Electronica: Iniciación La en B. F

BIBLIOTECA L.
CHARIN
TECNICA
PHILIPS
ELECTRONICA
Iniciación al cálculo y la experimentación

Transistores en B. F.
BIBLIOTECA TECNICA PHILIPS
ELECTRONICA
INICIACION AL CALCULO Y A LA EXPERIMENTACION
Tomo II
Transistores en B.F.
L. CHARIN
Ingeniero I.E.N.
Jefe del Laboratorio de Electrónica
del E.N.S.A.M. de Paris
Prefacio de
R. DECHENE
Inspector General de Instrucción Pública
1969
PARANINFO
MADRID
TRADUCIDO POR
José M.a Fernández Arín
© N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Holanda.

Titulo original francés: “ELECTRONIQUE,
INITIATION AU CALCUL ET Á L’EXPERIMENTATION”.
Reservados los derechos de edición, reproducción o

adaptación para todos los países de lengua española.
IMPRESO EN ESPAÑA
PRINTED IN SPAIN
Depósito Legal: M. 10531.—1969 (II) Magallanes, 21 - MADRID (15)

Gráficas Halar, S. L.-Andrés de la Cuerda, 4.-Madrid-15.-1969.
PREFACIO
La electrónica, cuyos orígenes son ya antiguos, evolucionó en un principio en un

campo muy restringido, pero al cabo de algunos años se desarrolló considerablemente,
tanto desde el punto de vista de los aparatos como del de sus aplicaciones.
En lo que concierne a los aparatos, comenzó utilizando válvulas de vacío, en cuyo
interior la corriente era debida únicamente a los electrones, pero después aparecie-
ron los tubos de gas en donde ya entran también en juego los iones; en la actuali-
dad han entrado en la electrónica los equipos en que intervienen los sólidos, como son
los semiconductores y los transistores.
En cuanto a sus aplicaciones, el campo de acción de la electrónica, limitado inicial-
mente al dominio de las corrientes débiles, se ha extendido rápidamente, por un lado
debido al aumento de las potencias puestas en juego, y por el otro, gracias al fácil
control de las corrientes eléctricas intensas mediante un débil consumo de energía,
aparte de que se obtiene instantaneidad en la respuesta.
Hoy día, la electrónica está en todo: penetra en todas las ciencias, invade todas las
técnicas y, tanto en unas como en otras, es muy difícil prever hasta dónde se extende-
rán sus aplicaciones. Cada día y cada hora resulta ser la electrónica una parte esencial
de cualquier actividad humana, y cada vez en mayor proporción. Por esto, el físico y
el ingeniero -cualquiera que sea su especialidad- deben adquirir conocimientos cada
vez más vastos y precisos en esta materia.
Véase, pues, a qué es debida la floración de los tratados de electrónica durante los
últimos años. Unos son puramente teóricos; en cambio, otros son empíricos. Por eso
L. Charin ha escrito la presente obra, basada en el hecho innegable de que no puede
conocerse una cuestión sin que ésta haya dado lugar a una experimentación.
De todos modos, no se ha excluido el aspecto teórico; después de una descripción
de los aparatos, acompañada de una explicación de su funcionamiento, las más de las
veces se traduce la cuestión por ecuaciones matemáticas, y las consecuencias que pue-
den deducirse de una “primera aproximación” terminan en cada capítulo por una apli-
cación experimental, sin la cual ninguna enseñanza puede llegar a ser eficaz.
De acuerdo con este criterio, al lector se le propone el cálculo y la experimenta-
ción de equipos electrónicos simples, la realización de maquetas de estudio, la predeter-
minación de aparatos, la búsqueda o el control de sus cualidades, etc... Y guiados por
tantos consejos útiles, los lectores no tienen ningún tropiezo al tratar estos problemas
fundamentales.
Este método de trabajo, de un auténtico valor pedagógico, al mismo tiempo que de
una presentación original, se ha aplicado durante varios años por el autor en sus ense-
ñanzas a los alumnos de una gran Escuela de Ingenieros, y ya ha dado sus frutos.
El libro de L. Charin es una iniciación racional para la práctica de la electrónica:
PREFACIO
viene a dar a los ingenieros y a los físicos no especializados en esta disciplina, un hilo
conductor sólido y un conocimiento concreto de las posibilidades de sus aparatos...
Esto les permite adaptarse a numerosos problemas en el momento en que, gracias
a la electrónica, se abre una nueva era en todos los campos de la técnica.
Esta obra merece obtener un destacado éxito.
R. DECHENE
Inspector General de Instrucción Pública
INDICE
PREFACIO 7
PROLOGO 9
Capítulo I: SEMICONDUCTORES. CONDUCCION POR ELECTRONES
Y POR HUECOS. DIODOS DE UNION ........................................ 15
I.1 Corriente eléctrica; conductores y aislantes. Semiconductores: es-
tructura molecular yconducciónintrínseca ............................................ 15
I.2 Impurezas; semiconductores contaminados “N” y “P”. Conduc-
ción a través de los semiconductores contaminados ...................... 18
I.3 Unión np en equilibrio. Unión np, bajo tensión; corriente directa
y corriente inversa ................................................................................ 20
I.4 Corriente inversa y reacción térmica ................................................ 25
Capítulo II: EFECTO TRANSISTOR. CARACTERISTICAS ESTATICAS
Y PARAMETROS. MANDO DE UN TRANSISTOR 28
II.1 Efecto transistor; relaciones fundamentales ...................................... 28
II.2 Montaje BC; características estáticas, resistencia interna, resis-
tencia de entrada. Montaje Ec ......................................................... 30
II.3 Recta de carga; característica dinámica. Recta de ataque; distor-
sión lineal. Mando por tensión y por corriente ................................ 37
II.4 Efecto transistor representado por una “fuente de tensión” o por
una “fuente de corriente” 41
II.5 Trabajos prácticos 42
Capítulo III: AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA POTENCIA EN RE-
GIMEN SINUSOIDAL ESTABLE (CLASE A) ..................... 46
III.1 Efecto “triodo” y efecto “transistor”; ganancia de potencia; mando
adaptado; ganancia compuesta de potencia ... 46
III.2 Ejemplo de cálculo de un preamplificador de B.F. ...................... 49
III.3 Uniones por transformadores y por capacidades; circuitos equi-
valentes ................................................... 54
III.4 Ejercicios y trabajos prácticos 60
Capítulo IV: CONTRARREACCION DE INTENSIDAD POR INSER-
CION DE UNA RESISTENCIA ENTRE EMISOR Y MASA
EN EL MONTAJE DE EC; PREAMPLIFICADOR DE DOS
PASOS ............................................................................................ 61
IV.1 Inserción de una resistencia Re entre el emisor y masa en el monta-
je de emisor común 61
IV.2 Ejemplo de cálculo de un preamplificador de dos pasos de emisor
común; unión por resistencia-capacidad, contrarreacción de inten-
sidad ................................................................................................... 67
IV. 3 Ejercicios y trabajos prácticos 74
Capítulo V: EL CUADRIPOLO ...................................................................... 76
V.1 Cuadripolo lineal en régimen sinusoidal estable ............................. 76
V.2 Amplificación por cuadripolo lineal; parámetros en Z. Ganancia,
impedancia de entrada y de salida ................................................... 78
V. 3 Cuadripolo pasivo y activo; ganancia inversa y reacción interna 83
Capítulo VI: TRANSISTOR EN REGIMEN SINUSOIDAL PERMANEN-
TE, CON PEQUEÑAS SEÑALES, CONSIDERADO COMO
UN CUADRIPOLO LINEAL ................................................... 85
VI.1 Circuito equivalente, ganancia e impedancia de entrada y de salida
del montaje BC ................................................................................... 87
VI.2 Circuito equivalente ycaracterísticas del montaje de EC 92
VI.3 Circuito equivalente ycaracterísticas del montaje CC 95
VI.4 Ejercicios ............................................................................................ 97
Capítulo VII: PARAMETROS HIBRIDOS Y . SU MEDIDA LLAMADA
“DINAMICA” ........................................................................... 98
VII.1 Parámetros híbridos; su significación física y sus fórmulas de
transformación ......................................... 98
VII.2 Medida dinámica de losparámetros 103
VII.3 Ejercicios y trabajosprácticos 110
Capítulo VIII: CALDEO ACUMULATIVO DE LOS TRANSISTORES 113
VIII.1 Corriente inversa; reacciones térmica e interna. Factor de esta-
bilidad térmica. Derivada del punto de funcionamiento ............. 113
VIII.2 Caldeo acumulativo en clase A. Equilibrio térmico; estabilidad
térmica y temperatura crítica ......................................................... 118
VIII.3 Red de curvas universales. Predeterminación del factor de esta-
bilidad máxima admisible que asegure el segundo margen térmico 123
VIII. 4 Primer margen térmico Θjmáx —Θj y potencia disipada directa

límite ................................................................................................ 128
Capítulo IX: INSUFICIENCIAS DE LA TEORIA CLASICA DEL CA-
LENTAMIENTO ACUMULATIVO. MEDIDAS TERMICAS
PUNTO DE POLARIZACION .............................................. 131
IX.1 Términos despreciados en el establecimiento de la teoría clásica
del calentamiento acumulativo 131
IX.2 Medidas térmicas simplificadas ..................................................... 134
IX.3 Punto de polarización con fuente única, que permite obtener un
punto de reposo y un factor de estabilidadtérmica S dados 141
IX.4 Otros valores límites que no se debenrebasar 145
Capítulo X: EJEMPLO NUMERICO DE LA PREDETERMINACION DE
LOS MARGENES TERMICOS Y DE LA DERIVA EN
CLASE A ......................................................................................... 147
X.1 Medidas y cálculos preliminares ...................................................... 149
X.2 Trazado de la red universal con γ = 7850 y Θo ~ 25o. Deter-
minación del factor de estabilidad térmica S. Trazado de la curva
de calentamiento ζ(Θ) y verificación del primer margen térmico
teórico: ΘJ máx - Θ j................................................................................ 150
X.3 Cálculo del punto de polarización. Apreciación de los términos
correctivos; verificación experimental ................................................ 153
X. 4 Ejercicios y trabajos prácticos 158
Capítulo XI: MONTAJE SIMETRICO “PUSH-PUSH” CON VALVU-
LAS DE VACIO ......................................................................... 160
XI. 1 Funcionamiento en clase A ............................................................. 161
XI.2 Primario real, ficticio equivalente, corriente consumida por la válvula
en otras clases que en la “A” ......................................................... 162
XI.3 Funcionamiento en clase A1 165
XI.4 Funcionamiento en clase AB 167
XI. 5 Polarización automática 174
Capítulo XII: MONTAJE SIMETRICO CON TRANSISTORES EN CLASE
AB; CARGA POR TRANSFORMADOR CON PUNTO
MEDIO ......................................................................................... 178
XII.1 Potencia disipada directa Wd ................................................ 178
XII.2 Potencia disipada inversa; tercer margen térmico a respetar 181
XII.3 Proyecto de amplificador “push-push” transistorizado 184
Capítulo XIII: PROYECTO DE UN PASO “PUSH-PUSH” TRANSISTO-
RIZADO; EJEMPLO NUMERICO 192
XIII.1 Cálculos preliminares ....................................................................... 193
XIII.2 Factor de estabilidad en funcionamiento. Cálculo de Re, trazado
de la curva ζ(Θ) y verificación de los dos primeros márgenes
térmicos ............................................................................................ 198
XIII.3 Corrección de la tensión de soporte de base. Factor de estabi-
lidad en reposo y verificación del tercer margen teórico. Cálculo
del puente ......................................................................................... 201
XIII.4 Medidas, diferencias y conclusiones 204
XIII.5 Ejercicios y trabajos prácticos 206
“Todo conocimiento que no se apoye en
una medida es de muy escaso valor”
PROLOGO
El mecanismo de la conducción eléctrica de los semiconductores y, por consecuen-
cia, las características de funcionamiento de los transistores, puede ser establecido ba-
sándose en la física de los sólidos.
El conocimiento de la estructura de los sólidos y de las hipótesis necesarias para
el establecimiento de una teoría matemática de los fenómenos internos tiene una gran
importancia, no sólo para los fabricantes de transistores sino también para todos los
que escrutan las nuevas perspectivas de su posible utilización.
Para utilizar los elementos existentes resulta más simple y rápido estudiar el transis-
tor como una “caja negra” de tres bornes.
La predeterminación del funcionamiento de estos elementos, es decir, el estable-
cimiento de las relaciones entre las magnitudes que aparecen puede hacerse a veces
partiendo de conclusiones a las cuales llegan las comprobaciones experimentales.
Tal será el objeto de este volumen.
Sin embargo, la imagen, incluso muy simplificada del mecanismo de la conducción
en los semiconductores “contaminados” nos parece indispensable para la interpreta-
ción y una mejor comprensión del “efecto transistor” y de las fórmulas que lo ex-
presan.
En el primer capítulo daremos por tanto esta imagen de una manera sucinta.
Los tres capítulos siguientes estarán dedicados al primer contacto con el “efecto
transistor”. Indicaremos las similitudes y las diferencias entre los mecanismos de la
amplificación por válvulas de vacío y por transistores de unión, así como las nuevas
nociones y nuevos parámetros que se imponen en función de esas diferencias, siguien-
do los problemas planteados. Daremos el ejemplo del cálculo de un preamplifícador
de pequeña potencia, destinado a trabajar en una temperatura ambiente normal.
Antes de abordar, en los capítulos siguientes, el problema importantísimo del ca-
lentamiento acumulativo que resulta de la doble reacción interna (térmica y electró-
nica), estudiaremos el transistor en pequeñas señales, considerado como cuadripolo
lineal activo, los parámetros Z y los parámetros híbridos, así como su medida lla-
mada “dinámica”.
Expondremos después la teoría clásica del calentamiento acumulativo, las insuficiencias
de esta primera aproximación y la posibilidad de las medidas térmicas simplificadas.
A continuación indicaremos cómo predeterminar los diferentes márgenes térmicos
que hace falta imponer y daremos ejemplos de cálculo numérico en clases A y A-B.
Para este propósito, tomaremos el problema del montaje simétrico en clases A, A1 y
AB, de una manera más detallada.
El lector encontrará en este volumen ejercicios y trabajos prácticos, orientados
hacia la realización de equipos transistorizados.
PROLOGO
Agradecemos a nuestros alumnos Lacoste, Giraud y Edmond (de la promoción

del 59-63, del 4.º año) la ayuda que nos han prestado en la construcción de una estufa
adaptada a los problemas estudiados, la puesta a punto práctica y las numerosas veri-
ficaciones experimentales de medidas térmicas simplificadas que hemos propuesto.
L. CHARIN
CAPITULO I
Semiconductores. Conducción por electrones

y por huecos. Diodos de unión.
Ll Corriente eléctrica; conductores y aislantes. Semiconductores: estructura mo-

lecular y conducción intrínseca
Un cuerpo sólido está considerado como un conjunto regular de átomos. Cada
átomo contiene un núcleo y un conjunto de electrones que llevan individualmente una
carga elemental negativa e = 4,8-10-10 unidades electrostáticas c.g.s., o sea: 1,6-10-19
culombios. El núcleo tiene una carga positiva cuyo valor es igual a la suma de las
cargas de todos los electrones normalmente presentes alrededor del núcleo.
Algunos electrones están ligados muy fuertemente al núcleo; pero otros, llamados
periféricos, sirven para asegurar las uniones con los átomos próximos.
Nos ocuparemos únicamente de estos últimos, que tienen un determinado nivel ener-
gético común y forman normalmente “la banda de valencia éstos son los electrones
que aseguran la cohesión interna del cuerpo sólido.
Pero, en ciertas condiciones, más o menos fácilmente según los cuerpos, algunos
electrones de valencia se desprenden de la función de la cohesión molecular y pueden
desplazarse por el inmenso vacío interatómico. Estos constituyen la banda de con-
ducción, porque estos electrones liberados -llamados libres o móviles- son los que
aseguran el paso de la corriente eléctrica.
Para que quede libre un electrón atado al mecanismo de la cohesión molecular
(también se dice: para hacer que pase un electrón desde la banda de valencia a la de
conducción), hay que imprimirle una determinada cantidad de energía, que se expresa
en “electrón-voltios”: “eV.”; “electrón” significa en esta expresión la carga elemental
que lleva. Esta energía, que difiere de un cuerpo a otro, tiene un papel muy importan-
te en la conducción.
En los metales existen normalmente, además de los de valencia, un gran número de
electrones libres, los cuales, incluso en ausencia de acción de campos exteriores, se
desplazan de átomo en átomo de una manera desordenada, en todos los sentidos. El
metal neutro es así origen de una agitación electrónica, de manera un poco parecida
a como el gas lo es de una agitación molecular.
Al igual que en el caso del gas, en donde todos esos desplazamientos desordenados
de las moléculas se anulan y no originan ningún desplazamiento de la masa gaseosa,
la agitación electrónica tampoco crea, en definitiva, ningún desplazamiento de carga
en el conductor.
SEMICONDUCTORES
Se puede ilustrar esta agitación electrónica, a escala atómica, como se ve en la

figura I.1.1-a.
a b
Fig. I.1.1 Los círculos numerados indican los átomos del metal; el punto negro A, un electrón libre. Las
flechas indican las trayectorias del electrón libre A,
a) que se desplaza debido a la agitación electrónica únicamente,
b) en el caso de una diferencia de potencial aplicada a los bornes, creando un campo eléctrico H.
Que el electrón A vuelva o no a su lugar carece de importancia; de todos modos

será rápidamente remplazado por otro idéntico, solicitado por la plaza vacante, y así
sucesivamente.
Si se aplica una diferencia de potencial a los extremos de semejante conductor
metálico, el campo eléctrico H resultante orientará los desplazamientos erráticos de
átomo en átomo de algunos electrones libres en el sentido de su acción y se estable-
cerá una corriente eléctrica; la figura I.1.1-b ilustra este fenómeno a escala atómica.
Recordemos que el sentido convencional de la corriente es opuesto al de desplazamien-
to de los electrones.
La existencia de un gran número de electrones libres facilita la conducción en los
metales, que son “buenos conductores”; su resistividad es muy pequeña (1,7 μΩ/
cm/cm.2 la del cobre).
La resistividad de los metales aumenta con la temperatura, porque la oleada de elec-
trones, muy importante, es obstaculizada en su desplazamiento por la agitación tér-
mica de los átomos.
Aislantes; Semiconductores; conducción intrínseca

Hay cuerpos en los que todos los electrones periféricos están sólidamente enrolados
en las uniones atómicas. Se les llama “aislantes” cuando ni los campos eléctricos
usuales ni los aumentos habituales de la temperatura son capaces de suministrar bas-
tante energía para romper ese equilibrio, empujar un electrón y dejarlo libre.
Si la resistividad de los conductores desciende a algunos μΩ/cm/cm.2, la de los
aislantes es del orden de algunos kilomegohmios/cm/cm.2 Esta enorme relación
(1015) es la que existe entre los dos extremos de la escala de conducción.
Se llaman “semiconductores” los cuerpos que se colocan entre esos dos extremos.
Cuando son puros, todos los electrones periféricos están también “enrolados” en los
enlaces atómicos.
16
CORRIENTE ELECTRICA
El germanio, por ejemplo, que junto con el silicio son los más empleados en elec-
trónica, cristaliza en un sistema en donde cada átomo está colocado en el centro de
un tetraedro cuyos vértices están ocupados por cuatro átomos, los más cercanos.
Este es tetravalente (su valencia es igual a cuatro); es decir, que su capa electrónica
periférica contiene cuatro electrones. La figura I.1.2 representa la estructura inter-
atómica del germanio, proyectada sobre un plano.
Si nos fijamos en dos átomos vecinos vemos que la unión entre ellos está asegurada
por el hecho de que ambos tienen dos electrones en común.
Así, cada átomo, aunque sólo tiene en propiedad cuatro electrones periféricos, que-
da envuelto en definitiva por ocho electrones.
Fig. I.1.2 Estructura interatómica del germanio representada en un plano, los círculos grandes son núcleos
atómicos con sus capas de electrones; y los pequeños son los periféricos que aseguran las uniones entre
átomos.
Se ve que la energía necesaria para romper una unión y dejar libre un electrón de
enlace (A, por ejemplo, como en la figura I.1.2), es aún relativamente débil en el caso
del germanio puro. Esta energía, del orden de 0,7 eV contra 7 eV y más en los aislan-
tes, puede ser suministrada también por la agitación térmica, pudiendo así establecerse
una conducción, aunque muy débil. La resistividad del germanio puro es del orden de
algunas decenas de ohmio/cm/cm.2
Cuando un semiconductor es absolutamente puro, se le llama “intrínseco” y la con-
ducción que se establece se denomina “conducción intrínseca”.
La agitación térmica rompe una determinada cantidad de uniones a lo largo del
cristal puro de germanio.
Consideremos que los dos átomos “1” y “2” de la figura I.1.3 son víctimas de esas
rupturas.
Cuando el electrón A deja su lugar aparece localmente, a escala atómica, una falta
17
SEMICONDUCTORES
de carga negativa que se denomina “laguna” o “hueco” y que corresponde a la pre-

sencia de una carga positiva (figuras I.1.2 y 3).
Si otra ruptura de un enlace libera otro electrón B del átomo vecino, que llamare-
mos “2”, el hueco dejado por A es solicitado por el electrón B que acabará por ocu-
par el lugar de A (fig. I.1.3).
a b c
Fig. I.1.3
átomos electrones móviles huecos móviles
A un desplazamiento del electrón del átomo “2” al átomo “1” corresponderá un

desplazamiento del hueco del átomo “1” al “2”, es decir, en sentido inverso. Sise
establece una corriente, su sentido convencional será el del desplazamiento de los
huecos. En el estudio de la conducción será frecuentemente este último el más cómodo
de considerar.
Pero, que se considere el movimiento de los electrones liberados o el desplazamien-
to (en sentido inverso) de los “huecos” aparecidos (de carga y masas iguales y de
sentido opuesto), no influye para nada en el cálculo matemático, el cual llega a las
mismas leyes, con la única diferencia de las constantes numéricas.
En el caso del germanio puro las concentraciones de electrones y huecos son las
mismas.
1.2 Impurezas; semiconductores contaminados “N” y “P”. Conducción a través

de los semiconductores contaminados
Contrariamente a lo que sucede con los aislantes, muy débiles rastros de impurezas
químicas (del orden de 10-7, o sea un átomo extraño por cada diez millones de átomos
del semiconductor) modifican de una manera fundamental la conductibilidad de un
semiconductor.
En el caso del germanio, las impurezas más interesantes son los elementos penta-
valentes (cinco electrones de valencia, como el antimonio, arsénico, etc.) y trivalentes
(tres electrones de valencia, como el galio, el indio, etc.).
La figura I.2.1 nos muestra un átomo pentavalente de antimonio que ha ocupado
el lugar de otro de germanio.
18
IMPUREZAS
Los cuatro átomos vecinos de germanio no pueden cambiar con el átomo de anti-
monio más que cuatro electrones de valencia y, por ello, el quinto quedará sin enlazar,
es decir, disponible en la estructura uniforme del conjunto.
El electrón disponible gravitará alrededor de una carga elemental positiva que le
corresponde y que resulta de la diferencia de la carga positiva del núcleo atómico Sb y
de la carga negativa de los electrones internos y de cuatro (de los cinco) electrones
periféricos. Pero como este electrón no intervendrá en los enlaces entre átomos, la
energía necesaria para desplazarlo y, por ello, para ionizar positivamente el átomo
de Sb, es débil enlace que subsiste entre el electrón disponible y el átomo extraño pen-
tavalente.
o b
Fig. I.2.1 Los círculos grandes representan los núcleos atómicos con sus capas de electrones internos, y los
pequeños: .... son los electrones de valencia. En “b”: átomo de Sb ionizado positivamente por la partida del
electrón disponible.
El semiconductor hecho impuro o impurificado se denomina “contaminado”, y es

