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FIS241
ELECTRONICA GENERAL
Apuntes de Catedra, Ver. 0.6
diciembre-2020
Teorı́a, son dos clases por semana de 2 horas cada una, en total son 36 clases durante
el semestre, incluyen exámenes.
Laboratorios, son 4 y cada uno se realiza en dos sesiones de 3 horas, en total 24 horas.
• 4.- El Presente texto, son apuntes de cátedra del docente útiles para seguir el de-
sarrollo de la materia según el contenido, no pretende sustituir a los libros oficiales
de la materia, sin embargo gracias a las ecuaciones y figuras se ha construido el
complemento con diapositivas para el desarrollo de la clase vı́a internet.
PROGRAMA ANALITITCO
I.- REDES
1.- Teoremas y Leyes fundamentales de las redes eléctricas (Ley de ohm, Leyes de kirchoff,
Thevenin, Norton, Sustitución), 2.- Análisis armónico (señales continuas en el tiempo),
3.- La transformada de Laplace y los circuitos transcientes (análisis con señales; impulsos,
paso y rampa), 4.- Resonancia, 5.- Excitación periódica y otros tipos, 6.-Problemas y
ejercicios.
II.- AMPLIFICADORES
1.- Semiconductores (diodo, transistor), 2.- Reguladores de voltaje (transformadores y dio-
dos), 3.- Transistores, 4.- Modelos Incrementales (EC, BC, CC), 5.- Polarización (acoplamiento
continuo y alterno), 6.- Análisis dinámico, 7.- Análisis en bajas y medias frecuencias, 8.-
Amplificador Multietapa, 9.- Problemas.
VI.- APLICACIONES
Manejo de ports (FF-D) con microcontrolador.
VII-LABORATORIOS
1 REDES 5
1.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.1 Ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.2 Divisor de voltaje y divisor de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.3 Resistencias.- Serie, Paralelo, triangulo/estrella . . . . . . . . . . . 6
1.1.4 Fuentes de voltaje y corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.1.5 Puente de Weachstone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.6 Teoremas de Thevenin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.7 Leyes de Kirchoff . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2 Análisis Armónico señales continuas en el tiempo . . . . . . . . . . . . . . 10
1.3 Respuesta en frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.3.1 Circuito RC, RL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.3.2 Circuito RLC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.3.3 Resonancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.4 Análisis Transciente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.4.1 Circuito RC.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.4.2 Circuito RL.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.4.3 Circuito RLC.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.4.4 Ejemplo de integración . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.5 Transformada de Laplace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.5.1 Transformada de Laplace de las funciones usuales . . . . . . . . . . 24
1.5.2 Excitación Periódica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.6 Graficación con Gnuplot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2 SEMICONDUCTORES,
AMPLIFICADORES 35
2.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.2 Semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.2.1 Semiconductores tipo N y P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.2.2 Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.2.3 Transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.3 Rectificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.3.1 Rectificador de media onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.3.2 Rectificador de onda completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.4 Reguladores de voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.4.1 Transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.4.2 Rectificador con transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.4.3 Reguladores con transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.5 Graficadores con Gnuplot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.5.1 Graficadores - Ejemplo 1, Rectificadores.gp . . . . . . . . . . . . . . 45
2.5.2 Graficadores - Ejemplo 2, Reguladores.gp . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.5.3 Graficadores - Ejemplo 3, Reguladores-tau.gp . . . . . . . . . . . . 47
2.6 Polarización del Transistor NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.7 Autopolarización . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.7.1 Autopolarización estable a la temperatura . . . . . . . . . . . . . . 49
2.7.2 Autopolarización con Resistencia en emisor . . . . . . . . . . . . . . 49
2.8 Amplificación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3
4 FIS241 Electrónica General
2.8.1 Cuadripolos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.8.2 Amplificador simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.8.3 Amplificador estable a la temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.8.4 Amplificador con resistencia en emisor . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.9 Amplificador tı́pico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.10 Amplificación Colector Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.11 Amplificación Base Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
2.12 Amplificación Multietapa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
3 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 61
3.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.2 Equivalente del Amplificador Operacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.2.1 Amplificador Diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.3 Amplificadores Operacionales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.3.1 Amplificador inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.3.2 Amplificador no inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.3.3 Amplificador restador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.3.4 Amplificador sumador inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.3.5 Amplificador sumador noinversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.4 Amplificador integrador/derivador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.4.1 Integrador con capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.4.2 Integrador con bobina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4.3 Derivador con capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4.4 Derivador con bobina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.5 Amplificador Multiplicador/Divisor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.5.1 Amplificador Logarı́tmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.5.2 Amplificador Antilogaritmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.5.3 Amplificador multiplicador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.5.4 Amplificador Instrumental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.6 Simulación de Ecuaciones Diferenciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.6.1 Ejemplo de simulación de Ecuaciones Diferenciales . . . . . . . . . . 69
5.2 REGISTROS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
5.2.1 FF D.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
5.2.2 FFT.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
6 APLICACIONES 89
6.1 Microcontroladores básicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
6.1.1 Arduino Uno.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
6.2 Manejo de puertos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
6.3 EJEMPLOS DIGITAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
6.3.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
6.3.2 Display 7 segmentos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
6.3.3 Leds en Paralelo palabra FISICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
6.3.4 Manejo de leds FISICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
7 LABORATORIO 101
7.1 LABORATORIO 1.
Relajación exponencial, Oscilaciones Amortiguadas y Resonancia . . . . . . 102
7.1.1 RELAJACION EXPONENCIAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
7.1.2 OSCILACIONES AMORTIGUADAS . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
7.1.3 RESONANCIA, Espectro de frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . 102
7.1.4 Informe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
7.2 LABORATORIO 2.
Reguladores y Amplificadores con transistores . . . . . . . . . . . . . . . . 104
7.2.1 Rectificadores.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
7.2.2 Reguladores de voltage.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
7.2.3 Polarización y Amplificación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
7.2.4 Amplificación Multietapa.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
7.3 LABORATORIO 3.
Amplificadores Operacionales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.3.1 Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.3.2 Amplificador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.3.3 Oscilador de onda cuadrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.3.4 Simulador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.3.5 Solución Ecuaciones Diferenciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.3.6 Opcional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.3.7 Informe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.4 LABORATORIO 4, Digital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
7.4.1 Simulación Semaforos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
7.4.2 Manejo Matriz de leds 8x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
7.4.3 Movimiento de vehı́culo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
7.4.4 Informe.- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
7.4.5 Apendice A, Programas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
7.4.6 Guia de Laboratorio 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
6 FIS241 Electrónica General
Chapter 1
REDES
1.1 Introducción
Redes, es el estudio de flujo de corriente eléctrica a través de los componentes resistivos
(R), el capacitor (C) y la bobina (L), se excita con una fuente denominada generador de
voltaje y se miden las corrientes y los voltajes. Para encarar cualquier circuito existen los
teoremas y leyes fundamentales de las redes eléctricas.
Figure 1.1: Elementos del tema; fuentes de voltaje, Resistencia, capacitor, bobina
V =R·I (1.1)
Ley de Hom
Figure 1.2: Flujo de la corriente I
V es la diferencia de voltaje entre los extremos del conductor medida en voltios (V)
R es la resistencia del conductor en Ohmios ( Ω )
I es la corriente que circula en Amperios (A)
La resistencia R fisicamente esta relacionado:
l
R=ρ· (1.2)
A
Asumiendo que el conductor es un cables; ρ es la resistividad del material
l es la longitud del cable
A es la sección del cable
De forma similar la conductancia es la inversa de la resistencia
1 A
g= g=σ (1.3)
R l
siendo σ la conductividad del conductor o componente eléctrico, valor importante que
determina cuan conductor es.
La corriente I que fluye es la relación de carga eléctrica en un determinado tiempo.
dQ
I= (1.4)
dt
La convención de corriente entre dos puntos se realizará de la forma:
7
8 FIS241 Electrónica General
V ab = V a − V b
I = V a−V
R
b
R2
eR2 = E eR2 = αE (1.5)
R1 + R2
g2
IR2 = I IR2 = αI (1.6)
g1 + g2
Figure 1.5: Divisor de Corriente
R = R1 + R2 + R3 + R4 (1.7)
g = g1 + g2 + g3 + g4 (1.8)
P. Miranda 9
Triangulo/estrella y estrella/triángulo
En todo circuito a reducir, la conversión de estrella a triángulo y de triangulo a estrella
es una alternativa util, en la figura 1.6
Caso particular Cuando todas las resistencias son iguales y valen Z, tenemos:
Z
ZA = y ZAB = 3Z
3
Fuentes reales.- Las fuentes reales siempre tienen su resistencia interna, la fuente de
voltaje tiene resistencia baja Rs en serie, la fuente de corriente tiene resistencia alta en
paralelo como se observa en la figura 1.8.
10 FIS241 Electrónica General
Teorema de Millman Con fuentes reales es posible simplificar varias fuentes en serie
con sus resistencias internas o externas, y reducir a una sola fuente en serie con la única
resistencia, el teorema dice; La combinación de n fuentes reales de tensión montadas en
paralelo es equivalente a una única fuente de impedancia interna.
1 X Vn
Z=P 1 y V =Z (1.11)
Zn
Zn
En el caso de la corriente sucede lo propio, como se ve en la figura 1.9
I =0
eb = ec
R1 R2
= (1.12)
R3 R4
Rad = (R1 + R3 )||(R2 + R4 )
Rad = R1 ||R2 + R3 ||R4
Figure 1.10: Puente de Weachstone
voltaje.
En el circuito 1.11 se desconecta en el punto AA’ y se encuentra VAA0 y ZAB , por tanto
la corriente será:
VAA0
I= ; ZAA0 = ZAB + Z (1.13)
ZAA0
Ejemplo .- Veamos el circuito1.12 (ejemplo en [3] página 46), nos ilustra en calcular la
corriente que circula por la resistencia de 4Ω .
3−1
a) I1 = = 0.5A;
4
VA − VB = 3 − 2 · I1 = 2V
VAB = 2V
b) VAC = 4V
c) ZAC = 4Ω
VAC
d) I =
ZAC + 4Ω
4
Figure 1.12: Circuito (a), (b) Voltajes ,(c) impedancias
I= = 0.5A
4+4
ΣI = 0 (1.14)
En la práctica se considera que toda las corrientes entran al nudo.
Teorema de Tensiones en una Mallas.- En una malla la sumatoria de voltajes es cero.
ΣV = 0 (1.15)
En la práctica se considera la corriente positiva en el sentido horario y se deducen los
voltajes en cada fuente y respectivos componentes pasivos.
12 FIS241 Electrónica General
Ambas ecuaciones conducen a la ley de Ohm de forma matricial, expresando que las
corrientes y voltajes están relacionadas por la matriz conductancia y matriz resistencia.
Ejemplo, En el circuito formado por tres mallas fig. 1.13 , se desea obtener el voltaje
en cada componente, en consecuencia se debe encontrar las corrientes de cada malla y
luego por la ley de ohm se obtienen los voltajes, en este estado se plantean las ecuaciones
para cada malla en el sentido horario y se tienen una matriz general:
Z11 −Z12 −Z13 I1 V11
−Z21 Z22 −Z23 I2 = V21 (1.18)
−Z31 −Z32 Z13 I3 V31
−V 1 + R2 (I1 − I2 ) + R4 (I1 − I3 ) = 0
R1 I2 + V 2 + R3 (I2− I3 ) + R2 (I2 − I1 ) = 0
R4 (I3 − I1 ) + R3 ((I3 − I2 ) + R5 I3 = 0
R2 + R4 −R2 −R4 I1 V1
−R2 R1 + R2 + R3 −R3 I2 = −V2
−R4 −R3 R3 + R4 + R5 I3 0
entonces, se observa que Z11 a Z33 representa la matriz impedancia donde Z11 repre-
senta la suma de resistencias al rededor de la malla uno, Z12 representa la resistencia
común entre la malla uno y dos, etc., I1 es la corriente en la malla uno en sentido horario,
polariza a las resistencias positivo por donde entra, V11 es la suma de los voltajes en la
malla uno, en este ejemplo solo se tiene una fuente V1 .
Para encontrar las corrientes, se multiplica en ambos lados por la matriz inversa Z −
como en la ecuación 1.17 . Luego para los voltajes se multiplica por las corrientes, por
ejemplo el voltaje sobre R4, VR4 = R4 (I1 − I2 ) , por que atraviesan dos corrientes.
Z T
1
vdc = e(t)dt = 0 (1.20)
T 0
s Z
1 Vp
vac = vRM S = vef = e(t)2 dt = √ (1.21)
T 2
En esta ecuación para una onda senoidal se requiere recordar que cos2 (wt) = 1+cos(2wt)
2
2 1−cos(2wt)
o también sen (wt) = 2
En el caso general e(t) con nivel continuo A y dos ondas seno y coseno, esta se reduce
usando trigonometria simple (para observar la onda en un osciloscopio).
√ b
a = c · cos(φ), b = c · sen(φ), c= a2 + b 2 , φ = atan( ) (1.23)
a
Modo Geométrico
Z1 = a1 + b 1 j
Z2 = a2 + b 2 j
Z1 + Z2 = (a1 + a2 ) + (b1 + b2 )j
(1.24)
Z1 · Z2 = (a1 a2 − b1 b2 ) + (a1 b2 + a2 b1 )j
Z1 a1 + b 1 j a1 a2 + b 1 b 2 a2 b 1 − a1 b 2
= = + j
Z2 a2 + b 2 j a22 + b22 a22 + b22
14 FIS241 Electrónica General
Modo Polar
Z = a + bj
Z = |Z|6 φ Modo Exponencial
√ p
M odulo |Z| = a2 + b 2 = Z · Z ejφ = cos(φ) + sin(φ)j
Argumento φ = tg −1 ( )
b ejφ1 · ejφ2 = ej(φ1 +φ2 )
a ejφ1
Z1 + Z2 = |Z1 |6 φ1 + |Z2 |6 φ2 = ej(φ1 −φ2 )
ejφ2
Z1 · Z2 = |Z1 |6 φ1 · |Z2 |6 φ2 = |Z1 | · |Z2 |6 (φ1 + φ2 ) Z = |Z|6 φ = |Z|ejφ
Z1 |Z1 |6 φ1 |Z1 |
= = 6 (φ1 − φ2 )
Z2 |Z2 |6 φ2 |Z2 |
La fuente de excitación de voltaje de alimentación será senoidal.
v = Vp cos(wt + φ) (1.25)
dv
= jwVp [cos(wt + φ) + jsen(wt + φ)] = jw · v
dt
Z (1.27)
Vp v
vdt = [cos(wt + φ) + jsen(wt + φ)] =
jw jw
Para nuestros fines el manejo del numero complejo será mas útil el modo exponencial y
polar.
v = Vp [cos(φ) + jsen(φ)] = Vp ejφ = Vp 6 φ (1.28)
Como se ve el generador de onda siempre estará por la parte real.
