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DIODOS Electrónica
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Algo de historia
La palabra diodo proviene del inglés diode, que a su vez tiene su raíz en el término griego dia
(separado) y ode (camino).
El diodo tiene una historia bastante entretenida que comienza con el descubrimiento
(accidental) de la emisión termoiónica. Fue en 1873 cuando Frederick Guthrie, un físico y
químico británico, descubrió que cuando una esfera de metal cargada negativamente se
calienta se descarga, porque emite electrones que provienen de su superficie. Notó, con
curiosidad, que no pasaba lo mismo si la esfera estaba cargada positivamente.
Por otro lado, años más adelante, en 1880, Thomas Alva Edison, el mismo que inventó la
lamparita, estaba tratando de descubrir por qué se rompían tan rápidamente los filamentos de
las mismas. Intentó solucionarlo armando distintas lamparitas. Una de ellas tenía un filamento
adicional y una lámina metálica dentro de la ampolla de vidrio. Cuando conectaba la lamparita
una corriente fluía desde el filamento que se encendía hasta la lámina metálica, pero esto sólo
ocurría cuando la lámina estaba conectada positivamente. Edison terminó patentando su
descubrimiento (por más que no tuviera ninguna aplicación práctica, por lo menos hasta el
momento) y se conoció a este fenómeno como Efecto Edison.
Pasaron veinte años hasta que John Ambrose Fleming, pionero británico de la electrónica, le
encontrara aplicación. Hacia 1904 Fleming trabajaba para una compañía de telégrafos que se
encontraba en serias dificultades a la hora de filtrar las señales que se recibían con mucho
ruido. Aplicó el Efecto Edison y patentó el primer diodo de vacío, el cual consideran muchos
como el puntapié inicial de la electrónica (futuras modificaciones permitirían crear el triodo, el
primer dispositivo amplificador de señales de la historia).

En la década de 1870, mientras Guthrie experimentaba con la emisión termiónica, un físico

alemán llamado Karl Ferdinand Braun trabajaba paralelamente con materiales
semiconductores. En uno de sus experimentos observó que ciertos materiales
semiconductores tenían la propiedad de conducir en una sola dirección. De todos los
semiconductores el que más resultó fue el del mineral galena, que era fácil y barato de
obtener, y se utilizaba para detectar señales inalámbricas. Este primer diodo semiconductor
traía aparejados otros problemas y perdió popularidad frente al diodo de vacío, pero con la
aparición de los diodos de germanio en la década de 1950 fueron los de vacío perdieron
terreno.

Semiconductores
Dado que hoy en día los diodos que utilizamos recurren a materiales semiconductores vamos a
poner el foco allí. No sé si a todos, creo que sí, pero estoy seguro de que por lo menos con una
burbuja estuvimos discutiendo el siguiente esquema:

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Lo que se muestra aquí tiene que ver con los átomos y sus electrones, más específicamente
con los niveles permitidos de energía en los cuales se distribuyen dichos electrones. La banda
de valencia es la banda más externa del átomo, es decir, la que está más lejos de su núcleo, y
es allí donde se ubican los electrones que forman enlaces con otros átomos pero que no
intervienen en la conducción eléctrica. Hay una banda más externa aún, que es la banda de
conducción. Esta banda está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se
desligaron de su átomo y que pueden moverse libremente (electrones que fluyen =
electricidad).

Cabe aclarar que si un electrón cambia de banda (es decir, salta de un nivel de energía a otro)
hay transferencia de energía. Dicho más claramente: si un electrón salta de un nivel de energía
superior a uno inferior (más cerca del núcleo) va a liberar energía, ya que va a necesitar menos
energía para orbitar el núcleo. A la inversa, para saltar a un nivel más alto el electrón
necesitará absorber energía. Si el electrón absorbe una cantidad de energía suficiente puede
saltar a la banda de conducción, separarse de su átomo y “fluir”.

De aquí que los materiales se clasifiquen en aislantes, semiconductores o conductores, en

función de la cantidad de energía que necesita un electrón para saltar ese intervalo que divide
la banda de valencia de la banda de conducción (conocida como la banda prohibida). En los
aislantes esa brecha es grande, mientras que en los semiconductores es “relativamente
estrecha”. En los conductores las bandas de valencia y de conducción están casi solapadas.