del tipo n cuando presenta un exceso de electrones disponibles.
Nota.—No se trata, bien entendido, de que haya un exceso de cargas negativas con
relación a las positivas. La carga negativa global se mantiene en todo punto e
instante compensada por la carga global positiva. No se puede hablar de que
haya un exceso o una falta de carga más que localmente, a escala atómica, o
bien de un exceso de cargas móviles.
La figura I.2.2 representa el germanio contaminado por un elemento trivalente (el
galio, Ga); se le denomina de “tipo p”.
La interpretación del mecanismo de la conducción es análoga. El átomo de galio no
puede contener más que sus tres electrones periféricos, y en la estructura atómica
aparece una falta de electrones, o sea un “hueco” donde haya un átomo de galio.
El átomo de Ga tenderá a completar su capa externa de cuatro electrones, al igual
que el átomo de antimonio presentaba tendencia a dejar su quinto electrón. Dicho de
otra forma, el “hueco ” es el que podrá esta vez ser empujado y desplazado fácilmente
19
SEMICONDUCTORES
a b
Fig. I.2.2 Germanio p; en “b”: átomo ionizado de galio.
por la agitación térmica, por ejemplo; el átomo de galio podrá así ser ionizado negati-
vamente.
Se dice entonces que la conducción está facilitada por un exceso de huecos disponi-
bles o móviles y se habla de la “conducción por huecos ”.
También hay los semiconductores llamados n: “donantes” por que “donan” volun-
tariamente los electrones disponibles; a los semiconductores p se les llama “acep-
tantes ” porque aceptan voluntariamente los electrones.
En el germanio n o p la agitación térmica puede también romper algunas uniones
entre átomos de germanio y crear así pares “electrón-huecos ” disponibles, pero siem-
pre habrá más electrones móviles que huecos móviles en el germanio n, y más huecos
móviles que electrones móviles en el germanio p.
Los portadores móviles de carga presentes en gran cantidad se llaman “portadores
mayoritarios ” (electrones en el tipo n y huecos en el p) y los otros, “portadores mi-
noritarios”.
El número de portadores móviles aumenta con el porcentaje de impurezas introdu-
cidas. Sin embargo, “una contaminación” demasiado fuerte hace perder al semicon-
ductor sus propiedades y se comporta como un metal; se dice entonces que se ha
“degenerado”.
1.3 Unión np en equilibrio. Unión np, bajo tensión; corriente directa y corriente
inversa
Un monocristal semiconductor en el que haya una parte del tipo n y otra del tipo p
constituye una “unión n-p
La unión puede obtenerse por aleación o por difusión.
La fabricación de una unión n-p de germanio por aleación comprende en resumen
los estados siguientes:
1. Se purifica el germanio (resistividad: 30 Ω/cm/cm.2 aproximadamente), se le
20
UNION NP EN EQUILIBRIO
hace fundir añadiéndole un débil porcentaje de antimonio puro, se saca el monocristal

de germanio n (resistividad: 10 Ω/cm/cm.2 aproximadamente) y se corta a conti-
nuación en plaquitas de 2 mm de espesor.
2. En un soporte de “kovar” (que es una aleación de Fe, Ni, Co y Mn) se apilan
(figura 1.3.1) una pastilla de estaño, la plaquita de germanio n, una pequeña cantidad
de elemento trivalente (1 mm3 de indio generalmente) y el hilo de conexión superior.
3. Se calienta el conjunto durante un tiempo muy corto, en una atmósfera inerte
(600° aproximadamente). El estaño suelda el germanio n al soporte y el indio se suelda
por una parte al germanio y por la otra a la conexión superior.
Al soldarse el indio al germanio se difunde en la parte superior del cristal, trans-
formando el tipo n en p y provoca la formación de una unión p-n.
Se supone que el paso del estado n al p se realiza bruscamente, siguiendo una su-
perficie plana (como se ve en la figura I.3.2); prácticamente se puede considerar que,
en la mayoría de los casos, la unión se realiza asi.
Fig. I.3.1
1 - Soporte de kovar
2-Estaño
3 - Germanio n
4 - Indio
5 - Conexión superior
j - Unión np
La figura I.3.2 no muestra más que los átomos de impurezas (grandés círculos) y
portadores móviles mayoritarios. Para mayor claridad, no se han representado los
átomos de germanio ni los portadores móviles accidentales (electrones y huecos en
cantidades iguales) provenientes de la ruptura de la unión entre átomos de germanio,
ruptura que siempre es posible debido a la agitación térmica.
Los portadores mayoritarios que se encuentran justamente a uno y otro lado de la
superficie de la separación, se difunden (+ de p en n y - de n en p) y se recombinan
dejando, al paso de esta neutralización, átomos de impurezas ionizados, cuya carga ya
no está compensada por la presencia de los portadores móviles.
Por esta causa, aparece una carga de espacio que crea una diferencia de potencial
electrostática (del orden de 0,1 V), llamada “barrera de potenciar” que se opone a que
prosiga la difusión.
Nos encontramos, pues, en presencia de una capa muy delgada situada a ambos
21
SEMICONDUCTORES
lados de la superficie de separación, del orden de algunas decenas de micrones, que

se denomina “capa de barrera”. En esta capa se establece un campo eléctrico h que
se opone a que prosiga la difusión.
Razonemos considerando las cargas positivas.
Una carga positiva (carga ficticia representada por un “hueco” punteado en la
figura I.3.2) que puede venir del lado p, será retenida por los átomos ionizados de
antimonio. Y otro tanto sucederá con los electrones que puedan venir del lado n.
Pero si esta difusión, que se traduce en el nacimiento de una corriente id es así
limitada por el campo interno h, se concibe que la aplicación de una fuente de ten-
sión exterior modificará el valor de corriente posible.
En ausencia de acción exterior, la unión no puede estar más que en equilibrio y
ninguna corriente puede atravesarla en régimen permanente.
La pequeña corriente id de difusión debe, pues, ser compensada por otra igual y de
sentido contrario. Esta corriente, que denominaremos i0 no puede provenir más que
de los pares “electrón-hueco” debidos a la agitación térmica.
El campo interno h favorece efectivamente el paso de los huecos en sentido inverso
(el mismo razonamiento para los electrones).
Si la corriente id depende de la barrera de potencial U, la corriente ie no dependerá
más que de la temperatura θ, pero como la unión está en equilibrio, se tiene id = iθ.
La experiencia confirma esta hipótesis y se confirman también las conclusiones que
ella permite deducir.
Fig. I.3.2
Unión np en equilibrio
Z - espesor de la unión
P - plano de separación de n y p
id - corriente muy débil de difusión que persiste
iθ - corriente debida a la agitación térmica
U = J(x) - reparto de la barrera de potencial en función de la distancia del punto considerado al
plano de separación
+ - hueco ficticio
h - campo interno que se ejerce en el punto considerado de la unión
22
UNION NP EN EQUILIBRIO
a b
Fig. I.3.3
a: Unión polarizada ligeramente en el sentido de la conducción
H campo debido a la fuente de tensión exterior U
P plano de separación
id corriente más importante que se establece
b: Unión polarizada en el sentido de la no conducción; ia corriente de saturación
Unión polarizada
Si aplicamos a la unión n-p una fuente de tensión exterior U con el polo positivo
conectado en el lado p y el negativo al n, el campo H debido a esa diferencia de po-
tencial actúa en sentido inverso del campo de espacio h, pudiendo establecerse la
conducción (fig. L3.3-a).
Comprobamos efectivamente una corriente relativamente importante que crece
rápidamente con la tensión aplicada U (fig. I.3.4).
Fig. I.3.4
Corriente que atraviesa un diodo de unión en función de la tensión aplicada a sus extremos.
Jd: corriente “directa”; unión polarizada en el sentido de la conducción (sentido: “directo”)
Jσ: corriente de “saturación”; unión polarizada en el sentido de la no conducción (sentido: “inversa”).
23
SEMICONDUCTORES
Si invertimos la polaridad reforzamos la acción de frenado de la barrera de poten-

cial (fig. I.3.3-b) y la corriente de difusión se anula en cuanto es suficiente la tensión
exterior U; la conducción queda bloqueada.
La corriente iθ debida a la agitación térmica es suficientemente favorecida por el
campo interno h y el refuerzo de este último por el campo H no tiene influencia sobre
ella. La corriente resultante se hace muy pronto constante y se le llama corriente de
saturación: J0 (fig. I.3.4).
En definitiva, la unión opone así una baja resistencia en un sentido y una resistencia
elevada en el opuesto, de donde se tiene un efecto rectificador.
No obstante, como lo muestra la forma de J = f(U) (fig. I.3.4), alrededor del ori-
gen no hay efecto rectificador para las señales muy pequeñas.
Recordemos que la característica estática del diodo de vacío alrededor del origen
presenta un aspecto diferente. Con tensión aplicada nula, la corriente no lo es y para
anularla es preciso que haya una pequeña tensión inversa (fig. I.3.5).
Fig. I.3.5 Diodo de alto vacío.
Cuando se examina de cerca la forma experimental de la corriente inversa que

atraviesa el diodo de unión, en función de la tensión inversa, se comprueba que esa
corriente aumenta ligeramente con la tensión (fig. I.3.6).
Fig. I.3.6 Corriente inversa Js en función de la tensión inversa Us.
24
CORRIENTE INVERSA
Este aumento es sensiblemente proporcional al de la tensión, de forma que a partir

del codo (U inversa del orden de 0,5 V) la derivada parcial es prácticamente
una constante.
Esta “resistencia interna” inversa del diodo de unión,
es muy elevada; para el germanio ps es de algunas decenas de megohmios a 25°C.

Se puede representar la corriente inversa Js como la suma de la de saturación Ja y
de un término correctivo sensiblemente igual a Us/ρs (siempre, claro está, que se pueda
desdeñar la tensión en el codo respecto a la del punto considerado):
1.4 Corriente inversa y reacción térmica
La corriente de saturación Jσ es debida a la agitación térmica y es función creciente

de la temperatura. El estudio matemático de los fenómenos físicos conduce a la re-
lación:
cuando pasa la temperatura de θ oº aθº;
Esta relación está bastante bien comprobada por la experiencia. Si el valor teórico
del parámetro γ es de 8.340 °K, el valor experimental varía, para el germanio, según
la muestra, en límites bastante amplios, o sea de 7.000 a 9.000. Hay también que aña-
dir que para la misma prueba γ varía ligeramente, según el intervalo de temperatu-
ras Δθ considerado.
Los fabricantes dan a veces, para cada tipo de unión, una relación gráfica en
forma de:
J es Jσ(θ 0) con Θ0 = 20° ó 25°. Así:

dondeσ-0
25
SEMICONDUCTORES
Si admitimos para la corriente inversa Js la fórmula:
hay que observar que el término correctivo Us/ρs para un diodo de unión es relativa-
mente pequeño, porque la resistencia diferencial ρs es muy grande. Esta resistencia
disminuye cuando la temperatura aumenta y la ley exponencial:
donde ρs-0 es ρs a θ0º, traduce bien la relación experimental ρs — f(θ).

El parámetro γ’ es menor que ρ, es decir, que 1/ρs aumenta más lento queJ0.
Como el término correctivo Us-ρs es pequeño respecto a se engloba en el término
principal y se admite:
donde es igual a
La corriente inversa Js, que atraviesa la unión bajo una diferencia de potencial Us,
da lugar a una disipación de calor que corresponde a JS·US. Muy pequeña, casi desde-
ñable a la temperatura de unos 20 a 25°, esta disipación se hace considerable cuando
se eleva la temperatura, porque la corriente inversa es una función exponencial de la
temperatura.
Pero un aumento del calor desprendido en la unión acarrea un calentamiento y una
elevación de la temperatura, dando lugar a un nuevo crecimiento de corriente inversa,
que a su vez calienta aún más la unión, y así sucesivamente. Estamos, pues, en pre-
sencia de una reacción térmica que produce un caldeo acumulativo; este último puede
conducir a un estado de equilibrio, pero también a desencadenar su destrucción.
Se podría dar la imagen del fenómeno representándola por un bucle de servome-
canismo por reacción, como en la fig. I.4.1.
En una primera aproximación y para un determinado intervalo, se podría detener
en términos aproximados de forma: Δθ = A·ΔJS para la cadena que representa el
26
CORRIENTE INVERSA
calentamiento debido a un aumento de la corriente inversa, y ΔJS = B·ΔΘ, para la ca-

dena de reacción que representa el aumento de la corriente inversa debida al calen-
tamiento. Esto conduciría a:
Fig. I.4.1
Como toda reacción, puede conducir también a una inestabilidad, es decir, que en
ciertas condiciones θ puede tender hacia valores cada vez mayores, que lleguen a pro-
ducir la destrucción de la unión; se dice entonces que hay una avalancha térmica.
Para cada tipo de semiconductor indica el fabricante la temperatura límite: θj máx.,
que no se debe rebasar so pena de deterioro de la unión.
En los cálculos debe por tanto preverse un margen de seguridad: θj máx - θj, en
donde θj es la temperatura de equilibrio que alcanza la unión según la potencia disi-
pada y las condiciones de refrigeración.
Pero no bastará con respetar ese margen para poner la unión al abrigo de una des-
trucción. Hará falta también que el funcionamiento sea térmicamente estable y que no
pueda desencadenarse una avalancha térmica. También hará falta prever un margen
de seguridad. En el capítulo VIII veremos cómo se plantea el problema.
27
CAPITULO II
Efecto transistor. Características estáticas

y parámetros. Mando de un transistor
II.1 Efecto transistor; relaciones fundamentales

Un transistor de unión contiene tres partes, en las que los tipospyn están opuestos
alternativamente.
Consideremos un transistor “p-n-p” cuyas uniones están en equilibrio.
En la figura II.1.1, para mayor claridad no hemos representado más que los átomos
ionizados de impurezas en las uniones y los portadores mayoritarios a ambos lados
de ellas.
Fig. II.1.1
Reparto del potencial en un transistor no polarizado (unión en equilibrio)j - unión.
La parte central “n”, cuyo espesor es relativamente delgado respecto a las partes
extremas, se llama base.
Para utilizar el transistor p-n-p se polariza respecto a la base (fig. II.1.2).
1. una lámina p (la de la izquierda, por ejemplo) en el sentido de la conducción
(UEB > 0).
2. y otra lámina en el sentido de la no conducción (UCb < 0).
La laminita de la izquierda, polarizada positivamente respecto a la base, se llama
emisor (E); como veremos, gracias a éste (y a su través) se establece una corriente JE,
La laminita de la derecha, polarizada negativamente respecto a la base, se llama
colector (C); éste es el que, con una diferencia de potencial relativamente importante,
colectará una gran parte de la corriente “sacada” por el emisor (fig. II.1.2).
EFECTO TRANSISTOR
Fig. II.1.2
Transistor polarizado. Repartición del potencial:
- Trazo punteado: en equilibrio
- Trazo lleno : polarizado
Para explicar el efecto transistor se pueden considerar los huecos móviles del
emisor.
Sin polarización, estando la unión en equilibrio, los huecos móviles están bloqueados
por la barrera de potencial. La fuente de polarización UEB crea un campo exterior que
baja la barrera de potencial y los huecos móviles pueden penetrar a través de la unión.
Algunos huecos se combinan con los electrones móviles de la base (de ahí una pequeña
corriente JB), pero la mayoría de esos huecos móviles, solicitados por la diferencia de
potencial UBc que favorece mucho su desplazamiento, van a parar al colector y cierran
el circuito, dando lugar a la corriente JC· Se comprueba que:
(1)
con a poco diferente de 1 (0,9 a 0,99).

Tendremos también, como es natural:
(2)
Basta con una pequeña fuerza electromotriz UEB para hacer que nazca la corriente
en el transistor y se puede colectar una gran parte de esa corriente (Jc = JE) con una
tensión mucho más fuerte entre la base y el colector.
El transistor nos permite así poner en juego una potencia relativamente importante
29
EFECTO TRANSISTOR
respecto a la necesaria para el mando, de donde su calidad de relé y el efecto amplifica-

dor que permite realizar.
En lo que concierne a la relación entre la corriente de colector Jc y la de emisor
JE, hay que observar que el diodo base-colector, polarizado en sentido inverso, será
recorrido al mismo tiempo por la corriente inversa Js.
Hará falta, por tanto, escribir de una manera general, cuando pasamos de un estado
a otro estado próximo (1)
(2)
(I)
relación que expresa el efecto transistor del circuito que utiliza la base como borne
común de referencia.
Por otra parte, también tenemos:
(II)
Las relaciones I y II, que nos sugiere el mecanismo de la conducción que se esta-
blece en los transistores, quedan bastante bien cumplidas por la experiencia. Estas dos
hipótesis fundamentales son la base de la teoría de los transistores.
Cuando son pequeñas las potencias disipadas en la unión y la temperatura ambiente
es normal (de unos 20°C) la corriente inversa Js, muy débil, puede despreciarse. No
sucede lo mismo cuando la temperatura ambiente es elevada y la potencia disipada en
la unión es relativamente importante. En este caso, la presencia del término Js, como
veremos en el capítulo VIII, crea problemas complejos, que no se plantean cuando se
trata de válvulas de vacío.
II.2 Montaje BC; características estáticas, resistencia interna, resistencia de entrada.

Montaje EC
Las características de los transistores, es decir, las relaciones entre las magnitudes
que aparecen en la utilización de los transistores, pueden ser calculadas con las teorías
de la física de los sólidos. Las imágenes que hemos presentado en el primer capítulo
también se deducen.
Pero si este método es interesante para los fabricantes, sobre todo en la búsqueda de
características y en la perspectiva de nuevas utilizaciones posibles, es menos cómodo
para el constructor de equipos. Por eso el usuario prefiere recurrir al método experi-
mental para determinar las propiedades y el comportamiento de los transistores.
Para representar el transistor se utiliza a veces el esquema de la figura II.2.1.
En primer lugar, hemos de considerar el transistor como una “caja negra” con tres
bornes accesibles: E (emisor), B (base) y C (colector).
30
MONTAJE BC
Fig. II.2.1
Para que funcione, es decir, para realizar el efecto transistor, tal como lo hemos
visto en el apartado II.1, hay que polarizarlo (UEB > 0) y alimentarlo convenientemente
(UcB < 0 Ó Uce < θ)·
Fig. II.2.2
Montaje BC
Ueb = Ue > 0
UCB = Ue < 0
Uab = Ua < 0
Je = Jb + Jc
La figura II.2.2 representa un transistor con la base tomada como borne común
(borne de referencia) para la polarización del emisor UEB y para la alimentación del
colector UCb ·
A este montaje se le llama de “Base Común”, o sea, “BC”.
En él, el borne de Emisor es el de entrada, y el de Colector, el de salida.
El receptor R estará colocado en el circuito de colector. La corriente de emisor JE
será la magnitud de mando. Al igual que en el caso de la válvula de vacío, será inte-
resante conocer primeramente las relaciones gráficas:
constante.
Sin receptor (se dice también: con “la salida en cortocircuito”, es decir, con R = 0),
se tiene que Uc = Ua.
La figura II.2.3 representa las características estáticas de un transistor de germanio
de pequeña potencia: OC70.
La red Jc = f(Uc) con JE = constante, presenta ciertas analogías con la de Kellog
Jp = f(Up) con Ug = constante del pentodo de vacío con Ue (tensión de pantalla)
constante.
Al igual que en el caso del pentodo, está constituida en una zona muy amplia, por
dos rectas paralelas, equidistantes y ligeramente inclinadas sobre la horizontal.
También se puede aquí delimitar una zona lineal y considerar otra zona de desecho
que, en el caso del transistor, es bastante menor.
31
EFECTO TRANSISTOR
Fig. II.2.3 Red de características estáticas BC.
Para el OC70, la tensión de desecho es del orden del medio voltio cuando la tensión
de alimentación Ua alcanza normalmente una decena de voltios.
De la primera red es fácil deducir la Jc = f(Je ) con Uc = constante, que se reduce
sensiblemente, en la zona central, a una recta cuya pendiente determina α, o sea la
ganancia en cortocircuito del montaje BC.
32
MONTAJE BC
Contrariamente a lo que sucede en el caso de válvulas de vacío en donde |/J dis-

minuye cuando |Ug| aumenta, en el caso del transistor |JC| aumenta con |JE |.
Si trabajamos en la zona lineal de la red Jc = f(Uc) el funcionamiento será lineal
respecto a la corriente de emisor considerada como magnitud de mando, incluso aunque
las variaciones “entre picos” de JE sean importantes; tendremos Δ7C = a / Δ7f.
Remplazando Ug de la válvula termiónica por JE del transistor, encontramos una gran
analogía entre las dos características.
Pero, prácticamente, la magnitud de mando será también aquí una fuerza electro-
motriz, es decir, que nos hará falta pasar por ΔUE para obtener un ΔJE y por ello es
importante conocer también UE = f(JE).
La figura II.2.3 muestra esas características con Uc = constante. Estas presentan
una fuerte curvatura, en la zona de empleo normal del transistor, en donde precisamente
es lineal la zona de la red Jc = f(Uc)· Así, aunque esta última sea prácticamente
lineal en una zona bastante ancha, el funcionamiento
no será lineal, de una manera general, más que si las señales son suficientemente
débiles para poder asimilar el arco de la curva UE = J(JE) a la tangente en el punto de
soporte N(UE-N, Jen ) considerada.
Volveremos a este problema en el texto que sigue:
En el montaje BC de la figura II.2.3, la red Jc = f(Uc) concierne al circuito de salida
y la UE = f(JE), al de entrada.
La derivada parcial θ Uj ∂Jc (con JE = constante) es la
resistencia de salida o resistencia interna ρ¡
del transistor; que corresponde a la interna de la válvula de vacío. Esta es también sen-
siblemente constante en una ancha región; su valor es elevado y es del orden de los
50.000 ohmios en el OC70.
La misma noción se introduce para el circuito de entrada y se llama
resistencia de entrada pe
del montaje BC, y la derivada parcial ∂UE/∂JE con Uc = constante; es variable y
pequeña.
Para el OC70 vale 100 ohmios con bajos valores de JE del orden de los 5 mA, por
ejemplo.
En el caso de una válvula de vacío, en baja frecuencia (es decir, cuando los acoplos
parásitos son aún desdeñables), la resistencia de entrada se reduce prácticamente a la
de rejilla (rg), que se puede elegir muy grande (del orden de un megohmio, por ejem-
plo); por tanto, es elevada y constante.
Esta es una de las diferencias esenciales entre los dos elementos, y más adelante
veremos las consecuencias de ello.
Montaje EC
Se puede emplear el transistor con el borne de Emisor como borne común (que hace
de referencia para las tensiones aplicadas), el borne de base como el de entrada y el de
colector como el de salida (figura II.2.4). Este montaje, llamado de “Emisor Común”
33
EFECTO TRANSISTOR
(EC), es el más empleado porque está caracterizado por la mayor ganancia de potencia.
La figura II.2.5 muestra las tres familias de características estáticas (montaje EC),
que presentan muchas analogías con las del montaje BC.
En el montaje EC, la resistencia interna será ρi = ∂Uc/ ∂Jc y la resistencia de
entrada, ρe = ∂UB/ ∂Jb ·
La figura II.2.6 representa ρe = Considerando las características Jc = f(JB)
con Uc = constante, se introduce el parámetro
El parámetro corresponde a la ganancia de corriente en cortocircuito del mon-

taje EC.
Si a es ligeramente inferior a la unidad, varía de 20 a 40, según el ejemplar.
Fig. II.2.4
Montaje EC
Uae = Ua < 0
Ude = VQ < 0
Ube = Ub < 0
UCE = Uc < 0
Je = Jb + Je
Cuando se puede desdeñar la corriente inversa Js, las relaciones
permiten expresar en función de a.

