RE significa 

emisor inverso . Esta es la característica principal cuando se mira

hacia atrás a un transistor en la configuración de emisor común.

En la configuración de emisor común, la base es la entrada y el colector es la

salida. El h FE más común describe la característica principal directa (FE = emisor
directo), que es la ganancia desde la base hasta el colector. Esta es una cantidad
adimensional ya que ambos valores tienen unidades de corriente.

La característica principal cuando se mira este circuito en reversa, es cuánto un

pequeño cambio en el voltaje de salida hace que cambie la salida (la corriente
del colector). Para un BJT perfecto, la corriente del colector es estrictamente una
función de la corriente base y la ganancia, y no varía con el voltaje del colector.
Por supuesto, los transistores reales tienen cierta dependencia del voltaje. Como
el valor h RE es ΔV / ΔI, tiene unidades de resistencia. Esto puede considerarse
como la aparente resistencia de la fuente de corriente que el colector es ideal.
Tenga en cuenta que este valor es infinito para una fuente de corriente ideal.

La mayoría de las hojas de datos del transistor tienen un gráfico que muestra la
corriente del colector en función del voltaje del colector, con varias curvas de
diferentes corrientes base. Después de pasar un voltio más o menos, observe
cómo la corriente del colector se aplana a medida que se aplica más voltaje del
colector. Si fuera perfectamente plano, entonces la corriente del colector no
sería en absoluto una función del voltaje. Sin embargo, la corriente aún
aumenta un poco a medida que se aplica más voltaje. Es este voltaje aplicado
incremental dividido por la corriente incremental resultante que h RE intenta
describir. Para determinar realmente h RE , debe especificarse el punto de
operación desde el que se realizaron los cambios incrementales.

Aplicaciones: Un transistor en configuración emisor común se

usa como amplificador de voltaje y corriente a bajas
frecuencias, a altas frecuencias su comportamiento no es
bueno debido al efecto Miller pero en combinación con un base
común conforman la configuración cascode, que tiene el
beneficio de la alta impedancia del emisor común y la buena
respuesta a altas frecuencias del base común.
En un emisor común se pueden usar todas las polarizaciones ya
que en ningún momento se pone en corto circuito la entrada o
la salida, a diferencia de un base común o colector común en
donde no se pueden usar todas las diferentes topologías de
polarización. El modelo híbrido exacto de un transistor bjt
en emisor común es el siguiente:
Donde:

Los valores de estos parámetros se hallan en las gráficas

dadas en los datasheet. Hie es una resistencia, su unidad son
los ohmios, hre es la ganancia de voltaje, no tiene unidad,
hfe es la ganancia de corriente, no tiene unidad y hoe es una
admitancia, su unidad son los siemens. Ahora los valores de
hre y hoe son muy bajos, cercanos a cero, por lo cual
normalmente se usa el siguiente modelo ac:

El modelo ac de un emisor común, se usa también para analizar

las configuraciones base común y colector común, ya que los
parámetros de este son los normalmente dados en el datasheet
e igualmente los resultados son los mismos, que si se usara
el modelo ac de base común o de colector común. En los
siguientes ejemplos se observan las ecuaciones de los
parámetros de un emisor común, zi, zo, vi, vo, ii, io, Av, y
Ai para los diferentes tipos de polarización.
MODELO HÍBRIDO DEL BJT: El modelo híbrido o equivalente híbrido del transistor es un
modelo circuital que combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de
allí el nombre de híbrido. La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del
modelo se hace en base a la teoría de cuadripolos o redes de dos puertos. La sustitución
del símbolo del BJT por su modelo híbrido durante el análisis en c.a.
permite la obtención de ciertos valores de interés como son: la ganancia de voltaje (Av),
ganancia de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo).
Estos valores dependen de la frecuencia y el símbolo circuital por sí solo no considera este
aspecto, de allí la utilidad del modelo híbrido quien si lo considera. NOTA: los parámetros
hie, hre, hfe y hoe se denominan parámetros híbridos y son componentes de un circuito
equivalente de pequeña señal que se describirá en breve. Los parámetros que relacionan
las cuatro variables se denominan parámetros “h” debido a la palabra “hibrido”. El
parámetro hibrido se selecciono debido a la mezcla de variables “V e I” en cada ecuación,
ocasiona un conjunto “hibrido” de unidades de medición para los parámetros h Modelo
Híbrido del BJT en Configuración Emisor Común: El transistor BJT NPN en configuración
emisor común se muestra en la figura 1. Se observa de la figura 1 que el transistor en esta
configuración es una red de dos puertos, un puerto de entrada y un puerto de salida, por
tanto puede tratarse como tal. Una red de dos puertos en general (figura 2)

El transistor BJT NPN en configuración emisor común se muestra en la figura 1. Se

observa de la figura 1 que el transistor en esta configuración es una red de dos puertos, un
puerto de entrada y un puerto de salida, por tanto puede tratarse como tal. Una red de dos
puertos en general (figura 2) se describe por el siguiente juego de ecuaciones:

Vi = h11ii + h12 Vo

io = h21ii + h22 Vo

Las variables involucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los parámetros que
relacionan estas variables son los parámetros híbridos, h.

