Transistor bipolar.

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es

un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar
se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.

Estructura interna.
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la
región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP; y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de

material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región
de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque
mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran β.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen
que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada
para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los
valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían
obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.5. La
falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el
colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está
ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en
la unión colector-base antes de que esta colapse. La unión colector-base está polarizada
en inversa durante la operación normal. La razón por la cual el emisor está
altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor:
la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados por la
base. Para una gran ganancia de corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la
unión base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente, lo que significa que no
hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso.
Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero son caracterizados
más simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.

Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT
modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una pequeña parte de éstos (los
transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Símbolo Descripción Símbolo Descripción

Transistor NPN
Se puede encontrar
representado con o sin   Transistor PNP
círculo
Símbolo genérico

Transistor NPN   Transistor PNP

Transistor PNP con

colector unido a la   Transistor tunel
cubierta

Transistor UJT-P Transistor UJT-N

 
Uniunión Uniunión
Fototransistor   Fototransistor

Transistor de Transistor Schottky

 
avalancha NPN NPN

Transistor JFET, canal Transistor JFET, canal

 
N P

Transistor JFET, canal Transistor JFET, canal

 
N P

Transistor JFET, canal Transistor JFET, canal

 
N P
 PUT, Uniunión Transistor Darlington
 
programable NPN

Transistor Darlington
  Transistor Sziklay
NPN

Transistor multiemisor
     
NPN

CARACTERÍSTICAS DEL BJT

Dicen  características del BJT las curvas tensión corriente de
los distintos terminales del BJT.
Se dice característica de entrada la curva  que expresa la
tendencia de la corriente de base IB en función de la tensión
de base VBE, tales como la siguiente, que se refiere al
transistor NPN BCW82.
Vemos cómo la característica de entrada corresponde a la de
un diodo, de hecho, entre la base y el emisor, el transistor se
comporta como un diodo; vemos, de hecho, que la corriente
de base es cero, cuando la VBE es menor que la tensión de
umbral, que en nuestro caso coincide aproximadamente con
0,6 V, sobrepasada la tensión de umbral  la corriente de base 
aumenta rápidamente.
Se dice  características de salida las que expresan la corriente
de colector IC como una función de la tensión VCE, mientras
que manteniendo constante la IB; tales como las siguientes,
que se refieren siempre a BCW82

Observamos que hay diferentes características de salida, cada

obtenida para un valor predeterminado de la corriente de la
base  IB; de hecho, la primera característica, a partir de la
parte inferior se ha obtenida para una IB = 5 m A; es decir, el
mantenimiento de un IB constante con el aumento de VCE, al
principio la IC es cero; luego aumenta linealmente y
rápidamente a la rodilla; allá de la rodilla, la IC permanece
prácticamente constante, incluso si se aumenta la VCE.
Las características son importantes para la determinación del
punto de trabajo; Se dice punto de trabajo un punto de que
se sabe la tensión y la corriente en reposo, es decir, en
ausencia de señal; ejemplo, si tomo el punto P, como en el
siguiente diagrama:

podemos observar que se encuentra en la característica

para IB = 15 m A; la corriente de base será IB = 15 m A ; la
tensión VCE es de 1,0 V; la corriente de colector será
aproximadamente IC = 4,6 mA

RECTA DE CARGA
Es dicha recta de carga,  la recta que tiene como ecuación  la
ecuación de la malla de salida, es decir:
VCC = RC IC + VCE + RE IE
Para representarla sobre las características de salida, es
necesario tomar dos puntos.
Supongamos que VCC = 2,0 V; cuando IB = 0 y IC = 0 de la
ecuación de la línea de carga se obtiene que VCE = VCC; a
continuación, un punto será en el eje horizontal, con
coordenadas (2,0 ; 0).
Suponiendo vez que la VCE es nula,  de la ecuación de la recta
de carga  obtenemos:
VCC = RC IC + RE IE
 y descuidando la IB en relación de la  IC obtenemos el
segundo punto ICMAX = VCC/ (RC + RE); entonces el segundo punto
tiene las coordenadas (0; VCC/ (RC + RE)); uniendo los dos puntos 
obtenemos la recta de carga.
 