Pongamos Uc = constante.
Para los aumentos suficientemente pequeños, admitiremos:
de donde
34
MO NT AJ E BC
Fig. II.2.5
Redes de características
35
estáticas EC.
EFECTO TRANSISTOR
Fig. II.2.6 OC70

ρe=f(JB) EC
La determinación gráfica de es más precisa, habida cuenta de su valor. Así, se

medirá y se tendrá:
Si la influencia de la corriente inversa no es despreciable (en el capítulo VIII veremos

mejor lo que esto significa), las relaciones son:
(I)
y (II)
que hay que considerar. Esto conduce a
relación que expresa el efecto transistor en el montaje EC.
36
RECTA DE CARGA
II.3 Recta de carga; característica dinámica. Recta de ataque; distorsión lineal. Mando
por tensión y por corriente
La figura II.2.4 representa un transistor EC, polarizado por una fuente de fuerza
electromotriz U0 y de resistencia interna ρ0, cargado por una resistencia R y alimentado
por una fuente Ua.
Sean Jb -n y Ub -n la corriente y la tensión de base del circuito de entrada, y JC-n y
UC-N la corriente y la tensión de colector del circuito de salida.
En lo que concierne al circuito de salida, tenemos, al igual que para una válvula
electrónica, para Ua = constante, cuando Jc varía:
Esta relación es una recta en el sistema de ejes Jc y Uc
Se le llama también aquí recta de carga (fig. II.2.5).

Si por el arreglo conveniente del circuito de entrada imponemos una polarización
constante:
constante
la recta de carga y la característica Jc = f(UC) con la JB = constante = JB-N deter-

minan por su intersección el punto figurativo N (JB-n , JC-n y Uc -n ), llamado punto de
reposo.
Si consideramos la corriente de base JB como señal de mando, podemos introducir
también aquí la noción de característica dinámica Jc = f(Jb ) con Ua = constante,
como en el caso de la válvula de vacío.
Si superponemos a la polarización JB = constante una señal sinusoidal iB = IB√2
sen ωt, el punto figurativo trazará un segmento de recta a ambos lados del punto N
de reposo.
Si nos limitamos a la zona lineal de la red Jc = f(Uc), el lugar geométrico
ic = Ψ(iB) estará representado por un segmento de recta N1, N2, colocado en la
característica dinámica, y este último se confundirá sensiblemente con la característica
estática, como en el caso del pentodo de vacío (sustituyendo JB por Ug).
Las corrientes ic eiB y la tensión vc estarán en fase.
Si “idealizamos” la red JB = f(UB) en la zona de funcionamiento TV, — TV2, volvere-
mos a encontrar vB sinusoidal y en oposición de fase, como puede verse en la fi-
gura II.3.1.
En realidad, la red JB = f(UB) no es del todo lineal, pero el funcionamiento
iB → iC → vc, es decir, la amplificación considerada será lineal si el punto figurativo
queda en la zona lineal de la red JCUC.
Pero, como ya hemos indicado, son sobre todo las fuerzas electromotrices las que
constituyen las señales de polarización o de ataque; para obtener JB hay que pasar
por U0.
37
EFECTO TRANSISTOR
Fig. II.3.1 Montaje EC

Régimen sinusoidal en una red idealizada; carga óhmica pura:
Ch recta de carga
d característica dinámica
N1-N2 Posiciones entre picos del punto figurativo
Para el circuito de entrada tenemos la relación:
que representa una recta en el sistema de ejes JB, UB (fig. 11.3.2) y se llama recta
de ataque.
El punto de intersección de la característica JB = f(UB) con Uc = constante (= UC-n
en nuestro caso) y la recta de ataque, determina la polarización JB-N, UB-N que se
realiza partiendo de la fuente U0, ρ0 dada.
De igual modo, conociendo la ρ0 de la fuente (es decir, la resistencia total de ataque,
aplicando la fuerza electromotriz de ataque al borne de entrada), se puede también
determinar el valor de UQ necesario para obtener la corriente de polarización JB dada
(= Js-N, por ejemplo), a condición de disponer de la característica JB = f(Uu) con
Uc = UC-N = constante.
Si el mando se hace por fuerza electromotriz, como es el caso a veces, a un ΔU0 le
corresponderá:
38
RECTA DE CARGA
Para una ΔU0 suficientemente pequeña con Uc = constante, remplazaremos el arco

N1N2 Poγ segmento PQ de la tangente trazada en el punto N de la característica
considerada JBf(UB) y escribiremos:
Así, tendremos:
y
La figura II.3.2 demuestra que la característica JB = f(UB) en la zona que nos
interesa presenta una fuerte curvatura y que ρe varía mucho siguiendo el emplazamiento
del punto figurativo. En el caso de nuestra figura, en donde ρQ es del orden de pe, es
Fig. II.3.2 Recta de ataque. Determinación gráfica del porcentaje de distorsión debido a la curvatura de
las características Jb = J(Ub ) con Uc — constante. Resistencia de entrada al punto N: ρe-N = tg 8.
Recta de atoque 1: UB = Uo - p0 . JB.
39
EFECTO TRANSISTOR
fácil comprobar que, si la señal de mando Δ U0 no es muy pequeña, no habrá propor-

cionalidad entre ΔU0 y ΔJB. Como, prácticamente, ΔJC será proporcional a ΔJB, el
funcionamiento
presentará una distorsión no lineal.

Cuando la fuerza electromotriz de polarización U0 varía en ± ΔU0, las variaciones
Δ1Jb y Δ2Jb alrededor de JB estarán determinadas exactamente por la intersección de
las rectas de ataque (fig. II.3.2):
(recta n.° 4)
y (recta n.° 5)
(paralelas a (recta n.° 1)
y, respectivamente, las características JB = f(UB) con Uc - ΔUC = constante y con

Uc + ΔUC = constante.
No obstante, como la carga de colector R suele ser débil y las características JB =
= f(UB) con Uc = constante muy aproximadas, para Uc variando la zona de empleo
normal de los transistores pequeños, se pueden admitir las características JB = f(UB)
con UC-N + ΔUC y UC-n — ΔUc como confundidas con la que corresponde a UC-n .
Consideremos los dos casos límites que se pueden presentar:
1. ρ0 es despreciable ante ρe.
La distorsión no lineal seguirá siendo acentuada. En el limite, ρ0 → 0 y la recta de
ataque se confunde con la horizontal, pasando por U0 = UB-NI A tal mando se le deno-
mina mando por tensión.
Si se realiza el mando por tensión, generalmente la pendiente ∂JC/ ∂U0 no es constan-
te, como en el caso de las válvulas de vacío, y ese parámetro ya no presenta el mismo
interés.
Sin embargo, para ciertos transistores de potencia, la red Jc, Uc deja de ser lineal y la
curva de las características JC, JB con Uc = constante, compensa la de las caracte-
rísticas JB, UB, de manera que la noción de pendiente vuelve a adquirir todo su interés.
En estos transistores, el mando por tensión es el que permite conseguir una amplificación
lineal.
2. ρe es despreciable ante ρ0.
En el límite tenemos ΔJB = ΔU0/p0. Como p0 es una constante, habrá proporcionali-
dad entre ΔU0 y ΔJB y la amplificación será lineal en la medida en que el punto figu-
rativo quede en la zona lineal de la red Jc, Uc·
Se le llama a este mando “mandopor corriente”.
La recta de ataque se confunde en el límite (ρ0 → ∞) con una vertical que pasa por el
punto de reposo JB-N, UB-N; el valor de UB-N es entonces muy bajo respecto al de U0.
40
EFECTO TRANSISTOR
II.4 Efecto transistor representado por una “fuente de tensión” o por una “fuente
de corriente”
La figura II.4.1-a representa una fuente de energía de fuerza electromotriz Ko y
resistencia interna ρ0, suministrando una corriente I a una resistencia R.
Representada de esa forma, la fuente lleva el nombre de “fuente de tensión”
; esta
representación corresponde a la agrupación en serie de los elementos ρ0 y R.
La ley de Ohm, aplicada al circuito, nos da:
(1)
Sea: RI = VBc = V (caída de tensión en los bornes del receptor R o tensión en los
bornes de la fuente, cuando consume la corriente I).
Dividiendo la expresión (1) por ρ0 tenemos:
(2)
El término V0/ρ0 de la ecuación (2) representa la corriente en cortocircuito de la

fuente:
Se puede considerar la relación (2) como expresiva de que la corriente en corto-

circuito Icc se reparte entre dos derivaciones: ρ0 y R como en la figura II.4.1-b, siendo
V la caída de tensión en los bornes de derivación. Así, representada, la fuente se
llama “fuente de corriente” (dos círculos que se cortan); esta representación corres-
ponde al agrupamiento en paralelo de los elementos p0 y R.
Las magnitudes V e I son medióles directamente en el montaje real, y las V0 e Icc
son características de la fuente:
V0, fuerza electromotriz, es la tensión máxima que aparece en bornes de la fuente
real cuando está en circuito abierto (o que aparecería si se pudiera dejar en circuito
abierto).
-Icc, corriente en cortocircuito, es la corriente máxima que aportaría la fuente real
si estuviera cortocircuitada (o si pudiera ser cortocircuitada).
a b
Fig. II.4.1 "a” Generador de tensión; “b”Generador de corriente.
41
EFECTO TRANSISTOR
Fig. D.4.2
La corriente ro/po es un término ficticio que significa la diferencia entre la caracterís-

tica Icc de la fuente y la corriente real disipada en el montaje dado; también representa
la corriente que disiparía en la derivación p0 (del agrupamiento p0 y R en paralelo),
una fuente que crease una diferencial de potencial K en los bornes de B,C.
Consideremos los bornes de salida C y E (figura II.2.4) de un transistor (montaje
EC) en régimen sinusoidal permanente alrededor del punto de reposo N (figura II.2.5).
La red Jc = f(Uc) nos permite hallar el valor medio de la resistencia interna:
correspondiente a JB = Jb -n = constante. La misma red nos permite apreciar también,

para una IB dada, el valor de Ic en cortocircuito (R = 0) que denominaremos Ic-cd
basta con trazar una vertical que pase por el punto N para evaluar, en esta vertical,
los segmentos fc\/2 correspondientes a las variaciones “de pico a pico” de JB, o sea
a los valores IB\/ 2 de uno y otro lado del punto N.
Tendremos: Ic-Cc = fi · IB.
El efecto transistor del elemento así polarizado y alimentado (JB, Ua) va a parar a
las armaduras de C y E, y cargado por R puede ser traducido en lo que concierne al
régimen sinusoidal IB → Ic:
-ya sea por una “fuente de tensión”, es decir, por una fuente electromotriz K,So ce
resistencia interna p¡ que consume en la resistencia R (figura 11.4.2-α/·
-o bien por una “fuente de corriente”, es decir, por una corriente en cortocircuito
Ic^cC que alimenta a p, y R en paralelo (fig. 11.4.2-0/
Conociendo Ic^c = fi- IB y p¡
II.5 Trabajos prácticos

Precauciones a tomar en el manejo de los transistores
(1) No doblar los hilos de conexión más que a la mayor distancia posible de
la cápsula (1 cm al menos o mucho más lejos de ser posible).
(2) No colocar el transistor en la vecindad de un aparato calentador; para todos
42
TRABAJOS PRACTICOS
los casos, indicar la temperatura ambiente media (tomada a veces durante la

medida).
(3) Evitar las soldaduras. La soldadura del hilo de conexión es una operación
delicada y la temperatura máxima de la unión no debe rebasar la prevista, siendo
del orden de 75°C para el germanio.
La soldadura se hará en el punto más alejado de la cápsula del transistor y
mediante el empleo de una pinza plana que se colocará en el hilo entre la envoltura y el
punto de soldadura. La operación se hará con la máxima rapidez (preferentemente,
con un soldador llevado a temperatura elevada pero con fuerte disipación de calor).
La punta del soldador debe estar perfectamente aislada de la tensión de la red,
debiendo calentarse preferentemente por medio de un transformador. Cuando no se
puedan llevar a cabo estas precauciones, lo más conveniente es cortocircuitar los tres
hilos de conexión por medio de una pinza.
(4) Nunca se utilizarán óhmetros de pilas para determinar los bornes del tran-
sistor.
(5) El montaje, bien sea en maqueta o en una mesa, para realizar las medidas,
debe efectuarse con ausencia de toda tensión y, para ello, se descargarán completa-
mente las capacidades de acoplo antes de montarlas.
Las redes de características estáticas del OC70 se trazarán limitándose a la zona
Wc = Uc Jc <25 mW.
Se anotará el valor medio de la temperatura ambiente Θa·
Bornes del transistor OC:
Lado del punto rojo: Colector. Hilo interior: Base. Hilo exterior: Emisor el más
próximo a la base (fig. IL5.L)
Valores límites absolutos, que no deben rebasar:
(95°C para t < 200 horas)

Ver esquemas de la figura II.5.2. Fuentes separadas: Para el colector: 12 voltios
aproximadamente. Para la polarización: de 5 a 10 voltios. Potenciómetros: 1.000
ohmios (a poder ser, 100 ohmios).
Correcciones que hay que hacer, si hay lugar, de los mA y μA (según las resisten-
cias internas de los voltímetros empleados y la importancia de las corrientes me-
didas).
Fig. n.5.1 Transistor OC70
43
EFECTO TRANSISTOR
a. Montaje BC. Atención: controlar constantemente: Wc < 25 mW.

Comenzar por (ZE = 0 y ÍZC = 0; conectar el transistor e ir subiendo progresi
vamente.
Se trazará la red Jc = f(Uc) con JE = constante.
Uc = -0,5 -1,5 -2,5 -5 -7,5 -10V
Je = 0,5 1,5 2,5 5 7,5 mA
Se deducirán las características Jc = f(UE) con Uc = constante para Uc = — 1,5 V
y — 2,5 V, JE como antes.
Se trazarán las características UE = UEB = f(JE) para Uc = constante. Uc y JE como
antes.
Las tres redes serán trazadas en la misma hoja de papel milimetrado. Escalas:
Uc: 1 voltio = 1 cm.

Je y Jc· 1 mA = 1 cm.
y UEB: 0,1 voltio = 4 cm.
b. Montaje EC: Wc < 25 mW; las mismas precauciones que en el caso “a ”

Red Jc = f(Uc) con JB = constante.
Uc como en “a ”.
JB: 20 40 60 100 140 200 μA
Se deducirá Jc = /(Jb ) con Uc = constante.
JB: como antes.
Uc= -0,5 -1,5 -2,5 —5 V
Levantar UB = UBE = f(JB) con Uc = constante. JB y Uc como antes.
Escalas: Uc, Jc y UBE como en “a ”.
JB: 20 μA = 1 cm.
BC EC
Fig. II.5.2 Trazado de las características por puntos.
44
TRABAJOS PRACTICOS
c. Trazar la curva pe = /(Jb ) montaje EC (en hoja separada) para JB = como antes
(características para Uc = — 1 voltio)
Escalas: JB: 10 μA = 1 cm.
ρe: 100 ohmios = 2 cm.
d. Apreciar /i en la zona lineal de la red Jc = f(Uc)· (Jb = 70 μA y Jc = 2,5 mA,

por ejemplo)
Calcular a. Apreciar el orden de magnitud de p¡ para JB = 70 μA.
45
CAPITULO III
Amplificadores de pequeña potencia

en régimen sinusoidal estable (clase A)
ID.I Efecto “triodo” y efecto “transistor”; ganancia de potencia; mando adaptado;

ganancia compuesta de potencia
Se llama:
ganancia de tensión.
ganancia de corriente.
Para indicar el montaje empleado, añadiremos el índice “v”o el “i”y la letra “B”
o la "E”
De esta forma tendremos;
Se escribirá también:
cuando se tome la tensión Vo como referencia,
ganancia de corriente en cortocircuito cuando R (carga) = 0.
Como la resistencia interna ρ¡ suele ser bastante mayor que la carga R (las caracterís-
ticas Jc = f(Uc) poco inclinadas sobre la horizontal), se puede admitir a veces:
EFECTO TRIODO
Para construir un amplificador transistorizado será necesario conocer, al igual que

para las válvulas, las magnitudes de soporte (JB, Je—) y la zona de funcionamiento.
Sin embargo, la predeterminación gráfica necesaria (y a veces suficiente) es, en el caso
de los transistores, un poco más delicada.
El mecanismo del efecto amplificador en las válvulas termiónicas (se podría decir
del “efecto triodo”) es el siguiente:
El consumo en el circuito de utilización, en el que se encuentran la fuente de energía
y el receptor, está gobernado por el campo creado por la diferencia de potencial que
aparece en la rejilla y en el cátodo.
Si esta diferencia de potencial Vg consume en las derivaciones tales como la resisten-
cia de rejilla, la capacidad rejilla-cátodo, etc., este consumo no interviene en el efecto
amplificador. Unicamente la diferencia de potencial existente entre rejilla y cátodo
regula directamente el consumo del circuito de salida; el gobierno propiamente dicho
no exige ninguna potencia.
En baja frecuencia, la única derivación que cuenta a veces es la resistencia de rejilla
rg, a cuyo través consume la fuente de ataque Vg, como es natural. Pero como esta
resistencia es generalmente grande y de valor constante, se consiguen dos ventajas,
que son:
1. La caída de tensión interior de la fuente de ataque será casi siempre desdeñable
y se encontrará entre la rejilla y el cátodo, es decir, a la entrada del elemento, la fuerza
electromotriz de ataque prácticamente en su totalidad, y
2. Se evitará la distorsión no lineal, limitando el funcionamiento a la zona lineal de
la red Jp, Up.
En la mayoría de los casos, la válvula termiónica será una amplificadora de tensión.
En efecto, en un equipo amplificador con válvulas de vacío, todos los pasos, salvo el
último, están destinados a suministrar las tensiones de ataque, prácticamente sin
consumo.
El mecanismo del efecto transistor es diferente: La aparición de una corriente que
atraviesa una parte del mismo elemento es la que regula el consumo del circuito de
utilización. El consumo de la fuente de ataque a través del elemento amplificador es
indispensable para realizar el efecto transistor.
Ahora bien, éste se encuentra acrecentado porque la débil resistencia de entrada que
opone el elemento amplificador a la fuente de ataque es esencialmente variable.
De ello resultan dos inconvenientes:
1. A la entrada no se encuentra más que una parte de la fuerza electromotriz de
ataque Vo
y VB es tanto más baja, respecto a Vo, cuanto más alta sea p0 respecto a pe.
2. Salvo en algunos transistores de salida (de potencia) la distorsión no lineal será
tanto más acentuada cuanto más importante sea pe respecto a pQ.
Así, para aprovechar la mayor parte de la señal disponible, y reducir al mismo tiem-
po la distorsión a un mínimo porcentaje, debemos enfrentamos a dos condiciones
contradictorias.
47
AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA POTENCIA
Como el efecto transistor exige un consumo con una diferencia de potencial, requiere
por ello para su propio mando una potencia, y por ello será siempre un amplificador
de potencia.
La potencia exigida a la entrada B del transistor EC será:
si no hay desfase entre VB e IB como sucede a veces en B.F.

Si hay desfase, podemos tenerlo en cuenta o bien considerar la potencia aparente.
En las mismas condiciones, se tendrá a la salida:
y se puede introducir la noción de ganancia de potencia:
Pero no serviría de nada buscar una ganancia elevada de un transistor si este último
nó consumiese más que una pequeña parte de la potencia utilizable.
Cuando se trata de transmitir una potencia, amplificándola, es tan interesante cono-
cer la ganancia realizada por el transistor como la potencia deducida, respecto a la
máxima que la fuente de ataque puede suministrar.
¿En qué condiciones una fuente de energía de fuerza electromotriz Vo = constante
y resistencia interna p0 = constante puede suministrar el máximo de energía a un recep-
tor de resistencia de entrada X?
La corriente suministrada al receptor es:
La potencia aplicada es:
W(x) será máxima cuando sea mínima.
de donde:
48
EFECTO DE CALCULO DE UN PREAMPLIFICADOR B.F.
Una fuente (Vo, p0) suministra la potencia máxima a un receptor cuando la resisten-
cia de entrada de este último es igual a la interna de la fuente.
La tensión existente en los bornes del receptor es entonces V0/2 y el valor de la poten-
cia máxima es:
A veces será más lógico calcular la ganancia de potencia del transistor, pero no con
relación a la potencia real deducida a la entrada, sino con respecto a la potencia
máxima que puede suministrar la fuente.
Esta ganancia se llama ganancia compuesta de potencia:
Cuando ρe del transistor es igual a p0 de la fuente, se dice que el mando está

adaptado.
Sin embargo, según el caso, se pueden tomar primero otras consideraciones, como
la del mejor aprovechamiento de la potencia disponible. Como siempre, habrá que
elegir.
Así, cuando se trate de la preamplificación o, de una manera general, de potencias
débiles, hará falta a veces sacrificar la ganancia para respetar un determinado por-
centaje de distorsión. La elección conveniente del punto de trabajo en función de la
curvatura de las características y de la importancia de las señales puestas en juego, per-
mite a veces conciliar varias exigencias.
No es fácil (ni apenas necesario) pasar revista a todos los casos posibles.
Indicaremos el método seguido en los ejemplos numéricos expuestos en el apartado
siguiente.
III.2 Ejemplo de cálculo de un preamplificador de B.F.

