Electrónica Analógica Discreta

Manuel Irazo Pontes
Fulgencio Montilla Meoro

Emilio Batalla Viiials
Andres Hibernon Garcia Morell
Antonio Guill Ibanez
ELECTRONICA
ANALOGICA DISCRETA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRONICA
ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS

DE TELECOMUNICACION
UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA (ESPANA)

Servicio de Publicaciones SPUPV-95.826
INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL (MEXICO)

Primera edicion (Mexico): 1998
D.R. © 1998, Instituto Politecnico Nacional
Direccion de Publicaciones y Materiales Educativos

Tresguerras 27, 06040 Mexico, D.F.
ISBN 970-18-0973-4
Impreso en Mexico
© M. Iranzo Pontes
F. Montilla Meoro
E. Batalla Viiials
A. H. Garda Morell
A. Guill Ibanez
I.S.B.N.: 84-7721-348-8
Deposito Legal: V-4199-1995
PRESENTACION
Con este libro pretendelnos introducir a1 lector en el funcionamiento de

los cOlnponentes basicos de electronica, su utilizacion en algunas circuitos
elementales y al Inismo tienlpo presentar las herratnientas necesarias para
el analisis de estos circuitos.
Se supone que el lector conoce 1a estructura ffsica y las caractedsticas

de estos cOlnponentes aunque a nivel de recordatorio, en el tema 2, se hace
un pequeno repaso de los difer~ntes tipos de transistores.
El libro Electronica Ana/ogica Discreta esta dirigido especialmente a

los ahllnnos de la asignatura de Electronica Analogica que se ilnparte en
segundo curso de la Escuela Tecnica Superior de Ingenieros de
Telecomunicacion de la Universidad Politecnica de Valencia, en este sentido
en cada tema se desarrollan un numero importante de ejercicios y en el
Anexo II se incluyen muchas cuestiones seleccionadas de las aparecidas en
los ultilTIOS anos en las convocatorias de la asignatura. No obstante puede
resultar tambien de gran utilidad para estudiantes de Electronica General de
otros estudios universitarios COll10 lngenierfa IndustriaL Ingenieria
Electronica, Ciencias Ffsicas 0 Infornlatica.
En el Telna 1 se explican los diferentes sistemas para realizar el amilisis

de circuitos a traves del estudio de su funcion de transferencia.
EI Tenla 2 estudia el transistor en continua analizando los diferentes

circuitos para polarizarlo correctamente.
Los Temas 3 y 4 se deducen los circuitos equivalentes para realizar el

estudio en pequefia senal y baja frecuencia de los ampl ificadores y a partir
de ellos se obtienen las caracteristicas de los alnplificadores elementales aSI
como su respuesta en frecuencia. Se reserva e] Tema 3 para los monoetapa
y el Tema 4 para las generalidades de los amplificadores multietapa.
EI Telna 5 se dedica fntegramente al estudio del alnpfificador
diferencial
En el Tenla 6 se presenta el concepto de la Real imentaci6n llegando al

estudio de las caracteristicas de diferentes tip os de atnplificadores
realimentados.
EI Telna 7 analiza los circuitos osciladores tanto de baja como de alta

frecuencia, se insiste en su amilisis y se presenta el funcionamiento y
circuito equivalente de los cristales de cuarzo.
Esperamos que el Iibro sea de la util idad que desealnos y aceptarelnos

de buen grado los comenrarlos, sugerencias y crlticas, siempre constructi-
vas, que puedan ayudar a mejorar este modesto trabajo.
Valencia, septiembre de 1995
Los Autores
II
A Victor y Cristina
M.I.P.
A Silvia, Daniel y Elisa
A.H.G.M.
A Fina i David
E.B.V.
ANuria
A.G.L
A 1nis padres
F.M.M.
rri
,
INDICE
TEMA 1. ANALISIS EN TIEMPO Y FRECUENCIA.
1. 1 Introdueei6n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 1
1.2 Herralnientas Inatematicas para el analisis de circuitos . . . . . .. 2
1.3 Clasifieacion de sefiales ......................... 5
1.4 Analisis freeuencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.4.1 Diagrama de Bode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.4.1.1 Funciones de transferencia normalizadas . . . . . . . 15
1.4.1.2 Diagrama de Bode de los faetores simples . . . . . . 16
1.4.1.3 Obtenci6n practica del diagrama . . . . . . . . . . . . 27
1.4.2 Ejemplos de obtenci6n de respuesta frecuencial . . . . . . . 28
1.4.2. 1 Circuito RC y RL, filtro paso-bajo . . . . . . . . . . 28
1.4.2.2 Circuito RC y RL, filtro paso-alto . . . . . . . . . . 29
1.4.2.3 Otros ejemplos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.4.3 Consideraciones generales sobre la distorsi6n . . . . . . . . 40
1.5 Analisis temporal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

1.5.1 Carga y descarga de un condensador . . . . . . . . . . . . . . 43
1.5.2 Circuito derivador e integrador . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
BIBLIOGRAFfA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
TEMA 2. POLARIZACION DE TRANSISTORES.
2. 1 Introducci6n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.2 Polarizaci6n del BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

2.2.1 El B1T. Generalidades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
IV
2.2.2 Criterios para la elecci6n del punto de trabajo . . . . . . . . 55
2.2.3 Simplificacion p~a e] caJculo del punto de trabajo . . . . . 58
2.2.3.1 Metodo gnifico . . . . . ..... 59
2.2.3.2 Metodo analftico ... . 59
2.2.4 Circuito de polarizacion fija . . . . . . . 62
2.2.4.1 Resolucion analftica . . . . . . . . . 62
2.2.4.2 Resolucion gnifica. Recta de carga . . . . . 62
2.2.4.3 Variaciones del punto de trabajo con {3 . . . . . . . . 63
2.2.5 Factores de estabilidad: S{3' SICBO Y SVBE . . . . . . . . . . . . 65
2.2.6 Circuitos de autopolarizacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.2.6.1 Resolucion anaHtica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
2.2.6.2 Calculo de los factores de estabilidad . . . . . . . . . 69
2.2.7 Otras polarizaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
2.2.8 Tecnicas de cOlnpensacion termica . . . . . . . . . . . . . . . 78
2.2.8.1 Compensacion con elementos semiconductores 78
2.2.8.2 COlnpensacion con elementos termistores . . . . . . . 80
2.3 Polarizacion del FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

2.3.1 EI FET y el MOSFET. Generalidades . . . . . . . . . . . . . 82
2.3.1.1 Transistores JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
2.3.l.2 Transistores MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
2.3.2 Circuitos de polarizacion con el FET . . . . . . . . . . . . . 94
2.3.3 Circuito de autopolarizacion con el FET ... . . . . . . . . 95
2.3.3.1 Resolucion analitica . . . . . . . . . . . . 96
2.3.3.2 Resolucion grafica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
2.3.4 Circuito de polarizacion por divisor de tension . . . . . . . . 98
2.3.4.1 Resolucion analitica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
. 2.3.4.2 Resolucion grafica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
2.3.5 Polarizacion del MOSFET de acumulacion . . . . . . . .. 101
2.3.5.1 Resolucion analftica . . . . . . . 101
2.3.5.2 Resolucion grafica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
2.3.6 Polarizacion del MOSFET de deplexion ' .' . . . . . . . . . 103
2.4 Polarizacion de circuitos con varios dispositivos 104

2.4.1 Polarizacion de una configuracion diferencial . 107
2.5 Polarizaciones especfficas para CI'~ 109
v
2.5.1 Fuente de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
2.5.1.1 Fuente de corriente de Widlar . . . . . . . . . . 110
2.5.1.2 Fuente de corriente de Wilson . . . . . . . . . . . . 112
2.5.2 Espejo de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
BIBLIOGRAFIA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
TEMA3. AMPLIFICADORESLlNEALES MONOETAPA

DE PEQUENA SEN-AL.
3.1 Conceptos generales sobre amplificaci6n lineal. . . . . . . . . . 119

3.1. 1 Introduccion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 119
3.1.2 Recta de carga dimimica . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 121
3.1.3 Tipos de alnplificadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 127
3.1.3.1 Amplificadores de tension. . . . . . . . . . . . . .. 128
3.1.3.2 Alnplificador de corriente. . . . . . . . . . . . . .. 129
3.1.3.3 Amplificador de transconductancia. . . . . . . . . 130
3.1.3.4 Amplificador de transresistencia. . . . . . . . . .. 131
3.1.3.5 Amplificador de potencia. . . . . . . . . . . . . . . 132
3.1.4 Panimetros caracterfsticos de los amplificadores. . . . .. 135
3.1.4.1 hnpedancias de entrada y salida. .. 135
3.1.4.2 Curvas de respuesta en frecuencia .. 137
3.1.5 Clasificacion de los alnplificadores. . ... l40
3.2 Amplificadores con transistores bipolares (BJT). . . . . . . . .. 144

3.2. I Introduccion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
3.2.2 Analisis prelilninar. Linealidad del BJT en pequefia sefial. 144
3.2.3 Modelo del transistor BJT. Panilnetros de pequefia sefial y
baja frecuencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
3.2.3.1 Modelo del transistor BJT en pequena serial. .. , 147
3.2.3.2 Detenninacion de los paniInetros hibridos a partir de
las curvas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
3.2.3.3 Simplificaciones de los circuitos equivalentes con
panilnetros hibridos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
3.3.2.4 Conversion de paralnetros hfbridos. . . . . . . . 162
VI
3.2.4 Circuito equivalente en pequena sefial a uno real dado. 163
3.2.5 Amilisis de circuitos amplificadores con BJT en distintas
configuraciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
3.2.5.1 Circuito alnplificador en emisor cOluun. . . . . . 165
3.2.5.2 Circuito an1plificador en base comtin. . . . . . .. 168
3.2.5.3 Circuito amplificador en colector comun. . . . .. 173
3.2.6 COlnparacion entre configuraciones. . . . . . . . . . . . .. 177
3.3 Alnplificadores can JFET . . . . . . . . . . ' . . . . . . . . . . . . . . . 178

3.3.1 Panimetros de pequefia sefial y circuitos equivalentes. .. 178
3.3.1.1 Transconductancia gm' . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
3.3.1.2 Resistencia de drenaje-fuente rd' . . . . . . . . . . . 181
3.3.1.3 Circuitos equivaJentes del JFET en pequefia sefia1. 182
3.3.2 Estudio de una etapa en fuente comun (sc). .. 184
3.3.2 Estudio de una etapa en drenador comun (dc). . . . . . . . 187
3.4 Resumen comparativo de amplificadores con transistores BJT y

JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
3.5 Modelos de alta frecuencia. 194

3.5. 1 Modelo en pi del BJT en alta frecuencia. . . . . . . . . . . . 194
3.5.1.1 Teorelna de miller. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
3.5.2 Modelo del JFET en alta frecuencia. . . . . . . . . . . . . 203
BIBLIOGRAFfA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
TEMA 4. AMPLIFICADORES MULTIETAPA.
4.1 Introduccion . . . . . . . . I. •••••••••••••••••••••• 207

4.1. 1 Necesidad de conexion entre etapas . . . . . . . . . . . . . 207
4.1.2 Ganancia de un aluplificador multietapa . . . . . . . . . . . 207
4.1.3 Tipos de acoplamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
4.2 Acoplamiento capacitivo entre etapas . . . . . . . . . . . . . . . . 2 I 1

4.2. 1 Respuesta en frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -. 211
VII
4.2.2 Margen dinalnico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 214
4.3 Amp!ificadores con acoplo directo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224

4.3.1 Problematica del acoplo directo . . . . . . . . . . . . . . . . 224
4.3.1.1 Adaptaci6n de niveles de continua . . . . . . . . . . 224
4.3.1.2 Deriva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228
4.3.1.3 Ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
4.3.2 Configuraci6n Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
4.3.3 Configuraci6n cascodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232
BIBLIOGRAFIA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
TEMA 5. EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
5.1 Introducci6n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237

5.1.1 Tension diferenciaI y tensi6n comun . . . . . . . . . . . . . 239
5.1.2 Ganancia diferencial y ganancia coroun . . . . . . . . . . . 240
5.1. 3 Modos de funcionam iento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 242
5.1.4 Relaci6n de rechazo al modo comun 244
5.2 Caracterfsticas de transferencia estatica .. 245

5.2.1 Efecto de la resistencia de emisor .. 248
5.3 Teorema de Barttlet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
5.4 Analisis de un amplificador diferencial simetrico con

transistores BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 254
5.4.1 Analisis mediante el estudio del circuito completo . . . . . 254
5.4.2 Analisis mediante el metodo de Barttlet . . . . . . . . 256
5.5 Analisis de un amplificador diferencial no simetrico can

transistores BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259
5.6 Impedancia de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 261

5.6.1 Impedancia de entrada diferencial . . . . . . . . . . . . . . . 262
VTII
5.6.2 Itnpedancia de entrada asimetrica . . . . . . . . . . . . . . . 264
5.6.3 Impedancia de entrada comun . . . . . . . . . . . . . . . . . 265
5.7 lmpedancia de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268

5.7.1 Impedancia de salida diferencial . . . . . . . . . . . . . . 268
5.7.2 Impedancia de salida asimetrica . . . . . . . . . . . . . . . . 269
5.8 Fuentes de corriente . 270
5.9 Efectos en continua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273

5.9.1 Corrientes de polarizacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273
5.9.2 Tension de offset . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . 278
5.9.2.1 Valor teorico de la tension de offset . . . . . . . . 280
5.9.2.2 Metodos de cOlnpensacion para reducir el offset . 281
5.9.3 Derivas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
5.9.3.1 Deriva de la tension de ,offset con la temperatura 283
5.9.3.2 Deriva de la corriente de offset con la temperatura 283
5.10 Margen dimimico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284
5.11 Amplificadores diferenciales integrados ... . . . . . . . . . . . 286
BIBLIOGRAFIA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ; . . . . . . . . . . 291
TEMA 6. REALIMENTACION.
6.1 Introduccion . . . . . . . . . . . .293
6.2 Concepto de real imentaci6n ... : . . . . . . . . . . . . 297
6.3 Tipos de realimentacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . 301
6.4 Funci6n de transferencia de un amplificador reaJimentado . . . . 304
6.5 Realimentaci6n positiva y negativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . 309
IX
6.6 Efectos de la real imentacion negativa sobre los panitnetros del
alnplificador. . . . . . . . . . . . . , . . . . . . . . . . . . . . 312
6.7 Ventajas de la realimentacion negativa . . . . . . . . . . . . . . . 314

6.7.1 Estabilidad de la ganancia. . 314
6.7.2 Oi5tor5ion de frecuencia. " 317
6.7.3 Oi5torsion no lineal y ruido . . 317
6.8 Estabilidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319

6.8. 1 Criterio de Nyquist . . . . . . . . . . . 322
6.8.2 Curvas de Bode. . . . . . . . . . . . . . 323
6.9 Conlpensaci6n .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327

6.9.1 COlnpensacion por polo dominante . . . . . . . . . 328
6.9.2 Compensacion por adelanto de fase . . . . . . . . . . . . . . 330
6.9.3 Compensacion POf introducci6n de polo y cero '" 332
6.10 Configuracion "ideal". IInpedancias de entrada y salida. . 335

6.l0.1 Impedancia de entrada. Comparacion serie . . . . . . . . . 337
6.l0.2 Impedancia de entrada. Comparacion paralelo. . . . . . . 338
6.10.3 Impedancia de salida. Muestreo de tension. Comparaci6n
sene . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 339
6.10.4 hnpedancia de salida. Muestreo de tension. Comparacion
paralelo . . . . . . . . . . . .' . . . . . . . . . . . . . . . . 341
6.10.5 Impedancia de salida. Muestreo de corriente. Comparacion
paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341
6.10.6 Impedancia de salida. Muestreo de corriente. COlllparaci6n
serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 343
6.11 Metodo de amilisis de un amplificador realimentado. 344
6.12 Amilisis de algunos amplificadores realimentados .. 347

Ejercicio 6. 1 . 347
Ejercicio 6.2 351
BIBLJOGRAFJA . 357
x
TEMA 7. OSCILADORES SENOIDALES.
7. 1 lntroduccion ....................... . . . . . 359
7.2 Funcionamiento. Frecuencia de oscilaci6n. Criterios de

Barkhausen ........................ . .. 360
7.3 Arranque del oscilador. Determinacion de la amplitud de la

oscilaci6n . . . . . . . . . . . . 363
7.4 Osciladores RC de baja frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . 367

7.4.1 Osciladores RC por desplazamiento de fase . . . . . . . . . 368
7.4.2 Osciladores de puente de Wien . . . . . . . . . . . . . . . . 371
7.4.2.1 Simulaci6n de un oscilador de puente de Wien .. 375
7.4.2.2 Estabilizaci6n de la amplitud en el oscilador de
puente de Wien ........................ 377
7.5 Osciladores sintonizables LC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 381

7.5.1 Forma general de un oscilador sintonizable LC . . . . . . :182
7.5.2 Configuraciones Colpitts y Hartley . . . . . . . . . . . . . . 384
7.5.2.1 Ejemplo de osciladores en configuracion Colpitts 385
7.5.2.2 Ejemplo de osciladores en configuraci6n Hartley. 386
7.5.3 Osciladores sintonizados LC con transformador y circu ito
tanque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 388
7.6 Osciladores a cristal de cuarzo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 390

7.6. 1 Caracterfsticas del cristal de cuarzo 390
7.6.2 Modelo electrico del cristal de cuarzo . . . . . . . . . . . . 392
7.6.3 Osciladores en modo serie '" 396
7.6.4 Osciladores en modo paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . 397
BIBLIOGRAFiA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 399
XI
ANEXOS.
Anexo 1 Tablas de caracterfsticas de transistores . . . . . . . . . 40 1

Anexo 2 Cuestiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 411
XII
TEMAI
ANALISIS ,EN TIEMPO Y FRECUENCIA
1.1 INTRODUCCION
En electr6nica es necesario caracterizar circuito's Y C0111pOnentes para

decidir su aplicacion concreta en diferentes sistemas eLectr6nicos.
Entendiendo por sistema electr6nico aquel capaz de realizar una 0 varias
funciones sobre U11a 0 varias sefiaLes, 'COITIO son filtrado, arllplificacion,
modulaci6n, tra11smision, etc. En general las senales contendnin iliformacion'
de un suceso de il1teres y serlin tratadas por los sistemas. Los sucesos
pueden ser de naturaleza bien diversa, pero para ser tratados necesitan ser
convertidos en senales electricas, por ejemplo las ondas sonoras que genera
al hablar uila persona se transforman en senales electricas usalldo un
micr6fono. Los dispositivos que realizan la conversion de senales ffsicas' a
senales electricas reciben el nombre de transductores. Este 1ibro no esta
dedicado al estudio de transductores, supondremos que las senales de interes
existen ya en el dominic electrico. En 10 sucesivo alhablar de una sefial (x),
se entendera que la misma puede ser una tension (v), corriente 0), 0
potencia (p). Se notara con subf ndice 0 las magnitudes referentes a la sal ida,
output, y con subf /ld ice i las referentes a la entrada, input.
Se prccisa conocer el comportamiento de los circuitos en condiciones

estaticas, tambien lIamadas condiciones de reposa, continua 0 poiarizacion,
y en condiciones dinanlicas, tambien Ilamadas condiciones de senal 0
alrerna.
Las condiciones estciticas seran tratadas en el siguiente tema, el presente

tema esta dedicado a sentar las bases para e] estudio y anal isis de sistemas
electr6nicos en condiciones dinamicas.
Como a 10 largo del curso se uti) izara de forma usual el amil isis
frecuencial de circuitos. este tema resalta el anal isis frecuenciaI frente a1
temporal. Por ello s610 se verill1 casos muy sencillos de este ultil110, como
ELECTRONICA ANALOGICA UISCRETA
son la carga y descarga de un condensador y circuitos RC funcionando

como derivador e integrador.
1.2 HERRAMIENTAS MATEMATICAS PARA EL

ANAL ISIS DE CIRCUITOS Y SISTEMAS
La representaci6n matelnatica de un sistelna se basa en el uso del

concepto de lafunci6n de transferencia del sistema, la cual notaremos por
FDT. Mediante la FDT se podni predecir la sefial de salida de un sistelna
a partir de una entrada dada.
La FDT es una propiedad del sistema en sf, independiente de la sefial

de entrada, y en general no aporta infornlaci6n respecto de la estructura
ffsica del mismo, dado que por ejemplo dos circuitos distintos pueden tener
la misma FDT.
Generalmente la relacion entre las sefiales de entrada y salida es de tipo

infinitesilnal por 10 que debe establecerse mediante sus diferenciales
respecto del tiempo, y en consecuencia se, trabaja con la ecuaci6n
d~fe,.encial del sisteJna. Esta fonna de obtenci6n es poco pnlctica por el
engorro que supone el manejo y resoluci6n de la ecuaci6n diferencial.
ex<;epto en el caso de circuitos muy elementales. Por ello se prefiere
introqucir transformaciones matelnaticas que supongan un cambio de
variable en el sistema tal que ilnplique una operatividad mas silnple y
asequible que en el dominio temporal la ecuacion diferencial. De todas las
transformaciones posibles las lnas empleadas en Electronica Ana\6gica son
la Transformada de Fourier y la Transformada de Laplace.
a) Trallsfornulda de Fourier.
Es una genera\.izacion del desarrollo en serie de Fourier para funciones

peri6dicas. Sl;lpone el cambio de la variable t. tiempo, a la nueva variable
w, frecuencia.
2
TEMA 1.- ANALISIS EN TIEMPO Y FRECUENClA
Esta transformacion se introduce porque la entrada armonica, senwt 0

coswt, es bastante usual en los sistemas electronicos analogicos. Ademas en
estos sistemas, si la entrada es armonica, la salida tambien 10 es, la senal
s610 experimenta cambios de amplitudy de fase.
La transformada de Fourier se define a partir de la ·expresion 1.1, en

la expresion 1.2 se muestra la transformada inversa.
(1.1)
f(t) (1.2)
b) Transformada de Laplace
Supone el cambio de la variable t, a la nueva variable p, operador de

Laplace.
La transformada y la transformada inversa se definen a partir de las

expresiones 1.3 y 1.4 respectivamente:
F(p) = J 0+0:> f(t) e-pt dt f(t) ~o, Vt~O (1.3)
f(t) = 2~ j Jcc:;: F(p) e Pl

dp (1.4)
donde c es un valor real de modo que se incluyan dentro del contorno que
define todos los puntos singulares de F(p).
Con esta transformaci6n se efectua un cambio de escala en las

operaciones respecto del dominio temporal, asf la derivada se convierte en
un producto, la integral en un cociente, etc. De modo que las expresiones
de la FDT de los sistemas que nos ocupan, lineales e invariantes
temporales, .seran siempre una expresi6n racional en p.
3
ELECTRONICA ANALooreA IJISCRETA
Esta es una de las razones de que sea la herramienta matematica Inas

elnpleada en el analisis de dichos sistemas. Como indica la ecuaci6n 1.5, la
FDT del sistema en p, es la relaci6n entre las transformadas de las senales
de entrada y salida, supuestas condiciones iniciales nulas, es obYio que
dicha FDT tanlbien se podni obtener si se conoce la estructura ffsica del
sistema 0 de los distintos circuitos que 10 compongan.
FDT(p) = Xo(p) (l.S)

Xj(p)
En el dominio del tiempo, a la expresi6n que caracteriza el sistema se
Ie conoce como respuesta in1pulsional h (t), en yez de FDT. Recibe d icho
nombre por ser la respuesta 'del sistema al impulso unidad o(t). De forma
que S1 para un sistenla se conoce h(t), la salida xo(t) para una entrada dada
xj(t), yiene dada por la convoluci6n
(1.6)
La relaci6n entre la respuesta impuisional de un sistema y su FDT es
FDT(p) = TL [h(t)] (l.7)
Hay que destacar que, COB10 lnuestra Ia expreSlon de alnbas

transfonnadas, el paso de la transformada de Laplace a la de Fourier es
imnediato sin mas que sustituir el operador p por jw, 10 que supone
restringir la variable cOlnpJeja a imaginaria pura, ya que p = ex + jw. Con
ello la relaci6n entre las tres posibles fonnas de representaci6n matematica
de los sistemas que nos ocupan es biunfyoca y directa, como ll1uestra la
Figura 1.1.
d/dt = p P '" jw
Figura 1.1 Relacion entre las distilltas formas de representacion.
La expresi6n FDTUw) es la respuesta frecuencial del sistenla, en este

ten1a normal mente hablarelnos de FDT de forma generica a no ser que se
4
TEMA 1.- ANAuSIS EN TIEMPO Y FRECUENClA
indique 10 contrario, en telnas suceSlVOS por ejemplo dedicados a

amplificz.ci6n la FDT se traducini en una ganancia, bien de potencia,
corriente 0 tensi6n, usual mente las notarelnos por ApUw), ArUw) 0 AvUw).
Normalmente se trabajara en el dominio de operatividad Inas simple y

eficaz, Laplace, p, 0 Fourier jw. Hay que advertir que en general, es cOlnun
expresar resultados en tenninos de frecuencia f[Hz], cuando en realidad, la
variable empleada, por comodidad, es la pulsaci6n angular wlrad/s]. En la
pnlctica a la hora de obtener e interpretar resultados en un circuito 0
sistema, estos siempre vienen expresados en Hz 0 en multiplos de esta
unidad, siendo la relaci6n entre alnbas magnitudes w =27rf.
1.3 CLASIFICACION DE SEN-ALES
Valnos a clasificar las seiiales 0 jorrnas de onda en dos tipos: seiiates

constantes en el tiempo, p.e. una tensi6n continua y seiiales variables en
el tiempo. Dependiendo que la expresi6n matematica que define a estas
liltin1as sea 0 no linica, a su vez las subdividiremos en continuas (p.e. una
sefial senoidal 0 ann6nica), y discontinua (p.e. una sefial cuaClrada). A
continuaci6n veremos algunos ejemplos.
a) Seiiates continuas
Sefial senoidal talnbien llalnada sefial annonica 0 tono. La expresi6n que

la define se corresponde con la ecuaci6n 1. 8, siendo Vm la amplitud, f la
frecuencia, y 'P la fase, con liT. Se representa en la Figura 1.2.
v (t) (1.8)
b) Senales discontinuas
Seiial escalon, se define como

t < t[; v(t) =0
t~t[; v(t)=V 1
5
ELECTRONICA ANALOGJCA DISCRETA
v(t)
T
I-----------~
Figura 1.2 Seiial senoidal.
Gnificamente, Ia senal escalon se 'representa en la Figura 1.3.

vet)
v 1'---,...-------
t
Figura 1.3 Seiial esca16n.
Seiial impulso, se define como

t} > t >'t2 ; v(t) =0
tl <t<t2; v(t)=V 1
vet)
Figura 1.4 Seiial impulso.
Gnificamente se representa en la Figura 1.4. En el caso particular en que

VI = 1 Y ~~oo se Ie llama impuiso unidad, o(t).
Seiial cuadrada, la representaci6n gnlfica aparece en la Figura 1.5. En una

sefial de este tipo se define el cicio de trabajo (duty cicle), COlTIO la relaci6n
6
TEMA 1.- ANAuSIS EN TIEMPO Y FRECUENCIA
Figura 1.5 Sellal cuadradada.
11,IT , expresandose usual mente en forma ,porcentual.
Rampa, se define como

t < t 1 ; v(t) =0
t > t 1 ; V (t) = cd
Graficamente
v(t)
t,
Figura 1.6 Rampa.
Diellte de sierra, se muestra en la Figura 1.7.

v(t)
Figura 1.7 Sefial diente de sierra.
Triangular, se muestra en la Figura 1.8.
7
ELECTRGNICA ANALGOleA DLSCRETA
V(t)~i
I! T I
Figmoa 1.8 Senal Triangular.
Las sefiales mostradas anteriormente son· las InaS utilizadas por los
sistemas electr6nicos. De hecho, por ejemplo la mayorfa de generadores de
funciones, equipo basico de laboratorio, tienen implementadas gran parte de
estas senales.
Otra posible clasificacion mas genenca y apropiada consistirfa en

clasificar las senales 0 fonnas de onda en dos tipos, peri6dicas y no
peri6dicas. En virtud del teorema de Fourier, las prilneras se pueden
considerar como suma de sefiales armonicas de frecuencia multiplo de la
frecuencia fundamental, su representacion espectral da lugar por tanto a un
conjunto de llneas espectrales, de una determinada amplitud yequidistantes
entre sl, correspondiendose cada linea con. un tono. Por contra el espectro
resultante de las sefiales no periodicas es continuo, y se puede obrener
mediante la Transformada de Fourier 0 la Transfonnada de Laplace de la
sefial en cuestion. El espectro de una sefial da informacion del rango de
frecuencias 0 contenido frecuenciaL de la misma.
ASI la sefial cuadrada de la Figura 1.5, tras realizar su desarrollo en

serie de Fourier se podrfa escribir COlno
4 V-I ( sen w t + -1 sen 3w t + -1 sen 5w t + ... )

v (t) = - (1.9)
7r 0 3 0 5 0
EJ espectro de d icha sefial se representa en la Figura 1. 9.
En la Figura 1. 10 se ha representado una sefial no periodica, y en la

Figura 1. 11 su espectro.
8
TEMA 1.- ANAuSIS EN TlEMPO Y FREC{)ENCIA
(i) [rad/s]
Figura 1.9 Espectro de UIla seiial cuadrada.
v(t) t
I
Figura 1.10 Sellal no peri6dica.
w \rad/sl
Figura 1.1'1 ESI)ectro de una seiial IlO peri6dica.
Se ha optado por 1a primera clasificacion dado que se supone que el

lector no esta familiarizado con el estudio de sefiales en el dotninio de la
frecuencia. El estudio del espectro frecuenciaL de las sefiales cobra suma
importancia en el disefio de sistemas de comunicacion como son Radio,
Television y sistemas telefonicos.
9
ELECTRONICA AN ALOmC A DISCRET A
Las transiciones bruscas 0 abruptas implican un contenido frecuencial

muy alto. En la practica los circuitos y sistemas tienen limitaciones
frecuenciales, es decir no responden linealmente a todas las frecuencias,
distorsionan 1 a alta frecuencia. Por esta razon si se excita a un circuito por
ejemplo con un impulso, la senal que proporcionara el mismo sera la
mostrada en la Figura 1.12. Claramente se observa que las transiciones
bruscas que contiene la sefial original se ven suavizadas por la Iimitacion
frecuencial del sistema. En una sefial como la mostrada en la Figura 1.12
se definen
tr: tiempo de sub ida (rise tilne).
tr: tiempo de bajada (fail time).
~): ancho del pulso (pulse time).
100%
90%
50%
10%
I~ t
Figura 1.12
1.4 ANALISIS FRECUENCIAL.
C0l110 ya se habia avanzado, ]a importancia de este tipo de anal isis

radica en que cuando se excita a un sistema lineal con una ,sefial annomica,
en la salida solo se experilnentan cambios de amplitud y fase.
) En el pumo 1.4.4 de este tema se tratara I€! distorsion.
10
Tatnbien se ha cOlnentado con anterioridad, la FDT de un circuito 0

sistelna es la relacion existente entre la salida y la entrada del mismo. En
general sera compleja dado que los circuitos contienen elementos reactivos,
bobinas y condensadores, y quedara definida expresando su modulo
I FDTUw) I y su argumento 0 fase cpUw). De modo que para la
representacion de FDTUw) aparecen pues, tres variables frecueneia, In6dulo
y fase.
1.4.1 DIAGRAMA DE BODE.
EI Diagrama de Bode consiste en dos representaciones separadas en

ejes selnilogaritlnicos, una para el moduLo de La PDT expresada en dB" s
y otra la fase en grados de la FDT, ambas en funcion de la frecuencia, la
eual aparesera en el eje de abeisas en eseala logaritInica, Inientras que el
1110dulo y la fase de la PDT se representan en ordenadas y escala lineal.
Con esta representacion grafica queda perfectamente definida la respuesta
frecuencial de cualquier circuito en condiciones lineales.
Antes de entrar mas a fonda en este tipo de representacion, se definira

el dB, una unidad utilizada usualmente en electronica de comunicaeiones.
EI Bel debe su nombre a Alexander Graham Bel, y se define como la

variacion de intensidad sonora- necesaria para producir una variacion unidad
de la sensacion auditiva. Su introduccion se debe a la ley psicoffsica de
Weber-Fechner que dice que .la sensaci6n auditiva es proporcional a]
logaritlno de la potencia excitante. Por esta razon se utiI izaba inicialtnente
en electroacustica para Inedir niveles relativos de potencia, pero su usa se
ha extendido a todo tipo de sistemas ffsicos, de lnodo que expresa la
relacion entre dos lnagnitudes homogeneas en forma logarittnica (logaritnlo
decimal).
La ganancia en potencia A p , de un sistelna expresada en dB, viene dada

por la siguiente expresion
11
ELECTHf)NICA ANAL6GICA DISCRETA
Po (1.10)
A p(dB) = 10 log-
Pi
Si la relacion 0 ganancia es entre tensiones 0 intensidades
V
A y(dB) = 20 log-O (1.11)
Y.I
I
(dB) = 20 log~
A I (1.12)
1. I
Lo cual es logico dada la relacion cuadnitica entre tension 0 corriente

con la potencia. Si consideramos que Po Y Pi, se desarrollan sobre la lnisma
resistencia R, entonces
...,
y-
o
P
A p (dB)=10 log~ 10 log R (1.13)
Pi y2
I
R
quedando
p Y I
10 log~ = 20 log_O 20 log~ (1.14)
Pi YI I.I
A p(dB) = A y(dB) (1.15)
Huelga anadir que el resultado obtenido es vaJido bajo el supuesto de

que las potencias de entrada y salida se desarrollen sobre resistencias del
mismo valor, se deja al lector la obtenci6n de la relacion entre las distintas
ganancias expresadas en dB ~ s si no se cUlnple dicha cond ici6n.
eOInO se ha visto, el dB es· una nUlgnitud relativa, en multitud de

ocasiones talnbien se utilizan para expresar niveies absolutos de senai. Por
ejemplo se pueden dar niveles de potencia 0 tension con las unidades dBm
y dBIl Y (0 dBu), las cuales se definen a partir de las expresiones 1.16 y
1.17 respectivamente. Donde P(lnW) y Y(1l V), son la potencia y tension
expresadas en m W y Il Y, alnbas en valor eficaz.
12
TEMA 1,- ANALISIS EN TrEMPO Y FREC1JENCIA
P(dBm ) = 10 log P(mW ) (1. J6)

11nW
(1.17)
Para conocer la relaci6n entre dBm y dBIl V, es necesario conocer sobre

que impedancia se desarrol1an, las mas usuales son 50 0, utilizada en RF
y multitud de equipos de BF, 75 0 en sistelnas de TV y Video, y 600 0 en
sistelnas de telefonfa.
EI hecho que se elnplee en electr6nica se debe a que es lnuy practico

operar en dB. En efecto, ya que Ia obtencion de niveles de sefial de salida,
por ejelnplo al ser la mislna amplificada 0 atenuada por un sisten1a de
ganancia dada, se convierte en una operacion de adicion 0 sustraccion de
dB /s.
Sirva el siguiente ejemplo para ilustrarlo, sea una linea de 25 lnetros

que enlaza una antena Vagi con un receptor de TV, se sabe que el nivel de
sefial para un canal dado en la base de la antena es de 45 dBIl V, el
fabricante de la lfnea (cable coaxial de 75 0) da una atenuaci6n de 0,2
dB/n1etro, por tanto la sefial en la entrada de RF del receptor de TV sera
de 40 dBIl V. Como el fabricante del receptor de TV especifica que el
mismo funciona correctalnente en un rango de sefial de entrada de 50 a 70
dBIl V, se decide instalar en la base de la antena un amplificador adecuado
de ganancia 20 dB, con 10 que Ia sefial en la entrada del receptor sera ahora
60 dBM V, consiguiendo de este n10do una recepcion optima.
En cualquier caso el paso de dB, relativos 0 absolutos, a ganancla 0

niveles de sefial es inmediato utilizando la expresi6n antilogaritlnica
apecuada.
Volviendo a la representacion de Bode, sea AULtJ) la ganancia de un

circuito, la supondrelnos de tension 0 intensidad, entonces el In6dulo en
dB / s, y la fase en grados, vendrfan dados por
13
ELECTRONICA ANALOGICA DISCRET A
A (dB) = 20 log I A(jw) (1.18)
tp 0 := arg [A (jw) ] (1.19)
En general AUw), sera un cociente de polinomios del tipo
N(jw) (J .20)
A(jw)
D(jw)
donde NUw) y DUw), representan los polinomios del numerador y
denolninador respectivamente.
A las rakes 0 val ores de jw ,que anulan el numerador se les denomina

ceros de La FDT, y a las rafces del denominador paLos de La FDT. En
circuitos reales, el grado del numerador es menor 0 igual al grado del
denominador, 0 10 que es 10 mismo, el numero de ceros es lnenor 0 igual
al numero de poIos de la FDT.
Entre las ventajas de la representaci6n de Bode cabe resaltar:
Convierte Ia Inultiplicaci6n de alTIplitudes en ,adici6n, por el hecho de

expresar las mismas en dB.
- Se pueden trazar de fonna sencilla las curvas mediante aproxilnacion
asint6tica (las llamadas curvas de Bode idealizadas), y si se necesitan
con mayor exactitud, la aproximaci6n adlnite correcciones muy simples.
- Se puede deducir facihnente la expresi6n algebraica de la FDT a partir
del diagralna de Bode.
- A la vista del Inislno se deduce para que frecuencias el circuito no va
a introducir distorsi6n en alnplitud y/o fase.
La relaci6n entre la respuesta frecuencial y tenlporal de un sistenla es

muy indirecta, 10 cual es un inconveniente de esta representaci6n.
Para obtener experimentaLmente la respuesta en frecuencia de un

circuito, se puede excitar at Inislno con un tono puro, Inantener constante
la amplitud y variar la frecuencia del lTIislTIO, barrer en frecuencia,
14
TEMA 1.- ANALISIS EN TIEMPO Y PRECUENCIA
midiendo para cada frecuencia la amplitud y la fase de la salida, siempre y

cuando la sefial de entrada garantice el comportan1iento lineal del circuito.
En la actualidad los programas de simulaci6n son capaces de trazar las

curvas que se ajustan con gran fidel idad al comportamiento real de los
circuitos, las curvas reales que aparecen en los diagralnas de Bode del
presente tema han sido obtenidos mediante simulaci6n.
1.4.1.1 Funciones de transferencia nonnalizadas.
Los polinomios NUw) y DUw) de la FDT, pueden ser descompuestos en

producto de factores simples, estos son:
a) Factor de ganancia 0 ganancia afrecuencias medias. Es un ntllnero real,

10 notaremos por Ao.
b) Factor derivativo y factor integral. El factor derivativo se Inuestra en la

expresi6n 1.21, el factor integral se corresponde a su inversa.
(1.21)
c) Factor de primer orden.
·w
1 + J- (1.22)
wo
ivY Factor cuadratico. Aparece cuando las rakes son complejas conjugadas.
1 + . w-
2a J +
(.J--
W )?
(1.23)
wo wo
Estos dos ultilnos facto res pueden aparecer tanto en el numerador COIno
en el denolninador y pueden estar elevados a potencias enteras ±n, ello da
lugar a polos 0 ceros, con un determinado orden de multiplicidad (rakes
multiples).
15
ELECTR()NICA ANAL()GICA DlSCRET A
EI interes de operar de esta forma para la obtenci6n del diagrama radiea

en que una vez deseompuestos los polinOlnios NUw) y D(jw) de la FDT en
producto de factores simples, su desarrollo logarittnico es muy sencillo.
En efeeto, la expresi6n de A(dB) sera suma algebraica de los distintos

faetores expresados tambien en dB. Del mismo modo, la fase cp, en virtud
de Jas propiedades de los nluneros compiejos, se transforma en suma
algebraiea de los argumentos individuales de los faetores silnples.
De todo ella se deduce que el diagrama de Bode de AUw), es decir la

representaei6n de A(dB) y <p, sera 1a superposicion gnifica de las
representaeiones individuales de los distintos faetores que intervengan.
Para la representaeion de los faetores haremos uso de propiedades

elementales de los con1plejos. Si z = a + j b, entonces
Iz I == J a'1 + b2
(1.24)
b 0.25)
arg(z) == aretg-
a
1.4.1.2 Diaganla de bode de los factol-es sinlples.
a) Factor de ganancia constante Ao
Dado que se trata de un valor real eonstante, independiente de la

frecueneia, la representaeion del modulo (20 log I Ao I ), sera una recta
paralela al eje de abcisas. Se tendran dB negativos si I Ao I < 1, Y
positivos en caso contrario. En cuanto a la fase sera de 0° si Ao> 0, Y 180 0
si Ao <0.
Todo esto se recoge en las Figuras l. 13 Y 1.14, en trazo continuo se ha

representado Ao=O,5; Y en trazo discontinuo Ao=-2.
16
TEMA 1.- ANAuSIS EN TlEMPO Y FRECUENCIA
'.10 I . I i
A(d8) t i l I
~--------~--------------}--------------i
f f ' I
o[ I
J i
Figura 1.13 Modulo del factor de ganancia constante.

w
<P~
OOfr - - -- - + - - - + - - - - - 1
90" t - - r-
~: i
180' ~----~---------l--------------l--------------i
r, '
I I \ I I
L i t i
1
L-
I
I '-- •
1
.....J~_~~_~~,
1
Figura 1.14 Fase del factor de ganancia constante.
b) Factor derivativo y factor integral
Trataren10s en principio el factor derivativo (expresion 1.21)
- Representacion del modulo.
20log1 j~ I = 20logw - 20logw o (1.26)

wo
La expresion anterior se corresponde con la ecuaci6n de una recta, para
17
BLECTRONICA ANALOOICA DISCRETA
su repreSentaclOn estudlaremos la pendlente y el punto de corte con el eJe

de abclSas.
• Pendlente. Veamos que ocurre al aumentar la frecuencla una decada

Para una frecuencla WI' tendremos
WI
20 log I J- I = 20 log WI - 20 log Wo dB (1.27)
Wo
lOw
20 log I J__1 I = 20 + 20 Jog WI - 20 log Wo (1.28)
Wo
Se observa que ha aumentado en 20 dB, por tanto su pendlente es de 20
dB/decada.
Se deja como eJerclclo al lector comprobar que una pendlente de 20

dB/decada equlvale a 6 dB/octava (entendlendo que aumentar una octava es
duphcar la frecuencla onglnal).
• Corte con el eJe de abclsas (0 dB).
20 log I J~ I = 0 (1.29)
Wo
la ecuacl6n antenor tlene como SolUClon: W=Wo
• La representacl0n del mOdulo del factor derIvatIvo aparece en la Figura

1 15 en trazo continuo.
- En cuanto al ar:aumento, por tratarse de un numero complejo puro, sera

de 90 0
• La representaclon de la fase del factor denvatlvo aparece en la Figura

1.16 en trazo continuo
18
TBMA 1.- ANAUSIS EN TIBMPO Y FRECUENCIA
~~----~----~------~----~
O~----~----~~----~----~
6)./10 "'. 106)0 <.>

Figura 1.15 M6dulo del factor derivativo e integral.
,
1~~----~----~------~-----.
~.~----~----~------~----~
~~----~----~------~----~
..eo- •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
Figura 1.16 Fase del factor derivativo e integral.
EI factor integral es del tipo
- -·W1- (1.30)
J-
WO
Siguiendo un razonamiento analogo al anterior, se llega a que en la
representaeion del mOdulo 'para este factor Ia pendiente es de -20 dB/decada,
la frecuencia·de corte con el eje de abcisas es wo' Y la fase toma un valor
de .-900 para todas las frecuencias. Por tanto, Ia representacion es la misma
19
ELECTRONICA ANALOmCA DISCRET A
que la del factor derivativo sin InaS que cambiar de signo la pendiente y la
fase, como se muestra en las Figuras 1.15 y 1.16 en trazo discontinuo.
Del lnislno modo, si el factor aparece elevado a una potencia entera,

± n, la pendiente y la fase quedan multiplicadas por el Inismo factor de
multiplicidad.
c) Factor de primer orden
- Representaci6n del m6dulo,
(1.31)
20 log I 1 + j~
Wo
Su representaci6n se realiza por aproximacion asintotica. De la expresi6n

anterior,
para W ~ W o , se tiene
20 log I1 + j~ 20 log 1 o dB (1.32)

W
W
20 log I 1 + 20 log W dB (l.33)
Wo
que como se ya ha visto para el factor derivativo, se corresponde a una

recta de pendiente 20 dB/decada.
De esta forma, la representaci6n del factor de primer orden se puede

aproximar Inediante dos asintotas, la prilnera de pendiente nula a 0 dB para
frecuencias inferiores a wo ' Y la segunda con pendiente de 20 dB/decada
para frecuencias superiores a woo En la Figura 1.17 se ha representado en
trazo discontinuo la aproximaci6n asint6tica y en trazo continuo la curva
real. En W =Wo, se puede delnostrar que es donde se comete el maximo
error de Ia representaci6n real respecto a la aproxilnaci6n asint6tica, de
3dB de magnitud. Adelnas este error es simetrico respecto de dicha
20
TEMA 1.- ANA us IS EN TIEMPO Y FRECUENCIA
frecuencia, y su valor se obtiene facilmente de la expresi6n 1.31 sin mas

que sustituir W por WOo Es evidente que dada la simetrfa del error, y su
reducido valor lnaximo, el trazado de la curva real es muy sencillo a partir
de las asfntotas.
LJ
A{dB)
20
+20dB/d e c /
~~ i
o 3dS -i
- ~/
V _ _ _ _ _ _ _I
i
t
i
j
w
Figura 1.17 M6dulo del factor de primer orden.
- Para el argUl11ento se realiza una aproxilnaci6n analoga,
·W W
arg ( 1 + J- ) = arctg- (1.34)
Wo Wo
Se tiene:
para W~WO, cp=oo
para w=wo, cp=45°
para w~wo, cp=90 0
10 que se puede aproximar por tres asfntotas: la primera para bajas
frecuencias de pendiente nula y valor 0 0 , otra de valor 90 0 , tambien con
pendiente nula, para frecuencias altas , y una tercera que toma el valor de
45 0 en la frecuencia de transici6n, WOo L~ pendiente de la tercera asfntota
queda indetenninada, como criterio practico se toma la intersecci6n de las
asfntotas en wilO y en 10wo. Operando de esta fonna, la pendiente de la
asfntota que pasa por (w o ,45 0) es de 45 0/decada, silnpl ificandose el trazado
notablemente. En la Figura 1.18 se ha representado la curva real de la fase
y la aprox"itnaci6n asint6tica propuesta.
21
ELECTR6NICA ANAL6GICA DlSCRET A
I
!
I
1---
1/
~y I
I
I
Figura 1.18 Fase del factor de primer orden.
Si eI factor de primer orden aparece en el denominador (n=-l),

expresi6n 1.35, razonando del lnismo modo se llega a que la pendiente y
fase calnbian de signo, por 10 que su diagrama es el iepresentado en la
Figura 1.19.
1
·w (1.35)
1 + J-
Wo
__
~~~-~_~_-,------I~----~------~O°
A(dB) .....~_::., ,-450/dec_

~ ..... ~ ......
- .. , . . "'_~_... ,-45 0
<p
I - - - - - I - - - - J . . . . . . . . . . . - - -.- ' .,::~~.~...
__.:.:..t.- ..,.-,,"-~ -90
•• :-.:-:-", • 0
~dB/dec.
-20f-----+-----+---~~----
w~/10
Figura 1.19 Diagraina de Bode del factor'V(l + jw).
22
Por ultimo, si el factor de primer esta elevado a una potencia entera

±n, se tiene que las pendientes, fases y errores quedan muitiplieados por
el mismo factor.
d) 'Factor cuadratico.
Este tipo de factor apareee cuando las rafces son complejas conjugadas.
Sea Wr = (X + j (3 rafz de la expresi6i1 1.23, y wr+ = (X - j(3 su
eonjugada, entonees
(1.36)
a = (1.37)
a WO' se Ie llalna pulsacion natural, y a coeficiente de amortiguamiento.
- Representaei6n del m6dulo.
(1.38)
operando queda
(1 - (~)2)2 + (2a~)2 (1.39)

20 log
Wo Wo
de la expresi6n anterior:
si W ~ WO' se tendra una aSlntota de pendiente nula a 0 dB.
si W ~ Wo (ver expresi6n 1.40) y despreciando el tennino 2a
(eonsiderando que a < 1), se tendra una recta de pendiente 40 dB/dec.
y que pasa por (wo,O).
20 log (~)4 + (2a~)2 = 20 log~ (~) 2 + (2a) 2 (1,40)

Wo Wo Wo Wo
23
40 log~ (1.40)
Wo
Se obtienen pues dos asfntotas. En la frecuencia de transicion w o ' el

valor real que toma el modulo de la ganancia es 2010g(2a), produciendose
un pico de resonancia que depende del valor del coeficiente de
amortiguamiento, y de efecto lnas pronunciado conforme disminuye este
ultimo.
En la Figura 1.20 se han representado curvas correspondientes a los

valores de a: 1; 0,7; 0,5; 0,4; 0,3; 0,2 y 0,1. No se representa Ja
aproximacion propuesta por no recargar la grafica.
Examinemos los distintos casas en funcion del valor de a

a < 0,5; se producen picas en Woo
a = 0,5; se tienen dB.°
0,5 < a < 1; se suaviza la curva en WOo
a = 1; se tiene un factor de primer orden con orden de
multiplicidad dos (raiz doble real).
a> 1; se tienen dos factores de primer orden como los vistos en
el punto anterior.
A(d8}
20~------~------~~~--~------
Or-------r-~~~~------r-------
-20 ~~~_,~.>-L--~
wo/10
Figura 1.20 Representacion del modulo del factor cuadratico.
24
- Representaci6n de la fase del factor cuadnitico.
W
2a-
2aj ~ (j ~)2
W
tp = arg[ 1 + + ] = arctg ____ O_ _ (1.42)
Wo Wo
de la expresi6n anterior tendrelnos
tp = arctg-
o= 0° (1.43)
1
arctg 2a (1.44)
o
2a
tp = arctg--- = 180 0
W (l.45)
La representaci6n de la fase se puede aproximar por tres asintotas,

como en el factor de priIner orden, tOlnaremos las frecuencias de
intersecci6n en wollO y lOwo ' Tendremos la primera hasta wollO, de
pendiente nula y valor 0°, otra desde wof lOa 10wo, con pendiente 90
d8/decada tomando el valor 90° para wo ' y la ultima desde lOw de Q
pendiente nula y valor 180°. En la Figura 1.21 aparecen las curvas reales
para los lnislnos valores de a que en la gnifica 1.20.
Como criterio practico, utilizando la aproximacion propuesta, se

COlneten errores aceptables si a20,5.
25
1.4.2 EJEMPLOS DE OBTENCION DE LA RESPUESTA

FRECUENCIAL
1.4.2.1 Circuito RC y RL, filtro paso-bajo.
E1 circuito de la Figura 1.22 corresponde a un fiItro paso-bajo de

primer orden.
R
~/' I
V,
i c~ Vo
T
Figura 1.22 Fittro RC paso-bajo.
Del circuito tendremos Ja expresi6n 1.49, siendo Wo= liRe.

1
v jCw 1 1
Av=~=----
v. 1 1 + jwRC (1.49)
I R+-- 1+J
. -
w
-
jCw 1
RC
Observese que se trata de un factor de primer orden can n=-l 0 factor

de primer orden en el denominador. Su representaci6n corresponde con la
Figura 1.17.
Como wo=21rfo, con R=1,6 kO Y C=l nF, se tendrfa una frecuencia

fo= 1 kHz. A fo se Je denominajrecuencia de corte del filtro (0 frecuencia
de corte definida a 3 dB), y es aquella a la cual la ganancia del circuito cae
3dB respecto de la banda de frecuencias en que la ampl itud se mantiene
constante (zona plana en la grafica), a dicha banda se Ie denomina banda
pasante (B).
28
Se deja eOlno ejereieio at lector comprobar que en tenninos de ganancia

en tension 0 corriente, una carda de 3dB respecto a la ganancia en la banda
pasante, equivale a una disInin ucion de ganancia de un 70 %, 0 1/ J2 (ver
ecuaci6n 1. 11). Analogamente para la ganancia en potencia, una caida de
3dB, equivale a una dislnin uci6n de ganancia de un 50%, 0 1/2.
A la vista de la representaci6n de I Av I (ver Figura 1.17), es obvio

el por que se denolnina a este circuito filtro paso-bajo, puesto que a
frecuencias inferiores a la frecuencia de corte, es decir en la banda pasante,
el circuito no presenta atenuacion (0 dB). mientras que a freeueneias
superiores la atenuaci6n aumenta confonne aUlnenta la frecuencia.
Se deja como ejercicio cOlnprobar que el circuito de la Figura 1.23

tambien se corresponde a un filtro paso-bajo. Si fijamos R= 1,6 kO y
L=255 InH, se tendrfa tambien una freeueneia de corte de 1 kHz. Por tanto
su diagrama de Bode serfa identico aI mostrado en la Figura 1.19.
L
-((f60'-~-
+ ~'
1
VI,
J
R:>> VO
I J
Figura 1.23 Filtro RL paso-bajo.
1.4.2.2 Circuito RC y RL, fiItro paso-alto.
El circuito de la Figura 1.24 corresponde a un filtro paso-alto.
Figura 1.24 Filtro RC paso-alto.
29
ELECTRONICA ANALOGICA DISCRETA
Procediendo de forma analoga se lIega a que la FDT del mismo es la

mostrada en la expresi6n 1.50.
. w
J--
1
_ v0 _ R jw R C RC
A--------=----:---____
v VI' 1 + jwRC
=-----
. w
(1.50)
R + 1 + J --'
jCw 1
R'C
Se trata de un factor derivativo y un factor de primer orden enel
denominador, ambos con wo =l/RC. Si se fija R= 1,6 kO Y C=100 nF,
entonces fo = 'i kHz. Las represetitaciones del tn6dulo y fase de alnbos
factores simples son las representadas las Figuras 1.15, 1.16, 1.17 Y 1.18,
la supetposici6n de todas ellas se muestra en la Figura 1.25.
A(d8) "
-1 O!-------I----.;c--~---+------i45°
"~"':;.'
....
............ ,
'
-20/--------¥------J- '"', - - - --
, !
i
I
I
J
~~J "I
to/10 to 10 fa f [Hz]
Figura 1.25 Respuesta en frecuencia de un filtro pa~o-alto.
VI
-~
L
(=) +
C')
i
,v
fl
(- J 0
I
-'I I I
Figura 1.26 Fittro RL paso-alto.
30
Como ejerclclo demuestrese que el circuito :-de la Figura 1.26 se

corresponde a un filtro paso-alto,- con fo=R/27rL. Siendo por tanto su
diagrama de-Bode identico al de la Figura 1.25 si R=I,6 kO y L=255 mHo
1.4.2.3 Otros ejemplos.
En la Figura 1.41 se proporcionan unos ejes semilogarftlnicos para ser

utilizados a modo de plantilla y resolver los ejercicios que se proponen.
Ejercicio l.1 Representar el diagrama de Bode de Gv del circuito de

la Figura 1.27, con Rl = IS-kO, R2=2,6 kO y C=20 nF.
Figura 1.27
Solucion.
Sea Z el paralelo de C con Rl (C " .R 1) (expresi6n 1.51).
RJjCw
Z= = (1.51)
1
Rl +--
jCw
La FDT 0 ganancia del circuito sera la lTIostrada en la expresi6n 1.52.
= (1.52)
ViZ +R2
Sustituyendo la expresi6n 1.51 en la 1.52 y operando se llega a
(1.53)
31
ELECTRONICA ANALOOICA DISCRETA
En la expresi6n obtenida se distinguen, un factor constante, positivo

'1'=0 0 y ganancia -18 dB, un cero (factor de primer orden en el numerador)
con fz=440 Hz y un polo (factor de primer orden en el denominador) con
fp=3,5 kHz. Lo que da lugar a la representaci6n de la Figura 1.28.
A(d8)
j
-18r-----1,.-,::-/./
100 fz loop fp 10000
f [Hz 1
Figura 1.28
Ejercicio 1.2 Representar el diagrama de Bode de Gv del circuito de

la Figura 1.29, con Rl = 100 kO, R2 =50 kO, C 1 =5 J.tF Y C 2 = 10 J.tF.
v
1•
--------------~----~--
Figura 1.29
Solucion.
EI desarrollo se deja propuesto al lector el modulo y la fase se han
representado en el las Figuras 1.30 y 1.31.
32
TEMA 1 ANAuSIS EN TIEMPO Y FRECUENCIA
-10~--------~----------~-----------.
A(dB)
40~--------~~----~--~----------~
0.1 10 100
w [rad/sl
Figura 1.30
90°=---------~----------~----------~
<p
60°r-----~~--r---------~----------~
30°r---------~~--------~----------
O°r---------~--~~----_;----------~
~
-30Qr---------~------~--_;----------~
-60°r---------~----------~----------~
0.1 10 100
W (rad/s]
Figura 1.31
Ejercicio 1.3 La Figura 1.32 muestta la aproxilnacion asintotica del

modulo de la ganancia en tension de un circuito. Obtener la expresion
algebraica de dicha ganancia.
33
ELECTRONICA ANALOGICA D1SCRET A
A(dB)
80
60
I
I!I
~
~
i
40
/ i
i
i~
I !
! i
10 100 1000 10000 <.) [l'8(jfs]
Figura 1.32
Solucion
Se distinguen varios tramos en la gnifica:
Para baja frecuencia, W < 20 rad/s, se tiene una ganancia constante de

110-
40 dB, es decir tendremos un factor de ganancia constante igual a 100.
Para 20 rad/s < W < 200 rad/s, se tiene una pendiente positiva de 40
110-
dB/dec., 10 que equivale a un factor de primer orden con Wo =20 rad/s

y orden de multiplicidad igual a dos en el numerador.
110- Para w=200 rad/s < W < 1000 rad/s, se tiene una pendiente de nula,
luego existe un factor de primer orden con wo=200 rad/s y orden de

multiplicidad igual a dos en el denominador de forma que cancela la
pendiente del factor anterior.
Para W> 1000 rad/s se tiene una pendiente negativa de 20 dB/dec, 10

110-
que corresponde con un factor de primer orden con Wo= 1000 rad/s y
orden de multiplicidad igual a la unidad en el denominador de forma
que mantiene dicha pendiente para alta frecuencia.
34
TEMA 1.- ANA.USlS EN TIEMPO Y FRECUENClA
Con todo ello la expresion algebraica de la ganancia en tension es
( 1 + j~r
20 (1.54)
100 - - - - - - - - -
(1 . W )' (1 . W )
+ J 200 - + J 1000
Por silnplicidad se han t01l1ado factores de primer orden con orden de

multiplicidad igual a dos, de igual forma podrfalnos haber optado por
factores cuadniticos dado que no se conoce la curva real. Asf misn10 se ha
considerado el factor de ganancia constante positivo.
Ejercicio 1.4 Repiesentar la aproximacion asintotica de Bode de la

FDT Inostrada en la expresion 1.55.
A(jw) = JW + 4 (1.55)
(jW)2 + 2jw
Solucion
En las Figuras 1.33 y 1.34, se han representado la curva real y la
aproxilnacion asintotica del modulo y la fase de la FDT. EI desarrollo se
deja propuesto para el lector.
A(dB): f=---"",--,--- -__-~-~~.~_!_----------<l

ol----~-t--~ ------~-i
-10 ------,-----;-~-f__~ -----i
w [radfs)
Figura 1.33
35
ELECfRONICA ANALOmCA DISCRET A
_90° '. :.
~ p---
.100 0 ~_\"~-::.:..::.:"-""~""
":..:r-="
.... .......=......~
=......=......= L=
.... ... :.::...-.//_---I
\~ /
-110° I-----__+-"'--/-~--~------/
0.1 10 100
(a) (radial
Figura 1.34
Ejercicio 1.5 Representar fa aprox-imacion asintotica de Bode mostrada

en la FDT de la expresion 1.56.
10 (p2 + 3p + 2 ) (1.56)
A(p)
p4 + 7p 3.+ 12p2
Soluci6n.
En las Figuras 1.35 y 1.36, se han representado la curva real y la
aproximaci6n asintotica del modulo y la fase de la FDT. EI desarrollo se
deja propuesto para el lector.
~~----~--------~----
A{dB)
~I--~~---+-------+------~
10r------~~---------+--------~
-101---------+--~~_+--------l
0.1 10 100
W (rad/a)
Figura 1.35
36
TEMA 1.- ANALISIS EN TIEMPO Y FRECUENCIA
-135° 1------+--7'''---~c---_+_----__i
-150° l------F-+----~_+_----__l
-165° I-----h<---+--------i-~---___l
-180 0 •••••••••••
0.1 10
W [radls)
Figura 1.36
Ejercicio 1.6 Representar la aproximacion asintotica de Bode de la

FDT de la expresion 1.57.
A(jw} = ____1_0_ _ __
(1.57)
( 1 + J' W
2
)2( 1 +
.
J 20
W )
Solucion.
El desarrollo se deja propuesto al lector el modulo y la fase se han
representado en eI las Figuras 1.37 y 1.38.
30~-----~-----~----~
A(dB) Ol------~------'~~---l
~l---------+--------~--~~-___l
W [rad/s)
Figura 1.37
37
ELECTRONICA ANALOGICA DlSCRET A
oo~~------~--------~----------
-90 0
I---------l---"<---____+_-
-180 0 1-----
1I
!
10 100
W [rad/sj
Figura 1.38
Ejercicio 1.7 Representar la aproxinlacion asintotica de Bode de la FDT

lTIostrada en la expresion 1.58.
0.69 ( jw )2
AGw) = (l.58)
( 1 + JW ) ( 1 + JW )
2 20
Solucion.
El desarrollo se deja propuesto al lector el modulo y la fase se han
representado en el las Figuras 1.39 y 1.40.
30 ~
A(dB)
20 /V-
10
/'
-'i
o
j/ j
~ II
-10 / I
-20
/
-30 /
/
0.1 10 100 1000
(,) Iradlsl
Figura 1.39
38
TEMA 1.- ANA.USIS EN TIEMPO Y FRECUENClA
180 0
q>
135 0
90°
45°
0°
0.1 10 100 1000
co (rad/al
Figura 1.40
Ejercicio 1.8 En los ej~lnplos anteriores obtener la expresion

algebraica de la ganancia a partir de las aproximaciones asintoticas
realizadas. tal como se hizo en el Ejercicio 1.3.
t--
I I
Figura 1.41 Ejes semilogaritmicos.
39
ELECTRONIC A ANALOGICA DISCRET A
1.4.3 CONSIDERACIONES GENERALES SOBRE LA DISTORSION
Llegado a este punto vale la pena introducir el concepto de distorsion,

con el animo de que el lector se familiarice con el miSlTIO y sea capaz de
distinguir sus origenes y consecuencias InaS comunes.
En general la distorsion no es deseable, aunque: en ocasiones sus efectos

son asumidos como solucion de compromiso entre otro tipo de factores
determinantes. Un sistema se dice que distorsiona 0 pierde fidelidad cuando
la senal de salida no es una reproduce ion fiel de la senal de entrada.
Se distinguen dos tipos de distorsion, la distorsi6n no lineal y Ia

distorsi6n lineal 0 en frecuencia. La pnmera es deb ida generalmente, a la
perdida de linealidad de los elementos activos de los circuitos. La segunda
se produce por las limitaciones en frecuencia de los circuitos.
Tambien existen otros facto res que perturban las senales que se tratan
en los sistemas como son el ruido electronico e interferencias (rad iadas 0
conducidas) y la intermodulacion. Estos factores no se veran en el presente
texto.
Sirvan varios ejemplos cotidianos para ilustrar la diferencia entre alnbas

distorsiones:
.. Un ejemplo de la distorsion no lineal se produce cuando se sube al

maximo el volumen de un receptor de radio de baja potencia. El mensaje
pierde fidelidad, llegando en ocasiones a hacer la audici6n desagradable,
ello se debe a que en el receptor, la etapa de salida 0 alguna previa ha
llegado a sus limitaciones lineales, recortando los picos de la senal original.
.. Un ejemplo de distorsion lineal es la que se produce al establecer una

conversacion telef6nica. ~Quien no ha confundido la voz de un hijo con la
de su padre 0 con la su hermano? Cuando en una conversaci6n normal, aun
sin verse de cara a cara, es improbable que este hecho sucediera. Ello se
40
TEMA 1. - ANAuSIS EN TIEMPO Y FRECUENCIA
debe a que la linea telefonica, por razones pnicticas tiene un ancho de banda
limitado a 3 kHz, mientras que el ancho de banda de la voz humana es de
5 kHz2. La mayor parte de la potencia de la voz esta contenida por debajo
de los 3 kHz mientras que las componentes frecuenciales que dan el timbre
10 estin en frecuencias superiores. Todo esto se traduce en una perdida de
fidelidad del mensaje al ser transmitido por linea telefonica, pues se pierde
la informacion del timbre aunque el mensaje siga siendo inteligibl~.
~ Otro ejemplo de distorsi6n lineal se aprecia claramente al escuchar una

misma melodfa en un receptor de radio en la banda de Onda Media (AM)
y en Frecuencia Modulada (FM). Si la calidad del receptor es adecuada, se
apreciani una notable mejora en la recepcion del mensaje en FM respecto
a AM. Ello se debe a que en AM el ancho de banda que se transm ite es de
6 kHz cuando en FM es de 15 kHz. Como es sabido el oido humano
percibe como maximo hasta los 20 kHz, con 10 que en una translnision en
AM se pierde la infonnacion de "los agudos" 0 la parte alta del espectro
audible. Por contra, no se notarfa diferencia si el mensaje transmitido fuera
la voz humana, pues en ambos casos, AM y FM, se transmitiria la totalidad
de su espectro. Esto ultimo, es una de las razones por las cuales en la
radiodifusi6n cOlnercial, la banda de AM se utiliza fundamental mente para
infonnativos y tertulias, y la banda de FM 10 es para programacion musical.
La distorsion no lineal se vera en temas posteriores dedicados a

amplificaci6n. En este punto nos centraremos sobre la distorsi6n lineal.
Considerelnos un sistema al que se Ie excita con una sefial arm6nica del tipo
V m sen( w t + ¢) (1.59)
a la sal ida del mismo se tendra
A V m sen( w t + () + ¢)
o
= A V m sen( w (t +_) +¢ ) (1.60)
w
Para que no exista distorsi6n el factor de amplificaci6n A, debe
2 En realidad depende de cada persona, de factores como la edad, sexo, etc.
41
ELECTRONICA ANALOGICA DlSCRETA
permanecer constante y el retraso introducido 8, debe ser nulo, 180 0 0

proporcional a la frecuencia, en tal caso la salida seguinl fielmente a la
entrada aunque retrasani un tiempo igual a 8/w.
Por tanto una sefial no se vera distorsionada si alnbas condiciones se

dan para todo su contenido frecuencial.
Si el factor de amplificacion no se mantiene constante se dice que hay

distorsion en amplitud. Si el retraso introducido no cumple la condici6n
enunciada se dice que hay distorsion de Jase.
De 10 expuesto se desprende que para una entrada con un detern1inado

contenido frecuencial y una atnplitud tal que garantiza el comportamiento
lineal de un sistelna dado, a partir del diagrama de Bode de este ultimo, se
podra obtener informaci6n acerca de la respuesta que cabe esperar de el,
puesto que se tendra el rango de frecuencias para el cual el factor de
amplificaci6n permanece constante y la fase es nula 0 proporcional a la
frecuencia.
Por ejelnplo volviendo a la respuesta frecuencial de un filtro paso-alto

mostrada en la Figura 1.25 y considerando por sill1plicidad la aproxinlacion
asintotica, tendremos para frecuencias inferiores a (/10 existini distorsion
en fase, y distorsi6n en amplitud para frecuencias inferiores a t~. Luego no
hay distorsi6n para frecuencias mayores a fo.
En principio no es necesario disponer de las dos representaciones,

modulo y fase de la FDT, pues en la mayor parte de circuitos ambas esrnn
relacionadas entre Sl, es decir a partir de una de elIas se puede obtener la
otra, aunque es posible que alguna de ellas nos de idea Inas exacta ace rca
de la distorsi6n.
42
TEMA 1.- ANALI~IS EN TlEMPO Y FRECUENCIA
,
1.5 ANALISIS TEMPORAL
1.5.1 CARGA Y DESCARGA DE UN CONDENSADOR
VealTIOS en principio el proceso de carga de un condensador, para ella

considerese el circuito lTIostrado en la Figura 1.42.
Figura 1.42 Circuito de carga de un condensador.
Se supondni nula la carga inicial del condensador. EI interruptor S se cierra

en el instante t=O, empezando asf la carga a traves de la resistencia.
En el circuito se cumple
E ~ Ri + ~ f i dt (1.61)
derivando y lTIultiplicando por C
o= RC di + 1 (1.62)
dt
la soluci6n de la ecuaci6n diferencial es del tipo
l
(l.63)
i = Ae RC + B
las constantes A y B se obtendnln de imponer las condiciones de contorno
a) en t=O, se tiene vc=O, por tanto i=E/R, tendremos: A+B=E/R.

b) Por otro lado, si t ~ 00, tendremos i =0 y e-tJRC ~ 0, sera pues B =0
y A=E/R.
43
t
E -'RC (1.64)
-e
R
Al producto RC se Ie llama constante de tiempo y 10 notaremos por 7.
La tension en el condensador, es
-~
V
C
= -
1
C
J
i dt = E J-1
RC
e RCdt = E (1 - e RC)
t
(1.65)
En la Figura 1.43 se ha representado las tensiones en el condensador y

en fa resistencia, logicamente la forma de Ia corriente en el circuito coincide
con la tensi6n en la resistencia. Se considera el condensador cargado a la
tension E, transcurridos cinco constantes de tiempo (57).
v
Er--------===------------~
Figura 1.43 Carga de un condensador.
s VA
c~
NV'
R
J
C
r Vc
Figura 1.44 Circuito de descarga de un condensador.
Para analizar la descarga del condensador consideremos el circuito

mostrado en la Figura 1.44, en el instante t=O se cierra el interruptor S,
44
supondremos que el condensador esta cargado a una tension igual a E. Del

circuito tendremos la ecuacion 1.67
dVe (1.66)
= -C-
dt
°= RC dVe
dt
+ Vc (1.67)
que tiene por soluci6n
(1.68)
las constantes A y Bias obtendremos de
a) en t=O, se tiene vc=E.

b) Si t~oo tendremos ve=O.
Con ambas condiciones sera A=E y B=O, por tanto
(1.69)
En la Figura 1.45 se ha representado la tension en el. condensador, que

coincide con la tension en la resistencia y por tanto tiene la misma forma
que la corriente en el circuito.
v ~
e
o
Figura 1.45 Descarga de un condensador.
45
1.5.2 CIRCUITO DERIVADOR E INTEGRADOR
El circuito integrador tiene la tnistna tipologfa que los filtros paso-bajo

vistos en el apartado 1.4.2.1 (Figuras 1.22 y 1.23). Nos centraremos en el
estudio del circuito RC, aunque los resultados sedan extensibles al
homologo RL.
R
------v'\/0---r---
t
Vii C I
-~- Vo
I
i
i L- - -
Figura 1.46 Circuito RC integrador.
Si un circuito como el tnostrado en la Figura 1.46, se excita con una

sefial cuadrada, la forma de onda que se tiene en la sal ida alcanzado el
regimen pennanente es la mostrada en ]a Figura 1.47. Observese que e]
condensador nunca llega a cargarse a tension E ni desciende a OV, es decir
un selniperiodo de la sefial de entrada es inferior a 57, en caso que no se
diera tal condicion la tension en bornes del condensador oscilarfa entre los
valbres Inaximos 0 y E. Si la constante de tiempo del circuito fuera Inucho
mayor que el perfodo de la sefial de entrada, 7~ T, el cOlnportamiento del
circuito se acercarfa al de un integrador. Este caso se ha representaclo en la
Figura 1.48, y como se puede apreciar la sefial de salida da la misma
superficie que la sefial de entrada. Evidentemente, cuanto lnas se verificara
esta ultilna condicion lnas plana serfa la sefial de salida (la condici6n 7~ T,
en tenninos de frecuencia se traduce en fo ~ f).
Los resultados son extensibles para un circuito integrador RL, en este

caso la constante de tielnpo vendria dada por L/R.
EI circuito derivador tiene la mislna tipologfa que los filtros paso-alto

vistos en el apartado 1.4.2.2 (Figuras 1.24 y 1.26).
46
TEMA 1.- ANAuSIS EN TIEMPO Y FRECUENCIA.
Figura 1.47
t
'Figura 1.48
Figura 1.49 Circuito RC derivador.
Si un circuito como e] lTIostrado en la Figura 1.49, se excita con una

sefiaJ cuadrada, la forma de onda que se tiene en Ia sal ida es la lTIostrada en
la Figuras 1.50 y 1.51.
47
V, :J : I : !--LJ ' t
I
Figura 1.50
LJLj
I
VI
EI
I
01 I
t
Yo
Figura 1.51
Como se puede apreciar, la salida en la representaci6n de la Figura 1.51

cumple mejor el cOlnetido de derivador, puesto que para los tram os
constantes de la sefial de entrada la salida es nula y en las transiciones el
circuito proporciona unos pulsos positivos 0 negativos de amplitud E,. cuyo
signo dependeni del sentido de la transici6n. Ello se debe a que su constante
de tiempo seria inferior que la que se muestra en la Figura 1.50.
Luego sera mejor derivador cuanto mayor sea T respecto a 1", 1" ~ T 0
fo~f.
48
BIBLIOGRAFiA
(1) Camifia, C. Sistemas Continuos de Control. Temas 2 y 7 . SPUPV - 87

3333 • 1987.
(2) Higgins, R.J. Electronics with Digital and Analog Integrated Circuits.
Tema1. Prentice Hall. 1984.
(3) Horowitz, PI Hill, W. The Art of Electronics. Tema 1. Prentice Hall.

1989.
(4) Millman, J./ Grabel, A. Microelectronics. Temas 13 y 14. Ed. Mc Graw

Hill. 1987.
(5) Nilsson, J. W. Circuitos ELectricos. Temas 17. Ed. Addison Wesley.

1995.
(6) Sanchis, E. Tratamiento·y Transmisi6n de Sefiales. Tema 1. SPUV4 •

1995.
(7) Sedra,. A.I Smith, K.C. Dispositivos Electr6nicos y Amplijicaci6n de

Sefiales. Temas 1 y 2. Prentice Hall. 1988.
3 Servicio PubJ.!,caciones d.e la Universidad Politecnica de Valencia.
4 Servicio de Publicaciones de Ia Universidad de Valencia.
49
TEMA2
POLARIZACION DE TRANSISTORES
,
2.1 INTRODUCCION
En general, polarizar un dispositivo es aplicarle en sus terminales una

tension continua que Ie mantiene en el funcionamiento adecuado.
Los transistores (BJT, JFET, MOSFET, ... ) son dispositivos que se

utilizan en multitud de circuitos. En funcion de su aplicacion, p.e.
amplificaci6n, conmutacion 0 resistencia variable, es necesario polarizar al
transistor de distinto modo, de forma que activaremos el dispositivo y 10
haremos funcionar en una determinada zona de trabajo.
Las redes de polarizacion, normal mente resistivas, senin las encargadas

de llevar al transistor al punto de trabajo deseado, denominado tambien
punto de reposo, punto de funcionamiento 0 punto Q, cuyas coordenadas
para el caso de un BJT es (VCEQ ' I cQ)' La polarizaci6n implica condiciones
estaticas, de reposo 0 de continua.
2.2 POLARIZACION DEL BJT
2.2.1 EL BJT. GENERALIDADES
Antes de comenzar con las distintas tecnicas de polarizacion del BJT,

se expondnin de forma sucinta los aspectos mas relevantes del mismo que
nos puedan servir de base para para poder realizar un estudio tanto analftico
como grafico de los circuitos de polarizacion que se prooongan.
En electronica analogica el BJT se utiliza para amplificar senales, como
51
oscilador, etc. mientras que en electr6nica digital trabaja en conmutaci6n.

Es un dispositivo de tres terminales y formado por dos uniones p-n. ,En la
Figura 2.1 se muestran los dos tipos de transistores bipolares s el NPN y el
PNP, asf como sus simbolos correspondientes y el sentido de las corrientes
que por ellos circulan.
Su comportamiento se puede expresar segun las ecuaciones
IE = Ie + IB (2.1)
Ic = ,8 IB + (,8 + 1) ICBO
C
C E B~JIC
i IE
B E
TIPO N
C E
+
POLARlZACI6N POLARlZACI6N
INVERSA OIRECTA
B E
'TiPO P
Figura 2.1 Tipos de transistores BJT y su simbolo: a) NPN. b) PNP.
donde (3 representa la ganancia de corriente continua en e'rnisor cornun, leBO

la corriente inversa de saturacion deb ida a que la union B-C esta polarizada
inversamente. Esta corriente es equivalente a la corriente de fugas Is que
aparecia en los diodos cuando se polarizaban inversarnente, y debida a los
portadores minoritarios. La corriente leBO es pnicticarnente despreciable,
puesto que es del orden de nA, pero es muy sensible a la temperatura"
duplicandose cada 10°C por 10 que debeni ser tenida en cuenta dado que un
aumento de ICBO provocara tambien un incremento de· Ie.
52
TEMA 2.- POLARIZACION DE TRANSISTORES
{j: La ganancia de corriente varia con la temperatura segun la relaci6n
{3(T)={32S (l+C'AT) con C=cte.=O,5%

o si T>25°C (2.2)
p(normalizada)
2
~
+~~ ~p i-ot-" ~ ~
0;5 V'"
I-'"
.........
--
~
"':1'\.
1,..00 ....
!-- - =--
-........
'-"
""'"' I"
~~
~
L.---- ~
~
~I- ...... ~ ~8:
0,2
V VeE •
1V 1'-1"-
i" ~
f'r-..~
0,1 "0
0,1 10 100 200 I C(rnA)
Figura 2.2 Variaci6n de 6 con Ie'
En cuanto a la variac ion de {3 con Ic se puede apreciar en la Figura 2.2

para un transistor 2N3904, donde se observa que presenta un maximo
alrededor de Ic = 10 rnA para las tres curvas a distintas temperaturas. La
pendiente que poseen las curvas alrededor de este punto son diferentes, es
menos pronunciada para val ores decrecientes de Ic respecto de lOrnA que
para valores superiores.
El valor de {3 no es constante incluso para un mismo modele> y

fabricante, de hecho el mismo fabricante proporciona en los catalogos su
margen de variaci6n, p.e. {3 =25-300 siendo {3tip = 150.
VBE : Tambien varia con la temperatura, tal como ocurrfa en los diodos.
Las .curvas de variacion con respecto a la temperatura de VBE frente a IB
para una tension VCE constante se han representado en la Figura 2.3 para un
transistor BC547A por medio del programa de simulaci6n electr6nica
Micro-Cap. Se puede apreciar que conforme aumenta la temperatura se
precisa una tension VBE menor para lograr una corriente 18 dada.
53
ELECTRONICA ANA LOorCA ))[SCRETA
I B(mA)
10
~~~t
I
t- - -I
8 1----- f--'- .~- -
6 =t f------- - -
I
'-I-
4
f-------
50 T 1--1--
25/75 25
I I
2
/ / I --
I II I
o ~ ./-'/ 0.8
o 0.2 0.4 0.6
Figura 2.3 Variacion de VBE con T.
Caracteristicas estaticas de un BJT.
Se estudiani la caracterfstica de entrada y la caracterfstica de salida. La