Diseño del circuito de polarización
Durante el diseño del circuito de polarización usamos los
siguientes criterios prácticos. Para la VCE establece un valor
aproximadamente igual a VCC/2;
para la caída de tension a los bornes de RE, es decir, VE, se
fija a un valor igual a VCC/10; para la corriente del
divisor  ID se fija una corriente igual a IC/10. Con la ayuda de
las características y ecuaciones de la malla de salida y  de la
malla de entrada se calculan los valores de todas los
resistores.
Ejemplo
Dado el BJT BCW82, de acuerdo a las características de la
salida fijamos una VCC = 2,0 V; fijamos una VCE = VCC/2 =
2/2 = 1 V;  fijamos VE = VCC/10 = 2/10 = 0,2 V;

Desde la salida de características escogen una característica

que es central, por ejemplo la de IB =15 m A; para la lectura de
la característica leemos IC = 4,6 mA; a continuación,
IE = IC + IB = 4,6 mA +15 m A = 4,615 mA
Enconces  RE = VE/IE = 0,2/0,004615 = 43 W
A partir de la ecuación de la recta de carga se calculamos RC;
RC = (VCC - VCE - VE)/IC = (2 - 1 - 0,2) /0,0046 = 0,8/0,0046 = 173 W
Comprobamos:
 ICMAX = VCC/ (RC + RE) = 2/( 173 + 43) = 9,25 mA;
mientras que en el diagrama de las características de salida 
leemos 9 mA; los dos valores, además de los errores
gráficos, son fiables.
Para calcular el divisor, para la característica de entrada se
sacamos una VBE = 0,8 V; por lo que:
R2 I2 = VBE + VE = 0,8 + 0,2 = 1 V
Desde I2 = ID = IC/10 = 4,6 /10 mA = 0,46 mA,  obtenemos:
R2 = 1/0,00046 = 2174 W
Parar R1 siendo
R1 I1 = VCC - R2 I2 = 2 - 1 = 1 V
y siendo
 I1 = ID + IB = 0,46 ma + 15 m A = 0,475 mA
Obtenemos: R1 = 1/ 0,000475 = 2105 W
Por supuesto que usted elija el valor comercial cercano a los
teóricos.
EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR
El transistor, adecuadamente polarizado, se puede utilizar
como un interruptor que puede ser abierto o cerrado,
mediante el ajuste de la corriente de base. Considere el
siguiente circuito:

Cuando el interruptor está abajo, la tensión VBE = 0; la

corriente de base IB = 0; la IC = 0; el transistor está
prohibido, no conduce y se comporta como un circuito
abierto. La tensión de salida en el colector asume el valor
máximo Vs = VCC.
Cuando, en cambio, movemos hacia arriba el interruptor, la
base del transistor es directamente polarizada, el transistor
entra en saturación, la IC asume el valor máximo, el
transistor se comporta como un circuito cerrado. La tensión
de salida asume el valor Vs = 0.
Si tenemos en cuenta las características de salida del BJT:
Podemos considerar tres zonas:
1 - Zona de saturación: es la zona en la que el transistor
conduce, IC alcanza el valor máximo, VCE asume valores muy
bajos.
2 - Zona activa: es la zona central de las características, en
esa zona se utiliza como un amplificador, que tiene un
comportamiento bastante lineal.
3 - Zona de interdicción: es la zona en la que el transistor se
comporta como un circuito abierto,  IC asume valores muy
bajos, VCE valores muy altos

Las 3 configuraciones básicas de los transistores (BJT)

Publicado el 26 septiembre, 2018 por Jose Francisco  | Comentarios desactivadosen Las 3
configuraciones básicas de los transistores (BJT)