Una analogía del BJT con la red de dos puertos general resulta en:

V BE = h11iB + h12 VCE

Ecuación 1 iC = h21iB + h22 VCE

Ecuación 2

El cálculo de los parámetros híbridos (h) se hace a partir del manejo de las variables. Si
Vce=0 (salida en corto) en la ecuación 1, se tiene que h11 =

Este parámetro híbrido se mide en Ω y se conoce como impedancia de entrada con salida
en corto y en BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hie.

De la ecuación 2, se tiene el cual es un parámetro hibrido sin unidades. Conocido como

relación de transferencia directa entre la corriente de salida y la corriente de entrada, en el
transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hfe.
Este parámetro h es adimensional y se conoce como relación de transferencia inversa de
voltajes, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hre.

De la ecuación 2, se tiene h22 = el cual es un parámetro híbrido medido en ° y se conoce

como admitancia de salida con entrada en circuito abierto, en el transistor BJT en
configuración emisor común recibe el nombre de hoe.

Las ecuaciones 1 y 2 se reescriben y quedan como:

VBE = hie iB + hre VCE

Ecuación 3 iC = h fe iB + hoe VCE

Ecuación 4
Cada ecuación puede representarse circuitalmente y la unión de los circuitos resultantes
corresponde al equivalente o modelo híbrido.

La ecuación 3 se representa a través de circuito en serie (malla), mientras que la ecuación

4 se representa a través de un circuito en paralelo (nodo), tal como muestra la figura 3. La
unión de los dos circuitos (Figura 4)

se hace tomando en cuenta que i E = iC + iB y en c.c. se tiene I E = IC + IB = (β + 1)I B . El

valor de β medido en c.c es aproximado al valor de hfe el cual es un parámetro híbrido
medido en c.a., así: β ≅ h fe con lo que ahora i E = (hfe + 1)iB.

Los valores de hoe y hre son tan pequeños que pueden despreciarse originando un
modelo híbrido simplificado como el que se muestra en la figura 5. El valor de vBE en hre
es muy pequeño comparado con vCE, por lo que hre≈0. Este hecho anula la fuente de
voltaje dependiente hrevCE del modelo híbrido de la figura 4. En hoe, iC<<VCE por lo que
hoe resulta en una admitancia cero hoe≈0 y una admitancia nula es equivalente a una
resistencia infinita; por esta razón en el modelo híbrido simplificado no aparece hoe.
 El análisis a pequeña señal consiste en usar un modelo del BJT basado en una red de
dos puertas, el cual es reemplazado en la configuración amplificadora, para así determinar
la ganancia, resistencia de entrada y salida del sistema. En este documento primero se
definen los parámetros h, se muestra el modelo del BJT a pequeña señal para finalmente
plantear un ejemplo de análisis.

El circuito que vamos a analizar es el siguiente:

De este amplificador se sabe que:

 Ganancia del transistor (β): 100

 Voltaje de encendido (VBE): 0.7
 Voltaje Early (VA): ∞

En este ejemplo vamos a despreciar los efectos capacitivos del transistor, razón
por la cual no vamos a considerar Cμ, Cπ y CM. Al considerar el valor de VA como
infinito, para nosotros ro será un circuito abierto. Dicho esto, empecemos con
el análisis en corriente directa.

Análisis en DC
El análisis en corriente directa nos permitirá obtener el valor de I CQ, el cual es
necesario para constituir el modelo Pi-híbrido que utilizaremos para el análisis
de pequeña señal. Para el análisis en DC se considerará que el circuito se
encuentra en condiciones estables, razón por la cual los capacitores serán
circuitos abiertos. La corriente ICQ es la corriente de entrada del colector del
transistor.
Como sabemos la ganancia del transistor y conocemos el voltaje de encendido,
podemos calcular la corriente de base y multiplicarla por la ganancia para
obtener la corriente de colector.

La corriente de base se calcula puede ser definida como la corriente

que pasa a través de la resistencia RB, la cual podemos calcular con la
siguiente expresión:
Esta corriente, que es muy pequeña, al ser multiplicada por a
ganancia del transistor (100) nos permite obtener ICQ.