Se dispone de una fuente de fuerza electromotriz sinusoidal Vo = 0,08 voltios (f de
50 a 3.000 Hz), resistencia interna p0 = 1.000 ohmios, para alimentar un receptor de
resistencia Ru (“u” - útil) de 500 ohmios y que exige una corriente Iu (“U” - útil) de
1,5 mA.
Anotemos primeramente que, conectada directamente, la fuente no podría sumi-
nistrar al receptor más que:
49
Por otra parte, en las mejores condiciones, la potencia máxima que puede sumi-
nistrar la fuente es:
y el receptor exige una potencia de:
lo que representa una
Entre la fuente disponible y el receptor hará falta insertar un amplificador de

transistores de pequeña potencia. Tomaremos un OC70 (redes de la figura II.2.5).
Si admitimos para ρe : 1.000 ohmios aproximadamente IB ~ 0,08/2.000 = 40 μA.
La región lineal de la red Jc = f(Uc) da para fi : 43, lo que conduciría a IC-Cc —
~ 40 · 43 ~ 1,7 mA. El transistor cuyas redes han sido reproducidas en la figura II.2.5
puede convenir por tanto.
La figura III.2.1 muestra el esquema del amplificador en montaje EC.
Cuando la potencia puesta en juego es pequeña y la temperatura ambiente es la
normal (del orden de los 25°C) se utiliza a veces la polarización de base partiendo
de la fuente de alimentación Ua (montaje defuente única).
La resistencia de polarización rp es muy grande y el modo de polarización, cuando
es posible, es el más simple y económico. También es conveniente cada vez que se trate
de realizar un equipo miniaturizado y circuitos que disipen la menor energía posible.
En cuanto la potencia manejada se hace más importante y la temperatura ambiente
más elevada, este modo de polarización es inaceptable, como veremos en los capítulos
siguientes.
En los casos que vamos a considerar UB < Ua y JB ~ Ua/rp (UB es a veces del
orden de una décima de voltio para Ua de 5 a 10 voltios).
Para establecer las magnitudes en reposo, es decir, para determinar los circuitos
“en continua”, hay que comenzar por estudiar la red de salida Jc, Uc del transistor.
Si deseamos quedamos en la zona lineal de esa red, estará limitada para nosotros
(fig. II.2.5) a la izquierda por la tensión sobrante del orden de 0,3 a 0,5 voltios, y
abajo por la característica en JB = 20 μA, por ejemplo.
En el caso de válvulas de vacío, la hipérbola equipotencial máxima (Hζ máx = UpJp)
delimita bien el posible emplazamiento del punto de reposo compatible con la potencia
máxima disipada por la placa en condiciones normales de funcionamiento. En el caso
de los transistores, esta noción carece de sentido (ver capítulo VIII).
En los cálculos y predeterminaciones gráficas de los amplificadores de transistores,
suponemos que la temperatura ambiente es normal y que la potencia disipada en co-
lector es relativamente débil. Los problemas de calentamiento de los transistores son
50
EJEMPLO DE CALCULO DE UN PREAMPLIFICADOR B.F.
Fig. III.2.1 Amplificador de EC.
importantes y complejos y los abordaremos en los capítulos siguientes. Veremos en-

tonces la forma de verificar rápidamente lo bien fundada que está nuestra hipótesis
en lo que concierne al calentamiento desdeñable de la unión. Por el momento, diremos
que si la temperatura ambiente es del orden de 20 a 25°C y la potencia disipada
Wc = JCUC del orden del 10 al 20 por 100 del valor absoluto máximo indicado por el
constructor, no hay por qué preocuparse del problema térmico.
Sin embargo, tendremos siempre interés en elegir, en la medida de lo posible, un
punto N colocado lo más a la izquierda y abajo posible, para reducir al máximo la po-
tencia Wc disipada en colector.
Una corriente Ic = 1,5 mA en Rv = 500 ohmios representa a ambos lados del punto
de reposo N:
Para elegir el punto de reposo colocaremos la recta de carga (cuya dirección viene
dada por el coeficiente angular = -1/Ru) de manera que el segmento N¡N2 (figu-
ra II.2.5) que representa el lugar geométrico del punto figurativo JCUC determine un
ΔJC > 2 x 2,12 mA.
Nl reposa sensiblemente en la característica en JB = 20 μA, y N2 ligeramente a la
derecha, en la zona de desecho.
Tomando un ligero margen se puede admitir en definitiva que Ua = 3,5 voltios y
la polarización JB = 70 μA, lo que determina el punto de reposo N (2,1 V, 2,7 mA)
(figura II.2.5).
El constructor indica como valores máximos:
y
Estamos muy lejos de esos valores.
Podemos ahora determinar la resistencia de polarización:
51
Sin embargo, como conocemos el valor de UB correspondiente a JB = 70 μA (la ca-

racterística da: 0,18 V), para realizar el valor exacto de JB~N = 70 μA debemos tomar:
Si admitimos para fi el valor determinado gráficamente en la zona del punto de re-

poso, para realizar Ic = 1,5 mA (/3 ~ 43) hará falta que:
lo que corresponde bien a ΔJB = 50 μA a los dos lados del punto de reposo, como
lo indica gráficamente la figura II.2.5.
Fig. m.2.2 OC70.
52
EJEMPLO DE CALCULO DE UN AMPLIFICADOR B.F.
Como la fuerza electromotriz de ataque es de 0,08 V, la resistencia total p a cuyo

través deberá consumir será:
Sustituyendo la característica JB = f(UB) con UC-n = 2,1 V por la tangente al

punto N considerado (figura III.2.I) la resistencia de entrada pe se hace:
constante = tg <5 (en el intervalo ± ΔJB = 50 μÁ)
En esta condición (sistema lineal) podremos considerar el régimen como sinusoidal

puro. De hecho, cuanto mayor sea la señal de ataque, más se separará de la hipótesis,
y únicamente el gráfico nos permitirá apreciar la separación y el porcentaje de distor-
sión resultantes.
El punto N vendrá determinado por el valor de JB = f(UB) con Uc = Uc ~n = cons-
tante = 2,1 voltios.
Anotemos de paso que, en continua, el mando (es decir, la polarización de base)
se hace prácticamente por corriente, dado el valor tan grande de la resistencia rp =
= 47,5 kilohmios.
La tangente en el punto N de la característica JB = f(UB) considerada nos da el
valor de:
Para realizar una resistencia p = 2.300 ohmios tenemos que añadir otra (ajustable
si es posible) r del orden de:
que, por ejemplo, será ajustable de 300 a 1.000 ohmios.

El valor de ρ0 + r = pf = 1.640 ohmios es el que nos permitirá trazar la recta de
ataque en alterna, pasando por N. La intersección de esta recta de ataque con el eje
de las UB determina el punto Mx. Bastará ahora colocar en el eje de las UB, a los lados
del punto Mx:
para trazar las rectas de ataque correspondientes a los valores de pico y determinar
los puntos (Nx y 7V2) de intersección con la característica JB = f(UB) considerada. Nos
encontramos así:
y
Si la característica estaba representada por su tangente en N tendremos ΔXJB =
= Δ-zfo = 50μA (fig. III.2.2). En realidad, tenemos ΔXJB = 45 μA y Δ¿Ja = 52μA,
lo que conduce a un porcentaje de distorsión (ver tomo I, apartado IX. 1):
53
Este porcentaje de distorsión puede reducirse a veces más aún siguiendo la curva-
tura de la característica y eligiendo más alto el punto de apoyo (Ua = 4V y Jbn 90μ/l,
por ejemplo).
También puede ser reducido disminuyendo la señal de ataque o aumentando la
resistencia adicional r, lo que naturalmente disminuye también la señal utilizable.
Sin resistencia r adicional, la fuente de pQ = 1.000 ohmios podría ser de:
En este caso, np0 es quien determina la dirección de la recta de ataque y vamos a

parar al punto Mu y a los Δ XJB = 43 μA y Δ2JB = 54 μA, lo que conduce a:
Para realizar un mando adaptado, conservando siempre el punto de apoyo N hace

falta una fuente de ataque de resistencia interna:
Bastaría entonces una fuerza electromotriz: VQ = 2 pe-N-h = 0,046 V. La recta

de ataque NMlu viene determinada por el valor de p0 = 660 Ω.
Esto conduce a ΔXJB = 42 μA y Δ^ = 55 μA y a un porcentaje de distorsión
del orden de:
El mando por tensión, con una fuente de resistencia interna p0 despreciable ante
el valor de ρ^N = 660 ohmios, no exigiría más que una fuerza electromotriz Vo ~
~ pÎB = 0,023 V.
El gráfico nos da en este caso Δ XJB = 38 μA y Δ2JB = 62 μA, de donde:
En el caso Af¡:
Y en el caso AfIV
IIL3 Uniones por transformadores y por capacidades; circuitos equivalentes

Los cuatro ejemplos anteriores (Mh Mn, M¡n y M¡v) demuestran las consecuencias
de las diferentes “adaptaciones ”del circuito de ataque.
Para poder utilizar el mismo gráfico y facilitar así nuestra ilustración numérica,
hemos conservado el mismo transistor e idéntico punto de apoyo.
En realidad, como es natural, el problema que se plantea es otro, las más de las
veces. La señal de ataque está dada y al técnico es al que le incumbe la elección del
transistor, el montaje, el punto de apoyo y el circuito de ataque para responder lo
54
UNIONES POR TRANSFORMADORES
mejor posible a las características y requerimientos exigidos, que pueden variar de unos
casos a otros.
Unas veces hace falta llegar, sobre todo, a una fuerte potencia útil o simplemente
a una fuerte corriente o a una intensa distorsión; en otros, la potencia a conseguir es
relativamente débil, pero el porcentaje de distorsión no deberá rebasar un límite preciso.
El peso del equipo, sus dimensiones y en particular los márgenes térmicos a asegurar
presentan también problemas que hay que resolver.
Sin embargo, el cálculo de los equipos transistorizados, el problema de adaptación
(o de “uniones fuente de ataque al transistor, entre transistores y transistor al receptor)
es importante.
Teóricamente, un transformador, que es un adaptador de impedancias, puede facili-
tar la buena solución del problema (ver tomo I, capítulo X).
Unión por transformador

La figura III.3.1 muestra el esquema de acoplo por transformador entre dos tran-
sistores.
La resistencia de entrada del segundo es la que corresponde a la carga útil del
primero. Para poder realizar la polarización JBl del segundo transistor, hay que aislar
su base B2 del circuito de ataque mediante una gran capacidad de acoplo C,,2.
Sean n = nfn2 la relación de transformación, r, y r2 las resistencias de los enro-
llamientos, y rn la resistencia de polarización del segundo transistor.
La figura III.3.2 muestra los esquemas equivalentes “a y b” de los circuitos; según
el problema, se utilizará la representación “fuente de tensión” o “fuente de corriente”.
Esta última es la que convendrá para apreciar rápidamente y en primera aproxima-
ción el valor de IBx que permite obtener una IBl determinada, en el caso en que la carga
del transistor se reduzca prácticamente a la resistencia de entrada ρe2 relacionada al
primario, o sea, p^·n2.
Escribiendo IB2 ~ I2 ~ Ix/n se puede valorar Ic^Ci fithi, de donde se saca
también IBx.
El esquema “fuente de tensión” es el que conviene para hallar, con mayor precisión,
la carga en alterna.
Fig. III.3.1 Unión por transformador; n = nx/n2
55
También el esquema “fuente de tensión” permitirá evaluar la resistencia interna de

la fuente de ataque del segundo transistor. Su conocimiento es necesario si se quiere
trazar la recta de ataque y hallar la naturaleza del mando y el porcentaje de distorsión
resultante.
La carga del secundario contiene primeramente y en paralelo; después, en
serie, la capacidad de acoplo C,,2 y la resistencia del enrollamiento secundario r2. Se
puede desdeñar muy a menudo la capacidad Clt2 que puede ser muy grande, de 500 μF
por ejemplo.
Sean:
la resistencia equivale a las dos derivaciones, respecto al primario,
la resistencia total de los enrollamientos (relacionada también al
primario).
La carga del primer transistor es R' = R + r/ (figura IIL3.2-α/
El circuito de ataque está representado en la figura III.3.2-6. Del esquema (I) se
pasa al (2) aplicando el teorema de Thevenin (tomo I, apartado XIV.6).
En el circuito de ataque encontramos la fuerza electromotriz relacionada al secun-
dario: VsoJn que consume en:
en serie con las dos derivaciones rP2 y pe2.

Desdeñando 1/c ,,26ü ante ρ0 pasamos al esquema (2). El valor de
es el que representa la resistencia de ataque del segundo transistor:
Si se quiere calcular con más precisión la corriente IBi necesaria para obtener la
Ib 2 requerida, sobre todo cuando apenas se pueden despreciar las caídas de tensión en
los enrollamientos del transformador, el que conviene entonces es el esquema del “ge-
nerador de tensión”.
El esquema de la figura III.3.2-Ó(1) permitirá valorar:
O sea:
de donde Ks(bl
de donde 4, buscado.
56
Fig. ni.3.2 (a) Unión por transformador; esquemas equivalentes.

a Carga del primer transistor (carga “llevada” al primario del transformador: Ix corriente primaria).
Fig. m.3.2 (b) Ataque del segundo transistor.

KOí 2 = KsOíl / n' fuerza electromotriz llevada al secundario.
/2 corriente en el secundario.
V o, 2 fuerza electromotriz de ataque.
p^2 resistencia de ataque.
En primera aproximación y en la medida en que se pueda despreciar r,, r2 y rP2:
de donde el valor “>z” del transformador. Esta condición será tanto más interesante
cuanto mayor sea la potencia puesta en juego, es decir, cuanto más importante sea la
señal.
Pero, como ya hemos indicado, salvo en algunos transistores de potencia, la distor-
sión no lineal será tanto más fuerte, sobre todo con una señal importante, cuanto
mayor sea la relación de pe a la resistencia de ataque, que aquí es de:
57
Volvemos a encontrar las dos condiciones contradictorias del apartado III. 1.

Si se quiere evitar la distorsión, el beneficio que proporciona un adaptador de impe-
dancias queda disminuido.
El transformador presenta otros inconvenientes:
Primeramente, es algo difícil realizar esos pequeños transformadores sobre demanda,
y hay que recurrir a veces al modelo normalizado; la elección es por tanto limitada.
La calidad esencial del transistor es la posibilidad de la miniaturización que permite
y el transformador, incluso pequeño, será siempre un elemento relativamente volumi-
noso y pesado.
Por último, los transformadores, por el hecho de exigirles tamaño reducido y poco
peso, no son de buena calidad (inductancia primaria escasa y gran inductancia de
fuga), lo que acarrea una distorsión lineal inadmisible.
Por todo ello se utilizan cada vez menos, salvo en el paso de salida.
Haciendo el acoplo por transformador se pueden también separar, en cierto modo,
los circuitos de “continua” de los de “alterna”.
Cuando queremos atacar un transistor EC, por ejemplo, por otro también EC, es
necesario aislar la base del segundo de la tensión de colector de apoyo del primero.
La figura III.3.1 muestra que un transformador de unión realiza esta separación en
buenas condiciones de rendimiento, tanto en continua como en alterna (baja caída de
tensión en continua y sin derivación en alterna, como en el caso de unión por capaci-
dad, estudiado más adelante).
En el montaje de la figura III.2.1, el condensador C, aísla el circuito de polarización
del transistor de la fuente de ataque; en lo que concierne al consumo de la fuente de
ataque, el gran valor de rp ante ρe permite despreciar esta derivación.
Por lo contrario, el receptor Rv está recorrido por la corriente de apoyo Jc y por la
alterna Ic.
De una manera general, podemos aislar el receptor Rv de la tensión de apoyo Uc
adoptando el esquema de la figura IIL3.3.
La carga “en continua” Rc, servirá para fijar el punto de reposo. Para una señal de
ataque sinusoidal (“en alterna”) la resistencia Rc se conectará en paralelo en los extre-
mos de Ru· Si no queremos que esta derivación absorba una parte muy importante
de la corriente disponible hace falta que Rc sea grande en relación con RUt lo que
necesita una fuerte tensión de alimentación y acarrea una importante caída de tensión
continua en pura pérdida.
Nuestro cálculo incluso quedará modificado. En el ejemplo anterior, si conservamos
el mismo punto de apoyo N (2,1 V, 2,7 mA) y admitimos que Ua = —10 V (tensión
corriente en tales amplificadores) la carga en continua Rc deberá ser (esquema de la
figura III.3.3):
58
Fig. ffl.3.3 Amplificador de EC. Esquemas equivalentes del circuito de salida.
Suponiendo C2 suficientemente grande para poder desdeñar l/c2α> ante RUt incluso
en la más baja frecuencia de utilización, la carga en alterna del transistor se convierte
en (A está unido a masa “en alterna” -esquemas equivalentes figura III.3.3):
425 Ω en lugar de 500 Ω (figura II.2.5.)
La dirección de la recta de carga en alterna (lugar geométrico vjj estará ligera-

mente modificada. No obstante, si conservamos las mismas magnitudes de entrada,
como las características Jc, Uc son poco inclinadas sobre la horizontal (pt relativamente
grande), la corriente Ic que recorre R seguirá siendo sensiblemente la misma, pero el
receptor Ra = 500 ohmios no recibirá más que una corriente de:
Para que la corriente IL existente en Rv conserve su valor requerido de 1,5 mA, hay
que admitir una corriente de colector:
y, por ello, una señal de ataque IB mayor y una resistencia adicional r menor; tendremos
así un porcentaje de distorsión más alto. Hará falta, como es natural, una nueva resis-
tencia de polarización y si conservamos el mismo punto de apoyo N:
59
140.000 ohmios
In.4 Ejercicios y trabajos prácticos

Proyecto, realización y verificación experimental de un preamplificador
Se utilizará un transistor OC70, Wc < 15 mW; temperatura ambiente de 20 a 25°C.
Montaje EC.
Preamplificador de un paso
Señal sinusoidal de ataque: v0 = 0,1 V, p0 = 1.000 ohmios. Receptor (debe estar
aislado de la tensión de reposo de colector) Ru = 500 ohmios, que exige una Iu =
= 1,5 mA.
Nota-Se conservará Iu = 1,5 mA para los transistores cuya fi ~ 43, y para los otros
se llevará Iu a un valor sensiblemente igual a 1,5 y3/43.
a) Predeterminar partiendo de redes ya trazadas (interpolar e incluso extrapolar
ligeramente si hace falta):
el punto de reposo, la fuente única de alimentación y de polarización (Ua máxima
12 V), la resistencia de polarización, el circuito de ataque y el de alimentación en con-
tinua, la ganancia de tensión = VJV^ Gv = VC/VB y el porcentaje de distorsión
a la salida (se limitará para D2).
b) Constituir la fuente de ataque f = 1.000 Hz (hQ = 1.000 ohmios), montar el
amplificador, utilizar las capacidades de unión de 500 μF (atención a la polaridad y
descargarlos completamente antes del montaje),
c) Verificar experimentalmente (f = 1.000 Hz): las tensiones de apoyo, las ganan-
cias de tensión G^ y Gv (lo que permitirá calcular la ganancia en corriente Gj, y el por-
centaje de distorsión.
Verificar que Vc está en oposición de fase con Vo.
Indicar las desviaciones en tantos por ciento.
Trazar experimentalmente la curva de respuesta (ganancia GvQ a tensión Vo = cons-
tante); puntosf = 100,400,1.000,3.000,5.000,10.000 y 15.000 hertzios.
Se tomará para 0 dB la ganancia con f = 1.000 hertzios.
60
CAPITULO IV
Contrarreacción de intensidad por inserción

de una resistencia entre emisor y masa en el
montaje de EC; preamplificador de dos pasos
IV. 1 Inserción de una resistencia Re entre el emisor y masa en el montaje de emisor

común.
Si, dejando en su lugar todos los elementos de la figura III.3.3, introducimos una resis-
tencia Re entre el emisor E y la masa M, pasamos al esquema de la figura I V. 1.1
(p = Po + r).
Nos encontramos así, en el circuito de entrada del transistor, además de p y de
con una resistencia Re y, de hecho, con una caída de tensión suplementaria en la malla
considerada, igual a RJE en alterna y RJE en continua.
Las corrientes IB e Ic están en fase (figura II.3.1) y la ley de Oh n, aplicada a la malla,
se escribe en alterna:
o bien:
La resistencia Re aumenta, por una parte, la resistencia pasiva del circuito y, por la
otra, suministra una fuerza contraelectromotriz (que se opone a Vo) RJc, proporcional
a la corriente de salida.
Nós encontramos así en presencia de una contrarreacción de intensidad que nos
conduce, partiendo del esquema de la figura I V. 1.1, al esquema funcional de la figura
IV. 1.2 (ver también Tomo I, capítulo V).
Sean:
A: Transmitancia de la cadena directa (admitancia):
B: Transmitancia de la cadena de contrarreacción (resistencia) :
Transmitancia del bucle cerrado (admitancia):
Al igual que la contrarreacción de tensión (ver tomo I, apartado V.2), ésta lleva
consigo una constancia relativa de ganancia y una atenuación de las distorsiones; en
particular se puede demostrar que el porcentaje de distorsión se encuentra dividido
por: 1 + A · B.
Tomaremos el razonamiento expuesto en el apartado XI.l-α del tomo I.
CONTRARREACCION DE INTENSIDAD
Fig. IV.1.1 Amplificador de EC con contrarreacción de intensidad; p = p 0 + r.
Consideremos un funcionamiento en la zona no lineal del sistema de transmi-

tancia A.
Sin contrarreacción: con una fuerza electromotriz sinusoidal (solicitud exterior)
eos ωt a la entrada de la cadena A corresponderá a la salida:
Con la cadena de contrarreacción “B” (bucle cerrado): con la misma solicitud exte-
rior Vo corresponderá una corriente periódica ¿c menor.
Aumentemos Vo de manera que se obtenga a la salida el mismo valor del término
fundamental Ix y, siendo V¿ la nueva solicitud sinusoidal, la corriente de salida se escri-
birá así: ié = /,γ/Tcos ωt + ...eos nωt + ...
La existencia del término /, y/l eos ωt a la salida implica la presencia de:
a la entrada de la cadena directa A, lo que implica que en el interior de esta cadena

nazcan los mismos términos armónicos eos nωt ... que anteriormente. Pero
de estos términos van a suprimirse ahora (bucle cerrado) las señales que, apareciendo
a la salida serán transmitidas por los sistemas B y, a continua-
ción,/!.
Si en definitiva tenemos a la salida términos armónicos
lo que nos da:
Hemos visto que se puede atenuar la distorsión no lineal debida a la curvatura de la

característica de entrada aumentando la resistencia de ataque.
La contrarreacción de intensidad realizada por la inclusión de Re permite atenuar
la distorsión cualquiera que sea la causa.
Sobre todo quedará afectada si desbordamos la zona lineal de la red de salida
Jc =f(Uc).
62
INSERCION DE UNA RESISTENCIA R(
Fig. IV.1.2 Esquema funcional del amplificador de contrarreacción de la figura VI.1.1. Gi ~ Gi.
Para el OC70, por ejemplo, esta red deja de ser lineal para Jc superior a 5 ó 6 mA,
y la distorsión crece en cuanto Jc alcance o rebase los 2 a 3 mA.
Si nos limitamos a la inserción pura y simple de Re, la atenuación del porcentaje
de distorsión sería generalmente bastante menor de los previsto (1 + AB) y la sepa-
ración tanto más grande cuanto mayor fuera Re con relación a R, que equivale a Ru
y Rc en paralelo.
Hace falta primeramente observar que la cadena directa del amplificador sin contra-
rreacción de la figura III.3.3 no es la misma (ver fig. I V. 1.3) que la cadena A del am-
plificador don ella (fig. IV. 1.2).
Fig. IV. 1.3 Esquema funcional de la cadena directa que representa el amplificador sin contrarreacción
(sin Re ) de la fig. IU.3.3.
El esquema funcional así presentado no expresa todas las modificaciones que pro-
porcionaría la resistencia Re en la cadena directa, incluso aunque esa resistencia no
introdujera la fuerza contraelectromotriz RJC en el circuito de ataque, en cuyo caso
la llamaríamos aquí “resistencia pasiva Rf.
El esquema funcional que separa “las funciones” representa la contrarreacción por
la cadena de retorno B, pero la presencia de Re en el circuito de salida CE modifica la
carga del transistor.
La red Jc = /(Uq ) ha sido trazada para Uc = UCE y la carga del transistor (si se des-
deña IB ante Ic) corresponde ahora a R + Re (fig. IV. 1.4).
Si conservamos el mismo punto del soporte, la nueva recta de carga “en alterna”
63
Fig. IV.1.4 R = Rc · Ru/(Rc + RJ.