En la bobina:
d(i(t))
eL (t) = L ; eL (t) = L · jw · i(t); XL = jwL (1.30)
dt
Caso Capacitor:
eC (t) = |eC (t)|6 φ = |eC (t)|cos(wt + φ)
1
jwC 1 Vp 6 0
eC (t) = 1 e(t) = e(t) = p
R + jwC 1 + jwRC 1 + (wRC)2 6 tan−1 ( wRC
1
) (1.31)
Vp 6 (0 − tan−1 (wRC))
eC (t) = p
1 + (wRC)2
El voltaje sobre el capacitor será:
Vp
eC (t) = p cos(wt − tan−1 (wRC)) (1.32)
1 + (wRC) 2
Caso bobina :
wL 6
jwL j(wL/R) R
90
eL (t) = e(t) = Vp 6 0 = q Vp 6 0
R + jwL 1 + j(wL/R) wL 2 6 −1 wL
1 + ( R ) tan ( R )
wL
(1.33)
R wL −1
eL (t) = q Vp 6 (0 + 90 − tan ( ))
wL 2
1+( R ) R
Un caso particular que se verá mas adelante, es cuando optamos por hacer que wRC = 1
en el caso del capacitor
√ y wL/R = 1 en la bobina, se obtienen puntos de inflección donde
la amplitud cae a 1 2 , y el desfase es de 45 grados ( π/2 ).
Circuito RLC con señal alterna.- Lo propio en un circuito RLC en seria como la
figura 1.15 sustituyendo las reactancias por Xc = 1/jwC y Xl = jwL la corriente se
obtiene de la forma.
eR (t) = R · |i|6 φ
1 1
ec (t) = 6 (−π/2) · |i|6 φ = · |i|6 (φ − π/2) (1.36)
wC wC
eL (t) = wL6 (π/2) · |i|6 φ = wL · |i|6 (φ + π/2)
16 FIS241 Electrónica General
e(t)
i(t) = 1
R + j(wL − wC
)
1
Vp −1 wL − wC
i(t) = q 6 − tan ( ) (1.35)
R2 + (wL − 1 2
) R
wC
i(t) = |i|6 φ
Figure 1.15: Circuito RLC i(t) = |i|cos(wt + φ)
eo (w)
= T (w)6 φ(w) (1.37)
Vp
eC (t) 1 w 1 w
=q 6 (−tan−1 ( ); T (w) = q ; φ(w) = (−tan−1 ( )
Vp 1 + ( wwC )2 wC 1 + ( wwC )2 wC
(1.38)
w w
eL (t) wL w wL w
=q 6 (90−tan−1 ( )); T (w) = q ; φ(w) = 90−tan−1 ( )
Vp 1 + ( wwL )2 wL 1 + ( wwL )2 wL
(1.39)
En la figura 1.16 se observa la onda de entrada para una frecuencia constante, la onda
sobre el capacitor C y sobre la bobina L.
Las siguientes curvas en la figura 1.17 representan el resultado de Amplitud y Fase cuando
se varı́a la frecuencia w , para observar los puntos de inflexión en el eje X se grafica el
P. Miranda 17
Figure 1.16: Ondas resultantes: onda de entrada, sobre el capacitor del circuito RC, y sobre la bobina
en el circuito RL
BW = wH − wL (1.40)
A la derecha del gráfico se tiene para la bobina, representa un filtro pasa alto. De igual
forma se ha representado
√ w0 = R/L y cuando w/w0 = 1 se encuentra que la amplitud
ha subido al 1/ 2 es el 70% de la amplitud máxima.
1.3.3 Resonancia
La resonancia es cuando el valor de la corriente es máxima, en ese punto destacamos;
• La reactancia de la bobina es igual a la del capacitor pero de signos contrario, por
1
tanto la reactancia en conjunto se anula y es cero jwL − j wC =0.
Vp
• La corriente es máxima y vale i(w0 ) = R
w0
• Con la frecuencia de resonancia se obtiene el factor de calidad. Q = AB
• Multiplicando wH · wL = w02
Figure 1.19: Ondas: Función paso u(t), cuadrada, triangular, diente de sierra , pulso
La primera onda es la función paso u(t) , tal que u(t) = 0 para t < 0 y u(t) = 1 para
t > 0 , iniciaremos el estudio con esta onda que simboliza tambien la conexción de una
baterı́a a un circuito.
Q
ec (t) =
C Z
1
e(t) = Ri(t) + i(t)
C (1.46)
ec (t) = Vp (1 − et/τ )
Vp t1/2
ec (t) = ; τ =
2 ln2
di(t)
eL (t) = L
dt
di(t)
e(t) = Ri(t) + L
dt (1.47)
eL (t) = Vp e−t/τ
Vp t1/2
eL (t) = ; τ =
2 ln2
Caso 1, Sobreamortiguado cuando α2 > w02 las raı́ces son reales y distintas ( D1 6=
D2 ) la solución es :
i(t) = c1 e(−α+β)t + c2 e(−α−β)t (1.49)
Caso 2, Amortiguamiento crı́tico cuando α2 = w02 , por tanto β = 0 y las raı́ces
son iguales (D1=D2), la corriente será;
Casos extremos:
-Sobre-amortiguado, α >> w0 , i(t) ≈ c1 + c2 e−2αt
-Amortiguado crı́tico, α = w0 , i(t) ≈ c2 te−αt
-Subamortiguado, α << w0 , i(t) ≈ Ae−αt sen(wt)
Los voltajes en cada componente son eR , eL y eC :
Z
di(t) 1
eR = R · i(t); eL = L ; eC = i(t)dt (1.52)
dt C
t
d2 i
Z
di 1 di 1
e(t) = Ri + L + idt; L 2
+R + i=0 (1.53)
dt C 0 dt dt C
EL proceso será:
22 FIS241 Electrónica General
α > w0
i(t) = c1 eD1 t + c2 eD2 t
i(0+ ) = 0; c1 + c2 = 0 α = w0
c2 = −c1 i(t) = e−αt (c1 + c2 t)
di di
= c1 D1 eD1 t + c2 D2 eD2 t = −αe−αt (c1 + c2 t) + e−αt c2
dt dt
di di E i(0+ ) = 0 = c1
E=L ; =
dt dt L E E
di(0+ ) E = −αc1 + c2 ; c2 =
= c1 D1 + c2 D2 = L L
dt L E −αt
E i(t) = te
i(t) = (eD1 t − eD2 t ) L
L(D1 − D2 ) i(t) = E · 20 · te−6283t
q
D1 − D2 = 2 α2 − w02 (1.55)
i(t) = E · 1.28 · 10−3 (e−2220t − e−17780t )
(1.54)
α < w0
q
w = α2 − w02
i(t) = Ae−αt sen(wt + φ)
di(t)
= Ae−αt [−α · sen(wt + φ) + w · cos(wt + φ)]
dt
(1.56)
i(0+ ) = Asen(φ) = 0; φ=0
+
d(i(0 ) E E
= = Aw; A=
dt L Lw
E −α
i(t) = e sen(wt)
Lw
i(t) = E · 5.2 · 10−3 e−5000t sen(3805t)
Se presentan dos gráficos para poderlos distinguir, en el primero para los datos propuesto
anteriormente y el segundo para resaltar el efecto de la baja resistencia menos de la mitad
del crı́tico.
E −α 1 R
i(t) = e sen(wt); w2 = w02 − α2 ; w02 = ; α=
Lw LC 2L
E −αt E · R −αt
eR (t) = R · i(t) = R · e sen(wt) = e sen(wt)
Lw Lw
di(t) E −αt
eL (t) = L =L (e (−α · sen(wt) + w · cos(wt))
dt Lw (1.57)
w0 α
= E e−αt cos(wt + tg −1 ( ))
Z t w w
−αt
1 1 E −e w w
ec (t) = i(t)dt = ( sen(wt + tg −1 ( )) + 2 )
C 0 C Lw w0 α w0
w0 −αt w
= E[1 − e sen(wt + tg −1 ( ))]
w α
P. Miranda 23
Figure 1.20: Grafico de corriente i(t) L=50mH, C=0.5uF, R = 10KΩ sobreamortiguado, R = 628Ω Critico,
R = 500Ω subamortiguado
Figure 1.21: Grafico de corriente i(t) L=50mH, C=0.5uF, R = 10KΩ sobreamortiguado, R = 628Ω Critico,
R = 200Ω subamortiguado
Z t Z t
−αt
i(t) = e sen(wt); i(t)dt = e−αt sen(wt)dt (1.58)
0 0
a · sen(bx) − b · cos(bx)
Z
eax sen(bx)dx = eax
a2 + b 2
a · cos(bx) + b · sen(bx)
Z
eax cos(bx)dx = eax
a2 + b2
R R
Por partes, resulta.- Utilizando el método por partes udv = uv − vdu , tomando
en cuenta la receta de elegir el orden de selección de u y v ; Logarı́tmico, Inver-
sas, Algebraicas, Trigonométricas y Exponenciales (LIATE). En el ejemplo se requiere
Trigonométrica y luego Exponencial y resulta;
Z t
u = sen(wt) dv = e−αt dt
0
du e−αt
= w · cos(wt) v=
dt −α
Z t −αt Z t −αt
e e
e−αt sen(wt)dt = sen(wt) − w · cos(wt)dt
0 −α 0 −α
e−αt w t −αt
Z
= sen(wt) + e cos(wt)dt
−α α 0
u = cos(wt) dv = eαt dt
du e−αt (1.59)
= −w · sen(wt) v=
dt −α
−αt −αt
−w t −αt
Z
e w e
= sen(wt) + [ cos(wt) − e sen(wt)dt]
−α α −α −α 0
e−αt e−αt w2 t −αt
Z
= − 2 α · sen(wt) − 2 w · cos(wt) − 2 e sen(wt)dt]
α α α 0
Z t
α2 e−αt e−αt
e−αt sen(wt)dt = [ 2 ][− α · sen(wt) − w · cos(wt)]
0 α + w2 α2 α2
Z t
−αt −e−αt
e sen(wt)dt = [ 2 ][α · sen(wt) + w · cos(wt)] + C
0 α + w2
Por la formula de Euler Esta formula facilita las integrales exponenciales y trigonométricas.
Integración
Teorema del retardo
Función impulso
A continuación se incluye una tabla mas usada para la transformada y antitransformada,
que se utilizará para resolver los ejercicios.
17 Aeαt cos(wt + ϕ)
αS+β
p
A = w1 α2 w2 + (β − aα)2 (S+a)2 +w2
ϕ = −arctg β−aα
αw
Veamos dos procedimientos para el circuito de la figura 1.23. La ecuación 1.67 desarrolla
calculando la coorriente y luego el voltaje, la ecuación 1.68 supone el circuito en laplace y
encuentra el divisor de voltaje y luego laplace inverso. las funciones inversas regularmente
se las realiza usando las tablas.
R
i(t) 1 1
f (t) = R · i(t) + e(S) = ; XC (S) =
C S SC
1 1
1
f (S) = R · i(S) + i(S) eC (S) = ( SC
)
SC R+ 1
S
1 SC
S + RC
f (s) = R( )i(S) 1
S α=
1 RC
f (t) = u(t); f (S) = 1 1
S eC (S) = α( )
(1.67) S+α S (1.68)
1
α= A B
RC ec (S) = α( + )
1 S 1 S S+α
i(s) = ( ) 1
R S+α S A = ; B = −A
1 α
i(t) = e−αt 1 1
R eC (S) = −
R S S+α
i(t)
eC (t) = = 1 − eαt eC (t) = 1 − e−αt
C
Circuito RL .- de igual manera que la anterior para la gráfica de la fig. 1.24 se pre-
sentan las soluciones obtenidas.
SL S 1
eL (S) = e(s) =
R + SL S+RL
S
R 1 L
Con α= ; τ= =
L α R (1.69)
1
eL (S) =
S+α
eL (t) = e−αt = e−t/τ
Circuito RLC .- Para el circuito RLC de la afigura 1.25, se presentan tres situaciones,
onda amortiguada, amortiguamiento crı́tico y el subamortiguado representado en la figura
1.26.
Subamortiguado
α2 < w02
e(s) R 1
i(s) = ; α= ; w02 = ; w2 = w02 − α2
Z(s) 2L LC
L L (1.72)
Z(s) = (s2 + 2αs + w02 ) = [(s + α)2 + w2 ]
s s
1 ws E E w
i(s) = ( 2 2
) = ( )
Lw (s + α) + w s Lw (s + α)2 + w2
E −αt
i(t) = e sen(wt)
Lw
s α
eL (s) = sL · i(s) = E ; eL (t) = Ee−α [cos(wt) − sen(wt)] (1.76)
(s + α)2 + w2 w
1 1 1 1 s+α α w
eC (s) = i(s) = Ew0 2 2
= E[ − 2 2
− ]
sC (s + α) + w s s (s + α) + w w (s + α)2 + w2
α
eC (t) = E[1 − e−αt (cos(wt) + sen(wt))]
w
(1.77)
30 FIS241 Electrónica General
Figure 1.27: Grafico de Corriente para las tres opciones 1-sobre-amortiguado, 2-critico, 3-subamortiguado
Esto muestra que el proceso, sea por ecuaciones diferenciales o transformada de Laplace
los resultados son idénticos y serán como el de la figura 1.22.
Veamos la onda sub-amortiguada sobre la resistencia, sobre esta se medirá en laboratorio
haciendo pasar una onda exponencial virtual: con t1, t2 o t3 se mide τ y con T se mide
w , por tanto con la medida de t1 y t2 tal que t1 en V 1 y t2 en V 2 = V 1/2 se encuentra
t2 − t1 = t1/2 define α , la inversa es el τ = t1/2 /ln2 , también midiendo t3 en V 3 por
dos puntos se logra tau = (t3 − t1)/ln(V 1/V 3) . Con el periodo T de la onda senoidal se
mide la frecuencia f = 1/T que se repite y se define w = 2πf .
Z 1
1 −s
F (s) = e dt + 0
1 − e−2s 0
1 1 −s 1 1 − e−s
F (s) = (1 − e ) =
1 − e−2s s s (1 − e−s )(1 + e−s )
1 1
1 0+ ≤ t < 1 F (s) =
f (t) = s 1 + e−s
0 1+ ≤ t < 2 (1.79)
f (t) = 2 · g(t) − 1
1 1 1
F (s) = 2 ( −s
)− (1.80)
s 1+e s
1 1 − e−s
F (s) =
s 1 + e−s
t 0+ ≤ t < 1
f (t) =
2 − t 1+ ≤ t < 2
Z T Z 1 Z 2
1 −st 1 −st −st
F (s) = f (t)e dt = te dt + (2 − t)e dt
1 − e−sT 0 1 − e−2s 0 1
e−s e−s e−s e−s e−s e−2s
1 1
F (s) = ( 2− − 2 )+( + − 2 + 2 )
1 − e−2s s s s s s s s
(1.81)
−s 2
1 1 (1 − e ) 1
F (s) = −2s 2
(1 − 2e−s + e−2s ) = −s −s
1−e s (1 − e )(1 + e ) s2
1 1 − e−s
F (s) =
s2 1 + e−s
f(t) F(s)
tn−1 1
21 (n−1)! Sn
tn−1 1
22 Γ(n) Sn
···n > 0
tn−1 eat 1
23 (n−1)! (S−a)n
tn−1 eat 1
24 Γ(n) (S−a)n
sen(at) 1
25 a S 2 +a2
t2 sen(at) 3s2 −a2
26 2a (s2 +a2 )3
f(t) F(s)
ebt sen(at) sh(at)+at·ch(at) s2
27 1 41 2a (s2 −a2 )2
a (S−b)2 +a2
s3
28 t · cos(at) s2 −a2 42 ch(at) + 12 at · sh(at) (s2 −a2 )2
(s2 +a2 )2
s2 +a2
29 1 2
t cos(at) s3 −3a2 s 43 t · ch(at) (s2 −a2 )2
2 (s2 +a2 )3
s4 −6a2 s2 +a4 (3−a2 t2 )sen(at)−3at·cos(at) 1
30 1 3
t cos(at) 44 8a5 (s2 −a2 )3
6 (s2 +a2 )4
sh(at) 1 t·sen(at)−at2 cos(at) s
31 a S 2 −a2
45 8a3 (s2 +a2 )3
s (1+a2 t2 )sen(at)−at·cos(at) s2
32 ch(at) S 2 −a2 46 8a3 (s2 +a2 )3
ebt sh(at) 1 3t·sen(at)+at2 cos(at) s3
33 a (S−b)2 −a2 47 8a (s2 +a2 )3
s−b (3−a2 t2 )sen(at)+5at·cos(at)
34 ebt ch(at) (S−b)2 −a2 48 s4
8a (s2 +a2 )3
sen(at)−at·cos(at) 1 (8−a2 t2 )cos(at)−7at·sen(at)
35 s5
2a3 (s2 −a2 )2 49 8 (s2 +a2 )3
t·sen(at) s
36 2a (s2 +a2 )2
sen(at)+at·cos(at) s2
37 2a (s2 +a2 )2
s3
38 cos(at) − 12 at · sen(at) (s2 +a2 )2
at·ch(at)−sh(at) 1
39 2a3 (s2 −a2 )2
t·sh(at) s
40 2a (s2 −a2 )2
Nota: 0! = 1 , n=1,2,3, Γ(n)
P. Miranda 33
reset
E = 5 #fuente continua
R = 1000
C = 1E-6
tauC=R*C*1000 #escalamiento en tiempo
ec(x) = E*(1-exp(-x/tauC))
R=100
L=5E-2
tauL=L/R*1000 #escalamiento en tiempo
el(x) = E*exp(-x/tauL)
..............................................................................
34 FIS241 Electrónica General
reset
set terminal png size 640,360
set output "graf6.png"
#Amortiguamienteo Crı́tico
R = 2*L*w0 #Resistencia (critico)
a = R/(2*L) + 0 #alpha critico
g(x) = E/L*x*exp(-a*x) #ecuacion
#Sobreamortiguado
R1 = 1000
a1 = R1/(2*L)
D1 = -a1+sqrt(a1**2 - w0**2)
D2 = -a1-sqrt(a1**2 - w0**2)
f(x) = E/L*1/(D1-D2)*(exp(D1*x)-exp(D2*x))
# Subamortiguado
R2 = 500
a2 = R2/(2*L)
w = sqrt(w0**2-a2**2)
h(x) = E/L*1/w*exp(-a2*x)*sin(w*x)
...............................................................................
P. Miranda 35
Nuevo Ejemplo:
reset
set terminal png size 640,360
set output "graf8.png"
# Subamortiguado
R2 = 200
a2 = R2/(2*L)
w = sqrt(w0**2-a2**2)
SEMICONDUCTORES,
AMPLIFICADORES
2.1 Introducción
Se forman los conceptos sobre los cuales se desarrollaron la fabricación de los semiconductores, estos
son; el diodo rectificador, el diodo zener, los diodos emisores de luz (LEDs, Light Emiter Diodo), el
transistor NPN, el semiconductor complementario de óxido metálico ( CMOS - Complementary Metal
Oxide Semiconductor), en la figura 2.1 se observan los sı́mbolos de estos componentes. Posteriormente
se realizan las aplicaciones del diodo y del transistor, el diodo como rectificador y el transistor como
amplificación.
2.2 Semiconductores
Los elementos usados para conductores regularmente fueron el cobre, aluminio, hierro y otros por que
hay disponible un gran número de electrones libres que sirven como portadores de cargas en una corriente
eléctrica, mientras que en el otro extremo el no conductor denominado aislante está basado en goma o
combinaciones de carbone e hidrógeno donde sus electrones se encuentran bien unidos a sus átomos.
Se adjunta una fracción de la tabla periódica de elementos (TPE) para hacer referencia en cuanto a
metales y metaloides, las columnas son los grupos (G1 al G18) y en horizontal los periodos (P1 al P7).
Distinguimos además los elementos denominado Metaloides o semimetales (B, Si, Ge, As, Sb, Te, Po),
los elementos metálicos de postransición o menos reactivos (Al, Ga, In, Ti, Sn, Pb, Bi), y los elementos
no metales (C, N, P, O, S, Se). Como referencia en la industria el metal mas usado para conducción
eléctrica es el cobre Cu, y el plástico como aislante.
Según la TPE el silicio (Si) (G14,P3) y el germanio (Ge) (G4,P5), ambos pertenecen a la columna del
grupo 14 y tienen 4 electrones en su última capa (2s y 2p), estos pertenecen a la banda de valencia y
contribuyen a las propiedades quı́micas del átomo, el silicio en su forma cristalina al combinarse con
otros 4 electrones de sus vecinos tienen el enlace covalente estable al formarse octeto de electrones y se
comportan como aislantes.
G↓ 1 2 3-12 13 14 15 16 17 18
P → 1e 2e otros metales 3e 4e 5e 6e 7e 8e
1 H He
2 Li Be B C N O F Ne
3 Na Mg Al Si P S Cl Ar
4 K Ca Sc-Zn Ga Ge As Se Br Kr
5 Rb Sr Y-Cd In Sn Sb Te I Xe
6 Cs Ba Lu-Hg Ti Pb Bi Po At Rn
7 Fr Ra Lr-Cn Nh Fl Mc Lv Ts Og
En conducción eléctrica, una barra de silicio o germanio, polarizado por un voltaje se ve que la corriente
es mı́nima, todos los electrones están ligados al átomo en su banda de valencia, para que exista algunos
37
38 FIS241 Electrónica General
electrones libres que pasen a la banda de conducción hace falta elevar la temperatura para crear el flujo
de corriente, denominándose propiedades intrı́nsecas.
Añadiendo impurezas con átomos pentavalentes (P,As,Sb) o trivalentes (Al,Ga,In) el semiconductor esta
dopado y adquiere propiedades extrı́nsecas, con electrones libres o huecos en la banda de conducción.
Figure 2.2: Estructuras atómica a) cristal de silicio o germanio, b)Red tipo N donador,
c) Red tipo P aceptor
Semiconductor Tipo P Al dopar el silicio con elemento trivalente (Al, Ga, In), se logra una
estructura en el que falta un electrón para que el elemento dopador complete sus enlaces, este es un
hueco, por tal razón se le denomina átomo aceptor, puesto que en el hueco puede ser llenado por un
electrón externo. Los portadores mayoritarios serán los huecos y los minoritarios los electrones, en la
figura 2.2c se observa esta red, denominado semiconductor tipo P, pero el semiconductor permanece
neutro
Eléctricamente si conectamos a los semiconductores P o N como a una resistencia para saber el flujo de
corriente, se observa que la resistividad del semiconductor tipo P es baja y conduce por que los electrones
saltan de hueco en hueco, mientras que el tipo N contrariamente llega a un lı́mite donde los electrones
libres se agotan y queda el enlace fuerte y su resistividad es alta con lo que se convierte casi en un aislante.
2.2.2 Diodo
Al unir dos tipos de dopado de semiconductores P y N, se construye el denominado diodo, en la tecnologı́a
electrónica es de amplio uso.
Al soldar P y N aparece la juntura o la unión, donde los electrones libres del lado N pasan a llenar los
huecos del lado P, en la unión aparece una barrera de potencial eléctrico, en N se vuelve positivo y en P
negativo, una relación es:
kT ne nh
E= ln 2 V oltios (2.1)
q ni
donde k es la constante de Boltzmann = 1.38 · 10−23 Julios/o K (u 8.69 · 10−5 eV /grado ), T temper-
atura en o k , q la carga del electrón 1.602 · 10−19 coulombs , ni es la densidad de pares electrón-hueco,
ne y nh las densidades de electrones y huecos respectivamente en las regiones N y P el campo eléctrico
en la región N es positiva respecto a la P, hablamos de una barrera de espesor de un micrón ( 10−3 mm ).
En la figura 2.3 se ha esquematizado el diodo en tres etapas.
P. Miranda 39
Polarización Inversa Si al diodo se polariza con una fuente exterior V dc como en la figura 2.3b,
el negativo en P y el positivo en N, los electrones libre de N se van al positivo de la fuente, mientras que
en P los huecos se combinarán con los electrones que van por el cable del negativo, es decir que existe
portadores mayoritarios que crean un flujo de corriente despreciable io , en la unión el campo se incre-
mentará y a los electrones les costará atravesar del polo negativo hasta la unión, y asi haciendo crecer
el voltaje sin incrementar la corriente o sin conducir, pero repentinamente cuando el potencial alcanza
a un valor denominado Voltaje de Pico Inverso (VPI) o voltaje de ruptura VR el electrón atraviesa P
hasta ser acelerado por el campo de la unión, cruza N hasta el polo positivo de la fuente y se produce
alta corriente, se ha producido una avalancha, y la corriente es controlado solo por componentes externos.
Acotando lo que sucede con la resistencia dinámica del diodo podemos decir que inicialmente es alta luego
nVT
se aproxima al cero, es decir rd = dVdI , luego de la ecuación de corriente obtenemos que rd = I , la
pendiente exponencial crece en 1/rd .
2.2.3 Transistores
La primera publicación en 1948 por Barden y Brattain1 de un trabajo sobre un segundo contacto a
un diodo de germanio que mostraba que, cuando el segundo contacto se polarizaba en sentido inverso,
1
Premio Nobel de Fı́sica el año 1956 (8 años despues del artı́culo)
40 FIS241 Electrónica General
su corriente podı́a ser controlada por la que circulaba por el primero contacto polarizado en sentido
directo. Resulta asi un sistema con tres electrodos de estado sólido al que llamamos transistor. Este
primer transistor fue construido por fusión (contacto), es decir sobre un dopado N de 0.5mm de espesor
al que le llamaron Base se conectan dos dopados P, al primero le denominan Colector y al segundo
Emisor separados 0.05mm entre ellos, en la figura 2.5a observamos este transistor original, en 2.5b el
industrializado fabricado por técnica de crecimiento, y se han construido transistores PNP o NPN.
Figure 2.5: a) Transistor de Unión por Figure 2.6: Niveles de potencial pre-
fusión PNP, b) Transistor de unión por sentes en un transistro NPN; a) sin po-
crecimiento larizar, b) polarizado para funcionamiento
En la figura 2.5b entre base y emisor se presenta un diodo polarizado directamente como anteriormente se
explicó, entre base y colector se polariza inversamente, esto hace que el electrón en el emisor proveniente
de Vbe libremente llega al potencial de la base y varios se dirigen a la base pero como en el colector
existe un potencial mucho mayor, la mayorı́a de los electrones atraviesan la base y se dirigen al colector,
de esta forma se crea el flujo de electrones al colector. en la figura 2.6 se observa el transistor NPN sin
polarizar y polarizado, el potencial de colector es mas alto.
En consecuencia en la figura 2.7 se presentan los dos tipos de transistores con sus sı́mbolos usados.
