que es la suma de las corrientes en cada malla
lo = 2 If. Planteando la malla se obtiene:
O = - V+ Vf +lo !(R + rr) /2 + RL]
Corno el circuito es simétrico en cada una de las mallas, se toma un ramal y se coloca la
corriente Io/2 . De la ecuación planteada se ob tiene:
lo = (V - Vf) I l(R + rr)/2 + R¡,\
Y el voltaje de salida es:
V - Vf
= R - --·- -------·-·---
1. R+r
-·--2-·--'· + R l.
,--
l. EL DIODO ELECTHÓNICA ANÁLOGA: rnon!A y LA!IORATOIHO 146
1.7. APLICACIONES DEL DIODO: COMPUERTAS DIGITALES
·Reemplazando valores en las dos ecuaciones se obtiene:

If = 845 .32 µA y Vo = 4.227V
Si se analiza idealmente, con rr= O-y Vf= O, se obtiene: If = 980.4 µA y Vo = 4.9V
EJERCICIO f8J
1. Consultar que es la lógica positiva y la lógica negativa.
2. Para el circuito de la FIG l. 99(A) obtener la tabla de verdad si se usa lógica positiva con
V 11 = 1OV (voltaje alto : H = high) y V1, = OV (voltaje bajo: L = low). Considerar diodos
ideales.
~+IOV
DI
lOk~ VI Vo
Dl
VI DS D2
Vo V2
D4
V2 20k
D3
D3 V'3
V3
06 l!Ok -=- ":"'
'- '
-IOV IOk_to
(A) -lOV (E)
-=-
FIGl.99
3. Desarrolle la tabla de verdad del circuito de la FIG l. 99(A) si se utiliza lógica negativa con ,_
V11 = OV y VL = lOV. Considerar diodos ideales.
4. Analice en forma detallada el circuito de la
+lOV ,_ ,
FIGl.99_(B) y deducir su tabla de verdad.
¿Qué operación lógica desarrolla el
circuito?. Considere diodos ideales.
10K
5. Consulte que es el Fan-out de un circuito
Dl digital y determinar el Fan-out de una
Vl
compuerta AND de tres entradas como el·
D2 de la FIG 1. l OO. Considere los diodos
V2 DS
iguales y con las siguientes características:
RL
D3 Vf = 0.65V, rr = 50 D, rr = 50K; se
V3 SK
trabajan las entradas con lógica positiva
con: Vu = +10Vy VL = OV
FIGl.100
Conteste a las siguientes pregun tas.
l. EL DIODO ELEC.'THÓNTC\ ANALOC:A: TF.ORÍ,\ Y LABORATOIUO 147
1.7. APLICACIONES DEL DíODO: COMPUERTAS DIGITALES
i. Mencione ejemplo de cargas en donde so lo requiera una fuente de alimentación sin filtro,
fuente no regulada con filtro, fuente regulada.
2. Dibuje los bloques que constituyen una fuente regulada.
J. ¿Qué papel desempeña el filtro en una fuente?
4. ¿Qué sucede si al filtro tipo C se colocan condensadores no polarizados?
5. Se tiene tres condensadores: 1OµF, 1OO~LF y 1OOOµF . Si los coloca como filtros, ¿con cuál
se obtiene menos rizado?
6. ¿Cuándo es recomendable utilizar el filtro tipo Pi?
7. ¿Qué es el porcentaje de regulación?
8. La füente ideal, ¿qué porcentaje de regulación tiene?
9. ¿Cuál es la diferencia entre: factor de rizado y porcentaje de regulación?
1O. ¿Para qué situación, se puede reemplazar la bobina por una resistencia en un filtro tipo Pi?
11. ¿Qué significa la inductancia crítica en un filtro que utiliza bobina?
12. ¿Qué sucede en la salida de un filtro tipo C si no se coloca carga? Explique su respuesta.
13. Y para el filtro tipo Pi, ¿qué sucede si no se coloca carga? Explique la respuesta.
14. ¿Para qué se utiliza un multiplicador de voltaje? Mencione ejemplos de aplicación.
1S. ¿Qué elementos básicos contiene un multiplicador de voltaje?
16. ¿Qué 'se prefiere en un multiplicador: máximo nivel DC sin importar el rizado o mínimo
rizado, aunque el nivel OC sea bajo?
17. ¿Para qué multiplicador es más crítica la selección del voltaje de trabajo de los
condensadores?
18. ¿Un multiplicador puede tomar señal directamente de la red de suministro público?
19. Dibujar un triplicador de voltaje de onda completa.
20. Un multiplicador de voltaje puede tener condensadores no polarizados?
21. ¿Qué limitaciones prácticas tiene un multiplicador?
22. ¿Qué función desempeña un sujetador de voltaje?
23. ¿Qué componentes básicos contiene un restaurador de voltaje?
24. ¿Un sujetador puede contener condensadores electrolíticos?
25. En un pulso real, que significan los términos: tr, td, ts, tf
26. ¿Un sujetador puede tomar señal directamente de la red de suministro público?
27. ¿Qué es la constante de tiempo de un circuito RC?
28 . ¿Qué condición debe cumplir el circuito RC en un sujetador?
29. ¿Con qué herramienta matemática se estudia la distorsión de una señal?
30. ¿Qué es la distnrsi(111 armónica. Cómo se determina y con qué sigla se identifica?
1 EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LADORATORIO 148
t.'7. APLTCAÓONES. DEL DIODO: COMPUERTAS DIGITALES
3 I. Mencione una señal que no tenga distorsión y una señal con mucha distorsión.
32. Una señal que solo contiene la primera armónica, es una señal distorsionada?
33. ¿Cuál es la señal que idealmente es la suma de infinitas sinusoides?
34. Si una señal tiene superpuesto un nivel continuo, cómo se puede eliminar ese nivel?
35. ¿Cómo será el espectro de Fourier para una señal sinusoidal que tiene superpuesto un nivel
continuo? (Lo puede experimentar en el PSPICE)
36. ¿Qué es un limitador?
37. ¿Qué componentes básicos contiene un recortador?
38. La señal que se aplica al circuito recortador puede ser la de la red?
39. ¿Cómo se puede obtener un.a señal cuadrada a partir de una señal seno?
40. ¿Qué es la lógica DL?
41. ¿Qué es una compuerta OR y una compuerta AND?
42. ¿Qué significa el estado alto y estado bajo en un circuito digital?
43. Anote una diferencia entre los términos: análogo y digital.
44. Mencione tres instrumentos análogos y tres instrumentos digitales.
45. ¿Qué significan las siglas: DAC y ADC? ¿Para qué se utilizan estos dispositivos?
46. ¿Qué es un interruptor conmutable y es posible implementarlo con diodos? ¿En donde es
muy común este tipo de interruptor?
47. ¿Cómo se puede obtener la curva de transferencia de un doble recortador en la práctica?
48. ¿Cómo se determina en el osciloscopio, que una señal tiene componente continua?
49. ¿Cómo se pueden observar las señales en el osciloscopio en puntos diferentes si el circuito
tiene tierras diferentes?
50. ¿Qué es un transiente?
51 . La señal de la red de suministro público, tiene superpuestos muchos transientes (ruidos).
¿Con cuáles de los circuitos estudiados se pueden eliminar esos transientes?
52. ¿Qué son las señales espurias?
53. Se tiene una señal sinusoidal. Se requiere una señal cuadrada que varíe desde OV hasta +V.
Dibujar los circuitos con los que se puede convertir la señal sinusoid al a la señal cuadrada
requerida.
54. Referido a la tabla de calibres de los alambres: Consultar la corriente que soporta los
siguientes números: 8, 12, 20, 30, 25, 40.
55. Para un transformador reductor, ¿en dónde se tiene mayor número de alambre: en el
primario o en el secundario? Explique su respuesta.
l. EL DIODO ELECTR.ÓNICA ANALOGA: TEortlA Y LABORATORIO 149
1.8. OTROS DIODOS: DIODO ZENER
OTROS DIODOS
En esta sección se estudian otros diodos que presentan características
particulares y así mismo, realizan funciones especiales. Aunque existe gran variedad d~
diodos. varios poco conocidos por ser de características muy especiales e igualmente su costo
es elevado, solo se tratará en esta parte del capítulo algunos diodos comunes.
1.8.1 DIODO ZENER

Es un diodo que puede operar como un rectificador normal cuando se polariza en directo pero
al polarizar en inverso, con baja tensión aplicada, entra en la zona de ruptura y puede operar
sin peligro de su destrucción. Operando en la zona inversa, luego de entrar en ruptura
(breakdown) el diodo permanece con una tensión relativamente constante, y ligeros
cambios en esta tensión provoca cambios apreciables en la corriente. Esta
característica especial convierte al diodo zener en un regulador de voltaje.
Cuando un diodo se polariza en inverso, el dispositivo entra en ruptura al aplicar una tensión
elevada; sin embargo, depende de la concentración de dopado en su estructura N y P, se
pueden dar diferentes formas de hacer que el dispositivo entre en avalancha. La forma normal
se da en los rectificadores, en donde las concentraciones de los dos cristales son semejantes:
por efecto de la polarización inversa, la zona vacía alrededor de la juntura se incrementa y los
únicos portadores que tienen la probabilidad de atravesar la barrera son los portadores
minoritarios. Sucede que si el campo exterior es muy intenso, algu nos de los portadores
minoritarios adquieren una energía tal que tienen la posibilidad de atravesar la barrera, pero en
su tránsito a través de ella, impactan con sus átomos desprendiendo, como resultado ,
electrones ligados; estos electrones, a su vez, ganan energía y también impactan con otros
átomos, liberando más electrones. Este proceso se acelera porque además del intenso campo
externo se suma el efecto térmico, que contribuye con más portadores libres. El resultado es el
paso intenso de gran cantidad de portadores a través de la juntura, es decir, incremento de la
corriente y, prácticamente, perforación de la unión. Como consecuencia, el diodo se destruye.
Recordar que no habría problema si se aplicara una tensión externa intensa, el diodo la
soportaría; el problema es que se aumenta la temperatura y es Ja temperatura que
prácticamente lleva a la destrucción del dispositivo. Al proceso descrito se le denomina
polarización inversa por ionización de impacto.
Pero se da otra posibilidad de llevar a un diodo a la ruptura. Si el cristal P se dopa
fuertemente, mientras que el cristal N se deja con bajo dopaje, la corriente de difusión hace
que la zona vacía hacia el lado N (zona de agotamiento) sea mucho mayor que la zona vacía
del lado P; esta es la situación antes de polarizar en inverso al diodo . Al aplicar el campo
externo, las zonas de agotamiento se incrementan y, para una tensión elevada, la zona de
agotamiento del lado N puede alcanzar al contacto óhmico del lado N y, cualquier incremento
en la tensión externa, hace que el contacto 'sienta' el efecto de ese campo interno y, como
consecuencia, se da un suministro de electrones del contacto hacia el diodo, provocando una
corri ent e intensa al interi or del dispositivo, con la consecuente perforación de la juntura. A
este tipo de polarización inversa de denomina de perforación . ·
La última posibilidad de provocar la ru ptura del diodo en inverso, es contaminando
füertemente los cristales N y P, de manera que una polarización · inversa baja, lo lleva
rápidamente a la ruptura. Así que depende de la concentración de do paje del dispositivo,
- - - --------------~-------
1. EL DIODO ELECTHÓNJC,\ ANÁLOGA: TEonlA y LAílORATORIO 150
1.8. omos DIODOS: DIODO ZENER
puede llegar con mayor o menor tensión inversa a la ruptura; este tipo de ruptura tiene una •. ~ .
ventaja respecto a los dos anteriores : la temperatura no se eleva, y, con limitación externa ·<' ·
adecuada, el dispositivo prácticamente mantiene su temperatura ambiente. Con este

mecanismo se prueba, que un diodo puede operar en ruptura perfectamente sin
destruirse, mientras la temperatura se controle. Es pues este el mecanismo de polarización
inversa denominada de niptura zcncr.
Entonces, un diodo zener es un dispositivo PN con elevados dopajes de su estructura y que
puede operar en la zona de ruptura. Una vez se polariza en ruptura, el diodo mantiene ese
voltaje y solo se observan grandes cambios de corriente; por tanto, el dispositivo presenta un
valor resistivo muy bajo. En la FIG l. 1O1 se ilustra las características del diodo zener y el
símbolo electrónico como se identifica. Como se había mencionado, el diodo puede operar ron
polarización directa e inversa, sin embargo, la operación normal es en inverso.
Entonces de la FIG l O1(B) se identifican los siguientes parámetros:
Vn, In: Voltaje aplicado en inverso y que causa una corriente In muy pequeña.
POLARIZACION
IF DIRECTA VzM Vz VR
,- 1 ~
IR
1 lzk
SIMBOLO
lz
(C)
VF CODO
(A) CURVA
------1lzM CARACTERISTICA V-1
POLARIZACION
INVERSA (B) CARACTERISTICA EN
INVERSO
(A) (B)
(C) SIMBOLO
FIG 1.101
Vz, Iz: es el voltaje DC que se aplica al diodo en inverso, que asegura la operación en la zona
de ruptura (zona zener). Al aplicar este voltaje, se produce una corriente Iz, que es la corriente
de operación en la zona zener comprendida entre las corrientes Izk e lzM.
Izk (corriente del zener en el codo: Knee): es la corriente cuando el zener entra en ruptura.
V Zi\t, lzi\r: Es el máximo voltaje inverso permitido; la corriente que circula a través del
dispositivo cuando se tiene el voltaje VzM es l zJ\1. ·
...._.
La zona sombreada en la FIG 1.1O1 (B) significa una zona de peligro, es decir, si se exceden los
valores Yzt11 e lzl\1 de los valores especificados, el dispositivo eleva su temperatura y se
destruye.
Si'.1 ~rnbargo_, como. se menciona en las especificaciones, el dispositivo permite sobrepasar la
max1ma comente, siempre y cuando el tiempo que el dispositivo permanece suministrando ese
exceso de corriente, no se prolongue respecto del fijado por el fabri cante (ver la especificación
I1lSM) .
1. EL DIODO ELl~CTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 151
l.8. OTROS DIODOS: DrODO ZENER
1.8.1.1. ESPECIFICACIONES.
Se transcriben a continuación algunas especificaciones técnicas dadas por fabricantes de los
diodos zener. Inicialmente se presentan las especificaciones de: The Transistor and Diodc
Data Book for Design Engineers, de la TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED.
Vz ... .4.85V to 23.SV

PD .. .400mW
• Tolcrance Rangc írom 9% to 15%
Vz Zz
h.M Rcgulator TR = IzT p
TYPE Stcatly-Statc Voltaje Dissipation -
TA $ 25ºC (Scc Note 1)
MTN NOM MAX MAX(O)
IN76l 74111A 4.3 4.85 5.4 40

-.... IN762 62mA 5.2 5.80 6.4 18
IN763 50mA 6.2 7 . 10 8.0 7
1N764 40mA 7 .5 8.75 10.0 12
IN765 33mA 9 .0 10.50 12.0 45 400mW

IN766 2 7mA 11.0 12.75 14 .5 55
IN767 22mA 13 .5 15.75 18_0 70
IN768 19mA 17.0 19.00 21.0 100
IN769 l5mA 20.0 23.50 27.0 150
NOTE 1: For opcrntion abovc 25º C frcc-air tcmpernturcs. rcfcr to Dissipation Dcrating Curve, Figure 1
DISSIPATION DERATING CURVE
500
Vl
= :s: 400
"·,"
o E
=
e e:
.~
e ~ 300
o c..
u
E :~
E
"'
=
·;:;:
Cl
~
Q,)
3:
o
::::-= o..
c...
200
100
' .
["..
' "\
o
Ta . í-rnP. -Air Tt!m¡rnraturn -ºC
""'
FIGURE 1
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TF.OHIA Y LABORATORIO 152
1.8. OTnos DIODOS: DIODO ZENER
Vz ... 6.SV to 33V

PD ... 400mW
Available in 5% and 20% Tolerances
Absolutc maximum ratings at 25ºC frcc-air tempernture (unlcss othcrwise noted)
JR~M Vz l'Nz
h.M In VF Zz
TYPE Stcacly-State NonrcpctitiYc Regulator Voltagc
Static Sta tic Impcdancc
Rcgulator Reverse Volt a ge Rq.<ulator '-
Reverse Fonvard
cuncnt Surge Current
Currcnt Voltagc
(Sec Note 2)
(Sec Note 1)
mA mA Max(V) Max(V) Max(~lA) Max(V) Max(n)
lN957 55 300 6.8 0.25 ISO 4.S

IN958 50 275 7.S 0.30 75 5.5
l.S
lN959 45 25ll 8.2 0.35 60 6.5
IN%0 41 225 9.1 0.40 25 7.5
IN%1 38 200 lO 0.45 lO 8.5
IN962 32 175 11 0.50 5 9.5
lN%3 J1 [60 12 0.55 5 1.5 11.5
1N%4 28 150 !] 0.60 5 11
lN%5 25 IJ(] 15 0.70 5 16
IN%6 24 120 16 0.75 5 17
1N967 20 110 18 0.85 5 21
IN968 18 100 20 0.95 5 1.5 25
1N%9 16 90 22 1.05 5 29
IN970 15 80 24 1.15 s 33
IN971 13 70 27 l.30 5 41
IN972 12 65 30 1.45 5 1.5 49
IN973 11 60 33 1.60 5 58
NOTES: l. The nominal lzM currcnts shown are aplicable for dcvices having regulator voltajes aapproximatcly
IO'Yo abovc thc nominal Vz value shown under clcctrical charactcristics. Thcsc values do not represen! absolute
limils. The actual steady-stalc Cll!Tcnt-Yolt;1ge prodnct mus! not excced the power rating in figura 1.
2. Thesc valncs apply for an 8.3 ms squ;ire-wavc pulse with the dcvicc al nonoperating therme1l
nqnilibrium irnrncdiately prior to thc smge.
Las siguientes son especificaciones tomadas de: SEl\1ICONDUCTOR DATA LlBRARY de

MOTOROLA Semiconductor Products Inc.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOG¡\ : TEORIA y LAnOn/\TOIUO 153
1.8. OTROS DIODOS: DIODO ZENE.R
MAXUMUM RATINGS
Junction and Storage Temperature: -65ºC to + 175ºC
OC Power Dissipation: 400mW at 50ºC Ambient (Derate 3.2mW/ºC Above SOºC Ambient)
TOLERANCE DESIGNATIONS
l N43 70 series: ± l 0% , suflix A for ±5% units.
IN746 series: ±10%, suffix A for ±5% units.
- ELECTRTCAL CHARACTERISTICS (TA= 25ºC unlcss olhcrwisc nolcd)
MAXlMUl\.'l
NOMINAL MAXTMUl\'l J\lAXI!VIUM
TYPE REVERSE
ZENER VOLTAGE ZENER DC ZENER
LEA KA GE
NUMBER TMPEDANCE CURRENT
Vz @ lZT CURRENT
ZzT @ IZT IZM
...-.. IR @ VR=lV
Voltts Ohms mA ~lA
1N4370 2.4 30 150 200
1N437 I 2.7 30 135 150
1N4372 3.0 29 120 100

1N746 3.3 28 110 10
IN747 3.6 24 lOO 30
IN748 3.9 23 95 30
!N749 4.3 22 85 30
1N750 4.7 19 75 30
lN751 5.1 17 70 20
-, 1N752 5.6 11 65 20
lN753 (i. 2 7 (,() 20
1N754 6.8 5 55 20
1N755 7.5 6 50 20
1N756 8.2 8 45 20
1N757 9. 1 10 40 20
1N758 1o.o 17 35 20
IN759 12 .0 30 30 20
l. EL DIODO ELEC-fHÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LAllOilATORIO 154
t.8. OTROS DIODOS: DIODO ZENER
1N2804 thru 1N2846

6.8Y thru 200V (case 54)
1N4557 thru 1N4546 1N4549 thru 1N4556
3.9V thru 7.5V (case 54) 3.9V thru 7.5V
1N3305 thru l N3350
6.8V thru 200V (case 58)
Units are availablc with anodc to case and cathodc to CASE 54 CASE 58
case connections (standard and reverse polarity) F or
reverse polarity, add suffix 'R · to type number.
MAXIMUM RA TINGS
Junction and storage Tcmpcrature: -65ºC to+ l 75ºC
DC powcr dissipation: 50\V. (Dcratc 0.5W/ºC abovc 75ºC)
TOLERANCE DESIGNATION
Thc typc number shown havc a standard tolerance of ±20% on the nominal zener voltagc. Add snffix 'A' for 10%
units or 'B far ±5% units (2% and l % tolerancc also available)
FLECTRIC AL CHARACTER!STrCS
(Te= JOºC unle.<.~ ilhcrwi~c 5pccilicd) VF ~ 1.5\I max@ IOA 0 11 all type5.
f\io111i11al RcYcrsc
i\lax 7..cnrr !\fax ne 7..<'nrr Lcak:1ec
51lW í'.rnrr \" nllaer
Sil\\" lmpr1lanrc Curren! Cnrrcnl
CASE 54 CASE SS @lr.r 74.,._r,y ¡,_,._~smA 7SºC Case Tc111p IRMAX
Ohrns (I1.-1)111A
(V1.) \"ult~ 11A
1N4547 IN4549 3.'J 400 11900 150

IN455R IN4550 4.J 500 10650 150
IN4559 IN4551 4.7 600 9700 100
IN4560 IN4552 5.1 650 R900 20
IN4561 IN455J 5.6 900 !1100 20
IN45<•2 IN4554 6.2 1000 7300 20
1N2804 IND05 6.R 70 6600 150
IN4 563 IN4555 6.R 200 6650 10
l N2S05 IN3305 7.5 70 5900 75
IN4564 IN455ú 7.5 100 6050 10
IN2ll06 INJJ07 R.2 70 5200 50
IN2!107 INlJOR 9.1 70 4&00 25
IN2914 IN.Ul5 16 l<O 2650
IN2!<15 l N.\J l<• 17 80 2500
IN2Rl6 IN:l317 11' !\O 2JOO
5
IN2Rl7 IN.lJIR 19 !10 2200
IN2!<18 IN331~) 20 RO 2100
IN2819 IN.D20 22 so l 'J()(J
1. EL DIODO F.1.ECTRÓNICA ANALOGA: TF.ORIA Y LADORATORIO 155
Nominal Revene
Zcnrr Vollal(c l\fax Zt"ner Max DCZcncr Leakril(e
sow 50\V l 111 pctl :mee Currcnt Curren! 1
CASES4 CASE SR @lr.r 7-"'·" @ h.1<~SmA 7SºC C:tsc Temp · ¡RMAX
Ohms (l1M)lllA
(Vz) Volts µA
IN2R20 lND21 24 80 1750
lN2821 IND22 25 90 1550

lN2R22 lN3323 27 90 1500
5
1N2823 1N3324 30 90 1400
lN2824 lN:i325 33 90 1300
IN2825 lNJ:\26 36 90 1150
IN2826 IN3327 39 90 1050

IN2827 lN3J28
. 43 90 975
1N2828 l N3:129 45 100 930

5
IN2R29 l N33:\0 47 100 l<RO
1N2R:l0 IN:l.HI 50 100 8:10
l N2Kll l N3332 51 100 810
.. lN3333 52 100 790
1N2832 l N3334 56 11 0 740
IN2R33 l N3335 (,2 120 660

5
1N2l0•1 I N3:1 36 6R 14() (,()0
1N2XJ5 INJD7 75 150 540
1N2836 1NJJ:l8 82 IC10 490
lN28J7 lNJ339 91 180 420
lN282R lNJJ40 100 200 '100
IN2839 INJ34l 105 210 :'.\RO

5
1N2R40 1NJ:l42 l IO 220 365
l N 2R41 1NJ34J 120 ·2-10 :ns

1N2R42 I ND44 130 275 310
.. l N3J45 140 325 290
IN284J 1N3346 150 400 270
IN2R44 1ND47 160 450 250

5
.. lN334R 175 500 230
IN28 45 1N3J49 180 525 220
l1N2R46 lND50 200 600 200
Es importante aclarar, que si se consulta en algún manual de reemplazos (ECG o NTE), los
valores difieren, puesto que, normalmente, los reemplazos tienen características que superan
los valores originales.
l. EL DIODO ELEC:rRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LADORATORIO 156
1.8. l.2. APLICACIONES.

Dada su característica de operación, el diodo zener se considera como un regulador de
voltaje o también llamado diodo de voltaje referencia .
Cuando se estudió las fuentes de alimentación como aplicación de los diodos, se definió dos
tipos de fuentes de alimentación: Las fuentes no reguladas y las fuentes reguladas. Entre los
dos prototipos existe una diferencia y está en que, cualquier cambio que se opere en la red de
alimentación o en la carga, se verá reflejado en un cambio de voltaje sobre la carga para la
fuente no regulada, pero para una fuente regulada, teóricamente, el voltaje sobre la carga
permanece inalterable, aunque se presenten los cambios mencionados.
Circuitalmente, las dos fuentes tienen en común los siguientes bloques: la red de donde toma
la alimentación general la fuente, transformador, rectificador, y filtro .
FUENTE REGULADA
CARGA
FUENTE REGULADA
::- ... ."::: ;:·~·:~ .. :_ . :-~: ''..~. ~- ...: . : .
.:'. '~.: ·.'. ~ . :·. /; :,<'::.::,:-..· <·. :.: ,.:, .·.

~ ... : : ..... :~. ·.: . . ·.. ; ... J
FIG 1.102
La FIG 1.102 describe lo que se anotó. Entonces, la fuente no regulada se puede reemplazar
por una fuente OC variable, que indica los posibles cambios de la tensión en la red. El objetivo
es, diseñar una fuente regulada y demostrar el efecto del regula·dor en el funcionamiento de
toda la fuente.
EJEMPLO
Analice el circuito de la FlG 1.103
SOLUCIÓN. "'Í
El circuito está conformado por la fuente Vi, la resistencia Rs que actúa como !imitadora de
corriente para el zener, la resistencia Rt. que es la carga y el diodo zener 1N750 .
Si no existiera el zener, sobre la carga se tendría una caída de voltaje de:
Vo = 25V @ 11, = 2SmA (¿?)
Con el zener, el voltaje sob re la carga es:
1. EL DIODO l·:u~r:rnóNICA ANÁLOG,\: TF.ORIA V L1\IlORATORIO 157
Vz = 4.7V (de acuerdo a la especificación)

Rs La corriente a través de la carga es:
Vi va
IL = Yo I RL = 4.7 / 1 mA = 4 .7mA
1k
Vi -4-
La corriente a través de Rs es:
50 01 <: RL Is = (Vi - Yo) I Rs = 45.JmA
011\1750 1k
Luego la corriente a través del zener es:
lz = Is - h = 40.6mA
De acuerdo a la especificación del zener
l N750, lzM = 75mA, por lo que no se excede
de este valor máximo.
FIG 1.103 Para la simulación del circuito analizado, una
vez se dibuja en el esquemático, se corre (Fl 1) y aparece el recuadro de la FIGl.104.
l'i PSplceAD . · · ~ ·. · lll'fJEt

Eile Display Help
O pan ... Memory Uscd: ~
R.un Probe
· .E.xamin~ Oútput . . End=-.1.--
E~it
l rag1
~ Cto4
~ recodadorl
- ~ cto3
FIGI. 104
Del cuadro del fondo se pica 'FILE', y aparece una segunda ventana; en ella se pica:
'EXAMINE OUTPUT' . Abre una tercera ventana en la que aparece información detallada de
la simulación del circuito. Parte de esa información (la que más interesa) se transcribe en la
tabla l .
La explicación del contenido de la TABLA 1 es la siguiente: La primera parte indicada como
'DIODE MODEL PA RAMETERS' entrega los parámetros característicos del diodo
utilizado.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORL\ V LAllOIV\TORIO 158
TABLAl
Diode MODEL PARAMETERS

******************************•*********************************************
-
DlN750
IS 880.SOOOOOE-18
ISR l.859000E-09
BV 4.7
IBV .0202 45
NBV l . 6989
IBVL l . 955600E-03
NBVL 14.976
RS . 25
CJO 175 . 000000E-12
VJ .75
M .5516
TBVl -21.277000E-06
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATORE 27.000 DEG C

****************************************************************************
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
(vi} 50.0000 (vo} 4.7383
VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME CURRENT
V Vi -4 . 526E-02
TOTAL POWER DISSIPATION 2 . 26E+OO WATTS
OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE :: 27.000 DEG C

****************************************************************************
'*'*** DIODES
NAME D Dl
MODEL DlN750
ID -4.05E-02
VD -4.74E+OO
REQ 1.14E+OO
CAP 5.84E-ll
El significado para PSPICE de los parámetros del diodo es la siguiente:

Is Corriente de saturación CA)
ISR Corriente de recombinación (A)
BV Voltaje inverso de lliJ2lura en el codo (Knee) {v)
J. EL DIODO ELECTRÓNICA ANi\.LOGA: TEORIA Y LAIJOHATORIO } 59
IBV Corriente inversa de ruptura en el codo (A)

NBV Factor idealizado de la ruptura inversa (adimensional)
IBVL Corriente inversa de ruptura en el codo de bajo nivel (A)
NDVL Factor idealizado de la ruptura inversa de bajo nivel (adimensional)
RS Resistencia parásita (.O)
CJO Capacitancia de la juntura debida a la polarización (F)
VJ Potencial de juntura PN (v)
M Coeficiente de gradiente PN (adimensional)
TDVl Coeficiente de temperatura en el voltaje de ruptura (lineal) (ºC- 1)
Los parámetros que están subrayados, son los de mayor interés.
Enseguida se tiene la polarización para pequeña señal a temperatura de 25ºC. De aquí se
deduce el voltaje que regula el zener: Vo = 4.7383V.
Luego se entrega la corriente que suministra la fuente Vi y la potencia disipada por el circuito
en total.
Por último se entrega la información de la polarización para DC también a 25ºC. Se puede
perfectamente cambiar la temperatura, a la deseada y de esta manera, ver el comportamiento
del circuito para distintas temperaturas.
Los resultados para los puntos ele polarización son: la corriente que circula a través del zener:
lz = 40.SmA, voltaje del zener (aproximado a dos decimales): 4.74V y la resistencia que
presenta el zener: Rz = 1. 14.0.
Si observa los resultados obtenidos de la simulación con los que se calcularon, el error no
supera el 1%, como se puede verificar en la siguiente tabla:
~
~t
VALOR PORCENTAJE
PARÁMETRO SIMULACIÓN DE ERROR
TEÓRICO
~1 Vz 4.7V 4.74V 0.844%
J Iz 40.6mA 40.SmA 0 .25%

j I 45.3mA 45.26mA 0.09%
'
.........
J
J Suponga que se desea conocer el funcionamiento del circuito cuando la temperatura aumente a
+ l 50ºC. El resultado de la simulación se muestra en la T ABLA2:
J
J
J
t. EL DIODO ELEC-rRÓNICA ANÁLOGA: TEOR!A V LAílORATOIUO 160
1.8. OTROS DIODOS: 01000 ZENER
TABLA2
TEMPERATURE-ADJUSTED VALUES TEMPERATURE = 150.000 DEG C
****************************************************************************
**** DIODE MODEL PARAMETERS
NAME IS VJ CJO RS BV
DlN750 6.456E-10 5.256E-Ol 2.086E-10 2 . 500E-01 4.688E+OO
....._.,,
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 150 . 000 DEG C ··.,.
****************************************************************************
{vi) 50 . 0000 (vo) 4 . 7375

NAME CURRENT
V Vi - 4.S26E-02
TOTAL POWER DISSIPATION 2.26E+OO WATTS
**** DIODES ~
NAME D Dl ....__..
MODEL DlN750
ID -4 . 0SE-02 \
~·.......-
VD -4 . 74E+OO
REQ l . 60E+OO
"--'
CAP 5. 86E-11
v
\....,
Comparando las tablas 1 y 2, efectivamente se observan cambios en los parámetros del diodo
zener, causados pDr el cambio en la temperatura. En la T ABLAJ se indican esos cambios: '----
TABLAJ
"'i,, ..._.,
--
PARAMETRO T = 25ºC T = lSOºC ;
.~
'•~M
Is 880.Sxl0.t 8A 6.45x10· 10A .fo.

~,.
t '----
Vj 0.75V 0.525V }!
Cjo 175pF 208pF

'---
Rs o.2sn o.2sn
~-
BY 4.7V 4.688V
'--'
....__.
'--'"'
'--
t:·
~.
:;:
t. EL DIODO l~LECTRÓNICA ANALOGA: ·mordA y L,\flOH.ATOIUO 161
r:u=- EJEMPLO
Diseñar un regulador utilizando diodo zener, si se tiene un voltaje no regulado de 20V y sobre
una carga variable desde 100.0. hasta 5K, se requiere de un voltaje VL = 4.7V. Asumir lo que
se requiera.
SOLUCIÓN. -'Í
Para estos diseños, sean reales, es decir, que se van a construir en protoboard, o solo se va a
efectuar la simulación, es conveniente conocer las características de los dispositivos que se
van a utilizar. Estas características comprenden las especificaciones dadas por fabricante, pero
algo mas real, es la característica del dispositivo tomada de un circuito prueba, considerando
que la mayor parte de elementos que se adquieren en comercio no son dispositivos originales.
Para este diseño, en particular, es conveniente conocer la respuesta voltaje-corriente del zener,
a partir de un circuito prueba. Se detalla a continuación, la forma de determinar esta
característica utilizando el paquete de simulación PSPICE; posteriormente, cuando se
planteen las prácticas de laboratorio, se explicará la manera de obtener esa característica en
forma práctica
Rs
vi
Sweot V11r Tyoe
t!_ame: ¡.,.;
10 vz r- ':[oltage Source
- Vi
5
+
01
r
r
r
Iemoerature
Curren! Source
Model Parameter
01N750 < ~loba! Patemeter
Sweep Type
SlaJI Value: 13
r- IQ~e.:~
r Qdave EndV~lue: lsv
r QecMe lncremer>t: ¡o.N
r Value Li:lt
Ne<ted S.!!!""º ..
FIGl.105 FIGl.tOG
El circuito prueba es el que se muestra en la FIG 1.105. El valor de Vi es indiferente, mientras
que el valor de Rs depende de la corriente que se desee. Recuerde que todo diodo polarizado
en conducción, requiere de la resistencia !imitadora de corriente. Para la simulación lo que se
propone es hacer un barrido en OC (OC SWEEP) de la fuente Vi, entonces proceder así:
Una vez dibujado el circuito en el esquemático, pique con el puntero del mouse en el siguiente
- orden: ANALISYS, SEPUP, OC SWEEP. Aparece la ventana que se muestra en la FIGl.106

La tabla se completa con la siguiente información:
Tipo de variable bC1rrida: Fuente de voltaje
Nombre de la variable: vi (tiene que ser el nombre que se le da a la fuente)
Tipo de barrido: Lineal
l. EL DIODO ELl~CmÓNICA ANÁLOGA: TEORIA \' LAUOHATORIO 162
t.8. OTROS DIODOS: DIODO ZENER
Valor inicial del barrido: 3V '-..-·
Valor final del barrido: 6V
En incrementos: 0.2V
Los valores inicial y final, se escogen de acuerdo a lo que se necesita; así, se sabe que el zener
regula en 4.7V, entonces se toma un valor inicial y final alrededor del voltaje zener. El
incremento depende de la definición que se desee de la gráfica. .
Se acepta (OK) y se corre el programa (F 11 ). Luego de la simulación aparece la ventana del
PROBE, con el eje horizontal indicando el voltaje Vi. Para el eje vertical, se pica ADD y
selecciona In, puesto que el objetivo es obtener la característica voltaje corriente del zener. La
señal resultante se muestra en la FIG 1. 107
ZONA NO PERlvIITIDA DE TRABAJO

on • - - - - - - - - - - - - - - --.-..-;¡¡,;--;;.;-,.,-,;;.;--;:.::-:.::.-.:.-:-:i.:·
-.:.::_-:...:.:. :.:::..::..::.:.:.::::·_:_:.:.::::.:.:::_:.: . :_-:._::_:_:.:..:..:..:.:. ::-. ::-.::..:_:. .:.;
1
/¡
•(4 . 5966 . -2 5292~)
Punto 111.ini.mo !
1
1
-40mn ~ ZONA SEGURA DE OPERACION
Pw1to maxiino
(5.5252,-75.057m)
.; 1
-somn
-120mll
3 .llU 3.SU I¡. OU 4 . SU S.llU 5.SU 6. ou
C~)I(D1)
U Ui
FIG 1.107
En la gráfica se muestra:
• Dos zonas no permitidas de trabajo ( zonas sombreadas). La de arriba, cuando el diodo 1

está fuera de la zona de ruptura y la inferior, cuando se excede el valor de la corriente Iz ;"--'
(lz.M). La zona de arriba, prácticamente se escogió en forma arbitraria, mientras que la
zona inferior, se limita por la especificación de fabricante: Tzilf.
• La zona segura ele operación, y que en la gráfica está limitada por los puntos:
Punto mínimo: Vzmín ::::: 4 .5966\1@ lz : : :; -2.529mA.
Punto máximo: Vzmáx = 5 .525Y @ lz = -75 .06rnA ..___..
Entonces, para el diseño , se debe asegurar que el punto de operación quede entre los puntos
indicados. Otro detalle a tener en cuenta es el siguiente: el valor nominal del voltaje zener es
t. EL DIODO ELECTHÓNICA ANÁLOGA: TF.ORfA Y LAnORATORIO 163
Vz = 4.7V. Significa que, alrededor de este voltaje, por arriba y por debajo, se tiene voltajes
posibles de operación. Por debajo, el cambio de voltaje es: Vz - Vzmín = 0.1034V, lo que
significa que se tiene una tolerancia del 2.2%. Por arriba el cambio de voltaje es: Vzmáx - Vz
= 0.825V, es decir, se tiene una tolerancia de: 17.6%. Es una tolerancia muy alta (idealmente
la tolerancia debe ser de 0%), así que se debe tener en cuenta este aspecto al efectuar el diseño:
tratar de reducir en lo posible la tolerancia, seleccionando una zona de trabajo menor.
Rs Is A Teniendo la curva característica del diodo, se
procede a efectuar el diseño. El circuito a diseñar se
muestra en la FIG 1.108. El objetivo es calcular Rs,
+ de acuerdo a las condiciones y datos dados. De las
Vi condiciones dadas en el enunciado, y considerando
que el zener mantiene el voltaje constante para
cualquier corriente, se tiene:
V¡, = 4.7V, RLmín = 1000, Ri,111 :\x = 5K, así que se
tiene: 11,111:\x = V1, I RLmi11 =47mA,
FIGl.108 11.min = VL / RLm:\x = 0.94mA
Y: V HS = Vi - V L = 15. 3V
Considerando que el voltaje Vi y la corriente a través de Rs son constantes, en el nodo A se
tiene: Is = Izn1ín + lr..1n:'1x ,
Is = lzmáx + TLmin
En los cálculos anteriores, se supuso que Vz es constante, e igual a Vz = 4.7V, para cualquier
valor de lz; sin embargo, esta afirmación es incorrecta, como se demuestra a continuación.
En esta parte del diseño, no es posible deducir nada, así que se tiene que asumir algo . Esta
palabra: asumir, es lo que distingue un diseño de un análisis; asumir, considerar,
tomar como criterio ele diseño, suponer, ensayar, son expresiones que caracterizan
un diseño, un proyecto; son términos que utiliza el diseñador, Ud., cuando emprende un
diseño . Pero, hay que saber asumir; se debe tener las bases teóricas, el conocimiento del tema,
para saber asumir. ¿Qué es · 10 más adecuado?, ¿qué es lo más sencillo?, ¿qué se debe
considerar para hacer que el resultado final sea lo óptimo, versátil y lo más ¡económico!?.
La decisión la toma Ud.
Para el diseño propuesto, se puede . asumir: Rs, Is, lzmín o Izmáx. ¿Qué será lo más
adecuado?
Tal vez lo más recomendable es asumir Izmín, puesto que la característica del dispositivo es
una limitante; si se escoge Izmín muy bajo, se corre el riesgo que el zener salga de la zona de
niptura, y pierda el control de la regulación. Entonces, se puede asumir que: Izmín ::::: 5 x
2 .529mA = 12.645mA. Recuerde que 2.529mA es la corriente que se obtuvo de la
característica del diodo para Vzmín.
Se preguntará el estudiante ¿porqué 5 veces? Es muy arbitrario, pudo haber sido l O veces ó
3. 5 veces. Pero tampoco se puede exagerar, porque si se escoge 20 veces, la corriente Izmín
resulta de 50.58mA, por lo que es un valor muy alto.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: T F.OlliA Y LAllOHATORIO } 64
Para obtener una respuesta más real de la característica del diodo zener, se recomienda
suprimir la resistencia Rs del circuito de prueba de la FIG 1.105 y seguir con el proceso
propuesto; en esta forma se determina la característica que muestra la FIG 1.109. (Pero no
olvide que esto solo se puede hacer en la simulación. En la realidad no se
debe hacer, porque se corre el riesgo de quemar el diodo zener).
M-- - - - - -- -- - - - - - - --· · ---~~~~=-=·=··.=::;··:;..··:,=.·:_:··_---: --------- ---- ·----··: :

''
(4 .6007,-3.5537m) / .
(4.7356, - 74.907m)
(4 7982 ,-107 679m)

-1 DUtlltl ~
.._______
Tr P.r.FPA RLIPTUP.A ---~
OESTRUCC[l)N DEL DISPOSl l l VO
-118~ +------- --___ ___ ___ .,. ____ __ __---,- --- ---------- ---------- ---.---,. --.............. . ___ -------------- -,----------·----- --__ ¡:
:l.llV l.SU 4 . 0U lo.SU ~.BU
a l(D1)
FIGl.109
En esta gráfica se muestran los siguientes puntos importantes:
./ Primera ruptura: para voltaje de zener Vz ::::; 4.4067V. En este punto se observa un cambio
de pendiente, implicando cambio de resistencia. A partir de este punto, se presenta cambio
tanto del voltaje como de la corriente, hasta que se llega a otro punto en donde hay nuevo
cambio de pendiente_
'--
./ Segunda ruptura: este punto inicia en Vz 2'. 4.6007V. De este punto en adelante, hasta que
se llega a lzM = 75rnA, se tiene la zona segura de operación, en donde se puede operar el
diodo sin ningún problema. Entonces, la zona está comprendida desde: 4.6007V < Vz <
4. 7358V, y que comprende corriente: 3.5537mA < Tz < 75mA. Por arriba de 75rnA, no se
recomienda operación, porque se produce calentamiento anormal del dispositivo, y,
lógicamente, su malfuncionamiento .
./ Tercera rnptura: mas allá de Iz;..1, se produce otro cambio de pendiente en la característica,
y que se indica como tercera ruptura. La operación en esta zona destruye al dispositivo.
De acuerdo al diseño, se escogió Izmín = 12.645mA, corriente que está dentro de la zona
segura ele trabajo_ De la característica de la FIG 1. 109, para Izmín = l 2.645mA se obtiene:
Vz = 4.6 l 73V. Igualmente: Vi, =
Vz = 4.6173V, así que: l1,1111h = 46. l 7JmA. '-..--
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TF.ORiA Y LABORATORIO 165
La corriente a través de Rs es: Is = lzmín + ILm:íx = 58.818mA. Con esta corriente se

calcula la resistencia !imitadora Rs:
Rs = (Vi - Vz) /Is = 261.53.Q
Para hacer más real el valor de la resistencia, se escoge un arreglo con 240.Q + 20.Q = 260.Q,
que son valores comerciales (o se puede ajustar con un potenciómetro).
Vi
r .
58.95mA Rs 4.674V
Vir60
58.62mA Rs 4.759V
20 - 01 20 01
RL 100
01N750 01N750
12.21mA 46.74mA 951.74uA

57.67mA
(A) (B)
FIGl.110
,.-..._
El circuito simulado en PSPICE para la carga de 1oon se muestra en la FIG 1.1 t O(A); se
indican las corrientes y voltaje que resultan de la simulación.
Para la carga de 5K, se supone que la corriente a través de Rs se mantiene constante, entonces
se hace el siguiente razonamiento: las situaciones extremas de RL son: RL =O y R1, ~ oo .
Para RL = O, se supone que es un corto en la carga (aunque esta situación no se presenta
porque la carga mínima es 100.Q), así que: 1 = Vi / Rs = 76. 92mA, puesto que el corto
circuito bloquea al zener. Esta corriente es la mínima que debe suministrar la fuente Vi.
Para RL ~ co, situación en la que la carga es circuito abierto, entonces toda la corriente que
crnza a través de Rs, circula también a través del zener y, como Is = 58.8 l 8mA, esta
corriente no supera la especificación Jzi\c del zener.
La simulación para la carga de SK se muestra en la FIG l.11 O(B) y, como se observa, la
,.-::
corriente a través de la carga diminuye, mientras que a través del zener aumenta. Se observa
que se opera cambio en Ja tensión del zener al variar la carga; esto es normal porque el zener
_J es un dispositivo real (en el ideal, el voltaje se mantiene idéntico para cualquier carga).
~j Pero, a pesar del cambio en el voltaje zener, se pueden hacer algunos cálculos rorcentuales de
l
las variaciones, así : el voltaje del zener cambia en /J. Vz = 4.674 - 4.759 V = 0.085V,
~J representando un cambio de 1.82% con respecto al menor valor; la corriente en el zener
l I
cambia en 6Iz = 12.21 - 57.67 mA = 45.46mA, representando un cambio de ¡¡372.32%!!.
/"'j ·' Esa es la característica que hace interesante al diodo zener: pequeños cambios en su voltaje
con grandes variaciones en su corriente; en otras palabras: Mantiene su voltaje (voltaje en la
carga constante) aunque se produzcan cambios en la carga, claro está, con variaciones en la
j corriente.
j
~
1
.,
,--1
\...
_,.
'--
1. EL DIODO ELECrRÓNICA AN.\LOGA: TEOR!A Y LArlORATORIO 166
1.8. OTROS DIODOS: DIODO ZENER ) ....._..
Como resultado del diseño, se pueden establecer algunos puntos como conclusiones, para el '-
diseño con diodos zener:
'-
1. Cuando la carga es variable, el valor de Rs se fija con el valor óhmico menor de RL. ~
t ~
2. De acuerdo al voltaje que requiere la carga se selecciona el zener. ~-- '--'

·~
~
··v... ."--"
3. Es necesario, antes de emprender cálculos, establecer los puntos mm1mo y max1mo de .~
operación seguros del zener: el punto mínimo, para evitar que pierda su característica de
regulación, porque sale de la ruptura y el punto máximo, para evitar que sobrepase las '-'
especificaciones máximas de trabajo.

'--"
.::.
4. Con base en el punto mínimo de operación (Vz, lz) se determina el voltaje real de la carga
y la corriente a través de la carga y de Rs. ..._,,
5. Se debe también establecer corriente y voltaje del zener, para la situación extrema de la . ..__,.
carga ( corto y circuito abierto). Con estos cálculos, se determ ina el valor mínimo de
corriente que debe suministrar la fuente no regulada y la corriente máxima que manejará el
zener.
6. La regulación del zener se resume así : Si RL -!-, ILt, Iz .!. y Vz-!- en igual forma: si RL t,
IL -!-, rzt, Vz t , pero el cambio en el voltaje del zener es muy pequeño y se mantiene
dentro de un rango muy estrecho de volt aj e ~V z = V Zm:íx - V Z.mín , a pesar de los cambios
en la carga y, obviamente en los cambios de la fuente no regulada Vi. Este cambio de
voltaje de zener ~ Vz es tan pequeño que prácticamente se puede afirmar que el voltaje
zener es constante. Lo importante para una operación normal del zener es que el voltaje se
asegure dentro de la zona de ruptura. es decir, en la zona de operación segura indicada
en la FIG0. 109.
La situación normal para la utilización del zener es que se produzcan variaciones tanto de la
füente no regulada como de la carga. El siguiente ejemplo contempla esta situación.
EJEMPLO '-.-·
Una carga que varía desde IOOD. hasta IK, requiere de un voltaje constante de 4.7V. La
alimentación se toma de una fuente no regulada cuyo voltaje varía entre: 20V ~ Vi ~ 25V.
Diseñe el circuito. Asumir lo que se requiera.
SOLUCIÓN. ~
Procediendo teóricamente, se escoge un zener que actúa como regulador con Vz = 4.7V, asi
que la corriente máxima de carga es:
ILm:h = Vz I RL111í11 = 47mA
La co rriente a través de la resist enci a !i mitadora Rs se define como :
Ismín = Izmín + l1111:íx
Izm ín se determina de las características del diodo qu e se va a utilizar; el diodo zener 1N750,
posee el voltaje que requiere la carga y, como ya se conocen las características de este diodo,
t. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORfA Y LAílORATOIUO J67
según la FIG 1.109, se determina el valor de lzmín que asegura operación en zona segura, así
que se asume: Jzmín = 3.6mA, luego: Ismín = 50.GmA
El valor de Rs se determina de la Ec:
Vimin - Vz
Rs : : ; - - - -
Ismin
Con: Vimín = 20V, Vz = 4.7V, reemplazando se obtiene:
Rs ~ 302.4.0
Se escoge una resistencia cuyo valor comercial esté por debajo, más proxrma al valor
calculado, o se coloca un potenciómetro y se hace el ajuste 'fino' hasta obtener el valor
deseado . Consultando tablas se obtiene: Rs = 300.0
Para determinar el valor máximo de la corriente del zener, se considera ecuación:
Vimáx = Rs ( Izmáx + 11,111111)
De donde: Izmáx = Vimáx I Rs - hmín
Con: Yimáx = 25Y, Ii.min = Vz I RLm:tx = 4.7mA

Reemplazando se obtiene: Izmáx = 78.83mA.
Esta corriente máxima del zener sobrepasa la especificación Izl\J = 75mA, así que es necesario
aumentar la resistencia Rs, lo que implica reducir la corriente Izmín. El análisis anterior es
netamente teórico y se supone que Vz es constante para cualquier valor de Iz, sin embargo, no
es así, entonces reconsiderando valores se tiene: para Jz =3.6mA, Vzmín = 4.6V, se
obtiene: ILm:\x = Vzmín I RLmín = 46 mA
lsmín = Izmín + ILm:ix = 49.6mA
Rs ~Vi min- Vz min = 31 0.5.0

Ismin
h111111 = Vzmáx I RLm:'tx = 4.7rnA (considerando Vz = 4.7V)
Izmáx = Vimáx / Rs - li.mín = 75 .95mA.
Esta última corriente (Izm:ix) es obtenida de un cálculo teórico y no es la corriente real del
zener; recuerde que la característica del diodo no es lineal, sino alineal.
j Entonces, el valor teórico alcanza a sobrepasar en 1mA la corriente lzM (¿considera que se
j debe reducir? O ¿se puede aceptar este pequeño exceso?)
Un cálculo necesario es la potencia que disipa el zéner.
J Pzmáx ;:::: ( Ism:ix - lLmía) Vz
J ,.
\ 1 \!
Is =-· -"'" -=-.. ~ = 65 .48mA
1
j Con:
"'~' Rs
J Luego: Pzmáx = 285.7mW
J ,Así que el zener debe soportar: Pz ;:::: 285.7mW
J
J
..Á...
l. EL DIODO ELECfRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATO lUO 168
Al efectuar la simulación del circuito en el paquete PSPlCE se obtienen los siguientes

resultados.(Estos son los 1·esultados reales)
Vi RL Vz lz IL Is %REG
20V lOOD. 4.602V 3.65mA 46.02mA 49.67mA 3.19%
25V lOOD. 4.696V 18.54mA 46.96mA 65 .SOmA l.49%
20V tK 4.744V 44.47mA 4.744mA 49.21mA X
25V lK 4.762V 60.52mA 4.762mA 65.29mA X
20V o o o 64.52mA 64.52mA X
25V o o o 80.65mA 80.65mA X
20V 00 4.749V 49.20mA o 49.20mA X
25V 00 4.766V 65.27mA o 65.27mA X
Observe en la tabla, que para Vimáx y RLm:íx. la corriente real en el zener Iz no sobrepasa el
máximo fzM. Se incluye en la simulación, las situaciones extremas de la carga: corto circuito y
circuito abierto y la corriente del zener tampoco sobrepasan la especificación máxima fzM-
En la última columna se calculó el porcentaje de regulación (%REG); Recordar que este
porcentaje define la calidad del regulador y expresa, el porcentaje en que cambia el voltaje
sobre la carga cuando ella tiene mínimo ohmiaje, con respecto a cuando está la salida sin
carga. Ya se había definido ese porcentaje, y la ecuación que se aplica es:
º/.i Re =}'1,(VACIO)- V1.(CARGA) * lOO ,_
g V"(CARGA)
En el ejemplo que se acaba de desarrollar. se planteó una solución algo diferente de la

solución dada en el ejemplo anterior, puesto que en este diseño, simplemente, se escogió una
corriente de zener mínima y con ella se desarrolló el diseño. Luego, como puede concluir, se
pueden aplicar diferentes técnicas para desarrollar un mismo diseño, y todas funcionan
siempre que se trabaje con valores lógicos y dentro de los parámetros especificados por el
fabricante de los dispositivos utilizados. Lo más seguro es que de una técnica de diseño a otra,
los valores de componentes calculados difieran, pero el circuito final funciona dentro de
tolerancias razonables.
Para los diseños desarrollados se ha considerado que Vi. = Vz: sin embargo, esta igualdad es
válida para un zener ideal ( Resistencia intrínseca del zener Rz = O) o para operación del
zener con bajas corrientes y bajas potencias de operación. ----
l. EL DIODO ELECfRÓNICA ANALüGA : TEORIA Y LABORATORIO 169
1.8. OTROS DlODOS: DIODO ZENER
Suponiendo que Rz * O se debe tener en cuenta esta resistencia, así que el análisis se
determina a partir del circuito de la F1G 1.111.
Is Rs
+ Iz
lL
1:
+
Vz
Vi-=- RL
Rz
1
,...-.;_
•
.---.._
(A)
-:- (B)
J FIGl.1.11
J En la FIG 1.11 1(A) se presenta un modelo simplificado equivalente del diodo z.ener, en donde
se representa por una fuente Vz en serie con la resistencia intrínseca Rz (ó rz) . En la
J FIG l. 111 (B) se muestra el circuito regulador reemplazando al zener por su circuito
J equivalente. Para el análisis del circuito, se tiene la situación en que Vi varía, con: Vi 1 > Vii.
VLt
I Lt = -R
L
V V1.2 - Vz
l = --~ y 1Z 2 -- -·--·-R·-- - -
t.2 R
L z
Restando las expresiones se tiene:
'
·- "' 61 = Y1.1 - VL2. = 6V.!.!_
L
RL RL
Luego: 6VL= RL 61L
Y: 61 = VLt - VL2_= t:i.VL

z R 7. R 7.
Así que:
De la última expresión, si Rz = O, entonces ó V1, = O
Para obtener los voltajes Vu y V L2 se aplica superposición como indica la FIG 1.112.
Del circuito de la FIG 1. 1 l 2(A) se obtiene:
RzR 1
Req 1 = -- --·--
. Rz+R L
J V = Req 1 Vi _= Rz RL Vi
t.t Rs+Req 1 RzR .. +RzRs+RsR 1•
j
¡
•
l. EL DIODO ELECfllÓNICA ANALOGA: TEOHÍA Y LAílORATORIO 170
VLl
Rs Rz
I'
Vi-=- Rz RL
Vz
+
Rs
-=- (A) (B)
FIGl.112
Del circuito de la FIG l.112(8) se tiene:
RSRL
Req 2 = - -- -
Rs +RL
V - Req2Vz - RzRLVz
Ll - Rz + ReQ";- RzRt. + RzRs + R 5 RL
Combinando las dos ecuaciones V 1.•t y Vu se llega a:

(ViRz + V7_R 5 )Rr.
V =V +V = - -- - -
t. L! L:? R s R 7. + (R s- + R Z )R L
De la última ecuación y para el diodo ideal ( Rz = O) se obtiene:

VL = Vz
Ya se había definido el porcentaje de regulación: Es una relación numérica que define la
calidad de los reguladores de voltaje y se define como:
x, Re
1 = Y1,(VACIO)- V1,(CARGA) ,_,
100
g VL(CARGA) .
En donde VL(VACÍO) es el voltaje medido en la salida sin

Rs conectar la carga y Vr,(CARGA) es el voltaje con la
máxima carga (máxima carga se interpreta como la carga
con el valor óhmico más pequeño).
En la fuent e ideal: VL(VACIO) = VL(CARGA), así que
el porcentaje de regulación es del 0%; Por tanto, en una
V¡
fuente real, entre menor sea el porcentaje de regulación, la
füente es de mejor calidad. Para el regulador zener, el
voltaje sin ca rga se determina del circuito de la FIG 1.11 3
VL(Vacío) = 1 Rz + Vz
FIGl.113 Para el voltaje V1.(cargn). se utiliza la ecuación ya deducida:
1. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TE.ORIA Y LABORATORIO 171
L8. OTROS DIODOS: DIODO ZENER
V = ~ +V = (ViRz + VzRs)RL
L Lt Ll R s R Z + (R S + R Z )R L
El regulador con diodo zener es el más simple pero presenta algunas limitaciones; una de estas
limitaciones es que para cargas de bajo ohmiaje (cargas fuertes o grandes) la resistencia
intrínseca Rz se hace apreciable, causando que Vz '# V L·
Como consecuencia, se tiene un porcentaje de regulación que no es muy estable. Al regulador
con diodo zener se le denomina regulador paralelo puesto que el diodo zener está en
-. paralelo con la carga.
EJERCICIO l81
1. Un regulador con diodo zener se alimenta desde una fuente de 30V y tiene como
!imitadora una resistencia de l SOD.. Si el zener tiene un voltaje de ruptura de 5.1 V y lci.
carga es de 800D., calcular la corriente que circula a través del zener. Al suprimir la carga,
que corriente circula ahora si el zener mantiene su voltaje. Calcule el porcentaje de
regulación.
2. Un diodo zener tiene las siguientes características:
Primera ruptura: Vz = 7. l 9V@ Iz = O.SmA.
Segunda ruptura: Vz = 7.22V@ Iz = 1.5mA
= 7.41 V@ Jz = 1OOmA
Tercera ruptura: Vz
Además: Vz (nominal)= 7.34V; Tz.i\t = 80mA
2.1 . El zener se coloca a una fuente no regulada de 28V, y a una carga de 300D.. Diseñe el
regulador.
2.2. El zener se alimenta con una fuente que varía entre: 25V s Vi s 32V y se coloca a una
carga cuyo valor mínimo ·es de ! 50D.. Diseñe el circuito. Calcule el porcentaje de
regulación .
2.3. Si el zener se alimenta con Vi = 30V y debe regular una carga de 20D., ¿está en
capacidad de manejar esta carga?. Diseñe si es posible.
3. La gráfica de la FIG 1.114 corresponde a la característica de un diodo zener.
Utilizando esa gráfica resolver:
3. 1. Determine los puntos de ruptura y la zona de operación segura
3.2. El zener se coloca a una füente de 35 V no rP-gulada y que varía en l 0% de su valor. La
,......., carga mínima es de 80D.. Diseñe el regulador y determine el porcentaje de regulación.
- 3.3. Para ¿qué carga mínima, y máxima se puede utilizar el zener con seguridad? Considere el
mismo voltaje de Vi anterior. Para todas las situaciones de este numeral (3 .) considere la
presencia de la resistencia intrínseca Rz
t. EL DIODO ELECI"RÓNICA ANALOGA: TEORL\ Y LABORATORIO l 72
Iz
ll .75V l l .36V ll.28V
IZl\>I
l.35A
2A
FIGl.114
4. Una carga de son requiere de un voltaje regulado de l 8V. Seleccione el _zener adecuado
de la lista dada anteriormente. La alimentación del zener se toma desde la red de
l l 5VRMS @ 60Hz. Diseñar efectuando cálculos del transformador, puente rectificador
y filtro. Considere que la red fluctúa su voltaje en ± 15%. Calcule el porcentaje de
regulación y tenga en cuenta el efecto de Rz. Calcule, también, la potencia que disipa el
zener.
5. Dibuje los circuitos, utilizando diodos zener, que entreguen la curva de transferencia de
laFIGl.115 .
6. Se requiere de una fuente dual regulada, de manera que se tenga sobre dos cargas
diferentes: VLl = 5.1 V y VL2 = -5 .1V. Las cargas manejan una corriente de 50mA y
80mA respectivamente. Diseñe si se toma alimentación desde la red de 220Vef@ 60Hz.
7. Comercialmente se dispone de diodos zener de 20\1 y 22V. ¿Qué se puede hacer si se
requiere de un voltaje regulado de 21 V?
8. Mencione algunas aplicaciones en las que se requieran voltajes de regulación mayores a
80V.
9. ¿Por qué a un regulad or con diodo zencr se le conoce como regulador paralelo?
t. EL DIODO ELt~cmóNICA ANALOGA: TEORlA y LAUORATORIO 173
1.8.2. OTROS DIODOS: DIODO EMISOR DE LUZ
-....
Vo Vo Va
........._
(A) (B) (C)

~
'
- 3.
FIGl.115
¿Por qué es necesaria la resistencia Rs en los circuitos con zener? ¿Se puede generalizar
el uso de esa resistencia para otros diodos? Explique .
......._
4. ¿Qué diodo zener es mejor: el que presenta un ó Vz menor o mayor entre segunda y
.--, tercera ruptura? Explique su respuesta .
5. Una carga requiere 20V @ 5 A. Diseñar el regulador. Tiene efecto la resistencia
intrínseca del zener Rz en el voltaje de la carga? Explique y sustente su respuesta.
1.8.2. DIODO El\1ISOR DE LUZ