Esta categorización de materiales en conductores, semiconductores y aislantes está definida

por la conductividad, es decir, qué tan fácil es que los materiales conduzcan. Dicho de otra
manera, la conductividad de un material está determinada por cuántos electrones permite
éste que lo atraviesen. Pero lo cierto es que nosotros en general utilizamos otro parámetro
eléctrico para clasificar a los materiales, que es justamente la inversa de la conductividad: la
resistividad. Decimos que la resistividad es la inversa de la conductividad porque mientras que
esta última habla de cuántos electrones deja pasar la resistividad nos dice qué tanto se opone
a la corriente eléctrica. La resistividad no hay que confundirla con la resistencia (la resistividad

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es propia de cada material y viene determinada en una tabla), pero a efectos prácticos
podemos pensarlas (sólo por ahora) como sinónimos.

Toda esta introducción fue para decirles que un semiconductor es en principio un material que
nos permite controlar su resistividad de forma controlada, y en márgenes muy amplios. O,
dicho de otra manera, un semiconductor es un material que puede comportarse como un
conductor o como un aislante.

Hay muchos elementos que son semiconductores: cadmio (Cd), aluminio (Al), galio (Ga), boro
(B), indio (In), silicio (Si), germanio (Ge), fósforo (P), arsénico (As), antimonio (Sb), selenio (Se),
telurio (Te) y azufre (S). En realidad, de todos ellos, el silicio es el más utilizado como
semiconductor, seguido por el germanio. Tengan en cuenta que el silicio es uno de los
elementos que está más presente en la Tierra, ya que se obtiene a partir de la arena.

El silicio tiene cuatro electrones en su última órbita. Si juntamos muchos átomos de silicio y los
ordenamos en forma de red cumpliríamos la regla del octeto, aquella que dice que los átomos
tienden a completar sus últimos niveles de energía con ocho electrones, alcanzando así la
estabilidad y formando lo que llamamos un enlace covalente.

¿Qué pasa si conectamos esta red de átomos de silicio a una batería? Los electrones no podrán
fluir a través de ella, porque los electrones impulsados por la batería se encontrarán con que
los electrones de la red de átomos de silicio están fuertemente unidos, ya que se trata de una
unión muy estable. Como cada átomo de silicio tiene ocho electrones en su último nivel de
energía va a ser muy difícil que algún electrón de los impulsados por la batería lo penetre. El
semiconductor, entonces, en este caso, se comporta como un aislante.

Dopaje
Ahora viene lo bueno: para que el silicio deje de comportarse como un aislante y lo haga como
conductor tenemos que agregarle “impurezas”. Esto se hace a través de un proceso llamado
dopaje, que consiste básicamente en agregar otro elemento semiconductor. El dopaje puede
hacerse de dos maneras distintas: agregando electrones a la estructura, o agregando huecos a
la estructura.

Supongamos que al silicio lo dopamos con fósforo, el cual tiene cinco electrones en su último
nivel de energía. Se construirá un enlace por cada molécula de silicio (cuatro electrones) y
fósforo (cinco electrones), pero para cumplir con la ley del octeto habrá un electrón que
quedará libre, vagando en la estructura:

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Si conectamos este semiconductor dopado a una batería ahora sí habrá flujo de electrones,
porque el lado positivo atraerá a esos electrones que habían quedado vagando. El
semiconductor funciona ahora como un conductor.

Ahora volvamos a nuestra estructura estable de silicio inicial y en lugar de doparla con fósforo
hagámoslo con boro. El boro tiene tres electrones en su último nivel de energía. En este caso la
regla del octeto no se cumplirá, porque tengo cuatro electrones de silicio más tres del boro
(siete en total). Donde antes teníamos un electrón completando el enlace ahora tenemos un
hueco:

Estos electrones se van a mover permanentemente tratando de llenar ese hueco que queda,
pero por más que se reacomoden siempre va a existir un hueco. Cuando conectamos este
nuevo semiconductor dopado con boro a una batería los electrones serán atraídos por el lado
positivo de la misma, mientras que los electrones del lado negativo de la fuente van a querer
tapar los huecos. De esa manera habrá un flujo de electrones, es decir, que el semiconductor
se comportará como un conductor.

Vamos a hacer un poco de nombres. El semiconductor original, compuesto sólo por silicio, se
llama semiconductor intrínseco. Es un semiconductor puro que a temperatura ambiente se
comportará como un aislante. Cuando agregamos impurezas y el semiconductor está dopado
lo llamamos semiconductor extrínseco. Si las impurezas que agregamos son electrones (como
en el primer caso, el del fósforo) se trata de un semiconductor extrínseco tipo n, si las
impurezas son huecos (segundo ejemplo, el del boro) será un semiconductor extrínseco tipo p.