Diferenciamos tres corrientes en la figura 2.7c ib , ie , ic estas tres corrientes están relacionados ;
dic
β= ]V c=cte. ∆ic = α∆ie (2.3)
dib
La corriente de base es
α
∆ib = ∆ic − ∆ie β= (2.4)
1−α
Un gráfico de estas relaciones se presenta en la figura 2.8 estas curvas permiten realizar diversos usos del
transistor.
2.3 Rectificadores
Se presenta los rectificadores de media onda y de onda completa.
P. Miranda 41
Ic
Ib
Ib
Vd Vc
Figure 2.9: Circuito rectificador de media onda y gráfico de ondas entrada salida
Un resumen de los rectificadores conduce a identificar los valores alternos y continuos, Vdc es el valor
continuo y Vac es el valor eficaz o alterno, con las relaciones;
s
1 T 1 T 2
Z Z
V dc = e(t)dt V ac = e (t)dt (2.5)
T 0 T 0
En la figura 2.11 observamos las ondas y los valores dependiendo del voltaje de pico Vp
Vp
ei 0 √
2
Vp Vp
eo [mo] π 2
2V p Vp
eo [oc] π
√
2
Figure 2.11: Onda generador (superior), Rectificador media onda (centro), Rectificador de
onda completa (inferior) y los valores Vdc y Vac (linea gruesa)
2.4.1 Transformador
El transformador es de amplio uso, tiene una bobina denominado primario y en la salida otro embobinado
el secundario, ambos montados sobre un núcleo de hierro que conduce el flujo magnético. La entrada por
lo general se conecta a la linea alterna 220Vac y el secundario se genera de acuerdo a un valor requerido,
ambos están relacionados por la potencia.
P. Miranda 43
P =e·i
Pp = Ps
np · ip = ns · is (2.6)
ep es
=
np ns
La potencia en el primario es igual a la del secundario, es la relación ideal sin tomar en cuenta pérdidas
por calor o flujo magnético. Las siguientes relaciones son usadas para relacionar el transformador.
Los subı́ndices denotan el primario p y el secundario s .
La linea eléctrica nacional es ep = 220V ac y la frecuencia es de 50Hz f = 50Hz , con estos datos se
deben elegir los demás parámetros ip , es , is para diseñar el tı́po de transformador, de una tabla técnica
salen np y ns que son los números de vueltas primario y secundario.
τ = R · C, V l = V p · e−t/τ (2.7)
t = T, τ =n·T (2.8)
44 FIS241 Electrónica General
Figure 2.13: Reguladores de media onda y onda completa con sus respectivas formas de
onda de salida para τ = 20ms = T , T = 20ms y f=50Hz
En el caso del regulador por rectificación de onda completa, el periodo se reduce a la mitad, los cálculos
para un T = 10ms , τ = 20ms = 2T se tiene e−1/2 = 0.6 ;
el rango de 0.1 a 100 en la figura superior, en la inferior se presenta una ampliación de la zona de interés
que es cuando Ep es pequeño, se a graficado en escala logarı́tmica para mejor observación.
Esta gráfica permite un rápido cálculo por simple inspección del rizado que se desea en la salida, regu-
larmente los rizados son inferiores al 5%.
Con la aproximación de la exponencial e−x = 1 − x para x pequeño, los cálculos se simplifican mucho
mas:
reset
set terminal png size 480,360
T = 20 #ms
w=2*pi/T
Vp =5;
set grid
set ytics 1
set yrange [-5:5]
set xtics 5
set xrange [0:40]
set format x "%3.0f"
set ylabel "Voltios"
set xlabel "Tiempo en milisegundos"
set output "ondas-rect-mediaonda.png"
f(x) = Vp*sin(w*x)
g(x) = f(x)-0.6>0 ? f(x)-0.6: 0
plot [][] f(x) lw 2 t ’ei’, g(x) lw 3 t ’eo’
#.................
set terminal png size 640,480
set output "ondas-rectificadores.png"
set format x "%3.0f"
set format y "%3.1f"
set ytics 2.5
set multiplot layout 3,1
set ylabel "V Amplitud"
set xlabel "Onda Senoidal" 0,0.5
plot [][]f(x) t ’ei’,0 lw 2 t ’Vdc=0’,Vp/sqrt(2) lw 3 t ’Vac’
reset
set terminal png
set output "ondas-regulador100ms.png"
Vl=Vp*exp(-a*T)
Vrp=(Vp-Vl)/2
Vdc=Vl+Vrp
Vac=Vrp/sqrt(3)
set xtics T/4
plot [][0:Vp+1]h(x) w lp 0, g(x) w l lt 1 t ’eo’, Vl lw 1, Vdc lw 3 ,Vac lw 2
set multiplot layout 2,1 title "Estudio del Rizado (Ep Vs tau)"
set ylabel "Ep Rizado (%)\n"
Vp=100 # V de pico o 100%
#Epp=Vp*(1-exp(-t/tau))
f(x)=Vp/2.*(1-exp(-1/x))
g(x)=Vp/2.*(1-exp(-1/x/2.))
set log x
plot [0.1:100][0:0.6*Vp]f(x) t ’media onda’ ,g(x) lw 3 t ’Onda Completa’
set xlabel "n = Tau/T [escala log ]" 0,0.5
set log y
set format y "%3.1f"
set ylabel "Ep Rizado (%)\n [escala log]"
plot [0.1:100][0.1:0.6*Vp]f(x) t ’media onda’ ,g(x) lw 3 t ’Onda Completa’
unset multiplot
set output
set terminal x11
50 FIS241 Electrónica General
Rc
Vc
Rb
Vb B C Ic Ic = B · Ib
Vce
Vcc
Vbb
Vbe
E Ie = Ib + Ic
Ve
Ib
Ie
V cc = VRc + V ce (2.13)
V bb = VRb + V be
V be = 0.6V
Figure 2.17: Polarización de un transistor
NPN
Ic
Vd Vc
Donde V m = nkt/q
Entre colector y emisor a una fuente de
corriente como se vera mas adelante.
Figure 2.18: Curva B-E y C-E del transistor NPN
P. Miranda 51
2.7 Autopolarización
Vcc
Ic
Rb Rc Ib = = 50uA
Ic = B · Ib B
Ic Vc
V cc = VRb + V be V cc
V ce = = 6V
Vb Ib 2
V cc = VRc + V ce
V cc − V be
V be = 0.6 (2.15) Rb =
Ve Ib
Ie B = 100 Rb = 228KΩ
Ic = 5mA V cc − V ce
Rc =
V cc = 12V Ic
Figure 2.19: Auto polar- Rc = 1.2kΩ
ización usando solo Vcc
Ic
Vbb/Rbb
Vcc/Rc
Ib
Q Ib
Vd Vbb Vc Vcc
El voltaje de polarización de diodo entre base y emisor V b produce la corriente Ib , esta es proyectada
a la recta de carga en colector y se logra el punto Q de polarización, le corresponde una corriente Ic ,
según las consideraciones de polarización.
Vcc
Ic = B · Ib I1 = 10 · Ib
Rc
R1 V cc = VR1 + VR2 I2 = 9 · Ib
I1 Ic V cc = 10V
Vc V cc = VRc + V ce
Vb Ib Ic = 5mA
I1 = I2 + Ib
R2
Ve
V cc − VR2 (2.16) B = 100
R1 =
I2 I1
Ie
VR2 Ib = 50uA
R2 =
I2 R1 = 18.8KΩ
V cc − V ce
Figure 2.21: Auto polar- Rc = R2 = 1.3KΩ
Ic
ización estable Rc = 1KΩ
Vcc Ic = B · Ib
V cc = 10V
V cc = VR1 + VR2
Ic = 5mA
Rc V cc = VRc + V c
R1 B = 100
I1 Ic Vc V c = V ce + V e
Ib = 50uA
Vb Ib V b = VR2 = V e + V be
V c = V cc/2 = 5V
I2
V cc − VR2
R1 = V e = V c/10 = 0.5V
R2 Ve I1
VR2 (2.17) I1 = 10 · Ib
Re R2 =
Ie
I2 I2 = 9 · Ib
V cc − V c Rc = 1KΩ
Rc =
Ic
Ve Re = 100Ω
Figure 2.22: Auto po- Re = Ie VR2 = V b = 1.1V
larización del transistor NPN Ie = Ib + Ic R1 = 17.8KΩ
con resistencia en emisor
I1 = I2 + Ib R2 = 2.4KΩ
2.8 Amplificación
La amplificación consiste en amplificar un voltaje pequeño en otro mayor, sin embargo el proceso del
transistor NPN es amplificar corriente con la relación Ic = B · Ib . En bloques podemos representar
mediante la figura 2.23
ein
eout
Av
eout Av = (2.18)
Zin Zout ein
Iout
AI = (2.19)
Iin
Figure 2.23: Esquema en bloque de un amplificador Zout
AZ = (2.20)
Zin
En la entrada ein existe una corriente de entrada ein e impedancia de entrada Zin, en la salida eout
una corriente de salida Iout e impedancia de salida Zout. ası́ como existe ganancia de voltaje existe
ganancia de corriente y ganancia o transferencia de impedancia
Una representación para estudio entre la entrada y la salida son los cuadripolos. Entrada o salida se
P. Miranda 53
B Ib Ic
C Ib Ic
+
B C
+
+
hie hfe Ib
+
+ -1 hie
hoe hfe Ib
hre Vce
- E - - E -
Figure 2.24: Circuito equivalente hı́brido del transistor, completo (izq.) y reducido (der.)
En la práctica se usa el circuito reducido, la entrada se reduce a una resistencia hie anulando la fuente
hre ∼= 0 por ser muy pequeña la influencia, la salida a una fuente de corriente hf e · Ib y anulando
la resistencia hoe ∼= 0 (conductancia infinita), y Con hf e ∼ = β se logra reducir cálculos y tendremos
aproximación razonable.
Los circuitos anteriores se convierten en amplificadores de voltaje introduciendo señal alterna en la base
usando un capacitor C1 como acoplador de señal alterna, evitando despolarización del circuito debido a
la resistencia baja de ein . La salida se toma en el colector.
Vcc
Vcc Vcc
Vb
Rb Rc
Rc Rc
R1 R1
Ic eo
eout Ic eo I1 Ic
C1 I1
Ib Vc C1 C1
Ib Vc
Vb Ib Vc Vb
I2 I2 Ve
Ve ei ei
Ie Ve R2 Re
ei R2
Ie Ie
Figure 2.25: Amplificadores con señal de entrada en la base del transistor y salida en el colector.
2.8.1 Cuadripolos
Se incluye este apartado como ilustración, no como tema a conocer con las aplicaciones, es para acercarnos
al equivalente del transistor.
Consideramos el cuadripolo de la figura 2.26, este dispone dos entradas y dos salidas, se supone que
dentro del cuadripolo existen componentes activos y pasivos.
Las ecuaciones fundamentales del cuadripolo relacionan las cuatro magnitudes caracterı́sticas; Magnitudes
de entrada: U1, I1 y Magnitudes de salida: U2,I2
Para su estudio, mediante los métodos de mallas y nudos se construyen tres tipos de matrices de;
admitancia , impedancia , y transferencia . Este último se usa como matriz hı́brida para el transistor.
Cuadripolo pasivo
Están basadas en el uso de elementos pasivos R,L,C, basta que haya un elemento se estudia desde el
punto de vista de cuadripolo. Como ejemplo en la figura 2.26 se consideran el cuadripolo en bloques y
dos cuadripolos básicos en T y en Π .
54 FIS241 Electrónica General
I1 I2
Z1 Z2 Z
U1 U2 Y Y1 Y2
Encontrando los coeficientes de cada matriz por separado, se pasa a combinar, supongamos dos cuadripo-
los y las posibilidades de; serie, paralelo y secuencial, resultará sencillo el análisis mediante cuadripolos
usando el álgebra matricial.
Cuadripolo activo
Para el transistores, debido a la ganancia de corriente, la forma de representar su circuito equivalente es
usando la matriz hı́brida;
U1 h h12 I U1 I
= 11 × 1 o = [M ] 1 (2.24)
I2 h21 h22 U2 I2 U2
El circuito se encuentra representado en la figura 2.28 caso a) ; h11 es la impedancia de la entrada, h12
es la transferencia de voltaje de salida o aporte en la entrada , h21 es la ganancia de corriente directa y
h22 es la conductancia en la salida.
El transistor puede ser usado en forma de; base común, colector común y emisor común, como se indica
en la fig.2.27, estos tienen cada uno su circuito equivalente como se describe en la fig.2.28.
C B C C
B B
E E E
Para continuar con el análisis del transistor como amplificador optaremos por el uso de emisor común.
P. Miranda 55
Figure 2.28: Circuito equivalentes para: a) General, b) Base común, c) Colector común, y d)
Emisor común
hie = 500Ω
ei = hie · ib ei = (Rb||hie)is
hf e = 100
eo = −Rc · ic Zin = hie
(2.25) Rc = 1.2KΩ
ic = hf e · ib Rb >> Zin
Av = −240
eo hf e Zout = Rc
Av = − = − Rc Ai = hf e
ei hie
La reducción a las cuatro ecuaciones simples se debe a las consideraciones; en la entrada si is es la
corriente de la fuente ei y va por Rb y hie, debemos tomar el paralelo, pero se ve que por los valores
Rb es mucho mayor que hie además que ei consideraremos ideal.
La señal de entrada ei a través de hie produce la corriente de entrada ib , esta corriente se proyecta a
Ic eout Ic eout
C Ib Ib
B
hie ein hie
E
ei Rb ein hfe Ib hfe Ib
Rc Rb Rc Rc
Ie Ie
Figure 2.29: Etapas de análisis alterno con circuito equivalente del transistor
56 FIS241 Electrónica General
la recta de carga y genera la corriente ic , luego la corriente ic fluye sobre la resistencia Rc formando
el voltaje de salida eo (o ec ) amplificada e invertida frente a ei , como se indica en las ecuaciones;
hf e
eo = −Av · ei eo = − Rc · ei (2.26)
hie
este proceso es la base de la amplificación con el transistor BJT y otros.
Ic eout Ic eout
C Ib Ib
B
hie ein hie
E
ein Rc ein Rb hfe Ib hfe Ib
Rc Rc
R1 R2
Ie Ie
Notamos que la única diferencia es la resistencia en la entrada formada por el paralelo Rb = R1||R2 ,
haciendo que Rb ya no es mucho mayor que hie , sin embargo haciendo ideal ein también puede
analizarse de la misma manera.
ei = Zi · is
eo = −Rc · ic ei = Zin · is hie = 500Ω
ic = hf e · ib Zin = (Rb||hie) hf e = 100
ei (2.27) Rb > hie Rc = 1.2KΩ
ib =
hie Zout = Rc Av = −240
eo hf e Ai = hf e
Av = − = − Rc
ei hie
Ic eout Ic eout
C Ib Ib
B
hie ein hie
E
ein Rc ein hfe Ib hfe Ib
Rc Rc
R1 R2 Rb
Re Ie Ie
Re Re
hie = 500Ω
ei = hie · ib + Re(ib + ic)
−Rc·hf e hf e = β = 100
eo = −Rc · ic Av = hie+Re(1+hf e)
Vb = 1.1V
ic = hf e · ib 1 + hf e ≈ hf e
R1 = 17.8KΩ
ei = (hie + Re(1 + hf e)) · ib Re · hf e > hie
(2.28) R2 = 2.4KΩ
ei = Zi · ib Zi ≈ Re · hf e
Rc = 1KΩ
Zi = hie + Re(1 + hf e) Zout = Rc
−Rc
Re = 100Ω
eo −Rc · hf e Av = Re −1000Ω
Av = = Av = = −10
ei Zi 100Ω
En resumen, la ecuación de ganancia se reduce a una simple fracción de resultado aproximado de; re-
sistencia de colector sobre la resistencia de emisor, claro considerando las aproximaciones necesarias.
−Rc
Av = (2.29)
Re
Al considerar este amplificador tı́pico, y la ecuación 2.29 los cálculos mas bien pueden ser calculadas
según las consideración de la ganancia.
is = iRb + ib
Zi = hie + Re(1 + hf e)
ei
iRb = Zout·(−hf e·ib)
Av = Zin·( Zi +1)·ib −(Rc k RL) · hf e
Rb Rb Av =
ei −Zout·hf e hie + Re(1 + hf e)
ib = Av = Zin·( Zi (2.32)
Zi Rb +1) hie + Re(1 + hf e) ≈ Re · hf e
Zi Av = −(RckRL)·hf e
is = ( + 1) · ib Zi −(Rc k RL)
Rb Av ∼=
(2.31) Re
Nuevamente la ecuación resultante es la relación de la resistencia de salida sobre la resistencia de emisor.
Mediante esta podemos recalcular los valores de polarización.
El efecto de RL lo dibujamos sobre la recta de carga, la amplitud esta reducida y la recta de carga es
dinámica.
58 FIS241 Electrónica General
Vcc
Rc
R1
I1 Ic
C2 eo Zout = Rc k RL
C1
Vb Ib Vc Zin = Rb k Zi
I2 Ve
ei RL
Zi = hie + Re · (1 + hf e)
R2 Re eo (2.30)
Ie
Av =
ei
Zout · (−ic)
Av =
Zin · is
Figure 2.33: Amplificador tı́pico con re-
sistencia de carga RL
B ib C
eo ic
Q hie
ei E hfe
ei
Rc RL Rc||RL
Re Re
R1 R2
Rb
Ic
IcMax
Q Ib
Vcc
ec
Vcc
ib ic
Rc eo
R1 B C
eo Q
I1 Ic
C1 ei ei
Ib Vc hie
Vb
hfe ib Rc
I2 Ve
Rc Rb E
ei R1 Re
R2 Ce
R2 Re
Ce
Ie
La ecuación es nuevamente dependiente de los parámetros del transistor, hf e y hie . Sin embargo, esto
permite tener otro control en emisor, por ejemplo subdividir en dos la Re parara que en bajas frecuencias
se tenga menor ganancia y en frecuencias medias mayor ganancia Av = eo ei .
Rb R1 Rc
R1 Cc
I1 Ic Ic
Vc I1 Vc I1 Ic
C1 C1 Vc
Vb Ib Ib C1
Vb Vb Ib
Ve Ve
eo I2 Ve C2
eo I2 eo
ei ei ei
Re R2 Re R2 Re
Ie RL
Ie Ie
El primer circuito, es el mas simple, se polariza solo con tres componentes, mediante un capacitor C1 se
acopla la señal de entrada y la salida es por emisor. El análisis en alterno se muestra en la figura 2.39
Ib Ic
hie
ei hfe ib
ei eo
Rb
Re Rb Re
eo = Re · ie
V b = V be + V Re
Zin = Rb k Zi
Ie = Ic + Ib
Zi = hie + Re(1 + hf e)
Ic = β · Ib
Zout = Re
V e = V cc/2
ei = Zi · ib
V cc = 5V
(2.34) io ie (2.35)
Ic = 3mA Ai = = = hf e
ii ib
β = 100 eo Re · ie
Av = =
Ib = Ic/β = 30uA ei Zi · ib
Re = V e/Ie = 830Ω Re · (1 + hf e)
Av =
hie + Re(1 + hf e)
R1 = (V cc − V b)/Ib = 63KΩ
∼
Av = 1
La ganancia de voltaje Av = 1 , la ganancia de corriente es Av = hf e , la impedancia de entrada
Zin ∼
= Rb puesto que Zi ∼= Re · hf e ∼
= 100KΩ , y la impedancia de salida es Zout = Re .
En el tercer circuito como se puede ver el colector tiene la Rc en paralelo a un capacitor Cc , este
capacitor en frecuencia media Xc << Rc por lo que se crea una tierra virtual en colector. La salida
Zout = Re k RL es usado para adaptar impedancias de salida Re a otra RL , por ejemplo al conectar
a un cable coaxial de 50Ω , para esto incluso Re debe ser de 50Ω . Sin embargo las ecuaciones son las
mismas, y la ganancia Av = 1 y Ai = hf e .
Vcc Vcc
Vcc
Rc RL
Rc Rc
R1 R1 C2
Ic eo eo eo
I1 Ic Ic
Vc Vc I1
Vb Ib Ib Vc
Vb Vb Ib
Ve Ve RL
Ve C1
ei Cb I2
Cb ei
Ie
Re R2 Re
Re ei
Ie Ie
-Vee
La entrada de la señal es vı́a emisor, y la salida es vı́a colector, para este caso en la figura 2.41 se muestra
el circuito equivalente del análisis.
Vb=0
− V ee = V be + V Re
eo = Rc · (−ic)
V cc + V ee = V Rc + V ce + V Re
Zin = Re k hie
Ie = Ic + Ib
Zout = Rc
Ic = β · Ib
Ai = 1
V e = −V be = 0.6V
(2.36) eo Rc · (−ic) (2.37)
V cc = 5V Av = =
ei Re(1 + hf e) · ib
V ee = −5V −Rc · hf e
Av =
Ic = 3mA, β = 100 hie + Re(1 + hf e)
Ib = Ic/β = 30uA −Rc
Av =
Re = (V ee − V e)/Ie = 1.5KΩ Re
Rc = (V cc − V c)/Ic = 830Ω
En el segundo y tercer circuito de la figura 2.40 se tiene la autopolarización desde una sola fuente, y para
generar la tierra virtual se incorpora un capacitor Cb , este ara la corriente alterna es un cortocircuito,
si Xc < Rb . luego el análisis es el mismo considerando las salidas y entradas.
e1 e2 e3 e4
ei A1 A2 A3 eo
Z1i Z1o Z2i Z2o Z3i Z3o
Los amplificadores pueden ser puestos en cascada con algún fin, si fuera amplificación de voltaje para
amplificar una señal baja, las ecuaciones serán.
eo e4 e3 e2
Av = , Av = · · , Av = Av1 · Av2 · Av3 (2.38)
ei e3 e2 e1
Si las tres etapas son similares por ejemplo Av1 = 20 , la ganancia total será Av = 20 · 20 · 20 resulta
Av = 8000 .
Las impedancia de entrada Zin de cada etapa se convierten en la impedancia de carga ( RL ) como se
vio antes.
Acoplamiento Entre etapa y etapa pueden ser; dc y ac , dc es de corriente continua y las bases
de los transistores de Av2 y Av3 se conectan directamente a la salida. En el caso alterno se usa el
capacitor de acoplamiento entre cada etapa, como en la figura 2.43.
C2
C3
e1 e2 e3 e4
ei A1 A2 A3 eo
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
3.1 Introducción
Es el uso de un componente objetivamente elaborado para simplificar el uso de los amplificadores con
transistores, se basa en el Amplificador Diferencial (AD), cada etapa dos transistores, uniendo en cas-
cada se logra el Amplificador Operacional (AO). Este componente fue ampliamente usado para amplificar
señales de media frecuencia, en la actualidad se dispone de AO para alta frecuencia. Como su nombre lo
describe, realiza todas las operaciones matemáticas conocidas, lo que ha facilitado la solución de ecua-
ciones diferenciales ordinarias (EDO), actualmente podemos simular EDO de segundo grado fácilmente
como se lo verá.
Otro campo importante en el que se utiliza el AO es en circuitos instrumentales, creando de esta forma
estaciones de medida de diferentes variables, especialmente previo a los conversores análogo en digital
(ADC).
Pasamos a desarrollar los temas, para que en un laboratorios se pueda practicar las experiencias.
e− = Entrada.N egativa
e+ = Entrada.P ositiva
Zin > 105 Ω
Av = Ganancia.Interna.del.AO
Av > 105
Rs = Resistencia.de.salida
Figure 3.1: Esquema del Amplificador eo = V oltaje.de.salida
Operacional V cc = Aliment.positiva
V ee = Aliment.negativa
La ecuación resultante mas destacada es el voltaje de salida tomando en cuenta la ganancia interna Av
con un alto valor;
eo = Av · (e− − e+ ) (3.1)
El dato Av es el producto de las ganancias internas, asumiendo que el AO tiene cuatro etapas similares
de ganancia 20 (A1=A2=A3=A4=20) tenemos 204 = 16 · 104 este valor ya es alto, claro en el caso de
circuito abierto.
Este A.O. es usado ampliamente por que simplifica el diseño de amplificadores y reducen etapas.
63
64 FIS241 Electrónica General
eo = a1 · e1 + a2 · e2 + a3 · e3 + a4 · e4 + a5 · e5 (3.2)
Los coeficientes a1 , a2 , a3 , a4 , a5 pueden ser positivos o negativos, con lo cual estamos construyendo el
sumador restador inversor.
De igual forma usando un capacitor o una bobina, se construye los derivadores e integradores. Con todas
estas opciones podemos también realizar solución de ecuaciones diferenciales y simular lo prendido en
mecánica.
Σi = 0
i1 + i2 + i3 = 0
ei − e− eo − e− e+ − e−
+ + =0
R1 RF Zin
e+ = 0 (3.3)
eo
e− − e+ = ≈0
Av
Figure 3.2: Amplificador inversor e− = e+
eo −RF
=
ei R1
Incorporamos el concepto de la ganancia de Voltaje ya sea con la letra A o G, pero como se puede ver,
está relacionado con los únicos componentes de realimentación y el de entrada, generalizando tenemos
que A = eeoi .
ZF
A=− (3.4)
Z1
El signo negativo determina que es un amplificador inversor.
El caso particular es cuando ZF = Z1 tenemos un inversor, A = 1 y eo = −ei
RF
R1 i1
i2 Σi = 0
eo i1 + i2 + i3 = 0
i3
ei AO ei = e+ = e−
0−e− −e− + −e−
R1
+ eoRF + e Zin =0
+ −
−e
i3 = e Zin ≈0
eo RF
Figure 3.3: Amplificador no inversor ei
= 1 + R1
R1 i1 i2 RF i3 = 0
e1
i1 + i2 = 0
i3
eo ei − e− eo − e−
R2 i5 i4 + =0
e2 R1 RF
AO
i6 ei eo 1 1
R3 + − e− ( + )=0 (3.6)
R1 RF R1 RF
e+ = e− = α · e2
R3
Figure 3.4: Restador, usa ambas en-
α=
R2 + R3
tradas RF RF
eo = − · e1 + (1 + ) · α · e2
R1 R1
Destacamos algunas igualdades, primero que la ganancia es algo esperado de las ecuaciones anteriores,
esto da;
eo = G · α · e2 − |A| · e1 o eo = a2 · e2 − a1 · e1 (3.7)
el resultado mas simple es pensar que si toda las resistencias son iguales, α = 1/2 y luego |A| = 1 ,
G = 2 y la ecuación es el restador:
eo = e2 − e1 (3.8)
R1 i1 i3 RF
e1
i1 + i2 + i3 + i4 = 0
R2 i2 i4
e2 i4 = 0;
eo
e− = e+ = 0
AO e1 e2 eo (3.9)
+ + =0
R1 R2 RF
RF RF
Figure 3.5: Sumador inversor eo = − e1 − e2
R1 R2
eo = −a1 · e1 − a2 · e2 (3.10)
66 FIS241 Electrónica General
donde A1 = − RF RF
R1 y A2 = − R2 , son las ganancias inversoras individuales, como en anteriores casos
suponiendo que las ganancias son iguales a la unidad, tendremos;
eo = −(e1 + e2 ) (3.11)
i1 + i2 = 0
R1 i1 i2 RF e− = e+
eo 1 1
i3 − e− ( + )=0
eo RF R1 RF
R2 i5 i4 RF −
e1
AO
eo = (1 + )e
i6 R1
e2 i7 i5 + i6 + i7 = 0 (3.12)
R3
R4 e1 − e+ e2 − e+ 0 − e+
+ + =0
R2 R3 R4
1 1 1 1 1
− e+ ( + + ) + e1 + e2 =0
R2 R3 R4 R2 R3
Figure 3.6: Sumador noinversor Y2 Y3
e+ = e1 + e2
Y2+Y3+Y4 Y2+Y3+Y4
Con la finalidad de captar los divisores de voltaje debido a las dos entradas e1 y e2 ,veamos la ilustración
gráfica de la figura 3.7.