Un segundo prototipo de diodo, semejante en construcción al rectificador y zencr,
pero completamente diferente en su estructura y funcionamiento es el diodo emisor de luz o
más conocido como diodo LED (Light Emitting Diode). Son diodos que tienen la posibilidad
de emitir luz visible y radiación dentro del infrarrojo. Para tener una idea de la posición dentro
del espectro electromagnético de estas radiaciones, en la FIG 1.116 se muestra este espectro.
Fueron descubiertos cuando en el contacto de un diodo con impurezas de fosfuro de galio
(GaP), emitía una luz roja cuando el dio.do se polarizaba e11 directo; posteriormente, la emisión
de luz se mejoró cuando al GaP se introdujo inipurezas de zinc y oxígeno.
Dentro de los ·m ateriales que tienen la capacidad de emitir luz, además del GaP, se tienen el
arseniuro de galio (GaAs), y la combinación de otro compuesto muy común en la fabricación
de los LED's: el fosfuro-arseniuro de galio (GaAsP); la ventaja de este compuesto, es que
variando las proporciones del arsénico y del fósforo, se logran diversos colores, abarcando
desde el infrarrojo hasta el verde.
1.8.2.1. DEFINICIÓN.
El LED es un diodo capaz de emitir una energía luminosa. resultante de la recombinación de
huecos y electrones. Cuando el diodo LEO emite energía radiante en la región infrarroja del
espectro, se denomina TRED (Infrared - Emitting Diode).
E l término luminiscente, que es característico de los LEO . significa la emisión de luz no por
efecto térmico, sino como resultado de la recombinación de huecos y electrones. Luego una
aplicación inmediata del LED es como dispositivo de visualización y se amplía su uso en las
]. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOHIA Y LAllORATOIUO 174
comunicaciones. Entonces, al polarizar en directo la juntura del diodo excita los portadores
mayoritarios, inyectando electrones en la zona neutra de la unión, en donde se recombinan,
emitiendo, corno resultado, un fotón.
~
o
.....
<
~
H <
~ ~
H
o i:i::
o ~ 1-:J o
><!
~
o u ~
>
~· i ~
V? ~
I~
V?
o o <
;:... §
~ o ~ 11 1 o
§
o '- -
1 1 1 1 1 1 1 1
10" 10 10"8
-12 4
10 10-6 10"
4
10" 2 1 10
2
10 en\ '-J
ESPECTRO ELECTROMAGN.ETICO
o
.....:¡
.::X: ~
......
~
.,._;¡
o
~ ~ ~~
~
g
z
g
o
1
~
1
~~~~-r-~~~~-.---~~~--.~~~~~1r--
400 500
1
600
1
700
i:i::
800
Anm. -
ESPECTRO VISIBLE
FIGl.116
La probabilidad de recombinación en esta zona, depende del tipo de estructura en las bandas
del material semiconductor. En los materiales, por ejemplo, el GaAs, un electrón de la banda
de conducción puede caer a un hueco de la banda de valencia, y la energía liberada como
resultado de la transición se emite en forma de fotón. Recordar que cuando un portador pasa
de la banda de valencia a la de conducción, gana energía (la energía de la banda prohibida);
igualmente, cuando el portador pasa de la banda de conducción a la de valencia, pierde
energía, y, esa energía que libera, se convierte en un fotón.
PLATO ....__
REFLECTOR
FIGl.118
Una medida importante es la cantidad de energía de la
banda prohibida, y que es energía que libera el
electrón en su paso de la banda de conducción a la de
~.!\NODO valencia. La magnitud de esta energía depende del
material semiconductor que está fabricado el diodo, y
de esta energía, depende la longitud de onda de
emisión.
FIG l. l 17 El símbolo del LED se muestra en la FIG J. 118 y en la
FTG 1.117 se muestra el aspecto de uno ele estos diodos. En este dibujo se identifican los
l. EL DIODO ELI•:rmóNICA ANÁLOGA: TEOHIA y LAílOilATOIUO 17 5
terminales característicos de un diodo normal: ánodo y cátodo, pero el empaque es de plástico

transparente, cuya función es, además de la protección necesaria para la estructura interna, la
de desacoplamiento de radiación y conducción del rayo. La superficie curva, actúa como lente.
l.8.2.2. ESPECIFICACIONES
Se presentan a continuación las especificaciones de algunos diodos LED, copiadas de:
"The Engienering Staff of TEXAS J.NSTRUMENTS INCORPORA TED: THE
OPTOELECTRONICS DATA BOOK"
GLOSAJUO:
Luminancia (Lv) (brillo fotométrico): Intensidad de luminosidad de una superficie en una
dirección dada por unidad de área proyectada. Unidades: fL, cd/ft2 , cd/m2 . lfL = (1/n) cd/ft2 .
Energía luminosa(Qv): Energía que viaja n la forma de radiación visible. Unidades: lm.s
Flujo luminoso (<!>v): Rata de tiempo de circulación de la energía luminosa. Unidad: lm.
Intensidad luminosa (lv): Flujo luminoso por unidad de ángulo sólido en una dirección.
Unidad: cd.
cd: candela; lm: Lumen; fL: Footlambert; ft: pie .
QUICK REFERENCE GUJDE

LIGHT-EMITTING DIODES
OUTPUT Vf A.p
COLOR OF
DEVICE MIN TYP @ IF MAX @IF TYP FEATURES
LIGHT
~tcd ~lCd mA V mA A
0.120 inch-<lia. Re<l diffused
TlL209A Red 500 20 2 20 6500
epoxy
0. 120 im.:h-<lia. Green tlilTuscd
TCL211 Green 800 1500 25 4 25 5650
epoxy
0.2 inch -<lia. Red du!Tused
TIL220 Rt:<l 800 20 2 20 6500
epoxy
TIL221 Red 1000 20 2 20 6500 0.2 inch-<lia. Clcar epoxy
0.2 inch-<lia. Green <li!Tuscd
TIL222 Green 1000 1500 25 4 25 5650
epoxy
Single ckment. Red diffuse<l
TIL261 Red 500 20 2 211 6500
epoxy
Single ekrncnl. Green diffused
Tíl,271 Green 800 1500 25 4 25 5650
epoxy
TIL281 Amher 800 1500 25 1 25 5900 Single ckmcnl. Ambc di!Tuscd
epoxy
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEO!tlA Y l.AIJORATORIO 176 .
TYPE TlL209A
GALLIUM ARSENIDE PHOSPHIDE VISIBLE- LIGHT SOURCE
DESIGNED TO EMIT VISIBLE RED

LIGHT \VHEN FOR\VARD BIASED
• Recommended for Aplication in Visual lndicators,
Alpha=Numeric Displays, and Built-In Diagnostics
• High Brightness with Solid-State Reliability
• Compatible with Most TTL and DTL Circuits
• Ideal for Fault or Trouble Indicator
This device has a red molded filled -epoxy body --
FTHODE
C-----.iíl :
lANODE
Absolntc maxumum ratings

Reverse Yoltage at 25ºC Free-A ir Temperaturc .... .... ..... .. ... ....... .. .. ... .. JV
Contin11ous Forward Curren! nt (or bclow) 25º C írce-nir
Tempemturc (see note 1) ...... ... ..... . .. . .. . .. . .. ......................... .. . . .. 40mA
Stornge Tcmperaturc Range .. .. .... ............................. .. .... . -40°C to 80ºC
Lead Tcmperature 1/16 lnch from Case for 5 Seconds .... .. ... .. .. ......... 2JOºC
Operating characteristics at 25ºC free-air temperature

Para meter Test Conditions MIN TYP MAX UNIT
lv Luminous Intensity (sec Note 2) Ir- =20mA 500 µcd
:>-.p Wavclcnglh al pcnk Emission [F = 20111A 6300 6500 6700 A
v. Stalic Forward Vollagc [F = 20111A 1.6 2 V
l 1t Static RcYerse Curren! YR=> V 0.1 µA

NOTES : 1. Dernte ltne;irly to SO"' e free-a ir tcmpcratmes al thc ratc of O. 73mA/º C
2. Lumious inlcnsity is mcasurccl with a light sensor ancl filler combination that
Approximalcs thc CIE (lntcrnational Commission on J111mination) cyc-rcsponsc curve
l. EL DIODO El.F.CTRÓNICA AN.\LOGA: TF.ORIA Y LAilOil<\TORIO 177
TEXAS INSTRUMENTS
INCORPORATED
En la FIG(A) no se copiaron las dimensiones del dispositivo, que se entregan en el manual
En la siguiente gráfica se muestra la respuesta espectral de algunos de los LED's que se
anotaron en la tabla indicada como: Guía de Referencia Rápida.
TYPE: TII.211, TII.222 TYPE: TIL209A, TII.220, TII.221

...... _
LO
0.9
Ir- 20mA V ~
LO
0.9
Ir= 20mA rl\
0.8
Ta= 2S't
1/ ~ 0.8
Ta= 2st:
I \
e
·¡;¡ / "t\ e 0.7 I \
r::: 0.7 ·~
Ql
.s 0.6
/' \ .,
.s 0.6
1
=
o
.....
o 0.5
/ \ zor::: 0.5 ¡ 1
..t:.
.,A. 0.4 ' \ "á
., 0.4
I \
>
·o
nl 0.3 / ' >
·g 0.3 I \
-¡¡;
IZ 0.2 I \ -¡¡;
~ 0.2 I \
1
0.1
o
5400 5500 5600 5700 5800
\
5900
0.1
o
6000
-v
6200 6400 6600
' f'...._
6800 7000
Wavelength A Wavclcu¡¡th ~
FIGl.119
- También se consiguen comercialmente, arreglos de LED's en los que vienen desde 2 hasta 10
LEO' en línea (o panel). Uno de estos arreglos se muestra en al FIG 1.120.
111911111111
FIG 1.120
El siguiente listado muestra algunos de esos LED's.
1
TYPE TIL271 TIL272 TIL273 TlL27..¡ TIL275 TIL276 TIL277 TIL278 TlL278 TIL280
#
LED's
1 2 3 4 s 6 7 8 9 10
~
t. EL f?IOD.0 .. .. . ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TF.OHIA Y LABORATORIO l 78
En la siguiente tabla, se transcriben algunas las especificaciones de LED's dadas en el manual

ECG l\tlater Replacement Guide de Philips.
Discrete LED lndicators

MaxDC Maximum Typical Typ
Fnnvarcl Reverse Fonvard Power Viewing Lurninous
ECG Dcscription/Appli rntion Viewcd Voltage Volt a ge lntcnsity
TYPE Color Current Diss Anglc mcd
V.-(V) VR(V)
1,(mA) P 0 (mW) Dcg
Clcar 1.65 5.0 40 80 80 1.4
ECG3000 Red
Inclicalor Lights.
Diagnostic C1nd Pm1cl Floo<led
ECG3001 Displays, Printcd 1.(,5 5.0 40 80 80 1.0
Board lndicators, Red
MiniC1turc Low Profilc
ClcClr
Package 2.10 5.0
ECG3002 Yellow 105 80 1.0
35
Clear
ECG3003 2.10 5.0 35 105 80 1.0
Green
ECG31107 Red 1(¡8 5.0 50 100 70 2.5
Bright
ECGJ008 ! 2.00 5.0 35 105 90 5.0
1 General purposc Red
lndicC1tors,
ECG3009 Dcvelopmental Orange 2.00 5.0 35 105 90 5.0
projects, BreadboC1rds
ECGJOIL Green 2.20 5.0 35 105 90 1.0
ECGJOJ 1 Yellow 2.10 5.0 35 105 90 3.0
- Two Color Panel Redor
ECGJ016 2.10 4.0 25 75 90 .6
Circuil Índicator Green
-- -·
ECG3f·J8 Instruments, Printcd Sofl Red l.65 5.0 100 180 90 1.6
- -·- Circuit 80C1rd,
lndicC1tors, Board
ECG3'l19 Mounted Panel Soft Red 1.65 5.0 100 180 60 3.0
Display
--
Computers, General Floodcd
Ecc·rn20 1.70 5.0 100 180 80 1.6
Purpose Indicators, Red
- - - Instruments. Test > - - -·-
ECC3021 Systcms, Mini ~nd Ycllow 2.10 5.0 35 105 65 6.0
--·-- Micro Processsor. Bright
-
ECG3022 Process Controllcd 2.00 5.0 35 105 65 6.0
Red
- - - Industrial
-ECG302J Systcms.
High lntcnsity Ornnge 2.00 5.0 )5
----·
105 65 6.0
--
--·-- - - - -· indicators in Four - - - -- - - -·-- - -·- -·---- -- · - -··- -- -
ECG3024 Colors. Green 2.20 5.0 35 105 65 1.5
1 1
l. EL DIODO El.EC:TnÓNICA AN..\.LOGA: TEOltli\ Y LAllORATOIHO 179
1.8.2.3. CARACTERÍSTICAS ·y DISEÑO

La característica V-[ del LEO es semejante a la del diodo normal cuando se polariza en
directo, con la diferencia que, en el LEO, el voltaje cuando inicia la conducción, está por
arriba de 0.7Y. Una curva característica-del LED se muestra en la FIGl.121.
IF R
~ 30 +
V-=-
E:1 25
u
~ 20
(.'.:) 15
~ FIGl.122
~
z 10
En la FIG 1.122 se tiene un circuito
~ 5 típico de polarización del LEO: Ja
fuente V, la resistencia R !imitadora y
o
u el LEO dispuesto para que se polarice
1.0 1.5 2.0 2.5 en directo.
VOLTAJE DIRECTO VF V Para el diseño, una vez se conoce el
voltaje V, solo se requiere determinar R
FIGI.121 de acuerdo a la característica del LED
que se esté utilizando. Las ecuaciones para determinar la resistencia !imitadora R se obtienen
del circuito de la FlG 1. 122, y son:
V =IR+ VF
En esa ecuación, se debe conocer J¡. y V F· Estos valores se determinan: de las tablas dacias por
fabricante, de acuerdo a la referencia del LEO; o utilizando la curva característica de la
FlG 1.21; o, simplemente, con voltímetro y amperímetro, variando R hasta que el LEO
encienda y se toma la lectura de estos dos parámetros.
Utilizando la curva de la FlG 1. 121, se traza la recta de carga, de acuerdo al voltaje de la fuente
y alguna corriente que asuma el di$eñador. En el siguiente ejemplo, se explica este método
gráfico.
c¡r EJEIVIPLO
Para el circuito de Ja FIGl. 122, se alimenta con SV y se coloca un LEO que presenta la
característica de la FIG l .21 . Determine R. para que el LEO encienda.
SOLUCIÓN. -'1
Sobre la curva característica, se coloca el voltaje de la fuente : SV y se asume una corriente.
Para el ejemplo, se asume: 1 = 20mA.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORIA Y LAIJOHATOIUO 180
1.8.2. OTROS DIODOS: DIODO E!'l'USOR DE LUZ . ../
mA -
30
25
20
15
10
5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 V
FIGl.123
Se une los puntos: V = SV, I = 20rnA y la intersección de esta recta (recta de carga) con la
curva característica del LEO, se determina Ir y VF. Para el ejemplo, se lee aproximadamente:
~'F :::::2.lV, h::::: 13mA.
Reemplazando estos vale res en la Ec: V = 1 R + Vr, se deduce:
R ~ (V - Vi:) I h = 223. 1D.
Se toma el valor inferior •:.:o mercial más cercano. Este método es efectivo, siempre que la curva
característica del diodo que se está utilizando se conozca; si no es así, el método no es
adecuado ..
1.8.2.4. APLICACIONES.
Son muchas las aplicaciories que se tienen de los LED's, algunas, se mencionaron en las
.._.
descripciones de las tablas anteriores, pero, hay una aplicación interesante: los LED's son la
base de los displays de sie:e segmentos. Los displays son indicadores alfanuméricos (letras y
números). En la FIG 1.124, ~;e muestran algunos prototipos de displays
IOl
~
FIGl.124
La base de los displays de segmentos son los LED's, y se pueden construi r utilizando siete
LED's, como se indica en la FlG l.125 (Ocho LE Os incluyendo el punto decimal).
1. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LAllORATORIO 181
1.8.2. OTROS DIODOS: DIODO EMISOR DE LVZ
// //
a a
f //
g
a
e
d d
xx ~~
t ANODO COJVIUN CATODO COÑillN t

FIGl.125
Los LED's se pueden disponer en dos formas diferentes: uniendo todos los cátodos, y se
denomina display de cátodo común, o uniendo todos los ánodos, y se denomina display de
ánodo común. Cada uno de los LEO forma lo que se denomina segmento, así que el display
tiene siete segmentos, y se identifican con las letras: a, b, e, d, e, f, g,. en el orden indicado en
las figuras.
La siguiente tabla muestra algunas referencias y su terminal común.
SEVEN SEGMENTS SEVEN SEGMENTS
WlTll RIGHT WITH RIGHT PLUS/MINUS ONE WITH
DECIMAL, DECIMAL. COMMON RIGHT DECIMAL
COMMON ANODE CATHODE
RED TILE32l TIL322 TIL330
GREEN TIL'.\23 TlU24 TILJJI
AMBER TIL325 TIL.126 TIL3J 2
EJERCICIO [8]
l. Se dispone de un LED que tiene Yr = 2.JV@ 20mA. Determine la resistencia !imitadora,
si se alimenta desde una fuente de l 2V.
. . . ._ 2. Utilizando la ca1 acterística de la FlG 1.121, determinar VF e h, si el LED se alimenta
desde una fuente de SV y la resistencia !imitadora es de 150.0..
J. Se tiene el siguiente sistema de la rIG 1.126.
El circuito toma alimentación de la red de l 20V AC, y se obtiene en su salida 12VDC.
Cuando no hay energía de la red, entra a operar una batería de l 2V; el objetivo es que en la
carga siempre se tenga los l 2V de alimentación. Colocar un LEO verde para indi car que
opera la red y un LEO rojo para indicar que opera la batería.
l. EL DIODO ELECmÓNICA ANALOGA! TEORIA Y LADORATORIO 182
1.8.4. OTROS DIODOS: DlODO DE CAPACIDAD VARIABLE
'-
+
12VDC SELECTOR
12VDC
12VDC
+
CARGA
FIGl.126
4. Para el sistema ante:ior, suponga que la carga puede trabajar con voltaje desde 11 V hasta
12V. Construir el bloque selector utilizando los componentes que hasta el momento
conoce y añadir los indicadores de fallo de energía.
5. A un automóvil se le van a colocar las exploradoras. Dibujar el circuito colocando dos
indicadores con LE 1) para avisar al conductor que las exploradoras están apagadas o están
activadas.
6. Retorne las· curvas de la FIG 1.119. Determine la intensidad relativa de un LED que tiene
una corriente de 2DmA y una longitud de onda de 6000µcd, con base en la intensidad
relativa a 6400~tcd .
7. Efectúa una tabla di:: verdad en donde aparezcan los dígitos (O al 9) y los segmentos que se
encienden para cada número en un display de siete segmentos.
8. Consulte teoría de les LED's infrarrojos: característi cas, especificaciones y aplicaciones.
9. Consulte .teoría acer::a de los LED's de color azul. Consulte teoría de los displays de cristal
líquido.
1O. Consulte la diferencia entre un diodo LED de característica puntual y un LED de radiación
difusa.
11. Mencione algunas causas por las que se puede 'dañar' un LED
12. ¿qué son los disposit:vos opto acopladores y qué elementos los conforman?
1.8.3. DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE

Cuando un diodo no tiene aplicado campo externo, al lado y lado de la juntura, se forma una
zona vacía de portadores. y que es generada por la corriente de difusión como resultado de la
diferencia de concentraciones.
La situación se esquematiza en la FIG 1. 127. Pues bien, si la zona vacía se asocia a un aislante
(di e léctrico en un conde nsador) y las concentraciones de portadores a lo s lados de e se aislan te
se asocian a las placas, se 9uedc afirmar r¡ue el diodo presenta cierta capacidad .
·-
Si ahora se polariza en irr,·erso el diodo, la zona vacía aumenta, aumentando, por consiguiente, ~--
el área del dieléctrico; en i:sta forma, se está varinndo esta 'célpacidad'.

1. EL DIODO m.E<.TRÓNICA ANÁLOC:A: TlmlliA y LABORATORIO 183
1.8.4. OTROS DIODOS: DfODO DE CAPACrDAD VARIABLE
Entonces, se puede afirmar, que el diodo tiene

ZONAVACIA comportamiento de condensador, y, además, ese
i condensador puede variar su capacidad,
simplemente variando la polarización inversa del
diodo. A este diodo, con características especiales
que lo hacen como un condensador, se le
denomina diodo VARACTOR {o VARICAP).
Entonces, un diodo varactor es un diodo de
Alta Concentración ta concentración capacidad var.iable .
. de Huecos · de Electrones
-- Desde el punto de vista de la fisica del estado

sólido, se define la capacidad de transición CT:
dD
FIGl.127 C.r =qN,A--
. dV R
En donde: 'CT' es la capacidad de la unión cuando se polariza en inverso; 'q' es la carga del
electrón, 'NA' es la concentración de portadores aceptares (huecos); 'A' es la superficie de la
unión; 'dD/dVR' es el cambio (derivada) que se produce en la distancia 'D' entre puntos de
alta concentración (ver la FIG 1.127), cuando cambia la tensión 'V R' de polarización en
mverso.
De acuerdo con la ecuación anotada, a mayor tensión inversa aplicada V R, mayor será la
distancia D (recuerde que esta distancia se asocia al dieléctrico de un condensador) de la zona
vacía y menor será la capacidad de transición (la palabra transición se asocia a la zona vacía
alrededor de la juntura).
En la Fl G 1. 128 se muestra el símbolo electrónico del diodo
varactor y un circuito equivalente. Rs y Ls son componentes
intrínsecas al dispositivo y son independientes de la tensión
aplicada. Como el circuito equivalente es un circuito serie
-Vl/v--;l~
Rs CT Ls LC, se puede determinar la frecuencia a la cual resuena el
dispositivo. Esta frecuencia se define como:
1
FIGl.128
fr = 2n-/L;c;"
Pero la frecuencia máxima a la cual el dispositivo responde se define como:
1
feo =--·- -
2nRsC
Que es la frecuencia de corte cuando el factor de calidad Q (¿?)es igual a la unidad.
1.8.3.1. ESPECIFICACIONES
Para mencionar las especificaciones del fabricante, es necesano definir algunas expresiones
típicas de los diodos varactor:
Coeficiente de temperatura de la capacidad intrínseca a./ºC: razón del cambio de capacitancia
con respecto a cambios de temperatura.
(. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORL\ Y LAnORATORIO 184
l.8.4. omos DIODOS: DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE
Capacitancia de encapsulado Ce: es la capacitancia entre los terminales del diodo, con el diodo
no instalado en un circuito (sin efectos externos).
Capacitancia de la juntura Cj: es la capacidad entre terminales del diodo, pero sin conectar el
dispositivo a circuito alguno.
Capacidad de transición o total CT: es la capacidad que presenta el diodo con pequeña señal, y
que resulta de la suma de: Ce + Cj.
Inductancia serie Ls: es la inductancia parásita que se presenta entre puntos específicos del
dispositivo.
Razón de sintonía TR: es la razón de la capacidad CT medida con 2VDC dividida por la
capacidad CT cuando se aplica 30VDC; a esta relación fabricante la indica como C 2/C30 . Se
pueden tomar otras relaciones, por ejemplo: TR para medidas de Cr en 4V dividido entre CT ,_
para 60V; esta relación se indica como C4/C60.
Factor de calidad Q: la definición de factor de calidad es: (2n) veces la razón de la energía
almacenada por cada ciclo, con respecto a la energía disipada por ciclo. Recordar que en un
circuito que contenga reactancias, ellas almacenan energía en un semiciclo y en el siguiente
semiciclo, liberan esa energía. Pero quien está en la capacidad de disipar energía es la
componente resistiva que contenga el circuito.
El factor de calidad para una bobina, con una resistencia asociada R, se define como:
Q = (2nf L) / R
Para un condensador, debido a que su resistencia es muy grande (recuerde que el dieléctrico es
un aislante), entonces, se asocia una resistencia que contenga el circuito en donde esté el
condensador. Para el diodo varactor, de acuerdo al circuito equivalente, se asocia la resistencia
Rs, así que el factor de calidad para el condensador CT es:
Q= 1
2nRsCT
En los manuales, al factor de calidad el .fabricante lo denomina figura de mérito.

Temperatura de r..ire libre o temperatura ambiente TA: es la temperatura del ambiente en el que
se encuentre el dispositivo.
Temperatura·de encapsulado Te (Case): es la temperatura del encapsulado del dispositivo bajo
prueba.
Temperatura de juntura Tj: es la temperatura de la juntura calculada con base en un modelo de
temperaturas y circuital del dispositivo.
Temperatura de almacenaje Tstg (Storage) : es la temperatura en que el dispositivo, sin aplicar
alimentación, es almacenado.
A Continuación se transcriben especificaciones tomadas del manual: SEMICONDUCTOR

DA TA LIBRA RY de MOTO ROLA.
1. EL DIODO ELECrRÓNlCA ANALoG,\: TEORIA Y L/\ílO!l<\TOllIO 185
1.8.4. OTROS DIODOS: OIODO DE CAPACIDAD VARIABLE
lN 5139,A thru IN5148,A (SILICON)
Silicon voltaje-variable capacitance diodes, designed far electronic tuning and

harmonic-generation applications, and providing solid-state reliability to
replace mechanical tining methods.
MAXHvfUM RATfNGS (Te= 25ºC unless otherwise noted)

Rating Symhol Valuc Unit
Reverse Voltagc VR 60 Vdc
Forwar<l Current JF 250 mAdc
RF Power Input* Pin 5.0 Watts

Device Disspipation
@TA= 25º C. P11 400 m\V
Derate Aboye 25ºC 2.67 mW/ºC

Device Disspatio11
@ Te= 25ºC Pe 2.0 W:itts
Derate Abovc 25ºC 13.3 mW/ºC
Juntion Temperaturc Tj + 175 ºC
Storagc Tcmpcraturc Rnnge Tstg -65 to +200 ºC
§ The RF Powcr input rating assumes that an adequate heat sink is provided
ELECTRlCAL CHARACTERISTICS (TA= 25ºC unless otherwise noted)
Charactcri.slics Ali
Test Conüitions Symhol Min Ty¡> Max Unit
Typcs
Reverse Breakdown
Voltage IR = IO~lAdc BVR 60 70 - Vdc
Reverse Voltage VR = 55Vdc. TA = 25º C - - 0.02 ~lAdc
Leakage Current VR = 55VdcTA = 150ºC

IR
- - 20
Series Inductance f = 250MHz L ~ 1/16., Ls - 5.0 - nH
Case Capacitancc f = 1tvfHz. L ~ 1/16"' Ce - 0.25 - PF

Diodc Capacitancc
Tcmperaturc
Cocmcicnt
VR = 4 Vele. f = 1tv!H1. TCc - 200 ]()() ppm/ºC
l. EL DIODO ELECTHÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LADORATOIUO ] 86
1.8.4. OTROS DIODOS: DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE
Q, Figure of
CT, Dio<lc Capacitancc a TR, Tuning Ratio
Mcrit
VR = 4V<lc, f = lMHz VR= 4Vdc, C4/CGO
VR = 4V<lc
pF f= lMHz f= lMHz
f= SOMHz
Dcvicc Min Typ Max Min Min Typ Min Typ
IN5139 6.1 6.8 7.5 350 0.37 0.40 2.7 2.9

1N5139A 6.5 6.8 7.1 350 0.37 0.40 2.7 2.9
IN5140 90 10.0 11.0 300 0 .38 0.41 2.8 3.0
IN5140A 95 10.0 10.5 300 0.38 0.41 2.8 3 .0
1N5143 l ú. 2 18.0 19.8 250 0.38 0.41 2.8 3.0
IN5143 A 17. 1 18.0 18. 9 250 0.38 0.41 2.8 3.0
IN 5144 19.8 22.0 24.2 200 0.43 0.45 3.2 .3.4
JN5144-A 2(1.9 22.0 23 . l 200 0.43 0 .45 3.2 3.4
1N5147 J 5.1 39.0 42.9 200 0.43 0.45 3 .2 3.4
1N5147A : 7. l 39.0 40.9 200 0.43 0.45 3.2 3.4
!N5148 4 2.3 47.0 51.7 200 0.43 0.45 3.2 3.4
1N51 43A •.4.7 47.0 49 .3 200 0.43 0.45 3.2 3.4
Es interesante :nterpretar las gráficas de la siguiente página. Algunas de ellas son logarítmicas,
otras son lineales.
La gráfica de la Figura 1, muestra la variación de la capacidad de tres diferentes diodos al
variar su pot:-~ rización inversa, manteniendo la temperatura constante en 25ºC y a frecuencia
de 1MHz. S•:· observa que la. capacidad aumenta entre menor sea el voltaje de polarización
inversa que se aplique al diodo .
--
Por ejemplo, considere una tensión inversa de 4V; de la gráfica se lee:
lNS 148: e = 47pF, 1NS144: e= 22pF, 1NS139: e= 6.8pF
Ahora tome (a lectura de las capacidades para el voltaje inverso de 60V:
'tN5148: C = 14pF, lN5144: C = 6pF, 1N5139: C=2.2pF.
Con los ant~:riores valores se puede verificar que:
IN5148: C4/C60 = 3.36, IN5144: C4/C60 = 3.67, 1N5139: C4/C60 = 3.09
Se puede 1;onfrontar esos valores en la tabla de especificaciones dada en esta página. La
diferencia ::e debe a las aproximaciones en la gráfica.
Otra gráfica es la que entrega el factor de calidad contra el voltaje inverso. Se aprecia que, Jo
contrario •t la gráfica de capacidad, el fact or de calidad aumenta en la medida que la
polarización inversa aumenta. Algo interesante, es que el factor ele calidad mínimo es de 100,
valor bastcrnte elevado, y que para efectos práclicos conviene (se obtiene mayor selectividad).
l. EL DIODO El.ECTRÓNir'A AN,Í..1.0Gi\: TEOlllA Y LAllORATO IU O 187
1NS139, A thru 1N514B,A (continued)
FIGURE 1 - DIODE CAPACITAHCE .FIGURE 2 - FIGURE OF MERIT

versus REVERSE VOlTAGE versus REVERSE VOLTAGE
100 10000
-- -
;::: :=
'º - 1000
so
)O
-.....
.......
- ............._
1,.-11·c
1-U•Ht seoo
J¿ - 2s·c
1- SONMI r-
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.....
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300
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111114• v ..... V - r--... ~ V _,V -.............. f"'-. IN5(U - t-
>---- v-
~
l~ll' r 1~11,.
,..,,._ V 1
1.0
1 100 l 1
JO 1.0 10 1' 11110 1 10 lJ 10 60
........_
Y,, Rl.YUS{ \lll.14'! Mll.111
..--.....
FIGURE 3 - HORMAllZED DIOOE CAPACITAHCE FIGURE 4 - HORMALIZED FIGURE OF MERIT
versus JUHCTIOH TEMPERATURE versus JUHCTION TEMPERATURE .
IOlt llO
~
.
_,.v ~
1.010
vv 130
~
- ~ 1.000
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3
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11.S!Q
¡•1~
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... -IV4c
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'• - u·c 1- IOMl!i
1.,60 1 lO 1 1
- 100 -15 -50 -is -'5 -lo -IS •ll
r.rullCTIClf l!MPWIUlll'CI 11• JIJHCllOll IOIJ'U\flll( l'CI
FIGURE 5 - REVERSE CURREHT FIGURE 6 - FIGURE OF MERIT

versus REVERSE BIAS YOLTAGE versus FREQUEHCY
/
/
'I
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,___ V
+ll"C /
... ~
V
_¡__--
~
~i.--
-10 -50 -eo
•"'"'- 1, rt!QUI ICT <MIW
1·3
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 188
1.8.4. OTROS DIODOS: DIODO DE CAPACIDAD VARIADLE
1N5441A,8,C (SILICON)
thru
tN5456A,B,C
VVC-.1 1-
VOLTAGE-VARIABLE
CAPACITANCE OIODES
8.8 - 100 pF
30 VOLTS
Slll~N EPI.CAP OIODES
. .. epitaxl•I pU._iv~~- -~~tion tunlng dlodu dulgned for

tlectronlc tvnlnv. FM, A~ línct harmonlc~neration •pplie.>tions In
AM through UHF ......._ pr~ 10lid-st.1t9 reliahility to repto""
mechenlcal tunlng ~·'"'" '· .
• Ex~;Af~~~ fraquoncies
•
.
~i::tunve·- 2.0 to JO V
• ~if~eo.fflclent
• · Cwp..._Tolow-1 ' 1"-. 6-°", end 2 .~
~~~-·
, -=·rr·~-'- .,. ~ . . ::
-
\; . ..~
... · ...
~
!f •• i:
L f •• •• ·- -"!·•·, -
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. ·. .. ,,,. n.·., -
. ....~~.t '' ...
'e'º
:;·:."-~·-"
~. "'. ,,.
. "'=""'"=
o
=-i K
.. MAXIMUM RATINGS
R•tlnt Symbol V- Vnh
~1
A
fltveneVoltllQO VR :io Volts
Oevfn Oluir,.tlon Cf TA • 2s0c Po '400 mW
Dtrllt tbovt 25ºC 1.67 mW/ºC • K
OperatJnt Jl.lnctlon Ttmptn1urt R1nQ9 TJ +175 ºe
St0ta91 Ternp.,1iurw Rl/\Qt r,., -65 10 •100 ºe
L
CASE ' 1..()J

00·1
• •1rw.1knff JSDaC ri-.ht•t-.d o.u.

l. EL DIODO El.HTHÓNIC:\ ANi\LOGA: TEORIA Y J.AOOHATOHIO 189
l.H.4. OTROS DIODOS: DIODO DE CAPACl[)AO VARIABLE .
CT. Diodc Capacitancc* TR, Tuning Ratio Q, Fihrurc of Mcrit

Dcvicc VR = 4.0Vdc, f = lMHz C2/C30 VR= 5Vdc
pF f = 1.01\.Ulz f= SOMHz
Min Ma:t
Nom Min Max Min
(nom -10% ) (nom+IOn/o
IN5441 6.1 6.8 7.5 2.5 3. 1 450
IN5442A 7.4 8.2 9.0 2.5 3.1 450
IN5443A 9.0 IO.O 11.0 2.6 :u 400
IN5444A 10.8 12.0 13.2 2.6 :u 400
1N5446A 16.2 18.0 19.8 2.6 3. 1 350
IN5447A 18.0 20.0 22 .0 2.6 3.1 350
IN5448A 19.8 22.0 24.2 2.6 3.2 350
IN544 9A 24.3 27.0 29.7 2.6 3.2 350
IN5450A 29.7 33 .ll 3(,.3 2.6 3.2 350
IN545 !A 35.1 39.0 42 .9 2.6 3.2 300
IN5452A 42.3 4 7.0 51.7 2.6 3.2 250
IN5453A 50.4 56.0 61.6 2.6 3.3 200
IN5454A 61.2 68.0 N.X 2.7 3.3 175
IN5455A 73 .8 82.0 90. 2 2.7 3.3 175
IN5 456A 90.0 100.0 11o.o 2.7 3.3 175
* To order devices with Cr Nom ±5 .0% or ±2.0% add Suffix B or C respectively
Los diodos varicap de la serie 1N5441, difieren de los diodos de la seri e 1NS139, en cuanto a
la técnica de fabricación de la juntura. La formación de la juntura en un diodo se puede
,......._ ¡i
efectuar mediante tres técnicas básicas: una técnica de formación de la juntura es mediante
l implantación de iones, en donde, los iones de impurezas son inyectados a altas energías dentro
del semiconductor base; otra técnica consiste en procesos de difusión, en donde, se inyecta las
impurezas al semiconductor previamente dopado con impurezas opuestas; la tercera técnica, y
es la que se utiliza en los diodos denominados EPICAP, consiste en fo rmar la juntura por
mecanismos de aleación entre las impurezas contrarias, dentro del semiconductor base. Se
inyecta impurezas aceptaras sobre el semiconductor previamente contaminado con impurezas
do nadoras y, luego, se calienta el conjunto a temperatura elevada, así que, parte de las
impurezas tipo P se disuelven sobre las impurezas tipo N; así se fo rma la unión NP. También
se denomina a esta: técnica epitaxial; a esta juntura se le dice que es una 'juntura abrupta'.
Algunas de las aplicaciones que se mencionan para estos diodos EPI CAP (o diodos VVC)
están: frecuencia modulada (FM), como sintonizadores (AFC: Automatic Frequency Control),
y generación de armónicas para rangos de AM hasta UHF.
1. EL DIODO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOitlA Y LABOfü\TOIUO 190
---
Las siguientes especificaciones son tomadas del manual ECG de Philips.
' 'ARACTORS (Variable Capacitancc Diodes)

Cap. At 4V Reverse Voltage Fonvard Currcnt Dcvicc
Cap. Ratio
pF VR IF Diss. Po
ECG Typc C2/C30 Volts Max. mA Max. mW Max.
ECG610 6.8 2.7 30 200 280
ECG611 10.0 2.9 30 200 280
ECG612 12.0 2.9 30 200 280
ECG613 22.0 2.9 30 200 280
ECG614 22.0 3.2 30 200 280
V ARACTORS (Radio Tuning Diodes)

Application Cap Cap Cap VRMax Q Min
ECG Typc
Bantl ¡iF ¡1F Ratio Volts @ lOOMHz
ECG617 FM Tuning 39 nt 3V 15 at 30V 2.6 32 100 at 3V
ECG618 AM Tuning 440 al l.2Y 22 at 8V 15.5 12 200 al IV
1.8.3.2. APLICACIONES
Son amplias las aplicaciones de los diodos varactor, especialmente en el campo de las
comunicaciones. Unas pocas aplicaciones se mencionan a continuación.
Se utiliza en ·los circuitos sintonizadores: un circuito sintonizador es el encúgado de
seleccionar una banda estrecha de frecuencias dentro de un amplio espectro de frecuencias.
' . Este tipo de circuito se utiliza en los receptores
de radio, en donde se desea seleccionar una
frecuencia de portadora(¿?) específica.
Circuitalmente, se conforma por un circuito LC
tanque, en donde Ceq es la serie de C y la
capacidad del diodo . Estas dos capacidades
están en serie, de manera que la capacidad de C
se hace mucho mayor que la capacidad del
varactor; en esta forma, la capacidad
equivalente es prácticamente la del diodo(¿?) .
FIG 1.129 Por su parte, el diodo está polarizado en inversc
mediante el divisor de vo ltaje que lo fija el potenciómetro P. Cualquier cambio en la posición
del cursor del potenciómetro, hará variar la polarización inversa del diodo y lógicamente, su
cnpacidad. La resistencia R se deja de valor elevado, para asegurar un factor de calidad
elevado (no olvide que es conveniente tener factores de calidad alto).
l. EL DIODO El.EernóNICA ANÁLOGA : nmnL' Y LAílOl{J\Toruo J 91
Otra aplicación es en los circuitos moduladores: un circuito modulador es el encargado de

mezclar dos señales de distintas frecuencias, como se observa en la FIG 1. 130; una de las
señales se denomina moduladora, que es la información (por ejemplo Ja voz), mientras que la
otra señal se denomina la señal modulada, y que resulta de mezclar la señal de voz con la
portadora que la genera el circuito oscilador
SEÑAL
MODULADA
'
~
-..
~º3
rz~
,.-..,_
~soA ~ L e
-
C"1
~
1\TVD
-=-vdc OSCILADOR
·r
,........
FlGl.130
Circuitalmente, se tiene una fuente continua y, alrededor de esta tensión se varía la señal de
voz. Entonces el objetivo de la fuente continua, es asegurar siempre la polarización inversa del
varactor (el máximo pico de la señal en el transformador debe ser menor que el voltaje OC).
- Entonces, la tensión del varactor varía en la misma forma como varía la señal de voz, y así
varía su capacidad. Con el mismo principio del ejemplo anterior, las capacidades C 1 , la
capacidad C del tanque y la del varactor están en serie; pero se hace que la capacidad del
diodo sea mucho menor que las otras dos capacidades, así que, la frecuencia de oscilación
está variando de acuerdo a las variaciones de l.a capacidad del diodo y, la capacidad del
diodo varía de acuerdo a como varía ' In información. En conclusión, la señal modulada
varía su frecuencia de acuerdo a como varíe la información, pero en todo momento, la
amplitud ele la señal es constante. A este tipo de modulación se denomina modulación en
frecuencia (FM) y la señal modulada tiene la forma como se muestra en la FIG 1.13 1.
FTG l.131
La última aplicación que se menciona de los diodos varactor es en los osciladores.

l. EL DIODO ELECT!lÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LADOTU\TORIO 192
1.8.4. OTROS DIODOS: DIODO TUNEL
Un oscilador es un circuito electrónico que genera una señal variable en el tiempo a partir de
una tensión continua, sin la presencia de generadores. En la FIG l.132(A) se muestra en bloque
el principio general del oscilador y en la FIG(B) se muestra el circuito del oscilador utilizando
el varactor.
Sin entrar en detalle en el circuito (puesto que el transistor aun no se ha estudiado), está
conformado por un amplificador que es el transistor, un arreglo de bobina -condensador que
forma un circuito tanque oscilante. Parte de este circuito tanque lo conforma el diodo varactor
VVC, de manera que, de acuerdo al voltaje inverso que se aplica entre el ánodo cátodo,
presentará una capacidad. Observe que el diodo está polarizado por la fuente continua Vcc, a
través del potenciómetro P (forma un divisor de voltaje); entonces, si se varía el cursor del
potenciómetro, se está variando la polarización inversa del diodo y, consecuentemente, el
diodo varía su capacidad.
Como resultado final, el oscilador entrega una señal, en este caso sinusoidal, cuya frecuencia
depende del circuito tanque, y esa frecuencia varía de acuerdo a la variación de polarización
--
del diodo VVC. · ·
Vcc
.....,
OSCILADOR Vo
L2
(A) C3
-
'-/
R2
Ll Vo '--
(B)
(C) SK~'l'AL DE SALIDA Vo
FIGl.132 .
Al circuito de la FI 3 l. l 32(B) se le conoce como un oscilador Hartley controlado por voltaje
(VCO : Voltage Cor.trolled Oscillator; ver CAP19). .
1.8.4. DIODC TÚNEL

El último diodo que se menciona en este capítulo es el diodo Túnel o también llamado diodo
Esaki (en honor d·: su inventor). Este, como los otros diodos, tiene sus características
pa11iculares de fabricación y su campo de aplicaciones específico.
1. EL DIODO ELE.CrllÚNICA ANÁLOGA: n:oRlA y LAUOllATOlllO 193
Para explicar su funcionamiento, es importante resaltar una característica de los

semiconductores dopados: entre mayor sea la concentración de contaminantes que se inyectan
al semiconductor, más angosta es su barrera de .Potencial. Desde el punto de vista de la fisica
del estado sólido, se afirma que: la anchura de la barrera en la juntura varía inversamente
con la raíz cuadrada de la concentración de impurezas. Y basado en esta característica de
dopaje y anchura de banda es que se fundamenta el funcionamiento del diodo túnel (o más
específicamente: del efecto túnel).
Recuerde como funciona el diodo rectificador, cuando tiene formada la barrera de potencial y
se aplica polarización directa: el diodo no inicia la conducción hasta tanto la tensión externa
no iguale y sobrepase la tensión de la juntura. Esta tensión puede ser de alrededor de 0.7V
para lo s diodos de silicio y de 0.3 V para los diodos de germanio. Pero, antes de anular la
barrera de potencial (o que es lo mismo, la zona vacía alrededor de la juntura), no hay
corriente y el diodo sigue presentando comportamiento de circuito abierto.
En el diodo Túnel, la situación es muy diferente y, la diferencia radica, precisamente en la alta
concentración de portadores y la mínima anchura de su zona vacía; así, al polarizar en directo
al diodo, con mínima tensión, se presenta un gran flujo de portadores mayoritarios
atravesando la juntura y, obviamente alta corriente: si se aumenta lentamente la tensión
externa, mayor es la cantidad de portadores que cruzan la juntura y mayor la corriente a través
del dispositivo.
Este proceso continúa hasta que se llega a un punto en que el aumento de tensión directa lo
que provoca es un descenso del número de portadores que cruzan la juntura, y la consiguiente
reducción de la corriente. Este nuevo fenómeno de aumento de tensión con disminución de
corriente se mantiene hasta que la tensión de polarización llega a otro valor que provoca un
nuevo aumento de portadores que atraviesan la juntura, y el nuevo incremento de la corriente.
De aquí en adelante, el diodo túnel se comporta como un diodo rectificador normal.
En la FIGl. l33(A) se muestran las características Voltaje-corriente del ,diodo túnel y se
observa el comportamiento que se describió con palabras. Para resumir el . proceso de
funcionamiento, se dibuja la gráfica de la FIG l. l 33(B) en el que se añadió unos números
encerrados en círculos. Entonces, el füncionamiento se puede explicar así:
l. La situación inicial, el diodo sin ninguna polarización (sin fuente externa.), no hay paso de
portadores a través de la juntura y, por tanto, no hay corriente a través del dispositivo. Se
ubica oper~ción en el punto <D de la gráfica.
2. Se aplica tensión variable de manera que polarice en directo al diodo. Debido a la alta
- concentración de contaminantes tipo N y P, y a lo angosto de la barrera de potencial, se

presenta un gran flujo de portadores mayoritarios a través de la juntura. Esta situación se
ilustra en la FlG l. l 33(B) entre los puntos <D y 0 . Se observa, que con pequeños
cambios de tensión se producen incrementos grandes de corriente.
3. Sigue aumentando la tensión y, luego del punto 0 en la gráfica, la corriente comienza a
disminuir. Es decir, el paso de portadores a través de la juntura se reduce; es como si los
portadores mayoritarios en las vecindades de la juntura se agotaran. Este proceso de
reducción de portadores (disminución de corriente) con el aumento de tensión se mantiene
hasta el punto indicado como (3) en la gráfica.
l. EL DIODO ELECTHÓNICA ANALOGA: TEORIA Y LAllOHATORlO 194
4. Continúa en aumento la tensión y, del punto (3) hasta el punto @) se incrementa la

corriente, esto es, se incrementa el paso de portadores mayoritarios a través de la juntura.
Del punto <3) al punto © el diodo tiene exactamen~e igual comportamiento que el del diodo
normal, es decir, aumentos apreciables de la corriente con pequeños aumentos en la
tensión.
CORRIENTE
DIRECTA
!pi--~~~~~~~~~--.
VOLTAJE VOLTAJE
INVER~S~O~J,Y;'(==:!~====~--___!:D~lRE~~C~T~O
Vr Vv °Vf"
CORRIENTE (A)
INVERSA
FIGI.133
5. Si el diodo se polariza en inverso, nuevamente surge la característica del alto dopaje,
haciendo que con pequeña tensión inversa, se presenta apreciable corriente a través del
dispositivo. Esta característica se aprecia en la gráfica de la FIGl.133(8) entre los puntos
indicados como <D a ~.
Referidos nuevamente a la curva característica de la FIG l .133(A), se puede concluir:
l. Con muy pequeñas tensiones (muy por debajo de las tensiones de conducción de cualquier
diodo rectificador), se obtienen incrementos grandes de corriente. La primera porción de la
curva inicia desde el punto de corriente cero, hasta el punto de máxima corriente llamada
corriente pico Ip; para esta corriente pico corresponde una tensión pico Vp.
2. La segunda porción de la curva, sucede el fenómeno túnel, en que aumentos de tensión
corresponde disminución de corriente. Esta zona es de{lorninada zona de resistencia
negativa. Y es precisamente esta, la zona más importante del diodo; es la zona en que se
ubica los puntos de funcionamiento para la mayor pa1te de las aplicaciones con este diodo.
La zona de resistencia negativa termina, cuando la corriente llega al mínimo valor
denominado corriente valle Iv, y que corresponde a una tensión valle Vv.
3. La tercera porción de la curva se presenta cuando la tensión directa lleva al diodo a
comportarse como un diodo normal. La curva a la derecha del punto de valle tiene
exactamente la misma forma que la del diodo rectificador polarizado en directo.
4. La última parte de la curva característica se da cuando se polariza en inverso el diodo.
Como se observa, tiene el comportamiento de un conductor: Aumento de tensión con
aumento grande de corriente.
El símbolo electrónico y su circuito equivalente se muestran en la FlG 1.134.
ELl~CmÓMCA ANALOGA: TEOHIA y LAnORATOIUO 19 5
Rs es la resistencia óhmica que presenta el

dispositivo; Ls es la inductancia del diodo y
depende de la longitud de los terminales y del
· t'ipo de encapsulado; Ja resistencia negativa
-Rn indica la relación entre voltaje y
-Rn corriente en la zona túnel. C es la capacidad
en la unión y usualmente se mide cuando el
dispositivo está en el punt.o de valle.
FIGl.134
1.8.4.1. ESPECIFICACIONES
Se presentan las especificaciones de
los diodos túnel cop iadas del manual:
Semiconductor Data llandbook de la General Electric.
Tunncl Diodes
GENERAL PURPOSE
f 1(()
h· Vp Yrr
VY Rs Serie~ -G Rr.~ht
lp e Peak F11nn1nl
Va lley V:11ley
Peak Po int Cap Poi ni Peak Res is t. Ncgativc Cut off
Typc Point Voltagc
Currcnt Max Vultagc Volt a ge
!\fax Conduclancc Frcq
Current Typ
(m;\) (pF) Typ Typ
(mV) (Ohms) (S X 1U- ~) Typ
(mA) (mV) (m)
(GHz)
. . . . ._ l 1NJ 712 1.0±10% 0. 18 10 65 350 500 4.0 8 Typ 2.3
¡
...... ' lNJ?D 1.0±2.5% 0. 14 5 65 350 510 4.0 8.5±1 :u
i'
,-, 1 IN3714 2.2± 10% 0 .48 25 65 350 500 3.0 18Typ 2.2
¡
1
~¡
' 1N37 1S 2.2±2.5% 0.31 10 65 350 510 3.0 19±3 3.0
i IN3716 4.7±10% 1.04 so 65 350 500 2.0 40Typ 1.8

·-- 1
1N3717 4.7±2.5% 0.60 25 65 350 510 2.0 41±5 3.4
I N37 18 I0.0 ±10% 2.20 l)() 65 350 500 1.5 80tYP . 1.6
1N3721 22.0 ±2.S'X, J.10 1()() 65 JSll 510 1.0 190±30 2.6
1. EL DIODO. ELECTRÓNICA ANALOGA : TEOTliA Y LAilORATORIO 196
Tunncl Diodcs
ULTRA TI IGH-SPEED SWITHING
Iv Vv YFr
Ir c Vp fü Ser i e~ tr
Vnllcy Vallcy Fonrnnl
Peak Point Cap Peak Point Res is t. Rhe Time
Poin t Volt a ge Peak Voltage
Typc Currcnt Max Volta~c Max Typ
Curren! Typ Typ
(mA) ((lF) Typ (mV) (Ohms) (ps)
(mA) (mV) (m)
TD261 2.2±10% 0.31 3.0 70 390 500-700 5.0 430
TD2<1lA 2.2±10% 0.31 1.0 80 390 500-700 7.0 160
TD262 4.7±10% 0.60 6.0 80 390 500-700 3.5 320
TD262A 4.7:1;(0% 0.60 1.0 90 400 500-700 4.0 74
· TD263 Hl.01:10% 1.40 9.0 75 400 500-700 1.7 350
TD263/\ 10.0 .~!0% 1.40 5.0 80 410 520-700 2.0 190
TD263íl 10.0±10% 1.40 2.0 90 420 550-700 2.5 68
TD2M 22.0 !:10% 3.80 18.0 90 425 600Typ 1.8 185
Tr>264/\ 22.( ±10%1 3.80 4.0 100 425 550-700 2.0 64
TD265 50.;J± 10°/.1 8.50 25.0 110 425 625Typ 1.4 1()()
TD265A 50 ll±I 0% 8.50 5.0 130 425 640Typ 1.5 35
ID266 10<)±10% 17.50 35.0 150 450 650Typ 1.1 57
TD266A 1• 0±10% 17.50 6.0 180 450 660Typ 1.2 22

·-
La FIG 1.135 reproduce las curvas características del diodo túnel, incluyendo la gráfica de
variación de 'ia conductancia túnel contra voltaje (observar que en la tabla de especificaciones
se entrega conductancia túnel y no la resistencia).
Además de tos parámetros anotados en las curvas de la FIG 1. 133, analizada anteriormente, y
que son: Ip, Vp, Iv, Vv, se incluyen en la curva de la FIGl.135 dos voltajes adicionales: Vrs y
Vrr. El primero, Vrs se define como el voltaje directo que se da para una corriente Irs igual a
un cuarto de la corriente pico típica. Así por ejemplo, si la corriente pico Ip = 1mA, la ·
co rriente ln ~ 0.25mA, y para esa corriente se tiene un voltaje correspondiente que es V FS·
El tiempo ·¡r que se entrega como especificación en la segunda tabla, corresponde al tiempo de
subida y se define como:
tr ~ __VJ.!'._-Vp
___ e
Ip - Iv
J. EL DIODO . ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOHIA Y LAílORATORIO 197
I.R.4. OTROS DIODOS: DIODO TUNEL
G,I
Ip -.-- 1 - -,----, - -
' TYPlCAL
1 CHARACTERISTIC CURVE
SHOWING G AND I AS._~
A FU NCTION OF V
Iv
VFs Vfp .
-G
FIGl.35
1.8.4.2.APLICACIONES
Como se mencionó anteriormente, son muchas las aplicaciones de los diodos túnel,
especialmente en el campo de las comunicaciones. Así se tiene: osciladores en VHF y UHF,
divisores de frecuencia, convertidores, detectores, mezcladores, censores de nivel, y muchas
otras.
Para efectos de análisis y diseño, se divide la curva característica en tres segmentos: el primero
de resistencia positiva, el segundo de resistencia negativa y el tercero, nuevamente, de
resistencia positiva. Entonces, depende de donde se ubique el punto de funcionamiento, ~e
tendrá una aplicación específica.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOHÍA Y LAllORATORIO 198
Por ejemplo, si la recta de carga intercepta un solo punto de cualquiera de las zonas de
resistencia positiva, el circuito actúa como multivibrador monoestable. Si la recta de carga
intercepta solo un punto de la zona de resistencia negativa, el circuito actúa como
multivibrador astable (ver CAP 19). Pero si la recta de carga intercepta tres puntos de la curva,
uno en cada zona, el dispositivo puede actuar como un multivibrador biestable.
Un multivibrador es un circuito que produce un tren de pulsos, bien sea generándolos por si
solo o mediante alguna excitación externa.
En \a FIG 1.13 6 se ilustra el tipo de señal que se obtiene en cada uno de los multivibradores.
EXCIIACION
MONOESTABLE Flanco de (A2)
subida
SALIDA t
EXCITACION SALIDA (A)
1\0
Flanco de 1
bajada t Re dispara (A3)
EXCIT ACION Jl-·
SALIDA}
Re dispara
r
(A4)
SALIDA
BIEST.~LE 1
(Cl)
EXCITACIO~.
EXCITACION SALIDA (B)
\Asrt•I ~(C2)
l2
(Bl) SALIDA
SALIDA (C) (C3)
FIGl.136
En la FIG 1.13 6(A) se tiene el bloque de un Q1Ultivibrador monoestable. Este es un
multivibrador que es estable en un solo estado, y para que el circuito pase a su estado
inestable, es necesario aplicar un pulso de excitación; una vez pasa a su estado inestable,
permanece arí durante un determinado tiempo y nuevamente retorna a su estado estable. En la
FIG(Al), se muestran los pulsos de excitación y se observa que el estado estable del
multivibradO"; es cero (bajo); cada vez que se da un pulso de excitación, el circuito cambia su
salida a alto "! permanece allí durante un tiempo t . La FIG(A2), es igual que la anterior, pero
la diferencia está en que el cambio de la salida se produce cuando el pulso de excitación
cambia de O a 1, mientras que en la FIG(A 1), la salida cambia cuando el pulso de excitación
cambia de 1 a O; entonces, para el primer caso se dice que responde con el flanco de bajada,
mientras qw· en el segundo caso, el circuito responde al flanco de subida.
l. EL DlODO ELl~CrHÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LAllORATOHIO 199
En la FIG(A3) se da el pulso de excitación, y la salida cambia de su estado estable bajo al

estado inestable alto, y antes de terminar el tiempo t, que es el tiempo en que permanece
inestable el circuito, se envía otro pulso de excitación, pero el circuito no responde a este
pulso, y vuelve a su estado estable cuando transcurre el tiempo t.
En la FIG(A4), se da el pulso de excitación, el circuito cambia a su estado inestable, y antes de
completar el tiempo t se da otro pulso de excit~ción; el circuito, ahora, responde a ese pulso de
excitación consecutivo y prolonga su tiempo en el estado inestable; es decir, permanece 2t en
el estado inestable. Pues bien, en la FIG(A3) se dice que el circuito no es redisparable,
mientras que en la FIG(A4), el circuito es rcdisparnble.
En la FIG l.136(B), se presenta el bloque de un multivibrador biestable (o bistable). Un
multivibrador biestable es el que presenta sus dos estados estables, así, cada vez que se da 4n
pulso de excitación, el circuito cambia de estado y permanece en ese estado, hasta que llegue
otro pulso de excitación, en donde vuelve a cambiar al otro estado. Observe en la FIG(B l ),
que en cada pulso de excitación se opera cambio en la salida.
Por último, en la FlG(C) se presenta el rnultivibrador astable. Un multivibrador astable es un
circuito que no tiene estado estable, y cambia continuamente de estado, sin necesidad de
excitación externa. Es pues, este multivibrador un verdadero oscilador; el circuito entrega un
tren de pulsos periódico y los tiempos t 1 y t 2 pueden ser iguales o diferentes, depende de la
construcción del circuito.
Entonces, un diodo túnel se puede utilizar para uno cualquiera de estos rnultivibradores.
IP __ _9)_________________0!)
~___,.,___.,' Vo
FIGl.137
La FIG 1.13 7 es un multivibrador monoestable, así que el circuito contiene una tensión
continua, y sobre ella se superpone los pulsos de excitación (el generador de onda cuadrada).
El voltaje y corriente del diodo fijan la recta de carga, de manera que el punto de
funcionamiento quede en la zona de resistencia positiva. En la gráfica, el punto de
funcionamiento Q queda en el tramo CD y 0, aunque también se puede dejar el punto de
funcionamiento en el tramo (] y ® que es la segunda zona con resistencia positiva. Al aplicar
el pulso de excitación. la señal de salida recorre en el tiempo la siguiente secuencia. Inicia en
el punto Q y pasa al punto 0, así que en este primer tramo, la tensión cambia de Vo a Vp y la
corriente cambia de lo a lp (recuerde que el punto de funcionamiento lo y Yo lo fija el divisor
resistivo y la fuente continua). Luego, del punto 0 salta rápidamente al punto®, la corriente
no se altera y se mantiene en lp, pero la tensión cambia de Vp a Vr. Sigue el tramo del punto
1. EL DIODO ELECíllÓNICA ANÁLOGA: TEOHÍA Y LA DORATORIO 200
1.8.4. OTROS DIODOS: .DIODO TUNEL
© al punto <3>, por lo que la corriente cambia de Ip a Iv y la tensión cambia de .V F a Vv.

Posteriormente, se presenta otra transición brusca, desde el punto <3> hasta el punto <D ;
Finalmente, retorna del punto <D al punto inicial Q . Si el pulso de excitación se mantuviera, la
salida permanecería muy cerca del punto © indefinidamente; así que, se debe asegurar, que el
pulso de excitación no supere el tiempo en que la señal cambia del punto Q al punto @. Queda
como ejercicio dibujar las señales de voltaje y corriente en la salida.
La FIG 1.138 corresponde a un multivibrador astable; como se observa en el circuito, no existe
pulsos de excitación, únicamente se tiene la fuente continua que polariza al diodo.
FIGl.138
La recta de ca·:ga se traza de manera que el punto de funcionamiento quede ubicado en la zona
de resistencia negativa, como se indica en la gráfica de la FIGl.138 . El trazado de las señales
de voltaje y c.Jrriente se basa en el siguiente recorrido de la gráfica: del punto Q pasa al punto
@, luego, el voltaje de salida cambia de Vo a Vp y la corriente varía de lo a Ip. Sigue el
trayecto del ·mnto @ al punto ©, en donde la tensión cambia rápidamente de Vp a VF,
mientras que :a corriente se mantiene en Ip. Continúa el trayecto desde el punto ® al punto (3)
por lo que ca nbia la tensión desde VF a Vv y la corriente de lp a Iv. Por último, del punto (3)
retorna al pu1 .to de partida Q, así que la tensión cambia de Vv a Voy la corriente cambia de Iv
a lo. Una v1!z llega al punto Q, se repite todo el proceso descrito, en forma indefinida,
mientras se rr:antenga energizado el circuito.
El último mdtivibrador se muestra en la FIG 1.139 y corresponde al multivibrador biestable.
Circuitalment·~ contiene: la fuente continua que polariza al diodo y establece el punto de
funcionamiento, y el generador de pulsos de excitación. La gráfica de la característica del
diodo presenta tres rectas de carga: una de las rectas la fija el circuito de polarización y tiene
dos puntos de intersección estables X-Y, y, son estables, porque se ubican sobre las zonas de
resistencia positiva. Las otras dos rectas de carga las fijan los pulsos de excitación; si los .
pulsos de excitación son simétricos alrededor de cero (pulso positivo y negativo), se establece
una recta de carga para el pulso positivo + Vip y la otra recta de carga para el pulso negativo
-Vip (Ver la FIGl. 139(B)).
Es de aclarar 1ue, aunque la señal de excitación consiste en pulsos positivos y negativos, está
señal, sin emb trgo, está superpuesta en un nivel continuo Vdc, por lo que la seiial compuesta,
nunca tiene ce mponente negativa. En lo posible, se d~be asegurar que, las dos rectas de carga
t. EL DIODO F.LECTilÓNICA ANÁLOGA: IWRIA Y LABORATORIO 20 \
que se obtienen por la exploración pico a pico de los pulsos de excita ión, sean tangentes a los
puntos pico y valle de la curva característica del diodo.
V"ipp (j)
Yo
"'
>;~
,_,
(A)
-:-
.Vlp
o
(B)
FIG 1.139
,... ~
Para el funcionamiento, suponer que inicialmente se ubica en el pun o estable X. Se aplica,

entonces, el pulso positivo +vip; esto ll eva la salida al punto 0 (al lle ar a este punto o antes,
se puede suprimir el pulso de excitación). Entonces, la salida cambia a Yp e Ip;
posteriormente, se produce la transición al punto W, cambiando el v !taje de salida al voltaje
Vw y la corriente es lw. El siguiente cambio se opera hacia el segund punto estable Y, por lo
que el voltaje de salida cambia a Yy y la corriente es Iy. Allí per ' anece indefinidamente,
hasta que se aplica el pulso -Vip de excitación; este pulso lleva a la salida al punto (] de la
característica, por lo que el voltaje y corriente en la salida son Yv Iv, respectivamente; a
continuación. la salida pasa al punto T, cambiando el voltaje a Vr la corriente a h. Por
último, la salida pasa al punto estable X, terminando así un ciclo compl to.
Resumiendo el proceso se tiene:
Situación inicial: salida en el punto estable X: Vo = Yx, lo= Ix.
Permanece indefinidamente es este estado hasta que....
Primer pulso: Salida pasa al extremo pico: Vo = Yp, lo= lp
Salida pasa al punto \V: Yo= Vw, To= lw.
Termina el primer semiciclo en el punto estable Y: Yo= Yy, lo= Iy
Permanece indefinidamente en este estado hasta que ...
Segundo pulso: Salida pasa al extremo valle: Yo= Vv, lo= lv
Salida pasa al punto T: Yo= Vr, lo = Ir
Termina semiciclo en el punto estable X: Vo = Vx, lo= Ix
Permanece indefinidamente en este estado hasta que ... Llega otro pulso de excitación y se
repite el proceso.
-.
1. EL DIODO ELECfllÓNICAANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 202
1.9. OTRAS ESPECIFICACIONES: TlEl\lPO DE RECUPERACIÓN INVERSA
1.9 OTRAS ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

En la sección anterior, se estudiaron algunos diodos, no todos, porque es amplia la lista de
diferentes tipos de estos dispositivos. En esta sección se mencionan otras especificaciones
dadas por fabricante, que son importantes y que definen algunos tipos de diodos especiales.
Uno de estos parámetros es el:
TIEl\1PO DE RECUPERACIÓN INVERSA.
Cuando una juntura, polarizada en directo, está sujeta a un pulso de voltaje inverso, circulará
una corriente inversa durante un determinado tiempo como resultado de carga almacenada,
debida a portadores minoritarios que se encuentran en la vecindad de la juntura. La forma de
onda de corriente contra tiempo típica, se muestra en la FIG 1.140
IF--~
FIGl.140
El tiempo que tarda el diodo en recuperar su condición de bloqueo inverso, dependerá de
varios factores, a saber: de la cantidad de carga almacenada, de la rapidez con que esa carga
almacenada es removida debido a recombinaciones entre los portadores y, de la corriente que
circula por el circuito externo. Y es, precisamente, ese tiempo que tarda en recuperar su
característica ae bloqueo inverso, que define la velocidad de respuesta de un diodo a cambios
de señal de alta frecuencia . A esta rapidez fabricante la denomina Tiempo de Recuperación
Inversa yse reconoce con las iniciales trr.
<dl
io.su
Re f=Gro'.u~d X=l.. 77~1/Div Y=voltage 470\
FIGl.141
t. EL DIODO El.ECTHóN1cA ANAL<>GA: n:rndA v LAnonATrnuo 203
l.'J. OTRAS ESPECIFICACIONES: TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA
En la FIG 1.141 se muestra el resultado de la simulación en CIRCUIT MAK.ER de un

rectificador de media onda utilizando un diodo 1N4001 con un generador sinusoidal de
frecuencia 1OOKHz. Se espera que el rectificador permita el paso del semi ciclo positivo y
bloquee el semiciclo negativo. Sin embargo, está pasando parte del semiciclo negativo.
Observe el tiempo de recuperación inverso que es muy grande, prácticamente cubre un cua1to
de semiciclo negativo de la señal de entrada. Y el resultado es lógico, puesto que el diodo
1N4001 es un diodo de propósitos generales y no es de respuesta rápida.
Xs: 7.389u Xb: 4.957~\ a-b: 2.432u Yc:-724.0u
.4m
'='=*'=*===*=='="="=='=*'=='==*=='="=='="=='"=±==='===*=='=±"="=='"=±==='=='=='="="=='="'d
L95u 3.72u 5.49u 7.26u 9.04u 10. u
Ref=Cround X=l.77u/Div Y=current 470\
FIGl.142
En la FlG 1.142. se tiene la simulación del mismo circuito, pero la se1)al que se muestra es de
corriente. Con base en esta señal y los valores que se muestran en la parte superior de esa
gráfica se determina el tiempo trr para este circuito. El procedimiento es: se escoge
arbitrariamente una corriente Irr; para el ejemplo, se toma una corriente indicada por el cursor
C de la gráfica: Yc = -724~LA. Con los cursores b y a, se toma la diferencia, así se obtiene:
trr =a - b = 2 . 432~Ls : Este tiempo se fija con respecto a la corriente escogida Irr; luego si se
escoge otra corriente lr-r, seguramente que cambia trr. Ahora bien, la frecuencia de la señal es
de f = 1OOKHz, es decir, el periodo es: T = 1O~Ls, entonces, el tiempo de recuperación
inversa es el 24.32% del tiempo total de periodo. Es un tiempo exageradamente alto el que se
requiere para que el diodo se bloquee completamente cuando se polariza en inverso. En
conclusión, para esta frecuencia, no es adecuado un diodo de propósitos generales, habrá que
seleccionar un diodo de respuesta rápida.
Para la selección de Irr, se recomienda seleccionar este valor de manera que sea:
Jrr ~ 10% IRJ\t .
Pero más dramática, es la respuesta del rectificador cuando la señal no es sinusoidal. En la

FIG 1. 143 se presenta el resultado de la simulación cuando la señal que se aplica es cuadrada y
de frecuencia 1OOKI-Tz. Observe que, prácticamente. se pierde el efecto de rectificación.
Y es para señales no sinusoidales, que el retardo de un diodo a una señal de alta frecuencia se
vuelve más crítico. Pero además de no rectificar, se debe añadir otro problema y es el
1. EL DIODO ELEC'l'llÓNICA ANALOGA: TEOlliA Y LAnO!lATOIUO 204
1.'J. OTRAS ESPECIFICACIONES: TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA
calentamiento excesivo, que será mayor, para frecuencias de trabajo más altas; este
calentamiento, puede llevar al dispositivo a su destrncción.
SENALDE
SALIDA •
6=~=6.-1..-i.....d'-"'.b.o=..b:...b:....l..=-==l'=='==......=*==*=-.....b-"~"=-"'-......-*=.....--"~'"-----'--'-I-'---"--'~
R~t=Grolmd X=l.68u/Div Y=volcag~ 199\
SEÑAL DE
ENTRADA
FIGI.143
El fenómeno de retardo, surge cuando el diodo polarizado en directo, debe cambiar su
polarización a inverso. Cuando el dispositivo se polariza en directo, se tiene un gran flujo de
portadores mayoritarios, que constituye la corriente denominada de arrastre y c¡ue se identifica
como h. Pern también se tiene flujo de portadores minoritarios; recuerde que la cantidad de
portadores minoritarios, es mayor cuanto mayor sea la temperatura interna del dispositivo (Tj).
Cuando cesa la polarización directa y, rápidamente se cambia a polarización inversa (esta
rapidez depende de la frecuencia de la señal), los portadores minoritarios que están alrededor
de la junturn, no se recombinan instantáneamente, sino que requieren de un tiempo para
efectuar la recombinación y formar la zona vacía en la juntura.
El efecto de aplicar la tensión inversa, acelera la recombinación de portadores, pero tiene el
problema que, esos portadores minoritarios son arrastrados por la polarización externa
produciendo un pico de corriente; posteriormente, los portadores minoritarios cercanos a la
juntura se recombinan, reduciendo la corriente inversa, hasta que se llega a la situación estable
en c¡ue, se forma la zona vacía, y se tiene una pequeña corriente inversa debida a unos pocos
portadores minoritélrios.
Para hacer que un diodo sea de respuesta rápida, los fabricantes actúan sobre el tipo de
impurezas en el semiconductor; por ejemplo, los diodos de la RCA: dispuestos para ser
rápidos, tienen agregados con impurezas de oro que aceleran la recombinación de los
portadores minoritarios; adicionalmente, diseñan la juntura, de manera que impiden los
cambios bruscos en la corriente negativa pico (que es muy peligrosa si se prolonga por
demasiado tiempo).
Los diodos con tiempos de recuperacion mversa pequeños, reciben distintos nombres,
dependiendo de la corriente que estén en capacidad de manejar. Se tiene:
Diodos de Silicio de Setial (Silicon Signa! Diodes). Diodos de silicio de Conmutación
(Silicon Switching Diodcs), Rectificadores de ncupcració11 dpida (Fast Recovery
Rcctillcrs). '
--
--
1. EL DIOOO El.ECI'HÓNJ(',\ ANALOC~A: TJ<:OHL\ Y LABOllAT<JIUO 205
1.9. OTRAS ESPECIFICACIONES: TlEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA
Se presentan a continuación especificaciones de algunos de estos dispositivos.

Especificaciones copiadas del manual: SEMICONDUCTOR DATA HANDBOOK de
General Elcctric.
nv
1~-!\fax IR (ª'125ºC !\lax Vr Max Co@OV trr
Typc @lOOµA
mA pF ns
Min, (V) nA @ VR(V) (V) @l~{Ma)
IN419 lOO
1ºº 25 JO l.()() (() 4 4
IN4151 100 75 50 50 1.00 50 2 2
IN4152 1no 40 50 JO .880 20 2 2
IN4154 100 35 100 25 1.00 JO 4 2

·-
\N4444 100 70 50 50 1.no 100 2 7
IN4727 100 :rn 1on 20 .850 10 4 4
DA 1704 1(){) 25 100 20 1.()() 30 3 4
DE 104 1()() 40 .02 20 .890 10 4 200
DEI 13 100 40 .25 20 1.00 50 6 200
IN4451 200--HlO 40 50 30 1.00 300 6 10
1N4607 200-400 85 100 50 1.00 400 4 1()
DT230C 200-400 300 1000 300 1.20 250 5 300
DT2JOH 200-400 25(5 1000 250 1.00 200 5 300
Los dispositivos anotados en la tabla, presentan tiempos de recuperación bastante pequeños, y

las corrientes que manejan en directo, son también pequeñas.
Las siguientes especificaciones se copiaron del manual: RCA SOLIO STATE, POWER
DEVICE. Estos dispositivos, son de potencia, así que el manejo de corrientes es grande y,
obviamente, los tiempos de recuperación inversa no son tan pequeños. Como se observa en la
siguiente tabla, el trr menor es de 20011.s, tiempos bastante grandes, si se pretende operar con
estos dispositivos, sciialcs ele alta frecuencia.
....../
t. EL DIODO ELEcrnóNICAANALOGA: TEOHIA v LAOORATORIO 206
1.9. OTRAS ESPECIFICACIONES: DIODO SCHOTTKY Y DE POTENCIA
Fonranl Currcnt 1 Voltagc ; Rcv. Rccovc ry