caracteristica de entrada relaciona las variables de entrada Is y VBE' Es la
caracterfstica de un diodo con 'cierta dependencia de VeE (Efecto Early).
Figura 2.4 Curvas' caracteristicas de entrada.
54
POLARIZACION UE TRANSISTORES
Viene representada en la Figura 2.4, pudiendose apreciar la debil

dependencia con VCE dada la proximidad de las curvas, para una misma VBE
la curva con mayor VCE tiene una IB apenas un poco menor.
La caracteristica de salida relaciona las variables de salida Ie Y V CE Y

se presenta por medio de una familia de curvas, tal como se muestra en la
Figura 2.5, para distintos valores de lB' El transistor se comporta
pnietieamente eOlno una fuente de corriente para eada valor de IB; la
corriente de coleetor Ic apenas se mod ifica frente a variaeiones sustaneiales
de la tensi6n colector-emisor VCEo
Ie (rnA)
Tel!1leratlla= 21
200 i I B5 ~
!
160
Ir 184 !
! 183 I
I
I
I
i
1
120
I
'82
I I
80
I 181
40
o
leo
HJ i
I I
o 2 4 6 8 10 VceM
Figura 2.5 Curva caracteristica de salida.
2.2.2 CRITERIOS PARA LA ELECCION DEL PUNTO DE

TRABAJO
La caracteristica de salida de un B1T real es como se muestra en la

Figura 2.6. En ella se pueden distinguir tres zonas, la zona de corte Y la
zona de saturacion empleadas en la electr6nica digital Y la zona activa que
es la utilizada comunmente en la electr6nica anal6gica. La elecci6n del
55
punto de funcionamiento en una zona concreta vendra dada por la finalidad

del circuito. Las limitaciones que no deben ser superadas son:
Ie (rnA)
25
:z
g
20
~
~
~ 15
cC
~
N
10
0
0 VCESAT 4 8 12 16 20 VeE (V)
Figura 2.6 Zonas de funcionamiento del transistor.
VCEO (V CEmax): tension inversa de ruptura que soporta el transistor entre

emisor y colector con la base abierta. Usualmente toma valores entre 10 V
Y 40 V.
VEBmax: la unIon base-emisor en polarizacion inversa suele soportar

tensiones de aproximadamente 7 V.
P Crwix: maxima potencia que puede soportar el col ector , y puesto que
56
y puesto que Pc ~ P Bse puede efectuar la aproximacion

(2.3)
de donde se obtiene la curva de maxima potencia disipada por .el transistor.

Los lfmites de esta hiperbola nunca deben ser superados.
Un disefto conservador nunca debe permitir que las tensiones y

corrientes se acerquen ni siquiera a las limitaciones maximas del transistor.
Basta con aproximarse a las liInitaciones de algunos dispositiv6s para
acortar la vida de los mismos.
Los limites de la zona activa son la curva de maxima potencia, VCE sat
y la curva de IB=O. La zona de saturacion esm liInitada por el eje de
ordenadas (Ic), VCE sat Y por la corriente Ic mar La zona de corte esm
restringida por el eje de abscisas (V CE), la tension VCE max Y la curva que
hace IB=O.
Para que un BJT funcione como un amplificador es necesario que este

en la zona activa, dentro de los lfmites de trabajo del transistor, informacion
facilitada por el fabricante. Tambien es conveniente situarlo 10 ,mas centrado
posible en Ia recta de carga, para poder Iograr la maxima excursion del
punto de trabajo. Con estos criterios se obtiene el punto Q dado por IB Q'
Ie Q Y VCE Q' Concretando a los parametros del transistor, se deberan tener
en cuenta las siguientes consideraciones:
a) VCC: suele venir fijada por Ia alimentacion disponible. Su valor incide

sobre Ia tension VCE max que se puede alcanzar.
b) ICQ: viene definida normalmente por el diseftador, ya que tiene

lnfluencia en la eleccion de Rc que suele tomarse menor de 1 MO, ya que
la caida de tension provocada por esta resistencia debida a la corriente de
fugas podrfa alcanzar un valor importante. Tambiencondicionara la potencia
disipada por el transistor P = Ic VCEo Por ultimo tener en cuenta que, tal
57
como se ha visto en la Figura 2.2, el paraJnetro (3 toma valores mas bajos

confonne la corriente Ic es menor.
c) V BE: depende de VCE' A efectos practicos se considera igual a la

tension umbral del diodo base-emisor que es de 0,6 V para los transistores
de silicio.
d) VeE Q: como ya se constatara en el tema de alnplificacion se suele

tomar un valor que es aproximadamente igual a la mitad de la tension de
alilnentacion Vee, con objeto de lograr el nlayor margen dinamico posible.
Para detenninados tipos de amplificadores suelen tomarse criterios distintos.
e) (3: Aunque suele ser un dato, debido a la gran variacion que puede
experimentar, la polarizacion se disefia de manera que sea 10 Inas insensible
a las variaciones de (3.
o leBO:se puede considerar despreciable para transistores de pequefia

corriente y para telnperaturas cercanas a la temperatura aInbiente.
Normahnente se da el caso de ser leo ~ leBO'
2.2.3 SIMPLIFICACION PARA EL CALCULO DEL

PUNTO DE TRABAJO
Para determinar el punto de trabajo se utilizanin dos procedilnientos, el

metoda grafico y el 111etodo analftico. En el prin1ero se tendran en cuenta
las curvas caracteristicas del transistor que por ser intrfnsecas al mismo no
seran, en principio, susceptibles de cambio y la recta de carga que vendra
definida por la red de polarizacion util izada. En el segundo metoda se
abordara la resolucion del punto de trabajo de forma numerica considerando
una serie de simplificaciones que con objeto de facilitar los calculos se
efectuaran en la caracterfstica de entrada (VBI~-IB) y en la caracterfstica de
sal ida (V eC Ie,).
58
TEMA 2.- POLARIZAC'ION DE TRANSISTORES
2.2.3.1 Metodo gnifico.
EI punto de trabajo 0 punto Q se detennina COlno la interseccion de la

curva caracteristica de salida del transistor y la recta de carga estatica para
una In detenninada. En la Figura 2.7 se Inuestra un transistor con su red de
polarizaci6n que detenninara la ecuaci6n de la recta de carga que junto con
la curva caracteristica para la In de funcionamiento nos dara las coordenadas
del punto de trabajo.
Este metodo es meramente orientativo, puesto que las curvas que da el

fabricante son las tlpicas de una familia de B1T, y no son exactas para un
determinado transistor apreciandose una gran dispersion de valores. La
mane'fa de lograr una mayor precision es obtener la curva caracteristica en
e] laboratorio, p.e. con un trazador de curvas.
Ie (rnA)
...
! +Vce
Vee!
._-
R
IB - eTe
Ie QI_;::.::=~~~_ _ _ _ __
----'---------
V Vee VCE (V)
cEa
Figura 2.7 MHodo grafico para la determinacion del punto de trabajo.
2.2.3.2 Metodo analitico.
Consiste en operar con dos tipos de ecuaciones, las propias del

dispositivo, segun sus propiedades flsicas, y las del circuito de polarizacion.
Se realizan con una serie de silnplificaciones que permiten estudiar el
59
circuito con un error razonable y bastante sencillez.
a) Aproximaci6n de la caracteristica de entrada (VRE-IB ).
Dado que las curvas para distintos val ores de VCE estin muy juntas, se
considera una curva unica de forma que el circuito de entrada seria el de la
Figura 2.8(b), donde VBEz')'+RBE'IB'
b)
Figura 2.8 Simplificacion del circuito de entrada considerando

la curva VBE-IB independiente de VCEo
Como RBE tiene un valor muy bajo, se puede considerar que V BE = V')'
(Figura 2.9 (c).
E
B1 V
..
RBE .'
E~
8) b) c)
Figura 2.9 Simplificacion del circuito (JIe entrada

considerando RBE pequeiia.
60
b) Aproximaci6n de la caracteristica de salida (VcE-Ic ).
Si se desprecia ICBo frente alB, 10 cual es posible y no se comete un

error significativo si no se trabaja en regiones pr6ximas a corte 0 a
temperaturas altas, la segunda de las ecuaciones (2.1) se puede expresar
como
(2.4)
esto supone que las curvas caracteristicas de salida se transforman en rectas

horizontales y equidistantes como se muestra en la Figura 2.10.
Comparando las curvas aproximadas y las reales se tiene que:
a) Las curvas reales no son equidistantes, (3 no es constante en toda la

zona activa.
b) Por otra parte al no ser horizontales las curvas reales y presentar una
pendiente se puede hablar de una resistencia de salida del transistor, que
suele ser del or:den de kO, y que se esta considerando infinita. Solo habra
que considerarla cuando Rc sea del mismo orden de magnitud.
Ie
r
-
- 'e I
a)
~
Vee
I
b)
-Vee
Figura 2.10 Simplificacion de la caracteristica de salida despreciando el efecto de leBO.
c) No se tiene en cuenta la curvatura de las curvas caracterfsticas al

acercarse al eje Ic , zona de saturaci6n, esto no es ningun problema si VCE
es de 2 0 3 V al menos.
61
2.2.4 CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA
Es el circuito de polarizaci6n mas silnple y se

ha representado en la Figura 2.11. Seguidamente
se resolvera este circuito de fonna grafica y de
fonna analftica.
1--'-
B
2.2.4.1 Resolucion analitica.

Figura 2.11 Circuito de
Se vera a traves de un ejelnplo numerico. En polarizacion fija.
el circuito de la Figura 2. 11 se tiene que
Rc=2k2, R B =240 kO, Vcc=12 V, {3=50 y se desea hallar IBQ , ICQ Y V CEQ '
La corriente IB Q que circula por RB viene dada por
1 = Vee-VHE = 12 v- 0,6 V = 47 5 A (2.5)

B RB 240 k ' Jl
la corriente Ie Q se detennina a partir de la ecuaci6n (2.4)
Ie = (3 IB = 50'47,5 JlA == 2,4 InA (2.6)
y teniendo en cuenta la lnalla C-E
VCE = Vee - IeRe = 12 V - 2,4 InA 2k2 = 6,8 V (2.7)
2.2.4.2 Resolucion gnifica. Recta de carga estatica.
La recta de carga estatica se determina a partir de la nlalla C-E
VeE = VCC - IeRe (2.8)
y queda definida por dos punto, su abscisa en el origen A(V ('c,O) Y su

ordenada en el origen B(O,Vee/Rc). La recta de carga se ha representado en
la Figura 2.12 y viene fijada al definir Vcc Y Re. EI punto Q queda
detenninado por' la intersecci6n de la recta de catga con la curva
62
caracterfstica correspondiente a la IB seleccionada par media de RBo
Ie
185
Vee (!>
RC
RECTA DE CARGA ESTATICA

lea /
181
180 Q.)
Vee Vee VeE

2
Figura 2.12 Resolucion grafica del circuito de polarizacion fija.
Interesa que VCEQ=Vcc/2 para que cuando trabaje como amplificador

tenga maxima excursion y por tanto esta sea simetrica.
2.2.4.3 Variaciones del punto de trabajo con {3.
EI estudio de las variaciones del punto de trabajo can (3 se abordara

mediante el siguiente ejemplo. Se desea disefiar una red de polarizacion, RB
y Rc , para un transistor Be 109 que posee una (3tiP 100, Ic max = 200 rnA y
sabiendo que se dispone de una alimentacion de 10 V.
v CEQ = Vcc = 10 V =5 V (2.9)
2 rnA (2.10)
Si se toma Ie Q = 2 InA ~ IB 100 = 20 J.lA
63
ELECTRONICA ANALOOICA DISCRET A
10V-0,6V = 470kO (2.11)

20 p.,A
R = VCC-VCEQ = 10 V-5 V = 2,5 kO (2.12)

C Ie Q 2 mA
Si {3 puede variar entre 50 y 200, los val ores que toman los panimetros
que definen el punto Q son los que aparecen en la Tabla 2.1
(3 Is Q(p,A) Ic Q(mA) VCE Q(V)
50 20 1 7,6
100 20 2 5,2
200 20 4 0,4
Tabla 1.2 Variaciones del punto de trabajo con 6.
Como se puede observar para (3 =200 la tension VCE Q toma un valor

proximo a 0 V, por 10 que el transistor se acerca a la saturacion. Se aprecia
que el circuito es muy sensible a las variaciones de ,6.
Si ademas se supone que las resistencias poseen una tolerancia del 10 %,

la fuente de alimentacion no esta estabilizada, que funciona en un ambiente
entre -1 ere y 400 e y se desea mantener la Ie en unos margenes de 1 rnA
±5 %, el problema puede ser cOlnplejo y para resolverlo se recurre en
muchas ocasiones a la simulaci6n.
Existen diferentes tecnicas para resolver estos problemas, entre todas

ellas destacan:
a) Tecnicas de estabilizacion: basadas en realimentaciones que hacen

que el circuito se adapte automaticamente a los cambios que se produzcan
en el dispositivo, de forma que el punto de trabajo permanece invariante
dentro de unos Hmites razonables.
64
b) Tecnicas de compensaci6n: incorporan algun componente auxiliar

que, ante una variaci6n exterior como p.e. la temperatura, actua de forma
que se compensan las variaciones que puede producir en el dispositivo.
c) Disefi.o en el caso peor: pretende garantizar eI funcionamiento en un

amplio margen de condiciones y esta basado en la utilizaci6n para el diseno
de las caracterfsticas mas desfavorables, todas reunidas, que se pueden dar
y que afecten a la consecuci6n de unos determinados objetivos.
2.2.5 FACTORES DE ESTABILIDAD: Sf}' S!eno, SVBE
Estos factores permiten cuantificar la bondad de las tecnicas comentadas

anteriormente. Se lIalna tambien analisis de sensibilidad 0 de variabilidad
o de factores de estabilidad.
En nuestro caso la variable fisica a estudiar sera la corriente Ie

dependiendo de las variables lCBo, V BE, (3, V ce .... Este metoda se basa en
el supuesto que las variaciones de Ie frente a las distintas variables son
pequefias y de naturaleza lineal, pudiendose expresar en forma diferencial.
As! de la expresion de Ie en funcion de las variables de las que depende

(2.l3)
se puede hallar la diferencial total, obteniendo
(2.14)
Se denolninan factores de estabilidad a las expresiones
LlIc ale"Q
SI = (2.15)
Lll cBO al cBo
65
~lc aI CQ
Sv (2.16)
AV BE aV BE
~Ic
al CQ (2.17)
S(J =
~{3 a{3
De este modo el desplazamiento total del punto de trabajo se puede
calcular como
(2.18)
Un anaJisis de este tipo permite detectar las principales fuentes de

inestabilidad y buscar el procedimiento para corregirJas. Evidentemente
cuanto mayor sea S Inas se desplazara el punta de trabajo, par tanto interesa
minimizar SICBO, SVBE Y SJ3.
Ejercicio 2.1 Se desea obtener los factores de estabilidad para un

circuito de polarizacion fija.
Solucion.
~ Del circuito se deduce
VCC - VBE
IB = (2.19)
~ Del BJT
IC = {3 In + ({3 + 1) leBO (2.20)
sustituyendo en esta ultilna ecuacion el valor de In
VC(,-VSE
[c = {3 + ({3+ 1) leBO (2.21)
RB
y aplicando las definiciones de los factores de estabilidad
(2.22)
66
aI CQ (3
Sv = = (2.23)
aV BE RB
al CQ V CC-VBE VCC-VBE
S{i = + leBo :::::: (2.24)
a{3 RB RB
2.2.6 CIRCUITOS DE AUTOPOLARIZACION
Uno de los circuitos que se util izan para obtener un punto de

funcionamiento estable es la configuracion de autopolarizacion, denominada
tambien polarizacion por emisor, por divisor de tension 0 de cuatro
resistencias, que se presenta en la Figura 2.13.
La tension en la base se consigue con el divisor resistivo Rl y Rz- La

resistencia RE introduce una realiInentaci6n que corrige las variaciones que
se produzcan en el circuito. No se va a entrar en un analisis cuantitativo,
que se dejanl para el tema dedicado al estudio de la realimentacion, pero si
se efectuani un anal isis cualitativo.
:0
....-----,---() +Vcc
'¢:l
a) b)
Figura 2.13 Circuito de autopolarizacion. Equivalente de Thevenin.
67
Del circuito de la Figura 2.13 se tiene
Vcc = RcIc + VCE + REIE (2.25)
l.Que ocurrirfa si aumentara Ie, p.e. por un aumento de {3? En principio

si Ie aumenta tambien 10 hace IE y por tanto VeE disminuye. Pero veamos
que 10 que ocurre en realidad es que si Ie aUlnenta tambien 10 hace IE y por
tanto VE = REI E , Y puesto que V BE = V B- V E Y estando VB fijada por el divisor
de tension, la tension V BE disminuye y teniendo en cuenta la relaci6n V BE-IB,
la corriente IB dislninuye y por consiguiente Ie.
Luego RE introduce un proceso de realimentacion de forma que cuando

Ie se desestabiliza el circuito vuelve a recuperar el punto de funcionamiento.
Con un ejemplo se obtendra eI punto de polarizaci6n sin tener en cuenta

ICBO, tal como se opera en la practica y posteriormente consideraremos ICBO
para calcular los factores de estabilidad.
Figura 2.14 Ejemplo numerico de circuito de autopolarizadon. Equivalente de Thevenin.
68
Ejercicio 2.2 En el circuito de autopolarizacion de la Figura 2. 14

deterrninar el valor de la corriente Ic Y la tension VCE
Soluci6n.
~ Del circuito equivalente de Thevenin se deduce
v = R2 V = 4k7 20 V = 1 82 V (2.26)
B Rl +R2 ,cc 47 k + 4k7 '
RB = R/I~ = 47 k II 4k7 = 4k27 (2.27)
1,82 V - 0,6 V = 7,22 p,A (2.28)

4k27 + 201'0,82 k
~ A partir de la corriente de base se obtiene
IC = (3 IB = 200'7,22 p,A = 1,44 rnA (2.29)
~ De la rnalla C-E del circuito se infiere que
VCE = Vcc - Ic(Rc+RE) =20V - 1,44mA(6,8k+0,82k) =9,03 V (2.30)
.... Si se considera {3= 100 se obtienen unos valores de Ic= 1,40 rnA y
VCE=9,33 V, que representa una variac ion no superior al ± 2,8% con
respecto a los val ores anteriores. Cornparando estos resultados con los
obtenidos anteriorrnente en la Tabla 2.1 para el circuito de polarizacion fija
se observa que con el circuito de autopolarizacion se mantiene, con un error
razonable, el punto de trabajo frente a variaciones de {3.
2.2.6.2 Calculo de los factores de estabilidad.
En el circuito de autopolarizaci6n se tenia de su equivalente de

Thevenin
(2.31)
(2.32)
69
ELECTRONICA AN ALOOICA DISCRET A
(2.33)
Sustituyendo la tercera de estas tres ecuaciones en la segunda y esta a

su vez en la primera y despejando IB se obtiene
VB - V BE -«(3 + 1) ICBoRE
I = (2.34)
B RB +«(3 + l)R E
por tanto
V -V -«(3+1)1 R
I = (3 B BE eBO E + «(3 + 1) I (2.35)
C RB +«(3 + 1)RE CBO
que agrupando convenientemente
I = (3 (V B - V BE) + «(3 + 1) 1 RE +RB (2.36)

e RB +«(3 + 1)RE CBO RB +«(3 + l)RE
Y teniendo en cuenta que por 10 general RB ~ (1 + (3) RE y t3 ~ 1 la ecuaci6n
anterior se reduce a
VB-V BE RB
Ie = + (1 +-) leBO (2.37)
RE RE
obteniendose las siguientes consecuencias:
~ Ie no depende de (3 en un circuito de autopolarizaci6n de cuatro

resistencias.
~ Ic solalnente depende de V BE Y ICBo'
... Si VB> > V BE el termino (V B-V BE)/R E es pnlcticamente constante, no

afectando las variaciones de V BE al punto de funcionamiento.
Se deja al lector que realice un amilisis cualitativo de la respuesta del

circuito ante un aumento de temperatura.
a) Factor de estabilidad de la corriente de colector frente a las

variaciones de ICBo: S._
70
TEMA 2.- POLARIZACION DE TRANSrSTORES
Considerando la ecuacion (2.36) que nos proporciona la expresion de la

corriente de col ector en funcion de lCBo se tiene
Sl =
al C
-_Q = ({3+ 1)
RE+RB (2.38)
alcBo RB +({3 + l)R E
En funcion de los valores que tOinen RE y RE se distinguen los
siguientes casos:
.... Si RE=O, que corresponde al circuito de polarizacion fija, Sr={3+ 1,

y SI a1canza el maximo valor .
.... Si RE(l +(3) > > RB, con RE y RB del mismo orden, se tiene
Sr = 1+ RB/RE.
.... Si RE> > RB se obtiene Sr= 1 alcanzando el minima valor.
RECTA PENDIENTE RBI RE
~==~------~------------~ Ra
P+1
RE
Figura 2.15 Variaci6n de S) con RB/R E •
La representacion gnifica de la variacion de SI con el valor de RB/RE se

muestra en la Figura 2.15.
71
ELECTRONICA ANALOGICA DISC RET A
Cabe afiadir que el efecto de la variacion de leBo con la temperatura es

despreciable en la mayoria de circuitos amplificadores, solalnente en
circuitos amplificadores de potencia puede tener ilnportancia.
b) Factor de estabilidad de la corriel1te de colector frente a las

variaciones de VBE: Sv.
Teniendo igual mente en cuenta la ecuacion (2.36) se obtiene
{3 (2.39)
= -
donde se ha efectuado la suposicion REO +(3) ~ RB Y (3 ~ 1. Luego can

valores de RE elevados se lograni Inejorar la estabilidad del circuito frente
a variaciones de V BE, p.e. por la temperatura.
c) Factor de estabilidad de la corriente de colector frente a las

variaciones de /3: S{1.
Api icando la definicion de S{3 y agrupando converlientemente resulta
(R E + R B) [(VB - V BE) + leBoRE]

(2.40)
[RB +«(3 + l)R EP
Y si se desprecia el efecto de leBo
(R E +R B) (VB - V BE)
(2.41)
[R B +(13 + l)R EF
de donde se deduce que:
~ Cuanto tnayor sea {3 mejor sera el factor de estabilidad SfJ.
72
~ Si se quiere despreciar el efecto de leno, la resistencia Rn debeni ser

pequena, tal como se habfa considerado anteriormente.
Otro metoda aproxilnado de obtener S/3 es el siguiente: considerando el

circuito equivalente de Thevenin y despreciando el efecto de leBo, la
corriente de colector es
;3 (V n -V BE)
I =;3 I = (2.42)
C B RB +({3 + l)R E
Si para una telnperatura T, el punto de trabajo Ql presenta ;31 e ICQl y
al pasar a una temperatura T z el punto de trabajo Q2 cambia a {32 e ICQ2' se
tiene que
con 10 que el factor de estabilidad S{3 valdni
le (R B +R E)
Q1
(2.44)
S/3
;31 RB +(;32 + l)R E
Ejercicio 2.3
En el circuito de autopolarizaci6n de la Figura 2.16 se tiene que a 25°C

;3=50, ICQl = 1 InA y V CEQl =5 V. Al aumentar la temperatura hasta 1000C
se obtienen los valores que se lnuestran en la tabla adjunta
(3 leBo Y BE T
Ql 50 O,lnA 0,65Y 2ye
Q2 80 20nA 0,48Y 1000e
Obtener la v-ariaci6n que experimentani Ie Q debido a la variaci6n de los

factores: a) IcBo . b) V BE' c) (3, as! COlno d) Desplazamiento total del punto
de trabajo.
73
ELECTRONICA AN ALOmCA DISC RET A
,----,.----<l +Vcc
Figura 2.16 Circuito de autopolarizacion.
Solucion
a) Como RE(1 +,6)~RB puesto que 1,96 kO(l +50)=99,96 kO Y

9k4112k6=2,04 kO se puede obtener SI como
S = 1 + Ru
= 1 + 2,04 kO = 2,04 (2.45)
I RE 1,96 kO
la variaci6n de Ie con respecto a leBO vendni dada por
Ll1c
Q
IlcBo = Lll cBO Sr = (20-0, l)nA - 2,04 = 40,6 nA (2.46)
y puesto que Ic= ltnA, la variaci6n de 40,6 nA representa un 0,004 % que
resulta pnlcticamente despreciable_
b) Ya que RE (l +,6)~ Rn (1,96-51 ~2,04), Sv se determinara COino
1 = _ 0 5 mO- 1 (2.47)
1,96 kO '
la variaci6n de Ie con respecto a V BE que se obtendra sera
74
este valor representa frente a Ic = 1rnA una variaci6n de un 8,5 %, por 10

que la influencia de este panimetro es mayor que para ICBO'
c) A partir de la expresi6n aproximada de S(J obtenida anteriormente se

tiene que
= 1 2,04 +1,96 = 0,5 Il A (2.49)

50 2,04+81'1,96
con 10 que la variaci6n de Ie con respecto a (3 sera
AIC 1(1
Q
= A(3 S(1 = (80-50)' 0,5 Il A = 15 IlA (2.50)
10 que supone una variaci6n de ICQ de un 1,5 %.
d) El desplazamiento total del punto de trabajo sera la contribuci6n de

todos los efectos, asf se tiene que
Ale Q
ITOTAL = 40,6,10- 6 rnA +0,085 rnA +0,015 InA = 0, 1 rnA (2.51)
que equivale a una variaci6n de Ie de un 10%. Este valor no es demasiado

alto, la mayor contribuci6n es debida a la variaci6n de V BE' Para reducir
estas variaciones del punto de funcionamiento se compensa termicamente el
circuito y es el objetivo del apartado 2.2.8.
+Vcc
2.2.7 OTRAS POLARIZACIONES
+ I
j I
C B
a) Polarizacion base-colector:
En determinadas ocasiones interesa

tener el emlsor conectado amasa
directamente, y con objeto de lograr una
mejora de la estabil idad respecto al circuito
Figura 2.17 Circuito de
de polarizaci6n fija, se recurre a la polarizacion base-colector.
polarizaci6n base-col ector . EI circuito
basico es el que se muestra en la Figura 2. 17, donde la tensi6n Vee Y la
75
corriente de colector Ic se pueden expresar como
v cc = Rc(Ic +I B) + RBIB + V BE (2.53)

Y despejando de esta ecuaci6n IB se tiene
I =
V cc- V BE-RcIc (2.54)
B RB + Rc
sustituyendo este valor en la ecuaci6n (2.52)
(V cc - V BE){3 Rc Ic{3
I = - 4- IcBo(l +(3) (2.55)
c RB+Rc RB+Rc
despejando Ic Y agrupando convenientemente
-V V R
I BE + I (1 + ~ )
:::: CC (2.57)
c R CBO R
c c
por 10 que el factor de e~tabilidad de Ic respecto a IcBo es
R
S = 1 + ~ (2.58)
I Rc
el factor de estabilidad de Ic respecto a V BE es
1
Sv = - - (2.59)
Rc
y el factor de estabilidad de Ic respecto a {3
LlIc
S = -_Q (2.60) .
{3 Ll{3
De las expresiones de los factores de estabilidad se deduce que es
necesario para mejorar la estabilidad scleccionar Rc de gran valor mientras
76
que RB interesa que sea de pequeno valor. Como se vera en el pr6ximo

tema RB no puede ser demasiado pequena, pues la etapa disminuye su
ganancia, esto se soluciona con la configuraci6n que se muestra en la
Figura 2.18.
Vee
RS1 RS2
eo
Ci
0----11----'------1
Figura 2.18 Circuito de polarizacion base-colector modificado.
b) Evoluci6n de la polarizaci6n del transistor bipolar.
En la Figura 2.19 se muestra la evolucion que ha experimentado el

circuito a) de polarizacion fija hasta Uegar al e) de autopolarizacion 0 de
cuatro resistencias, pasando por el b) de polarizacion fija con resistencia en
, . - - -........- - 0 +Vc:q..-----r--O ....-----,.....-0 +Vcc
a) b) c) d)
Figura 2.19 Evolucion de los circuitos de polarizacion del BJT.
77
ELE< TRONICA ANALOGICA DISCRET/\
el en1isor, c) de polarizacion base-colector y d) de polarizacion base-

colector con resistencia en el emisor. Dependiendo de los vaIores de las
resistencias puede que sea mas efectiva c) que e), pero no es 10 usual,
ll
depende C01110 se ha podido observar de 10 "fuerte que se haga la
reaJimentacion. Como se vera una realimentacion fuerte implica aUlnentar
la estabilidad pero por contra se pierde ganancia, por 10 que se debe llegar
a una solucion de cOlnpromiso.
2.2.8 TECNICAS DE COMPENSACION TERMICA
Para cOlnpensar los efectos que las variaciones de telnperatura tienen

sobre los paralnetros del transistor, COlno {3, VBE , leBo, se recurre a la
incorporacion al circuito de otros elelnentos sensibles a la telnperatura cuya
mision es la compensacion de estos efectos.
2.2.8.1 Conlpensacion con elenlentos

senliconductores.
Para cOlnpensar las variaciones de VDE

can la telnperatura en los transistores de
silicio, se utiliza el circuito que se presenta
en la Figura 2.20. Para un lnejor
rendimiento de esta configuraci6n se utiliza
la version integrada del transistor y eI
diodo, situados en la figura dentro de la Figura 2.20 Compensacion
linea de trazos. termica por diodo.
La mision del diodo es compensar las variaciones de la tension del

diodo base-elnisor como se deducira del anal isis del circuito.
(2.61)
78
TEMA 2.- POLARIZACION OE TRANSISTORES
(2.62)
por 10 que la tension que circula por el diodo sera
IE (2.63)
10IBB - - -
=
1+{3
Y como en la malI a base-emisor se cumple
V BE + IERE = V 0 + IoR2 (2.64)
sustituyendo el valor de ID
IER2 (2.65)
V BE + IERE = V 0 + IBBR2 - 1+{3
de donde la corriente por el em isor viene dada por
VD - VBE + IBBR2
IE = (2.66)
R2
RE + - -
1+{3
aplicando incrementos finitos y suponiendo que {3 no varia con la
temperatura resulta
.::lVO .::l V BE
.::lIE .::IT .::IT (2.67)
.::IT
RE +
Rz
1+{3
que debido a que el diodo y el transistor estan encapsulados en ef mismo
integrado el coeficiente tennico de las dos uniones sera el mismo y
.::lY BE .::lIE = 0
=> (2.68)
.::IT .::IT
En fa pnictica suefe utilizarse, vease Figura 2.21 ,en lugar de un diodo
un transistor, donde se ha cortocircuitado la base y e] colector, y la
corriente IBB se obtiene mediante una resistencia conectada a fa
alimentacion. De eSta forma se consigue el mismo efecto que con el circuito
79
anterior, teniendo en cuenta que si se utiliza

+Vcc
con componentes discretos se debe favorecer
el contacto termico, p.e. conectandolos a un
mismo radiador, de 10 contrario la
compensacion es buena pero deja de ser tan
efectiva.
2.2.8.2 Compensacion con elementos

tennistores.
Los tennistores, eOlno ya es sabido, son Figura 2.21 Utilizacion del

resistencias variables con la temperatura, transistor como diodo en la
pudiendo distinguir las NTC 1 que poseen compensacion h~rmica.
un coeficiente de temperatura negativo por
10 que su resisteneia disminuye cuando aUlnenta la temperatura y las PTC:;
que presenta un coeficiente de telnperatura positivo por 10 que su resistencia
aUlnenta cuando tambien 10 hace la temperatura.
Estos elelnentos pueden ser utilizados para compensar las desviaciones

del punto de trabajo debidas a los calnbios de telnperatura sobre todo en
etapas de salida de potencia. Las configuraciones tfpicas son las siguientes:
a) Con NTC.
E1 circuito de la Figura 2.22 es un circuito de cuatro resistencias donde

se ha sustituido la resistencia R:; por una NTC para COlnpensar el efeeto de
la telnperatura sobre Ia tensi6n base-emisor.
EI anal isis del funeionamiento, a nivel cualitativo, del eircuito es el
I NTC: Negative Temperature Coefficient.
2 PTe. Positive Temperature Coefficient.
80
TEMA 2.- POLARIZACION DE TRANSISTORES.
siguiente: si la temperatura aumenta la resistencia RNTc del termistor

disminuye y a su vez tambien 10 hace la tension de base VB' Por otra parte
al aumentar la temperatura aumenta (3 10 que provoca un aUlnento de Ie Y
a su vez de IE' 10 que hace que VE = IERE aumente. De esta forma la tension
V BE disminuye ocasionando una disminucion de la corriente de base y por
tanto de colector, corrigiendose el aumento de Ie provocado por el aUlnento
de la telnperatura.
..... Vcc .....Vcc
R1 RC ..... t Ftc
vB VB
- t R2 RE
Figura 2.22 Circuito compensado Figura 2.23 Circuito compensado

en temperatura por NTC . en temperatura pOl' NTC .
b) Con PTC.
En la Figura 2.23 se ha representado el circuito equivalente al anterior

pero para una PTe, en este caso se ha sustituido Ia resistencia Rl por el
termistor. La fonna de operar el circuito cualitativalnente es como sigue:
si la temperatura aUlnenta Ia resistencia R pTC del termistor aumenta y la
tension de base VB = Ri(R2 + RpTd disminuinL Paralelalnente al aUlnentar
la temperatura aumenta (3 10 que provoca un aumento de Ie Y a su vez de IE,
10 que hace que V E = IERE aUlnente. Por tanto la tension VBE disminuye
provocando una disminucion de la corriente de base y por consiguiente de
la corriente de colector, modificando el aumento de Ie debido al crecimiento
de fa telnperatura.
81
2.3 POLARIZACION DEL FET
2.3.1 EL FET Y EL MOSFET. GENERALIDADES
Al igual que se hizo con el BJT y aunque se supone al lector

falniliarizado con los transistores FET y MOSFET se efectuanl un breve
repaso de su estructura, sfmbolos y curvas caracterlsticas, que nos sera de
gran ayuda para abordar con exito Ia polarizacion de estos dispositivos.
2.3.1.1 Transistores JFET.
EI transistor de efecto campo (FET) es un dispositivo selniconductor

que depende, en cuanto a gobierno de corriente, de un calnpo electrico.
Existen dos tipos de estos transistores:
a) Los transistores de union de efecto campo (1FET), que nonnalmente

se les denomina FET.
b) Los transistores metal-oxido-semiconductor de efecto campo~

lJamados tambien MOSFET.
Mientras que el transistor de union bipolar (BJT), tanto el PNP como

el NPN, es un dispositivo de corriente controlada en el cual intervienen
tanto la corriente de electrones C0J110 la de huecos, el FET es un dispositivo
unipolar. EI FET opera COlno un dispositivo controlado por tension, donde
la corriente es deb ida exclusivalnente a los electrones en el FET de canal
N y a los huecos en el de canal P.
Tanto los BJT cOlno los FET pueden utilizarse en circuitos

alnplificadores 0 en otros circuitos electronicos, pero con diferentes
consideraciones de polarizacion.
La estructura de un JFET se indica en la Figura 2.24 , donde en la
82
gnifica a) se ha representado el JFET de canal N que esta formado por una

barra de material de tipo N en la que se han difundido dos regiones de tipo
P y en la grafica b) e) JFET de canal P formado por una barra de material
de tipo P en la que se han difundido dos regiones de tipo N. Observese que
tanto un tipo como otro contiene una sola union basica P-N.
D s
a)
D s
b)
Figura 2.24 Estructura y sfmbolo del JFET. a) Canal N. b) Canal P.
El FET es un dispositivo de tres tenninales denominados fuente (S),

puerta (G) y drenador (D). En el simbolo del FET de canal N la flecha
sefiala la puerta de material de tipo P, en cambio para el FET de canal P la
flecha sefiala talnbien la puerta pero en este caso el material es de tipo N.
Caracteristicas estaticas.
Las caracteristicas estaticas de un FET de canal N con IIJ~s = 15 mA y

Vp=-4V se lnuestran en la Figura 2.25. A continuaci6n se estudiaran las
distintas regiones de operaci6n:
83
ELECTRONIC/\ ANALOGIC/\ DISCRETA
IO(mA)
v GS =OV
lOSS = 15
g 12 . ZONA OE ESTRICCION
cr. ----___ .--- 0':~'
Q //j
t- 9 /: -1
cw ~~---------------------
« -V
5 p
N -2
3
~--~--~~--~~----~----~-~
o 4 8 12 16 20 VOSM
Figura 2.25 Caractel'istica ID-VDs del JFET de canal N.
a) Region triodo 0 lineal.
En esta region el FET actua como una resistencia r DS cuyo valor se

controla Inediante la tension Vos. Esta resistencia es lineal para valores
pequefios de V DS' La relacion I D - V DS en la region de triodo es parabolica y
se describe lnediante
I = I ,,[2 (1 _ V os) V us _ ( V DS )2] (2.69)

D DSS Vp -V p Vp
Para val ores pequefios de V DS la ecuacion anterior puede aproximarse

por
2I DSS Vos
1) V DS
ID ~ - - ( - - (2.70)
Vp Vp ,
con lo que cerca del origen se tiene que la resistencia lineal f DS tOlna el
valor
84
r
DS
= [2IDSS (V os _ 1)] -1 (2.71)
Vp Vp
b) Frontera entre la region de triodo y de estriccion.
La estriccion se alcanza cuando la tension de polarizacion inversa en el

extrema del drenador es igual a la tension de estriccion
VDO = - Vp (2.72)
Esta ecuacion representa la frontera entre la region de triodo y la de

estriccion. Puede escribirse como
VDS=VOS-Vp (2.73)
y sustituyendo este valor en la ecuacion (2.69) resulta
(2.74)
que es la ecuacion de la parabola de trazos de la Figura 2.25.
c) Region de estriccion, activa 0 de saturacion.
En esta region las caracteristicas ID - VDS son, idealmente, rectas

horizontales cuyas alturas se determinan mediante el valor de Vos. En
estriccion el JFET actua como una fuente de corriente controlada mediante
la tension Vos. La impedancia de entrada de esta fuente control ada es
ideal mente infinita. La relacion de control se obtiene aproximadamente por
la ecuacion
Vos 2
I DSS (1 - - ) (2.75)
Vp
Esta caracteristica se apl ica solo en la region de estriccion y se ha
85
representado en la Figura 2.26.
La region de estrieeion es util para aplieaeiones del JFET eOino

ampl ifieador, por esta razon a la region de estriccion se Ie lIalna tambien
region activa.
tID (rnA)
15
12
- -- -.....
~ -3 -2 -1 o VGsM
Figura 2.26 Caracteristica 10 - VGS de un JFET de canal N.
'D 'I
I
i
I
I
I
I
I
-- ---------B~~; - vos
Figura 2.27 Caracteristica In- Vns de un JFET de canal Neon la region de ruptura.
86
TEMA 2.- POLARIZACION OE TRANSfSTORES
-----------------------------------------------------------
EI modelo estudiado anteriormente es aproxitnado e ideal izado. En la
Figura 2.27 se presentan unas curvas mas realistas, donde las Hneas
caracterfsticas en la regi6n de estricci6n tienen una pendiente distinta de
cero, por 10 que la resistencia de sal ida de la fuente de corriente de
drenador no es infinita y decrece al aumentar el nivel de corriente ell e]
dispositivo
d) Region de ruptura.
Cuando Y DS aumenta aparece un can1po eh~ctrico E entre G y D que

cuando aIcanza un valor mayor que l03 V/cm hace que esta uni6n entre en
avalancha.
Esta tensi6n llamada tension de ruptura drenador-fuente se representa

por BV DSS e indica el Inaximo valor que puede tomar Y DS para V(lS =0 tal
como se observa en la Figura 2.27.
En general para una detenninada tensi6n Yos =x puede ponerse que
BY osx = BY oss + Yc;s (2.76)
y dado que Y ns < 0 resulta que BY [)Sx < BY DSS. El margen de variaci6n de
Yos sera
BY ass < V as < Y'} (2.77)
donde
BY(JSS = tensi6n de ruptura de la uni6n puerta-fuente.

Vl' = tensi6n ulnbral del diodo puerta-fuente.
El valor de BY c;ss indica el valor IIlnite de tensi6n puerta-fuente por

encima de la cual la corriente del dispositivo debe limitarse por el circuito
externo, 0 por el contrario el JFET puede resultar dafiado de forma
permanente. La tensi6n de ruptura proporciona un valor Ifmite de tensi6n
para la selecci6n de la tensi6n de alinlentaci6n de drenador.
87
ELECTHONICA ANALOOICA DISCRETA
e) Region de corte.
En el caso que Vos < V p el canal esta completamente cerrado y por tanto
ID=O, comportandose como un circuito abierto. Esta region es silnilar a la
zona de corte del transistor bipolar.
2.3.1.2 Transistores MOSFET.
El FET cuya estructura se fundalnenta en una c0111binacion de

materiales Metal-Oxido-Semiconductor y que denolninalnos MOSFET,
puede ser de dos tipos, MOSFET de acumulacion y MOSFET de
deplexion.
La operacion del MOSFET de deplexion es muy si111ilar a la del JFET.

El MOSFET de deplexion de canal N se forma sobre un sustrato de silicio
de tipo P, tal como se representa en la Figura 2.28.
Las dos zonas Iigeramente dopadas n + forman conexiones de baja

resistencia entre los extrelnos del canal N y los contactos metalicos de la
fuente y el drenador. Se coloca una cap~ delgada de oxido (SiOl ) sobre la
superficie del canal y el metal (AI) se deposita sobre ella para formar la
puerta G.
Mientras que el JFET se controla mediante la union P-N de puerta a

canal, esta union no existe en el MOSFET. En este caso la capa de oxido
actua como un aislante que ocasiona que la corriente de puerta sea
despreciable (1 pA - 1 fA). Este hecho confiere al MOS su resistencia de
entrada extremadalnente alta bajo cualquier condici6n.
En el sftnbolo, el espacio que existe entre la linea que representa al

electrodo de puerta y la Ifnea que representa al canal constituye la capa de
oxido aislante. EI tenninal de puerta se dibuja mas cerca de la fuente que
del drenador: la flecha sobre la linea del sustrato apunta en sentido directo
88
de la union P-N del sustrato al canal y en consecuenCla indica S1 el

dispositivo es de canal N 0 P.
s s
a)
D
D
.:- ............:.,.... ,:
.... :.:~4$~ttr-:
. .. :::>:.: :1)/::.: i'.:"::··:: ...
.... ::.::.:-....
ST
s s
b)
Figura 2.28 Estructura y simbolo del MOSFET de deplexion. a) Canal P. b) Canal N.
En la mayoria de casos el sustrato esta conectado electricamente a la

fuente. Dado que la tension de drenador es positiva con respecto a la fuente,
la union sustrato-canal tendni siempre polarizacion inversa y por tanto la
corriente de sustrato sera casi cero.
En el sfmbolo simplificado la punta de la flecha indica el sentido del

flujo de la corriente.
En la Figura 2.29 se muestran las curvas caracterfsticas de la corriente

de drenador 1D en funci6n de la tension Vos para un valor constante de la
tens ion Vos.
89
0 IO(mA)
0
0 vGS =1V
a:f- 24
W
o -
<
z ZONA OE ESTRICCION
0 18
N
0
I DSS -15
12
-1
6 -vp
-2
-3
~------------~------~~~-----~---------~---------~----~
o 4 8 12 16 20 VDSM
Figura 2.29 Caracteristica Iu-Vns de un MOSFET de deplexion de canal N.
18
I
9 'I
6 ~I
1
3 -I
!
_: _____ 1_____ , L__ L, __ •
-4 -2 -1 0 VGsM
Figura 2.30 Caracteristica ID-Vc;s de un MOSFET de deplexion de canal N.
90
Observese que estas curvas son identicas a las del JFET, excepto que
para el MOSFET se penniten valores positivos de Vos que ensanchan Inas
el canal y reducen su resistencia.
La caracterfstica 10 - Vas para un dispositivo que actua en la region de

estriccion (V DO> I Vpi) es la que se representa en fa Figura 2.30. Las
ecuaciones que describen las curvas caracterfsticas son las Inislnas que para
el JFET.
Estudiemos a continuacion el MOSFET de acumlllaci6n de canal N.

