UNIVERSIDAD NACIONAL DE RIO CUARTO

FACULTAD DE INGENIERIA
AÑO 2017

Dispositivos
semiconductores de
potencia
Electrónica de potencia (431)

Gonzalo Gigena (DNI 32995280)– Franco Torres (DNI 35545115)

30/11/2017
 Dispositivos semiconductores de potencia 1

Introducción
Gracias al nacimiento de los dispositivos semiconductores de potencia, pudieron desarrollarse
numerosas aplicaciones gracias a las propiedades que tienen estos dispositivos para interrumpir
un circuito de forma controlada. Su funcionamiento está basado en el encendido y el apagado de
este interruptor mediante señales de control aplicadas al terminal de control del dispositivo.

Las principales características del semiconductor ideal son:

1) Bloquea grandes tensiones directas e inversas.

2) Conduce grandes corrientes con bajas caídas de tensión cuando está encendido.
3) Conmuta encendido y apagado instantáneamente cuando se dispara.
4) Requiere una cantidad de energía insignificante para controlarlo.

Pero en la vida real estos dispositivos disipan energía y cuando manejan demasiada energía
pueden fallar y destruirse a sí mismos y a su circuito asociado.

Es por eso que en este informe mostraremos cuales son y cómo se comportan las variables de
disipación y las perdidas asociadas al funcionamiento de un dispositivo semiconductor de
potencia, y haremos un análisis de los límites de frecuencia para el funcionamiento adecuado.

Objetivo
El objetivo del trabajo práctico es hallar la máxima frecuencia de conmutación con la que puede
operar el transistor, en función de las pérdidas de potencia máximas admisibles para que la
temperatura de la juntura del transistor no supere el valor máximo de 150°C, para una
temperatura ambiente de 25°C. Para la resolución se
considera que el transistor se encuentra montado en un
disipador de aletas de 75 [mm] de largo con ventilación
natural. Además se considera una fuente de alimentación
conmutada, como la que se detalla en la figura N°1, cuya
tensión de alimentación es Vd = 300 [V] y una I0 = 25 [A], en
la cual el diodo es una llave ideal y el transistor una llave Figura N°1
real operando a una frecuencia de conmutación constante
y con ton=toff

El trabajo se realizó considerando los siguientes dispositivos:

 Transistor IGBT TOSHIBA GT50J102

 Transistor MOSFET TOSHIBA TK62J60W
 Disipador de aletas modelo ZD-66 (7 aletas)
 Disipador de aletas modelo ZD-44 (9 aletas)
 Dispositivos semiconductores de potencia 2

Se realizó el estudio de cuatro casos, resultantes de combinar los dispositivos anteriormente

detallados. Además se realiza una simulación en PSIM para validar los datos obtenidos
analíticamente.

Desarrollo
Considerando que la pérdida por disipación de potencia total es PT, la diferencia de temperatura
entre el ambiente y la juntura del dispositivo puede expresarse como:

− = ∗( + + )

Dónde:

 Rjc es la resistencia térmica entre juntura y la carcasa del dispositivo

 Rcs es la resistencia térmica entre la carcasa del dispositivo y el disipador, igual a cero en
este problema.
 Rsa es la resistencia térmica entre el disipador y el ambiente.

La Figura N°2 muestra el circuito térmico equivalente, siendo Tj, Tc, Ts y Ta las temperaturas de
juntura, carcasa, disipador y ambiente, respectivamente.

Figura N°2

1°caso: Transistor IGBT-disipador ZD-44

Datos IGBT (data sheet): Datos del disipador:

 ton = 0,4μs  Rsa = 3,3 [°C/W]

 td(on) = 0,08μs
 toff = 0,5μs
 td(off) = 0,2μs
 tr = 0,12μs
 tf = 0,15μs
 Von = 2,1 [V]
 Rjc = 0,625[°C/W]
 Dispositivos semiconductores de potencia 3

− = ∗( + + )

− 150° − 25°
= = = 31,85 ≈ 32
( + ) 3,3° + 0,625°

En base a este resultado obtenido, se concluye que la potencia total de pérdidas no debe superar
los 32W. Se procede a calcular las pérdidas de encendido, apagado y conducción.

Perdidas de encendido

300 ∗ 25
( ) = ∗ (0,4 − 0,08 ) = 1,2 ∗ 10 [ ]
2

( ) = , ∗ [ ]∗

Perdidas de apagado

300 ∗ 25
( ) = ∗ (0,5 − 0,2 ) = 1,125 ∗ 10 [ ]
2

( ) = , ∗ [ ]∗

Perdidas de conducción

1
= ∗ ∗ + ( ) − ( ) − − ∗
2

1
= 2,1 ∗ 25 ∗ + 0,2 − 0,08 − 0,12 − 0,15 ∗
2

1
= 52,5[ ] ∗ − 0,15 ∗ = 52,5 ∗ (0,5 − 0,15 ∗ )
2
= , [ ]− , ∗ [ ]∗

Finalmente al realizar la sumatoria de todas las perdidas, se puede hallar la frecuencia de

conmutación:

1,2 ∗ 10 [ ] ∗ + 1,125 ∗ 10 [ ] ∗ + 26,25 − 7,875 ∗ 10 [ ] ∗ ≤ 32

32 − 26,25
≤
2,317 ∗ 10

≤ , [ ]
 Dispositivos semiconductores de potencia 4

2°caso: Transistor IGBT – Disipador ZD-66

Datos IGBT (data sheet): Datos del disipador:

 ton = 0,4μs  Rsa = 7,5 [°C/W]

 td(on) = 0,08μs
 toff = 0,5μs
 td(off) = 0,2μs
 tr = 0,12μs
 tf = 0,15μs
 Von = 2,1 [V]
 Rjc = 0,625[°C/W]

− = ∗( + + )

− 150° − 25°
= = = 15,38
( + ) 7,5° + 0,625°

Perdidas de encendido

300 ∗ 25
( ) = ∗ (0,4 − 0,08 ) = 1,2 ∗ 10 [ ]
2

( ) = , ∗ [ ]∗

Perdidas de apagado

300 ∗ 25
( ) = ∗ (0,5 − 0,2 ) = 1,125 ∗ 10 [ ]
2

( ) = , ∗ [ ]∗

Perdidas de conducción

1
= ∗ ∗ + ( ) − ( ) − − ∗
2

1
= 2,1 ∗ 25 ∗ + 0,2 − 0,08 − 0,12 − 0,15 ∗
2

1
= 52,5[ ] ∗ − 0,15 ∗ = 52,5 ∗ (0,5 − 0,15 ∗ )
2
= , [ ]− , ∗ [ ]∗

Para hallar el valor de la frecuencia de conmutación buscado, se procede como sigue:

 Dispositivos semiconductores de potencia 5

1,2 ∗ 10 [ ] ∗ + 1,125 ∗ 10 [ ] ∗ + 26,25 − 7,875 ∗ 10 [ ] ∗ ≤ 15,38

15,38 − 26,25
≤
2,317 ∗ 10

≤− , [ ]

En vista del resultado obtenido, se concluye que el disipador considerado en este caso no es
suficiente para disipar el calor producido por la conmutación del transistor que se está analizando,
por lo tanto no es apto para ser aplicado en la práctica.

3°caso: Transistor MOSFET – Disipador ZD-44

Datos MOSFET (data sheet): Datos del disipador:

 ton = 115 [ns]  Rsa = 3,3 [°C/W]

 toff = 310 [ns]
 tr = 58 [ns]
 tf = 15 [ns]
 RDS(on) = 0,033 [Ω]
 Von = 2,1 [V]
 Rjc = 0,313[°C/W]

− = ∗( + + )

− 150° − 25°
= = = 34,6
( + ) 0,313° + 3,3°

Perdidas de encendido

300 ∗ 25
( ) = ∗ (0,115 ) = 4,3125 ∗ 10 [ ]
2

( ) = , ∗ [ ]∗

Perdidas de apagado

300 ∗ 25
( ) = ∗ (0,31 ) = 1,1625 ∗ 10 [ ]
2

( ) = , ∗ [ ]∗

Perdidas de conducción

= ∗ ( ) = 25 ∗ 0,033 = 0,825
 Dispositivos semiconductores de potencia 6

1
= ∗ ∗ − − ∗
2

1
= 0,825 ∗ 25 ∗ − 58 − 15 ∗
2

1
= 52,5[ ] ∗ − 0,073 ∗ = 52,5 ∗ (0,5 − 0,073 ∗ )
2
= , [ ]− , ∗ [ ]∗

Para hallar el valor de la frecuencia de conmutación buscado, se procede como sigue:

4,3125 ∗ 10 [J] ∗ f + 1,1625 ∗ 10 [J] ∗ f + 10,31[W] − 1,506 ∗ 10 [J] ∗ f ≤ 34,6

34,6 − 10,31
≤
1,5922 ∗ 10

≤ , [ ]

4°caso: Transistor MOSFET – Disipador ZD-66

Datos MOSFET (data sheet): Datos del disipador:

 ton = 115 [ns]  Rsa = 7,6 [°C/W]

 toff = 310 [ns]
 tr = 58 [ns]
 tf = 15 [ns]
 RDS(on) = 0,033 [Ω]
 Von = 2,1 [V]
 Rjc = 0,313[°C/W]

− = ∗( + + )

− 150° − 25°
= = = 16
( + ) 0,313° + 7,5°

Perdidas de encendido

300 ∗ 25
( ) = ∗ (0,4 − 0,08 ) = 4,3125 ∗ 10 [ ]
2

( ) = , ∗ [ ]∗
 Dispositivos semiconductores de potencia 7

Perdidas de apagado

300 ∗ 25
( ) = ∗ (0,5 − 0,2 ) = 1,1625 ∗ 10 [ ]
2

( ) = , ∗ [ ]∗

Perdidas de conducción

= ∗ ( ) = 25 ∗ 0,033 = 0,825

1
= ∗ ∗ − − ∗
2

1
= 0,825 ∗ 25 ∗ − 58 − 15 ∗
2

1
= 52,5[ ] ∗ − 0,073 ∗ = 52,5 ∗ (0,5 − 0,073 ∗ )
2
= , [ ]− , ∗ [ ]∗

Para hallar el valor de la frecuencia de conmutación buscado, se procede como sigue:

4,3125 ∗ 10 [ ] ∗ + 1,1625 ∗ 10 [ ] ∗ + 10,31[ ] − 1,506 ∗ 10 [ ] ∗ ≤ 16

16 − 10,31
≤
1,5922 ∗ 10

≤ , [ ]
 Dispositivos semiconductores de potencia 8

Simulación en PSIM

Mediante PSIM se realizó la simulación del caso n°3, correspondiente al transistor MOSFET y al
disipador ZD-44. A continuación se muestra el circuito esquemático utilizado para hacer el análisis:

Una vez ejecutada la simulación, colocando la frecuencia de switcheo en 15 [kHz] se obtuvieron los
siguientes gráficos:
Dispositivos semiconductores de potencia 9
 Dispositivos semiconductores de potencia 10

Como podemos ver, los parámetros estudiados están dentro de los límites esperados. En las
pérdidas por conducción en el transistor, se observa que son muy bajas o nulas, excepto en el caso
de las perdidas por conducción.

Conclusión
Gracias al procedimiento aprendido logramos calcular la disipación térmica de un dispositivo
semiconductor y así seleccionar un disipador adecuado a las exigencias del mismo, pudiendo
corroborar estos cálculos mediante simulación. Los resultados obtenidos fueron acordes a lo
esperado.