...____--·--~---------! Tcmp- D rop 1 Time
RCA RMS ·. .!l S 1 T"111¡1 I! Vvoltagc Rangc
A' u rgc !, ~ tU~i\t
V Opcrating
Typc I~(RMS) lo 1 T" ºC
A A 1 '~" ºC
~~~~-3~~. ·----~--- __ ---- ----L--~~-[-~5º___1__ _750 _..J _~~º- 150 ~-L-~---l--º·5 _ 3.14 -~~-
1
D2101S . 1 j ! ·30 45 ! 700 ! -30 lo 80 1.5 l 4 : 0.7 j 3.14 25
i i
• ! j
l ______ __j - ---- - - - -·-----+·------1~- ' _ ____: - - - - - - ~--
i 1
· - - · - ----- 1 -
02201 F
··- -- ---- ·-
f - _ _ ______ ,__
1.5 1 j 50 1 100 i 50 1 -40tol50 1.9 I 4 i Cl.5 3.14 , 25
--- ------ ----- ------ ---¡. .._- ---~ - - --· ¡ ·-·--· ..._.... ;___ ,_.. ___ ----·- -·------~ --- ..-- - i----- - ,·------l --·--
D2600M 0 .5 1 30 1 45 1 600 1 -40to80 2 ~ 1 0.7 1 20 25i
~~601E __1_6- --:=-1- 7~ ¡-~50]_~500::~0 15~~[4~J 0.5 j to 2Ú- ~
D2406F
--· - _ J _______
9 1
·-+--· .
6 i· ---125---· [·-- -100 l 50 ~ -40to 150 l.4 1 6 ! 0.35 19 25
- -·-·------ 1. . ----- ---~--- --·-------- .. - -
1
1NJ S79 9 ! 6 , 75 ! 100 i 50 i -65 to 150 l.4 i 6 1 0.20 1 ! 25 1
-·óú1i'F______ __....1s·-- -· j· · ¡2 · t · 2sú ¡--· i"lff) '. .... _5ii ·--¡.. ~~'ó- 1ü .isó·-+- ¡:4 -!- ..ü · l--ci~35 · j ·-·33-: 2s
_ ____ _.._ !
__ -----·-·- --1·---·----¡--·--·--·---· ____!L,_______ _____¡¡_,. _________ --+¡ - - -- ---- - - ·+- -·---·-·! - ,._,_____ ·-- ·----·. -.. . _
1
__ 1N3~89 1 ~--; 1-=~~~- __ 5~-_l -65 to 150

1
18 __ 1.4 ~~-- 0.20 1 25
~00
1
D2520F 30 20 100 50 1 -40 to 150 l.4 t 20 0.35 63 25

-·-¡N3;;·99_,__ __3o ______io--l225--1oo_T___so - r-G5 TO 150 1.4 1 2o 0.20 1 25-
... . ...... ---- · - - - -- ... ..-.... . .. t ---- -·-- ~ ·-·----¡--- ----- L.. ______J ___ ____ r ·-- - -1---·____ ¡_____ .___ ----
1N3913 45 1 30 i 300 100 i -lOO i -65 lo 150 1.4 1 30 : 0.20
1, 1 1 25
T-- -¿º
1
'
1
! 1 : ¡ : ! . 1
¡ · · 6iili..
T
-62'54{i~, ·¡-- 4t)----- -·1;i·ó---r· ¡·¿5· ~4ti t~- 1 50·-r1.·8·r -1(ic1---¡ ()~3s-r-¡25-¡25·
1 1
La necesidad de reducir aun más el tiempo de recuperación inversa, ha llevado al invento del
diodo denominado DIODO SCI-IOTTl(Y_
Hasta ahora, los diodos son construidos con semiconductores N y P, pero en el diodo ---
Schottky, la unión se hace utilizando un semiconductor y un metal. Se logra con esta
técnica, reducir apreciablemente el tiempo de recuperación inversa, y lógicamente, obtener un
· diodo de alta velocidad_ La curva característica voltaje-corriente es muy similar a la del diodo
normal, solo que en el diodo Schottky, el voltaje de arranque en directo es menor, muy
parecido al del diodo de germanio (cercano a los 0.2V), sin embargo, se puede aumentar el
voltaje de conducción, dependiendo del metal utilizado. ..__
El diodo Schottky más común, es el que se obtiene de un metal con semiconductor tipo N, así
que para la polarización directa , se coloca el positivo de la fuente ni metal , luego se establece
un flujo grande de portadores mayoritarios (electrones) desde el semiconductor hacia el metal.
Para la polarización inversa, se interrumpe la corriente -por la formación de la barrera, puesto
que no hay almacenamiento de portadores minoritarios; es de anotar que los electrones que
pasan del semiconductor al metal, una vez pasan la ba rrera no se pu eden considerar corno
portadores minoritarios, puesto que, esos electrones se confunden con los electrones del metal.
11
l. EL OI0 DO ELECrRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LADOllATOIUO 207

Así que al polarizar en inverso la juntura metal-semiconductor, prácticamente no existen

portadores minoritarios, entonces, no se presenta almacenamiento de portadores minoritarios,
y si lo hay, ese almacenamiento es muy pequeño y se presenta cuando el diodo Schottky ha
manejado corrientes muy intensas en sentido directo.
Los diodos Schottky de pequeña señal, son ideales en aplicaciones de VHF y UHF,
mezcladores, y todas las aplicaciones que impliquen alta frecuencia.
Las siguientes especificaciones son tomadas del manual:
MOTOROLA SEMICONDUCTOR: MASTER SELECTION GUIDE
V(nn)n VF@ lllmA IR @ VR Minority

DcYicc CT@VR
Volts nA Lifctimc
Volts pF (Max)
Max Max (lS(Typ)
MBD701 70 l .0@20V l.O 200@.35V 15
MBDJO 1 30 l.5@ 15V 0.6 200@25 15

MMBD701 LTI 70 l .0@20V l.O 200@35 15
MMBDJOILTl :rn 1.5@15V 0.6 200((1\25 15
V(nn)n In VF CT ttT
Dcvicc Max Max

l\lin @ l1m 1\1 ax @Vi{ Max @IF
(p (<) ns
Volts ~lA µA Volts Volts mA
MBD54DWT JO 10 2.0 25 0.32 l.O 1.0 5.0
Los diodos Schottky de las tablas anteriores. manejan pequeñas corrientes y se consideran de
pequeña señal; para estas aplicaciones, se obtienen tiempos de recuperación inversa muy
pequeños, tales como l 5ps. La especificación: tiempo de vida de los portadores
minoritarios, significa que cerca de la juntura metal-semiconductor, al pasar de polarización
directa a inversa, existen portadores minoritarios almacenados; estos portadores minoritarios,
alargan el tiempo de recuperación inversa, sin embargo, es un tiempo muy pequeño (15ps),
mucho más pequeño que el menor de los tiempos obtenidos para un diodo de respuesta rápida
de juntura PN (que es del orden de unidades de ns). Desde el punto de vista práctico, no se
logra tiempos tan pequeños, puesto que los elementos periféricos al diodo (reactancias) y los
mismos contactos óhmicos del dispositivo aumentan el tiempo efectivo.
Pero también se fabrican diodos Schottky que están en capacidad de manejar corrientes muy
grandes; lógicamente, que no se logran tiempos trr tan pequeiios, sin embargo, siguen siendo
rápidos. La siguiente tabla muestra algunos de esos prototipos.
1. EL DIODO ELECrRÓNICA ANALOGA: TEOltiA Y LAOORATOIUO 208
1.9. OTRAS ESPEClí-'ICACIONES: DIODO SCHOTTKY Y DE POTENCIA
Vy@ly
yllRM lo Te I~-s~t T.i Max IR Max
Dcvicc Te= 25ºC
Volts Amp ºC Amp ºC mA
Volts
0.52@100A -
MBRP20030CTL 30 200 125
0.60@200A
1500 150
--
MBRP60035CTL 35 600 100 0.57@300A 4000 150 250
MBRP20045CT 45 200 125 0.7S@IOOA 1500 175 50@125ºC
0.70@150A .
tvfBRP30045CT 45 300 120 2500 175 75@125ºC
0.82@300A
MBRP40045CTL 45 400 100 0.57@200A 2500 150 -
lvffiRP400 lOOCTL IOO · 400 100 0.83@200A 2500 150 -
MBPR20035L 35 200 100 0.57<?J'!200A 2000 150 250
MBRP200100L 1ºº 200 100 0.83@200A 200 150 -

Un detalle interesante, que se puede deducir de las tablas anotadas de especificaciones, es que
el voltaje inverso pico máximo no supera los 1OOV (VnnM :::; 100). Esta es consecuencia de la
presencia del metal.
Por último, se mencionan los DIODO DE POTENCIA.
Uno ele los factores que más incide en el compo rtamiento, funcionamiento y desempeño de un
semiconductor es la temperatura. En algunos dispositivos (en la mayoría) el efecto de la
temperatura es peligroso y se deben hacer todos los esfuerzos técnicos, para mantener la
temperatura dentro de los límites permitidos por el dispositivo; en otros dispositivos, el efecto
de la temperatura es aprovechado y necesario: se refiere a los censores de temperatura, por
ejemplo, los termi stores.
Para el caso particular de los diodos, la temperatura es un factor negativo y se debe controlar.
En un diodo la temperatura se puede incrementar básicamente por cuatro causas:
1. Diodo polarizado en directo y maneja corriente grande superando la máxima IF durante
tiempos prolongados.
2. Diodo polarizado en inverso y se aplica tensión elevada superando el máximo voltaje
mverso.
3. Diodo operando a frecuencias altas, pero el diodo tiene trr grande o no es adecuado
para operación en alta frecuencia.
4. El diodo opera dentro de regímenes normales de voltaje y corriente, pero está ubicado
en un ambiente de altas temperaturas.
La apariencia externa del diodo, su forma a simple vista, indica empíricamente, su capacidad
de soportar temperatura. Si el diodo es de pequeña seña l (diodos con corrientes por debajo de
l A y tensiones inversas por debajo de l OOV), en su operación normal no debe superar Ja
temperatura del medio élmbicntc: simplrmmtc se loca con el ckdo el rncrpo del clioclo
--
l. EL DIODO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOHIA \' LAilORATOIHO 209
l.?. OTRAS ESPECH'ICACIONES: DIODO SCHOTTKY Y DE POTENCIA
cu:rndo esté funcionando y no debe estar caliente. Si se detecta sobrecalentamiento

entonces hay exceso de corriente en directo o de voltaje en inverso o está bajo una señal de
alta frecuencia y, el diodo no tiene la capacidad de soportar ninguno de estos excesos. La
solución: cambie el diodo por el adecuado.
Pero si el diodo es de potencia, su estructura está diseñada para soportar valores elevados de
voltaje y corriente y, normalmente, debe colocarse en un disipador. Suponer c¡ue el diodo es de
alta potencia y su cu erpo debe ir soportado en un disipador, y se hace trabajar sin colocar el ·
di sipador, tenga la seguridad que el dispositivo se destruye muy rápidamente.
El punto crítico de elevación de temperatura del diodo está en la juntura. Cuando sobre la
juntura hay aplicada una tensión y circula una corriente, se pro voca una potencia que se
manifiesta en aumento de la temperatura, y que el dispositivo debe evacuar. La rapidez con
que se evacua ese incremento en la temperatura depende de la resistencia térmirn y de la
construcción del diodo . La resistencia térmica es la oposición que ofrece un material a la
disipación de cnlor. Así, pues, un material con baja resistencia térmica significa que es un
buen conductor térmico. Una definición matemática de la resistencia térmica es:
Ro = (T2 - T1) I P
En donde: Ro es la resistencia térmica, T 2 - T 1 es la temperatura en dos puntos diferentes y
P es la rapidez de evacuación del calor.
Esta resistencia térmica tiene varias componentes y en las especificaciones, el fabricante
suministra algunas de esas componentes. Por ejemplo se tiene:
Ro.r<' (Resistencia térmica entre la juntura y el encapsulado : Juntion lo Case)
-. R 0 c 11 (Resistencia térmica entre el encapsulado y el disipador: Case to Heat Sink)
RoiiA (Resistencia térmica entre el disipador y el ambiente)
Rorn (resistencia térmica entre el encapsulado y el medio ambiente)
Entonces, para que un diodo de potencia (y en general cualquier otro dispositivo) tenga mayor
capacidad de manejar altas potencias, se hace indispensables dos aspectos:
• Que el diodo tenga el diseño adecuado de su cuerpo para el manejo de esas potencias.
• Utilizar disipadores adecuados, y cuyo objetivo es aumentar la superficie de
disipación de calor.
El primer aspecto el fabricante lo satisface construyendo envolturas alrededor del
semiconductor NP (que realmente es pequeño) tales que lo rodean asegurando, en esa forma,
una gran área de disipación.
En la FlG 1.144 se han dibujado algunas de esas envolturas, tal como se adquieren en el
mercado.
Dos parámetros de importancia son dados por el fabricante, y (junto con otros parámetros)
que se deben tener en cuenta al efectuar un diseiio y seleccionar el dispositivo. Son:
IrsM (sobre corriente máxima en directo: Forward Surge Maximum)
i2t
l. EL O 10 D 0 ELECl'llÓNlCA ANÁLOGA: TEOHL\ Y LAllORATOlllO 210 .
FIGl.144
El primer parámetro se había mencionado al enunciar las especificaciones de los diodos; para
recordar, es el máximo valor de sobre corriente en directo que el di spositivo puede soportar
en forma 110 repetitiva ·' ' normalmente se especifica para un tiempo máximo equivalente a la
mitad del periodo de la señal aplicada. Por ejemplo, si el diodo soporta una corriente
h·,v1 = 100 A para una :1-ecuencia de 60 l lz ( T/2 = 8.Drns), la sobre corriente, puede ser, por
ejemplo de: f11si\t = 5000 A (valor supuesto). Este exceso de corriente lo soporta el dispositivo,
siempre y cuando sólo se de en un tiempo máximo de 8.33ms, y no en forma repetida o
continua.
Complementado el parámetro l¡;M, el fabricante entrega otro parámetro que se identifica como
2
l t. Este parámetro suministra información de la sobrecorriente que el dispositivo puede
soportar en un deternfrrnclo tiempo, en forma no repetitiva. Matemáticamente se expresa
2 2 2
como: l t = (IFsi\1) x T/2 (A -seg)
El valor que se obtiene de la ecuación anterior se cumple cuando la señal de trabajo es
cuadrada, pues es con ~ste tipo de señal que este parámetro adquiere más importancia, es
decir, cuando el diodo tie!1e que trabajar en aplicaciones de conmutación (ondas cuadradas).
Si la señal que se apli : a al rectificador es sinusoidal, el diodo tiene prácticamente la
posibilidad de soportar el doble de la sobrecorriente que se especifica para una onda cuadrada.
Para el ejemplo que se ar.ató, en donde IFsi\t = 5000 A, se tiene que l 2 t = 208250 A-seg. Es
una corriente extremadamente grand e, pero hay que tener en cuenta que el dispositivo la puede
soportar por un tiempo máximo de 8.33ms, y no en forma repetida. ·
Para terminar, se copian las especificaciones de algunos diodos de potencia. Inicialmente se
muestran las especificaciones dadas en el manual: SEMICONDUCTOR DATA
HANDilOOK de GENERAL ELECTRIC.
1. EL DIODO ELEr-rn<'>NICA ANAr.oc~A: TEOHiA v LAHOJlAT01uo 211
1.'J. OTRAS ESPE.CIFICJ\CIONES: DIODO SCllOTTl<Y Y DE POTENCIA
High Power SILICON RECTIFIER IA390 1
1SOOVolts400 A Avg
The A390 Series is General Electric's highly reliable, all-diffused Press-Pak 400 ampere
silicon rectificr diode.
FEATURES:
• Soft Reverse Recovery
• High Reverse Blocking Voltage Capability
• Pressure Contacts
• Package Reversibility
• Rugged Lazed Ceramic Hermetic Package
MAXJMUM ALLOWAilLE RATTNGS ANO SPECIFICATIONS
l OOV Tj = -40ºC to +200ºC
200V Tj = -40ºC to +200ºC
1OOV Tj = -40ºC to +200ºC
25 mA (l1rnr-1@ YRRr-t, Tj = 200ºC
1F{A V) 400 A (Te= 1 l 4ºC, Single Phasc, Half Sine Wave, Double-sidc Coolcd)
IFsi\( 7000 A
I2t Min: 80000 (fUv1.S A)2-s (far times~ 1.5ms, non-repetitive)
Vr-i\r: 1.4V (IF<iW) = 400A(Avg), 1200 A Peak, 144ºC Case Temp . Single Phase)
Ro.1c Max: 0.095ºC/Watt
Tstg: -40ºC to +200ºC
Tj: -40ºC to +200ºC
1-Iigh Powcr SILICON RECTIFIER

l500V 1000 A Avg
The series A430 is General Electric's hughly reliable, all-difTuse Press-Pak l 000 ampere
silicon Rectifier Diode
FJLATURES :
• Soft Reverse Recovery
• High Reverse Blocking Voltagc Capability
• Pressurc Contacts
1. EL OlODO ELECl'HÓNICi\ ANÁLOGA: TEOlliA \' LAllOHATOIUO 212
• Package Reversibility
• Rugged Lazed Ceramic Hermetic Package
MAXIMUM ALLO\VABLE RATJNGS AND SPECIFICATIONS
Vnnl\1: SOOV Tj = -40ºC to +200ºC
Ynsl\t: 650V Tj = -40ºC to +200ºC

VR: 500V Tj = -40ºC to +200ºC
50 mA (I1un. 1@ VRRM, Tj = 200ºC)
li:(AV) 1000 A (Te= l 13ºC, Single Phase, HalfSine Wave, Double-side Cooled)
1FSi\( 10000 A
2
I t Min : 200000 (RMS A/-s (for times~ 1.5ms, non-repetitive)
i2t Min: 415000 (RMS A/-s (for times~ 8.3ms, non-repetitive)
VFr-.t'. l.42V (lr-cAv)= lOOOA(Avg), 3140 A Peak, 113ºC Case Temp. Single Phase)
Ro.re Max: 0.06ºC/\Vatt -·
Tj : -40ºC to +200ºC
SILICON RECTIFIER IASOO

3000Volts 740 A Avg
The ASOO Series of high power rectifier diodes feature the newly developed, multi-diffused
technology in a new General Electric pressure-mounted package.
FEATURES :
• High current, high voltage
• Reversibility ( elirninates need for special reverse polarity units)
• Hermetic Sea!
MAXIMUM ALLO\VABLE RA TINGS AND SPEClFICA TlONS
V1rnM: JOOOV (Tj = -40ºC to +200ºC)
Vns11-i: 31 OOV (Tj = OºC to +200ºC)
Ymti\i/Vnsi\( 2600V (Tj = -40ºC to +200ºC)
IF(:\V) 740 A
li:s.,1 : 10000 A
2
-s (for times ~ l.5ms, 11011-repetitive)
2
l t Min: 363000 (A)
1. EL DIODO 1·:1 .1-:< TH óNir,, ANA Loe;,., : TE01dA Y 1,,,nOiv\TOIHo 21 J
1.'J. OTRAS ESPECIFICACIONES: DIODO SCIIOTTKY Y DE POTENCIA
2
4 15000 (A) -s (far times 8.3rns, non-repctitive)
Vvr.i: l.26V ( J 50ºC Case Temp)

Ro.1c Max: 0.06ºCfWatt
Tstg: -4 0°C to +200°C
Tj : OºC to +J 75ºC
SILICON RECTIFIER lA540 1
2400Volts l 000 A Avg

The A540 Series oí high powcr rectificr diodes feature the ncwly developed, multi -di!Tused
technology in a new General Electric pressure-m ounted package.
FEATURES:
• High cu rrent, high voltage
• Prcssure Contacts
• Reversibility (eliminates need for special reverse polarity units)
• Hermetic Seal
MAXíMUM ALLO\VAilLE RATfNGS AND SPECIFICATIONS
2400V (Tj = -40ºC to + l 85ºC)
Ynsi\( 2500V (Tj = OºC to +200ºC)
Yrrn11tfVllst\r'. 2000\! (Tj = -40ºC to +200ºC)

IF(Av) 1000 A
12000 A
2
I t Min: 285000 (A)2-s (for times?: l.5ms, non-repetitive)
2 2
1 t Min: 597000 (A) -s (for times 8.3ms, non-repetitive)
"""1: l.08V ( 160°C Case Temp, 100 A peak)

Ro.re Max: 0.06ºC/Watt
Tj : -40ºC to +!75ºC
High Powcr SILICON RECTIFIER IA640

2 100Volts 1500AAvg
The A640 Series of hig li powcr rectifier diodes feature the nc\vly clevclopcd, multi-diífused
technology in a new General Electric pressure-mounted package.
l. EL DIODO ELECTRÓNICA AN..\LOGJ\: TlmHIA \' LABORATOHIO 214
J.!>. OTRAS ESPECIFICACIONES: DIODO SCHOTTKY Y DE POTENCIA
FEATURES:
• High current, high voltage
• Reversibility (eliminates need for special reverse polarity units)
• Hermetic Sea!
MAXIMUM ALLOWABLE RATINGS ANO SPECIFlCATIONS
l 800V (Tj = -40ºC to +200º C)
21 OOV (Tj = OºC to+ l 8SºC)
IF(J\V) 1500 A
I FSi\·( 16000 A
2
l t Min: 1062000 (A) 2 -s (for times 8.3 ms, non-repetitive)
Vrr.i: 0.935V (at 1000 A)
Ro.1c Max: 0.045ºC/\Vatt
Tj : -40ºC to+ 175ºC
Las siguientes especificaciones son copiadas del manual: SILICON RECTIFCER DIODES >
30 A de SillMENS
Se suministran algunas especificaciones que no se habían explicado, por ejemplo:
d i/d t: Es una especificación característica de otros dispositivos de potencia, como los
tiristores (¿?). Se define como la rapidez con que crece la corriente directa. Por ejemplo, si
di/dt = 20 N~ts, significa que el dispositivo puede cambiar ·su corriente 20A en un micro
segundo. Si ese dispositivo se colo.ca en un circuito, cl.1ya carga hace que la corriente_ cambie
SOA en un micro segundo, entonces el dispositivo no responde tan rápido como lo exige la
carga, va a sobrecalentarse y lo mas seguro es que se destruya. Normalmente este parámetro se
asocia a transientes superpuestos en la señal de alimentación, transientes que son de muy corta
duración pero que tienen amp litudes muy grandes. Para el diseño de sistemas de alta potencia,
es recomendable hacer un estudio previo del comportamiento de la red de suministro público,
en el sitio donde se va a implementar el sistema, cuando está en füncionamiento normal,
igualmente de las cargas que se tienen (motores, sistemas de iluminación, etc). De ese estudio,
se determina los posibles transientes, cambios de tensión, etc. En esta forma, se pueden
dimensionar los dispositivos que forman el sistema de potencia.
Q1T (Carga de recuperación inversa); cuand o el dispositivo pasa de co nducción directa a
inversa, se tiene cierta cantidad de port adores minoritarios que deben ser evacuados
(eliminados) para asegurar la formación de la barrera de potencial. Estos portadores
minoritarios definen la espcciftc<1ción. Qrr se entrega en pf\s
l. EL DIODO J·:U:c.THÓNICA ANALOC.A: TJo:OHÍA V l,ATIOll,\TQlllO 215
1.9. OTRAS ESPECIFICACIONES: DIODO SCHOTTKY \'DE POTENCIA
Fut·r1teovery power r&<:tlfler dlodes

maxlmum rms lorward curren! 2500 A, peak revenie voltage
_J 4500 V .•• 5500 V

Appllcatlon Malnly for self-commutated converters.
for example lnverters. converters. choppars cte.
~'-
Chip Silicon, fully dirlu9ed
Curren! and heat transltlon: pre.ssure contact
!
; Cose Di:1k·case simi lar to 155 82 in acc. wilh DIN '\ 18 M
conlact surlaces nickel-plated. ceramlc insulatlon
·~
Polarlty Graphical symbol
Coollng Alr-<:ooled PK 20.7, PK 27
Olmenslons In mm
...... r---
- - <.a
- - 75 ..,----1
·-·- --- -·
Maxlmum repetltlve peak Type Orderlng codo Operating
reversa vollage Vft~M lemperature 7j
_,.
4500 V 551 R 63250 C67047-A2058-A5 - 40ºC ... +1 40 ºC
5000 V 5$1 R 63275 C67047-A2058-A4
5500 V 551 R 63300 C67047-A205B-A3
Peak lorwortl current I ,,,.

permls:1lble current load ing al h igher freque ncies lor double-sided c ooling
- - - -- -----------.----- -----------------------------
Froquency f Curren! wave form
SO Hz 3250 A 4100 A 4750 A

100 Hz 3250 A 4200 A 4800 A
200 Hz 3150 A 4100 A 4750 A
300 Hz 3050 A 4000 A 4600 A
400 Hz 2900 A 3850 A 4450 A
500 Hz 2750 A 3850 A 4250 A 6400 A
700 Hz 2300 A 3150 A 3880 A 3800 A
1000 Hz 1550 A 2300 A 2750 A 2200 A
---------------4--------L--------+----------'---~-----
Parameler Vn (1tool = 1500 V
d//dl =20 A/µs
Te = 60 ºC-0.018 · Pn Te; ,-60 ºC-0.018·Pft
,..-..., ---------------·--------------- -- · - ---~-~---------
HSR wlrlng C' = 0.68 µF C' = 111F
(see also load .diagrams) R' =18l1 R' 1,5 ... 2 y L'IC'
El..ctrlcal characterlatlce
Maxlmum p•rmlulble rallngs Maasurlng ond secondary condltlone
--- Max. repelltive peak reverse voltage VnnM 4500 V .. . 5500 V 7j .. -40ºC ... +140 ºC
Max. rms lorward current [F A MS 2500 A
Max. surge forward curren! [ FS M 21000 A 7j = 25 •e } Sinusoidal half· wave,
19000 A = 140 ºC 50 Hz
í't value J,.. di 2200 000 A's T¡ = 25°C} 1= 10ms,
1800000 A's =140ºC Vn=-0
7j = 25 •e } t - 2 ... s ms,
= 140 ºC v.=O
l. EL DIODO ELECTllÓNICA ANÁLOGA: TEORiA Y LABORATORIO 216
Characterlallc rallngs Measurlng and secondary condltlona
Reverse curren! I" appr. 200 mA 7j = 140 ºC}.

appr. 100 mA = 125 ºC 0,67 VRRM
300mA 7j = 140 ºC}

appr. 150 mA = 125 ºC 1 VRRM
Forward voltage v, 2,5 V 7j = 25 ºC } ; F - 3600 A
Threshold voltage V(TOJ 1, 16 V 7j .= 140 ºC Equivalent stralght llne
Slope resislance rT 0,4mn for loss c11lc11latlon
Poak reverse recovery curren! appr. 160 A 7j = 140 ~C. i,~ 1000 A
Reverse recovery charge
f nM
O,, 2400 µAs } d lid 1=20 Alps, Vn C.tcpJ = 1500 V
Thermal relinga
Maxlmum conllnuously permisslble
Junction temperatura Tin1 140 ºC
Operall ng lemperature range 7j -40ºC ... +140 ºC
Storage temperature rnnge r.. ,o -40ºC ... +150 ºC
Thermal reslstance AlhJC 0.018 K/W double-sided
0.029 K/W nn ode slde
0.0475 KIW cathode sida
Thcrmal resistance, case to heat sink A,hCll 0,005 l<IW double-slded
(sea assembly lnstructions) 0,01 KIW single-sidcd
F~11t•racov1uy powor rcctlflM dlode•

r'naxlmum nns rorward curront 21i00 A, ~d: rev91t1io volt'g" 2!!00 y ~ 6
A~llcetlon Mainly for sell-C•)rnmutat&d convurters. \
~
¡
/,·
lor example invgrtel"l, conv"Jrlars. choppers ele.
Chip Si llcon, /1.JI ly diffrnu•d
\ ·. .-.. I! ~ >~ · · · ,. -
C1Jrrent :ind hoat tMn9ition : prt1s:!:vrt1 contact
Cooo Di!llt~so ~Jmllitr '" 15582 in acc. vtith OIM 41014
conli:\r.t.s urtacp_o; nickAl·pl11rP.".l cer11mic inGul atlon
Marll>' Graphlc.11 symbol
Coollng Air-coo le,1PK 20."t, PK 27 \ \. 1 I Í
· ~~~.~
Dimen~ion~ in mm
---l~:r- ..
Moxlmum repetittv .. pe<'!~ Typo

rovc~Q voll:ige l/,.R,..
Oporallr.g
2800 V SSI R 60155 C6704T- A20Q.'} A2.

lemperaluro 1,
-40ºC .. . +125 ''C
-·
Como se observa en las tablas, las especificaciones: Im'l-r,
Qrr y di/dt están relacionadas de acuerdo a como indica ·
el gráfico de la FIG 1.145. Qs es la carga que se tiene
almacenada en los instantes de transición, y Qf la carga
residual. La suma de esas cargas es: Qrr = Qs + Qf. La
lO% ini.r carga Qs, se mantiene alm acenada un tiempo ts, y la
evacuación de la carga residual se da en un tiempo tf, así
que : trr ts + tf. La relación entre ellas es:
1
(1 ) 1 2Q1T
Qs~-~ ts~~ hT~- ---
2di/clt di/dt 1lt~I
FIGJ.1~5
11
l. EL DIODO ELl•'.C.'TRÓNICA ANALOGA: TEOH.11\ Y LABORATORIO 2 J7

P.e.ak fon11ard C\lrrvnl I~ ..

i pcrmli:slt.le currer>t loading al highcr frgquenr.l~s lor doublc-:::ldP.<1 coolin'<I
~t Ftoqucncy f Curre!)! wave!orm
t --1 1
..
(
~
~1 ~/
-~
¡ 50 HL
~~·~.·
- 1 "c--~1-
:?·100A
l A 3900 A
'
-
!1,
1
1
~!.,.
-i1eo-i1~
47~-0/\
1
-
Cy.
1
,.- ¡ 100 Hz 31EO A 4050 A 475-0 A

¡ 250 H z 3150 A •111JU A 475() A -
¡
,-. ¡
$('<) H~
1000 Hz:
30.C:OA
2750 A
4050 A
~1>50 A
4750 A -
'1500 f\ B700 A
1500 Hz 2200 A 2350 A 3600 A 4900 A
:!000 Hl. 1550A 1:>$0 A 2850"' 30!>0 A
..
P.u;imeter V~ 1,, , 01 ~ 1.fOO V Vn¡.,. 01 = 1400 V
cJ iJ d / - .5 ') A/¡1s
1
T
•e -iiO C - 0.0l(J·P~ Te = 60 ºC- 0,011}· Pn
HSR wlrlng C' - 0.47 11 F G' =0,BOµF _ _

(s~1:1 111!>0 load dlngrams)
1 R' = 15f!
1 R' -1,5 .. . 2i/L'IC'
f:l~rh:af char11cterlttic11
Maxltnum ~rmlssJtJf~ rall099 Meatvri09 Rnd e~ol'ldarv condf1lol'\$
Max. rcpglfllvA p~ak reverse voltage V,.,M 2BOO V 7j .. -10 "C ... +125 'C
Mnx. rr11t1 lorN!Hd current I > Hr.tB 2.'\00A
MKx. surge 1orwar•:l curren! l ,11,... 26000 A 1j - 2(j "C } Sinusoiéal h:i lf-w11v~.
nrioo A =125 <C fiOH/, 1tn=O
i''l vuluo ji' dt 33~00('(l
26J5()(X) A':J
A'<; r. ~ 25ºC }l-1Ums.
=125 "C vR-o
- 1j - 25 ºG} f=2 .. . S ms,
- =125°G vA-0
Charad.risllc ratlngs Mc.lloSurlng 11nr:S t~onchry conctllle>ns
Reve~e current E, a.¡:>pr. 150 mA

:!:N mi\
0,67 v,..., }1j=12S°C
Forw-'\rd voltege v, 2,3 V 7j = 125 'C, i, =3600 A
Threshold vollsi;¡9 "cio; 1,2V = 125 ºC } Equivalent etre.i~ht line
Slope re:dstance (T 0,292m0 T, Jor loss calculation
Peak re't&r~o tt<Co~ry current I 'M t\PPí. 260 A
RQ\'Qf'Sll rQr.OV\'.lry ChAr(]'3 o.. 1300 llAs } 1jd/ld/=100
-12S ºC, i =1000 A
Alps;
1
1'Hc••~Pi'"'O.s v~,.M
Thormp,I rotln~
Ma.xlrnum c:onlinuously permissible

functlon temperalure T¡.,. izs ·e
Operaling lemp.,ratur~ ran!:le 7j .• 40 ''C ... + 12$ "C
StOtAgP. temperntoJre range T.,~ ·10 •e .. - + , so ec
Thermal resislence R,,,.c O.OlfsKiW óoubl e-~id ed
0.029 K;V/ anocJe side
0,0.:IB Vu'W ".'-<1lhode side
Th&1111~l r~si&tance, case lo hual sfnk RthCH 0,005 l•:N/ doubl~·~idei<J
{&~9 asr>9mbfy inslrucllons} 0 .01 KNI sin¡¡l'!l·gidad
l. EL D 10 D 0 ELECfHÓNICA ANÁLOGA: TEOHÍA Y LABORATORIO 218
EJERCICIO [g]
Conteste a las siguientes preguntas.
1. ¿Para qué se utiliza un diodo zener?
2. Para que el zener opere como diodo regulador, ¿Cómo debe polarizarse?
3. Mencione dos diferencias entre el diodo zener y el diodo rectificador.
4. ¿Cómo cambia la potencia disipada en el zener al aumentar la temperatura ambiente?
5. ¿Qué significan las especificaciones: lzM, .InsM, Vz, In.
6. ¿Para qué tipo de fuentes (power suply) se utilizan los diodos zener?
7. ¿Cómo se comporta un diodo zener polarizado en directo?
8. Defina los parámetros: Is, BV, CJO, Vj .
9. Para utilizar u11 dio.do zener, ¿qué aspectos se deben tener en cuenta?
l O. ¿Qué problemz presenta un diodo zener cuando opera con grandes corrientes?
11. ¿Cómo se dencmina al regulador con diodo zener? ¿Porqué?
12. ¿Cómo se puede obtener una señal cuadrada a partir de una señal seno utilizando diodo
zener? Explique circuitalmente.
13. ¿Qué es un dio< o LEO?
14. ¿Para qué se ut:liza un LED?
15. ¿Qué es: GaP, GaAs, GaAsP?
16. ¿Cómo se pued1:: variar el color en un LEO?
17. ¿Qué es un IRE'.)?
18. ¿Qué significa et término luminiscente?
19. ¿Cómo se ident fica en un plano un diodo LED?
20. ¿Qué significa: ·.:·d, lm, fL, ft.
21. ¿Para operación normal, cómo se debe polarizar un LED?
22. Si un LEO reqLiere de 12V @lOmA para su funcionamiento, Qué se debe hacer si se va a
alimentar el dispositivo con una fuente de l SV? Explique circuitalrner:ite.
23. ¿Qué es un disp' ay?
24. ¿Qué es un disp ay de ánodo común y de cátodo común?
25 . ¿Qué es un varic ap? Y un varactor?
26. ¿Cómo se debe polarizar un varicap para que opere con su característica especial?
27. ¿De qué parámet.·os depende la capacidad intrínseca de un varicap?
28. En un pbno, ¿cór.10 se identifica el varicap?
t. EL DIODO ELl·:crnót•ICA AN ..\l..OCA: TEOlltA y LAllOllATOHIO 219
1.9. OTRAS ESPECIFICACIONES: DIODO S<.:llOTTl<Y Y DE POTENCIA
29. Porqué razón al aumentar la polarización inversa del varicap, su capacidad disminuye?
30. ¿Qué significa el factor de calidad?
3 1. ¿Con qué otro nombre se reconoce el factor ele calidad?
32. ¿Qué es TR para el varicap?
33. ¿Qué significa la especificación: C3/C50?
34. ¿Qué significan las especificaciones: \'H, [¡:, Pe, Tj, Tstg, BVR, CT, Q?
35. Se tienen los varicap de referencias: IN5139, 1N5144, 1N5148. Se polarizan con
Vn = 1OV a T = 25ºC y f = lMHz. Determinar: capacidad, factor de mérito, corriente
inversa.
36. ¿Qué significa que un diodo tenga juntura abrupta?
37. Mencione algunas aplicaciones del diodo varnctor.
38. ¿Qué es un oscilador?
39. ¿Qué significa VVC?
40. ¿Qué es un diodo túnel? ¿Cómo se debe polarizar el diodo túnel para operación normal?
41. ¿Qué característica del diodo desde el punto de vista de semiconductor, diferencia un
diodo túnel de un diodo rectificador?
42. ¿Cómo se produce la zona de resistencia negativa en el diodo túnel'?
43. Defina los parámetros: lp , Vp, lv, Vv, VFr, f 1w. tr.
44. ¿Qué es un multivibraclor y qué tipos hay?
45. ¿Cómo se debe ubicar el punto de funcionamiento en el diodo túnel, si se desea que opere
como: astable, monoestable y biestable?
46. ¿Por qué se produce el tiempo de retardo inverso en los diodos?
47. ¿Porqué hay que reducir el tiempo de retardo inverso en los diodos?
48. ¿Con qué otros nombres se identifican los diodos rápidos?
49. ¿Cómo se denomina el diodo construido con metal-semiconductor?
50. ¿Cómo funciona el diodo Schottky?
51. Enuncie ejemplos de aplicaciones de los diodos Schottky.
52. Defina los parámetros: Ro, Ro.1c, Ro11A, Roe..\ , hsM. I\ di/dt, Vasl\t , YrmM, VFi\t, Qrr,
53. ¿Qué es un diodo Esaki?
54. Consulte: que significn, el símbolo y funcionamiento de ios siguientes diodos: IMPATT,
JUN, PIN, DE RELAJACIÓN (Step-Recovery), FOTODIODOS.
55. Efectúe una tabla en donde se incluyan todos los diodos estucli<1dos y que contenga: forma
de polarización, características, aplicaciones, etc.
-----------
LABORATORIO 1 ELECTllÓNlCA ANi\LOGA: TEORIA \' LAilORJ\TOIUO 220
EL DIODO
DLABORATORIO l.
EL DIODO
ILABl.1.¡ ~ INTRODUCCIÓN
La parte final· del tema de diodos, se dedica a la realización de algunas
prácticas, que refuerzan la teoría expuesta. Se recomienda desarrollar las prácticas propuestas
en su totalidad y tratar de ir más allá de lo que se propone. No olvide que esta es una buena
oportunidad para crear y desarrollar algunas ideas. La mayoría de las prácticas propuestas son
de verificación, otras ~on diseños, en donde se aplica la teoría y se tiene que entrar a suponer, ·
asumir. Antes de iniciar las p1·:ícticas, leer todo el laboratorio para sacar el listado de
materiales y equipo n·~cesarios.
PROCEDilVIIENTO
Desarrolle el siguiente procedimiento:
l.2.1. Se dispone de ~ualquier diodo del tipo rectificador. Se debe identificar sus terminales.
Para ello se propone Jos métodos. Uno, a simple vista: en el cuerpo del diodo en uno de los
extremos se tiene una franja, que indica el cátodo así que el otro extremo es el ánodo.
El método indica solo los terminales, pero no se sabe, a simple vista, si el diodo está en buen
estado, así que se prupone el segundo método que es utilizando el rnultírnetro digital. En él
aparece en una de sus funciones, la prueba del diodo (siempre coincide la prueba del diodo
con la prueba de continuidad en el multímetro: observe la nota musical y el símbolo del
diodo). Si coloca el ::onector rojo del multímetro con el ánodo del diodo y el conector negro
con el cátodo, indic;· en el display del instrumento la tensión de barrera del diodo. Al invertir
los conectores re!'pi:cto a los terminales del diodo no hay indicación; significa que está en
circuito abierto.
Además de la posi '.1ilidacl de medida indicada, que indica que el diodo está en buen estado, se
presenta las siguientes posibilidades:
Al colocar los con ·:ctores del multímetro al diodo, en uno y otro sentido da tono el multímetro
(suena el pito de cuntinuidad); significa que el diodo está en co110.
Al colocar los co1.ectores del multímetro al diodo en ambos sentidos, no hay indicación en el
display; indica qu e el diodo está abierto.
Efectúe la prueb2 de varios diodos y determine su estado. Para cada uno de ellos anote: la
referencia del dioco y su tensión de barrera.
1.2.2. Consulte er manual las especificaciones de los diodos utilizados
1.2.3. Cuando se utiliza cualquier dispositivo electrónico, si no es un dispositivo original o no
se conocen sus especificaciones y curvas características, es necesario determinar sus
características a r artir ele circuitos de prueba. Para el diodo rectificador se propone el circuito
de In FIG(LAl3 l. )
LABORATORIO l El.E<.THÓNICA ANALOGA: TEO td,\ \' LAUOUATORIO 22 J
EL DIODO
Consiste en una fuente de voltaje OC

variable, la resistencia, que limita la
~í ID corriente y su valor depende de la corriente
.....--_¡ que ·va a manejar el diodo, el diodo bajo
R
~
f· prueba y dos instrumentos de medida: el
~ ¡
i D amperímetro, indica la corriente que circula

a través del diodo y el voltímetro, indica el
voltaje que cae sobre el diodo.
Varíe lentamente la fuente V, hasta que el
amperímetro indique 1mA, anote el valor del
""'·
FIG(LABl.l) voltaje en el diodo. Siga aumentando V hasta
que tenga en el amperímetro 5mA y anote el nuevo valor de Vn. Siga el proceso y complete
una tabla como la siguiente:
In(mA) lmA 5mA 1OrnA 15mA 20mA 25mA 50rnA ...
Vo(V) -
Controle que el diodo mantenga la temperatura ambiente. Si detecta ligero calentamiento, no

siga con la prueba. Luego de completar la tabla, traslade esos valores a una gráfica de voltaje
contra corriente y grafique la característica del diodo. La gráfica que obtiene es la curva rcnl
ele ese diodo y con esa curva sigue trabajando las prácticas. Si c<1mbia ele diodo, seguramente
la curva va a variar, así que tendrá que volver a trazar la curva para el nuevo diodo.
Puede intentar polarizar en inverso el diodo y variar la fuente, observando el voltaje y
corriente en el diodo.
Aunque se supone que el diodo opera a temperatura ambiente (la del medio ambiente), sin
embargo, es interesante conocer cómo cambia su característica al alterar la temperatura. Así
que puede intentar, utilizando un cautín caliente colocado sobre el cuerpo del diodo, efectuar
las medidas propuest<1s y trazar la curva correspondiente.(Controle el tiempo que el cautín toca
al diodo)
Anote sus observaciones y conclusiones.
Las siguientes prácticas son de observación y vcrificnción Antes de iniciar estas prácticas,
·'"" observar si la toma de la red de 1 ISVAC tiene tres terminales. Si es así,
colocar un convertidor de tres a <los para conectar el osciloscopio y
generador a la red.
l.2.4. Adquiera un transform<1dor (Láser o Magom referencias: 500, 501, 502, o cualquier
transformador que tenga tap central). Determinar voltajes que suministran los devanados.
1.2.5. Constn.1ya un rectificador de media onda. Observar en el osciloscopio la señal aplicada
-1
1
l
y la señal rectificada (en la carga). Determine con el osciloscopio los niveles continuos y los
-·
_ ¡1
l
¡
voltajes pico a pico ele cada una ele esas señales.
- l·
LAilORATORIO 1 ELECTRÓNICA ANALOGA: TF.ORIA Y LAHORATORIO 222
EL DIODO
Ahora con voltímetro mida el voltaje AC y OC en los mismos puntos. Todos sus resultados
verifiquelos con las ecuaciones correspondientes.
Todos sus resultados trasládelos a una tabla como la que se propone en la siguiente página.
MEDIDA CÁLCULOS º/.,ERROR
Y1~1s DE LA SEÑAL APLICADA
Y1t~rs DE LA SEÑAL RECTIFICADA
Ync DE LA SÉÑAL APLICADA
Yoc DE LA SEÑAL RECTIFICADA
Vpp DE LA SEÑAL APLICADA
Vp DE LA SEÑAL RECTIFICADA
FRECUENCIA DE LA SEÑAL APLICADA
FRECUENCIA DE LA SEÑAL RECTIFICADA
1.2.6. Construya el rectificador de onda completa y efectúe un proceso semejante al

desarrollado para el rectificador de media onda. Lleve sus resultados a la tabla propuesta.
1.2.7. Construya el rectificador puente y realice el proceso anterior.
l.2.8. Construya el rectificador de media onda, pero como señal de entrada aplique un
generador de señal sinusoidal ajustado a máxima amplitud y frecuencia de 60Hz. Observe las
señales en el osciloscopio.
Ahora cambie la señal del generador a una señal cuadrada y observe la señal rectificada. Anote
sus observaciones.
Aumente la frecuencia lentamente observando la señal rectificada. ¿En qué frecuencia se
pierde el efecto rectificador? Determine el tiempo de recuperación inversa.
Reemplace el diodo por otro que sea de respuesta rápida y efectúe un proceso semejante al
anterior. Anote sus observaciones y explique sus conclusiones. ¿A qué frecuencia el diodo de
respuesta rápida pierde el efecto rectificador
l.2.9. Adquirir diodos zener de diferentes
voltajes y consultar en manual sus
especificaciones. Anote la referencia del
diodo y sus especificaciones.
Vz
1.2. l O. Al igual que con el diodo
rectificador, es necesario construir un
circuito prueba para determinar la
característica voltaje-corriente del diodo
zener. Se propone, para tal fin, construir el
circuito de la Ff G(LAB 1.2).
FCG(LA B 1.2) Es muy parecido al circuito prueba del diodo
rectificador. Como se conoce el voltaje nominal del zener bajo prueba, calcular el ±5% de ese
LABORATORIO 1 l~LECTllÓNICA ANALOGA: TJmHiA Y LABORATORIO 223
EL DIODO
voltaje; Por ejemplo, si Vz = 5.1 Y, entonces el 5% de ese voltaje es 0.255V, así que se supone
que el voltaje de trabajo (zona de ruptura) del dispositivo va a estar entre Vzmín = 4.845V
hasta Vzmáx = 5.355V.
Entonces, variando la fuente V asegurar esos tres voltajes: Vzmín, Vz y Vzmáx. Para cada
uno de ellos medir la corriente que corresponde y completar la siguiente tabla:
i Vzmín (v) 1 Vz (v) 1 Vzmúx (v)

·--·---~----- -----.-·- -- ·- - - - i - - - - ---
l(mA) 1 i l
1 1
Si se desea una zona de trabajo más estrecha, simplemente considerar un porcentaje de

variación menor que el 5%. Entonces, para los diseños con ese diodo zener, se debe ubicar su
punto de operación dentro del rango medido. No olvide que los valores que acaba de medir
son únicamente para ese diodo y no para otro.
1.2.11. Diseñar y constniir un regulador con diodo zener, incluyendo el transformador, puente
/
de diodos y filtro. Se propone para esta práctica, colocar carga variable y, si es posible,
disponer de un variac (¿?)"para lograr cambios en el voltaje de la red. En su diseño, considere
que tiene el transformador (el que adquirió para las prácticas anteriores).
Ya se efectuó medidas del puente rectificador, entonces se diseña y constmye hasta el filtro.
- Para este circuito se recomienda construir los filtros tipo C y tipo Pi; en especial este último,
pues contiene la bobina. Es algo común en nuestros estudiantes el rechazo a las bobinas, así
que es una buena oportunidad de experimentar con estos elementos.
Inicialmente experimente con los filtros tipo C. Añada al puente rectificador un filtro
capacitivo: C = 1OOpF. Observe la señal en la carga. Mida su voltaje OC y RlvfS. Luego
reemplace el condensador por C = l OOOµF, observe la señal filtrada y mida el voltaje OC y
RMS en la carga. En esta parte, para el filtro C = 1OOOµF, suprima la carga y observe la señal
sobre el condensador. Anote sus observaciones.
Ahora coloque el filtro tipo Pi y efectúe la medida del voltaje DC y RMS sobre la carga.
Sus resultados llévelos a la siguiente tabla.
FILTRO FORMA DE ONDA VDC VRMS %RF
LADORATORIO l ELECrHÓNJCA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 224
EL 01000
No olvidar tener ciertas precauciones cuando se trnbaja con condensadores electrolíticos:
COLOQUE EL CONDENSADOR CON LA POLARIDAD CORRECTA EN

EL CIRCUITO.
EL VOLTAJE DE TRABAJO DEL CONDENSADOR SIEl\rIPRE DEBE
SER MAYOR QUE EL VOLTAJE PICO DEL CTRCUIT_O
UN CONDENSADOR NO DEBE AUMENTAR SU TEMPERATURA.
SIEMPRE DEBE ESTAR A LA TEMPERATURA DEL MEDIO AMBIENTE
Para la primera recomendación, al colocar contraria la polaridad, el condensador se

explota.
En la segunda precaución, el condensador aumenta su temperatura, hasta que se
explota.
Si se detecta calentamiento del condensador, aléjelo: corre el riego que se explote en algún
momento.
Un condensador que sufre aumento en la temperatura, lo más seguro es que ha sufrido
perforación de su dieléctrico: No sirve, bótelo.
¡Cuando un condensador se explota es como una bomba en miniatura y
expulsa un ácido que es peligroso!
Ahora coloque el regulador al filtro tipo C, con el condensador de lOOO~LF . Mida el voltaje DC
y el voltaje RMS en la carga. Varíe la resistencia de carga y observe cómo varía el voltaje
regulado. Si dispone del variac, produzca cambios en el voltaje de la red y observe cómo
cambia el voltaje en la carga. Anote todas sus conclusiones y observaciones.
Puede efectuar un proceso análogo, pero con el filtro tipo Pi. Complete la siguiente tabla.
Voltaje de Rc<i Resistencia Voltaje Regulado

de la Car~a
rBt ... Ti1•~ z - j --- Filtro Ti¡io PI
Voltaje Nominal = =
----·--- - -- ----- --- - __j______________________ _ ---
RLM:ix
_______ [ -
__ Voltajc-~ominal_:________
Volla.1·c M:íximo =
_ ---~~=~:
R =
·------~- --------··-------f--·--··-· -----~--~
1 ,,. 1 1
"' "' i 1
..... ··- ··-- ......;.··-·-··-··-. ·- .·----·· ----1-····- ·-···-- - ·-·---- -- ---·
Voltaje M:íximo =
Voltaje Míuimo =
Ru1in
Rl..\ 1,-,.=
= ¡ ..
1
! . ---· --·- _------ _
.,
i
----·-·· -- - -- - · - ~ - -· ·· - -··-· ,.__ ·-------- -· t --- ------- - - - -- ----
Voltaje Mínimo=
R1, 111i11 = 1 !
LABORATORIO l ELECl'nÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LATIOMTORIO 225
EL DIODO
La tabla propuesta indica: el voltaje nominal de red, por ejemplo 11 OV AC; si se dispone del
variac, entonces se varía el voltaje de red por arriba y por debajo de los l l OV AC, indicado en
la tabla como voltaje máximo y voltaje mínimo, respectivamente. Igual para la carga, se
dispone de un potenciómetro, por ejemplo de SK, se puede considerar que RLl\Hx = SK y
RLl\lin = 100.0. (o el valor que Ud. considere). Para cada una de estas combinaciones, se calcula
el voltaje regulado.
1.2.12. Construya un triplicador de voltaje. Observe señal sobre la carga. Mida el voltaje DC y
RMS en la carga.
1.2.13. Construya un sujetador, utilizando como señal de entrada la que suministra un
generador, colocando señal cuadrada. Varíe el condensador y observe las señales en la carga
1.2.14. Construya un doble recortador utilizando diodos zener.
Anote sus observaciones y conclusiones.
1.2.15. Determine los terminales del diodo LEO y el punto de operación en el que el LEO
enciende. Ensaye con LEO' s de diferentes colores. ·
La determinación de los terminales del diodo LEO es muy semejante a como se hace con el
diodo rectificador; la pila interna del multímetro suministra la corriente suficiente para
polarizar en directo al diodo y lograr encenderlo. Para esta medida no es necesaria la
resistencia limitadora de corriente.
En una tabla anote: color del LEO, corriente y voltaje necesarios para que encienda el
dispositivo.
1.2. l G. Esta práctica es de solaz: construya un rectificador puente utilizando diodos LEO, y
como señal de entrada aplique la señal sinusoidal de un generador, ajustado a baja frecuencia
(f < 60Hz). No olvidar colocar la resistencia \imitadora (con una sola es suficiente para los
cuatro diodos). Observe. Anote sus observaciones.
,
\LABl.3.\ ~ PROYECTO - INVESTIGACION
Uno de los problemas que enfrenta la operación de los dispositivos
basados en semiconductores es la temperatura. Como se mencionó anteriormente, el efecto de
la temperatura es conveniente en algunos dispositivos semiconductores, por citar uno de ellos,
en los censores térmicos; Sin embargo, para la mayoría de los dispositivos, la temperatura es
un factor negativo.
Se propone como proyecto, diseñar y construir un horno, en el cual se pueda introducir un
dispositivo bajo prueba, y determinar sus características de voltaje, corriente, observar sus
señales, cte., en ambientes de temperaturas elevadas. Este horno debe tener temperatura
ajustable y conocida en todo momento. Debe disponer ele las bornerns para conectar
externamente los instrumentos de medida con el dispositivo que se encuentra dentro del horno.
Sería un elemento muy interesante y de bastante utilidad. ¡Queda el reto! 1
2. TRANSISTOR ELECrilÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA\' LAilOllATOJtIO 226
1.1 INTRODUCCIÓN 2.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO
TRANSISTOR
2~ ·BIPOLAR
INTRODUCCIÓN
Este capítulo y los que siguen, se dedica al segundo dispositivo importante en
la electrónica: el transistor. Decir qué dispositivo es más importante si el diodo o el transistor,
es una comparación que no cabe; sin embargo, el transistor fue el causante del desarrollo
acelerado de la electrónica. Su capacidad de amplificar, y su manejo de corrientes y tensiones.
bajas, junto con su tamaño reducido, desplazaron en muchas aplicaciones a los tubos al vacío.
Es, entonces, el objetivo de este capítulo, estudiar el funcionamiento del transistor.
ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO
El término transistor involucra diferentes dispositivos, entre los que se
encuentran: transistor bipolar, transistor efecto de campo, transistor unijuntura. Cada uno de
ellos presenta ws características particulares.
El transistor que se estudia inicialmente es el transistor bipolar o también llamado transistor
bijuntura.
Un transistor bipolar está construido con tres cristales semiconductores como se ilustra en la
FIG2. l.
E,;;SOj N !pi N p
!Ni p
toLicTOR
1 1
E B
BASE BASE
(A) (A) TRANSISTOR NPN (B)
(B) TRANSISTOR PNP
FIG2.I
Dos cristales de gran superficie y un cristal muy pequeño comparado con los otros dos.
Entonces, de acuerdo al tipo de combinación de esos cristales, se tiene la posibilidad de tener·
dos transistores diferentes: un transistor NPN y un transistor PNP. De cada uno de los cristales
se derivan contactos óhmicos, de donde se extraen tres terminales y que se denominan:
Emisor, Base y Colector. También se identifican con las lelras iniciales: E, B y C. Entonces
un transistor bipolar tiene tres terminales. También se observa que en la unión de los cristales
se tienen dos junturas: la juntura entre el emisor y la base y la juntura entre la base y el
colector. La presencia de esas dos junturas implica que el dispositivo también se denomine:
Transistor bijuntura. ·......-
2. TRANSISTOR ELEC.THÓNICA ANALOGA: TEORL\ Y LAHOllATORIO 22 7
2.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO
Para el funcionamiento del transistor, se requiere de dos fuentes: una fuente polariza en directo
la juntura Base-Emisor, la segunda fuente polariza en inverso la juntura Base-colector. Esta
situación se puede esquematizar en la FIG2.2
E N N e
'----l l11---·----------1 l11--·_ __,

VBE (A) Ves VBE (B) Ven
FIG2.2
El transistor que se va a explicar es el NPN, así que las fuentes que se colocan aseguran las
polarizaciones previstas, es decir, la unión EB se polariza en directo y Ja unión CB en inverso.
Con esta polarización de las junturas, se dice que el transistor opera en la zona activa.
Por efecto de la polarización directa entre base emisor, se establece un gran flujo de portadores
mayoritarios desde el emisor hacia la base, puesto que la barrera de potencial se ha reducido.
En la base, esa cantidad de electrones se convierte en portadores minoritarios. Pero debido a Jo
pequeña la base, y a la baja contaminación de huecos en la base, solo unos pocos de los
electrones se recombinan en la base, mientras que la mayoría se difunden a través de la base
hacia la barrera de potencial en la juntura de la base-colector, en donde son atrapados por la
región de colector, gracias a la polarización inversa en esa juntura. Recuerde que los
electrones provenientes del emisor, son portadores minoritarios para la juntura base-colector,
así que esos portadores minoritarios tienen la posibilidad de cruzar la barrera de potencial muy
fácilmente.
Simultáneamente al desplazamiento de los electrones, se tiene un flujo de huecos desde la base
hacia el emisor, que son los portadores minoritarios para las regiones de emisor y colector; ese
flujo de huecos se da en sentido contrario al desplazamiento de los electrones; no olvide que el
movimiento ele un electrón, deja un hueco en su lugar. Entonces, en un transistor bipolar
intervienen dos tipos de portadores: huecos y electrones. Precisamente por esta característica
se denomina transistor bipolar.
Observando la FIG2.2(B) y de la teoría expuesta, se establecen en el transistor tres corrientes:
• Una corriente de emisor 1 1~, que es debida al gran flujo de portadores mayoritarios desde el
emisor hacia la base. Este gran flujo de portadores es posible gracias a la polarización
directa en la juntura emisor-base, además de la altísima concentración de impurezas en la
región de emisor.
• Una corriente en la base In, que es el resultado de la recombinación de los portadores
mayoritarios provenientes del emisor, con los portadores mayoritarios de la base. Sin
embargo, esta corriente es muy pequeña, por dos razones: una, por lo pequeña que es la
zona de base y dos, por la baja cantidad de impurezas en esta zona.
• La corriente de colector le, que en su mayoría la constituye los portadores provenientes del
emisor que no se recombinaron en la base; estos portadores son fuertemente atraídos por la
2. TRANSISTOR ELECrRÓNICA Al'.¡J\LOGA: TEORIA Y LABORATOlllO 228
2.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAM1ENTO ..._.
polarización inversa de la juntura colector-base. Recuerde que los portadores que

atraviesan la juntura base-colector, son portadores minoritarios en la zona de la base.
La representación de los transistores bipolares NPN y PNP, indicando sus corrientes y
tensiones se muestra en la FIG2.3 .
e
e e Ic
Ic e .....
+
~ B~
VcB Vnc
lB + lB
B
B VcE B
+ VEC
+
Va E -
Vrn
+ +
E IE E IE
E E
TRANSISTOR PNP '-- ·-
TRANSISTOR NPN
FIG2.3
La diferencia en los símbolos de los transistores bipolares, es la flecha que indica el emisor.
En el transistor NPN la flecha apunta hacia fuera del transistor, en el PNP la flecha apunta
hacia dentro. Y es el sentido de esas flechas en el emisor, que da referencia al sentido de las
corrientes: en un transistor NPN, la corriente en el emisor sale y las otras dos corrientes entran
al transistor; en el transistor PNP, la corriente en el emisor entra al transistor y las otras dos
corrientes salen. De acuerdo con la teoría expuesta, el transistor bipolar presenta tres
corrientes, y la relación entre ellas es:
'
lg = In + le (2.1)
En cuanto a las tensiones en el transistor bipolar, se tienen tres tensiones : la tensión entre la
base y emisor, la tensión entre la base y el colector y la tensión entre el colector y el emisor.
Teniendo en cuenta que la juntura base emisor se debe polarizar en directo y la juntura base
colector se debe polarizar en inverso, recordando el diagrama de la FIG2.2, se tiene que:
en el transistor NPN las tensiones son: Vm:, V en. V rn. Significa que la base es más positiva
que el emisor, el colector es más positivo que la base y el colector es más positivo que el
emisor. Siguiendo la posición de los signos en la FIG2 .3 se cumple que:
VcE. = Ven + Y1m (2-2)
Si al medir las tensiones en el transistor NPN,1L se cumple la ecuación, significa que el
transistor no está funcionando correctamente.
Para el transistor PNP, las tensiones son contrarias: VEn. Vuc, VEc. Así que el emisor es más
positivo que la base, la base es más positiva que el colector y el emisor es más positivo que el
colector. También se cumple que:
VEc = V1m + Vnc:
Volviendo a las corrientes del transistor, la corriente de colector depende de la cantidad de
portadores provenientes del emisor, que no se recombinan en la base y que son atrapados en la
zona de colector debido a la polarización inversa de la juntura colector-base.
--
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA AN.\LOGA: TEORIA Y LAllORATOIUO 229
Pero la corriente de colector varía en su magnitud sí:

• La polarización directa de la juntura base-emisor varía. Recuerde que en una umon
polarizada en directo, la cantidad de portadores que la cruzan depende exponencialmente
~...., del valor de Ja fuente que polariza la juntura; se tiene que, a mayor polarización directa,
mayor es la cantidad de portadores que cruzan la juntura y, obviamente, mayor es la
corriente.
~. • Los portadores provenientes del emisor, se recombinan en mayor o menor cantidad con los
portadores mayoritarios de la región de Ja base; así que, la corriente de colector puede
aumentar o disminuir, si en alguna forma se provoca mayor o menor recombinación de
portadores en la base.
• Se controla la corriente de la base. Es lógico que el control de la corriente de base, es
equivalente a provocar mayor o menor recombinación de portadores en la zona de base'.
Entonces, con cualquiera de los mecanismos mencionados, se actúa sobre la magnitud de la
corriente del colector.
Ahora, a semejanza del diodo polarizado en directo, la juntura base-emisor presenta la
característica exponencial en la corriente de colector, así que esta corriente se puede expresar
matemáticamente como:
le= lco(c \' l•r. IVT -1) (2.3)
En donde: leo es la corriente inversa en la juntura base colector, y VT = kT/q . Entonces,
como se observa, la ecuación tiene la misma presentación que la ecuación característica del
diodo, solo que, ahora, la tensión es la de la juntura base-emisor. Y esta ecuación demuestra la
primera causa planteada anteriormente del control de la corriente de colector.
Adicionalmente, las tres corrientes presentes en el transistor se relacionan entre sí en la
siguiente forma: la corriente de colector es directamente proporcional con la corriente de
ermsor: Te ex: J¡.:. La proporcionalidad de estas corrientes se presenta mediante una
constante:
(2.4)
a (Algunos autores la indican como ar) es una constante cuyo valor es inferior, pero cercano
a la unidad. También se da una relación entre la corriente de colector y de base:
le ex: In
Y la proporcionalidad entre las dos corrientei se expresa con otra constante:
le = ~ In (2.5)
En donde 0 (también se identifica corno 0F y como h 1;i·::) es un número mayor que la unidad y
que depende de factores corno la temperatura y la magnitud de las corrientes que maneja
(normalmente para corrientes grandes, 0 es pequei'ío).
i'
---- ! Retomando Ja Ec(2. 1): 11·: = In + le
j_, Combinando con la Ec(2.5): le =

Se llega a: 11~ = (p + l ) 1n
P 111
(2.6)
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA AN,Í.LOGA: TEORÍA Y LAlJORATOnlO 230
2.2. ESTRUC.TURA Y FUNCIONAMIENTO
'-·-
El comportamiento de diodo en la juntura base emisor y la relación proporcional entre la
corriente de colector y de base, establece un primer modelo circuital que representa al
transistor, por lo menos desde el punto de vista estático. En este modelo, se representa la
corriente del colector como una fuente dependiente(¿?) de la corriente de base y en el emisor
se coloca un diodo. Este circuito equivalente se muestra en la FIG2.4.
Entonces, el circuito equivalente de la FIG2.4
hFEIB muestra circuitalmente dos de los efectos que inciden
Bo Je · 81--~oc en la corriente de colector: la tensión directa de la
juntura (Vnr-:.) y el control mediante la corriente de la
base. Para facilidad de los análisis, se considera el
diodo como una fuente, sin tener en cuenta la
resistencia directa de ese diodo. Otro detalle que
muestra la FIG es que el terminal de entrada es la ·
E base, el terminal de colector está a la salida y el
emisor, queda común para los otros terminales.
FIG2.4 A esta disposición de los terminales del transistor se
denomina configuración emisor común. Lo anterior significa, que el transistor se puede
colocar en otras dos posibles configuraciones: Base común y colector común. Para la
base común, el terminal ele entrada es el emisor, la salida es por el colector y la base es común
a los terminales de entrada y salida. Igualmente, en la configuración colector común, la base es
el terminal de entrada, el emisor es el terminal de salida y el terminal común para la entrada y
salida es el colector.
El control de la corriente de colector por la corriente de base, y el comportamiento como diodo
en la juntura base-emisor, genera las curvas características del transistor. Basados en esas
curvas es posible desarrollar el análisis estático y dinámico del dispositivo, así como
determinar otras de sus características. Un ejemplo de esa familia de curvas se muestra en las
FIGs2.5. Se obtienen utilizando el paquete PSPICE y corresponden a las características de un
transistor 2N2222 (es uno de los transistores más comunes); las gráficas comprenden las
siguientes características:
En la FlG2.5(A) se presenta la variación de la corriente de base In, al variar la Vm~ y corriente
le, para la temperatura de 25ºC. Se observan en estas gráficas los siguientes detalles:
• Las corrientes de base y de colector son prácticamente proporcionales (ln vs le es una
recta); esa proporcionalidad es el parámetro S. Como ejemplo. se trazó un punto
cualquiera: para le = 20mA, se lee: In ~ 92~lA, luego p = 217.4. Cualquier otra pareja de
valores, prácticamente va a tener el mismo S.
• Si se considera que el terminal de base es la entrada y la salida se toma por el colector, esto .
es, se tiene un emisor común, la relación entre las corrientes de salida y entrada (le / In),
prácticamente define la ganancia del transistor en corriente. Es decir, el parámetro p
indica la ganancia de cordcnte (estáticamente, en OC) del transistor.
• La curva de la corriente fn vs V1m, tiene la misma forma que la de un diodo cuando se
polariza en directo. Corno se observa en la FIG2.5(A), el transistor inicia su conducción
luego de superar: V1m ': .: : 0.6V.
2. TRANSISTOR ELECTRÓ NICA AN,\ LOGJ\: TEOR IA Y LABO RATOIHO 23 1
JD111A enonuf -- - - -- -- --- - --- ,--- -- - -- - ----- - - ~ ------ - -- -- -- - -·-- - ------------- ~ ----- - - - - -- ----1
1 2
T = 2sºc ___,:
1
'
....._ 4001!lU ~
'
......... 1 1 OlllA
_,.,.,.,,. .
- ~~
'
l 21lOl!lU¡ · .
¡
i
~ ''
1
1
»
~ nn OU ----------- --r------- ------- 60un
-,-------- -------o-rnun-- ------ ------ -!'
llíl 20uA 4oun 1 ooun
m o IC(Q1) rn • U(UOE )
--, I_IB
- '
FIG2.S(A)
1
l10mA
2 6oomu ;- -- ---- ------------ -- ---- --- ---- ------ --- -- ----------- --- ----- -------- ----:
T = 150° C · - - - - - - - -- - - -
· · - ~ ·· ···
30mA ~
1
1
1
./
400mU ~
20mA - 3 OOmU -l+-- -- - -- -- --
200mU ~1 /
// .
1
//r
1 Omn
100111U
:///
>>: ./"° 1
OU -V- - - - - - - - - ·• - - - - r --------------r --------- ----r- --- --- -------r- ------- ---- --1
on 2oun r1oun 6 oun a oun 1 ooun
[!) o lC(Q1) [l] • U(URE)
[ 10
FIG2.5(Il)
2. TRANSISTOR ELECrHÓNICAANALOGA: TEOiliA Y LADORATORIO 232
2.2. ESTRUCTURA V FUNCIONAMfENTO
En la FIG2 .5(B), se tienen los mismos barridos de la FIG2.5(A), pero se incrementa la

temperatura a 1SOºC . De este cambio en la temperatura de operación-del transistor se deduce :
• Las corrientes de colector y de base mantienen su proporcionalidad. Sin embargo, se
observa, que para 20mA de la corriente de colector, la corriente de base se reduce a
In~ 54µA, así que la ganancia de corriente estática es: ~;:::::: 370.4. Si se escoge la corriente
de base igual a la considerada a la temperatura de 25ºC, es decir: In = 92µA, el efecto de
la temperatura hace que la corriente de colector quede arriba de los JOmA.
• Sacando conclusioÍ1es de los razonamientos anteriores, se tiene que: Al aumentar la
temperatura en el transistor, las corrientes de base y de colector aumentan al igual
que el parámetro ¡3.
• En cuanto a la tensión VnE, se observa que al considerar le = 20mA, la VnE = 300mV,
significa que al aumentar la temperatura de operación en el transistor, la Vm;; ·
disminuye. Esta observación confirma el comportamiento equivalente de la juntura base-
emisor con un diodo: recuerde que en el diodo de silicio, la tensión del dispositivo se
reduce aproximadamente 2mV por cada grado Celsius de incremento en la temperatura
(-2mV /ºC) . Se observa en la gráfica, que el transistor comienza su conducción
prácticamente a partir de V1m ~ 400mV
ltOmA~------
1
- ---- --- --------------------- --- ----- - ----------------- - ---- - - -- ----- - -- - - -- ---- - --
1
1
1
1
1
1 T ·• 2ef'
'
1
1
1 .JOOuA
1
20m0 ~ llOuA
}.__
1
1
- · --E~~~=--¡--~.,----~--:i~
~~
1
1
1
1 ~º~
1
: . m-w~.
1 :
OO~-- - ~- - ~ --------r - - - - -- - - -:--·-r·------ --- - - -- ·-- -- -- -- ---- --r.-------- -- --·· r--------------1

-su OV S-V ·tau 15U 20U 25U
n 1C_( Q1)
U UC:E
J1 OmA 7 - - - - - - - - - - - - - - :. - - - - - - - - - - - - - - :. - - - - - - - - - - .. - -: :. - - - - - - - - - - - - - - :. - - - - - - - - - - - - - - - - - - - . - _. J OOu.A _,
T = 150°
1
.tOuA;
1
1
1
m- 2ouA ·
1
1
I --
01\ .J . . 1
+-------- =-=-=-=-=-=-r - - - - - - - - - - - - - - ¡- - - - - - - - - - - - - - - r - . - - - - - - - - - - - - - ;- - - -: - - - - - - - - - - - ¡.. - - - - - - - - - - - - - -1

- 5U OU SU 10U 15U 20U . 2 5\/
n fC(l}1) . . . .
U_UCE
Ji'IG2.5(C)
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA \' LA130RATOHIO 23 3
2.J. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
Las gráficas de la FIG2.5(C) corresponden a las características de salida del transistor bipolar,
y para este caso del transistor NPN 2N2222. En estas características, se traza la Vrn vs
corriente le, variando la corriente In. Las gráficas superiores de la FIG2.5(C) corresponde a la
- , temperatura de 25ºC, mientras que las características mostradas en la gráfica inferior, son para
una temperatura de l 50ºC. En ambas gráficas se presentan la respuesta para cinco diferentes
In, y tienen en común lo siguiente:
• Presentan muy buena linealidad prácticamente desde VCE~ OV
• La separación entre cada curva de la corriente In, es gráficamente igual; esto es
consecuencia de lo que se dedujo en la gráfica de la FIG2.5(A), en donde la respuesta de
i
~ i le e In es lineal. Este resultado es importante y muy positivo, cuando el transistor maneje
~ señal variable en el tiempo
Las características anotadas en las F1Gs2.5, a temperatura ambiente de 25ºC, son ciertas
únicamente para transistores de baja potencia, como es el caso del 2N2222.
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

Una vez estudiada la estructura del transistor, su funcionamiento y algunas de
sus características, el paso que sigue es colocar las fuentes de vo ltaje y los componentes
necesarios para que inicie su funcionamiento . En esta sección, se- establecen los mecanismos
para fijar el punto de funcionamiento óptimo, y así, asegurar la operación del transistor con
señal.
Para la operación normal del transistor, se requieren dos fuentes de voltaje y algunas
resistencias, como se indica en la FIG2.6.
_ Re+ El circuito contiene:
le Ynn: que se encarga de polarizar
+ /\ en directo la juntura base-emisor. Es
·)-=-vec
+
la alimentación OC para el circuito
Y
~(t
de entrada.
R 13 : Esta resistencia limita la
VBB
corriente de base. Recuerde que se
trata de una unión polarizada en
directo.
Vce: Esta fuente alimenta la salida
FIG2.6 del circuito, asegurando que la juntura
de colector-base quede polarizada en inverso.
Re Limita la corriente del colector, sin embargo, su papel importante es actuar como carga
para la seifai.
El circuito está configurado como emisor común, así c¡ue el terminal emisor es común para el
circuito de entrada y de salida. Entonces se establecen dos mallas, como se indica en la
Ff G2.6: la malla de entrada (rvfE) y la malla de salida (MS). Planteando las mallas se obtiene:
2. TRANSISTOR ELECI'RÓNI CA ANALOGA: TEORÍA Y LABORATORIO 234
2.3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
ME: Vnn = Rn In+ VnE (A)

MS: Vcc = Rclc +Vrn (B)
Si se está haciendo el análisis, normalmente se conocen las resistencias, las fuentes de
polarización y, usualmente, la V 1m, luego las incógnitas son: VCE, le, In. Tres incógnitas con
dos ecuaciones, así que se debe plantear una tercera ecuación, que relacione las dos mallas.
Esta ecuación es la Ec(2.5):
Je = f3 In
Relacionando las tres ecuaciones, se determina el punto de funcionamiento del circuito
~ EJEIYIPLO
Para el circuito de la FIG2.6, suponga que: Vnn = SV, Rn = l SOK, Re= 2K, Vcc = 1SV, ...._.
V 1m::::::: 0.67V y ~ = 217.4. Determine tensiones y corrientes del transistor.
SOLUCIÓN. '1
De la Ec(A): In = (Vnn - VnE)/ Rn = 28.87µA
De la Ec(2.5): le = P lu = 6.28mA
De la EC(B): VcE = Vcc- Re le = 8.72V.
De la Ec(2.2): Ven = Vrn - Vur. = +8.0SV
El último resultado indica que un voltaje positivo en el colector respecto a la base implica que
la juntura colector-base está polarizada en inverso, claro está, P.ara un transistor NPN.
En el ejemplo se hicieron algunos cálculos pero, realmente, ¿el transistor está correctamente
polarizado?
Para responder esta pregunta, es necesario hablar de las zonas de trabajo del transistor. En un
transistor bipolar se presentan tres zonas de trabajo específicas: Zona de corte, Zona de
saturación y zona activa. Cada una de ellas tiene sus características muy particulares.
En todo el estudio inicial del transistor (la sección anterior), se polarizó el transistor de manera
que la juntura base-emisor esté polarizada en directo y la juntura base-colector, se polarizó
en inverso. A esta zona de trabajo se denomina zona activa. Es la zona en la que el transistor
trabaja dentro de sus características lineales (como se planteó en la FIG2.5(C)) y en la que el . '-
transistor está en posibilidad de amplificar.

Pero el transistor se puede polarizar en otras formas, en las que va a operar perfectamente, no
como amplificador, pero sí como un interruptor o conmutador.
Una forma_es polarizando las dos junturas en inverso. En esta situación no hay circulación de
portadores mayoritarios a través de las ·uniones, solo portadores minoritarios, así que se
establecen corrientes muy pequeñas. Esta polacización el transistor opera en la zona de
corte.
2. TRANSISTOR ELl~CrRÓN!CA ANiÍ.LOGA: TEORIA Y LAílOTlATOIUO 23 5
2.J. POLARIZAClÓN DEL TRANSISTOR
- La otra forma es polarizando en directo las dos junturas. El resultado es que se presenta un
aumento muy grande en la corriente de base, mientras que la corriente de colector, aumenta
hasta un valor máximo, y que se mantiene aunque se incremente la corriente de base. En este
punto se dice que el transistor está saturado y, efectivamente, a esta zona de operación se le
denomina zona de saturación.
Las tres zonas de operación anotadas, se pueden apreciar gráficamente en las características de
sal ida del transistor, como se indica en la rIG2.7 .
25"'A T--;-~~~~~- ---------------- -------------.--------------------------------------------.·-- -1()1)ÜJ\ ·-- - 1

~-
2N2222
--._, '
'
. 80uA:'
'
'
15P'l0 ~ ·z 60w\ :
~------:-------~- ··-----:
8(..)
,,..-_
--...
1 OnA ~ .< ~
e.o
ZONA ACTIVA · -lOuA:
t.¡
A
'''
"""" ' z< ''
SJJtA ~ '
o
N ra=20uA:
--.... on ~ ZONA DE CORTE
,......__
15U 21lU 25U 31lU
U_ UCE
FIG2.7
Las características de cada una de las zonas de operación se pueden resumir en los siguientes
aspectos:
Zona de corte: Corriente de base y corriente de colector muy pequeñas; tens1on colector-
emisor grande, normalmente iguál a la füente Vce: VCE :::::: Vce; el transistor se comporta
como un circuito abierto (como un interruptor abierto).
Zona de saturación: Corriente de base y de colector grandes; tensión colector-emisor mu y
pequeña (se denomina a esta tensión VcEs at); el transistor se comporta corno un circuito
cerrado (interruptor cerrado); la relación: le/ 111 < ~ .
Zona activa: Corrientes de colector y base y tensión colector-emisor intermedias; el transistor
-- actúa como amplificador; se cumple la relación: le/ In=~.
Pues bien, cuando se efectúa el análisis de un circuito con transistor, es necesario determinar
su punto de fun cionami ento y así, poder definir la zona de operación. Y Ja determinación del
punto de funcionamiento se puede realizar en dos formas : gráficamente y analíticamente;
conociendo el mét odo gráfico, se puede deducir el método analí tico .
Entonces, para ubicar el punto de funcionamiento gráficamente se procede así:
.---.
\ .../
2. TRANSISTOR F.LECTnÓNICi\ ANÁLOGA: TEOTI.L\ \' LAllOlli\TOil.10 236
1. Se plantea la malla de salida del circuito. Ya se había determinado la malla <le salida con la
Ec(B): Vcc = Rclc +Vrn
2. De la malla de salida se determinan dos puntos: el de corte y el de saturación. Para el
punto de corte, en la Ec(B), la corriente le= O, así que se tiene: Vrnc = Vcc. Para el punto ·-.__..·
de saturación, en la Ec(B) se hace V CE = O, así que se obtiene: les= V ce/ Re. Como se
observa, se han aplicado los conceptos de corte y saturación anotados anteriormente (un
método parecido se realizó con el diodo).
3. Se traza la recta de carga uniendo los puntos de corte y saturación, en las características de
salida. En la FIG2.8 se muestra la recta de carga.
o ........
Ics '
. 0.4
.....mcT.'.\DE
CARGA ESTATICA
0.9
=- . . ·- . . . · i.o
----;--------------+--------~-----r-------------;----- - --------r-----------~--------
Vcrc '-.....·
FIG2.8 ..._.
4 . Se considera, ahora, que la recta de carga es un segmento de recta unidad, en donde el
punto cero está en saturación y el punto unidad está en el corte, como se indica en la
FIG2.8 . La selección de estos puntos se hace con el siguiente razonamiento: ... '
En el punto de corte: V rn = V ce, entonces el punto de funcionamiento es:

Qoc = Vcr.NcEc =1 ~
En el punto de saturación: V rn = O, entonces el punto de funcionamiento es: \
Q f)(' = V n: !\' n~c =0 )
Entonces, el punto de operación estático Qnc está comprendido entre Qoc = O hasta
Qnc = 1. Por criterio, para transistores de baja potencia, se asume que el transistor está en
activa si Q~c está comprendido entre: 0.15 $ Onc $ 0.85.
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 23 7
Como se anotó anteriormente, al trazar el punto <le funcionamiento gráficamente, se puede

llegar a una deducción analítica. Pues bien, para determinar analíticamente el punto de
funcionamiento estático, se utiliza la relación:
Qoc = VcE I Vrnc (2.7)
EJE1\1PLO
El circuito de la FIG2.9 presenta los
~lC+
siguientes valores: Vnn = 3V, Vcc = 1SV,
Ic Rn = 300K, Re = 4K, el transistor tiene:
p = 150 y Vm: = 0.75V. Determine punto de
Ven+ + .. trabajo y zona de operación.
VCE -=-vcc
+ 1 Rediseñar para que Qoc = 0.5
VBE
vnn SOLUCIÓN. ~
IE
Resolviendo, de la malla de entrada:
In = ·(Vrm - V1m) I Rn = 7.5~LA
le = P In = 1. 13 mA
FIG2.9 De la malla de salida:
Ve¡.; = \'ce - le He = 10.48\f
La tensión de corte es: Vn~c = Vce = l SV
Luego el punto de funcionamiento es:
Qoc = Yrn / VCEc = 0.7
Qnc En la FIG2. 1O se muestra la ubicación del punto de
fi.mcionamiento para el ejemplo: como se observa, queda
en activa, pero muy cerca al corte.
Ahora, se debe asegurar que el punto de funcionamiento
o~qc-¡~'()'qt";tqO)q
quede en Qoc = 0.5, es decir, se tiene qu e rediseñar el
000000000- circuito. El rediseño implica alterar uno o más
componentes del circuito original.
FIG2. l O Sin incluir el transistor, el circuito tiene cuatro elementos:
dos fuentes y dos resistencia~; . Pero se debe establecer cuáles elementos son los más adecuados
para variar, así : si varía Vcc, lo que se hace es generar otra recta de carga paralela a la
original. Si varía Re, lo que sucede es que se altera la pendiente de la recta de carga. Entonces
con los elementos del circuito de salida, no es posible alterar el punto de funcionamiento;
Necesariamente los elementos que se deben variar son los del circuito de entrada: Rn y/o Vnn.
Esta conclusión se- puede obtener también, con otro razonamiento como se descríbe---a----·
continuación: se debe disminuir VCE, lo que implica que: Si VcE -1-, entonces le i, luego Ini.
Para aumentar la corriente de base, se debe disminuir Rn y/o aumentar Vnn.
2. TRANSISTOR ELECrRÓNICA ANÁLOGA: TEOHÍA Y LADOfu\TORIO 238
2.J. POLJ\RIZACIÓN DEL TRANSISTOR
El razonamiento anterior está basado en las ecuaciones planteadas para el circuito.

Procediendo al rediseño, se tiene: De la Ec (2.7): Qoc = VcE / VcEc = 0.5:
VcE = 7.5V
De la malla de salida se obtiene le:
le = (Vcc- VcE) /Re = 1.88mA
De la Ec(2.5): lu = Ic I í3 = 12.53~tA
De la malla de entrada: Vun = Rn In + Vrm, se tienen dos incógnitas: Vnn y Rn, así que, se
puede asumir una de ellas y deducir la otra. Por ejemplo, se deja Vnu = 3V, luego se calcula:
Rn = l 79.57K
Como se esperaba, 'a resistencia de base Rn debe disminuir, para que aumente lo y ·
consecuentemente, el ¡>unto de funcionamiento se desplace hacia la mitad de la región activa.
Utilizar dos fuentes p< ra polarizar al transistor es impráctico, así que, los circuitos analizados
(por ejemplo el de la FIG2.9) se pueden reducir a una sola fuente, como se indica en la
FIG2. l I. A este tipo d ! polarización se denomina: polarización fija.
0
Vcc
'--
+
+ Re +
RB lr~ RB
~c1:J + l\IIS
+ IB
-=-vcc
+
VBE
11V~E
-
IE
JVIE MS
(A) (B)
FIG2. I 1
Los circuitos de ia FIG2. l 1 son exactamente iguales, solo que en el de la FIG2.11 (B) no se
dibuja la fuente Vcc, sino que se indica con el bubble; esta es la forma más práctica de indicar
los circuitos. Se plantean la! dos mallas, resultando :
tvfE: Vcc = Rn Tu + V1m (C)
MS : Vce = Re le + Vn: (O)
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOHIA Y LABOIV\TOIUO 23 9