Un anal isis similar se podrfa hacer para el de canal P obteniendo resultados
semejantes .
s
ST Go-JIJ
, S
a)
o s
:.: ::s~~rato :. . .
. ..
ST
.:.:..:n....
s s
ST
b)
FigUl'C:l l ..H Estnlctura y simbolo del MOSFET de acumulaci6n. a) Canal N. b) Canal P.
En la Figura 2.31 se muestra la estructura de un MOSFET de

acumulacion de canal N. Como puede apreciarse la fonna es similar al de
91
ELECTR6NICA ANAL6GICA OISCRET A
deplexion con una excepcion fundamental y'es que no existe canal
Para representar en el simbolo que no existe canal, la lfnea continua que

10 representaba en los de deplexion es sustituida en este caso por una linea
de trazos. En el sfInbolo sitnplificado se supone que el sustrato esta
conectado a la fuente y la punta de la flecha en la fuente indica el sentido
del flujo de la corriente.
La caracteristica 10 - V os para un MOSFET de aculnulacion de canal N

con K=O,15 mA/V2 y V)'=2 V, se indica en la Figura 2.32 donde se
observan tres regiones de operacion, la region de triodo, la region de
estriccion y la region de corte.
'0 (mA)
v = 12V
GS
15
ZONA DE ESTRICCION
12
10
9
6 8
3 6
o 4 8 12 16 20 VosM
Figura 2.32 Caracteristica l,,-VDS de un MOSFET de acumulaci6n de canal N.
La frontera entre la region de estriccion y de triodo se determina por
VGD = V-y (2.78)
o en su forma equivalente
92
V DS = VOS - V'Y (2.79)
En la region de triodo las caracterfsticas I D- VDS se describen mediante

la relacion parabolica
ID = K[2 (V os-V) VDS - V~s] (2.80)
en donde Vos ~ V'Y ' VDS < VOS-V'Y Y la constante K depende, entre otras
cosas, de la geometrfa del dispositivo.
En Ia region de estriccion la corriente ID es constante para un valor

dado de Vos , por 10 que a esta region tambien se Ie llama region de
saturacion. La corriente ID se obtiene a partir de la ecuacion
ID = K (V OS-V)2 (2.81)
siendo Vos ~ V'Y ' VDS ~ VOS-V'Y'
La caracterfstica ID-Vos es la que se representa en la Figura 2.33, donde

se observa que cuando Vos =0 la corriente ID es casi cero y para que el
dispositivo conduzca Vos debe exceder a V'Y'
La estriccion ocurre cuando
VDS = Vos-V'Y (2.82)
y sustituyendo esta ecuacion en la anterior nos da la ecuacion de la linea

que limita la region de triodo y la de estriccion, que se representa por una
linea de trazos en la figura.
(2.83)
La tension umbral V'Y para dispositivos MOS es un numero positivo para

el canal N y toma tipicamente val ores entre 1 V Y 3 V.
93
ELECTRONICA ANALOGICA DIS( 'RET A
I D (rnA)
15 t
12
9
l
1
i
Figura 2.33 Caracteristica Io-V GS de un MOSFET de acumulacion de canal N.
2.3.2 CIRCUITOS DE POLARIZACI6N CON EL FET
A continuaci6n se Inuestran en la Figura 2.34 distintas fonnas de

polarizaci6n, donde se pueden distinguir:
+Voo +VOD +V +VOO

DO
R, RD AD AD
Q2 03 Q4
R2 Rs RG RS RG AS
RG
-VGG - - - -Vss - -
a) b) c) d)
Figura 2.34 Circuitos de polarizacion con JFET.
a) Polarizaci6n de puerta, equivalente a la polarizacion de base. Usa dos
94
TEMA 2.- POLARIZACION OC TRANSISTORES
fuentes de alilnentacion. Se utiliza en conmutacion.
b) Polarizaci6n por divisor de

tension en la puerta, equivalente al
del B1T. Emplea alimentacion
(lllica.
c) Polarizacion de fuente,
equivalente a la polarizacion de
elnisor. Utiliza alimentacion
doble.
Figura 2.35 Polarizaci6n de JFET
d) Autopolarizacion de fuente. con fuente de corriente.
Usa alilnentacion unica.
Otra polarizacion muy efectiva es la de la Figura 2.35, que utiliza una

fuente de corriente. Del circuito se deduce que 10 = Ie, de esta fonna se
independiza en gran Inanera la corriente In de la variacion de los panimetros
del FET tales cOlno loss, V p, etc.
Las condiciones que se deben exigir a estos circuitos son silnilares a las
requeridas a los circuitos de polarizacion con B1T. Se pretende que el punto
de funcionamiento (V DS , II)) se mantenga estable frente a variaciones de los
panimetros.
2.3.3 CIRCUITO DE AUTOPOLARIZACION CON EL FET
Este tipo de polarizacion, representado en la Figura 2.36, es el

empleado con mas frecuencia para el lFET. La insercion de Rs tambien
supone un efecto de real ilnentacion negativa, que cualitativanlente actua
como sigue:
Si la ten1peratura aUlnenta la corriente de drenador disminuye y por
95
ELECTRONICA ANA LOGlCA DISCRETA
tanto de la caida de tens ion en las

resistencias de drenador y fuente,
RD
10 que significa que la tension YDS
aUlnenta. Por otra parte si la
corriente de drenador disminuye Ja
tension Yos aumenta por 10 que ID
I
(
--
G
-0
Vs
aumenta y por tanto V DS disminuye
compensando de esta forma la RG RS
tendencia a su aumento provocada

por el aumento de ten1peratura.
Figura 2.36 Circuito de autopolarizacion.
La resistencia Rs es la que proporciona la tensi6n que se encarga de

polarizar inversatnente la union as. Como 1(1 =0 la tension en la puerta
YG=IGRc;=O Y puesto que Vs=IDRs resuJta
Yos =- IDRs (2.84)
Por otra parte suponiendo que el funcionamiento del circuito es en la

zona de saturacion, se cumple que
ID =I DSS
(1 - VyGS. )2 (2.85)
p
De estas dos ultimas ecuaciones se obtendrfa Y nSQ e IDQ , con1probandose

si V p < VGSQ < 0 para verificar que no esta cortado.
Aden1as a partir de la ecuacion

(2.86)
se detern1inani VDSQ Y se comprobani si se esta trabajando en la zona de

saturaci6n, es decir si se cUlnple que
(2.87)
s iendo V DGQ = V DSQ- V GSQ
96
Ejercicio 2.4 Se desea determinar la zona de trabajo y las coordenadas del

punto de funcionaluiento de un circuito de autopolarizaci6n en el que se
tiene que IDss =15 rnA, Vp=-4 V, VDo =20 V, Ro =8k2, Rs lk8 y
Ro=lMQ.
Soluci6n.
Sustituyendo la ecuaci6n (2.1) en la (2.2) se obtiene la ecuaci6n de

segundo grado
( RS)2 I~ + (
2R
s _ _1_) 10 + 1 = 0 (2.88)
Vp Vp JDSS
Y sustituyendo los datos del enunciado
(1,8)2 1~ + 2'1,8 _ _ 1 ) ID + 1 = 0 (2.89)

4 15
se obtienen los val ores de JD= 1,5 InA e. 1D= 3,33 rnA.
Si JD=3,33 rnA la tensi6n Vos=-IDRs=-3,33'1,8=-5,9 V<Vp por 10

que estani en corte.
En calubio si ID=I,5 InA la tension VGs=-IoRs=-1,5'1,8=-2,7 V> Vp

por 10 que el FET no estani cortado. Por otra parte se tiene que
VDS = V DD-ID(Ro + Rs) =20-1 ,5(8,2 + 1,8) =5 V
confirmando aSI que el FET esta trabajando en la zona de saturacion.
2.3.3.2 Resolucion gnifica.
La determinacion del punto Q se realizara, tal como se indica en la

Figura 2.37, efectuando la interseccion de la curva VGS-1U que nos
proporciona el fabricante con la recta ID =- Vos/R s.
Continuando con el ejemplo anterior, la recta de carga tiene C01l10

ecuaci6n ID=-V os/1,8. Para dibujar la recta se detenninaran dos puntos, se
97
consideranln p.e.
Vos=o ~ ID=O obteniedose el punto A(O,O)

Vos=Vp ~ ID=4/1,8=2,22 1nA resu]ta B(-4 ; 2,22)
La interseccion de esta recta con la curva caracterfstica del FET da

lugar al punto VosQ =-2,7 V e IDQ =1,5 InA.
IDSS (rnA)
15
/
/
I
!
!
9
V
I
/ 6
//
l-~¥====r------
-5 -4 -3 0' -2 -'I
A"
¢:"l 1,5mA
-2,7V
Figura 2.37 Determinacion del punto Q de forma grafica

para el circuito de autopolarizaci6n del JFET.
2.3.4 CIRCUITO DE POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION
La utilizacion del divisor de tension para polarizar la puerta, Figura

2.38, permite un ajuste mas fino del punto de polarizacion y un 111argen de
valores de Rs tnucho mayor. Seguidamente se resolvera el circuito de forma
analftica y a continuaci6n de fonna gnifica.
Del divisor de tensi6n de la puerta se tiene la tensi6n en la puerta
98
_-----.--0 +VDD
R2
V r, ::: Voo (2.90)
.1 R I + R2
que sustituida en la ecuacion de Ja
malla puerta-surtidor
Vos ::: Vo - [oRs (2.91)
y teniendo en cuenta la ecuacion de

la corriente de drenador,
suponiendo que se trabaja en
saturacion,
Figura 2.38 Polarizacion del JFET
por divisor de tension.
(2.92)
se forma un sistema de ecuaciones del que se detenninani Vas e 10 Q' La

tension Vos Q se determinani a partir de la ecuacion de la malla drenador-
fuente
V ns
. Q
::: V OD. - Ii) 0 (R)) + R) (2.93)
COlno es habitual a continuacion se verificani la condicion de saturacion

supuesta.
Ejercicio 2.5 Detenninar las coordenadas del punto de funcionamiento del

circuito de polarizacion por divisor de tension en el que se sabe que IDss =
10 InA, YI'=-4 Y, YDo =20 V, RJ)=2,7 kO, Rs=1,2 kO, RI=I,8 MO y
R2 =220 kO.
Solucion.
La tension en la puerta es
Va ::: 220 kO (2.94)

::: 2,18 V
1800 kO + 220 kO
y considerando adelnas los datos del problema se fonna el sistema de
ecuaciones
99
Vas:: 2,18 - 1,21 D

(2.95)
V 2
1 :: 10 (1 - ~)
D -4
de cuya resoluci6n se obtienen los val ores de ID=3,25 rnA e ID=8, 16 rnA.
Si ID=8,16 rnA la tensi6n Vas=Va-IDRs=2,18-8,16'1,2=-7,61 V<Vp

por 10 que estani en corte.
En calnbio si ID=3,25 rnA la tensi6n puerta-fuente tornani el valor

Vas=Va-1DRs=2,18-3,25'1,2=-1,72 v> Vp por 10 que el FET no estara
cortado. Adernas se tiene que la tensi6n drenador-fuente resulta ser
VDS=VDD-ID(RD+Rs) =20-3,25(2,7+ 1,2)=7,3 V asegura que el FET esta
trabajando en la zona de saturaci6n.
La resoluci6n es silnilar a la del ejercicio anterior, con la particularidad

que en este caso la recta de carga, ecuaci6n (2.91) no pasa por el origen,
siendo la abscisa y la ordenada en el origen respectivarnente
(A) 1D :: 0 :::}
Vas:: VG
(2.96)
1 :: V as
(B) Vas:: 0 ~
D --
Rs
Siguiendo con el anterior ejemplo, fijaremos la recta de carga a traves
de dos puntos de la rnisma, p.e.
Vas=O ~ ID=1,82 resultando el punto A(O ; 1,82)

Vas=Vp ~ ID=(2,18+4)/1,2=5,15 rnA obteniendo B(-4; 5,15)
La intersecci6n de esta recta con la curva caracterlstica del FET da

lugar al punto VasQ =-1,72 V e I DQ =3,25 rnA.
100
IOSS(mA)
IE
v
)f,Q/ ................
:::::~~~
4
'¢:J 3,25 rnA
/
I ----_
·4 ·3 ·2 U -1
",72V
Figura 2.39 Determinaci6n grafica del punto Q para el circuito

de polarizaci611 por divisor de tensi6n del JFET.
2.3.5 POLARIZACION DEL MOSFET DE ACUMULACION
La polarizacion de un
MOSFET de acumulacion de canal
N, precisa una tension Vos lTIayor
que la tension umbral VT para crear
el canaL
Un circuito de polarizacion
I "'" 0
G
lTIUY extendido es el que se lTIUestra
en la Figura 2.40.
Figura 2.40 Circuito de polarizaci6ri de
2.3.5.1 Resoluci6n analitica. un MOSFET de acumulaci6n de canal N.
Suponiendo que el dispositivo esta en saturacion, la corriente de

drenador viene dada por
ID :: K (Vos - V T)2 (2.97)
Y puesto que la corriente de puerta 10 es nula, se tiene que
101
V (I :: V (2.98)
D
De estas dos ecuaciones junto la ecuacion de la recta de carga
V DO:: RD I0 + Vos (2.99)
se hallanin los val ores del punto de trabajo 10 Q Y V os Q= V))S Q'
Ejercicio 2.6 Determinar el punto de trabajo del circuito de polarizacion

del MOSFET de canal N de la figura anterior donde se tiene que K =0,5
mA/V2, VT=4 V, Voo=15 V, Ro=2,7 kO Y Ro=10 MO.
Solucion.
COlno la corriente de puerta [0 =0 Y por tanto VG= V 0, la tension
Vos = V 0- VS = V 0, por 10 que la recta de carga se podra expresar COlno
9 :: 2,71 0 + V D (2.100)
que junto con la ecuacion de la corriente de drenador

(2.101)
se obtiene el sistelna de ecuaciones que ti~ne como soluci6n 10=3,4 InA e

10=1 mAo
Cuando 10=3,4 mA la tensi6n puerta-fuente Vc;s

9-3,4'2,7=-0,18 V < VT por 10 que estara en corte.
En calnbio si 10= 1 mA la tension puerta-fuente tomara el valor

VGs=Voo-If)Ro=9-1'2,7=6,3 V>V T poniendo de lnanifiesto que el
MOSFET no estara cortado.
El punto de funcionam iento vendra dado cOlno la intersecci6n de la

recta de carga Y la curva que nos proporciona II) en funcion de V (IS'
Remitiendonos al ejelnplo anterior, la recta de carga tiene COlno
102
ecuaci6n 9=2,710+ VGs • La recta se dibujani a partir de dos puntos, p.e.
VGS VDD 9 V ~ ID=O obteniendose el punto A(9,0)

VGS=O ~ ID=9/2,7=3,33 InA resulta B(O ; 3,33)
La interseccion de esta recta con la curva caracterfstica del MOSFET

da lugar al punto V GS Q=6,3 VelD Q= 1 rnA (vease la Figura 2.41).
10 (mA)
Figura 2.41 Resolucion grafica del circuito de polarizacion

del MOSFET de acumulaci6n de canal N.
2.3.6 POLARIZACION DEL

MOSFET DE DEPLEXION
Cualquiera de los circuitos de

polarizacion vistos para el FET
funcionan para el MOSFET de
deplexion, aunque existe una
configuracion, la de la Figura 2.42,
que corresponde a un circuito con
un lnfnilno de cornponentes y que Figura 2.42 Circuito de polarizacion
es capaz de polarizar al MOSFET del MOSFET de deplexion.
103
en la zona activa y hacerlo funcionar como amplificador.
Del circuito se deduce que la tension puerta fuente es nula, ID Q = I Dss Y

que la recta de carga presenta la ecuacion VDS = V DD-IDssR D. Se propone al
lector que efectile un estudio mas exhaustivo de este circuito.
2.4 POLARIZACION DE CIRCUITOS CON VARIOS

DISPOSITIVOS
En circuitos integrados y en circuitos basados en componentes discretos

existe el acoplamiento directo entre varias etapas, entre varios dispositivos,
siendo muy importante el punto de trabajo puesto que se tienen que cumplir
varios requisitos simultaneamente para que todos los dispositivos esten
trabajando en el punto de funcionamiento deseado.
a) c)
d) e) f)
Figura 2.43 Circuitos de polarizacion de etapas acopladas directamente.
104
En la Figura 2.43 se presentan varios ejemplos en donde los transistores

se acoplan de forma directa. Al no existir condensadores que desacoplan la
continua entre una y otra etapa, se observa que en todos los circuitos el
punto de trabajo de la segunda etapa esta determinado por ]a primera etapa.
Ejercicio 2.7 Analizar en continua el circuito de la Figura 2.44 que esta

formado por una etapa en emisor comun (EC), acoplada directamente con
otra etapa en colector COlTIUn (CC), si Vcc= 12 V, Rl = 12 kO" R2 =2,7 kO,
Rc=3,9 kO, REI =860 0, RE2=1 kG, VSEl=VSE2=0,6 V, 131=40, 132=100,
v
o
o
Figura 2.44 Circuito de polarizacion con acoplamiento directo entre etapas.
Solucion.
A partir del equivalente de Thevenin del circuito de base del transistor
Q1 se tiene que
VSI ::: R2 V,~(.,::: 2,7 kO 12 V ::: 2,2 V (2.102)

Rl +R2 '- . 12 kO+2,7 kO
RB ::: Rs/1Rs2 ::: 2,7 kO 1/ 12 kO ::: 2,2 kO (2.J03)
pudiendose expresar fa tension de base de Thevenin como
V Bl ::: RsIsl + V BEl + REI lEI (2.104)
por 10 que, operando convenientemente, Ia corriente de emisor y a partir de

esta la de colector valdra
105
ELECTRONICA ANAL6GICA DlSCRET A
2,2-0,6 (2.105)
:::: ------:-- :::: 1,75 rnA
860+2200/41
ICI :::: {3I lEi:::: 44°1 1,75 :::: 1,71 mA (2.106)

(3t+ 1
La tensi6n de colector y la corriente de einisor del transistor Ql se
obtiene a partir de las ecuaciones
(2.107)
VC1 :::: V BE2 + IE2RE2
resultando 1[2=4,55 rnA, IC2=4,5 rnA y Vel =5,15 V, con 10 que es
inrnediato el calculo de VeE! =3,55 V Y VCE2=7,45 V, siendo por tanto los
puntos de funcionarniento de los transistores
Q1(1,71 InA; 3,55 V) Y "Q2(4,5 InA; 7,45 V)
Otro tipo de acoplainiento en continua entre dos transistores da lugar a
configuraciones (Figura 2.45) que se aselnejan a un solo transistor de
caracteristicas Inejoradas, se trata de la denolninada configuraci6n
Darlington.
C' C'
C'
C'
~cj
02
~Q2
Q1
) E'
Q2
E'
E'
a) b) c) d) E'
Figura 2.45 Circuitos de acoplamiento directo en la configuraci6n Darlington.
Los terminales del transistor equivalente a la configuraci6n Darlington

se han denoininado B', C' y E'.
106
2.4.1 POLARIZACION DE UNA CONFIGURACION DlFERENCIAL.
La configuracion diferencial se
~---.,---o +v cc
util iza frecuentelnente, ya que
constituye la etapa de entrada de
los alnplificadores operacionales y 1----0
se emplea talnbien en electronica

de comunicaciones COlno mezcla-
dor. El circuito es el que se lnues-
tra en la Figura 2.46 debido a su
estructura se Ie denomina asimismo -v EE
de emisores acoplados.
Figura 2.46 Circuito de polarizacion
Se ha visto que para polarizar de la etapa diferencial.
los transistores bipolares se precisa-
ba una corriente de base que se generaba mediante la tension de alilnenta-
cion y la resistencia 0 resistencias de base. Eli el caso de una etapa
diferencial la polarizaci6n se efectua a traves de una Fuente de corriente fEE.
+V
cc
Q1 Q2
r1 l ee
~v EE
Figura 2.47 Circuito de polarizacion de Ia etapa dife.·enciaI

con fuente de sefiaI con alta resistencia de salida.
Debido a la simetria que presenta el circuito, se tiene que las relaciones

entre la corriente lEE y las corrientes de base y em isor son
107
ELECTRONICA ANALOGICA DI,sCRETA
= (2.108)
Si se conecta una fuente de senal, esta debe pennitir el paso de Is Y no

debe bloquear la continua, p.e. con un condensador de desacoplo. Si la
resistencia de salida de la fuente de senal Rg fuera lTIUY grande, habria que
conectar una resistencia RB2 para mantener VB1 = VB2 tal como se indica en
la Figura 2.47
Ejercicio 2.8 Determinar las coordenadas del punto de funcionalTIiento de

cada uno de los transistores que configuran el amplificador diferencial de
la Figura 2.48 donde la fuente de corriente se ha lTIaterializado por una
resistencia RE=2,7 kG, siendo Vcc=VEE=15 V, RC1=Rc2=4,7 kG,
RBI RB2 =560 kG Y {31 ={32 150.
RC1 RC2
RB1/
M 01
----.r----'
Figura 2.48 Circuito de polarizaci6n de la etapa diferencial

con una resistencia como fuente de corriente.
Solucion. Considerando el circuito base-emisor de Ql se deduce que
RBIIB! + V BEl + RE (1 +(31) (lBI +1 82) = VEE (2.109)
Y para el circuito base-emisor de Q2 se tiene
108
(2.110)
restando ambas ecuaciones y teniendo en cuenta que RBI =R B2 , V BEl = V BE2

Y {31 ={32 se llega a
(2.111)
IBt = IB2 = Is
con 10 que la corriente de base torna el valor
VEE - V
BE 15 - 0,7
I =- - - - - - = ------- = 10,4 p,A (2.112)
B RB + 2RE (1 +(3) 560 + 2-2,7-151
y la de colector
IC = (3 IB = 150-10 " 4 = 1 56 rnA (2.113)
La tensi6n de colector que se obtiene sera
Vc = Vcc - Rc1c = 15 - 4,7-1,56 = 7,67 V (2.114)
siendo la de emisor
VE = - RBIB - V BE =- 560'0,0104 - 0,7 = 6,52 V (2.11:;)
por 10 que la tensi6n colector-elnisor
VCE = VC - VE = 7,67 - (-6,52) = 14,19 V (2.116)
2.5 POLARIZACIONES ESPECiFICAS PARA CI'S
Las tecnicas de polarizacion vistas hasta ahora no son adecuadas para

polarizar transistores en CI ya que presenta ciertos inconvenientes por
ejemplo el integrar capacidades, que ocupan excesivo espacio del CI, 0 un
gran numero de resistencias. Por el contrario es relativamente sencilla la
integracion de un elevado nlunero de transistores_
La polarizaci6n en Ie diseno de circuitos integrados se basa en el uso de

fuentes de corriente constante y espejos de corriente. Consiste en generar
una corriente continua constante y reproducirla en otras etapas para
109
polarizarlas. Ello supone la ventaja de que las etapas se siguen unas a otras
en el caso de aUlnento de temperatura 0 cambios en la aliluentaci6n.
2.5.1 FUENTE DE CORRIENTE.
Una fuente de corriente tiene la misi6n de proporcionar una corriente

constante con independencia de la carga. A continuaci6n se estudiaran las
fuentes de corriente de Widlar y Wilson que son util izadas comunmente.
2.5.1.1 Fuente de corriente de Widla.·.
En los atnplificadores operacionales se requieren corrientes de

polarizaci6n pequefias 10 que hace que se deban utilizar resistencias de valor
elevado. Estas resistencias tan grandes presentan el inconveniente de ocupar
una gran superficie en el circuito integrado y es por ello que se util izan
fuentes de corriente, como la de Widlar, para generar estas pequefias
corrientes, utilizando transistores y resistencias de pequeno valor que poseen
Inayor facilidad de integracion.
En la Figura 2.49 se ha representado una fuente de corriente de Widlar,

donde los dos transistores son iguales. De la tualla formada por R2 y los
tramos en1isor-base de los dos transistores se deduce
V BEl - V BE2 ;: te2 R2 (2.117)
Para expresar V BE en funcion de Ie se hara uso de la aproxiluacion
(2.118)
y teniendo en cuenta que lSI = IS2 se tiene que
I
VT In~ ;: Ie2 R2 (2.119)
IC2
En esta ecuacion se conoce, normal mente, la corriente ICl que actua
como corriente de referencia y la corriente Ie2 que es la que se desea
110
obtener por 10 que sera inlnediato el calculo de R2 para cOlnpletar el disefio
(2.120)
+Vcc
o
Iref
1I I
C2
Figura 2.49 Fuente de corriente de Widlar.
Ejercicio 2.9 En un ampl ificador operacional integrado se desea obtener

una corriente de 10 JlA con una fuente de corriente de Widlar como la de
la Figura 2.50 que en este caso, y al igual que suele ocurrir en los AO,
presenta una alilnentacion doble y silnetrica. Detenninar los valores de las
resistencias Rl y R2 , siendo I ref =0.75 rnA y Vcc=VEl~= 15 V.
Solucion. En caso de ilnplelnentar la fuente de corriente con una

resistencia, tOlnarfa el valor
R :::: 30 - 0, 7 :::: 2 93 MG (2.121)

10JlA '
que resulta excesivalnente alto para ser integrado. En cambio
R :::: 30 - 0, 7 :::: 39 kG (2.122)

1 0,75n1A
III
~ = 0,025 V In 0,75 rnA = 10,8 kO (2.123)

10 p.A 10 p.A
valores razonables para poder ser integrados.
+Vcc
Iref I R1
...
l'c2
'C11
01 02
Figura 2.50 Fuente de Widlar para polarizar un CI.
2.5.1.2 Fuente de corriente de Wilson.
La fuente de corriente de Widlar presenta el inconveniente de que la

corriente que genera, Ic2 , depende de la tensi6n tennica V T , por 10 que
cualquier variaci6n de telnperatura afectani tambien a la corriente. Existe
una fuente de corriente, que en una detenninada condici6n actua
independientemente de los parametros de los transistores. Esta es la fuente
de corriente de Wilson cuyo esquelna se ha representado en la Figura 2.51
y que consta de tres transistores iguales.
En la fuente de corriente de referencia se cumple que
(2.124)
112
I ref
10
p
- -...
1
OS
10
A
21 1 (P+1)
6 I 0\ P
Ie 1 <t- 'f
6
1 Ie
01 02
+-- - ...
IE 1 1
B
1
6 1 IE
-VEE
Figura 2.51 Fuente de corriente de Wilson.
y la relaci6n entre corrientes. para Q3 es
(2.125)
par 10 que
I = 10 + «(3 + 1) / (3 I (2.126)
ref (3 1+2/(3 0
con 10 que la relaci6n entre la corriente de referencia y la de salida de la

fuente se puede expresar como
1
I ref (2.127)
2
1 +
de esta fonna
(2.128)
condici6n que se cumple para los val ores usuales de (3; p_e_ para un
transistor cuya (3 pueda variar entre 50 y 500 se tiene que la relaci6n entre
10 e Irei' oscilara entre Io=0,99923-Iref e Io=0,99999-Iref respectivamente_
113
ELECTRON1CA ANALOGICA DISC RET A
Otra configuraci6n equivalente a la fuente de corriente de Wilson es la

que se lnuestra en la Figura 2.52 y cuyo analisis se deja al lector,
presentando aqul solamente el resultado
I o ::::: I ref SI {32+{3 ~2 (2.129)
+vCC
Iref
21 9
13+ 1
Jas
pi
B I
+
01
1
21
B
J11002
I -<1------ --+
'E 1 I
B
I
B I
+
I
E
o
-vEE
Figura 2.52 Fuente de corriente que minimiza la dependencia con /3.
2.5.2 ESPEJO DE CORRIENTE
Como se ha cOlnentado anterionnente en un CI, p.e. en un AO, es usual

la generaci6n en un punto del CI de una corriente continua y reproducir la
mislna en otros puntos para efectuar la polarizaci6n de las distintas etapas.
Para poder llevar a efecto esta reproducci6n se utiliza una fuente de

corriente que consta de dos transistores apareados con sus bases y emisores
acopJados como aparece en la Figura 2.53. Es importante resaltar que la
carga que al imente Q2 debe asegurar que Q2 este en la zona activa.
Del amilisis del circuito se deduce que las expresiones que nos
proporcionan las corrientes de entrada lrcf y de salida 10 son
114
I ref 21E
~+1 I 10
+
~
~+1
1
01 02
~
E Ie:
IE (3 + 1 ~+1
.I Ie:
Figura 2.53 Espejo de corriente.
(2.130)
I ;::
o
L
{3+ 1
IF. (2.131)
por 10 que la ganancia de corriente del circuito sera
10
A.I ;:: ;::
(2.132)
I ref 2
1 +
{3
que se puede reducir a
I() ~ Ire f" Sl (.)

fJ ~ 2 (2.133)
ll
Observese que ademas de obtener una corriente "programada el hecho ,
de co nectar dos uniones base-emisor estabiliza la corriente frente a

variaciones de la temperatura tal como se vio en las tecnicas de
compensacion termica.
En el caso de "n" transistores el esquema del circuito queda como en

la Figura 2.53 presentando el circuito equivalente con un diodo y un
115
transistor multicolector.
Puesto que los transistores Qj son iguales se cumple que

(2.134)
Ie (2.136)
I rcf ::: Ie + (n + 1) ~
por 10 que despejando Ie se obtiene
1::: {3 I (2.137)
c {3+n+l ref
En el caso de que {3 sea lTIucho mayor que el numero de transistores "n"
se tiene que
(2.1.38)
llcn
i
n
colactoras
Iref
an ~
1 o
Figura 2.54 Espejo de corriente para "n" transistores.
116
BIBLIOGRAFiA
(1) Horowitz P. I Hill W. The Art of Electronics. Tema 4. Cambridge

University Press. 1989.
(2) Garcia A. / Marin J .L. I Munoz E. Circuitos Electronicos. Vol. I. Tema

3. SPETSITM. 1986.
(3) Malvino A. Principios de Electronica. Temas 7, 8, 13 Y 14. McGraw-

Hill. 1994.
(4) Millman J. IGrabel A. Microelectronics. Temas 10. McGraw-Hill. 1987.
(5) Savant I Roden I Carpenter. Diseno Electr6nico. Temas 5 y 7. Addison

Wesley. 1992
(6) Schilling D. I Belove C. Circuitos Electronicos Discretos e Integrados.

Tema 4. Marcombo. 1985.
(7) Sedra A. I Smith K. C. Dispositivos Electronicos y Amplificadores de

Senales. Temas 7 a 10 y 13. Interamericana. 1985
CATALOGOS:
(8) PHILIPS. Small Signal Transistors. Data Book. 1993.
(9) MOTOROLA. Small Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data.
1991.
117
TEMA3
AMPLIFICADORES LINEALES MONOETAPA DE

PEQUENASENAL
3.1 CONCEPTOS GENERALES SOBRE

AMPLIFICACION LINEAL
3.1.1 INTRODUCCION
La tecnica de amplificacion consiste en convertir senales debiles (de

tension, corriente 0 potencia) en senales de mayor intensidad. Por ejemplo
las senales electricas que produce una cabeza fonocaptora de un tocadiscos
son del orden de J.t W por 10 que es necesario amplificarlas hasta llegar a
niveles de W para que puedan ser escuchadas por un altavoz. Las senales
que reciben las antenas tambien son muy debiles y hay que amplificarlas
para que se puedan procesar por los receptores.
La senal se debe amplificar con la minima distorsion y por tanto los

elementos activos (transistores) deben funcionar de la forma mas lineal
posible. Se situani el punto de funcionamiento de los transistores en la zona
activa y se estableceni un modelo lineal equivalente (ver 3.2 y 3.3).
Para conseguir ganancias elevadas y mantener la senal 10 mas fiel

posible, a menudo se recurre a co nectar varios alnplificadores en cascada
dando lugar a los amplificadores multietapa que son objeto del Tema 4.
En la Figura 3.1 se observa el esquema basico de un circuito

amplificador. Internamente esta formado por elementos activos que son
responsables de la amplificacion y elementos pasivos que adaptan el punto
de funcionamiento.
119
ELECTRONICA ANALOorCA DISCRET A
(We) (Wp) \'Ns)

Xe--~ A J - - - - 1..~ XS = A'Xe
AMPLIFICADOR
(Wt) = Ws-We+Wp
Figura 3.1 Esquema del amplificador basico ..
A .. Es el factor de amplificacion que debe mantenerse constante para toda

la gama de frecuencias de trabajo para evitar distorsiones.
Xi .. Representan senales que pueden ser de tension, corriente 0 potencia
Los elementos activos utilizados son los transistores que bajo unas
condiciones de trabajo adecuadas son capaces de entregar a la salida una
senal de potencia superior a la que disponen a la entrada. Esto sera cierto
hasta una frecuencia maxima que como veremos posteriormente viene dada
por las caracterfsticas intrfnsecas al dispositivo.
Por Ia ley de conservacion de la energfa podemos deducir que el

exceso de potencia a la salida debe venir de alguna parte. Se trata de la
fuente de alimentacion que proporciona una potencia en corriente continua
que el dispositivo activo convierte en potencia de senal alterna.
El equilibrio de potencias en el esquema de la Figura 3.1 queda de la

siguiente luanera:
We = Potencia de la senal de entrada (recibida).

Ws = Potencia de la senal de sal ida (entregada).
Wp = Potencia consumida en el propio amplificador.
Wt = Ws-We+Wp = Potencia suministrada por la fuente de alimentacion.
120
TEMA 3.- AMPLIFICADORES LINEALES MONOETAPA DE PEQUENA SENAL
3.1.2 RECTA DE CARGA DINAMICA
En el tema anterior hemos estudiado los circuitos con transistores a

efectos de la corriente continua. El circuito era alimentado y se situaba en
el punto de trabajo conveniente para la aplicacion. En el caso de la
amplificacion era para el BJT la zona activa y para el JFET y MOSFET la
region de saturacion. Ahora queda ver como se comportan estos circuitos
frente a las sefiales alternas.
Para facilitar el estudio del comportamiento del circuito se aplica el

teorema de superposicion. Se realiza un estudio previo en continua
(polarizacion) que nos da el punto de reposo y sobre el se hace el estudio
en alterna (senal).
t - - - - , - - - o Vo
Figura 3.2 Amplificador monoetapa con BJT.
En la Figura 3.2 tenemos una etapa amplificadora completa con BiT

alimentado (Vcd y entrada de sefia} alterna Vi. Corresponde a un circuito
ya conocido de autopolarizacion con 4 resistencias aI que se afiaden una
serie de elementos para su funcionamiento como amplificador.
La sefial amplificada (Vo) es aplicada a la carga representada por RL •

Los condensadores C 1 , C2 Y CE se cOlnportan como circuitos abiertos frente
121
ELECTRONICA ANALOOICA DlSCRET A
a la senal continua y son de un valor suficientemente alto para que se

puedan aproximar a un cortocircuito para las frecuencias de las senales
alternas que se manejan. Teniendo en cuenta esto y que para la senal las
fuentes de continua equivaJen a cortocircuitos tenemos los equivalentes a
efectos de polarizacion en la Figura 3.3 y a efectos de senal en la
Figura 3.4.
Figura 3.3 Circuito a Figura 3.4 Circuito equivalente a efectos de seiial.

efectos de polarizaci6n.
El condensador C 1 sirve para el acoplo en alterna de la fuente de senal

Vi evitando que esta afecte en la polarizacion pues de 10 contrario la base
del transistror estarfa cortocircuitada a tierra.
El condensador C 2 sirve para bloquear la tension continua presente en

el colector de fonna que a la carga se aplique solo la componente alterna.
Asf mismo evita el efecto de la carga RL sobre el punto de polarizacion al
quedar aislada a efectos de continua.
Por ultimo el condensador C E es opcional y su mision es cortocircuitar

el emisor a tierra a efectos de senal (configuracion en emisor comun)
consiguiendo dos propositos: aUlnentar el margen dinamico al evitar la caida
de la tension alterna en bornes de RE y aumentar la ganancia del amplifica-
dor como veremos posteriormente.
122
A continuacion vamos a describir la notacion que seguirelTIOS en 10

sucesivo para representar las tensiones y corrientes que intervienen en el
transistor:
a) Letras mayusculas y subindices en mayusculas representan los

valores en continua 0 de reposo que no varian con el tiempo (ej. In, Ie, VBE ,
VCE)'
b) Letras minusculas y subindices en minusculas representan las

senales que son las componentes variables con el tiempo (ej. i b , ie, vbe , vee)
c) Letras minusculas y subfndices en Inayusculas representan los

val ores instantaneos 0 absolutos y corresponden a la suma del valor en
continua mas el valor de la senal.
Las curvas caracteristicas del transistor que expresabamos con los

val ores en continua tambien son validas para valores instantaneos totales y
por tanto ahora vendran con letra minuscula y subfndice en mayuscula.
VBEI vcet
-
~~ I--~
L_J ~ v VeE.
t
Figura 3.5 Notacion de tensiones y corrientes en el BJT.
123
Todo esto queda expresado gnificamente en la Figura 3.5 y matemati-

camente 10 podemos expresar:
ic = Ie + ic VCE = V CE + vee
iB = IB + ib V BE = V BE +Vbe
Visto esto ya estamos en disposicion de estudiar el concepto de recta

de carga dinamica. Supongamos el circuito de la Figura 3.6. Recordalnos
que la recta de carga estatica se calcula sustituyendo los condensadores por
circuitos abiertos y teniamos:
Recta de carga estatica.
f----,---G Va
Figura 3.6
Sin elnbargo para la sefial el circuito se comporta segun el equivalente

de la Figura 3.7 siendo rc=Rc II RL , rE=R E Y rR=R111 R2 • La existencia de
un condensador de emisor CE cortocircuitando el elnisor equivale a tomar
rE=O. Con esto podemos ya calcular la ecuaci6n de la recta de carga
dinamica.
124
(3.1)
Vee
1 =--
c r C +r E
Figura 3.7 Circuito equivalente para la seiiai.
Expresando las senales en funci6n de los valores instantaneos y los

correspondientes a la polarizaci6n tenemos:
ic = ic - ICQ
(3.2)
vee =V CE - V CEQ
y sustituyendo (3.2) en (3.1) resulta la ecuaci6n de la recta dinamica:
ic - ICQ = - r ~r (v CE- V CEQ) ** y -Yo =m (x -Xo) (3.3)

C E
que equivale COlno vemos a una recta que pasa por el punto de reposo
(VCEQ,I cQ) Y que tiene como pendiente m = _ 1
rc +r E
La recta de dinamica tiene siempre una pendiente mayor 0 igual en

valor absoluto que la pendiente de la recta estatica de carga (a = _ 1 )
Rc+RE
El lector puede comprobar que el denominador es menor 0 igual en
los demas casos (con C E , sin RL etc.).
Para representar graficamente la recta dinamica debemos calcular los

cortes con los ejes. En la Figura 3.8 tenemos el resultado de dicha
representaci6n.
125
Para i(' =0 => V CEO =VCEQ + (rC + r E) ICQ

(3.4)
Para vCE = 0 =>
A partir de la representaci6n de la recta de carga din,itnica que

tenemos en la Figura 3.8 podemos calcular el margen dinamico que es la
maxima excursi6n simetrica que puede sufrir la sefial de sal ida y que se
suele expresar como una amplitud de pico a pico (Vpp)' Vendni dado por la
distancia mas pequefia desde punto de polarizaci6n (Q) a la zona de corte
o a la de saturaci6n del transistor (regi6n ohmica en el JFET y el MOSFET)
segun el caso. Si se sobrepasan esos puntos se produce un recorte la sefial
de salida.
Recta de C8lga
din4.mica
J lro I'- =-
____~
_____ _ _ _ _ ~----
Recta de carga
estatlca
~----------~--------~--~----I~
VCEO VCEO vee VeE
Figura 3.8 Representacion grafica de las rectas de carga dinamica y estatica.
En la Figura 3.9 podemos ver una representaci6n del margen dimilnico

limitado por la zona de corte. Tambien se observa la evoluci6n a traves de
126
TEMA 3.- AMPLIFIC'ADORES LINEALES MONOETAPA DE PEQUENA SENAL
la recta dimimica de carga de una variaclon senoidal de la corriente de

colector y como repercute en la V CEo
Recta de carg8
7 ,// dlnAmlca
[/
VCEa Vee VeE
Figura 3.9 Representacion grafica de la maxima excursion simetrica.
3.1.3 TIPOS DE AMPLIFICADORES
Segun sean las senales de entrada y salida de los amplificadores

pueden ser:
a) de tension.
b) de corriente.
c) de transconductancia.
d) de transresistencia.
e) de potencia.
127
3.1.3.1 Amplificadores de tension.
senal de entrada: tension.

senal de salida: tension.
Figura 3.10
Con el trazo discontinuo se indica que las senales de entrada y/o salida
pueden estar referidas a masa (con un terminal conectado amasa) 0 bien ser
flotantes (senales diferenciales).
v o =A v ·v.I (3.5)
El factor de ganancia Ayes adimensional. Este factor se expresa

frecuentemente en decibelios (dB).
(3.6)
v.I
Figura 3.11 Modelo del amplificador de tension.
En la Figura 3.11 tenemos el modelo del amplificador de tension. Zi

(input) representa la impedancia de entrada, Zo (output) la impedancia de
salida, Zg la impedancia de generador y ZL (load) la impedancia de carga.
128
A la entrada tenemos la relacion de tensiones siguiente:
Zj
V.=V - - - (3.7)
I g Z.+Zg
I
para evitar perdidas y conseguir la maxima ganancia se debe cumplir Vj=Vg
y por tanto Zi~ 00. Por otra parte en la sal ida tenemos:
ZL (3.8)
vL=Avv.---
I Z L +Z 0
y para evitar las perdidas se debe cumplir VL = Av Vi Y por tanto Zo =0.
En un amplificador de tension ideal se cumple:
3.1.3.2 Amplificador de corriente.
sefial de entrada: corriente.

sefial de sal ida: corriente.
Figura 3.12
1
i o =A'I i.
I
A=~
I .
(3.9)
1.I
EI factor AI es tambien adimensional y se puede expresar en dB.
(3.10)
En el modelo de la Figura 3.13 podemos igualmente calcular las

relaciones de corrientes a la entrada y a la salida.
129
ELECTRONICA AN ALOmCA DlSCRET A
Figura 3.13 Modelo del amplificador de iJl1tensidad.
Z . . Zo
i. = i g IL=AII.--- (3.11)
I g Z .+Zg
I
I Z o +Z L
En un amplificador de corriente ideal se ha de cumplir ij = 19 Y que

iL = AI i j • Por tanto las impedancias ideales son:
3.1.3.3 Ampliflcador de transconductancia.
::J,--_A_G-----It senal de entrada: tension.

senal de sal ida: corriente.
Figura 3.14
I
i o =A G ·v. AG=~
I
J v. (3.12)
I
El factor de ganancia AG tiene dimensiones de conductancia (0- 1) y por

tanto no se expresa en dB.
EJ modelo del amplificador de transconductancia de la Figura 3.15
130
tiene la entrada igual al amplificador de tension y la salida igual al de

corriente.
Figura 3.15 Modelo del amplificador de transconductancia.
EI alnplificador de transconductancia ideal tendni por tanto la

impedancia de entrada del amplificador de tension ideal y la impedancia de
salida del amplificador de corriente ideal. Por tanto:
Zr~OO
Z~OO
o
3.1.3.4 Amplificador de transresistencia.
sefial de entrada: corriente.

sefial de salida: tension.
Figura 3.16
vo =A R .i.
1
=> (3.13)
EI factor de ganancia AR tiene dimensiones de resistencia (0).
EI modelo del amplificador de transresistencia de la Figura 3.17 tiene

la entrada de un alnplificador de intensidad y hi salida de uno de tension.
131
Figura 3.17 Modelo del amplificador de transresistencia.
El ampl ificador ideal de transresistencia tendni:
3.1.3.5 Amplificador de potencia.
ii r--_ _ _---.i 0
WI§] Aw [§Wo sefial de entrada: potencia

sefial de salida: potencia
Figura 3.18
Ail-I1'que tecnicamente todos los amplificadores se pueden considerar

de potencia ya que a la salida se dispone de una potencia Inayor que a la
entrada, se suelen denominar asf a los amplificadores cuya finalidad es
entregar una maxima potencia a una carga como puede ser una antena, un
altavoz etc. Los dispositivos que se utilizan en este tipo de amplificadores
funcionan a 10 largo de toda su zona activa.
132
WO
=AW·W.
l
(3.14)
Podelnos ver que el alnplificador de potencia equivale a un amplifica-

dor de corriente y de tension a la vez y por tanto en este caso las impedan-
cias de entrada y sal ida ideales son opuestas para estos dos tipos de
amplificadores.
Figura 3.19 Modelo del amplificador de potencia.
Estudiemos primero la transferencia de potencia a la entrada del

amplificador.
W. = - - - - - - - - - - RI.
I (R +
g
133
Ahora queda hacer maxima la exp~esi6n W j variando Rj y Xj' Hacien-

do Xj= -Xg se ve claro que se minimiza el denominador con respecto a X j
ya que se anula la parte. reactiva. Con esto nos queda:
W.= I vg I 2 R. (3.19)
I (R + R.)2 1
g I
y para buscar un Inaxilno de W j con respecto a R j hay que resolver:

a2 w.
_ _1>0 (3.20)
y
aR? I
que tiene por soluci6n R j= Rg • Por tanto haciendo Zj = Zs* se produce una
maxima transferencia de potencia y se dice entonces que se han adaptado las
impedancias. La potencia entregada seni:
__ I Vi 12 (3.21)
Wi I max 4R cuando ZI' = Zg*
g
W g =. I2ViR I 2 = 2 W.I para W i ::: W j I max

(3.22)
g
Podelnos ver que la potencia Inaxitna de entrada al amplificador es la

mitad de la que entrega el generador POt 10 que se alcanza un rendimiento
maximo del 50 %.
Haciendo un planteamiento similar para la etapa de salida tenemos:
I Vo I 2
W L I max::: cuando Zo :::Z~ (3.23)
4RL
con W =
o
I2R
vol 2 ::: 2 W
L
I max
(3.24)
L
Por tanto en amplificador de potencia ideal se cumple:
Z·= Z~'
g Y Z
I 0
= ZL*
134
3.1.4 PARAMETROS CARACTERISTICOS DE LOS

AMPLIFICADORES
Las caracterfsticas y parametros que definen el funcionamiento de un

amplificador y que nos permiten modelizarlo son fundamentalmente:
a) Valores de las itnpedancias de entrada y salida.

b) Curvas de respuesta en frecuencia (Curvas de Bode).
3.1.4.1 Impedancias de entrada y salida.
El conocimiento de los val ores de las ilnpedancias de entrada y sal ida

es necesario para saber la bondad de un alnplificador en una detenninada
aplicacion. Veremos a continuacion una serie de tecnicas que nos pennitiran
calcular y medir estos parametros.
· Impedancia de entrada. EI calculo de la impedancia de entrada es

inmediato a partir de la definicion. Una vez medida la tension a la entr~da
Vi y la corriente de entrada ii se calcula con la relacion:
v.
Z. = --.-:
I i.
I
Frecuentemente en los amplificadores reales en los que la salida afecta

al circuito de entrada hay que definir las condiciones de medida de la
impedancia de entrada. Usualnlente se suele dar con el circuito de salida
abierto (sin carga) 0 con una carga caracterfstica (500 0 750) y menos
frecuentemente con la salida en cortocircuito.
· Impedancia de salida. La impedancia de sal ida puede determinarse

segun varios procedimientos.
135
a) Con una senal de entrada que no sature se mide

en vacio (sin carga) la salida Vo' Luego se corto-
circuitan los bornes de sal ida como en la
Figura 3.20 y se mide la corriente en cortocircuito
Icc. La impedancia de salida sen!:
v
Z=~ Figura 3.20
o I
cc
b) Se comienza igual que el anterior pero en

lugar de cortocircuitar la salida cargamos el
amplificador con una impedancia variable Z' 0
~ que vamos variando hasta conseguir que:
, Vo Z'
0
v =V' =
o 0'2
Zo +Zo
Figura 3.21
y sabremos entonces que Zo = Z' o.
c) Se cortocircuita la entrada
para asegurar que no exista
senal de salida. Se coloca un
v'o
generador de senal v' 0 en los
bornes de salida, se mide la co-
rriente io Y la impedancia de
sal ida sera: Figura 3.22
De los tres metodos expuestos, el primero de ellos no es lTIUY

aconsejable para su aplicacion pnictica porque es posible danar el amplifica-
dor si Icc es muy elevada y por tanto se reserva para la determinacion
analftica de la impedancia de salida.
136
Las impedancias de entrada y sal ida dependenin en general de la

frecuencia y para poder caracterizar el amplificador habra que hacer
medidas en distintas frecuencias.
3.1.4.2 Curvas de respuesta en frecuencia.
Para caracterizar la respuesta del amplificador en funcion de la

frecuencia se utilizan'los ya conocidos diagramas de Bode que incluyen:
- Curva del modulo de la ganancia

- Curva de la diferencia de fase entre la entrada y la sal ida
Ambas curvas representan la frecuencia 0 pulsacion sobre el eje de

abcisas y habitual mente se utiliza el formato logarftmico que como vimos
en el tema 1 ofrece la ventaja de que las curvas se pueden aproximar a
tramos rectos. Las ganancias al se~ representadas en decibelios se simplifica
la tarea del calculo aI transformar el habitual producto de ganancias en suma
de dB's.
En la Figura 3.23 tenelnos un ejemplo tfpico de la primera curva en

la que se observa una zona plana en la que la ganancia permanece constante
(A) y cubre el rango de frecuencias donde es util izable el alnplificador.
Fuera de esa zona el factor de ganancia disminuye y aparece distorsion de
alnplitud. La separacion entre la zona plana y el resto 10 marcan los puntos
en los cuales la ganancia se reduce por 12 (-3 dB). Estos puntos son por
abajo la frecuencia de corte inferior (fcj) y por arriba la frecuencia de corte
superior (fcs)' La diferencia entre la fcs Y la fcj se denomina ancho de banda
(Llt).
El conocimiento de la curva de ganancia y fase nos pennite predecir

como respondera el amplificador frente a una sefial de entrada arbitraria si
recordamos que cualquier sefial se puede expresar mediante el desarrollo en
serie de Fourier:
137
IGI
A
1----------'-------------------------------------.=---_ - - - - - - - - _
A -3dB
v'2 - ... T······ ·············· ·····················-······.... . . - -............... - .... ... .
fci fcs f
at i
:.. ~
Figura 3.23 Curva de ganancia en funci6n de la frecuencia.
V. =V
I CC
+~
~
A n . sen (w n""'n
t+ II) )
Asf para cada uno de los terminos arm6nicos que componen la senal
podremos saber con ayuda de las curvas la ganancia y de fase del
amplificador. Despues sumando las respuestas para cada termino y
obtenemos la salida correspondiente.
Si tenemos una senal del tipo:
Vi =v·sen(wt+¢)
y sabelnos que la ganancia del amplificador es A(w) y el desfase entre la

salida y la entrada es 8(w), obtenemos la salida siguiente:
138
TEMA 3.- AMPLlFICADORES LINEALES MONOETAPA DE PEQUENA SENAL
······························1········
A·v
~--\---~L
I
- :
i~ :
--
: 8 .
t
Figura 3.24 Relaci6n entre la entrada y la salida en un amplificador.
Se observa que la salida esm amplificada por el termino A(w) y

retardada con respecto a la entrada un tiempo
At = () (w) (ver Figura 3.24).

w
Para que un ampl ificador tenga buena fidelidad y no aparezca

distorsi6n, es necesario en primer lugar que la ganancia no dependa de la
frecuencia con 10 que evitamos Ia distorsi6n de amplitud y en segundo lugar
se ha de cumplir que el desfase que introduce sea nuIo, de 180 0 0
proporcional a la frecuencia evitando asf la distorsi6n de fase. (ver Tema 1
apartado 1.4.3 sobre distorsi6n lineal).
COITIO estas condiciones no se pueden cumplir con exactitud para todas

las frecuencias, deberan cumplirse al menos para la gama de frecuencias de
uso del amplificador asegurando asi su fidelidad
139
3.1.5 CLASIFICACION DE LOS AMPLIFICADORES
En el apartado 3.1.3 ya hicimos una primera clasificaci6n de los

amplificadores segun la naturaleza de las sefiales de entrada y salida. Aquf
vamos aver otras clasificaciones teniendo en cuenta otros aspectos.
a) SegUn el margen de frecuencias:
· Amplificadores de continua (f=O).

· Amplificadores de audio (20 Hz a 20 KHz).
· Amplificadores de video (de 0 a 5 MHz).
· Amplificadores de radio frecuencia RF (100 KHz 500 MHz).
· Amplificadores de alta frecuencia HF (3 a 30 MHz).
· Amplificadores de muy alta frecuencia VHF (30 a 300 MHz).
· Amplificadores de ultra alta frecuencia UHF (300MHza3 GHz).
· Amplificadores de microondas ( > 1 GHz).
· Amplificadores de luz infraroja y visible (> 1000 THz).
b) Segun el ancho de banda:
· Ampl ificadores de Banda ancha.

Cubren un extenso Inargen de frecuencia como por ejemplo un
amplificador de vIdeo.
· Amplificadores de Banda estrecha.
Cubren un margen de frecuencias reducido como por ejelnplo un
amplificador de audio.
· Amplificadores sintonizados.
Su margen se reduce pnicticalnente a una sola frecuencia. Se denomi-
nan tambien selectivos pues su utilidad es la de seleccionar una frecuencia.
140
Segun la tecnica utilizada se distinguen sintonfa simple, sintonfa doble

y sintonfas solapadas.
c) Segun la relacion entre terminales de entrada y salida con masa.
· Ampl ificador con entrada y salida desequiI ibradas.

Entrada y sal ida referidas amasa.
· Amplificador con entrada equilibrada y salida desequilibrada.

Entrada flotante y salida refer ida amasa.
· Amplificador con entrada y salida equilibradas.

Entrada y sal ida flotantes.
a) b) c)
Figura 3.25 a) Entrada y salida desequilibradas. b) Entrada equilibrada y salida

desequilibrada. c) Entrada y salida equilibradas.
d) Segun eI eIemento activo y configuracion.
· Amplificadores con BJT (NPN/PNP)

Emisor/Base/Colector comtin.
Darlington.
Cascodo.
Diferencial.
· Amplificadores con JFET y MOSFET (cana) nip)

Fuente/Drenador IPuerta cOIn un.
Cascodo.
Diferencial.
141
· Amplificadores con tubos de vado.

Catodol Anodo/Rejilla eomun.
e) Segun la red de acoplo entre etapas.
· Acoplo directo 0 en continua.

· Aeoplamiento RC.
· Acoplamiento por transformador.
o Segun eI DiveI de Ia seiiaI de salida.

· Amplificador de pequena senal.
Son aquellos en que la excursion de la senal de salida es pequena en
relaci6n a la zona activa del dispositivo empleado. La senales que manejan
son de reducida potencia y se utiliza un modele lineal para su amilisis.
· Amplifieador de gran senal 0 potencia.

Son aquellos en que la excursion de la senal de salida recorre toda'la
zona activa del dispositivo (desde el corte a la saturaci6n) y las potencias
que se manejan son elevadas. No se puede utilizar un modele lineal
para su anal isis.
e) Seglin la relacion entre las seiiales y el margen dinamico.
· Alnplificador en clase A.
Cuando el margen dinamico del amplificador reproduce un cicIo
completo «() = 360°) de una senal senoidal a la entrada.
142
· Amplificador en cIase B.
Cuando el margen dinamico del amplificador solo reproduce un
semiciclo (0 = 180°) de una sefial senoidal de entrada.
· Amplificador en cIase AB.

Cuando el margen dinamico del amplificador reproduce entre un
semicicIo y un cicIo completo (180° < () < 360°) de una sefial senoidal.
· Amplificador en cIase C.
Cuando el margen dinamico reproduce menos de un semicicIo
(0 < 180°) de una sefial senoidal.
En la Figura 3.26 tenemos una representacion gnifica de las salidas

para una entrada senoidal para amplificadores en cada una de las clases.
Vs a) Vs b)
V\ f\.
Vs c) d)
Figura 3.26 Salidas para amplificador en a) clase A, b) clase B, c) clase AB,

d) clase C.
143
3.2 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES

BIPOLARES (BJT)
3.2.1 INTRODUCCION
A partir de las gnificas caracterfsticas de un transistor bipolar, se

puede obtener la respuesta a senales de muy baja frecuencia y de una cierta
amplitud. Veremos que para pequenas senales el amilisis grafico no es muy
practico y no se uti) iza.
En los siguientes apartados se estudiaran los circuitos equivalentes al

transistor (model os) trabajando en la zona activa. Estos circuitos se
obtendnin a partir de una linealizacion del comportamiento dinamico del
transistor frente pequenas senales y nos permitiran hacer un estudio anaHtico
sencillo con el que se consigue una buena aproximacion al comportamiento
real.
3.2.2 ANALISIS PRELIMINAR. LINEALIDAD DEL BJT EN

PEQUENA SENAL
Primeramente vamos a estudiar el comportamiento de una etapa

alnplificadora con BJT a partir de las graficas y tomaremos para ello el
transistor en emisor comun de la Figura 3.27.
Para realizar un estudio gn'ifico tomaremos las curvas caracteristicas

de entrada y salida (iB-VDE Y ie-VeE) del transistor y dibujaremos la recta
dinamica de carga (ver Figura 3.27).
La senal de entrada hace variar la tension V BE y con ella la corriente

iB. EI valor instantaneo de la corriente ic y la tension VeE se puede ver
trasladan<;io el valor de iB sobre la recta de carga en la grafica de la
caracterfstica de salida.
144
f - - - - - , - - - o Vo
Figura 3.27 Amplificador monoetapa con BJT.
En la Figura 3.28 se han situado sobre la recta de carga dos puntos

A y B simetricos respecto del punto de reposo Q que representan los puntos
extremos de la variaci6n producida en la salida ante una senal de entrada
dada.
iBA
iBA ....................•....... . .... IL=-~~~----- i

Ba
i8Q ................................... .. . lco I'~~==--~~-----
iSB .. .................................... .
l-----;....-~~--- iaB
V8E VCEa
Figura 3.28 Analisis grafico del amplificador monoetapa con BJT.
Midiendo sobre las curvas podemos obtener la evoluci6n de las senales

en el transistor para una entrada senoidal COITIO se observa en la
Figura 3.29.
145
ELECTRONICA ANALOGICA OISCRETA
1·1
Aib
I--'--~v-----Y---
I
1,--___ t
I
L _ _ __.___
Figura 3.29 Relacion entre las seiiales en la configuracion en emisor comull.
El amilisis gnifico tiene una serie de inconvenientes que pasamos a

enumerar:
a) Se hace inviable para circuitos complejos con Inas de un transistor

o que incluyan cOlnponentes pasivos reactivos.
b) Las curvas caracterfsticas s610 son val idas para regimenes estaticos
(continua) 0 en todo caso para variaciones muy lentas (baja frecuencia).
c) S6lo sirve para tratar senales de gran alnplitud debido a la

resoluci6n de las curvas que se disponen.
d) Las curvas caracterfsticas tienen dependencias cruzadas que hacen

dificil calcular los puntos exactos de manera grafica (ej. VCE depende de in
y a su vez iB depende de VCD)'
146
Por todo esto el amilisis grafico no se utiliza salvo para el estudio de

circuitos de potencia (gran sefial) en las cuales las excursiones de sefial son
grandes y no se puede resolver de otra forma. As! en pequefia sefial
utilizaremos circuitos lineales equivalentes al transistor que nos permitiran
un facil tratamiento matematico de los circuitos a cualquier frecuencia.
3.2.3 MODELO DEL TRANSISTOR BJT. PARA.METROS DE

PEQUENA SENAL Y BAJA FRECUENCIA
3.2.3.1 Modelo del transistor BJT en pequelia selial.
Para confeccionar el modele del transistor consideraremos un

cuadripolo lineal activo sin elementos reactivos como el que tenemos en la
Figura 3.30.
~
-....
CUADRIPOLO
. . . -- ~
V1
t
,....
LINEAL
ACTIVO
t
I
~
~ ~
Figura 3.30 Cuadripolo lineal activo.
En el tenemos dos magnitudes de entrada (tensi6n VI y corriente it) Y

dos magnitudes de salida (tensi6n V 2 Y corriente iz). Podemos tOlnar dos
111agnitudes independientes Y las otras dos en funci6n de las anteriores. Con
esto tenemos 6 posibles pares de ecuaciones segun que variables indepen-
dientes escojalnos. De estas vamos a ver las tres Inas representativas:
147
a) Si se toman como magnitudes independientes V1 Y V2 tenelTIOS:
Modelo de panimetros en [gij]

gij representan admitancias.
Figura 3.31 Modelo del cuadripolo con parametros [g].
b) Si se toman como magnitudes independientes il e i2 :
Modelo de panimetros en [Zijl

Zij representan impedancias.
Figura 3.32 Modelo del cuadripolo con parametros [Z].
c) Si se toman como n1agnitudes independientes i l Y v2 •
Modelo de parametros en [hia

hij son parametros hibridos.
148
TEMA 3.- AMPLIFICADORES LINEALES MONOETAPA DE PEQl.JENA SENAL
hll tiene unidades de resistencia.

h22 tiene unidades de conductancia.
h12 y h21 son adimensionales.
-h12
1 rv2
Figura 3.33 Modelo del cuadripolo con parametros [b].
Vz=O
· h11 representa la impedancia de entrada al cuadripolo con la salida en

cortocircuito (V2=0). Se denomina tambien por hi (input).
· h12 representa la ganancia inversa de tension con la entrada en circu ito
abierto (il =0). Se denomina tambien por hr (reverse).
· h21 representa la ganancia directa de corriente con la salida en cortocir-
cuito. Se denomina tambien hf (forward).
· h22 representa la admitancia de salida con la entrada en circuito abierto.
Se denomina tambien ho (output).
Los panimetros hfbridos son los paralnetros de pequefia sefial mas

utiles en el modelo del BJT para baja frecuencia porque pueden Inedirse
facilmente, nos los suelen dar los fabricantes y proporcionan rapida
informacion del comportamiento del circuito. No obstante mediante las
correspondientes matrices de transformacion se pueden obtener los Inodelos
con parametros [g] 0 [Z] a partir de los parametros [h].
149
EI transistor BJT queda modelizado con el cuadripolo activo y lineal

de la Figura 3.34.
i1 ,................................................................... ~ i2
vJI}s-jhl~. hll1[[ft.
I i - hr V 2 l I
o ~ ;
:;. ......................................................................... ;
Figura 3.34 Cuadripolo equivalente del transistor BJT con panimetros [h].
Este circuito equivalente tiene entre otras las siguientes ventajas:
a) Aisla los circuitos de entrada y salida, siendo considerada la

interacci6n entre ellos por dos fuentes controladas.
b) Es facil distinguir entre los circuitos de excitaci6n y de carga. El

circuito de entrada corresponde a un equivalente de Thevenin y el de salida
a un equivalente Norton.
c) EI circuito es el mismo para todas las configuraciones del transistor

(emisor, base 0 colector comun), tan solo calnbian el valor de los parame-
tros h.
d) Se distinguen facilmente los parametros en cada tipo de configura-

ci6n ya que se afiade al subfndice indicativo del panimetro h eorrespondiente
la inieial de la configuraci6n util izada.
En los alnplificadores con BJT podemos utilizar tres configuraciones

distintas segun que terminal se utilice eOlno referencia. Asf distinguimos las
configuraciones en emisor comun, en base COlnun y en colector comtin.
150
TEMA 3.- AMPUFICADORES UNEALES MONOETAPA DE PEQUENA SENAL
La configuraci6n en emisor comun tiene la entrada por la base y

salida por el colector, siendo el emisor conlun a ambas. E1 modelo
equivalente 10 tenemos en la Figura 3.35
o~
+~
ib
1/ ----
ic
ic
0
+
®o-
ib
hie
--©
ic
(Veo
J Voo(
V be '8 Voo hoe
0
- 0 0
®
Figura 3.35 Circuito equivalente del transistor BJT en emisor comun.
y las ecuaciones son:

vbe =h.Ie i b +h re v ce
ic =h.Ie ib+h oe vce
En base comun la entrada se realiza por el emisor y la salida por el

colector. El modelo equivalente esta en la Figura 3.36
V.~ "j:
ie
----
ic
®o--
ie ic
--©
1 ic
~~ Ve .!
0
hob IV cb
@
Figura 3.36 Circuito equivalente del transistor BJT en base comun.

u eb =h ib ie +hrb ucb
ic =h{b ie +hob ucb
151
ELECTR6N1CA ANAL6G1CA DlSCRET A
En colector comun la entrada se realiza por Ia base y la sal ida por el

emisor. EI modele 10 tenemos en la Figura 3.37
ie ib ie
0--
ib
I? -----
~
0 ®o- ~®
V~1
IE +
+~
lVec
J
V IB Vee hoc
be
0 0 0 0
©
Figura 3.37 Circuito equivalente del transistor BJT en colector comun.
vbc = hic ib hrc Vec

ie = hfc ib +hoc Vec
3.2.3.2 Determinacion de los panimetros hibridos a partir de las curvas.
Partiendo de la configuraci6n en emisor comun y observando las

curvas caracterfsticas de entrada vemos que la tension de entrada V BE es
funcion de iB y de VCE. Igualmente de las curvas caracterfsticas de salida
deducimos que ic es funcion de iB Y VeE. Asi tenemos:
(3.44)
Aplicando diferenciales sobre ambos miembros de estas igualdades

podemos escribir:
152
aVBE
dv
BE
=--
IB
a·
(3.25)
vCB=cte iB=cte
Ahora aproximamos las variaciones infinitesilnales por incrementos.
aVBE aVBE
~V =-- LliB + LlVCE
BE a·
IB aVCE
vCE=cte iB=cie
(3.26)
aiC aiC
aiC iliB + AV CE
ai B aV CE
VCE =cte iB=cte
Como los incrementos sobre los val ores instantaneos totales son
iguales a los valores de la sefial alterna, es decir
Av CE =v ce . Ai C =i c . AiB=i b (3.27)
podemos escribir:
BVBE BVBE
=-- +
V
be a·IB ·l
b
aV CE
·V
ce
vce=O ib=O
(3.28)
aiC aiC
ic ·ib + . Vee
BiB BVCE
vce=O ib=O
Comparando estas ecuaciones con las que corresponden al equlvalente

hlbrido en la configuraci6n en emisor comtin podemos establecer las
igualdades siguientes:
153
aV aVBE
h . =BE
- h =-
le a' re av
IB CE
voe=O ib =O
(3.29)
aic aic
hfe = h =--
aiB oe aV
vce=o CE ib=O
Con un planteamiento similar para la configuraci6n en BC se obtiene:
aVEB aVEB
h =-- h =--
ib ai rb av
E vcb=O CB ie =0
(3.30)
aic aic
hfb .= h =--
aiE ob av
Vcb=O CB ie=O
Los panimetros htb y h ib llevan signo negativo porque las corrientes iE

e Ie tienen por convenio sentidos opuestos (ie la tOlnamos entrante e iE
saliente; ver Figura 3.36) y se cUlnple que AiE = -i e •
Igualmente para la configuraci6n en CC nos queda:
aVBC av BC
h. =-- hre =
le a'IB aVEC
vt:£=O it> =0
(3.31)
E ai aiE
h =-- hoc = - - -
fc a'IB aVEC
vt:£=O ib=O
Los paninletros hfc Y hoc l1evan tambien signo negativo por la Inisma
razon anterior,
Ahora nos queda ver como se calculan los va]ores de los panllnetros
hfbridos a partir de las curvas caracterfsticas
154
Panimetro hfc •
EI panimetro hfe se puede expresar como la variaci6n de la corriente

de colector por unidad de variaci6n de Ia corriente de base. Aproximando
las derivadas parciales a cociente de incrementos nos queda:
aiC iC2 -iC1

h =- (3.32)
fe ai iB2 i B1
B VCE =cte VCE =cte
Para tnedir los incrementos sobre la graJica de la Figura 3.38

tomamos dos puntos alrededor del punto de reposo Q can VCE = V CEQ =cte.
Asf tenemos que ~ic =i C2 -ic1 Y ~iB =i B2 -i B1 ·
ic ............................ .
z
~a
iC •.... . •... . .•....•.........

1
Vce"" ete veE
Figura 3.38 Representacion del parametro hr" sobre la curva caracteristica de salida.
Par otro lado como ic e iB estan relacionados linealmente mediante el

factor {3, podemos suponer una relaci6n sitnilar para sus incrementos.
(3.33)
La diferencia entre {3 Y hfe es que el pritnero relaciona los valores

instantaneos totales y hfe relaciona los incrementos alrededor del punto de
fUllcionamiento.
155
Panimetro bfb.
Si expresamos el panlmetro hfb mediante incrementos nos queda:
ai
h =-~ (3.34)
fb ai
E VCB =cte
Aquf el parametro hfb es de valor aproximado a (X al igual que antes

hfe era similar a (3.
Sustituyendo LliE =Lli B + Llic podemos expresar hlb en funcion de h fe •
h = _h_fe_ (3.35)
fb 1 + hfe
El parametro hfb en valor absoluto tiene un valQr muy cercano a la

unidad (Llie :;::: Lli E).
Panimetro hrc.
EI parametro hfc 10 podemos expresar:
- (1 + h ) (3.36)
fe
De la definicion del parametro hoe y de la Figura 3.39 tenemos:
h = aic ~ flic = tg e (3.37)

oe avCE iB =cte
flv
CE iB =cte
156
En la Figura 3.39 vemos que parametro hoe esta relacionado con la

pendiente de las curvas de Ia caracterfstica de salida. As! cuanto mayor sea
esa pendiente mayor sera hoe (equivale a una resistencia mas pequefta).
Figura 3.39 Representacion del parametro hoe'
Un valor tfpico para este parametro es 20 p.,A/V (50 KO).
Panimetro ~b.
EI panimetro hob se define:
(3.38)
y corresponde a la pendiente de las curvas caracterfsticas de salida en base

comun (ic - ven ) que al ser mucho mas planas que las de emisor comun, se
cumple que hob ~ hoe y por tanto hob corresponde a una resistencia mayor
que hoe. Un valor tfpico puede ser 0,5 p.,A/V (2 MO).
157
Panimetro ~c.
Partiendo de la definicion del panimetro hoc y teniendo en cuenta que

Lli E - Llic vemos que hoc z hoe.
h =_ aiE ~ 11 iE (3.39)
oc av 11 !lv
EC iB =cte V CE iB=cte CE
Panimetro l\e
De Ja definicion del panilnetro y a partir de la gnifica de la

Figura 3.40 vemos que esta relacionado con la pendiente de la curva
caracteristica de entrada en el punto de polarizacion y equivale a la
resistencia dinalnica de la union B-E.
<NBE I1vBE
hIe
.=
ai - - = tg <t> (3.40)
B !liB
VeE =cte
V CE = eta
...
Figura 3.40 Representacion grafica del panimetro hie.
158
TEMA 3.- AMPLIFIC'ADORES LINEALES MONOETAPA DE PEQUENA SENAL
Este panimetro tambien se puede ca1cular analfticamente a partir de

la ecuacion de la union base-emisor en el BJT:
V
BE
I. =I .e v- KT (3.41)
B sat
T
VT=-
q
ai
_n_=~eVT=
I VB!! In
(3.42)
aV SE VT VT
Si identificalllOS esta ecuacion con la definicion del paniInetro hie

pOdelllOS escribir:
h.Ie - - -
avBE V T VT PVT
-.--- - --
~
(3.43)
aiB iB IB Ie
Vrn =cte
Tomando IB en lugar de iB podemos ca1cular una aproximacion de hie

a partir de los valores de la corriente de polarizacion.
Para ca1cular VT:
K = 1,38'10-23 lloK (constante de Plank)

q = 1,602'10- 19 C (carga del electron)
T = T a en ° Kelvin.
Con esto tenelllOS que VT = 25 IllV a 17°C y VT = 26 InV a 27°C.
Paranletro ~b.
EI panimetro h ib 10 podelnos expresar:
h :-- EB av avEB m
----- B
(3.44)
ib ai ai ai
E VCB =cte B E VCB =cte
159
aiB 1
donde ~
y ~
(3.45)
ai
B vCB =cte
ai
E vCB =ete
1 +~e
h
ib
~~
1+h
(3.46)
fe
y como h fe ~ 1 se cumple que hib ~ hie'
Panimetro ~c.
A partir de la definicion del panimetro hic se demuestra que hic = hie:
(NBC (NBB
h.=- h.Ie (3.47)
Ie ai ai
B vEC =cte B veE =cte
ya que al ser VEe constante, su derivada es nula.
Expresando el panimetro hre con incrementos tene·mos:
<NBB L1vBB
h =- ~ (3.48)
re avCE iB =cte
L1v
CE iB =ete
Los incrementos se miden en las curvas de la Figura 3.41 con

~VCE =V CE2 -V CEl '
160
V CE1 V CE2
. Q
le= ete .........................................
~~V f-
BE
Figura 3.41 Representaci6n del panimetro h re sobre las curvas caracteristicas.
Este panimetro tiene un valor muy pequeno ya que al estar las curvas
muy proxilnas entre sI, el valor de V BE varia muy poco cuando 10 hace VeE'
Un valor tipico es hre =2·10-4.
El panimetro hrb se define:
h
avEB
=-- (3.49)
rb av
eB iB=cte
Este panilnetro tiene un valor muy pequeno al igual que hrc porque la
variacion de V EB es pequefia en relacion con la de v CB' Un valor tipico es
hrb = 3 . 10-4.
161
ELEC'TRONICA ANALOOICA DISCRET A
Panimetro h rc •
EI panimetro hrc se expresa:
avBC aVBC
h =- ~
rc av ilv
(3.50)
Be iB =cte BC iB =cte
3.2.3.3 Simplificaciones de los circuit os equivalentes con panimetros

In'bridos.
Con objeto de conseguir un circuito mas facil de analizar, se pueden

eliminar aquellos parametros hfbridos que tienen poca influencia en el
resultado. Veamos cuales son para cada una de las configuraciones:
a) En emisor coman podemos eliminar en prilner lugar hre por su

pequeno valor y luego hoe en funcion de las resistencias que tenga el circuito
a la salida.
b) En base coman podemos el iminar igualmente hrb Y hob (que es aun

Inenor que hoe).
c) En colector coman podemos eliminar hoc (de valor similar a hoe).
3.3.2.4 Conversion de parametros hibridos.
En la tabla siguiente tenemos las f6rmulas de converSIon de los

parametros hfbridos para las distintas configuraciones en funci6n de los
parametros en emisor comun que son los mas habituales.
162
parametro hi parametro hr parametro hr parametro ho

E.C. hie h re h re hoe
h. } h)loc h h re_~l h
B.C. h = Ie
1=--- h = __ h =_Qe-
ib 1 +h fe rb l+h re fb h re + 1 ob 1 +h Fe
fe
C.C. hic hie h rc ~1 h fc = - (1 + hfe) ~ -hfe hoc =hoe
3.2.4 CIRCUITO EQUIV ALENTE EN PEQUENA SENAL A UNO

REAL DADO
Hasta ahora hemos visto el circuito hfbrido equivalente a un transistor

en solitario. Para poder analizar un circuito completo con transistores y
otros elelnentos habra que seguir los siguientes pasos.
1) Se identifican para cada transistor los puntos correspondientes a la

base, el emisor y el col ector .
2) Se sustituye el transistor por el circuito hibrido equivalente en la

configuraci6n correspondiente 0 en aquella que resulte mas facil el analisis.
3) Se conectan a los puntos identificados los demas elementos pasivos

y las interconexiones correspondientes.
4) Las fuentes ideales de tension y corriente continua se sustituyen por

cortocircuitos y circuitos abiertos respectivamente y si son reales se
sustituyen por su resistencia de salida equivalente. Los condensadores si son
de alto valor se pueden considerar cortocircuitos a las frecuencias de
trabajo.
163
ELECTRON1CA ANALOmCA DISCRET A
Ejemplo: Hallar el circuito equivalente y la ganancia de tension del

amplificador en emisor comun de la Figura 3.42 despreciando los parame-
tros hre Y hoe Y la reactancia de los condensadores.
Figura 3.42
Solucion: Sustituimos el transistor por su equivalente hfbrido Y la fuente

de tension continua Vcc por un cortocircuito a tierra. Conectamos entonces
las resistencias RB de la base a tierra y RL del colector a tierra y nos queda
el circuito de la Figura 3.43.
...--c_---.-_---o V 0
Figura 3.43
164
(3.51)
h ·R ·V.
v = -h' i .R = _ fe L J (3.52)
o fe b L h.
Ie
(3.53)
3.2.5 ANALISIS DE CIRCUITOS AMPLIFICADORES CON BJT EN

DISTINTAS CONFIGURACIONES.
3.2.5.1 Circuito amplificador en emisor comun.
Comenzarelllos analiz~ndo el circuito amplificador en emisor comtin

de la Figura 3.44.
Tomaremos los siguientes valores de los panimetros hibridos para el

transistor Q 1:
hie =1,5KO hfe = 100 hoe = 10-5 0- 1 •
Omitiremos el ca1culo de la polarizacion del circuito y pasaremos

directamente al amilisis en pequefia sefial, ca1culando la ganancia en tension
(Av), la ganancia de corriente (AJ y las impedancias de entrada y salida
(Zi y Zo)·
165
ELECTRONICA AN ALOGICA DISCRET A
Figura 3.44 Amplificador en emisor comun con BJT.
En primer lugar hemos de obtener e1 circuito equiva1ente con

panlmetros hfbridos siguiendo los pasos citados en 3.2.4. E1 resultado 10
tenemos en 1a Figura 3.45.
ii ·······h;~············································ ........................... j
.----.-------l--.-----.,---o Va
Figura 3.45
Como hre =0 y tomando RB=Rlll R2 =1,8KO podemos simplificar el

circuito equivalente resultando el circuito de la Figura 3.46.
166
hfei b
Figura 3.46
a) Calculo de la ganancia de tension Avo
Como hoe es una admitancia, llamaremos Zoe = hoe- 1 = lOOKO,
h fe '[Zoe II Rc II RL ] == _ 317 ~ 50dB

hje
b) Calculo de la ganancia de corriente AI.
A la salida:
.. hie
A la entrada: i. ,[ RBII h.l e] ==bi 'h.' ~ }'=1 ' - - -
RB Ilh.
I Ie
I b
Ie
167
ELECTRONIC' A ANALOOICA DISCRET A
c) Calculo de la impedancia de entrada Zio
d) Calculo de la impedancia de salida Zoo
Quitamos la carga RL y tras cortocircuitar la entrada colocamos una

fuente Vo en el terminal de salida y medimos la intensidad io (ver
Figura 3.47).
Figura 3.47 Calculo de la impedancia de salida del circuito.
=0 o
ib =i ·[R C II zoe ]
=> Vo
Zo = Vo =R C lizoe =909KO
'
168
Resumen de las caracteristicas de la configuraci6n en emisor cornun.
a) Proporciona simultineamente ganancia de tension y corriente

elevadas.
b) La impedancia de entrada tiene un valor lnedio y no varia con la

carga. La impedancia de salida tiene un valor alto.
c) La sefial de sal ida esta invertida respecto de la entrada (ganancias

negativas)
d) No se comporta bien a altas frecuencias debido a las variaciones

que sufre hfe al subir en frecuencia.
3.2.5.2 Circuito amplificador en base comun.
Partimos de la etapa anlplificadora en base comun de la Figura 3.48

con los siguientes valores de los parametros hfbridos.
(h ie = 1,78KO h fe = 100
I------~ I - - - - r - - - O Vo
Figura 3.48 Etapa amplificadora en base comun.
169
ELECTRONICA AN ALOGICA DlSCRET A
Como los panimetros hfbridos que tenemos son los de la configuraci6n

en emisor comun necesitamos obtener los correspondientes a base comun.
Para ello nos ayudaremos de las formulas de conversion que tenemos en la
tabla de 3.3.2.4.
=-~=-1
h.
h'b = __ Ie_ = 17,60 h
I 1 + hCe fb h +1fe
h. ·h h
h =~-h =0 h oe_=O
= __
rb h +1 re ob 1+ h
fe fc
Ahora queda obtener el circuito equivalente en base comun teniendo

en cuenta que hrb Y hob son nulos. Este circuito 10 tenemos en la
Figura 3.49.
Figura 3.49 Circuito equivalente en base cornun.
a) Calculo de la ganancia de tension Ave
vo = -h tb ·i e ·[R C II RL ] (3.54)
(3.55)
170
Sustituyendo (3.55) en (3.54) podemos calcular Av.
= -12,16=21,7dB
b) Calculo de la ganancia de corriente Ale
.
= -h '1. Rc RE
1 • . i =i.· - - -
L tb e R +R e I R +h
c L E ib
c) Jmpedancia de entrada Zi-
(3.56)
Si la resistencia ~ se considera externa al amplificador (como parte

del generador) tendrelnos:
d) Impedancia de salida Zoe
Para el calculo de la impedancia de salida quitamos la carga,

cortocircuitamos la entrada y conectamos un generador Yo al terminal de
salida como se observa en la Figura 3.50.
171
Figura 3.50 Circuito para el calculo de la impedancia de salida.
i e =0 ~ z o'
= VO =R C =5Kfl
10
La etapa amplificadora en base comun se puede tambien analizar

sustituyendo al transistor por el circuito equivalente con parametros en
emisor comun siempre que se identifiquen los terminales correctamente.
Dicho circuito 10 tenelTIOS en la Figura 3.51.
Figura 3.51 Circuito equivalente con parametros hibridos de emisor comun.
EI lector puede comprobar que el analisis de este circuito lleva a los

miSlTIOS resultados que el analizado anteriormente.
172
Resumen de las caracteristicas de la configuraci6n en base cornun.
a) Proporciona ganancia de tension elevada y ganancia en corriente

Iigeralnente menor que la unidad.
b) La impedancia de entrada es muy baja y la de salida es muy alta.
c) La sefial de salida esta en fase con la de la entrada.
d) Se utiliza para acoplar fuentes de corriente con baja impedancia

de salida con cargas de alta impedancia.
e) . Se cOlnporta mejor a altas frecuencias porque el parametro ex es

bastante constante con Ia frecuencia.
3.2.5.3 Circuito amplificador en colector cornun.
Figura 3.52 Etapa amplificadora en colector comun.
173
ELECTRONICA ANALOGJCA DISCRETA
En la Figura 3.52 tenemos una etapa amplificadora en colector comun

con un transistor PNP cuyos panimetros hfbridos en emisor comun son:
Lo prirnero sera calcular los parametros en colector comun:
hoe = hoe =20'10- 6{1-1
EI circuito equivalente en colector comun 10 tenemos en la

Figura 3.53. Tomamos igualmente Zoe=hoe- 1•
Figura 3.53 Circuito equivalente con parametros en col ector cornun.
a) Calculo de la ganancia de tension Ave
v.-h ·V
i= Ire 0
b v h '[Z II R ]
=> Av =~ = - fe oe L =0,999 < 1
v.I h.Ie - hfe . [Z oe II R L ]
V o == - hfe . i b .[Z oe II RL]
174
TEMA 3. - AMPLIFICADORES LINEALES MONOETAI?A DE PEQUENA SENAL
b) Calculo de la ganancia de corriente AI.
(3.57)
1. = - h.•' Zoe => (3.58)

L fe b Z +R
oc L
Sustituimos (3.58) en (3.57) y podemos calcular:
c) Impedancia de entrada ZjO
En la Figura 3.54 tenemos el circuito de entrada al amplificador. En

este caso se puede ver que deb ido al panimetro hrc la entrada se ve afectada
por el circuito de salida. CalcularelTIos la impedancia de entrada con la
carga RL conectada en la sal ida.
Figura 3.54
175
ELECTRONICA ANALOGlCA DrSCRET A
(3.59)
i =
V. - hrc . V 0 = V. + hrc .hfc . i b . [Z oc II RL ]
I I (3.60)
b h.IC h.IC
. Vi
lb=------- (3.61)
hic - h rc • h fc • [Zoc " R L ]
De (3.59) Y (3.61) tenemos:
li=Vj [~B + h. -h ·h
IC rc
~[Z IIR l]
fc oc L
(3.62)
d) Impedancia de salida Zo.
Calcularemos la ilnpedancia de salida por el Inetodo habitual, con

ayuda del circuito de la Figura 3.55. ValTIOS a calcularla sin quitar la carga
porque esta incluida en el amplificador.
(3.64)
176
Figura 3.55
1
- - - - h-h- = 10,90
v 1 fe re
h i + 0
fe b Z
oe
II RL Zoe" RL hie
Resumen de las caracteristicas de la configuraci6n en colector comun.
a) Proporciona ganancia en corriente elevada y ganancia en tensiop

proxima a la unidad estando la salida en fase con la entrada. Po~
todo esto se Ie llama tambien seguidor de emisor.
b) Tiene una impedancia de entrada elevada y una impedancia de

salida de bajo valor.
c) Se utiliza para acoplar fuentes de tension con impedancia de

salida de alto valor con cargas de baja impedancia.
3.2.6 COMPARACION ENTRE CONFIGURA ClONES
Av AI Zj Zo
E.C. Alta Alta Media Alta
B.C. Alta Baja Baja Alta
C.C. Baja Alta Alta Baja
177
ELECTRONICA ANALOGlCA DISC RET A
3.3 AMPLIFICADORES CON JFET
3.3.1 PARMffiTROS DE PEQUENA SENAL Y CIRCUITOS

EQUIV ALENTES
Al igual que para los transistores bipolares, existe un modelo lineal de

pequefia selial para los transistores de efecto de campo.
Partiremos de las curvas caracterfstica de salida del JFET de canal n

que tenemos en la Figura 3.56.
Redadecarga
/1/
/t.. dln6m1ca
VGS=O
_ _ _~------- VGS2
Figura 3.56 Curvas caracteristicas del transistor JFET de canal n.
Observando estas curvas deducimos que la corriente de colector ins es

funci6n de la tensi6n drenador-fuente Vns Y la tensi6n puerta-fuente VGS. As!
tenemos en la salida la funci6n:
(3.65)
178
En el circuito de puerta (entrada), la relacion es mas sene ilIa puesto

que consideraremos que la corriente de entrada es nula (corresponde a una
union P-N polarizada en inversa) y que no existe una influencia de la
tension de salida en la entrada como ocurrfa en el B1T.
AI igual que hicimos con el transistor B1T podemos aplicar diferencia-

les a la igualdad que tenemos en (3.65).
di DS diDS
'dvGS + 'dv (3.66)
av iN DS
GS VDS =cte DS VGS =cte
(3.67)
Sustituyendo los incrementos sobre los valores instantaneos totales por

el valor de la sefial:
• aiDS aiDS
Ids=-- 'v + - ·v (3.68)
av gs av ds
GS v DS =cte DS vGS =cte
La ecuacion lineal que relaciona ids con vgs Y V ds sera de la forma:

. 1
I
ds
=g m ·Vgs +r- ' Vds (3.69)
d
donde tenemos dos parametros, la transconductancia gm y la resistencia

drenaje-fuente rd' Pasamos aver cada uno de elIos.
179
ELECTRONlCA ANALOGICA DISC RET A
3.3.1.1 Transconductancia gm.
Race referencia a la variac ion de la corriente de drenador cuando

varia la tension puerta-fuente manteniendo la tension drenador-fuente
constante.
~---~~-----------------+-
VGS Vp
Figura 3.57 Significado del parametro g,.. sobre la curva caracteristica.
Vemos que la transconductancia gm equivale a la pendiente de la

tangente a la curva caracteristica iDS-v GS en el punto de polarizacion.
La transconductancia tambien se puede ca1cular analiticamente a partir

de la ecuacion de la corriente de drenador del JFET en la zona de
saturacion.
(3.71)
180
(3.72)
EI valor maximo de gm se da para vos=O y vale:
-2I Dss
I
gm max --y-
p
Los val ores tipicos del parametro gm estan entre 1 +5 mmhos (rnA/V).
3.3.1.2 Resistencia de drenaje-fuente rd.
A partir de la definicion de rd podemos sustituir la operacion de

derivada por un cociente de incrementos:
diDS
(3.73)
ilv
DS vGs=cte
A partir de la Figura 3.58 podemos escribir:
1
= tga; (3.74)
r ilv
d DS Vos=cte
Asi vemos que el valor de r d es la inversa de la pendiente de las

curvas de la caracterfstica de salida y como estas son muy planas el valor
de rd es elevado.
Los val ores tipicos de rd son 1 +50KO en los MOSFET y 0.1 + IMO
en los IFET.
181
ELECTRONICA ANALOG1CA DISCRET A
~========~========~~==~
--:-AVoS-~
Vos
Figura 3.58 Significado del parametro r d sobre la curva caracteristica.
3.3.1.3 Circuitos equivalentes del JFET en pequefia sefial.
El circuito equivalente al JFET utilizando los panimetros estudiados

anteriormente tiene la forma de la Figura 3.59.
G D
o
s
Figura 3.59 Modelo del JFET en pequeiia seiial.
Se puede observar que el circuito de salida es similar al del BJT donde

hay una fuente de corriente controlada y una resistencia de salida. La
diferencia esta en que la fuente del JFET es controlada por tension en lugar
de por corriente.
182
El circuito de entrada es sin embargo mucho mas simple en el caso

del JFET al tener una impedancia de entrada muy alta (ig = 0) y carecer del
efecto que producia Ia tension de sal ida sobre la entrada en el BJT
(parametro h r).
Una variacion de este modelo la tenemos en la Figura 3.60donde se

ha hecho la conversion del circuito equivalente Norton en un equivalente de
Thevenin donde p. = gm ·rd.
G
o
s
Figura 3.60 Variante del modelo del JFET en pequeiia seiial.
Al !J. se Ie llama factor de amplificacion y se define:
OvDS
lJ. = - - (3.75)
OvGS
iDS =cte
Las configuraciones posibles en los amplificadores basados en JFET

son:
a) Fuente comtin (SC).
b) Drenador comtin (DC).
c) Puerta comtin (GC).
En todas elIas se utiliza el mismo modelo visto anteriormente.
183
3.3.2 ESTUDIO DE UNA ETAPA EN FUENTE COMUN (SC)
Esta configuraci6n es analoga a la configuraci6n en emisor comun del

BJT. Utilizaremos el circuito amplificador con JFET de la Figura 3.61.
Vee
t----o V 0 1
Figura 3.61 Etapa amplificadora con JFET en fuente comun.
Como se trata de configuraci6n en fuente comun, la entrada se efectua

por la puerta y la sal ida se toma en el drenador.
En este caso no existe resistencia de generador pero aunque asf fuera

no influiria demasiado porque la resistencia Ro suele tener valores cercanos
al MO y por tanto en general se cumple que Rg <{ Ro.
EI primer paso para proceder al analisis del circuito es obtener el

equivalente en pequena senal que 10 tenemos en la Figura 3.62.
(3.76)
i·R +(i d -g m 'vgs)'r d +i d ·RS =0 (3.77)

d D
184
Id
.-------,~-~__,_--o Vd - V01
Figura 3.62 Circuito equivalente en pequefia sefial.
(3.78)
(3.79)
Sustituyendo (3.79) en (3.78) y tomando It=gm"r d "
(3.80)
De (3.80) Y (3.76) podemos obtener Av.
(3.81)
Como Av < 0 la senal de sal ida vol esta invertida con respecto a la
entrada.
b) Impedancia de entrada.
EI calculo de la impedancia de entrada es inmediato:
185
c) Impedancia de salida.
Para calcular la impedancia de salida utilizarelTIOS el circuito de la

Figura 3.63.
Figura 3.63 Circuito para calcular Zoo
Para facil itar los calculos vamos a transformar la fuente de corriente

controlada en una fuente de tension (eq. Thevenin) quedando el circuito de
la Figura 3.64.
Figura 3.64 Circuito transformado para el caiculo de Zoo
. . vo (3.82)
I =l J + -
o R
D
186
TEMA 3.- AMPLIFICADORES LINEALES MONOETAPA DE PEQUENA SEN-AL
. V 0 + gm r d V gs
1=---- (3.83)
d iRS + rd
(3.84)
Sustituyendo (3.84) en (3.83) y despejando id tenemos:
(3.85)
Con (3.85) Y (3.82) obtenemos el valor de Zoo
Z -- V
-0_
-
Vo V0 1
0 (3.86)
I0 V V0 v 1
id + - 0 +_0 +-
RD rd + (1 + /-t) Rs RD r d + (1 + Il) Rs RD
(3.87)
3.3.2 ESTUDIO DE UNA ETAPA EN DRENADOR COMirN (DC)
El circuito que ValTIOS a analizar 10 tenemos en Ia Figura 3.65.

Corresponde al mismo circuito analizado anteriornlente pero en este caso la
salida (v02 ) se toma de la fuente (drenador COlTIUn).
El primer paso es el de obtener el circuito equivalente que 10 tenemos

en la Figura 3.66 que 16gicalTIente es identico al del caso anterior.
187
V02
Figura 3.65 Etapa amplificadora con JFET en drenador comun.
id
r---.--~----.-~ ~
Figura 3.66 Circuito equivalente en pequeiia sefial.
(3.88)
Aprovechando que en (3.78) tenemos el valor de id •
. rd (3.89)
I =g ·v v =g ·v
d m gs r + R +R 02 m gs r +R +R
d D S d D S
(3.90)
188
TEMA 3.- AMPLIFICADORES LINEALES MONOET APA DE PEQUENA SENAL
rdRS
g 'V
m gs r d + RD + RS g r R
AV = V 2 = _________ = ___--::::-_
0 m d S_--::::-- (3.91)
Vi rd _ _
V +g 'V _ _
gs m gs r +R +R
d D S
(3.92)
Como p.. toma val ores grandes la ganancia en tension es proxima a la

unidad como ocurria con Ia configuracion en colector comun del BJT. Es
por eso que a esta configuracion se Ie conoce tambien como seguidor de
fuente.
b) Impedancia de entrada.
V.
z. =~ =RG
I •
(3.93)
Ii
c) Impedancia de salida.
Para el calculo de la impedancia util izamos el circuito de la

Figura 3.67 en el que cambiamos la fuente de corriente por su equivalente
de Thevenin (Figura 3.68) con objeto de simplificar el analisis.
189
Figura 3.67 Circuito para calcular Zoo
Figura 3.68 Circuito transformado para el calculo de Zoo
i o = i 1 + i2 (3.94)
v gs =v-v=-v (3.95)
g S 02
. v02
11- -- (3.96)
Rs
Sustituyendo (3.96) en (3.94) obtenemos:
• V 02
1 =- + V 02 ( 1+ p. ) =V -
02 V 02
+ -____
o Rs r d + RD Rs r d + RD (3.97)
1+p.
190
TEMA 3.- AMPLIFICADORES LINEALES MONOET APA DE PEQUENA SENAL
(3.98)
Al ser el factor p. elevado, la impedancia de salida de esta configura

cion es muy baja.
3.4 RESUMEN COMPARATIVO DE AMPLIFICADORES

CON TRANSISTORES BJT Y JFET
Analizando las caracteristicas que ofrecen cada una de las configura-

ciones de los transistores BJT y JFET podemos establecer analogfas entre
elIas. Asf podemos comparar:
COLECTOR eoMill~ DRENADOR COMirN

BASE COMirN PUERTA COMUN
EMISOR eOMUN FUENTE eoMON
Aunque su cOlnportamientos son similares, los model os de los

transistores BJT y JFET presentan ciertas diferencias tanto en los circuitos
de entrada como en los de sal ida. Las caracteristicas que ofrecen son
distintas y dependeni de la aplicacion particular la que condicionani el
utilizar uno u otro tipo de transistor.
191
a) Circuito de entrada
Los circuitos de entrada de los lTIodelos de cada tipo de transistor los

tenemos en las Figuras 3.69 y 3.70.
G
0-----40
v·I I
I
I
I s
o~--
Figura 3.69 Circuito de entrada del BJT. Figura 3.70 Circuito de entrada del JFET.
En el circuito de entrada del BJT existe una influencia de la tension

de salida representada por una fuente dependiente de tension (h re). Asimismo
tenemos una resistencia dinamica (hie) de un valor relativamente bajo.
Por el contrario el circuito de entrada del JFET la puerta esta aislada

ofreciendo una alta impedancia de entrada y ademas no existe influencia de
la salida.
Todo esto hace que la impedancia de entrada de un amplificador can

BJT sea del orden del KO y en el caso del JFET del orden del MO (a partir
del modelo aislado se ve que es muy alta pero hay que tener en cuenta la
red de polarizacion).
Can estos datos podemos ver que la entrada del JFET se acerca mas
a la de un amplificador de tension ideal.
192
b) Circuito de salida
Los circuitos de salida correspondientes a los modelos del BJT y del

JFET los tenemos en las Figuras 3.71 y 3.72.
c o
...-----,.---0 ...----r----O
E s
Figura 3.71 Circuito de salida del BJT. Figura 3.72 Circuito de salida del JFET.
VelTIOS que en el BJT corresponde a una fuente de corriente depen-

diente de corriente y en el JFET a una fuente de corriente dependiente de
tension.
La impedancia de salida corrrespondiente al JFET es mayor que en el

BJT (rd> hoe-I). Esto se puede ver observando las curvas caracteristicas de
sal ida que son en general mas "horizontales" en el JFET.
Con todo esto vemos que los amplificadores con JFET ofrecen en
general lTIejores caracterfsticas que los realizados con BJT sin elnbargo esto
es cierto para bajas frecuencias. Los JFET de uso general presentan
capacidades panlsitas de mayor valor que los BJT y por tanto hacen que a
altas frecuencias empeora su comportamiento. No obstante existen en el
nlercado transistores JFET especfficos para altas frecuencias aunque a un
precio superior a los BJT con caracterfsticas equivalentes.
193
3.5 MODELOS DE ALTA FRECUENCIA
Hasta ahora el estudio que hemos hecho de los circuitos con

transistores solo sirve en la gama de frecuencias que denominamos frecuen-
cias medias. Sin embargo el limite superior de la respuesta en frecuencia de
los dispositivos viene determinado por la existencia de capacidades parasitas
internas que aunque de pequeno valor van ganando importancia conforme
subimos en frecuencia.
Veremos que los modelos utilizados en apartados anteriores son

insuficientes para analizar los efectos que se producen a altas frecuencias y
se propondran otros mas completos, tanto para el BJT como para el JFET.
3.5.1 MODELO EN PI DEL BJT EN ALTA FRECUENCIA.
Para el estudio a altas frecuencias de circuitos con transistores BJT

utilizaremos el modelo hfbrido en pi. EI nombre de dicho model0 se debe
a que la topologia del circuito se asemeja a la letra g,riega 7r.
El circuito equivalente en pi para frecuencias medias 10 tenemos en la

Figura 3.73
B rbb,· rx B' c
Figura 3.73 Modelo en 11' para frecuencias medias.
194
TEMA 3.- AMPLIFIGADORES LINEALES MONOETAPA DE PEQUENA SENAL
En el circuito el punto B se corresponde con el terminal rno de

base y B' se corresponde con la union de base que no es accesirJIc ucsde el
exterior. Entre ambos puntos tenemos rbb=r x que representa fa resistencia
del contacto 6hmico en la base y su val ores tipicos estan entre lOy 100 {}.
EI parametro r corresponde con la resistencia de sal ida, r p. es la

0
resistencia existente entre el colector y la base que generalmente es de valor

muy alto (rJ!~oo) y r1l" es la resistencia entre la union de base y el emisor.
Tambien podemos ver que la fuente de corriente esta controlada por

la tension V1l"=V b'e en lugar de por corriente.
Con todo esto trataremos de ver la relacion entre este circuito y el de

parametros hibridos en emisor comon. Suponiendo r Il = 00 podemos escribir:
(3.99)
Teniendo en cuenta que las fuentes controladas de corriente de los dos

model os suministran la misma corriente.
i h
g =h ~=--.!": (3.100)
m fe V r
11" 11"
Para las resistencias ro Y r1l" tomamos:
1 (3.101)
r =- y
o h
oe
A aItas frecuencias hay que tener en cuenta las capacidades panisitas

existentes entre los terminales del transistor (Figura 3.74) y por tanto
tendran que estar presentes en el circuito equivalente.
195
C~~ .......)"""""'\
:H
~. . ~
~ C
.; oa
1/
C ~.................. /
be
Figura 3.74 Capacidades parasitas del transistor BJT.
Figura 3.75 Modelo en 1(' para alta frecuencia.
El circuito de la Figura 3.75 se denomina modelo en pi para alta

frecuencia. En el podemos distinguir las siguientes capacidades:
Cb'c=CIl es la capacidad de salida en base comtin con la entrada

abierta (IE =0) y tambien se designa como Cob'
Cb'e = C'/I" es la capacidad de entrada en base comun con la sal ida

abierta (Ic =0) Y talnbien se designa como C ib .
Cce es la, capacidad existente entre el col ector y el emisor. Su valor es

muy pequeno y a menudo se desprecia.
Val ores tfpicos para un BJT de uso general: C~=3pF y C'/I"=100pF.
196
La respuesta del transistor a altas frecuencias viene determinada por

el valor de las capacidades panisitas existentes. Definirnos la frecuencia de
corte del transistor (fp) como la frecuencia para la que la ganancia de
corriente con la salida en cortocircuito (Figura 3.76) disminuye en 3 dB.
Figura 3.76 Circuito ut,iiizado para cakular f p•
I
A I = -:-L (3.102)
Ii
V V11"
1. = ____11"-----:;._ _ =
I 1 r 11"
rJ jw(C. +C,) l+J'w(C +C)r
I-'
11" 11"
AI =
w (3.104)
1 +j-
w(3
(3.105)
A Inenudo el fabricante del transislor nos da el paralnetro fT que se

define como la frecuencia para la cuaI la ganancia de corriente con salida
en cortocircuito llega a ser la unidad. Esto ocurrira cuando:
197
w h (C +C )
hfe = 11 + j T fe 7r p. (3.106)
gm
2 w~ h~(C +C )2
h fe = 1 + 2
:7r P. (3.107)
gm
- -wh"Le (C +C p. ) z _ __ gm
hf e T-----
11" W (3.108)
gm T C +C
11" P.
(3.109)
En los sistemas electr6nicos de amplificaci6n 'el producto ganancia por

ancho de banda se mantiene constante, es decir que si queremos para un
sistema dado aumentar el ancho de banda sera a costa de reducir la ganancia
y viceversa. Como fT es el ancho de banda para ganancia de corriente
unidad podemos establecer la relaci6n siguiente
A I . Ll B = 1. f T = cte (3.110)
De esta manera conociendo el parametro fT de un determinado

transistor podemos ca1cular el ancho de banda que podremos cubrir para una
ga-nancia deterrninada 0 bien la ganancia que se puede alcanzar para ur.
ancho de banda determinado.
198
3.5.1.1 Teorema de Miller.
El modelo en pi para alta frecuencia que tenemos en la Figura 3.75

tiene el inconveniente de que su amllisis se hace complicado por la
capacidad e'xistente entre el colector y la base (C p ). Para simplificar este
circuito utilizaremos la aproximacion de Miller basada en el teorema de
Miller.
Si tenemos dos nudos (1 y 2) interconectados por una impedancia Z

(Figura 3.77-a) y conocemos ]a relaci6n existente entre las tensiones de
ambos nudos con respecto de un tercero (0) que se toma de referencia (no
necesariamente conectado a tierra) podemos sustituir la impedancia Z por
otras dos, Zt Y Z2 conectadas respectivamente entre cada uno de los nudos
y el nudo de referencia (Figura 3.77-b) y cuyos valores seran:
Z v
Zt = - - - y Z = Z con K =~ (3.111)
l-K 2 1 - (11K) VI
Z
c::=J-
1 ! ---P-
i
b2 1 2
Z,
0
*i o
l
a) b)
Figura 3.77 Teorema de Miller.
199
Demostracion:
. V,-V 2 v1 (1-K)
De a) 1=--= ---
Z Z Z
l-K
. V/. -VI
1=---
Z z
l-(l/K)
De b)
. VI
1=- ~ Z=~
Z1 1 l-K
.
1=---
V,.,
~ Z =
Z
Z2 2 1 ( 11K)
Ejempio: Obtener el circuito equivalente a altas frecuencias de la

Figura 3.78 Y aplicar la aproximacion de Miller.
Figura 3.78
200
El circuito equivalente a alta frecuencia del circuito de la Figura 3.78

se obtiene sustituyendo el transistor por su nlodelo equivalente de la
Figura 3.75. E1 resultado queda en la Figura 3.79.
Figura 3.79 Circuito equivaiente para altas frecuencias.
Como este circuito resulta dificil de analizar por el condensador C~t

situado entre C y B', aplicaremos el teorema de Miller y desdoblaretTIos el
citado condensador en otros dos, uno entre B' y E y otro entre eyE. Para
hacer esto necesitamos conocer el valor de K.
v (3.112)
K =--==-
vb/e
Como el factor K a altas frecuencias depende a su vez de la frecuencia

y del valor C ft , aplicaremos la aprOXilTIacion de Miller que consiste en
calcular K a frecuencias medias y extenderla para todas las frecuencias. El
circuito equivalente a frecuencias rnedias 10 tenernos en la Figura 3.80.
Figura 3.80 Circuito equivalente en para frecuencias medias.
201
(3.113)
Una vez obtenido el valor de K podemos sustituir el condensador CJL
por los condensadores C 1 Y C2 como se observa en la Figura 3.81.
Figura 3.81 Circuito equivalente tras aplicar la aproximacion de Miller.
EI valor de los citados condensadores se puede obtener teniendo en

cuenta:
Z=_I_ (3.114)
jwC JL
C I =Cit ( 1 - K) =CJL [1 + gm ( RL II r 0) ]
(3.115)
EI condensador equivalente entre B' y E sera CT=C'll" +C 1 ,
Al aplicar la aproximacion de Miller se comete un pequeno error en

el calculo de la frecuencia de corte superior que esta entre un 5 y un 10%.
202
3.5.2 MODELO DEL JFET EN ALTA FRECUENCIA
Para obtener un modelo en alta frecuencia del JFET se deben

considerar las capacidades parasitas existentes entre los terminales. Asi
tenemos la capacidad puerta-fuente Cgs , la capacidad puerta-drenador C gd ,
y la capacidad drenador-fuente Cds' De esta forma el circuito equivalente
nos queda como se observa en la Figura 3.82.
o
G
o-----][~----~~----~--~-- __ --~
~s ~
s
Figura 3.82 Circuito equivalente al JFET a alta frecuencia.
La existencia de la capacidad C gd dificulta los calculos con este

modelo y por eso tambien aqui podemos aplicar la aproximacion de Miller
para desdoblar este condensador en otros dos (Figura 3.83),
(3.116)
(3.117)
C//=C [l-J.]
gd gd }(
(3.118)
203
G D
o-c-r,-----,l_
gs
C'
gd Gil
gd
s
Figura 3.83 Circuito equivalente tf3S aplicar la aproximacion de Miller.
Agrupando condensadores a la entrada y a la sal ida nos queda el

equivalente de la Figura 3.84.
(3.119)
G
0=--_ o
s
Figura 3.84
204
TEMA 3.- AMPUFICADORES LINEALES MONOET AP A DE PEQUENA SENAL
BIBLIOGRAFiA
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Tema 6. Marcombo 1985.
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(5) Sedra A. ISmith K.C. Dispositivos Electr6nicos y Amplificadores de

Senales. Temas 10 y 11. McGraw-Hill 1989.
(6) Malvino A. Principios de Electr6nica. McGraw-Hill 1994.
205
TEMA4
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
,
4.1 INTRODUCCION
4.1.1 NECESIDAD DE CONEXION ENTRE ETAPAS
En el tema anterior se han visto las caracteristicas principales de un

amplificador (Av, AI, Zj, Zo, B,~ .. ). Resulta bastante comtin que con un
tinieo amplificador como los tratados en el tema anterior, constituido por un
componente actIvo, no se consigan las caracteristicas deseables en una
aplicacion dada. Es por ella que la mayoria de amplificadores, bien a base
de componentes discretos y mas aun en forma integrada, esten formados por
la conexi6n en cascada de varios amplificadores monoetapa dando lugar a
10 que denominaremos amplificador multietapa. Asf, por ejemplo si en una
aplicacion se desean Av Y Zj altas y los dispositivos activos a emplear son
BJT, se podrian conseguir dichas caracteristicas con la conexi6n en cascada
de una etapa previa en Colector Comun (Zj alta), y una en Emisor Comlln
(Av alta). De forma que en el analisis y disefio de muchas aplicaci9nes se
pueden aprovechar las caracterfsticas conocidas de las configuraciones
basieas. Ademas existen determinadas combinaciones de configuraciones
basieas de dos transistores que proporcionan propiedades extraordinarias al
amplificador resultante, empleandose el mismo como subcircuito compuesto,
cabe destacar la conhguracion Darlington. configuracion cascodo y la
configuracion diferencial, esta ultima sera tratada en un tema especffieo.
4.1.2 GANANCIA DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA.
Por el hecho de conectar varios amplificadores en cascada se tendra que

la ganancia del conjunto sera inferior al producto de ganancias que tendrfan
los mismos operando de forma aislada.
Ello se debe al efecto de carga que se tiene entre etapas puesto que las
Impedancias de entrada y salida de cada amplificador no son ideales. Para
207
ilustrarlo, consideremos un alnplificador de tension, Figura 4.1, fonnado

por tres etapas, en el que se han inc1uido la fuente de sefial y la carga.
Figura 4.1 Amplificador de tension formado por tres etapas.
La ganancia de tension del amplificador sera
Vo Vo v03 Vi3 v 02 Vi2 vol ViI

Ay = (4.1)
Vg Vo3 Vi3 V02 Va Vol Vii Vg
Observese que los faetores de la forma Vok/V ilo son la gananeia de tension
de ]a etapa k (A yk) en vaclo, el resto de faetores tienen la forma de un
divisor de tensi6n formado por la impedancia de salida de una etapa eon la
impedancia de entrada de la siguiente
ZL Zi3 A Z'2 A (4.2)

Ay = Ay" Z +Z
1
Z 03 +Z L .) Z +Z Y2 YI
i3 02 i2 01
(4.3)
En la expresi6n 4.3, los AVk"" incluyen los efectos de carga de la siguiente

etapa, siendo por tanto menores a sus respectivos A Vk '
De forma analoga, si hubieramos considerado un amplificador de

corriente 0 de potencia tendrfamos una disminuci6n de las respect!vas
ganancias respecto de los mnplificadores individuales que 10 componen.
Estos efectos se deben tener en cuenta en el disefio de un amplifieador.
208
TEMA 4.- AMPLlFICADORES MULTIETAPA
Es evidente que la fuente de sefial 0 transductor, y la carga, talnbien

son decisivos en el disefio un amplificador, pues habra que adecuar las
caracterfsticas del amplificador a las caracterfsticas de las mismas. Por
ejemplo si la salida de un transductor es por corriente, la impedancia de
entrada de la primera etapa debe ser minima; si el niveI de sefial que
proporciona el transductor es debil, la amplificaci6n debe ser elevada; la
carga p.e. un altavoz, u otro ampl ificador, tendnl unas caracterfsticas
nominales maximas que no deben ser excedidas, la distorsi6n lineal y no
lineal del amplificador debeni ser minima de forma que la sefial del
transductor se tenga amplificada en la carga con la maxima fidelidad.
Con estas consideraciones expuestas, junto con otras que se iran viendo
en este tema y otras como el ruido 1 , a partir de las configuraciones basicas
vistas en el tema anterior (EC, CC, BC Y sus hom610gas para PET) y otras
que veremos (configuraci6n Darlington, Cascodo, Diferencial) debenin ser
combinadas para obtener las caracterfsticas del amplificador que se deseen.
4.1.3 TIPOS DE ACOPLAMIENTO.
Existen varias form as de acoplar etapas. Las clasificaremos en dos

bloques, acopiamiento en continua y acoplamiento en alterna.
EI acoplamiento en continua tambien Hamado acoplo directo permite la

amplificaci6n de sefiales continuas, siendo por tanto nula su frecuencia
inferior de corte. Los amplificadores resultantes con este tipo de
acoplamiento se les llama amplificadores de continua. Este tipo de
amplificadores senin tratados en el apartado 4.3 de este tema.
EI acoplamiento en alterna puede ser de dos tipos, acoplo capacitivo y

acoplamiento por trans/ormador en funci6n del elemento empleado para
efectuar el acoplo, en cualquier caso la funci6n de dichos elementos es
bloquear de la componente continua, p.e. la propia de polarizaci6n, y dejar
1 Tema 4. Electronica Analogica Integrada. Perez et alt. SPUPV-95965
209
pasar la componente alterna de la sefial. Por tanto, a diferencia del acopio

directo, la frecuencia inferior de corte con este tipo de acoplamiento deja
de ser nula, y en muchos casos viene impuesta por los condensadores 0
transformadores empleados como elementos de acoplamiento, Inientras que
en otros, tambien puede venir dada por otros elemf'ntl)S reactivos como los
condensadores de desacoplo.
El acopiainiento por condensador, es el mas sencillo y utilizado en

amplificadores de banda ancha de baja frecuencia. Los amplificadores en los
que se emplea el tipo de acoplamiento por condensador se les denomina
amplijicadores RC y se trataran en el apartado 4.2 de este telna.
Entre las ventajas que aporta el acoplamiento por transformador cabe

destacar la adaptaci6n de ilnpedancias, si la relaci6n de transformaci6n es
adecuada, y el aumento del margen dinamico y por tanto el renditniento. El
principal inconveniente es que el transfonnador, en general, es un
componente caro, y en consecuencia su uso se ve bastante restringido. Unos
ejelnplos tfpicos de util izaci6n son en amplificadores de alta frecuencia, p.e.
sintonizados, y en amplificadores de potencia de audio entre la etapas de
salida y la carga, altavoz.
-l
c)
b)
Figura 4.2 Ejemplos de acoplamiento entre amplificadores.
210
TEMA 4.- AMPLIFICADORESMULTIETAPA.
En la Figura 4.2 se muestran distintos ejemplos de los tipos de

acoplamiento expuestos, en los esquemas a) y b) representan etapas con
acoplo directo, c) un amplificador RC y d) con acoplo por transformador.
4.2 ACOPLAMIENTO CAPACITIVO ENTRE ETAPAS
4.2.1 RESPUESTA EN FRECUENCIA
EI ancho de banda B, de un amplificador resultante de co nectar en

cascada varias etapas resulta inferior que el de cada una de las etapas que
10 componen. Para ilustrar este hecho, considerelTIOS un amplificador con
11 etapas identicas entre sf, supongamos que la impedancia de entrada y de
salida de cada etapa es tal que una etapa no se ve cargada por la siguiente,
y que la ganancia A, de cada etapa viene dada por la expresi6n 4.4, donde
fj y f~ son las frecuencias inferior y superior de corte de cada amplificador.
La respuesta en frecuencia de cada etapa esta representada en la Figura 4.3
en trazo continuo.
jf / fj
A = A0
.f .f (4.4)
1 +J- 1 +J-
f.1 f S
~.~
A(dB)
A~ldB ~
~
.':.... ,
/
~ i I : \
, I
I
I ,
i ,, J
I
i
I ,
\
\
\
j/ ;~N
: \
: \
,
/! : ~
Figura 4.3 Respuesta en frecuencia.
211
Si consideramos n etapas de este tipo para alta frecuencia (AF) el

modulo de la ganancia vendra dada por
lAo In
IAT IAF = ---r==============- (4.5)
la frecuencia superior de corte del amplificador (f~T)' se obtendra de
= -r============~ (4.6)
despejando fsT' en la expresion anterior
f sT = fs J2~ - 1
(4.7)
de donde se deduce que conforme aumente el numero de etapas va a

disminuir la frecuencia superior de corte.
Si consideramos las n etapas en baja frecuencia (BF),
A=A o = (4.8)
.f
1 +J-
f. I
el modulo de la ganancia vendra dada por
(4.9)
212
TEMA 4.- AMPLIFICADORES MULTIETAPA
la obtenci6n de la frecuencia inferior de corte del amplificador (~T)' se hani

a partir de
(4.10)
despejando fiT en la expresi6n anterior
fi
(T = (4.11)
J 2~ - 1
de donde se deduce que conforme aumente el numero de etapas la

frecuencia inferior de corte va a aumentar.
En el caso que las etapas no fueran identicas, habria que obtener la

expresi6n total de la ganancia en funci6n de la frecuencia e identificar las
frecuencias dominantes en alta y baja frecuencia, entendiendo por
frecuencias dominantes aquellas que definen el ancho de banda. Un estudio
riguroso demostrarfa que el resto de polos y ceros tenderian a disminuir el
ancho de banda dado por dichas frecuencias dominantes, y esta influencia
sera tanto mayor cuanto menos distaran entre sf. Hay que advertir que en
el caso de existir cancelacion de polos y ceros en las frecuencias
dominantes, el ancho de banda se veria incrementado, precisamente esta es
una tecnica de aumento del ancho de banda.
Un estudio de este tipo resulta extremadamente tedioso para un numero

no muy alto de etapas, por ella en Ia practica Ia simulaci6n mediante
ordenador es una herramienta fundamental para abordar este tipo de
problemas.
En definitiva esta reducci6n del ancho de banda es otro condicionante

mas a considerar en el disefio de un amplificador de varias etapas.
213
4.2.2 MARGEN DINA.MICO
Se entiende por margen dinamico del amplificador, la maxima sefial de

salida que puede manejar sin distorsi6n apreciable. El margen dinalnico 0
maxima excursi6n se obtiene estudiando la recta de carga dinamica en las
caracterfsticas de salida de los transistores que forman las distintas etapas.
Ejercicio 4.1 Obtener el margen dinamico y la maxima entrada sin

distorsi6n del amplificador con acoplo por condensador de la Figura 4.4.
(EC-EC)
Figura 4.4 Amplificador formado por dos eta pas en EC.
(Datos: Vcc= 12 V; C= 33 l1F; Rg =600 0; RL =600 0; Tl =T2 ;

V BE =0,6 V; (3=h fe = 100; R, =47 kO; R2=47 kO; RCI = 1,5 kO; REI =2 ,2
kO; R3=82 kO; R4=33 kG; RC2=1 kG; RE2=1 kG)
Solucion
La forma de operar sera la siguiente: en principio obtendremos las
condiciones de polarizaci6n de las dos etapas, tendrelTIOS pues el punto de
funcionamiento de ambos transistores . Tras realizar este estudio pasaremos
a anal izar de forma separada alnbas etapas en condiciones de sefial, en un
rango de frecuencias contenido en la banda pasante del amplificador por
tanto considerarelTIOS nula la ilnpedancia que presentan los condensadores
214
e infinita las capacidades panlsitas de los transistores. Inc1uiremos en las

etapas los posibles efectos de carga existentes, como por ejemplo la
impedancia de entrada de la segunda etapa, dado que es una carga efectiva
para la primera, cOlno tambien 10 es RL para la segunda. De esta fonna
estaremos en condiciones de representar la recta de carga dimlmica, y
obtener las maximas excursiones en las Inismas. Todo ello junto con el
factor de amplificaci6n de cada etapa hara que podamos identificar cual de
las dos etapas entra antes en condiciones de no linealidad 0 distorsi6n, y por
tanto ya tendremos de forma facil el margen dinamico es decir maxima
salida sin distorsi6n y la entrada para la cual se produce.
a) Polarizaci6n.
~ 1a etapa.
Aplicando Thevenin y con las ecuaciones del transistor, se obtiene
de la malla de base (vease Figura 4.5)
(4.12)
Vee.
!
:>> RC1
RS1 'j
V,, -- "\JV'---i~ T1
'
l~
:~ RE1
!i
.--l-
Figura 4.5 Polarizaci6n de una etapa en EC.
Sustituyendo valores en la ecuaci6n anterior se tiene IBQl = 22 JlA, por tanto

ICQl= 2,2 InA y hiel = 25 mV/22 JlA = 1,14 kO,
215
De la malla de colector
(4.13)
Sustituyendo val ores se tiene VCEQ1 = 3,82 V.

EI punto de funcionamiento del transistor TI es Ql( 3,82 V; 2,2 InA) .
.. 2 a e~pa.
Procediendo de forma totalmente analoga: IBQ2 = 23 p.A, ICQ2 = 2,3 rnA,
V CEQ2 = 7,4 V Y hie2 = 1,09 kO. Qi 7,4 V; 2,3 InA).
b) A efectos de serial
t"\e2
Figura 4.6 Circuito en pequeiia seiial.
.. 1a etapa.
=
h' l ) + h. (4.14)
R (1 + _I_e
g. RIel
Bl
con Zie2 ~ RB211 hie2 , sustituyendo valores se tiene AY1 = -35 .
.. 2 a etapa.
sustituyendo val ores en la expresi6n 4.15 queda Ay'l = -34.4
216
TEMA 4.- AMPLlFICADORESMULTIETAPA
hfe2 (R L II R C2)
(4.15)
h ie2
c) Rectas de carga dinalnicas.
~ 1a etapa.
1
( V CEl - V CEQl) (4.16)
ReI II Ze2
para su representaci6n, sustituirernos val ores en la expresion anterior y

obtendrernos los puntas de corte can los ejes A1 y Bl .
At( 5,17 V; 0 rnA) y B t( 0 V; 8,41 rnA).
La recta de carga dinarnica de la primera etapa se ha representado en
la Figura 4.7.
2,20 + ...........................'&:Q,
3,82 5,17 VCE1 [V]
Figura 4.7 Recta de carga dinamica.
~ 2 a etapa.
Analogarnente
(4.17)
Los puntas de corte con los ejes son

Ai 8,26 V; 0 rnA) B2( 0 V; 22 rnA).
217
ELECTRONICA ANALOOIC'A DISCRETA
La recta de carga dimimica de la segunda etapa se ha representado en

la Figura 4.8.
2,30
VCE2 [V]
Figura 4.8 Recta de carga dinamica.
d) Maximas excursiones.
~ 1 a etapa.
Del circuito de la Figura 4.6 se tiene que la tensi6n de salida de la
primera etapa es
(4.18)
De la recta de carga dinamica, la corriente de salida maXIma sin

distorsi6n es iclmax = 4,4 n1App, por 10 que la salida Inaxima de la primera
etapa sin distorsi6n sera
v Amax= 4,4 mApp . 0,62 kO = 2,73 Vpp.
Esta salida se produce para una entrada de vgmax = 78 mVpp.
~ 2 a etapa.
De fOrIna amiloga
(4.19)
De la recta de carga dimllnica ic2max = 4,6 mApp.

La sal ida maxiJna de la segunda etapa sin distorsi6n es
Vom:ix= 4,6 mApp . 0,38 kO = 1,75 Vpp
se produce para una entrada de VAm:ix= 1,75 Vpp / 34,4 = 51 InVpp.
218
Es evidente que la litnitacion la impone la segunda etapa, puesto que la

maxima entrada de esta sin distorsion, 1,51 m Vpp, es inferior a la maxilna
salida que permite la prilnera etapa, 2,73 Vpp.
Asf pues 'el margen dinalnico del amplificador es 1,75 Vpp, el mismo
se tiene para una entrada de
vgmax = 1,75 Vpp / ( 35 . 34,4 ) = 1,45 mVpp.
Todo 10 expuesto se resume en la Figura 4.9.
1,45mVpp 51 mVpp 1.75 Vpp

Figura 4.9 Estudio margen dinamico.
EI margen dinamico de este amplificador se podrfa mejorar modificando

las condiciones de polarizacion sobre todo del segundo transistor, es decir
aumentando ICQ2 de modo que las excursiones en la recta de carga dinamica
sean mayores. Se propone al lector disefiar RE2 , para conseguir dicho
objetivo y obtener el Inargen dinamico del amplificador tras realizar esta
mejora, hay que advertir que la ganancia AV2 se vera modificada puesto que
hie2 depende de las condiciones de polarizacion.
Observese que en la obtencion de la maxima excursion del punto de

trabajo, por razones de simplicidad se ha realizado la aproxilnacion de
considerar que en las zonas proximas a los ejes (zonas de corte y
saturacion), el transistor se sigue comportando linealmente, cuando en
realidad, incluso en las proximidades de estas zonas el transistor deja de ser
lineal. Con to cual los resultados obtenidos estan ligeramente por encin1a
de los reales.
219
ELECTRONIC A ANALOGlCA DISCRETA
Si se utilizan transistores de efecto de campo en lugar de BJT, el

estudio es totalmente analogo sin mas que considerar las zonas no lineales
(6hmica y corte) de estos dispositivos.
Ejercicio 4.2 Obtener el margen dinamico y Ia maxima entrada sin

distorsi6n del amplificador con acoplo por condensador de la Figura 4.10.
(EC-CC).
r----~---,------r--- V cc
'10
._ Figura 4.10 Amplificador de tension EC-CC.
(Datos: Vcc= 15 V; C=33 J.tF; Rg =600 0; RL =6000; Tl =T2 ; V BE=0,6

V; (j=h fe =100; R1 =150 kO; R2 =15 kO; Rc=1,5 kO; RE =470 0;
R3=56 kO)
Solucion.
Se procedera de forma totalmente analoga respecto aI ejemplo anterior.
a) Polarizaci6n.
~ 1a etapa.
IBQl = 12,5 J.tA; ICQl = 1,25 rnA; VCEQI = 12,5 V; Ql ( 12,5 V; 1,25 rnA) y
hiel = 2kO.
220
TEMA 4.- AMPLIFICADORESMULTIETAPA .
• 2 a etapa.
IBQ2 = 124 p,A; IcQ2 = 12,4 rnA; VCEQ2= 7,6 V; Qi 7,6 V; 12,4 rnA) y
hie2 = 0,2 kO.
b) A efectos de sefial.
h,e2 i b2
+
Figura 4.11 Amplificador EC-CC en seiial.
• 1a etapa.
- h fe ( Rc II Zi2)
h' l ) + h. (4.20)
R (1 + _,_e
g R leI
B
con
(4.21)
sustituyendo val ores se tiene AVI = -53,1 .
• 2 a etapa.
(4.22)
sustituyendo va]ores queda A V2 = 0,997, pnicticarnente la unidad por

tratarse de una etapa en CC.
221
ELECTRONIC A ANALOOICA DISCRETA
c) Rectas de carga dinalnicas .
.. 1a etapa.
(4.23)
Los puntos de corte son At( 14,31 V; 0 rnA) y B l ( 0 V; 8,8 rnA).

La recta de carga dinarnica se ha representado en la Figura 4.12.
i C1
[mA]
8,80 B1
1,25 ________ _ 00 0 _ 0 0 _
VCE1 [VI
Figura 4.12 Recta de carga dinamica etapa EC .
.. 2 a etapa.
1 (4.24)
( V CE2 - V CEQ2)
RL
Los puntos de corte son Ai 15 V; 0 rnA) y B/ 0 V; 25 InA).

La recta de carga dinarnica se ha representado en la Figura 4.13.
iC2
[mAl
25,0 B2
12,41 - - -- 0- 0 0 0
7,6 15 VCE2 [V)
Figura 4.13 Recta de carga dinamica etapa CC.
222
d) Maximas excursiones.
~ 1a etapa.
Del circuito de la Figura 4. 12 se tiene que la tension de salida de la
primera etapa es
(4.25)
De la recta de carga dinamica, la corriente de salida maxima SIn

distorsion es iclmax = 2,5 mApp.
La salida maxilna de la primera etapa sin distorsion
v Amax= 2,5 mApp . 1,43 kO = 3,58 Vpp.
Esta salida se produce para una entrada de vgmax = 67 mVpp.
~ 2 a etapa.
La tension de sal ida se puede aproximar a
(4.26)
de la recta de carga dinamica ic2max = 24,8 mApp, por 10 que la salida

Inaxima de la segunda etapa sin distorsi6n es
Vomax = 24,8 InApp . 0,6 kO = 14,9 Vpp.
Esta salida se produce para una entrada de VAmax = 14,9 Vpp.
Queda claro en este ejemplo que la limitaci6n la impone la primera

etapa, puesto que la maxima salida de esta, 3,58 Vpp, es inferior a la
maxima entrada que permite la segunda etapa, 14,9Vpp .
As! pues el margen dinamico del amplificador es

67 mVpp . 53,47 . 0,998 = 3,58 Vpp.
Todo 10 expuesto se resume en Ia Figura 4.14.
EI margen dinamico de este amplificador se podda mejorar modificando

las condiciones de polarizaci6n del primer transistor, es decir centniridolo
223
ELECTRONlCA ANALOGJCA DISCRET A
67 mVpp 3,56 V pp 3,55 Vpp
Figura 4.14 Estudio margen dimimico.
en la recta de carga estatica. Se propone al lector disefiar REI, para

conseguir dicho objetivo y obtener el margen dinamico del alnplificador tras
realizar esta mejora.
4.3 AMPLIFICADORES CON ACOPLO DIRECTO
En multitud de aplicaciones se precisa amplificar sefiales que contienen

una componente continua. Por esta razon no se pueden emplear
amplificadores RC como los vistos en el apartado anterior. En otros casos,
como en amplificadores integrados, ante la imposibilidad de integrar
condensadores 0 bobinas de alto valor el acoplo entre etapas es directo.
Este tipo de amplificadores se utiliza en voltimetros electronicos,

osciloscopios, amplificadores de corriente continua, servosistemas, etc.
I "os ultimos apartados los dedicaremos a estudiar dos configuraciones

especiales, resultado de acoplar directamente dos transistores, estas son las
configuraciones Darlington y cascodo.
4.3.1 PROBLEMATIC A DEL ACOPLO DIRECTO
4.3.1.1 Adaptacion de niveles de continua.
EI primer problema que se presenta es la polarizacion de los

componentes activos en estos amplificadores, dado que al estar conectados
224
a efectos de corriente continua, .1a polarizacion de una etapa influye sobre

las siguientes. El amplificador de la Figura 4.15 esti compuesto por una
etapa en EC seguida de otra en CC, es evidente que la tension en el colector
de] primer transistor dara las condiciones de polarizacion del segundo.
Figura 4.15 Amplificador de continua EC-CC.
EI disefio 0 el amilisis de estos amplificadores se complica respecto a

los RC, si aun realizando aproximaciones razonables no se pueden
considerar las etapas de forma aislada. Por ejemplo en la Figura 4.15, si
IRc> > I B2 , en continua se pueden considerar de forma aislada sin co meter
errores importantes. De no ser as! el sistema de ecuaciones a plantear
incluirfan variables de ambos transistores, complicando de este modo el
analisis.
Figura 4.16 Amplificador de continua EC-EC.
En otras ocasiones se debe adaptar convenientemente los niveles de
225
continua entre dos etapas para conseguir una tension de polarizacion

adecuada. Consideremos un amplificador formado por dos etapas en Ee
como el de la Figura 4.16. Es evidente que el margen dimimico de la
primera etapa es muy reducido, puesto que viene impuesto por la V BE de
T2. Veamos varias fonnas de solucionar el problema.
a) Introducir en los puntos A y B una resistencia tal que fije el valor de I B2 •

Generalmente sera de valor ohmico elevado puesto que IB2 es del orden de
decenas de p.A, por tanto a efectos de sefial tendremos un divisor de tension
fonnado por la resistencia introducida y la hie del transistor, 10 que se
traduce en una perdida de ganancia de la segunda etapa.
b) Introducir un zener con Vz =

VC1 - V BE2, tiene la ventaja de tener una
resistencia dinamica reducida, aunque la estabilidad de la polarizacion es
menor que en el caso anterior. Una solucion de compromiso consiste en la
conexion en serie de una resistencia de valor bajo/medio con un zener de
valor adecuado.
c) Complicar el circuito a base de mas etapas en EC con resistencia de

emisor de forma que aunque se yea reducida la ganancia individual de cada
etapa la ganancia del conjunto sea la deseada, de esta fonna la polarizacion
es mas estable.
d) Empleando fuentes de alilnentacion bipolares, y/o fuentes de alimentacion

de varios valores se tiene un mayor Inargen de Inaniobra.
e) Una soluci6n utilizada en circuitos integrados es el muLtiplicador de VHE ,

dicho circuito se muestra en la Figura 4. 17. Si se verifica que II> > IB ,
entonces se Ilega a
V (4.27)
Por tanto puede elnplearse este circuito en lugar de las soluciones
226
TEMA 4.- AMPLIFICADORESMULTIETAPA
Figura 4.17 Circuito multiplicador de VBE.
propuestas en los puntos a) y b). Ademas se puede demostrar que la

resistencia dinamica, Zj en la Figura 4.17, es de lnuy bajo valor, y viene
dada por la expresion
RA RB + hie (R A + R B) (4.28)
RB ( 1 + h fc ) + hje
si se cumple que hfe~ 1 Y Ru hfe~ hie, entonces queda
RA h.
( 1 + Ie ) (4.29)
RA II RJj
fJ En detenninados casos se necesita desplazar el valor de continua para

obtener por ejemplo 0 V en la salida en ausencia de entrada sin incurrir en
una perdida de sefial. Dicho cometido 10 cumple el circuito desplazador de
nivel de la Figura 4.18.
A efectos de sefiaI, transistor Tl esta en EC, aportando ganancia de

tension, T2 se corresponde con un CC y tiene por carga un divisor de
tensi6n formado por RE2 en serie con la impedancia que se ve desde el
colector de T3 (Zi3) , este ultimo adopta la configuraci6n de fuente de
corriente con 10 cual dicha impedancia tiene un valor lTIUY elevado. Por
consiguiente, el divisor de tensi6n (RE2 y Zi3) no presenta atenuaci6n
apreciable.
227
ELECTRONICA ANALOGlCA DlSCRET A
,..------,-----...--- +VCC
Figura 4.18 Circuito desplazador del nivel de continua.
En continua, la corriente de col ector de T2, la fija T3, si se desea tener

o V en la salida (VC3 =0 V), directamente tendremos la tension que
preCiSalTIOS en el colector de Tl ( VCl = RE2Ic2 + VBE2 + VC3), suponiendo la
{3T2 suficientemente alta, de forma que.podemos despreciar 1B2 , y conociendo
la (3Tb serfa inmediato obtener RB .
4.3.1 . 2 Deriva.
Se entiende por deriva las variaciones de los parametros y condiciones

de un circuito a largo plazo. Entre la diversidad de sus origenes podemos
destacar
a) Envejecimiento de componentes.
b) Variacion de las condiciones ambientales (temperatura, humedad).
c) Dispersion de los parametros en la fabricacion de los componentes.
d) Autocalentamiento de los componentes.
Un buen disefio debe minimizar los efectos de estos factores, y en el

peor de los casos permitir ajustes. Como tecnicas empleadas se pueden citar
228
TEMA 4.- AMPLIFICADORESMULTIETAPA
la compensacion termica, uso de componentes envejecidos term icamente ,

sobredimensionado de componentes, realimentacion, usa de componentes de
elevada cali dad , usa de calefactores que homogeinicen la temperatura de los
circuitos, uso de radiadores, etc ... La justificacion de cada una de esms
tecnicas dependeni de los requisitos en cuanto a estabilidad en cada
aplicacion.
La deriva es comun a todos los circuitos y sistemas electronicos, aunque

en el caso de los ampl ificadores de continua quiza sea donde los efectos son
mas pronunciados, puesto que por ejemplo pueden conducir a tener una
senal continua en salida aun en ausencia de senal de entrada. No es diffcil
intuir que estos problemas senin mas graves si ocurren en las primeras
etapas de la cadena amplificadora, puesto que su efecto se vera magnificado
por las etapas siguientes.
4.3.1.3 Ruido.
Otro factor que tampoco es especffico del acoplo directo pero digno de
mencion es el ruido. Sus efectos son perturbar la senal de salida
enmascarando la informacion contenida en la entrada. Su naturaleza puede
ser bien diversa, externos (radiados 0 conducidos), e internos (intrfnsecos
a los componentes). La forma de eliminarlos 0 al menos atenuar sus
consecuencias es filtrando y apantallando, aunque tambien existen otras
tecnicas que se veran con detalle en el tema posterior como el empleo de
amplificadores con entrada diferencial.
AI igual que ocurrfa con los problemas de deriva su efecto es mas

pronunciado cut.nto antes se produzca en el seno de la cadena amplificadora.
4.3.2 CONFIGURACION DARLINGTON.
La configuracion Darlington consiste en el acoplo directo de dos

transistores como el mostrado en la Figura 4.19. La ventaja de esta
configuraci6n es que el comportamiento desde los terminales C*B*E*, se
229
asemeja al de un transistor con una ganancia en corriente ((), igual al

producto de ganancias de ambos transistores. Los fabricantes inc1uyen en
sus productos este tipo de transistor en forma integrada.
I c*
B* k1
IL)
I~ E*
I
Figura 4.19 Configuraci6n Darlington.
Con el objeto de resaltar las propiedades que resultan de dicha

asociacion, consideremos un par Darlington trabajando como seguidor de
elnisor como el mostrado en la Figura 4.20.
Figura 4.20 Darlington como seguidor de emisor.
A efectos de sefiaJ y a frecuencias medias, resultara el circuito de la

Figura 4.21. Real izando la aproxin1acion RL ~ hoe2-1 , se llega a la expresion
de la ganancia en corriente
. -)
lL R8 hoel .
A =- = I ( 1 + hfel ) ( 1 + h
fe2 ) (4.30)
I ig Ro + ZI hoel
- + h ie2 + RL (1 + h fe2 )
En la expresion anterior se observa que la ganancia de corriente es igual al
230
Figura 4.21 Seguidor de emisor con Darlington en senal.
producto de ganancias de cada transistor pero atenuada por dos factores,

provocados por sendos divisores de corriente, el primero debido a la
resistencia de polarizacion RB , y el segundo a la admitancia de salida del
primer transistor hoel -
La impedancia de entrada seria el paralelo de RB con ZI, siendo

Zl = hie1 + (1 + hfel ) [h oel II (h je2 + RL ( 1 + hfe2 »] (4.31)
en el caso particular en que hoel - I < < RL(l +h te2 ) (en general pueden ser
corriparables en magnitud), tendriamos:
(4.32)
Observese que la resistencia de polarizacion R B , tiende a disminuir el

valor de Zj.
Se deja al lector como ejercicio obtener la expresion de la impedancia

de salida y la ganancia en tension (como es de esperar se obtiene una
impedanoia de salida de lTIUY bajo valor y una ganancia en tension
practicamente igual a la unidad).
231
ELECTRONICA ANALOorCA DISCRETA
4.3.3 CONFIGURACION CASCODO
Esta configuracion consiste en el acoplo de dos etapas, la primera en

EC Y la segunda en BC (ver Figura 4.22). Presenta Ia principal ventaja
tener un gran ancho de banda, par 10 que utiliza en aplicaciones de AF,
bien can componentes discretos a integrados.
,---------.-------,---- vcc
Figura 4.22 Configuraci6n casco do (EC-BC).
La ganancia en corriente la aporta la primera etapa (EC), siendo Su

ganancia en tension baja. La segunda etapa (BC), aporta ganancia en tension
siendo su ganancia en corriente pnicticamente la unidad.
Pasemos a ver con mas detalle este amplificador. La impedancia de

entrada de la segunda etapa ~irve de carga a la etapa en EC,(recuerdese que
Zi(BC) == 1I gm == hie/h fe), por tanto a frecuencias Inedias la ganancia de la
primera etapa sera
(4.33)
como en general hie1 ~ RB Y 1/hoel ~ hie2/hfe2, si ambos transistores son

iguales, podremos aprox imar
(4.34)
Como All == -hfeby AI2 == 1, la ganancia de corriente del conjunto es
232
(4.35)
ademas tendremos
Vg
1g - (4.36)
Rg + hiel
h fe1 RL
Vo io RL V (4.37)
g
Rg + h.le1
con 10 que la ganancia en tension del amplificador sera
(4.38)
Se observa que los resultados son similares a los vistos para la

configuraci6n en EC, pero como posteriormente justificaremos el ancho de
banda se ve considerablemente aumentado. En efecto, utilizando el modelo
en 7r para la primera etapa y con la aproximacion de Miller tendremos el
circuito Inostrado en la Figura 4.23.
Figura 4.23 Circuito en pequefia seiial (AF) de la etapa EC.
siendo Cl=C1I"l+C~l(1-K) y C2=Col+C~l(1-(1/K)], con K~- gm/gm2=-1,

puesto que r01 ~ 1/gm2 •
233
ELECTRONIC A ANALOmC A DlSCRETA
En el tema anterior vimos que en una etapa en EC, el polo que

determina la red RC de entrada (RgC 1), es el que proporcionaba la
frecuencia superior de corte. Sin embargo ahora nos encontramos con que
C 1 disminuye, C 2 aumenta, y se ve reducida la resistencia de carga que ve
el emisor, 1/gm2 en nuestro caso. Todo ello nos lleva a que los polos se ven
desplazados, y la tendencia es aumentar sustancialmente el ancho de banda
de esta etapa. No hay que olvidar que ello se debe a que no esta aportando
ganancia en tension debido a la baja impedancia de entrada de la etapa en
BC.
Respecto a la segunda etapa, su modelo en 7r es el mostrado en la

Figura 4.24.
Figura 4.24 Circuito en pequeiia seiial (AF) de la etapa en BC.
La resistencia r 02 se puede despreciar pues la impedancia de entrada es

de bajo valor (r7r2)' con 10 que la ganancia de tension es alta, de valor,
A V2 :::: gm2 RL , Y ademas coincide con la ganancia K, en1pleada en la
aproximacion de Miller. ASI al realizar dicha aproxilnacion los
condensadores que resultan en entrada y salida son C) = C 7r2 +C oil-K), Y
C 2 = C JL2 +C 02 [1-(1/K)]. Como vimos en la etapa en BC, C[ tiene un valor
bajo, con 10 que la frecuencia de corte puede venir dada por la red de salida
en lugar de la de entrada, por tanto esta etapa sigue teniendo una buen
ancho de banda.
234
BIBLIOGRAFiA
(1) Arnau, A.! Ferrero, 1.M. Tecnicas Basicas de Electronica. Tema 4.

SPUPVZ. 1990.
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(3) Millman, 1.1 Grabel, A. Microelectronics. Tema 11. Ed. Mc Graw Hill.
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(4) Munoz Merino, E. et alt. Electronica. Tema 6. SPETSITM 3 • 1986.
(5) Mamiev, E. Fundamentos de la Radioelectr6nica. Tema 5. Ed. Mir.

1987.
(6) Sanchis, E. Tratamiento y Transmisi6n de Sefiales. Tema 8. SPUV4 •

1995.
(7) Schiling, D.L.! Belove, C. Circuitos Electr6nicos. Discretos e

Integrados. Temas 6 y 7. Marcombo Boixareu Editores. 1985.
(8) Sedra A.! Smith K.C. Dispositivos Electr6nicos y Amplificaci6n de

Sefiales. Temas 10. Prentice Hall. 1988.
2 Servicio Publicacioncs Universidad Politocnica de Valencia.
3 Servicio Publicaciones E'lcuela Universitaria lngenicros Telecomunicaci6n Madrid.
4 Servicio de Publlcaciones de la Universidad de Valencia.
235
TEMA5
EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
5.1 INTRODUCCION
Hasta ahora hetTIos considerado ampl ificadores con una unica entrada
de senal y una unica salida de senal referidas ambas amasa 0 a un terminal
comun. En muchas aplicaciones, especialmente en instrumentaci6n, es
necesario amplificar la diferencia de tensi6n entre dos puntos, sin que
ninguno de ellos sea la masa 0 el terminal comun.
Un caso tipico es el empleado para la realizaci6n de un electrocar-

diograma (registro del estimulo electrico que origina la contracci6n del
musculo cardiaco). Para la realizaci6n de dicho registro precisamos
amplificar la diferencia de senal existente entre dos puntos determinados del
cuerpo humano.
Las dos senales se obtienen mediante la apJ icaci6n de sendos

electrodos a los puntos mencionados del cuerpo humane y conectados estos
a las dos entradas de un amplificador que tiene la propi~dad de amplificar
la diferencia de tension aplicada entre elIas, denominado amplificador
diferencial.
Si observamos cada una de estas senales, proporcionadas por los

electrodos, por separado, pnicticamente no se aprecia la senal electrica
generada por el corazon~ ya que esta senal que es de pequeno valor, se
encuentra enmascarada por la que se induce en el cuerpo humane producida
bien por emisores de radiofrecuencia 0 bien por las corrientes que circulan
por los cables de la red de suministro electrico, lnotores electricos, tubos
fluorescentes, etc.
237
Debemos distinguir por tanto los dos tipos de sefial que nos
apareeen:
a) En prilner lugar tenemos la sefial que deseamos alnplificar, que

genera una difereneia de tension entre alnbos puntos y que en general suele
ser pequefia.
b) En segundo lugar esti la sefial indeseada, que generahnente tiene

val ores elevados frente a Ia sefial deseada, pero que praetieamente posee el
mismo valor en ambos puntos.
I
I
Vi1 (mV) i
- t (ms)
Vi2 (mV)
t (ms)
Vid (~V)i
t (ms)
I
I
Vic (hlV) [
---- t (ms)
Figura 5.1 Seiiales proporcionadas por los dos electrodos V i1 Y V i2 ,

seiial diferencial V id Y seiial comun Vie"
Es por ello que en este easo y en otros ITIuehos se haee neeesario la

utilizaeion, eOlno se ha meneionado, de un aITIplifieador que tenga la
propiedad de amplificar la difereneia de tension entre dos puntos
(denolninada sefial diferencial) y que a su vez la tension comun existente
en ambos puntos (denominada sellal comun) sea fuertemente rechazada
(Figura 5.1).
238
TEMA 5.- AMPLIFICADOR DIFERENC'IAL
5.1.1 TENSION DIFERENCIAL Y TENSION COMUN
Observemos e) alnplificador diferencial de la Figura 5.2, tenemos las

entradas en los puntos 1 y 2 sobre los que consideramos hay aplicadas
respectivamente las tensiones Vii y vi2 • Los puntos 3 y 4 representan las dos
salidas del amplificador diferencial, sus tensiones senin respectivalnente Vol
y Vol'
Vol
,t AMPLIFICADOR
3
1I
Vi I Vo
DIFERENCIAL
I 2 4 I
Vo2
Figura 5.2 Amplificador diferencial.
Sea una tension a la que denominaremos tension diferencial de

entrada V id y de valor
y una tension a la que denominaremos tension comun de entrada Vic y de

valor
V'I+V,')
V. = I 1-
IC 2
Podemos cOlnprobar facilmente que el circuito de la Figura 5.3

equivale al circuito anteriormente descrito, teniendo en cuenta las dos
ecuaciones anteriores. Si observamos atentamente este ultimo circuito
cOlnprenderemos porque las hemos denominado tensi6n diferencial V id Y
tensi6n comun ViC? puesto que si observamos la tensi6n diferencia entre las
entradas 1 Y 2 esta es precisamente V id Y la tension comun aplicada a alnbas
entradas es Vic'
239
ELECTRONiCA ANALOGICA DISCRETA
Vo 1
AMPLIFICADOR
DIFERENCIAL
Figura 5.3 Amplificador diferencial. Seiial diferencial y comnn.
Hay que resaltar en este punto que las tensiones que nosotros
aplicamos a las entradas de nuestro amplificador diferencial respecto de
masa 0 de un punto comun senin las tensiones ViI y Vi2 • La razon de utilizar
las tensiones Vid Y Vic (obtenidas a partir de las anteriores) es debido a que
los calculos necesarios para la obtencion de las ganancias Y de otras
caracterfsticas de estos circuitos se simplifica enormemente, especial mente
en el caso de ser simetricos como veremos posteriormente.
5.1.2 GANANCIA DIFERENCIAL Y GANANCIA coMVN.

Podemos aplicar al circuito de la Figura 5.3 el teorema de super-
posicion y suponer en primer lugar que solo esta aplicada a la entrada la
tension Vid (Figura 5.4), en este caso se tendnl una tension de salida Vob a
la que denominaremos Void, que sera proporcional aVid (amplificador
trabajando en la zona lineal).
V o1
2
AMPlIFICADOR
DIFERENCIAL
3
4
IVo
Vo2
Figura 5.4 Amplificador diferencial. Seiial diferencial.
240
TEMA 5.- AMPLIFICADOR DIFERENClAL
A esta constante de proporcional idad es a 10 que venilnos

denominando ganancia de tension, en este caso la llamaremos ganancia de
tension diferencial Ad, por tratarse de una tension diferencial aplicada en la
entrada, es decir vold=Ad'vid'
Por la mislna razon podemos suponer en segundo lugar que la unica

tension apl icada al amplificador diferencial de la Figura 5.2, es la tension
comun Vie (Figura 5.5), la tension de salida Vol> a la que representaremos
por Vole, Sera proporcional al igual que antes a la tension comun aplicada a
la entrada Vie, a esta constante de proporcionalidad es a la que denominaITIos
ganancia de tension comun A ic , tenemos por 10 tanto que Vole = Ac' Vic'
VI1 V01
Vic
rv~~ AMPlIFICADOR
DIFERENCIAL
3
4
I
Vo
Vl2 V o2
Figura 5.5 Amplificador diferencial. Seiial comun.
Si ambas tensiones se aplican a la vez, la tension de salida Vol sera

por el teorema de superposicion
Si deseamos saber el valor de la tension Vo2 en Ia otra salida,

debemos observar que la tension comun Vic esta apl icada por igual a ambas
entradas y que la tension diferencial Vid aplicada en el punto 2 se encuentra
invertida respecto del punto 1, por 10 tanto la tension V02 sera
puesto que el circuito 10 suponemos silnetrico.
241
ELECTRONICA ANALOmCA DISC RET A
5.1.3 MODOS DE FUNCIONAMIENTO
Si tenemos en cuenta que un alnplificador diferenciaI dispone de dos

term inales de sal ida, pOdelTIOS pensar en que existen dos modos de fun-
cionamiento 0 mejor formas de utilizacion posibles respecto de la salida.
En la exposicion que se ha hecho en el apartado 5.1.2 se ha llegado

a que las tensiones de salida en funcion de la tension de entrada diferencial
V id y de la tension de entrada comtIn Vic son
Considerelnos una pritnera fornla de utilizacion, en la que la salida

la tomamos entre los puntos 3 y 4 (Figura 5.3) tenemos que
Vo = v ol -v o2 = 2Ad 'V id
y por 10 tanto la salida Vo solo depende de V id ' es decir de ViI -V i2 y no

depende de la tension comtin Vic' Esto ocurre en el caso ideal, suponiendo
total SilTIetria en el circuito, en la pnictica todos los COlTIpOnentes tienen
determinadas tolerancias y la salida dependera tambien de Vic, por 10 que
interesara que Ae sea pequena frente a Ad'
Lo que se acaba de exponer supone una forma de utilizacion,

denonlinada de salida diferencial 0 simetrica. La otra forma de utilizacion
es la de tomar la salida entre el terminal 3 0 el terminal 4 y masa,
denolTIinada de salida no diferencial 0 asimetrica.
En este tiltilTIO caso la tension de salida Vol 0 V o2 ' tal como se ha

visto, depende tanto de V id como de Vic- En esta forma de utilizacion es
tTIucho lnas importante que la ganancia comun Ae sea tTIuy pequena respecto
de la ganancia diferencial Ad, para que el efecto producido por la tension
comtIn sea los mas pequeno posible.
242
TEMA 5.- AMPLIFICADOR mFERENCIAL
Respecto de las entradas hay que observar las figuras 5.2 y 5.3, en
las que se ha establecido una relacion entre las tensiones de entrada de
ambas figuras.
Un priIner caso serfa el visto hasta ahora, en el que hemos supuesto

la existencias de dos senales de entrada Vii y Vi1 (Figura 5.2).
Un segundo caso podrfa ser el que solo se aplicara tension a una de

las entradas, por ejelnplo la 1, Y la otra entrada estuviera conectada amasa.
En este supuesto tendremos que
ViI
y V.
IC
= 2
este caso es una particularidad del primero en el que Vi1 =0.
Un tercer caso resultarfa de aplicar una tension directalnente entre

los dos terininales de entrada, en este caso esta tension serfa directamente
la que hemos denominado Vid y en la que Vic =0. Si tenelnos en cuenta las
relaciones entre las tensiones de entrada, este caso es silnilar a suponer que
tuviesemos unas tensiones de entrada de valor ViI =vii2 Y Vi2 =-v id /2, con 10
que Vi1 -V i2 =Vid Y Vic =0.
Como reSUlnen de este apartado hay que resaltar que cuando

desealnos realizar el amilisis de un determinado alnplifiCador diferencial,
suponiendo este simetrico, el calculo de Ad y Ac es el mismo sea cual sea
el modo de funcionamiento que posteriormente utilicelnos. Una vez
ca1culado el valor de Ad y Ac bastara con sustituir en las siguientes
expresiones, obtenidas anteriormente, los valores de Vid Y Vic'
V old +v olc A d ·v.Id +A C ·v.IC
V02 = Vo2d + Vo2c = - Ad' Vid + Ac . Vit:
243
ELECTRONlCA ANALOGICA DISC RET A
Teniendo siempre en cuenta que
5.1.4 RELACION DE RECHAZO AL MODO coMUN

La relaci6n de rechazo al modo comun denominada CMRR
(Common-Mode Rejection Ratio) se define como: La reLacion entre La
magnitud de La ganancia diferencial respecto de La magnitud de La ganancia
deL modo comun. A menudo el CMRR se expresa en decibel ios como
IA I
CMRR = 20 log IA:I
EI CMRR de un amplificador interesani que sea elevado, este
ademas sera funci6n de la frecuencia, pues tanto Ad como Ac seran funci6n
de la frecuencia. Un valor de 120 dB a 50 Hz es considerado para muchas
aplicaciones como bueno.
Ejercicio 5.1 Hallar el valor tnfnimo de CMRR que debe poseer un

alnplificador de electrocardi6grafo si la ganancia diferencial es de 1500, la
sefial diferencial deseada a la entrada es de 2 In V de pico, la sefial de modo
comun es una sefial sinusoidal de 50 Hz y de 150 V de pico, si deseamos
que el pico de la sefial de salida debida al modo comun sea igual en 1 % 0
menor que el pica de la sefial diferencial de salida.
Solucion. La sefial diferencial a la salida sera de 3000 mV de pico, por 10

que la sefial comun a la salida deb era ser como mucho de 30 m V, ya que
debra ser inferior al 1 % de la diferencial. Puesto que la sefial comun de
entrada es de 150 V, la ganancia comun Ac tendra que ser inferior a 2·10-4
244
TEMA 5.- AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
y el CMRR mfnimo necesario sera por tanto
IAdl 1500
CMRR = 20 log -AcII = 20 log
2· 10-4
= 137,5 dB
5.2 CARACTERisTICAS DE TRANSFERENCIA

ESTATICA
Si consideramos en el circuito de la Figura 5.6 que los transistores

Ql y Q2 se encuentran trabajando en la region activa, las corrientes de
emisor vendran dadas por
(5.1)
lEI = IEs e VBp./Vr e tE2
= I e VBP'/Vr
Es
donde VT=kT/q.
+vcc
Rc Rc
J iC1 iC2 J
V81 VB2
IE1 iE2
ve
lEE
Figura 5.6 Corrientes en un amplificador diferencial.
Podemos escribir que la suma de las dos corrientes de emisor es lEE
245
ELECTRONICA ANALOOIC A DISCRET A
y teniendo en cuenta las ecuaciones 5. 1 se tiene

(5.2)
e
(5.3)
IEE = I E2 [1 + e (Y BEl -Y BP.2)/V T]
Las corrientes de colector estan relacionadas con las de emisor segun

las expresiones
e
y las tensiones base-enlisor las pOdelTIOS expresar como
con 10 que a partir de las expresiones 5.2 y 5.3 tenemos que las corrientes
de colector en funcion de la diferencia de tension entre las bases son
alEE
ICl
1 +e (v BEl -v BEI)IVT
alEE
lCl =
1 +e (V OEI
En Ja Figura 5.7 pode-mos observar la variacion de estas corrientes

de colector en Juncion de Vid=VBI-VB2' Cuando la tension aplicada Vid=O
tenemos que i C1 = iC2 como era de esperar. Para V id > 5V T la corriente pasa
toda por el transistor Ql y por 10 tanto iC2 =0. Por otra parte si V id < -5V T
la corriente fluye toda por Q2 e in =0.
246
Ie
alEE t - - - - d : : - - - - + - - + - - - - - - - + - - - - ±_____- + _ _
o t----=~-.-_t_-
o 6\1 vid
T
Figura 5.7 Corrientes de colector en funci6n de la tensi6n diferencial de entrada.
Hay que destacar que las corrientes son bastante 1ineales respecto de
Vjd si IVjd I ~ V T (las curvas pueden aproxilnarse a llneas rectas si la entrada
diferencial es muy pequefia en magnitud).
En la Figura 5.8 podemos ver la tension de salida vod=voCvo2 en

funci6n de Vid •
Ii
aRc I EE t----;;;::;:i::------t----j----j----j-----t--
0"
01---11------+-1--~__'Ir_____1I_____+___+_-
I I
-----~-~L~~___+_--_4--+.-
I~
I I I '~
II 1 _ I I "'--r-
--~--+-
o 6V VId
r
Figura 5.8 Tension diferencial de salida en funci6n de

la tensi6n diferencial de entrada.
La curvatura de la funcion de transferencia muestra que la distorsion

puede ser muy itnportante si fa sefia} de entrada es grande. Si la tension de
entrada es elevada,. por ejemplo mayor de 1 voltio el circuito puede
247
ELECTRONICA ANALOmCA DISCRETA
utilizarse para convertir una senal sinusoidal en una senal cuadrada.
5.2.1 EFECTO DE LA RESISTENCIA DE EMISOR
Si al circuito de la Figura 5.6 Ie anadimos resistencias de emisor RE ,

como se muestra en la Figura 5.9, se produce el efecto visto anteriormente
al estudiar el ampl ificador monoetapa en emisor comun con resistencia de
emisor. La ganancia de tensi6n se reduce aUlTIentando por contra la
impedancia de entrada y disminuyendo la distorsi6n producida por el BJT
(como se estudiani en el tema 6, al ver el efecto de la realimentaci6n
negativa).
Figura 5.9 Amplificador diferencial con resistencias de emisor.
En la Figura 5.10 se lTIUestra la curva correspondiente a la funci6n

de transferencia del alnpI ificador diferencial estudiado anteriormente y que
inc1uye las resistencias de elTIisor, se ha tOlnado para el ejemplo una
resistencia de valor RE =4{)V T/1EE.
COlnparando las curvas de las figuras 5.7 Y 5.10 se puede apreciar

la disminuci6n de ganancia de tensi6n y la reducci6n de la distorsi6n (el
248
margen de la selia1 de entrada puede ser mayor).
I
I I I
uRc'ee I I
I
i
I "
o ---t
I
I
I
~
I
!
i
~
~ I
i i
i
- aRc' EE -
"\~
o
Figura 5.10 Curva de transferencia del amplificador diferencial

con resistencias de emisor.
5.3 TEOREMA DE BARTTLET
Se va a continua~i6n a desarrollar el teorema de Barttlet para el

amilisis de redes simetricas y que resulta de gran utilidad en el caso del
amplificador diferencial, sielupre que este presente simetria. Mediante este
teorema podremos calcular de forma mas sencilla los valores de las
ganancias diferencial Ad y comun Ac de un amplificador diferencial.
EI teorema nos va a permitir realizar el amilisis del circuito completo

mediante el estudio de tan solo tuedio circuito para cada una de las senales
presentes, la diferencial Vid Y la comun Vic'
En la Figura 5.11 se representa una determinada red, a la que

denoluinaremos "R" Y que suponemos simetrica tanto en el aspecto fisico
como en el electrico. Esta red R se puede separar en dos redes exactamente
iguales respecto al eje de simetria YY' que presenta la red original y a las
que denominaremos "R/2".
249
.......
....., .Ii
l t
V' 1 I R ! V i2
I I I
1- 1-
Figura 5.11 Red simetrica R.
La Figura 5.12 lTIUestra la separacion realizada y las n posibles

conexiones entre ambas redes.
y:I
I
I
-"' J---.2
R/2 R/2
Y' : Eje de simetria

1
Figura 5.12 Red R dividida en dos por su eje de simetria.
Las dos excitaciones que hemos estudiado son
a) Excitacion diferencial: V il =-Vi2 =Vid/2.

b) Excitacion COlTIUn: Vi] =V i2 =V ic '
Y[
2 2
R/2 R/2
_----
...... n..----.. r -
Y': Eje de simetria
Figura 5.13 Red simetrica dividida con excitacion diferencial.
250
TEMA 5.- AMPLIFICADOR DlFERENCIAL
La excitaci6n diferenciaI, por simetria, producini corrientes ij en un

unico sentido por todas las uniones (Figura 5.13), pero las tensiones e jn
senin todas nulas por ser estos puntos centrales entre +vd/2 Y -vi2. Por 10
tanto no se modifica el circuito si las unimos todas entre si y amasa (la
masa es evidentetnente una de las conexiones).
La excitaci6n comun producini que las corrientes i j en las conexiones

sean nulas, con 10 que si cortamos dichas conexiones tal como muestra en
la Figura 5.14 no se alterant el circuito.
v:
2 2
vic'f
I
R/2 R/2 IV
, ic
1 n n
VI; Eje de simatr(a

1-
Figura 5.14 Red simetrica dividida con excitaci6n comun.
Lo que se acaba de exponer nos permite en vez de anal izar el

circuito completo para cada una de las senales, analizar tan solo el circuito
mitad para cada una de ellas. Hay que destacar que el circuito mitad se
simp] ifica bastante en ambos casos.
Ejemplo 5.1. A continuaci6n se realiza un ejemplo del teorelna de Barttlet

sobre Ia red de la Figura 5.15, en la que querelnos obtener las expresiones
de las tensiones v01 y V 02 en funci6n de VjJ y V i2 • EI tnetodo consiste en
calcular Ad y Ac ) mediante eI empleo de V id Y Vic Y posteriormente si se
desea sustituir estas por ViI Y ViZ'
En Ia Figura 5. 16 podemos observar como queda Ia red cuando la

analizainos para la sefial diferencial.
251
ELECTRONICA ANALOGIC A DISCRETA
La tension de salida diferencial VoId por el colector de QI sera
(R2)!!(R/2) V id
VoId =
R} +(R2)/!(R/2) 2"
Figura 5.15 Ejemplo de red simetrica.
luego la ganancia diferencial Ad vendra expresado por
V old 1 (R 2)! /(R/2)

Ad == ==
V id 2 R} +(~)!!(R/2)
Vo1d vo2d
R1 R3/2
1
R1 I
l' I
v id /2 \ R2 Vid 12
I
I
- Y': Eje de simetrra -

Figura 5.16 Red mitad para el caso de sellal diferencial.
La Figura 5. 17 nos lTIUestra la forma en que queda la red bajo

estudio cuando la analizamos para la sefial comun. La tension de salida
comun Vole por el colector de Ql es en este caso
R2
V
ole
= R +R . V.Ie
1 2
252
viI
Vo2c
R,
t R3/2
t
Vic I R2
IVic
V' Eje de simetria
Figura 5.17 Red mitad para el caso de seiial com6n.
Luego la ganancia comlln es
Una vez ca1culado el valor de Ad y A c , basta sustituir los val ores

anteriores en las expresiones vistas anteriormente
recordando la relaci6n con las senales de entrada.
2
Los pasos que se acaban de realizar para el estudio de una red
simetrica son los que se deben seguir en el amilisis de un amplificador
diferencial, cuando este presenta simetrfa, ya que simplifica el analisis,
especialmente cuando se trate de un amplificador de mas de una etapa en
cascada.
253
5.4 ANALISIS
, DE UN AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
SIMETRICO CON TRANSISTORES BJT
A continuaci6n se va a analizar en pequefia sefiaI un amplificador

diferencial simetrico de una etapa realizada con BJT's, prilnero se efectuara
en el apartado 5.4.1 e] analisis directamente sobre e] circuito completo y
posteriormente en el apartado 5.4.2 sobre los circuitos mitad aplicando el
tnetodo de Barttlet. Como puede apreciar el lector el segundo amilisis
resulta mucho Inas sencillo.
5.4.1 ANALISIS MEDIANTE EL ESTUDIO DEL CIRCUITO

COMPLETO
COlno ejemplo para estudiar el analisis de un alnplificador diferencial

de una etapa realizada con transistores BJT, utilizarelnos el circuito
mostrado en la Figura 5. 18.
Rc Rc
Vo1 Vo2
1----0 0,---1
Figura 5.18 Amplificador diferencial de una etapa con BJT's.
Es de destacar que el generador de corriente en muchos casos se

sustituye por una resistencia RE , ya que la corriente a traves de ella es
254
pnicticalTIente constante, pues la diferencia de tension entre sus bornas

(V E + VEE) es lTIucho lTIaS grande que las pequenas variaciones de la tension
VE debidas a la senal de entrada.
Vil Vol Vo2

0
!ib1
hie Rc Rc hie
- Ve -
Figura 5.19 Circuito equivalente para el anal isis en pequefta seiial.
EI circuito equivalente del amplificador diferencial de la Figura 5. 18

es el representado en la Figura 5.19. De este circuito pOdelTIOS obtener las
siguientes expresiones
A partir de estas ecuaciones podemos relacionar las corrientes de

base con las tensiones de entrada, estas relaciones son
V i2 [h ie +(1 +h fe ) R El vi1 [(l +hfe)REl

hiJh ie +2(1 +hfe)REl
255
ELECTRONK'A ANA LOGIC A DISCRET A
Las tens iones de sal ida senin
Sustituyendo en estas dos ecuaciones las expresiones de las corrientes

de base ibl e ib2 obtenidas anteriormente, tenemos las tensiones de salida en
funci6n de las de entrada
Ejercicio 5.2 Obtener los val ores de las tensiones de salida Vol' V02 Y de
Vo=Vol-V02 en el circuito de la Figura 5.18 analizado anteriormente con los
siguientes datos:
,B = hfe = 100; VBE=0,6; t=20 °C ;
+Vcc=+12 V; -VEE=-12 V; RE=10 kG; Rc= 6,8 kG;
ViI =20senwt (mV); Vi2= 12senwt (mV)
Resultado. Tras calcular el valor de hie se tiene que

Vol =-619,36senwt (InV), V02= +608,62senwt (mV)
y vo=-1228senwt (In V).
5.4.2 ANALISIS MEDIANTE EL METODO DE BARTTLET
Realizaremos a continuaci6n el analisis del amplificador diferencial,

utilizado en el apartado anterior (Figura 5.18), mediante el metodo de
Barttlet, para de esta forma poder comparar ambos metodos de analisis.
EI circuito equivalente mitad que nos servini para el calculo de la

ganancia diferencial Ad mediante el metoda de Barttlet es el mostrado en la
Figura 5.20.
256
TEMA 5.- AMPLIFICADOR DfFERENClAL
Partiendo de este circuito la corriente de base sera
y la tension de sal ida teniendo en cuenta esta ultima ecuacion
con 10 que la ganancia diferencial es para este ejemplo
V od -RChfe
Ad = = (5.4)
V id 2h ie
Vid/2 Vod
1 ib
hie Rc
Figura 5.20 Circuito equivalente mitad para el calculo de la ganancia diferencial.
Para el calculo de la ganancia comun Ae el circuito equivalente mitad

es el representado en la Figura 5.21. Siguiendo los mismos pasos que los
realizados en el calculo de la ganancia diferencial tenemos que Ia corriente
de base es
V.Ie
La tension de salida debida a la seiial comun sera
-R h
v = -R h i = C fe V
oe C fe b h. + 2R (1 + h) ie
Ie E fe
257
y por 10 tanto la ganancia cOlnun queda como
voc (5.5)
Ac = =
V.
Ie
Voc
hie hfe ib
Rc
2RE
Figura 5.21 Circuito equivalente mitad para el calculo de la ganancia comun.
Ejercicio 5.3 Con los Inismos datos del ejercicio 5.2 calcular el valor de
las distintas tensiones de salida V oh V02 Y Vo=Vol-Vo2 111ediante la aplicacion
del metodo de J3arttlet.
Solucion. Las expresiones de las tensiones de sal ida son

v02 =-A dvd+A
ec
v
De la ecuacion 5.4 obtenemos la ganancia diferencial Ad=-76,75 Y
de la ecuacion 5.5 el valor de la ganancja comun Ac=-O,3359 . .Las
tensiones de salida Voh Vo2 Y Vo teniendo en cuenta que
Y Vic =
2
seran las siguientes:
Vol =-619,36senwt (InV), v02 = +608,62senwt (mV)

Y vo=-1228senwt (mV)
258
Ejercicio 5.4 iCual es el valor de la relaci6n de rechazo del modo comun

CMRR expresada en dB en el ejemplo anterior?
Solucion. EI valor del CMRR viene dado por la expresi6n
CMRR = 20 log ',AAdc,1 = 20 log 76,75 = 47 18 dB

0,3359 '
5.5 ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

NO SIMETRICO CON TRANSISTORES BJT,
Hemos visto la utilidad del metodo de Barttlet para el amilisis de

amplificadores diferenciales, pues simplifica de fonna notable los circuitos
a analizar. Pero este metoda tiene un inconveniente y es que solo es
aplicable a circuitos Silnetricos.
V il Vo1 Vo2
0
Jib1
RL
hie Rc Rc
- -
Figura 5.22 Circuito equivalente con carga diferencial.
Vamos a ver algunos casos que se nos pueden presentar. En primer

lugar podemos tener un amplificador cuya carga RL este aplicada de fonna
diferencial a la salida del alnpl ificador, segun podelnos apreciar en la Figura
5.22. En este caso el circuito resultante es simetrico y no tendremos mas
que considerar que la resistencia RL esta formada por dos resistencias en
serie de valor RL/2 cada una y la resistencia de elnisor RE por el paraielo
de dos resistencias de valor 2RE cada una.
259
Otro caso que se nos puede presentar es el de Ja Figura 5.23, la

carga esta aplicada de forma asimetrica sobre una de las salidas
concretamente sobre el colector de QI. En principio el circuito no es
simetrico, pero si solo nos interesa el valor de la sefia) v01, puesto que los
generadores de corriente los hemos supuesto ideales, estos separan el
circuito de las salidas y estas resultan- independientes entre sf, con 10 que
podrfalTIOS suponer que en la salida de Q2 tambien hay aplicada una carga
RL y el circuito resultante es simetrico con 10 que podemos aplicar Barttlet.
Vi1 Vo1 Vo2

0
!ib1
hie Rc RL Rc hie
- - -
Figura 5.23 Circuito equivalente con carga asimetrica.
Si la resistencia interna de los generadores de corriente dependientes,

es decir hoe- 1 no es 10 suficiente grande como para ser despreciable frente
a Rc (ver Figura 5.24)~ no podemos hacer 10 indicado en el parrafo anterior
pues Jas salidas ya no resultan independientes entre sf y solo podremos
aplicar Barttlet si la resistencia RL es grande frente aRc, y el paralelo de
ambas por 10 tanto se puede aproximar a Re. En cualquier otro caso
tendremos que analizar el circuito cOlnpleto.
Vo1 Vo2
hie Rc Rc hie
Figura 5.24 Circuito equivalente con carga asimetrica. Efecto de hoe-I.
260
TEMA 5.- AMPLIFICADOR DIFERENClAL
5.6 IMPEDANCIA DE ENTRADA.
Puesto que un amplificador diferencial posee dos entradas de senal

y podemos aplicar sobre estas bien senal diferencial, senal asimetrica 0
senal comun, nos encontramos con que la impedancia de entrada que
presenta un amplificador diferencial depende del modo utilizado y es
necesario por tanto especificar este.
Distinguiremos por 10 tanto los tres modos posibles
a) Entrada diferencial.
b) Entrada asimetrica.
c) Entrada comun.
+Vcc
Rc Rc
V o1 Vo2
I
Vl1 VI2
0 Q1 02
RE lEE
Veamos cual es la impedancia de entrada que presenta, por ejemplo,

el amplificador diferencial de la Figura 5.25 para cada uno de estos modos
de funcionamiento y la relaci6n entre ellos.
En los casos en los que sea posible, a parte delamilisis directo, utili-
261
ZarelTIOS el metodo de Barttlet para el ea1culo de diehas impedaneias.
5.6.1 IMPEDANCIA DE ENTRADA DIFERENCIAL
Para el ea1culo de la impedaneia de entrada difereneial, el eircuito

equivalente al de la Figura 5.25 es el mostrado en la Figura 5.26.
ij Vi
~
+
)
Vi1 Vo1 Vo2 V
i2
! ib1
Rc Rc
ib2 !
hie hie
Figura 5.26 Oircuito equivalente para el calculo de

la impedancia de entrada diferencial.
La impedancia de entrada difereneial Zid viene dada por
V.
Z'd . = ~
I
1.
.
observando el circuito de la Figura 5.26 pOdeITIOS eseribir que

.. .
e Ii = Ibl = -I b2
pudiendo expresar Vii Y V i2 eOITIO
Y ib7h.
_ Ie +v e
por 10 que
262
La impedancia de entrada diferencial Zid que presenta el circuito sera

v. h.Ie (. h.Ie (.
Z id = ~I. = -.-
I
I.
Ibl -lb2
.)
= -.-
1.
.)
Ii +li = 2h ie
I I I
Puesto que el circuito es simetrico para este modo de funcionamiento

podemos apl icar el Inetodo de Bartdet para calcular la impedancia de
entrada diferencial Zid' EI circuito equivalente es el mostrado en la Figura
5.27 y a partir de el obtenemos que
Vd v/2
Zid = 2-.- 2hje
Id Id
-E--
id
+CDI 1
Vi1 Vd /2
Vo1
lib1
hie
Rc
Figura 5.27 Circuito equivalente mitad para eJ calculo de )a impedancia de

entrada diferencial mediante el metodo de Barttlet.
Este metoda es mas rapido que el anterior, sielnpre que se cUlnplan

las condiciones necesarias para poder aplicar Barttlet.
Puesto que hie se puede expresar como
h. = kT/q = {3 kT/q
Ie I I
B C
cuanto mayor sea Ie menor sera el valor de hie Y menor la impedancia de
263
ELECTRONIC'A ANALOGICA DISCRETA
entrada diferencial Zid y viceversa.
La ganancia Ad de este circuito es
A = -RChfc
d h.
Ie
inversa por 10 tanto al valor de hie, por 10 que existe un compromiso entre
la ganancia diferencial Ad Y la impedancia de entrada diferencial Zid
deseada.
EI producto de la ganancia por la impedancia de entrada es
ZjdAd = - 2RChfe
Se obtienen ilupedancias de entrada superiores a los 100 kO sin

ninguna dificultad. Es iluportante observar que la impedancia de entrada
p_ara el modo diferencial'es independiente de la resistencia RE del generador
de corriente.
5.6.2 IMPEDANCIA DE ENTRADA ASIMETRICA.
EI circuito equivalente para el calculo de la impedancia de entrada

asituetrica es el mostrado en la Figura 5.28.
La ilupedancia de entrada asiluetrica Zia se puede expresar como

V. ViI
I
Z.la = =
1. Ibl
I
Y analizando el circuito de la Figura 5.28 podemos escribir que
hie +(1 +hfe)R E V

hjc(h ic +2(1 +hfe)R E) il
264
Vi1 Vo1 Vo2 V

i2
ii~ !ib1 ib2 !
Ac Rc
hie hie -
- -
RE
Figura 5.28 Circuito equivalente para el caiculo de la impedancia de

entrada asimetrica.
La impedancia de entrada asimetrica Zia es por 10 tanto
hie(h ie +2(1 +hfe)R E)

=
hie +(1 +hfe)R E
Para el caso, bastante comun, de que (1 +hfJRE~ hie se puede

escribir que
En este caso no se puede aplicar Barttlet puesto que el circuito

equivalente resultante no es simetrico.
5.6.3 IMPEDANCIA DE ENTRADA COMirN.
EI circuito equivalente, para el calculo de la impedancia de entrada

comun, es el mostrado en la Figura 5.29.
La iJnpedancia de entrada comun Zic viene dada por

V.I
265
ELECTRONICA ANALOGlC'A DISCRETA
observando el circuito de la Figura 5.29 podemos escribir que

e (5.6)
s iendo las corrientes de base
[hie +(1 +hfe)RE]vil - [(1 +hfe)RE]vi2

hie(h ie +2( 1 +hfe)R E)
[hie +(1 +hfe)RE]vi2 - [(1 +hfe)RE]V il

hie(h ie +2(1 +hfe)R E)
Vo1
Rc Rc hie
Figura 5.29 Circuito equivalente del amplificador diferencial para el calculo de

la impedancia de entrada comun.
Teniendo en cuenta las ecuaciones 5.6 se tiene que
v·lh. +v· 2h. 2

i = i +i = I Ie I Ie = V.
i bI b2 h.Ie (11.Ie +2(1 +h fe)R E) h ie +2(1 +h)R
fe E I
con 10 que la impedancia de entrada comun es

h.
Z.Ie = ~ (5.7)
2 +(1 +h Ie.. )R E
266
TEMA 5.- AMPLIFIC'ADOR DIFERENC'lAL
En este caso el circuito es simetrico y podemos aplicar por tanto el

metoda de Barttlet para el calculo de la impedancia de entrada comun Zic'
...------r---<J Vo1
+ hie Rc
Figura 5.30 Circuito equivalente mitad para el caiculo de la impedancia de

entrada comun mediante el metodo de Barttlet.
El circuito equivalente es el que se muestra en Ia Figura 5.30 Y a

partir de el y teniendo en cuenta que la tension aplicada a la entrada es Vc
y Ia corriente de entrada es l, 10 que significa que al circuito mitad Ie
entrant una corriente iJ2, pOdelTIOS escribir por tanto que
1 Vc
2 i c12
por 10 que
h.
~+(l+h )R E
2 fe
que coincide logicamente con el resultado obtenido en la ecuaci6n 5.7

mediante el anal isis del circuito completo.
Se puede ver que esta impedancia de entrada comun tiene un valor

bastante mas elevado que el de la impedancia de entrada d iferencial, para
un determiriado amplificador.
267
ELECTRONICA ANALOOIC' A DISCRET A
5.7 IMPEDANCIA DE SALIDA.
Respecto a la impedancia de salida podemos distinguir dos tipos

correspondientes con los dos mod os estudiados anteriormente, es decir la
impedancia de sal ida para el modo diferencial 0 simetriCo a la que
denominaremos Zoo Y la impedancia de sal ida para el modo asimetrico que
presentanl una impedancia Zoa'
Utilizaremos como ejemplo el mismo circuito empleado para el

calculo de la impedancia de entrada Figura 5.25.
5.7.1 IMPEDANCIA DE SALIDA DlFERENCIAL.
EI circuito equivalente para el calculo de la impedancia de salida es

el representado en la Figura 5.31
hie hie
RE
Figura 5.31 Circuito equivalente para el calculo de la impedancia de salida

en el modo diferencial.
El metoda consiste en aplicar un generador entre los terminales en

los que se quiere calcular la impedancia y calcular el valor de la corriente
que entrega este generador, el cociente entre la tension aplicada y la
corriente generada nos da el valor de la impedancia, las entradas se han
268
TEMA 5.- AMPLIFICAPOR DIFERENCIAL
puesto a lnasa (generadO'res de entrada en cO'rtO'circuito) y IO'S generadO'res

dependientes de cO'rriente quedaran PO'r tantO' en circuitO' abiertO'.
La impedancia de salida diferencial Zod vendni dada PO'r
En el casO' de que exista una resistencia de carga RL cO'nectada a la

salida segun se muestra en la Figura 5.32 la impedancia serfa
Zod =
Vo2
Rc Rc
Figura 5.32 Circuito con resistencia de carga diferencial.
5.7.2 IMPEDANCIA DE SALIDA ASIMETRICA.
EI circuitO' equivalente para el calculo de esta impedancia es el

mostradO' en la Figura 5.33.
RealizandO' el arralisis cO'mO' en el casO' anteriO'r se tiene que la

itnpedancia de salida asimetrica Zoa vendra dada PO'r
Zon =
269
ELECTR6NICA ANAL6GIC' A DISCRET A
+-io
Figura 5.33 Circuito equivalente para el calculo de la impedancia de salida

asimetrica.
Al igual que en el caso anterior, si existe una resistencia de carga RL

conectada a la salida, Figura 5.34, la impedancia viene dada por
Zoa =
+-io
Figura 5.34 Circuito equivalente con resistencia de carga.
5.8 FUENTES DE CORRIENTE
Como se ha visto anteriormente el amplificador diferenciaI precisa

de una fuente de corriente para su funcionalniento, la impedancia interna de
esta fuente influye en el funcionamiento de este, especialmente en 10 que se
refiere a la ganancia en modo comun, siendo esta inversamente proporcional
a dicha impedancia, por 10 que interesa que esta impedancia interna sea 10
mas elevada posible.
270
Esto mejora por supuesto el CMRR y aumenta la relaci6n entre la

senal deseada y la senal COITIUn a la salida de nuestro amplificador
diferencial_
~IC1
-VEE
Figura 5.35 Fuente de corriente simple.
La Figura 5.35 muestra una fuente de corriente simple realizada con

un B1T. EI divisor de resistencias formado por Rl y R2 fija la tensi6n de
base, si la corriente de esta es pequena frente ~ la del divisor, y la corriente
de col ector leI vendra ajustada por el valor de R 3 •
-VEE
Figura 5.36 Espejo de corriente.
En la Figura 5.36 se muestra una fuente realizada mediante un

espejo de corriente, sistema muy utilizado en los amplificadores diferen-
ciales integrados, en la que IC2 = leI si QI =Q2.
Otra fuente de corriente muy util izada es la fuente Wilson cuyo
271
eircuito se muestra en la Figura 5.37 y que tiene la propiedad de presentar

una alta resistencia interna.
~IC2
Figura 5.37 Fuente de corriente Wilson.
Tambien cabe destacar la fuente Widlar que es una modifieacion del

espejo de corriente en la que la tension V BE(Ql) es repartida entre V BE(Q2)
Y R2 , con 10 eual la corriente Ic2 sera menor que IREF , dependiendo del valor
de R2 •
Figura 5.38 Fuente de corriente Widlar.
Este ultimo circuito se util iza bastante a menudo en los circuitos in-
tegrados ya que a partir de una determinada eorriente se pueden ir
obteniendo otras dependientes de esta, pero de diferente valor, para
polarizar por ejemplo distintas etapas amplificadoras .
272
5.9 EFECTOS EN CONTINUA
5.9.1 CORRIENTES DE POLARIZACION
Logicamente los transistores que constituyen una etapa diferencial

deben de estar polarizados correctalnente y es necesaria la existencia de un
camino para las corrientes de base de ambos transistores.
Cuando un alnplificador diferencial se ha disenado para poder

amplificar senales de variacion tnuy lenta con el tiempo 0 pnicticatnente
senales continuas, el acoplalniento entre los generadores y el amplificador
ha de ser un acoplamiento directo, ya que en este caso no podemos utilizar
condensadores de acoplo, que impedirfan el paso correcto de estas senales
de tan baja frecuencia.
Figura 5.39 Amplificador diferencial con acoplamiento en continua.
En la Figura 5.39 las corrientes de base IBI e IB2 circulan desde masa
a traves de los generadores de senal hacia las bases de los transistores QI
y Q2 respectivamente.
A estas corrientes se les denom ina corrientes de polarizacion del

amplificador diferencial y en principio si el circuito es simetrico e ideal son
273
de igual valor. Pero en un circ4ito real los transistores aun siendo del
mismo tipo tendran diferencias en sus parametros as] COlno las resistencias
tendran una determinada tolerancia con 10 cual estas corrientes de
polarizacion diferiran entre sis
Se define la corriente de polarizacion 18 (bias current) en estos

alnplificadores diferenciales disefiados para amplificar senales continuas 0
de muy baja frecuencia y por 10 tanto de acoplo directo a la selnisuma de
estas corrientes, es decir a
Se define como corriente de offset I/O (offset current) a la diferencia

entre ambas corrientes de polarizacion
+Vcc
182
Figura 5.40 Circuito equivalente para el amilisis en continua.
Para una determinada serie de amplificadores IBl e IB2 seran

sustituidas por los val ores Inedios de estas, por 10 que IB e IIO representaran
los valores tnedios de la serie, debiendo indicar el fabricante los val ores de
desviacion, por ejemplo I B =40±5 /lA e 1110 1= ± 10 /lA.
274
TEMA 5.- AMPLIFICADOR DIPERENCIAL
EI circuito equivalente para el amilisis de la polarizacion del

amplificador diferencial de la Figura 5.39 es el mostrado en la Figura 5.40,
donde la tension en las bases es de 0 V, en los emisores de -V BE Y en los
colectores de + Vcc-Rc *IEE/2.
En el caso de que se trate de amplificadores diferenciales disenados

para amplificar tan solo sefial alterna y se desee por tanto bloquear la
continua, es necesario por ejemplo la utilizacion de condensadores de paso
y se pueden utilizar las redes de polarizacion estudiadas en el telTIa 2.
Figura 5.41 Amplificador diferencial con resistencia de polarizacion de base.
En este caso no tiene sentido hablar de corrientes de polarizacion ni

de corrientes de offset ya que son internas al amplificador y se encuentran
aisladas por los condensadores de acoplo, por 10 no influiran en las senales
alternas que se estan manejando.
En la Figura 5.41 se muestra la polarizacion de base mediante la

utilizacion de una resistencia RB (con 10 que dependera lTIucho el punto de
polarizacion de las betas de los transistores).
Se puede polarizar mediante la utilizacion de un divisor de tension

segun se muestra en la Figura 5.42 (que 10 independiza lTIaS de las betas ~e
los transistores), COITIO se ha visto anteriormente el generador de corriente
275
lEE se puede sustituir por una resistencia RE como se muestra en esta figura.
+Vcc
Rc Rc
V01 V02
f-
Re
vi -
-VEE
Figura 5.42 Amplificador diferencial polarizado mediante divisor de resistencias.
En el caso de que se aplique sefial a una sola de las entradas y el

generador de sefial posea resistencia interna Ru se debe poner una resisten-
cia del ITIismo valor entre la base del otro transistor y la masa (Figura 5.43)
para de esta manera equil ibrar las corrientes de polarizacion y hacer por
tanto que los dos transistores trabajen en el miSlTIO punto de polarizacion.
+Vrx:;
Figura 5.43 Polarizaci6n de base equilibrada mediante RG •
En el circuito de la Figura 5.44 se muestra la polarizacion de un

alnplificador diferencial realizado mediante dos etapas en cascada, una
276
TEMA 5.- AMPLlFICADOR DIFERENCIAL
primera etapa en configuracion de colector comtin 0 seguidor de emisor

(que Ie proporciona impedancia de entrada elevada) y una segunda etapa en
configuracion de emisor comtin (que Ie proporciona buena ganancia de
tension).
Figura 5.44 Amplificador diferencial multietapa.
En la Figura 5.45 se tiene una etapa amplificadora diferencial

realizada con transistores en configuracion darlington, 10 que proporciona
una buena impedancia de entrada pero el error debido a las corrientes de
polarizacion es mayor.
o -VEE
Figura 5.45 Amplificador diferencial con BJT's en configuraci6n darlington.
277
Ejercicio 5.5 Calcular en el circuito amplificador diferencial de la Figura

5.43, el punto de polarizacion de los transistores teniendo en cuenta que
{3= 100 Y VBE=0,6 V.
+10V
fG' 10k
-10V
+1OV
Resultado. Partiendo del circuito de la

Figura 5.46, se obtiene el circuito
equivalente para el calculo de la
polarizacion que se lnuestra en la Figura
5.47. A partir de el se obtiene el siguiente
punto de trabajo para ambos transistores
V cE=5,88 V e Ic=0,497 rnA.
Figura 5.47
5.9.2 TENSION DE OFFSET.
Si analizamos en continua el circuito de la Figura 5.48a, obtendre-

mos la mislna tension en VOl que en V02. Sin embargo si implementamos
dicho circuito, 10 alimentamos y lnedimos la tension entre ambos puntos
observaremos una determinada tension ya que los componentes reales
dispondran de una determinada tolerancia en sus paralnetros y por 10 tanto
se perdeni la s i metria.
278
Rc Rc
Figura 5.48 a) Con error de offset. b) Error de offset compensado.
A esta diferencia de tension que aparece en la salida cuando la

diferencia de tension a la entrada es nula se la denomina tension de offset
de salida Voo (output offset voltage). Esta tension de offset de salida se
puede anular si introducimos a la entrada una tension VIO (Figura 5.48b)
que cOlnpense el error inicial.
Se define como tension de offset de entrada Vro (input offset

voltage) a la tension continua necesaria, en ausencia de senal, a aplicar a la
entrada del amplificador diferencial para que la tension diferencial de salida
sea nula.
- - - - -- ------- - -- - - - - - - - «Rei EE
Figura 5.49 Curva de transferencia de un amplificador diferencial sin offset.
279
ELECTRONICA ANALOGIC A DlSCRET A
La Figura 5.49 muestra la curva de transferencia de un amplificador

diferencial ideal en el que la diferencia de tension a la salida es cero cuando
la diferencia de tension a la entrada es nula. Tambien se puede observar en
dicha curva los val ores maximos de saturacion en ambos sentidos ±~R(JEE'
puesto que ~ = 1 se suele utilizar ±RcIEE.
Figura 5.50 Curva de transferencia de un amplificador diferencial con offset.
En la· real idad se tendra la curva de transferencia que se muestra en

la Figura 5.50 en la que podemos observar un desplazamiento de la curva
debido cOlno se ha mencionado anteriormente a la diferencia entre los
panimetros de alnbos transistores y a la tolerancia de los diferentes
componentes que configuran el amplificador. En dicha figura podemos
observar tambien los valores de VIO y de Voo.
5.9.2.1 Valor teo rico de la tension de offset.
Partiendo de las ecuaciones de Ebers-Moll en la regIon activa

utilizadas en el apartado 5.2 y operando se obtiene que la tension de offset
VIa viene dada por
280
TEMA 5.- AMPLIFICADOR DJFERENCIAL
donde los subindices 1 y 2 representan a los transistores QJ Y Q2.
Por 10 tanto la tension de offset VIO depende principal mente de los

siguientes factores:
a) De la (3 de los transistores pues c¥j=t3/(l +(3), su influencia es

muy pequena pues suponiendo un caso extrelTIO en el que {31 =50 Y
(32=200 se tiene que a/a2=0,985.
b) De las tolerancias de los COlTIpOnentes de polarizacion, en este

ejelTIplo, de las resistencias de col ector RCh su influencia es mayor
que en el caso anterior.
c) De las corrientes de saturacion IEsi' estas corrientes suelen variar

lTIucho de unos transistores a otros dentro de un mismo tipo y es la
principal causa del offset de tension. Estan relacionadas directamente
con las diferencias de tension estatica V BE, por 10 que para dis-
minuirla se suelen seleccionar transistores con las mislnas carac-
terfsticas de V SE (vease apartado 5.9.5).
5.9.2.2 Metodos de compensacion para reducir el offset.
Para conseguir obtener una tension diferencial de salida nula cuando

la tension diferencial de entrada es cero se utilizan circuitos que consiguen
desequil ibrar la polarizacion en sentido contrario a la producida por la
diferencia entre los parametros 0 tolerancias de los componentes.
En la Figura 5.51 se pueden observar diferentes circuitos que

realizan esta compensacion, entre ell os los mejores resultados se obtienen
con los compensados en elnisor.
Hay que resaltar que estos circuitos no mejoran el CMMR y que

ademas introducen desequilibrios en el cOlTIportamiento en senal alterna pero
281
ELECTRONK'A ANALOOI<.'A DISCRETA
ofrecen ventajas cuando se trabaja con senales en los que Ia continua forma
parte de la informacion.
+Vcx;
Rp
Figura 5.51 Circuitos para la compensacion del offset.
5.9.3 DERIV AS.
Aunque logremos ajustar la tension de offset de salida a cero 0

consigalnos igualar las corrientes de polarizacion de base en un Inomento
detenninado, estos valores pueden cambiar debido a una variaci6n de la
temperatura, 10 que producini una variacion en los parametros de los
componentes (especialmente en los activos), tambien se modificaran si
varian las tensiones de alilnentacion e incluso el envejecimiento con el
tiempo de los cOlnponentes Inodificaran estos valores.
Para poder evaluar estas variaciones se suelen dar como parte de las
caracteristicas de un amplificador diferencial no solo el valor de las
282
corrientes y tensiones de offset sino tambien la variaci6n de estas en funci6n

de la temperatura 0 del tiempo.
5.9.3.1 Deriva de la tension de offset con la temperatura.
La tension de offset como se ha visto anteriormente venia dada por
en donde YT=kT/q.
Si derivamos la expresi6n anterior respecto de la temperatura

obtenemos que
ay 10 VIO
aT T
que es el coeficiente de variacion 0 deriva de la tension de offset respecto
de la teInperatura.
Ejercicio 5.6 Supongamos que un fabricante nos indica, como carac-

teristica, que un determinado amplificador. diferencial puede tener como
maximo una tension de offset de ±6 mY a una temperatura de trabajo de
27°C y que la deriva de la tensi6n de offset respecto de la temperatura es
de 40 f.l Y1°C. ~Cual sera el tnargen maximo que podra alcanzar la tension
de offset a una temperatura de 70 ° C? .
Soluci6n: Yro= +7,72 InV.
5.9.3.2 Deriva de la corriente de offset con la tenlperatura.
La expresi6n que define la corriente de offset es como se ha visto

anterionnente
283
ELEC'TRONICA ANALOGICA DISCRETA
I1 I = I
10 IBI - IB2 I
en la que hemos considerado el valor absoluto, pues en principio puede
tener tanto signo positivo COITIO negativo.
Se puede realizar un amilisis para determinar teoricamente el valor

de la variacion de la corriente de offset con la temperatura, la expresion que
se obtiene para transistores apareados, es decir con caracteristicas parecidas,
viene dada por
1 a(3
- - . - . 110 = In· 110
(3 aT
en la pnictica el valor del coeficiente "m " es de -0,015 ° C- 1 para
teluperaturas inferiores a los 25°C Y de -0,005 °C- 1 para temperaturas
superiores a los 25°C, si ambos transistores son apareados.
Ejercicio 5.7 Supongamos al igual que en el ejercicio anterior, que un

fabricante nos indica, COITIO caracteristica, que un determinado amplificador
diferencial puede tener COIUO maximo una corriente de offset en modulo de
50 JlA a una telTIperatura de trabajo de 27°C Y que la deriva de la corriente
de offset respecto de la teluperatura es la que se ha indicado anteriormente.
lCual sera el margen lnaximo' que podra alcanzar la corriente de offset a
una temperatura de 70 ° C? .
Solucion: V10 = ±7,72 mY.
5.10 MARGEN DINAMICO
La Figura 5.52 nos Inuestra las curvas de transferencia del

amplificador diferencial cuyo circuito se representa en la Figura 5.53 Y que
nos ha servido a 10 largo del tema de base para el estudio de las principales
caracteristicas de los amplificadores diferenciales.
284
-Rc lEE I----r----/----+----t-------='"'I----
o 2VT 4VT
Figura 5.52 Curvas de transferencia del amplificador diferencial estudiado.
La corriente de colector ICI del QI puede variar entre cero e lEE,

variando la corriente de colector IC2 de Q2 de forma contraria pues siempre
se cumple que lei + IC2 = lEE si consideramos que ~ = 1.
Vo1 Vo V02
~--- 0
Figura 5.53 Amplificador diferencial bC"\io estudio.
Por 10 tanto la variacion de las tensiones de sal ida Vol Y V02 sera
segun se ve en la curva de transferencia y se desprende del anal isis del
circuito RCIEE' por 10 que fa variaci6n de la tension de salida diferencial v0
es 2RcIEE de pico a pico.
285
Hay que tener en cuenta que 10 anterior solo se cumple mientras sea
RcIEE < Vcc. Esto ultimo nos indica que si queremos obtener en el circuito
la maxima excursion posibie deberfamos hacer que RcIEE = Vcc, con 10 cual
la excursion obtenida sera 2V cc si ademas se cumple que VEE > V('c pues en
caso contrario seria el valor de VEE quien recortarfa la serial.
Observando la curva de transferencia tnostrada en la Figura 5.52, se

aprecia c1aramente que si obtenemos la maxima excursion, la distorsion sera
apreciable y si nos interesa reducir esta la sefial de entrada debera estar
limitada a valores tales que nos mantengan la sefial de salida en la zona
lineal.
Debemos recordar que los margenes de salida se pueden ver

afectados por los posibles desequilibrios del circuito, debido a que estos
producen tensiones y corrientes de offset, asf como a una sefial comun de
entrada elevada que inevitablemente producira sefial cOlnun a la salida
reduciendo por tanto el margen maximo de nuestra sefial.
5.11 AMPLIFICADORES DIFERENCIALES

INTEGRADOS
Para obtener las Inejores prestaciones de un detenninado

amplificador diferencial los cOlnponentes que 10 configuran deben poseer
caracterfsticas bien definidas. EI par de transistores de entrada, por ejemplo,
deben de ser electricamente 10 InaS parecidos posibles, las resistencias deben
tener tolerancias reducidas, en base a conseguir la lnaxima siInetrfa posible
en el circuito y por 10 tanto eI Inayor rechazo del 1110do cOlnun.
En un principio se empezaron a comercializar pares de transistores

ya seleccionados para la realizacion de amplificadores diferenciales.
Posteriormente con la aparicion de los primeros circuitos integrados se
fabricaron arrays de transistores COlno el CA3127E de RCA, cuyo diagrama
electrico se representa en la Figura 5.54, el cual contiene cinco transistores
286
TEMA 5.- AMPLIFIC'ADOR DIFERENCIAL
independientes entre si con substrato comun. E1 circuito esta disefiado para

aplicaciones de baja potencia yalta frecuencia con un producto ganancia-
ancho de banda (fT) superior a 1 GHz que Ie perinite trabajar perfectamente
en Ia gama de VHF.
I)HI
i, Q4 ~"f-JI
I ,/
L-J
CA3l27E
Figura 5.54 Circuito integrado CA3127E.
Posteriormente se integraban uno 0 dos pares de transistores

acoplados asf como otros transistores independientes para la realizaci6n de
circuitos complementarios COlTIO fuentes de corriente, etc.
Estos pares de transistores que incorporan los circuitos integrados

presentan caracterfsticas tTIuy similares pues han sido fabricados a la vez y
por 10 tanto bajo las mismas condiciones.
'~ 14 'i'13 012 n8
r
I a5~~
i i
L---...J
Figura 5.55 Circuito integrado CA3146.
En la figura 5.55 se muestra el esquema interno del circuito

integrado CA3146 de la finna RCA, para aplicaciones en el margen de
frecuencias entre DC y VHF, donde los transistores Ql y Q2 pueden formar
el par diferencial de entrada y Q3' Q4 Y Q5 se pueden utilizar para otros
fines como por ejelnplo una segunda etapa diferencial y fuente de corriente.
287
ELECTRONICA ANALOOICA VISCRET A
A medida que se fue desarrollando con el paso del tiempo la

tecnologia de integracion se fueron inc1uyendo cada vez mas componentes
en un Inislno integrado. La Figura 5.56 corresponde al circuito integrado
CA3000 tambien de Ia firma RCA, en eI que se puede observar Ia
integracion de un ampl ificador diferencial completo, entre sus caracteristicas
dispone de una impedancia de entrada de 195 kO, una ganancia de tension
de 37 dB y un CMRR de 98 dB.
20-'VVv--.......----I
R7
50----1 R9
01
1----04
02 R10
En dicho circuito los fransistores QI y Q2 constituyen el par

diferencial de entrada en configuracion de colector comun 0 seguidor de
emisor que Ie proporciona impedancia de entrada elevada pero baja ganancia
en tension. Los transistores Q3 y Q4 forman una segunda etapa diferencial
en elnisor comun que Ie proporciona la ganancia de tension.
Las patillas 2, 4 Y 5 del CA3000 permiten, segun se interconecten,

vanar el valor de la corriente lEE generada por la fuente de corriente
formada por el transistor Q5'
288
TEMA 5.- AMPUFICADOR DIFERENCIAL
La figura 5.57 muestra el circuito integrado CA3002, disefiado para

aplicaciones con salida asimetrica. La etapa de salida esta realizada
tnediante el transistor Q6 en configuracion de colector comun, 10 que Ie
proporciona baja impedancia de salida.
10
4o----i
Figura 5.57 Circuito integrado CA3002 .
. Las caracterfsticas principales del circuito integrado CA3002 son:

una resistencia de entrada de 100 kO, una resistencia de salida de 75 0, una
ganancia de tension de 24 dB aI, 75 MHz, un ancho de banda a -3 dB de
11 MHz, y un margen de frecuencias de utilizaci6n desde DC hasta los 15
MHz como val ores tfpicos.
EI circuito integrado CA3004 que se muestra en la figura 5.58 esta

fonnado por una etapa diferencial en el que las resistencias de polarizacion
de colector son externas 10 que proporciona un circuito lnenos cOlnpacto
pero mas versatil.
Este circuito permite entradas y salidas balanceadas y en cuanto al
289
margen de frecuencias se refiere, puede trabajar desde DC hasta 100 MHz,

cubriendo por tanto las gamas de RF, IF y video.
12 6
RS R7
2o-'VV'v---r--.....
5O----t R5
r----o4
R4
-"vv--~ 3
R2
Entre las aplicaciones de este integrado cabe destacar alnplificadores

tanto de banda ancha como estrecha, mezc1adores, detectores, moduladores,
limitadores, etc.
290
BIBLIOGRAFIA:
(1) Milhnan, 1. Grabel, A. Microelectronica. Tema 10. Editorial Hispano

Europea, S.A. 1991.
(2) Hambley, A.R. Electronics. A Top-Down Aproach to Computer-Aided

Circuit Design. Temas 2, 12 Y 13. Macmillan Publishing Company. 1994.
(3) Schilling, D.~. Belove, C. et al. Circuitos Electr6nicos: Discretos e In-

tegrados. Tema 7. McGRAW-HILL. 1993.
(4) 1. Millman. Microelectronica. Circuitos y Sistemas Analogicos y

Digitales. Tema 15.
(5) Munoz Merino, E. et al. Circuitos Electronicos. Vol. I. Tema 7 y

Anexo. UPM.
(6) Sedra, A. et al. Dispositivos Electronicos y Amplificacion de Senales.

Tema 10. McGRAW-HILL. 1989.
(7) Arnau, A. et al. Tecnicas Basicas de Electronica. Tema 4.
(8) Batalla, E. et aI. ProbLernas de Electr6nica Analogica. Tema 5. SPUPY.

1994.
291
TEMA6
,
REALIMENTACION
6.1 INTRODUCCION
EI concepto de realimentaci6n en un amplificador es f£lcil de presentar:

una parte, 0 la totalidad de la sefial de salida se introduce a la entrada del
amplificador. La entrada real al amplificador esta ahora determinada, a la
vez, por la sefial del generador externo y por la senal realimentada.
Calentador Habltacl6n
Temperatura
deseada sensor de
temperatura
camino de realimentaci6n
Figura 6.1 Control de temperatura.
La mayor parte de los sistemas ffsicos inc1uyen alguna forma de

realimentaci6n (Figura 6.1). Es interesante nOtar' sin embargo, que los
ingenieros en electr6nica han desarrollado la teorfa de la realitnentaci6n
negativa. En su busqueda de metodos de disefio de amplificadores con
ganancia estable para el uso de repetidores telef6nicos, Harold Black, un
ingeniero en electr6nica de la Compania Western Electric, "invent6" el
amplificador con realimentaci6n en 1929. Desde entonces esta tecnica se ha
utilizado tan ampliamente que es casi imposible pensar en los circuitos
electr6nicos sin alguna forma de realimentaci6n, tanto implicita como
explicita.
293
Tal realimentaci6n tiene gran interes, pues puede corregir muchos de

los inconvenientes de los amplificadores reales: distorsi6n debida a no
linealidades de los componentes activos, variaciones de los panimetros,
efectos de la temperatura, control de la ganancia y del ancho de banda,
ruido generado internamente, etc.. Para algunos de estos problemas la
medida evidente de utilizar Inejores dispositivos tiene un llmite tecnol6gico
o un coste excesivo y talnpoco permite ciertos logros.
Todas las propiedades deseables anteriores se obtienen a expensas de

una reducci6n en ganancia. Se demostrani que el factor de reducci6n de la
ganancia, llamado diferencia del retorno, es el factor por el cual la
ganancia se estabil iza, la itnpedancia de entrada de un amplificador de
tension se incrementa, el ancho de banda del circuito se extiende y as!
sucesivamente. En sfntesis, la idea basica de la realimentacion negativa es
cambiar ganancia por otras propiedades deseables. Este capitulo se dedica
al estudio de los anlplificadores con realimentacion negativa, su anaJisis y
caracteristicas.
Precisamente, un primer problema ligado con la realilnentacion es

simplemente como estudiarla. Por un lado el amplificador con las redes de
realimentacion podria ser analizado Inediante tecnicas de nudos y mallas, y
calcular asf las funciones de transferencia. Ni siquiera haria falta recurrir
al concepto de realimentacion. Sin elnbargo taltnodo de ataque no nos dada
apenas informacion ni ensefianzas para predecir sus efectos ni realizar un
disefio. Otro procedimiento considera al amplificador y a la red de
realimentacion cOlno sendos cuadripolos interconectados. Falta
complementar este metoda para aprender a util izar cada tipo de
realimentacion en amplificadores reales, segun 10 que se desee que real ice
la lnisma. Nosotros seguiremos este punto de vista.
Otro punto crucial es que la fase de la sefial realimentada, con respecto

a la del generador de entrada, cambianl con la frecuencia. Este hecho
obligani a conocer con precision las caracteristicas de ganancia y fase del
alnplificador de partida. Si la fase de la sefial realimentada es tal que esta
294
TEMA 6.- REALIMENT ACION
refuerza la senal del generador exterior, la realimentacion es positiva. Este

tipo de realimentacion puede producir inestabilidades y se emplea
normal mente en circuitos oseiladores. Cuando la fase de la senal
real imentada es tal que se opone a la del generador, se dice que la
real imentacion es negativa.
Al comienzo de la introducci6n deciamos que la realimentacion negativa

surge como una forma de resolver el problema de diseno de un amplificador
con gananeia preestableeida y fija. Veamos eon uoos ejemplos numericos
el porque de esta afirmacion.
Supoogamos que queremos disenar un emisor-eomun.
Si vamos a las caracterfsticas del dispositivo activo dadas por el

fabricante vemos que para los diferentes panimetros da un valor mfnimo,
otro maximo y un valor tfpieo. Asf
'"
500 < hie < 2000 {} 50 < hfe < 200
Como ya sabemos la ganancia de tension de una etapa tfpica en elnisor

comun con resistencia de emisor desacoplada viene dada por
Suponiendo una RL de 1 kO la ganancia que podemos obtener para ese

amplifieador estani comprendida entre
Amax = -200'1/0,5 = -400 yAmin = -50·112 = -25
Este margen se puede ver afectado si tenemos encuenta que ademas los
parametros sufriran variaciones debido a envejecitniento, cambios de
temperatura, etc ..
l,Como resuelve la realimentacion el problema?
295
Consideremos un amplificador al que llamamos basico, en el que se

conectan dos resistencias Rl Y R2 • Al conjunto Ie llamaremos amplijicador
realimentado (Figura 6.2).
R2
i2
R1
i1
vg vo
-volA -A
Figura 6.2 Amplificador realimentado.
Al amplificador basico vamos a imponerle Ia condici6n de que tenga

una ganancia de tensi6n muy alta (quizas sea necesario utilizar un
multietapa) y una impedancia de entrada tambien muy elevada. Como
sabemos dos condiciones no muy dificiles de cumplir.
Dado que la impedancia de entrada del amplificador basico es muy

elevada Ia corriente que pasa por Ia resistencia Rl sera igual a la que pasa
por R2 •
Si suponemos que Ia ganancia del amplificador basico es -A y la tensi6n

de salida es Yo, la tensi6n a la entrada de dicho amplificador debera ser
-v)A.
La corriente que circulara por Rl sera

v -(-v fA)
i - g 0
1 R
1
y por R2
(-v fA)-v
i - 0 0
2 R2
296
TEMA 6.- REALIMENTACION
igualando las expresiones y calculando la ganancia de tensi6n A' del circuito

completo
Si A es grande (A::.1 +(R2 /R 1 », entonces A' sera aproximadamente igual

a -R2 /R 1 •
Por tanto si A es grande, aunque vade, A' sera bastante constante y por
ser funci6n de val ores de elementos pasivos, no dependera tanto de la
temperatura, envejecimiento, etc ..
Utilizando valores numericos, si A = 2.106 Y R2/Rl 1000
A' = -999,5
si por cualquier motivo A se redujera a la mitad A = 106 , la ganancia del

amplificador completo A' valdria
A' = -999
con 10 que A' practicamente no ha variado.
6.2 CONCEPTO DE REALIMENTACION
La Figura 6.3 representa un esquema general de la realimentaci6n

realizada en un amplificador basico.
Vamos a analizar los diferentes bloques que constituyen el amplificador

realimentado:
297
IL
~
II I
Tv
Red f--7-+- Amplificador basico Radde ..:
Fuente de
selia! ! VQ
i-------=-
comparadora
o mezdadora - !Vi Ganancia de transferencia
dlractaA t---
muestreo vol R~
;>
e~J~~
If I Radde
I
1Vf I realimentaci6n I
Figura 6.3 Esquema de bloques de un amplificador realimentado.
FUENTE DE SENAL: Este bloque representa una sefial de tension Vg

en serie con una resistencia Rg 0 una sefial de corriente ig en paralelo con
una resistencia Rg •
RED DE REALIMENTACION: Este bloque consiste normalmente en

un cuadripolo pasivo que puede estar constituido por resistencias,
condensadores e inductancias. Lo mas corriente es una configuracion simple
a base de resistencias.
CIRCUITO DE MUESTREO: En las Figuras 6.4 y 6.S estan indicados

dos tipos de redes de muestreo.
Muestreo
----..,
de tensi6n
0
-
-
Amplificador basico
Ganancia de transferencia
directa A
I
I
I
L
I
I
I
I Vo ~
<;>
RL
~-- ~
car
exte
- Red de
- realimentaci6n
Figura 6.4 Muestreo de tension.
298
Muestreo
de corrlente
----., 0
- I
-
Amplificador basico
Ganancia de transferencia
dlrecta A
I
I
I
I
I
vol <;.
RL~
L --- r-
carp, a
axte n a
.-...,
Radde
......, realimentaci6n
Figura 6.5 Muestreo de corriente.
En la de la Figura 6.4 se toma una lTIUestra de la tensi6n de salida

conectando el circuito de realimentaci6n en paralelo con la salida. Este tipo
de conexi6n se denolTIina muestreo de tensi6n, muestreo paralelo 0 de nudo.
En la Figura 6.5 esta indicado otro tipo de conexi6n en la que se toma una
muestra de corriente intercalandose la red de realimentaci6n en serie
(muestreo serie 0 de corriente) con la salida.
RED COMPARADORA 0 MEZCLADORA: La red comparadora 0

mezcladora trata de combinar Ia sefial externa con Ia de la salida de la red
realimentadora. En Ia figura vemos dos tipos de bloques mezcladores. Bien
mediante una conexi6n en serie (Figura 6.6), combina la tension de
real imentaci6n con la del generador externo 0 bien mediante una conexi6n
en paralelo (Figura 6.7), combina la corriente realimentada con la de la
sefial externa.
Mezclador serle
1-------
I
Ampllflcador baslco I--
Fuente de
selial
t Vg:
I
I
t Vi Ganancia de transferencia
dlrecta A
I
I--
- - - -- - - I
t Vf I
Red de
realimentaci6n I
I
Figura 6.6 Mezclador serie.
299
ELEC'TRONICA ANALOGICA DISCRET A
Mezclador paralelo
IQ I - - - - - - -;
Fuente de I
Ii
I
Amplificador basico -
senal I Ganancia de transferencia
I
I
- -- -- i- - I
directs A
-
If
Red de
I realimentacion I
Figura 6.7 Mezclador paralelo.
FUNCION DE TRANSFERENCIA 0 GANANCIA: EI amplificador

basico puede ser de uno de los cuatro tipos que conocemos y cuyas
impedancias de entrada y sal ida ideales recordalnos en la tabla siguiente
Tipo de amplificador lmpedancia de Impedancia

entrada Ze de salida Z"
Tension 00 0
Corriente 0 00
Transconductancia 00 00
Transresistencia 0 0
EI sfmbolo A de la Figura 6.3 representa la relaci6n entre las sefiales

de salida y entrada del amplificador base.
La relaci6n de transferencia v/v j se denomina amplificaci6n de tensi6n

o ganancia de tensi6n Av. De igual forma la relaci6n ili j es la amplificaci6n
de corriente 0 ganancia de corriente AI del amplificador basico. La relaci6n
ilVi del ampl ificador base tOlna el nombre de ganancia de transconductancia
300
GMY viii es la ganancia de transresistencia RM . No obstante es conveniente

referirse a las cuatro cantidades Ay, AI , GM Y RM como una ganancia de
transferencia del amplificador basico sin realimentaci6n Y emplear el
sfmbolo A para representar cualquiera de ellas.
EI sfInbolo Af se define como la relaci6n entre la senal de sal ida y la de

entrada de un mnplificador realimentado tal como el de la figura 6.3 y se
Ie denomina ganancia de transferencia del amplificador con realimentaci6n.
Por tanto Af se empleara para representar cualquiera de las cuatro relaciones
vo/vg=A Yf ; iJig=A 1f ; io/vg=G Mf Y vo/ig=R Mf •
La relaci6n entre la ganancia de transferencia con real imentaci6n Af Y

la ganancia del amplificador base sin realimentaci6n se obtendra mas
adelante.
6.3 TIPOS DE REALIMENTACION
Cualquiera de las conexiones de salida puede combinarse con cualquiera

de las conexiones de entrada, formando el amplificador realimentado de la
Figura 6.3.
EI amplificador basico, como ya dijimos, puede ser un amplificador de

tensi6n, de transconductancia, de corriente 0 de transresistencia conectado
con realimentaci6n tal como indica las figuras siguientes.
Las topologfas que se representan en estas figuras corresponden a:
a) Realimentaci6n de tensi6n en serie

b) Realimentaci6n de corriente en serie
c) Realimentaci6n de corriente en paralelo
d) Realimentaci6n de tensi6n en paralelo
301
10
~Vg
Amplificador basico
Vi RL?
Ganancia de transferencia <->
r--- directa A
Red de
1Vf realimentaci6n
Figura 6.8 a) Tension-serie.
~vg RL~
Amplificador basico
Vi Ganancia de transferencia
directa A
-0
Red de
1Vf realimentaci6n
Figura 6.9 b) Corriente-serie.
En todas estas figuras (6.8 a 6.11), la resisteneia de la fuente Rg se

eonsidera que forma parte del amplifieador y la gananeia de transfereneia
A (Av, A., GM , RM ) inc1uinilos efectos de carga que presente la cadena de
realimentaei6n tanto en la entrada eOlno en la salida del amplificador basieo,
asf eOino el efeeto de RL y Rg •
302
I'I 10
Amplificador basico <.>

( D.g Ganancia de transferencia RL~
directa A r-'U
If
Red de
realimentaci6n
Figura 6.10 c) Corriente-paralelo.
I'I 10
Amplificador basico
( D.g Ganancia de transferencia RL S
~
directa A
If
Red de
realimentaci6n
Figura 6.11 d) Tensi6n-paralelo.
La senal de entrada X g , la de salida X o ' la de realitnentaci6n Xf y la

diferencia Xd , representan, ya sean tensiones, ya sean intensidades. Estas
senales as! COITIO las relaciones A y {3 que corresponden a cada topologia,
estin resumidas en la tabla siguiente.
303
ELECTRONIC A ANALOGICA DISC RET A
Ti pO de realimentacion
Seiial 0
relacion Tension Corriente Corriente Tension
en serie en serie en paralelo en paralelo
Xo Tension Corriente Corriente Tension
Xg,Xf,Xd Tension Tension Corriente Corriente
A Av GM AI RM
{3 V/V o Vr/lo If/lo If/V o
6.4 FUNCION DE TRANSFERENCIA DE UN

AMPLIFICADOR REALIMENTADO
EI amilisis del amplificador realimentado puede Ilevarse a cabo (como

anunciamos en la introducci6n) sustituyendo cada elemento activo por su
modelo de pequena senal y escribiendo las ecuaciones de Kirchoff de mallas
y nudos. Sin embargo esta aproximaci6n no pone en evidencia las
caracterfsticas principales de la realimentaci6n.
Como primer paso para establecer un metodo de amilisis que resalte los
beneficios de la realimentaci6n, consideremos el esquema siguiente
representativo de un amplificador realimentado generalizado.
En el circuito de la Figura 6.12 esta representado por un pequeno

cuadrado, el circuito mezclador 0 comparador cuya salida es la suma de las
dos entradas teniendo en cuenta eI signo de cada una de elIas, 0 sea
304
TEMA 6.- REALIMENTACTON
Comparador Sel'\atde
mezclador salida
Xg Ampllflcador Xo-AXI
baslco
Senal de Senal
entrada dlferenc.ia RL
Carga
Externa
Xf Red de
realimentaci6n
Seflalde
reallmentacl6n
Figura 6.12 Esquema simplificado de un amplificador realimentado.
Puesto que Xd respresenta la diferencia entre Ia sefial aplicada y Ia de

realilnentaci6n a Ia salida de Ia cadena (3, se Ie denomina sefial diferencia,
de error 0 de comparaci6n.
EI factor de transmisi6n (3 se define como
Frecuentemente el factor (3 es un numero real, positivo 0 negativo, pero

en el caso mas general, (3 deb era considerarse como una funci6n compleja
de la frecuencia. EI simbolo Xo representa la tensi6n de salida 0 la corriente
de salida (en la carga).
La ganancia de transferencia del amplificador base, A, se define como
Sustituyendo en las ecuaciones anteriores se obtiene Ia ganancia con

real imentaci6n Af
x =X-X
d g f
305
Ar{l +A'(3)=A
A - A
r (1 +A .(1)
La cantidad A representa la ganancia de transferencia del amplificador

correspondiente sin realimentaci6n, pero incluyendo la carga debida a f3 ,
RL Y Rg •
En la Figura 6.12 velnos que la sefial Xd se lnultiplica por A al pasar

por el amplificador, por /3 en la translnisi6n a traves de la red de
realilnentaci6n, y por -1 en la red mezcladora 0 diferencial. De esta manera
se recorre desde los tenninales de entrada, por el amplificador y la red de
realimentaci6n hasta hallar nuevamente la entrada; al producto -A/3 se
denolnina ganancia de lazo 0 relaci6n de retorno.
La diferencia entre la urtidad y la ganancia de lazo, se denomina

diferencia del retorno D=l+A/3. Asimismo, la cantidad que aporta la
realimentaci6n a un amplificador se expresa a lnenudo en decibelios y se
define como
N =dB de la realilnentaci6n=20 log IAriA I =20 log 11/(1 + A(3) I
Es interesante comentar que si A/3 > > 1 y {3 = 1 entonces Ar= 1 0 sea

que la salida es esencial mente igual a la entrada. La sal ida por otra parte no
puede ser exactamente igual a la entrada porque entonces la sefial de error
o sefial diferencia serfa cero y si no hay diferencia, no existe entrada en el
amplificador capaz de producir la sefial de salida. Por tanto sielnpre existira
una ligera diferencia. Cuanto mayor sea la ganancia del amplificador A,
lnenor sera la diferencia Xd necesaria para producir la salida y mas se
aproximaran, con la hip6tesis planteada, Xo y Xg •
306
Para obtener una seflal de salida mayor que la de entrada, basta con
hacer que (3 sea un numero menor que la unidad de modo que 1/(3 sea
mayor que uno.
En la obtenci6n de la funci6n de transferencia con real imentaci6n

aunque sin mencionarlas hemos considerado tres hip6tesis necesarias para
que la ecuaci6n de la realilnentaci6n se cumpla verdaderalnente y para que
el resto de las expresiones que calcularelnos a continuaci6n sean tambien
validas.
1. La sefial de entrada se translnite a la salida a traves del amplificador

A y no a traves de la red (3. En otras palabras, si se desactiva A (haciendo
la amplificaci6n nula. ya sea anulando hfe, 0 bien gn), la sefial de salida
debe caer a cero.
Este primer supuesto equivale a decir que el sistema tiene un sentido

unidireccional por el bloque (3, 0 sea que no translnite sefla} de la entrada
a la salida. Muchas veces esta condici6n no se satisface plenamente porque'
(3 es una red bilateral pas iva. Aun asf podemos considerar que la seflal que
pueda transmitirse hacia la salida sera despreciable frente al valor de la
sellal en la salida proporcionada por el amplificador. Por ello la hip6tesis
se suele aceptar como valida para los circuitos pnicticos de realimentaci6n.
2. La seflal de realilnentaci6n se transmite de la salida a la entrada,

unicamente a traves del circuito (3 y no por el amplificador. En otras
palabras, el amplificador basico es unidireccional desde la entrada a la
salida y la transmisi6n en sentido inverso es nula. Observese que los
amplificadores generahnente satisfacen esta condici6n unidireccional, aunque
no sera exactalnente asf cuando el paralnetrO hI' del transistor fuera distinto
de cero. Altn en estas condiciones el efecto serfa muy pequefio en la
rnayorfa de casos.
3. EI factor de translnisi6n inversa {3 de la red de realilnentaci6n es

independiente de las resistencias de la carga y de la fuente RL y Rg •
307
ELECTR6NICA ANAL6GICA DISCRET A
Otra cuesti6n que debemos tener en cuenta es que en la obtenci6n de la

ecuaci6n general de la realimentaci6n, la ganancia del amplificador A ha
side definida cuando ya estaba interconectado con (3 y reciprocamente para
(3. EI problema practico es que la ganancia del amplificador basico A se
conoce antes de la conexi6n con (3. Al conectar la realimentaci6n, esta
carganl al amplificador cambiando su funci6n de transferencia. Para (3 el
problema es amilogo. Tenemos una red de realimentaci6n pasiva,
generalmente, y por tanto reciproca y cuya funci6n de transferencia es
tambien conocida antes de la interconexi6n.
La dificultad surge, pues, en que los val ores de las funciones de

transferencias del amplificador basico y de la red de realimentaci6n cuando
esmn aislados, no coinciden con los factores A y (3 del sistema ya
interconectado.
Con el fin de salvar esta dificultad, los pasos que vamos a seguir en el
estudio de los amplificadores con realimentaci6n son los siguientes:
1. Vamos a redefmir 10 que entendemos por amplificador basico y

por red de realimentacion de tal forma que las funciones de
transferencia de esos nuevos cuadripolos "ideales" sean las mismas
aisladamente que luego ya interconectados, y esto 10 haremos para cada
una de las topologias que veiamos en las Figuras 6.8 a 6.11.
2. A partir de estas nuevas definiciones, analizaremos cada topologia

y obtendremos sus caracteristicas.
3. Ante la necesidad de analizar una situacion real, con amplificador

y red de realimentacion practicos, tendremos que encontrar metodos
para descomponer el sistenla realimentado en esos nuevos cuadripolos
ideales , A y {J, a los cuales poder aplicar los resultados obtenidos en el
paso 2 y asi poder resolver el problema practico.
Todo esto 10 desarrollaremos en los apartados 6.11 y 6.12.
308
6.5 REALIMENTACION POSITIVA Y NEGATIVA
En la introducci6n se daba una primera clasificaci6n de la

realimentaci6n en positiva y negativa, en funci6n de la diferencia de fase
entre la sefial realimentada y la sefial del generador exterior. Si la fase de
la sefial realimentada, Xf, es tal que refuerza la sefial del generador exterior,
la realimentaci6n es positiva. Cuando la fase de la sefial realimentada es tal
que se opone a la del generador, se dice que la realimentaci6n es negativa.
A partir del esquema de la Figura 6.12 podemos obtener la relaci6n

entre Xd =X j (sefial que entra en el amplificador) y Xg sefial que suministra
el generador extedor.
A la salida del mezc1ador, se cumple Xd=Xi=Xg-{3Xo pero Xo=AXj por

10 tanto Xj=Xg-{3AXj ; Xj(l +A(3)=Xg Y entonces Xj=Xgf(1 +A(3)
Esto significa que para que Xi sea menor que Xg condici6n de

realimentaci6n negativa se debeni cUluplir que 11 + A{31 > 1 y si imponemos
esta condici6n en la ecuaci6n general de la real imentaci6n se obtendni que
IAfl < IA /. Lo contrario para la realimentaci6n positiva.
En la tabla siguiente resumimos las condiciones equivalentes de
realilnentaci6n positiva y negativa.
Realimentaci6n positiva Realimentaci6n negativa
IXil > IXgl IXil < IXgl

IAr! > IAI IAfl < IAI
Il+A.B1 < 1 II +A.B I> 1
Observamos que la realimentaci6n sera positiva 0 negativa dependiendo

de los val ores de A y {3. Podemos hacer un pequefio estudio de c6mo
309
varian! el tipo de realimentaci6n y las caracterfsticas del amplificador al

variar el valor de {3 manteniendo constante el valor de A y suponiendo que
este es positivo. Suponemos ademas que los valores de A y {3 son reales.
Si representalTIOS Af en funci6n de {3 obtenemos la grafica de la Figura

6.13.
Af
+00
Zona IV Zona I Zona Zona I
Figura 6.13 A, en fundon de fJ.
Vamos a considerar cuatro zonas de la gnifica y analizaremos el

funcionamiento del amplificador realimentarl'o en cada una de ellas.
Zona I: {3>O
Dado que A tambien 10 estamos considerando positivo se cumplira que

A{3 > 0 Y por tanto 11 + A{31 > 1. Estaremos ante una realimentaci6n negativa
en la que A f > A. Para el caso de que {3==0, esto supone la no existencia de
realimentaci6n y por tanto, Af==A
310
TEMA 6.- REALIMENTACION.
Zona II: -1= <A(j<O
Se cumplini que 11 + Af31 < 1 10 que indica que la realimentaci6n sera

positiva. Cuanto mas se aproxima Af3 a -1 mayor sera Af respecto de A.
Para el caso de Af3 =-1, 11 + Af31 =0 Y por tanto Af= 00. Esto significa que
se puede obtener senal en la salida aun en la caso de que Xg =0.
Analicemos esta situaci6n en el circuito de la Figura 6.12. Supongamos

que en un determinado instante en que la senal en la entrada del
amplificador basico es X, se cumple la condici6n Inencionada Af3 =-1 Y
desaparece la senal exterior, Xg •
La senal en la entrada del amplificador X multiplicada por A dani lugar

a la senal de salida Xo=AX. Esta senal pasara a traves de la red de
realimentaci6n y apareceni en el mezclador como AX· f3 y despues de
atravesar el mezclador se transformara en la entrada del amplificador .en
-Af3· X. Dado que -Af3 = 1 esto significa que en la entrada del alnplificador
volvemos a obtener la misma senal X, es decir la senal en la entrada del
amplificador se automantiene y 10 mismo en la salida. Tal como deciamos
antes el amplificador esta dando senal de salida sin que exista una senal
exterior. En este fen6meno se basan los circuitos osciladores que
analizaremos en el siguiente tema.
Zona III: -2 < A(j < -1
En estas condiciones 11 + Af31 < 1 por 10 que tendremos realitnentaci6n

positiva pero ademas el circuito sera inestable .. Recordemos el razonamiento
anterior. Dado que IAf31 > 1 si en algun lugar del lazo formado por A, f3
y el mezclador aparece una senal espurea, esta, ira aumentando su amplitud
ininterrumpidamente hasta que bloquee el funcionatniento lineal de los
elementos activos y por tanto sature al amplificador.
311
Zona IV: A{3 < -2
Puesto que 11 + Af31 > 1 se tratanl de realimentaci6n negativa. Sin

embargo tal cOlno hemos razonado antes es muy probable que el circuito sea
inestable ya que la ganancia de lazo es mayor que uno.
De forma similar podrfamos repetir todo el estudio con la hip6tesis de

que la ganancia A fuera negativa.
Evidentemente el amilisis realizado es incompleto. En la pnictica tanto

A como f3 pueden ser funciones complejas y por tanto Af tambien 10 sera.
6.6 EFECTOS DE LA REALIMENTACION NEGATIVA

SOBRE LOS pARAMETROS DEL AMPLIFICADOR
Vamos a analizar en primer lugar el efecto que tiene sobre el ancho de

banda del alnplificador la aplicaci6n de una realimentaci6n negativa.
Supongamos que la ganancia del amplificador basico a frecuencias altas

viene dada por
A
A- 0
1 +j(f/fcS>
Vealnos cual es la frecuencia superior de corte del amplificador
realilnentado
A = A _ 1+j(f/(s) Ao
f l+Af3 Afi l+ A of3+j(f/()
1+---
1 +j(f/fcs)
312
es decir, el mismo factor que disminuye la ganancia aumenta la frecuencia

superior de corte.
S i repetimos para baja frecuencia se obtendni

f.
f"'.= ' CI
CI 1+A (3
o
Como conclusi6n podemos decir que la reaIimentaci6n no disminuye

el producto ganancia por ancho de banda, sino que aquella disminuye en
favor de esta.
La introducci6n de realimentaci6n, ademas de alterar la ganancia y el

ancho de banda, altera las inpedancias de entrada y salida del amplificador.
El anal isis cuantitativo s610 se puede reaIizar cuando sepamos determinar
A y (3 en un amplificador real.
Cualitativamente el planteamiento es sencillo. Para la ilnpedancia de

entrada, si la realimentacion es de tension (conexi6n serie a la entrada) e
independientemente de si es proporcional a la tensi6n 0 a la corriente de
sal ida, se aumenta La impedancia de entrada, pues al oponerse ffsicamente
Vf a vg , la corriente de entrada i j es menor que si s610 estuviese el generador
externo. En una realimentacion de corriente, decrece la impedancia de
entrada, pues como ig = ij + if la corriente prlJporcionada por el generador es
mayor que si no hubiese realimentaci6n. Para la resistencia de salida
podemos establecer las siguientes dependencias. Cuando se toma la tension
de salida para realimentar (no ilnporta s i a la entrada se lleva una tens i6n
o una corriente), la impedancia de salida decrece. Para entenderlo
pensemos que si RL aumentase, Vo deberfa aumentar (la conexi6n del
313
ELECTR6NIC A ANAL6GICA DISC RET A
cuadripolo de realimentaci6n y el amplificador estin en paralelo, indicando

que su representaci6n debe hacerse con generadores de tensi6n), pero como
hay realimentaci6n aUlnentanl menos de 10 que deberia si no hubiese
realimentaci6n. Es decir Vo tiende a permanecer mas constante cuando RL
cambia, 10 que indica que Roc es pequefia. Cuando se toma la corriente de
salida para realimentar, La impedancia de salida aumenta. Pensemos que
si RL disminuye, con 10 cual io tenderia a aumentar, pero menos que si no
hubiese real imentaci6n , es decir tendiendo a mantener la corriente io
constante, es decir Raf grande.
Tipo de reaIimentacion
Tension Corr. Corr. Tension

serie serie paralelo paralelo
Rof Disminuye Aumenta Aumenta Disminuye
Rif Aumenta Aumenta Disminuye Disminuye
Anchura Aumema Aumenta Aumenta Aumenta'

de banda
6.7 VENTAJAS DE LA REALIMENTACION NEGATIVA
Si la realimentaci6n negativa reduce la ganancia de transferencia, l,para

que emplearla? Podemos responder a esto diciendo que, gracias a esta
b
reducci6n, logramos caracteristicas fiUY apreciables. Veamos algunas de las

ventajas de la real imentaci6n negativa.
6.7.1 ESTABILIDAD DE LA GANANCIA
Las variaciones debidas al envejecimiento, tenlperatura,
314
sustituci6n, etc .. de los componentes de un circuito y de las caracteristicas

de un transistor BIT 0 JFET se reflejan en la correspondiente perdida de
estabilidad de la ganancia de transferencia del alnplificador. Se denomina
sensibilidad de la ganancia a la relaci6n entre la variaci6n relativa de la
amplificaci6n con real imentaci6n y sin ella. Derivando la ecuaci6n general
de la realilnentaci6n, respecto a A, resulta en valores absolutos
A- A
f 1 +A{3
dA - (1 +A(3)dA -{3AdA - 1 dA
f (1 +A(3)2 (1 +A(3)2
dAf 1 dA
Af 1 +A{3 A
como 11 +A{31 > 1 entonces
con 10 que la sensibilidad es 1/(1 + A(3). Asf por ejelnplo si la sensibilidad

es 0,1 el,tanto por ciento de variaci6n en la ganancia, con realimentaci6n,
es la decima parte de Ja variaci6n sin realimentaci6n. A la inversa de la
sensibilidad se Ie denomina desensibilidad D.
D = l+A{3
En el caso de que a un amplificador se Ie agregue una realilnentaci6n,

el cambio relativo de su ganancia queda dividido por la desensibilidad D.
(Observese de pasada que la desensibilidad es otro nombre de la diferencia
de retorno y. que el valor de la realimentaci6n es - 20·logD). Para un
amplificador con -20 dB de ~ealimentaci6n negativa, D = 10; de ahf que, por
ejemplo, a un 5 % de variaci6n en la ganancia sin realimentaci6n Ie
corresponda solamente un 0,5 % en el caso de existir esta.
315
ELECTRONICA ANALOGlCA DISCRET A
Notese que despues de agregar una realimentacion, la ganancia de

transferencia queda dividida por la desensibilidad, 0 sea, Af = AID
En particular si A(3 > > > 1, entonces

A = A ~_-.!.
f 1+ A(3 A/3 /3
y la ganancla puede hacerse totalmente dependiente de la red de
realimentaci6n. Los peores enemigos de la estabilidad suelen ser los
elementos activos (transistores). Si la red de realimentacion contiene
solamente elelnentos pasivos estabJes, es evidente que se habra aumentado
considerablemente Ia estabilidad. Puesto que A representa cualquiera de los
val ores Ay,GM,A 1 6 RM , Ar representara las correspondientes ganancias de
transferencia con realimentaci6n. La topologfa determina cuaI es la relaci6n
de transferencia que se estabiliza. Por ejemplo, con realimentaci6n de
tension en serie, la ecuaci6n indica que Ayf = 1//3 con 10 que se estabiliza
la ganancia de tensi6n. Para la realimentacion de corriente en serie la
ecuaci6n anterior da GMf = 1/(3 Y por 10 tanto para esta topologia se
estabiI iza la ganancia de transconductancia.
Para Inejorar la estabilidad, la realilnentaci6n se elnpleani de la

siguiente forma. Supongamos que se desea un amplificador de ganancia AI.
Empezaremos por construir un amplificador de ganancia A2 =D·A 1 , siendo
D de valor elevado. Introduzcamos ahora una realimentacion que divida la
ganancia por el factor D y la estabilidad sera mejorada por el mismo factor
D, puesto que ambas, la ganancia y la inestabilidad quedan divididas por la
desensibilidad D. Si la inestabilidad del am'plificador de ganancia A2 no es
apreciablemente mayor que la de un amplificador sin real imentacion de
ganancia AI' el procedimiento ha conseguido sus objetivos. Ocurre muchas
veces, en Ia practica, que Ia ganancia de un amplificador puede aumentarse
considerablemente sin una disminuci6n apreciable de estabilidad. Por
ejemplo, la ganancia de tensi6n de un amplificador en emisor comun se
puede aumentar elevando la resistencia de col ector Re.
316
6.7.2 DISTORSION DE FRECUENCIA.
A partir de la ecuacion anterior y si A{3 ~ 1 se deduce que, si la red de

realimentacion no contiene elementos reactivos, la ganancia total no es
funcion de la frecuencia. En estas condiciones, se consigue una notable
disminucion en la distorsion de frecuencia y de fase. La respuesta en
frecuencia de un amplificador realimentado la analizaremos luego.
Si se emplea como red de realimentacion una red selectiva con la

frecuencia, {3 depende tambien de la frecuencia, y la amplificacion a su vez
puede depender notablemente de Ia misma. Por ejemplo, cabe obtener un
amplificador con una caracterfstica de paso de banda de Q elevado,
empleando una red de realinlentacion que provea una pequefia
realimentacion en el centro de la banda y mucha a ambos lados de esta
frecuencia.
6.7.3 DISTORSION NO LINEAL Y RUIDO
Supongamos que se aplica a una etapa de un alnplificador una sefial de

gran amplitud de manera que su funcionamiento se extienda ligeralnente mas
alla de los Iftnites de la linealidad; ello trae consigo una sefial de salida algo
distorsionada. Si ahora se introduce una realimentacion negativa, y la sefial
de entrada se aumenta en la misma cuantia en que se reduce la ganancia, la
sefial de salida permanecera practicamente la misma. Para mayor
simplicidad, consideremos que la sefial de entrada es senoidal y que la
distorsion consiste silnplemente en la generacion del segundo annonico
dentro del amplificador. Supongalnos que sin realimentacion la amplitud del
segundo armonico a la salida.es X 2 y con realimentacion es X 2f • Tratemos de
hallar la relacion entre X 2 Y X 2f• Las Figuras 6.14 Y 6.15 indican la
situacion, recordando que Xx es una sefial general.
317
A-A1.A2
r- - -- - -- - - -- -I
1~ J
Xg Xo
..
O--~.........-I .. 0
:I
A1
I
-
A2
-
I:
__ I
L - -
Figura 6.14 Amplificador sin realimentar.
La salida en el amplificador sin realimentar (Figura 6.14) es
A-A1.A2
r----- -----1
Xg 1 1 Xof
..... ......
....-
r A1 A2 I
....-
I I
Xx
L ------- - - - - -- _I
Red de
realimentaci6n
En el amplificador realimentado (Figura 6.15)
x-
x 0 _
Ax g +
A2 x-x
of (l + At3) (1 + At3) (l + At3)
318
A')
x - - X
2f 1 +A(3 x
diviendo X 2f por X2
Para que Xof alcance el mismo nivel que sin realimentacion, Xg debe
aumentarse en (1 + A(3); sin embargo este aumento no cambia la salida
debida a XX' De aquf deducimos que la distorsion a la salida ha sido
reducida en un factor (1 + A(3).
Xx puede ser tanto el segundo armonico originado por la distorsion, 0

bien ruido, pero ambos generados dentro del amplificador. Si la sefial
espurea va asociada a la sefial de entrada, la realimentacion no ayuda nada.
La realimentacion no puede mejorar la relacion senallruido de un
amplificador si la sefial panisita penetra por la entrada del amplificador.
En el esquema de la figura anterior, se puede considerar que Al es una

etapa preamplificadora, que no introduce distorsion, seguida de otra etapa
de potencia en que sf se introduce distorsion. Haciendo muy elevada la
ganancia de esta etapa previa se puede compensar asf la perdida de nivel de
salida que va a causar la real imentacion total.
6.8 ESTABILIDAD
En un amplificador con realimentacion cOlno el que se representa en la

Figura 6.12 la ganancia del alnplificador base (A) es por 10 general una
funcion de la frecuencia y debe ser mas precisalnente llamada funcion de
319
ELECTRONICA AN ALOGICA DISC RET A
transferencia, AOw). Tambien se ha supuesto que la red de realimentaci6n

es resistiva y en consecuencia que el factor de realimentaci6n (3 es
constante. Sin embargo en algunos casos, el factor de realimentaci6n (3, es
tambien funci6n de la frecuencia. Se supondni entonces que en general la
funci6n de transferencia de la red de realimentaci6n es (30w). Por todo ello,
la funci6n de transferencia del amplificador con realimentaci6n vendni dada
por
A 0) AUw)
f w - 1+AOw)(3Uw)
Para enfocar la atenci6n sobre los asuntos que centran la discusi6n, se

supondni que el amplificador tiene acoplamiento directo con ganancia de
continua constante Ao Y con polos y ceros presentes en la banda de las
frecuencias altas. Tambien se supondra que a las frecuencias bajas (3Uw) se
reduce a un valor constante. De esta manera a las frecuencias bajas la
ganancia de lazo AOw)'(30w) se vuelve constante y debera ser un nUlnero
positivo para que la realimentaci6n sea negativa. La cuesti6n que surge es
que ocurrira en las frecuencias mas altas.
Para estas frecuencias, la ganancia de lazo AUw)·(3Uw) es un numero

complejo que puede representarse por su magnitud y fase.
AUw)·(3Uw)= I AUw)·(3Uw) I ej~(w)
En general, un amplificador responde de una u otra forma dependiendo

de la frecuencia de la senal que se conecta a la entrada.
La senal de sal ida Xo es igual al producto de la funci6n de transferencia

A por la senal de entrada
x o = A·Xg
pero tanto el valor de IA I como el desfase que se produce entre Xo y Xg

dependen de la frecuencia de la senal de entrada.
320
Hasta ahora no se ha hecho especial incapie en esto porque

habitualmente se trabajaba a frecuencias medias donde tanto IA I como el
desfase eran constantes. Sin embargo en este tema y en el proximo esta
circunstancia tiene especial importancia.
Desde el momenta que definilllos la realimentacion positiva 0 negativa

dependiendo de la situacion de concordancia u oposicion de fase de la sefial
realimentada con Ja de entrada, el cambio de fase producido en la senal, por
el bucle A{3, cobra suma importancia.
De todo 10 dicho se deduce que cuando el calnbio de fase producido por

A{3 sea de 180 0 nos encontrarenlOS con que la fase de Ia senal realimentada
y la de entrada sera la misma (recordar que el mezclador invierte la fase).
Esto en un circuito ocurrira a una frecuencia que podemos Hamar f180 •
Evidentemente en un circuito que pretendelllos que funcione con

realimentacion negativa 10 que hemos de hacer es no introducir en la
entrada senales de la frecuencia citada f 180 •
Sin elllbargo en todo circuito existen senales espureas, aleatorias, ruidos

en general, que aunque de poca amplitud contienen un amplio espectro de
frecuencias.
Nos debemos preguntar como respondera el circuito realiInentado a

estos ruidoso
Vamos a suponer que dentro de ellos existe una componente que tiene
la frecuencia f180 y supongamos que para esa frecuencia la ganancia de lazo
IA{31 < 1. Si en la entrada del amplificador aparece una senal de estas
caracteristicas, aunque para esta sena) se estara con realimentacion positiva,
como IA{31 < 1 la senal se ira amortiguando y al cabo de un tiempo habra
desaparecido. El circuito sera estable.
321
Si IA{31 = 1 la senal espurea de la frecuencia mencionada se

automantendra y quedara, por decirlo de una forma gnifica, atrapada en el
bucle.
Sin embargo si IA{31 > 1 no solo queda atrapada sino que Ira
aumentando su amplitud hasta saturar los elementos activos. El circuito sera
inestable.
Ahora que ya sabemos como se producen las oscilaciones tenemos

taInbien los conocilnientos necesarios para detectar si un determinado
circuito es proc1ive 0 no a que se produzcan inestabilidades.
6.8.1 CRITERIO DE NYQUIST
La curva de Nyquist es un camino formalizado para comprobar la

estabilidad en base a la discus ion anterior. Es simplemente una curva polar
de la ganancia de lazo utilizando la frecuencia como parametro. La Figura
6.16 muestra esta curva para un determinado cireuito. Se observa que la
distancia radial eorresponde al valor de IA{31 y el angulo ¢ es el angulo de
fase.
La curva de Nyquist intersecta al eje real negativo en la pulsacion W 180'

De esta lnanera si esta interseccion oeurre a la izquierda del punto (-1,0),
sabemos que la magnitud de la ganancia de lazo en esta freeuencia es mayor
que la unidad y el amplificador sera inestable. Por contra, si la interseceion
ocurre a la derecha del punto (-1,0) el ainplificador sera estable. Se deduce
entonees que si la curva se Nyquist encierra al punto (-1,0), el amplificador
sera inestable.
Tambien hay que deeir que el criterio de Nyquist es lnueho InaS anlplio
y 10 que estamos exponiendo es un version muy simplificada.
322
Eje imaginariQ
cf1'culo unidad
"
~ ~ ~.' "'"
(-1,0)
"
""'!~.............. ",<~
!
E1 interi~r del circulo
corresponde a 1a
realimentaci6n positiva
w.
Figura 6.16 Curva de Nyquist.
6.8.2 CURV AS DE BODE
Ya sabelnos que es posible determinar si el amplificador con

realimentacion es estable 0 no, examinando la ganancia de lazo A{3 como
una funci6n de la frecuencia. Uno de los medios lnas sencillos y lnas
eficaces para hacer esto es a traves de la curva de Bode para el producto A{3
tal como muestra la Figura 6.17.
IABI
dB r - - - -____
o~ __________ ~~--_
margen de
ganancia
arg(AB)
Of----...,..-----+-
-90
margen de
-180 fase
Figura 6.17 Curvas de Bode
323
EI amplificador realimentado cuya ganancia de lazo se traza en la

Figura 6.17, sera estable, ya que a una frecuencia de 180 0 de corrimiento
de fase, fI80 , la magnitud de la ganancia de lazo es menor que la unidad (dB
negativos). La diferencia entre el valor de IA{31 para f l80 y la unidad, 0 dB,
se llama margen de ganancia y se expresa usualmente en dB. EI margen
de ganancia representa la cantidad por la que la ganancia de lazo puede ser
aumentada, aun manteniendo la estabilidad. Los amplificadores con
realimentaci6n, por 10 general, se disefian para que tengan suficiente margen
de ganancia y permita los inevitables calnbios en la ganancia de lazo con la
temperatura, el tiempo, etc ..
Otra manera de investigar la estabilidad y expresar su grado, es

examinar la curva de Bode a la frecuencia a la que 1A{31 = 1, que es el
punto en el que la curva de la magnitud corta la lfnea de 0 dB. Si a esta
frecuencia el angulo de fase es menor (en Inagnitud) de 180 0 , entonces el
amplificador es estable. Esta es la situaci6n que se ilustra en la Figura 6. 17.
La diferencia entre el angulo de fase a esta frecuencia y 180 0 se denomina
margen de fase. Por otra parte si a la frecuencia de la magnitud de la
ganancia de fase unitaria el retardo de fase es Inayor de 180 0 , el
amplificador sera inestable.
Un alnplificador lineal de "buena estabilidad" requiere unos margenes

de ganancia y de fase de, por 10 lnenos, 10 dB y 45°.
La investigaci6n de la estabilidad construyendo curvas de Bode para la

ganancia de lazo A{3 puede ser un trabajo tedioso y consumidor de tiempo,
especialmente si se tiene que investigar la estabilidad de un amplificador
dado, para una variedad de redes de realimentaci6n. Un camino alternativo,
que es mucho mas sencillo, es construir una curva de Bode para la
ganancia de lazo abierto AUw). Suponiendo ahora que (3 es independiente
de la frecuencia, se puede trazar 20·log(II{3) COlno una linea recta horizontal
sobre los mismos ejes usados para 20·log 1AUw) I. La diferencia entre las
dos curvas sera
20·log 1AUw) I - 20·log(1/{3) = 20·log IA{31
324
TEMA 6.- REALIMENT ACI6N
que es la ganancia de lazo expresada en dB. Se puede por tanto estudiar la

estabilidad examinando la diferencia entre las dos curvas. Si se desea
evaluar la estabilidad para un factor de realimentacion diferente,
simplemente s.e traza otra recta horizontal al nive) de 20·log(l//3).
Como ejemplo de aplicacion vamos a utilizar este sistema para analizar

la estabilidad de un circuito cuya funci6n de transferencia del amplificador
basico es (f lnedido en MHz)
A _____10_4~_ _-
v (l +j~)(l +j~)(l +j~)
1 8 20
En la Figura 6.18 hemos representado las curvas de Bode de esta

funci6n de transferencia. Vamos a analizar la estabilidad de este circuito
para una realimentaci6n de /3=2·10-4 y para otra de /3=5.10- 2 •
Av -, -,--,- ---,--
iI i i' I i
i " I,
11 i
I
80
I I ! '
I I
o
........... ...........
r--. ... ........ .....
I
60 .45
40
I I
!I I "- , i'-.~I I
-90
!I 1 1\ [\ !~
l
I I
I I
20 l- -I- -135
I I
o '-I I -180
II,--4 I
, I
I "- ~I
-20 I 1 I -1- fal e
.225
L~i
I
[1
I
II Ii I iI I II I I,
-40
i
I
~ II
!
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!
i
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i
!
I
Ii --tt
I
I
I ,
I
I
I
+ -f---l-- I !
i
!
I
-270
-60
I
-315
-80
I I I I I I I
I
11 I .._ _!- I i
10 100 lk 10k lOOk 1M 10M 100M
Figura 6.18 Funci6n de transferencia.
325
ELECTRONIC' A ANALOOICA DISCRETA
Para la primera deberemos dibujar sobre los ejes de la Figura 6.18 una
recta horizontal de valor 20·log(1/t3) = 74 dB. La curva correspondiente al
modulo de At3 se obtendni segun hemos explicado antes, restando la curva
de IAy I y la recta 20·log(1/t3). Dado que la curva de la fase no se modifica
(suponemos t3 real y positiva) podemos observar que a la frecuencia para la
cual la fase es 180° (f180) el modulo de At3 toma el valor de -18 dB. Esto
nos indica que para esta realimentacion el circuito sera estable con un
Inargen de ganancia de 18 dB.
Para el caso de t3 = 10-3 hacemos 10 miSlno y velnos que para la

frecuencia a la cual la fase vale 180 0 el modulo de At3 vale 30 dB. Por
tanto con este valor de la real iInentacion el circuito serfa inestable.
Podemos incluso ca1cular el valor maximo de t3 con el que el circuito

serfa estable con un margen de fase, por ejemplo, de 45°. Para ello sobre
la curva de la fase de Ay, leemos la frecuencia a la cual la fase es de -135 °
(l80-Margen de fase); esa frecuencia en este caso es de aproximadamente
5 MHz. El valor del modulo de Ay para esa frecuencia es de 66 dB. Dado
que para esa frecuencia el modulo de la ganancia de lazo, At3 debe ser de
o dB, el maximo valor de (3 debe ser aquel que haga que 66-20·log(1/{3) =0
por 10 tanto
t3max = 5 ·10-4
Esto nos indica que el valor Inaximo del modulo de la ganancia de lazo
para este amplificador, si se pretende que sea estable con un margen de fase
de 45° sera
En estas condiciones el ancho de banda del alnplificador realilnentado,

podelnos ca1cularlo a partir de la Figura 6.18 teniendo en cuenta que
A
A = y
f 1 +A\.t3
por 10 que la curva del modulo de Ar sera la que se obtenga restando a la
326
de la figura, 20'log 11 +A y .{31 = 20·log6 = 15,5 dB. La frecuencia superior

de corte sera de 600 kHz.
6.9 COMPENSACION
A la vista de 10 analizado en el apartado 6.8 podemos conc1uir que un

amplificador realimentado con mas de dos polos puede ser inestable si se
pretende que la realimentacion, {3, sea grande. En los amplificadores
realimentados interesa que la realimentacion sea fuerte pues el termino
1+ A{3 es precisamente el que nlejora las caracterfsticas del amplificador.
Dado que la lnayorfa de los anlplificadores tiene mas de dos polos la

forma de conseguir que (3 pueda ser grande es utilizar 10 que se conoce
como tecnicas de cOlnpensacion en frecuencia.
La idea de la compensaci6n en frecuencia consist'e en modificar las

curvas de A{3(f) para que a la frecuencia en que la fase de A{3 sea 180 0 el
modulo de A{3 sea Inenor que la unidad, asegurando ademas un cierto
Inargen de estabilidad teniendo en cuenta inc1uso el envejecimiento y la
tolerancia de los cOlnponentes.
Vamos a analizar las diferentes tecnicas de compensacion~ a partir de

un caso practico. Partimos del alnpl ificador cuya funcion de transferencia
era
104
A ------------------
y(1 +j~)(l +j~)(1 +j~)
1 8 20
cuyas curvas de Bode esmn representadas en la Figura 6.18. Ya vimos que
para este amplificador el valor maXilnO de A{3 era de 5 si se pretende un
margen de fase de 45 0 • Recordemos tambien que en estas condiciones la (s
era de 600kHz. Evidentemente un factor 1 + A{3 de 6 resulta pequeno a la
hora de mejorar las caracterfsticas del amplificador.
327
6.9.1 COMPENSACION POR POLO DOMIN ANTE
El alnplificador se Inodifica por la introducci6n de un polo dOlninante,

es decir mucho mas pequeno que los otros polos de la funci6n de
trans ferenc ia.
La funci6n de transferencia resultante sera
A" =_l_A
v f v
l+j-
fd
siendo fd~ 1 MHz (para nuestro ejemplo). Habitualmente se suele utilizar
como criterio para fijar fd , que la curva de la funci6n de transferencia
compensada pase por 0 dB en el prilner polo (1 MHz) de la respuesta sin
cOlnpensar.
La creaci6n de este nuevo polo se puede conseguir mediante una simple

red RC que se introduce a la salida del ampI ificador (Figura 6. 19), 6
colocando una capacidad elevada desde un punto interior del amplificador
a tierra.
VI
Figura 6.19 Compensaci6n por polo dominante.
En la Figura 6.20 tenemos representadas las curvas de Bode para Ia

nueva funci6n de transferencia cOlnpensada por polo dOlninante (trazo
grueso).
Vamos a calcular en este caso el maximo valor posible del In6dulo de
328
Av
1-:
! i!
I! I I! I! ii
. i
I I
80 .......... II 10 sir o
I"
I
r--.~ r--.,.... me dulo
~mp ~~~
60 -45
40
..........
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...........
.......~~ " "-
\
-90
..........
I ;
I i....... ,....~
............ .......
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20 : ill ! I i I I I
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' I ~ i ii I i II -135
II
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I
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I I
o \. -180
:'" "'
~
\
-20 '\ -225
-40 I I I i
!
-270
JI~l l l l lml l 1IIIfli

I
~~I
-60 i -315
-80
UJJJ I
10 100 1k 10k lOOk 1M 10M 100M
Figura 6.20 Funcion de transferencia compensada por polo dominante.
la ganancia de lazo exigiendo un margen de fase de 45 0 • Sobre la gnifica

vemos que la frecuencia a la cual la fase es -135 0 es de 900 kHz y que para
esa frecuencia IAv I = 1 dB. Segun 10 visto en la pregunta anterior, esto
significa que el maximo valor de IAJ31 sera de 80 - 1 = 79 dB 10 que
corresponde a IAJ~ I = 8912,51.
Se observa que hemos aumentado de forma considerable el lfmite de la

posible realimentaci6n a introducir en el amplificaci6n y de esa forma
mejoraremos en un factor mayor, las caracterfsticas del ampl ificador, sin
embargo l,que pasarfa si en este amplificador compensado se introdujera una
realimentaci6n menor de la maxima posible, por ejemplo, IAvl31 =20 dB?
Si para este caso dibujamos, sobre los mismos ejes de la figura, la gnifica
A
A - v
f 1 +AJ3
329
observalnos que la frecuencia superior de corte sera de 1 kHz. La

compensaci6n por polo dominante desperdicia el ancho de banda disponible,
si la realimentaci6n es debil.
6.9.2 COMPENSACION POR ADELANTO DE FASE
Consiste en co nectar a la salida del amplificador una red ecualizadora

que introduzca un cero y un polo. EI cero se suele hacer coincidir con el
segundo polo de la funci6n de transferencia sin compensar y el polo se toma
a una frecuencia muy superior al mayor de los polos de la funci6n de
transferencia sin compensar.
Este efecto se puede conseguir con una red como la de la Figura 6.21
R1
Vi
Av
Figura 6.21 Compensacion por adelanto de fase.
La funci6n de transferencia de esta red sera de la forma

.W
1+J-
Rz W
T(jw)- 0
R 1 +R.) 1 . w
- +J-
wp
siendo
1 1
w =-- w -----
o R1C P (RtIIR)C
330
La funci6n de transferencia compensada sera de la forma
R
A" - 2
v R1 +R") I . W
- +J-
wp
que indica la introducci6n de una atenuaci6n a las bajas y medias

frecuencias dada por
Rl+R")- W
p
por eso interesa que wp grande para que la atenuaci6n sea pequefia.
Si tomamos fp= 200 MHz y fo= 8 MHz, las curvas de Bode

compensadas por adelanto de fase son las de la Figura 6.22.
10 100 1k 10k lOOk 1M 10M 100M
Figura 6.22 Funci6n de transferencia compensada por adelanto de rase.
331
ELECTRONICA ANALOGlCA DlSCRET A
Previamente hemos calculado la atenuaci6n que introduce la red de

adelanto de fase a frecuencias medias.
Atenuaci6n =wo lw p =8/200=O,04
Por 10 tanto A'vo = 104 '0,04=400 ; 20'log IA'vol =52 dB
Considerando, como antes, un tnargen de fase de 45°, la frecuencia a

la cual la fase de la curva compensada vale -135° es de 20 MHz .. A esa
frecuencia IA'ol =28 dB y el valor maximo de Ia ganancia de lazo
IA'J11 =52-28=24 dB
10 que significa un valor tnaximo de la ganancia de lazo de 15,85.
Si utilizaramos una realimentaci6n menor, por ejemplo

IA' J31 = 20 dB la frecuencia superior de corte del ampl ificador asi
realiInentado serfa de 10 MHz.
Hemos resuelto el problema de perdida de ancho de banda que

introducfa la tecnica de polo dominante, aunque en este caso aparece otro
problema que es la atenuaci6n de senal que se produce a frecuencias medias
aun en ausencia de realimentaci6n.
8.9.3 COMPENSACION POR INTRODUCCION DE POLO Y CERO
Se trata de una soluci6n intermedia entre las dos anteriores. Consigue

aumentar el valor maximo de la ganancia de lazo pero sin un coste
exagerado en 10 que se refiere al ancho de banda.
Consiste en co nectar a Ia salida del amplificador basico una red

cotnpensadora del tipo de la indicada en la Figura 6.23.
332
TEMA 6.- REALIMENT AnON
VI
I
Figura 6.23 Compensaci6n por polo y cero.
La funci6n de transferencia de una red de ese tipo es

.W
1+J-
Tfjw)- wo
.W
1+J-
wp
donde
1
w =--
oRe
2
Suponiendo que la red no carga al amplificador basico, la funci6n de

transferencia compensada sera
1 .W
+J-
Wo
A v
- Av
1 .W
+J-
wp
Elegimos el cero de tal forma que coincida con el polo mas bajo de la
funci6n de transferencia sin compensar y as) se cancelara el cero con el
polo. El polo de la red compensadora se eligehabituahnente de forma que
la funci6n de transferencia compensada pase por 0 dB en el segundo polo
de la funci6n de transferencia sin compensar.
333
ELEC'TRONICA ANALOGICA DISCRET A
Aplicando estos criterios, en la Figura 6.24 tenemos las curvas de Bode

compensadas por este metodo.
Av
80
~ II Jo sil o
t"-"", ~ lamp~n~
60 """'" -45
~ I"- t"-r-.", I~
40 \
"""'" f"'..- t"-~ ......... [\
-90
1\1\ \
20 -135
I'--...
t"-t--t-. r-,. f~ Sl~
o -180
-20
I ~ ~" -225
\
1\
-40 -270
-60 -315
-80
I I I ,I
10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
Figura 6.24 Funcion de transferencia compensada por introduccion de un polo y un cero.
Considerando un margen de fase de 45 0 , en la grafica se puede leer que

a 4,5 MHz la fase de la curva compensada vale -135° y I A'vl =6 dB. El
valor maximo de la ganancia de lazo sera 80-6=74 dB que corresponde a
un valor de 5011,87.
Si utilizamos una realimentaci6n menor, por ejemplo de I A 'J31 =20 dB,

la frecuencia superior de corte del amp Iificador ya real itnentado y
cOlnpensado por este metodo, sera de 8 kHz.
334
6.10 CONFIGURACION "IDEAL".

IMPEDANCIAS DE ENTRADA Y SALIDA
Se finalizaba el apartado 6.4 con la exposici6n de los pasos a seguir

para salvar la dificultad planteada de la diferencia entre las funciones de
transferencia de los cuadripolos A y {3 aisladamente y una vez
interconectados. En las Figuras 6.25 a 6.28 representalnos la estructura.
ideal de cada una de las topologias de amplificadores con realilnentaci6n.
Ampllflcador
II 10
~----~--~--~--~
RL
Ivo
Red de reallmentacl6n ideal
Figura 6.25 Tension-serie.
Ampllflcador
II 10
Vg RL lvo
Red de reallmentacl6n Ideal
Figura 6.26 Corriente-serie.
335
Amplificador
Ii - - -- 10
Ig
Vol Ri
- --
A.II
RL
I Va
If
Red de realimentaci6n ideal
Figura 6.27 Tensi6n-paralelo.
Amplificador
Ii - -- 10
Ig VI I Ri RL
I Vo
If
Figura 6.28 Corriente-paraieio.
Es evidente, que tal como deciamos en el apartado 6.4 la cadena de

realimentacion cargani al amplificador tanto en la entrada como en la salida,
pero si consideramos estos efectos de carga incluidos en dicho amplificador,
la red de realimentacion podemos considerarla como un generador "ideal"
que introduce en la entrada del amplificador ya sea una tension 0 una
corriente proporcionales a la corriente 0 tension de salida.
336
En estas condiciones la funci6n de transferencia de la red de

realimentaci6n "ideal", (3, sera independiente de que este 0 no conectada al
amplificador y 10 mismo para la funci6n de transferencia A.
En la tabla siguiente indicamos las funciones de transferencia A y (3 que

se debenin de utilizar en cada caso.
Topologia Tension- Corriente- Corriente- Tension-

serie serie paraieio paralelo
A Ay=vo/vj GM=io/vj AJ=i/i j RM=volij
(3 v/v,) v/io ir'\, i/vo
A partir de los esquemas de las Figuras 6.25 a 6.28 podemos obtener

las expresiones de las impedancias de entrada y salida del amplificador
realimentado a partir de su estructura ideal.
6.10.1 IMPEDANCIA DE ENTRADA. COMPARACION SERlE.
II
Vg AI
~vo
Figura 6.29 Comparacion serie.
En el circuito de la Figura 6.29
337
ELECTRONIC' A ANALOGICA DISC RET A
V Vj+Vr Vj Vr
R·I
f =2
'
= -• - =-(1
•
+-)
1.
I
1.
I
1.
I
v.I
tanto si estalTIOS en el caso de tension serie como en el de corriente serie,
el producto de la A por la (3 correspondiente da como resultado
corriente serie
por 10 tanto
+A(3)
Rir=Rj(l
donde la A y la {3 senin las que correspondan en cada caso.
6.10.2 IMPEDANCIA DE ENTRADA. COMPARACION PARALELO
II
Ig
RI
If
1110
Figura 6.30 Comparacion paraleio.
En este circuito en el que la comparacion se realiza en paralelo,
338
como helTIOS dicho en el apartado anterior, tanto si se trata de un tension

paralelo como de un corriente paralelo el producto de la A por la (3
correspondiente da
tension paralelo
corriente paralelo
par 10 tanto
R.
R= J
if 1+A(3
6.10.3 IMPEDANCIA DE SALIDA. MUESTREO TENSION.

COMPARACION SERIE
Amplificador
Vg
IIVo
Figura 6.31 Tension-serie.
ValTIOS a ca1cular, la resistencia Rof con realimentacion, vista desde los

terminales de salida, pero con RL desconectado. Para hallar Rof debemos
el iminar la sefial exterior (haciendo Vg =0 0 ig =0), hacer RL = 00 ,
co nectar una tension v en los terminales de sa] ida y calcular la corriente i
debida a v. TendrelTIOS R,f = vii
339
ELECTRONICA ANALOmCA DISC RET A
Partiendo de la Figura 6.31
. v-A v ·v. I
v+A v·(3·v
)- -----
Ro Ro
De ahi que
Observese que Ro se divide por el factor de desensibilidad (1 + A" v'(3),

el cual contiene la ganancia de tension en circuito abierto A" v (no es la
misma ganancia que hemos manejado hasta ahora en la que se inc1uia el
efecto de la carga R L. En realidad A" v = lim Av cuando RL tiende a 00.
La resistencia de salida con realimentaci6n R' of que inc1uye a RL como

parte del amplificador viene dada por Rof en paralelo con R L, 0 sea;
R·R
o L 1 R·R
o L
, .
1 +{3. Av (R/(l +{3' Av))+RL Ro +RL +{3: Av' RL
Ro' RL/ (Ro +R L)
Puesto que
R'o=R)/RL es la
resistencia de salida sin
realimentacion,
considerando RL como
parte del amplificador,
y segun la Figura 6.32.
Figura 6.32 Circuito de salida con R L .
340
Ay·v.
V = 1 R
o R +R L
o L
, Ro
Rof - -l-+{j-'-A-
y
observese que en este caso, R' 0 esta dividido ahora por el factor de
desensibilidad 1 +{3.A y que contiene la ganancia de tensi6n Ay teniendo en
cuenta RL •
6.10.4 IMPEDANCIA DE SALIDA. MUESTREO TENSION.

COMPARACION PARALELO
Como en el caso anterior obtendriamos
Tanto una ecuaci6n COITIO la otra confirman que con muestreo de

tension, ~f < Ro
6.10.5 IMPEDANCIA DE SALIDA. MUESTREO CORRIENTE.

COMPARACION PARALELO
Partiendo de la Figura 6.33, obtendremos que
.
1=--
V A 1'1.
"
Ro 1
como ig =0 . i· = -if = -Q.j

'I tJo = tJ
Q·i
341
Amplificador
II 10
Ig
If
1110
Figura 6.33 Corriente-paralelo.
De ahf
i(l +(3.A") =~
Ro
Observese que Ro esm multiplicado por el factor de desensibilidad

(1 + (3. A" I) el cual contiene la ganancia de corriente con la salida en
cortocircuito A" I (no AI)'
A I ·i.=i
I 0
.
La resistencia de salida R' of que incluye RL como parte del

amplificador, no viene dada por R' 0(1 +(3. AJ como podrfa parecer.
Encontraremos la correcta expresi6n de la siguiente fonna
,Ro'R L l+(3.AI
Rof - - - - - - - - - - - -
Ro + RL 1+(3(AI' . R/Ro + RL )
342
TEMA 6.- REALIMENT AnON
Con R' 0 = RollRL Y la relaci6n entre A" I Y AI que se puede obtener de

la Figura 6.34.
i _ AI' ij(R/IR L ) _ AI'ijRO

o RL Ro +RL
A" ''q) ~A.

Figura 6.34 Ai en cortocircuito.
el valor de la resistencia de salida incluyendo la carga sera
Si consideramos que la carga RL es mucho menor que Ro entonces
A'I =
AI
y por tanto, Rof = Ro (1 + A ,.(1)
6.10.6 IMPEDANCIA DE SALIDA. MUESTREO CORRIENTE.

COMPARACION SERlE.
Procediendo como antes. obtenemos
343
Observese que las ecuaciones obtenidas confirman que en muestreo de

corriente Rof es mayor que Ro.
Las deducciones anteriores no suponen que la red sea resistiva y por

tanto si A 0 (3 son funciones de la frecuencia, R deb era sustituirse por Z.
Entonces Zif (Zof) son las ilnpedancias de entrada (salida) con
realimentacion.
6.11 METODO DE ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR

REALIMENTADO
Una vez definidos los cuadripolos ideales A y (3 y deducidas las

caracteristicas del amplificador en base a estos cuadripolos, vamos a
exponer las diferentes fases del metoda para analizar los circuitos practiios
de amplificadores realimentados.
1. Poner el circuito de alterna, sefialando io y v0 y distinguiendo en el

esquema la cadena de realilnentacion del amplificador real.
2. Reconocer la topologia
Tipo de mezclador.
El mezclador 0 comparador sera en SERlE si en el circuito de entrada

del amplificador basico existe un componente en serie con Vg y si este
componente esta conectado a la salida (la parte del sistema que contiene la
carga). Si se cUlnple esta condicion, la tension en el componente constituye
la sefial de realimentacion Xf=V f •
Si la condicion antes sefialada para el mezclador serie no se cumple, se

debera tantear la comparacion en paralelo. En este caso para la excitacion
344
externa se suele emplear una fuente Norton de forma que la sefial de

corriente ig se introduzca por el nudo de entrada. EI mezclador se identifica
como PARALELO si existe conexi6n entre el nudo de entrada y el circuito
de salida. La corriente en esta conexi6n es la sefial de realimentacion Xf= if.
Resumiendo, puesto que Xi =Xg-Xf' tendrelnos mezclador en SERlE si

la sefial de realimentacion se sustrae de la sefial externa aplicada como una
tension en el lazo de entrada, y tendremos mezclador en PARALELO si la
sefial de realimentacion se sustrae de la excitaci6n aplicada como una
corriente en el nudo de entrada.
La magnitud de salida muestreada puede ser una tension, 0 bien una

corriente. En cada aplicacion se debe especificar cmil es el nudo de salida
del cual se toma la tensi6n de salida YO' Esta tension aparece a traves de la
resistencia de salida (frecuentelnente denominada RL ) y la corriente de salida
io es la que circula por RL .
Tipo de muestreo.
l. Hacer Vo = 0 (es decir, hacer RL =0). Si con esto Xf=O, el sistema

original posee muestreo en PARALELO (0 de tension).
2. Hacer io=O (es decir, RL = 00). Si Xr se hace igual acero, el

amplificador original tenia muestreo de CORRIENTE (0 en serie).
3. Comparar con la situacion ideal (Figuras 6.25 a 6.28), segun el tipo de

realimentacion con la que nos encontremos.
4. Transformar el circuito real para aproxilnarlo a la situacion ideal.
Conviene separar el amplificador realimentado en dos bloques ideales,

el anlplificador basico A y la red de realimentaci6n {3, ya que conociendo
A y {3 podremos ca1cular las caracteristicas mas importantes del sistema
realimentado, es decir Af, Rif Y Rof . EI amplificador basico sin
real imentaci6n pero incluyendo fa carga que represente La red (3, fa
345
resistencia de carga RL y si es posible la resistencia interna del generador

puede obtenerse aplicando las siguientes reglas:
4.a. Efecto de la cadena de realimentacion en la entrada del

amplificador.
Si Xf es una tension, comparaClon serie, transformar la red de

realimentaci6n en un generador de tension con una resistencia en serie (para
ello debenis tener en cuenta ]a corriente 0 tension de salida que esms
muestreando). La resistencia en serie constituini la carga que introduce la
cadena de realimentacion en la entrada del ampl ificador y el generador de
tension es e) que aparece en la situacion ideal de [3 mencionada en ]as
Figuras 6.25 y 6.26.
Si Xf es una corriente, transformar la red de realimentacion en un

generador de corriente con una resistencia en paralelo (debercis tener en
cuenta la corriente 0 tensi6n de sa] ida que estas lTIuestreando). La resistencia
en paralelo constituira la carga que introduce Ika cadena de realimentacion
en el amplificador y el generador de corriente es el que aparece en la
situaci6n ideal mencionada en las Figuras 6.27 y 6.28.
4.b. Efecto de la cadena de realimentaci6n en la salida del

aInp Ii ficador.
1. Hacer Vi =0 para la cOlTIparacion en paralelo. En otras palabras,

cortocircuitar la entrada de fonna que no entre en el ampJificador ninguna
corriente de real imentacion.
2. Hacer i j =0 para la comparaci6n en serie, es decir, abrir la red de

entrada para que ninguna tension de real imentacion alcance la entrada del
ampl ificador.
5. En funcion del tipo de realimentaci6n de que se trate elegir, para

calcular, los parametros que correspondan.
346
TEMA 6.- REAUMENTACION
6.12 ANALISIS DE ALGUNOS AMPLIFICADORES

REALIMENTADOS
En este apartado vamos a apl icar el metodo expuesto a algunos casos

concretos de amplificadores realimentados .
E;ercicio 6.1 Del amplificador de la Figura 6.35 se conocen los

siguientes datos:
Ic)=0,61nA ; IC2=1 mA ; IC3=4 rnA ; hfc ] =hfe2=hfe3= 100
Se pide ca1cular: A , {3 , io/vg , v)Vg y Rif
Vee
9k
t----Q Va
Vg
O.1k
Figura 6.35 AmpJificador realimentado.
Solucion:
Para realizar e] anaJisis en baja frecuencia, ca1cuJaremos en pnmer

lugar los valores de los parametros hie de cada transistor.
25 mY·hji 25·100
h. - e - =4 17 kO
leI I 06 '
CI '
h. - 25·100 =2 5 kO . h. - 25·100 =0 63 kO
le2 l' le3 4 '
347
Dibujamos ahora el circuito de pequefia sefial separando 10 que es el

amplificador de la cadena de realimentacion (Figura 6.36).
10 Vo
Vg O,6k
O.64k
O.1k
Figura 6.36 Circuito de pequeiia seiial.
La cadena de realimentacion esta constituida por las resistencias de

elnisor de los transistores Ql Y Q3 Y la resistencia de 0,64 kO.
Comparando con las diferentes topologfas dibujadas en las Figuras 6.25

a 6.28 concluimos que se trata de una realinlentacion CORRIENTE-SERIE.
En la tabla del apartado 6.3 nos indica las funciones de transferencia que
debelnos calcular GM Y f3=vcl io
Vamos a ca1cular los efectos de carga de la cadena de real imentacion

en la entrada Y salida del amplificador.
-(1 +hfe).fb3
A
Figura 6.38 Efecto de carga

Figura 6.37 Cadena de realimentaci6n. a la entrada.
La cadena de realimentacion vista desde la entrada del amplificador sera

la de la Figura 6.37 Y por tratarse de una comparacion serie la
transfonnarelTIOS en una resistencia R en serie con un generador de tension
(V e)·
EI valor de la resistencia R (Figura 6.38) es R =0,088 kO y el
348
generador Vf tendni de valor Vf = 1,20' ib3
Para averiguar el efecto de carga de la cadena de real itnentaci6n en la

salida basta abrir la cadena de realilnentaci6n por la entrada del
amplificador y desde la salida se vera R" =(0,1//(0,1 +0,64» =0,088 kO.
EI circuito ideal en el que aparece el alnplificador basico con los efectos

de carga de la cadena de realimentaci6n en entrada y salida y la red de
realimentaci6n "ideal" sera el de la Figura 6.39.
Ampllflcador baslco con los efectos de carga
10 i Vo
R R' 71
I
r . -, , Red de
-.JI reallmentactOn
Figura 6.39 Circuito "ideal" corriente-serie.
En el circuito de la Figura 6.39 pasamos a calcular las funciones de

transferencia apropiadas para esta topologia.
GM representa el cociente entre la corriente de salida y la tensi6n de

entrada al amplific~dor basico que podemos Hamar Vi y que sera igual a
Vi =i bl (h iel +(1 +hfe)R) =i b1 (4, 17 + 101'0,088) =i bl '13 ,06
Tenemos ahora que relacionar en las diferentes mallas, io con ibl •
349
sustituyendo val ores
i b2 = -78,26i b3
ib3 = -88,81 i b2
por 10 tanto
G =~= 100(-88,81)(-78,26)=53217 97 mmha

M Vj 13,06 '
Para calcular {3 = v / io
1,20. ib3
{3=---=O,012
100i b3
la diferencia del retorno (1 +A'(3) valdra (1 +53217,97'0,012)=640,88
Y la funci6n de transferencia con realimentaci6n G Mf
G - 53217,97 =83 04=2

Mf 640 , 88 ' Vg
Para calcular v)v g bastani encontrar una relaci6n entre 10 Y Vo' Esa
relaci6n es
por tanto
Vo -i·O 6
o ' =83,04-0,6=-49,82
Vg Vg
Por ultimo para calcular la impedancia de entrada del amplificadar

completo (Rif), sera necesario hallar la impedancia de entrada del
aInplificador basico con los efectos de carga de Ia cadena de realimentacion
(Ri) y tnultiplicarla por la diferencia de retorno (1 + A(3)
Ri=h jel +R(l +h fe ) =4,17 +0,088(1 + 100) = 13,06 kO
R if =R j (l +G M '(3)=13,06'640,88=8369,89 kO
350
TEMA 6.- REALIMENTAC'ION
E;ercicio 6.2 En el circuito de la Figura 6.40, calcular v'/i ,-i/ii' V)V'i

j
, vo/vg y Ro. Despreciar la reactancia de los condensadores.
Voc
Vo
l
O.lK
10k
C
Ro
Vg
Solucion,:
Siguiendo los pasos del apartado 6.11, en la Figura 6.41 tenemos el

circuito equivalente del alnplificador, en el que helnos separado la cadena
de realimentacion que esta formada por la resistencia de 10 kO Y la de 0,1
kO.
La cadena de realimentacion esta conectada directalnente al terminal de

salida del alnplificador 10 que significa que estalnos muestreando tension.
Por otra parte la cadena esta conectada a la entrada del atnplificador en
serie con esta (al emisor de Qt) por 10 que se trata de muestreo en serie.
Se trata por tanto de una rea1imentacion TENSION-SERlE.
Esta informacion, nos indica que debemos de trabajar con las funciones
de transferencia de tension Av Y {3v'
351
Vg Va
O.1k
4.7k
Figura 6.41 Circuito de pequefla seflal.
Vamos a transformar el circuito para aproximarlo a la situaci6n ideal

Inostrada en la Figura 6.25. Para ello vatnos a separar la cadena de
realimentaci6n del resto del circuito y viendola desde la conexi6n a la
entrada del alnplificador vamos a transformarla en una resistencia en serie
con un generador de tensi6n segun 10 indicado en el apartado 6.11 punto 4a.
En la Figura 6.42 podemos ver la cadena de realitnentaci6n y en la Figura
6.43 una vez transformada aplicando el teorema de Thevenin.
10110.1
10k
o----~V\/'v_--I
O---i~+
0.1vo/10,1 ) ..+
O.1k:< vo(,~)
_ _ _'..L...f_ _ _ _ '--"T.::" (~'~)
O f - - - - - - - - -_.J-
0---
Figura 6.42 Cadena de realimentaci6n. Figura 6.43 Efecto de carga en entrada.
Para analizar la carga que introduce la cadena de realimentaci6n en la

salida del amplificador seguiremos 10 indicado en el apartado 6.11 punto 4. b
resJ.lltando que la carga de la cadena consiste en una resistencia cuyo valor
es 10 kO + 0,1 kO = 10,1 kO conectada entre el terminal de salida y masa
(en paralelo con la de 4,7 kO).
352
TEMA 6.- REAUMENTACION
EI circuito completo, preparado para realizar el analisis, es el de la

Figura 6.44.
O.1k ~i
r"""'\I""""--.-------"
Ib1
..-------....." Ib2 _ _- _ _- - o r - - - - - Q vo
20k 10.1k 4.7k

vg
vi
Figura 6.44 Amplificador completo.
EI valor de {3v se calcula directamente pues
v
v- 00 1
f 10+0,1 '
fJ v =0,0099
Ahora tenemos que establecer la relaci6n entre v0 Y Vi Y vamos a

hacerlo utilizando como para metros las corrientes de base.
En la malla de sal ida
en la de entrada
vi=iblhie +(1 +h fe )i b1 '0,099=6, 15 Ibl

Y en la malla intermedia
353
ELECTRONICA ANALOOICA DISC RET A
i b2 = -45 ,25 i b1
sustituyendo val ores en la expresion de Ay obtenemos
A = V o _(-160,37)(-45,25)=1179 93
v v.I 6,15 '
Con estos datos podemos hallar la diferencia de retorno
1 +AJ3=1 + 1179,93·0,0099=12,68
y la ganancia del amplificador realimentado Af
A= Ay _1179,93 -93 045

f 1 +AJ3 12,68 '
Esta funcion de transferencia corresponde a la relacion entre la tension

de salida, Vo Y la tension de entrada del amplificador ya realimentado, V'i.
Con la funcion de
transferencia, Af, ya
O.1k II
calculada, podemos dibujar -t>
como un solo bloque el At

vg
amplificador realimentado Rif
afiadiendo el resto de
componentes hasta obtener el
Figura 6.45 Esquema de bloques
ampl ificador completo
(Figura 6.45).
Para completar el circuito pOdelTIOS calcular la impedancia de entrada

del amplificador realimentado Rif • Como se trata de una comparacion serie
354
la impedancia de entrada del amplificador basico, Rj queda multiplicada por

el factor (1 + Ay '/1).
A la vista de la Figura 6.44
Ri =h ie +0,099(1 +h fe)
R i =6,15 kO
y por tanto
R·I f =R.(1
I
+A Y/1)=6,15'12,68=77,98 kO
En estos momentos es cuando debemos fijarnos en 10 que se nos pedfa

calcular:
Segun la nomenclatura util izada, esto corresponde a la

impedancia de entrada del circuito completo, salvo la
resistencia de 0,1 kO
Vi
- =201IR· f = 15,92 kO
I. I
I
Poniendo estas Inagnitudes en funci6n de Vo Y V'i
-i _ 4,71/10,1 =93 045 15,92 =461 83

ii v. I
'3,21 '
201lR jf
A partir de la relaci6n entre Vg Y V'j del circuito de la Figura

6.44
355
y.
v =i.(O, 1+(201IR. f » - I (0,1 + 15,92)= 1,0063'v 1,
g i l 201lR if
Yo
---=92,46
Vg 1,0063'Yj
por ultimo para calcular la ilnpedancia de salida utilizaremos las expresiones

obtenidas en el apartado 6.10. Para el caso de muestreo de tension
cOlnparacion serie
R = R' 0 - 10,1 114,7 = 0 25 kO

o 1+ A)3 12,68 '
356
BIBLIOGRAFIA
(1) Millman 1. Microelectr6nica. Tema 12. Ed. Hispano Europea. 1981
(2) Munoz Merino E. Circuitos eLectr6nicos. VoL 2 Temas 1 y 2.