Esquemas equivalentes de la nueva cadena directa con Re pasiva (supuesta eliminada del circuito de ataque)
correspondiente al esquema funcional de la figura VI.2.1.
será más inclinada y saldremos de la zona primitiva de funcionamiento, lo que puede

dar lugar a una distorsión mayor de la cadena directa. Si el margen previsto no es
suficiente o si Re es relativamente grande respecto a R, el punto figurativo N2 corre
peligro incluso de penetrar en la zona de desecho. Se dice entonces, en la jerga profesio-
nal, que la contrarreacción de intensidad, por la inclusión de una resistencia de emisor,
“aumenta” la zona de desecho del transistor; todo sucede, al implantar este punto
de soporte, como si la referida zona de desecho se hubiera ensanchado.
Tomaremos el razonamiento expuesto en el apartado XI. 1.a del tomo I.
Por otra parte, la presencia de Re modifica también la organización del transistor
en continua; y entonces la nueva resistencia Rcx ~ Rc + Re (desdeñando JB ante
y la nueva polarización será:
lo que desplaza el punto de soporte.

Aún nos hará falta modificar, a veces ligeramente, los elementos Rc y rp para im-
plantar convenientemente la nueva carga en alterna.
Por esto, partiendo de esta nueva implantación en continua y del nuevo valor de Vo,
podremos escribir para el bucle cerrado, realizando la contrarreacción:
en donde D2 es el porcentaje de distorsión de la nueva cadena directa A.

V0,CJt - la fuerza electromotriz necesaria para conservar el mismo valor de ZU9 estando
el bucle cerrado = K0'(l + AB),
en donde V¿ es la nueva fuerza electromotriz de ataque que corresponde a la nueva
cadena directa A (ligeramente superior a VQ).
Desde luego, a veces se podrá conservar el mismo valor de VQ, que no siempre se
puede gobernar en el problema planteado, y se tomará una resistencia adicional r menor,
que permita obtener la corriente de base necesaria.
En el apartado siguiente daremos un ejemplo numérico de esta contrarreacción de
64
INSERCION DE UNA RESISTENCIA Re
intensidad, y en el capítulo VIH mostraremos el importante papel que ésta tiene en con
tinua, en el campo de la estabilidad térmica.
Resistencia interna y resistencia de entrada de un amplificador con contrarreacción

de intensidad
Al contrario de la contrarreacción de tensión, la de intensidad proporciona un aumen-
to de la resistencia interna.
Supongamos que el amplificador A, suministra Ic cuando es atacado por IBO. Sean,
para IBq determinada: VSQ - tensión de salida, con el circuito de salida abierto, e IC-<c =
= A^·Isq (admitimos así que G^c = GJ.
El teorema de Thevenin (si ^4, es un sistema lineal) nos da:
Si empalmamos la cadena B, (fig. IV.L5), realizando una contrarreacción de inten

sidad, la corriente en cortocircuito en bucle cerrado será:
Con el circuito de salida abierto (/c = 0) la cadena B, no tendrá acción y
de manera que
Observemos que los dos esquemas funcionales (figs. IV. 1.2 y IV. 1.5) presentan la
misma transmitancia con bucle abierto, es decir que:
y que
Fig. IV. 1.5

- Ibo : Solicitación exterior
- A,: Cadena directa
- : Cadena de contrarreacción.
65
Fig. IV. 1.6

Esquemas equivalentes del amplificador con CR de intensidad por insercción de Re .
“α ” circuito de salida del transistor con contrarreacción de intensidad.
Kso del bucle cerrado
ub ”circuito de ataque del transistor con contrarreacción de intensidad; resistencia de ataque:
Remplazando Gt por β, la resistencia interna del sistema de contrarreacción de inten-

sidad (VsQ, phCR) contigua a los bornes de salida C>F, del transistor (“resistencia vista
desde los bornes de salida C>E”) se transforma en:
ver ñgura IV.1.6-a.

La resistencia de entrada del sistema, atacada por la fuente K0,p (con p = pQ + r),
es decir, “la resistencia vista desde los bornes de entrada BJVf’ del sistema aumenta
enRe(l + β).
La ley de Ohm, aplicada a la malla de entrada (fig. IV.1.6-b), nos da:
66
CALCULO DE UN PREAMPLIFICADOR DE DOS PASOS
La resistencia de ataque para la fuerza electromotriz Vo pasa desde p = p0 + r

a: p + Re(l + fi).
Y la resistencia de entrada (del sistema) vista desde los bornes B y M (y no desde
B aE) pasa a: ρe + Re(l + fi)-
IV.2 Ejemplo de cálculo de un preamplifícador de dos pasos de emisor común; unión

por resistencia-capacidad, contrarreacción de intensidad
Se dispone de una fuente de fuerza electromotriz Vo = 10 mV y de resistencia interna
p0 = 200 Ω. El receptor que se ha de alimentar Ru es de 200 Ω y exige 2 mA; éste
debe estar aislado de la tensión continua del soporte. Ua = 10 voltios.
Se supondrá que los dos transistores OC70 son idénticos (red de la fig. II.2.5).
Apreciación preliminar
Con un solo transistor y en las mejores condiciones de ganancia, admitiendo que
ρe vale 500 ohmios y β = 43:
Tenemos, pues, que recurrir a dos pasos de amplificación. Admitiendo que Iu ~ Ic

= 2 mA, haría falta que fuera igual o menor que 2/43 ~ 47 μA. Tomando para
ICl : 50 μA haría falta una IBx ~ 1,2 μA.
Una señal tan débil permite un ataque por tensión del primer transistor. Tenemos
un margen interesante entre la corriente de ataque necesaria y las posibilidades de la
fuente, lo que permitiría eventualmente el empleo de una contrarreacción.
Proyecto. Esquema figura IV.2.1.
Fig. IV.2.1 Preamplificador de dos pasos de EC.
67
Fig. IV.2.2
Esquemas equivalentes del amplificador de dos pasos, de EC.
“α ” circuito de salida del primer transistor
“b ” circuito de salida del segundo transistor
“c” circuito de ataque del segundo transistor:
p0,2 (resistencia equivalente de ataque)
Vo, 2 (fuerza electromotriz equivalente de ataque)
Segundo paso. ~
Admitiendo Ic = 2 mA, Δ7C = 2γ/2 = 3 mA y R ~ Ru — 200 Ω, la dirección de
la recta de carga en alterna (coeficiente angular = -1/200) nos permite colocar el
segmento N¡N29 fig. IV.2.3.
El punto N, reposará, por ejemplo, en la característica de JB = 20 μA y el N2 rea-
lizará JC-n 2 ~ Jc~N\ = 2 ΔJC ~ 2 x 3 = 6 mA, determinando Uc ~n 2 -I voltio, lo que
representa un margen de seguridad del orden de 0,5 a 0,7 voltios con relación a la zona
de desecho.
El lugar geométrico del punto figurativo así fijado determina el punto de soporte
TV; 3,6 mA, —1,5 V.
Por la interpolación entre 60 y 100 μA sabemos que se encuentra en JB ~ 90 μA.
68
La resistencia interna ρ¡ para </i ~ 90 μA es del orden de los 8.000 ohmios (ver la
red). El esquema equivalente (fig. \N.2.2-b) nos muestra que para tener 2 mA en la de-
rivación Ru = 200 Ω nos hace falta que:
en donde R es la resistencia equivalente a las derivaciones ρ/>2 y RC2
de donde
Admitiendo que
La carga alterna se convierte en:
Las pequeñas desviaciones entre los valores reales y los tomados inicialmente nos
permiten conservar el punto de soporte elegido anteriormente, lo que determina:
[ UB\ con JB = 90 μA, siendo ~ 0,2 V (ver red).

Nota.-En el cálculo de Ic-cc-2 habíamos podido despreciar pit2 como lo hicimos en el
primer ejemplo. No obstante, no podemos hacerlo sistemáticamente, sobre todo
cuando la resistencia de carga es relativamente grande o la interna relativamente
pequeña.
Primer paso.
La resistencia de entrada del transistor para JB = 90 μA
El esquema de la figura IV.2.2-α nos permite calcular Ic-cC.\> llegando a IBl = 52,2 μA
con la condición de conocer phl y Rcr Debemos por tanto elegir primeramente el punto
de soporte N del primer transistor.
Admitiendo, en primera aproximación, que · IBi es casi igual a ICl e IB2, tendremos
que Ic, ~ 53 μA e del orden de 1,3 μA.
Como la señal es muy débil, podemos tomar para N: JBN = 30 μA, por ejemplo, y
UCn -I V, lo que da JCn = I mA
69
aproximadamente.
Como la resistencia equivalente a las derivaciones piti y rn es de un valor igual o
casi igual a 6.850 ohmios
determina (se desdeña UBe )·

La resistencia total del circuito de ataque es:
Fig. iv.2.3
70
(ver gráfico).
Tomaremos, por tanto, una resistencia adicional de 6.200 Ω (preferible que sea
regulable entre 5.500 y 6.500 Ω, por ejemplo).
Distorsión
Como la señal del primer transistor es muy débil, no presentaría distorsión no lineal
aunque el mando se realice “por tensión”.
¿Qué clase de mando será el del segundo transistor?
El teorema de Thevenin nos permite pasar del esquema de la figura IV.2.2-α al “C”.
La resistencia Ri9 equivalente a las derivaciones Rcl y rn, que valen 8.300 ohmios:
(que ya hemos calculado anteriormente).

Teniendo en cuenta el bajo valor de pe2 (~ 530 Ω) tenemos prácticamente un mando
por corriente y la distorsión debida al circuito de entrada es despreciable.
No sucede lo mismo en lo que concierne al circuito de salida, en donde el punto
figurativo Jc,Uc rebasa ligeramente la zona lineal.
Siendo la corriente Ib 2 de 52,5 μA, tenemos un Δ7 a uno y otro lado del punto de
soporte N (JBN = 90 μA) de 74 μA. El punto figurativo se desplaza sobre la recta de
carga R = 185 ohmios y levantamos en las características JcUc del transistor (figu-
ra IV.2.3) que reproduce parcialmente la II.2.5:
y
Esto nos conduce a:
de donde:
Este porcentaje de distorsión no es importante y a veces, en la práctica, se aceptará,

pero se puede atenuar empleando, por ejemplo, una contrarreacción de intensidad por
la inclusión de una resistencia Re entre masa y emisor del segundo transistor.
No obstante, en el caso presente, debido a la débil carga (Á2 = 185 Ω) y la elevada
resistencia de ataque (μOt2 = 6.850 Ω) apenas se puede admitir con utilidad un porcen-
taje de contrarreacción elevado sin desplazar gran cosa el punto de soporte y sin aumen-
tar la potencia disipada en colector (l·Vc = í/<Vc en el punto de soporte).
Si queremos dividir el porcentaje de distorsión, valorado anteriormente, por 2, será
prudente admitir para 1 + AB un valor superior a 2.
Admitiendo 1 + AB = 3, tenemos:
71
Fig. IV.2.4
Unión por capacidad;
el transistor “2” por contrarreacción
de intensidad.
siendo pQa la resistencia equivalente a las tres derivaciones ptil - Rcl - rPi2 de la figura
IV.2.5.
Suponiendo la zona de funcionamiento sensiblemente igual, tomaremos para p0,2 el
valor de 6.850 Ω (calculado en el apartado anterior) y admitiendo para pe2 ~ 530 y
para β : 43, tendremos:
Si se conserva la determinada anteriormente, la carga en alterna se hace

R'2 = 360 + 185 = 545 ohmios.
La figura IV.2.3, que reproduce la red Jc, í/cdel transistor, nos demuestra que si se con-
Fig. IV.2.5
Esquemas equivalentes del circuito de salida del primer transistor.
72
serva el punto de soporte (3,6 mA, -1,5 V), la pendiente de la recta de carga correspon-
diente a 545 ohmios lleva el punto N2 a la zona de desecho, aumentando así la dis-
torsión.
Por tanto, habrá que desplazar hacia la derecha nuestro punto de soporte y conser-
varemos el mismo valor para JBN (90 μA), y para mantener el mismo margen respecto
a la zona de desecho (0,5 + 0,5 = 1 voltio), tomaremos N' (3,7 mA, -2,4 V). El nuevo
valor de RC2 será:
por tanto, tendremos que colocar entre el colector y el borne “menos” (punto A del es-
quema) una resistencia de 2.060 - 360 = 1.700 Ω.
Observemos que la potencia disipada en colector pasa de 3,6 x 1,5 = 5,4 mW a
3,7 x 2,4 ~ 8,9 mW.
La carga en alterna se convierte en:
o sea, sensiblemente la misma que si conserváramos el antiguo valor de Rc2.

Para conservar el mismo valor de Iu en el receptor Ru nos haría falta que:
(fig. I V. 1.6).
Siendo la resistencia interna del amplificador de salida:
la Ic-cc-2 necesaria será ~
lo que conduce a:
Tendremos así aN/ en la característica de JB = ll μA y a N2 en la de JB = 169 μA.

Interpolando, la red nos permite apreciar que:
lo que nos da para la nueva cadena directa A:
y D2tCR para el amplificador con contrarreacción:
73
(y no 4,25/3 ~ 1,4%)
Nos queda ahora por calcular el nuevo valor de rP2:
El esquema de la figura IV.2.5 permitirá calcular rápidamente la í'β, necesaria para

asegurar que Iu = 2 mA con bucle cerrado.
Al valer 6.750 ohmios la resistencia equivalente a las tres derivaciones pitl,RCi y r%,
y = 530 ohmios
de donde la necesaria es ~ 4,5 μA.

Para obtenerlos, la resistencia total del circuito de entrada del primer transistor de-
berá ser:
Esto nos lleva a una resistencia adicional r del orden de:
La resistencia de ataque del primer transistor: 200 + 700 = 900 Ω es pequeña res-
pecto a la de entrada, ρeA = 1.300 Ω, pero, como se trata de una señal muy débil, la
distorsión es inapreciable.
Como se indica en el esquema de la figura IV.2.6, la resistencia de ataque del segundo
transistor pasa de 6.850 Ω a 22.550 Ω y la distorsión de entrada, de por sí ya desde-
ñable, quedará aún disminuida gracias a la contrarreacción.
IV.3 Ejercicios y trabajos prácticos

Proyectos, realizaciones y verificación experimental. Se utilizarán transistores del
tipo OC70.
Wc < 15 mW 0α ~ 20 a 25°C Montaje de emisor común
A. Preamplificador de un paso con contrarreacción obtenida por la inserción de
una resistencia Re entre emisor y masa en montaje de emisor común.
Señal sinusoidal de entrada Vo = 0,1 V ρQ = 70 Ω.
Receptor (debe estar aislado de la tensión soporte de colector):
Ru = 200 Ω. Iu = 2 mA (para β = 43; se volverá a ~ 2 β/43 mA para β
diferente).
Se realizará el ataque por tensión y una contrarreacción por Re = 50 Ω. Ua = -10 V.
74
EJERCICIOS PRACTICOS
Fig. IV.2.6
Esquema equivalente del circuito de ataque del segundo transistor.
Igual trabajo que en B capítulo III.4:

a) Predeterminación teórica.
b) Realización del amplificador.
c) Verificación experimental. Desviaciones en tantos por ciento. Conclusiones.
B. Realizar el preamplificador de dos pasos estudiado en el capítulo IV.2, según
el transistor utilizado llevando Iu al valor 2 y3/43 para una β de transistor diferente de 43.
Verificar experimentalmente las predeterminaciones teóricas; desviaciones en tantos
por ciento.
C. Preamplificador de dos pasos; unión por resistencia-capacidad.
Señal sinusoidal de ataque VQ = 15 mV, p0 = 70 Ω. Receptor (debe ser aislado de la
tensión de soporte de colector):
Ru = 200 Ω Iu = 2,5 mA (para β 43; a llevar a 2,5 β/43 mA para β diferente
de 43).
D < 3 % para el conjunto de dos pasos.
Indicar el esquema y los valores de los elementos adoptados. Igual trabajo para
cada paso que en A (a, b, c). Una sola curva de respuesta para el conjunto de dos
pasos.
75
CAPITULO V
El cuadripolo
V.l Cuadripolo lineal en régimen sinusoidal estable

El cuadripolo es un conjunto de elementos de circuito que contiene cuatro bornes,
de los que dos, Ax — se denominan bornes de entrada, y los otros dos, bornes
de salida (figura V. 1.1).
Se define por el conocimiento de las cuatro magnitudes: tensiones y corrientes de
entrada y de salida, o sea v,, ix, v2, ¿2 de las que solamente dos, elegidas arbitraria-
mente, son variables independientes.
Esto significa que tenemos dos relaciones:
y
Se dice que el cuadripolo es lineal cuando los elementos de circuito que lo componen
(resistencias, inductancias y capacitancias) son constantes a la frecuencia considerada,
es decir, que no dependen de las corrientes que los atraviesan ni de las tensiones que
aparecen.
y
Para simplificar la escritura ya no pondremos las flechas encima de V, I y Z pero,
salvo nota contraria, se trata de expresiones complejas; y sucederá lo mismo para todos
los parámetros en que aparezcan como factores complejos en el régimen sinusoidal
permanente.
Fig. v.l.l
v, y v2 son consideradas como fuerzas electromotrices.
CUADRIPOLO LINEAL
Según la elección de las variables independientes, hay seis maneras de escribir las
relaciones ψl = 0 y ψ2 = 0, que pueden traducirse directamente por los esquemas
llamados “de dos generadores” (figuras V. 1.2, V. 1.3 y V. 1.4).
1.° /, e I2 variables independientes:
Fig. V. 1.2
Los parámetros Z son impedancias,
2.° Vl y V2 variables independientes:
Fig. V. 1.3
Los parámetros Y son admitancias.
3.° /, y V2 variables independientes:
Fig. V. 1.4
Fig. v.l.2
V2, ZX2I2 y Z21/, son considerados como generadores de tensiones (fuerzas electromotrices)
Fig. V.1.3
K, V2 consideradas como generadores de tensión y yi2 r, y Y como generadores de corrientes.
77
EL CUADRIPOLO
Fig. V. 1.4
F, y F2 son consideradas como generadores de tensiones
//12 F2 consideradas como generador de tensión
H2l /, es considerada como generador de corriente.
El conjunto de los parámetros H no es homogéneo; se les llama “parámetros híbridos”:

Hl, es una impedancia,
H22 es una admitancia.
Los factores complejos Hi2y H2l carecen de dimensiones.
Es sencillo escribir las otras tres relaciones, pero la experiencia demuestra que
únicamente las tres primeras son realmente interesantes.
Los parámetros Z son utilizados sobre todo en B.F., y los Y en R.F.
Los parámetros híbridos H son preferidos por los fabricantes de transistores. Estos
tienen desde luego una significación física interesante y se prestan a medidas directas
relativamente fáciles. Permiten también obtener a veces expresiones que presentan una
determinada simetría y se prestan a fórmulas generales y a interpretaciones fecundas
(ver capítulo VII).
Sin embargo, comenzaremos por el estudio de los parámetros Z, cuyo conjunto es
homogéneo, ya que son resistencias en B.F.
El estudio de los parámetros en Z nos parece útil para introducir la noción de “es-
quema equivalente” primero y de los “esquemas físicos aproximados”, a continuación.
Por otra parte, estos parámetros facilitan el estudio y la organización del transistor
en corriente continua y con ello el estudio de la estabilidad térmica.
V.2 Amplificación por cuadripolo lineal; parámetros en Z. Ganancia, impedancia

de entrada y de salida
Consideremos un receptor Zv atacado por una fuente Vo de impedancia interna
a través de un cuadripolo lineal AxBXA2B2 (figura V.2.1).
Comoquiera que el sentido convencional de las corrientes y de las tensiones de la
figura V.2.1 ya está dado, la caída de tensión:
78
AMPLIFICACION POR CUADRIPOLO LINEAL
Por lo contrario,
Podemos escribir las relaciones (1):
Se puede establecer, en función de los parámetros en Z, las características esenciales

del cuadripolo considerado como amplificador, a saber:
1.° ganancia de corriente:
ganancia de corriente en cortocircuito (con Zv = 0)
2.° ganancia de tensión:
o bien:
3.° ganancia de potencia: Gp en el caso en que todos los parámetros, así como el
receptor, son resistencias puras, VeI designan valores eficaces:
y ganancia de potencia compuesta:

(ver capítulo 111.1)
Nota—Las fórmulas que expresan también las ganancias de potencia en función de
los parámetros pueden servir también si la parte imaginaria de estas últimas
es despreciable ante el término real, pero no hay que perder de vista y sacar pre-
maturamente conclusiones generales que a veces carecen de sentido.
Fig. V.2.1 Cuadripolo At A2 B2 atacado por una fuente de tensión de f.e.m. Ko, impedancia interna
¿0, y cargada por una impedancia de utilización Zu.
79
EL CUADRIPOLO
4.° la impedancia de entrada (vista desde la entrada):

en
en
5.° impedancia interna (o de salida -vista desde la salida A21?2), definida por el teo-
rema de Thevenin (ver tomo I, capítulo XIV.6)
en donde VSo es la fuerza electromotriz que aparece a la salida con el circuito abierto
(I2 = 0) cuando la tensión de entrada (en 4,0 en A) tiene tal valor (lo llamaremos
K,’ o Ko’) que da a la salida en cortocircuito (Zv = 0) la corriente Icc,
El signo menos en la expresión -K2,0//cc viene impuesto por la convención tomada
en lo que concierne al sentido de la tensión V2 y al de la corriente I2.
La ley de Ohm, aplicada al circuito de la figura V.2.2, que ilustra el teorema de
Thévenin se escribe:
Fig. V.2.2 VS0 = Zi·Icc
Ahora bien, si la tensión K20 (= VA2 — Vβ2 con el circuito de salida abierto) tiene el
sentido de VSo, el sentido tomado para I2 es inverso.
Para expresar las cinco características definidas anteriormente bastará con resolver
el sistema de ecuaciones (1) que escribimos:
Considerando la columna de la izquierda como de valores conocidos, el determinante

de Z, se escribe:
80
AMPLIFICACION POR CUADRIPOLO LINEAL
La regla de Cramer nos da:

I2 = δ2/Δz' e /, = Ó,/Δ/ en donde ó designa el determinante menor de Δ' (o sea,
Δ' en el que la columna correspondiente -1 ó 2- es remplazada por la de la izquierda).
1.° Ganancia de corriente
lo que nos da a continuación la segundo relación del sistema de ecuaciones (II).
2.° Ganancia de tensión
Para escribir GVQ bastará con sustituir K, por Vo añadiendo a ZH (como lo demues
tra la primera relación (I)).
3.° Ganancia de potencia:
4.° Impedancia de entrada:
en
81
EL CUADRIPOLO
en
5.° Impedancia interna Z,:

Sea VQ la fuerza electromotriz que suministra /2, a la salida en corriente continua
(Zσ= 0) =/2/.c.
El sistema de ecuaciones que traduce esta relación, se escribe:
(1)
de donde:
y
de donde:
La misma fuerza electromotriz V¿ con el circuito de salida abierto dará (Zu → ∞I2→ 0):
(2)
p2,o = — Zuh = Z2il"i (caída de tensión)
VsQ (fuerza electromotriz) = — K20 = — Z21I,"
82
CUADRIPOLO PASIVO Y ACTIVO
V.3 Cuadripolo pasivo y activo; ganancia inversa y reacción interna

Se dice que el cuadripolo es pasivo si no existe ni nace ninguna corriente en su
interior cuando dicho cuadripolo es atacado.
Este caso es, por ejemplo, una red que contiene únicamente resistencias, inductancias
y capacitancias.
En este caso, es decir, para un cuadripolo lineal pasivo:
(ver demostración en la obra señalada en la primera página).