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Todo esto que les cuento pueden verlo muy bien explicado en el siguiente video:
https://www.youtube.com/watch?v=fFVU7-kfPe8

El diodo
Ya vimos cómo podemos obtener un material semiconductor tipo n (porque tiene libres cargas
negativas) y tipo p (porque tiene libres cargas positivas) contaminando nuestro sustrato de
silicio. Para obtener un diodo lo que se hace es juntar dichos semiconductores, conectados al
ánodo y al cátodo (las dos “patitas” del diodo):

Esta unión de semiconductores se cubre con una resina y se lo encapsula para protegerlo. Se
marca, además, con una banda blanca, cuál es el cátodo, es decir, cuál de las dos patitas tiene
conectada el material semiconductor tipo n.

La juntura (o unión) p-n

Si vienen siguiendo lo que expliqué anteriormente recordarán que el semiconductor tipo n se
caracteriza por tener electrones de más, mientras que el tipo p tiene electrones de menos (o
huecos). El unir ambos tipos obtendremos lo que llamamos una juntura p-n. En la zona donde
ambos materiales se unen se genera una región de agotamiento, en la cual algunos de los
electrones que sobran del lado tipo n se van a mover para ocupar los agujeros de la zona tipo
p:

En negro se ven los huecos, en verde se ven los electrones.

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Como ven, se genera una acumulación de huecos y de electrones en los lados opuestos
(acumulación de electrones donde hay huecos, en la zona p, y acumulación de huecos donde
hay electrones, en la zona n), de manera que voy a tener una región que está ligeramente
cargada negativamente (las dos hileras verdes en la zona p) y una región ligeramente cargada
positivamente (las dos hileras negras en la zona n). Esta situación crea un campo eléctrico que
funciona como barrera, ya que impide que más electrones fluyan. En un diodo típico, esa
diferencia de potencial es de 0,7V.

Conectemos nuestra batería a esta juntura p-n:

Noten que el cátodo está conectado al terminal negativo de la batería, y el ánodo al terminal
positivo. Supongamos que la batería es muy chiquita, de 0,2V. Los electrones que ingresen al
material tipo n a través del cátodo se verán atraídos por la placa positiva (el ánodo), pero no
lograrán atravesar la barrera de los 0,7V. No circulará corriente.

Aumentemos un poco la tensión de la batería, a un nivel que supere la barrera de los 0,7V.
Ahora los electrones que ingresen por el cátodo sí lograrán atravesar la región de agotamiento,
y apenas ingresen al lado tipo p van a encontrar un hueco donde ubicarse. Los electrones irán
fluyendo así hacia la placa del ánodo, para luego retornar a la batería. Estamos en lo que
llamamos polarización directa.

Vamos a ver qué sucede si ponemos la batería al revés:

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Ahora tengamos en cuenta que el cátodo es la placa que tiene cargas positivas. Los huecos de
la zona tipo p se verán atraídos por el ánodo, que tiene cargas negativas, y los electrones de la
zona tipo n se verán atraídos por el cátodo, que tiene cargas positivas. Esto hace que la barrera
se haga más ancha:

Que la barrera se haga más ancha implica que el diodo funcione como un aislante, ya que no
permite el flujo de electrones. Esto es lo que llamamos polarización inversa.

Curva característica del diodo

Una forma de entender claramente el funcionamiento del diodo es a través de su curva
característica, la cual muestra cómo se comporta en función del voltaje y de la corriente.
Vamos a analizarla:

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Como ven, en el eje x (horizontal) está graficado el voltaje, y en el eje y (vertical) se muestra la
corriente. Del eje y hacia la derecha estamos en la zona de polarización directa, es decir, con el
diodo funcionando como conductor, mientras que del otro lado, del eje y hacia la izquierda,
estamos en polarización inversa (el diodo funcionando como aislante).
Veamos primero el lado izquierdo, el de la polarización inversa. Vemos que la corriente es
prácticamente nula, por lo menos hasta llegar al punto de máximo voltaje inverso: en ese
punto el diodo se rompe y por lo tanto empieza a conducir como si nada. Las consecuencias de
un diodo roto pueden ser bastante graves, ya que podría comprometer alguna otra parte del
circuito, de manera que es clave verificar que el diodo que utilicemos pueda soportar la
tensión máxima que maneje nuestro circuito.
Vamos al lado opuesto, el de la zona de polarización directa. Entre el cero (la unión de ambos
ejes) y el potencial de barrera el diodo no va a conducir, ya que el voltaje está por debajo de
los 0,7V típico de la barrera de los diodos de silicio. Pero vemos en el gráfico que una vez que
superemos ese umbral el flujo de corriente que puede conducir el diodo aumentará
rápidamente. Vemos también lo que marqué como “caída de voltaje”, la cual se refiere a que
una vez que el diodo empiece a conducir si medimos con un tester la tensión entre sus dos
patitas veremos que sobre él cae un poco más a 0,6 o 0,7V.

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