Departamento de Publ icaciones E. T. S. I. T. Madrid
(3) Sedra A. et al. Dispositivos eLectr6nicos y Anlplificaci6n de sefiales.

Tema 12. Ed Interamericana.
(4) Arnau A. et al. Tecnicas basicas de Electr6nica. Temas 6 y 7. SPUpy

89.595
(5) Horrocks David H. Circuitos con retroalimentaci6n y al1lpl(ficadores

operacionaLes. Ed. Addison-Wesley Iberoamericana. 1994
357
TEMA7
OSCILADORES SENOIDALES
,
7.1 INTRODUCCION
En los temas anteriores nos hemos centrado en calcular la funci6n

de transferencia de un circuito activo, conocer la selial de salida ante una
cierta excitaci6n 0 sefial aplicada a su entrada.
En este tema vamos a estudiar unos circuitos que llamaremos

osciladores cap aces de entregar selial a su sal ida aun en condiciones de
ausencia de excitaci6n, es decir sin que haya aplicada a su entrada sefial
alguna.
La energfa necesaria se obtiene como en el caso de los

amplificadores de la fuente de al ilnentaci6n.
Podemos definir un oscilador como un circuito capaz de entregar a

su salida una sefial peri6dica mediante un procedimiento de conversi6n de
la energfa continua procedente de la fuente de aliInentaci6n.
En un primer momenta podemos c1asificarlos en:
- Osciladores sinusoidales: en los cuales la onda generada es una

sinusoide.
- Osciladores de relajaci6n: en los que la onda generada es de otra

forma (cuadrada, diente de sierra, triangular, ... ).
359
7.2 FUNCIONAMIENTO. FRECUENCIA DE

OSCILACION. CRITERIOS DE BARKHAUSEN
EI metoda mas clasico e intuitivo de abordar el estudio de los

osciladores es considerarlos como una consecuencia de la realimentaci6n.
Del diagrama de bloques del amplificador realimentado de la Figura 7.1 se
tiene que
X e + Xo
A
_ Xo_ A (7.1)
A-----
f X 1 +A{1
e
Al producto -A{1 se Ie llama ganancia de lazo y, en general, presenta

una caracteristica dependiente de la frecuencia, que puede ser debida s610
al cuadripolo A, {1 0 a ambos a la vez.
Como ya sabemos si 11 + A{11 > 1 significa que estamos ante una

realimentaci6n negativa (A f < A) Y si 11 + A{11 < 1 se tratara de una
realimentaci6n positiva (A f > A).
Un caso particularmente interesante es cuando la ganancia de lazo

vale la' unidad (-A{1 = 1) ya que Af = 00, situaci6n que debe interpretarse
como circuito que produce una sefial de salida finita en ausencia de sefial de
entrada.
360
TEMA 7.- OSCILADORES SENOIDALES
A la vista de la Figura 7.1 expliquemos esta situaci6n.
La seftal que entra en el amplificador A sera la diferencia entre la de

entrada (Xe) Y la que introduce la cadena de realimentaci6n «(3Xo)' Esta
serial muItiplicada por A nos dara la serial de salida
(Xe -(3XJ.A=X o
(7.2)
Xo =AX e +( -A(3)Xo
Si en determinado momenta se desconecta Xe, la entrada al

alnplificador sera -(3.~ siendo Xo la que existe en el mOlnento de anularse
Ja serial de entrada.
Xo =( -(3XJ.A (7.3)
que retornara a la entrada a traves del bucle de realimentaci6n propor-

cionando al amplificador basico una serial de entrada
Xc =-A{3( -(3X) (7.4)
Si -A(3=l se cUlnplira que X'e =-(3.Xo es decir la misma seftal de

entrada que se tenia en el momenta de desconectar la sefta) Xc' Este
proceso continua (en teorfa) indefinidamente aun en ausencia de seftal de la
Fuente de entrada.
En la explicaci6n anterior se ha supuesto que al principio existfa ~

de la fuente exterior y de esta forma se ponfa en funcionamiento el circuito.
La existencia inicial de Xe en la realidad no es necesario pues una simple
seftal de perturbaci6n (ruido) que actuara durante un instante pondrfa en
funcionamiento el proceso anterior aun en ausencia instantes despues de esa
perturbaci6n. Por supuesto para la frecuencia de esa perturbaci6n se deberfa
cumplir que -A(3 = 1.
La condici6n anterior tambien puede escribirse como

(7.5)
AUw) (3Uw) = -1 + j·O
361
ELECTRONICA ANALOmCA DISCRET A.
En efecto tanto A cOlno (3 van a ser redes que contendnin elementos

reactivos y por tanto sus valores dependenin de la frecuencia de la sefial con
la que se este trabajando. Su producto debeni ser el ntllnero real -1.
Podemos simplificar algo nuestro tratamiento si atribuimos a (3 todos los
elementos dependientes de la frecuencia y consideramos A como un numero
real y constante. Esto equivale a suponer que la frecuencia de trabajo va a
estar plenamente incluida dentro de la zona de frecuencias medias del
amplificador, 10 cual ocurre frecuentemente.
En algunos casos, particularmente cuando se trata de osciladores de

radiofrecuencia, esta suposicion no es valida y el cuadripolo activo puede
tener gran influencia en la condicion -A(3 = 1.
La condicion anterior tambien llamada Criterio de Barkhausen se

puede expresar como
Re(A(3) = -1 Im(A(3) = 0 (7.6)
o
(7.7)
I A(3I) = 1 Arg(A(3) = 7r
Las ecuaciones matelnaticas planteadas constituyen un sistema de dos

ecuaci~nes con dos incognitas, una de las cuales sera la frecuencia de
oscilacion. La segunda incognita puede ser cualquiera, en general, podemos
decir que impondra una cierta condicion que deberan cUlnpIir los distintos
elementos que componen el ampJificador real imentado para que se conlporte
como un oscilador. la materializacion de esta condicion puede ser, por
ejemplo, un valor crftico de A, el valor de una detenninada R, ... segun las
peculiaridades de cada caso.
Las condiciones de Barkhausen expresadas antes matematicamente

tambien se pueden enunciar de la siguiente forma:
- La frecuencia a la que funeionan" un oscilador senoidal es
362
TEMA 7.- OSC'ILADORES SENOIDALES
aquella para la que el cambio total de fase desde los terminales de entrada,
a traves del amplificador, la red de realimentacion y vuelta de nuevo a los
terminales de entrada del alnplificador, sea cero 0 multiplo de 21r.
- Las oscilaciones se mantendnin si a esa frecuencia de oscilacion

el modulo del producto A{3 es 1.
7.3 ARRANQUE DEL OSCILADOR. DETERMINACION

DE LA AMPLITUD DE LA OSCILACION
Segun 10 dicho anteriormente, la respuesta del circuito ante una

excitacion exterior sera una sinusoide cuya frecuencia estara bien determina-
da por las condiciones de Barkhausen, pero cuya amplitud dependera de las
condiciones iniciales, es decir de la excitacion aplicada. En ningun caso
practico va a faltar esta senal de excitacion pues el inevitable ruido, por
pequeno que sea, se va a encargar de proporcionarla. Sin embargo existen
dos factores que nos van a obligar a imponer ciertas modificaciones.
- No se puede dejar que la amplitud de la oscilaci6n quede

determinada por circunstancias tan poco predecibles como son las derivadas
del ruido, que siempre sera la senal de excitacion que va a producir el
arranque del oscilador.
- La condicion de que IA{31 = 1 es un requisito extremadamente

critico que facilmente dejarfa de cumplirse por variaciones de telnperatura,
envejecimiento, etc ... Si por cualquiera de estas circunstancias I A{31 < 1 el
oscilador no arrancarfa.
Con el fin de evitar los dos inconvenientes, un oscilador debe

cunlplir siempre la condicion de oscilacion en exceso, es decir, debe
disenarse para que la ganancia de lazo, en modulo, sea ligeramente superior
a la unidad.
363
Evidentelnente en este caso la respuesta no sera de amplitud

constante sino que tendra la forma de una sinusoidal creciente en amplitude
Ahora bien la naturaleza no lineal de algunos de los elementos que
constituyen el bucle, en particular los elementos activos incluidos en el
anlplificador A, hace imposible el manejo de senales crecientes
indefinidamente.
En efecto, de no existir otro elemento colocado expresamente para

este fin, es el propio amplificador quien se encargara de Iimitar fa amplitud
de las oscilaciones cuando esta llegue a un valor tal que se pierda la
linealidad del circuito. La consecuencia de alcanzarse la zona no lineal del
alnplificador va a ser ~ por un lado, la aparicion de la distorsion armonica
y por otro una disminucion de la ganancia que obligara al sistema a
adaptarse a una nueva situacion tal que I A{3I = 1.
A continuacion presentalnos un ejemplo que puede explicarnos como

se produce el arranque y estabilizacion de un oscilador.
Se trata de determinar la amp I itud de la oscilacion de un oscilador

cOlnpuesto por los cuadripolos A y {3 y calculado para oscilar
aproxilnadamente a 1 kHz.
La caracteristica de transferencia del cuadripolo A es la mostrada en

la Figura 7.2.
Vemos una zona lineal con ganancia 100 hasta 1,5 voltios de tension
de salida. A partir de ahf se pierde la linealidad quedando la senal de salida
a 1,75 V debido a la saturacion del amplificador.
Esto significa que si la tension en la entrada del amplificador supera

los 15 mV, la sal ida crece mas lentamente de 10 que ha crecido hasta ese
momento y poco despues la salida se mantiene ya fija aI, 75 V. Decimos
que a partir de que la entrada valga 15 mV aparece distorsi6n arm6nica.
364
Yo
M Dlstorsl6n sat\aJ
salida
l,7S ------.. -.------------------;;0>--.- - - - -
%
30
25
20
15
10
5
15 VI (mV)
YoM
1,5 1.75
Figura 7.2 Caracteristica de
transferencia. Figura 7.3 Distorsion de la salida.
La var.iacion de la distorsion con la sefial de salida viene dada por

la Figura 7.3. Segun 10 dicho anterionnente la distorsion aparece a partir
de una tension de salida de 1,5 V Y la diferencia entre la entrada y la salida
(distorsi6n) crece nipidamente a partir de este valor.
Los comentarios a la Figura 7.2 sobre que la salida deja de seguir

a la entrada a partir de que la primera llega a los 1,5 V significan una dis-
lninuci6n efectiva de la ganancia (V/Ve); la entrada puede seguir aumentan-
do pero la salida deja de hacerlo. La Figura 7.4 representa esta situaci6n.
Con estos datos consideremos tres valores posibles para la ganancia

de la red de realimentaci6n {3
referidos todos ellos a la frecuencia de oscilaci6n en la que se ha anulado

la parte reactiva.
La Figura 7.5 muestra el valor de la ganancia de lazo, IA{31 para

cada valor de {3 en funci6n de la tensi6n de salida.
365
Ganancia Ganancla
de lazo
A
100 } - - - - - - - - -......
I
1,2 1 - - - - - - - - , - . . . . .
1,1 ;\
50 1 ----------------------l--N 1M
1
0,9 f - j- - - - - - - - ' - - - - :
' \
IL ____________ ~ __ ~
YoM
I VoM
1,5 1,75 1,5 1,75
Figura 7.4 Modulo de la ganancia. Figura 7.5 Ganancia de lazo IA{3I.
Considerelnos el funcionamiento del oscilador cuando IA{31 = 1,2.
Al co nectar el circuito, cualquier sefial espurea que aparezca en el

bucle y contenga la frecuencia propia de oscilaci6n del circuito (la que hace
que I A,BI = 1,2 Y el desfase al recorrer el bucle sea cero) comenzanl a
aumentar en amplitud en cada recorrido por el bucle.
La tensi6n de salida ira aUlnentando de forma lineal ya que en prin-

cipio la ganancia IA I se mantendra constante.
A partir de que la tensi6n de salida sea 1,5 V, esta dejani de seguir

aumentando de forma lineal a pesar de que la entrada 10 seguira haciendo.
Esto lleva a una reducci6n efectiva de la ganancia IA I y por tanto de la
ganancia de lazo, IA,BI. La distorsi6n de la sefial de salida ira aumentando.
EI lnenor valor posible de la ganancia de lazo para que el circuito

siga oscilando, aunque con distorsi6n en la salida, sera I A,BI = 1. Si una
posterior disminuci6n de IA I intentara llevar a la ganancia de lazo por
debajo de este valor, la sefial en la entrada del atnplificador disminuiria, 10
que provocaria un aUlnento de IA I y una vuelta por tanto a la que sera la
condici6n de equilibrio, IA{31 = 1.
366
TEMA 7,- OSCILADORES SENOIDALES
Los puntos M y N de la Figura 7.5 son los de equilibrio para los

casos en que la ganancia de la red de realimentaci6n sean {31 y {32. Las
amplitudes de la tensi6n de salida para estos dos casos son del orden de 1,7
Y 1,65 V respectivamente.
Para el caso de que la ganancia de la red de realimentaci6n sea {33

para la frecuencia de oscilaci6n, el circuito no oscilara ya que la sefial
espurea de esa frecuencia se amortiguara a 10 largo del buc1e.
Con ayuda de la curva de distorsi6n (Figura 7.3) puede verse que

cuanto mayor sea IA{3I, mayor sera la distorsi6n aunque no se obtenga un
considerable aumento de la amplitud. Sera preferible por tanto utilizar
val ores de IA{31 todo 10 pequefios que sea, compatibles con la seguridad de
arranque que comenmbamos al principio.
En cualquier caso hay que hacer constar que la obtenci6n de grandes

amplitudes no es general mente un factor fundamental en el disefio, pues
siempre va a ser posible amplificar la sefial mediante un amplificador
adicional exterior al lazo de realimentaci6n. Sera de mucha mayor
importancia la obtenci6n de una sefial de muy baja distorsi6n, ya que esta
no podra ser eliminada a posteriori.
En ciertos osciladores que utilizan circuitos resonantes altamente

selectivos, el problema de la distorsi6n carece de relevancia al quedar
el iminados los arm6nicos por estar fuera de la banda de paso de la red {3.
En otros casos se utiliza una realimentaci6n negativa adicional que consigue
una amplitud constante modificando convenientemente la ganancia de lazo.
7.4 OSCILADORES RC DE BAJA FRECUENCIA
En los circuitos osciladores mas senciIlos, la red de realimentaci6n

selectiva esta realizada mediante resistencias y condensadores y se utilizan
basicamente en baja frecuencia.
367
De todos los tipos posibles los mas empleados por su sencillez y

buen funcionamiento son los de desplazamiento de lase y los de puente de
Wien que se estudianin en los siguientes apartados.
7.4.1 OSCILADORES RC POR DESPLAZAMIENTO DE FASE
EI circuito de la Figura 7.6 representa un oscilador por cambio de

fase utiIizando como amplificador un monoetapa con lFET.
C C C
II i II , If--I~
I
~a1 R~ R~
! ! Rt
i r---, 1 I !
:, R ~I i
c,....L -L -L -L
S T
Y
Figura 7.6 Oscilador por cambio de fase.
EI amplificador cambia la fase en 180 0 (surtidor comun) para todas

las senales comprendidas en su zona de frecuencias medias. La red de
realimentaci6n formada por celulas RC debeni producir tambien un desfase
de 180 0 para la sefial que corresponda con la frecuencia de oscilaci6n del
circuito. Por ello a esta frecuencia el desfase total sera nulo y si ademas se
cumple que la ganancia de lazo IA{31 = 1, el circuito oscilara.
En general, el proceditniento de estudio de los osciladores es siInilar.

Se corta el bude por la entrada del amplificador y se "endereza" cargando
368
la cadena de realimentaci6n con la impedancia que antes de cortar el buc1e

tenIa conectada a su sal ida. EI circuito que se obtiene en general es el de la
Figura 7.7 Y en concreto para este oscilador el de la Figura 7.8.
CADENA DE
AMPLIFICADOR
REALIMENTACION
Figura 7.7 Corte de la red de realimentacion.
Por tratarse de un JFET, la impedancia de entrada, despreciando la

capacidad puerta-surtidor sera 10 suficientemente grande como para
despreciarla. Si se tratara de una configuraci6n con BJT a la ultima
resistencia de la cadena de realimentaci6n Ie hubieramos dado un valor R'
tal que R' en paralelo con la impedancia de entrada del BJT fuera igual al
valor de la resistencia R.
Figura 7.8 Amilisis del oscilador.
Suponemos A real por 10 que {3 deb era ser tambien real (condici6n
de oscilaci6n) y de ahf obtendremos la frecuencia de oscilaci6n. Ademas
como se deb era cumplir que IA{31 = 1, esto nos permitira conocer el valor
que debe tener A para que el circuito oscile a esa frecuencia.
369
ELECTRONIC A ANALOOICA DISCRET A
La cadena de realimentacion sera la de la Figura 7.9
c c c
Figura 7.9 Cadena de realimentacion.
y si llamamos {3 a V/Vj, por mallas
Y 1 =i I (X + R) - i2 R
(7.8)
o -i 2 R +(2R +X)i3
despejando i3 , se obtiene
R2y
i = 1
3 (X +R)(2R +X)2-R2(X +R)-R2(2R +X)
(7.9)
. R2(CjW)3 YI
1 ------------------------
r
3 (RCjw)3 +6(RCjw +5(RCjw) + 1
por tanto
{3= Y 2 = i3 R = (RCjW)3 (7.10)

YI YI (RCjW)3+6(RCjW)2+5(RCjw)+ 1
Hemos dicho antes que dado que A era real, {3 tambien debia serlo
por 10 que si el numerador es un numero con solo parte compleja, el
denominador tambien 10 sera. Anulando la parte real del denOlTI inador
(7.11)
370
1
w---- (7.]2)
o !6RC
Exigiendo la condicion I A(31 = 1 para w =Wo
(3(w=w)-
(RCjw
0
f 1 (7.13)
o (RCjw o)3 +5RCjw o 29
por 10 tanto IA I =29
7.4.2 OSCILADOR DE PUENTE DE WIEN
Esta constituido por un amplificador realilnentado positivalnente a

traves de una red que presenta una estructura de puente equilibrado. En la
Figura 7.10 se muestra el puente, que esta formado por cuatro ralnas, R1 ,
R2, ZI Y Z2, donde las impedancias Z1 Y Z2 representan respectivamente una
agrupacion RC serie y paralelo.
Figura 7.10 Red de realimentaci6n utilizada en el oscilador en Puente de Wien.
Se utilizara un amplificador que posee una ganancia de tension A,
371
real, con entrada diferencial, VrV2, Y que supondremos con una impedancia
de entrada muy elevada y con sal ida sencilla, v0' con una impedancia de
salida muy pequefia (Figura 7.11).
O~------:
V1
Oi--------
V2
A b ~_____v_oo
Figura 7.11 Amplificador operacional utilizado en el oscilador en Puente de Wien.
EI circuito global se presenta en la Figura 7.12, donde la realimenta-

ci6n positiva viene dada por las impedancias Zl y Zz que como posterior-
mente se demostrani son las que fijaran la frecuencia de oscilacion, mientras
que la realimentaci6n negativa se realiza por medio de las resistencias Rl y
R2 que determinaran la amplitud de la oscilaci6n y produciran una reducci6n
de la distorsi6n.
R2 R1
Vo Vo
>--rr---;
R C
R c
Figura 7.12 Oscilador en Puente de Wien.
Para su analisis se cortara el lazo por la entrada del amplificador,

quedando el circuito tal como se indica en la Figura 7.13.
372
TEMA 7 .- OSCILADORES SENOIDALES
C R V,'
Z,
Va i R C
Ve'
R'
R2 V2'
Figura 7.13- Apertura del lazo para el calculo de la ganancia de lazo -A{3.
La tensi6n de salida v0 y las de entrada V'l Y v' 2 vienen dadas por

(7.14)
(7.15)
(7.16)
La expresi6n de v'e sera teniendo en cuenta las tres ultimas

ecuaciones
-I ( Z2 ~
V e = VI
1
VI
2
= Ve A
R + R,)
(7.17)
Z} + Z2 } -
con 10 que la ganancia del lazo
VI
-Af3 =
e =A ( Z2 R2 ) (7.18)
ve Zl + Z2 R} + R2
373
ELECTRONIC A AN ALOGICA DISCRET A
Del circuito de la Figura 7.10 se deduce que
R (7.19)
=
Aplicando el criterio de Barkhausen se obtiene la frecuencia de

oscilacion y la condicion de arranque:
1 (7.20)
RC
=> A(-.!. (7.21)

3
y puesto que la ganancia del ampJ ificador en lazo abierto se considera muy
elevada, se puede utilizar la aproximacion 1/A = 0, con 10 que Ja condicion
de arranque sera
1
> 0 => (7.22)
3
y por tanto la ganancia del amplificador, incIuyendo la realimentacion

negativa, para mantener la oscilacion debe tomar el valor I
(7.23)
o hasta un 5 % mayor que 3.
Observese que a partir de la ecuaci6n que nos da la ganancia del lazo

se deduce que la condicion para que exista oscilaci6n es que el puente este
equilibrado a la frecuencia de oscilaci6n, es decir
(7.24)
I Vease Tema I, pag. II, Electr6nica Anal6gica lnfegrada. Perez, Batalla et all.
374
TEMA 7.- OSClLADORES SENOIDALES
que en este caso, dado que el prImer miembro es el cociente entre dos
resistencias, la razon es un numero real.
ETAPA ATENUADOR
DE SAUDA DE 60 dB
AMPUF. 1 AMPUF. 2 ATENUAOOR

CONTINUO
Figura 7.14 Diagrama de bloques de un generador de onda senoidal con puente de Wien.
En Ia Figura 7.14 se presenta un ejelnplo de utilizacion de un

oscilador de puente de Wien para un generador de baja frecuencia. En el
diagralna de bloques se observa que el puente junto con el amplificador 1
constituyen el circuito oscilador.
7.4.2.1 Sinlulacion de un oscilador de puente de Wien.
En la Figura 7. 15 se ha representado un oscilador de puente de Wien

como el de la Figura 7.12 donde se ha disenado el valor de Rl y R2 de
Inanera que la ganancia del amplificador, A sea 3 para que se cumpla la
condicion de lnantenimiento del oscilador y con unos valores de Rye que
nos proporcionan una frecuencia de oscilacion de 10kHz.
EI arranque del oscilador se efectua a traves de la fuente interna de

ruido del amplificador, y dado que es de pequeno valor invierte cierto
tiempo en lograr que se estabilice la senal. La tension en el nudo "2" se
representa junto con la tension de sal ida (nudo "4 ") en la Figura 7.16 para
una ganancia del alnplificador A de 3,1.
375
R2 R1
13.5V
~
HI Vo
.DEFINE R 1.59K
R
.DEFINE C 10NF
.DEFINE R1 22K
.DEFINE R2 11 K
.MODEL TL080C OPA (LEVEL-3 TYPE-3 ROUTAC-50 ROUTDC=75 VOFF=3M

IOFF-5P SRP-13MEG SRN-13MEG IBIAS-30P VPS-13.5 VNS--13.5
CMRR-19.9528K GBW-3MEG PO-80M)
Figura 7.15 Oscilador de puente de Wien simulado con Micro-Cap.
v(4) EllEN CIR Temperature= 27

15.00
9.00
3.00 A
1\1\ .AAlltl
-3.00
vvy
,
VJL'LllJI
-9.00
·15.00 82m
64.4Om 65.6Om 66.8Om 88m T
v(2)
5.00
3.00
1.00 •
,,/\
vy
Antill
·1.00 ,
v VVIIII
-3.00
·5.00 I
63.2Om 64.4Om 65.6Om 68.8Om 88m T
Figura 7.16 Arranque del oscilador.
376
Cuando se aIcanza el regimen permanente se logra una senal de 12,6

V de pico y 9615 Hz, tal como se puede deducir de la Figura 7.17.
EWIEN.CIR Temperature= 27
15.00
0.00
·15.00
Let t Right Oe Ita Slope

12.608 12.60'1 -0 004 -7 678
69.068m 69.588m 0.S20m 1
Figura 7.17 Detalle de la seiial estabilizada.
En la Figura 7.18, se ha representado la senal de salida cuando la

ganancia A es 2,9, valor que esta por debajo del que impone la condici6n
de arranque, obteniendo una senal que se atenua con el tiempo.
v(4) EWIEN.CIR T~nperature= 27

a.89m
a.89m
~ A I I
8.89m
{ In in ~nfl(\fl" AI\A ... A IAAA A.A" "AAAA fl.A /I" " " ,..,A
, A" ,,/\ A .A AA
a.89m ,
~~v Vyvvy ' "
a.89m
8.89m
Om 3m 8m 9m 12m 15m T
Figura 7.18 Seiial obtenida cuando al ganancia del alJlplificador es inferior a la que
establece la condicion de arranque del oscilador.
7.4.2.2 Estabilizacion de la amplitud en el oscilador de puente de Wien.
Debido al envejecimiento de los componentes y a sus derivas es

realmente complicado mantener el equilibrio del puente, modificandose la
377
amplitud de la oscilaci6n. Es por ello que para estabilizarla se recurre algun

procedimiento que conduzca a un control automatico de ganancia del
oscilador como es la introducci6n de elementos no lineales en el circuito.
R2 Rl
R C
R c
Figura 7.19 Estabilizaci6n de la amplitud mediante un termistor PTe.
EI primer circuito que se propone es el de la Figura 7. 19, donde R2

se ha sustituido por una PTC (0 Rl por una NTC). En la medida que la
ganancia del lazo, (l + R/R2)/3, sea Inayor que la unidad crecenl la
amplitud de la oscilaci6n. Si se produce un aumento de Vo la corriente que
circula por la PTC aumentara y por tanto tambien 10 hara su resistencia, R2 ,
con 10 que la ganancia del lazo disminuira y a su vez Ja alnplitud de la
oscilaci6n.
En la Figura 7.20 se presenta otro circuito donde el control

automatico de ganancia se efectua por medio de los diodos DIy D2, de
manera que cuanto mayor es Vola resistencia dinamica de los diodos
disminuye y por tanto la resistencia de realimentaci6n negativa total R1 ,
estabil izando la amplitud de sal ida con 10 que se impide el recorte de la
senal.
Eiemplo.
Disefiar un oscilador de puente de Wien como el de la Figura 7.20

que posea una frecuencia de oscilaci6n de 1 kHz.
378
TEMA 7.- OSCILADORES SENOfDALES
Dl
R2
RIb
Vo
R C
R c
Figura 7.20 Estabilizaci6n de la amplitud mediante diodos.
Solucion:
De la ecuaci6n (7.9) se deduce que el producto RC toma el valor
(7.25)
Si se toma C=lO nF resulta un valor de R=lS,9K. Para que se

mantenga la oscilaci6n R/R2 =2, por 10 que fijando R2 = 10 kG se obtiene
que RI =20 kG.
Cuando la ddp en la agrupaclon de diodos es insuficiente para

activarlos su resistencia es muy elevada, por 10 que la resistencia equivalen-
te de RIb, Ria Y la de los diodos se puede aproximar por Rib. Puesto que la
amplitud de la oscilaci6n crece si la ganancia del amplificador es mayor que
3, se debera tomar R1b > 20 kG, p.e. R II, =22 kG.
Sin embargo a medida que aumenta la alnplitud de la oscilaci6n los

diodos conducen mas y su resistencia se hace cada vez Inenor y la
379
resistencia RI es aproximadamente el paralelo de Rib y RIa, que toma un

valor menor que Rl =22 kO. Para controlar el aumento de amplitud se hace
que en estas condiciones la ganancia del amplificador sea menor que 3, p.e.
2,8 Y por tanto Rl = 18 kO obteniendose
= 22 k 20 k = 220 kO (7.26)
22-20
De esta forma se logra mediante la actuacion de los diodos el control

y la estabil izacion de la amplitud de la oscilacion.
La tercera solucion que se propone para lograr el control automatico

de ganancia es el circuito de la Figura 7.21 que utiliza un lazo activo de
control con un FET y actua como una resistencia controlada por tension.
Zl D1
C3
Vo
Figura 7.21 OscUador en puente de Wien con control de ganancia por FET.
Al co nectar Ia alimentacion el condensador C3 esm descargado, por

10 que la tension en la puerta es practicamente nula y por ello tambien 10
sera la tension puerta-fuente, en consecuencia la resistencia del canal sera
muy baja y R2a quedara virtual mente conectada a masa. En estas condiciones
380
R2 = R2/IR2b Y disefiando adecuadamente R2a Y R2b se logra que la ganancia

del amplificador sea mayor que 3, creciendo la amplitud de la oscilaci6n
hasta que llegue a un nivel en el que se activan los diodos y polarizan
inversamente la puerta; esto hace que el FET entre en corte y crezca la
resistencia del canal. Al entrar en corte se tiene que R2 = R2b Y se disefia de
manera que la ganancia del amplificador sea menor que 3. De esta forma
la oscilaci6n se estabilizani y la ganancia del amplificador alcanzara el valor
de 3.
La amplitud de la oscilaci6n vendra determinada por la siguiente

ecuaci6n
(7.27)
La misi6n del condensador C3 es la de mantener la tensi6n de puerta

constante entre dos picos consecutivos de la oscilaci6n, y ello se consigue
disefiando la constante R3 C 3 mucho mayor que el periodo de oscilaci6n.
Con los osciladores de puente de Wien se puede lograr una

distorsi6n tfpica del 0,01 %, un rango de frecuencia tfpico de 1 Hz a 1 MHz
y una estabilidad de la amplitud del 1 %. Por su extremadamente baja
distorsi6n los hace adecuados para apiicaciones de audio e instrumentaci6n
aunque presentan el inconveniente de utilizar un potenci6metro en tandelTI
para ajustar la frecuencia de oscilaci6n.
7.5 OSCILADORES SINTONIZADOS LC
En el apartado 7.4 hemos visto osciladores en los que la red de

realimentaci6n estaba compuesta por resistencias y condensadores para
conseguir el desplazamiento de fase necesario en cada caso, en los circuitos
osciladores sintonizados LC se utilizan condensadores y bobinas para
conseguir ese prop6sito. A continuaci6n analizaremos una estructura general
para este tipo de osciladores.
381
ELECTRONICA ANALOGICA IJl~CRET A
7.5.1 FORMA GENERAL DE UN OSCILADOR SINTONIZABLE LC
La estructura general de un oscilador sintonizable LC y su circuito

equivalente se muestra en la Figura 7.22, basicamente esta formado por un
amplificador de ganancia A que suponemos real y positiva y una red de
realimentacion fonnado por tres impedancias en estructura en 1r. A
continuaci6n se realiza el amilisis de este circuito.
v._ i 3
Figura 7.22 Configuraci6n general de un oscilador sintonizado LC.
Pretendemos anal izar el circuito oscilador por 10 que tendremos que

abrir el lazo de realimentacion y ca1cular la ganancia de lazo y hacer esta
igual a -1.
En primer lugar la tension V0 de salida sera
-A V a Z L
(7.28)
en donde se ha llamado ZL a
Z2(Zj +Z3)
(7.29)
Zl +Z2+ Z 3
La tension de realimentacion Va valdra
382
TEMA 7.- OSClLADORES SENOIDALES
ZI
v'a = ---V
Z 1 +Z3 0
(7.30)
La ganancia de lazo -A(3 es la relaci6n entre la tensi6n Va' Y Va por

10 que podremos escribir que
(7.31)
si ahora hacemos
(7.32)
y sustituyendo estos en la ecuaci6n anterior obtenemos que la ganancia de

lazo -A(3 sera
(7.33)
y para que esta ganancia de lazo sea real se tendra que cumpl ir que
(7.34)
o 10 que es 10 mismo que

(7.35)
por 10 que tendremos poniendo la condici6n de que la ganancia de lazo sea

igual a 1
(7.36)
Puesto que la ganancia A del alnplificador es real y positiva, para

que la ecuaci6n anterior se cumpla han de ser Xl y X2 del lnismo tipo y por
10 tanto X3 del tipo contrario. Existen por 10 tanto dos configuraciones
posibles que seran analizadas en el apartado siguiente.
383
7.5.2 CONFIGURACIONES COLPITTS Y HARTLEY
En el apartado anterior se ha visto que para que se cumpliera la

condici6n de que la ganancia de lazo sea igual aI, Xl y X2 0 10 que es 10
m-ismo Zl y Z2 tenfan que ser del m ismo tipo es decir 0 las dos conden-
sadores 0 las dos autoinducciones y por 10 tanto Z3 autoinducci6n 0
condensador respectivamente.
Z3 Z3
O~--][~~-~-Z-1~][~--O
I I
COLPITTS HARTLEY
Figura 7.23 Tipos de impedancias en los osciladores Colpitts y Hartley.
En Ia Figura 7.23 se muestran estas dos configuraciones. La con-

figuraci6n en que Zt Y Z2 son condensadores y Z3 es una autoinducci6n se
Ie denomina configuraci6n Colpitts y a la otra configuraci6n posible en Ia
que Zl y Z2 son autoinducciones y Z3 es un condensador se Ie denomina
configuraci6n Hartley.
La frecuencia para Ia cual se cumple que

X t +X2 +X 3 = 0 (7.37)
en el caso de la configuraci6n Colpitts (Figura 7.24) viene dada por
1
(7.38)
Para la configuraci6n Hartley hay que tener en cuenta (fig 7. ) que

si existe autoinducci6n mutua entre las dos bobinas esta influye en la
frecuencia de oscilaci6n, teniendo especial cuidado pues el signo de M
384
dependera de la posicion relativa entre elIas. En este caso la frecuencia de

oscilacion viene dada por
1
(7.39)
L C
0 IQ()(f'\ 0
IC1 c2 I
I I
COLPITTS HARTLEY
Figura 7.24 Redes de realimentaci6n en los osciladores Colpitts y Hartley.
7.5.2.1 Ejemplos de osciladores en configuraci6n Colpitts.
A continuacion se presentan dos ejemplos de osciladores tipo

Colpitts, las resistencias RbJ , Rb2 , Rc Y Rc son las de polarizacion del BJT,
Cd condensadores de desacoplo y C a condensadores de acoplo.
+Vcc.
Rb1
Ca
C1
Rb2
Cd
d
_ C2
L
Figura 7.25 Oscilador Colpits con BIT en configuraci6n de emisor comun.
385
En el circuito de la Figura 7.25 la red de realimentacion esta

formada por C 1 , C2 Y L, el condensador Ca acopla la sefial de sal ida a la
base del BJT aislando la tension de polarizacion de colector con la de base,
que estarfan unidas a traves de la bobina L.
Rb
C1
+Vcc
Figura 7.26 Oscilador Colpits con BJT en configuracion de base comun.
La Figura 7.26 muestra otro oscilador tipo Colpitts, siendo C 1 , C2

Y L la red de realimemtacion, en la base del BJT el condensador Cd
desacopla la sefial ya que es una configuracion en base comun, el otro
condensador Cd desacopla la resistencia Rc de polarizacion de colector
filtrando Ia tension de polarizacion y evitando a su vez que la sefial del
oscilador alcance Ia fuente de alimentacion y pueda interferir con otros
circuitos, el condensador C a acopla la sefial de salida a la resistencia de
carga RL •
7,,5.2.2 Ejemplos de osciladores en configuraci6n Hartley.
En este apartado podemos observar tres ejemplos de osciladores tipo

Hartley. EI que se presenta en la Figura 7.27 esta compuesto por un
amplificador en emisor comun con condensadador de desacoplo Cd, la red
selectiva de realimentacion esta formada por C, LI Y L 2 , los condensadores
Ca de acopio afslan las tensiones de polarizacion de colector y base de la de
386
masa presente en las bobinas L] y L2.
---Vee
T1
L1
-
Re
b Cd
L2
C
Figura 7.27 Oscilador Hartley con BJT en configuracion de ernisor cornun.
Respecto al circuito de la Figura 7.28 tan solo COlnentar que la sefial

de salida esta presente en el colector del BJT y se acoplarfa a una carga a
traves de un condensador ya que en las autoinducciones LI Y L2 esta
presente la tension de alimentacion + Vcc.
01
Os
AL
red
Figura 7.28 Oscilador Hartley con BJT en configuracion de ernisor cornun.
La Figura 7.29 muestra un oscilador Hartley realizado con un JFET

en configuracion de drenador comun, la resistencia R] es la de
387
autopolarizacion de la puerta de JFET, siendo el condensador C a de acoplo

de la sefial a la puerta y la red de realimentacion entre el surtidor y la
puerta esta constituida por L 1 , L2 Y C.
T1
Figura 7.29 Oscilador Hartley con JFET en configuracion de drenador comun.
7.5.3 OSCILADOR SINTONIZABLE LC CON TRANSFORMADOR

Y CIRCUITO T AN QUE
Existe un tipo de oscilador que utiliza un transformador para

realimentar Ja sefial de salida del amplificador a la entrada de este. En la
Figura 7.30 se puede observar un oscilador de este tipo. La corriente de
colector del BJT atraviesa el primario del transformador induciendo una
tension en el secundario, este se encuentra en paralelo con una capacidad
formada por el paralelo de C var Y Cajust en serie con C, formando un circuito
resonante paralelo tambien llamado circuito tanque, a la frecuencia de
resonancia de este circuito la tension inducida es muy elevada y el desfasaje
a dicha frecuencia es de 180 0 con 10 que la ganancia de lazo teniendo en
cuenta que el. alnplificador tambien desfasa 180 0 , posee un desfasaje de
360 0 y la sefial realimentada esta en fase con la inicial.
La sefial de real imentacion se toma de una toma intermedia del
388
A3
Ca
Ab
-Vee
ICC Vo
Figura 7.30 Oscilador sintonizable LC con trasformador y circuito tanque.
secundario del transformador 10 que introduce una doble ventaja, por una
parte el circuito tanque se carga con una impedancia menor 10 que Ie
confiere al circu ito resonante paralelo un factor de calidad Q muy elevado
y de otra parte esta toma intermedia nos permite adaptar impedancias y
acoplar mejor la sefial tanto ala carga como a la entrada del amplificador
con 10 que en estos tipos de osciladores basta con una reducida ganancia por
parte del alnplificador ya que el circuito tanque a la frecuencia de oscilacion
crea sobretensiones elevadas.
EI condensador Cvar nos permite variar la frecuencia de oscilacion

dentro de unos detenninados margenes, el margen 10 podremos ajustar en
origen con Cajust.
Las resistencias R2 , R3 Y R4 son las de polarizacion de base, colector

y emisor respectivamente, este ultimo se encuentra desacoplado por Cd, el
condensador Ca acopla la sefial de salida a la entrada y afsla la tension de
polarizacion de base con la tension de masa presente en el secundario del
transformador.
Esta tipo de oscilador es muy utilizado en receptores de radio. y

television, en los que se hace necesario variar la frecuencia entre unos
margenes determinados y a una frecuencia relativalnente alta.
389
ELECTRONICA ANALOmCA DlSCRET A
7.6 OSCILADORES A CRISTAL DE CUARZO
7.6.1 CARACTERISTICAS DEL CRISTAL DE CUARZO
Ciertos cristales COlno eI titanio de bario, tartrato sodico pomsico,

turmalina y el cuarzo presentan la propiedad de generar una tension
electrica cuando se someten a una fuerza de compresion, traccion 0
dobladura. Este fenomeno denominado piezoelectricidad tiene varias
aplicaciones como la generacion de chispas para el encendido de aparatos
a gas, en transductores de sonido y presion 0 la que nos ocupa, el disefio
circuitos osciladores de gran estabilidad.
En la figura 7.31 se observa un cristal de cuarzo de grosor Xo

sometido a una fuerza F que 10 deforma una distancia x(t).
2
dx dx 1
F m- r - - x
-----r·
.~j
. 1f. 11.-..liX~t)
..llIHHH+H+HHHQ(t] t
Figura 7.31 Equilibrio de fuerzas en el cristal de cuarzo.
En sus caras aparece una carga a proporcional a la deformacion por

unidad de longitude As} tenemos:
K
Q=-x(t) (7.40)
xo
390
Como se ve en la figura la fuerza F queda equil ibrada por tres fuerzas

de reacci6n de sentido contrario a la fuerza aplicada que son:
. Fuerza de inercia igual a la masa del cristal por la aceleraci6n:
(7.41)
·Fuerza elastica proporcional a la deformaci6n x(t):

1
F.,=-x(t) (7.42)
- Cm
donde ClTI es la capacidad mecanica (inversa de la constante de Hooke) .
.Fuerza viscosa proporcional a la velocidad:
(7.43)
donde r es el coeficiente de rozamiento viscoso.
Con esto tenemos que la ecuaci6n que rige el equilibrio dinamico del
cristal es:
2
F(t) = md -x(t)
- + rdx
- + -1x (t) (7.44)
de dt Cm
Teniendo en cuenta (7.40) podemos calcular la corriente i(t) a traves

del cristal como la variaci6n de la carga acumulada como consecuencia de
la deformaci6n:
i(t) = dQ(t) = K dx(t) (7.45)

dt Xo dt
391
ELECTRONIC A AN ALOGICA DISCRETA
Con esta ultima relaci6n podemos reescribir la ecuaci6n 7.44 de la

siguiente forma:
K F(t) =m di +ri(t)+_l_
Xo dt Cm
Ji(t)dt (7.46)
A partir de esta ecuaClon que relaciona la tensi6n y la corriente

electrica en el dispositivo con sus parametros mecanicos podremos plantear
el modelo electrico equivalente del cristal.
7.6.2 MODELO ELECTRICO DEL CRISTAL DE CUARZO
Si partimos de un circuito resonante serie RLC como el de la figura

7.32 y obtenemos su ecuaci6n:
dt C
J
U(t) = L di{t) + Ri(t) + ~ i(t)dt (7.47)
Si comparamos la ecuaci6n resultante

con la del cristaI de cuarzo en (7.46) vemos ~c
~
que son identicas salvo constantes. Podenlos
entonces establecer una analogia electro- Figura 7.32 Circuito resonante
serie RLC
mecanica en la cuaI la Inasa del cristal es
proporcional a una inductancia L equivalen-
te, el coeficiente de rozamiento viscoso a una resistencia R y la capacidad
mecanica a una capacidad electrica. La tensi6n que aparece en bornes del
cristal sera talnbien proporcional a la fuerza aplicada en sus caras.
Esta relaci6n bjdireccional que existe en los cristales piezoelectricos

hace que las vibraciones mecanicas produzcan vibraciones electricas y
viceversa y es esta la caracteristica que aprovechamos en los circuitos
osciladores de cristal de cuarzo.
392
El modelo de un cristal corresponde a un circuito RLC resonante serie

al que hay que anadir una capacidad electrica (Co) existente entre los dos
terminales. Hay que resaltar que esta capacidad electrica es ffsicamente real
y medible en estado de reposo mientras que el circuito RLC proviene de
una analogfa entre los fen6menos mecanicos y electricos que se producen
en el cristal. EI modelo correspondiente queda tal y como se observa en la
figura 7.33.
1
R
L <=>
c T
Figura 7.33 Modelo equivalente y simbolo del cristal de cuarzo.
La resistencia R toma valores pequefios, del orden de ohmios y por

eso la impedancia que ofrece el cristal es practicamente reactiva pura.
Calcularemos la impedancia del cristal despreciando la resistencia R.

En estas condiciones nos queda la rama serie L-C en paralelo con Co.
-1- [0JW L + -1- ]

o jwC o jwC (7.48)
Z(Jw) =- - - - - - -
1 L 1
--+Jw + - -
0
jwC o jwC
Operando convenientemente y poniendo la expresi6n en funci6n de la

frecuencia (f) nos queda:
393
f2LC 1
Z(jf) ==jX(f) ==j 41r[2 - C.C]
(7.49)
2 1r f (C + C) 1 - 4 1r2 f2 L 0
o C+C o
A partir de la expresi6n de la impedancia equivalente del cristaI de

cuarzo podemos identificar la frecuencia para la cual la reactancia se anula
(cero en el numerador) y que se denomina frecuencia de resonancia 0
frecuencia de resonancia serle (fs) y cuyo valor sera:
f == 1 (7.50)
s 21r{LC
Por otro lado tenemos la frecuencia para la cual la reactancia del

cristal se hace infinita (nulo en el denominador) que se denominafrecuencia
de antiresonancia 0 frecuencia de resonancia paraieio (fp) y su valor es:
f == 1
p
21t ~Co
L
(7.51)
C+Co
La forma de la curva correspondiente a X(f) esta dibujada en la

Figura 7.34. En ella podemos observar la frecuencia f" (corte con la abcisa)
y la frecuencia fp (punto singular de la curva).
La relacion entre aInbas frecuencias es:
f p =fs ~ 1 + CC (7.52)
o
y como en los cristales se cumple que Co~ C las frecuencias de resonancia

serie y paralelo estaran muy pr6ximas entre sf.
394
TEMA 7. - OSCILADORES SENOIDALES
X(f)
o~-------=~~--~---=============~
Figura 7.34 Curva del valor de la reactancia del cristal en funcion de la frecuencia.
En la figura podemos observar que a frecuencias cercanas a fs

predomina el efecto del circuito resonante L-C y para valores altos de
frecuencia predomina la capacidad Co. En las frecuencias comprendidas
entre fs Y fp la impedancia del cristal tiene caracter inductivo mientras que
fuera de este estrecho margen tiene caracter capacitivo.
EI factor de calidad Q del cristal se calcula como:
27rf L
Q= s (7.53)
R
y al tomar la resistencia R valores pequefios y la inductancia val ores

grandes tenemos que el factor de calidad de los cristales de cuarzo es muy
elevado (104 + 105 ), 10 que hace que los circuitos osciladores con cristal de
cuarzo tengan una estabil idad muy superior a los disefiados con redes LC.
395
ELECTRONICA ANALOOICA DISC RET A
Ejemplo.-
Calcular fs' fp Y Q con los siguientes valores para el modelo de un
cristal de cuarzo.
L=100mH ; C=0,015pF ; R=500 ; Co =5pF.
f= 1 =4.109MHz (7.54)
s 27rV 100.10-3.15.10-15
f = 1 =4,115MHz (7.55)
p
3
2 7rV 100'10- '14,9'10- 15
3
Q = 27r4, 1'10 100.10- ~ 51500
6
(7.56)
Podemos distinguir dos mod os de funcionamiento del cristal de

cuarzo, modo serie y modo paralelo. Segun el modo utilizado tendremos
osciladores en modo serie cuya frecuencia de oscilaci6n corresponde con
la de resonancia del cristal (fs) y osciladores en modo paralelo cuya
frecuencia de oscilaci6n se situa entre fs Y fp •
7.6.3 OSCILADORES EN MODO SERlE
En el modo de funcionamiento serie, el cristal de cuarzo presenta una

baja impedancia y se puede aproximar a un cortocircuito. La forma de
disefiar un circuito oscilador con cristal en modo serie es partir de un
circuito oscilador sintonizado (L-C) preparado para oscilar a la frecuencia
de resonancia del cristal. EI cristal se situara entre dos puntos que debenin
estar necesariamente cortocircuitados para que el oscilador funcione.
Un ejemplo de oscilador con cristal de cuarzo funcionando en modo

serie 10 tenemos en la Figura 7.35. Corresponde a un oscilador de Colpitts
396
en base comtin al que se ha conectado el emisor al circuito de sintonfa a

traves de un cristal de cuarzo. La frecuencia de oscilaci6n del circuito
formado por C 1, C 2 Y L3 debeni coincidir con la fs del cristal.
Figura 7.35 Oscilador de cristal en modo serie.
Aparentemente no se consigue ninguna ventaja con respecto al

oscilador de Colpitts convencional pero se puede demostrar que debido al
alto factor de calidad que ofrece el cristal de cuarzo, la estabilidad en
frecuencia aumenta considerablemente.
7.6.4 OSCILADORES EN MODO PARALELO
En este modo de funcionamiento la impedancia del cristal se situa en

la pequefia franja que hay entre fs y fp, donde corresponde a una inductan-
cia. Asf para disefiar un oscilador de cuarzo en modo paralelo se parte de
un oscilador L-C convencional y sustituimos la bobina por el cristal. COlno
en la franja estrecha el cristal toma todos los val ores de inductancia, la
frecuencia de oscilaci6n del circuito se estabilizani en una frecuencia entre
397
ELECTRONICA ANALOOIC A DISC RET A
fs y fp • La ventaja que obtenemos es que el cristal aUlnenta considerablemen-

te el factor de calldad del circuito resultante.
En la Figura 7.36 tenemos una representaci6n esquematica (prescin-

diendo de la polarizaci6n) de un circuito oscilador de Colpitts en el que
hemos sustituido la bobina por un cristal de cuarzo.
Figura 7.36 Esquema de un oscilador de Colpitts con cristal.
En la Figura 7.37 disponelnos de un ejemplo real de circuito oscilador

con cristal en modo paralelo. Corresponde a un oscilador de Colpitts en
emisor comtin. A este circuito se Ie denomina tambien oscilador de Pierce.
Figura 7.37 Oscilador de Pierce.
398
BIBLIOGRAFIA
(1) Millman 1. Microelectr6nica. Ed. Hispano Europea. 1981
(2) Munoz Merino E. Circuitos electr6nicos. Vol 2. Departamento de

Publicaciones E.T.S.I.T. Madrid
399
ANEXO 1
TAB LAS DE CARACTERisTICAS DE TRANSISTORES
Tabla 1. . NPN de pequefia sefial.
Tabla 2. PNP de pequefia sefial.
Tabla 3. NPN de potencia y baja tension.
Tabla 4. PNP de potencia y baja tension.
Tabla 5. Darlington de pequefia sefial.
Tabla 6. BJT de capsula aislada.
Tabla 7. lFET.
Tabla 8. MOSFET de pequena sefial.
Tabla 9. MOSFET de capsula aislada.
401
----.---~-
-- -----
TABLA I. NPN PEQUEN A SE]\ AL.
Modelo Capsula Iemax Pmax.25 4 C VCEOmax VCBOmax ~. min-max Ie VCE f"tip-MHz Complem. Aplicaci6n
BCI08 TOl8 100mA 300mW 20V 30V 110-800 2mA 5V 300 BC178 general
BCI09 lOl8 lOOmA 300mW .WV 30V 200-800 2mA 5V 300 BCI79 bajo ruido audio
BCI831 T092 100mA 350mW 30V 45~! 120-800 2mA 5V 150min BC213L general
BC1841. T092 100mA 350mW 311V 45V 250-800 2mA 5V 150min BC'2J41 bajo ruido audio
8C548 T092 100m A 625mW 30V 30V 110-800 2mA 5V 300 B(,558 amplificaci6n
BC549 T091 100mA 625mW 30V 30V 110-800 2mA 5V 2S0 Be559 bajo ruido audio
8C107 TOI~ 100m A 300mW 4SV 50V 110-450 2mA 5V 300 13("177 driver audio
BC137B T092 100m A 350mW 45V 180-460 2mA 2V 100min BC307B amplificaci6n ,rr.w
8C547 T092 100m A 625mW 45V 50V 110-800 2mA SV 300 Be557 amphficaci6n
:J,.,
BC"l821. T092 100mA 350mW 50Y 60V 120-500 lOlA 5V 1501111n BC1l2L general
0,
z
BC546 T092 100mA 62SmW 65V 80V 125-500 2rnA 5V 300 B(,556 amplificacion G
BF259 T039 100m A 5W 300V 300V 25min 30m A lOY 90 amp video alt.'l V >
):-
+:0- 2N2369A T018 200mA 360mW ISV 40V 20min 100mA IV 50Umin amp HF-conmut. Z
oN 2N3903 T091 200mA 350mW 40V 60V 50-ISO IOmA IV 150m In general
>
2N3904 T092 200mA 3S0mW 40V 60V 100-300 lOrnA IV 300min lN3906 corunutaci6n S'
o
::::::
:;
2N370S T092 SOOmA 360mW 30V SOV SO-ISO SOmA 2V 100 2N3703 general
i:i
BC337 T092 500mA 625mW 45V 50V 100-600 100mA IV 100 Bel37 driver audio
.~
2NI711 T039 500mA 800mW 50V 75V 100-300 IS001A IOV 300 general ?O
w
2N4400
2N4401
T092
T092
600mA
60001A
350mW
3S0mW
40V
-WV
60V
60V
50-150
100-300
IS0mA
[SOmA
2V
2V
200max
250max
lN4402
2N4003
general
general
:;
2N30S3 T039 700mA SW 40V 60V 50-250 ISOmA IOV 100 general
2N3704 T092 800mA 360mW .30V SOV 100-300 SOmA 2V 100min 2N3702 general
2N2122A TOl3 ~OOmA SOOmW 40V 7SV 100-300 150mA IOV 300 general conmut.
BFY52 T039 IA 800m.'\ 20V 40V 60min ISOmA IOV SOmin general
BCl42 T039. lA 800mA 60V 80V 20-60 200mA 2V 80 BCl43 driver audio
8C441 1039 2A IW 60V 70V -W-250 500mA 4V SOmin BC46 I general I
TIPP31 T092 2A 800mW 40V -lOY 20min IA 4V TlPP32 conmut. potencia

ZTX6S1 E-Line 2A lW 60V 80Y 100-300 500mA 2V 17S ZTX7S1 gen. alt.1 corr.
SM2283 T092 8A lW 2SV 7SV 100-500 3A IV 100 general potencia
8UY82 r039 LOA 30W 60V ISOV 40min 1 SA 5V 60 conmut. potencia
TABLA 2. PNP PEQUENA SENAL.
Modelo Capsula Icmiix Pnulx.25°C VCEomiix VCBOmax hr. min-max Ie· VCE t;.tip-MHl Complem Aplicaci6n
BCI78 T018 IOOmA 300mW 2SV 30V 12S-S00 2mA SV 200 Be 108 general
BC179 T018 100mA 300mW 20V 2SV 240-S00 2mA SV 200 BCI09 hajo lUido audio
BC213L T092 100mA 3S0mW 30V 4SV 80-400 2mA SV 3S0 BCI83L general
BC214L T092 100mA 350mW 30V 45V 140-600 2mA 5V 320 B('184L bajo IUldo audio
BC558 T092 100mA 625mW 30V 30V 110-800 2mA 5V 360 BCS48 amplificaci6n
BC559 T092 lOOmA 625mW 30V 30V 120-800 2mA 5V 2S0 BC54Y bajo lUido audio
BCI77 T018 100mA 300mW 45V SOV 12S-5OO 2mA 5V 200 BC107 driver audio
BC307B T092 100mA 3S0mW 45V SO 180-460 2mA SV 280 BC237B amplificaci6n
BCSS7 T092 lOOm A 62SmW 4SV SOV 110-800 2mA SV 320 BC547 amplificacion
BC212L T092 100mA 350mW SOV 60V 60min 2mA SV 280 BC182L general
BCSS6 T092 100mA 625mW 65V 80V 125-500 2mA 5V 280 B(,S46 amplificaci6n
BC478 T018 150mA 360mW 40V 40V 11O-4S0 2mA 5V 160 general »
+:>. BC479 T018 150mA 360mW 40V 40V 200min 2mA 5V 160 bajo lUido audio ~
o BC477 T018 150mA 360mW 80V 90V 1 LO-250 2mA 5V 160 driver audio X
VJ o
2N3702 T092 200mA 360mW 2SV 40V 60-300 SOmA SV 100min 2N3704 general :z:
2N3906 T092 200mA 3S0mW 40V 40V 100-300 lOrnA IV 250min 2N3904 conmutacion
BCY70 TOl8 200mA 3S0mW 40V SOV SOmin lOrnA lOY 2S0 general
BCY71 TOl8 200mA 350mW 4SV 45V 100-600 lOrnA IV 200 gml. bajo lUido
2N3703 T092 200mA 300mW 30V 50V 30-ISO SOmA 5V lOOmin 2N370S general
BC237 T092 SOOmA 625mW 45V SOV 100-600 loomA IV 100 Be337 driver audio
2N4402 T092 600mA 350mW 40V 40V 50-130 150mA 2V 150min 2N4400 general
2N4403 T092 600mA 350mW 40V 40V 100-300 ISOmA 2V 200min 2N4401 general
BFX88 T039 600111A 600mW 40V 40V 40min lOrnA lOY 100 general
2N2907A TOl8 600mA 400mA 60V 60V 100-300 150mA lOY 200min gral.conm. veloc.
2N540I T092 600mA 625mA I50V I60V 60-240 lOrnA 5V 100min amplificacion
.BC143 T039 1A 800mW 60V 60V 20-40 300mA LV BCI42 driver audio
2N5416 T039 LA IW 300V 3S0V 30-120 SOmA lOY 15min alta tension
TIPP32 T092 2A 800mW 40V 40V 20m in lA 4V TIPP3! conm. potencia
BC461 T039 2A lW 60V 70V 40-250 500mA 2V 50 BC44! general
ZTX753 E-line 2A IW 100 V I20V 100-300 SOOmA 2V 140 ZTX653 g ral. alt.-I. corriente
--- --- --- ----.-
T ABL\ 3. NPN POTENCIA. BAJA TENSION

I
Modelo Capsu. Iemax Pmax.25°C VcEoffiiix VCBOmax hr. min-max Ie VCE t;.tip-MHz Compi. Aplicaci6n
MJE340 T0126 0,5A 20W 300V 30-240 SOmA lOV - MJE350 general alta V
TIP47 T0220 IA 40W 250V 350V 30-150 300mA IOV lOmin - alta tension
BD135 T0126 1,5A 8W 45V 45V 40-250 150mA 2V 250 BD136 driver audio
BD131 T0126· 3A 15W 45V 70V 20min 2A IV 60 BDI32 audio apareado
TIP31A TO 220 3A 40W 60V lOOV 10-50 3A 4V 3min TIP32A gral.conm.pot.
BD-l37 T0126 4A 36W 45V 45V 40min 2A IV 7min B))438 amp. pot. audio
BD539A T0220 5A 45W 60V 12min 3A 4V B0540A lineal y conm.
m
2N6542 T03 SA 100W 300V 12-60 1,5A lV 6min conm.alta veloc. e-
tTl
BUP41 T0126 6A lOW SOV 60V 100-500 IA 2V 120 - conm.muy nip ida S
TIP41 A T0210 6A 65W 60V 100 V 15-75 3A 4V 3min TIP42A gral.conm.pot. ::d
O·
z
BU407 T0220 7A 60W 150V 330V 4A IOmin def.horiz.alta V i=S
20W l5V 40V COIID1.r.lta velo.
:>
SM3180 TOl26 8A 150min 4A IV 150min
.J:::.. lN6544 T03 8A 125W 30QV 12-60 4A 3V 6min conm.alta velo. ~
o TIP33 A SOT93 lOA 80W 60V IOU V 20-100 SA 4V 3min TIP34A amp. pot. audio
:>
.J:::..
lN6099 T0220 lOA 75W 60V 70V 20min 5A general
5.
.:::;
r:;
;>
2N30S5E T03 15A 115W 60V 100 V 20-70 IA 4V MJ2955 amp. epitax. pot.
o
2N3055H T03 15A 115W 60V 100V 20-70 lOA 4V 0,8min PNP3055 amp.homota. pot. ~
~
TIP3055 SOT93 15A 90W 70V lOOV 20-70 SA 4V TIP2955 amp. alta pot.
BD743A T0220 15A 90W 60V 70V 20-150 15A 4V 5min BD744A amp.pot.lconm.
G;
-j
2N6546 T03 15A 175W 300 V 12-60 15A 2V 6min c0lU11.alta \'elo :>
BUP30 T0220 20A 35W 30V 60V 70-300 SOA 2V 120 conm.muy nip ida
lN3772 T03 lOA 150W 60V IOOV '15-60 SOA 4V 0,2min conm.alta pot.
MJ15003 T03 20A 2S0W 140V I-lOV 25-150 50A 2V 2min MJ15004 lineal alta pot.
SM3159 T03 20A 200A 200V 400V 10-30 80A lOY 10 SM3160 audio alta pot.
2N3771 T03 30A 150A 40V 50V 15-60 100A 4\' 0.2min conm. alta pOl.
BUV20 T03 SOA 2S0W 12SV 160V IOmin 300mA 4V 8 conm. inductiva
BUP53 T03 60A 300W 2S0V lOmin SOmA 4V conm. nipida
BUSSO T03 70A 350W USV 15min lA 4V conm. inductiva
BUP49 T03 90A 300W 80V 15min 500mA 4V conm. rapida
BUN8 T03 100 A 300W 60V IOmin 500mA 4V conm. rapida
----- ---------.-----.. ---- .- -------------
i
T ARLA 4. PNP POTENCIA. BAJA TENSIOl\
Modelo capsu. lcmax Pm<ix.25°C VcEonuix Vcsoffi llx hr. min-max Ie VCE ~,tip-MHz Compl. ApIicacion
~[JE350 T0126 0,5A 20W 300V 30-240 SOmA lOY MJE340 general alta V
B0136 TOl26 1,5A 8W 45V 45V 40-250 150mA 2V 75 B0135 drher audio
BOl32 T0126 3A 15W 45V 45V 20min 2A IV 60 B0131 audio apareado
TIP32A T0220 3A 40W 60V lOOV 10-50 3A 4V 301in TIP31A gral comn.pot.
TIP32C T0220 3A 40W 100\1 14UV 10-50 3A 4V 3min TIP31C gral.conm.pot.
B0438 TOl26 4A 36W 45V 45V 4001 In 2A IV 7min BD437 amp. pot. audio
B0540A T0220 SA 45W 60V 60V 12min 3A 4V BD539A lineal! conm.
~ BD540B T0220 SA 45W 80Y 80V 12min 3A 4V BD539B lineal I conm. ~
oU'1 B0540C T0220 5A 45\V 100 V Way 1201in 3A 4V B0539(.' lineal / conm,
en
~
TIP42 A T0220 6A 65W 60V 100 V 15-75 3A 4V 3min TIP41A gral.con01.pol. ~
TIP42C T0220 6A 65W 100V 140V 15-75 3A 4V 3min TlP41C gral.conm.pot.