R3 R3
R2 R2 e2 e+
e1 e+ e2 e+
e1 e+
e2 Ry
R3 R3 R2 R4
R4 R4
En e+ existe un divisor de voltaje de dos fuentes entonces es la suma de los divisores de voltaje, es decir:
e+ = α1 · e1 |e2 =0 + α2 · e2 |e1 =0 (3.15)
por tanto los divisores de voltaje contienen resistencias en paralelo.
Rx Ry
Rx = R3||R4; α1 = ; Ry = R2||R4; α2 = (3.16)
R2 + Rx R3 + Ry
desarrollando nuestras ecuaciones de α1 y α2 , encontramos que:
Rx Y2 Ry Y3
= y = (3.17)
R2 + Rx Y2+Y3+Y4 R3 + Ry Y2+Y3+Y4
P. Miranda 67
Es decir que esta vı́a es mas simple el análisis y tendremos que la ganancia del circuito de la figura 3.6:
RF RF
eo = (1 + )α1 · e1 + (1 + )α2 · e2 (3.18)
R1 R1
Asumiendo que RF=2R1 y las resistencias R2=R3=R4;
RF 1
1+ = 3; α1 = α2 = ; eo = e1 + e2 (3.19)
R1 3
di(t)
eL (t) = L ; eL (s) = L(S · i(s) − i(0+ )) = SL · i(s); XL (s) = SL (3.21)
dt
De esta forma se podrá utilizar la ganancia mas simple:
Zf (s)
A(s) = − (3.22)
Z1 (s)
i1 + i2 + i3 = 0
e− = e+ = 0
eo ei
1 + = 0
SC
R1
1 ei (s)
eo (s) = −
SC R1
1 ei (s)
eo (s) = −
Figure 3.8: Integrador con capacitor R1 · CZ S
1
eo (t) = − ei (t) · dt
R1 C
i1 + i2 + i3 = 0
i3 = 0
−
e = e+ = 0
eo ei
RF
+ SL =0
eo (s) = −RF eSL
i (s)
1 ei (s)
eo (s) = − L/R F S
Figure 3.9: Integrador con bobina
τ = L/RF
eo (t) = − τ1 ei (t) · dt
R
i1 + i2 = 0
e− = e+ = 0
eo
RF
+ e1i = 0
SC
SL i1 + i2 = 0
R1 i1
i2 e− = e+ = 0
eo
eo ei
ei i3
+ = 0
SL R1
ei (s)
eo (s) = −SL
R1
τ = L/R1
Figure 3.11: Derivador con bobina
d(ei (t))
eo (t) = −τ
dt
i1 + i2 = 0
i2 = id
e− = e+ = 0
ei
+ id = 0
R1
Vd ei
−I0 · e V m = −
R1
−V d ei
e Vm =
R1 · I0
Figure 3.12: Amplificador Logarı́tmico ei
V d = −V m · ln( )
R1 · I0
eo ≈ −V m · ln ei
i1 + i2 = 0
RF i1 = id
i2 ei = V d
Vd i1
eo e− = e+ = 0
ei i3
eo
id + =0
RF
ei eo
I0 · e V m = −
RF
Figure 3.13: Amplificador Antilogar- ei eo
itmo eVm =
RF · I0
ei
eo = RF I0 · ln−1
Vm
V1 A1
V’1 R3
R2
V1-V2 R3
A3
V3
R1 R2
R3
R3
V2 V’2
A2
a · Ÿ + b · Ẏ + c · Y = F (3.30)
Usando A.O. para simular la ecuación, despejamos Ÿ y luego usando sumadores e integradores podemos
conformar el circuito.
b c
Ÿ = − · Ẏ − · Y + F (3.31)
a b
Pero observando la ecuación podemos integrar dos veces y disponer las señales de Ẏ y la solución Y .
Bosquejando y realimentando señales obtenemos el circuito.
.. .
Y -Y Y
Y(t)
-c/aY
-c/a
. +
-b/aY
b/a
F sw
La solución puede depender de señal externa F, de valores iniciales de velocidad o desplazamiento Ẏ (0+ )
o Y (0+ ) .
Un ejemplo completo para el caso de una masa M conectado a un resorte y una fuerza F todo dentro de
un lı́quido viscoso, se encuentra en el libro oficial de Brophy [2].
Figure 3.17: Esquema de una computadora analógica, empleada para resolver la ecuación
diferencial de un oscilador armónico[1]
72 FIS241 Electrónica General
Chapter 4
Ic
Vcc Ibn
Rc
B Ib
Rb
A Q
Ib1
Vc Vcc
Vout
Si Vcc es alimentación y vale 5 Voltios, Vc en esta situación, está limitada a voltaje de saturación (¡0.8V)
o voltaje de corte (¿3V). Por la base se conecta a una entrada de voltajes que bascula entre nivel bajo 0V
y nivel alto 5V, Las corrientes Ib e Ic ya no estarán relacionados estrictamente como en la zona análoga.
V b − V be V cc − V csat
Ib = ; Ic = ; Ic 6= β · Ib (4.1)
Rb Rc
En resumen la entrada es A y salida B, para el voltaje de entrada A:
En nivel bajo (A=0V) o nivel lógico 0, la Ib = 0 . En colector V c = V cc ( V c = 5V ), se le denominará
en corte o nivel lógico 1, B=1.
En nivel alto (A=5V) o nivel lógico 1, la Ib > 0 . En colector V c = 0 , se le denomina en saturación o
nivel lógico 0, B=0.
Los niveles de voltaje cero y uno, tienen tolerancias como en la figura 4.2
5V
A B = Ā
1
3.3V 0 1
A B
1 0
1V
0
Figure 4.3: Compuerta NO Figure 4.4: Estados
Figure 4.2: Niveles lógicos 0 y 1 Lógicos del NO
73
74 FIS241 Electrónica General
Vcc
Vcc
Vcc
Rc
Rc
Rc1
C
C´ C
Rb1
Rb1 Rb
A Q1
A Q3
Q1
Rb2
B Q2 Rb2
B Q2
Figure 4.5: Ciruito digital NAND con Figure 4.6: Ciruito digital AND con transistores
transistores
Los circuitos equivalentes como compuertas lógicas y las tabla de verdad se presentan en la figura siguiente;
NAND AND
A C A C
A B C =A·B C =A·B
B B
0 0 1 0
Figure 4.7: Compuerta Figure 4.8: 0 1 1 0
Compuerta
NAND C = A · B 1 0 1 0
AND C = A · B
1 1 0 1
Vcc
Vcc Vcc
Rc
C Rc
Rc1 Rb
C´ C
Rb1 Rb2
A Q2 B Rb1 Rb2
Q1 A Q3
Q1 Q2 B
Figure 4.9: Circuito NOR con transis- Figure 4.10: Circuito OR con transistores
tores
Los circuitos equivalentes y las respuesta en tabla de combinaciones posibles se observa en la figura 4.11
y 4.12
En la practica, solo falta comparar el funcionamiento del transistor en las zonas corte y saturación, en la
figura 4.13 se simulan estos circuitos NO, NAND, NOR.
P. Miranda 75
A C A C NOR OR
B B A B C =A+B C =A+B
0 0 1 0
Figure 4.11: Com- Figure 4.12: Com- 0 1 0 1
puerta NOR C = puerta OR C = A + 1 0 0 1
A+B B 1 1 0 1
A
AB
XOR NXOR
B A B A
A B C =A⊕B C =A⊕B
C
B
C
0 0 0 1
AB
0 1 1 0
1 0 1 0
Figure 4.14: Circuito XOR 1 1 0 1
Todas las compuertas básicas, con dos entradas (A y B), tienen cuatro combinaciones lógicas. Estas com-
binaciones lógicas en general pueden producir 16 combinaciones diferentes de respuestas f0 , f1 , f2 ..f15 ,
como se muestra en el cuadro.
n A B 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1
1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1
2 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1
3 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1
+ A B ⊕ × × ⊕ B A +
Cada una de las 15 respuestas, se expresan en forma de suma de productos ( ΣΠ ), en la parte inferior
se tienen las diez que podemos identificar de los cuadros anteriores, estos son: NOR, A , B , etc. las
que no fueron identificados son la; f2 , y su negado f13 , al igual que f4 y f11 . construyendo tenemos:
f2 (A, B) = A · B (4.2)
A A fx
circ. fn circ.
fy
comb. comb.
B B fz
A
XY
AB
f13 (A, B) = (0, 2, 3)
B B+AB
f13 = A · B + A · B + A · B C
f13 = (A + A) · B + A · B B
f13 = B + AB
El teorema mas interesante es el Teorema de Morgan, este facilita reducción de una función nueva que
se presenta regularmente, por ejemplo si f13 negamos dos veces y se reduce a f13 = B + A .
X10 → X2 (4.4)
3272 = 1 · 28 + 0 · 27 + 1 · 26 + 0 · 25 + 0 · 24 + 0 · 23 + 1 · 22 + 1 · 21 + 1 · 20 (4.6)
P. Miranda 77
327 2 8 4 0
2 2 2
1 163 2
1 81 2
1 40 2
0001 0100 0111
0 20 2
0 10 2
0 5 2
101000111 1 2 2
0 1
En el siguiente cuadro se determinan los números binarios interpretados como; Decimal X10 o Xd ,
binario X2 o Xb , Hexadecimal X16 o Xh , Octal X8 o Xo , Binary Code Decimal (BCD) X10 .
Del ejemplo, el número 32710 = 14716 , expresando en base 16, esto es: 1 · 162 + 4 · 161 + 7 · 160 . Del
número hexadecimal cada uno se puede expresar en binario y formar de este modo el número binario
como se ve en la figura 4.17, además si el número binario reagrupamos cada tres bits expresamos el
número en octal.
78 FIS241 Electrónica General
A
A B C S B
A B
S
0 0 0 0
A*B
0 1 0 1 C
SS
1 0 0 1
1 1 1 0
Figure 4.18: Sumador Simple
Va desde 00000000 a 01111111 la primera mitad de un byte, 128 caracteres. Las dos primeras columnas
son para control y las demás corresponden a cada tecla. Por ejemplo la letra G vale 47h (hexa), en binario
serı́a 01000111.
Mapa para dos entradas.- Consiste en celdas ordenadas 00,01,11,10, existe una conmutación
del 11 y 10, justamente para formar el conjunto B y el conjunto A, vamos a invertir el orden de AB a
BA de modo que A representará el menos significativo.
Existen reducidas reglas para poder agrupar un conjunto, estas son:
Como ejemplo veamos la figura 4.19, introducimos en las celdas los valores del ejemplo f13 formamos
dos conjuntos (1) y (2), por tanto:
BA 00 01 11 10 BA 00 01 11 10
1 0 1 1 1 0 1 1
AB 00 01 11 10 0 3 2
1
1 0 1 1 2
B 1
Figure 4.19: Mapa para dos variables, se distinguen dos conjuntos claros
de A y B, en la derecha el ejemplo de agrupación.
A
f
f13 = B + A B
Mapa para tres entradas.- Ahora veamos en una de 3 entradas ABC y salida f , tendremos 8
combinaciones de entrada y 28 (256) soluciones es decir f0 · · · f255 .
Para expandir a mas de dos variables, vamos ha invertir el orden den de asignación, A el bit menos
significativo y C el mas significativo.
Conjuntos
f = ΣΠ(2, 4, 5, 7)
f = (1) + (2) + (3)
f = CBA + CB + CA
Figure 4.20: Solución mediante mapa de 3 variables
80 FIS241 Electrónica General
n ABCD f
DCBA
0 0000 1
1 0001 0
2 0010 1
3 0011 0
4 0100 1
5 0101 1
6 0110 1
7 0111 1
8 1000 1
9 1001 0
10 1010 1
11 1011 0
12 1100 0
13 1101 0
14 1110 1 Figure 4.21: Para cuatro variables, Para cuatro variables, ordenados
15 1111 1 ordenados DCBA ABCD
Siendo las entradas diferentes A,B,C,D también pueden ordenarse como en la figura 4.5 ABCD con A el
bit mas significativo y D el menos significativo, la identificación es importante a la hora de formar los
conjuntos.
Resumen
• Las celdas entre 0 y 15 responden a las combinaciones binarias DCBA, con A el bit menos signi-
ficativo y D el dı́gito binario mas significativo.
• Cada letra A, B, C o D, corresponden a entradas distintas al circuito que se quiere encontrar el
circuito combinacional.
• Basado en conjuntos, A esta formado por las celdas 1,3,5,7,13,15,9,11 (vertical)
• D esta formado por 12,13,15,14,8,11,10.
• Cuando introducimos los ceros o unos, agrupamos en conjuntos que sean; adyacentes y 2n ele-
mentos.
• Son adyacentes cuando entre una celda y otra cambia una sola variable de 1 a 0 ó de 0 a 1..
A Circuito
B Combin.
C Digital f
D f(A,B,C,D)
PQ
4.- Encontrar el circuito para la suma de productos f (A, B, C, D) = (0, 2, 3, 4, 6, 7, 8, 12) . Observar
el orden de la asignación ABCD en el mapa de karnough, D es el bit menos significativo (LSB).
Teniendo la suma de productos no hace falta llenar el cuadro binario, directamente el mapa es la solución.
f = (1) + (2)
f = AC + C · D
82 FIS241 Electrónica General
Tratándose de mostrar los números hexadecimales existe un chip denominado decodificador de 7 seg-
mentos (incluye el punto). Para entender el manejo veamos el display y el correspondiente cuadro de
funciones a,b,c,d,e,f,g.
n H DC BA a b c d e f g
0 0 00 00 1 1 1 1 1 1 0
1 1 00 01 0 1 1 0 0 0 0
2 2 00 10 1 1 0 1 1 0 1
3 3 00 11 1 1 1 1 0 0 1
4 4 01 00 0 1 1 0 0 1 1
5 5 01 01 1 0 1 1 0 1 1
6 6 01 10 1 0 1 1 1 1 1
7 7 01 11 1 1 1 0 0 0 0
8 8 10 00 1 1 1 1 1 1 1
9 9 10 01 1 1 1 0 0 1 1
10 A 10 10 1 1 1 0 1 1 1
11 B 10 11 0 0 1 1 1 1 1
12 C 11 00 1 0 0 1 1 1 0
13 D 11 00 0 1 1 1 1 0 1
14 E 11 00 1 0 0 1 1 1 1
15 F 11 00 1 0 0 0 1 1 1
En consecuencia realizaremos uno de los ejercicios, diseñar el circuito combinacional para el segmento b.
La suma de productos del segmento b será.
1
Usado desde el año 1968 producción masiva por la Monsanto Company
2
El LED azul, recibió el Premio Nobel de Fı́sica el año 2014, inventado por Isamu Akasaki, Hiroshi
Amano y Shuji Nakamura, por su artı́culo presentado en el año 1994. Se logró completar los colores
básicos RGB, gracias a estos podemos tener los monitores
P. Miranda 83
Código Ascii Extendido.- Con la finalidad de utilizar los 8 bits del byte, el Código Ascii extendido
toma los siguientes caracteres de la figura 4.22, este fue utilizado en las primeras impresoras de punto.
Se pretende dar una idea introductoria del uso en general de los componentes basados en flip Flop, para
entender al final lo que puede ser un puerto de control digital.
EL circuito SR se construye con compuertas NAND y NOR de dos entradas, está basado en la reali-
mentación. En la figura podemos distinguir las entradas S, R y las salidas Q , Q , estas salidas son las
que se realimentan. En la figura 5.1, al denotar Q y Q esta implı́cita que deben ser complementarias.
RyS determinan al flip Flop los estados de Set y Reset
n R S Q Q
0 0 0 1∗ 1∗
1 0 1 1 0
2 1 0 0 1
3 1 1 Q Q
Tabla de verdad para NAND
1∗ estado Indeterminado
Figure 5.1: Flip Flop RS con NAND
En la tabla de verdad podemos ver cuatro estados (igual que las combinaciones), cuando S y R hacen
el par 0 0 estos estados para el NAND son dominantes y la salida Q=1 y Q = 1 esto contradice lo
deseado y se la determina Indeterminado y no puede existir. Los estados 1 y 2 tienen sus respuestas
Q y Q . el estado 3, par SR=11, se dice que es la memoria de un bit, puesto que al pasar del estado
1 al 3, p del 2 al 3, la salida mantiene los estados 1 ó 2. Lo que no puede suceder es pasar del estado 0 al 3.
El circuito RS tambien podemos construir con compuertas NOR, como en la figura 5.2.
n R S Q Q
0 0 0 Q Q
1 0 1 1 0
2 1 0 0 1
3 1 1 0∗ 0∗
Tabla de verdad para NOR
0∗ estado Indeterminado
Figure 5.2: Flip Flop RS con NOR
El estado 3 se comporta como indeterminado puesto que no se tien Q y Q , mientras que los demas
estados si tienen este comportamiento, finalmente no se puede pasar del estado 3 al 0.
85
86 FIS241 Electrónica General
t−1 t0
t−1 t0
n QQSR Q Q
n QQSR Q Q
0 0000 ? ?
0 0000 ? ?
1 0001 ? ?
El FF-SR tambien podemos analizar 1 0001 ? ?
2 0010 ? ?
2 0010 ? ?
partiendo desde un tiempo t−1 al 3 0011 ? ?
3 0011 ? ?
tiempo t0 , pero analizando como si 4 0100 1 1
4 0100 1 1
5 0101 1 0
fueran las cuatro entradas y dos sali- 6 0110 0 1
5 0101 1 0
das, esto lo vemos en la siguiente tabla 6 0110 0 1
7 0111 0 1
7 0111 0 1
como referencia. 8 1000 1 1
8 1000 1 1
Las interrogaciones indican que son in- 9 1001 1 0
9 1001 1 0
10 1010 0 1
determinados ( Q = Q ) y no se cuenta, 11 1011 0 1
10 1010 0 1
mientras que los estados apropiados son 11 1011 0 1
12 1100 1 1
12 1100 1 1
los que determinan la salida. 13 1101 1 0
13 1101 1 0
14 1110 0 1
14 1110 0 1
15 1111 ? ?
15 1111 ? ?
Caso NAND
Caso NOR
SR con Clock
Los circuito secuenciales regularmente responden a una tercera entrada denominada reloj identificare-
mos con Ck , en el circuito 5.3 se adiciona dos compuertas NAND para control de Ck .
n S R Q Q
0 0 0 Q Q
1 0 1 0 1
2 1 0 1 0
3 1 1 1∗ 1∗
Tabla de verdad para NAND
controlado con reloj
Figure 5.4: Simbolo Flip
Figure 5.3: Flip Flop SR con Flop SR con Ck
NAND y reloj
n J K Q Q
0 0 0 Q Q Memoria
1 0 1 0 1 Reg. D
2 1 0 1 0 Reg. D
3 1 1 Q Q Togle
Tabla de verdad para FF-JK
Figure 5.5: Flip Flop JK Maestro Esclavo
el esclavo no; en el instante en que el clock baja a 0 el maestro transfiere sus estados al esclavo, y el
maestro es bloqueado.
A continuación se presenta un primer sı́mbolo del JK a utilizar y una secuencia de señales y estados que
P. Miranda 87
optarı́a las salidas QQ ante entradas JK , el cambio se produce cuando el reloj Ck cambia de estado
1 a 0 en tiempo muy corto.
Recalcando que los valores en JK son útiles solo tiempo antes que el clock pase de 1 a 0, este paso
real es tan corto denominamos tf como tiempo de caı́da y tr tiempo de subida, está en el orden de
nanosegundos1 , y en QQ se tendrá el resultado esperado .
Como se observa,el JK tiene cuatro estados de salida: el primero se dice memoria, por que no altera
QQ ; el segundo y tercero es un registro de grabado en QQ el estado 10 o 01 y se le denominará
Registro D; El cuarto estado se le da el nombre de T ogle y significa alternar es decir que QQ cambian
de estado, cada vez que el Ck pasa de 1 a 0.
El flip flop JK también tiene otros controles adicionales, estos son Cl simboliza Clear y P r P reset ,
en la figura se presenta el circuito interno y el sı́mbolo.
Clear significa limpiar o borrar, es decir colocar Q = 0 y Q = 1 , mientras que P reset coloca a
Q = 1 y Q = 0 , estos son utilizados para sincronismo y contadores como se verá mas adelante.
1
Ver manual del fabricante de acuerdo a la tecnologı́a: TTL, HTL, CMOS
88 FIS241 Electrónica General
5.2 REGISTROS
Los Flip flop JK, son usados como registros, que los denominaremos FF D y FF T, el FF D para datos
es decir que es una celda de un bit y FF T para alternar o bascular.
5.2.1 FF D.-
Este FF como se ve en la figura 5.10, en la entrada K se invierte con relación a J , entonces siendo una
sola señal la que entra, la table de combinación será.
D Q Q
0 0 1
1 1 0
En la industria los FF D también son cableado para otros fines; conversor serie en paralelo, conversor
paralelo en serie, estos no serán estudiados en este curso.
5.2.2 FFT.-
Este flip flop Togle o FF T es usado para reloj, el sı́mbolo se presenta en la figura 5.12, ambas entradas
J y K son conectados a Vcc es decir a la alimentación, por esta razón solo se la menciona como FFT
y es estrictamente dependiente del Clock.
T Q Q
0 Q Q
1 Q Q
n Ck Q3 Q2 Q1 Q0
0 ↓ 0000
1 ↓ 0001
2 ↓ 0010
. . . .
14 ↓ 1110
15 ↓ 1111
Contador Hexadecimal.- Se construye con cuatro FFT, en serie, la entrada T se conecta a Vcc,
como se notará se requiere solo una señal de clock y en Q0 Q1 Q2 Q3 se generan las salidas de los 16
estados del Hexadecimal, desde 0000 hasta 1111 , ver figura 5.13.
Las formas de onda que se producen en las salidas Q3Q2Q1Q0 se observa en el figura 5.14.
Contador BCD.- De igual forma se construye el contador BCD, adicionando un circuito combi-
nacional de control usando como entrada los estados de Q3 Q2 Q1 Q0 y la salida conectada a Cl para
reiniciar las cuentas, inicia en 0000 y llega a 9, luego al pasar a 10d se genera la señal Cl de duración
muy pequeña y pasa directamente a 0000 , ver figura 5.15.
n Ck Q3 Q2 Q1 Q0
0 ↓ 0000
1 ↓ 0001
2 ↓ 0010
. . . .
8 ↓ 1000
9 ↓ 1001
10 → 0 ↓ 1010
0000
Figure 5.15: Contador BCD
Recalcando que el circuito de generación Cl , está formado por el NAND, de 2 ó 3 entradas por que en
el estado 10d del contador ( 1010 ), Q3 y Q1 son 1 .
Figure 5.16: Formas de onda sobre Q3,Q2,Q1,Q0, son 10 estados, se observa el impulso de muy corta duración en Q1
Los contadores en general requieren FFT, los de 4 FFT, internamente disponen de un NAND de dos
entradas para limitar el número superior n con n ≤ 2N , y N representa los FFT.
90 FIS241 Electrónica General
Contador de 9999.- Como ejemplo veremos el contador usado en equipos de radiación, este
requiere cuentas cada segundo, entonces el contador principal son cuatro contadores BCD, conectados en
serie (cascada ), la señal de entrada vendrá de un detector y será convertida a digital.
Contador de Reloj.- Otro ejemplo en el que se usan los contadores es conformar un reloj con
HH:MM:SS (Hora Minuto y Segundo), basta un oscilador de un segundo para que ciclicamente vaya
contando desde 00:00:00 hasta 23:59:59, se requieren; contador de 6, contador de 10, contador de 3, y 24.
Para ajustar, adicionalmente se requiere que los JK sean de registro inicial y un clear para cargar la hora
inicial.
Figure 5.18: Ejemplo de Reloj, Unidad de segundo a la izquierda y decena de hora a la derecha
El primer circuito integrado fue patentado por el americano Jack S. Kilby2 en julio de 1958 integrando
varios componentes en una sola. La empresa donde trabajaba Texas Instrument fue uno de los primeros
en iniciar la fabricación de diversos componentes TTL. La empresa Intel Corporation con Robert Noyce
tambien comenzo a fabricar componentes integrados. Hoy existe una inmensa cantidad de fabricantes de
circuitos integrados. El acceso es buscando el datasheets.
2
En el año 2000 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fı́sica por la enorme contribución de
su invento al desarrollo de la tecnologı́a
Chapter 6
APLICACIONES
El conocimiento en el área de digital, permite la fabricación de gran cantidad de instrumentos útiles,
denominada tecnologı́a. El avance de la estructuración de integrados y el avance de Fı́sica del estado
sólido, han permitido fabricar un primer microprocesador (uP) de 4 bits de proceso. En noviembre del
año 1971, la empresa INTEL lanza su primer micro procesador identificado como D4004 de 16 pines, Su
estructura la vemos en la figura 6.11 .
Figure 6.1: Arquitectura del primer microprocesador de 4 bits, 1MHz de velocidad, fabricado por Intel el año 1971
Los módulos que observamos; ALU (Aritmetic Logic Unit), Acumulador, Registros, multiplexor, Decodi-
ficador de instrucciones (46 instrucciones), Bus de datos, bus de control, etc. Para conformar un sistema
de computación, se adicionaron externamente; Memorias RAM, ROM, PORTS, Clocks (oscilador). Con
este sistema de cuatro bits se fabricaron diversas calculadoras y otros instrumentos. Posteriormente la
empresa Intel comenzó a fabricar microprocesadores de 8, 16, 32 bits de bus gradualmente.
Figure 6.2: Circuito Integrado de 40 pines y estructura reducida de la arquitectura del uP MC6800
acumulador, Extendido, e Indexado. Usados para manejo de 16 bits de direcciones hexadecimales 0000 a
FFFF (65536) posiciones de memoria.
1
ver: https://es.wikipedia.org/wiki/Intel 4004
91
92 FIS241 Electrónica General
Comentario; Los componentes internos al uP están basados en digital combinacional, Flip Flops y digital
secuencial, y el conjunto que forma el uP tambien es denominado la unidad central de procesos CPU
(Central Processing Unit) tambien conocido como MPU (Microprocesor Unit)
Finalmente, luego de 45 años de desarrollo de uP, la empresa INTEL dispone de los i3,i5,i7 y i9 proce-
sadores potentes para laptops y Pc. La empresa Motorola dispone de la serie 68000, hasta la 68330 de
32 bits, estos están dentro de nuestros computadores.
Un pequeño mini-computador, fue conformado por los componentes descritos en la figura 6.3.
uP Microprocesador
Osc Oscilador clock
RAM Random Acces Memory
ROM Read Only Memory
Serial Port
Parallel Port
Driver, Adaptador
AB Addres Bus
DB Data Bus
CB Control Bus
Figure 6.3: Estructura de un mini-computador
En la ROM (Read Only Memory) se introduce un programa exclusivo del uP denominado assembler,
cada uP tiene instrucciones lógicas y aritméticas propias.
La RAM (Random Acces Memory ) memoria de trabajo, se guardan temporalmente los resultados.
El Serial Port es un puerto de acceso serial con tres hilos (se conecta al teclado).
El Port Paralelo puede ser de 8 bits de datos y 4 de control (se conecta a impresora)
El driver, se conecta con otro dispositivo de almacenamiento de resultados ( Casete o Floppy disk).
Microcontrolador MC6801:
CPU
RAM
EPROM
TIMER
PORT SERIE
PORT PARALELO
PORT PARALELO I/O
Otra arquitectura nació para construir las CPU, esta es la arquitectura RISC (Reduced Instruction Set
Computer), esto facilita el manejo de tamaños mayores de memoria y es el dominio en la actualidad. Las
anteriores con limitado direccionamiento se denominan CISC (Complex Instruction Set computer).
La compañia Atmel ha construido microcontroladores con tecnologia RISC denominados AVR que incluye
un gran conjunto de componentes internos, es fabricante de Microcontroladores que va desde chips 8 pines
de integración, pero que internamente gosa de estructura de 8 bits.
El microcontrolador Atmega3282 adquirió fama por su integración.
En la figura 6.5 se observa los componentes internos por los que está formado el uC.
PARÁMETROS VALORES
Flash 32 Kbytes
SRAM 2 Kbytes
Cantidad Pines 28
Frecuencia 16 MHz
CPU 852542-bit AVlR
Pines de E/S 23
Interrupciones 24
Canales ADC 8
Resolución de ADC 10
Eeprom 1Kbytes
Canales PWM 6
Voltaje de op. 1.8-5.5 v
Timers 3
Cuando se indica pines de E/S significan tres ports paralelos, de entrada y salida y pueden seleccionarse
para otros usos, tal el caso del conversor Análogo en digital ADC, de 8 entradas multiplexables. Cuando
los Ports paralelos se los programa de salida, cumplen la función de un FFD de 8 bits. En resumen, esta
uC no es la única, existen otras con muchas mejores bondades como los PICs, pero se impone en el uso
de muchas compañı́as dedicadas al desarrollo de microcontroladores.
2
http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/ATmega48A-PA-88A-PA-168A-PA-328-P-DS-DS40002061A.pdf
94 FIS241 Electrónica General
IDE:
Editor de texto
Area de mensajes
Consola de texto
Barra de herramientas
Compilador
Comunicación con ArduinoUno
Vuelca el programa
o graba
Ejemplos variados
Figure 6.6: Tarjeta de Arduino-Uno con Atmega328
A continuación se dejan dos ejemplos con explicaciones correspondientes y programas en C. Para com-
plementar, también se incluyen dos practicas en laboratorio.
Se deja al alumno consultar la tremenda literatura que existe e internet.
P. Miranda 95
+12V USB
a
e 1 10 g
AREF
d b Arduino
f f GND
g Uno
+5V +5V d13 beep
c e c p d12
d a
5 6 RST
p b d11
3.3V d10
5V d9
+5V GND d8
8
3 GND
VIN d7 p
g xxxxx
sw1 l=8mt d6
A0/d14 f a
d5 b
e f g
sw2 A1/d15 d4
d
A2/d16 d3 e c
c p
7
a
6
b
4
c
2
d
1
e
9
f
10
g
5
p
sw3
sw4 sw5
A3/d17
A4/d18
A5/d19
.. .... d2
d1
d0
b
a
d
xxxxx
jp1 5V
void respuesta_alumnos(){
uint16_t TMax;
uint16_t i;
TMax=15000; //15 segundos
PORTD=~0x80; //solo punto
P. Miranda 97
7segmentos-2
/* display7segmentos_2.c
test de blink display de 7 segmentos y utilidades
FIS241 Electronica General, FISICA-FCPN-UMSA
Docente: Ing. P. Miranda, oct. 2018
*/
uint8_t botones;
7segmentos-3
/* display7segmentos_3.c
test de blink display de 7 segmentos y utilidades
FIS241 Electronica General, FISICA-FCPN-UMSA
Docente: Ing. P. Miranda, oct. 2018
*/
uint8_t botones;
.. .. .. .. .. ..
ooooo ooooo ooooo ooooo ooooo ooooo
o o o o o o o
o o o o o o o
ooooo o ooooo o o ooooo
o o o o o o o
o o o o o o o
o ooooo ooooo ooooo ooooo o o
+5V
R0
R1 R2 R3 R4 R5 R6
p1 p2 p3 p4 p6
p5
d2 d3 d4 d5 d6 d7
F I S I C A
Q1 Q2 Q3 Q4 Q5
sw2 Q6
sw1 sw3 sw6
Figure 6.11: Circuito para medir polarización de diferentes colores de leds, on/off mediante switches o el transistor,
controlado por una tarjeta Arduino Uno conectado en d2..d7 y uso de BT (Bluetooth) desde celular
P. Miranda 99
//...Definiciones.........
int ledF=2;
int ledI=3;
int ledS=4;
int ledI2=5;
int ledC=6;
int ledA=7;
int tiempo=0;
void setup(){
Serial.begin(9600);
pinMode(ledF,OUTPUT);
pinMode(ledI,OUTPUT);
pinMode(ledS,OUTPUT);
pinMode(ledI2,OUTPUT);
pinMode(ledC,OUTPUT);
pinMode(ledA,OUTPUT);
}
void loop(){
if(Serial.available()){
char dato=Serial.read();
switch(dato){
case ’1’: digitalWrite(ledF,!digitalRead(ledF)); break;
case ’2’: digitalWrite(ledI,!digitalRead(ledI)); break;
case ’3’: digitalWrite(ledS,!digitalRead(ledS)); break;
case ’4’: digitalWrite(ledI2,!digitalRead(ledI2));break;
case ’5’: digitalWrite(ledC,!digitalRead(ledC)); break;
case ’6’: digitalWrite(ledA,!digitalRead(ledA)); break;
case ’7’: PORTD=0;break;
case ’8’: PORTD=0xFF;break;
case ’9’: Intermitente9();break;
case ’A’: CiclicoA();break;
case ’B’: RandomB();break;
}}
}
void Intermitente9(){
while(!Serial.available()){
PORTD=0; delay(500);
PORTD=0xFF; delay(500);
}
}
void CiclicoA(){
while(!Serial.available()){
digitalWrite(ledF,!digitalRead(ledF)); delay(500);
digitalWrite(ledI,!digitalRead(ledI)); delay(500);
digitalWrite(ledS,!digitalRead(ledS)); delay(500);
digitalWrite(ledI2,!digitalRead(ledI2)); delay(500);
digitalWrite(ledC,!digitalRead(ledC)); delay(500);
digitalWrite(ledA,!digitalRead(ledA)); delay(500);
}
}
void RandomB(){
char randomnum;
randomnum=random(4,256);
PORTD=randomnum;
}
100 FIS241 Electrónica General
Bibliography
[1] Electrónica fundamental para cientı́ficos, J.J.Brophy
[2] Fundamentos de Electrónica Fı́sica y Microelectrónica, Albela/Martinez-Duart
[3] Estudio de los circuitos eléctricos Tomo I, Jean Lagasse
101
102 FIS241 Electrónica General
Chapter 7
LABORATORIO
1.- Relajación exponencial, Oscilaciones Amortiguadas y Resonancia
2.- Amplificadores con transistores
3.- Amplificadores Operacionales
4.- Circuitos Digitales.
103
104 FIS241 Electrónica General
7.1 LABORATORIO 1.
Relajación exponencial, Oscilaciones Amortiguadas
y Resonancia
OBJETIVOS. Introducir al estudiante en la parte experimental de la Teorı́a de Redes, calculando
en forma práctica los valores y parametros de los circuitos en cada apartado, haciendo uso; del generador
de onda, los componentes RLC y el osciloscopio, comparar los valores teóricos con los experimentales en
gráficos que merecen utilizar teorı́as ya estudiadas y reafirmar la validez de los métodos.
2.- Con onda cuadrada, medir la constante de tiempo τ para tres diferentes valores crecientes de L y
C. Calcular la resistencia interna del generador considerar que este es sumado a R.
3.- Cambiar la fuente de onda cuadrada por otro senoidal y medir la amplitud y el desface para los
tres diferentes valores crecientes de L y C. Recalcular la resistencia interna del generador para la salida
senoidal.
3.- Recalcular los valores RLC con los parámetros obtenidos, esta vez en forma práctica.
8.- Para el circuito 3 repetir el cálculo en los puntos a y c para onda cuadrada y senoidal.
P. Miranda 105
7.1.4 Informe
El informe debe contener cuatro aspectos: Teorı́a, Parte experimental (datos y gráficos), Análisis y Con-
clusiones.
Nota: Importante!. Para los cálculos, en todo los casos en que se use la bobina se debe considerar su
resistencia interna RL , de igual forma del generador de funciones
7.2 LABORATORIO 2.
Reguladores y Amplificadores con transistores
OBJETIVOS Los temas de Reguladores y Amplificadores nos enseñan a precisar la utilidad y los
requerimientos de un amplificador en frecuencias medias, es decir la alimentación y la amplificación,
la alimentación incluye el transformador y diodos, la amplificación incluye el transistor, se calculan los
valores resistivos para polarizar según la amplificación deseada.
7.2.1 Rectificadores.-
En los circuitos 1a y 1b calcular: Vodc y Voac en la salida, introducir desde un generador de funciones
senoidales. Medir con el osciloscopio y contrastar con la medida en un tester, variar la frecuencia desde
30 Hz hasta 1khz.
Informe.- El informe debe contener los cuatro puntos, Teorı́a, Experimento, Análisis y Conclusiones, en
cada experimento.
P. Miranda 107
7.3 LABORATORIO 3.
Amplificadores Operacionales
7.3.1 Objetivos
El laboratorio 3 es una introducción al uso de Amplificadores Operacionales (AO), se mide algunas
parámetros de funcionamiento para caracterizar en amplificación y en frecuencia, luego se simulan solu-
ciones de ecuaciones diferenciales. La práctica se la realiza en el kit Operacional o armar en un protoboard.
7.3.2 Amplificador
Construir un amplificador y realizar las siguientes medidas:
1.- Para una ganancia de 30, encontrar el enacho de banda para una onda senoidal
2.- Cambiar la ganancia a 60 y volver a encontrar el ancho de banda.
3.- En la salida encontrar el tiempo de subida tr y el de bajada tf para una ein cuadrada, para ambas
ganancias a una misma frecuencia.
7.3.4 Simulador
Armar un circuito para simular el movimiento parabólico, donde Y0 y V0 son constantes a elegir
mediante un potenciometro.
1
Y = Y0 + V0 t − gt2 (7.1)
2
donde el tiempo t se genera con onda diente de sierra.
Ẍ + aẊ + bX = 0 (7.2)
Ẍ + aẊ + bX = c (7.3)
Ẍ + aẊ + bX = Y (7.4)
en la tercera ecuación, Y es una onda cuadrada o senoidal Y(t).
7.3.6 Opcional
Conformar la ecuación. y=(4u+3v)z, Tal que u=cos(t), v=cos(10t), z=cos(100t)
7.3.7 Informe
Incluir: teorı́a, toma de datos con tablas y gráficos para cada punto, análisis y conclusiones.
P. Miranda 109
Introducción La práctica digital requiere varias compuertas lógicas y flip flops con un panel que
permita el ensamblado de alguna demostración digital, sin embargo en la actualidad la tarjeta Arduino
Uno 1 ha creado nuevas facilidades en base al microcontrolador (uC) Atmega 328P del fabricante Atmel,
mas una interfaz para USB y un sistema IDE de desarrollo PC-Arduino con el que se desarrolla nuestro
propio software, se carga y se ejecuta.
La bibliografı́a no requiere precisión, usamos la información existente en internet, la referencia atmega328 2
es inevitable pero no hace falta estudiarlo en este curso.
1.1.- Diseńar la secuencia normal y construir el programa para tiempos iguales. Considerar caso dı́a
y caso noche.
1.2.- Incorporar en el programa el cruce de Avenida y Calle de relación de flujo tres a uno. Seleccionar
mediante un switch de entrada.
1.3.- Incorporar en el programa para mejorar el alto tráfico de acuerdo a la presencia de veı́culos.
Suponer que el programa tiene cuatro entradas (switch) que represetan vehı́culos.
2.2.- Construir figura que simule el movimiento de una persona como en los semáforos que autorizan
el paso de peatones.
7.4.4 Informe.-
En teorı́a reducir la explicación al programa, en la práctica, probar el experimento y tomar datos, en
análisis desarrollar una explicación teórico práctica junto a las medidas, y en conclusión destacar los
resultados.
/* semaforos.ino
Simulacion de semaforos en una calle de doble via
con Arduino Uno
FIS241 LAB4, Carrera de Fisica FCPN-UMSA La PAz-Bolivia
Movil 2 motores
Doc. Ing. P. Miranda, 2018
*/ //prog. motor on-off para FAPA2018
//.....ejemplo d0 rojo, d1 vamarillo, d2 verde // Prog. P.Miranda, Prog. ejemplo C.Nina (propietario )
uint8_t estados_semaforo[7]={0x01,0x04,0x00,0x04,0x00,0x04,0x02}; // A=Avance, R=Retroceso, D=Derecha, I=Izquierda, ST=Stop
// comandos: 0,1,2,4,5,6,8,9,A
void setup(){ // equival: ST,AD,RD,AI,AA,AII,RI,RII,RR
DDRB = 0x3F; //salidas Anodo leds //En celular usar 9 teclas con "Bluetooth Serial Controller"
DDRD = 0xFF; //salidas Anodo leds // Boton => Comando tx 1 caracter
DDRC = 0x00; //Entradas 4 pines // 1 2 3 => 4 5 1
testsemaforos(); // 4 5 6 => 6 0 9
} // 7 8 9 => 8 A 2
N B2 A2 B1 A1 f acción
7.4.6 Guia de Laboratorio 4 0 0 0 0 0 ST Stop
1 0 0 0 1 AD Avance Derecha
Tema: DIGITAL - MANEJO MOVIL 2 0 0 1 0 RD Retrocede Derecho
3 0 0 1 1 ST Stop
4 0 1 0 0 AI Avance Izquirda
5 0 1 0 1 AA Avance Adelante
6 0 1 1 0 AII Avance Izq. dos llantas.
Autor: Doc. P. Miranda, Carrera de 7 0 1 1 1 ST Stop
Fisica FCPN-UMSA La Paz Bolivia 8 1 0 0 0 RI Retroceso izquierdo
9 1 0 0 1 RII Retroceso izq. dos llantas
A 1 0 1 0 RR Retroceso
B 1 0 1 1 ST Stop
C 1 1 0 0 ST stop
objetivo Se usa el producto de arduino uno y D 1 1 0 1 ST stop
el control de dos motores, adicionalmente se conecta E 1 1 1 0 ST stop
un módulo BT (Bluetooth) para controlar desde el F 1 1 1 1 ST stop
Celular.