Cuando el cuadripolo contiene fuerzas electromotrices o cuando aparecen esas
fuerzas (de una manera general, fuentes de energía) si se ataca el cuadripolo, se dice
que es activo.
En este caso:
Fig. V.3.1
Ganancia inversa
Supongamos que el cuadripolo de la figura V.2.1 sea pasivo, y que la fuerza electro-
motriz que ataca a la entrada VQ = 0 y la solicitud aplicada a la salida A2B2 en forma
de fuerza electromotriz V2' hacen aparecer I2'.
Las ecuaciones se convierten en:
La fuerza electromotriz V2' hará que nazca una corriente I2' en el circuito de salida,
y otra /,' en el de entrada.
A semejante cuadripolo pasivo se le denomina “ganancia inversa de corriente”:
83
EL CUADRIPOLO
Fig. V.3.2 /’2: señal que aparece a la salida de un cuadripolo activo de ganancia directa de corriente igual
a Ge, esquema funcional que traduce “la reacción interna” de un cuadripolo activo.
Si el cuadripolo no es pasivo, y la presencia de una corriente /, a la entrada no

da lugar al nacimiento de una fuente de energía que haga aparecer una corriente I2"
tal como:
(donde G¡ es la ganancia de corriente directa, del cuadripolo activo) nos encontramos

en presencia de un bucle de servomecanismo por reacción como el de la figura V.3.2.
La señal I2' que aparece a la salida del cuadripolo es la de entrada para el bucle;
la ganancia inversa del cuadripolo se convierte en transmitancia de la cadena directa
o principal y la ganancia directa del cuadripolo, en la transmitancia de la cadena de
reacción (reacción interna).
En régimen permanente tenemos a la salida la aparición de una corriente /2':
Dicho cuadripolo puede hacerse inestable (ver la obra indicada en la primera

página).
84
CAPITULO VI
Transistor en régimen sinusoidal permanente, con pequeñas

señales, considerado como un cuadripolo lineal
El transistor que hemos estudiado en los primeros capítulos presenta tres bornes:
uno de entrada, otro de salida, y un tercero, que utiliza dos bornes a la vez, es decir,
que es común a los circuitos de entrada y de salida.
Si comparamos el transistor con un cuadripolo, los bornes y B2 forman el borne
común M de la figura V.2.1.
Las características estáticas del transistor nos indican que de las cuatro magnitudes
que aparecen (corrientes y tensiones de entrada y de salida: Ue — Je — Us — 7J, única-
mente dos de ellas, elegidas arbitrariamente, son variables independientes.
Podemos por tanto considerar el transistor como si fuera un cuadripolo y escribir,
eligiendo Je y Js como variables independientes:
Consideremos un transistor polarizado y alimentado, fijando las magnitudes del

soporte al punto de reposo N: Je, Ue, J5, Us.
-atacado a la entrada por una señal sinusoidal suficientemente débil para que, en la
zona de funcionamiento de todas las redes, las características estáticas puedan ser
confundidas con los segmentos de tangentes al punto N, dichas tangentes constituyen
un conjunto de rectas paralelas y equidistantes.
En este caso, con la zona de funcionamiento delimitada, las derivadas parciales de
las ecuaciones (I) se hacen constantes, el sistema es lineal y podemos remplazar las
diferenciales dUe, dJe, etc., por Δ Ue = Ve\/2, ΔJe = Ie>/2, etc. (a uno y otro lado de
las proyecciones de N sobre los ejes).
El régimen que se establece alrededor del punto N es sinusoidal y podemos escribir
el sistema de ecuaciones (I) en forma de:
TRANSISTOR CUADRIPOLO LINEAL
El transistor puede ser considerado como un cuadripolo lineal.

Las derivadas parciales de las relaciones aquí indicadas se convierten en impedan-
cias: ZH, Z12, Z21, Z22; y se denominan a veces (como las que las componen) impe-
dancias “diferenciales”.
No hay que olvidar que se trata aquí de parámetros cuyo valor depende del punto
de reposo N (magnitudes del soporte) y que no son asimilables a impedancias más que
a condición de que las señales sean suficientemente débiles.
Cuando dos de los cuatro bornes del cuadripolo (Bl - B2) constituyen un borne
común (M), la entrada y salida se hacen en los otros dos bornes, y puede representarse
el cuadripolo por el agrupamiento de las impedancias en T (o en estrella), o en 71 (o en
triángulo) fig. VL0.1.
El transistor, que tiene tres bornes, permite seis configuraciones, pero no tiene prác-
ticamente más que tres aceptables.
Se emplea así:
1. ° Montaje de “Base Común ” o BC. El borne de la base es común, la entrada se
hace por el emisor y la salida por el colector.
2. ° Montaje de “Emisor Común ” o de EC. El borne de emisor es común, la entrada
se hace por la base y la salida por el colector. Este montaje es el más empleado
porque permite obtener la mayor ganancia de potencia.
Fig. VLO.l
a) estrella o T; b) triángulo o ti
Fig. VI.0.2
Convención de signo en lo que concierne
a las corrientes.
86
CIRCUITO EQUIVALENTE
3.° Montaje de “Colector Común” o de CC, que presenta analogía con el de “placa a
masa” de las válvulas de vacío; el borne de colector es común, la entrada se hace
por la base y la salida por el emisor.
Para utilizar los parámetros Z, el agrupamiento en T es el más cómodo (figura
VI.O.2). Las tres impedancias de este agrupamiento se llaman:
ZQE· fe, impedancia de emisor,
Zqb - impedancia de base y
ZQC· ζc> impedancia de colector.
Anteriormente hemos representado el transistor polarizado y alimentado como se in-
dica en la figura II.2.2.
La tensión UEB = UE > 0 y la tensión UCb = í/c < 0, y el borne común se toma
como referencia para las tensiones. El sentido real de las corrientes continuas de so-
porte es también el de la figura II.2.2, lo que se traduce por la relación:
Parecería lógico conservar este sentido como convencional para las corrientes alter
ñas, escribiendo:
Pero para la simetría de las fórmulas se admite generalmente la relación:
(1)
Así la admitiremos, aunque con ello se llega, en ciertos casos, a valores negativos de
la conductancia; la aparición en las fórmulas de una resistencia negativa significa gene-
ralmente el nacimiento de una fuente de energía y la posibilidad de un estado inestable
en ciertas condiciones; esta posible confusión se evitaría admitiendo la misma rela-
ción que en continua.
VI.1 Circuito equivalente, ganancia e impedancias de entrada y de salida del mon-

taje BC
La figura VI. 1.1 representa un transistor BC considerado como cuadripolo lineal pasivo
con la convención para los sentidos de las corrientes:
Las tensiones y corrientes continuas de soporte no están representadas en los es-

quemas equivalentes; suponemos que el transistor está convenientemente polarizado
y alimentado y que el régimen sinusoidal se establece alrededor de un punto figurativo
N, siendo las señales lo suficientemente débiles para que el sistema pueda ser tratado
como lineal.
Recorriendo las dos mallas del cuadripolo en los sentidos de las flechas de la figu-
ra VI. 1.1, podemos escribir (ver: red de malla - capítulo VI de la obra señalada en la
primera página):
87
(1)
(2)
En el cuadripolo pasivo: Z12 = Z21 (aquí = ζB).
Ahora bien, si la experiencia confirma la relación (1), la relación (2) no queda verifi-
cada, Sólo se verifica cuando se le añade al término otro proporcional a IE o sea
ζmfe se denomina impedancia mutua, que se convierte en el cuarto parámetro del
transistor.
Así:
y
Z12 Ψ Z21: el transistor (convenientemente polarizado y alimentado) no es un cuadri-
polo pasivo.
En el caso de que lo fuera (ζOT = 0) la relación (2) puede escribirse:
Tenemos a la derecha las caídas de tensión en las impedancias del circuito de salida:
ζc, Íb , ¿v y, a la izquierda, la fuerza electromotriz | (ê |· Gracias a esta señal tenemos
a la entrada de Vo el nacimiento de la corriente IE en el circuito de entrada; la caída
de tensión en los bornes de la rama común se hace fuerza electromotriz para el cir-
cuito de salida, donde aparece como consecuencia la corriente Ic. La energía necesaria
es suministrada por la señal de entrada Vo.
En el caso de nuestro cuadripolo activo, ésta es de:
lo que hace falta escribir.

Debido a la existencia de la corriente fE en el circuito de entrada, una nueva fuerzp
electromotriz |ζmíe| nace en el circuito de salida. Como veremos ζm > ζB, de manera
que de esta forma se realiza una amplificación importante. Excitada por una corriente
Fig. VI. 1.1 Esquema de un transistor considerado como cuadripolo lineal pasivo en régimen sinusoidal es
table; los parámetros en agrupación en T, montaje de BC.
88
IE a la entrada, el transistor saca energía de la fuente de corriente continua para sumi-

nistrarla (en la forma impuesta por IB) al circuito de salida, es decir, al receptor Zv.
Convenientemente polarizado y alimentado, el transistor se hace un cuadripolo activo.
Las ecuaciones (1) y (2a ), a saber:
(1)
(2')
nos permiten trazar el esquema equivalente del montaje BC (figura VI. 1.2).
Además de los elementos pasivos del cuadripolo y de la fuente de ataque (fuerza elec
tromotriz Vo) podemos hacer figurar la fuerza electromotriz -ê que actúa en el senti
do de la corriente Ic.
Fig. VI. 1.2 Esquema equivalente de un transistor de BC, parámetros en agolpamientos en T.
Considerando el trozo OC del esquema equivalente como representante de una fuente

de fuerza electromotriz -frrJE y de impedancia interna podemos sustituir “la fuente
de tensión” (fuerza electromotriz) por una “fuente de corriente”: (figu-
ra VI. 1.3).
De acuerdo con el problema a resolver, puede ser más interesante representar el
efecto transistor por la “fuente de corriente” o por la “fuente de tensión”.
Comparando las ecuaciones (1) y (2a ) con las generales del cuadripolo, tenemos:
En función de los parámetros ¿ del transistor se pueden deducir:

1.° Ganancia de corriente del montaje BC
89
Fig. VI. 1.3
En baja frecuencia (f < 3.000 a 5.000 Hz) los parámetros ζ del transistor pueden ser
considerados como resistencias puras: rE, rB, rc, rm. Para los transistores corrientes:
rE es baja, del orden de 1 a 100 ohmios

rB es del orden de 50 a 1000 ohmios
rc es del orden de 1 a 20 MΩ
rm es del orden de 0,9 a 0,99 rc
En general rB < rm, y prácticamente:
Con mucha frecuencia, Zn es también < rc, de manera que en la práctica:
Los valores medios para el transistor OC70 son, en la zona lineal de la red Uc,Jc
rE del orden de 10 ohmios

rB del orden de 1000 ohmios
rc del orden de 1 MΩ
rm del orden de 0,95 rc
a = | G/«·,b | es del orden de 0,95.

2? Ganancia de tensión
90
En baja frecuencia, para p0 del orden de rE tenemos:
En la medida en que se puede desdeñar Rv ante rc - rm (a veces Ru no suele pasar

apenas del 5 % de rc - rm):
Como veremos más adelante, en las mismas condiciones:

ZeJi = peji rE + (1 - a)rB de manera que:
En el caso de un OC70:
<7v ,3 sería del orden de 0,01 a 0,1 Ru.
3.° Impedancia de entrada
y
En la medida en que se puede despreciar Zv ante rc - rm
En el caso del OC70 ρexj sería del orden de 100 a 10 ohmios.

4.° Impedancia interna
91
Para p0 = 0 ó del orden de rE < rB
Para el OC70 pitB es del orden de 10.000 a 50.000 ohmios.
VI.2 Circuito equivalente y características del montaje de EC

En este montaje la entrada está en B y la salida en C; las variables son las corrientes
/B(=/1)e/c(=/2)·
Las tensiones de entrada y de salida (V¡ y V2) no están tomadas respecto a la misma
referencia que en el montaje de BC, y no basta con remplazar en las ecuaciones ante-
riores por ~(IB + 7C)· Hay que escribir de nuevo las ecuaciones de las mallas, que se
presentan como en la fig. VI.2.1.
(a)
Fig. VL2.1-“a”
Montaje de EC.
l°
2°
La ecuación (2.a) se puede escribir en la forma:
Lo que nos lleva al esquema equivalente de la fig. VL2.1-b.
92
CARACTERISTICAS DEL MONTAJE EC
(b)
Fig. VI.2.1 - “b”

Esquema equivalente del montaje de EC.
Las ecuaciones 1.a y 2.a'
nos dan las relaciones:
Ganancia de corriente:
93
Para el OC70 β ~ 20 a 40.

Ganancia de tensión:
Si Ru < rc(1 - a) la fórmula simplificada nos da:
Impedancia de entrada:
Ru es muchas veces despreciable ante rc; en la medida en que Ru + rE sea también

despreciable ante rc (1 — »), condición que a veces se cumple,
94
CARACTERISTICAS DEL MONTAJE CC
Impedancia interna:
Para
VI.3 Circuito equivalente y características del montaje CC

Como la corriente de entrada /, es igual a IB, podemos conservar los términos de las
relaciones del montaje de EC; el esquema equivalente lo vemos representado en la figu-
ra VI.3.1. Sustituyendo Ic por -(IB + Ie ) tenemos:
l°
2°
lo que conduce a:
Así:
Fig. VL3.1 Esquema equivalente del montaje de CC.
95
Esta ganancia suele ser siempre ligeramente superior a la del EC.

Muy frecuentemente,
Muchas veces también:

Muchas veces
96
EJERCICIOS
Impedancia interna:
Para
Para el OC70 y
ohmios
El montaje CC, que puede llamarse de “colector a masa”, recuerda el de “placa a
masa” de las válvulas de vacío.
En los dos casos este montaje permite aumentar mucho la resistencia de entrada y
disminuir considerablemente la resistencia interna, manteniéndose la ganancia de tensión
sensiblemente igual a 1.
VI.4 Ejercicios
(I) Los valores de los parámetros del transistor estudiado, en la zona de funciona-
miento considerada, son:
a = 0,97 rE = 10 Ω rB = 1000 Ω rc = 1 MΩ
Calcular, en el caso del montaje de EC: la resistencia de entrada pe; la resistencia
interna (o “de salida”) la ganancia de corriente Gt y la ganancia de tensión CP1, en
los tres casos siguientes:
1) R de carga = 300 Ω
p0 de ataque = 30.000 Ω
2) R = 30.000 Ω, Pq = 100 Ω
3) R= 1.000 Ω, pQ = 1.000 Ω.
a) Con la ayuda de las fórmulas exactas.
b) Con la ayuda de fórmulas simplificadas.
Comparar las desviaciones en tantos por ciento.
(II) Con los mismos parámetros anteriores y la ayuda de las fórmulas simplificadas,
calcular: ph Gt y CVI, así como la ganancia compuesta de potencia Gcp, para los tres
montajes BC, EC y CC.
R es la resistencia de carga: 1.000 ohmios
ρQ es la de ataque: 1.000 ohmios.
97
CAPITULO VII
Parámetros híbridos y su medida llamada “dinámica”
VII. 1 Parámetros híbridos; su significación física y sus fórmulas de transformación

Si elegimos como variables /, y V2, las ecuaciones del cuadripolo se escriben:
(1)
(2)
Notemos en primer lugar la significación física de estos parámetros.
//,, es por lo tanto la impedancia de entrada, estando la salida en cortocircuito.
H2, es la ganancia de corriente en cortocircuito.
H22 es la admitancia interna estando el circuito de entrada abierto (Ix = 0).
//12 es la ganancia inversa de tensión con el circuito de entrada abierto.

Procediendo de acuerdo con lo indicado en los capítulos V y VI se pueden expresar
las principales características del cuadripolo (ganancias, impedancias de entrada e in-
terna) en función de los parámetros híbridos.
SU SIGNIFICACION FISICA
La tabla I presentada en la fig. VII. 1.1, resume las fórmulas en Z y en H, y la tabla II

nos da las fórmulas completas y simplificadas en ζ de los tres montajes BC, EC y CC.
Los parámetros de los transistores varían en función del punto de funcionamiento
y del de la temperatura. Los fabricantes indican sobre todo los valores de los pará-
metros híbridos y a veces dan los gráficos que traducen la ley de sus variaciones, ley
que es sensiblemente la misma para todos los elementos del mismo tipo. Basta conocer
(o medir) el parámetro buscado, para un punto de trabajo o una temperatura determi-
nada, para poder apreciar así su valor en las otras condiciones de funcionamiento. Es
interesante por tanto establecer las relaciones que existen entre los parámetros híbridos
y los de ζ.
Basta para ello con escribir las relaciones de más abajo:
Para EC, por ejemplo:
En baja frecuencia, partiendo de las fórmulas simplificadas, podemos escribir
(1)
(2)
(3)
(4)
Volviendo a tomar las relaciones del cuadripolo en Z y haciendo 7, = 0:
Se pueden establecer análogas relaciones para los montajes de BC y CC. El montaje

de EC parece ser el más conveniente para las medidas.
Las tablas III y IV de la figura VII.1.1 permiten, prácticamente, con las dos primeras,
todas las transformaciones útiles.
99
PARAMETROS HIBRIDOS
Fig. VII. 1.1
I. Fórmulas generales de un cuadripolo.

= impedancia interna de la fuente de ataque Fo
impedancia interna de la fuente de ataque Fo
Parámetros Z Parámetros H
Impedancia interna:
Ganancia inversa de corriente
Ganancia inversa de tensión:
l∞
SU SIGNIFICACION FISICA
II. Fórmulas del cuadripolo en T, parámetros ζ.

Expresiones simplificadas de los tres montajes en baja frecuencia.
Fórmulas completas BF (r sustituye a ζ)
Fórmulas simplificadas para: re < r

(a veces ~ 0,001 a 0,01)
en la medida en que
BC
(depende de Zu)
(depende de ¿0)
EC
101
PARAMETROS HIBRIDOS
CC
(Condición a veces cumplida)
102
MEDIDA DINAMICA DE LOS PARAMETROS
III. Relaciones entre los parámetros H de los tres montajes He , Hb y He
Para:
IV. Relaciones entre los parámetros He y los r en baja frecuencia, (fórmulas simplificadas)
VII.2 Medida dinámica de los parámetros

Z. Principio de la medida
Está inspirado directamente en la significación física de los parámetros híbridos.
Se puede limitar sólo al montaje EC, lo que evita los cambios de conexiones, de pola-
rización y de alimentación.
103
PARAMETROS HIBRIDOS
Fig. VII.2.1 Medida dinámica de los parámetros. Montaje de EC.

A. Ataque por la entrada
B. Ataque por la salida
A.
El transistor será atacado por la entrada (base) a través de dos resistencias Ro
y /?,; el valor de esta última será medida con precisión.
La medida de las tensiones Kh0 y K, respecto a masa (fig. VII.2.1) nos permitirá
calcular la corriente /,:
104
El transistor será cargado por una resistencia R2 suficientemente baja para consi-
derar la salida en cortocircuito. La medida de la tensión V2 y el conocimiento del valor
exacto de R2 nos dan:
Así, las tres medidas de tensión nos permiten escribir:
B.
El transistor será atacado a continuación por la salida (colector) a través de una re-
sistencia conocida r2, que permite la medida de I2 con la entrada en circuito abierto.
Se medirá también Vt, lo que nos dará:
Los cuatro parámetros H nos permitirán calcular rc, rE y rB, a saber:
105
PARAMETROS HIBRIDOS
II. A limentación y polarización (Uc -Jb ~ Jc )

Como lo indica la figura VII.2.1, la separación de los circuitos de “alterna” y de los
que suministran las tensiones y corrientes de trabajo se hace, por un lado, gracias a
las elevadas capacidades de unión (500 a 1.000 μV) y, por otro lado, gracias a los
circuitos “tapón”, de baja resistencia para las corrientes continuas de soporte pero de
alta impedancia para las corrientes sinusoidales de la frecuencia de sintonía
ver cap. VII. 2 del primer volumen).
La frecuencia de sintonía debe ser lo más baja posible para poder

despreciar las capacidades parásitas del transistor y de las conexiones, que falsearían
las medidas (sobre todo la de H21tE).
Por otra parte, la impedancia de los circuitos de sintonía debe ser suficientemente
grande para no derivar los bornes del transistor.
Hace falta, pues, que el producto CL y el cociente L/C sean lo mayores posible, que
exige un compromiso, tanto más cuanto que con L grande nos vemos obligados a acep-
tar también una mayor r, so pena de llegar a volúmenes inaceptables.
Hemos empleado grandes inductancias de filtro y nos hemos detenido en/, ~ 275 Hz
con Rw ~ 1,5 MΩ a 2 MΩ.
III. Generalidades sobre las señales, los aparatos de medida y los montajes
Para evitar la distorsión no lineal y poder considerar el régimen como sinusoidal hace
falta que las señales sean muy débiles. Por el contrario, debido a los parásitos que apa-
recen, con excitación nula, casi no es posible descender mucho.
Aquí también hay que aceptar un compromiso, según la medida a efectuar y la im-
portancia de los parásitos.
Hace falta comenzar, como es natural, por un montaje muy cuidado (“retornos”
trenzados y si fuera posible colocados en una funda metálica puesta a tierra en sus
dos extremos, conexiones lo más cortas posibles, sin bucles, etc., ver capítulo XIV.3
del primer volumen).
Las inductancias de los circuitos tapón serán blindadas (encerradas, si es posible,
en cajas de cobre) y los blindajes serán puestos a masa común.
Se colocará la inductancia de entrada lo más alejada posible de la de salida. A veces
la posición de la primera tiene efecto determinante sobre los parásitos (sobre todo
con el circuito de entrada abierto); se puede a veces anular el efecto parásito haciendo
girar simplemente la inductancia de entrada (polarización de base).
Para cada medida es necesario verificar la importancia de la tensión parásita que
aparece con excitación nula (sin modificar los circuitos de medida).
Para verificar si la distorsión es todavía aceptable podemos fiarnos prácticamente
del miliamperímetro que indica la corriente de colector de soporte Jc', su desviación no
debe ser modificada por la aparición de la señal de ataque. En caso de distorsión se
tiene oportunidad de comprobar la aparición de una corriente media que modifica el
valor de Jc. Este método, que no tiene rigurosamente nada de particular, es sensible
106
sobre todo a los bajos valores de Jc y es allí justamente donde la distorsión es más difí-
cil de evitar.
Un ejemplo numérico nos permitirá apreciar mejor el orden de magnitud de estas
relaciones.
Supongamos Jc = 0,5 mA, es decir, 50 divisiones de las 100 de la sensibilidad uti-
lizada.
Sea la señal Ic = 0,15 mA e Ic\/2 ~ 0,2 mA. Una distorsión que corresponde a una
variación relativa de las amplitudes del 10%, por ejemplo, se traduciría en otra de la
corriente de soporte del orden de:
es decir, de 0,7 de división, lo que se puede ya descubrir y que, en rigor, puede ser acep-
tado.
El milivoltímetro electrónico deberá presentar una impedancia de entrada muy ele-
vada (> Rw).
IV. Elección de los valores de las resistencias Ro, Rx, R2 y r2. Apreciación de la
precisión teórica
A.
ATAQUE POR LA ENTRADA
La medida será tanto más precisa cuanto más próxima está K, de V^ - K,; tene-
mos interés por tanto en tomar:
R, del orden de pe¿ en el punto de soporte considerado.
Como la característica de entrada JB = f(UB) es curva, sobre todo en el codo, nos in-
teresa realizar un mando por corriente. Tomaremos Rx + Ro del orden de 5 a 10pe¿.
La resistencia R2 será lo más baja posible, pero suficiente para que la señal Ic adop-
tada conduzca a una tensión V2 suficientemente importante respecto a la tensión pará-
sita que aparece cuando el generador de BF es de tensión nula (manteniéndose el circui-
to de entrada cerrado, como es natural, a través del generador de BF). Como hemos
despreciado la capacidad de unión, habrá que verificar también la importancia \/cωQ
ante R2.
Para medir HxxJ. = Vx/Ix sacada de la relación:
Vx = HXXIX + HX2V2 despreciamos HX2¿· V2 ante Vx.
Para medir H2xJE = β = I2/Ix sacada de la relación:
despreciamos H22βV2 ante I2.