TIP34 A SOT93 lOA BOW 60V tOOV 20-100 3A 4V 3min TlP33A amp. pot. audio
MJ2955 T03 15A 150W 60V 100 V 20-70 4A 4V 2.5min 2N3055E amp. alta pot.
PNP3055 T03 15A 150W 60V lOOV 20-70 4A 4V 4min 2N3055H conm.alta pot.
TIP2955 SOT93 15A 90W 70V 100 V 20-70 4A 4V ~ TIP3055 amp. alta pot.
B0744A TO 220 15A 90W 60V 70V 20-150 SA 4V 5min BD743A amp. pot I conm.
B0744B T0220 15A 90W 80V 90V 20-150 SA 4V 5min B0743B amp.pol I conm.
BD744C T0220 15A 90W lOOV IIOV 20-150 SA :lV 5min BD743C amp. pOI / conm.
MJ15004 T03 20A 250W 140V J40V 20-150 'SA 2V 2min MJ 15003 lineal alI<I pot.
SM3160 T03 20A 200W 200V 200V lO-30 ' 15/\ lUV lO SM3159 audio alt.1 pot.
TABLA 5. DARLINGTON PEQUENA SENAL.
Modelo Tipo Caps. I.,.:max Pmax.25°C Ycromax YCBOmax hr. min-max t Vee ~ltip-MHz Compl. ApIicacion
MPSAI NPN T092 500mA 625mW 30V 30V 5000min IOmA SV 125 - conmutacion
BCX38 NPN E-Ii 800m A lW 60V 80V 2000min 100mA SV - pot. media
BCX38 NPN E-Ji 8()OmA lW 60V 80V SOOOmin lOOmA 5V pot. media
ZTX60 NPN E-Ji lA lW 120V l40V 2000min SOmA 5V 150min ZTX705 pot. media
ZTX60 NPN E-li IA 2,5W 140V 160V 10k-lOOk 500mA JOV 250 pot. media
TIPPI NPN T092 2A 800mW 60V 60V lOOOmin IA 4V TIPPII potencia w
TIPPl NPN T092 2A 800mW 80V 80 IOOOmin lA 4V TIPPII potencia ~
I'"J
TIpPl NPN T092 2A 800mW 100 V 100V lOOOmin lA 4V TIPPII pOlencia ...J
~
O·
..
ZTX70 PNP E-li IA lW 100 V 120\' 3000min 150mA lOY 160 ZTX50S pot. media Z
~
TIPPI PNP T092 2A 800mW 60V 50V 1000min lA 4V TIPPII potencia :>
TIPP) PNP T092 2A 800mW SOV 80V lOOOmin 1A 4V TIPPII pOlencia
~
o
0-.
TIPPt PNP T092 2A 800mW lOOV 100 V 1000min IA 4V TIPPII potencia :::
b
~
:>
:r.
~
~
m
TABLA 6. BIPOLAR DE CApSULA AISLADA. ;:
t>.lodelo Tipo Caps. Icmax Pmax.25"C Vcwmii.\ VCBOmax hi. min-max Ie VCE ApJicacion
I:WV46FI NPN IS0220 SA 30mW 400V corun.alta \'

BU508AFI NPN IS0218 8A 60W 700V 20min lOA 3V def.hor.alta V
BUV48AFr NPN IS0218 l5A 65W 450V corun.alta V
ESM4045BV NPN ISOTOI' 42A ISOW 450V 220tip 35A SV darl.m6d.pot.
BUnOV NPN ISOTOI' 100 A 2S9W 125V 2,7tip 100A 5V modulo pot.
I
BDW94CFI PNP IS0220 12A 30W 100 V 100Y 7S0-20k SA 3V darling pot
TABLA 7. JFET.
Modelo Tipo Caps. lomax Pmax.25°C Vpmax Yo"max VD:.smax IDssmin IGss max gmmin Cc;smax Aplicaci6n
2N5486 N T092 30mA 310mW -6V 25V - 8mA InA 4mS 5pF amp. VHF/UHF
BF244A N T092 100m A 360mW - 30V 30V 2mA 5nA 3mS 3pF amp. VHFIUHF
BF245A N T09~ IOOmA 360mW 30Y 30V 2mA 5nA 3mS 3pF amp. YHF/UHF
2N4416 N T072 300mW -6V 3UY 30Y 5mA lOOpA 4mS 4pF amp. VHF/UHF
.j:::..
2N4220 N T072 1SmA 300mW -4Y 30V 30V O,5mA lOOpA lmS 6pF bajo ruido
~
o tTl
><
.....J 2N3819 N T092 200mW -8V 25Y 25V 2mA 2nA 2mS 8pF gral. amp. C
:;r;
2N4092 N T018 15mA ),8W -7Y 40Y 40V 15mA - - 16pF conmutaci6n
2N4392 N T018 ],8W -5V 40Y 40V 25mA lOOpA l4pF conmutacion
2N4393 N T018 1,8W -3V 40V 40Y 5mA 100pA - 14pF cOl1Inutaci6n
2N4858 N TOl8 J,8W -4V 40V 40\' 8mA 250pA - 18pF conmutaci6n
lN4858 N T018 360mW -4V 40V 40V 8mA 250pA tOpF conmutaci6n
2N4861 N T018 360mW -4\' 40V 30\' 8mA 250pA - 18pF conmutaci6n
2N5461 p T092 310mW 7,5V -40V -lmA 500nA 1,5mS 7pF amp.baj0 ruido
2N3820 p T092 200mW 8\' -20Y -20\' -O,3mA 20nA O,8mS 32pF gral amp
TABLA 8. MOSJFET. PEQUENA SENAL
Modelo Tipo Capsula lomax Pmax.25°C Vpffiax VDSmax IDssmin lcssmax gmmin rosmax(r!)
8F981 N SOT 103 20mA 225mW'" - 20V 4mAmin ±50nA lOmS

MFE201 N T072 SOmA 360mW 20V 6mAmin ±lOnA 8mS
ZVNLl20A N E-Iine 180mA 700mW 1,5V 200V IO/-tA ±IOOnA 200mS 10
2N7000 N T092 lOOmA 400mW 3V 60V lilA ±lOnA lOOmS 5
ZN7000 N E-line 200mA 400mW 3V 60V lilA ±lOnA lOOmS 5
8SI07 N T092 250mA 600mW 3V 200 V 30nA ± IOru\ lOOmS 15

ZV~3306A N E·lint: nOmA 625mW 2,4V 60V 500nA ±20nA 150mS 5
m
VNlOK!\! N T0237 310mA lW l,5V 60V WIlA ±lOOnA lOOmS 5 r-
m
VNIOLM N T0237 320mA IW 2,5V 60V IO/-tA ± IOO ILA lOOmS 5 ~
.:..j
8SS125 N T092 400111 A lW 2,5V 600 V loo/-tA l00nA 60mS 45
'"0,
ZVN2106A N E-line 450mA 700mW 2,4V 60V 100nA ±lOru\ 400mS .2 ~
:;
8SS297 N T092 480mA lW 2V 200V IpA loonA 500mS 3,3
.j::::..
>
BSI70 N T092 500mA 830mW 3V 60V O,5nA ±lOru\ 200mStip 5 Z
o ZVN4206A N E-Iine 600mA 700mW 3V 60V 10ilA ± 100nA 300mS I ~
00 0,
~
IRFDI13 N DIL 800mA 1,2W 4V 60V 250llA ±500nA 560mS 0,8 ~
:;
8SS296 N T092 800mA lW 2V 100V IpA 100nA 500mS I
\::'
IRFDlll N DIL IA 1,2W 4V 60V 250llA ±500nA 560mS 0,6
~
[RFDIIO N OIL IA 1,2W 4V IOOV 250/-tA ±500nA 560mS 0,6 :16
m
RFLlN20L N T0205 IA 8,33W 2V 200V Ipt\ ±IOOnA 800mS 3,65
;:
IRFDl23 N DIL 1.1.'\ IW 4V 60V 250llA ±500nA 630mS 0,4
8SS295 N T091 I.4A IW 2V 50V IpA IOOnA 500mS 0,3
IRFFllO N T0205 3,5A ISW 4V lOOV 2S0llA ± lOOnA IS 0,6
ZVP3306A P E-hne -160mA 625mW -3,5V -60V -500mA ±20nA 60mS 14

VP0610L P T092 -180mA 800mW -3.5V -60V -1/-t A ±lOnA 80mS 10
VP2410L P T092 -180mA 800mW -2,5V -l40V -lpA ±lOnA 12501S 10
ZVP2106A P E-Iine -28001A 700mW -3.5V -60V -500mA ±20nA 15001S 5
(") a 75'('
-- ----- ------- --
TABLA 9. MOSFET AISLADOS
Modclo Tipo Caps. IDmax Pmax.25°C VpIllax VDGmax IDssmax less max &"min rDSmax(f?)
IRF830FI N IS0220 3A 35W 4V 500 V lyA ±lOOnA 800mS 3,65

IRF840Fl N IS0220 4.5A 40W 4V SOOV 250J.(A ±SOOnA 800mS 0.4
IRF7-l0FI N IS0220 5,5A 40W 4V 500V IJ.(A 100nA 500mS 0,3
IRF530FI N [S0220 9A 35W 4V 100Y 250J.(A ±IOOnA IS 0.6
IRFP4S0FI N IS0218 9A 70W 4V 500\1
IRF540FI N IS0220 IS.<\ 40W 4V 100Y -500mA ±20nA 60mS 14

RUZIIFI N [S0220 20A 35W 4V 50Y -1}lA ±lOnA 80mS 10
STEl50NIO N ISOTOP 45A 450W 4V 500V -IJ.(A ±lOnA I 2501S 10
STEIOON20 N ISOTOP lWA 450W 4V 200 V -500}lA ±20nA 150mS 5
..f:::...
o ~x
1.0 oCI:
BIBLIOGRAFiA
(1) MOTOROLA. Small Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data. 1991.
(2) MOTOROLA. Bipolar Power Transistors Data. 1989.
(3) PHILIPS. Small Signal Transistors. Data Handbook. 1993,
(4) PHILIPS. Small Signal Field Effect Transistors. Data Handbook. 1994.
(5) PHILIPS. High- Volta/?e and Switching Power Transistors. Data Handbook. 1989.
(6) RS COMPONENTS. 1995.
ANEXO 2. CUESTIONES
TEMA 1. ANALISIS DE CIRCUITOS EN TIEMPO Y

FRECUENCIA
CUESTION 1.1 En la Figura 1.1 se representa gnificamente e] modulo de

la funcion de transferencia IF(jw) I de un determinado amplificador en fun-
cion de la pulsacion w. Obtener la expresion de F(jw).
'00 dB
I i
r
!I ! !I Iii
-- _._j
1-1+
80 dB -
111-
!€
~
GI
BOdB
~i-' '
.~-I-i-
.1 i i
"' LV"i I i I,! Ii ~'I
-I 40dB
r
I
(!J
f--j-rt i, ,'~ II
! iii I 1I I ~iri-
!:-!
20 dB : i~' i r
I
Ii !iJ i
I iI II 1 II II Iii Ii
OdB II II 100
I Ii J JJ \1
10,000
10 1.000
Pulsation c.>
Figura 1.1
CUESTION 1.2 Representar gnificamente el diagrama de Bode del modulo

de la siguiente funcion de trasferencia:
F(jw)=103 (l +jw/30)
(l +jw/300)(1 +jw/1000)2
CUESTION 1.3 Representar gnificamente el diagrama de Bode del modulo

de la siguiente funcion de trasferencia:
F(jw)- 126(1 +jw/20)

(1 +jw/160)(l +jwl1 000)3
411
ELECTRONIC' A ANALOGICA DlSCRET A
CUESTION 1.4 Determinar la funci6n de transferencia FUt) de un

alnplificador de audio sabiendo que IFUt) I es el que se muestra en la
Figura 1.4.
100 dB
SOdS
a:i GO dB
"C
i
·i 40 dB
lii
(!'
_. / -
/
I! ~-W-
ll--.J i I: ·I! I i i I
r---4-H- J
I i ~ i
20 dB
/ II HJl--I-t-l+t+H
OdB / I I i i II Iii
20 200 2.000 20.000
Frecuencla f
Figura 1.4
CUESTION 1.5 Dibujar la representacion de Bode del modulo de la

siguiente funcion de trasferencia:
F(jw) - . ~ +jw/30) .
(1 +Jw/300)(1 +Jw/7' 10- )(1 +Jw/7'1 0-4 )
3
CUESTION 1.6 Para una aplicacion determinada se necesita un amplifi-

cador que tenga una alnplificacion de tension de 40 dB, una frecuencia
superior de corte de 8 MHz y un ancho de banda de 6 MHz.
Determinar en forma de factores normalizados jw la funcion de

transferencia dei amplificador, para ella considerar la aproximacion de que
no influye la proximidad de pol os y ceros. Expresar el resultado de la fonna
mas silnplificada posible.
412
ANEXO 2.- ClJESTIONES
TEMA 2. POLARIZACION
CUESTION 2.1 En el analisis en continua de un BJT, se hace habitual-

mente la aproximacion de considerar la curva caracterfstica del diodo base-
emisor como una de las presentadas en la Figura 2.1. Indicar en cual de
ellas.
a) b) c) d)
Figura 2.1
CUESTION 2.2 En el circuito de polarizacion de 4 resistencias de un

transistor BJT:
a) EI Inargen dinamico es lnayor que en los circuitos sin RE •
b) La tension de base debe ser constante e independiente del transistor.
c) Se consigue mayor estabilidad disminuyendo RE •
d) No se compensan las variaciones de temperatura.
CUESTION 2.3 En el BJT el circuito de polarizacion con 4 resistencias

presenta frente al de polarizacion fija las siguientes ventajas:
a) Mayor numero de resistencias.
b) Mayor estabilidad frente a la temperatura.
c) Menor impedancia de entrada.
d) Menor lnargen dinamico.
CUESTION 2.4 En la polarizacion del BJT:

a) Se utilizan las tecnic~ de cOlnpensacion que estan basadas en la
introducci6n de realimentaciones negativas.
413
ELECTRONICA ANALO(JICA DISC RET A
b) La forma mas utilizada de compensacion de la polarizacion es mediante

la introduccion de una resistencia en el emisor.
c) La compensacion de VBE frente a variaciones de telnperatura se puede
realizar nlediante un transistor identico al compensado.
d) Todas las anteriores son ciertas.
CUESTION 2.5 En el circuito de la Figura 2.S en t=O se abre el inte-

rruptor genenindose una rampa en vo' Calcular:
a) Pendiente de la rampa en voltios/segundo
b) Tiempo en segundos que tarda el transistor en saturarse
+24V
+5V
9
10k v
o
10uF t-O
Figura 2.5 Figura 2.6
CUESTION 2.6 En el transistor de la Figura 2.6 se sabe que V BE =0,7 V,

VeE sar=0,2 V Y (3 =40. Hallar las condiciones de reposo del circuito si:
1) V=lS V. 2) V=30 V.
a) VOl = 1,1 V Vo2 = 0,2 V.
c) VOl = 0,2 V Vo2 = 0,2 V.
b) VOl = 1, 1 V V 02 = 2,2 V.
d) VOl = 2,2 V V o2 = 0,4 V.
414
ANEXO 2.- CUESTIONES
CUESTION 2.7 seSi

aUlnenta la temperatura en el
circuito de la Figura 2.7 la
tensi6n base emlsor del
transistor experilnenta una
disminuci6n de 0,1 V.
Justificar cual sera la varia-
ci6n que sufrira la corriente
de col ector Ie.
Datos: (3= 100 Figura 2.7
CUESTION 2.8 En el circuito de la Figura 2.8, calcular la tensi6n del

zener para que la corriente que se entrega a la baterfa para cargarla sea de
20 rnA. (VBE=0,6 V)
V
+16V cc -12V
250 55k
Vz C vo
3.3k
I Q1
ll,-2omA
9V
v
i
e----1
C
F -
Figura 2.8 Cargaclor cit' baterias. Figura 2.9
CUESTION 2.9 En el circuito de la Figura 2.9, determinar el valor de la

corriente I cQ .
Datos: VBE=0,7 V ~ (3=50
415
ELECTRONICA ANALOGICA DlSC'RETA
CUESTION 2.10 Calcular el factor

de estabil idad alcQ/ av HE en el circuito
de la Figura 2.10.
Datos: (3 = 100
CUESTION 2.11 Calcular la varia-

cion de la corriente de polarizacion
de colector dI cQ , de un transistor
BJT para una variacion: dVSE=0,05
V ~ d{3= 10; dJ cso = 10 p,A, si tiene
los siguientes facto res de estabilidad: Figura 2.10
SI= 1; Sv=2'10-5 A/V ~ S{1= 1.10-5 A.
CUESTION 2.12 Los factores de estabilidad:

a) Indican la bondad de un transistor bipolar.
b) Indican la bondad de un circuito de polarizacion.
c) Son constantes para un determinado transistor bipolar.
d) Son adimensionales.
CUESTION 2.13 En el JFET:

a) Un aumento de telnperatura Ileva asociado una disminucion de Vp del
orden de 2 mV/oC.
b) loss aumenta cuando la tenlperatura aumenta.
c) EI punto de deriva nula no se ve influenciado por variaciones de
temperatura.
d) V p e lnss solo se ven afectadas por la temperatura s i V os < O.
CUESTION 2.14 En los JFET de canal "n":

a) La region triodo actua como una resistencia ros cuyo valor se controla
mediante V DS '
b) La estriccion se alcanza cuando la tension de polarizacion inversa en el
extrelno del drenador es igual a la tension de estricc'i6n: V DO = -V p'
c) EI valor de BV ns aUlnenta con I Vos I
416
d) En el caso de que VGS > V p el canal estani completamente cerrado y por

tanto ID =O.
CUESTION 2.15 En un transistor JFET, si la temperatura aumenta

podemos asegurar que:
a) Tanto IVI' I COino ID~s aumentan.
b) IVp I aumenta, pero IDss disininuye.
c) Tanto IVp I como IDss disminuyen.
d) Ninguna de las respuestas anteriores es cierta.
CUESTION 2.16
a) Los FET de canal P no se deben polarizar en la region de saturacion
pues la salida aparecerfa distorsionada por pequefia que fuera la tension de
entrada.
b) En un FET de canal N la tension de la puerta debe ser positiva respecto
a] surtidor para que este polarizado correctamente.
c) Todos los alnplificadores construidos con FET se caracterizan porque
poseen un ilnpedancia de entrada muy alta debido a la polarizacion inversa
de la union de puerta.
d) Todas las afirmaciones anteriores son falsas.
CUESTION 2.17 En un transistor JFET se considera que IDss = lOrnA,

Vp=-5 V, VDs=4 V y VGs=-1 V. l,En que zona se encuentra polarizado?
a) En la region ohnlica.
b) En la frontera.
c) En la region de saturacion.
d) En la region de corte.
CUESTION 2.18 Calcular In Y V0 en el circuito de la Figura 2.18,

considerando como datos IDss = 4 InA, I Vp I = 2 Y.
a) 1)) = 25 nlA~ Yo = 3 Y.
b) II) = 1,6 mA~ Yo = 2 Y.
c) I D = L 0 InA: Yo = I V.
d) In = 0,6 InA: Vo = 0 V.
417
+15V
~2k
Vo
+10V 0- . --' ' - - ' \ /\/'y-- -

01
_10VJ;'V\k
( ,,----'
02
CUESTION 2.19 En el circuito de polarizaci6n del MOSFET de

acumulaci6n de caI1al N de la Figura 2.19, se sabe que K =0,25mA/V2 y
V-y==2,5V. Hal1ar el punto de trabajo Q(lo ' V DS ).
y 10V
O.5M
Figura 2.20 Figura 2.2]
CUESTION 2.20 EI punto de trabajo del transistor lFET de la Figura 2.20

esta en:
a) Zona de corte.
b) Region 6hmica 0 triodo.
418
ANEXO 2.- c{ TESTIONES
c) Region de saturacion 0 estriccion.

d) Ninguna de las anteriores.
Datos: I Dss = 10 InA, Yp =3 Y.
CUESTION 2.21 Si en el circuito de la Figura 2.21 en el instante t=O se

abre el interruptor y se desprecian las corrientes de base:
a) Ql y Q2 pennanecenin indefinidalnente en la zona activa.
b) Yc se increlnentanl a razon de 930 Y Is.
c) EI circuito no puede funcionar pues Q2 no esta bien polarizado.
d) Ninguna de las anteriores es correcta.
CUESTION 2.22 En el circuito de la Figura 2.22, calcular Rz para que la

corriente Ie2 = 3 /lA, considerando despreciables las corrientes de base y
los transistores QJ y Q2 apareados. Datos: Y BE1 = 0,7 Y.
Vco-+12V
CUESTION 2.23 En el circuito de la Figura 2.23, calcular el valor que

debe tener la resistencia R3 para que la tension en el colector de Q2 sea de
9 Y. Considerar despreciables las corrientes de base y que los transistores
son identicos.
Datos: Y BE1 = 0,6 Y ; YT = 25 mY.
419
ELE( TI~6Nf(, A AN AI '()G1CA DISCRET A
CUESTION 2.24 De la fuente de corriente de la Figura 2.24, ca1cular R 1

para que la corriente 10 sea de 50 p.A.
15V
11 I
JI'2
!
14.3K
10 l
03
Ie!
•
a1~
CUESTION 2.25 Hallar en el circuito la Figura 2.25, la relacion 12 /I I

cuando {3 ~ 1.
Vcc-+12V
CUESTION 2.26 En el circuito
de la Figura 2.26, _hallar la diferen-
cia de potencial V ,- V~.
Datos: QJ =Q]=Q3
VBc=0,6 V
{3= 100
Figura 2.26
420
TEMA 3. AMPLIFICADORES MONOETAPA
CUESTION 3.1 Las etapas en E.C.:

a) Se Halnan tambien seguidor de emisor.
b) Presentan la impedancia de entrada mas baja de las tres configuraciones.
c) Perm ite obtener una ganancia de potencia muy elevada.
d) Presentan eJ mejor comportamiento en alta frecuencia.
CUESTION 3.2 En el amplificador

monoetapa de la Figura 3.2 se cumple:
a) La pendiente de la recta dinalnica es
menor que la pendiente de la recta
estatica.
b) La ganancia a frecuencias altas es
muy pequefia debida al condensador C.
c) La resistencia de emisor estabiliza el
punto de trabajo, ya que introduce una
realilnentaci6n negativa en continua.
d) Ninguna de las anteriores es cierta.
Figura 3.2
CUESTION 3.3 En un amp Iificador
Inonoetapa realizado con un BJT en configuraci6n de base comun, se tiene
que:
·a) La in1pedancia de entrada es muy pequefia.
b) La impedancia de salida es menor que en un emisor comun.
c) La ganancia de tensi6n vale la unidad.
d) La ganancia de corriente es elevada.
CUESTION 304 En un an1plificador lTIOnoetapa realizado con un BJT en

configuraci6n de elnisor COl11lJI1, se tiene que:
a) La ilnpedancia de entrada es In·uy elevada.
b) La sefial de salida esta en fase con la de entrada.
c) La ganancia de tensi6n vale la unidad.
d) Ninguna de las anteriores respuestas es cierta.
421
CUESTION 3.5 En un an1plificador en configuraci6n de seguidor de

emisor:
a) La in1pedancia de sal ida es pequefia.
b) La ganancia de corriente es aproximadamente la unidad.
c) lnvierte la sefial aplicada.
d) Ninguna de las anteriores respuestas es val ida.
CUESTION 3.6 Si de un seguidor de emisor sale una onda cuadrada con

entrada senoidal, este hecho ilnplica :
a) Que no hay recorte.
b) Recorte en saturaci6n.
c) Recorte en el punto de corte.
d) Recorte en ambos puntos corte y saturaci6n.
CUESTION 3.7 En un amplificador de transconductancia interesa que:

a) La impedancia de entrada sea alta y la de sal ida baja.
b) La impedancia de entrada sea baja y la de sal ida alta.
c) Tanto la ilnpedancia de sal ida como la de entrada sean al tas.
d) La impedancia de salida y la de entrada sean pequenas.
CUESTION 3.8 Si las curvas caracteristicas (VCEJ C ) de un determinado

transistor son n1uy horizontales, podemos asegurar que para ese transistor:
a) hoc es despreciable.
b) hfc es constante independientetnente del punto de trabajo en continua.
c) hic es n1UY grande.
d) hrc es muy pequeno.
CUESTION 3.9 Los parametros hfbridos:

a) HOln6nimos son independientes en las tres configuraciones.
b) Se aplican a transistores que se cOlnportan como un elen1ento activo,
1ineal y no 1i neaL
c) No dependen del punto de polarizaci6n.
d) EI ho es del orden de p.A/V.
422
ANEXO 2 .- CUESTIONES
CUESTION 3.10 Si las curvas caracterfsticas (VcE,Jd de un determinado

transistor no son equidistantes, podemos asegurar que para ese transistor:
a) hoe es despreciable.
b) hre no es constante y depende del punto de trabajo en continua.
c) hie es muy grande.
d) hre es muy pequeno.
CUESTION 3.1.1 En un transistor BJT en la configuracion de E.C.

a) hoe es el panimetro que mas aumenta con la tenlperatura.
b) hoe y hre son los paniInetros 111as sensibles a los cambios de V CEo
c) hoe dislninuye cuando aUlnenta Je .
d) Todas las anteriores son falsas.
CUESTION 3.12 De las siguientes afirmaciones sobre los paralnetros

hfbridos de un transistor, scfialese la que sea falsa.
a) EI panilnetro hie es siempre mayor que el hih para el Inismo punto de
polarizacion.
b) El parametro hrc tiene un valor proxilno a la unidad.
c) El panlmetro hfb en valor absoluto es siempre menor que la unidad.
d) Cuanto mas planas son las curvas de la canlcterfstica ir-v rE Inayor es el
parametro hoC"
CUESTION 3.13 Los amplificadores ideales de:

a) Tension Ze = 0, Z~ = 00.
b) Corriente Zc = 00, Zs = O.
c) Tt"ansconductancia Ze = 00, Zs = 00 .
d) todas las respuestas anteriores son falsas.
CUESTION 3.14 Calcular la impedancia de entrada a frec~encias medias

del circuito de la Figura 3.14.
Datos: QI =Q2
hic =O,2 k
hfe =20
423
1k 50 c
CUESTION 3.15 Calcular la impedancia de salida del circuito de la Figura

3.15.
Datos: RE = 1 kD~ RR = 200 kD: hie = 1 kO~ hfc 100
CUESTION 3.16 Calcular la

+Vcc
impedancia de salida en el circuito
de la Figura 3.16.
Datos: VCEsat=0,2 V
hic = 1 kD
hfe = 100
Figura 3.16
424
ANEXO 2.- ('IIESTIONES
IAI ii
~--------.-----
i
. ----r------
!
i
II :
L ______ '~ ___ __ _____ __ _
1 kHz
Figura 3.17a Figura 3.] 7b
CUESTION 3.17 En la Figura 3.17a se aprecia parciaimente la representa-

cion de una zona del Bode del modulo de la ganancia de tension del
amplificador monoetapa (Figura 3.17b). Calcula el valor del condensador
de emisor. Datos: hk = 1 kO . h"c =50.
Va
Vi 1-1 OVa
Figura 3.18a
Va
Vi 1-1 OVa
Figura 3.1Sb
425
CUESTION 3.18 En el circuito de la Figura 3.18a aplicar el Teorenla de

Miller sobre el condensador C para obtener los val ores de C 1 Y C 2 del
circuito de la Figura 3. I8b.
CUESTION 3.19 Disponemos de un amplificador monoetapa fonnado por

un BJT con un circuito de polarizacion de cuatro resistencias al que se Ie
han incorporado los tfpicos condensadores de entrada y sal ida (C e Y C s) Y
e) condensador de emisor (C E) todos elIos del orden de los JlF.
a) Los condensadores en serie con la sefial afectanin en baja frecuencia Y
los que esten conectados en paralelo a las frecuencias altas.
b) Si pretendemos calcular por separado el polo que genera cada condensa-
dor, cuando consideremos el efecto de uno de el10s los otros se deben
suponer cortocircuitados.
c) La mision de C e Y C s es aislar la etapa en continua y C E es siempre el
que determina la frecuencia inferior de corte del amplificador.
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.
CUESTION 3.20 A un amplificador de tension con las siguientes caracte-

rfsticas: resistencia de entrada 10 kO, ganancia de tension 1000, resistencia
de sal ida 100 0, se Ie conecta a la entrada un generador de tension de salida
en vacfo lOsenwt (tnV) y resistencia interna de 5 kG y a la salida se conecta
una carga resistiva de 270 O.i, Cual sera la potencia eficaz disipada en la
carga debida a la senal que Ie Ilega?
CUESTION 3.21 De un amplificador de audio se sabe que tiene una

potencia de 50 W nominales, si la amplificacion de potencia es de 30 dB,
que potencia se requiere a la entrada para obtener dicha potencia en la
salida.
CUESTION 3.22 En el amplificador de la Figura 3.22, ca1cular R2 para

obtener maxima tension de salida sin distorsion sin despreciar las corrientes
de base.
Datos: V('Esnl = 0 V ~ VBE = 0,7 V ; {3 100
426
ANEXO 2.- CU ESTIONES
Figura 3.22 Amplificador monoetal)a. Figura 3.23
CUESTION 3.23 En el circuito de la Figura 3,23, es una sena] senoidal

Vi
de 100 mY de pico a pico y el BJT tiene los siguientes parametros: h re =50~

hie= 1.5 kn~ h re =0; hoe=0.
a) La ganancia del circuito es v)v i =-1,85.
b) Gracias a la resistencia RE el circuito es muy estable frente a variaciones
de temperatura.
c) La ganancia del circuito es nula.
d) V 0 es una senal senoidal de 170 mY de pico a pico.
CUESTION 3.24 En el
amplificador de Ja Figura
3,24, calcular a frecuencias
medias la maxima amplitud
posible de la corriente de
carga.
Datos: Ico = 6,9 rnA

{3 = 100
CUESTION 3.25 Calcular Figura 3.24

la ganancia a frecuencias
medias en el circuito alnplifi-
cador de la Figura 3.25. Datos: hic = 8 kn~ h fc 100; VU E = O,7V.
427
ELECTR()NIc:A ANALiKlICA DISCRETA
+Vcc=10V
10k
Vo
Vg
Figura 3.25
CUESTION 3.26 Se pretende disefiar el anlplificador de la Figura 3.26,

para que cuando la frecuencia de la selial de entrada sea de l20 Hz, la
ganancia de tension del amplificador sea 3 dB menor que la ganancia a
frecuencias medias. Calcular el valor del condensador.
Datos : hie = 1 kO, hfe = 100.
I I O+VCC
.-----,----0 +10V
J> <':: O,5k

~ 9k Vo
~4-
~ 1k
I
Ll
I
Figura 3.26 Amplificador. Figura 3.27
428
ANEXO 2 - ('IJESTIONES
CUESTION 3.27 Atacamos el ampJificador de la Figura 3.27 con una

sefial senoidal de amplitud pico-pico 0,8 voltios. Suponiendo que la fre-
cuencia de la senal entra dentro de la zona de frecuencias medias del alnpli-
ficador, calcular la amplitud pico-pico de la selial de salida.
Datos: hie = 9 kO : hfc = 100 ~ VCEsat = 0 : Ch '!.: = 200 pF

C"'c = 10 pF: ICQ= 0,27 mA: VCEQ = 7,84 V~ VUE = 0,7 V
Vc Q1 Va
CUESTION 3.28 Calcular la impe-
dancia equivalente del desplazador de
nivel de la Figura 3.28.
I D-~"
L R1
,~
R2
Datos: hfc = 100, hic = 2,2 kO

Rl = 3,3 kO, R2 = 4,7 kO Figura 3.27
CUESTION 3.29 En el ampli-

+Vcc=24V
ficador monoetapa de la Figura
3.29, hallar la maxima salida sin
distorsi6n si el punto de polari-
zacion es Q(1,371nA : 15 ,64V).
CUESTION 3.30 En un ampli-

ficador monoetapa real izado con
un JFET en configuracion en
puerta comun, se tiene que:
a) La impedancia de entrada es
lTIUY pequena. Figura .~ .29
b) La ganancia de corriente es
elevada.
c) La ganancia de tension vale !a unidad.
d) La impedancia de salida es menor que en un emisor comun.
CUESTION 3.31 En el circuito de la Figura 3.31, calcular la ganancia de

tension a frecuencias medias. Datos: gill =2,5 111mhos : rd =50 kO.
429
ELECTRON1CA AN/\LOGICA DiSCRET A
+VDD +Voo
RO
Vo
j~VO
vi
c Q
VI
~
11M
~2k7
~ 300
CUESTION 3.32 Calcular RJ) para que la ganancia de tension del circuito
de la Figura 3.32, sea de -4.
Datos: gm =5 lTIlnhos. rd = es muy alta.
CtJESTION 3.33 En el circuito de la Figura 3.33 se conocen los siguientes

paralnetros del transistor: Cgs=lO pF, Cgd =25 pF, gm=40 mA/V.
,
Calcular la frecuencia superior de corte fes.
~
~
+VDD-10V
10k
Vo
i
100
Vi
Figura 3.33
430
ANEXO 2.- CHESTIONES
CUESTION 3.34 Se pretende hacer el estudio en alta frecuencia del circui-

to de la Figura 3.34, para ello es conveniente aplicar la aproximaci6n de
Miller al condensador C gd • Calcula el valor del tennino K necesario para
hacer dicha transfonnaci6n.
Vo
4k
Vg
Figura 3.34
TEMA 4. AMPLIFICADORES MULTIETAPA
CUESTION 4.1 Indica cmll de los siguientes amplificadores es de acoplo

directo 0 de acoplo en alterna indicandolo con una D (directo) 0 con una A
(alterna): Amplificador cascodo, Amplificador diferenciaL Amplificador
Darl ington.
CUESTION 4.2 De los ampl ificadores multietapa podemos afinnar:

a) El ancho de banda es mayor que el de cualquier etapa aislada.
b) EI ancho de banda es siempre menor que el de cualquier etapa aislada.
c) El ancho de banda es 1igeramente menor que el de la etapa con menor
ancho de banda.
d) Todas las afirmaciones anteriores son falsas.
431
ELECTR{)NICA AN A LOG)CA DISCRET A
CUESTION 4.3 Se desea realizar un amplificador multietapa de transresis-

tencia utilizando componentes discretos y sin realimentacion. Indicar cual
de las configuraciones que componen dicho alnplificador no es adecuada
para ello:
a) Etapa de entrada en BC.
b) Etapa de entrada e intennedias en BC.
c) Etapa de entrada en BC e intermedias en EC.
d) Etapa de sal ida en CC.
CUESTION 4.4 Se desea disefiar un amplificador de tension con dos

etapas que va a ser atacado por un transductor con alta impedancia de
salida. ~Que configuraci6n sera la mas adecuada?
ENTRADA SALIDA
a) EC cc
b) CC EC
c) BC Ee
d) BC cc
CUESTION 4.5 Se quiere disenar un amplificador de corriente con etapas

B1T, siendo lnfnimo el numero de etapas intermedias. Se pretende alilnentar
una carga de poca impedancia. ~Que configuracion se debe utilizar para
etapa de entrada, sal ida e intermed ias?
ENTRADA INTERMEDIAS SALIDA
a) BC CC BC
b) CC Be BC
c) BC CC CC
d) CC EC Be
432
ANEXO 2. - CUESTIONES
CUESTION 4.6 Si conectamos tres etapas en eascada siendo la primera en

C.C. y las otra dos en E.C.:
a) Se puede obtener una elevada gananeia de eorriente.
b) EI aneho de banda sera tnayor que el de la etapa en C.C.
c) Si el acoplamiento entre etapas es RC podrelnos alnplifiear hasta sefiales
de continua.
d) La sefial de sal ida estara desfasada respeeto a la de entrada a freeuencias
medias.
CUESTION 4.7 Para conseguir que un alnplificador Inultietapa tenga una

baja ilnpedancia de sal ida la ultima etapa deb era ser:
a) En surtidor comun.
b) En coleetor eomun.
c) En puena eomun.
d) En base eomllll.
CUESTION 4.8 Calcular la ilnpedancia de entrada a frecuencias medias

del cireuito de la Figura 4.8.
Datos: h fe1 = hfe2 = 100
h iel = h ie2 = lk
433
ELECTRC>NIC'A ANAl.i>('HCA DlS(,RETA
CUESTION 4~9 Determinar la impedancia de entrada Ze del circuito de la

Figura 4.9.
CUESTION 4.10 Tenemos dos amplificadores con las siguientes caracte-

rfsticas:
Al.- Frecuencia superior de corte f<;c=20 kHz y frecuencia inferior de corte
(j=lOO Hz.
A2.- Frecuencia superior de corte (c=24 kHz y frecuencia inferior de corte
(.=200 Hz.
l,Cuales senln las frecuencias de corte del conjunto si los conectatnos en
cascada.
a) t~j= 165 Hz y fsc= 22 kHz +Vcc"'12V 0------,----,
b) (.= 320 Hz y f<;c= 18 kHz
lOOk
c) t~.= 80 Hz y fsc= 26 kHz Vo
d) (j= 285 Hz y f~c= 14 kHz
CUESTION 4.11 En el circuito

1k
de la Figura 4.11 la tension de
entrada Vi es una seilal cuadrada
10~F 2k
de 100 mV de pico a pico. En
~i
estas condiciones:
a) La ganancia del circuito vale
125.
b) La tension de salida es nula
pues el circuito no esta bien Figura 4.11
polarizado.
c) La corriente de polarizacion de emisor de Q2 es IE2= 10 rnA.
d) La tension de salida es una senal cuadrada de 5,3 V de pico a pico.
CUESTION 4.12 La configuracion Darl ington:

a) Tiene una ganancia de tension =:: BIB2 considerando leBO despreciable
frente alB'
434
ANEXO 2.- C'lJESTIONES
b) Es pnictica para tres 0 Inas traHsistores.

c) La corriente de fugas del primer transistor es alnpl ificada por el segundo.
d) Conectado como seguidor de elnisor tiene una inlpcdancia de entrada Zc
del Inismo orden que la que presentaria un solo transistor en C.C.
CUESTION 4.13 La configuracion Darlington:

a) Posee una baja impedancia de entrada.
b) Dado que la disipacion de potencia en saturacion es muy grande no se
utiliza en saturacion.
c) Puede usar 364 translstores sin mostrar ningun problema debido a leBo.
d) Ninguna de las respuestas anteriores es correcta.
CUESTION 4.14 La configura- v o ---,---- -----,l

cion Darlington de la Figura
cc <:
4.14
a) Puede considerarse como un
ampIificador en B.C. precedido I
I
I
de un seguidor de elnisor.
b) I ndependientelnente de fa red
de polarizacion y de la carga
Ai ~ -hfel· hfe2 •
c) En todos los casos la impe-
dancia de entrada es 2h ie , •
Figura 4.14
d) Todas las afirmaciones ante-
rieres son falsas.
c·
02
Figura 4.15
435
ELECTRGNICA ANALGOleA DiSCRET A
CUESTION 4.15 Hallar el modele equivalente simplificado de panimetros

hfbridos para pequena senal de la configuracion Darlington lTIostrada en la
Figura 4.15. Utilizar la siguiente notaci6n: QOarlington(h ic , h re ); Ql (h ici , h reI );
Q2 (h ie2 , hrcJ.
CUESTION 4.16 Un amplificador cascodo:

a) Es un amplificador acoplado en alterna.
b) Es un anlplificador utilizado para aplicaciones de baja frecuencia.
e) La frecuencia superior de corte es pequena debido a la impedancia de
entrada de la 2 a etapa.
d) Es un amplificador que permite obtener ganancias tfpicas de la configura-
cion de E.C. y respuestas en frecuencias tfpicas de un B.C.
CUESTION 4.17 Un amplificador cascodo.

a) Empeora la respuesta a altas frecuencias respecto a una etapa en E.C.
b) La frecuencia de corte superior es deb ida a la capacidad panisita del
transistor en base comlin.
e) La frecuencia de corte superior es deb ida a la capacidad panisita del
transistor en emisor comun.
d) Es un anlplificador multietapa con acoplamiento RC.
CUESTION 4.18 El amplificador

en configuraci6n cascodo:
a) Presenta una impedancia de
entrada muy alta, del orden de MO.
b) Consta de una etapaen B.C. que
tiene COll10 carga otra etapa en
E.C.
e) La ganancia de la etapa en E. C.
es pequefia para minimizar el
efecto de la capacidad de Miller en
la entrada.
d) Posee menor ancho de banda Figura 4.19
que la etapa en E.C.
436
ANEXO :!.- ClJESTIONES
CUESTION 4.19 En el alTIplificador en la configuraci6n cascodo de la

Figura 4. 19:
a) Ql actua como E.C.
b) Q2 actua como una fuente de corriente constante.
c) No pOdelTIOS ajustar la tensi6n de salida de continua Vo=O V.
CUESTION 4.20 En los amplificadores multietapa:

a) La configuraci6n eascodo se puede utilizar eonlO despJazador de nivel de
continua.
b) Los amplificadores de continua no presentan problemas de deriva.
c) EI ancho de banda de un alnplificador multietapa es mayor que el de cada
etapa por separado.
d) La configuracion Darlington se usa cuando un amplificador precisa baja
impedancia de entrada.
TEMA 5. EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
CUESTION 5.1 En el an1plificador diferencial:

a) La ganancia Ad debe ser menor que la ganancia Ac para minimizar la
sefial comun en la sal ida.
b) Para reducir Ad se sustituye Ja resistencia RE por una fuente de corr,iente.
c) Tiene siempre una impedancia de entrada diferencial Zid lTIUY alta (del
orden de MQ).
d) Un buen apareamiento de los transistores reduce Ja tens·ion de offset.
CUESTION 5.2 En un alTIplificador diferencial:

a) La ganacia diferencial-asimetrica es el doble de la diferencial-diferenciaL
b) La fuente de corriente debe afectar al circuito a efectos de sefial.
c) Una disll1inuci6n de RE provoca una reducci6n de la ganancia comun-
diferencial.
d) N inguna de las respuestas anteriores es cierta.
437
ELECTRONICA ANALOOICA DlSCRETA
CUESTION 5.3 En un amplificador diferencial real realizado con BJTs.

a) La impedancia de entrada en modo comun puede alcanzar valores
elevados (mayores de 1 Mfl).
b) Cuanto mayor sea el CMRR mayor sera la intluencia de Ac frente al de
Ad en la sefial de sal ida.
e) Las impedancias de entrada en lnodo comun Zic, se representan por dos
impedancias iguales conectadas entre cada terminal de entrada y masa.
d) EI aumento de la resistencia RE provoca una disminuci6n de A c ' no
viendose afectada Ad'
CUESTION 5.4 En un amplificador diferencial real:

a) La ganancia del modo comun Ac es independiente de la resistencia de
emisor RE •
b) Si se toma la salida en modo diferencial no puede existir sefial comun.
e) Interesa que la resistencia de emisor RE sea 10 mas pequefia posible.
d) Ninguna de las respuesta anteriores es cierta.
CUESTION 5.5 (,Que efectos puede producir la existencia de sefial de

lnodo comun en la entrada de un amplificador diferencial?
a) Disminuir el CMRR.
b) Aumentar la corriente que suministra la fuente.
e) Disminuir el margen dimimico.
d) Ninguno de los anteriores.
CUESTION 5.6 En el amplificador diferencial interesa que:

a) EI CMRR sea 10 mas pequefio posible.
b) La ganancia en 11lOdo comun Ac sea 10 mas elevada posible.
e) La ganancia Au sea elevada frente a la ganancia AI.:'
d) Ninguna de respuestas las anteriores es cierta.
CUESTION 5.7 En un amplificador dif~rencial realizado con BJTs, el

rechazo al modo comun CMRR:
a) Aumenta al aUlnentar la resistencia C0111Un de emisor RE •
b) Disminuye al aumentar la resistencia comun de emisor RE.
438
,\NEXO 1.- ClJESTlONES
c) Es independiente de la resistencia cOJnun de emisor RE•

d) Es maximo si RE es iguaJ a cero.
CUESTION 5.8 Calcular la expresi6n de la tensi6n de salida Vo=Vo\-Vo2

en el amplificador diferencial de la Figura 5.8, sabiendo que los dos
transistores son iguales y con las siguientes caracterfsticas: hie = 1 kO Y
hfe =50. Las tensiones aplicadas a las entradas son:
VI = 10senwt (mV) y v 2 =20senwt (InV)
V1 V2
v,
IE IE
CUESTION 5.9 Disefiar una fuente de corriente de 2 rnA para el amplifi-

cador diferencial de la Figura 5.9. Para ello se dispone de un transistor
NPN con las siguientes caracterfsticas: VBE=0,6 V Y (3= tOO; de una
baterfa de 10 V y resistencias de 2,2 kO. 4,7 kO, to kO y 22 kO.
CUESTION 5.10 Si en un anlplificador diferencial se sustituye el par de

transistores de entrada por sendos transistores Darlington:
a) Aumenta fa corriente de entrada.
b) Aumenta la impedancia de entrada diferencial.
c) Disminuye la impedancia de entrada en modo eomun.
d) Ninguna de las anteriores respuestas es eierta.
439
CUESTION 5.11 En el amplificador diferencial de la Figura 5.11, que se

supone perfectamente silnetrico y con salida diferenciaL calcular la lnaxima
amplitud de la tension de salida sin distorsion.
Datos: Ql=Q2=Q3 ; hfe =200 ; YHE=0,7 Y
.--------_.-----0 +6 V
1k
10k 10k
CUESTION 5.12 En un amplificador diferencial, la utilizacion de una

fuente de corriente con elelnentos activos:
a) Mejora el Inargen dimlmico.
b) Hace que e) factor de rechazo del modo cOlnun CMRR disminuya.
c) Aumenta la ganancia diferencial Ad Y la impedancia de entrada en modo
comun Zjc'
TEMA 6. REALIMENTACION
CUESTION 6.1 En la realimentacion negativa aparece:

a) U11 aUlnento de )a gana11cia.
b) Una disminucion del ancho de banda.
440
c) Una disminuci6n de la distorsi6n no lineal.

d) Un aumento del ruido.
CUESTION 6.2 La real imentaci6n negativa:

a) Mejora la distorsi6n no lineal.
b) No mejora la estabilidad de la ganancia.
c) No mejora la distorsi6n en frecuencia.
d) Ninguna de las afirmaciones anteriores es cierta.
CUESTION 6.3 En el esquema de la Figura 6.3 se verifica que A{3 ~ 1.

Indicar cual de las siguientes afirmaciones no es cierta:
a) Xo/Xj es pnicticamente independ iente de A.
b) X(/X):. es pnicticamente independiente de A.
c) Xs;::::: Xf •
d) X)Xj? Xo/Xs'
~- -M
:x f
..
_A_--,I----'--.i~~-
i
---0----
Figura 6.3
CUESTION 6.4 Los circuitos realimentados negativamente:

a) Presentall mayor impedancia de entrada.
b) Presentan un comportamiento mas estable frente a variaciones de los
parametros.
c) Tienen una ganancia mas alta.
d) Compensan las variaciones en frecuencia de los parametros.
CUESTION 6.5 Para aumentar la impedancia de salida se elnplea

real iInentacion:
441
ELE(TRONICA ANt\LOOICA DISCRETA
a) De tens ion.
b) De corriente.
c) En serie.
d) En paralelo.
CUESTION 6.6 Indica cmil de las relaciones es correcta para Inejorar las
caracterfsticas del amplificador:
a) Alnplificador de transresistencia .. realimentacion de tension en serie.
b) Amplificador de transconductancia .. realimentacion de corriente en serie.
c) Amplificador de tension. . .. realimentacion de tensi6n en paralelo.
d) Alnplificador de intensidad ... realimentacion de tension en paralelo.
CUESTION 6.7 Mediante la realimentacion se pretende conseguir un

aumento de la impedancia de entrada y una disminucion de la impedancia
de salida, para ello se utilizara realimentacion:
a) Tension - serie.
b) Tension - paralelo.
c) Corriente - serie.
d) Corriente - paralelo.
CUESTION 6.8 Si se quiere estabilizar la funcion de transferencia de un

alnplificador de transconductancia, se debera utilizar una realimentacion
negativa de:
a) Tension - serie.
b) Tension paralelo.
c) Corriente - serie.
d) Corriente - paralelo.
CUESTION 6.9 En un amplificador de tension si 10 realimentamos

negativamente:
a) La impedancia de entrada del amplificador realimentado disminuye.
b) La ganancia del amplificador realimentado aUlnenta.
c) La impedancia de salida del amplificador realimentado disminuye
442
ANEXO 2.- ('1 JESTIONES
CUESTION 6.10 Un alTIplificador realimentado negativalnente sera

siempre inestable si:
a) El desfase generado entre la entrada y la salida del amplificador basico
es de 180°.
b) IAr I = 1 y arg (Ar) = 0 0 •
c) El modulo de la funcion de transferencia es 2:: I dB cuando el argumento
es de 0°
CUESTION 6.11 En un amplificador realinlentado negativamente del tipo

tension-serie:
a) La impedancia de entrada del amplificador basico se ve reducida por el
factor 1 + A{3 .
~) La impedancia de salida del amplificador basico se ve aumentada por el
factor 1 + A{3 .
c) La impedancia de entrada permanece constante aunque vade la .. carga.
d) Todas las anteriores son falsas.
CUESTION 6.12 Si la ganancia del amplificador basico en una conexion

de rea] imentaci6n tension-paralelo aumenta., la seftal de error:
a) AUlnenta.
b) Disminuye.
c) Es independiente de la ganancia del amplificador basico.
CUESTION 6.13 Si se compara un amplificador realimentado del tipo

corriente-serie con el mismo sin real imentar, se puede decir:
a) Que mejora la caracteristicas de amplificador de tension.
b) Que dislninuye la impedancia de entrada.
c) Que aumenta la ilnpedancia de salida.
d) Que disminuye e] ancho de banda.
CUESTION 6.14 Se desea reducir el ancho de banda de un amplificador

de tension en un factor 10. ~Que tipo de realilnentaci6n nos asegura
443
ELE("rRONICA ANAU)G!(:A DISCRETA
conseguir dicho objetivo?

a) Tensi6n- serie
b) Tensi6n- parale]o
c) Cualquiera de las anteriores
d) Ninguna soluci6n de las propuestas es correcta.
CUESTION 6.15 Calcular la ganancia de la red (3 de un circuito realinlen-

tado para que la sensibilidad sea 1120, si la ganancia del circuito basico es
A = 45,58 dB.
CUESTION 6.16 Se dispone de un amplificador basico cuya funci6n de

transferencia es
A(jw) = 1 10 ]3
4
[ + jw/l0
Determinar el valor crftico de (3 para que el aInplificador realilnentado

negativamente sea estable.
CUESTION 6.17 Hallar eI ancho de banda de un amplificador realimenta-

do cuyo amplificador basico A sigue la expresion (6.17) y {3 = 0.01.
50
A = ----------------------- (6.17)
[ I - j +] [ I + j 5~ 1
CUESTION 6.18 Se monta un amplificador con transistores BJT y se

obtiene una ganancia de tensi6n de 103 • Posteriormente se introduce una
realimentaci6n tensi6n-serie de tal forma que la funcion de transferencia de
la cadena de realimentacion es (3=0,.01.
a) La anchura de banda del amplificador inicial queda dividida por 11.
b) La inlpedancia de entrada queda multipl icada par 11.
c) La ganancia de tension del amplificador completo sera 90,9.
d) Ninguna de las respuestas anterieres es cierta.
444
ANEXO 2. - CIIESTIONES
TEMA 7. OSCILADORES SENOIDALES
CUESTION 7.1 En un circuito oscilador en el que el valor de ganancia de

la red (3 es constante con la alnplitud de la tensi6n de oscilaci6n, dicha
amplitud viene determinada principaltnente por:
a) La frecuencia del oscilador.
b) La ganancia del elemento activo.
c) El margen dinamico del elemento activo.
CUESTION 7.2 En un oscilador:

a) La amplitud de la senal depende del margen dinamico de los elementos
activos que 10 forman.
b) S610 se consigue la oscilaci6n a una frecuencia dada.
c) La distorsi6n y el arranque se optimizan haciendo que I A{31 sea
ligeramente mayor que la unidad para la frecuencia de oscilaci6n.
d) Ninguna de las afirmaciones anteriores es cierta.
CUESTION 7.3 Si queremos diseiiar un oscilador de baja frecuencia y

asegurar su funcionamiento, deberemos tener en cuenta que:
a) I A{31 = 1
b) I A{31 < 1 para segurar el arranque y luego el elemento activo limitara la
amp I itud de la senal de sal ida
c) I A{31 > 1 Y que el desdase de la senal al recorrer el bucle completo sea
de 180 n
d) Con cualquiera de las consideraciones anteriores no podemos asegurar
que exista tensi6n en la salida.
CUESTION 7.4 lndicar cual de las siguientes afirmaciones no es cierta:

a) Con la realimentaci6n negativa, un amplificador puede amplificar senales
de mayor frecuencia sin distorsi6n.
b) Si se quiere disenar un amplificador de trasresistencia se debe utilizar
realilnentaci6n de tensi6n en paraieio.
445
ELECTRONlCA ANALOGICA DISC'RETA
c) Un ampl ificador con real imentaci6n positiva mejora las caracterfsticas

asociadas a la ganancia.
d) La ganancia de un amplificador realilTIentado negativamente se puede
obtener de una fonna precisa y predecible cuando A(3 ~ 1
CUESTION 7.5 Puede obtenerse un circuito oscilador con alTIplitud

controlable y sin distorsi6n realimentando con:
a) (3 =cte. para cualquier anlpl hud.
b) (3 igual a una funci6n creciente de forma lineal con la atnplitud.
c) (3 decreciente de forma lineal con la amplituda
C~STI6N 7.6 En los osciladores senoidales se cumple que:

a) La red (3 de un oscilador por cambio de fase no debe invertir la sefial.
b) La configuraci6n Hartley solo se puede co nectar a amplificadores de
ganancia A > O.
c) La configuraci6n Colpitts solo se puede conectar a amplificadores de
ganancia A <0.
CUESTION 7.7 En un oscilador senoidal en e] que se cUlnple que

I A(3 I > 1 la amplitud de fa onda resultante viene dada por:
a) La amplitud del ruido que inicia la oscilaci6n.
b) La entrada del dipositivo activo en la zona no lineal.
c) La red de realilTIentaci6n.
CUESTION 7.8 Para que un circuito oscilador tenga la menor distorsi6n

posible, debemos disefiarlo de forma que:
a) EI producto A{3 sea 10 mas pequeno posible y la ganancia A elevada.
b) A(3 sea ITIucho mayor que la unidad.
c) La ganancia del lazo sea ligeramente superior a la unidad.
d) No importa pues el circuito se adapta para hacer que a la frecuencia de
oscilaci6n la ganancia del lazo sea la unidad.
446
ANEXO 2.- CIJESTIONES
CUESTION 7.9 Los osciladores:

a) No pueden generar una senal sin ser excitados a la entrada.
b) Provocaran un aumneto progresivo de la sefial si IA{3! < 1.
c) De puente de Wien se utilizan como generadores senoidales de baja
frecuencia.
d) De Hartley permanecen estables con cuajquier variaci6n de h fe •
CUESTION 7.10 Los osciladores:

a) De puente de Wien se utilizan en alta frecuencia por la estabilidad que
estas configuraciones tienen.
b) Utilizan realimentaci6n positiva para arrancar y negativa en el estado
estacionario.
c) Presentan una senal aOlortiguada si A{3 < 1. en cambio oscilaran can una
ampJitud ilimitada de la sefial se A{3> 1.
d) De Hartley y Colpitts con BJT presentan una desestabil izaci6n del
circuito de realilnentaci6n con cualquier variaci6n de h fe .
CUESTION 7.11 De los osciladores de alta frecuencia con B1T. se pllede

afirmar que:
a) El de puente de Wien es el mas versatil por poder ajustar la ganancia con
las resistencias que forman la red de realiJnentaci6n.
b) Los osciladores de Hartley son los que proporcionan la frecuencia tnas
estable.
c) La red de realilnentaci6n debe desfasar 180 0 en todos los casos.
CUESTION 7.12 EI circuito de la Figura 7.12 es:

a) Un oscilador Hatley.
b) Un oscilador Colpitts.
c) Un oscilador Wien.
CUESTION 7.13 El circuito de la Figura 7.13:

a) No es un oscilador.
447
ELECTRONICA ANAJi)GlCA DlSCRET A
b) Es un oscilador Colpitts.
c) Es un oscilador Hatley.
Rb
C1
+Vcc
Figura 7.13
Rb1
Ca
L1
Rb2
L2
Figura 7.14
448
SPUPV -95.826
FE DE ERRATAS
Pagina Posicion Dice Debe decir
6 Linea texto 6 ... VI = 1 Y tp 4 00 se Ie ...

. •• VI 4 oo;tp 40 y f: V(t)dt=l se Ie ..
148 Ecuaci6n 2 i l = gilv i + g12 V 2 VI =zllil +Zl2 i 2
i 2 = g 21 V I + g 22 V 2 V2 = Z 21 i I + Z 22 i 2
~
149 Ecuaci6n 3
h21 =
V2 i,=O
hl2 = -
v'l
V 2 ',=0
152 Ecuaci6n 1 vb<; = hicib h" V ec vb<; = h,cib + hrc vee
153 Linea texto 2 .... incrementos sobre los valores .... incrementos respecto a los valores de continua
instantaneos totales son .... son .. ,
156 Ecuaci6n 3.36
h fe =9 B'
'B vf.c=te
--~
h fe - Bi
VF.C=cte
B
l\ ic I
~~
157 Ecuaci6n 3.38
h ob 6. h ob ""---
6.
iB=cle
V CB V CB iE=Cle
159 Linea texto 8 K - 1,38· 10.23 11°K (constante de K - 1,38· 10. 23 11K (constante de Boltzman)
Plank)
163 Tabla ! h,e hI< h,e - hI<
183 Figura 3.60 La polaridad del generador de tensi6n ( ~vgs )
debe invertirse
190 Figura 3.68 El valor de la tensi6n que corresponde al
generador de la iZQuierda es V0
212 Ecuaci6n 4.5, Sobra la j que aparece en el denominador
4.6 y 4.9
213 Ecuaci6n 4.10
IAol" IAoin IAol" IAoin
..fi ~(l + (j f'T)')" ..fi ~(l+(~)')"
fi f,T
220 Linea texto 4 .... entrada sin distorsi6n ... .. entrada para salida sin distorsi6n ..
281 Linea texto 2 .... depende principal mente de los ... .... depende de los ...
281 Linea texto 15 .... de VBE (vease apartado 5.9.5). .... de V BE •
284 Linea texto 17 Soluci6n: VIO - ± 7,72 mV. Soluci6n: 110 - ± 39,25 f..lA
320 Linea texto 16 ... de lazo A(jw).~(jw) es un ... ... de lazo - A(jw).~(jw) es un ...
326 Linea texto 9 .... caso de ~ - 103 hacemos ... .. .. caso de ~ - 5.10. 2 hacemos ...
335 Figura 6.25 Valor de tensi6n del generador Valor de tension del generador equivalente a la
equivalente a la salida del salida del amplificador: A·V,
amplificador: AI,
336 Figura 6.28 Valor de tensi6n del generador Valor de tensi6n del generador equivalente a la
equivalente a la salida del salida del amplificador: A·I,
amplificador: A·V
349 Ecuaci6n 3
- h fe i b2 (51I h ,e3) = ib3 h 'd h fe I b2 (511(11 1e3 + (I + h fe )R » i b3 (h ,e3 + (I + h fe)R )
350 Ecuaci6n I i b2 = -78,26· ib3 i b2 = -78,26· i bl
350 Ecuaci6n 2 ib3 = -88,81· i b2 ib3 = -34,44· i b2
350 Ecuaci6n 4 i i
G M = ~=53217,97 mmho G M = ~=20637,63 mmho
V I
V,
350 Linea texto 4 ... valdra (1 +53217,97·0,012)-640,88 ... valdra (1+20637,63·0,OI2)-248,65
83=~
350 Ecuaci6n 6 53217,97 8 20637,63
GMf io
3,04=- GMf
640,88 Vg 248,65 Vg
350 Ecuaci6n 8 Vo
-=83,04·0,6= -49,82 ~=-83.0,6= -49,80
Vg Vg
350 Ecuaci6n 10 Rif = 13,06·640,88 =8369,89 kQ Rif =13,06·248,65= 3247,37 ill
372 Figura 7.11 Las entradas del operacional estan invertidas, la
superior debe ser la inversora
374 Ecuaci6n 7.35 RI R
A=1+-=3 Ar=l+-1 =3
R2 R2
375 Linea texto 10 ... amplificador, A sea 3 ... ... amplificador, Ar sea 3 ...
375 Linea texto 17 ... amplificador A de 3,1. ... amplificador Ar de 3, J.
381 Ecuaci6n 7.27 Yo = VD1(ON) + Yz - Yes Yo= (YD1(ON) + Vz - Yes)
389 Linea texto 12 ... resistencias R2• R, Y R4 son .... ... resistencias Ro, R,y ~ son ....
Impreso en los Talleres Graticos de la Direccion
de Publicaciones y Materiales Educativos del
INSTITUTO POUITCNICO NACIONAl
Tresguerras 27, Centro Historico, Mexico, D.F.
Diciembre de 1997. Edicion: 1,000 ejemplares.

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Manuel Irazo Pontes

Fulgencio Montilla Meoro

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRONICA

ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS

UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA (ESPANA)

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL (MEXICO)

D.R. © 1998, Instituto Politecnico Nacional

Direccion de Publicaciones y Materiales Educativos

Con este libro pretendelnos introducir a1 lector en el funcionamiento de

Se supone que el lector conoce 1a estructura ffsica y las caractedsticas

El libro Electronica Ana/ogica Discreta esta dirigido especialmente a

En el Telna 1 se explican los diferentes sistemas para realizar el amilisis

EI Tenla 2 estudia el transistor en continua analizando los diferentes

Los Temas 3 y 4 se deducen los circuitos equivalentes para realizar el

En el Tenla 6 se presenta el concepto de la Real imentaci6n llegando al

EI Telna 7 analiza los circuitos osciladores tanto de baja como de alta

Esperamos que el Iibro sea de la util idad que desealnos y aceptarelnos

Valencia, septiembre de 1995

A Silvia, Daniel y Elisa

TEMA 1. ANALISIS EN TIEMPO Y FRECUENCIA.

1.2 Herralnientas Inatematicas para el analisis de circuitos . . . . . .. 2

1.3 Clasifieacion de sefiales ......................... 5

1.4 Analisis freeuencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.5 Analisis temporal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

TEMA 2. POLARIZACION DE TRANSISTORES.

2.2 Polarizaci6n del BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

2.3 Polarizacion del FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

2.4 Polarizacion de circuitos con varios dispositivos 104

2.5 Polarizaciones especfficas para CI'~ 109

TEMA3. AMPLIFICADORESLlNEALES MONOETAPA

3.1 Conceptos generales sobre amplificaci6n lineal. . . . . . . . . . 119

3.2 Amplificadores con transistores bipolares (BJT). . . . . . . . .. 144

3.3 Alnplificadores can JFET . . . . . . . . . . ' . . . . . . . . . . . . . . . 178

3.4 Resumen comparativo de amplificadores con transistores BJT y

3.5 Modelos de alta frecuencia. 194

TEMA 4. AMPLIFICADORES MULTIETAPA.

4.1 Introduccion . . . . . . . . I. •••••••••••••••••••••• 207

4.2 Acoplamiento capacitivo entre etapas . . . . . . . . . . . . . . . . 2 I 1

4.3 Amp!ificadores con acoplo directo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224

TEMA 5. EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.

5.1 Introducci6n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237

5.2 Caracterfsticas de transferencia estatica .. 245

5.3 Teorema de Barttlet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249

5.4 Analisis de un amplificador diferencial simetrico con

5.5 Analisis de un amplificador diferencial no simetrico can

5.6 Impedancia de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 261

5.7 lmpedancia de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268

5.8 Fuentes de corriente . 270

5.9 Efectos en continua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273

5.10 Margen dimimico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284

5.11 Amplificadores diferenciales integrados ... . . . . . . . . . . . 286

6.1 Introduccion . . . . . . . . . . . .293

6.2 Concepto de real imentaci6n ... : . . . . . . . . . . . . 297

6.3 Tipos de realimentacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . 301

6.4 Funci6n de transferencia de un amplificador reaJimentado . . . . 304

6.5 Realimentaci6n positiva y negativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . 309

6.7 Ventajas de la realimentacion negativa . . . . . . . . . . . . . . . 314

6.8 Estabilidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319

6.9 Conlpensaci6n .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327

6.10 Configuracion "ideal". IInpedancias de entrada y salida. . 335

6.11 Metodo de amilisis de un amplificador realimentado. 344

6.12 Amilisis de algunos amplificadores realimentados .. 347

7. 1 lntroduccion ....................... . . . . . 359

7.2 Funcionamiento. Frecuencia de oscilaci6n. Criterios de