Y la relación entre las dos mallas se hace mediante la Ec(2.5): le = p lu

Entonces, la diferencia con los circuitos planteados anteriormente, es que antes se consideraba
una fuente V 1m, mientras que en la polarización fija, una sola fuente (Vcc) alimenta al circuito
de entrada y de salida.
EJEMPLO
El circuito de la FIG2.1 I (B) tiene los siguientes valores: Vcc = 20V, Rn = 200K, Re= 2.SK;
además, el transistor presenta las siguientes características: VnE = O. 72V, P = 180. Determine
el punto de polarización.
Rediseñe el circuito si se requiere que Q1>c = 0.6.
SOLUCIÓN. ,Y
Por comodidad se dibuja el circuito en la FIG2. 12.
·vcc Resolviendo, de la Ec(C) :
lu = (Ycc- Vm~) / Rn 96.4µA
+
+ Re De la Ec(2.5):
RB Ic le = P lu = 17.JSmA
Y de la malla de salida:
lB VcB+ +
VCE VCE = Vcc - Re le = -23.38V
+ El voltaje resultante es mayor que el de la fuente Vcc y,
VBE
además, es negativo. Como se está trabajando con un
lE
transistor NPN, un voltaje negativo en colector-emisor es
absurdo; aunque matemáticamente resulta ese voltaje,
lVIE :rvrs realmente el voltaje Ver, = O (recuerde que para el
-:-
transistor NPN, d colector es m:ls positivo que el emisor).
FIG2. l2 Entonces, el transistor éstá completamente saturado.
Ahora se debe asegurar que el punto de funcionamiento Qoc sea de 0.6. Procediendo con el
- razonamiento que se planteó en un ejemplo anterior, se tiene:
De la Ec(2.7): Qnc = VCE / Vrnc = 0.6, se obtiene:
Yrn = l2Y
De la malla de salida se calcula le:
l e =(Vcc - Vrn)/Rc =3 .2mA
De la Ec(2.5) : le=~ In, se tiene:
In = l 7.78pA
. . . __ Y de la malla de entrada se calcula el valor de Rn que ajusta esa corriente de base:
2. TRANSISTOR ELECI"flÓNlCA ANJ\ LOGA: TEORIA Y LAilORATORIO 240
2.3. POLARlZACIÓN DEL TRANSIST OR
Rn = (Vcc - VuE) /In = 1.084MQ

Este resultado era de esperarse, es decir, una resistencia de base bastante alta, de manera que
reduzca la corriente de base a un valor pequeño y así, se puede llevar el punto de
funcionamiento de la saturación a la zona activa.
r:Jr E.JEl\1PLO
Analizar un amplificador cuyo circuito tiene polarización fija y el transistor es PNP; el circuito
presenta los siguientes valores: V ce = 25V, Re = 3K, Rn = 250K y el transistor tiene J3 = 140
con Vrn = 0.74V. Determine su punto de polarización.
Luego rediseñe el circuito si se requiere Qoc = 0.45
SOLUCIÓN. -'Í
El amplificador con transistor PNP y polarización fija se muestra en la FIG2. 13
-Vcc
lVIE +Vcc ...../
MS
(A)
IB
Vnc
Re
Ic
_J.J~ - VF.C
___
....
+
_ VEC RB
VEB+1+
IE In
l\i.lli
lVIS
(C) (D)
:B)
FIG2.13
Para una rápida explicación del funcionamiento del transistor PNP, se dibuja su representación
en la F1G2. l 3 :A). Al igual que el transistor NPN, el transistor PNP contiene en su estructura
tres cristales ~emiconductores dopados: un cristal tipo P que corresponde la región del emisor,
zona que está altamente dopada. El otro cristal P para la zona colectora, cuya área es mayor
que la del em ,sor: una delgada región de base con semiconductor tipo N . Para operación en ·
zona activa St debe polarizar la juntura base-emisor en directo y la juntura colector-base en
inverso, así qi1e las füentcs son: VEn (el emisor más positivo que la base) que polariza en
directo a la juntura base-emisor. La fuente V ne (la base más positiv a que el colector) que
asegura Ja polarización en inverso de la juntura base-colector.
El funcionamiento es exactamente igual que el del transistor NPN, solo difiere en que ahora
los portadores mayoritarios son huecos, así que el sentido de las corrientes es contrario al que
se cstoblccc para un NPN, como se puede npreciar en el clingrnma de la FIG2. I1(13).
2. TRANSISTOR ELEC.TllÓNICA ANA.LOGA: TEORIA Y LAllORATOlllO 24 J
En la FIG2. 13(C) y (D) se tiene el circuito con polarización fija. El primero cuando se
alimenta con fuente negativa (-Vcc) y el segundo cuando la alimentación es positiva (+Vcc)
(observe como cambia la posición del emisor).
Las mallas de entrada y salida para cada uno de los circuitos son:
Para el circuito de la FIG2.13(A):
ME: o VEn + Rnln- Vcc
MS: O = VEc +Re le - Vcc
.-· Para el circuito de la FIG2.13(D):

ME: Vcc = VEn + Rnln
TVIS: Vcc = VEc + Rclc
Y la relación entre la malla de salida y de entrada se obtiene con la Ec(2.5) : le =Pin.
Volviendo al ejemplo, como la füente es positiva, significa que el circuito que se propone en el
ejercicio es el de la FIG2. l 3(D). Reemplazando numéricamente en las ecuaciones
correspondientes se obtiene:
De la ME: In = (Vcc - VEB) I Rn = 97.04µA
De la Ec(2.5): le = ~Hn
Se tiene: le = 13.59mA
De la MS: V1·:c = Vcc - Rclc = -l 5.77V
El resultado negativo en la tensión VEc indica que el transistor está completamente saturado y
el valor real, medido de esa tensión es: VEc = O (para un transistor PNP, el emisor es más
positivo que el colector).
Hay otra forma de confirmar que el transistor está saturado y es determinando el voltaje en la
juntura base-colector, Para el transistor PNP, para que la juntura base-colector esté polarizada
en inverso, la base debe ser más positiva que el colector, así que del circuito de la
FIG2.13(0) planteando la siguiente malla: Vcc = Vml + V13 c + Rclc
Despejando la Vnc se obtiene: Vnc = -16.51 V
El resultado muestra lo contrario: la base es más negativa que el colector (que es lo mismo
decir que el colector es más positivo que la base); este resultado indica que la unión base-
colector está polarizada en directo, y, además, la unión base-emisor también está polarizada en
directo, por tanto, el transistor está saturado.
La segunda parte del ejemplo, dice que se debe hacer Qoc = 0.45
Como el transistor está saturado, significa que tiene exceso de corriente de colector y de base,
entonces se cumple el siguiente razonamiento: Hay que llevar al transistor de la saturación
hacia activa, luego: rct, VEci, 11l'J, por lo que: Rul Procediendo con el rediseño, se tiene:
De Ec(2.7): Qnc = VEc ! \'¡,:ce= 0.45
se obtiene: V1·:c = 1 l .25V
De la malla de salida: le = (Vcc - Vrn) I Re = 4.583mA
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LJ\llORJ\TORIO 24 2
2.J . POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
De la Ec(2.5): le = ¡3 Tu, se calcula la corriente de base:

In = 32.74µA
Y de la malla de entrada se calcula el nuevo valor de la resistencia de polarización:
Rn = (Vcc-VnE)lln ~741K
Con esta resistencia se asegura que el transistor tenga el punto de funcionamiento requerido.
Para verificar que la juntura base-colector está en inverso, se calcula la Vnc:
Vnc = Vcc - Vml - Rclc = +10.51V
Es un voltaje positivo, lo que implica que, efectivamente, la unión base-colector está en
inverso. En esta forma se completa el rediseño pedido.
r;¡¡:. EJEl\tlPLO
Diseñe un amplificador con transistor bipolar si se requiere que el punto de funcionamiento
Qnc = 0.5 con Vrn 8V, le = SmA. Asumir lo que se requiera. Efectúe simulación del
circuito diseñado.
SOLUCIÓN . .._¡
Del enunciado del problema, se tienen tres condiciones numéricas, las cuales son inalterables.
Como punto de par1ida, se nsumc un circuito con polarización fija y se escoge el transistor
2N2222, para una temperatura de 27ºC.
Se determinan los parámetros del transistor para VCE = 8V e le = 5mA, utilizando un circuito
-
de prueba y ayudado con el paquete de simulación PSPICE. El circuito prueba que se realiza
· para la simulación se muestra en la FIG2. l 5, y se dibuja en el esquemático.
VBE
01 • VCE
02N2222 8V
IDC
10u
IB
FIG2.15
El circuito está conformado por una fuente de corriente (para la librería del PSPICE se llama
IDC) que suministra la corriente de base In; a esta fuente se da un valor cualquiera (es
indiferente el valor). La fuente de voltaje que alimenta al colector-emisor se llama VCE y debe
tener el valor dado en el enunciado, como se observa en la FIG2. l 5.
2. TRANSISTOR EUo:l.rnÓNICA ANÁLOGA: TF:ORIA Y LATIORATOíl.10 243
=1¡ 2.3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
-" ~ Ahora se hace un barrido en DC (Sweep DC) para obtener las gráficas semejantes a las de la
t
-¡ l
FIG2.5. Para ello se procede como se indica a continuación.
.- .__ i DC Swccp V En el esquemático, una vez se dibuja y se da

i nombre al circuito, pica ANALISYS, SETUP
-.._ {
l
O ':blt•!le S1urce
tl•me: lis _J y habilita la ventana DC SWEEP.
O lem11er<1lure La ventana se llena con los datos que se
0 !;;;urrent S •urce
Madel T~e: [ J indican en la FIG2. l 6:
O M•Jel /";ir.;imeter Mari~Name:
1 l Tipo de variable que se barre: Fuente de
O íalel.;il l"oic•meter earam. Name: 1 1 corriente.
~ Swee¡t T}•¡te-----. Nombre de la variable: IB
St.;irtV.;ilue: @=O__ j
0 ~!.~.~:~.~ Valor inicial : O
O !ct•ve EniV,!lue: l10oull. 1
O !ec.;iie lncremerl: [~.~:~...............! Valor final: IOOµA

O Voilue Li~t VallJeA:: 1 1 Incrementos: 1µA.
Se acepta (OK) y se vuelve al esquemático. Se
Nestei S.!:'iee¡t...
corre la simulación (F 11 ) . De allí se pasa a la
pantalla PROBE, en donde se observa que en
FIG2. l 6 el eje horizontal se tiene la escala lineal de la
corriente ln. Para obtener las gráficas de la corriente de colector le y de la tensión base-emisor
V 1m, se procede así: pica en TRACE, ADD. Allí se escoge IC(Ql) y se acepta (OK) .
Aparece Ja recta que indica la variación de la corriente de colector al barrer la corriente de
base. Ahora, para la gráfica ele la tensión base-emisor: pica PLOT, ADD Y AXIS, así que
aparece un eje Y adicional. Luego: TRACE, ADD y se escoge V(VBE) y se acepta (OK).
5l 2 º"'º 0 8 o01.U : - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -:- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - • - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ~
. '
'
L- - ---- - --· · -
rn
1
1
,' ' ~ (27 ;OOu,685 621~)
1smn 600"'U 1f .
m VBE
1 OmA
''ºº"'º ~ 1
'
'
.- /
'/ '
200mU ---- - --------~
. • ( 27 . 200u,4 . 9952m)
. ..'' '
JB IC CARACTERISTICAS
PARA 2N2Ü2 T = 27°C
'
1
>>: 1 :
on 0U --------- - - - - -- -r---- - - - - -- --- ----T--- -- - -- - - -------~ - ---- - ·- -- - - - --- -,-------·-· -- - - - --~
on 2oun 40un 6011n SOuA HIOuA
m o IC(Q1) rn • U(UflE)
J_JO
FIG2. l 7
2. TRANSISTOR ELECrHÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LAílORAT<?IUO 244
Las gráficas resultantes de la simulación se muestran en la FIG2. l 7 . En el eje vertiéal se tienen

dos escalas: la indicada en el recuadro con el 1 es la corriente de colector le, y la indicada en
el recuadro como 2 es la correspondiente a la VnE. Luego con los cursores, que se habilitan
picando el icono, ll}escoge la corriente de SmA que es la condición (en la simulación se
obtiene 4.9952mA. Allí se lee la corriente de base correspondiente: para le = 4.9952rnA,
In = 27.2µA. Para la tensión VnE, con la corriente de base se ubica esta tensión, entonces se
lee: para 13 = 27.2µA, VnE = 685.62mV. Para que esos valores leídos queden anotados en la
gráfica, se habilita el icono ..[ii
Con estos valores se puede iniciar el diseño. El circuito que
Vcc se va a diseñar se presenta en la FIG2. l 8. De la Ec(2.7):
Qoc = VcE / VCEc = 0.5, con VcE = 8V, luego:
+
+ Re VcEc = Vee = l 6V.
Entonces ya se tiene el valor de la fuente de alimentación.
~RB le
Planteando la malla de salida: Vee = Relc +Ve¡;;,
IB VCB
+ +
Se deduce el valor de la resistencia Re:
VCE
+ Re = 1.6K
--~ VBE
De la Ec(2.S) : le =Pin, se obtiene:
IE 13 = 183 .8
:rvrn
Y de la malla de entrada: Vce = Rn In + V1m
Se deduce el valor de Rn :
FIG2.18 Rn = 563K
En esta forma se completa el diseño. ·Claro, es un diseño muy simple pero interesante para
iniciar. A continuación se presenta la simu lación del circuito en PSPICE. Para ello se
reemplazan los valores obtenidos en el circuito, se corre el programa (Fl 1) y se examina salida
(EXAlvlINE OUTPUT). El resultado se muestra en la siguiente tabla. Lo subrayado
corresponde a las condiciones.
OPERATING POINT
INFORMATION
TEMPERATURE = 27 . 000DEGC
BIPOLAR JUNCTI ON
TRANSISTORS
NAME Q_Ql
MODEL Q2N2222
_ I_B_ _ _ _ _ _ 2:::....:_
.7~2~E~-~0:..::.5
r._c'------~s . oOE - o3
VBE·- - --- 6.86E-Ol
- -- .. ----·--
VBC -7 . 32E+O O
VCE 8 . 0lE+OO
----ªETAD__g_ _ __ l__~4 E+ _Q}._
BETAAC 1.96E+ 02
2. TRANSJSTOR ELE(T!lÓNICA ANÁLOGA: TF,OldA Y LABORATOIUO 245
El circuito de polarización fija presenta problemas, específicamente, lo relacionado con la

temperatura del transistor. No olvidar que el transistor es un semiconductor, y como tal, es
sensible a la temperatura. El problema que se presenta con el circuito de polarización fija es el
siguiente: suponga que por alguna razón, se presenta incremento de la temperatura al interior
del transistor; cualquier incremento de la temperatura implica generación de pares electrón-
hueco, es decir, hay más portadores libres, luego hay más corriente; entonces, In t, le t y V cE..J..
el transistor conduce más; hay también aumento de la temperatura y más portadores libres.
Este mayor incremento de la temperatura, necesariamente conlleva a: mayor In, mayor le y
menor V rn. Este proceso continúa, llevando el transistor a la saturación y, si no hay control en
este proceso, el transistor entre en embalamiento térmico y se destruye.
En el siguiente ejemplo se demuestra el efecto nocivo de la temperatura en el amplificador que
tiene polarización fija.
r::it= EJEMPLO
Para el amplificador diseñado en el ejemplo anterior, efectuar su análisis si la temperatura se
eleva a l 50ºC.
SOLUCIÓN. -'-f
La forma más sencilla de analizar el circuito, es mediante la simulación en PSPICE,
cambiando la temperatura de operación. Para este cambio, seguir el siguiente procedimiento:
En esquemático: ANALISYS, SETUP, habilitar el cuadro ind icado como TEM PERATURE
y escribir la temperatura a la que se desea hacer el análisis. Volver al esquemático y efectuar la
simulación. El resultado de la simulación a esta nueva temperatura, arroja los resultados de la
siguiente tabla (para comparación, se anota Ja tabla obtenida para T = 27ºC):
OPERATING POINT INFORMATION OPERATING POINT INFORMATION

TEMPERATURE = 27.000DEG C TEMPERATURE = 150.000 DEG C
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

NAME Q_Ql NAME . Q_Ql
MODEL Q2N2222 MODEL Q2N2222
IB 2.72E-05 IB 2.75E-05
IC 5.00E-03 IC 8.21E-03
VBE 4.95E-Ol
VBE
- - - - - -6 .86E -Ol VBC
-·-- - --2.38E+OO
- ---
VBC -7.32E+OO
VCE 2.87E+OO
----------8- . 0lE+OO
VCE
----- BETADC 2.98E+02
BETADC l.84E+02
-- - - - ---------- GM 2.198-01
GM l.90E-01
RPI l.03E+03 RPI 1 . 43E+03
........... : RX l.OOE+Ol RX l.O OE+O l
RO 9.31E+03
l
1
RO
BETAAC
1 .63E+04
1 96E+02 BETAAC 3.12E+02
1
FT 2.51E+08 FT 2.53E+08
1
,,,......
.......... 1
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANAJ,OGA: TEOH.IA Y LAUORATOlUO 246
2.3. POLARIZACIÓN DEL TRANSlSTOR
Confrontando las dos tablas, se pueden anotar las siguientes conclusiones:

1. Al aumentar la temperatura: 18 t, let, Pt, V BE-!.. y V CE-!... Estos resultados ya se preveían.
2. El incremento de la temperatura hace que cambie el punto de funcionamiento de Qoc = 0.5
a Qoc = 2 .87 / 16 = 0. 18. Entonces el transistor prácticamente se satura.
3. Por consiguiente, el cambio de temperatura hace que el punto de funcionamiento se
desplace cuando el transistor tiene polarización fija.
El ejemplo demuestra que este tipo de polarización no es muy adecuada, si el transistor está
expuesto a cambios apreciables de la temperatura; entonces se deben buscar alternativas
circuitales, para evitar que el punto de funcionamiento se altere al cambiar la temperatura de ·
operación. Una de estas alternativas se presenta en la FIG2. l 9.
+Vcc +Vcc
R2 Vs
IB
R1
1
(A) (B) (C)
FIG2.19
El circuito consiste en un divisor de voltaje formado por las resistencias R 1 y R 2 y la
resistencia RE que se añade al emisor del transistor, como se observa en la rIG2. l 9(A). Este
· tipo de circuito recibe el nombre de polarización por divisor y tiene dos ventajas importantes
respecto al de polarización fija. A continuación se explican esas ventajas.
Primero, la presencia de la resistencia de emisor presenta la siguiente característica en el
funcionamiento del transistor: observe la FIG2. l 9(B) en donde solo se tiene la presencia del.
transistor y de la resistencia RE. A la entrada del circuito se plantea la siguiente malla:
Vn == Vm~ + VE (A)
Suponga que el voltaje en la base Vn es constante; esto significa que si VmJ, entonces VE y t
lo contrario, si V m.J, entonces V ~J.
Considere que inicialmente el transistor está operando en activa, luego la juntura base emisor
está en directo. Por alglin efecto la temperatura del transistor aumenta, esto implica que Int,
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORIA Y LAilOMTORIO 24 7
2.J. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
let e I1J . Pero si la corriente en el emisor aumenta, necesariamente el voltaje sobre R1.:
también aumenta: Vr; t, entonces, de la Ec(A), cualquier aumento en VE hace que la tensión
VnE-l-; en un transistor, al disminuir la tensión en la juntura base-emisor, hace que el transistor
conduzca menos y, esta menor conducción del transistor lleva a que In-l-, Ic-l-, IE-1- por lo que
Vr.-l-. Al disminuir el vo ltaje en el emisor, nuevamente de la Ec(A), se observa que la tensión
VnE t, así que, al aumentar la tensión en la juntura base-emisor, el transistor conduce más; esta
mayor conducción lleva ~l aumento de In t, Ict, Ii.J y, también, V 1 ~t, por lo que ... EI proceso
continúa mientras se mantenga alimentado el circuito y se produzcan cambios de temperatura
en el transistor. A modo de resumen, se muestra el proceso en el siguiente esquema:
Si rt EntL.. le t --+ le t --+ lEt --+ VE t Luogo Vm: J

+
Transistor Transistor
CONDUCE
IVIAS
~ VDE t Luego Vr+ ~ lEt ~ Ict -t- lBt Luego CONDUCE
lVIENOS
Entonces el objetivo de la resistencia de emisor es dar estabilidad al amplificador cuando se

producen cambios de temperatura y, así, mantener el punto de funcionamiento a pesar de esos
cambios. Pero para obtener esa estabilidad se debe asegurar que el voltaje de base V 13 sea
constante (recordar la Ec(A)) y esto se logra con el divisor de voltaje que se tiene en la base
del transi stor. Este divisor es la segunda característica que diferencia este circuito del circuito
con polarización fija.
Para ver el efecto del divisor, primero se debe aplicar el Teorema de Thevenin al circuito de la
base, así que se obtiene una resistencia equivalente Rn que se define como:
- Y el voltaje equivalente Thevenin que se define como:

(2.8)
Vn11 = R1 Vcc I (R1 + R1) (2.9)

Llevando estos elementos teóricos a un circuito equivalente, se tiene el circuito de la
FIG2.19(C), de donde se deducen las mallas de entrada y salida.
ME: Vnn = Rn In+ VnE + Rr·: IE
De la Ec(2. l): IE = le +In, reemplazando se tiene:
Va13 = Rn Is + VsE +(le+ lu) RE
Van = Ru In + Vm: + Rr:: le+ RE la
Yun = 113 (R.13 + RcJ + VnE +RE Ic
De la Ec(2.5): le = p IB,
V013 =le/ B(Rn +RE) + V UE + RE le
Vnn =le [(Rs + RrJ I p ·I· R¡:.) + VoE
V1111 =le [(Rn + R1·: + nRE]/ B + V11E

2. TRANSISTOR ELECrRÓNICAANÁLOGA: TEORÍA Y LAllOilATORIO 248
Finalmente se llega a:
Rn W+l)
Vun =le [ T+ RE p I+ vllE (2.10)
En la Ec(2. 1O) se. puede hacer una primera aproximación: normalmente, para transistores de
baja potencia, j3 es mucho mayor que 1 ( j3 » 1), así que el término: (13 + 1) / j3 ~ 1, y la
Ec(2. 1O) queda reducida a:
V1rn = le r Rn I p + RE 1 + VnE (2.11)
Esta aproximación se puede hacer si P ; : : l 00, puesto que el error que se introduce es cercano
al l % para j3 = 100, y en la medida que aumenta j3, el error va siendo menor al 1%.
Observando la Ec(2. 11 ), el objetivo es tratar de mantener VDB constante y que la red de
entrada quede, en lo posible, independiente del parámetro j3 . Entonces, si : Rn / j3 « RE, el
voltaje Thevenin solo depende de R1·: y del pequeño cambio de la tensión VnE, así que:
Rn « j3 RE
Un criterio q·1e se adopta, en muchos textos es considerar que:
Rn < 0.1 j3 RE (2.12)
Pero no olvic e, esta consideración es arbitraria.
Ya establecí fa la malla de entrada del circuito de la FIG2. l 9(C), utilizando la Ec(2. l O) o
Ec(2. 1 1) y e 1 criterio de la Ec(2. 12), queda por plantear la malla de salida del mismo circuito,
obteniendo: Vce =Re Ic + Vrn + R1~ Ii.o:
Reemplazando: IE =le+ In, se tiene:
Vcc =Re le + VcE +RE (le+ lo)
Introducien< o la Ec(2.5): Te = j3 In:
Vcc =(Re+ RE ( j3+1)1131 le+ Vrn (2. 13)
Nuevamente considerando j3 >> 1, la Ec(2. 13).se reduce a:

Vcc = (Re+ RE) le +Ver:
La suma de las resistencias Re + Rr:, es la resistencia que se 've' en la salida para DC. Así
que se define la resistencia:
Rnc =Re +RE (2.14)
Luego la malla de salida simplificada queda:
Vcc =Roe le + VcE (2.15)
La Ec(2. 14) es únicamente aplicable para O» 1; si no se cumple la desigualdad, la Ec(2 . l 4)

no se aplica y se utiliza la Ec(2.13).
En adelante, y cuando ~ < 100, se utiliza la relación:
K = W+ 1) / 0 (216)
2. TRANSISTOR t•:LEC:TRÓN!Ci\ ANÁLOGA: TEOHIA Y LABOMTORlO 249
En los siguientes ejemplos, se aplican las ecuaciones deducidas para el circuito de la

FIG2. l 9(A).
vr EJEMPLO
Un amplificador con polarización por divisor, sus componentes tienen los siguientes valores:
R 1 = lOK, R2 = 60K, Re= 2.SK, RE= 0.4K, Vcc = 20V; el transistor presenta VnE = 0.68V,
f3 = 160. Determine el punto de funcionamiento. Si está fuera de activa, rediseñar para
asegurar Qoc = 0.5
SOLUCIÓN. --,/
El circuito que se analiza es el de la FIG2.20.
I2nIchc
+Vcc
+Vcc
R1 :$
Ve VB
·vcB+ + IB
VB IB - ./ ·vcE
VBE-
VE
IE
-· VBB
!RE
}B
FIG2.20
Inicialmente se determina el voltaje y resistencia equivalente Thevenin con la Ec (2.8) :
R 11 = Rtll R1, y Ec(2.9): Vnn = R, Vcc / (R1 + Ri). (Los resultados numéricos con dos
decimales.): Rn = 8.57K, Vnn = 2 .86V ·
Como P ~ 100, se puede hacer la aproximación: K = (f3 + l) / f3 ;:::: 1, entonces de la
-- l~ Ec(2. l l) : Vnn = le ( Rn I f3 + Rr. l + V1m
--.. ¡ le= 4.81mA

)
De la Ec(2.14): Rnc =Re+ RE = 2.9K

Y de la Ec(2 .15) : Vcc = Rnc le+ VCI•:, se obtiene:
Ver: = 6.0SV
La tensi ón de corte VCEc: = Vcc = 20V, luego de la Ec(2.7):
Qnc = Vrn I VcEc = 0.3
Luego el transistor op era en activa.
2. TRANSISTOR ELECrRÓNICA ANÁLOGA: TEORi1\ Y LABOIV\TOIUO 250
2.J. POLARIZACIÓN DEL TRANSíSTOR
Se efectúan algunos cálculos adicionales, basados en los circuitos de la FIG2. l O
VE = IE RE == 1.92V ( Cuando P» 1, se cumple que h::::::: le)

Este es el voltaje desde el emisor a tierra, que es el mismo voltaje sobre la resistencia RE.
Vn = V1m +VE = 2.60V
El voltaje Vn es el voltaje 'medido' entre la base y tierra. No olvide que cuando el voltaje
tiene un solo subíndice (V F.., V 11 , Ve), indica que se toma el voltaje desde ese punto a tierra. ·
El cálculo del voltaje V n es diferente del voltaje Thevenin V un . La diferencia radica en la
caída que se produce en la resistencia Thevenin Rn; observe el circuito equivalente de la
FlG2.20. De allí se deduce que:
Vn = Vnn - lu Rn = Vnn - (le I P) Ru
El resultado indica, que el voltaje Thevenin es un valor teórico, no es el voltaje real. ,_
Otros cálculos: Ve = VcE + VE = Vcc- Re le = 7.97V

Yen = Ve- Vu = +5.37V
Es un voltaje positivo, que significa que la juntura base-colector está polarizada en inverso.
11 = Vol R1 = 260~lA
Ii = (Vcc - Vn) / Rz = 290~lA '---
Por lo que: lu = lz - 11 = 30~LA

De la Ec(2.5): le = P In = 4.80mA
Que verifica la corriente obtenida en el colector anteriormente. Observe las corrientes que
circulan a través de las resistencias de polarización y compárelas con la corriente de base; se
aprecia que: 11, Ii >> lu. Esto confirma lo propuesto en la Ec(2.12): Rn < 0.1 ~ Re.. Entonces,
para efectos de diseño, se recomienda que: 11 2: 1O In. Este criterio siempre da buenos
resultados. No olvide que l 1 es la corriente que circula a través de la resistencia que va entre la
base del transistor y tierra.
En esta forma se culmina el análisis propuesto en el ejemplo.
~ EJEl\tlPLO
Diseiiar un amplificador como el de la FIG2.21 si: le= 8mA, VcE = 12\f y Qnc = 0.5 para la
temperatura T 1 = 27ºC. Asumir lo que se requiera. Efectuar simulaciones en PSPICE.
SOLUCIÓN. -..f
El transistor que se utiliza es NPN, así que se escoge el 2N2222. Del circuito prueba, para
Yc1~ = 12V e le = 8mA, se deduce: In= 40.4 57pA, VnE = 0.697V
De los resultados se tiene: B= 197.74
,_
2. TRANSISTOR l~LH.1"1lÓNtCA ANÁLOGA: TEORIA Y LAnORATORIO 25 J
.,
~ +Vcc De la condición: Qnc = 0 .5, de la Ec(2.7)se deduce Vcc:
1
~ i Vcc = Vrn I Que = 24V
~i 12
Como~ >> 1, entonces: K = 03 + 1) / í3 ~ 1
" !1 R2
l
De la Ec(2. 15): Vcc = .R nc le+ VCE se calcula Rnc:
Rnc = l.SK
........._ .
~ Ven+
IB
~I
De la Ec(2. 14): Roe =Re+ RE, se asume una de las resistencias,
VB
1
por ejemplo : RE = 0.2K (normalmente, RE< lK)
¡' VBE-
i h
"' ¡ VE Así que: Re = l.3K
!
Con lo obtenido hasta ahora se puede calcular:
,-._ ~
Rlí ~RE
VE = h: RE = l .6V (h: ~le)
~ lrE
-:- Vn = VnE + Vr. = 2.297V
.
FIG2.2l Se nsume: 11 ~ 10 In= 404 .75µA. Se escoge: 11 = 410~tA, Juego:
....... [z = 11 +In = 450.45htA
Con estas corrientes y los voltajes, se calculan las resistencias de polarización:

R1 = Vn I 11 = 5.6K
R2 = (Vcc - Vu) I 12 = 48.18K
El circuito final con los valores de los componentes y el resultado ele la simulación se
muestran en la FIG2.22
NODE VOLT.AGE NODE VOLT.AGE NODE VOLT.AGE
1.3K 1
vccl24V _
(VB} 2.2969 (VC} 13.6520 (VE} 1.6001
4a 18K 1 ~
R2
Q2N2222
RC
ve
I NAME
V VCC
CURRENT
-8.411E - 03
TOTAL POWER DISSIPATION 2.02E-01 WATTS

Q1
OPERATING POINT INFORMATION
VB TEMPERATURE = 27.000 DEG C
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q_Ql
VE MODEL Q2N2222
5 .6K
IB 4.03E-OS
f 1
R1 O 2K
IC 7.96E -03
RE
VBE 6.97E-01
VBC -l.14E+Ol
l
...-, l' VCE 1.21E+Ol
' BETADC l.98E+02
1
~ ¡ FIG2.22 Dentro de los resultados de la simulación del PSPICE
se entrega la corriente que suministra la fuente de poder y la potencia total disipada por el
,___ ¡
l
,. . . . ._ 1
......... 1
1
--
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA 1\NÁLOGA: TEORÍA Y LAUOllATORIO 252
circuito. Estos dos valores adquieren importancia al dimensionar la fuente de alimentación. Se

calculan en la siguiente forma:
La corriente que suministra la füente es: lvce = h + le = 8.41 mA.
La potencia que disipa el circuito es: PT = P1u +PR1 + Pnc + PnE + Po
2 2
P,- = Ii2R2 + 11 R1 + lc (Rc + R1·:) +le VeE = 202.06 mW
Y que es igual a: PT = lvcc Vcc = 202 mW
r;¡r EJEMPLO
Simule el circuito anterior, si la temperatura de operación cambia a + l 50ºC. Comparar
resultados.
SOLllCIÓN. --.j
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION
TEMPERATURE = 150.000 DEG C TEMPERATURE ~ 27.000 DEG C
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
(VB) 2.3566 (VC) 11.9430 (VE) 1.8605 (VB) 2.2969 (VC) 13.6520 (VE) 1.6001
VOLTAGE SOURC E CURRENTS VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME CURRENT Nl\ME CURRENT
V VCC -9 .7 23E - 03 V VCC -8.411E-03
TOTi\L POWER OISSIPATION 2.33E-01WATTS TOTAL POWER DISSIPATION 2.02E-Ol WATTS

TEMPERATU~E = 150 . 000 DEG C TEMPERATURE = 27.000 DEG C
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS BIPOLAR JUNCTION TRANS ISTORS
NAM E Q_Ql NAME Q_Ql
MODEL Q2N2222 MODEL Q2N2222
IB 2.84E-05 IB 4.03E-05
IC 9.27E-03 IC 7 . 96E-03
VBE 4.96E-Ol VBE 6.97E-01
VBC - 9.59E+OO VBC -l.14E+Ol
VCE l.OlE+Ol VCE l.21E+Ol
BETADC 3.27E+02 BETADC l.98E+02
Observe los cambios en los parámetros del transistor y los voltajes en los nodos al cambiar la
temperatura. El punto de funcionamiento para la temperatura de 150ºC es: Qoc = 0.42.
Entonces, al aumentar la temperatura, cambia el punto de füncionamiento de Qnc = 0.5 para
T = 27ºC a Qnc = 0.42 para T = 150ºC. Hay cambio del punto de funcionamiento, pero el
cambio es menor del que se opera cuando se tiene polarización fija.
Queda corno ejercicio, para el circuito analizado, aumentar el valor de H. 1.: , reducir Rn y
analizar para asegurar que el cambio de QDc sea menor al cambiar la temperatura. Por
ejemplo. reemplace RE = O.SK, I, = 500pA y analice con estos valores.
2. TRANSISTOR F.l.F.CTRÓNICA ANÁLOGA: TF.OilÍA Y LAUORATORIO 253
El circuito de polarización por divisor utilizando transistor PNP puede presentar dos
posibilidades: alimentando con fuente negativa (-Vcc) o alimentando con fuente positiva
(+V ce). Para el primer caso, el circuito se presenta en la FIG2.23(A) y en las FIGs((B) y (C)
se tienen los circuitos equivalentes (también dos posibilidades).
Para el transistor PNP, el emisor es más positivo que el colector y que la base, así que se
tienen las tensiones VEc y V En, mientras que la base es más positiva que el colector Vnc. Con
estas tensiones, se asegura que la juntura base-emisor quede polarizada en directo, mientras
que la juntura base-colector se polariza en inverso y la operación en activa.
- Vcc -Vcc
- Vcc
Re Re
Re Ic
re;
Ic VB - Ve Ve
Ve VBC -
Vsc- - VEC
VB 0.--.4=B"--'+'----l +
RB3 + VE
IE
-VBB
lIrB l RE IE
+VBB T
_!.IB
--=-- -=-
(A) (B) (C)
FIG2.23
Como se observa en la FIG2.23(A), el punto de referencia (tierra) es más positivo que el
voltaje -Y ce, entonces las corrientes apuntan hacia arriba. Aplicando el Teorema de Thevenin
a la base, se obtiene la resistencia y voltaje equivalentes:
Vnn = R1 (-Vcc) I (R1 + Ri)

El voltaje Thevenin es negativo porque el divisor se toma de una fuente negativa, entonces en
el circuito equivalente se tienen dos posibilidades de colocar Ja fuente Vnn: el negativo de Ja
fuente cerca al nivel de referencia, pero el voltaje debe ser negativo (-V nn); la otra alternativa
es colocar el positivo de la fuente cerca al nivel de referencia y el voltaje debe ser positivo
(+Vnn). Las dos alternativas se muestran en las F1Gs2.23(A) y (B) respectivamente.
Planteando las mallas para el circuito (B). se obtiene:
ME: O= -Ynn -Rnln-V1m -RETE
Por lo que: -Vnn = Rn 111 + V1-:n + R1.: IE
Al reemplazar el valor numérico ele V1111, este debe ser negativo.
La malla de entrada para el circuito (C) es:
ME:
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORlA Y LAIJORATOltlO 254
De donde:
Y al reemplazar el voltaje Vnu, este debe ser positivo.
La malla de salida para ambos circuitos equivalentes es igual y se define como :
MS : O = RE h + V Ec + Re le - V ce
Que se puede expresar como:
Vcc =RE IE + VEc +Re le
Igual que para el transistor NPN, para el transistor PNP se cumple que P » 1, así que se
puede hacer la aproximación: K = (p + 1) / P ~ 1, entonces las mallas de entrada y salida
quedan: Vnn = le (Rn I P +RE)+ VEn
Vcc = VE.e+ Roe le
Con: Roe= Re+ RE
Para cuando el transistor PNP se alimenta con fuente positiva, el circuito de polarización por
divisor queda como se muestra en la FIG2.24(A) y en la FIG(B) se tiene el circuito
equivalente.
+Vcc +Vcc
12 RE
RE
R2 IE
Ic
VEB
+
+
VE Vs vnt +VE
Va IB - IB - VEC
VEc +
VBc- - VBC - -
11
Ve RB
Rlr Re
VBB
-:- lrs
(A) (B)
FIG2.24
La resistencia y voltaje equivalente Thevenin se definen como:
Rn = R1 11 Ri y Vun = R1 Vcc I (R1 + Ri)

'---·
Entonces, las mallas de entrada y salida quedan:
ME: Vcc = RE IE + VEn + Rn In+ Vnn
MS: Vce = Rr, IE + VEc + Re le
1. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORiA Y LABORATORIO 255
Y para la situación particular: K = (P + 1) / í3::::: 1, las ecuaciones se reducen:

Roe= Re+ RE
Vcc =le (Rn I f3 +RE)+ V En+ Vnn
Vcc =Roe le+ VEc
Con las ecuaciones planteadas y los circuitos correspondientes, se pueden hacer los análisis o
diseños para circuito con polarización por divisor con transistor PNP.
EJEMPLO
Un amplificador polarizado por divisor utiliza un transistor PNP. Diseñe el circuito de manera
que el punto de funcionamiento se ubique en la mitad de la recta de carga OC. Efectúe el
diseño para temperatura de 27ºC. Determine el punto de funcionamiento para el circuito
diseñado si la temperatura aumenta a l 50°C. Comparar el comportamiento del amplificador
para ambas temperaturas. Asumir lo que se requiera. Simule el circuito.
SOLUCIÓN. ~
Para el diseño propuesto, la única condición es el
punto de funcionamiento, lo que permite asumir
lvcc 1>
varias cosas; por ejemplo, se escoge el transistor
1 2N3906 que está en la librería del paquete
I R2 Re PSPTCE. También se asume la le y V1.:c de trabajo,

por ejemplo: le= 5mA, Vi:c = 5V
Q2f\13906
Del circuito prueba, se obtiene: para: VEe = 5V,
01
le= 5mA: In= 23.72~LA, VEll = 0.744V, @ 27°C.
El circuito que se va a diseñar es el de la FIG2.25,
así que se alimenta con fuente negativa (-Vcc).
Como VEc = SV y de la condición Qnc = 0.5.
R1
entonces se deduce V ce puesto que:
VEcc = Vcc = lOV
De los datos obtenidos en el circuito prueba se
calcula: ~ = 210.8. Así que: K = W + 1) / í3 : : : l.
FIG2.25 De la malla de salida: Vcc = Roe le + VEc. se
deduce: Roe= JK
De la resistencia equivalente OC se tienen dos incógnitas, luego se deduce una de elias,
teniendo en cuenta dos aspectos: normalmente, Re> RE y, entre mayor sea RE, mejor será Ja
estabilidad térmica, se asume: RE= 0.4, así que Re= 0.6K.
La caída del emisor a tierra V 1~ es:
VR =RE le= -2V
La caída de base a tierra es:
2. TRANSISTOR ~:LECTRÓNICA ANÁLOGA: rnonfA y LAilORATonro 256
Vn = V11 + V11n = -2.744V

Se nsume la corriente que circula a través de R1 como In.1 ¿ 10 In, se :tsume: hu = 300µA.
Entonces se deduce:
R 1 = 9.147K, IRl = In+ IRl = 323.72µA, Rz = (Vcc- Vn) /IR2 = 22.414K
En esta forma se completa el diseño. El circuito con los valores calculados y el resultado·de la
simulación se muestra en la FIG2.26. ·
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION
l-1 o.oov) TEMPERATURE = 27.000 DEG C
Ycc
10V
1~ NODE VOLTAOE
(VB) -2.7450
NODE VOLTAOE
(VC) -7.0120
NODE VOLTAOE
(VE) - 2 . 0015
1 NAME CURRENT
~ R2 ~
Re
0 .6K
f- 7.O12V) V Vcc -5.304E-03
TOTAL POWER DISSIPATION S . 30E-02 WATTS
_@9)22.414K
01
ve
OPERATING POINT INFORMATION
02N3906 TEMPERATURE = 27 . 000 DEG C
YB o l-2 .002v)
(-2 .745V} BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
VE NAME Q_Ql
MODEL Q 2N3906
IB -2.368-05
IC -4.98E-03
VBE -7.44E-01
VBC
VCE
4.27E+OO
-5.0lE+OO
....... -
88TADC 2 .11E+02
FIG2.26 Los resultados de la simulación difieren en
menos del 1% respecto al diseño.
La segunda parte, es efectuar la simulación cuando la temperatura aumenta a l 50ºC. El
resultado de la simulación, se muestra en la siguiente tabla.
T =27ºC T = lSOºC
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION
TEMPERATURE = 27 . 000 DEG C TEMPERATURE = 150.000 DEG C
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAOE
(VB) -2.7450 (VC) -7 . 0120 (VE) -2.0015 (VB) -2. 7934 (VC) -6. 6604 (VE) -2. 2329
VOLTAGE SOURCE CURRENTS VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT NAME CURRENT
v Vcc -5.3048-03 v Vcc - 5.8888-03
TOTAL POWER DISSIPAT!ON S.30E-02 WATTS TOTAL POWER DISSIPATION S.89E-02 WATTS

TEMPERATURE = 27 . 000 DEG C TEMPERATURE = 150.000 DEG C
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

NAME Q_ Ql NAME Q_Ql
MODEL Q 2N3906 MODEL Q 2N3906
2. TRANSISTOR ELECrilÓNICA ANÁLOGA: n:onlA y LADORATOHIO 257
IB -2.36E-05 IB -l.61E-05
IC -4.98E-03 IC -5 . 57E-03
VBE -7.44E-Ol VBE -5 .61E -01
VBC 4.27E+OO VBC 3.87E+OO
VCE -5.0lE+OO VCE -4.43E+OO
BETADC 2.11E+02 BETADC 3.45E+02
Al aumentar la temperatura, el punto ele funcionamiento se corre desde Qnc = 0.5 para
T = 27ºC hasta Qoc = 0.44 para T = 1SOºC. Se insiste, el corrimiento en el punto de
funcionamiento se reduce si RE aumenta y/o R 13 disminuye (que es lo mismo que aumentar
las corrientes a través de R 1-R2) .
Otra forma de polarizar un transistor se muestra en Ja FIG2.27 y se

suele denominar polarización por retroalimentación (Algunos
la denominan polarización Miller). Observe que la corriente de
base no se toma directamente de la fuente de alimentación, sino
que se toma del nodo Ve, y la corriente que circula a través de Re
es igual a Ja corriente de emisor. Planteando mallas se obtiene:
ME: Vcc = Re IE + Rn In+ VnE +RE Ir,
Vcc = IE (Re+ Ri::) + Rn lu + VnE
MS: Vcc =Re le+ Ve¡;_+ R1~ 11!.
Con: IE = le + In
Como caso particular, K = (~ + 1) I ~ ::::: 1, las ecuaciones se
reducen a:
Vcc =le (Re+ RE+ Rn I p) + Y1m
Y: Vcc =Je (Re+ RE)+ VcE
FIG2.27 Ó: Vcc ·= Rnc le+ VcE
Posteriormente se plantean ejemplos que utilizan este tipo de polarización.
,
CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TIPICOS
Ya que el transistor dispone de tres terminales, permite que se pueda configurar
con uno de los terminales comunes para el circuito de entrada y de salida. Así que se tiene :
Configuración emisor común, Configurnción base común y Configurnción colector
común.
En la FlG 2.28 se muestra la disposición típica de las tres configuraciones, así se tiene: en la
FIG2.28(A) el amplificador tiene configuración emisor común porque, como se puede
obse1var, el emisor es el terminal común para el circuito de entrada (por la base) y el circuito
de salida (por el colector); el circuito ele la FIG2.28(B) está configurado como base com(in, ya
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LADORATOnIO 258
2A. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS Til>ICOS
que la base es común para el circuito de entrada (por el emisor) y para el circuito de salida (por
el colector); la FIG2.28(C) tiene configuración colector común, porque el colector es común
para el circuito de entrada (por la base) y el circuito de salida (por el emisor). En cada circuito
aparece: el condensador C 1 que es un acople, es decir, acopla al generador con el circuito de
entrada; el condensador C 2 , que acopla a la salida del amplificador con la carga Ri,. El
condensador C 3 , que es un condensador de desacople o conocido como bypass, normalmente
se coloca en el terminal común.
Vcc Vcc
Vcc
vi o--1
R2
Cl
C2
~F . R1
1
Re
C2
1"
. Rn
CI
vi o--1
-
'-'
t:'" 1,.
L
C1 .......
~. .,.
RI
c:iI R1
V1
I
C3
.·"' 1
(A) (B) (C)
FIG2.28
Antes de continuar con la descripción de los componentes en los circuitos, es importante
aclarar tres aspectos:
1. Es diferente polarización y configuración. Polarizar es suministrar las tensiones OC al
circuito para que funcione adecuadamente, mientras que configuración es la
disposición de los terminales del transistor en el circuito.
2. Así que polarizar sólo se refiere a . DC, es decir, estáticamente, mientras que
configuración tiene sentido únicamente cuando ·se aplica señal, es decir,
dinámicamente.
3. De acuerdo a lo anterior, los condensadores de acople y desacople son circuito abierto
cuando se refiere al manejo en OC, mientras que se consideran como corto circuito,
cuando se ti ene señal (claro está que para un determinado rango de frecuencias).
Un condensador de acople es aquel que permite tener voltajes
diferentes entre dos puntos de un circuito, separados por el
>
CI condensador. Por ejemplo, en la FIG2.29, el condensador C 1 acopla
vi~ - la señal vi de un generador con la entrada de un amplificador; gracias
al condensador, es· posible tener OV en el generador y SV en la
ov 5V
entrada del amplificador. Entonces, el condensador se comporta
como un circuito abierto para las tensiones continuas (¿ ?).
FIG2.29 Sin el condensador, el nivel continuo en el generador y la entrada del
amplificador son iguales. Lo referente a la seiial, el condensador de acople se ajusta su valor
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA AN,Í,.LOGA: TEORIA Y LABORATORIO 259
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TÍPICOS
de manera que para ciertas frecuencias su reactancia sea muy pequeña, tan pequeña que se
considere como un corto circuito.
Para el condensador de desacople o de bypass, su objetivo es llevar a tierra cualquier señal que
llegue al terminal común y, evitar que la señal se devuelva a la entrada. Recuerde que el
desacople siempre va conectado al terminal común del amplificador.
Por último, la carga del amplificador se representa corno Rr,: Esta carga puede ser la carga
final como por ejemplo una antena o un parlante, o también puede ser la impedancia de
entrada de otro amplificador.
Entonces, para el análisis estático de los amplificadores, todos los condensadores se
reemplazan por circuitos abiertos por lo que R1, y vi no intervienen en el análisis para DC.
Volviendo a los circuitos de la FIG2.28, el circuito (A), suprimiendo los condensadores, se
reduce a los circuitos que se habían analizado anteriormente (en la sección anterior) .
. Para el circuito de la FIG2.28(B), que corresponde a la configuración base común, en la
FIG2.30 se muestran dos disposiciones diferentes y su circuito equivalente una vez se aplica el
teorema de Thevenin.
/",
Vcc Vcc
,.--,, Vcc
llRc +l:>Re
,....._
...--.,, R1- RriRC

'>1
<'
RE
R1
RE
1 R1
(A) (B) (C)
FIG2.30
En las FIGs2.30(A) y (B) se dispone el circuito en dos formas diferentes pero equivalentes. De
ellas se deduce :
Rn=R1l1R2 y Vnn = R1Vcc/(R1+R2)

En la FIG2.30 (C) se muestra el circuito equivalente DC (allí se indican las polaridades sobre
cada resistencia de acuerdo al sentido de las corrientes del transistor); del circuito se obtiene:
ME:
Considerando como situación particular: K = W + l) I P ~ l, la maila de entrada queda:
2. TRANSISTOR ELECmóNieA ANÁLOGA: TEOJllA Y LABOilATOIUO 260
Vnn =le (Ru I f3 + RE)+ V1m

MS: Vce =Re le+ Ven - Rn In+ Vnn
Vee =le (Re- Rn / f3) +Vea+ Vnn
De la última ecuación, la resistencia equivalente en OC que se 've' en la salida Roe es:
Rue = Re - Rn I f3
Luego: Vee =Roe Je+ Ven+ Vnn
EJEMPLO
Para el circuito de la FIG2.20(B), se tiene que:
R, = 15K, R1 = 50K, Re= l.5K, RE= 0.5K, Vec = 15V, VnE = 0 .7V, hFE = 150.
Analice el circuito en OC.
SOLUCIÓN. -..J
Aplicando el teorema de Thevenin: V no = RR,Vcc

+R y Rnn = R1 // Ri se obtiene:
1 2
Vnn = 3.46V Rn = l 1.538K.

Ya que hFr·: » 1 entonces se aproxima: K = W + 1) / J3 ~t. de la malla de entrada:
V nu = 1(Rn / hFE~ + RE! le + V nE, se deduce lc:Q (Otra forma de indicar los voltajes y
corrientes del punto de funcionamiento es añadir una letra Q como subíndice, así se tiene: InQ,
leo. VnEQ, VcnQ, Vrno) :
leo= 4.784 mA.
La resistencia equivalente en la malla de salida es:
Vcc Roe =Re - Rn I f3 = l.42K
De la malla de salida: V ce = Roe le + Ven + Vnn
Re se obtiene Veno:
R2
VenQ = 4.747V
VE Para el punto de funcionamiento Qoe, de la malla
de salida: V ce = Rne le + V en + Vnn
ve
Se determina el punto en que el transistor está e11
corte; este punto se obtiene cuando le = O.
VB
RI Reemplazando en la malla de salida se llega a:
1 Luego:
Vcnc =
Qoc
V~c - Vnn =
= VenQ IV ene = 0.41

1 l.54V
FíG2.3 l Esto quiere decir que el transistor está operando en

activa. Algunos cálculos adicionales:
_,....,__ ..
""
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALoc;A: TEORÍA Y LAUORATORIO 261
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TWICOS
VE = IE RE = 2.392V
Vn = VnEQ +VE = 3.092V
Ve = Vcno + Vu = 7.839V
IR1 =Vn/R1 =206.IJpA
IR2 =(Vcc-Vn)/R2 =238.16µA
Luego: Ino = lru - IRI = 32.03~LA
Verificando : Ino = lcQ I P = 3 l.89~LA.

La diferencia en los cálculos de la corriente de base, obviamente se debe a las sucesivas
aproximaciones numéricas.
Observe nuevamente la diferen<?ia entre el voltaje teórico Thevenin y el voltaje real Vu; esto es
cierto ya que existe una caída en Rn. Otra forma de obtener este voltaje es con la siguiente
ecuación: Vu = Vnn - Rn fe/ P = 3.092V
La última configuración es la del colector común, en el que la señal de entrada se ap li ca por la

base y la salida se toma por el emisor, así que el terminal común es el colector. La FIG2.32
muestra el circuito típico de esta configuración.
Vcc Vcc
R2 RB
ve
VB VE
RI
RE
(A) (E)
FIG2.32
El circuito se puede polarizar con divisor o polarización fija; cuando se utiliza polarización fija
(que es la fo rma más usual) no hay problema con los cambios de temperatura, ya que el
circuito tiene compensación térmica con la resistencia de emisor RE. Como se observa, la
entrada es por la base y la salida se toma por el emisor y, normalmente, no tiene resistencia en
el colector (Re)." Las ecuaciones son semejantes a las del emisor común, a saber:
Vnn= R1 Vcc/(R1 + Ri)

La malla de entrada se puede expresar corno: Vnn = [Rn + (hrn + 1) R1d In+ Vnr.
2. TRANSISTOR ELECTRÓN!CAANALOGA: TEORIA y LAllORJ\TO!UO 262
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TtPICOS
Las ecuaciones anotadas son válidas cuando se utiliza polarización por divisor como en la
FIG2.32(A). Cuando la polarización es fija, como en el circuito de la FIG2.32(B), la malla de
entrada se expresa como:
Vcc = Rn lu + VnE +RE h
La malla de salida se define :
V ce = V CE + RE 1E
A la configuración colector común también se le suele denominar seguidor de emisor.
r:Ir EJEMPLO
Un amplificador colector común tiene polarización fija y sus componentes presentan los
siguientes valores: Vcc = 25V, Rn = 1OOK, Re. = 0.1 K; el transistor tiene: VnE = 0.74V,
hFE = 80. Determine el punto de funcionamiento . Si está fuera de activa, rediseñar para
asegurar Qoc = 0.5.
SOLUCIÓN. -.f
Como p < 100, se considera que IE ':/:Je y K = (P + 1) / p = 1.013
De la malla de entrada: Vcc = Rn In + V1m +Re. h
Vcc = Rn lu + VBE + RE (le+ Iu)
Vcc = (Ru +RE) Iu + RE le+ YnE
Vcc = (RB + RE) le I p + RE le + V BE
Vcc =le [(Rs +RE) I f3 +RE]+ VsE
Vcc =le [(Rs +RE+ BRE) I P] + VsE --
Vcc =le [Rn I P + RE(P + 1) I BJ + VsE '---
Vcc =le [Rn I p+ K RE]+ V1m

El desarrollo anotado, ya se había planteado en la sección anterior
_ Vcc-V0 r.
De donde: 1CQ - = 17.97mA
. R 0 /f)+KR~:
Ino = le / P = 224.63µ
IEQ =leo + Ino = l 8. l 94mA
Y de la malla de salida: V ce = V ce.+ RE l¡;:
VrnQ = 23 .18V
La tensión de corte del transistor se obtiene de la malla de salida cuando le = O, es decir:
VCEc = Vcc = 25\!
Luego: Qnc = Yrno/VCEc =0.93
__J
_j 2. TRANSISTOR
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TlPICOS
~:LECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LAilORATORIO 263
t
-._ 1
. El transistor está completamente en corte.
,....-... ,
De acuerdo con el enunciado del ejemplo, se debe llevar el transistor a la zona activa,
específicamente a la mitad de la recta de carga estática. El procedimiento que se sigue lleva la
siguiente lógica: VcE-1-, Ict, Int, _Rn-1-.
Para Qoc = 0.5, se tiene: Vcc = 2VcE.Q, así que:
VrnQ = 12.5V
De la malla de salida: V ce = VCE+ RE IE
IE = 125mA
,-
La corriente que maneja la salida del transistor es alta (comparada con las corrientes obtenidas
para las otras configuraciones).
IE = le + IR = le + In / !)
IE =le (P + 1) I p
1E =Klc
Luego: le = 123.46mA
In = l .543mA
Entonces, de la malla de entrada: Vcc = Rn In + V1m +RE l¡;:, se calcula Rn:
--.. Rn = 7.62K
j
El resultado se esperaba: una corriente grande, requiere de una resistencia baja. Entonces, se
puede llegar a dos conclusiones interesantes de la configuración colector común:
La configuración colector común maneja corrientes grandes
La resistencia de salida <le\ colector común es baja
Por las razones anteriores, el parámetro ~ es normalmente bajo.
EJERCICIO l2J
-
,,...,
Conteste las siguientes preguntas.
• Desde el punto <le vista de semiconductor, ¿cómo se conforma un transistor?
• ¿Cómo se denominan los terminales de un transistor?
~-
• ¿Porqué al transistor se denomina bijuntura? ¿Y bipolar?
~ • ¿Cuántas corrientes tiene un transistor y cuáles son? De las corrientes ¿cuál es la mayor y
cuál la menor?
---- • ¿Cuáles son las zonas de operación del transistor? ¿Qué características presenta cada zona?
Y ¿Cómo se polarizan las junturas en cada zona?
• Si se requiere operar al transistor como un interruptor, ¿en qué zonas debe trabajar? Y si se
desea que trabaje como amplificador, ¿en qué zona debe operar?
2. TRANSISTOR ELECrRÓNICA ANÁLOGA: TEOHIA Y LABORATOIHO 264
2.4. CONFIGlffiACIONES Y ARREGLOS TlJ>ICOS
• ¿Cómo es la corriente de base In con respecto a la corriente de colector, cuando el

transistor opera en activa, y cuando está saturado?
• Anote tres diferencias entre el transistor NPN y PNP .
• ¿Qué significa polarizar?
• Dibuje las tres polarizaciones comunes del transistor.
• ¿Qué significa el parámetro P? ¿Con qué otra sigla se identifica este parámetro?
• ¿Qué relaciona el parámetro u? -

• ¿Qué problema tiene la polarización fija? ¿Qué soluciones se proponen para evitar el
problema anotado?
• El efecto de la temperatura, ¿A qué parámetros del transistor afecta?
• ¿Cómo varía el parámetro P y la tensión VnE al aumentar la temperatura?
• ¿Cómo cree que se controla la temperatura en un transistor de potencia?
• ¿Qué significa Qnc? ¿Entre qué valores de Qoc se puede limitar para operación en zona
activa?
• La Ec: V nn = le [Rn /p+ KRE] + V nE, a qué polarización corresponde?

• ¿Para qué wrnsistores, se puede considerar que 1 1~ ~ le?
• Los componentes de un circuito presentan los siguientes valores: Vnn = 5V, Re = 3K,
Rn = 200K, hFE = I 00, V ce = I OV. Dibuje el circuito y determinar punto de trabajo y
zona de operación.
• El circuito anterior, se debe llevar el punto de funcionamiento a Qoc = 0.5. Rediseñe.
• Si un transistor presenta una recta de carga ya determinada, ¿qué se debe hacer al circuito
para obtener una recta de carga paralela a la anterior?
• Si un transistor tiene una recta de carga ya definida, ¿qué se debe hacer al circuito para
que, manteniendo la tensión de corte, se aumente la corriente de saturación?
• Se requiere que un transistor presente un punto de funcionamiento que varíe entre:
0.4 ~ Qnc ~ 0.6, manteniendo la misma tensión de corte. ·Diseñe.
• Diseñar un circuito si se desea que opere entre corte y saturación.
• Dibuje el circuito que represente a la siguiente ecuación; Vce= le (R11/P +K RF.) + Vrm
• ¿Para qué circuito y cuál malla pertenece la siguiente ecuación:
Vc:c =(Re+ K RE) le + Vc1~
• Un amplificador con bipolar tiene polarización fija en donde: Rn = 80 K, Re = 1.5 K,
R1·: = 0.5 K, Vcc = 20 V ., además: Vu 1~ = 0.7 V y 13 = 150. Determine el punto de
funcionamiento del circuito.
• Para el ejercicio anterior, si Rg = 1 K, ¿cuál es el nuevo punto de funcionamiento?

2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA \' LAUOHATORIO 265
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TÍPICOS .
• En los dos ejercicios anteriores, si Qnc ;t. 0.5, entonces asegure que Qoc = 0.5.
• Repita el ejercicio l. Pero VEn = 0.7 Y. ¿Cuál bipolar tiene el circuito?
• En un transistor: VCE = 10 V, le= 4 mA, In = 20µA , VnE = 0.65 V. Se requiere que
Qoc = 0.5. Diseñe.
• Un amplificador tiene los siguientes componentes: R 1 = 5K, R 2 = SOK, Re = 2K,
RE = 0.2K, Vce = 20V y el transistor presenta: VnE = 0.65V y hFE = 150. Determine el
punto de funcionamiento .
• Si para el ejercicio anterior, Qoc * 0.5, variando el mínimo número de componentes,

asegurar Qnc = O. 5.
• ¿En qué configuraciones se puede disponer un transistor?
• Anote: terminal de entrada, terminal de salida para cada configuración.
,___ _ _,____. +VCC Para el circuito EJERCICIO 1 conteste:
• ¿Qué configuración debe tener el circuito?
+ • Si R1 es un corto circuito, ¿en qué zona opera el bipolar?
VCE
• Si Rz es un corto ¿en qué zona opera el transistor?
• Si se desea que la polarización sea fija, ¿qué elemento hay
- i
¡
!
J
RE
que suprimir? y ¿cómo es la estabilidad del circuito?
• Si la polarización es fija, plantear Ja malla de entrada.
l¡ • Si se desea una configuración diferente, ¿qué se debe añadir

¡ EJERCICIO 1 al circuito?
l'
¡
i • Dibujar el circuito y plantear las ecuaciones OC si se trabaja
l con un transistor PNP
~ 1¡
!( • En el circuito EJERCICIO 1, ¿qué voltaje cae sobre R 1 y
........ !
¡ RJ sobre Rz?
i • Escriba las ecuaciones del voltaje contra tierra en el emisor y
- ¡
. l
t la base del transistor .
-- 1 1
• Plantee las mallas de entrada y salida si al extremo inferior de
RE se conecta una fuente de voltaje -Vce.
\
! Ve
• ¿Qué otro nombre recibe el amplificador del circuito
- EJERCICIO 1?
~ Para el circuito E.JERClCIO 2:
,..._,_ EJERCICIO 2 • ¿Qué polarización tiene el circuito?
......._ • Escriba las ecuaciones del voltaje y resistencia equivalente Thevcnin .
- • Escriba las ecuaciones de la -malla de entrada y salida.
.........
2. TRA NS ISTO R ELECrnÓNICA ANÁLOGA: TF.OHIA Y LABORATORIO 266
• Si R 1 = 8K, R 2 = 60K, R3 = 0.2K, ~ = 2.SK, +Vcc = lSV y el transisto~ presenta las

siguientes características: J3 = 200, Vrrn = 0.72V, determine el punto de funcionamiento
Qnc.
• Si en el cálculo anterior, el punto de funcionamiento está fuera de la zona activa, rediseñar
el circuito si se requiere que Qoc = 0.6. Alterar el mínimo número de componentes y no
alterar las características del transistor.
• Con los cálculos anteriores, determine los voltajes en los puntos indicados: VE, V e y Vn.
• Diseñe el circuito si se requiere que: VEc = 6V, le = 4mA y Qnc = 0.55. Mantener el
mismo transistor, es decir: VEn = 0.72V y hFE = 200. Calcule los voltajes en los puntos
indicados. Asumir lo que se requiera.
• Para el circuito original, suponga que se conecta en los extremos inferiores de R 2 y ~ una
fuente -Vce. Plantee las ecuaciones de:. voltaje y resistencia equivalente Thevenin, malla
de entrada, malla de salida y voltajes VE, Ve y Vn.
• ¿Qué configuración tiene el circuito original? Explique.
• Si se coloca un condensador desde el punto VE hasta tierra, ¿qué configuración se tiene?
• ¿Para qué configuración es absurda la polarización fija?
• Dibuje un amplificador colector común con polarización Miller.
• Explicar cómo se logra la estabilidad de un amplificador al colocar la resistencia RE en el
emisor del transistor.
• ¿Porqué razón un amplificador que utiliza autopolarización es más estable? Explicar.
• De las configuraciones ¿cuál maneja más corriente?
• Determine una relación de comparación (> o <) para las resistencias de polarización R 2 (la
que se conecta entre base y Vcc) y R 1 (la que va entre base y tierra) para cada
configuración.
• ¿Qué hace un condensador de acople? ¿Y un condensador de desacople?
• ¿Qué otro nombre recibe el condensador de desacople?
• ¿En qué terminal se coloca el condensador de desacople?
• ¿Porqué razón un condensador se considera como circuito abierto para DC?
• ¿En cuál configuración, no se requiere la resistencia Re?
• ¿En donde va el desacople para el colector común?
• Si un transistor está füera de activa, ¿qué componentes del circuito se deben variar para
llevarlo a la zona activa?
• ¿Cómo se puede demostrar matemáticamente que un transistor está saturado?
• Al hacer cálculos ele un circuito, se obtiene que VCE = - 8V para un transistor NPN. ¿En
qué zona trab<1ja ese transi stor y qué voltaje se mide realmente entre esos terminales?
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORIA Y LAnORATORIO 267
2..t. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TÍPICOS
• ¿Cuál de los transistores se utiliza más? El de silicio o el de germanio? Explique su

respuesta.
• ¿Qué significa el parámetro leo, y en cual transistor es apreciable?
• ¿Cuándo se da la tensión colector emisor de saturación (VCEs) y de qué valor es
aproximadamente?
Los siguientes ejemplos presentan diversos circuitos con más de un transistor, es decir,
amplificadores multietapa. El objetivo de proponer esos circuitos, es familiarizar al estudiante
con circuitos relativamente grandes y el desarrollo de los análisis y diseños son netamente
estáticos, sin considerar aspectos dinámicos. Las herramientas matemáticas utilizadas son:
Leyes de Kirchoff y ley de Ohm
EJEl\1PLO
Para el circuito áe la FIG2.33, determine los puntos de funcionamiento de cada transi stor. Si
alguno· está fuera de activa, rediseñar para asegurar operación en activa .
. - - - - - - + - - - - - - + - - -- -t - - - - - - - - - - - - - - 0 +Vcc
15V
R.3 Rs
2K SOK RIO
60K lOK
Rl C1
Velo--•-........... ,___.. . . ,
VI
~C1--1 -------1
Vn1
Ql
VB2 ,_.-+-- -- -•
VE21 ve
O.lK~ ~---t
R2 <; 1 VEI
l SK
R6<--
Rs~
VF::J C
~
---
_12Kl R4f
0.2K t' 1 vu:0Ic5 R12-?
0.2Kl
-
0.6K 1
FIG2.33
Características de los transistores:
Q¡ Q2 Q3
VnE 0.7\V 0.68V 0.75V
p 160 180 90
2. TRANSISTOR ELECTHÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LABORATORIO 268
SOLUCIÓN. ~
Como el análisis es en DC, todos los condensadores se reemplazan por circuito abierto, así que
cada etapa queda aislada y se puede analizar independientemente.
Se considera que para Q1 y Qi: IE ::::: le, puesto que !3 » l

Para Q1, considerando IE:::: Je:
Rni = R1 11 Ri = IOK Vn01 = Ri Vcc I (R1 + Ri) = 2.5V

--
De la malla de entrada: Vnni = Ic1 ( Rn1 / f31 + Ri) + Vrm1, se obtiene:
Ic1 = 6 .82rnA
Roc1 = R3 + Ri = 2.2K
De la malla de salida: Vcc =Ron Ic 1 + VCE 1, se deduce:
Vrn1 :::: OV
El resultado indica que el transistor está saturado por lo que no es adecuado para· amplificar;
Entonces se lleva a la zona activa, así que se asume: Q 0 c 1 = 0.5, luego:
Vrn1 = Vcc Qoc1 = 7 .5V
De la malla de salida: Vcc = Roc 1 Ic 1 + Vrn1
lc1 = 3.4 lmA
Ini = lc1 I f31 = 21.3 lµA
VE1 = Vn4 = Ic1 R. = 0.682V
V111 = VR2 = VnE.1 + VE1 = 1.392V
Por criterio: l1u 2 10 In1, se asume:
= 220pA
I1u
Así que: Ri = Vn1 I l1u = 6.33K
Im = In1 + Iiu = 241 .3 l~tA
R1 =. (Vcc - Vn1) I In1 = 56.39K
Así se rediseña la primera etapa, asegurando operación en activa.
Parn la segunda etapa, se procede al análisis:
Rm = Rs 11 R6 = 6.9K Vnni = Rr. Vcc I (Rs + R 6 ) = 2.07V

De la malla de entrada : V11112 = Ici ( Rm / P2 + Rs + R·>) + VnEi, se deduce:
lcz = l .883mA
~a resistcnci~ que se 've' en el emisor en OC es la serie de Rs y R 9 . La resistencia OC que se
ti ene en la salida es:
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA 1\N,\Lor:A : TEOltÍ1\ v LAnOJU\TOJUO 269
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TI PICOS
De la malla de salida de la etapa: Vce = Rnc2 Ici + Vrn2, se obtiene:

Vrn2 = 9.92V
VcEc2 = Vcc = lSV
Y: Qnc2 = VcE2 I Vrnn = 0.66
Entonces el transistor Q2 opera en activa, y no hay necesidad de rediseñar.
Y la última etapa, que se trata de una configuración colector común, tiene polarización fija con
estabilidad en emisor~ recuerde que este tipo de polarización es adecuado siempre que se tenga
estabilidad en el emisor y cuando se maneja corriente grande en la salida. Como f3 < 100,
entonces: le :;é le, por lo que Ja constante K = (f33 + 1) / f3 3 = 1.011.
La malla de entrada se define:
Vcc = Rio ln3 + Vnr-• + R11 hJ
Ó: Vcc = lc3 (Rio I f33 + K R11) + VnEJ
De donde: lc3 =61.JlmA
RocJ = R11 =O. l2K
De la malla de salida: Vce= RncJ lo + VcEJ, se halla:
Vcr'..3 = 7.64V
Vn~r = Vcc = l SV
QncJ = VcF..J / VcECJ = 0.51
El punto de funcionamiento indica que el transistor Q 3 está en activa.
Así se completa el análisis del circuito propuesto.
~ EJEMPLO
Para el circuito de la FIG2.34, asegure los voltajes y corrientes indicados para cada transistor.
Asuma lo que requiera.
SOLUCIÓN. -'1
El circuito es un amplificador multietapa, con la primera etapa emisor común sin desacople, la
segunda etapa una base común con desacople y la tercera etapa configuración colector común.
El acople entre las etapas es capacitivo, así que para el diseño en DC, las etapas están aisladas
entre sí. En la nomenclatura de los componentes se utilizan dos subíndices, el primero indica
la posición de los componentes en el circuito y el segundo subíndice ind ica el número de la
etapa, por ejemplo: Rc2 , indica la resistencia del colector de la segunda etapa.
Iniciando con la primera etapa, como f3 >> 1, se considera: le~ Jr. (K ~ 1).
Se asume: Vcc = 20V, para que la primera etapa queda en zona activa (Qnc1 = Vrn1 / Vcc =
0.4). Entonces, de la malla de saiida: Vcc = Hnn Ic1 + Vcr,1, se deduce:
2. TRANSISTOR ELECfRÓNICA ANÁLOGA : TEOIÜA Y LAilORATOIUO 270
-
2.4. CONFIGÜRAÓONES Y ARREGLOS TÍPICOS
+Vcc
R12 R23
Rc1 BOlllA
Yo Ql V 2 VB3 Q3
Vc1~-----; f--+---~
R11 5ntA
0.65V BV
+ BntA
+ -
VEJ
RE2 Rl3
R12
Q
r Ql: hFE=200
Q2: hFE=2ZO
Q3: hFE=70
FIG2.34
Rnct = 2.4K
Como: Rnct = Rc1 + REt
Se asume: Rc1 2K, luego: RE1 = 0.4K
VE1 = RE1 lc1 = 2V
Vn1 = VnEt + VE1 = 2.68V
In1 = lc1I131 = 25µA
Se asume: IR11 = 300µA
Luego: R11 = Vn1 I l1rn = 8.93K
liut = ln1 + lrt11 = 325~tA
Así que: R11 = (Vcc -- Vn1) I Irt21 = 53.29K

Y queda diseñada la primera etapa.
Para la segunda etapa, se considera: K = (f32 + 1) 1132 ~ l
Como se realizó para la primera etapa, se puede asumir la corriente a través de R 12, sm
embargo, para este diseño se cambia el método; ahora se utiliza el equivalente Thevenin.
De la malla de salida: Vcc = Rnc2Ic2 + VcB2 + V11n2, se asume Vnnz = 2V y se obtiene:
Rnc2 = 1.25K
Pero: Rnc2 = Re -- Ru2 I 13
Se asume: R112 = 4K
Por lo que: Rn = l.27K
11
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TIWHÍA Y LAUORATOIUO 27 J

Del teorema de Thevenin: R02 = R12 11 R21 y V nnz = R12 V ce I (R 12 + Rn); combinando
estas dos ecuaciones se deduce cada componente del divisor así:
Rn = Rm Vcc I Vnm = 40K y R12 = Rm Vcc / (Vcc- Vnm) = 4.44K
La caída en Rci: Ync2 = Ic2 Ro = 10.16V
Yrn2 = Vcn2 + VnF.2 = 8.65V
VE = Vcc- VEc2 - Vc:E2 = l. l 9V
Entonces: RE2 = VE2 / Ici = 148.75D
Se completa el diseño de la segunda etapa.
Para la tercera etapa, como 13 < 100, entonces JE~ le, por lo que:
KJ = {P 3 + 1) I 13 J = l. O14
IE.3 = KJ fc3 = 81.12mA
De la malla de salida: V ce = V CEJ + R1~ h·J, se obtiene:
RF.3 = 123 .27D
VF.3 = R1!'...1 lr-.3 = IOV
Vm = VnEJ + V1'.3 = 10.75V
lnJ =l c3/~3= 1.143mA
Se asume : I1uJ = 1SmA
Luego: R1J = V 113 I Irm = 716.7D
IRn = I1n + Inu = l 6. 143mA
Rn = (Vcc - V11J) / l1m = 573.0.
- Las últimas dos resistencias calculadas, indican que la corriente que maneja el divisor es muy
alta, considerando que es una corriente que no la aprovecha la carga, y que debe suministrar la
fuente. En este ejemplo, se demuestra lo impdctico que resulta utilizar un divisor de
voltaje cuando la corriente que requiere la base es grande; entonces, para la configuración
colector común y, en general para cualquier etapa que opere con corrientes grandes, lo más
recomendable es utilizar polarización fija. lógicamente que con estabi lidad en el emisor.
Así se completa el diseño pedido. El circuito final con los valores de los componentes se
muestra en la FIG2.35.
Algunos cálculos adicionales son: la corriente que suministra la fuente de poder al circuito y la
potencia que disipa todo el circuito.
Para el primer cálculo:
lvcc = I1m + In + l1m + In+ I1m + lu = 109.92 mA
Y la potencia: PT = Vcc lvcc = 2.2 W
- Es una potencia muy alta, y que muestra la ineficiencia de estos amplificadores.
2. TRANSISTOR ELF.CI'llÓNICA ANÁLOGA: TEORL\ Y LABOI~TORIO 272
2A. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TÍPICOS
+Vcc
40K l .27K 573..fL 20V
R12 Rc2 R23
80mA
Vo q 2 Vc2 Vn3 Q3 +
8mA
O.li!'V 8V+
+ -
o---+---QVn2
MS.75_()_
~RE2 Ru
716 .7_()_
R12
l
~ 4.4-tK
I
Q Qt:hn:=200
Q2: hFE=220
Q3 : hIT=70
FIG2.35
r::tr EJE l\'lPLO

Determine punto de funcionamiento del circuito de la FIG2.36 si el transistor tiene:
V r.n = O. 65V, P = 200. Si el transistor está fuera de activa, asegurar operación en activa.
+ Vcc
+ lOV
SOLUCIÓN. ~
El circuito tiene fuente dual (+Vcc y -V 1.:1.:) . Normalmente el
voltaje de ambas fuentes es igual. Cuando se utilice fuente doble, .........
R3
0.6K tener en cuenta la siguiente: .
RI
lOK +V ce = + lOV es lo mismo que: -Vcc = -lOV
-Vcc = -1-lOV es lo mismo que: +V ce = + IOV ·--
Apl icando teorema de Thevenin a la base se obtiene:
R1
Vnu = Ri Vcc I (R 1 + Ri) = 8.33V
SOK R4
3K Rn = Ri 11 R1 = 8.33K
Observe que el voltaje Yun se deduce de la fücnte Vcc, así que la
- VEE tensión V nn es positiva.
+ lOV
La malla de entrada queda:
FIG2.36 Vcc = R.Jlc + VEn + Rn In+ Vnn (se considera: le~ JE, y K ~ 1) ·
De esa ecuación se deduce: le= 1.59mA
De la malla de salida: Vcc = (R3 +R.~) le+ \' 1.:c - Vrn, de donde:
Vro:c = 14.28\!
La tensión de corte: Y1~cc = 2Vcc = 20V
Luego: Qnc = VEc.: I V1•:cc = O.71 -
'-
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LATIORATORIO 2í3
Y el transistor está en activa.
EJEJVIPLO
Para el circuito de la FlG2.37(A), determine punto de funcionamiento. El transistor presenta
las siguientes características: VEn = 0.63V, f3 = 220. Si no está en activa asegurar operación
en esta zona. Asuma lo que requiera.
SOLUCIÓN. -.f
En este circuito la red de polarización R 1 y R 2 está conectada a las dos fuentes, así que para
aplicar el teorema de Thevenin, se refiere una de las resistencias a tierra. Por facilid~d se
puede dar vuelta al circuito y dibujarlo co mo indica la FIG2.3 7(B)
-VEE +Vcc
.-
~----<>----< l
+12V +12V
R2 R2 -=-vcc
R3
4K lOK
RI
15K
lR4 Rl <. Rt +
~ lK ISK <
R3
4K
-=-yEE
+Vc c ~---<1.---< J
-VEE
+12V +11V
(A) (U) (C)
FIG2.37
Para cerrar la malla de entrada se toma a R 1 co rno resistencia para referenciarla a tierra, así
que se tiene de acuerdo a la FIG2.37(C):
Vun = R1 (2Vcc) / (R1 + Ri) - VEE = +2.4V
Y:
Como: p» t, se aproxima: h: ~ le, de la malla de entrada:

Vcc = R-1 Je+ V1m +Rn In+ Vnn
Se deduce: l e = 8.732 rnA
...-..
-
2. TRANSISTOR ELECl'HÓNICA ANÁLOGA: 'fEORlA Y LABORATORIO 274
Y de la i:nalla de salida: Vcc = (Ri + RJ) le+ VEc - VEE, se obtiene:

VEc = -19.66V
El resultado indica que el emisor es más negativo que el colector lo que implica que el
transistor está completamente saturado, entonces, se debe llevar a la zona activa. Se asume:
Qnc = 0 .5, así que la tensión:
VEc = (2Vcc) Q1K· = 12V
De la malla de salida: Vcc = (R.+ RJ) le+ VEc - VEE se deduce:
le = 2.4mA
In = le I p = 10.91µA
Se asume: Iru = l lOµA
+Vcc Luego: In1 = I1u +In = 120 .91 µA

~-----()
+12V Ve =le RJ - Vrn = -2.4V

R4 V E = V e + V EC = 9 .6 V
J
R2 lK
27.SSK Ven = VEc - VEn = 1 l.37V
Vn = Vrn +Ve = 8.97V
R1 = Vu/Im = 74.1 3K
Rl
74.13K l R~
4K
R2 = (Vcc - Vn) / 1R2 = 27.SSK
El circuito con los nuevos valores, que aseguran
operación en la mitad de la recta de carga OC se
muestra en la FIG2.38.
Observe que el cambio en la posición del punto de
.___ _ _ _ _-u - VEE
operación (Qoc) se hace únicamente con las
+12V
resistencias que controlan la corriente de base.
FIG2.38 Los. demás componentes, incluyendo las fuentes de
alimentación, permanecen inalterables.
EJEMPLO
Determine puntos de func io nam iento y voltajes para el circu ito de · [a FIG2.39. Si algún
transistor está fuera de activa, rediseñar para asegurar operación en esta zona. Para tal
situación asuma lo que requiera.
SOLUCIÓN. 'Í
El circuito es un amplificador multietapa con acople directo; significa que para OC una etapa
incide en la otra. El primer transistor (Q 1) está configurado en emi sor común, considerando
que la señal de entrada se aplique por el nodo V 1; el otro transi stor (Q2) no se puede definir su
configuración puesto que no se establece el terminal de salida.
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOIÜA Y LABORA'\'ORIO 275
2.4. CONFIGURAClONES Y ARREGLOS TI-PICOS
~I
¡
1
RI
R3
O.SK
l+Vcc +15V
1 5K
R5
.--, lSK
V2
VI Ql V4 IVBEI hFE
"' V3 Ql 0.63V 180
,.-.,.
R2 Q2 0.65V 200
......... 20K
V5
R4
,-... lK
-VEE
+15V
FIG2.39
Como ~ » 1 para los dos transistores, se asume que: Ir: ~ le. Para el análisis del circuito, se
procede en la siguiente forma:
1. Se reducen los divisores de voltaje que se encuentren en el circuito mediante el 'teorema de
Thevenin
2. Luego se plantean las mallas teniendo en cuenta el sentido de las corrientes que fija cada
transistor; además, la malla debe involucrar una sola incógnita. Se puede establecer como
guía que por cada transistor se tiene una malla.
3. Se resuelven las ma11as, determinando las incógnitas que, normalmente, son corrientes.
4. Finalmente se calculan los voltajes y puntos de funcionamiento.
En la FIG2.40 se muestra el circuito reducido, ya que se aplica el equivalente Thevenin al
divisor de la base de Q 1, se incluyen las corrientes de base y colector de los transistores y las
dos ma11as posibles.
Siguiendo el procedimiento anotado, se aplica el Thevenin a las resistencias R1 y R1 de la
FIG2.39, y·se obtiene:
Vnn = (2Vcc) R1 / (R1 + R1) - VEI.'- = 9V
Y: Rn = R1 11 R1 = 4K
Ahora se plantean las mallas posibles en el circuito : como se tienen dos transistores, se
plantean dos posibles mallas.
La malla de entrada para Q 1, que se indica en la FIG2.40 como M1 queda:
Vcc = RJ Ic1 + Rn (In I '31) + VEnt + Vno
De allí se calcula: Ic1 = 6.53mA
2. TRANSISTOR ELECrRÓNICAANÁLOGA: TEORIA \'LABORATORIO 276
2.4. CONFJGURACIONES Y ARREGLOS TiPICOS - -~
- - - - - - - - < - i +Vce
+15V
R3
0.SK
V2
VI
lBl
Ic1 V3
IB2
R40
RB
Vs
+
IK
VBB.I 14
:rvr2 -VEE
'--------+--o+ISV
Ml
FIG2.40
La malla M2 se puede plantear en dos formas:
VR.t - Vr,¡.: = Vnr-:2 + lc2 Rr. - Vim
Ó:
Pero: VR4 = IR4 ~ = (Ic1- lcz / P2) Ri
Luego: (Ic1 - lcz / P2) R. = VnE2 +la °R6
Resolviendo para la única incógnita lo, se obtiene:
lcz = 5.851 mA
Con las corrientes conocidas, se calculan los voltajes y puntos de funcionamiento.
De la malla de salida de la primera etapa:
Vcc = l'3 Ic1 + VEc:t + ~ (Tc1 - Ic:2 / P2) - Vm~
De donde: VECI = 18 .275V
Para el punto de füncionamiento de esta etapa Qnc1, se determina la tensión de corte a partir
de la malla de salida haciendo In = O se obtiene:
VF.cc1 = 2 Vcc + Ri (Ic2 / Pz) = 30.03V
Así que: Qnc1 = VEc1 I VF.cc1 = 0.61
Por lo que Q1 está en activa.
De la malla de salida de b segunda etapa:
Vcc = (R5 + Rr.) In+ Vc¡.:2 - Vrm
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 277
2.4. CONFIGuRACIONES Y ARREGLOS TÍPICOS
Se tiene: VcE2 = 15 .37V

VcEc2 = 2Vcc = 30V
Así que: Qoci = VcE2 I Vrna = 0.51
Entonces el transistor Q 2 está en aétiva.
Se continúa con el análisis calculando los voltajes en los puntos indicados.
V1 = Rn1 (lc1 I f31) + Vnni = 9.145V
V2 = Vcc- RJ Ic1 = 9.776V
V3 = Rt (Ici - lc2 I ~1) = - 8.5V
Verificació n: VEc t = V2- VJ = 18.276V ./
Vs = V3 - VnE2= R6 In- VEE = -9. 15V
V.t = Vcc- Rs IC2 = 6.22V
Verificación: VcE2 = V4 - Vs = 15.37V ./
Así se completa el análisis del circuito de la FIG2.39.
E.JEl\tlPLO
Para el circuito de Ja FIG2.4 I , asegurar los voltajes y corrientes indicados, determinando todos
los componentes. Asuma lo que requiera .
.........
VBE hFE
Ql 0.63V 200
Q2 0.65V 200
Q3 0.74V 80
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA A!'lÁLOG1\: TP.ORÍA y LAIJOHATORIO 278
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TiPICOS
SOLUCIÓN. -'Í
El circuito propuesto es un amplificador multietapa, con tres etapas acopladas directamente;
las dos primeras son emisor común y la última es un colector común (¿porqué no puede ser
emisor común?).
De acuerdo con los datos de la tabla, los transistores Q 1 y Q 2 tienen f3 >> 1, así que para estos
transistores se puede considerar que: le~ IE.
Iniciando el diseño con la etapa tres:
Se asume: Vcc = 1V1 m1= 8V
Luego : VR8 = 2Vcc - Vu3 = 8V
Como f33 < 100, entonces: K = (f.h + 1) / J3 3 = 1.013, así que:
11".3 = K la~ 81mA
Luego: Im = IEJ - lcJ = lmA
R¡¡ = Vng I I1~J = 98.770..
Vcm = VcF.J - Vnr!.J = 7.26V
Y: VcnJ = Vns + VEc2
De donde: VRs = 1.26V
Rs = Vns / lc2 = 157.50..
VRG = VnF.J +Vmi = 8.74V
IG = Ic2 - I1n = 7mA
RG = VR6/16 = l.25K
V IU = VRS + V EB2 = 1. 91 V
lnz = lc2 I B2 = 40~tA
J3 = Ic1 - In2 = 4.96mA · -
Luego: RJ = Vru I }3 = 385 .10..
Vnc2 = VEc2 - VEB2 = 5.35V
VcEt + Vn.i = Vuc2 + V~6
De donde: VR4= 4.09V
R.= Vn-t I Ic1 = 8180.
In1 = Ic1 I B1 = 2SµA
Se asume : 12 = 250~LA
Así que: 11=12+1111 = 275pA
V1n = V1m1 + Y1t4 = 4.72V

2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: Tl'.ORI.-\ y LAilORATORIO
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TI PICOS
Ri = V1t2 / li = 18.88K
V1 = VR2 - VEE = -3.28V
Vn1 = Vcc - V 1 = l l.28V
Ri = Vn1I11=41K
En esta forma se determinan todas las componentes que aseguran los voltajes y corrientes
requeridos. Otros cálculos:
V 3 = V R4 - V EE = -3. 9 l V
V2 = Vcc - V1n = 6.09V
Verificación: VcE1 = V2 - V3 = lOV /
V.i = Vn6- VEE = 0.74V
Vs = Vcc- VRs = 6.74V
Verificación: VECl = Vs - V-1 = 6V /
V6 = Vmi - Y1m = OV
V1= 8V
Verificación: VcE.J = V1- VG = 8V /
r:n~ E.JEl\tlPLO
Diseñe el circuito de la FIG2.42 para que los transistores tengan los voltajes y corrientes
anotadas. Asumir lo que se requiera.
~~~---~~~~~---~~~~~~~~..--Q+Vcc
ll I5
<;:
~'>R3
Rl
~Rs
V1
Ql tV2
/¿- V.t
Iíl3
Ic4
2A
Ql
IVBEI
0.65V
hFE
200
lBl
('>-O _ __ .
BV Ic2 Q2 0.62V 200
lOmA
Ic1 Q2 + Q3 0.68V llO
-lmA
rv,
V3 lOV
lB2 Q4 0.75V 50
Vó
R1 lE4
R.t
lt ~R6
..-
FIG2.42
\
2. TRANSISTOR ELF.CTnÓNICA ANÁLOGA : TEORÍA Y LABORATORIO 280
2.4. CONFIGURACJáNES Y ARREGLOS TIPICOS
SOLUCIÓN. 'Í
El circuito es un ampl ificador multietapa acoplado directamente. Los transistores Q3 -Q 4
forman un arreglo denominado AMPLIFICADOR DARLINTON y que presenta
características muy interesantes, entre ellas la de poder manejar corrientes muy altas;
posteriormente, cuando se analice el amplificador con señal, se estudiará este circuito.
El proceso del diseño es muy parecido al que se realizó en los ejemplos anteriores:
Se asume: Vcc = 1VEE1 = 12Y
Al escoger este valor, se asegura que la etapa de la salida (Q 4 ) quede en la mitad de la recta de
carga DC). Luego:
V1n = 12V
Ki = w. + 1) / f34 = 1.02
IE4 = Ki le.a= 2.04A
ln4 = I c.i / ~ .. = 40mA
Con f33 >> l , entonces: 11!:3 ~ = I 1H = 40mA

10
VcEJ = Vcn4 = VcE.a - VnE.a = l l.25V
IJJJ = lo/ f33 = 363 .64µA
Vns = Vcm = Vc1·:.J - V1mJ = 10.57V
Vrn2 + VR6 = VnEJ + VnE-1 + VR1
Vn6 = 3.43V
Ici ~ hi = IOmA
R6 = VR6/ lo = 343.0
Is = Tc:2 + lnJ = 10.364mA
Así que: Rs = VRs I ls = 1.02K
In2 = In I Pi= 50pA

Vcm = VcE2 - VnE2 = 9.83V
Vru + VEct = Vns + Vcn2
De donde: VnJ = l l.95V
Ict ~ IE1 = 4mA
Luego: RJ = VRJ / lc1 = 3K
V1l4 = VnE2 + vllG = 4 .05V
I-t = lc1 - Im = 3.95mA
Entonces: R.¡=Vn4/l4 = 1.0JK
- 2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANAL0GA: TEORL\ y LABORATOIHO 281
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TIPICOS
Im = Ic1 I B1 = 20µA
~1 Se asume: 11 = 200~tA
~ 1.
;
Luego: 12 = 11 + In1 = 220µA
1
VR1 = VR3 + VF.111 = l2.6V
R1 = Ynt I 11 = 63K
Vru = 2Vcc - V1l1 = 1 l .4V
Ri = Vn2 I h = 51.82K
Así se termina el diseño del circuito.
Se propone como ejercicio, determinar los voltajes en los puntos indicados del circuito.
Y como verificación final, desarrolle numéricamente la siguiente malla:
2Vcc = V1u - Vni::t + VEct + Vnrn - VEc2 +VnF...J + V1m.i +Yin
Calcule la corriente que requiere el circuito y la potencia total que disipa.
EJElVIPLO
~ Diseñar el circuito que se muestra en la F1G2.43, para que cumpla con los voltajes y corrientes
anotados. Efectúe simulación en PSPICE.
+Vcc
Rs R1
R3 lOOmA
VCl Vc2
- lOV + Q3 +
lOV
R1 SmA
lOmA
Q2
Ql + VE3
J\1B2
Vm --- -- ----<
0 lOV
R4T
VEl
..L
ró I
sRs
l
-=-
l ~·
-- l'IG2.43
2. TRANSISTOH ELEcrnóNICA ANÁLOGA: TEOHIA y LAllORATORIO 282
SOLUCIÓN. -'-Í
El circuito es un amplificador multietapa, con tres etapas acopladas directamente. Los
transistores son bipolares NPN, y tíenen las siguientes configuraciones:
,..;¡=:
, _,,¡ ··
: -
Qi: Emisor común; Q3: Colector común ..
Las dos primeras etapas formadas por Qi - Qi, reciben el nombre de AMPLIFICADOR
CASCODE y, como se observa, es un arreglo entre emisor común y base común. En
capítulos posteriores se hace un análisis de este arreglo y se determinan sus características.
En el circuito planteado, las dos primeras etapas tienen desacople.
La tercera etapa es un colector común, el cual se identifica porque la única posibilidad de
salida es por el emisor, además, el manejo de corriente de esta etapa es relativamente alto,
característica de esta configuración.
Como el circuito se tiene que simular, entonces se determinan sus parámetros para los puntos
de funcionamiento anotados. Escogiendo el 2N2222 para Jos tres transistores, las
características In-le e In-VnE obtenidas del PSPICE se muestran en la FIG2.44.
1 40mA 2 1.0U~ -- ------- - ------- ----------- - - - -- - -------- --- ---------- --¡

1 1
1 1 . '-'
:1 (26.712u,685.098rn) :1
,1 ----·······-·J __,...........-- T ······················ 1,
:(,.--··- (51 . 233u, 703. 567m) 1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1 1
»: :
OA ou -- - ----- - --------.- --- ------------ ---T---- - --------- - ---~
OA 40uA SOuA 1ZOuA
[j] o IC(Q1) [2J • UB(Q1)
1 18
(A)
1 200111fl
2
1.ouT------
:
----------------------------------------------------------------1
(565.600u,774 .591m)
''
¡,,,...--..--····
. .
OA
~;~,- ~~".: sry·º-~~~~ 99~n'.l
on o.2111n
_____
o.4rran
_
o.ór.in
_ __ , -___ ____ ____
o.erran 1.0111n
-~
0J o IC(Q1) (2) • U(Ube)
I_ID
FIG2.44(13)
2. TRANSISTOR ELECTHÓNICA ANÁLOGA: TEOHIA Y LAílOTv\TOIHO 283
2.4. CONFfGURACIONES Y ARREGLOS TÍPICOS
En la FIG2.44(A) se indica: Para le= 5 mA, se lee: In= 26.712µA y Vm~ = 0.685V
Para le= 1O mA, se lee: In= 51.233 ~tA y V DE= O.704V
En la FIG2.44(B) se indica: Para le= 100 mA, se lee: In= 565.5µA y VnE = 0.775V
En resumen : Transistores 2N2222
~---
Qi: Vrn1 = IOV, Ic1 = 10 mA, ln1 = 51.233 µA, VnEt = 0.704V, Bi = 195.19.
.-.
" Qi: Vrn2 = IOV, Ici = 5 mA, 1112 = 26.712~LA, V1m2 = 0.685V, P2=187.I8
Q3: Ycr-.J = IOV, lo= 100 mA, lu3 = 565 . S~tA, YnE.J = 0.775V, p3 = 176.83
Es in1portante aclarar que todos los

Con estos parámetros se inicia el diseño.
diseños desarrollados en el libro no tienen ÚNICA solución; se
pueden plantear diferentes soluciones y todas funcionarán,
-- siempre que se proceda en forma lógica y se asuma lo que sea
adecuado. La solución depende de Usted, el diseñador.
La corriente de emisor de Q 3 es: h:3 = Ic:i + IBJ ~ 100.57 mA
_, Se puede asumi1: R11 o la alimentación. Desde el punto de vista práctico, es más conveniente
asumir V ce, y su valor depende del punto de funcionamiento que se desee. Por ejemplo, si
.!.
--1 QocJ = 0.5, entonces: Vcc = 2VcF..J = 20V
_¡ Sin embargo, si se plantea la siguiente malla:
'
-!
l Vcc = Vcn.1 + Vn:2 + Vn:t + VH.t (A)
'
Necesariamente Ycc > 20V, específicamente Vcc > 29.225V (¿?)
!
Entonces, se asume: Vcc = 32V
¡
- .;
Tratar en lo posible que las fuentes de poder no superen 3 SV: V ce~ 3 SV, teniendo en cuenta
que la gran mayoría de fuentes de laboratorio llegan a este valor.
Como: V Cil3 = V ct-:J - VnEJ = C).225V
- ~
Entonces de la malla (A) se obtiene:
. VR.t = 2.775V
Y: VRs = Vcc - Vcr:..J .= 22V
- .......~
Entonces, aplicando Ley de Ohm:
R.i = 277.5 D. y R~ = 218.76.0.
Por otro lado, de la malla:
VR6 = Vrn1 + Vn.t + VnE2 = 13.46V
También se cumple: V cm+ Vnr. = V111·:J + Vm1
¡
- ........... •. También: Vns:::; Vcc- Vnr. = 18.54V
Y: Vm = Vc11.1 = 9.225V
V1u = Vcc - Vn:1 - Vn.1 :-. : 19.225V
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: T EORÍA Y LAUOH.A TORIO 284
2.4. CONFJGURACION"ES Y ARHEGLOS TÍPICOS
Que es igual a: VRJ = Vn1 + Vcr.2

Para las corrientes: IRJ = Ic1 - Ic2 = 5 mA .:¡ · -
Luego: 1'J = 3.845K

In1 = Ic2 + IBJ = 5.57 mA
\._-
Así que: R1 = 1.658K
Como In 2 = 26. 712 µA, se considera que a través de R 6 circule:
l1l6 ¿ 10 In2 = 267.12µA ·~
Se asume: foG = 300µA
Luego: Ins = In6 + In2 = 326.712µA

Se deduce: ~ = 44.87K R 5 = 56.75K
'.........
En forma semejante: = VnEt + Vn4 = 3.479V
V1u
VRl = Vcc - V 1u = 28.521 V
Con Im = 51.233µA, se asume: Iru = 600µA '.__
Luego: IR1 = Iru + Im = 65 l .233µA

Por lo que: R2 = 5.8K R 1 = 43.88K
En esta forma se rnmpleta el diseño. En la FIG2.45 se muestra el circuito final con el valor de
los componentes.
56 .?SK Vcc +
1.6581< ._,.
3.845K 32V
R5 R7
< R3
43.88K
R1
VC1 Q2N2222
Q2
VC2
n 03
Q2N2222
I ......
~
-
VE3
01
\181 Q2t\J2222 \/82 218.76
!
R8
. VE1
5.SK
R2
1 ! R4
277.5
44.87K
R6
"':'"
'-
... _
'--"
FIG2.45 .
..._
2. TRANSISTOR El.ECTRÓNJC";\ ANÁLOGA: TF.OHÍA \' L,\llOHATOlllO 285
-- .
La simulación del circuito diseñado arroja los siguientes resultados.
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
**********************************************•***************************
NODE VOLTAG E NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE

(VBl) 3.4750 '(VB2) 13 . 4740 (VCl) 12.7900 (VC2) 22 . 907 0
(VEl) 2 . 7 716 (VE3) 22 .1320
,,....., VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME CURRENT
V Vcc -l . 12 1E-0 1
TOTAL POWER DISSIPATION 3.59E+OO WATTS
**** OPER.~TING POINT INF0~'1ATION TEMPERATURE 27.000 DEG C

********************************************** * *** * ***************~********
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

NAME Q_ Q3 Q_ Q2 Q_Ql
MODEL Q2N2222 Q2N2222 Q2N2222
IB 5.70E-04 2 . 62E-05 5.09E-05
IC l.OlE-01 4 . 91E-03 9.94E - 03
-1
.-.
¡
VBE
VBC
VCE
7.75E-01
-9.09E+OO
9.87E+OO
6 . BSE-01
- 9 . 43E+OO
l . OlE+Ol
7 . 03E-01
-9.31E + OO
l.OOE+O l
-....1
BETJ\OC l . 76E+02 1 . 88E+02 1.95E+02
Queda como ejerc1c10 determinar la corriente que requiere el circuito y la potencia total
disipada por el mismo . Verificar con los resultados de la simulación.
r::iJ=> EJEIVIPLO
Analizar el circuito de la FIG2.46 y mencionar los distintos circuitos que se utilizan como
fuentes de corriente. Variar V 1 respecto a V 2 y analizar.
SOLUCIÓN. "
El circuito se denomina . un AMPLIFICADOR DIFERENCIAL y presenta
características que lo hace importante en aplicaciones electrónicas; también se denomina :
Amplificador acoplado por emisor y es la base de la lógica digital denominada E.CL
(Emitter Coupled Logic) . El amplificador es Ja base de los denominados amplificadores
operacionales. Todos estos temas se estudiarán con mayor profundidad en capítulos
posteriores. Por ahora interesa, estudiar el comportamiento del circu ito frente a las tensiones
continuas.
Antes de iniciar el análisis, es necesario anotar algunas características del élmpl ificador.
~ ,
~--
:::;;:;- .......
·!'):.-· ' -
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOUÍA Y LADOHATORIO 286

+Vcc
Un amplificador diferencial:
• Tiene dos transistores con características,
idealmente iguales.
fR R • Se alimenta con fuente dual, en donde V ce

= lvEEI.
~VCl VC-2 o- • Las resistencias de colector deben ser
Ql Q2 iguales.
• No tiene condensadores, significa que
ICl Ic2
+
puede amplificar desde DC (¿?)
+
-=--v2 • Tiene dos entradas y dos salidas.
IDC
I • Los emisores de los transistores están
unidos y se pueden llevar a la fuente ''...-
negativa bien sea a través de una
resistencia o a través de una fuente de
corriente.
FlG2.46 Un amplificador diferencial amplifica

la diferencia de dos señales.
De acuerdo a la última definición, el circuito resta las dos señales V 1 y V 2, y esa diferencia es
amplificada, así que en las salidas V c1 y V c2 se obtiene la señal diferencia amplificada.
Corno se mencionó, los emisores del amplificador se pueden llevar a la fuehte -VEE a través
de una simple resistencia o a través de una fuente de corriente; la selección de una u otra
depende de una característica del amplificador que define su calidad (en este momento no
interesa mencionar esa característica. En el capítulo se estudia en detalle el
,_
amplificador).
En cuanto a las FUENTES DE CORRIENTE, son circuitos electrónicos que van a
suministrar una corriente constante a alguna carga o circuito; así como se habla de los
reguladores de voltaje, también se dispone de circuitos que regulan la corriente. Se tienen
distintos prototipos; en la FlG2.47 se muestran algunos de esos circuitos.
FlG2.47(A): se denomina un sumidero de corriente. El circuito está polarizado con un
divisor de voltaje, aunque se puede reemplazar la resistencia Ri por un diodo zener. Para su
análisis en DC, se desarrolla el divisor aplicando el teorema de Thevenin, teniendo:
\,..
Rn = Ri 11 R2 V nn = Ri V ce I (R1 + R 2)
La corriente que suministra el circuito a la carga se obtiene a partir de la malla de entrada:
1e -- Vnn -VllE
- - --
R111(3+ R
Norr;1almente las corrientes que suministran las fuentes
considera que: Ir·: ~ Te
de cornente
· .son pequenas,
- as1, que se
Es usual llevar el circuito del emisor a una fuente de voltaie
:J
negat1ºva -V1m.
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICAANALOGA: TEOHIA Y LADORATORIO 287
Vcc Vcc Vcc
fü~
~
R R
..-......, ,'
Q¡ L
' .
12
.--.
1 (A) Vcc
(B) (C)
fu:
Vcc
Rf ~
R A
I
I
QJ
(D)
(E)
FIG2.47
FIG2.47(B): Se denomina espejo de corriente. Consiste en dos transistores, con

características eléctricas idealmente iguales; Q 1 tiene su colector-base cortocircuitado, así que
esta disposición configura al transistor como un diodo. Esta disposición implica que:
VcE1 = Vm:t
Analizando el circuito, la corriente que entrega el circuito a la carga debe ser, idealmente:
-i 1=11,
-, 1 Con: I = (Vcc - V1m1) IR
1
_...... ¡
¡
El espejo de corriente es un circuito que generalmente se configura en los circuitos integrados,
l para suministrar corriente a los distintos bloques que contenga el integrado. Entonces, desde el
;-~ ' punto de vista de fabricación del circuito integrado, es más fácil configurar un transistor que
l un diodo, por esta razón, el transistor Q 1 no se reemplaza por un diodo. Igualmente,
- 1
1
¡'
implementar resistencias en un chip integrado es complejo, por lo que el sumidero de corriente
....--.. í
1 no es utilizado en forma integrada, en su lugar se prefiere el espejo de corriente.
; Igual que con el sumidero, el espejo puede estar alimentado con fuente dual.
- ~
FIG2.47(C): difiere del anterior circuito en la resistencia que se añade en el emisor de Qi. En
el espejo anterior, la disposición de los transistores obliga a que: Vnr,1 = Vm:2 y, además, la
corriente que se entrega a la carga sea igual a la corriente que fija la resistencia R. Sin
embargo, los transistores no van a ser iguales, así estén integrados en una misma pastilla; esto
implica que las tensiones base-emisor difieren y las corrientes va a diferir.
2. TRANSISTOR ELECfRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 288
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TÍPTCOS
Para compensar esta diferencia de tensiones es que se añade la resistencia RE. ·Entonces se
tiene: V1m 1 = VnE2 + R1·: 1, además, esta disposición permite asegurar que 11, <<I, sin tener
que utilizar resistencias muy grandes. A la fuente de la FIG(C) se denomina espejo de
corriente Widlar.
FIG2.47(D): Idealmente I = IL, sin embargo, las dos corrientes difieren y la causa de esa
diferencia está en la corriente de base y la corriente de fuga de los transistores. Estas corrientes
muestran la imperfección del transistor bipolar. Para tratar de reducir el efecto de esas
corrientes, se propone este circuito. La corriente que suministra la fuente a la carga está dada
como: 1 = (Vcc - Vna - Vm:1) / R
A esta fuente se denomina espejo de corriente con corriente de base compensada.
FIG2.47(E): es una variante de la fuente anterior. Se denomina espejo de corriente Wilson.
La corriente que suministra el espejo es exactamente igual que el anterior circuito; en un
capítulo posterior, se explica con más detalle las fuentes de corriente
Un resumen de lo anotado de las fuentes de corriente se puede sintetizar en los siguientes
puntos:
• Algunos circuitos electrónicos requieren de una corriente constante para su
funcionamiento .
• La corriente consta.nte se puede obtener a partir de fuentes o reguladores de corriente.
• Las fuentes de corriente típicas son el sumidero de corriente y el espejo de corriente.
• El sumidero de corriente se utiliza cuando se construye en discreto el circuito; el espejo de
corriente se aplica en los circuitos integrados.
• Las fuentes de corriente están construidas con base en transistores y la carga siempre va
conectada al colector del transistor bipolar.
• El sumidero de corriente produce la corriente de la carga a partir de un divisor de voltaje
colocado en la base del transistor.
• El espejo de corriente está conformado por dos transistores bipolares, uno de ellos
configurado como diodo . La corriente de la carga se produce a partir de una resistencia.
• Los espejos de corriente construidos con transistores bipolares presentan problemas debido
a las imperfecciones de estos transistores. Estas impen:ecciones sor:: es imposible ten.er dos
transistores iguales, así que Ja VnE de los dos transistores es diferente; los transistores
presentan corriente en la base y corrientes de fügas.
\ .._..
• De~ido a las '.mpe~ecciones an?tadas, ~e presentan variantes al espejo de corriente. Estas
vanantes son. es~e1os de comente W1dlar, espejos de corriente con corriente de bas ·
compensada; e~pe1os de ~orriente Wilson. Cada una de esas variantes trata de reducir loe
efectos de esas 1mperfecct0nes. s ...._
• Cualquiera
_ ( ,que
. sea el . espejo
. de corriente,
.. stempre se d.1sena
- para manejar
· corrientes
·
pequ~nas t1~1camente mferror al miliamperio). El sumidero de corriente se diseña
manejar comentes mayores, normalmente por encima de un miliamperio. para
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: n:oRIA y LAnonATOIUO 289
Volviendo al circuito de la FlG2.46, y que por comodidad se reproduce en la FlG2.48, se

, ' inicia el análisis.
~f 1. Considerar las fuentes V 1 = V 2 = O, lo que es equivalente a llevar a tierra las bases de los
transistores.
j Para esta primera situación se cumple que:
+Vce
~1 Vr, = -V1m (igual para ambos transistores)
,-..l, lc1 = Ic2 = loe / 2

,ií Vn=Ic1R
·--><:
Vc1=Vc2=Vcc-Vn
,,-.;;
r VcE1 = VcE2 = Vc1 - V¡;;
Ql Q2
,,-•
~ Vci-Va=O
Icl VE Ic2 +
El amplificador diferencial está equílibrado.
-=-v2 Cuando se torna la salida de cualquier colector
IDC
1 respecto a tierra (Vc 1 o Vc2), se dice que se
tiene salida en modo desbalanceado.
Si se toma la sal ida entre los dos colectores
(Vet - V c2 o Vc2 - V ci) se dice que se tiene
salida en modo balanceada.
FIG2.48 2. Hacer V 1 = V2 ~O
Ahora se obtiene: VE=V1 - VDE

Ici = Ic2 = lnc / 2
Vn = lc1 R
V et = Vc2 = Vce - V n
Vrn1 = Vrn2 = Vn - Vr,
Vn - Vc2 =O
Los cambios que se observan son: la tensión en el emisor V E y la tensión VCE de los
1'
Á transistores.
La situación interesante resulta cuando las dos señales de entrada son diferentes: V 1 -:J; V2.
3. Considere: V1 > V2
Resulta: Vnr,1 > VnE2
Esto implica que lo s transistores cambian su punto de funcionamiento, Q1 conduce más, es
decir, se desplaza haci a la saturación, mientras que Qi conduce menos y se desplaza hacia el
corte. Entonces se cumple que:
Q1: VnE t, In t, le 1, Vrn 1-
Q2: VnF. -1-, In-!., le -L., Vrn t
- - - - - - - - - - - -- - - - - -- - - -
2. TRANSISTOR ELEC fRÓN!eA ANÁLOGA: T EORfA Y L AnORATORIO 290
El comportamiento anotado se puede observar en las gráficas de la FIG2.49, en donde se

muestran las características de le VnE In para los dos transistores. La gráfica (A) corresponde .'I
al transistor Q 1 y la gráfica (B) al transistor Q2. Alli se indica en el punto CD la situación :t '--
¡
cuando V 1 = V 2 . Para este caso, como se anotó, los dos transistores tienen igual: VnE, In, le y :
<
""-
V CE· El amplificador diferencial está equilibrado. •
T------------------- ---------------------------
1
1
:~ ____ ,. . - ---------- .....Q) .. --····-····---~-~~---···-

U(Ube)
-·· ·---~······-·
''
: ,, ......
1
J / .
-· · - ·- ·-
+:- V¡ =V2 ~ ~; ' ,__._ _V1 = V2

1(
1+---V1>V2
___.,__.,___ _ V¡ < V:z
"~ Vt > V2
~
r•
•1
..
1
1'
..,
·: .. ! TRANSISTOR Q2
-t. -i.: ---- --------- ---- - -- ---------- -- -,---------
11n
0J o IC(Q ' ) (2)
2DuA
• U(Ube)
'•Oun ºº
[!] o IC(Q· ) a:J •
2Dun
U(Ube)
"oun
l_IB l_ID
(A) FIG2.49 (B)

En el punto @ de la gráfica, la situación es V1 > V2. Para el transistor Q 1 : V 1m. In, le
aumentan, implicando que Yrn disminuya; para el transistor Q2, ocurre lo contrario: Vm·:, 111 ,
I(' disminuyen y la V c E aumenta. Además:
VE=V1-VnE1
Ve1 -L. , Va t
4. Por último hacer:
--·
El comportamiento del circuito es completamente contrario al que se describió para Ja
condición anterior, tal como se observa en las gráficas de la FIG2.49, para el punto @. Ahora
Qz conduce más y Q1 conduce menos y se tiene:
Qi: VnE-l-, In.!-, le-!-, VeE t

Qz: VnEt, In t, le t, vCE-i.
VE = V2- Vm~2
VC It ' V C2 -L.
Entonces, cuando las dos tensiones V 1 -:t. V 2, el amplificador diferencial se desbalancea, pero
sucede algo interesante:
Tomando como referencia V1 = Y2, se obtiene : Vc 1 = Vc2 . El diferencial está equilibrado.
Cuando V 1 > V 2, se tiene que: V c 1 -L. y V n 1. Lo interesante es que la disminución de V ei
con respecto al voltaje de equilibrio es exactamente igual al aumento de Vn también con
respecto a la tensión de equilibrio.
2. TRANSISTOR ELECTRóNICAANALOGA: rnonlA v LAnonATomo 291
Igual, si V1 < V2, entonces: Vc1 t y Yo -!.- y el aumento de Vc1 es igual a la disminución de
....--.... Vc 2, con respecto al punto de equilibrio .
Voq = Ve! = Ve~ ~';i'í,i;,"i:~b

(A)
VC2 1---~
.a..
VI .___ _ __ Vcq .¡.__ _.¡.__VOLTA.JE DE
•r EQUILIBRIO
V2 1 - - - - - - Vc1 ~---'--- (B)
0 1--- - - - O 1-----
Vc2 - Veq = Veq - VCI .
•r
1 Vl 1 - - - - - - (C)
,.-,_ !j
0 1 - - - -- -
'1
~. 1l
..----. l· FIG2.50
I
~l i
En la F1G2.SO se explica gráficamente lo anotado . En la FIG(A) izquierda, se tiene V1 = V2,
entonces la salida es la gráfica de la derecha en donde se indica el voltaje de equilibrio- Veq y
_...,_ ! . que es: Vcq = Vc1 = Vc2
.......• !l
1 El voltaje en modo balanceado es:
· O= Vc1 - Vci
,-..._, í¡
En la gráfica (B) izquierda se tiene V 1 > V 2 , entonces en la salida V c2 > V et y se cumple que:
Vc2 - Veq = Veq - Vc1
Significa: el cambio de Vci por debajo del voltaje de equilibrio es igual al cambio de Vcz por
arriba del voltaje de equi librio.
Ahora, en la FIG(C) izquierda, V 2 > V 1, luego a la salida se obtiene Vn > Vc2 y, nuevamente:
Vc1 - Veq = Veq - Vc2
Esto es, el cambio de voltaje de Vci por arriba del voltaje de equilibrio es igual al cambio de
VC2 por debajo del voltaje de equilibrio.
En general, si Vi -:t:. V2, entonces:
Vcq = (Vc1 + Vu) / 2
Para terminar con el ejemplo, se propone el circuito con valores numéricos de la FIG2.51. Es
un amplificador diferencial alimentado con fuente dual y la corriente es suministrada por un
j'
2. TRANSISTOR . ELECfRÓNICAANALOGA: TEOHiA Y LABOilATOlUO 292
espejo de corriente Widlar; recuerde que en esta variación del espejo, se añade la resistencia
de emisor y cuyo objetivo, es asegurar que la corriente que fija la resistencia sea exactamente
igual a la corriente que llega a los emisores del amplificador diferencial.
Analice los resultados de las siguientes simulaciones con la teoría descrita.
RC1 RC2
l vcc
-=- 15V
16.252K
b.
10.252K
R1
2Q.354K 02N2222 Vo1 Vo2 02N2222
01 02
V1
-=-15V
o - VE
I o -
I
03 04
02N2222 02N2222
R5
4.07
FJG2.51
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C

***********************************************************************
( VE) -.6254 (Vol) 6 . 9272 (Vo2) 6. 9272
OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C

****************************************************************** * ****
NAME Q_Q2 Q_Ql Q_Q3 Q_ Q4

MODEL Q2N2222 Q2N2222 Q2N2222 Q2N2222
IB 3.33E-06 3.33E-06 6.69E-06 5 . BOE-06
IC 4 . 97E-04 4.97E-04 9.88E-04 l . OOE-03
VBE 6 . 258 - 01 6.25E-01 6.46E-Ol 6 . 42E-01
VCE 7 . SSE+OO 7 . SSE+OO 6 . 46E-Ol l . 44E+Ol
BETADC l.49E+02 l.49E+02 l.48E+02 l . 72E+02
2. V1=V2=0.IV
2. TRANSISTOR m.F.rmóNICA ANÁLOCA: T 1mniA v LAllORATOHto 293
2.4. CONFIGURACIONES Y ARREGLOS TTP ICOS
NODE VOLTAGE NODE VOLTJ\GE NODE VOLTAGE

(VE) -.5255 (Vol) 6.9193 (Vo 2) 6.9193
OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE 27.000 DEG e

'
-t
~.
1
NAME Q_Q2 Q_Q l Q_Q3 Q_Q1
MODEL Q2N2222 Q2N2222 Q2N2222 Q2N2222
IB 3.34E-06 3.34E-06 6 . 69E - 06 5.BOE-06
re 4.97E-04 4 . 97E-04 9.BBE-04 l.OOE-03
VBE - 6 .26E-01 6.26E - 01 6.468-01 6 . 428-01
VCE 7.44E+OO 7.44E+OO 6.468-01 l.45E+Ol
BETADe l . 4 9E+02 l.49E+02 l.48E+02 l.73E+02
,.-..·
2. V 1 =0.11V,V2=0.lV

(VE) -.5201 (Vol) 5 . 5161 (Vo2) 8.3218
OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG e

BI POLAR JUNeTION TRANSISTOR$
NAME Q_Q2 Q_Ql Q_ QJ Q_ Q4
MODEL Q2 N2222 Q2N2222 Q2N2222 Q2N2222
IB 2.77E - 06 3 . 91E-06 6 . 69E-06 5.BOE-06
re 4.llE-04 5.84E-04 9 . BBE-04 l.OOE-03
VBE 6.208-01 6.308-01 6.46E-Ol 6.42E - 01
VBC -8.22E+OO -5.41E+OO O.OOE+OO - l.38E+Ol
VCE 8.84E+OO 6.04E+OO 6 . 46E-Ol l.45E+Ol
BETADC l.48E+02 1.498+02 l.48E+02 l.73E+02
3. V1 =O . lV, V 2 =0.12V
(VE) -.5140 (Vol) 9 . 6492 (Vo2) 1.1882
OPERATING POINT I NFORMATION TEMPERATURE 27.000 DEG e

NAME Q_Q2 Q_Ql Q_Q3 Q_Q4
MODEL Q2N22 2 2 Q2N2222 Q2N2222 Q2N2222
IB 4.0E-06 2.25E-06 6.69E-06 5 . BOE-06
re 6.65E-04 3.29E-04 9.BBE - 04 l.OOE - 03
VBE 6.34E - 01 6.14E - Ol 6.46E-Ol 6.428-01
VBC -4.07E+ OO -9.55E+ OO 0.00E+OO -l.38E+Ol
VCE 4.70E +OO l.02E -+0 1 6.46E-01 l.45E+Ol
BETADC l.49E+02 l.47E+02 l.18E+02 l.73E +02
2. TRANSISTOR ELECTHÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LADORATORIO 294
2.5. ESPECIFICACIONES
ESPECIFICACIONES
Como para todo dispositivo electrónico, es importante conocer y utilizar las
especificaciones que el fabricante entrega de los transistores que se utilizan. Se describen
brevemente algunas especificaciones de los transistores bipolares.
Es necesario explicar algunas de las siglas y convenciones que utilizan los fabricantes para
describir sus dispositivos.
El voltaje indicado como: BVcno indica que es la tensión de ruptura (Breakdown) entre
colector-base con el emisor abierto (Open). Si se supera ese voltaje, el dispositivo entra en
ruptura. Entonces ¿qué significa: BVCEo y BVEno? .
' '-'
La máxima potencia que disipa el transistor

te se expresa como Po en vatios.
Límite de
Normalmente esa potencia es el producto
Potcnci~ de
Disipación de: Po= VcE le.
En la gráfica de las características de salida,
se traza el límite de la potencia de trabajo
como se indica en la FIG. Es una curva que
se obtiene al efectuar el producto: Pn = VcE
le
Para operación normal, el punto de
funcionamiento se debe ubicar por debajo
de esa curva para evitar calentamientos
... ............... ........ .... ........ ........... ......... ... ... ..... .... VCE excesivos del dispositivo.
Es posible que el transistor trabaje sobre la
curva o por encima de ella, siempre que se
opere en periodos muy cortos de tiempo.
La ganancia de corriente hrE, es el mismo parámetro p, que indica la relación entre las
corrientes de colector y base: hn; = p = le / In . Posteriormente se estudia un parámetro
semejante pero que solo se utiliza cuando se aplica señal.
Dos transistores son complementarios cuando uno es NPN y el otro es PNP, pero tienen
características eléctricas parecidas. Por ejemplo el transistor 2N2222 que es NPN, su
complementario es el transistor 2N2907, que es PNP.
Algunas siglas que aparecen en el manual ECG son:
P\VR Amp : Es un amplificador de potencia (Power)
Gen Purp: Transistor de propósitos generales.
Low No is e: De bajo ruido.
Sw: Es un transistor conmutador, que puede pasar rápidamente de la zona de corte a la
saturación.
Hi Spccd Switch: Es un transistor de alta velocidad de conmutación.
,.
T-IV: Alto voltaje (High Voltage)
2. TRANSlSTOR Et .ECTRÓNICA ANALoc;A: T IW RÍA y LABOJU\TOIUO 29 5
2.5. ESPEClFICACIONES
,.--., .
AF PO: Es un amplificador de audio, que se utiliza para salida de potencia (Power Output)
Ose: Oscilador.
Darlinton : Es el arreglo de dos transistores en cascada: uno de alta potencia precedido por
uno de baja potencia.
Uno de los manuales que más se utilizan es el ECG Semiconductor Master Replacement
Guide de la Philips. En este manual se entregan algunas de las especificaciones mínimas
necesarias de los dispositivos. Sin embargo, las especificaciones dadas, siempre están por
encima de los dispositivos original es. Esto es importante tenerlo en cuenta. Por ejemplo un
transistor de referencia 2Nxxxx tendrá especificaciones inferiores que el reemplazo ECGyyy.
A continuación se transcriben algunos transistores bipolares tomados del manual ECG.
Transistors
i Bi-polar Types (Maximum Ratings at Te= 25ºC Unl ess Othcnvisc Notcd).
,..--.._·'
Collcctor Bnsc lo
Col lecto r Mnx Max Frcq.
ECG Typc Dcscription nnd lo Collcctor Curren!
Application
to Bnse
Emittcr
Col lector Dcvice In Gain
Volts Vo lts Curren! Diss. Po M hz
Volts hrn
BVcr,o BVrno le A mps Watts ft
BYrno
PNP-Si, Gen Purµ,
ECGl.t 80 80 5 .7 .75 100 l 20min
AF Amp. Driver
........... NPN-Si. AF Driver
ECG31 Oulput (Compl to 160 160 6 l .9 20min IOOmin 1
ECGJ2 1
~
Dunl PNP-Si. Hi
Gain. Lo No~se. .200/TJnit
ECG41 100 100 5 50mA 150 400min
Diffcrcntial Amp. .400 tota l 1
Common Emittcr
NPN-Si, AF
_J
ECG123 Prcamp. Driver 60 JO 5 .8 .800 250 l 50typ
,......,,_. V ideo Amp
NPN-Si. AFIRF
Amp. Dri \·cr
ECGl2JAP 75 40 6 .6 .500 300 200typ
(Comp to
ECGl59)
PNP-Si, AF
Prcamp. DriYcr,
ECG159
Sw (compl to
80 80 5 1 .6 200 180typ
ECG l 23AP
NPN-Si. Pwr Amp.
ECG291 Sw (Compl lo 130 120 5 .t 40 4min 75typ
ECG292
--~--·- -----· -- ---·
'--'
'--
2. TRANSISTOR El.ECfllÓNICA ANÁLOGA: TF.ORL\ Y LABORATORIO 296 .__,

'--'
Especificaciones tomadas del manual Semiconductor Data Librar-y de Motorola
'--'
..__,
2N2218S' AS 2N2.219S I As 2N2221, A(SILICON)

I I
'-'
2N2222, A, 2N5581, 2N5582 ....__,
'-~
! ....__,
NPN SILlCON ANNULAR HERMETIC TRANSISTORS ....._,,

. . . widely used "lndustry Stondord" translstors for 1pplic1tions
;ri medium-st>eed sw1tc.hu and ~s ampliflers from audio to VHF
freauenetes. NPN SILICON ....._...
SWITCHING ANO AMPLIFIER
'· OC Current Galn Sp~ci f icd - 1.0 to 500 mAdc
TRANSISTORS
" Low Collrctor·Emitter Saturation Voltage -
VeE(satl@ te· 500 mAdc .........
• 1.6 Vdc (M••l - Non·A Suffix
• 1.0 Vdc (M•xl ·- A-Sulfix
• Hiuh eurrent-Gain-Bo'l<iwidth Product -
....__,
IT • 250 MHz (Mini@ le• 20 mAdc - Ali lyp..s Except
• 300 MHz (Mini@ le• 20 mAdc - 2N2219A, 2N2222A,
2NS582 '--'
• eompl1ments to PNP 2N2904,A thru 2N2907 ,A
• JAN,JTX Availablt In all dev1C1!s ....._...
CASE 79-02
• JTXV Av3l1able on 2N2222.A Serles T0-39
2N22'tl,A
• 2N22 Hl and 2N2219 av>•lable in T0-39 Package With 1/2" 2N2219.A
Le~ds ( 1l
SE'.ECTION GUIOE
Ch1,1e1trl\llc
evceo hfE
Otvk.. te• 10 mAdc lc • 150mAdo te• 500 mAttc
Typt Vol u Min/ Maa. Mlft P0<h90
2N2218 •01120 20
2N1219 JO 100/JOO T0·5
JO
2N2121 •0/120 20
2N1222 JO TO· I B
100/JOO JO
2NS~91
40
•offio ,~
TQ.46
2N5582 100/JOO •O CASE 22·03
2N2218A 401120 25 TO · tt
40 T0·5
2N'219A 100/JOO •o JN2221 ,A
2N2221A 40/1 ~o 25 2N2222,A
40 T0·18
2N22l1A 100/JOO 40
ªMAXIMUM RAT1NGS
2N2218 2N221U
2N2219 2N2219A 2N5581
R••lne Svmbo1
2N2221 2N2221A 2N5582
Unlt
2N22H 2N2222A
Collectot -Emitter Voh~o• V~EO JO 40 40 Vdc
Colloc10t -Bu• Vol t~ vea GO 75 75 Vdc
Emi•••r· B•t11 v,,11tK.1• ' VEB 5.0 6.0 6.0 Vdc
Co11P.t:tnt C:11rr•nt r.nl'ltl,,uo111 •e 800 800 800" m A<fc
2N2218,, 2N2221.~ 2NS581 CASE 28-0J

2N2219.~ 2N2212.A 2N5581 TO-'•
Toul Ohla Oinip1tlon ~TA• 2sºc Po 0 .8 0 .5 0 .5 Wall 2~55BÍ
,NS58l
Otratt 1boY't 25ºC 5.JJ 3.JJ J.JJ mW/ºC
Total Ocv¡ce Oluip.11lon Ct Te ... 2SºC Po 3.0 1.R 2.0 Watu
Otrate •bov• 2sºc 20 12 11 43 mwf'c
Oo•'ª''"CJ ª"d Stot•gt Jur'\ctlo" T J . T uo - - - · G S to • 7 0 0 - - ºe
TtmpJralu,. RfnQ""
:~nctlca1•1 JEOEC AMJhlottd Oat~.

Mouuol• Ouor_,,..,._, thh Otfo lri AJtJlr ion to JE: O'C "•titored O ate .
2. TRANSISTOR ELf.C.IH(lN ICA ANÁ.LOGA: T F.OH1..\ Y LABOíl.ATOJUO 297
2N22l8S,AS, 2N221 9S,AS, 2N.2221,A, 2N2222,"A, 2N5581, 2N5582 (con t inued )
•E LECT R ICAL CHAR ACT ERISTI CS ITA• 25ºC unlts• otherwi,. not«ll
1· Sym l>ol Min Mue
OFF CHARACTE AISTICS

Coll1Ctor-Etnttter Bn akdo wn VoltAQe BVcEo Vdc
lle . : 10 mAdc".19 • 01 Non·A SUHlx 30 -
A-Suffix. 2N5681.2N5582 40 -
,__¡ ¡
Colloctor·Bm Brukdown Vot1Jl9"
l•c • 10 JiAdc, l'E • OI Nor>-A Suffix :
l\•SuHix. 2N5581,2NS582
evcao
60
75
-
-
Vdc
1
Emiu..--Bue Br.. kdown Vdc
~!
Volt~ sveso
' llE • 1O µj..dc: le • 01 No·n-A Suffi1< 5.0 -
A·Suflix. 2N5581.2N5582 B.O -
! eoneetor eutotl Currtnl •cEx nAde
. IV c e= 60 Vdc~ Ve Blofll • 3.0 Vdel A-Sufflx, 2N5581,2N5582 - 10
·Collec tor C!JtO ll Curront 'ceo ¡.l\dc
!Ves • 50 Vdc. re • Ol Non·A Suffix - 0 .01
: IVeo · so Vúc. le - 01 lo.·Suflix, 2NSS!11.2N5~82 - 0 .01
IVce - 5~ Vdi:, IE - O. TA - 150"CI Non·A Suffoc - 10
!Ves - so"itdé: 1e -o. TA· 1sO"c1 A·Suflix, 2N5581,2N5582 - 10
;' · Emillot Cu1olf Currtnt IEBO nAdc
.........__ ¡ IVEe - J.O Vdi:. •e-. O) A·Sulfb. 2N558 l.2N5582 - 10
'.B •~ eu1off Currtnt 1BL nAdc
·1 ; (Vc e 2 GO Vdc:·vEBlolfl ~ J .O Vdcl A-Suffix - 20
,......, 1: CHA l> ACTERISTICS
• l'IPJ
~ ' OC Currtl'\I Geln hFE
¡ -
lle• 0.1 mAdc, VcE' 10 Vdcl 2N2216.A.2N2221.A,2N5581 (1) 20 -
2N2219.A,1N2222.A,2NS582l 11 JS -
¡ :'·{le• 1.0 mlld"'c." Vce ·• io Vdcl 2N2218,A.2N 2221,A.:'W5581 25 -
,......, 1 .. 2N 2219,A, '2N2122,A,2N 5!582 60 -
1 lle~· 10 mAdc, Vce • 10 Vdc) · 2N2218,A,2N2221.l\.2NS!i81 (1) JS -
! 2N2219,A,2N2222,A,2N5582111 71> - ..
' Oc• 10 mlo.dc,.Vce • 10 Vele, TA• -55°CI 2N2218A.2N222 1A,2N5581 15 -
.. . . 2N221 9A,1N'2:!2A,2N55B2 J5 -
~ 1.c • 150 mAdc. Vc E • 10 Vd<ll1l
t"'oo
º
2N2218,A, 2N 2221,A,2N568 1 120
2N 2219.A. 2N2222.A.:1N5S82 300
' Clc • 1so n1Adc, Vce • 1.0 VdeJ111 2N2210A.2N2721A.2N558 1 20 -
•. . . . 2N 221 OA.2N2222A,2N5582 50 -
lle• soo.m Ade. vce· • 10 Vdclm 2N211 B,2N222 I 20 -
2N2219,2N2222 30 -
~
..
..... "'>"' •
.. -··· 2N2218A,2N222 IA,2t1558 I 25 -
1 2N22 19A,2N2222A,2N5582
"º -
1 !Col!ICIOl·Emlt:tr S•lu fttlon Voltogel 11 Vce!url Vdc
--
'.-·lle •·150,mAdc, 18 · !15 mAdcl Non·A Sulfi~ 0.4
!~ '· .. A·Sullix. 2N5581,2N!>SB2 O.J
lle • s~<rmAde?l9
.. .. .
· ·.50 mAdcl
.. Non·A Sulfi~ - 1.8
¡· A·Sufllx. 2N558 1,2NS582 - 1.0
18ast·Emlt11r S.turatlon Votroooll) Vee1s11I Vdc
" tt c ·· ·150 mAdc, 1 e • 15 mArle)· Non•A Sullix 0.6 1.0
A-Sul!h . ws¡;S 1.2N5592 0.6 1.2
Clc • 500 m Adc, l 5 • SO ml\d<) Non·A Sutrix - 2.6
A-S ullix, 2NS581.2N5582 - 2.0
• !ndlealu .TEO!:C ltcglstcrcd Dota
2. TRANSISTOR ELEC.TllÓNICA ANÁLOGA: TE.ORL\ Y LAilülU\TORlO 2 98
2N3903 (SILICON)
2N3904
--·
NPN SlllCON ANNULA~. TRANSISTORS NPN SILICON

SWITCHING & AMPLIFIER
TRANSISTORS
... deligntd'for general p1,1rpos• switching and •mplifier 1pplicafións
•.nd for corrplementuy circuit.rv with IYP.CI 2N3905 and 2N;J906:
• Collector· Emittu Breakdown Voltooe -OVcEO • 40 Vdc (Min)

• Cvrront G•in Speciticd from 100 µA to 100 mA
• Complo le Swltchlng a'!d Amp!Hitr Spe.cilic1tions
• Low Copacltance - Cob • 4.0 pf (Maxl
, ..
··.
-·· ; .' 40 :. :.'
• ..
•MAXIMUM RATINGS
Aattn1 $y1nbol Value Unlc
;
Coll•ctor·O l'4 v'ol11g.e vce 60 Vd..:
CoC11ctor.Emitter Volt•.gt veto "º Vdc
--- vea ..
Emhtet· B•&oe VoltaQll 8.0 .. Vdc
Coll1ctor Curre"t - Contlnuout . 'e 200 rnAde

Total PoW.r Olulpttlon·• r ...·• 25oc Po :l60 mW
Oor•I• •ho.. 25"c · ·. . 2.B rrlHt°C
; Toc11 Po.,,.r OlulPotlon •Te• ;i,0 c ·po. .1.0 Wetu
Ott1i1 •bo•• :is0 c a.o rrl<Yf'C
Junctlon Oporulno T1rttot11tur1 TJ 150 oc· fTYlE I•
"H l .
t (UITTtlt
Stontt Ttmpentur• RsnQll Tn9 -6Sto +iso ºe aASE
' ..
• "tHl!AMAL CHl\RACTERISTICS •.
. l. COtlECTON
' Ch.nCtwlstlc Svmbql ...... Unit

. Ther~I At1itt..," • .Junc1ion to Arnbitnt n6JA J~7 0 crw
!~tt~I Auht•n«, J_unctton td C~" .. fl~JC I~ -· ,.°CM
•_1ftd1c~te· JEOEC n.,i.t•t•d º•" .. .

..
CASE. 29·02
T0 ·9l
,_.
2. TRANSISTOR l·:LECTRÓ:'llCA ANALOG,\: Tlml\Í,\ Y LAílORATO RJ O 299
2N3905 (SIUCON)
- . 2N3906
'
..
~
~
PNP SILICON
SWITCHING 81 AMPLIFIER
PNP SllléON ANNULAR TRANSISTORS TRANSISTOR$
' . ... duign•d for oenerat purpon switching 1nd amplif icr applica·
tlon1 and for compl rmentlry circuitry w lth typH 2NJ903 and
2N3904.
_.-
1 '·
......, !¡
.
:
'!
:
•• Colloctor ·Emittor Brulcdown Voli1ge - BVceo • 40 Vdc (Min)
Curr~ nt Gain Specilied from 100 µA to 100 mA
' • ·Low Caf)*citance -

Cbmplote Switchlno and Amplilier Speclfications
• C 0 1.J • 4.5 pF (MoxJ
..
1
·. ¡#·
,. r·-1
"""'~j1
-
;
-- ..
' '' ª""' L_.4_ ..

o
,..-.. :
4ry\AXIMUM !lAT INGS .~
OlUntor -8•'4 Voll1oa

R1tlnt $ y rn bol
Ves 40
"
v.1u. \
··-
U nh
Vdc
~~
·
~ll1ctor : Emlt1tr
;,i.~ltt•r·B•• V.01~~9"
Vol<tll< vceo
Ves
40
5.0
Vdc
Vdc
STYlf 1:
1'1H 1. E"tnto
l..llASE
-i.th
~ ~Utctor Cuttent - ContlnuO\n 'e 200 mAdc ). COLL!CTM
'. Tot1t Po~r Olulpetion • TA• 25°C Po 360 MW

? O.r1t1 t bovt 2S°C 2 .8 rnwf'c
'f:oul Powtr o;.1lp>tlon • TC • 25ºC Po 1.0 W1t1
~· 1 O•r•t• •bovt 2s0 c 8 .0 rnwi°c
..·~nc\ión Os>tratino !•M('llralu'11 TJ •150 -e
~Ot•;• T1mpi1r1 tur• l'hnot Tn; -65 to • \60 -e
lli€RMAL CHARACTERISTICS
Chtru:htirtic Symbol Mu Unlt
TMrm• t A•1i1ta"'c•. Jul"lctlon to Arftb;.nc RdJA 357 ºCNi
.ThtrrNI Rta.I n~n.ct~ Junctio n 'º Caaa R1JC 125 ºC/W
Cd€ 10 02
~ '· ro . '2
• 1ndk•tt' JfOEC R•QhHrtd Cata.

~:»' ~}
:.
·z
-··.
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LAílOllATORIO 300
Especificaciones tomadas del manual The Transistor and Diode Data Book de Texas
Instrumcnts
TYPES 2N2217 Thru 2N2222, 2N2218A, 2N2219A. 2N2222A

NPN SILICON TRANSISTORS
DESIGNED FOR HIGH-SPEED, MEDIUM-POWER SWITCHING AND GENERAL

PURPOSE AMPUFIER APPLICATI ONS
• hrn ... Guarnnteed from 1OOµA to SOOmA
• High fi- at 20V. 20mA ... 300MHz (2N2219A. 2N2222A).
250w-Iz (ali others)
• 2N22 t 8, 2N2221 far complementary Use with 2N2904, 2N2906
• 2N22 l 9, 2N2222 for Complementary Use with 2N2905, 2N2906
Absolute maximum ratings at 25ºC free-air temperature (unless otherwise noted)

2N2217 2N2220
2N2218A 2N2221
2N2218 2N222t UNIT
2N2219A 2N2222A
2N2219 2N2222
Collcctor-Basc Voltagc 60 75 60 75 V
Collcctor-Emillcr Voltagc (Scc Note 1) 30 40 30 40 V
Emil!cr-Basc Vollagc 5 6 5 6 V
Continuous Collcctor Currcnt 0.8 0.8 0.8 0.8 A
Continuous Devicc Dissipation al (or bclow)
25ºC Frce-air Tempcralure (Sec Note 2 and 3)
0.8 0.8 0.5 0.5 w
Continuous Dcvicc Dissipation at (or Bclow)
25ºC Case Tcmperaturc (Scc Notes 4 and 5)
3 3 l.8 1.8 w
Opcrating Collector Junction Tcmperaturc Range
Storagc Tcmpcraturc Range
-65 to 175
-65 to 200
ºC
ºC
--
Lend Tempcrnturc 1/16 inch from Célse to 1O
230 ºC
Seconds
..
NO n,s 1. TI1c.<e valuc.< apply hctwccn O and 500mi\ collc<:tor curren! whcn lh.: ha.<c·cm1tter d1ode 1~ open c1rcu1l.
2. Dcratc 2N22 l 7. 2N22 I !!. 2N221 l<A. 2N2219 ~mi 2N2 219A lincarly tn 175º C free-a ir tcrnrcraturc• at U1c ratc of 5.JJmWl"C
J. Oeralc 2N2220. 2N222 l. 2N222 I A. 2N2222 and 2N2222:\ lincarl\' lO 175° e frce-Air tcmpcratnrc• Al the rate of3.JJmWl"C
4. Dcrntc 2N22 17. 2N221 S. 2N22 l 1< ;\. 2N22 l 9 and 2N22 19:\ linc~ rl ~· lo 17 5º C frce-~ir temp~raturcs al the ratc of 20.0m\V/ ºC
5. Dcrnk 2N2220. 2N222 I. 2N222 I :\. 2N2222 ami 2N2222:\ lin«arl ~· lo 175º C fr~Mir t~m¡wrnlurc• al thc rnlc oí 12.0m\VfC
2. TRAN_SISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOlÜA Y LAilOHATOHIO 301
Las siguientes especificaciones son tomadas del manual DA TA SHEET de National

Semiconductor
2N3904 MMBT3904
MMPQ3904 PZT3904
••
SóT-2:2a
B
NPN GGOOral Purposa Amplifier

Thls 00vlc91& d~oo u. a gooonii ~ ~W!Gl' and swllch.
Thfil l,J8l;lfiJ dynnrnlc raJl9'i 11~ to 100 mA as a IS'lrltch o.nd to
1oo MiZ as an M'l>lflef. ~O\.!~ TrOm f'TOC>:)es z:3..
Abso1u t e Max mum Rsti ngs• TA • 25"0 tat!!8!I O!nOM8e notbd
Symbol PB.rameter VIII u~ Unlts

VWJ Cdlecior-Emil.le< Vdta119 40 V
v(;l/IQ Collecior-SM& VrbtJa 60 V
VEllO Emit&Hl ase Vdtag e e.o V
lo Collftcw Currert - Ccntlrurus 200 mA
iJ, Ttt.o Opet' ~g and Stcrage J1J1cikx1 T~l.J'e Pang11 ~5!0+150 "C
.liQD!S;
n.-
f) f'llhl• i n "'-'J on • -..A-11'"1 jtnelb:l ~ :il l !'ll ~ C.
•-r
t) n.o..,.,.. -1~ Tho lfdo<y ol>c:O:l bol_.._ 1>11 ~cm ~ polMd ot low di¡ qdo ~
2. TRANSISTOR ELECTllÓNICA ANtÍ.LOGA: TEORfA Y LABORATORIO 302
NPN General Purpose Amplifier

(contioo&d)
Electrlcal Characteristics TA-2S'C mi...,.~ nctnd
'-''
Symbol Para meter Test Condltlons Mln Max Unlts
OFF CHARACTERJSTICS
Col\e<;t)r-Eniner BreakdoM'I Vd~e lc•10m.A., fa•O V
VFJC&>
vllfOCllO Collecior'-Base BIM<d<Jllrfl Voltage lc=10µA, le= O
"'60º V
VVZRIFNJ EmiU&l'-Baoo BradG:IO'M1 Vdtage lt;• 10 µA, le •O 6.0 V
leL Baa e CutJff OJrrmt Va;_ =3:>V, Vw =0 50 nA
~X Caliecior Culdf Current Vcs='3:>V, Vea= O 50 nA
ON CHARACTERISTICS..
~ OC Current Gain k=0.1 mA. V~=1.0V 40
J.:= 1.0 mA, Val= 1.0 V 70
le= 10 mA, VCE= 1.0V ioo 300
lc=50mA, Vcs;=1.0V 60
~= iDOmA y,..,_ =1.0V 30
VCiO~ Colector-Erritter Smurallai Voltage le= 10 mA, le= 1.0 mA 02 V
k: = 50 mA In = 5.0 mA 0.3 V
v!Jf!W} Bolto-Emlt1or Satt.rdlon Vottngo lc= 10mA,ln•1.0 mA
k: - 60 mA "' • 6.0 mA
O.SS 0.85
o.~
V
V
--
SMALL srGNAL CHARACTERISTICS
1r Curreot Gain - Bard'!llldttl Product lc=10mA, Yr::t:=20V, 300 MHz
l • 100MHz
Col» OU1pUt Capaclanoe Vea • 5.0 V, I¡ • O, 4.0 pF
f :d.OMHz
Ci>o lnpú capac it3'lee VEI) = 0.5 v. le ,,,. o. 8.0 pF
f = 1.0 Mt-tt
NF Home Agum (~~ Mlv'F<mo..) l.;= 100 µA, VCf. =5.0 V, 5.0 d8
Re =1 .0kn f..10Hzto 15.7kHz
SWJTCHING CHARACTERISTICS (tw:epl J.aMP03<»4J

fcl Dekr¡Trne Va: .. 3.0V, VBE'"0.5V, 35 1'18
tr RIBeTlme le= 10 mA, 161 = 1.0 mA 35 na
t. StaageTrne Vce =3. OV, le =10mA 200 ns
11 Falllme le1· I~ • 1.0 mA 50 ns
Spice Model
NPN {~ .73.ff Xii-3 Eg-1.11 Val-U.03 BC-i-16A Na- t.259 ~.n-t lkf-66.7Sm Xtb-Ui Br-.7371 No-2
I~ lkr.,(} Re=1 CjC=3.638p Mjc:::.3085 Vp.75 Fe=.5 Cje=4.4Q3p M"J"=.2M3 Vje ....75 Tr--239.50 Tf>s301 .2p
ltf=.-4 Vlf=.4 X\1=2 Rb=10}
2. TRANSISTOR ELECTllÓNfCA A NÁLO<;A: TEOlt(A \' LARORJ\TOIHO 303
2.5. .ESPECIFICACIONES
Thermal Characteristics
Symbol Charact&ristie Max. Un~
2N:3904- "'PZT3 Sl04
Pe Tota Devtce Dlsslpatktl 626 1,000 mW
Oootia ~ 25"C 5.0 8.0 mW/"C
Rw Thoonal Rsslstance, JlJ'lCtico \O Case 83.3 "Cffl
P..i... Thermal RoolBfanc:e, JU1dlcn k> Amblen! 200 125 °C.iW
i
~1
l
,___¡ Symbol Ch aracteristlc Max Unfts
í¡ ... MM~ MMPQ3~
~! Po Total Devi~ Dissipalko 350 1.000 mW
¡
..,,.-. P..i...
oerme t:Vove 25"C
Them\81 Reslstance, J1S1ctlcn b Amblent
2.8
357
6.0 ITTN/°C
-ctfi
EffoctM! 4 Die 1:25 "CfN
____¡' Each Die 240 "C/W
•OeW:9 rnc>U">l<>d on FR~ PCS 3t! mm X 18rrmX1.5 mm; mOIXling pad fo< "'8 c:dedcr lorul rrél. 11 an 2
•
·•~ mou>led on ~ ?CB 1.!I" X U!' X O.M."
Typical Characteristics
Typlcal Pulsed Current Galn CoUoctor-Emttter Saturati on

z ~ Vottage vs Colle<:tor CurrMt
vs conact04" Cun'ant uJ
---., ~
~ 500
1
1 1 1 111 ~
;,,J T11
Va¡• fiV ~ Q.16
l&J
a:
~
~ =1a
..--..;
~ .400
>-- - "1215 'C
1
ffi Ul"C
l
e aoo
....... t: 11 '- ')
... ¡?j
~ 2!-C ti:
0.1
.._ 11
... .lvJ
.1 )
~ 200
g ~
f.-~
.... f. 311'C
_,,. ~-
~
g100 ..___
!!::
• 40" e
1 1· 1
1\ ~ 0.05 •
o · '- • 40-C
u
t
I!
..e
o
0.1 1 10
1 e - COl.J..ECTO R UJRfl EHT (rnA)
100 J 0.1 1 10
lc-COLLECTOACURRENT (mA)
1 11
100
Base-Em itkl< Saturation Base-Emltter ON vonage vs

Voltage va Conector Current ~ Conector Current
w
1 1 111 ~ 1 1 11 1
,__ ~ :10 - !::i
,_ V~:SI/
1 1 o 1 11 1
- ._.to•e
11 _.....
......
~
~
¡_..
~
> O.B
2
o
a:
o.s
1-~ L...- · 411'C
..,_L.
L-
:z¡; 'C
i---
--
~
:11 'C &11

i-"'" ,...,.....~ t; l--
l-
._. ~'<:
_..... ..... ra , __,_
12'-C UJ 0..4
_¡....- '-'""' 1111 ~
m
11
1 10 100 ·~º\.1 1 10 100
l e -COUECTOR CURREH"T (mA)
> le: ·COLLECTOR CURfleIT (mA)
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LABORATORIO 304
• D.iscrete POWER & Signal

Technologi.es
2N3906 MMBT3906
SOT..23 B
MMtc2A
MMPQ3906 PZT3906
E.
,e ll B
11 e
E
B
SOIC-16
PNP General Purpose Amplifier --

Thls devloo Is doolgned fO< g9noral pu~ amp1111$r and swltcn-
lng applicaUoos zrt col lector ct1 rren ts of 1O µA to 100 mA. Sourced
from Proeess 66.
Absolute Maxlmum RatJngs"* TA• 25-C un....., olh.....,.., nalad

Symbot Parametef Value UnltB
Vceo Coleda-émltto r Vo lag a 40 V
Yeso Colador-Base Volnge 40 V
Vi:zo EmiHEr-Base Volaga 5.0 V
le Col&ctor Current- Con~nuous 200 rM
TJ. Tgjg OperatlnQ ard St.orags Jvnctloo Temperatura Ranoe -65 t> +150 oC
.t:f2Ill;
1) Th:-4ici r.Uno• ~ ~ on • mf.idmllm J~n laTI~ro of 1~ dog!1)0i C.
2} Tl""'o ero stnady sbrln••b.
Thtt fDdory llhould ~ aJOMJ\ed ai appllcidJcM ll'Mll~rig puhlld O< ICNr duty cydit optlflfllona.
2. TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOillA Y LAUORATORIO 305
Ele<:trical Characteristics
Symbol 1 Pararnoter Test CondttloM Mln Untts
OFF CHARACTERISTICS
¡ V~ro Colédor·Eoitier ~n w~~ le"' 1.0 rnA.1s=O 40 V
~.
V~ ~- ~B~V~
~¡
. '
V~&<> Eml!oc-Bsw ~n VdtaQe
le= 10j.1A. ll! =O
iE =10 µA. le =o "'º
5.0
V
V
la Bate Culo1f Current Ve!= 30 V, Vr.! = 3.0 V 50 nA
lcl!X. Collector Cu !Off CU"r'&nt Vce.,. 30 V, V.t!.e. "' 3.0 V 50 nA
ON CHARACTERISTICS
h~ OC Ctn'!! rJt Gain • ~= 0.1 mA., Vec,.= 1.0V 80
~ = 1.0 mA, VCI<. = 1.0 V 00
lé= 10 mA, V~= 1.0V 100 300
le =50 mA, VCE= 1.0V 80
k=100mA. Vr.r-=1.0V 30
Vce(.MQ Coled:or-Emltter Sotl.lraVon Voltaga le= 10mA,111= 1.0 mA 0.25 V
k.=50 mA 'A =5.0 mA 0.4 V
v~.U() Bw;-Emltar Satlxaü:xl Voitage le= 10 mA, Is= 1.0 lrA 0.65 0.85 V
-- : V
le =50 mA. la= 6.0 mA 0.95
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

ft Cunoot G BÍ1 - Bandwidth Prod ud. =
le 10 mA, V~ = 2.0 V, .250 MHz
f=100MHz
Cooo Output Cf.lpoclnn oc Ves= 5.0V, le=O, ".ñ pF
r = 100 kHz
Citio I~ Capoctt.ooce =
Vai 0.5 V, le= O, 10.0 pF
f=100kH:r:
NF Nolsa F~t.ro {11~ LW.PQ:WOO> le= 100 µA. VCE. = 5.0 V. 4.0 dB
R, =1.rul, f=10Hzto15.7 kHz
SWITCHING CHARACTERISTICS (~MMPO~)

~ Deiayllne V<X = 3.0 V. VsF:. = 0.5 V. 35 na
tr íll5aTkne le= 10mA. lu 1 =1.0mA 35 na
te sto raQe Tine VCG = 3.0 V, le= 10mA 226 n.s
ff FalTme 1B1 =l&J = 1.0 11'\I\ 75 ns
""PullMI TBet: Puha llYldlh:S 300 µ.1, Ouly Cycla.: 2.0'!'
SpiCG Model
PHP (ls=1.41f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=18.7 81'=180.7 Ne=1 .5 lse:=O lkf=BCm Xtb=1.5 Br-4.977 Nc=2 lsc=O lkr=O
Ro=2.6 C}c:::9.728p Mjc:-.5776 V'¡:;=.75 Fc;;.5 Cja;;8.063p Mja:::.3e77 V]e=.75 Tr-=33.42n TI-179.3p ttr=.4
W--4 Xtt=6 Rb=10) •
--
2. TRANSISTOR ELECrR.ÓNICA ANÁLOGA: TEOHI/\ Y LABORATORIO 306
'--
'
PN2222A MMBT2222A PZT2222A F

if"._.,
?
'--'
'-"'
E
'--'
B B
SOT-~ SOT-223
Mmk1P '-......
'--
MMPQ2222 NMT2222
-
EB '-
EB
E B •ª C1 '' -
B2 ........
..._
SOIC-16 lllltk 100
..__
NPN General Purpose Ampllfler ..._,
Thls devlce Is ror u~ as " medlum power ampllfter and '---

5Witch requiri1g coll«:tor currents up to 500 mA. Sourced
1\"am Process 19.
,_
Absolute Maxlmum Ratlngsiot TA•~ unlea• olheNl1ee notad
'--'
Symbol Parameter Value UnttB
'-
Vcw Cdector-Bnb!r Voltage 40 V
Vcso Cdklctor-Bue Volage 75 V
vf!l!O Emltter...ease Voltage 6.0 V
le Collacio< Current - COOtnious 1.0 A
'
TJ, T91a ~i"g end &orage Jt.neion T~re Renge -55 to +150 "C
" " - ratkiga . . hleng 'lll~ ebovo whlch !he 11erv1ceablily af eny aMTilconduclor devbl rnrr be lmp.Jred.
HQJD.:
1) Th•H rt11ng1 .,.. ba"4 oo • nW<lm\all Jundlon tlom¡:>tft1'.n Of 1 fiO d~c c .
2> Tho.e ere ttca<ly ttalo ..-rib. Tho t.dory Jnould bo ~ ~ 1PC>ílcden• ln'toMnQ iiulto4or1QW du!v eyel& o~-.
,_
2. TRANSISTOR ELECTHÓNICA AN,Í.I.OGA: TEOHIA Y LAllORATOlllO 307
/-"'-..'
Electrical Characte ristics TA: 25"C UÑMUI ~ oaled

..
Symbol 1 Parameter Test Conditloos Mln 1 Max 1 Unlts
OFF CHARACTERISTICS
V !Jll'lCE<i Colector-8nlter BraakdO'M1 Vottaoe• le =1O rnA. le =O 40 V
Vip.y::.so Colector-Ba!e Brealcdown VolalJe le"' 10 µA, I! "'O 75 V
V~ Emlter-Base Bl'98.l«fotM1 VOOIQe 1i!.=10µA,le=O 6.0 V
1~ Col&ctór Culóff Ci.lrroot Va;.= 00 v. Vea¡OA') =a.o V 10 nA
--- ICl!O Collector Cutofl Ci.imMlt Vca=OO V, le= O
Vr-n=&JV !.: =O. T.o=1SO°C
O.o1
10
µA
uA
le:so Errtttar eutmr Cuíl'Wlt VEP>::::: 3.0 V. le = O iO nA
lst Base cutorr eurreot Yct!.=OOV, VEB<°"l = 3.0V 20 nA
,,,.--.. 1
l
ON CHARACTERISTICS
h,I!. oc Currant Gai"l le= 0.1 mA, Vcl!. = 10 V 85
---- '!
le= 1.0 mA, Vcl!. = 10 V 50
le= 10mA,Vea=10V 75
! le= 10mA, Ves= 10V. T>.= -55°C 85
-- . 1l. le= 150 mA. VCE = 10 V" 100 300
¡ le = 150 mA, VCE = 1.0 V" 50
le = 5C() mA Va.= 1OV" 40
,-.. l co11octx-~r Sahlratioo v<JJ.a<;p~ le= 150 mA, la= 15 rM 0.3 V
1 V~
'" = 5CXJ mA lo. =50 rM 1.0 V
Vsel"I! Clase-Emllter Satura.Hon volage· =
le= 150mA,18 1.0 mA 0.6 1.2 V
1,, = 500 mA '" = 5.0 mA 2.0 V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS {axcept MMP0.22:2211rldNMT2222)

f, Current Galn - Bandwidth Produd le= 20 mA, Vce = 20 V, 1= 100 MHz 300 MHz:
C<:t>o OIApUC Capadtanee Va.i;:;.10 V. le= O, f• 100kHz 8.0 pF
Cm Input Capad'ance Va= 0.5 V, le• O, f• 100 kHz 25 pF
rb'Cc Co~B~ Tma ~ni le= 20 mA. Ves= 20 V. f= 31.8 MHz 150 pS
NF No15e Figure 1c = 100 ¡¡A Ve! = 10 V, ti.O dB
fu= 1.0kn f= 1.0 kHz
R.c(h1e) Real Part of Carroon-Bli1Ef =
le= 20 mA, Vce 20 \/, f= 300 MHz 80 a
H~h F-- ·-;,;:;.; lnoot trwedanca
SWITCHING CHARACTERISTJCS (e~pt MMP0222:2. end Hl.{1"2222)

id DelayTrna Voc = 30 V, V~,..,= 0.5 V, 10 ns
1r Ri$eTme le= 150 mA, fst =15 mA 25 ms
t. &omgeTma V~=30V,lc=150rrA, 225 ns
1t FalTlme 1111=llll;:15 mA 00 ns
Spice Model
NPN (ls=14.34f Xtl=-3 Eg=1.11 Vat-74.03 Bt=:2óó.9 fll.&::1.307 lss=14.34f lkf-:.2847 X1b=1 .5 Br-6.092 Nc=2
hsc:=O lkr=O Rc=1 Cjc=7.300p Mjc=.3416 V¡c=.75 Fc=.5 Cjc-=22.01p Mje=.317 V]C=.75 Tr-46.91nTf--411.1p
ltt=.6 vtf=1.7 Xtf.=3 R0=10)
LABORATORIO 2 ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TJo:ORÍA Y LAIIORATORIO 308
TRANSISTOR DTPOLAR
E7LABORATORIO 2. J
TRANSISTOR BIPOLAR
INTRODUCCIÓN . -._/
"En este laboratorio se trabaja con el transistor bipolar, luego de adquirir

las bases teoncas de su funcionamiento. Las prácticas propuestas son básicamente de
verificación, así que se recomienda desarrollarlas con suma atención, tratando de encontrar
solución a sus inquietudes o dudas que se pres.entaron en el estudio teórico.
Antes de iniciar el desarrollo de las prácticas, leer el laboratorio para sacar el listado de ·
materiales y equipo requerido .
ILAB2.2.¡ ~ ·PROCEDIMIENTO
2.2. l. Adquirir cualquier transistor de baja potencia; se recomienda
utilizar los transistores 2N2222 y 2N3906, o sus equivalentes. También se puede utilizar el
circuito integrado Ml\11PQ2222 y el complementario (ver las especificaciones)
2.2.2. Consulte el manual de fabricante y anote las especificaciones de los transistores
utilizados. ...__,
2.2.3. Determine los terminales de los transistores. Se. debe identificar la base, colector y
emisor de los transistores. Esta identificación se puede hacer de diferentes maneras:
• De acuerdo al manual, se indica la posición de estos terminales. Es una alternativa, sin
embargo, teniendo en cuenta que los transistores que se adquieren comercialmente muchos
no cumplen especificaciones, puede suceder que los terminales del transistor real no
concuerden con los terminales anotados en el manual. ¡No se debe descartar esa
posibilidad!
• Utilizando multímetro. Es el mejor método y el más fiable, cuando se trata de dispositivos
no originales.
Normalmente los multímetro digitales dentro de sus diferentes funciones posee la opción de
medida de continuidad-diodo. Entonces se coloca la llave en esa posición. Los cables del
multímetro deben estar colocados en la posición: V/D. para el cable rojo y COM para el cable
negro. Entonces, el cable rojo es el positivo y el cable negro es el negativo. Como los
terminales del transistor se desconocen, entonces se numeran como indica la figura.
e
1 2 3 Colocando las puntas roja y negra como se indica en la siguiente tabla, anotar las
medidas pedidas; Esas medidas están dadas en mV
.._.
MEDIDA
ROJO l 1 2 2 3 3
NEGRO 2 '.l 1 3 l 2
LABORATORIO 2 ELl~CTRÓNICA AN.Á..LOGA: TTmRL\ Y L,\JlORATOntO 309
TRANSISTOR BTPOLAR
De las medidas dos deben ser bajas, las cuatro restantes no indican medida. Para las dos
medidas bajas, un pin del transistor es común, ese terminal es la base. Además, de las dos
medidas, la menor indica el terminal colector y la medida más alta corresponde al terminal
emisor.
Por ejemplo para un prototipo se obtuvo lo siguiente:
MEDIDA alta alta 595 592 alta alta

ROJO l l 2 2 3 3
NEGRO 2 3 l 3 l 2
Para las dos medidas bajas el terminal común es el 2 y se tomó con el cable roJo del
multírnetro, así que la base es el pin 2 y es un transistor NPN.
La medida más baja se tornó con el pin 2 y 3, es decir, que el colector es el pin 3.
La medida alta se tomo con los pines 2 y 1. luego el pin 1 es el emisor.
Efectúe el ejercicio con diferentes transistores.
2.2.4. Trace las curvas características del transistor. Para conocer las curvas de salida de
un transistor, se puede emplear diferentes métodos:
• Utilizando las curvas que entrega el fabricante del dispositivo . Este método es efectivo
cuando se utilizan unidades originales. Pero los transistores que se adquieren normalmente
no son originales.
• Utilizando un trazador de curvas. Es un equipo especializado, muy costoso y que no está
disponible en el laboratorio.
• Mediante un circuito prueba y efectuando medidas consecutivas. Este es el método que se
propone. Es bastante efectivo.
El circuito que se propone para obtener los valores con los que se pueden trazar las curvas
características se muestra en la F1G(LAB2. l)
I
VBB ..::::;z:_
VBE
FlG(LAil2. l)
•,
. .
LABORATORIO 2 l~LEC:l'llÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LAnORATORIO 3 lQ
TRANSISTOR BIPOLAR
El circuito contiene el transistor bajo prueba, dos fuentes, una conectada a la base en serie con
la resistencia !imitadora R y la segunda fuente, que alimenta directamente al colector-emisor.
Ambas fuentes son ajustables. Y se colocan cuatro medidores: dos que indican la corriente de
base y de colector y dos que muestran las tensiones base-emisor y colector-emisor. En cuanto
a estos instrumentos se recomienda utilizar medidores digitales y en lo posible, si no son de
autorango, mantener sin cambiar de rango durante todas las medidas. Cada vez que se cambie
el rango, se produce cambio en las medidas, debido a resistencias internas de los instrumentos.
Una vez efectuado el montaje del circuito, ajustar las fuentes Vnn y V cE al mínimo, de manera
que los cuatro instrumentos indican cero.
Ajustar V rn = l V y variar lentamente la fuente V nn hasta que el amperímetro de la base
indique 20µA. Tomar lectura de los instrumentos VnE e le.
Manteniendo Vc:E = IV, aumentar Vnn hasta obtener In= 40µA. Tomar nueva lectura de V 11 g
e le.
Repita el proceso y complete la siguiente tabla con los valores leídos.
-
Vn: = lV
f-----
I11(µA) 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

..---
lc(mA)
Vnr.(V)
Ahora aumentar V CE = 5V e completar la siguiente tabla

¡-vn~~sv
InülA) 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

lc(mA)
> - -· ----·-
Vn~:(V)
- --- -- ·- ·-
Ahora aumentar V cE = 25V e completar la siguiente tabla

Ver.= 25V
ln(µA) 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
-
Ic(mA)
.____
Vn¡;;(V)
Estas tablas se pueden trasladar a un plano de Vrn vs le con variación de In, al igual que al
plano V1m vs In con variación de VcE- Así se obtienen las gráficas correspondientes a las
características de salida y entrada del transistor bajo prueba.
'I . ! 1,·
s1mp emen!é MU~!~d ~~rn ~lJl1[0 C0íl ~
1
Si solo se requiere un punto especítico de operac1on,
circuito prueba y se determinan las característi cas particulares de ese punto .
LAI10RATORIO 2 EU~CTRÓNICA ANALOGA: TEORIA Y LABORATOlllO 3l J
TRANSISTOR BrPOLAR
2.2.5. Polarización y efecto térmico. Uno de los problemas que tiene que enfrentar todo
dispositivo construido con semiconductores es el de la temperatt!ra. Así que se deben
establecer mecanismos circuitales para mantener la operación de un transistor dentro de los
límites fijados, controlando el efecto que la temperatura ejerce sobre el circuito.
Construya el circuito de la FIG(LAB2.2) utilizando el
+Vcc transistor de prueba del numeral anterior. Mantener S 1
abierto y S2 cerrado. Ajustar el valor de Vcc, R 1 y Re
para asegurar que Vrn = Vcc / 2, para la corriente le que
asigne el monitor.
Colocar amperímetros y voltímetro para verificar que las
corrientes de colector y base y tensión base-emisor son
las previstas en el diseño.
Acercar al cuerpo del transistor un cautín previamente
Rl
caliente y manténgalo durante un tiempo determinado (a
su criterio fije el tiempo). Observe cómo varía le. In y
VnE. Anote estos valores finales .
IB
Anote sus observaciones.
Deje enfriar el transistor, cierre el interruptor S 1 y abra el
interruptor S 2 . En esta forma el circuito completo queda
conformado por el transistor, tres resistencias, el
RE ~2 potenciómetro y la fuente Vcc. Ajuste lentamente el
reóstato R2 hasta asegurar las condiciones iniciales:
l Vn: = Vcc / 2 y Ja le: dada por monitor.

Acerque el cautín al circuito y manténgalo igual tiempo
que en la primera experienci a. Observe las variaciones de .
FIG(LAil2.2) de le, In y VnE y anote estos valores al transcurrir el
tiempo previsto. Por último, aumente RE al doble del valor anterior, y ajuste nuevamente Ri
hasta obtener las condiciones iniciales. Aplique el cautín durante el ti empo previsto y anote los
valore finales de V 1m e le.
Como resumen complete la siguiente tabla.
CONDICIONES INICIALES @ To =
Yo:=
CONDICIONES FINALES @ T > To, Tiempo que se aplica el cautín =

-· -
CIRCUITO VuF. le: Tn Vrn ~ = le I In
·--- -
lcr Cto: Polarización Fij;i
·-··-·- - ·- ------
2º Cto: S l cerrado. S2 abierto
·-···-
Jer Cto: Ru doble
~Af
. . ...
~:
~
; '--
LAilORATORIO 2 ELECTRÓNICA ANALOGJ\: TEORÍA Y LADORATORIO J 12
TilANSISTOR BIPOLAR
2.2.6. Anote sus observaeiones y conclusiones.
ILAB2.3.¡ ~ PROYECTO-INVESTIGACIÓN
Sería interesante emprender la construcción de un circuito con el que se
puedan obtener las curvas características del transistor, ayudado con el osciloscopio. Se
propone consultar en diferentes textos, posibles circuitos que realicen esa función y efectuar su
constrncción.
Se recuerda el proyecto que se propuso en el segundo laboratorio, consistente en el montaje de
un horno en el que se controle la temperatura y que se pueda estudiar el comportamiento de
los dispositivos al cambiar la temperatura. El horno debe disponer de las salidas para conectar
distintos instrumentos de medida. Este proyecto es también interesante y de bastante utilidad, .
no solo para los transistores sino en general para todos los dispositivos electrónicos.
NOTAS PERSONALES
J. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TIWRI A Y LABORATORIO J J3
3.1. INTRODUCCIÓN 3.2. FUNCIONA!\·f lENTO
TRANSISTOR
3~ EFECTO DE CAMPO
INTRODUCCIÓN
El Transistor Efecto de Campo FET (Field Effect Transistor) es
otro dispositivo semiconductor que trabaja según un principio completamente distinto del
transistor bipolar. El FET es un dispositivo de tres terminales capaz de amplificar. Existen dos
tipos básicos: uno de ellos se conoce como transistor FET de unión o simplemente JFET; el
otro tipo se conoce como FET con puerta aislada IGFET (Isolated Gate FET) ·o I'vIOSFET
(Metal Oxide Semiconductor FET)
FUNCIONAMIENTO.
,.-.,, :
1
La construcción de un JFET se inicia con silicio extrínseco llamado sustrato.
SOURCE DRAIN Vos ID

FUENTE DREN/l.JE
"'"'°': o
,.-.._,;
VGS-=-
_,...._,, SUSTRATO p
......___
G
COMPUERTA
,........._ GATE
,.....__
FIG3.l FIG3.2
El sustrato sirve de soporte para todo el sistema y puede ser del tipo P o N. Dentro del sustrato
se forma una región dopada en forma contraria a la del sustrato, denominada canal. Las dos
regiones mencionadas constituyen una unión NP. Por ejemplo, si el sustrato es de material tipo
P, el canal es de material tipo N o si el sustrato es del tipo N, el canal será del tipo P. De los
extremos del canal se derivan dos terminales: uno denominado Source o fuente o S; el
segundo recibe el nombre de drnin o drenaje o D. Del sustrato se deriva el tercer terminal
llamado Gatc o compuerta o G como se ilustra en la FIG3. l.
Para el funcionamiento del JFET se requieren dos fuentes: una se aplica entre G-S de tal
manera que la unión PN que se forma allí quede siempre polarizada en inverso. La otra
......
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTHÓNlCA ANÁLOGA: TEOR[A Y LAllORATORIO 314
3.2. FUNCIONAMIENTO
fuente se coloca entre D-S con la polaridad indicada en la FIG3.2 que corresponde a un JFET
de canal N. La fuente drain-source genera una corriente que circula a través del canal; esta
corriente es la corriente de drenaje 10 . El canal representa realmente una resistencia la cual se
conecta a una fuente Vos.
La fuente V es que polariza en inverso la unión PN, generará dentro del canal una zona vacía o
barrera, semejante a la de un diodo y que será mayor todo lo mayor que sea la tensión V cs. Si
VGs se coloca variable como en la FIG3.2, cuando Ves = OV, no existe la barrera entre el
sustrato y el canal como en la FIG3.2. En esta situación la corriente de drenaje lo dependerá
de la resistencia que presente el canal. Al aumentar V es aparece la zona vacía como se indica
en la FIG3.3A y si Ves es aún mayor, así mismo, la zona vacía será mayor como muestra la
FlG3.3B.
vos Vos ID
__..
~----<111---~ ~------1111----__,
VG - N VGS-=- N
p p
G
(A) (8)
FIG3.3
A la vez que la zona vacía aumenta por aumento de la tensión inversa V es, el canal se va
estrechando, así es que en la FIG3.3B habrá un voltaje Ves tal que la zona vacía se hace tan
grande que bloquea o tapona el canal. El estrechamiento del canal implica que la corriente
que circula por allí, In disminuye por el aumento en la resistencia del canal. En la FIG3 .3B,
en que se muestra al canal taponado, lógicamente la corriente 10 se anulará; de este
comportamiento se deduce que 10 es controlada por V r;s en forma inversa, así, si V c;s = O, no
hay zona vacía de portadores, el canal está libre y circulará una corriente lo sólo limitada por
la resistencia propia del canal. Al aumentar V c;s, aparece la zona vacía bloqueando poco a
poco el canal y disminuyendo en igual forma la corriente 10 . Para una tensión Ves grande, la
zona vacía bloquea completamente el canal e 10 es cero. Entonces se distinguen dos
situaciones extremas:
Para V GS =O, 10 es máxima,

Para Ves máxima, I 0 = O.
A In máxima se le identifica como 1oss y se conoce corno Corriente Drain-Source de
Saturación y a V c.;s máxima se denomina tensión Pinch-off o tensión de apagado V GSoff·
Vos tiene también influencia en la formación de la zona vacía, ya que, como se observa en la
FIG3 .3 , la zona de agotamiento es más ancha en la proximidad del potencial positivo de V ns.
Por otro lado, si Yns aumenta de cero a valores más altos. lu también aumenta pero hasta
cierto punto en que aumentos mayores de Vns harán que In se estabilice; a partir de allí, el
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO IEU:crnóNIC1\ ANALOGA: Tl'.Oltli\ y L/\llOfiATOIHO 3 15
3.2. FUNCIONAMlENTO
aumento de lo es casi inapreciable. El valor de Vns que se requiere para obtener la Inss se
denomina tensión Iimitadora Vp. Este valor se entrega referido a Ves = O. En la
práctica V r se aproxima en magnitud a V cs 0 rr:
Vr = 1 Vcsorr 1 (3.1)
En la Fl GJ .4 se muestran las curvas características de salida Tn vs Vos con Ves variable.
Observar que cuando V(;s = O, se obtiene la máxima 10 , es decir, loss. Al aumentar
negativamente Ves, In va disminuyendo hasta que se tiene Vcsorr con 10 =O.
Las zonas de trabajo tienen nombres diferentes para el JFET: la zona apta para amplificar se
denomina zona de saturación, y la zocá a la izquierda de Vp se llama zona Óhmica, y no es
apta para amplificar. Sin embargo, se puede emplear en el mismo sentido la expresión: zona
de saturación o zona activa p:;ira indicar lo mismo.
En la FIG3. 5 se muestran los dos tipos de JFETs con las fuentes de voltaje y resistencias
!imitadoras.
'º VGS =o
IOSS -- -- - ----------- - -------+-+++-+-'
1 ZONA OHl\UCA ~
.....-..----ü ~~~~--t-+-if-+-1
I ~ VGS2
~ ---t-t-t-'
<
en
. ____¡___ ~ ~~~~--t-t-'
<
z
__..t..-----+-- ~ ~~~~--t~
Vos
Vp
FIG3.4
En la FIG3.5A está dibujado el JFET canal N (el sentido de la flecha en el símbolo indica el
tipo de material del sustrato). La fuente VGG polariza en inverso a la compuerta. El circuito de
salida tiene la fuente V00 en serie con la resistencia Rn que actúa como !imitadora para la
salida y también de carga. En la FlGJ.SB se muestra la disposición equivalente con el JFET
canal P.
Algunas diferencias entre los dispositivos JFET y bipolares son:
1. El JFET presenta resistencia de entrada muy alta debido a la polarización en inverso; su
valor es del orden de los MegaOhms. Debido a esta polarización inversa, existe una
corriente muy pequeña en la compuerta denominada Icss (corriente inversa de
compuerta). Para efectos prácticos, no se tiene en cuenta.
3. TRANSISTOR .EFECTO DE CAMPO ELECrHÓNICA ANALOGA: TEOR{A Y Li\DOIV\TORIO 3} 6
3.2. FUNCIONAMIENTO
El transistor bipolar, por el contrario, presenta resistencia baja en la entrada y la corriente

en la base es apreciable y corresponde a la corriente de base Iu. Recuerde que la juntura
base emisor del transistor bipolar se polariza en directo.
Ro Ro
RG o
..
101 -=- Voo
D
lrt
-=-Voo
s s
[A) [B}
FIG3.5
2. El JFET es un dispositivo controlado por voltaje, puesto que la corriente de salida In es
controlada por la tensión inversa de entrada Vcs.
En el bipolar, la corriente de salida le es controlada por la corriente de entrada In, entonces el
B.TT es controlado por corriente.
3. El JFET es un dispositivo unipolar, es deeir, que opera con un sólo tipo de portador: huecos
o electrones.
El BJT también llamado bipolar, opera con ambos tipos de portadores huecos y electrones.
Algunas ventajas del JFET sobre el Bipolar:
1. El JFET es un dispositivo de bajo nivel de ruido por lo que es adecuado en etapas de bajo
nivel de señal como amplificadores de radio frecuencia (RF)
El transistor bipolar presenta nivel de ruido apreciable por lo que en su füncionamiento operan
ambos tipos de portadores, así que el dispositivo no es recomendado para la amplificación de
señales muy pequeñas.
2. El JFET es mucho más estable térmicamente, en comparación con la inestabilidad del BJT.
3. El diseño y configuración con JFET son más sencillos que con el transistor bipolar
Además de las características de salida, mostradas en la FJ G3 .4, tiene también importancia
para el análisis del JFET las características de transferencia de entrada en las que se especifica
la corriente de compuetia In con respecto a la tensión Vcs. Esta gráfica se muestra en la
FIG3.6. Es una curva cuyos puntos de corte con los ejes horizontal Ves y vertical 10 son:
Vcsorr para lo = O e Ioss para Vc;s = O, respectivamente. Esta curva, que refleja el
comportamiento del JFET en su entrada, se aproxima a la ecuación matemática de una
parábola y que se expresa en la siguiente forma:
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAl\-1P0 ELECTRÓNICA ANALOG,\: TEORIA Y Li\IlORATOHIO 317
3.3. POLARIZACIÓN
La Ec(3. 2) da la curva de transferencia de entrada

'º teórica. Si en la Ec(3 .2):
IOSS
Ves= Vcsorr
,-,
i¡
entonces lo = O, pero si V es = O entonces
1
'""' i lo= loss
t Además de V csorr y de Ioss, se tiene un tercer
---¡ VGSoff
parámetro dinámico que indica la amplificación del
JFET. Este parámetro se denomina
;
! Tnmsconductancia que se representa como gm y
,...-... l' se define:
FIG3.6 (3.3)
POLARIZACIÓN.
Al igual que con el transistor bipolar, el JFET se debe polarizar en forma
adecuada para que opere como se desea. Entre las distintas
polarizaciones están:
Polarización fija : Su disposición típica se muestra en la
FIG3.7. El circuito incluye la fuente Vcc qu e polariza en
inverso la compuerta-fuente, Re que es una resistencia de
10 valor alto y cuyo objetivo es reducir sensibilidad a la entrada
del JFET debido a su alta impedancia; A través de esta
~-
+ . resistencia no hay corriente, así que: le = O y:
Vos Vc;s = -Vc;c (3.4)
La malla de salida:
Vnn =Ro In+ Vns (3.5)
La corriente que circula a través del drenaje y la fuente es igual
,....._
¡ debido a que estos dos terminales están en los extremos del
canal, a diferencia del transistor bipolar que la corriente de
colector y de emisor es diferente.
FIG3. 7 El hecho de que el drenaje y la fuente estén colocados sobre la
misma barra semiconductora (el canal) permite que estos dos terminales puedan ser
intercambiados, es decir, la fuente puede conectarse como drenaje y lo contrario: el drenaje
puede conectarse como la fuente. Esta característica se generaliza para dispositivos de baja
potenci a. Para otros dispositivos que contienen diodos de protección entre drain-source, no es
posible hacer este intercambio de terminales. Entonces, se recomienda consultar
.--. ,
1
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECrRÓNICA ANÁLOGA: TEOR!A Y LAUORATOHIO 318
3.3. POLARIZACIÓN
especificaciones de fabricante de las unidades que se utilizan, para estar seguro de si los
terminales son o no intercambiables.
i::¡¡=- EJEMPLO
El circuito de la FIG3.7 presenta las siguientes características: Re= lOM.0 , Rn = 8.2 K,
Voo = 12 V, Vc;c = 2 V.
El JFET tiene: loss = 2 mA, Ycsorr = - 4V. Analice el circuito.
SOLUCIÓN. -'1
De Ja Ec(3.4): Vcs=-Vcc = -2V
De la Ec(3.2) : I 11 = Ioss (1- -ves

-)
'2
= 0.5 mA
V GSorT
De la Ec(3.5): Von =Ro lo+ Vos:
VosQ = 7.9 V
Para asegurar que el dispositivo opere en saturación (activa) se debe cumplir con la siguiente
desigualdad:
V oso > V r - 1 V c;s 1
Si: Vnso ::; Vr

Entonces el JFET opera en la zona Óhmica
De la Ec(3. l): Vr = 1 Vcsorr 1 = 4V
Luego se cumple la desigualdad y el JFET opera en activa
Autopolarización: es la segunda forma de polarizar al JFET y

cuyo circuito se muestra en la FIG3.8.
Utiliza una sola fuente de alimentación Von y la fuente VGG se
elimina añadiendo una resistencia en el terminal de fuente Rs.
La malla de entrad<L es:
O= Ves+ Rs lo (3.6)
De donde se puede determinar VcsQ o Rs, dependiendo del
problema.
Para la malla de salida, se define:
Rnc = Rn + Rs (3.7)
Luego:
Ynn •fine In t Yo~ (J.~)

3. TRANSISTOR EFECTO DE CAl\'IPO l!.Ll~CTRÓi'IICA ANALOGA: TEOltfA V LAílORATOlllO 3 19
3.3. POLARIZACIÓN
Entonces, la resistencia Rs tiene corno fin polarizar al dispositivo, además, de asegurar

estabilidad térmica, al igual que lo hace la resistencia de emisor en el transistor b_ipolar.
EJEMPLO
•• En el circuito de la FIG3.8 se tiene: Re; = l M, RD = 6.2 K, Rs = 1.5 K, Von = 24 V y los
~l
parámetros del JFET: lnss = 3 mA, Vc;s0 rr = - 4 V. Determine el punto de funcionamiento del
circuito.
1
~l SOLUCIÓN. -..,/
Una solución es trazar la curva de transferencia de entrada a partir de la Ec(3 .2), dando
distintos valores a Vr;s y obteniendo los correspondientes valores de 10 El resultado se
1 muestra en la FIG3.9 en donde se anexa la tabla de valores correspondiente .
..-t
En la Ec(6.6) O = Ves + Rs ID hay dos incógnitas lo y Ves, entonces dando dos valores
distintos a Ves y reemplazando en esta ecuación se obtienen los correspondientes valores para
In, asi: Si Vc;s = O entonces lo =O ~
Si V(;s = -4.5 V, entonces ID = 3 mA
- ... 1O (mA) VGsM Jo[mA)
3
o 3
-0.5 2.3
-1 1.69
2 -1.5 ·1.11
-2 0.75
-2.5 0.42
1 -3 0.19
'
-VGs:
1
-3.5 o.os
-4 -3 -2 -1 o -4 o
FIG3.9
Marcando estos puntos sobre la gráfica de la FlG3. 9 y uniéndolos con un segmento de recta,
su corte con la curva determina el punto Qnc de funcionamiento. Allí se Ice:
Vcso~-1 .6 V, Ino"""l.lmA.
Se puede determinar este punto de funcionamiento no gráfica, sino analíticamente y los
valores obtenidos serán cercanos. Se procede así:
De la Ec(J.6): O= Ves+ Rs In se determina:
Ves = - Rs 11)
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOHIA Y LAilOIU\TOnIO 320
3.3. POLARIZACIÓN
2
Reemplazando en la Ec(3 .2): 10 = I nss (1 - VVGs ) queda como incógnita In, así que
GSolT
procesando matemáticamente y resolviendo In se llega al siguiente resultado:
1 - 21 DSS R s ± 1 - 4 I oss R s
Io = _______
V GSolT 2_ V
_ GSolT
__
(3.9)
21 oss Rs
'-~
El valor de 10 debe satisfacer la condición:

'--'
O < In < lnss
En la Ec(3. 9) se debe tener en cuenta el signo de Vcsorr, ya que al hacer el desarrollo no se · 1
'--
tuvo en cuenta su signo menos. l

f
Para el ejemplo analizado, reemplazando se obtiene: l{ -.........
In = 6.63 mA > loss luego este valor se descarta.

...__
10 = 1.07 mA < loss que es el valor.
De la Ec(3.7): Roe= Ro+ Rs = 7.7 K i -
Y reemplazando el valor de In en la Ec(3.8): l
Vnn =Roe lo+ Vos
Se obtiene: Vos = 15.76 V ---
Este valor indica que el circuito está operando en zona activa (saturación) ya que cumple con
la desigualdad:
V nsQ > Vp - 1 V GSQ 1
Más e.delante se estudiará el comportamiento de las rectas de carga.

--
Polarización universal: Es la última forma de polarización del JFET
y su circuito se muestra en la FlG3.10. Resolviendo el circuito
equivalente Thevenin y planteando las mallas de entrada y de salida,
se obtiene: Re = R1 11 R1 (3. 1O)
'º +
V
GG
= R1Yoo
R¡ +R2
(3 .11)
Vcc =·Ves+ Rs In (3 .12)

La malla de salida es igual a la dada por la Ec(J.8).
Rs Para efectos de análisis, en la Ec(3 . 12) se tienen dos incógnitas Ves e
·-
1 lo, así que se procede como en el ejemplo anterior: dibujar la curva
de transferencia de entrada, fijar dos valores de V c;s obteniendo de la
~·
FIG3.10 Ec(J.12) la corriente In correspondiente, ubicar esos valores en la
1
J 3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LAllORATORIO 32 l
3.3. POLARIZACIÓN
!
gráfica y trazar el segmento de recta que una los dos puntos. El co1ie de la recta con la curva
j de transferencia determina el punto Ooc en la entrnda (Y GSQ, loQ) .'
l
EJEMPLO
J
j Analizar el amplificador de la FIG3.10 si: R 1 = 280 K, R 2 = 2 M, RD = 2.5 K, Rs = 1.5 K,
j
\ VoD = 16 V y el JFET presenta las siguientes características: V csorr = - 4V, Ioss = 8 mA.
SOLUCIÓN. ~
Trazando la curva de transferencia a partir de la Ec(3.2): 10 = loss (1- VVes ) 2 tabulando

· GSoff
valores, se obtiene la, tabla de valores que se muestra a continuación:
Yes o -0.SV -1.0V -l.5V -2.0V -2.5V -3 .0V -3.SV -4.0V
lo 8mA .13mA 4.SmA . 13mA 2mA 1.13mA O.SmA 0.13mA OmA
La gráfica correspondiente se muestra en la FlG3 .11
lo(mAJ
2 'ºª
-4 -3 -2 -1 o 1 2
VGsa
FIG3. l l
De la Ec(3. 1O): Re: = R1 11 R2 - 245 .6 K

3. TRANSlSTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOIÜA Y LABORATORIO 322
3.3. POLARIZACIÓN
De la Ec(3. l l): V = RIVDD = 1.965 V

GG R l +R 2
De la Ec(3.12): Vcc = Ves+ Rs 10 , se fijan dos valores para In, y se obtienen los valores
correspondientes de V es, así:
Si lo= O entonces Ves = 1.965 V
Si 10 = 4 mA entonces Ves = -4.04 V
Ubica los puntos CID, V es) sobre la gráfica de la FIG3 .11, traza la recta que los une y el punto
de intersección de esta recta con la curva de transferencia fija el punto de funcionamiento. Los
valores leídos de la gráfica son:
IoQ ~ 2 .5 mA y VcsQ ~ - 1.75 V
De la Ec(3 .8): Yoo = Rnc lo + Vns
Vns = 6V
Y de la Ec: VnsQ . > Vr - 1 VcsQ 1 = 2.25V
Si VnsQ > 2.25 V, el JFET estará operando en la zona de saturación y efectivamente se cumple
la desigualdad. ·· ·
Observe en la FIG3. l l que la recta pasa al plano derecho. Esta es la característica de esta
polarización y que trae ciertas ventajas(¿?).
Lo referente a los JfETs de canal P, el manejo es similar que para los JFETs de canal N, solo
que las tensiones cambian su polaridad y las corrientes están en sentido contrario. Cuando se
trabaje con FETs de juntura (JFETs) canal N o P, tener en cuenta las recomendaciones de
polarización y nombre de terminales que se indican en Ja FIG3 .15.
+·v -V
~
+V -V
D s s
G .....
,,. G G G
D -...
s D s --
FIG3.1 5
Observe como los terminales drenaje (D) y fuente (S) se intercambian, de acuerdo a la
polaridad de la alimentación que se esté aplicando al dispositivo.
Los siguientes ejemplos utilizan la recomendación de polarización dada en Ja FIG3.15.
-~
EJE1VIPLO
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO F.LECTRÓNICA At~,\LOGA: TEOIÜA Y LAJ!Olv\TOHIO 323
3. 3. POLARIZACIÓN
Determine las corrientes y tensiones de polarización del circu ito de

,-. -VDD
IOV
la FIG3 .16 si el JFET presenta las siguientes características:
Vcsnrr= -2V, Ioss = IOmA
R2
2K
SOLUCIÓN. ~
~- 1 Pianteando la mall a de entrada se tiene :
l Voo = R2lo+VsG
~ ¡
La ecuación tiene dos incógnitas, entonces se puede combinar con
~ l RI la ecuación cuadrática:
l
........ 1
ll\.I
I o =l oss ("!- yVc:s )1

i -::-
1
1 GSofT
FIG3.16 Para este ejemplo se aplica el método gráfico, así que se traza la
curva característica tabulando la ecuación cuadrática.
Ves o -0.SV - l.OV -1.SV -2.0V

lo IOmA 5.63mA 2.SmA 0.63mA o
~- ... 1
1
Y de la malla de entrada, Von = R 2 10 + Vsr;, se escogen dos valores arbitrarios. por ejemplo:
ParaVsc; = O :=;> In = SmA
Para Vsc; = -2V :=;> In = 6mA
lfbicando esos dos puntos sobre la gráfica, se traza una recta, como indica la FIGJ.17. En el
punto de intersección de la curva y la recta encuentra el punto de funcionamiento.
ID ntA
10
8
VSGQ =-0.55V
1
6 IDQ = 5..3mA
1
1 1
1 1
1
1 1
1
1 J. ___, - - -
1 ' 2
1 1 11
1 1 1
__,_:;- -- - - -r-- --- ~ - -- -- -
~
VSG V~---1
-211 -15 -1.0 -05
FIG3. l 7
-. Observe que la recta, si se prolonga, se proyecta hacia el eje positivo de la tensión . Esto es
debido a la presencia ele la tensión Vnn en la malla ele entrada. Ahora, de la malla de salida:
Vnn = (R2 + R.1) In+ Vsn
~~-.-
:~ .:;
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTHÓNIC-:A ANÁLOGA: TEORfA Y LADORATORIO 324

3.3. POLARIZACIÓN
Se obtiene: Vso=-2. l9V

El resultado indica que el JFET está operando en Ja zona Óhmica.
Se propone como ejercicio, rediseñar el circuito para asegurar operación en la zona de
saturación.
c:JJr EJEMPLO
Determine la zona de operación del amplificador de la FIG3. l 8(A). Si está fuera de saturación,
rediseñar para asegurar el füncionamiento en esta. zona; Para tal situación asuma lo que
requiera. Las características del JFET son: loss = 20mA, V scorr = - 2V.
El circuito tiene polarización por divisor y la fuente de alimentación es negativa. Inicialmente

se aplica el teorema de Thevenin, resultando :
Vcc = Ri Voo I (R1 + R2) = -3V
Re = R1 11 Ri. ;::: 0.8M

La malla de entrada para el circuito equivalente se muestra en la FIG3 . l 8(B), y se define
1~
como: VcG = R-t To+ VsG
Por otro lado, de la ecuación cuadrática:
V l
I () = l l>S.~ ( 1- V~) 2 J
(:SolT
Se puede resolver el sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas, mediante el método gráfico
.._,
o se puede analíticamente, y es en esta forma que se desarrolla para el ejemplo.
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELl\Cl'llÓNICA ANALOGA: TEORIA Y LABORATORIO ) 25
3.3. POLARIZACIÓN
El objetivo es deducir una ecuación que se aplique a este tipo de polarización, entonces, se
procede en la siguiente forma:
.-... De la malla de entrada (en general para el JFET canal N):

V ce; = V es + Rs In
Se reemplaza la cuadrática:
-
-
Factorizando, la ecuación se lleva a la forma de una expresión cuadrática:
R s f oss 2 2 R s 1oss
(-V--2)VGs -(-·-.y------ l)Ycs +(Rsloss-Vcc)=O
GSolT GSolT
Resolviendo esa ecuación cuadrática, se llega a la expresión final:
2Rs[nss Ji2Rsln:·~- Rsloss

<- - v·:~---- -t)± <--v-.------+t) 2
- 4<--y-·----l ·)(Rs • nss - vc:c:)
V _ _ <,SolT
GS - l
l ( . SolT - - ·
R [
GSnlT (3. 13)
rM,._¡s"> 2( __: s os~)
V i
GSolT
Entonces aplicando la ecuación Ec(3 .13) se puede resolver cualquier circuito con JFET que
tenga polarización por divisor. Para determinar la corriente 10 , simplemente se reemplaza en la
malla de entrada o en la ecuación cuadrática.
Para el ejemplo, reemplazando los siguientes valores:
Rs == R., = 0.4K, 20mA, Vscorr = -2V, V ce = 3V (recuerde que este voltaje es
Inss =
negativo, sm embargo, en el circuito equival ente de la FIG3. l 8(B) se invirtió la fuente), se
obtiene:
Ysc = -3.85V y Ysc = - 0.65V
El primer valor de V 3 c se descarta porque supera la tensión de apagado. El segundo valor es el
que se considera. Para determinar la corriente de la malla de entrada:
ln = 9.12mA
Ahora, de la malla de salida:
Rnc = RJ + R.,= 3.4K
V nn = Rnc.: In + Vsn
De donde: Vsn=-16V
3. TRANSISTffR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOHÍA Y LABORATOIUO 326
3.3. POLARIZACIÓN
Por lo que el JFET opera en la zona Óhmica, y de acuerdo al enunciado, se debe rediseñar para
que el dispositivo opere en activa (saturación); esta condición se logra si:
V so > V p - 1 V SG 1
Se asume: Vsn = 8V
Por lo que de la malla de salida: Vnn = Rnc ID+ Vsn, manteniendo Rnc, se deduce: "--•
lo= 2.06mA
De la Ec3.2: 10 = Inss (1- VVcs )

2
, se calcula Ysc:
G/;off
Vsr. = - 1.3 S8 V
De la malla de entrada se obtiene:
Ycc = Vsc + Ri In= -0.534V
Se asume: RG = 0.5M
Entonces, combinando las ecuaciones: Vcc: = Rz Von / (R1 + Rz) y RG = R1 11 Rz se

obtiene: R 1 = Vrm Re/ V<:G = 14M. Valor muy alto de resistencia, así que se reduce R<;:
Se asume Re;= 1OOK, luego:
R1 =Vno Rc/Vc;G=2.8JM
Y: Rz = Vno Re /(V nn - Vce) = 103.7K
En esta forma se completa el diseño y se asegura que el JFET opere en activa, puesto que:
VSJ) > V p - 1 VSG 1
8Y > 0.642V
Si se desea calcular el punto de funcionamiento Qoc, se procede igual a como se dedujo con el
transistor bipolar. De la mall a de salida: Vnn =Roe lo+ Vso, para el corte lo= O, luego:
Vsnc = Vno = 15V
Y: Qnc = Vsn I Vsoc = 0.53
Resultado que confirma la zona de trabajo del JFET en el circuito rediseñado.
@"' EJE1\1PLO
Determine el punto de funcionamiento para el circuito multietapa de !a FIGJ.19. Si alguno de
los transistores está fuera de activa, proceder a su rediseño para asegurar esa zona de
operación. Para tal situación asuma lo que requiera.
SOLUCIÓN. -f
...__
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTllÓNICA ANÁLOGA: T IWHIA \' LADORAr omo 327
3.3. POLARIZACIÓN
CARACTERÍSTICAS DE LOS
R1
51"1 TRANSISTORES:
JFET: loss = 20mA

1
~i Vcsorr= -2V
l
,-...,._: BJT: í3 = 200
' Vs VnE = 0.65V
R2 - R.t
11\ol
l.05K
FIG3.19
El circuito es un amplificador mutietapa en el que se combina JFET con BJT (¿ ?) Usualmente
a los circuitos que tienen esta combinación (por ejemplo en algunos integrados) se les suele
denominar circuitos BiFET.
Desarrollando el divisor en la compuerta del JFET, se calcula:
Rll = R1 11Rz=0.833M, Vcc = R2 Vcc I (R1 + Rz) = 3.33V

Con estos valores, se reemplazan en la Ec(3 .13) y se determina la tensión Yes de operación.
Reemplazando se obtiene:
- ---------
V
2 Rs l oss
( ·--"-
V
_ __ GSolT
~ 2Rsloss
:-'- - 1)± \ ¡ ( ··--'-·--'·'·-
V
~ _ _c:sorr
2 Rsl oss
-1) -4(--·_:....__
V GSolT
2
)(R.I . -V(,G
s DSS
..)
GS - R l
2( --.:L.E~'.'-)
V z
C.Sorr
Vc;s = -0.726V
Reemplazando en la malla de entrada: Vce = Ves + Ri 10 o en la ecuación cuadrática:
l o - 1DSS ( 1 - VVGS ) ~, se 11 ega a:

C SolT
lo= 8.1 lmA

Ahora se plantea la siguiente malla (es la única posible que invo lucra una sola incógnita):
Vce = RJ IJ + V1m + R6 l E
Con: lJ =lo+ In, e h: ~le (puesto que P ~ 1)

3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELEC.~rnÓNICA ANÁLOGA: n:on!A y LAnORATOlUO 328
3.3. POLARIZACIÓN . '--
Entonces: V ce = RJ (lo + le / J3) + V 1m + RG le

En la ecuación aparece como incógnita la corriente le, despejándola se obtiene:
le= 5.61mA
Con las corrientes se pueden calcular todos los voltajes, se tiene:
La corriente que circula a través de la red divisora Ri-R2 es:
1 = Vec I (R1 + Ri) = 3.33µA
Luego: Ve = Rz I = 3. 3 3 V = V GG
Vs =R. lo= 4.06V
V n = V ce - RJ ( 1n + 1e I í3) = 8 . 14V
Vos= Vo- Vs = 4.08Y
Este transistor está en saturación, puesto que: Vos= Vp - 1 Vc-;s 1 (verificar)
VE= R6 le= l l .22Y
Ve=Vee-Rslc= 17.2V
Así que: Vrn= Ve- VE= 5.98V
VCEc = Vcc = 20V
Qnc = VCF. I Vrnc = 0 .3
Entonces, los dos transistores están en acliva para OC. Así se culmina el análisis propuesto.
E.JEIVIPLO
Para el circuito de la FIGJ .20, determine el valor de todos los componentes para asegurar los
voltajes y corrientes anotados en cada transistor. Asuma lo que requiera. Cada interruptor
(SW) indicando en el circuito, se puede llevar a tierra o a -V1m. dependiendo en donde
convenga. Entonces indicar la posición de cada interruptor al efectuar el diseño.
Dibujar el circuito final incluyendo el valor de los componentes.
Características de los transistores:
Jl J2
____J Ql Q2 QJ Q4
1 Yc:sorrl -l.2V -2V ~ 1 200 200 180 90

!
loss lOmA 20mA 1 V1ml 0.65V 0.65V 0 .68V 0.72V
1
SOLUCIÓN. '1
~~
4
f
1 J. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO

_..! El.F.CTHÓNICA ANALOGA: TEORfi\ Y LA DORATORIO 329
J.3. POLARIZACIÓN
r•
_........
]-C
!3 +Vcc
Ic1 !C4
.~·
Rs BmA 70mA
1
Vs2 R10 R12
---- RB?
+ ·R1 VE3 Rl4
--- '}
IDl J2
sv
Vc2 lB3
+
3ntJ\ ID2 VCl lOV VC4
........ IC2
5mA Q3
+ SmA lc3
Jt + 12mA
,,--.... 5V VD2 Ql + Q2 +
BV VCJ Q4
BV VB2
IBl - VE!l IB2 !84
..........
VSi
·-""'"'
R4 R6 Rl3
R9
16 !9
lll ll:J
~.
-Vn:
,. - - ,. ,. ,.
SWl SW2 SWJ SW-l SW5 SW6 SW7
FIG3.20
El circuito es un amplificador multietapa con seis etapas acopladas directamente. Las · dos
primeras están conformadas por JFETs y las restantes están formadas por bipolares. El circuito
tiene la pareja Q1-Q 2 que es un arreglo denominado amplificador diferencial; en capítulos
posteriores se estudia este tipo de arregl o.
Se inicia el diseño con la última etapa, entonces, se asume: Quc4 ""." 0.5; también se asum~:
Vcc= IVrml = J2V

Por lo que el interruptor S\V7 se debe llevar a - Vn:.
Como: ~4 < l 00, entonces se considera que h:.i -:te lc.i, por lo que:
!(4 = w4 + 1) / ~4 = l. o11
Entonces: IE4 = K 4 lc.i = 70.78mA,
ln.i = lc4 I ~4 = 778~LA
De Ja malla de salida de la última etapa:
2Vcc = R1 .1 In+ R1~ h:.i + Yn:.i
2Vcc = (R14+ K.¡ Ris) In+ YcE.t
Así que· R14 + K.i R 1s = 171 .43.Q
Se asume: R1s = 100.0
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO RLECrilÓNICA"AN,\LOGA:.TEORIA y LATIOl~\TORlO 330
3.3. POLARIZACIÓN
R1.i = 70.330
VE.i = R1s IE4 - V1.m = -4.923V
Se lleva SW6 a-V1m, luego:
VCJ = V1m4 + VE.i = -4.203V
-
Además: Vc3=R13113 - VEE = R13 (lcJ - ln4)- Vu~ = -4.203V
R13= 694.80
VEJ = VEcJ + Vo = 5.797V
Y: Vr..J = Vcc - R12 IEJ
Pero: Ir..J ~ ICJ (puesto queJ3J » 1), por consiguiente:

R12 = 516.920
Con: Vn12 = R12 lo= 6.2V
Se puede verificar que:
V R12 + VECJ = R14 Ic.i + Vcn4
Por otro lado: Vns = V1m + Yt::nJ = 6.88V
loJ = lcJ / ~J = 66.67µA
Ji¡= Ici- lm = 7.93mA
Luego: R11 = Vn" I Is= 861.60
Como: Vnx + Vc1u > Vcc, entonces S"W4 se debe llevar a-VE¡.;, así que:
2Vcc = VnR + Vrn2 + Vn9
Por lo que: VR9 = 9.12V
J9 =In+ Ic1 = 16mA
R9= Vn9 / l9 = 570D 1
Yin= Vns = 6.88V
R7 = VR1 / let = 860D

VRs + Vso2 = Vn1 + Vcn1
Con: Vcn1 = Vrn1 - Vur..t = 7.35V
Luego: Vns = 6.23V
Y: Rs = Vns / lo2 = l .246K
Como: Vns + V~m2 > Vcc, luego el SW3 se debe llevar a - Vim, entonces:
2Vcc = Vns + V~m + Vrtr.
. ..._
De donde: Ynr. = 9. 77V
16 = I1n - Iu1
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO E LEC:rnÓNICA ANÁLOGA: TEOHÍA Y LAllORATOIUO 33 l
3.3. POLARIZACIÓN
Con: Ini = lr12 = lc2 I f32 = 40~tA

Luego: 16 = 4.96mA
Y: R6 = V Rtí / 16 = 1.97K
Vo2 = Vmu + VE2
Pero: VE2 = Vn9- V1m
1
Y: Vn2 = Vn.6 - V1m = -2.23V
¡
.......... ¡
Vs2 = Vs02 + Vn2 = 5.77V
/'- ii De la Ec(3 .2) :

VGS 2
I 0 = 1oss (1- - - ) , se deduce:
' VGSoíl'
Vsc2 = -1 V
VRJ = Vns + VsG2 = 5.23V
Para el JFET en general (Canal N y canal P) se cumple que:
Vos = Voc + Vc;s
Igual que en ei transistor bipolar, entonces, para el JFET J2:
Vc02 = Vsn2 - Vsc2 = 9V
No olvide que : VsG2 = -lV
Luego: Vn.i = 13.77V

Rt = V1N I In1 = 4.59K
Y: H.3 = V1u I ln1 = l. 74K
v es 2
Por lo que Ic 2 = O. Para el JFET Jl , nuevamente de la Ec(J .2): I n= IDs...,(1 - y -), se
CSolT
- obtiene: Vcs1 = -0.543V
VR2 = Vc;s1 + V1t.t = 13.23V
Como: Vru > Vcc, entonces el interruptor S\Vl se lleva a-VEE·
Vc1 = V1u - V1m = l.23V
Necesariamente se requiere la resistencia R 1 puesto que VGt ~ O.
2Vcc = V1u + Vru
Por Jo que: Vn1 = 10.77V
Se asume una corriente a través de la serie R 1-R2 , considerando que k1 =O; se asume:
1 = lOµA
Luego: R, = V1u I l = l .08M Ri = Vm / I = l 3 2 ~v1
Queda por determinar el divisor R 1n-R 11 ; Como luz = 40pA, se asume: 111 = SOO~tA
J • ~ . • • : .
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO . F.LECTilÓNICA ANÁLOGA: TEORfA V LABORATORIO . 33 2

3.3. POLARIZACIÓN
Luego: 110 = In2 + 111 = 540µA

Vnrn = Vm1 + Vcm = 14.23V
Como Vlllo > Vcc, entonces el interruptor S\VS debe conectarse a-VEE, así que:
Vn11= VnE2 + Vn9 = 9.77V
R10=VR10/110 = 26.35K, R11=Vn111111 = l 9.54K
¡~
En esta forma se completa el diseño propuesto. A modo de verificación, se reemplaza
numéricamente en la siguiente malla (reemplazar):
2Vcc = VRt4 + Vcn4 - Vcm + VcE2 - VnE1 - VGn2 + Vnc;1 + VR2
11-
~
El circuito final con el valor de todos los componentes se muestra en la FIG3 .21 .
l ~
· +vcc
Is Ilo lC4 +12V
Ic1
8JttA 70mA
1 R12
Rlo 51692.0..
Rs 26.3SK
R1 867 .6.n. Va RH
70.33.!l..
660.n.
Rl > +
l.OflM
Vc:z lB3 lOV VC4
lD2 Vcl
5mA
lC2 Q3
SmA lC3
+ Q2 11mA
+
VGI Jt Ql + + Q4
5V VD2 VB2 VC3
SV 8V
Im lB4
lBl - VE12
VSl
Rt3
R2 RG Rll 694.8.n..
l.32M
R4 197K R9 1954K
.¡.:;9K 570.n.
16 19
111 113 -VEE
+l2V
FlG3.21 ·
Todos los interruptores se llevan a -VEE, pero puede ensayar si inicia la última etapa llevando
el interruptor S\V7 a tierra, asumiendo que: Vcc = ) YEE J = zov.
·~·
Utilizan?º. el paquete de simulación PSPICE se pueden obtener las diferentes curvas

del JFET 2N3 del
caractenst1cas 819·JFET.
D Entonces
11' ' en la FlG3 .22 se f iene ¡a curva caractenst1ca
· · de entrada
. = - . , e a .1 se d~d~ce que para Vns = 30V se obtiene: Vcsorr = -3V e
ln:-;s l l .9mA. St se cambia Vns, umcamcnte se altera Inss (ver Capítulo g para más detalle).
Esa curva, como se puede comprobar, satisface la ecuación cuadrática: I D = I DSS (l -- VVes )i
GSorr
SeríC! interesante, si elabora una tabla de esta ecuación y superpone la curva resultante con la
real.
,,,,--..,
,,
_,,...__.
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTHÓNICA ANALOGA: Tl~OHfA \' LAllORATOHIO 333
3.3. POLARI ZACIÓN
1 21110 T - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - • - - - - - - - - - - - - - - - - - - - .. - - - - - - - - - - - • _______ • _ • ___ _?

:1 • •
ldss = 11 9mA ,.;:1
:' 2N381~ '
1
1
1
1
1
a111n ~
'
:/
,,--, ¡l
1
4111A ~
1
1
1
''
1
1
' '
Vgso f f = '''
1
_::--;_-~
IJn +----....:-::_-;:- - ,- - - - - -- - - - - - - - T - - - - - - - - - - - - - - r - - - - - - - -- - - - - ., - - - - - - - - - - - - - - r - ~ - -- - - - - --- - -j
-3. IJU -2.SU -2. llU -1.SU -1. llU -o.su IJU
o ID(J1)
u_vgs
FIG3.22
1s111n ~ -- - - - - -- - ------ - ---· -- - - --- - ----------------- ----- ---- - -- ----------- -- - --- ------ ----- --------,
: Zon~ de '
:Resistencia 2N3819
: Con tro 1oda ... - Vgs = OV
:Por Vol:t~o~je:.._L...~~---~---~-~~~~~~----__¡_-'----:-~~~~-:
10111n ..'
' Vgs -0 . SV ¡
''
'
-·- '
' Vgs = -1 OV ¡'
S111n _,'' '
' '
Vgs=-1.sv:
Vgs = -2.sv :
- 0111n:fé.====:::!':====:;::::::==========;;::::=========:::::;:==========::::;:=====---=====:::::;:::==========~
ov su 1 ov 1SV 20V 25V 30U
o ID(J1)
v_vds
i , FIG3.13
La FIG3 . 13 prbs~n¡a l~s características de salida Vos vs 10 del JFET 2N3 8 l 9, tomando como
variable la tensión V c;s. Se distingue en esas características dos zonas bien definidas: una es la
zona activa que para el JFET es la misma zona de saturación, en donde el dispositivo tiene la
capacidad de amplificar; la segunda zona, se denomina Ja zona Óhmica. Esta zona se indica en
Ja gráfica de la FlGJ.1 3 como zona ele resistencia controlada por voltaje y su
importancia está en c¡ue la relación In I V c;s es prácticamente lineal. Pero esta característica de
linealidad en esta zona es más notoria cuando Vns << Vp como se puede apreciar en la
FIG3. 14 en donde Vns se varía hasta SOOmV.
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LAilORATOHIO 334
3.3. POLARIZACIÓN
~.amnT------------ - --- - ----- -- -------- - --------- - ---------- -- -------- - ---------- - --------- -- - - - - -- - -,

1
1
1
Vgs =O
..
1
1 2N3819 1
3. DlllA { Vgs =· -0 . SV '
Zon¡i de 1
Resistencia. 1
1
1
Conlroloda
Por vol taje.
Vgs 1. OV i
1
1
2. 0lllO ~
1
1
.. '
1
.
1
1. omn -i Vgs =. - 2 , 0V :
Vgs -2 SV :
-o.omnl..~~~~~~====================================================::
ou
o t0(J1)
200111u 300111U 400!11U
u_uds
FTG3.14
La característica que presenta los JFETs, de baja potencia en la zona Óhmica, prácticamente
convierten al dispositivo en una Resistencia Dependiente del Voltaje (VDR).
Esta es la zona Óhmica 1
t1
1
EJERCICIO (21 ..._.,
1. Un JFET tiene V csnrr = -3 .5 V e Inss = 15 mA. Trace la curva de transferencia de entrada 1
1
! '-../
l
2. Un JFET tiene Vcs 0 rr = 4 V e Ioss = 20 mA. Trace la curva de transferencia de entrada.
_,..
3. Un circuito con JFET tiene: Re= 1 l'V1EG, Ro= 5 K, R.,= 0.5 K y los parámetros del JFET
son V csorr = -3V, lnss = 15 mA. Determine el punto de funcionamiento estático. l
-....,
4. Un JFET tiene Vc:so = - l .5 V e Ino = 7 mA. Diseñar para asegurar Qnc = 0.6. Asumir los '
datos que se requieran.
5. Un JFET tiene Vcso = 2 V, loo = 10 mA y Vsoo = 8 V. Diseííar para asegurar Qoc =0.5
6. Un JFET tiene las siguientes características para dos diferentes temperaturas_ de operación:
l1
\ .._.,.
1
Para Ti: Inss = 18 mA y Vcsorr = -3.8 V; para Tz: Inss = 24 mA y Vc:snrr = -4.2V. .__,.
1
1
diseñar para que la corriente de operación Tno sea de 20mA ±0.25mA. l
í'
7. Pa:a el JFET del ej~rcicio 6, diseñar si se requiere que el punto de funcionamiento se ¡-
ub1q~e en .el promedio de las dos características extremas, con un cambio en el punto de ......, /
func1onam1ento del 5%; Asegure Qnc = 0.7.
8. En un circuito con JFET con auto polarización, explic¡ue la función de las resistencias· R
Rs y Ro. ' · G,
-
'-....
9. Para . el circu ilo de la FlG3 .23, asegurar los voltajes y corrientes anotados para cada
..........
transistor. Asuma lo que requiera.
' "',.·
¡.
3. TRANSlSTOR EFECTO DE CAMPO F.LECTJ~ÓNJC,\ ANALOC:A: TEOllÍA Y L1\llORATOIUO 335
~ .
3.3. POLARIZACIÓN
----- l ·~ l01rtA +Vcc

1
-~ 1 Rs Rt4 RB
t R3 R7
.1 R12
..-.... ;!.
,1 R10
~
;1 +
~ ·1 Rt IOV
~ 3mA +
4mA
+ 6V
.tV
+
$V
_,.,-.,. .:
R1 R6
R4 R11
R9 R11
R1s 8mA -VD:
FIG3.23
1O. El circuito de la FIG3.24 es una parie de un amplificador operacional del tipo BiFET, en
donde las entradas se tiene por las compuertas de los JFETs canal N. Contiene un transistor
con doble colector. En este tipo de transistor, la tensión C-E es diferente para cada colector.
~ soouA +Vce
+
lOV l5V
-
700uA
~ 800u.<\
+
SY
( lOOuA
~
,,......_ +
15V
..........
...---..
,,..,,,_
lOOuA -VEE
'--~~~~~~-+-~~~~-+-~~~~._~~~~~-+ ·~~~~--<I~-~~~._,_.·)
FIG3.24
Para el circuito de la FIG3 .24, asegure los voltajes y corrientes anotadas y asuma lo que se
requiera.
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO .:f"'El,ECl"llÓNlCA ANÁLOGA: TrmldA Y LABOHATOltlO 336
3.3. POLARIZACIÓN
11. El circuito de la f'lGJ.25 es un multietapa, cuyos transistores presentan las características

anotadas en la tabla. Determine todas las resistencias. Si se requiere, puede asumir.
R5 Q2 --·
.R3
Ql
Rl
' J2 Rs
1
- Q3
- JL ..,...
1l
.,.,
1 .........
RlO
R6 ..._.
R2<
,_.,
'-''
'--
IYn:I
Qt
6V
Q2
6V
FIG3.25
QJ Q4
8Y
JI J2 - .._,.,
le 5mA 5mA 5A
p 200 200 200 50
1YnEI 0.6V 0 .6V 0.6V 0.7V
1Yus1 6V 6V
lo 5mA 5mA
1Vr.~ 1 0.5V 0.5V

-
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORIA Y LATIOIV\TOIUO 337
3.4. MOSFET '·.
MOSFET.
Hay otro tipo de FET que no tiene unión PN convencional. Este dispositivo
utiliza un electrodo de puerta metálico que está aislado eléctricamente de su canal
semiconductor por una delgada capa de óxido y por eso se le llama FET con puerta aislada o
IGFET (Isolated Gate FET) pero también se conoce como FET tipo MOS o MOSFET (Metal
Oxide Semiconductor FET). Su estructura y símbolo se muestran en la FIG3.26.
En las FIGs3.26(A) y (D) se muestra la representación de Ja estructura de los dos tipos de
MOSFET. El dispositivo está soportado en una estructura semiconductora denominada
sustrato. En este cristal base se forma dos regiones bien definidas denominadas: Fuente
(Source) y drenaje (drain); estas regiones embebidas en el sustrato se diferencian de este en la
concentración de portadores, así, el sustrato tiene baja concentración de portadores libres (baja
concentración de impurezas), tan baja que prácticamente se comporta como un aislante. Por el
contrario, las regiones de drenaje y fuente tienen alta concentración de portadores libres.
FUENTE PUERTA DRENAJE

S G D o
Capa de
Oxido y~ss
~ (8)
p
YG~s (C)
- ' s
SUSTRATO (A)
FUENTE PUERTA DRENAJE

S G D
D
G o-Jd.oss
(E)
1
¿ s
o
>N:· <N· :
p
G o--itl.oss
SUSTRATO
s
. (F)
¿s .
(D)
FIG3.26
Entre el drenaje y la fuente, se tienen dos posibilidades de fabricación, que define a dos
dispositivos MOS diferentes: en uno, entre el drenaje y la fuente se tiene un canal
semiconductor del mismo tipo que el de las regiones de drenaje y fuente. A este dispositivo se
le conoce como MOSFET de empobrecimiento (Deplction MOS, DMOS ó MOS-D) y se
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO El/'.CTRÓNfCA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 33 8
3.4. MOSFET
muestra en la FIGJ .26(A), junto con sus símbolos electrónicos. En el otro MOS, no existe
región diferente a la del sustrato, es decir, las regiones de drenaje y fuente están prácticamente
aisladas; a este dispositivo se denomina MOSFET de enriquecimiento (Enh:mcement MOS
EMOS ó MOS-E).
Sobre la estructura descrita, se deposita una delgada capa de material aislante, usualmente de
óxido de silicio. Se practican ventanas en la capa de óxido, justamente sobre las regiones de ..._,·
drenaje y fuente, en donde se colocan los contactos metálicos y se disponen los terminales de
drenaje y fuente. Sobre el resto de aislante se deposita una película de metal del que se extrae
él tercer terminal denominado compuerta (Gate). Entonces, el MOSFET contiene cuatro
...._,
terminales básicos: drenaje (D), fuente (S) y compuerta (G). El cuarto terminal se extrae del
sustrato y se indica con las letras SS (Sub-Sustrnte). La gran diferencia del MOSFET con el ·../
FET de juntura(JFET) está en la compuerta: Mientras en el JFET la compuerta forma una
juntura con las regiones de drenaje y fuente, en el MOSFET, la compuerta está completamente '--
aislada de estas regiones. Esta disposición de la compuerta respecto al resto de la estructura lo
asemeja a un condensador en donde las placas son la película metálica de la compuerta y el j
canal, mientras que el dieléctrico es el óxido de silicio. Y el funcionamiento del dispositivo se '
1
¡
basa en un principio semejante al funcionamiento del condensador. 1
'--
!
Para explicar el funcionamiento. inicialmente se considera un DMOS canal N (el dispositivo ~
se puede identificar como NMOS-D). En la FIG3.27 se describe gráficamente el ''
funcionamiento del dispositivo. Para esta explicación se supone que Vos < Vp, con Vp el l' .._.,
voltaje de apagado.
'--
En la FIG3.27(A) se dibuja parte de la estructura del MOSFET, en la que se indican: las
regiones de drenaje, fuente y canal de semiconductor tipo N, la capa de aislante y el metal de
la compuerta.
En la FIGJ .27(8) se colocan dos fuentes: una para los terminales compuerta-fuente (VGs) y la
otra para los terminales drenaje-fuente (Vos). La primera fuente se coloca ajustable y con el
borne negativo a la compuerta. Para Ves = O, no hay carga almacenada en el condensador, se
establece una corriente entre drenaje y fuente, a través del canal 101 ; esta corriente es limitada
por la resistencia que presenta el canal.
En la FIGJ .27(C), la tensión Ves aumenta a un valor Vcs1 ; esta tensión provoca que se forme
un campo eléctrico en los alrededores del aislante, con carga negativa en la región de
compuerta y carga positiva en la región del canal. La carga positiva en la región del canal lo
que provoca es la reducción de portadores mayoritarios del canal, y trae como consecuencia
que la resistencia del canal aumente y la corriente de drenaje 10 disminuya.
En la FIG3 .27(D) la tensión Ves aumenta a un valor Vcsz tal que la carga positiva acumulada
en el canal por efecto del campo eléctrico, vacía al canal de portadores (electrones) y la
corriente de drenaje es prácticamente cero. (lo= O).
Hasta esta parte, el funcionamiento del NMOS-D es semejante al del JFET; pero, gracias a la
capa de aislante, la fu ente Vc;s se puede invertir, de manera que la compuerta es más positiva
que la fuente. Entonces, conti nua la explicación con las otras gráficas.
FIG3 .27(E), en la que se tiene aplicada una tensión Vcs3, se produce un campo eléctrico en
los alrededores del aislante, de manera que el canal presenta carga negati va por efecto de este
campo. Esta carga negativa, se añade a los portadores mayoritarios que posee el canal,
J l
........_ ':
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO EL~CrRÓNICA ANÁLOGA: TEOR\ A Y LADOfü\TORIO 339
3.4. MOSFET
'
reduciendo su resistencia por lo que la corriente de drenaje aumenta a un vaior lm . Esta

corriente es mayor que la corriente que se tiene cuando la tensión Ves= O (103 > 101 ) .
VDS
o ,....-----·~11--·- - - , ___:___¡ ¡1._·-~

s G
METAJ,
•-1tj~ . + ~·
VG~~---~
IDl , f1' ID2
._....-+-- OXIDO DE VGSl
SILICIO
REGlON REGION DE
-- ++--
DE FUENTE DRfl'IAJE
(A) (B) (C)
v'DS VDS
..---tp . r-----i 11 ~-·- - - ,
ití.,. .
~h
+
'I ' ID~ o ID3
VGS2 VGS3
++ +++++
+++++ --- --
(D) (E)
VGSl < VGS2 ID 1 > ID2
VGS3 <VGS4 JD:3 < ID4
FlGJ.27
En la FIG3 .27(F) se aumenta aún más la tensión Ves a un valor Ves~. aumenta el campo
eléctrico alred edor del aislante, y la carga negativa en el canal, por efecto de este campo,
aumenta, incrementado también la concentración de portadores mayoritarios. Todos estos
incrementos de campo eléctíico y concentración de portadores en el canal contribuyen al
aumento de la corriente In.
Dejando la tensión Vc:s~, se analiza el efecto de aumentar V ns. Hasta esta parte, se consideró
qu e Vns < Vp. Pero al aumentar Vns. se forma una zona vacía alrededor dei canal como se
muestra en las gráficas de la FlGJ .28 .
VDSI
- t~
. . - - - - - l,
VGS
11-1- - --
¡1~
+++++ +++++
(A) .ZONA
(B) VAClA (C)
FIG3.28
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO -1 ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORiA Y LABORATORIO 340
3.4. MOSFET
ID
Cuando se aumenta Vos a un valor Vos1 < Vp, se
forma una zona vacía de portadores en las vecindades
ID2
del canal, como se observa en la FIG3.28(A). Para
esta situación se tiene una corriente 101. La zona
vacía, al igual que en el JFET, es mayor hacia la
ZONA DE región del drenaje y se va reduciendo al acercarse a la
SA11JRACION región de la fuente.
IDl
Si se aumenta Vos a un valor Vos2 = Vp , como en la

=="-'----------VDS FIG3.28(B), la zona vacía aumenta más, la corriente
VDSl VDS2 VDS3 de drenaje aumenta al valor ID2 (102 > 101), gracias a
FIG3.29 que en la superficie del sustrato se tiene gran cantidad
de electrones inducidos por el campo eléctrico de la compuerta. Para esta tensión Vos2, se
llega al límite de la zona Ohrnica e inicia la zona de saturación.
Por último, para una tensión V 053 > Vp, el dispositivo opera en la zona de saturación y la
corriente de drenaje no aumenta aunque siga aumentando la tensión V ns.
Toda la explicación se representa en la curva característica de salida mostrada en la FIG3.29.
Las características y funcionamiento del MOSFET de empobrecimiento DMOS se pueden
resumir en los siguientes puntos.
1. El DMOS tiene un canal del mismo tipo de semiconductor que el de las regiones de fuente
y drenaje. Sin embargo, la concentración de portadores del canal es inferior que la
concentración de portadores de las regiones de fuente y drenaje.
2. El óxido ele silicio, que es un aislante entre las regiones de compuerta y canal, hace que el
funcionamiento del dispositivo sea semejante a un condensador.
3. Por la presencia del aislante entre la compuerta y el canal y la existencia del canal es
posible polarizar la compuerta positiva o negativamente.
4. Para tensión Vc;s = O, se tiene una corriente 10 cuyo valor depende de la resistencia que
presenta en canal.
5. Cuando V(;s < O (la compuerta más negativa que la región de füente), el campo eléctrico
que se genera alrededor del óxido de silicio, hace que las carg~ positivas inducidas en et
canal, reduzcan el número de portadores libres y aumenten su resistencia por lo que la
corriente lo disminuye también; se tendrá una tensión Ves tal que la cantidad de cargas
positivas inducidas por el campo eléctrico tapona completamente al canal y la corriente
lo= O. Este es un comportamiento muy semejante al FET de juntura.
6. Cuando Ves> O (compuerta más positiva que la fuente), el campo eléctrico induce cargas
negativas en el canal, añadiendo más cargas libres, reduciendo su resistencias y
aumentando la corriente 10 .
7. Las dos anteriores conclusiones significan que el DMOS opera en la zona de
empobrecimiento, cuando Vr.s < O y de enriquecimiento cuando V r.s > O
8. El dispositivo presenta dos zonas bien definidas: la zona Óhmica en que Vos < V 11 y la
zona de saturación cuando Vns ~ Vp.
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAl\lPO ELECrllÓNICA ANÁLOGA: TEORf.\ Y LADORATORIO 34 J
3.4. MOSFET
9. La característica de entrada del dispositivo se rige por la ecuación cuadrática definida para
V
el JFET: 10 ;:::: 1nss ( 1- V Gs ) 2 , con la diferencia que V Gs puede ser positiva o negativa.
GSnlT
1O. Entonces la operación en una u otra zona depende de la zona vacía que genera la tensión
entre drenaje-fuente.
10
10
VGS =-1V
VGs=-2V
[A] DS
[8)
FIG3.30
En la FIG3.30 se muestran las curvas características de salida (FIGA) y la curva de
transferencia de entrada (FIGB). Como se observa, se pueden tener tensiones positivas y
negativas de Vc;s.
Ya que entre la compuerta y el canal existe aislamiento eléctrico, se concluye que la
resistencia que presenta en su entrada es extremadamente alta y lógicamente no habrá
corriente de compuerta (existe pero es demasiado pequeña).
Para la polarización del DMOS. se tiene como prototipo base el
+Voo
circuito de la FIGJ.31, en donde se utiliza el DMOS de canal N.
Ro La malla de entrada se define como:
11 0
+
i V<:<:= Ves.
Vos Y la malla de salida es:
Voo = Rn In+ Vos
La forma usuai de polarización es supnm1r la fuente YGG y
añadir la resistencia Rs entre el terminal fuente y tierra. Así que
la malla de entrada se define como:
O = V c:s + Rs 1n
FIG3.3l Si se coloca divisor resistivo en la compuerta, la malla de entrada
queda: Vc;e =Ves+ Rs lo
1
ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOlllA V LADORATORIO 342
1
1
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO
3.4. MOSFET
Para todos los casos tenga en cuenta que: IG = O y Ves puede ser positiva o negativa
Para explicar el funcionamiento MOSFET de enriquecimiento o EMOS se presentan los
dibujos de la FIG3 .32. Nuevamente se considera en esta parte de la explicación que Vns es
muy pequeña.
s G D
REGTONDE
COMPUERTA
OXIDO DE ID
SILICIO
YGS2
REGION
•
SUSlRATO
REGION DE
DE ruL""'ITE DRENAJE
(A) (B)
FIG3.32
La FIG3 .32(A) se ilustra un esquema del EMOS. Se indica la región metálica de la compuerta
separada de las regiones de emisor y drenaje por la capa de óxido de silicio. Por último, las
regiones de fuente-drenaje están aisladas, ya que entre ellas se tiene el cristal soporte que es el
sustrato que, como se recordará, es un cristal de tipo contrario al del drenaje y fuente y muy
bajo dopaje.
En la FIG3.32(B), se colocan dos fuentes de voltaje. una polariza los terminales compuerta-
fuente, con la compuerta positiva; la segunda fuente alimenta las regiones drenaje-fuente. Pero
no olvide que la fuente Vos es muy pequeña (cercana a cero voltios). Inicialmente la fuente
VGs =O, por lo que no hay campo eléctrico alrededor del aislante, y como no hay portadores
entre las regiones drenaje-fuente, la corriente lo= O.
En la FIG3.32(C), se aplica la tensión Vsa 1 por lo que se inducen unas pocas cargas a los lados
del aislante, y como se observa, se presenta una pequeña carga negativa cerca de la región de
la fuente, sin embargo, las regiones drenaje-fuente siguen aisladas y la corriente 10 = O.
Al seguir aumentado la tensión Ves, se incrementa la cantidad de cargas inducidas alrededor
del aislante y, para una tensión Vr:s indicada en la FIGJ.32(0) como Vcs2 , se tiene la
suficiente cantidad de cargas negativas de modo que las regiones de drcnaje-füente quedan
unidas por esas cargas negativas inducidas. Es decir, el campo eléctrico induce una cantidad
d~ cargas negativas entre las regiones de drenaje-fuente, que prácticamente crea un canal
entre estas regiones.
Esta situación permite que se establezca una corrí.ente 10 > O entre el drenaje y la fuente. Al
seguir aumentando la tensión V es, mayor es el campo eléctrico, mayor la cantidad de carga
negativa entre el D-S y mayor es la corriente ln.
La tensión necesaria VGs para crear este canal se denomina voltaje umbral y se identifica
como V GS(TH).
3. TRANSISTOR EFECTO. DE CAMPO ELECfRÓNICA ANÁLOGA: TtmnlA y LAílOH.ATORIO 343
3.4. MOSFET
Todo lo anterior sucede cuando Vos es muy pequeña. Ahora se analiza, cuando Vos aumenta y
se considera que Vc:s es: Vc;s > Vc;s(fTI).
En las FIGs3.33 se explica gráficamente lo que sucede al aumentar Vos; es muy semejante a lo
que sucede con el DMOS, con la diferencia que ahora no existe el canal.
En la FIGJ.33(A), cuando Vns < Vc;s- Vc;s(l'll), se presenta una zona vacía alrededor del canal
formado entre las regiones drenaje-fuente. Se tiene una corriente lo.
VDSI VDS2
.---------1.,
VGS
1--~----, ~
- ¡1 ~
+++++ +++++
--·,
·-....
.ZONA
(A) (B) VACIA (C)
FIG3.33
Al seguir incrementando Vns, la zona vacía
VDS< VGS - VGS
también aumenta, igual sucede con la corriente
de drenaje. Esta corriente está presente debido
a la carga superficial en la frontera del aislante
ID2 y el canal. La corriente lo sigue aumentando
VDS > VGS- VGS(TH) hasta que se llega a la tensión Vos2 en la
FIG3.33(B), en donde Vns2 = Vc;s _Vcs(rII)·
ZONA DE
SATURACION
En este pu~.to, se abandona la zona Óhmica, la
IDl corriente de drenaje no aumenta más y se
inicia la zona de saturación.
VDSl VDS2 VDS3

VDS Entonces, para Vos> Ves- Vcs(fIT), el EMOS
opera completamente en la zona de saturación.
FIG3.34 La operación en la zona de saturación, se ilustra
en la FIG3 .33(C). En la FIGJ .34 se tiene una curva de salida en donde se muestra la
explicación anterior. Observe el límite de las zonas de trabajo y el cambio de la corriente de
drenaje contra los cambios en la tensión Vos.
En las gráfi cas de la FlG3 .3 5 se ilustran las características de salida FlG(A) y de entrada
FIG(B) del EMOS
En síntesis, al inducir cargas negativas desde la compuerta, se comenzará a acumular
portadores entre las dos zonas del canal; entre mayor sea el voltaje Vc:s mayor es la cantidad
--. de portadores inyectados y que se van acumulando entre las zonas D-S. Habrá un voltaje V c:s
tal que suministre la cantidad de cargas sufi cientes para que esa concentración de portadores
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO
3.4. MOSFET
ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOIÜA Y LAUORATOIUO 344 l
l
establezca un canal entre las dos regiones: una vez se logre esta concentración se permitirá el l
paso de portadores entre el drenaje y la fuente apareciendo una corriente In. l
'º
VGs = +4V
(A) DS Vumbral (B)

GS
+3V
FIG3.35
En la FlG3 .35(B) se muestra la característica de entrada. A partir del voltaje umbral Vcs(fH),
que para la gráfica mostrada es de 3V, la corriente de drenaje In aumenta en la medida que
aumenta la tensión Ves (no linealmente). La curva se puede expresar matemáticamente de
acuerdo a la siguiente ecuación:
(3.14)
Kn es una transconductancia característica de la construcción del dispositivo y cuyo valor

depende de varios factores intrínsecos al MOSFET; estos son:
Movilidad del electrón: µll
' -
Espesor de la capa de óxido: t.,1
Permitividad del óxido: En1
Capacitancia del óxido: Cox

Dimensiones del canal:
Longitud del canal: L
Ancho del canal : w _
...
Vcs(rin es el voltaje mínimo o umbral para que aparezca In .
En los siguientes numerales se resumen las características y funcionamiento del MOSFET de
enriquecimiento o EMOS:
1. El EMOS es un dispositivo que no posee canal.
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELl~CTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LAílORATOIUO 345
3.4. MOSFET
2. Para su funcionamiento normal, se debe aplicar una tensión entre compuerta-fuente, de

manera que la compuerta sea positiva respecto a la fuente para el dispositivo EMOS canal
N (NMOS-E) y lo contrario para el canal P, es decir, que la compuerta sea negativa con
respecto a la fuente.
3. Se presenta corriente 10 cuando V es iguala y supera una tensión mínima denominada
voltaje umbral.
4. Para este dispositivo no tiene sentido aplicar una tensión contraria Ves a la anotada en el
numeral 4., puesto que en esta situación nunca se logrará formar el canal.
5. Dependiendo .de la tensión Vos, el EMOS opera en una de las dos zonas: la región Óhmica
o Ja región de saturación.
·'- 6. La condición para que el dispositivo trabaje en la zona Óhmica es:
·-~
V os < V (;S - VGS(fll)
Y la corriente de drenaje se expresa como:
2
lo= Kn !(VGs - VcscT11))Vns-Vns ]
--,
Usualmente, Vos es muy pequeña en esta zona (inferior a l V), por lo que V 0 s2 se puede
despreciar y la ecuación se puede simplificar a:
In::::: Kn [(Ves - Vcs(T11i)Vos
De esta última ecuación se puede deducir la expresión para la resistencia que presenta el
dispositivo en la zona óhmica, así:
VOS 1
ros=--= (3.15)
lo Kn(Vc;s -Vc:scT11¡)
~
Para un mismo dispe>sitivo. la resistencia es controlada por la tensión V \.s.
7. La condición para que el dispositivo trabaje en la zona de saturación es:
'"' Vos ~ V c:s - V GS(rII)
~-
Y la corriente de drenaje para esta zona se expresa con la Ec(3. l 3):
_,.....,
lo = Kn (Ves - Vc:scrni
8. Al igual que para el DMOS, el EMOS tiene cuatro terminales: compuerta, drenaje, fuente
y sustrato.
En la siguiente tabla se presentan algunas de las especificaciones del NMOS-E IRF150,
suministrado por el paquete de simulación PSPICE y del N1v10S-E creado con el nombre
HHGR2000. El significado de estos parámetros es:
LEVEL: Describe el tipo de modelo utilizado para moldear al dispositivo.
L: Es la longitud del canal. expresada en metros.
\V: Define el ancho del canal en metros.
VTO: Es el voltaje umbral Vc;S(Tll) .
KP: Corresponde a la transconductancia Kn.