El conocimiento del orden de magnitud de HI2^ y de H22¿ nos permite apreciar el
error teórico cometido; estos errores pueden ser prácticamente suprimidos eligiendo
convenientemente la señal y las resistencias RQ, Rx y R2.
Para un OC70, por ejemplo, la señal será:
107
PARAMETROS HIBRIDOS
Ic = 0,15 mA, si pe¿ ~ 1.000 ohmios, se tomará

Rx ~ 1.000 ohmios y RQ ~ 10.000 ohmios.
Ix ~ 0,005 mA (β ~ 30) Vx ~ 5 mV.
HX2tE es del orden de 10-3.
Para que Hx2tE- V2 < 0,01 Vx (1 % de error) basta con que V2 < 50 mV y R2 <
< 50/0,15 ~ 330 ohmios.
Se puede muy bien descender a R2 = 100 ohmios. Para c = 500 μF, en 275 Hz,
l/c·ω0 ~ 1,2 ohmios. Aceptando R2 = 100 ohmios y V2 = 15 mV. Siendo H22¿
del orden de 5 · 10-5 Ω-1;
H22iE · V2 — 0,75 μA, es despreciable ante I2 = 150 μA.
Después de la medida de los parámetros se pueden calcular con exactitud los errores
cometidos.
B.
ATAQUE POR LA SALIDA
Para que la tensión V2 sea del orden de K2j 0 - V2 se tomará r2 del orden de pirE ~
- 1/W22z·
Como ya hemos indicado, el montaje con circuito de entrada abierto es el más sensi-
ble a los parásitos. Hace falta alejar el montaje de toda radiación posible y buscar por
tanteos la posición que hayamos de poner la inductancia de entrada.
Para medir H22¿ sacada de la relación:
desdeñaremos H2X¿IX ante I2, estando el circuito de entrada abierto.

En realidad, estará cerrado por lo menos para las derivaciones constituidas, por un
lado por el circuito tapón (RJ) y, por otra parte, por la impedancia de entrada del mili-
voltímetro electrónico que mide Vx.
Suponiendo que la resistencia de estas derivaciones sea del orden de 1 MΩ:
Bastaría, por ejemplo, que H2X¿· K,/106 sea < 0,0112 (1 % de error).
Como en esta medida Vx/V2 = Hxl¿
Si 72/K2 = fuera del orden de H22^, haría falta que: 10-3 x 30 < 5 x 10-5 x 104
0,03 < 0,5, lo que es más que suficiente.
Para medir HX2¿ sacado de la fórmula
desdeñamos Hxγ¿Ix ante Vv Haría falta que HXX¿IX fuera < 0,01 Vx (1 % de error)
108
Fig. VII.2.2 Medida dinámica de los parámetros (ver fig. VI.2.1)

Tabla de medidas
Ataque por la entrada Ataque por la salida

salida en C.C.
eventualmente
Tabla de resultados
eventualmente
Para el OC70, Hx es igual a pe¡E ~ 1.000 Ω.

106 > 105, condición también cumplida.
Nota.
Debido a la posible distorsión y a los efectos parásitos, a veces hay que operar
con tensiones Vx muy débiles (en ocasiones inferiores a 1 mV); su medida puede
entonces hacerse difícil y poco precisa.
En este caso se puede volver al parámetro Hx2¿ para una medida suplementa-
ria, atacando el transistor por la salida, pero con la entrada en cortocircuito:
V/ = 0. Entonces tendremos:
109
PARAMETROS HIBRIDOS
Se calculará m y se escribirá:
Las medidas propuestas en este capítulo pueden, pues, hacerse con un solo aparato:
un buen mili voltímetro electrónico.
Existen actualmente en el comercio, como para las válvulas de vacío, chasis de hem-
brillas múltiples que permiten efectuar rápidamente, entre otros, los montajes propuestos
a continuación.
Las figuras VII.2.1 A y B dan los dos esquemas utilizados y recapitulan las fórmulas
que expresan directamente los parámetros en función de las tensiones medidas.
La figura VII.2.2 da un ejemplo de las tablas que permiten agrupar las medidas y
facilitan el cálculo de los parámetros.
VII.3 Ejercicios y trabajos prácticos

(I) Las hojas técnicas del fabricante indican los valores nominales de los parámetros
híbridos.
Para el transistor OC70 se lee:
El fabricante indica también las variaciones de esos parámetros en función de la ten-

sión y de la corriente de colector de soporte, en forma de las curvas reproducidas (fi-
gura VII.3.1).
Para los puntos de soporte realizados en los trabajos anteriores, partiendo de estas
indicaciones nominales, calcular los valores de:
β — ganancia de corriente en cortocircuito de EC,
ρCtE- resistencia de entrada de EC,
ρitE - resistencia interna, o de salida, de EC y comparar con los valores deducidos grá-
ficamente. Las desviaciones deberán indicarse en tantos por ciento.
110
a. b.
Fig. VII.3.1
(II) Medir los parámetros híbridos de EC para el punto de soporte tomado como
referencia por el constructor, o sea:
Comparar; desviaciones en tantos por ciento.

Partiendo de estos valores medidos, deducir los parámetros del punto de soporte
considerado anteriormente, utilizando el gráfico de la fig. VII.3.L Para el mismo punto
de soporte, medir directamente los parámetros e indicar los valores de β, petE, pitE, rc,
rB, rE. Comparar.
Las tablas de las medidas y de los resultados serán presentadas como en la fig.VII.2.2.
(III) Se debe utilizar la tensión a la salida de un equipo existente (0,5 a 1,5 voltios,
1.000 Hz, resistencia vista desde los bornes de salida: 1.000 Ω) para gobernar un siste-
111
PARAMETROS HIBRIDOS
ma de servomecanismo cuya resistencia de entrada es de 5.000 ohmios y que debe estar

aislada de la tensión de soporte continua.
Constituir un adaptador de impedancias que permita el control visual sin que la ten-
sión de salida del equipo haya de quedar perturbada en más de 1 %. Utilizar un transis-
tor OC72 (Miniwatt) en montaje de CC, Θa < 25°, Wc < 10 mW, y la tensión de ali-
mentación U = 10 V.
Cálculo, realización y verificación experimental.
(IV) El último paso de amplificación del equipo anterior es atacado por una fuente
sinusoidal de 1.000 Hz, una fuerza electromotriz de 0,05 a 0,15 V, y de 1.000 ohmios
de resistencia interna; alimenta el receptor principal Ru = 2.000 ohmios, conectado
a los bornes de salida.
Suponiendo que este receptor no es un circuito sintonizado, remplazar el último paso
de amplificación y adaptarlo para uno solo que permita obtener la misma tensión en los
bornes del receptor Rb y efectuar el control de esta tensión, sin perturbaciones, por el
mismo sistema (pe = 5.000 ohmios), conectado permanentemente.
Utilizar un OC 70, Θa < 25°, Wc < 15 mW U hasta 10 V.
112
CAPITULO VIII
Caldeo acumulativo de los transistores
VIII. 1 Corriente inversa; reacciones térmica e interna. Factor de estabilidad térmica.

Derivada del punto de funcionamiento
El transistor puede ser considerado como si se tratara de dos diodos pegados:
E B y B-C.
Para obtener el efecto transistor que corresponde al nacimiento de una fuerza elec-
tromotriz: rm · Δ JE en el circuito de colector, cuando el de emisor está solicitado por la
corriente Δ7f, hace falta polarizar el diodo B-C en sentido inverso.
La unión del diodo B-C es por ello (capítulo 1.4) sede de una corriente inversa, que es
función de la temperatura Θ;
Pasemos al estado I:
y al II:
El efecto transistor se expresa en montaje BC por la relación fundamental:
En una zona limitada, pero bastante ancha, a permanece constante y la relación

se verifica bastante bien experimentalmente. La experiencia demuestra también que se
puede escribir Jc ~ α JE + Js y que a la temperatura Θy normal (20 a 25°C, por ejem-
plo), 7í0 es desdeñable ante la Jc corrientemente admitida.
Para el OC70, por ejemplo, JSQ ~ 5 a 10 μA cuando Jc suele ser corrientemente del
orden de 1 a 5 mA.
Pero la corriente inversa aumenta rápidamente con la temperatura. En los transisto-
res de germanio (y = 7.000 a 9.000), la corriente se duplica sensiblemente cada 10°C.
Si Jso = 5 μA en 24°, será en 65°: Js (65°) ~ 5.24 = 80 μA.
Esta corriente es aún escasa entre la de colector en reposo usada corrientemente,
y la reacción térmica por sí sola (de la que hemos hablado en el apartado I.4) no
representaría normalmente ningún grave peligro.
Pero en el caso del transistor, la reacción térmica se duplica con la reacción interna
que amplifica mucho el fenómeno del calentamiento acumulativo, por lo que este último
será objeto de una preocupación constante en los elementos destinados a trabajar con
una potencia disipada apreciable.
CALDEO ACUMULATIVO DE LOS TRANSISTORES
Fig. VIII.Ll
Uam = Uo fuerza electromotriz = constante
Consideremos un transistor en reposo, polarizado por Uo = UAM = constante y ali-

mentado por Ua, también constante (figura VIH. 1.1).
Haremos observar primeramente que muchas veces se puede admitir este circuito
(BC, EC o CC) para el funcionamiento en alterna y otro diferente para la polarización
en continua.
El empleo de transformadores y desacoplos por condensadores permite esta in-
dependencia relativa de los montajes.
Para simplificar y generalizar las fórmulas, pondremos:
donde rB y rE son los parámetros en BF del transistor en T (resistencias de emisor y

de base) y re y rb las que unen respectivamente E a la fuerza electromotriz UAM de
polarización y B a la referencia común M; la resistencia re contiene, entre otras, la
interna de la fuente de polarización UAM.
Supongamos que en un instante dado y sin que haya ninguna solicitación exterior
(Δ7f o ΔJβ/ la unión base-colector sufre un calentamiento ΔΘ que acarrea la apari-
ción de un ΔJS en el colector. Esta corriente, que tiene el mismo sentido que la de
colector, atravesará las derivaciones: REy RB como en la figura VIII. 1.2.
De este modo, el emisor está recorrido por:
Pero la aparición de ΔJE en el emisor hará nacer, por “e/ efecto amplificador del
transistor” una ΔJC' que se añadirá a la ΔJS, y así sucesivamente.
Nos encontramos, en definitiva, en presencia de una reacción llamada “interna”.
En régimen permanente, si a causa de la aparición de ΔJS, estamos en presencia de:
tenemos por un lado
114
CORRIENTE INVERSA
(I)
y por el otro, si traducimos el efecto transistor por las relaciones del montaje BC:
(2)
Las ecuaciones (1) y (2) dan, eliminando JE:
Se llama a S factor de estabilidad térmica (aunque el calificativo “factor de In-

estabilidades más conveniente para él).
Como 5 es mayor que la unidad, significa que un aumento de ΔJS de la corriente
inversa lleva a otro aumento mayor aún de la corriente de colector.
Fig. VIII. 1.2
Para un determinado transistor (rB y rE dados), el valor de S dependerá únicamente

de su circuito de polarización, es decir, de su organización en continua.
Si traducimos el efecto transistor por la relación del montaje EC,
(ver capítulo II.2)
con
115
(ΔJβ tiene aquí el sentido inverso respecto a la corriente de base normal, siendo la
escritura admitida para el funcionamiento normal del sentido directo JE = Jb + Jc)·
Las dos relaciones anteriores nos conducen, como es natural, a la misma expresión
de 5.
Nota—Se puede obtener la expresión de S de diferentes maneras. Nos ha parecido
necesario buscarla partiendo del mecanismo de la reacción interna. Se puede
encontrar también aplicando las fórmulas generales del cuadripolo (capítulo V.3).
Si traducimos el efecto transistor por ia relación del montaje BC:
a I2' corresponde ΔJS.

Teniendo en cuenta la convención adoptada para el sentido de las corrientes
del cuadripolo:
a I2 corresponde ΔJC
La figura VIII. 1.3 representa el bucle de reacción interna.

La señal ΔJS que aparece a la salida del transistor es la señal de entrada del bucle.
Fig. VUI.1.3
116
CORRIENTE INVERSA
La ganancia inversa del transistor constituye la transmitancia de la cadena directa

y la ganancia directa del transistor constituye la transmitancia de la cadena de
reacción.
Si Re Rβ»
S → 1, es decir, hacia su valor mínimo (lo que corresponde a la mayor estabilidad
térmica).
El retomo de Δ7C se hará al límite únicamente por RB y tendremos ΔJB ~ — ΔJC
(teniendo en cuenta el sentido de ΔJB respecto al normal de JB).
La relación entre ΔJC y ΔJB (montaje EC): ΔJC = β JB + (sustituyendo

ΔJB por —ΔJJ nos conduce a ΔJC = ΔJS y S = 1.
La respuesta es más rápida si se utiliza la relación del montaje BC:
Como
Si Rb Re
S → 1/(1 — α), es decir, hacia su valor máximo (lo que corresponde a la más baja
estabilidad térmica).
es decir, “ganancia de corriente en cortocircuito del montaje de E.C. ”.

Para un OC70 β = 40.
Si para un ΔΘ = 40° (entre 25 y 65°) corresponde un ΔJS ~ 80 μA, tenemos que
enfrentarnos a un crecimiento de/c, ΔJC = 40.80 = 3,2 mA.
Un aumento tan importante de corriente de reposo presenta un grave peligro de
avalancha térmica, dando lugar a la destrucción de la unión.
Pero, aunque no se alcance la inestabilidad térmica y se establezca un equilibrio
a una temperatura inferior al valor límite que puede soportar la unión, un aumento
tan importante de corriente de colector desplaza completamente el punto de reposo y
casi nunca será posible aceptar semejante deriva.
Como tenemos interés en trabajar, generalmente, con una tensión de reposo de
colector lo más baja posible, compatible como es natural con la importancia de la
señal a transmitir, un aumento demasiado grande de Jc puede llevar el punto de reposo
a la zona de desecho e incluso bloquear el funcionamiento del transistor.
A medida que la temperatura sube, la red Jc, Uc se desplaza verticalmente hacia
arriba, lo que puede tener como consecuencia una elevada distorsión no lineal al prin-
cipio y detener el funcionamiento a continuación (fig. VIH. 1.4).
II7
Fig. VIII. 1.4 Desplazamiento de las características debido al calentamiento de la unión y de la deriva del
punto de soporte N.d= zona de desecho.
VIIL2 Caldeo acumulativo en clase A.

Equilibrio térmico; estabilidad térmica y temperatura crítica
Los transistores de bajas y medias potencias se refrigeran, sobre todo, por con-
ducción metálica; y es a través del hilo por donde se refrigera generalmente la base
de la unión de colector.
Si la temperatura ambiente es de Θα°, la de la unión Θ° y la potencia disipada por
el colector Wc vatios, la ecuación de equilibrio térmico (en régimen permanente) se
escribe:
en donde K es una constante, expresada en grados por vatio (o milivatio), que traduce
las condiciones de refrigeración.
Se le llama a veces a K “resistencia térmica”, por analogía con la ley de Ohm apli-
cada a los conductores metálicos, en forma de:
Recordando Θ — Θa como “diferencia de potencial térmico” y W como “corriente”

de calor, el coeficiente K corresponde también a la resistencia:
Para una potencia disipada Wc determinada (corriente de calor producido Wc), la

diferencia de temperaturas Θ — Θa será tanto menor, cuanto más baja sea la “resis-
tencia K de refrigeración”.
Estas nociones se entienden aplicando las leyes de Kirchhoff a los radiadores que se
consideran como “circuitos” de refrigeración.
118
CALDEO ACUMULATIVO EN CLASES
Generalmente, la hipótesis de la conducción metálica se verifica experimentalmente

y admitimos, para poder establecer la teoría del calentamiento acumulativo, la re-
lación:
Sin embargo, según los casos que pueden presentarse, la convección natural puede
entrar también en juego y es más bien la ley: (Θ - = K · l·Vc con n ligeramente
superior a la unidad, la que traduciría mejor el enfriamiento de la unión. Cuando la
refrigeración se hace por convección natural, n llega a valer 1,25.
En el caso de los transistores de potencia montados en chasis metálicos holgada-
mente calculados, la ley de la conducción metálica se verifica perfectamente. Para
obtener la confirmación, basta con hacer cuatro medidas con Wc diferentes; si se pre-
senta el caso se puede deducir el valor de n.
La potencia disipada en el colector en reposo es igual a:
donde Uc y Jc son las magnitudes de soporte colector.

En clase A, en régimen sinusoidal permanente, la potencia disipada en el colector
(al igual que la disipada en el ánodo de una válvula de vacío) es inferior a la disipada
en reposo (es decir, en ausencia de señal):
en donde VCIC eos ψ es la potencia disipada en el receptor Z (ver figura VIII.2Δ).

En efecto, sean:
= Zeiψ la carga compleja del receptor cuya,
Rc = Rc A es la resistencia en continua,
Jc = corriente de colector de reposo,
UR = caída de tensión continua en los bornes del receptor y,
Uc = Ua — UR tensión de colector de reposo.
Cuando se establece un régimen sinusoidal en el circuito colector con Ic, corriente

que atraviesa el receptor Z, y Vc, tensión en los bornes de este receptor, tenemos en
valores instantáneos:
Fig. vni.2.1
119
La potencia suministrada por la fuente de alimentación Ua
La potencia disipada en el receptor:
La potencia disipada en el colector:
Tenemos, pues, W = Wz + Wc
Estudiando el calentamiento del colector en reposo, nos colocamos en las condi-
ciones más desfavorables; es lo mismo en el caso de las válvulas de vacío (Up y Jpque
remplazan a UCJC, etc.).
Supongamos que nos hayamos fijado las magnitudes del soporte del transistor par-
tiendo de las redes trazadas en Θ = Θo (~ 25°C, por ejemplo).
Sean: Uc en Θo = Uc y Jc en Θo = Jc.
Debido a la potencia disipada en el colector, la unión se calienta y suponemos que
su temperatura de equilibrio es Θ para una temperatura ambiente de Θa. La ecuación
de equilibrio térmico se escribirá:
Pero Jc en Θ será mayor que Jc en Θo
Pongamos:
en donde
120
CALDEO ACUMULATIVO EN CLASE A
Muy frecuentemente (para Θ suficientemente elevada) δ(Θ) > 1 y se puede escribir:
Tenemos pues en Θ'
Es verdad Uc en Θ° será ligeramente inferior a Uc en Θo°, porque al aumentar Jc

también lo hará la caída de tensión Rc Jc. Guardaremos el valor de Uc para simplificar
nuestros cálculos; nos colocaremos así de nuevo en condiciones más desfavorables
que las reales.
La relación de equilibrio térmico se escribirá en definitiva:
(1)
Para Θa, K, Un Jc, S y A> dadas, es decir, para un transistor organizado en continua
y en las condiciones de refrigeración dadas, esta relación determina la temperatura de
equilibrio de la unión Θ.
La ecuación (1) es larga de resolver por cálculo. Es más rápido y fácil buscar una
solución gráfica. Además, ésta se presta bien a interpretaciones, predeterminaciones y
discusiones sobre el mejor funcionamiento posible, lo mismo que en la búsqueda de los
márgenes de seguridad según los datos del problema.
Pongamos:
Fig. vni.2.2
121
KUCJC y KSUc Jsq no dependen de Θ; hagamos:
y
La relación y(Θ) = Θ - Θa es una recta.
ζ(Θ) = + ζso · δ(Θ) es una horizontal ζd = constante incrementada en una expo-
nencial cuya configuración (en la zona de las temperaturas que nos interesan) está
representada en la figura VIIL2.2.
Si los dos ejes de coordenadas están graduados de igual manera, las rectas y =
= Θ - Θa forman 45° con el eje de las Θ.
La curva ζ(Θ) representa el calentamiento (término proporcional al calor disipado
en la unión) y la recta ζ = Θ - Θa representa la refrigeración (término proporcional
al calor disipado por refrigeración).
Se pueden presentar tres casos:
l.° La recta y = Θ - Θa no corta a la curva (en la zona de las temperaturas que nos
interesan, la cual está limitada por Θ7 máximo, a partir de la cual la función co-
mienza a deteriorarse).
Es la posición (1) de la recta. No hay solución; tampoco es posible que haya
equilibrio térmico y la temperatura de la unión se va incrementando hasta la des-
trucción del elemento.
El transistor será destruido por caldeo acumulativo.
2? La recta y = Θ -Θaes tangente a la curva ζ(Θ): posición (2).
La temperatura que corresponde al punto de tangencia C se denomina tempe-
ratura crítica Θc; llamaremos a la temperatura ambiente que corresponde a esta
posición: temperatura ambiente crítica Θac.
Matemáticamente hay una solución, pero físicamente ésta corresponde a un
equilibrio límite inestable. Basta pues con un aumento accidental de la temperatura
(incluso de corta duración) para que el proceso de calentamiento acumulativo
continúe, puesto que entonces la refrigeración (representada por la recta Y) será
siempre inferior al calentamiento (representado por la curva ζ).
3.° Posición (3). La recta Y corta a ζ en dos puntos.
Matemáticamente hay dos soluciones, pero únicamente la I corresponde al equi-
librio térmico estable.
Si el punto figurativo fuera desplazado accidentalmente de su posición, la refri-
geración, más fuerte que el calentamiento, lo llevaría automáticamente a su punto
de equilibrio I. El punto de intersección II corresponde a un equilibrio inestable
por las mismas razones que el punto crítico C.
Para asegurar un funcionamiento conveniente de un transistor hace falta imponer
dos márgenes térmicos. También es necesario asegurar un margen de seguridad respecto
a la temperatura máxima que la unión no debe rebasar; este margen será expresado
por:
(I)
122
RED DE CURVAS UNIVERSALES
en donde Θj es la temperatura de la unión en régimen permanente. El segundo margen