Los transistores bipolares son amplificadores de corriente ideales. Cuando se aplica una
pequeña señal al terminal de entrada, en los terminales de salida aparece una reproducción
ampliada de esta corriente. Aunque la señal de entrada puede acoplarse al dispositivo de
varias formas, solamente las tres configuraciones básicas (base común, emisor común y
colector común) resultan útiles en la práctica.

fig. 1 Resumen de configuraciones de los transistores

[CLIC sobre la imagen PARA VERLA MÁS GRANDE]
Montaje en Base Común
En la figura 2 se muestra un amplificador base común práctico. La señal se inyecta al
emisor a través de Ci y se extrae amplificada por el colector vía Co. La base, conectada
dinámicamente a tierra a través de Cb, actúa como elemento común a los circuitos de
entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre están en fase.
 fig. 2. Amplificador en base común
Los condensadores Ci y Co actúan como condensadores de paso o de acoplamiento. Su
objetivo es eliminar el nivel de corriente continua presente a la entrada o a la salida y
transferir sólo las señales de audio propiamente dichas. El condensador Cb actúa como
condensador de deriva (bypass). Su objetivo es mantener estable el voltaje de polarización
de la base, enviando a tierra cualquier variación. Las resistencias RB1, RB2, RC y RE
polarizan correctamente las uniones del transistor y fijan el punto de trabajo del
amplificador.

El circuito presenta una baja impedancia de entrada (entre 0.5 Ohm y 50 Ohm) y una
alta impedancia de salida (entre 1 kOhm. y 1 MOhm). Las ganancias de voltaje y de
potencia pueden ser altas, del orden de 150 o más, dependiendo de la Beta del transistor.
La ganancia de corriente es inferior a 1 (entre 0.95 y 0.995).
Montaje en Emisor Común
En la figura 3 se muestra un amplificador emisor común práctico. La señal se inyecta a  la
base a  través de Ci y se recibe amplificada del colector vía Co. El emisor, conectado
dinámicamente a tierra a través de ce, actúa como elemento común a los circuitos de
entrada y de salida. Observe que en este modo de conexión, las señales de entrada y de
salida siempre están en oposición de fase.
 fig. 3. Amplificador en emisor común
Nuevamente, Ci y Co actúan como condensadores de acoplamiento y ce como
condensador de deriva. Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizan adecuadamente el
transistor y fijan su punto de trabajo. Note que este circuito, como el anterior, utiliza la
estrategia de polarización universal o por divisor de voltaje.

La impedancia de entrada de este montaje es del orden de 20 W a 5 kW. y la

impedancia de salida del orden de 50 W a 50 kOhm,. El circuito proporciona
simultáneamente ganancia de corriente y de voltaje. La ganancia de potencia
puede llegar a ser relativamente alta, del orden de 10.000. Típicamente, la
ganancia de corriente es el orden de 50. Esta es la configuración más utilizada
en la práctica.
Montaje en Colector Común
En la figura 4 se muestra un amplificador colector común práctico. La señal se
introduce por la base a través de Ci y se extrae por el emisor vía Co. El
colector, conectado dinámicamente a tierra a través de Ce, actúa como
elemento común a los circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada
y de salida siempre están en fase. El montaje se denomina también seguidor de
emisor.
El amplificador colector común se caracteriza por tener una alta impedancia
de entrada y una baja impedancia de salida. La ganancia de voltaje es
siempre menor que 1 y la de potencia es normalmente inferior a la que se
obtiene con las configuraciones base común o emisor común. Este montaje se
utiliza principalmente como adaptador de impedancias.
 fig. 4. Amplificador en colector común
Montaje como Amplificador Diferencial
Una variación importante de los tres tipos fundamentales de amplificadores
discutidos anteriormente es el amplificador diferencial. En este caso, el voltaje
de salida es proporcional a la diferencia, con respecto a tierra, entre los
voltajes aplicados a los terminales de entrada. En la figura 5, por ejemplo, se
muestra un amplificador diferencial clásico con entradas y salidas
balanceadas.

fig. 5. Amplificador diferencial

Aplicaciones de los Transistores

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
  Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)
Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales
llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el
transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
DIAGRAMAS DE ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES