TEMA 1 (7 Puntos)

Usando para el BJT el modelo con parámetros β = 50, VBE0 = 0,7 V y VCE,sat = 0,2 V,
analice el circuito de la figura y determine el valor que ha de tener R para que I valga
2mA.

Solución:

Suponiendo Activa VCE > 0,2 ; IC = 𝛽 ∗ IB

2
I = IE = (𝛽 + 1) ∗ IB = 2 → IB = [𝑚𝐴]
51
VB = 0,7 + 0,2 ∗ 𝐼 = 1,1[𝑉].
VB
I1 = = 0,044[𝑉]
24
I2 = I1 + IB = 0,044 + 0,03922 = 0,08322[𝑚𝐴]
2
I3 = I2 + IC = 0,08322 + 50 ∗ = 2,044[𝑚𝐴]
51
V𝐶 = 12 − 2 ∗ I3 = 7.912[𝑉]
V𝐸 = 0,2 ∗ 𝐼 = 0,2 ∗ 2 = 0,4[𝑉]
V𝐶𝐸 = V𝐶 − V𝐸 = 7,912 − 0,4 = 7,512 [𝑉]
7,512 > 0.2 → 𝐸𝑙 𝐵𝐽𝑇 𝑆𝐸 𝐸𝑁𝐶𝑈𝐸𝑁𝑇𝑅𝐴 𝐸𝑁 𝐴𝐶𝑇𝐼𝑉𝐴
 V𝐶 − V𝐵 7,912 − 1,1
𝑅= = = 81,86 [𝐾Ω]
I2 0,08322

TEMA 2(6 PUNTOS)

Grafique la señal de salida para el circuito de la figura. Considere los
diodos ideales.

Obs: ambos Diodos no pueden conducir al mismo tiempo debido a que (-7[V]) no puede
quedar en paralelo con (-3[V]).
Suponiendo D1(ON) ; D2(OFF)

Para D1:

7 + 1 ∗ I1 + V𝑖 = 0
−V𝑖 − 7
I1 =
1
I1 > 0
−V𝑖 − 7
> 0 → V𝑖 < −7[𝑉] ; V𝑜 = −7[𝑉]
1
Por lo tanto, para D1 OFF

V𝑖 < −7[𝑉] ; V𝑜 = V𝑖
Para D2:

V𝐴2 − V𝐶2 < 0

−7 − (−3) < 0 → −4 < 0[𝑉] → 𝐶𝑈𝑀𝑃𝐿𝐸
Suponiendo D1(OFF); D2(ON)

Para D2:

−3 + 1 ∗ I2 − V𝑖 = 0
V𝑖 + 3
I2 =
1
I2 > 0
V𝑖 + 3
> 0 → V𝑖 > −3[𝑉] ; V𝑜 = −3[𝑉]
1
Por lo tanto, para D2 OFF

V𝑖 < −3[𝑉] ; V𝑜 = V𝑖
Para D1:

V𝐴1 − V𝐶1 < 0

−7 − (−3) < 0 → −4 < 0[𝑉] → 𝐶𝑈𝑀𝑃𝐿𝐸
Tema 3(8 Puntos)
Determine para el circuito de la figura el valor de IL cuando el interruptor está en
OFF y cuando está en ON. Use para los BJTs el modelo con parámetros β = 50,
VBE0 = 0,7 V y VCE,sat = 0,2 V.

Solución:
Interruptor OFF: Transistor 1: Saturación {IC1< β* IB1}; Transistor 2: Corte{VBE2<0,7 ;
VCB2<0.7}.

Para el Transistor 2:

V𝐵2 − V𝐸2 < 0,7

0,2 − 0 < 0,7
0,2 < 0,7 → 𝑺𝑬 𝑪𝑼𝑴𝑷𝑳𝑬

V𝐵2 − V𝐶2 < 0,7

0,2 − 5 < 0,7
−4,8 < 0,7 → 𝑺𝑬 𝑪𝑼𝑴𝑷𝑳𝑬
Para el Transistor 1:
IC1< β* IB1

5 − 0,7
I𝐵1 = = 0,86[𝑚𝐴]
5
5 − 0,2
I𝐶1 = = 24[𝑚𝐴]
0,2
24 < 50 ∗ 0.86
24 < 43 [𝑚𝐴] → 𝑺𝑬 𝑪𝑼𝑴𝑷𝑳𝑬
Como todas las condiciones se cumplen, se concluye que T1 se encuentra en Saturación
y T2 en Corte. Por lo tanto, IL = 0[mA]
Interruptor ON: Transistor 1: {VBE1<0,7 ; VCB1<0.7} Corte; Transistor 2: Saturación{IC2< β*
IB2}.

Para el Transistor 1:

V𝐵1 − V𝐸1 < 0,7

0 − 0 < 0,7
0 < 0,7 → 𝑺𝑬 𝑪𝑼𝑴𝑷𝑳𝑬

V𝐵2 − V𝐶2 < 0,7

0,7 − 0.2 < 0,5
0,5 < 0,7 → 𝑺𝑬 𝑪𝑼𝑴𝑷𝑳𝑬
Para el Transistor 2:
IC2< β* IB2
 5 − 0,7
I𝐵2 = = 21,5[𝑚𝐴]
0,2
5 − 0,2
I𝐶2 = = 480[𝑚𝐴]
0,2
480 < 50 ∗ 21,5
480 < 1075 [𝑚𝐴] → 𝑺𝑬 𝑪𝑼𝑴𝑷𝑳𝑬

Como todas las condiciones se cumplen, se concluye que T1 se encuentra en Saturación

y T2 en Corte. Por lo tanto, IL = IC2=480[mA]

TEMA 4(4Puntos):
En el circuito de la figura encuentre los valores RD, RS, ID, teniendo en cuenta todos los
criterios de diseño.
Criterios de Diseños:
V𝑆𝐷 = −5[𝑉]
V𝐷𝐷 = 9[𝑉]
R 𝐺 = 1[𝑀Ω]
I𝐺 = 0
|I𝐷𝑆𝑆 | = 11,77[𝑚𝐴]
|V𝐺𝑆 | = 1,4865[𝑉]
|V𝐺𝑆𝐶𝑂𝑅𝑇𝐸 | = 3[𝑉]
Solución:

V𝐺 = 0[𝑉]
V𝐺𝑆 = V𝐺 − V𝑆 = 0 − I𝐷 ∗ R𝑆 = − I𝐷 ∗ R𝑆 → (1)
𝑉𝐺𝑆 2
−1,4865 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠𝑠 ∗ (1 − ) = 11,77 ∗ (1 − ) = 2,99[𝑚𝐴]
𝑉𝐺𝑆𝐶𝑂𝑅𝑇𝐸 −3

−1,4865 = − I𝐷 ∗ R𝑆 → R𝑆 = 0,497[𝐾Ω]
V𝐷𝑆 = V𝐷 − V𝑆 = −(V𝑆 − V𝐷 ) = −V𝑆𝐷 = −(−5) = 5[𝑉]
−V𝐷𝐷 + I𝐷 ∗ R 𝐷 + V𝐷𝑆 + I𝐷 ∗ R𝑆 = 0
−9 + 2,99 ∗ R 𝐷 + 5 + 2,99 ∗ 0,497 = 0 → R 𝐷 = 0,841[𝐾Ω]