1 '
3. TRANSISTOR EFECTO DE .C AMPO ELECTRÓNICAANALOGA: TEORÍA Y LADORATORJO 346

3.4. MOSFET . ---
TABLA l
I RFl SO HHGR2000
NMOS NMOS
LEVEL 3
w
L 2.000000E-06
.3
2.000000E - 06
540 . 000000E - 06
\
1
l
VTO 2.831 .95
KP 20.530000E-06 5.644000E-03
PHI .6 .6
RD l.031000E-03 10.33
RS l.624000E-03 .02
RG 13.89
ROS 44 . 400000E+03 20.000000E+09
IS 194.000000E-18 l.186000E-06
PB .8 .8
CBD 3.2290008-09 5 . 352000E - 12
TT 288.000000E-09
CGSO 9.0270008 - 09 l . 200000E - 12
CGDO l.679000E-09 5.lOOOOOE - 12
TOX 100.000000E-09 100.000000E-09
Es un potencial de superficie
PB : Potencial en la juntura PN entre el sustrato y el canal.

CBD: Capacitancia en la juntura entre el cristal de drenaje y el sustrato.
TT: Tiempo de tránsito.
CGSO, CGDO: Capacitancia compuerta fuente y compuerta drenaje una vez se fo rma el
canal.
TOX: Espesor de la capa de óxido.
El parámetro de transconductancia Kn se define como:
KI' W
Kn =(·-·--)(- ) (3.16)
2 L
Entonces de la Ec: lo= Kn (V es - Ycs(rni
Se expresa en fünción de los parámetros del MOSFET como:
--
1 - [( ~ ~V (V - v·r.scm> )
1
(3. 17)
n-
2 L r.s
Los circuitos típicos de polarización del EMOS se muestran en la FIG3 .36. La malla de
entrada para el circuito de la FlG(A) se expresa como:
Vc;c; = Vc:s
1 1
J. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNTCA ANÁLOGA: TEORIA Y LAnORATORIO 34 7

3.4. MOSFET
Al suprimir la fuente V c;c, se propone tres alternativas diferentes; en todas se debe asegurar
que: Ves > Vc;s(fll)
+Vcc
+Vcc +Vcc
RD
füa
RD tRD RG
J
F- Rc2
~E
RG rruLvrr ts
..,...._
-=-vcc
I ~
l l (D)
(A) (E) (C)
FIG3.36
Entonces, para los dispositivos de la familia FET: JFET, DMOS y EMOS, las ecuaciones son
semejantes, tanto de la malla de entrada como de la malla de salida, la diferencia está en la
ecuación que define la característica de entrada V c:s vs lo.
ce= EJEI\1PLO
Explique la forma de trazar las características de entrada de los dispositivos FET (JFET,
DMOS y EMOS), utilizando el paquete de simulación PSPICE.
SOLUCIÓN. ~
El circu.ito que se utiliza para obtener la curva de
D entrada es igual para cualquiera de los JFETs, y se
G FET pL!ede esquematizar en un bloque como se indica en la
FlG3. 37; se utilizan dos fuentes que se llaman, por
s comodidad: Vc;s y Vos.
La diferencia está en la selección de los valores cuando
se hace el barrido en DC (Sweep OC).
FIG3.37 A continuación se muestra cada uno de lo s casos. Como
conclusión se puede anotar los siguientes puntos·
l. La respuesta Yes Vs In en los tres dispositivos tiene la forma de parábola.
2. Cada gráfica se traza sobre escalas lineales.
3. Observando cada una de las gráficas se concluye: el JfET opera únicamente en la zona
de deflexión (zona de Vc;s negativa para el canal N, EL MOSFET NMOS-0 opera en
las dos zonas: de deflexión y de enriquecimiento (V es puede ser positiva y negativa
-_,
.,
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTHÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LADORATORIO 348 r

3.4. MOSFET
.r
respectivamente). El MOSFET NMOS-E sólo opera en la zona de enriqueeimiento i
"1
(VGs positiva).
4Dllun ¡-----------------------·---.----·--·-· ···:··· -- ·-¡··-·-¡ DC Swccp
-swe,.tVw. T y , . e -
r
1 1 <!) ".:!!ella 'IC s •UICC liMne: IY..~~!...._.......I
i / . O Iem,.er•ture
O Cwcnt Stuce
Ma•..i TJ!11•:
Me•P,I N..me:
O M•iol l"•11m111e1
O (llelo~ l"aramcler ~•r •m N•me:
20Dult ~ //'
- Swec"' Ty¡ac
1
: /
/
/. .
1
:
0 Line41r
e !clave
O lec41ie
O V~cl~t
Sl•!lValuo:
Eni V,!1ue:
lncrement:
'~-·-·-J
1·2
l:~:~.........J
1
V1l1,1ec::
OA ~ -- - ----- -,-·-··-- ·- --· -.- ---· ••••• ••• !

-2.ou -1.su
a !O(J2)
-1.1111 -o.su ou 1
Neslci S:ó!ec,.... QQ Í C1ncCTJ
u_ugs
FIG3.38(A) JFET
1 • ll111R T - - - - - - - - - - - - - .. • - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 1 DC S1vcep r
1 1
t 1 Swe,.tV;ir. Ty,.o
1 1
li..me: jvgs
0 ~~f!iCJ=~~~
1 1
1 1
·~
1
1
1
O Icrn,.erature
1 Mnl!!T.11Pa:
1
1
O kurenl Seurce
1
O M•icll"~;imoler Mad_;JNamG:
1
1
1 O !l le~al l";or;imcler ~aram. N•m•:
o_s111n ~
5.,,.,e,. Ty,.,
Sta1t V alue: 1·5
/ ¡ 0 Linc..,
O !cl•ve En•V,jlue: Is
~
:
l
/ . :
:
C: lec•4e lncremcnl: jo.Cfi
~ -- .,-llU - - -- - - - - - - - - -- - - - - _ J
O Valueli~t V•lua.c:
on
-5.0V S. DU
[....Ñ~-~;eol S~e;:~-1
u 10(1-11) lEJ p:~;:,;;·~q
FIG3.38'(B) DMOS
DC .S'vHp . S
3 . on ..----- - - - - - - -- - -- ----- -- - -- - - - - - - - --- -- -- -- - - - -- -, -Swe,.!V;ir. T y , . c -
:
1
1
Glii.!li~i~~~·~·S
Mame: &:_______]
O lem,11crature
'
1
o ~urent s....rce MarJdT!,!Pe: -
1
O M••el ,...,.,meter Mad.c;IName:
2. OA ~
~a1am. Name: -
1
O Qleltal ,.¡rarneler
-Swee" Ty11e-----.
'' 0 J.ne;or
S t•rt V ;iluc: lz. 5
~----'
1. DO~
O !ct;ive En•V!luo: 14 --
~===::::
O ,!ecaso lncrcmont Llo_.o_s_ ___,
O V;¡fuc Li1t V,¡¡lyec
1
o 1 0(~1'1)
¡ Ne~teol S~ee,. ...
o_u9s
FIG3.38(C) EMOS
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA AN_Á.LOGA: n:oRIA y LADORATO!l!O 349
3.4. MOSFET
e? EJEIYlPLO
Analice en OC el amplificador de la FIG3.39, si se utiliza el NMOS-E creado como
HHGR2000. Utilice los parámetros correspondientes del dispositivo.
SOLUCIÓN. -.f
Aplicando el Teorema de Thevenin a la compuerta, se obtiene:
Vcc; = Rc2 Von I (Rc1 + Rc2) = 1.714V
Re = Rea 11 Rc;2 = 428.57K
De la Ec(J .16):
3k Kn = ( Kr )( W)
.........._ RG1 2 L
:3meg RDJ
HHGR2000
voo
2
Con: Kp = 5.644 mNV , ' " = 540 µm, L = 2
lvl 1 + ~Lm, reemplazando se tiene:
12V
9 Kn = 761.94 mNV 2 .
~
---..
RG2
5001< 1 5001
5
Rs ~
I La malla de entrada al dispositivo se define
como:
Vce= Ves + Rs In
Reemplazando valores:
FIG3.39 l.7 14 = V GS + o. 5 I 1) (A)
De la Ec(J . 14):
Con: Vcsrm) =Y.ro =O. 95V

Reemplazando valores se llega:
2
In= 761.94 (Vc;s- 0.95) (B)
Así que se tiene dos ecuaciones (A) y (B), con dos incógnitas. Resolviendo el sistema de
ecuaciones se obtiene: lo= 1.62 mA e In= 1.44 mA
Reemplazando en la Ec(A) los valores obtenidos se tiene respectivamente:
Vcs=0.904V y Vcs=0.994V
El primer valor de V es, deja al MOSFET en zona de operación Óhmica (no en capacidad de
amplificar), mientras que el segundo valor, asegura la operación en la zona ele saturación, con
la posibilidad de amplificar. En resumen los valores son:
10 = 1.44 mA, Ves= 0.994V
De la malla de salida: Vnn = (Rn + Rs) ro+ Vns
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANALOGA: TP.ORfA Y LADOIV\TORIO 3 50
J.4. MOSFET
Se obtiene: Vns = 6.96V

En esta forma se culmina el análisis en DC del amplificador de la FIGJ.39.
A manera de verificación, el resultado de la simulación en PSPICE se muestra en la siguiente
tabla. Se resalta en esta tabla los valores obtenidos en el análisis. Observe que la diferencia
entre los valores calculados con los resultados de la simulación es muy pequeña.
Es importante anotar, que al efectuar el análisis o diseño de los amplificadores utilizando
MOSFET, se deben conocer los parámetros del dispositivo, en especial la transconductancia
Kp y las dimensiones del canal: W y L. Obviamente, que esto es posible si se dispone de una . . . _4
unidad original y de la cual se disponga de las especificaciones del fabricante; pero en la
realidad, es prácticamente imposible adquirir dispositivos originales, así que se debe pensar en
determinar, en forma práctica la característica del MOSFET, en especial la constante de
transconductancia Kn. En la sección del laboratorio se explica la manera de calcular Kn.
OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
************************************************************************
MOSFETS
NAME M Ml
MODEL HHGR2000
ID l.44E-03
VGS 9.94E-Ol
VDS 6.95E+OO
VTH 9.SOE-01
VDS.AT 4.35E-02
GM 6.63E-02
GDS
CBD
5.00E-11
1.72E-12
-·
CGSOV 6.48E-16 , __
CGDOV 2.75E - 15
CGS 2.49E-13
c:¡r EJEMPLO
Diseñe en DC un circuito como el de la FIG3.40 si
RG1 se requiere que Vos > 5V, para una füente de
RDJ VDD
alimentación de 20V. La corriente que maneja la
carga es de 1OOmA. Efectúe simulación del circuito
M1 +
en PSPICE y verificar las condiciones.
9
Rs l I SOLUCIÓN. ,Y
El circuito que se propone es semejante al
analizado en el ejemplo anterior, solo que el
FIG3.40
MOSFET debe estar en capacidad de manejar una
corriente grande.
--
J. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANALOGA : TEORii\ Y LAílORATORIO 351
3.4. MOSFET
De acuerdo a. la tabla l y a la FIG3.38(C), el MOSFET IRFI 50 es un dispositivo que está en

capacidad de manejar corrientes grandes, así que este dispositivo se considera como un
MOSFET de potencia.
Dos parámetros que aparecen en la tabla 1, diferencian el MOSFET de baja y de alta potencia:
uno es la dimensión del ancho del canal W. En el MOSFET de baja potencia W es
mucho más pequeño que W para el dispositivo de alta potencia (en el orden de 1o·6 ), y
segundo, el parámetro Kp, es lo contrario: Kp para el MOSFET de baja potencia es mucho
mayor que Kp para el MOSFET de alta potencia
Para el ejemplo propuesto, se utiliza el MOSFET IRFl SO, cuyos parámetros más importantes
para el diseño se anotan enseguida.
IRFlSO NMOS
LEVEL 3
L 2.000000E-06
w •3
VTO 2 .831
KP 20.530000E-06
Entonces, de la Ec(3. 16) se puede calcular el parámetro de transconductancia Kn:
Kn = (KI'.)( \~) = 1.54 A/V 2

2 L
De la Ec(3.14):
Con Vcs(fII) =VTO = 2. 83 1V, se obtiene:

Ves= 3.086V
De la malla de entrada del circuito de. la FIGJ.40, teniendo en cuenta el circuito equivaleme
Thevenin· VcG =Ves+ Rs lo
Se tienen dos incógnitas: Vc;c; y Rs, así que se puede asumir una de ellas.
Rs = 10.0.
Luego: Vcc = 4.086V
De la malla de salida: Vno = Vos+ (Ro+Rs) In
Se asume: Vos = 8V (Vos > 5V de acuerdo a la condición), luego, para la fuente: Voo = 20V,
se produce una caída sobre Ro de·
V Ro = 11 V
Y para ID= lOOmA, Ro= 1100.
- , Para la red divisora de la entrada: Rc 1 y RG2, se asume una resistencia equivalente
Re = 1Meg, luego, de las ecuaciones:
Combinando las ecuaciones se obtiene:

R<a:::::: 4.9Meg, Rcz:::::: 1.257Meg
3. TRANSIST9!l EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 352
3.4. MOSFET
El circuito final incluyendo el valor de los componentes se muestra en la FlG3.41

El resultado de la simulación se muestra en la siguiente tabla. Se presenta un pequeño
corrimiento en el valor de la corriente 10 y la tensión Vos, resultado de las aproximaciones en
las resistencias Re.
**** MOSFETS
110 .._,,
RG1 RO NAME M M7
4.9Meg MODEL IRFlSO '--'
ID 9.97E-02
M + voo VGS 3.09E+OO .___..
20 VDS 8.03E+OO
9. VBS O.OOE+OO .......,.
I
IRF150 VTH 2.83E+OO
~ VDSAT 2.558-01 '-'
RG2
l Rs
GM 7.848-01
·t .257Meg
10
f -:-
GDS
CBD
CBS
2.258-06
9.728-10
2 . 908-19
...........
'-
FIG3.41
Una variación al MOSFET es un dispositivo que tiene doble compuerta
G1c---¡
G2 o--t
+.º S
SS
como muestra la FTGJ.42; cada compuerta se usa independientemente
para controlar la corriente de drenaje de acuerdo como estén
polarizadas. Este dispositivo se usa como mezclador (mixer) en
radiocomunicaciones
FIG3.42
El funcionamiento de los MOSFET canal P es exactamente igual que el que se describió para
los MOSFET canal N. La estructura cambia de acuerdo al tipo de MOS. ·~ ·
Para el DMOS canal P, las regiones de drenaje-canal es de material tipo P con elevada
concentración; el canal, también de material P, pero de baja concentración de portadores; el
sustrato es de tipo N de muy baja concentración; la capa aislante de óxido de silicio y la
compuerta que es un metal.
Para el EMOS canal P, las regiones de drenaje-fuente es del tipo P altamente dopadas, el
sustrato de material tipo N con muy bajo dopaje, no existe el canal entre el drenaje y la fuente.
Contiene la capa de aislante y el metal de la compuerta.
Disponiendo de un MOSFET canal N y un MOSFET canal P del tipo de enriquecimiento en
un mismo chip, se obtiene un arreglo denominado MOSFET de simetría complementaria y
que se identifica como: CMOS. En la FIGJ.43 se muestra un esquema de este arreglo.
El material base de toda la estructura es el sustrato tipo N y que es el sustrato para el PMOS-E.
En este sustrato se difunde el materi al tipo P que constituye el sustrato para el NMOS-E. Una
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECIRÓNfCA ANÁLOGA: TEOHIA Y LAllOflA'fORIO J 53
3.5. TRANSISTOR DE POTENCIA SIPMOS
vez constituidos los sustratos, se forman: las regiones N y P de cada MOS, las capas de
aislante, la capa metálica de cada compuerta y los contactos metálicos para cada región.
Sn Gn Dn Sp Gp Dp
~ 1\1.ATERIAL
m.tm Tll1 0P
~ I\.IATERIAL
111.!..!a TIPO N
'~-~' AISLANTE
FIG3.43
- l'YIETAL
Estos arreglos CMOS son muy utilizados en aplicaciones de conmutación, especialmente en el

campo de los digitales. La gran ventaja que tiene el CMOS sobre cualquier otro arreglo, es su
bajo consumo de potencia. Se puede afirmar que la disipación de potencia es ¡prácticamente
cero!. La utili~ación de los EMOS como base de Ja tecnología Cl\i10S, hace
que los !VIOSFET de enriquecimiento sean mas ampliamente conocidos que
los MOSFET de empobrecimiento DlVIOS.
TRANSISTORES DE POTENCIA SIPMOS®.

La tecnología SlPMOS (Siemens Powcr MOS) es un moderno
procedimiento de fabricación de componentes de efecto de campo MOS. Un diseño óptimo y
la base obtenida con los MOSFET generaron nuevos transistores de potencia con unas
características de conmutació11 muy especiales. En la tecnología SIPMOS se trata de una
estructura de transistor planar MOS con circulación vertical de corriente a través de la pastilla
de silicio. Mediante la conexión en paralelo de muchos millares de transistores individuales
sobre una pastilla, es posible un eficiente aprovechamiento del silicio.
Los transistores SlPMOS abren una nueva dimensión en la técnica de la conmutación. La
tecnología- MOS permite una conmutación rápida de grandes potencias con muy pequeñas
potencias de control. Los transistores STPMOS poseen resistencias propias en estado de
conexión desde una centésimas de ohmio hasta algunas unidades de ohmio, tiempos de
conexión desde unos cuantos nanosegundos 11asta algunos centenares de nanosegundos y
ningún tiempo de memorización, pues no existe el efecto de memoria de carga (histéresis) que
presenta los FET tradicionales.
Los transistores SIPMOS pueden conectarse como interruptores muy rápidos en equipos de
red, convertidores de corriente continua, fuentes de alimentación co.nmutadas, inversores de
potencia, amplificadores de banda ancha, amplificadores de audio, amplificadores lineales de
A F, interfaces de microprocesadores, generadores de ultrasonido, etc. Los transistores
SlPMOS se controlan por tensión y sólo tienen intensidades de carga capacitivas, puesto que
no han de generar corrientes de reposo. Se pueden conectar en paralelo para elevar la potencia,
con la facilidad que el circuito de control se diseña igmil para una etapa de 10 vatios que para
otra de 1000 vatios.
-.
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOidA Y LADORATORIO 354
3.5. TR,ANSISTOR DE POTENCIA SIPMOS
Las características más destacadas son:

=> Alta potencia de conexión
=>Extremado corto tiempo de conmutación
=>Tiempo de conmutación ajustable
=> Alto límite de frecuencia
=> Seguridad ante sobrecargas
=>No hay tiempo de memorización
=> Curva característica lineal.
Para elevar la potencia conmutada, ios transistores SfPMOS tienen que conectarse en paralelo.
Ha de tenerse en cuenta a este resp·e cto que pueden aparecer oscilaciones en la puerta a causa
de la alta velocidad de conmutación y de la gran pendiente del MOSFE1. Estas oscilaciones se
suprimen con una resistencia de desacople en cada conductor de puerta o con excitadores
independientes. En la FIG3 .44(A) y (B) se muestran las conexiones paralelo con excitadores
independientes y la conexión paralelo con resistencia de puerta respectivamente.
En general hay que atender a los siguientes aspectos:
=> Establecimiento del circuito con poca inducción.
=> Es imprescindible que la aportación de corriente de
carga sea simétrica.
vi
=> No formar bucle con tierra.
=> Efectuar el desacople mutuo de las tensiones de
entrada.
FIG3.44(A) => Desacoplar la alimentación con condensador
-·
v¡
FIG3.44(Il)
3. TRANS ISTOR EFECTO DE CAMPO ELECfRÓN lCA ANÁLO GA: TEOHIA Y LA DORATOR.10 3 55
3.6. ESPECIFICACIONES DE LOS MOSFET
ESPECIFICACIONES DE LOS MOSFET

-· A continuación se transcriben algunas especificaciones dadas por diferentes
fabricantes de MOSFE-Ts
Las siguientes especificaciones son tomadas del manual: ECG Semiconductors Master
Replacement Guide de la Philips .
Gato to Zero-G•te G•t• To

Source Voltage Souróe
Trana- Cut off Orain Br•akdown Input Trnn1fer O avica
conductance Volta9e Curran! Volt•ge Cop Cap 0 1...
.ECO Qh v 05 loffl loss mA BVoss C¡u c ... Po
Typ• Oe1cnptlon and Appllcatlon Typ µmho1 Max V Mln. Msx MlnV Mu pf Max pf Mu:mW
ecozio:}
..... MOSFET, N-Ch, VHF Amp/ 7,500 8 5 - 25 20 7 0.35 330
Mlx, NF 5d8 Max at 200 MHz
ECG221~ Duel G8ta MOSFET, N-Ch, 15,000 6 18 typ 20 5.5 0.03 400
.... VHF Amp/Mlx, NF 6dB Max
at 200 MHz ·
ECG222 Dual Oate MOSFET, N-Ch, 12,000
-- -4- ·-· ·- - · ~- ····-- --
5 - 35 20 6 typ 0 .03 330
.... : VHF Amp/Mix, NF 6dB Max
1t 200 MHz Gate Protectfld
-·····-· . .. ···- . ·----
ECG452 JFET. N-Ch, UHF/VHF Amp, 5,500 6 5. 15 30 4 0.8 300
,. NF 4d8 a t 400 MHz
Dual Gata MOSFET, N-Ch, ·1-s:ooo ·-------- 5:-30 25 ---
....ECG464 UHF/VHF Amp, NF 7dB st
4 0.03 360
900 MHz Gata Protected

3Ó-·· · .. .. ··-- . · ····- ·
,,-. .. EC04M JFET, N-Ch, Gen Purp Amp/ 3,500 6 2·6 6 2 300
Sw
6 -- ·---··-·· '"2-:-10· -- -.
EcG46~.,. itET, N·Ch, AF Amp/ 4,500 50 6 3 300
hopper/Sw
... ............... -.. - ' - ···- ··-·····- - - ···-·-···- 1
llCG460: JFET, P-Ch, Af Amp 2,500 6 2-6 20 . 20 --- 300
EC0312 . JFET, N·Ch, VHF Amp/ Mix 5,500 6 6 - 15 30 4.5 1.0 360
NF 4dB Max at 400 MHz
EC0326. JFET, P·Ch, Gen Purp AF 3,000 7.5 2-9 60 7 2 .310
Amp,J•IF 2.6d8 Mex at' 100 Hz
EC0451 JFET, N-Ch, UHF/VHF Amp, · 4,000 4 4. 10 26 6 1.2 310
NF 4df! st 400 M.Hz
Ep0457 JFET, N-Ch, Gen Purp Amp/
1 3,000 5 1- 6 25 6 3 310
Sw
ECG458 JFET, N•Ch, Gen Purp, Lo
--
12,000 1.5 1-3 50 13 (typ) 2.6 (typJ 250
Nolse. Audio Amp
~CG-463 JFET , N-Ch, VHF/ FM Amp, 7,000 ... 12 . 24 18 -·- 0.65 200
NF 3.5dB at 100 MHz
·-·
ECG-455' Dual G&te MOSFET, N-Ch, 22,000 20 3.6 200

•
G1=2 0.5 - 8 0.03
. TV UHF AF Amp
6.5 dB et 900 MHz
G2 =0.7 ivc2s-4"i 1av osxl
Gata Protocted
..
Las siguientes son especificaciones tomadas de Data Sheet de Nationnl Semiconductor

3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO E LECTRÓNICA ANÁLOGA: T F.OHIA Y LABORATORIO 3 56
3.6. ESPECIJIICACIONES DE LOS MOSFET
1
l
2N5484 MMBF5484
2N5485 MMBF5485
2N5486 MMBF5486
SOT-23
NQric H/flil/ CH
N-Channel RF Amplñier
lhi6 device is designed priTlariy l'of eledronic switching
appllcntlon~ such as low On Resl&tance ana.log awltchlng.
Soutced from Process 50.
Absoluto Maximum Ratings• TA-= 2D"C VIWU ~ nOlltd
Symbol ParamW!r Value Units

Voo O rair-Gat9 Volz!ga 25 V
Vas Gats-Sou1a1 Votage -25 V
!¡;,. FOIWBrd Gale Curreot 10 mA
TJ .T.1a ~ Md Sorage Jmctoo T~re R~ --56 to+150 -e
..,,__~ara llmlt!nowluna •h.,....wh""- !hit MI'*""'~ or~ny umlcondudDrdr.lbtrrwrt be lmpelmd.
HQID;
1) TMM r..nn~ .,..bal+d en• rn1xlnwm J ~wnpera1Ui.of 160 cs.g,.... c .
2) n-'" m..dy ~ lmltl. Tho fllCllll)I tmllld bo Q:lmU:tcd on ll!)pllc;:.c!oc. !n't<)IY1ng ~ or low duty cydei 09l'fdon•.
Thermal Characteristics
Symbol Characterlsttc Max UnftB
2N5'M •wue~
,_
Po Tolal ~ ~pattJn 300 2:25 mw
Derate 5XlYS 25ºC 2.8 1.8 mWl"C
Ru; Therml!I Resistance, JLndion b Ca&e 125· "CftN
~ T11errral R~1nnce. JLndion b Arnbient 357 556 °CNJ
*cw.IOt momt..t on FR-4 PC8 1.~· X 1.6" X o.oo.·
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO ELF.CT HÓNTCA ANÁLOGA: T E ORf,\ Y LAUORAT OIUO 357
J.6. ESPECIFICACIONES DE LOS MOSFET
Electr1cal Charactarlstlcs
Symbol 1 Parametar TMt Conditions Min 1Typ j Max 1Unit:A
OFF CHARACTERISTICS
v(llR)OOe Gee-Source 8reek00.vn Voltage lc=-1.0µA.Voa=O · 25 V
~ Gm Reve!M! Climnt Vos= - 20 V. Vea= O -1 .0 nA
Vrrs=-20V Vos=O T.1.=100-C - 0.2 uA
V~ Ga»-Solln:::e C\rtoff VoHage V08= 15V,lo=10nA 2N5484 -0.3 -3.0 V
2NJ.48' -0.5 -4.0 V
~ -2.0 -6.0 V
ON CHARACTERISTICS
~ Zero-Gats VoHztge Drail Current• Vos= 15 V, V~= O 2NS484 1.0 5.0 rrA
2N548ó 4.0 10 11'\1\
2N54a6 8.0 20 rM
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

Oto Focward Tmnsler Condudance Vos= 15, Voo =O, f = 1.0 lcHz
2Hl>484 3000 6000 µrrilos
2H548S 3500 700) µrmoo
2M5486 400) 8000 unilos
R90'1) lnp..¡t CoociJda.nce Vot = 15, VC$ =O, f= 100 MHz
2H5484 100 µnilc8
Vr:ss = 15, Ves =O, f = 400 MHz
~(2NIS4S$ 1000 wmoo
~ Output Conduciilil~ VOi! = 15, Ves =O, f = 1.0 kHz
2H5484 50 µnTio&
.2HM8li 00 µrmos
.2:N548e 75 ~
Reoloel Outpul Condudslt::e Voo = 15, VM =O, f = 100 MHz:
2ffó.4M 75 µmhal
V~= 15, V04 =O, f = 400 MHz:
2N6485 / 2N6C88 1CCI unt'tos
Recft.> FCXWl!lro TranlUXX'lductance Vnt. = 15, VGS =O, f= lOOMHz
2HIW84 2500 i.umce
Vea"' 15, V00 =O, f = -4al MHz
~ 3000 µnful
~ 3500 u.tTÍ'IO$
Ci.. Input capaclance Voa = 15, Ves =O, f= 1.0 MHz 5.0 pF
Cru Reverse Traoo1e< Ca pe cianea Vo&"' 15, YGS ,. O, f .. 1.0 MHz 1.0 pF
Co. Output C apad1ance Vnr. = 15, VGS =O, f= 1.0 MHz 2.0 pF
NF Noise Figure V.,,r 15 V, Ro= 1.0 k!'l,
f:100MHZ 2M6A.IW 3.0 dB
Vct= 15 V, Ro = 1.0 kn.
f=400 MHz 2H&484 '4.0 dB
Voo=-15V, R$= 1.0 k!l,
f= 100 MHz 2N6W l 2NSCM 2.0 dB
Vos= 15 V. Re "' 1.0 i<O,
f"'400 MHz ~f2NS468 4.0 dB
3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO F.LECrRÓNICA ANALOGA: TEORiA Y LA BORATOIUO 3 58
3.G. ESPECIFICACIONES DE LOS MOSFET
NDS331N
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description. Featuras
. ,,_.,
These N-Channel logic level enhancement mode • 1.3 A. 20V. ~-0.21 O @V~· 2.7 V
power field effect transistors are produced usíng RD5{0NJ - 0.16 n o v~- 4.5 v.
National's proprietary. high cell dénsity. DMOS
• lndustry standard outllne SOT -23 surface mount
t:echnology. This very hígh density process iS
package using poprietary SuperSOT™-3 design
espccially tailored to minimize on-5tate reslstance.
ror superior thermal and electrical capabilities.
Th~ devioos are particularly suited far low volt.age
appiiC<JtJons In ncxebook computers. po<table • High density cell design for extremely low RD!(ONJ.
phones, PCMCIA cards, and other baUery powered
circuits where fast switching, and low in-line power • Exceptlooal on~Istance and maximum OC
loss are needed In a very small outline surface currenl capability.
mount package.
s
,.. G
Sup~rSOT -3
Absolute Ma.ximum Ratings r .. .,, 2s ~ un1ess otherwlse noted

Symbol Paramet.ér' NDS331N Unil!i
Voss Drain-Source Voltage 20 V

VCS5 Gate-Source Voltage -Continuous B V
lo Maxlmum Draln Current -Cornlnuous (~11) 1.3 A

-Puf sed 10
Po Maxlmum PolNer Dissipatlon ~la) 0.5 w
(Not.. tb} 0..(6
TJ.TSTO Operating and Storage Temperature Ranga -65 to 150 'C
THERMALCHARACTERISTlCS
Rg_,A Thermal Resistance. Junction-to-Ambient 250 tNI
!Nat• 1•)
Thér'ma! Resistance. Junc:tion-to..Case (}/oto1) 75 'C!W
R...'"
,.....;_-
LABORATORIO 3 ELECTRÓNICA i\NALOGA: TEORIA Y LABORATOIUO 3 59

TRANSISTOR FET
~_ _D_L_AB_O_RA_·T_O_R_l_0_3._~
TRANSISTOR FET
~AB3.t.I ~ INTRODUCCIÓN
Como se explicó en la teoría, la familia la FET comprende dispositivos
que poseen características excepcionales comparándolo con el transistor bipolar. El JFET que
es el dispositivo más común, presenta características que difícilmente alcanza a igualar el
bipolar. En este laboratorio se utiliza el JFET y se determinan algunas de sus características.
Así que es un laboratorio de verificación y comprobación.
AI)tes de iniciar las prácticas, por favor leer el lab oratorio para sacar el listado de
nrntcriales y equipo requerido.
[LAB3.2.¡ ~ PROCEDIMIENTO
3.2. l. Adquirir algunos JFET, de acuerdo a su referencia, anotar las
especificaciones dadas por fabricante.
3.2.2. Identificación de los terminales del JFET: proceder en forma semejante a como se
hizo con el transistor. Se obtienen dos medidas bajas y ambas medidas son prácticamente
iguales. Entonces se determina el terminal de compuerta como el termi nal común a ambas
medidas bajas, mientras que los otros dos terminales son indiferentes; recuerde que el drenaje
y la fuente son intercambiables. Por experiencia, se recomienda verificar los terminales del
dispositivo utilizando el óhmetro. y no confiar en la disposición que aparecen en el manual;
tener en cuenta que se trabaja con dispositivos con calidad no garantizada
3.2.3. Determinación de los parámetros: Vcsorr e loss. Construir un circuito como el que
se propone en la FIG(LAB3 .1 ).
El circuito lo conforma ei JFET bajo prueba, la fuente que se
ID identifica como V os, un condensador (puede usar un
condensador mayor de 1µF) y el interruptor S. Proceda en ia
siguiente forma :
.--...,
1 + VDS
3.2.3.1. Asume una tensión Vns de trabajo y la fija con la
VGS
fuente ajustable.
3 .2.3 .2. Deja el interruptor S abierto, y coloca un voltímetro
e sobre el condensador para monitorear la tensión VGs.
3.2.3. 3. Conecta el circuito; entonces, cuando el condensador
se cargue, se comporta como un circuito abierto (¿ ?). Así que
la corriente In = O. La tensión que se mide sobre el
condensador es exactamente VGsorr.
FIG(LAB3.l) 3.2.3.4. Ahora, conecte un amperímetro para monitorear la
corriente In, y cierre el intem1ptor S. En esta forma se está provocando un corto entre la
l
i
!
1
i ~
LABORATORIO 3 ELEcmóNTCA ANÁLOGA: TEORÍA y LATlORATOIUO 3 60
TRANSISTOR FET
compuerta-fuente. esto es: V es = O. Luego se está midiendo la máxima corriente loss. Esta
corriente depende de la tensión Vos.
3.2.4. Efecto de la temperatura. Al circuito de la FIG(LAB3. l), con el interruptor S
abierto y voltímetro sobre el condensador, acercar el cautín previamente caliente al cuerpo del
JFET y mantenerlo un tiempo igual al que utilizó en la prueba con el transistor bipolar.
¿Cómo cambia la tensión V csorr frente a los cambios de temperatura?
Efectuar la misma prneba, cerrando el interruptor S y monitoreando la corriente lo. ¿Cómo
cambia la corriente Inss al cambiar la temperatura?
Construya un circuito con JFET que tenga polarización con divisor. Las condiciones son:
(Solicitarlas al monitor) _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ __ _ _
Monitoreando la corriente 10 y la tensión V es, acercar el cautín previamente caliente al cuerpo
del JFET y mantenerlo así durante un tiempo igual al que utilizó en la prueba con el bipolar.
Anote los cambios que se operan en las características del JFET.
+V 3.2.5. Construir el circuito de la FIG(LAB3 .2). Es un multietapa,
con la primera etapa utilizando un JFET. La compuerta se deja al
aire, ojalá conectándole un alambre (simulando una antena). El
objetivo del circuito es demostrar la alta sensibilidad que tiene el
R1 JFET en la entrada.
¿Qué sucede con el LED cuando se acerca la mano al alambre en la
compuerta?
Se puede lograr mayor sensibilidad si se reemplaza al JFET por un
MOSFET. Efectúe el cambio y observe cómo funciona ahora el '--''
circuito.
¿Qué aplicación se puede dar al circuito?
Ahora conecte la compuerta a tierra, colocando una resistencia en
serie con la compuerta. ¿Qué sucede? Anote sus conclusiones
FIG(LAB3.2)
3.2.6. Determinación de los parámetros del MOSFET EMOS. Adquirir un MOSFET de
enriquecimiento (cualquier unidad es adecuada).
La manipulación y manejo de los MOSFET requiere de algunos cuidados para evitar su
deterioro debido a que son dispositivos muy sensibles a las cargas estáticas. Y el peligro se
presenta en la compuerta, en donde se tiene la delgadísima capa de óxido de silicio, que puede
perforarse por la aplicación de esas descargas estáticas. No olvide que el cuerpo humano y
específicamente las manos almacenan este tipo de cargas.
Algunos dispositivos tienen protecciones por cargas estáticas, mediante la adición de diodos
incorporados internamente y que se conectan eléctricamente entre la compuerta y la fuente
(source) del dispositivo. Pero otros dispositivos, no tienen esta protección están expuestos al
efecto de las cargas estáticas del medio ambiente, y del manejo por parte del usuario .
Es para estos últimos dispositivos que se proponen las siguientes recomendaciones para su
manejo:
·-
LABORATORIO J ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOIÜA Y LADORATORIO 36)

TRANSISTOR FET
.- • Cuando el dispositivo está fuera del circuito, todos sus pines deben estar
-- •
cortocircuitados con un papel metálico.
Al manejar con la mano el dispositivo, esta debe estar llevada a tierra (utilizar manilla
aterrizada a tierra)
• Igualmente, si el dispositivo se va a soldar, la punta del cautín debe asegurarse a tierra.
.-. • El dispositivo no debe ser colocado o retirado del circuito si la fuente de poder está
encendida.
• Al colocar el MOSFET en un circuito · que contenga condensadores de grandes
··. capacidades, asegurar que estos condensadores estén descargados.
• Los pines del dispositivo que no sean utilizados en el circuito, se deben llevar a tierra o
al positivo de la fuente de poder.
Para la prueba con óhmetro, el instrumento se debe colocar en la escala de máxima resistencia;
entre compuerta y los pines drain y source, la resistencia es muy alta, mientras que la
resistencia entre drain y source es mas baja.
Los parámetros que se determinan son la transconductancia Kn y la tensión de umbral
Vc:s(m} Construya un circuito como el de
la FIG(LAB3 .3).
Asuma y fije una tensión \' 05 .
ID Colocando en mínimo la fuente Vc;s,
aumentarla lentamente hasta que el
+
amperímetro dé indicación de corriente In
Vns -=- (lo mas pequeña posible). Esta tensión es la
de umbral: Vcscrn>.
Asuma una corriente de trabajo In, y
aumente la fuente V cs. hasta obtener en el
amperímetro Ja corriente 10 deseada.
Anote la nueva tensión Vcs. Esta tensión
es la de trabajo
2
FIG(LAB3.3) DelaEc(3.14): In =Kn(Ycs - Ycscnll)
Reemplace valores y calcule el valor de Kn.

En esta forma se determina para Vos e 10 , los valores de Vc:s(íll), Yc:s y Kn.
3.2.7. Diseñe y construya un circuito utilizando el MOSFET EMOS, de acuerdo a las
condiciones dadas por el monifor.
,
ILAB3.3.¡ ~ PROYECTO-INVESTIGACION
Construya un circuito con el que se pueda trazar la característica de
entrada de los dispositivos FET (JFET, DMOS y ETvlOS), ayudado con el osciloscopio.
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TE.OlllA Y LADOHATOIUO 362 __ _
,
4.1. INTRODUCCIÓN 4.2. REGULADORES DE VOLTAJE LINEALES
APLICACIONES DEL
4iJ TRANSISTOR
INTRODUCCIÓN ,_
Se habla en general del transistor, como dispositivos de varias familias; así se

tiene el transistor bipolar y el transistor efecto de campo.
Cualquiera de estos dispositivos tienen la capacidad de amplificar siendo esta su principal
característica. Pero también pueden actuar como interruptores en aplicaciones de "switcheo" . .
Una u otra aplicación se logra ubicando el punto de funcionamiento en la zona adecuada.
Cuando actúa como amplificador, se debe polarizar el dispositivo en la zona activa; pero
cuando trabaja como conmutador, su operación se extiende desde la saturación hasta el corte.
Cuando el transistor trabaja como amplificador, el objetivo · es aumentar señales pequeñas, sin
producir distorsión. Pero también se puede polarizar en activa para amplificar tensiones
continuas. Cuando trabaja como interruptor, su campo de acción se extiende desde el control
de procesos hasta el amplio campo de los digitales.
En este capítulo se estudian aplicaciones tan interesantes como los reguladores de voltaje y
aplicaciones en digitales configurado como compuertas.
REGULADORES DE VOLTAJE LINEALES

En el capítulo 1, "APLICACIONES DE LOS DIODOS RECTIFICADORES'',
se estudió las fuentes de alimentación no reguladas y, posteriormente, en la sección 1.8 se
estudió el DIODO ZENER y su utilización como regulador de voltaje.
Recuerde que un regulador de voltaje es un circuito que mantiene constante el voltaje sobre
una carga, aunque varíe la tensión de red, desde donde se toma la fuente primaria de energía, o ·
aunque varíe la carga. Los reguladores tienen diferentes clasificaciones. Desde el punto de
vista del circuito pueden ser lineales y conmutados. Y desde el punto de vista de la posición
del regulador respecto a la carga, pueden ser reguladores serie o reguladores paralelo.
También se pueden clasificar en reguladores discretos y reguladores integrados; en
reguladores fijos y reguladores variables .
Como se estudió, el diodo zener es un dispositivo diseífado y construido para ser un regulador
de voltaje y su implementación en un circuito es sencilla. Pero presenta ciertas limitaciones: la
-pres~ncia de la resistencia intrínseca del dispositivo, que aumenta cuando la carga requiere de
corrientes grandes, reduce apreciablemente la calidad del regulador. Recuerde que la calidad
del regulador se define como el porcentaje de regulación:
0;., Re g = ~L(VA~!().l_-_"'.:·s_<:.'.'~~~:_>_ * 100

V L(V,\('(O)
·· · ~
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTHÓNICi\ ANALOGA: TEORIA Y LAílOilJ\TOTUO 363

4.2. REGULADORES DE VOLTAJE Lr.NEALES
Como consecuencia, se tiene un porcentaje de regulación que no es muy estable. Como se

había dicho anteriormente, al regulador con diodo zener se le denomina regulador
paralelo.
La introducción de los transistores en los circuitos ~e los reguladores, mejora notablemente Ja
calidad del regulador y su sensibilidad a los cambios de la tensión de red y de la carga.
-,
Una alternativa de regulador paralelo, es utilizar el diodo zener pero que no maneja
directamente a la carga sino a través de un transistor, como se muestra en la FIG4. l. Este
arreglo tiene la ventaja frente al analizado en que se puede dar un mayor manejo de corriente
en la carga.
Para analizar el funcionamiento del
<:>----1\M~------------~---'-.) circuito, se plantea la siguiente
Vi Ri Vo ecuación:
Vo = V En + V oc = V iu + V7,
-V + Pero: Vne = Vz
EB L
Luego: Vo = VF.ll + Vz (A)
La última ecuación significa que
cualquier cambio en el voltaje sobre
la carga está alterando la Vim del
transistor y, consecuentemente, su
conducción.
Por otro lado:
FIG4.1 In1 = Iiu + le + lm, (B)
Normalmente la corriente a través de R 2 y el zener debe ser mucho mayor que la corriente de
base del transistor, como criterio considerar que:
. lm ~ 1O In
E: In = le / ~
Reemplazando en la Ec(B)se obtiene:

ln1~le(10/f) + 1) + IRJ, (C)
Volviendo al análisis, si RL disminuye, Yo tiende a disminuir y la corriente a través de la
carga aumenta; por lo que la tensión VEc disminuye y de la Ec(A), la VEn tiende a
disminuir, reduciendo la conducción del transistor. Esta reducción en la conducción del
dispositivo se manifiesta en reducción de la corriente de colector y aumento de la tensión
VEc del transistor, compensando en esta forma la reducción inicial de esta tensión .
.Esquemáticamente se muestra el proceso de compensación del regulador, en la FIG4.2.

Observar en la Ec(B) que, si se considera que la corriente a través ele R1 es constante, es
evidente que cualquier aumento en la corriente en la carga está forzando a la disminución de la
corriente del transistor. Sin embargo, la corriente a través de R1 no puede ser constante ya que
cualquier cambio en la V r·:c del transistor necesariamente tiene que producir cambio en la
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR
4.2. REGULADORES DE VOLTAJE LINEALES
ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LAUORATORIO 364
1
tensión sobre R 1 ; este razonamiento lleva a concluir que, en la Ec(B), el cambio en la corriente
de la carga no puede ser igual al cambio de la corriente del colector.
VO i __.. !L t ___. VEC
t
+___. VEB + J
L . VEC
. .______
t .....--- le I ...._____ Q CONDUCE
'+' .....--- l\.IBNOS
FIG4.2
Otro regulador lineal, en el que también se utiliza el diodo zener pero no como elemento de
control, sino como dispositivo de referencia es el denominado regulador serie y cuyo
circuito prototipo se muestra en la FIG4.3.
Este regulador lineal presenta las siguientes ventajas:
1. El zener va a manejar corrientes bajas por lo
Q que su resistencia intrínseca Rz no es
apreciable.
Vo
2. La utilización del transistor permite regular
R tensiones grandes y constantes al igual que
corrientes grandes.
3. El transistor se configura en colector común ' -
(seguidor de emisor), de tal manera que
z puede manejar una impedancia alta en Ja
entrada del regulador y una impedancia baja
en su salida. Esta adaptación de impedancia
contribuye a mejorar Ja regulación del
circuito.
FIG4.3 En todos los diseños que contengan diodos zener,
siempre se debe asegurar su operación en la zona de ruptura inversa.
Algunas desventajas de este regulador son:
1. El transistor debe suministrar la corriente de la carga y, por tantó, disipar una potencia que
es proporcional a esta corriente.
2. Sin carga conectada, el transistor sigue disipando potencia, aunque pequeí1a, sin embargo
este consumo reduce la eficiencia (esta es un problema de los reguladores lineales en
general).
La función de cada componente en el circuito es:
R: es la resistencia !imitadora para el zener y para la corriente de base del transistor.
Z: es un diodo zen~r y cuya función es fijar un voltaje de referencia.
.\ , / /
L 4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR
ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LAOORATORIO J 65
Q: es el elemento regulador y su papel es suministrar la corriente para la carga manteniendo

la tensión sobre ella constante, RL es la utilización o carga.
IE El funcionamiento del circuito es el siguiente:

+ VcE _-+ Para una carga determinada, se tiene una
Vo
corriente IL, un voltaje Vo. Para esta situación
Vi
Q +VBE ilL el transistor opera con VCE, VDE e I 11 .
Analizando la FIG4.4 se tiene:
¡1
R
i1B
rL Vi = VCE + Vo (1)
De la ecuación ( 1) se deduce que el regulador es
.........
Vz
ilz del tipo serie.
~,
Por otro lado:
~
Vo = Vz - VoF.. (2)
'
li, = IE e IE ~ le
FIG4.4 le = 13 Tu (3)
r = Iz + In e4)
Suponer que la carga disminuye ( RL ..¡,) entonces IL aumenta y Vo tiende a disminuir.
De la Ec(2), con Vz constante, cualquier disminución en Vo impli ca que VnE del transistor
aumenta . En un transistor, el aumento de la VnE hace que el transistor conduzca mas lo que
significa que In aumente, le aumente y Vrn disminuya. De la Ec(l), considerando que Vi
sea constante, una disminución de Vc1·: hace que Vo tienda a aumentar, contrarrestando en
esta forma la reducción inicial del voltaje en la carga.
Del razonamiento anterior se pueden plantear algunas conclusiones:
1. La regulación del circuito, en su esencia, se basa en la mayor o menor conducción del
transistor.
2. Es importante fijar una referencia muy estable ya que de ese voltaje ( ver Ec2) depende la
estabilidad del vol taje en la carga. Por esta razón se utiliza un diodo zener.
Situación contraria se tiene cuando la carga aumenta (RL l) y que es la situación menos
crítica ya que el manejo de corriente es muy bajo.
Para el diseño del circuito de la FIG4.4 básicamente consiste en determinar el valor de R,
ajustar Vi, asegurar que la operación del transistor quede en activa y el zener quede en su zona
de ruptura. Si el voltaje de la fuente no regulada Vi varía entre Vimín y Vinulx, implicando que
la corriente a través de R sea Imín e Imáx respectivamente, R se debe escoger con el
siguiente criterio: Vimax - Vz < R < .Y.~min - Vz (5)
Imax lmin
Otro regulador de voltaje de mayor precisión se presenta en la FIG4.5.
La función de cada componente en el circuito es la siguiente:
Q1 ~ es el regulador y debe suministrar la corriente que requiere la carga,
R3 ~limita la corriente de base del transistor· regulador y la corriente para el Q2,
-
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECI'RÓNICA ANÁLOGA: TEOllÍA Y LADORATORIO 366
Q2 4 actúa como comparador,

Zener 4 establece un voltaje de referencia,
Rt 4 !imitadora de corriente para el zener,
R 1-R2 4 Es un divisor de voltaje cuya función es censar cualquier cambio que se produzca en
la carga.
VcE1 Ic1
o -+
Vi
RJ
Q¡
VBEl
¡1 Vo
trn1 V1
R¡ I~
-+ ·---
R4 lJ
Q2
Ic2¡ +--
Vnn Im ¡12
l{L
--+
14 V2 <
Izi R2
FIG4.S
Del circuito de la FIG4.5 se obtienen las siguientes ecuaciones:

Vi = Vrn1 + Vo (1)
Vo = V1 + V2 (2)
V2 = VnE2 + Vz (3)
f3 = In1 + Ic2 (4)
A partir de estas ecuaciones se explica el funcionamiento del circuito en la siguiente forma :
Suponer que la carga disminuye (RrJ ), esto hace que IL aumente (lL t) y Vo tienda a
disminuir (Vo.Í); como consecuencia, el divisor de voltaje observa este cambio así que V 1 y
V2 disminuyen (V1Í, V2Í); de la Ec(J) Qi hace la comparación de Vz que es constante con
V2 y como resultado(!). VnE2 disminuye (VnE2.i) por lo que el transistor comparador reduce
su conducción (Q2 conduce menos); esto implica que In 2 e Ici disminuyen (102 .Í, Ic2.Í); de
la Ec(4) considerando J3 constante, 101 aumenta (lu1f), Ic1 aumenta (Ic1t) y Vrn 1 .
disminuye (Vrn1Í) y de la ecuación (1), considerando que Vi es constante, entonces Vo ,_
tiende a aumentar (Vo f), compensando, en esta forma, la disminución inicial del voltaje en la
carga.
Esquemáticamente se presenta el funcionamiento anotado en la gráfica de la FIG4.6
Del funcionamiento anotado se plantean las siguientes conclusiones:
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLO(;,\: TEORIA Y LABORATOTUO 367
RL i __.,
VCEli
-~
FIG4.6
..........
,
-
~.
l. Cualquier cambio en el voltaje de la carga es monitoreado (observado) por el divisor de
2.
voltaje y no por el transistor regulador como se hacía en el regulador de la FIG 1.8.
Se tiene un transistor ad icional cuya función es comparar los cambios en la carga con el
voltaje de referencia. Este comparador es un transistor de baja potencia, sin importar la
magnitud de la corriente de carga.
3. El funcionamiento del comparador se basa en su mayor o menor conducción.
4. Los cambios en la salida del transistor regulador son comandados por cambios en su
corriente de base, así que cualquier cambio en la corriente de base de Q1 se refleja en
cambios de la tensión y corriente de salida de este transistor.
5. Ya que tanto la corriente de base del transistor regulador como la corriente de colector del
transistor comparador varían al producirse un cambio en la carga y, además, se ha
considerado que la corriente h (de la Ec4) es constante, entonces es necesario que la
corriente que se drena a través de la resistencia RJ sea lo más constante posible. Esto es
imposible ya que esta corriente es suministrada por la fuente no regulada y, como se sabe,
esta fuente está también sujeta a cambios de voltaje en la red. Por tanto, el regulador de la
FIG4.5 tiene este inconveniente.
6. El zener utilizado va a manejar una corriente pequeña, mucho menor que la que necesita el
zener del regulador de la FIG4A Lógicamente esto es una ventaja porque mucho menor
será la resistencia intrínseca del dispositivo.
De las conclusiones anotadas, la que hace impreciso el regulador analizado es la 5. ya que,
como se observa en el circuito, la corriente J3 no es constante. Entonces para asegurar que esta
corriente sea constante, se propone un regulador cuyo diagrama de bloques se muestra en la
FIG4.7.
El regulador presenta dos bloques adicionaies: el pre-regulador y el !imitador de corriente. El
primero, tiene como fin asegurar que la corriente que llega a la base de Q1 y colector de Q2 sea
constante, el segundo bloque, el !imitador de corriente es una protección.
El circuito para el diagrama en bloques de la FIG4.7 se muestra en la FIG4.8.
El bloque 1 se denomina el pre-regulador y se encarga de entregar una corriente constante a
los transistores Q 1 y Q 2; esto se logra reemplazando a la resistencia R3 del circuito de la
FlG4.5 por una fuente de corriente constante. El circuito lo conforma el transistor Q3 como
dispositivo activo y las resistencias R1 y R 2 . La primera resistencia R1 junto con el zener Z1
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR RLECTRÓNICJ\ /\NÁLOGJ\: TEORIA Y LATIOHATORIO 368
polarizan al transistor, mientras que Rz, además de limitar la corriente de colector, da

estabilidad térmica al transistor. La salida del circuito se tiene por el colector, así que allí se
tiene la corriente constante. La fuente de corriente dibujada es un sumidero de corriente.
LTh1ITADOR
Vi -------i CONTROL DE 1o-~~~~~.......- Vo
CORRIENTE
PRE-REGULADQRi---t
COJVIPARAD OR ..___ _........ MUESTRA CARGA
REFERENCIA
FIG4.7
-
3
1
FIG4.8
-
El bloque 2 es el control o regulador, que como en los circuitos anteriores, es el encargado
,_
de suministrar la corriente a la carga; dependiendo de esta corriente, Q1 puede ser un arreglo
Darlinton, o una cascada ele Darlinton cuando se trata de corrientes muy elevadas.
El bloque 3 es el comparador con función igual al que ya se analizó.
En igual forma los bloques 4 y 5 son la referencia y la muestra respectivamente como se
mencionó anteriormente.
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTHÓNICA ANÁLOGA: TEOJlfJ\ Y LAilORATOnIO 369
El bloque 6 es .el limitador de corriente. Lo conforma el transistor Q 4 y la resistencia R6 .

Para operación normal del regulador, el transistor Q.i está en corte y cuando Ja carga es tal que
la corriente excede cierto límite, el transistor entra en conducción y llega a saturación
rápidamente, limitando en esta forma la corriente a través de la carga; este proceso se realiza
gracias a los cambios de voltaje que se operan en la resistencia R 6 .
+ Vcri_Ql R6
+vr !CJ IEI
VCBI + VREI
R1 R2 VBFA
l3
lBI Vcr.t
VraJ + Q4
Il
IBJ-
QJ
t +
VEC3
+
Rs 1L
R3
I +. ICJ
.> 15 +
Rlf ~l Ic-2
Q2
IB2
CARGA VL
I·I
+
+
VZ2 ~rR4
FIG4.9
Para el diseño del circuito, es necesario plantear algunas ecuaciones, así que redibujando el
circuito en la FIG4.9, se tiene:
Vi = VcEt + V1, (1)
Se considera que Q.i está en corte y la caída en Rr. es despreciable.
V.i = V1m2 + V1.2 (2)
ICJ = fez + In1 (J)
Con estas tres ecuaciones se explica el funcionamiento del circuito y que es exactamente igual
a como se explicó el del circuito de la FIG4.5.
En cuanto al circuito )imitador de corriente, su funcionamiento se explica así: para operación
normal del regulador, la caída sobre R 6 es inferior a Ja tensión V DE4 de conducción del
transistor Q4 , en esta forma este transistor se polariza en coite. Al disminuir la carga, hay un
aumento en su corriente por lo que la caída sobre ~ aumenta y cuando el voltaje VG ( sobre
R6) es suficiente para la conducción de Q.i, este transistor disminuye su resistencia entre
colector-emisor circulando, entonces, una corriente Ic.i. Obviamente que esta corriente la está
tomando de la fuente de corriente constante, así que Ja corriente In1 disminuye, disminuyendo
Ja corriente lc 1 y reduciendo, por tanto, la corriente a través de la carga. En esta forma se está
limitando la corriente a través de la carga.
El siguiente ejemplo ilustra un diseño práctico del regulador estudiado.
4. APLICACIONES DEL TRANSlSTOR ELECr RÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LAilORATORCO 370
Qr' EJEl\tlPLO
Diseñe un regulador de voltaje como el de la FIG4.9 y que debe cumplir con las siguientes
condiciones: V1, = lOV @ Ii, = 2 A. Efectuar limitación de corriente a 3 A.
SOLUCIÓN. '1
...,_,
Vi 01 VL
"-· VR
R2 $:
rs
~ ·
R3
.._,
"---'
'--'
V1
VC3 5
Q3 04
+ RL
R7 VR4
- vg
R1 < ;,s "'
VZ1
01 R4 ~
--
FIG4.10
El circuito que se va a diseñar se muestra en la FIG4. l O. Como se observa, se coloca como
transistor regulador un arreglo Darlinton, en esta forma se asegura que la corriente que se
maneja en la base del transistor Q 2 es pequeiia. Tener ¡ffesente que todo el circuito de
contrnl: el comparador, la referencia, b fuente de corriente y el circuito de muestreo,
deben manejar una corriente total muy pequeña, comparada con la corriente de manejo
ele la carga. Tratar que esta corriente total del circuito de control esté por debajo del 1% de la
corriente de la carga (por criterio): IcoNTROL ~ O.Ol [¡,
El diseño se inicia seleccionando el transistor que actúa como regulador Q 1. Como maneja la
corriente de la carga, se selecciona un transistor de media potencia, por ejemplo el TIP33, que
es un transistor muy común en el mercado electrónico. El reemplazo en ECG es el ECG390,
c¡ue presenta las siguientes carn.cterísticas:
BVcno= lOOV, BVrno=lOOV, BVrmo=SV, le= IOA, Pn=80W.
La corriente que debe manejar el emisor de este transistor es aproximadamente IE ~ 2 A. Se
,_
asume la VcF.1 de trabajo: Vc:~ 1 = 15\/. Con estos dos datos, del circuito prueba se obtiene a
partir del paquete de simulación PSPICE la gráfica d e la FIG4 . 11 y los valores anotados en
el la. Observe en los resultados. que se ha asegurado que la corriente de emisor sea de 2 A, así
que se cumple: IE =le+ ln = 1.98 A+ 20.8 mA = 2 A
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOTI.IA Y LADORATORIO 371
~ . OA BODOIU-······· · ··· · · · · · · · · · · · ··· · · · · · · · · · ···-· · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · - · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · •

1 2
>/_. .--·-··-·-···~···-····-·····:~-:~~-m .~61.

: -· ······--········-··········--··········--········-..· - -········l
3ó9m) . .
2. OA 1100..u
l
1
i
1
! ~ (20 - 800m, 1 9.'303)
¡ ~ .
TIP33 PARA : VCE = lSV l'l IE = 2A
· SE TIENE : IB = 20 8mA, VBE = O. 761V ·
on ~:on ----r --------------·---~-----------------~------------------,------------------J

1u..n zonn so111n
[TI a IC(Q1) {]] • V(Ube)
ªº"'º
J_JB
FIG4.11
Ahora para el transistor Q 2 del Darlinto.n, se escoge el 2N2222, con:

Vrn2 = VcEt - VnEt = 14.239V
I1~2 = h 1 = 20.8mA
Nuevamente de la simulación se obtiene los resultados indicados en la FlG4.12.
1
S Ol"IA BOílmUT··· -- ------------------------------- ----------- - --------- ------------------------,
2
l ·,.---------··-····-····-······--.········- r·······--:---·-············ - -_...............
1 '
1 •• 1
r
:/'
¡
02 : 2N2222 .
(99 . 087u,722.327m)
PARA VCE =. 14 239V@ IE ~ 20.8mA
""º"1.SE TIENHB 99.087uA. 'IBE ":O 722V~
¡ (99 .087u,20 . 700m)·

1
1
'
I·
OA »: -----
ou+---::-:-------------,--- -- --------- --r--- ------- --- --,--------------- -r---- -- --- ----- -
nn 41lun soun 12oun 161lun 2ooun
[}] a IC(Q1) (I] • U(Ulle)
l_IO
FIG4.12
Para mayor precisión, se ha considerado que para Qi: h -:t:. le.
Así que: 20.8 mA = Ici + 111 2 = 20.7mA + 99.08htA
Se seleccionan ahora el diodo zener. Consultando manual, se escoge el diodo 1N75 I, con las
características nominales: Vz = 5.1 V,@ 20mA.
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LADORATORIO J 72
.
Estas dos características se pueden observar en PSPICE, utilizando una fuente de corriente y el
zener, luego se hace un barrido (Sweep DC) de la corriente.
El resultado se muestra en la GRAFICA (A)
5.120-¡--------------------------------------------------------------
1
vd
1
1
1
IDC 5 . 1 ou -l
1
01 1
,
1
01N751 1
1
11 1
1 _ZENER 1N751
s. oeu, 1
1
1
VZ = 5 . lV, IZ = ~OmA
1
1
1
1 ,
5.06U+--------- -----,-- ------ - ------ T·- ------------ -r · -------------~

10mA 15mA 25~0 20mA 30mn
a U(vd)
1_11
GRÁFICA (A)
Del circuito de la FIG4.1 O, planteando la siguiente malla:
VcE4 + Yz1 = VnE2 + VnEt + VL
Suponiendo el voltaje del zener con su valor nominal: Vz1 = 5.1 V, se obtiene:
VcE.t = 6.38V
Y se nsume: lc4 = 2mA
Entonces, la corriente del sumidero de corriente es:
lcJ = Im + lc4 ~ 2.0991 mA
Se escoge el transistor 2N2222 para Q4, y de acuerdo al punto de funcionamiento establecido,
se obtienen las siguientes características de la simulación.
1 omn
1 2 SOOmU-¡---------- ----- --------------------------- -- -------------~----- -- --------- - -------1
1
1
_ ,
1 • 1
---··················--~=·······
: , . . ~----·--··-····-.-r··-···-··
1 - - -· · · · · · · · · - - · · · · · · · · · · · ·
:( (11 . 88óu, 662. 077m)
1 04: PARA : VCE = 6.38V, IC = 2mA

smn 4oomu1 SE TtENE : IB = 11 . 886uA, VBE · = 0 .662
¡
!
i
1
>>i~Cll ea6u,2 . 0005m) . .

on ou~ ---------- - ---,------------- --- r--------------- ,-- --------- - --- -r----- -------- - -~
on 1 oun 20un 30uA 11oun soun
ITJ o IC(Q1) [ZJ "U(Ube)
l_IO
FIG4.13
\ -
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓN lCA ANALOGA: TEOHIA Y LAilORATORIO J 73
Ahora, para el transistor Q 3 , se plantean las siguientes mallas:
Con:
Luego:
Vcni = VRs + VEcJ
V cni = V rn2 + V nE2 - = 13 .5 17V
13 . 5 17 = V ns+ V ECJ
Se escoge para Q3 el transistor 2N3906, se asume: V ECJ = 1OV, y con lcJ = 2.099mA, se
determinan las características para este punto ele funcionamiento. El resultado se muestra en la
FIG4. 14 . .
RESUMEN DE LAS CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR Vrn le In Vor·: FIG

Q¡ TIP33 1 15V l .98A 20.8mA 0.761V 4. 11
Q1 2N2222 14 .239V 20.7mA 99.087µA 0.722V 4. 12
QJ 2 N3906 -l OV 2.099mA 7.896µA -0.7 1SV 4 .1 4

Q4 2N2222 6.38V 2mA 1 l .886µA 0 .662V 4.13
nn
2 -2 00mU ~~- -- - --- - -- - -~-Ai.1- - ~~~- --~ -: ~~/- --,~~-:-~- ~~~~:; - --- - ~- - -- - ---- - - - - - -
3 7.e%~A, 1
-¡
;l, 1 . -_:::-. <;E TIFNE IB = VE8 = 0.715V · :
(7 13959u -2 0991m1·------ - •
,-... - s"'n -'100mUi ' · · - '
1 •
;""""""\
_ . , . , ,\ • ( 7. 8960", - 7 l5. Q37ml

l\,,____ 1 .
-1 DnA 0
.....-.,, »:: -·· ··-·-- :__.. ·····-···· ··-····~·· - ·-······- -........... ___ ___.......,....... ·············¡
-15nA - eon~u~---- --- --- --- ----, ------ -----------r------- - --------,----------- --- -- -r ------ - --- - - ----~
on 1ouA 2oun Joun 11oun soun
......._ OJ D IC(Q9) rn • U( Ube)
I _ ID
FIG4.14
De la Ec: 13.517 = VRs+ VEcJ
Se obtiene: VRs = 3 .517V
Para una corriente: IE3 = lcJ + 1113::::: 2.1 lmA
Entonces: Rs = l .67K
Para la base del transistor QJ:
VRl = VRs + VE11J = 4.232V
Y: V1u = Vi - Vn2 = 20.768V
Por otro lado : IIlt = TR2 + I íl3
Considerando: JJU ~ l Ü JllJ
4. APLICACIONES DEL TRANSlSTOR ELECrRÓNICAANALOGA: TEORfA Y LABOllATORIO 374
-
Se asume: IR2 = 80µA

Luego: IR1 = 87.9µA
Así que: R 2 ~ 52.9K R 1 ~ 236.28K
Para el divisor del circuito de muestra: RJ-Rt. se tiene:
Vn4 = VnE4 + Vz1 = S.762V
V1, = V1n + VR-'
De donde: Vru = 4.238V
También: Iru = IR4 + ln4
Nuevamente del criterio: In4 ~ 10 ln4, se asume: Jn4 = 120µA, Entonces:
Iiu = 131.886µA
Y por Ley De Ohm: Ri ~ 48.02K RJ ~ 32.13K
Por último, la resistencia !imitadora del zener R 7 ; para asegurar la tensión Vz = 5.1 V,
necesariamente la corriente a través del zener tiene que ser de: lz = 20mA
Luego 20 =IR?+ IE4
Por lo que: IR1= 17.988mA
Además: V1t1 = Vi - Vz1 = 19.9V
Entonces: R1 = 1.106K
Así se completa el diseño, sin incluir el circuito !imitador de corriente.
,......
T IP33
Q1
Vi VL
R2 --../
52 .9K
32.13K __,,
R3
20mV __..,.
vr 03 vc4
V4
04
5 '-'
Q2N3906
+ R7 Q2N2222 VQ4 RL
25v ;;.:.
- vg
R1 1.106k
236.28K VZ1
Z1 R4
01 N751 48.02K
FIG4. 15
,.
\Í
¡;
;•
4. APLICACIONES DEL T~ANSISTOR F.LECTHÓNICA AN;\LOGA: TlmHIA V LAilORATORIO 375

~ El circuito final incluyendo valor de los componentes se muestra en la FIG4. 15. Efectuando la
simulación se obtienen los resultados de la siguiente tabla:
* D:\prueba\PRUEBA\prueba72.sch
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE "' 27.000 DEG C

*************************************************************************

( V4) 20.7680 (Vi) 25. 000 0 (VL) 9 . 9990 (vc4) 11.483 0
(VQ4) 5.7621 (VZl) 5.1000

NAME CURRENT
V vr -2. 020E+OO
V_Vg -2.020E+OO
TOTAL POWER DISSIPATION 5.05E+Ol WATTS
OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE 27.000 DEG C

DIODES
NAME D Zl
MODEL D1N751
ID -2.00E-02
VD -5.lOE+OO
REQ l.61E+OO
NAME Q_Ql Q_Q2 Q_Q4 Q_Q3

MODEL TIP33 Q2N2222 Q2N2222 Q2N3906
IB 2.08E-02 9.91E-05 l.19E-0 5 -7.90E-06
IC l . 98E+OO 2.07E - 02 2.00E-03 -2.lOE-03
VBE 7.61E-Ol 7.22E-01 6.62E -O l -7.15E-Ol
VBC -l.42E+Ol -l.35E+Ol -5. 72E+OO 9.29E+OO
VCE l.SOE+Ol 1.42E+Ol 6.3BE+OO -l. OOE+Ol
BETADC 9.52E+Ol 2.09E+02 l.68E+02 2.66E+02
,.....,.
El circuito de la FIG4. 15, incluye en la fuente Vi un generador (Vr), con el que se simula las
fluctuaciones de la fuente no regulada. El generador tiene 40m Vpp@ 1Hz.
Como resultado de Ja simulación en transiente, se obtiene las señales de Vi y V1, mostradas en
la FIG4.16; se observa que Vi varía en 40mV alrededor de 25V (25V ±20mV), que es lo
previsto, sin embargo, la tensión en la carga también varía, aunque esa variación es muy
pequeña: l OV ± 98hLV. Lógicamente que no se puede esperar que el regulador elimine las
fluctuaciones que se producen en la fuente no regulada, pero lo que sí se espera es que esos
cambios en la carga sean lo menores posible. Entonces, se debe mejorar el regulador
analizado.
A continuación se introduce al regu lador diseñado de la FIG4. l S el !imitador de
corriente, que está conformado por el transistor NPN Qs y la resistencia Rr, .
..........
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELF.Cl"llÓNlCA ANALOGA: TEOHfA Y LAllORATOnIO 3 76
1
25.011U
2 9. 9996U : - --- - - - - - - -- - ~-~~-~~·~¡~~~--:-~.- ---- --------------.----------------. ---------------¡
~-
/ ...- 10 · OOO) -, . '-, SE NAL VL :

..../ ...,_ :
2S . 02U
9. 9992U 1/( ggg
/ 25 020) . ~- . i,
:?-- SENAL V1 :
'
1
1
1
. ·.....
·., . . . . . .
//¡'
25.00U 9.9988U 1
25 ·. 000)
Vi .: VOC = . 25V Vpp = 'IOmV
• "·-.,
'-., .
9r99) ./
/ ./ :
1
,
' VL . voc = ·9 . g·~gv , Vpp =.o. 987mV . '·-, ___________ .>···" ¡
24.98U 9• 998:~.~ - - - - - - -- - ------, --- • - - ---- -- • - - T- - - -2-~:.~~91~-_::_-:'._r::_:-='_'::"'._-~-~-- - - - : : , _ -- • - --- --- -- • _ ¡
Os o.2s 0.4s 0.6s o.es 1.0s
m ª ucui> rn ucuL> M
Tirtu.•
FIG4.16
VL
32 .13K
R3
RL
VQ4 5
R4
48.02K
FIG4. l7
En la FIG4. l 7 se observa el circuito !imitador de corriente. Recuerde que este circuito (Q 5 -R 6)

sólo opera CL ando se excede de cierta corriente. Así que para operación normal (carga
completa), el t ·ansistor Qs debe permanecer en zona de corte.
Para determim .r el valo r de Rr., se establece la VnE5 para el que Qs está en corte, y la corriente
normal de trat ajo, así que por Ley de Ohm:
Cuando la ca· ga se reduce de su valor nominal (RL-!-), la corriente a través de ella, que es la
misma que a raviesa a Rc., aumenta (I1J), aumentando la caída sobre ~ - El aumento del
'--'
voltaje sobre Rr. implica que la Vrws también aumenta, y para un determinado valor de
4. APLICAC(ONES DEL TRANSISTOR 'ELECTRÓNICA ANÁLO(;A: TEOHÍA V LABOHATOTHO 377
4.2. REGULADORES DE VOLT AJE LINEALES
corriente, la caída en R 6 será tal que el transistor Q5 inicia su conducción (pasa de la zona de
corte a la zona activa).
Una vez Qs está en zona activa, su corriente de colector les aumenta; pero esta corriente,
como se observa en la FIG4. 17 (nodo V c4) es tomada de la fuente de corriente. Entonces, la
fuente de corriente debe suministrar corriente a los transistores:
lc3 = In1 + lc4 + les
Pero ICJ es constante, así que si les aumenta, necesariamente hace que lc4 disminuya, pero el
efecto más importanfe es que In 1 también disminuye y su reducción hace que la corriente en la
carga también se reduzca.
Resumiendo, el esquema de la FIG4.18 muestra el efecto del circuito !imitador de corriente.
FIG4.18
, . . __ Luego de hacer simulación variando Ri, se obtienen los resultados mostrados en Ja siguiente
tabla.
CIRCUITO SIN LlMITADOR CIRCUITO CON LIMlTADOR

RL(O) Vr,(V) IL(A) %REG Vr,(V) [L(A) Ics(A) Vm~s(V) VCEs(V) %REG
00 I0.022 o 10.022 l , 18p 26.5~L 0.987 o
50 10 2 0.22 9.996 1.9992 75.8n 0.4 1.88 0.26
4.5 9.996 2.221 0.26 9.993 2.221 0.42~L 0.444 l.94 0.29
4 9.992 2.498 0.3 9.987 2.497 3.55~L 0.5 2 0.35
3.5 9.985 2.853 0.37 9.97 2.849 54~L 0.57 2.08 0.52
3 9.976 3.325 0.46 9.729 3.243 1.12m 0.648 2.18 3
2.5 9.96 3.984 0.62 8.281 :u IJ l.9m 0.662 2.19 21
2 9.928 4.964 0.95 6.628 3.314 l.92m 0.662 2.19 51.2
1.5 9.848 6.565 1.77 4.973 3.316 l. 94 m 0.663 2. 18 101.5
l 9.419 9.419 6.4 3.317 3.317 l.96m 0.663 2.18 -

0.5 5. 165 10.331 9-t 1.659 3.318 l.98m 0.663 2.18 -
o o 11.421 - o 3.317 2111 0.663 2.18 -
4. APLICACIONl~S DEL TRANSISTOR l~LECrnÓNIC/\ ANÁLOGA: TEOIÜA \' LAOO!lATOIUO 378
4.2. REGULADOHES DE VOLTAJE LINEALES
La tabla contiene los resultados de simular el circuito variando la carga sin el circuito
!imitador, y luego, con el circuito limitador. De esa tabla se pueden ded.ucir algunas
conclusiones interesantes, a saber:
1. Sin carga, en vacío, el voltaje es ligeramente superior al voltaje con carga completa. Esto
es normal, e inevitable en un regulador real. Lo ideal, es que el regulador presente
exactamente el mismo voltaje con y sin carga.
2. En la medida que la carga se reduce de su valor nominal (para el ejemplo SD), el voltaje
sobre ella se reduce y va aumentado el porcentaje de regulación. Recuerde que el
porcentaje ideal es de 0%.
3. Para el regulador con limitador, su porcentaje de regulación es mayor que para el
regulador sin !imitador, para un mismo valor de carga. Esto lleva a concluir, que el
!imitador de corriente, reduce la calidad del regulador.
4. Cuando hay corto circuito en la salida, la corriente del circuito (cuando no tiene !imitador)
aunenta en forma exagerada; con el !imitador, la corriente se mantiene dentro de valores
raz )nables (comparar 11 A con 3 A, para las dos situaciones.).
5. Pan el ejemplo, se consideró efectuar limitación de corriente para 3A, así que se
det ~rrninó el voltaje V1ms que asegura este transistor en corte. Esta tensión es de:
\'Hs ::::; 0.4Y. Para esta tensión debe circular la corriente normal de trabajo: IL = 2 A, así
que la resistencia Rr. se obtiene por Ley de Ohm corno: ~ = 0.2.0.. En la tabla, se observa
q\ e la corriente queda limitada entre 3 .2 A y 3 .3 A aproximadamente.
6. C .1ando el circuito no tiene regulador, al reducir la carga por debajo de la nominal, el
v .)!taje en la carga no baja apreciablemente, excepto cuando RL ::; lD. Pero la corriente
< umenta en forma apreciable. Al colocar !imitador al circuito, el voltaje en la carga varía
:lpreciablcmente, mientras que la corriente se mantiene con cambios muy pequeños.
~ntonces se puede concluir que el !imitador, mantiene la corriente en la carga, mientras
~ue el volt.aje se reduce apreciablemente con cada reducción en la carga.
Pa:·a el circuito de la FIG4. l 7, en el caso de que se produzca un corto en la carga, el voltaje

V1_ = O y el transistor Qi entra a disipar una potencia elevada, por lo que se debe dimensionar
adecuadamente el disipador de ese transistor.
E ·1 ciertas circunstancias esto se puede convertir en un problema, así que se debe pensar en un
circuito !imitador de corriente tal que al reducir la carga hasta llegar al corto circuito real, el
voltaje sobre ella reduzca y también reduzca la corriente; este circuito contiene al transistor Q5
y la resistencia Rr. pero se incorporan dos resistencias más a esa red.
En la gráfica de la FIG4.19 se ilustra el efecto de los !imitadores de corriente. En el eje vertical
se tiene el voltaje sobre la carga V1, y en el eje horizontal la corriente 11,. La gráfica indicada
con CD es la respuesta ideal del regulador con !imitador de corriente, en que el voltaje sobre la
carga se mantiene constante hasta que se llega a la corriente máxima resultado de reducir la
carga (sin llegar al corto circuito); entonces el voltaje cae instantáneamente y la corriente se
mantiene en el límite máximo fijado. La curva indicada como @ corresponde a un regulador
real que no contiene !imitador de corriente. Se observa que en la medida que la carga se
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANA.LOGA: TEOR.fA Y LABORATORIO 379
4.2. REGULADORES DE VOLT AJE LINEALES
reduce, el voltaje reduce y la corriente crece incontrolablemente a valores tan altos que puede
afectar a los transistores serie.
J~a curva indicada como @ corresponde al
regulador real que contiene !imitador de
corriente. A medida que la carga se reduce, el
voltaje se reduce y la corriente aumenta, pero
llega al límite especificado hmáx, fijado por
la red !imitadora. Para esta situación la carga
puede llegar al corto circuito pero la corriente
'--_.o:~----4-~----__,._ _ IL se mantiene dentro de valores razonables,
Isc ILma."< Iscl
indicada en la gráfica como lsc 1 . Por último,
FIG4.19 la gráfica indicada como©, corresponde a la
respuesta de un regulador que contiene !imitador de corriente conocido como limitador por
anulación de corriente (Foldback Current Limiting); como se aprecia, la respuesta es
prácticamente igual a la de la curva @ hasta que s.e llega a la corriente ILmáx pero a partir de
allí, al reducir la carga aun más, el efecto de este !imitador es reducir el voltaje y la corriente,
hasta que la carga es un corto circuito y la corriente toma un valor pequeño y controlado
indicado como lsc (Short Circuit). Obviamente, al tener esta corriente tan pequeña, el
transistor serie del regulador no requiere de elevadas potencias y/o de disipadores de gran
superficie como sí lo requiere para el )imitador que se analizó anteriormente.
El circuito )imitador por anulación de corriente se muestra en la FIG4.20. Se utiliza el mismo
circuito diseñado y mostrado en la FIG4.17 pero, como se observa, se añade las resistencias
RA y Rn que junto con Rr, y el transistor Q 5 conforman el !imitador por anulación de
corriente.
TIP33 R6
Vi Q1 VL
Q2
R2 0.2
52.9K RA 32 .13K
RB R3
05
vc4 021\12222
25 V4 03
-vg 2N3906 Q4 RL
R7 02N2222 YQ~
1.106k
R1 VZ1
236.28K
Z1 R4
01N751 48.02K
-:;
FlG4.20
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORiA Y LADORATORIO 380
Para entender el funcionamiento del !imitador. en la FIG4.2 l se muestra el regulador.

reemplazando algunas de sus partes por bloques e indicando más claramente la red del
!imitador.
R6
Vi REGULADOR
____;~~-+-~~~---! 01-02 t--~~--~__,,
RA
RL=O
RB
03
05
C Ol\olP ARAD O R
04
FIG4.2 l
-,_
Para efectos le la determinación de los componentes del !imitador, la resistencia RG y el

transistor Q5 se calculan con carga presente y para el valor de sobrecorriente requerida
máxima tal co 110 se operó anteriormente; para la determinación de las resistencias RA y Ro, la
carga se debe reemplazar por corto circuito, tal como se indica en el circuito de la FIG4.21.
Como se obs~ rva en esta figura, las caídas sobre RA y ~ es igual a la caída base-emisor de
Qs: Vm:s = VnG + VRA
Igualmente la caída sobre las resistencias RA y Rn es igual a la caída colector emisor del
transistor Qz: VcE2 = VRA + Vnn
También: R" >> RG y Rn » RA

La primera desigualdad significa que el voltaje sobre RA crece más rápido que el voltaje sobre
RG; este detalle es importante para entender el funcionamiento de Ja red. Normalmente ~ está
en el orden de las décimas de ohmio, RA en el orden de las decenas de ohmio y Ro puede
superar la unidad de kilo-Ohmio.
Para operación normal, es decir, con carga cuya corriente es inferior al límite de sobrecorriente
(h < ILmñx), se presenta la siguiente situación:
1. La tensión en la carga es constante e igual al voltaje nominal (Vi.) previsto en el
diseño. Para el circuito analizado de la FlG4.20 ese voltaje es VL = lOV
2. La tensión colector-emisor del transistor de salida Darlinton (Q 2 en el circuito) también ·~
se mantiene constante y para el circuilo es de: VCE2 =Vi - VL = 15V

3. La corriente sobre la carga va aumentando a medida que RL se reduce, de acuerdo a la
ley de Ohm : 11, =Vi,/ R1,
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECfRÓNICA AN,Í.LOGA: n:onfA y LABORATORIO 381
4. La tensión sobre la resistencia Rr. aumenta tanto como la corriente en la carga aumenta
de acuerdo a la ecuación: VR6 = R6 Ir,.
5. El voltaje sobre las resistencias RA y RIJ se mantiene constante puesto que Ja corriente
que circula a través de ellas es constante igual que el voltaje sobre ellas.
6. El transistor Q6 se mantiene en corte pero su tensión base-emisor va aumentando a
medida que aumenta la corriente en Ja carga, puesto que: VnF.r. = VRA (constante)+ Vnr.
(en aumento conforme aumenta Ir,).
Cuando la carga RL es tal que su corriente es IL = hm:i:c, se presenta la siguiente situación:
1. El transistor QG entra rápidamente en conducción.
2. La tensión sobre R6 es máxima
3. El voltaje sobre la carga inicia su disminución y la VcEz comienza a aumentar
La carga sigue reduciéndose entonces entra a operar el efecto del !imitador por reducción de
corriente con el siguiente resultado :
·-
-...
l. La base del transistor Qs pide corriente lo que hace que el voltaje sobre la red RA-Rn
aumente. Específicamente el voltaje Vrv\ aumenta mucho más rápid o forzando a que el
voltaje sobre R 6 se reduzca rápidamente
2. Como R6 es constante, el resultado de la reducción de la caída sobre R6 es la
disminución rápida de la corriente 11,.
3. El transistor Qs entra en plena conducción en donde la corriente de colector es
- prácticamente la corriente que suministra la fuente de corriente (corriente suministrada
por el transistor Q3 . Esto se puede afirmar porque la corriente en la base del transistor
.--., Darlinton Q 1 es muy pequeña y al quedar en corto la carga, el transistor comparador
Q4 queda completamente en corte (fuera de operación).
Cuando la carga es exactamente RL = O, se detiene el proceso con los siguientes resultados:

l. La caída sobre la resistencia R6 es: V nr. = R6 lsc (Isc es la corriente de corto circuito)
tensión que es inferior a VRG = R6IL111:1:c.
2. El transistor .Qs está en plena conducción (no saturado) con: VnEs = V A + RGlsc,
VcE2 = Vi - Rr.Isc, VcE2 = Vrrn + V IV\, Ic6::::: ICJ, transistor comparador Q4 en corte.
3. ¡Y lo más importante!, ¡la esencia del !imitador!: La potencia que disipa el transistor
Darlinton, específicamente el transistor Q2 es pequeña y controlable; obviamente
no se requerirá de disipadores de gran tamaño o transistores de elevada potencia como
sí se requieren si no se utiliza el !imitador por reducción de corriente, o peor, si no se
utiliza ningún !imitador.
Es este el funcionamiento del ]imitador de corriente: Foldback Current Limiting. Para la
determinación de las resistencias RA y Rn se procede así:
1. La resistencia R6 se dimensiona determinando la VnE6 que deja al transistor Qs en
corte y se asume la sobre corriente máxima ILrnñx requerida para el regulador. Se
calcula la tensión VR6 = R6 lLmñ~
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ~:LECTRÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LABORATORIO 3 82
2. Se asume la corriente que se desea que circule a través de R<> cuando RL =O, esto es la
corriente Isc. Normalmente esta corriente se asume por debajo de IA Se calcula la
tensión V R6 = R. lsc.
3. En operación normal el transistor Q 5 está en corte, así que la corriente de base y de
colector se pueden considerar cero; entonces se asume una corriente que circula a
través de las resistencias RA y Rn.
4. También para operación nonnal se fija la tensión sobre la carga VL, el voltaje de
entrada Vi y la tensión colector-emisor sobre el transistor Qi: V CE2·
5. Del circuito se observa que: VcE2 = Viv\ + Vnn con la VcE2 calculada en el numeral 4.,
y como se había asumido l(a través de RA y Rn) se calcula la serie:
RA + Rn = VcE2 I l(RA,Rn).
6. Cuando Rr,"" O, V cE2 = Vi - Vn6 (para Isc), Ic2 ~ lsc (considerando que IRA<< lsc). ·
Con estos datos se determina (en PSPICE o el laboratorio) la VnE (de Q1-Q2)
7. Para RL =O, el transistor Q 5 está en plena conducción con:
les~ lcJ, V rns = V1m(Q1-Q2) + VR6 (para Isc) . Con estos datos se determina (mediante
PSPICE o laboratorio) Ins y VnEs.
8. Del circuito se observa que: VnE.S = VIV\ + VnG(@ lsc). En el numeral 7. se calculó
V1ms y ya se conoce Vn6, entonces se calcula VRA.
9. Por criterio se considera que I1lA = Irrn. Además, IRA e 11rn >>>> Ins, también por
,
criterio se asume que l 1tA = Inn ~ 1000 IB5. Como ya se determinó V 1lA (en el numeral
8.) entonces se calcula RA = Vn,.d In,.,. .
1O. En el numeral 5. se determinó la serie RA + Rn, así que con RA conocido, se calcula
Rn. Y en esta forma se evalúan las componentes que forman el limitador de corriente
por reducción de corriente (Foldback Current Limiting). N ccesariamente lns
resistencias RA y Rn se deben cnlcular para In situnción de corto circuito.
Obviamente que el método de diseño propuesto en los 1O numerales anteriores no es el único
así que se pueden proponer otros métodos; lo que si es inalterable es el circuito típico del
!imitador.
Como ejemplo, se determina las resistencias RA y Rn para el circuito de la FIG4.20 utilizando
el método propuesto.
l. En el circuito de la FIG4.20 ya se tiene el valor de R 6 = 0.2 n. Para este ejemplo se
asume que lr,m:íl = 1.77A, luego: VRc. = 0.357V.
2. Se asume lsc = 800mA, luego V Rr. =O. l 6V.
3. Se asume l(R,\+Rn) = 8mA.
4. De acuerdo al diseño desarrollado anteriormente, se consideró: VL = IOV, Vi = 25V,
luego Vrn2 =Vi-:- VL = 1SV.
5. Se calcula la serie RA + RA = Vrn2 / l(R" + Ru) = l.875K
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECrRÓNICA ANÁLOGA: TJmRIA Y LADOM.TORIO ) 83
6. Para R1, = O y con: Vrn2 =Vi - RG Isc = 24.84V y con Ic2 ~ lsc = 800 mA, con un
circuito prueba en PSPICE se determina que VoEt-l ~ 1..41V.
7. También para R1, =O se tiene: les~ lcJ = 2.1 mA, VcEs = VnE1-2 + RG lsc = 1.57V.
Con estos datos del circuito prueba en PSPICE se determina: 105 ~ 13 .32~tA,
VnF.s = 0.665V.
8. De la Ec: VnEs = VRA + R6 lsc, con VnEs = 0.665V y ~ lsc = 0.16V, se calcula
VRA = 0.505V.
9. Por criterio se asume que IRA= Inn ~ 1000 Ins = 13.32mA. y con VRA = 0.505\l, se
calcula: RA = 37.9.0..
1O. Como RA + Rn = 1.875 K y RA = 3 7.9.0., entonces Rn = 1.84K.
-- En esta forma se determinan las resistencias RA y Rn del !imitador. Ahora lo que resta es
efectuar la simulación del circuito de la FIG4.20 incluyendo las dos resistencias calculadas y
hacer algunas observaciones interesantes.
Para la simulación se hace una variación de la carga RL aprovechando la herramienta de
PSPICE del barrido en DC (Sweep DC). Para ello se procede así:
l. En el esquemático, a la resistencia R1,, en lugar del valor se escribe: {RL}
2. En librería se trae al esquemático la función: PARAMETERS:
3. Pica doble vez en el nombre P ARAMETERS y aparece un cuadro como se indica en la
fIG4.23 .
_N¡me ~¡Ju e
l_REFDE_S_ _~ =(.-P-M-7-----------,1r
..__~_av_-~·_.6.!_ir_
TEMPLATE=.PARAM @NAME1 =@VALUE1 UNAME2/@N

NAME1=RL
N.6.ME2= .Qelete
NAME3=
V.l\LUEl = 1
VALUE2=
Rl lnclLrJe N!n·chin!eilleAttrilLites !K
R1 lncluJe S~stem·tefinet Attriltutes (¡ncel
FIG4.23
,--...
,-.,
En NAMEl se escribe RL y en v.ALUEl se da cualquier número (es indiferente) y OK
4. En ANALYSIS y SETUP se habilita la ventana DC S\VEEP y aparece el cuadro
,.......
mostrado en la FlG4 .24 y se habilita lo que se indica allí. Entonces R1, se varía desde
,......_ O.O l .O. hasta 100.0. con incrementos de 0.2D., es una variación lineal. R1, no se puede
colocar en cero porque indica error, así que se coloca un valor pequeño.
,,........
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOilÍA Y LAilORATORIO 3 84
SweJ1tV;ir. Ty111e
o v;·¡¡:;;!e··¡r;;:;;·~·éi
t!;ime:
[~~-----_]
~······-············· ··· ··· ·····'
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O
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L ..t. ·----...1
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-~
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0 l,.ine.iir 1
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o
O
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V.;ilue Li~t
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l.~:~t . . --···_..I
1 1 1
.
1····¡:;·~~;~·~ 5~·~-~~:·.·.--···1 r. . cfr~ .... , 1
i ~;incel
·~
FIG4.24
--......-
Al efectuar la~ imulación se obtiene las siguientes gráficas.
RL Ol
U(UL) l(RL) (5.3030,9.3915)
1
12U
2
OA-;- - - --------------------·
1
1
1
1 U(Ul)
1
RL I(':tl}:
30
(0.01,-ü.8 :
1(Rl}"
40
Rl UL 1
(5.3030,-1.7708) 1
1
1
. )) : :
OIJ -2.~A --------------------------,-------------------------- -!
o 5o 100
[]] a O(Ul) [lJ • I(Rl)
RL
FIG4.25
En la FIG4.25 se:. muestra la respuesta del voltaje y corriente en la carga VL, IL, al variar la .____,
carga. Observe d voltaje que se mantiene constante en 1OV hasta que llega a Ri, == 5.3.Q,
valor en el que si fijó la corriente máxima l1.1mh· A partir de ese valor de resistencia en carga,
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOIÜA Y LABORATORIO 385
el voltaje se reduce muy rápidamente, como es obvio. Esa gráfica muestra el efecto regulador
del circuito, es decir, qtte al variar la varga (en este caso reducir) el voltaje se debe mantener
constante, claro está hasta un límite mínimo de R1,, de acuerdo al porcentaje de regulación.
En cuanto a la respuesta de la corriente, ella comienza a aumentar a medida que la carga se
.-. reduce (este es un regulador de voltaje, no de corriente), hasta llegar a RL = 5.30 en donde se
tiene el máximo valor de IL previsto de sobrecorriente. A partir de este punto y al seguir
reduciendo la carga, inicia el efecto del !imitador de reducción de corriente, esto es que la
corriente a través de la carga se reduce, hasta llegar al valor previsto de lsc = 800mA. En la
.-. gráfica, para la corriente aparece negativa, significa que en el PSPICE se opera con el sentido
electrónico del movimiento de los electrones y no con el sentido convencional.
1.0U¡------~-----~----------------------------------------------------- 1
RL ·· VBE5
(139.860m,665.301m)
1
1
(5 .3030,661.539m)
1 RL VBE5
O.SU\ VRA
: t~~-=======~t============================J
_ 300. 620mu
(5.3030,307.692m) VRA
, RL VRA 1
ou+------------,-------------r------------,-------------r------------~
O 20 40 RL 60 80 100
FIG4.26
En las gráficas de la FlG4.26 se tiene el voltaje sobre la resistencia RA y la Vm~s cuando varía
la carga.
La gráfica para el voltaje sobre la resistencia RA, se mantiene constante e igual a
VRA = 300.6mV, indicando que para cualquier valor de Rr, mayor que 5.30., no hay drenaje de
corriente al transistor Q5 y que el único voltaje que varía es el que cae sobre la resistencia RG,
como se puede corroborar con la gráfica de V nEs, que aumenta a medida que la carga se
reduce; recuerde que VnEs = VnA + Vn.6. Entonces, con VRA constante, para que aumente la
VnF.s es porque aumenta la VRc..
Al llegar R1. = S.3D., se considera que el transistor Q5 entra en conducción (VnEs = 0.661 V);
en adelante, es decir, Ri, < 5.3.Q, el voltaje sobre RA aumenta rápidamente, la VnEs también
aumenta, _pero en muy pequeña proporción, y el voltaje sobre RG debe reducir. Observe en la
gráfica que para Ri, = 0.139.Q, se tiene Vrms = 0.665V, implicando que Qs conduce aun más,
sin llegar a la saturación (esto es importante). Recuerde que este valor de VnEs fue el que se
utilizó para determinar R 6 cuando la carga está en corto circuito.
En la gráfica de la FIG4.27 se muestra el voltaje sobre Rc. y la corriente de colector del
transistor Qs: les.
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANJ\LOGA: TEORlA Y LABORATORIO 3 86
~-·
VR6 IC(Q5)
400rnU 3. 0111A7- ----------------- -- ------ -------------------------------- ·--·
2 RL VR6
(5.3030,353.608m)
Rl IC 5
( 5'. 3030'.1. 8385m)
2 OOrnU
1
1. ornn.., VR6
1
1
IC(Q5) ºRL IC(QS)
'
1
(8 .·8372, 9. 3040u)
»:'
1
ou OR+ -- ---'--~~~~~~~~~~--..~~~~~~~~~~~~~-..,
o so 100
RL
FIG4.27
Las dos gráficas confirman lo anotado anteriormente. El voltaje sobre R6 aumenta en la
medida que reduce la carga y esto es lógico, puesto que al reducir la carga aumenta la
corriente a través de la resistencia ~. Este aumento en VR6 se da hasta que llega al valor de
R1, = 5.3.0., resistencia a la que se llega al valor de hm:tx y entra a operar el efecto del !imitador
por reducción de corriente. Para R1, < 5.30, el voltaje sobre R6 se reduce rápidamente.
En cuanto a la corriente de colector del transistor Qs, para RL > 5.3.0., la gráfica confirma que
el transistor permanece en corte, entonces la corriente que suministra la fuente de corrien te a ' ~·
-
través del transistor QJ se deriva a la base del Darlinton y al transistor comparador Q4; para
RL = 5.3 D., la tensión VnEs es la suficiente para llevar al transistor Q5 a la conducción y la
corriente les aumenta a les = 1.84mA. Para RL < 5.3.0., la corriente de colector sigue
aumentando, hasta que se hace aproximadamente igual a la corriente de la fuente de corriente
Q3 (en esta parte el transistor comparador Q.i queda completamente en corte y la corriente de
base del Darlinton, específicamente de Q1 es muy pequeña).
-·
\._-
Las gráficas anotadas de la simulación en PSPICE aclaran bastante lo anotado acerca del
!imitador y muestran su efecto y así termina la explicación del !imitador: Foldback Current
limiting.
Resumiendo lo estudiado hasta el momento, se plantea la necesidad de obtener voltajes
constantes sobre una carga que es variable, al igual que la fuente de la que toma alimentación
(de la red de suministro público). Inicialmente se analiza el regulador paralelo, utilizando un
diodo zener como elemento básico; sin embargo, este regulador simple se ve limitado cuando
se requiere manejar corrientes altas, así que se plantea el regulador serie, en el que el elemento
de control es un transistor y el zener actúa como dispositivo de referencia. De este regulador,
el prímer prototipo estudiado (FIG4.5) no garantiza que los cambios en la conducción del ,_.
transistor comparador sean efectivamente seguidos por la respuesta del transistor de control,
debido a que la suma de la corriente de colector del primero y la corriente de base del segundo
debería ser constante; así que se ve la necesidad de introducir una fuente de corriente que
actúa como circuito pre-regulador y que garantiza que la suma de las dos corrientes anotadas
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTllÓNICAANÁLOGA: TEORÍA Y LABORATORIO 387
sea absolutamente constante: este regulador presenta un mejor desempeño y permite obtener
un bajo porcentaje de regulación.
Sin embargo, si se producen cambios muy pequeños en el voltaje de la carga, por ejemplo,
cambios tan pequeños del orden de milivoltios o aun menores, ¿será que el regulador
.- . responderá?
La respuesta está en el transistor comparador, pues es este transistor quien en pnmera
instancia detecta los cambios de voltaje en la carga. Recuerde la ecuación:
V muestra = V DEcomparacJor + Y referencia
Cualquier cambio en la carga, se ve reflejado en la tensión base-emisor del comparador y,
lógicamente en su conducción; así que la corriente de colector de ese transistor también
cambia. Generalmente se asocia la juntura de .un transistor bipolar con e[ comportamiento de
un diodo de unión, entonces considerando la ecuación exponencial: ·
Je= Is( e "st10.026 - l)
Con Is la corriente inversa de saturación del transistor. Suponga, como ejemplo, que:
Is= 10·14 A VnE = 0.68V
Reemplazando en la ecuación exponencial se obtiene: le= 2.283mA.
Ahora considere que la tensión base-emisor cambia a: VnE = 0.69V, la corriente de colector
es: le= 3.356mA. Entonces, para un cambio en VnE de lOmV, se produce un cambio en. la
corriente de colector superior a 1mA. Este es un cambio relativamente apreciable,
Pero suponga que: VnE = 0.6801 V, ahora: le = 2.292mA. El cambio en VnE es de 1OO~tV,
produciendo un cambio en la corriente de colector de 9µA. Estos cambio son tan pequeños que
es poco posible que el transistor comparador alcance a detectarlos. Y ¿qué se puede decir si el
cambio en la muestra es de sólo 1~tV?.
En resumen, el regulador analizado hasta el momento es efectivo, si no se requiere controlar
cambios pequeños de voltaje en la carga. Pero si se producen cambios muy pequeños en la
carga, el regulador estudiado no es adecuado~ así que se plantea una mejora al regulador de la
FIG4. J 7. El objetivo es disponer de un circuito que sea mucho más sensible a los cambios de
tensión en la carga. Un circuito con esta característica se muestra en la FIG4.28.
Este circuito difiere del regulador de la FIG4. 17, en que se incluye un amplificador
diferencial conformado por los transistores QJ y Q4, las resistencias Rs y ~ como cargas y la
resistencia Rs con la que se acoplan los emisores del diferencial. Periférico al amplificador
diferencial se tiene, en la base del transistor Q 3 un voltaje de referencia que lo fija el diodo
zener Z3 y en la base del transistor Q 4 el circuito de muestra conformado por el divisor R1-P-
R9. Para funcionamiento normal del regulador, se asegura que el voltaje V ZJ es igual a la caída
de voltaje entre la resistencia inferior del cursor de P más R9 . A este voltaje se va a llamar
V n4 . Entonces, para operación de equilibrio:
Vn4 = VZJ
La salida del diferencial se torna por el colector de Q3 , así que se tiene salida desbalanceada
(con presencia de nivel continuo), por tanto, entre el colector de QJ y tierra se tiene un voltaje
OC que se puede llamar VcJ. Este voltaje debe ser igual a:
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEOHÍA Y LADORATOIUO 388
Vc3 = VnE2 + VZ2 -

--·
FIG4.28
La ventaja del regulador con amplificador diferencial es que cualquier mínimo cambio
en el vo~taje en la carga, produce el desequilibrio del amplificador diferencial y este
desequilibrio es amplificado por el transistor Q 3 provocando un cambio grande en el voltaje
Vc 3 y también un cambio apreciable en la VnF.2, situación que no se logra con el regulador de
la F1G4.17.
Por ejemplo, para ilustrar rápidamente la sensibilidad de este nuevo circuito, suponer que en la
carga se opera un cambio de l 00µ V y suponer que el amplificador diferencial presenta una
ganancia de 500, el cambio que se presenta en la salida del diferencial es:
lOOµV * 500 = O.OSV
Y suponga que la VnE del transistor comparador es de 0.68V para la situación de equilibrio, al
cambiar el voltaje de salida l OO~tV, la VBE aumenta a:
VnE = 0.68 + 0.05 = 0.73V
Y la corriente de colector del transistor comparador, aplicando la ecuac1on exponencial,
cambia de 2.283mA para la situación de equilibrio, a. l 5.62mA cuando cambia el voltaje de ·
salida. Los cambio que se operan en el transistor comparador son bastante grandes. En la ·--
siguiente tabla se reúnen losa cálculos anotados.
Vn¡;: le
REGULADOR DE LA FIG4.17 Operación normal 0.68V 2.283mA
Cambia In cnrga IOO~tV 0.68 l V 2.372mA
REGULADOR DE LA FIG.t.19 C;imbia la carga IOOµV 0.73V 15.62mA

4. APLICACIONES OEL TRANSISTOR V,LECTilÓNICA AN.Á..LOGA: TEORÍ/\ y LADOHATOnro 389
Para analizar el funcionamiento del circuito de la FtG4.28, suponer que RL disminuye así que
su voltaje disminuye, luego Vn4 también disminuye, el amplificador diferencial se
desequilibra ya que: VZ3 > V B4
Para esta situación predomina la entrada del transistor Q 3 , así que el voltaje de su colector se
reduce a un valor: VcJ - V'
En donde V' es: V' = Ad (VZJ - Vn4)
Con Ad la ganancia en modo diferencial del amplificador diferencial (por ahora no interesa la
determinación de la ganancia de este amplificador).
De la Ec VCJ = VnE2 + Vz2 al disminuir Vo, entonces la tensión VnE2 también disminuye
ya que Vz2 es constante, por lo que el transistor Q 2 conduce menos, reduciendo su corriente
Ici y aumentando la corriente In del transistor regulador, llevando a que la Vcr. de este
transistor disminuya y forzando a que el voltaje en la carga aumente, compensando en esta
forma la disminución inicial.
La situación contraria vale la pena analizarla: si la carga RL aumenta, el voltaje sobre ella
tiende a aumentar y Vn 4 también aumenta, nuevamente el amp~ificador diferencial se
desequilibra pero ahora: VZJ < Vn.i
Entonces predomina la entrada del transistor Q.¡, por tanto, en el colector de QJ se va a tener·
un voltaje dado como Vc3 +V" (Ahora aumenta el voltaje en el colector de Q 3 ) en donde:
V" = A ( Vn4 - V7..J)
Con este nuevo voltaje en la base del transistor Q 2 , y por el efecto de la comparación, la VnE 2
aumenta, aumenta la conducción de Q2, aumenta Ja corriente Ic.:2 , disminuye la corriente In
del transistor regulador y su V rn aumenta, tendiendo a reducir el voltaje en Ja carga,
compensado de esta manera el aumento inicial.
Si se observa el circuito, se marca en el transistor regulador Q0 , para indicar que se trata de
un transistor Darlinton.
Otra característica de utilizar el amplificador diferencial es su capacidad de rechazar señales
de ruido y que usualmente se indica como CMRR ( factor de rechazo al modo común). Este
factor es alto entre mayor sea la resistencia Rll, así que depende como se dirija el diseño, se
logrará obtener un alto CMRR; recordar que para lograr un equilibrio perfecto del
amplificador diferencial, es necesario que los transistores que lo conforman tengan
características eléctricas iguales, situación que en la práctica no es posible, así que entre mayor
sea la resistencia R¡¡, mas se minimiza el efecto de estas diferencias.
El potenciómetro P del circuito tiene como objetivo hacer un ajuste de calibración, de manera
que se asegure el equilibrio del amplificador diferencial en operación normal.
Otra mejora al circuito de la FIG4.28 es introducir en reemplazo del amplificador diferencial
un amplificador operacional. Y por último, integrar el regulador, para entregarlo al usuario en
un circuito integrado.
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTR.ÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LABORATORIO 3 90
4.3. COMPUERTAS DIGITALES
COMPUERTAS DIGITA.LES
En el capítulo 1, sección l. 7. 5. se estudió las compuertas digitales construidas
con diodos . En esta sección se estudia las compuertas digitales que contienen transistores.
Cuando la base de las compuertas digitales son los diodos, se denomina lógica diodo (DL) y
cuando las compuertas digitales están construidas con transistores, toman diferentes nombres,
así: si las compuertas se basan en transistores y resistencias, se denomina lógica Transistor-
resistencia (RTL), si las compuertas se construyen con diodos y transistores, se denomina
lógica diodo-transistor (DTL), se dispone de compuertas cuya base circuital es el
amplificador diferencial y a esta lógica se denomina lógica de emisor acoplado (ECL)
cuando las compuertas se construyen con transistores cuya estructura tienen una base, un
colector y varios emisores, se denomina lógica transistor-transistor (TTL), y si la base de
las compuertas es la combinación de MOSFET canal N y canal P, se denomina lógica MOS
complementaria (CMOS).
En esta sección se mencionan las lógicas RTL, DTL y TTL, pero en forma rápida, ya que el
propósito es más conocer estas lógicas, sin entrar en detalle, porque el estudio profundo
compete más a un curso de electrónica digital.
Una de las características que tiene el transistor y que no tiene el diodo es la capacidad de
invertir; el transistor puede operar entre las zonas de corte y saturación y de esta manera actúa
como un interruptor. Entonces, cuando está en corte, actúa como un interruptor abierto y
cuando está saturado, se comporta como un interruptor cerrado. Para observar el
comportamiento del transistor en esta faceta de su funcionamiento, se analiza el circuito de la
FIG4.29.
Utiliza al transistor 2N2222, la base se coloca
R2
R1
5k j Vo Vcc +
un generador de pulso, la resistencia R 2 es
una limitadora para la corriente de base.
Como carga se coloca la resistencia R 1 y la
salida se toma por el colector, así que el
circuito está configurado como emisor
1DI< 12Y _
ve 01 común.
1 I
vi 'V\/'v
~
Q2N2222
El funcionamiento del circuito es bastante
simple: cuando el pulso en la entrada está en
0 -::-- -::--
cero, no hay corriente en la base, la VnE = O,
1 no hay corriente en el colector y VCE = Vcc;

el transistor está en corte.
FIG4.29 Cuando se aplica el pulso, hay corriente en la
base, el tr~nsistor pasa a conducción, luego la VnE > O, pasando rápidamente a la saturación, se
tiene la máxima corriente de colector, limitada únicamente por la resistencia R 1 y la tensión
V rn ~ O; ahora el transistor está en saturación.
........
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: n:onlA y LABORATORIO 391
N¡me Y'.ilue
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.----~~~~~~~~~~~~~~~~-,.....
DC=O 1 (.ban()e Die¡¡lav 1

AC=O . .
~1:~ rH•m•-¡d~·~·-H•H]
TD=1m
TR=10u
TF=10u QK
PW=lm
PEA=2m Cincel
FIG4.30
En la FIG4.30 se muestra un cuadro para la edición del pulso en PSPICE. Contiene.

TD: Tiempo de retardo de 1ms
TR: Tiempo de subida de 1Oµs
TF: Tiempo de caída de 1Oµs
PW: Ancho del pulso cuando está en alto de 1ms
PER: Periodo del pulso de 2ms.
--.... Al efectuar la simulación del circuito de la FIG4.29, se obtienen las señales mostradas en la
FIG4.3 l.
5.ou~-------------.--~~~~~-.--- - ---------..--~~~~~~
-
1 1
1 1
1 1
1 1
1 1
1 1
1 1
1 1
SEL»: :
ou~·~~~~~~'-------------~~~~~~~------------J
o U(ui)
2ou~------
1
- ---- --- -------- ------- ---- ----- ------- ------- -~1
1 1
1 1
,....._ 1 1
-.
oj_ ____
Os
H _ ____ 1
1. Oms
]_ _________ ___\
2.Cms 3. Oms 4.0ms
i
o U ( Uo)
Time
FIG4.31
La señal de entrada es un pulso con amplitud de SV y la salida es también un pulso de

amplitud 12V y desfasado . El resultado es lo que se esperaba.
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LA~ORJ\TOIUO 3 92
4.3. coM:PUERTAS DIGITALES
Sin embargo, se puede detallar el tránsito en el transistor cuando va desde la zona de corte
hasta la de saturación, trazando la curva de transferencia Vo-Vi; esta gráfica se obtiene en la
simulación y se muestra en la FIG4.32.
V(Uo) U(VB) ·-·

1 20U 2
1.0U--------------------------------------~---------------
(257.576 m,12.004) (2.7424,681 . 442m)

(712.121m,11.890)
. .
(924.242m,620.624m)
. . . . .
1 ou o .su~
U(UB) (719.6~7m,543.717~)
1
(1 . 427·8, 192 . 308m) ·
1
1
1
1
~1.6439,72.~44m) ·-
»:
ou - - ·- - - - - - - - - ,--- --""=-~'--...-------~~----~~-
ou
ou 1. '3U 2. ou 3. cu 4. ou
W o U(Uo) [2J • U(UB)
U(vi)
FIG4.32
Se indican dos curvas: la salida Vo y la tensión Vn que es la misma tensión Vm!., ambas
señales graficadas con respecto a Vi. Observe la gráfica de Vo: para Vi > 1.6439V la salida
Vo =O, indicando la operación en saturación. Se presenta un cambio para 1.43V ~Vi~ 1.64V
la salida aumenta hasta Vo = 192.3mV. Para 712.12mV ~Vi ~ l.4278V, la salida cambia
prácticamente en forma lineal mostrando el tránsito del transistor a través de la zona activa,
hasta que Vo = l l.89V, en donde el transistor entra a la zona de corte. Finalmente, para
Vi <712.12m V, el transistor está completamente en la zona de corte.
Ahora observe la gráfica de la VnE (indicada en la gráfica como Vn): para O< Vi~ 719.7mV
el transistor está en corte; como se aprecia en este tramo el cambio de Vi contra Vo es
prácticamente lineal. Para 712.12111 V ~ Vi ~ 924.24m V el transistor hace su tránsito de la
zona de corte e inicia la operación en zona activa. Para Vi > 924.24m V el transistor pasa por
la zona activa y entra a saturación; en esta zona VnE ~ 0.681 V.
La rapidez con que el transistor pasa de zona de corte a saturación depende de varios factores,
pero principalmente de capacidades parásitas intrínsecas al dispositivo que inciden
definitivamente en todos los tiempos de respuesta; también dependerá de la calidad del ·
transistor.
Cuando el transistor está en corte, las corrientes de base y colector son muy pequeñas (del
orden d e lo nano-amperios o menos) y la V 111~ está cercana a cero voltios. Cuando el transistor
pasa a saturación, es necesario asegurar que efectivamente esté en esta zona. Considere
--
nuevamente el circuito de la FIG4.29, la entrada se coloca en Vi = +SV y de acuerdo a la
g ráfica ele la FIG4.32, la Ym:s ::::: 0.681 V.
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALor;A: TEOR!A y LABORATOHIO 393
Planteando la malla de entrada:

Vi= Ri Ins + VnEs
De donde: I = Vi-VIlES
ns R
l
Con: Ins la corriente de base de saturación y V nEs la tensión de saturación. Reemplazando

valores se obtiene: las = 431.9µA
En la salida, cuando -el transistor está en saturación se tiene la VcEs, tensión que es muy
pequeña. Considere que VcES = 0.2V. De la malla de salida:
Vcc = R1 les+ Vrns
1
V - V
_Q:~ = 2.36mA
= _s_c.:_·_
De donde: es R
1
Con las corrientes determinadas, se puede calcular el J3mín:

1
J3mln =~ = 5.46
1ns
Es un valor bastante bajo, pero que es normal para el transistor saturado.
Para verificar que el transistor esté efectivamente saturado, se tienen dos 1nétodos:
1. Conocer el !3 típico del transistor cuando está en activa. Para el circuito analizado tiene
--- un transistor 2N2222, cuyo J3tip >100, entonces se debe cumplir que:
Ins > les / J3tip
2. El otro método es plantear una malla c¡ue cruce por la junlura colector-base. Si al
calcular la tensión se deduce que esa juntura está polarizada en directo, con toda
- seguridad que el transistor está saturado. En un transistor NPN si la Ven < O, significa
que la juntura está polarizada en directo.
El primer método se cumple al reemplazar numéricamente. Para el segundo método,
observando el circuito de la FIG4.29 se obtiene la siguiente malla:
Vcc = R1 les+ Ven - R2 Ins +Vi
- Despejando Ven y reemplazando numéricamente se obtiene:

Ven = -0.481V
La tensión negativa significa que la juntura colector-base está polarizada en directo, por tanto,
el transistor está efectivamente saturado.
Se pueden hacer diferentes adiciones al circuito que se analizó, algunos de ellas se muestran
en la FIG4.33. El circuito (A) ya se analizó; en el circuito (B) se añade una resistencia Rnu y
una tensión negativa Vnn; en el circuito (C) se añade un condensador C 1 en paralelo con Rn y
en la FIG(D) se unen los circuitos (B) y (C). Todas esas adiciones al circuito original lo que
buscan es lograr mayor rapidez en la conmutación del transistor.
-.., Se plantea enseguida el análisis parn el circuito de la FIG4.33(B)

4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR · ELECTRÓNICA ANALOGA: 'ÍEOIÜA Y LABOHATOlUO 3 94
RB RB
10k VB
10k
~
rvg ~
l
RBB
Vg 200Kl
3 ,_
Q2N2222
(A)
Q2N2222
12vy.
vss-=- (B)
C1
100n
1~6n 5k ¡-1 ~·--
~ Rcjf RB
vi
il-t Vo3
l
·1 ~~~ vi....__"
1
10k
RBB ~
Vg 200Kl
VB
1 Vg
l. 01
Q2N2222
-- -=- vss-=-
12v T
02N2222
(C) (D)
FJG4.33
--
.__,
En la FIG4.34 se muestran en el circuito cuatro corrientes: 11, In, I2 e le.
Ic
El voltaje Vn se define como:
51< Vn =-V nn R + R = -0.571 V

RB Re;· n DB
I
+
·tok Yo Con esta tensión en V n = V nE, el transistor está
Vcc
Vi completamente en corte (tensión negativa en
12V base-emisor de un NPN, juntura polarizada en
inverso) y Vo ~ Vcc = 12V.
RBB Para operación en saturación de la malla de
2om< .12 salida se obtiene la misma corriente calculada
·12v __ anteriormente: les = 2.36mA. Considerando el
VGGT 01
Q2N2222
f3mín calculado anteriormente: ~ tip = 100, se
calcula la corriente de base en saturación:
los= les/ j3tip = 23.6µA.
FIG4.34 En el nodo V n, considerando Vnr:s == 0.681 V se
tiene:
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEOHfA Y LATIORATOIHO 395
4.J. COMPUERTAS DIGITALES
11 = lz +In
Con: I1 =(Vi- VnES) I Rs = 431.9µA
Y: lz = (Vnn- VnEs) / R1m = 56.6µA
Luego: In = 11 - Ii = 375.3µA
Observe que la corriente In calculada es mucho mayor que Ins calcu lada con el f3tip, así que el
transistor está completamente saturado y Vo ~ VcEs =0.2V.
Entonces, el objetivo de añadir la resistencia Rnn y la fuente Vnn es asegurar el corte del
transistor provocando una tensión negativa en la base-emisor y asegurar la saturación
proveyendo de una corriente en la base bastante grande.
En fos circuitos de la FIG4.33(C) y (D) se aílade al circuito un condensador C 1 = lOOpF en
paralelo con Rn. El objetivo de este condensador es mejorar los tiempos de tránsito del
transistor desde el corte a la saturación (más rápida la transición), puesto que ayuda a eliminar
la carga de los portadores minoritarios almacenados en la base cuando se produce la
conmutación.
Es interesante observar la diferencia en el comportamiento de cada uno de los circuitos de la
FIG4.33, para ello, ayudado con la simulación en PSPICE se traza la curva de transferencia
Vi- Vo de cada circuito. En gráfica de la FIG4.35 se detallan esas respuestas.
15UT--------------------------------------------------------------------------------------·
Vol 1 (1 . 4286,183 . 352rn)
2 (944 . 898m,9 . 500)
3 (727 . 182m,ll .885)
3
1
4 (639 . ~Sóm,11 983)
1 3
1
1 Vo2 1(2.1157,99.795m)
1
1 ou ~ 2(1.4078,11 . 423)
1
1 30.1020,11. 990)
1
1
1
Vo31(918 . 367m,12 . 188m) . 1
1
1
1 2(626.770m , 9.615)
1
1
1
3(210 . 884m,11 992)
1
1
1
Vo4 1 (1.2857,36.725m)
1
su ..1 2 ( 1 , 1.709 11 • 269)
I
1
1
3(1 . 0884 11 970)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1 1
ou +- - - - - - - - - - -- - - --L,--~...;;,_:=----.-;;.=-------.---------,.------
ou 1. ou 2 .ou 3. IJU 4. uu
o U ( Uo)
U(vi)
FIG4.35
Cada curva está indicada con. el nombre de la salida de cada circuito, así: V 01 corresponde al
circuito de la FIG(A), Vo 2 es la respuesta para el circuito (B), VoJ es la respuesta para el
circuito (C) y Vo 4 es la respuesta para el circuito de la FIG(D) .
4. ArLic;:A.CI,ON~S DEL TRANSISTOR ELF.C:rRÓNICA ANALOGA: TEORIA Y LAOOllATORIO 3 96
4.J. COl\1PUERTAS DIGITALES
En el eje vertical se tiene la tensión de la seiial de salida Vo y en el eje horizontal se tiene la

señal Vi. En cada una de las curvas se indican números: 1, 2, 3 y 4; significa que en cada uno ·
de esos puntos se presenta un cambio (esos cambios coinciden con cambios en las pendientes).
En la derecha de las gráficas se presentan valores numéricos, por ejemplo:
Vo 1 1 (1.4286, 183.352m): significa que corresponde a la gráfica Vo 1, el punto 1 de esa curva
en ese punto Vi= 1.4286V y Vo = 183.352mY.
2 (944. 898m, 9.500): significa que corresponde a la gráfica Vo 1, el punto 2 y en ese
punto se tiene: Vi= 944.898mV y Vo = 9.500V.
Y así sucesivamente. Un análisis de las gráficas se puede efectuar en los siguientes puntos: ·-
1. En todos los puntos 1 se inicia la transición de la zona de corte a la activa. Para la
salida Vo 1 el cambio es suave, mientras que para las salidas 2, 3 y 4 es rápida.
2. Entre los puntos 1 y 2 el transistor está transitando por activa.
3. Entre los puntos 2 y 3 el transistor pasa de activa a saturación.
4. La salida Vo1 tiene un cambio suave en el paso de activa a saturación, como se indica
entre los puntos 3 y 4.
5. Para voltajes de Vi menores a los dados en el punto 3, el transistor está completamente
saturado (para V01 se toma desde el punto 4).
6. La pendiente entre los puntos 1 y 2 indica la rapidez con que el transistor pasa de corte
a saturación, es así como las salidas Vo, y Vo 2 tienen un tiempo de tránsito parecido y
comparado con las otras dos salidas, los circuitos (A) y (B) son más lentos en la
conmutación. Definitivamente, la salida Vo.t y su circuito (D) es el más rápido ya que,
como se observa, la pendiente entre los puntos 1 y 2 es prácticamente vertical.
7. La transición entre la activa (2) y la saturación (3) indica que la salida Vo 3 es la que
requiere más voltaje de salida, la salida Vo 2 requiere menos voltaje de salida pero es
más lenta (menor pendiente) y la salida Vo4 es la que requiere menos voltaje de salida
y la transición es mucho más rápida.
8. Para pasar de corte a la activa la señal Vo 2 es la que requiere más voltaje de entrada
(Vi = 2. l l 57V) mientras que la salida Vo3 es la que menos voltaje de entrada requiere
(Vi = 918 .367mV). I:.o más conveniente es que se requiera menor voltaje de entrada
así el voltaje mínimo bajo (ViL) requerido por la compuerta es pequeño (para asegurar
el estado cero lógico). Caso contrario, se requeriría que Vi sea de valor grande para
asegurar que el transistor salga de corte.
9. Para pasar de la activa a saturación (2) las salidas Vo2 y Vo 4 son las que requieren de
más voltaje de. salida Vo (l l .423V y l l .269V respectivamente) mientras que las
salidas Vo1 y VoJ (9.SOOV y 9.61 SV respectivamente) requieren menos voltaje. Lo
más conveniente es que el circuito requiera menos voltaje para pasar de activa a
saturación de esta manera el voltaje mínimo alto (Vo11) es menor (para asegurar el
estado alto lógico).
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR · ELECTRÓNICA ANÁLOGA : TEOHÍA Y LAUOJlATOnIO J 97
4.3. COl'v1PUERTAS DIGITALES
J
1O. De las cuatro respuestas, la que más conviene es la salida Vo4 por la rapidez con que
se produce la conmutación del corte a la saturación; esta salida corresponde al circuito
de la FIG4.33(D).
Como conclusión de los puntos anotados, el circuito que produzca más rápido la conmutación
es el más recomendable y el circuito de la FIG(D) presenta esta característica; esto se logra
combinando circuitalmente la polarización negativa en la base del transistor y añadiendo el
condensador que reduce los tiempos de tránsito. Tomando la gráfica correspondiente a este
circuito en la FIG4.35. de acuerdo a los datos numéricos deducidos de la gráfica se puede
afirmar que:
El cero lógico se logra con: ViL ~ 1.2857V y VoL ::; 36.725m V (punto l de la gráfica para
Vo4)
El uno lógico se obtiene con: Vi::; 1. l 709V y Vo:?: 1 l.269V (punto 2)
·'
Finalmente, los cuatro circuitos analizados efectúan la operación lógica inversora,
como se puede expresar en la tabla de verdad.
También se puede escribir como: Vo=Vi
4.3.1. LÓGICA TRANSISTOR RESISTENCIA (RTL)

En esta lógica, las compuertas están construidas con transistores y resistencia. En el
circuito de la FIG4.36 se muestra una de estas compuertas.
;
Tiene tres entradas: V 1, V2 y V3 y. la salida por el
+Vcc colector Vo. El transistor está confÍgurado en emisor
R
tL común, es decir, actúa como inversor.
El funcionamiento del circuito es el siguiente:
Suponga que las tres entradas están en cero voltios.
VI Vo
R
V1 = V2 = V3 = OV.
V'2
Entonces la base está conectada a tierra, no hay
V3
R 1 corriente en la base y tampoco hay corriente en el
colector, el transistor está en zona de corte luego la
salida es: Vo = Vcc.
}
FIG4.36 Ahora se lleva la entrada V 1 a: V 1 =+V y las entradas
)
V2 y V3 se llevan a tierra: V2 = V3 = OV
Efectuando los cambios anotados en las entradas, el circuito queda reducido como se muestra
/ en la FIG4.37(A); las dos resistencias de las entradas V2 y V3 qu edan en paralelo conformando
una equivalente R/2. Entonces en la base se tiene un divisor de voltaje al que se puede aplicar
el Teorema de Thevenin resultando en:
' I
V 011 - R / l V- V Rn = R 11 R/2 = R/3

- 3R/2 -3 y
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELEC-fllÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LADOllATORIO 3 98
+V
(A) (E)
FIG4.37
El circuito equivalente reemplazando el voltaje y resistencias Thevenin se muestra en la

FIG4.37(B). De este circuito se deducen las corrientes de base y de colector planteando las
mallas de entrada y de salida. Suponga que el transistor presenta V1ms y Vrns, las corrientes
resultan: l _ ~nn - VuEs Vcc- VcEs
I = -- - -
ns - R es R
. 11 L
Se debe verificar que ce la malla:

Vcc = R1. Tes+ Ven - Rn lus + Vnu
La tensión: Ven< O
Asegurando que la j-. mtura colector-base está polarizada en directo y, por tanto, el transistor
está saturado.
Continuando con la combinación de las entradas del circuito de Ja FIG4.36, se llevan las -·
entradas V 1 y V2 a -:-V y la entrada V3 se lleva a tierra. El circuito resultante se muestra en la
FIG4.38(A), en donde las entradas V 1 y V 2 conectadas ·al mismo punto presentan una
resistencia equivalen.e RJ2 mientras que la entrada V3 deja a tierra la resistencia R. Planteando
el Thevenin se obtier:e:
Vnn = 2V/3 y Rn = R/3
El circuito equivalente es exactamente igual al de la FIG4.37(B) y se procede en igual forma a
determinar las corrientes Ins e les y con la malla:
Vcc = R1, les+ Ven - Rn lm; + Vnn
Verificar que Vnc <O, confirmando la saturación del transistor.
La última combinación para el circuito de la FIG4.36 es llevar las tres entradas a +V:
V1=V2=V3=+V
Esta disposición hace que la resistencia equivalente en la base de transistor sea R/3 como se
ilustra en el circuito de la F1G4.38(B). Planteando la malla de entrada se obtiene:
V= lns (R/3) + Vnr·:s
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR
ELECTHÓNICA ANÁLOGA: TEORfA V LA DORATORIO 3 99
1
De donde: 1 =V - Y1n:s
ns R/3
Y de la malla de salida: 1 = Vcc-VcEs

es R
L
Para evaluar la operación del transistor la malla que relaciona Ja V en se define como:
-V+ Ins (R/3) = -Vcc +RL les+ Ven
/'
De donde: Ven= Vcc-V + lns (R/3)-RL les
Al reemplazar numéricamente se verifica que V en < O confirmando la operación del transistor
en saturación.
+V l+Vcc +V
R/2 f:v, Vo
(A) (B)
FIG4.38
EJERCICIO f8l
1. Para el circuito de la FIG4.36, considera los siguientes valores para los componentes:
R = lOK, RL = SK, +V= SV, Vcc = 12V, VBES ~ 0.68 lV, VCES = 0.2V. Complete la
siguiente tabla de verdad:
V1 V2 VJ Vo
o o o
o o 1
o 1 1
1 l 1
~~~~~~~~~-------~=-- --
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR E.LEC:TRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LADORATORIO 400
4.3. COMPUERTAS DIGITALES ' .
2. Para el siguiente circuito.
Vcc
RL
Vo Vl V2 Vo
R3
o o
Rl o l
Vl 1 o
1 1
Rl
\1'.2 R4 CONSIDERAR:
Vcc = l-Vbh 1
R2 R2
-Vbb
Diseñar el circuito asumiendo lo que se requiera. Complete la tabla de verdad. ¿Qué

compuerta es? ·-
4.3.2. LÓGICA DIODO TRANSISTOR (DTL)

Las compuertas pertenecientes a esta familia están construidas con diodos y
transistores. En la FIG4.39 se muestra el circuito de una compuerta DTL.
Vcc El circuito tien_e tres entradas a través de diodos y
como inversor se tiene el transistor configurado en
RB ~Re
emisor común. Considerando los diodos ideales, si
Yo las tres entradas se llevan a tierra los diodos quedan
DI polarizados en directo a través de la fuente V ce y la
Vl resistencia Rn como !imitadora; como los diodos se
VA consideran ideales, al quedar en conducción se
D2
V.2 comportan como corto circuito así que la tensión
Vn es: Va = OV y toda la corriente que viene a
D3
V3 través de Rn va a través del corto hacia tierra, por
tanto no hay corriente en la base del transistor y
FIG4.39 queda polarizado en corte, luego Vo = Vcc .
Entonces para: V,= V2 = V 3 =O :::::> Vo = +Vcc (Vo = 1)
Ahora, si las tres entradas se llevan a +V ce. siendo el voltaje VA < Vce, los diodos quedan
polarizados en inverso e idealmente son circuito abie.rto, toda la corriente que viene a través de
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANALOGA: TEORÍA Y LADORATORIO 401
Ro circula por la base del transistor, es decir, In > O e le > O; se puede comprobar que el
transistor queda saturado y la salida es: Vo =O (suponiendo V1ms =O y VCEs =O).
Entonces para: V 1 = V2 = VJ = +V ce ( 1) :::::> V o = O
Si alguna de las entradas se lleva a tierra, el nodo en el punto A (VA) queda a tierra, el
transistor está en corte y la salida es un alto lógico: Vo = Vcc.
Si se considera al diodo real, al estar en conducción se reemplaza por su circuito equivalente
Vcc
RC
~
RB
,--., Vo Vo
RB
........
·~1
RBB
----,
Vd+
VBBj_
·I
-;- -:-
....--..
·I
-:-
(A) -:-
(B)
FIG4.40
En la FIG4.40(A) se muestra el circuito cuando una de las entradas se lleva a tierra, el diodo
correspondiente queda polarizado en directo y se reemplaza por su circuito equivalente que es
una fuente Vd en serie con una resistencia rf. Aplicando el Teorema de Thevenin al divisor se
.
o btiene: Vnn -- Vcc- Vd r f + ''d y R oo = R n 11 r f
R 8 +rf
El circuito equivalente resultado de aplicar el Teorema de Thevenin se muestra en la
FIG4.40(B); de allí se plantea la malla de entrada para determinar la corriente Ins, resultando:
- vnn - VDES
I ns -
' Roo+ Rn
De la malla de salida se determina la corriente de colector les:
l = Vcc- Vcr.s
es Re
Y para verificar que el transistor está saturado, se plantea la malla que cruce por la juntura
colector-base: Vcc =Re les+ Ven - (Rn + Rnn) Ins + V~n
Al despejar V en y reemplazar numéricamente se obtiene que: Ven < O confirmando que el
transistor está saturado.
.......
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECfRÓNICA ANALOGA: rnoiÚA y LABORATORIO 402

Al circuito de la FIG4.39 se puede añadir el condensador· en paralelo con la resistencia Ru que

está conectada en Ja base y añadir también, la resistencia en serie con una fuente de tensión
negativa, esta serie conectada directamente en la base del transistor tal como se mostró en la
FIG4.33(D); recuerde que este arreglo reduce los tiempos de tránsito del transistor entre las
zonas de saturación y corte.
EJERCICIO t8J
1. Para el circuito de la FIG4.39 con~idere: Rn = 20K, Re = 5K, Vcc = 12V; para el
transistor: V1rns = 0.681 V, V CES= 0.1 SV, Ptip = 150; para el diodo en directo: rf = 120.0,
Vd = 0.63V. Analice el circuito de acuerdo a la siguiente tabla de verdad, determinando
Vo para cada combinación de entradas:
V1 V2 V3 Vo
o o o
o o 1
o 1 1
l 1 1
2.
Rl
Re
DI
DI e
VI Vo
D2
Vo V2 Q
D2
R2 Rl
D3
V'3
-Vbh R2
..,... -=-
(A) (B) -Vbb
FIG4.41
Para el circuito de Ja FIG4.41 (A) considere los diodos ideales, asigne valores adecuados a los
componentes y analice el circuito efectuando una tabla de verdad . Considere que:
V ce = 1- V nu 1y las entradas V 1 y V 2 se llevan a V ce cuando se colocan en alto. ¿Qué
compuerta representa el circuito?
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORIA Y LADORATORIO 403
3. Asigne valores a los componentes del circuito de la FIG4.4 l (B), considere los diodos
reales; el transistor en su punto de saturación presenta VnEs = 0.681V, VcE = O.lSV y
V ce = 1-v 1.
nn En una tabla de verdad efectúe las combinaciones de las entradas determine y
el voltaje Vo para cada combinación. ¿Qué compuerta representa el circuito?
4.
+Ycc l+Vcc
R2
Rl
Rl
Dl Re
V1 Yo
R2
DI
Vo
V1
V'2
R3 02
02 -:- \1'2 Q2
Rl
R2
+Vcc
(A)
V3
03
(B)
R.3
1
FIG4.42
Suponga que los diodos del circuito de la FIG4.42(A) son ideales. Asigne los valores de
componentes adecuados y efectuando las combinaciones en las dos entradas, determine para
.._ I
cada caso el voltaje de salida Vo . ¿Qué compuerta representa el circuito?
5. Considere los diodos del circuito de la FIG4.42(B) reales con rf = 120.0 y Vd= 0.65V. Los
transistores en su zona de saturación tienen Vnp_<; = 0.681V, VCEs = O.ISV y rJtip = 160.
Determine el valor de los componentes adecuados y mediante una tabla de verdad, realizando
' '
las combinacio.nes de las entradas, determine el voltaje de salida para cada caso. ¿A qué
compuerta corresponde el circuito?.
6.
,,.--.._
¡+vcc +Vce
- j
/
1 ~Rl Rl
. }
e
D6 F 07
j
A B e D E G H
Rl
R2
) FIG4.43
)
_...._
4. APLICACIONES DEL TRANSISTOR ELl~CTRÓN!CA ANALOGA: TEORfA.Y LABORATORIO 404
Considerando los diodos ideales, asigne valores adecuados al circuito de la FIG4.43, luego
mediante una tabla de verdad, determine el voltaje de salida Yo para cada combinación de las
entradas. ¿Qué compuerta representa el circuito?
4.3.3. LÓGICA TRANSISTOR TRANSISTOR (TTL)

Son compuertas basadas en transistores denominados multiemisor, esto es,
transistores que contienen un colector, una base y más de un emisor. En la FIG4.44 se muestra
el símbolo electrónico, un ·símbolo equivalente y la estructura cristalina de un transistor de dos
emisores.
e El
OXIDO
n~
Jl;!ETALICO
AISLANTE
B
....... -·
El E2 El E2
e
e
(A) (B) (C)
FIG4.44
En la FIG4.45(A) se muestra el circuito de una compuerta de la familia TTL.
Vcc / Vcc
/ '
RA
RA
Vo Vo
FIG4.45
El transistor Q1 contiene tres emisores y en cada emisor .se aplica una señal lógica como
entrada a la compuerta; esta disposición es la típica en este tipo de lógica. Considere que las
tres entradas (V 1, V 2, V 3) se llevan a tierra (O lógico). El resultado es un circuito como el de la
FIG4.45(B), con el emisor de Qi conectado a tierra (esta combinación de entradas hace ver al
transistor Qi como un transistor común). Como se observa, se establece una corriente en la
base de Q 1 dada como:
I . = .vcc - vnf:s•
JlSI R
A
)
)
..i. APLICACIONES DEL THANSISTOTl r:u·:CTflÓNfCA ,o\¡\,\Lor. ,\: TJo:O lllA y LAnOHATO lUO 405
.U. COJ\"IPUEHTAS DIGITALES
,..·
En la ecuación al co locar Ins 1 y Y1n::> 1 se está supo niendo que el transistor Qi opera en
)
saturación.
En la salida del transistor Q 1, la Vn~s 1 ~O (idealmeilte): del circuito de la FIG4 .45(B) se tiene:
V cEst = Ynn + Vnr.J ~O
Por tanto, los transistores Q2 y Q3 están completamente en corte así que Vo ~ Vcc.
Entonces si: V 1 = V2 = V3 = O => Vo = V ce
Otra combinación es ll evar las tres entradas a +Vcc (1 lógico); observando el circuito de la
FIG4.45(A), el emisor resulta más positivo que la base, polarizando inversamente la juntura
base-emisor; pero se establece una corriente en la base de Q1 gracias a la juntura base-colecto r
de Q1 que actúa como un diodo (01..ic) polarizado en directo; esto se mu estra en la FIG4.45(C).
Planteando la -malla de entrada del circu ito equivalente se obtiene:
Vcc = R,, 1n1 + Vo11c + VnE2 + Vn r:.J
V ce - V nr·:1 - Vuru
De donde: I
n1
= --- -------··----·-----·-····---..
Vllbc -
R -
"
Suponiendo Ja corriente suficiente In1 parJ saturar al transistor Qz, la malla de salida ele este
transistor es: Vcc = Rr; fcs2 + Vc1·:::;2 + Vn1~
. V ce - V CESl - vllf>:J
De donde: l
CS2
= ---·------·--------
R
n
También se tiene: Iiu = lc:sz

Nuev<imente se asume que el transistor Q J queda tan:bién sall\rado as1 que de la malla de
sal ida: I CSJ -- Vcc-R
Vn:sJ
-------· .._
e
-· La situación de saturación de los transisto res Q2 y QJ se determina calculado ia Ven ele cada
transistor de las siguientes ecuaciones:
Para Q2: RA I111 + V nhc = Rn lcsz + V cnz
Y para Q3 : Rn lcs2 + Vc¡;;s2 =Re IcsJ +Ven:;
Para ambas ecuaciones se debe verificar que: Vcni < O y V cm < O, confirmando la operación
de los transistores en saturación.
Entonces si:
Otra combinación es llevar una (o dos entradas) a +Vcc y las otras (u otra) entradas a tierra. El
/
.
,....._ resultado es que predomina la entrada que se !leva a tierra, es decir, que el transistor Q 1 queda
saturado y los transistores Qz y Q:i quedan en corte; el funcionam iento es exactamente igual al
/
que se obtuvo cuando las tres entrnclas se lkvan a ti erra. En resumen:
Si: V 1 = V2 = O y \' 3 = Vcc ~ Vo = Vcc
Si: V1 =O y \' 2 = V3 = Vcc --' Vo = Vcc
Co n cualquier entrach que esté en O, la sa li da es a!to ( l)
.- / ------~,__,,.. ________ ~----- .. --------·-----·- -- - -- -- ·-·-- ________

. ,, - ----- ·- ------~-r.!I-·
~.APLICACIONES DEL TRANSISTOR EU·'.C. ~ nt ó.-; ¡ ('A A;-i,\LOGA : TEORIA Y J,,\BOllATOHIO 406
"
·1.3. COMPUERTAS DtGTTALES ~-
1
Para que la salida sea O, bs tres entn1das tienen que c:;lar en alto (1) .
L_.
v.
i.
. ...........
EJERCICIO (d
1. Para el circuito de la FIG4.45(A) considere: R,\ = 5K, Rn = 3K, Re = 5K, Vcc = 12V, ........
además: V1ms = 0.685\1. Vcr~s = 0.12V. Mediante una tabla de verdad efectúe las diferentes
comb inaciones anal izando para cada caso su resultado en Vo. ¿Qué compuerta representa el
circuito?
2 . Asigne valores adecuados al circuito de la FlG4.46(A) y mediante una tabla de verdad en
la que se hacen las distintas combinaciones, determine para cada combinación cómo es el
voltaje de valida Vo . Explique cuál es la fun ción del cliodo en el circuito.
. .
-
¿Qué compuerta representa e! circuito?
RA:;$
l
V1
Vl.
g +r; '
¡·-··
Ql
(E)
FIG4.46
3. Para el circuito áe la FIG4.46(B) as1gne los valores de componentes adecuados

considerando c¡ue los t¡·ansistores tienen: V 1 m~ = 0.68V, VcEs = 0.15V y J3tip = 150.
Efectuando las combinaciones en las entradas, analice para cada caso el voltaje que se obtiene
en la sa!ida Vo. ¿Qué compuerta representa el circuito?
4. Consulte:
:l. l . Dibujar una compuert a NANO basada en la lógica emisor acoplado (ECL). Explicar
cómo funciona.
4 .2. ¿Cómo funci onan l ~1s compuertas basadas en la lógica CMOS?. Dibuje una compuerta
NOR basada en la lógica Cl'vlOS . · '-
._,..

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., ..

--. HUMBERTO H. GUTIÉRREZ R.

Humbcrto Hcrnando Gutiérrcz Ramírcz

Edición: Humberto Gutiérrez

Primera Edición publicada en 1996

© Esta obra no puede ser reproducida parcial ni totalmente,

CAPÍTULO o. CONCEPTOS BASICOS

0.5. CiR..\FICAS Y CUR \'i\S DE TR,\NSFERE'.':CIA........................ J3 \ ' r !l. I

0.6. l'RACTIC,\S................................ ... ... ....................... ...................... ·l l \"Ol.l

0.7. 1--!EDIDAS...................................................... ................ ................ . ,14 \'C>l,l

LABORATORIO O. CONCEPTOS B.Á.SICOS

LAíl0.2. PROCEDIMIE:'-iTO............................ .................... ................ 48 \'Ol.1

l..1\130.J . PROYECTO-INVESTiGACIÓN.................................... ....... 55 \\)1.1

1.3. DIODO DE l..(\IÚN ....... ............................. .............. ...................... 65 VOl.1

·- l .4. ClJR\.,\ C!\R,\CTERÍSTIC,\ DEL DIODO................................ . 67

1.5. ESPECif'iCAClONES TÉCNIC :\S............................. .................. 73

-· RECTiFIC,\DOR DF. 0:-\D,\ COi\IPLET,\ .............. 85

1.7. AJ'UCAC!üi':ES l);·:L D!ODO RECT!FICADOR....................... 96 VOL!

1.7.1. FUENTES DE AU:-.tENT1\Cl(1N NO REGULAD,\:' .... 96 VOL!

1.7.2. MULTIPUCADORES DE VOLT1VE.......... .................. l 12 \'OLI

1.7.J. FIJADORES O RESTAL1R:\OORES.............................. 120 \'OL!

1 R. OTROS D!ODOS............................................................................ 1-19 VOL!

l .~.1.2. :\PUC ,\CIONES.... .............................................. l 56 \ 'OLI

l.~.2. 1 . DF.FlNICIÓN....................................................... \73 VOL!

U<.2.2. ESPECIFIC:\CIONES......................................... 175 VOL!

l .l!.2.4. APl.1C t\CIONES ............... ~. . .. .. . ...................... .... l l!O VOi .1

l.lU. DIODO DE CAPACIOAD VARl1\IJLE........................... 182 VOLI

l .!U. I. ESPEClFICACIONES.......................................... 183 VOL!

l .l<.3.2. APL!C,o\CION ES.................................................. 190 VOLI

l.X.4. DIOTlO Tt°!NEL........................................................ ......... 192 V0!.1

l .l\.4.1 . ESPí:.CIFJC,\ClONES... ............................. .......... 195 VOL!

l .l<.-1.2..-\PI .IC;\CIONES................................................. 197 VOLI

1.9. OTRAS ESl'ECll'ICACIO~ES Tf'.CNlC:\S..................... ............ 202 VOi .1

TIEMPO OE RECI iPERACIÓN INVERS!\............................... 202 VOLI

DIODO SC!l01TKY................................................................... 206 VOl.I

LABl.3. l'ROYECTCl-IN\'ESTlC;:\CIÓN .........................._................. 225 VOl..l

2 .2. ESTRl.'CTUR/\ Y flJNCIONAMIENTO. ................................... . 226 VOl.1

2.3. POI .:\Rl7.ACIÚ"I nr:L TR.\NSISTOR ......................................... 233 v or.1

LABORATORIO 2. TRANSISTOR llfPOLAR

LAf32.2. PROCEDlt\flENTO......................... ......... .............................. 308 VOL!

LA132.J. PROYECTO INVEHIG.-\CIÓN ................... ......................... J l2 VOL!

CAPÍTULO 3. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO

3.2. Fl TNCION.-\:\111'.NTO........... ..................................... .................... 313 VOl.l

3.3. POI .AR17.ACIÓN .................... ······················································ J 17 vou

3.5. TRANSISTOR DE POTENCIA SIP:\IOS ...................................... 353

3.6. ESPECIFIC.-\CIONES DE !.OS ldOSFF.T.................................... JS5

LABORATORIO 3. TRANSlSTO R .JFET

J .l. cm1r1:r.RT:\S ()[(;(T..\ ! .FS .. ..................... .... ........................... ·'')() VOi . (

,1.3.J. Ü)CllCA TRANS ISTOR-TRANSISTOR crrL) ........... ... 404 VOL.1

5-:'. 11. IOOF.U 1 i\l:\TL\1.-\TIC:O.. ............. ........................................... 4 0'1 \'()! .2

5 . ~ . :\l'R0.'<1\1,\Cl(>l\: ,\ LOS l'.\R,\i\!ETROS...................... .. ... ..... ·l 2? VOL2

5.'J. R FCT.-\S DE C\l{C :.-\................... ............................................... .. 4JG VOL2

LABORATORIO -t. PAH..\METROS IIÍílRiDOS

L\T.l·l.2. \l:'.DJ f) ,\S ......................................... .............. ................. .. <1 7 1 \ ' 01.2

l ..\n.1 3 i\IEfllilc\ DE r.ns l':\R,Í.\ IETIH>S 11 ................................. . 47·1 VOi .2

! .:\l.l4.4. J'R(l\' FCTO-l \\'F.STl(;,\Clc°):'-!..................................... .... . 478 \'OL2

LABORATORIO:'. CO;\FIGURACI ÓN EMISOR COi\ilJN

OTRAS COi'\flGLR.ACI ONES

G. I. !NTR O!)(.!C CIÓ:-: ..... ......... ................... ........................................ . 4in VO l,2

LABORATORIO 6. CONFl GUR:\CI ÓN CO LECTOR COMÚN

l'l/()C'Fl)l\liF'>:T(l.. ... .. ... .................. ............................. .

- LABORATORIO 7. IlASE COl\IÚN

1.:\lli .\. 1'!{1 l\TC:T0-1'.'i\.'ESTl<i.-\('IC°J:'\... .............................. ...... . 5 12 VOi 2