térmico, que concierne al embalamiento térmico, estará expresado por:
(II)
Algunos utilizadores admiten para este segundo margen hasta 20° porque la teoría
actual del calentamiento acumulativo no puede apenas dar una precisión suficiente en lo
que concierne a la estabilidad térmica.
El estudio del fenómeno del calentamiento acumulativo nos permite concluir que la
misma noción de hipérbola equipotencial máxima, esencial cuando se trata de válvulas,
no tiene sentido en el caso de los transistores. Para un transistor determinado la misma
temperatura ambiente e iguales condiciones de refrigeración, una potencia determinada
PPXΘ0) permitirá un funcionamiento seguro o conducirá a la destrucción de la unión,
según el valor del factor de estabilidad térmica S, es decir, según la organización del
elemento en continua.
VIII.3 Red de curvas universales. Predeterminación del factor de estabilidad máxima

admisible que asegure el segundo margen térmico: Θac — Θa
La curva de calentamiento ζ(Θ) (figura VIII.2.2) permite controlar la temperatura
de equilibrio y los dos márgenes de seguridad.
Sin embargo, el problema se plantea a veces de la manera siguiente:
Se admite un determinado margen de seguridad para Θac - Θa (10 a 20°, por ejemplo)
y se busca cuál es, en la temperatura ambiente Θa dada, el factor de estabilidad tér-
mica S necesario que permita admitir la potencia l·VJΘ) que se impone por la elección
del punto de reposo.
Para trazar la curva ζ(Θ) hay que conocer el valor de S; se necesita pues un tanteo.
Partiendo de las relaciones que hemos establecido y de las conclusiones sugeridas
por el gráfico (figura VIII.2.2), podemos llegar a una red de curvas que faciliten la
solución directa de este problema (o al menos de una parte del problema).
Hemos visto que la temperatura crítica Hc es un criterio muy importante y que, para
un transistor dado, polarizado de cierta manera, la recta F(Θ) tangente a la curva ζ(Θ)
determina a la vez:
el valor de Θc y el de Θαc.
Podemos escribir para el punto crítico C:
Tenemos:
con:
Wd suele llamarse frecuentemente: “potencia directa” (UCJC) y

l·VSQ “potencia inversa” (Uc Jsq ).
123
Escribiendo
se tiene
Para un transistor determinado (y, K, determinadas) polarizado y alimentado de

alguna manera [Uc (Θq ), Jc (Θq ), y S dadas], e y,t es el único término función de la tem-
peratura.
Para el punto crítico:
es decir:
En las ecuaciones (1) y (2) Wd y l·VS0 son las potencias que llegan al límite de la estabi
lidad térmica (punto crítico: Θc, Θac); a estos valores les daremos el índice C:
De esta manera se llega a la idea de una red de curvas cuyos puntos representan,
no el estado de funcionamiento del transistor (Θy para Θα dado), sino los puntos crí-
ticos (Θc, Θac) a los que llegan los valores determinados de Wd y para S dada y con
Θa dada (que se hace Θac).
La expresión ζso→ no depende más que de Θc; esto significa que a un valor determina-
do de K·Sl·VSQ corresponde otro de Θc, alcanzándose el límite del equilibrio térmico
para una temperatura ambiente Θc determinada por
La red de curvas:
constante
124
Fig. VIU.3.1 Red universal para “y” dada: ζso~c = (p (ζd-c). El punto N, determinado por K - Wd y KS
l·Vso, figura el punto críti∞ (<Dc y 4>ac) correspondiente a estas potencias.
se llama “red de curvas universales está determinada para γ dada y Θo elegida arbi-
trariamente (casi siempre 20° ó 25°C). Figura VIII.3.1.
Observemos a continuación que a Θf = constante le corresponde ζJ0.c = constante,
o sea una horizontal en la red.
Así, para un valor determinado de fJ0 = K· S - Uc· Jso, Θc estará determinada, pero
este límite crítico será alcanzado para un valor de Θac tanto menor cuanto mayor sea
td = K-Wd.
El desplazamiento horizontal del punto figurativo: ζdi → ζd2 a Θc = constante en la
red universal se traduce por un desplazamiento vertical de la curva de calentamiento
ζ(Θ) en el sistema de ejes ζy Θ (figura VIII.3.2).
Si el punto de reposo elegido determina el valor de ζd — K« l·Vd, podemos trazar rá-
pidamente en la red universal el valor máximo de S que permite asegurar un determi-
nado margen de seguridad Θac - Θa en lo que concierne al embalamiento térmico.
Supongamos que el transistor deba trabajar a Θa = 40°. Admitiendo un margen de
seguridad de 20°, esto da Θae = 60°. La intersección de la vertical = valor determi-
nado de KWd y de la curva ζ50 a Θac = 60°C da el valor máximo para KSl·Vso. Cono-
ciendo el valor de K · l·V0 se calcula el valor de S que no se debe rebasar.
S^JK·W5Q.
Este es, sobre todo, el problema que la red universal permite resolver directa y rá-
pidamente.
Para trazar la red universal de un determinado transistor (y dado) basta con dispo-
ner de una tabla de valores (figura VIII.3.4-α) calculados para una γ de referencia (por
ejemplo, 8.340 que es el valor teórico). El paso de γ a y, se hará multiplicando:
las columnas (I) por γ/γt
y las (II) por y,/y.
125
Fig. VIII.3.2
Se volverán a calcular rápidamente las columnas III, IV y V.

El trazado de la red se facilita por dos observaciones previas:
1. ° los puntos de Θc = constante están en una horizontal,
2. ° en Θc = constante, como lo indica la relación:
126
Fig. VIII.3.3
Bastará, por tanto, con trazar una sola característica para Θac = cons
tante (= 40°, por ejemplo) para encontrar todas las demás por un desplazamiento ho
rizontal, como se indica en la figura VIII.3.3.
Las tablas y la figura VIII.3.4 permiten así un trazado rápido de la red para cual
quier transistor, admitiendo 25° para Θo.
VIII.4 Primer margen térmico Θ, máx - Θj y potencia disipada directa límite

La red universal nos permite determinar el valor máximo del factor de estabilidad
térmica S que asegura el segundo margen térmico Θac - Θα, pero no nos indica la tempe-
ratura de la unión en funcionamiento, en equilibrio térmico.
Para conocer y apreciar el primer margen térmico ΘJmáx - Θj hay que trazar la curva:
Este trabajo gráfico puede ser hecho con gran rapidez utilizando la rejilla, figura
VIII.4.1, y la columna III de la tabla figura VIII.3.4-Ó. Generalmente bastan cinco o
seis puntos (ver capítulo X.3).
La rejilla (figura VIII.4.1) permite también evaluar para cada transistor (k y Θ/wαvda-
dos) y para una temperatura ambiente determinada Θa, la potencia directa disipada,
127
Fig. VIII.3.4-a Tabla básica para el trazado de curvas universales K.S.W.soc = (K.Wd-c) para:
<PC = 25°, γ = 8Δ40, To = 298°,
Relación:
128
MARGEN TERMICO Y POTENCIA DISIPADA
Fig. VIII.3.4-b
Tabla que permite trazar las curvas universales para p, dada.

Para pasar de γ = 8,340 a y, dada: multiplicar las columnas:
y volver a calcular las columnas: III, IV, V. Las columnas VI se escriben como en la tabla básica, anotando
que
que se puede llamar límite suponiendo Ws ~ 0, si se le impone el primer margen tér-

mico ΘJmáx - Θj.
La intersección de la recta Y = Θ - Θa y de la vertical Θj = constante da este valor
límite, que llamaremos: Wdtl·
Se comprende que no podremos aceptar más que las potencias disipadas directas
Wd inferiores a Wdd.
129
Fig. VIII.4.1
Rejilla para buscar la temperatura de la unión <Z>y (y la temperatura ambiente crítica d>αc
cuando 5 es conocida)
130
CAPITULO IX
Insuficiencias de la teoría clásica del calentamiento

acumulativo. Medidas térmicas. Punto de polarización
IX. 1 Términos despreciados en el establecimiento de la teoría clásica del calenta-
miento acumulativo
La red universal, así como las curvas de calentamiento, han sido trazadas partien-
do de hipótesis que no son válidas más que en una primera aproximación. En el creci-
miento de la potencia disipada en el colector, a medida que la temperatura del tran-
sistor sube, intervienen otros términos que no pueden ser despreciados.
1? Prácticamente la polarización se hace en Uo (exterior) = constante.
La característica JB = f(UB) es casi vertical en el origen (UB = 0); la conducción
no comienza más que desde un determinado valor de UB
Ahora bien, el umbral de conducción retrocede cuando la temperatura aumenta. Se
comprueba así, en el germanio, que si se desea mantener el mismo valor de JB cuando
la temperatura aumenta, hay que bajar UBáe 1 a 2 mV por grado.
Si la temperatura de la unión pasa de Θo a Θy, aparece un aumento de JB que co-
rresponde a ΔU^Θ) ~ ΔΘ a 2 ΔΘ mV, donde ΔΘ = Θ7 - Θo (en grados).
De ello resulta un aumento de la corriente de colector y, por tanto, de la potencia
disipada que acentúa el caldeo acumulativo del transistor.
Si en el circuito de polarización de base (í/0,p0) nace una fuerza electromotriz =
= Δ U^β)y la corriente JB que resulta es:
(ver capítulo IV. 1), porque tenemos una contrarreacción de intensidad debida a la pre
sencia de Re necesaria para imponer un valor conveniente a S.
Podemos escribir:
Se puede expresar el aumento de la corriente de colector de una manera más simple.

En efecto:
y
INSUFICIENCIAS DE LA TEORIA CLASICA
como
2.° Hemos estudiado el calentamiento acumulativo suponiendo la clase A, es decir,

el sistema perfectamente lineal. Es verdad que, si sólo admitimos una pequeña deriva del
punto de soporte, esta hipótesis se verifica bastante bien en lo que concierne al régimen
de equilibrio térmico y, por consecuencia, la zona que se extiende desde Θo a Θj en
funcionamiento.
Pero no sucede lo mismo en lo que concierne a la apreciación del margen térmico
Θflc - Θo» relativo al punto crítico, que puede corresponder a una gran variación de la
corriente de colector.
Para variaciones tan importantes la simplificación que hemos admitido, incorporando
a la corriente de saturación Jσ el término correctivo Ujps, ya no es aceptable. Si este
término es efectivamente despreciable en un diodo (diodo Base-Colector, cuando el emi-
sor está desconectado), no lo es del todo cuando el elemento funciona normalmente
como transistor, porque el colector tampoco está ya recorrido por algunas decenas de
microamperios, sino por varios miliamperios.
Por eso, en el esquema físico del transistor propuesto por EARL Y, la unión (diodo)
Base-Colector, de resistencia inversa diferencial ps, está derivada por la resistencia rc
(parámetro diferencial del transistor, llamado “resistencia de colector”; ver capítulo
VI), como en la figura IX. 1.1.
Fig. IX. 1.1

Esquema físi∞ propuesto por EARLY.
Si en el transistor OC70, por ejemplo, ps es del orden de algunas decenas de MΩ.

rc lo es de algunas centenas de kΩ; pero lo que, es importante sobre todo es que
(para el OC70 y en la zona central) rc es casi inversamente proporcional a Jc. Téngase
presente que rc disminuye también cuando la temperatura aumenta, pero esta variación,
en la zona de temperaturas consideradas normales, suele ser menos importante.
En definitiva, la expresión:
132
TERMINOS DESPRECIADOS
tiene importancia en cuanto la deriva se hace importante. Se puede apreciar el orden de

magnitud de este término, cuando se pasa del estado (1) al (2), escribiendo:
Pero en la mayor parte de los casos, en clase A y con transistores de baja potencia,
los términos ΔXJC y ΔyJc se compensan, y a veces holgadamente, por otros que actúan
en sentido inverso.
3.° Por eso al principio el parámetro β disminuye cuando la corriente de colector
aumenta mucho. De manera que si admitimos:
y
la corriente de colector bajará y esta disminución será del orden de:
Añadamos que la reducción de β acarreará también la de S, lo que también se puede

calcular.
4.° Pero la compensación decisiva se debe prácticamente a que en nuestras fórmulas
hemos admitido Uc = constante y, en realidad, Uc disminuye siempre con la deriva de
la corriente de colector.
Incluso aunque el receptor presente una resistencia muy pequeña en continua, la
necesidad de fijar un valor conveniente para S implica la presencia de la resistencia
Re que acarrea una caída de tensión de:
A menos que la resistencia Re sea muy pequeña, esta caída de tensión compensa
generalmente (y a veces la sobrepasa) los términos que acentúan el calentamiento acu-
mulativo, y la teoría clásica expuesta en el capítulo anterior permite una predetermina-
ción suficiente.
Pensamos que los márgenes térmicos del orden de 10° son más que suficientes si
la medida de la “resistencia térmica K” ha sido convenientemente efectuada y las
condiciones de refrigeración son sensiblemente las mismas que en funcionamiento
real.
Después de la primera determinación se puede siempre poner en cifras todos los
términos correctivos para comprobar si las previsiones se encuentran modificadas, y
en qué medida.
Por lo contrario, la apreciación de los tres primeros términos (Δ,/c, Δ2JC y Δ3JC)
es necesaria para hallar la deriva de corriente de colector cuando es relativamente
importante.
Cuando la suma de las resistencia (en continua) del receptor Rc y de contrarreacción
Re:
133
Fig. IX.1.2
es relativamente grande, la curva de calentamiento ζ(Θ) puede incluso cambiar de

pendiente (figura IX. 1.2).
en donde U es la tensión total de alimentación.
Si R > U/2 · J^N, siendo J^N la corriente de colector de reposo en Θo, la potencia
disipada Wc bajará si la corriente de colector aumenta (curva 3, de la figura IX.1.2).
Si R es igual a C//2 J^Nt la potencia disipada se mantendrá constante, cualquiera
que sea la variación de Jc (curva 2, de la figura IX.1.2); no hay problema de em-
balamiento térmico.
Estos casos extremos pueden volverse a encontrar sobre todo en los acoplos por
resistencia-capacidad.
IX.2 Medidas térmicas simplificadas

l.° Trazado de la curva Jσ = f(&) y determinación de γ, ρ5 y γ' del diodo base-
colector
Las hojas técnicas de los fabricantes indican que el valor medio de γ de cada tipo de
transistor y suelen llevar la curva: log Jσ/JσQ = f(Θ) en donde JσQ es la corriente de
saturación a la temperatura de referencia Θ0 (= 25° ó 2O°); La Radiotechnique desig-
na Jσ por JCBQ·
Esta curva permite apreciar el valor medio de p; bastará para ello hallar dos puntos
en la zona estudiada para escribir:
134
MEDIDAS TERMICAS SIMPLIFICADAS
Pero aquí, se trata sobre todo de un orden de magnitud de parámetros para cada
tipo de transistor. Es preferible trazar esta curva experimentalmente para cada tran-
sistor estudiado, sobre todo si dicha curva debe servir para la apreciación de la tem-
peratura de la unión por la medida de la corriente de saturación. Interesa entonces tra-
zarla en forma de:
Fig. IX.2.I
Como es natural, el método de cálculo de γ sigue siendo el mismo.
La medida de la corriente de saturación Jσ exige la aplicación de una tensión U5 =
= UBc del orden de I voltio (de 0,6 a 1,3 V, por ejemplo), con el emisor cortado;
el trazado de la curva Jσ=f(B) necesita una estufa de temperatura regulable.
El esquema es muy simple (figura IX.2.2).
Fig. IX.2.1 Corriente de saturación.
Bastará conocer la resistencia del microamperímetro con el fin de apreciar el valor

de UQ necesario para mantener VBc ~ I voltio.
Si se dispone de un milivoltímetro electrónico de corriente continua de muy elevada
resistencia de entrada (del orden de unos 100 MΩ, por ejemplo), se podrá despreciar
su consumo y medir directamente la tensión UBc, que se mantendrá en ~ 1 voltio.
Fig. IX.2.2
135
Se colocará el depósito del termómetro (o el par termoeléctrico) a algunos milímetros

del transistor y se podrá considerar el régimen como estable si, durante varios minutos
consecutivos, sin tocar los ajustes el indicador de temperatura no ha variado más del
1 por 100 y el de la coriente más del 2 por 100, por ejemplo.
Cinco o seis puntos son suficientes para trazar la curva; 25°, 35°, 45°, 55° y 65°, por
ejemplo, para los transistores Miniwatt.
Según la estufa empleada, el régimen de calentamiento será más o menos conseguido
y para acortar la espera, se aceptarán puntos intermedios, procurando guardar una
diferencia de 8 a 10° entre ellos.
La apreciación de ps se hará trazando Js = f (Us) con Θ 3 constante; se podrá
trazar esta curva con Θ = 25° y Θ ~ 50° para apreciar p', admitiendo la misma rela-
ción para \/p5 =f(Θ) que para Jσ = f(Θ),& saber:
2.° Cálculo de la temperatura de una unión por la medida de la corriente de

saturación (ver nota al final del apartado).
Supongamos un transistor en régimen térmico permanente con Θ7 = la temperatura
de la unión y Θa = la temperatura ambiente.
Para medir la corriente inversa hay que desconectar el emisor, lo que suprime la
potencia disipada de colector y acarrea una refrigeración muy rápida de la unión.
La capacidad calorífica de esta última es muy baja.
En el caso de la conducción metálica, podemos escribir:
en donde Θ es la temperatura en el instante t considerado,

Θα temperatura ambiente = constante,
K resistencia térmica del circuito de refrigeración y
c capacidad calorífica de la unión.
Si Θj es la temperatura de la unión en el momento del corte (t = 0, Θ = Θ,/ al cabo
de un tiempo t:
KC es la constante de tiempo del sistema estudiado.

Para los transistores de germanio de baja y media potencia (K ~ 0,3 a 0,4°/mW),
con Θfl = 20° y Θj = 50°, Jσ baja con el corte del emisor, del 20 al 30 por 100
en un cuarto de segundo aproximadamente. No se puede por tanto efectuar una me-
dida con un microamperímetro de cuadro móvil de tipo corriente; la inercia de su
sistema móvil falsearía completamente la medida.
136
Hay diferentes métodos que permiten la medida de la corriente de saturación al corte,

pero exigen aparatos especiales de los que no se dispone corrientemente.
Se puede utilizar un relé vibrante de frecuencia elevada respecto a la constante de
tiempo térmica del transistor; este relé permanece cerrado una gran parte del período
y abierto durante cortos instantes para la medida de la corriente de saturación por un
galvanómetro de constante de tiempo, si se conoce con precisión el tiempo de apertura
del relé.
Parece posible valorar con suficiente precisión la temperatura de una unión em-
pleando material de tipo corriente: un osciloscopio normal o simplemente un galvanó-
metro pequeño utilizado como milivoltímetro.
a. Trazado mediante el osciloscopio de la curva iσ= f (t) que representa la refri-

geración de una unión
Un pequeño conmutador tetrapolar (fig. IX.2.4) permite pasar de un régimen térmico
permanente |posición (l)| al corte del emisor y al registro del oscilograma iσ = f (t),
figura IX.2.3.
Según el valor de /?0 elegido (del orden de 10 kΩ, por ejemplo) y del orden de mag-
nitud de J(I (Θj) (que se puede valorar utilizando la rejilla de la figura VIII.4.1, par-
tiendo de K indicada por el fabricante del transistor) se podrá regular:
- por un lado, la sensibilidad de las placas verticales y del encuadre vertical;
- y por el otro, la tensión CZ0 de manera que se vuelva a encontrar al corte una tensión
UBc del orden de 1 voltio.
137
Fig. IX.2.4 Esquema para el registro del oscilograma iσ (t).

Conmutador en la posición 1: establecimiento del régimen térmico deseado. Posición 2: registro del oscilograma.
b: señal para el disparo del barrido monocurso
s: señal Uσ = Ro iσ para el registro de la curva ¿σ (t).
El tiempo de conmutación de los conmutadores pequeños de buena calidad, que se

encuentran en el comercio y que hemos empleado, era del orden de 5 a 10 ms, lo que
es francamente despreciable.
Si se conoce la velocidad exacta de barrido se puede apreciar directamente en el
oscilograma (pequeño trazo horizontal Δt); también se puede aportar directamente la
corrección extrapolando el segmento AXA de la curva.
Si no se conoce con exactitud la velocidad del barrido se puede calibrar el eje de
tiempos, bien superponiendo a la curva iσ (t) una tensión sinusoidal de frecuencia con-
veniente y conocida (osciloscopio de 2 haces), o bien realizando un registro separado
de esta tensión sinusoidal con la misma velocidad de barrido.
La característica Jσ = f (Θ) permite transformar la curva iσ = f (t) en Θ = f (t),
que es la curva de refrigeración de la unión; esta última permite apreciar la constante
de tiempo térmica: KC.
El registro de la curva iσ = f(t) puede ser simplificado. Se puede registrar la corriente
inversa
lo que permite conservar para UQ el valor de Ua y no utilizar un conmutador tripolar.

Cuando Ua > 1 V se puede siempre valorar el término correctivo Ualρs(Θ) y tenerlo
en cuenta.
Muy frecuentemente se podrá despreciar o bien aportar una corrección uniforme
de 3 a 5 por 100 de Js.
Si los márgenes térmicos impuestos son del orden de 10°, corresponden, no lo olvide-
mos, a un margen del 100 por 100 aproximadamente en lo que concierne a Jσ.
138
Fig. IX.2.5
b. Apreciación deJs = f(Θj) por el método de “cero”

El esquema de la figura IX.2.1 muestra el principio de la medida que permite reducir
la influencia de la inercia de los microamperímetros de cuadro móvil.
Con el interruptor tripolar (1,11,111) cerrado, se regulará la alimentación Ua y la po-
larización JB (eventualmente también ΘJ para establecer el régimen deseado.
Se regulará Js' sl un valor sensiblemente igual (o ligeramente superior) del predeter-
minado (como en “a ”); este reglaje será efectuado apretando el botón pulsador p para
introducir en el circuito de regulación la resistencia R0' de comparación (que se to-
ma = Ro), cortocircuitada normalmente por el contacto III del interruptor.
Como el contacto II cortocircuita la resistencia Ro no aplica ninguna tensión al
milivóltímetro G cuando el interruptor está cerrado.
Si la Js que se establece en la apertura es igual a la Js'), el galvanómetro permanecerá
con tensión nula y no cambiará nada en el circuito de regulación.
Si la comente Js es mayor que tendremos un primer impulso en un sentido, pero
la desviación se anulará después y se invertirá porque Js disminuye con más rapidez
que Js' (R, < ps).
Si Js' es mayor que Js no habrá inversión y la desviación será tanto más brusca
cuanto mayor sea la desviación // — Js.
Algunos tanteos sucesivos permiten apreciar Js (Θj) con una precisión que nos
parece suficiente para la medida de K o para la verificación experimental de los már-
genes térmicos teóricamente predeterminados.
Recordemos que un error del 10 por 100 en Js no acarrea más que una desviación
de 0,5 a l° en la valoración de Θy (en la zona de las temperaturas que nos interesan
cuando se trata del germanio).
Hay interés, como es natural, en utilizar un galvanómetro G de respuesta rápida y
de sensibilidad elevada.
A título de indicación, para los galvanómetros corrientes: la sensibilidad podrá ser de
1 a 10 mV, 7?0 será del orden de 1,000 a 5,000 ohmios y Rx lo será de 2 a 3 Ro.
139
Los tanteos pueden sucederse con gran rapidez si se tiene el cuidado de reducir al
máximo el tiempo de apertura del interruptor; basta con apercibirse del sentido de la
primera desviación y su amplitud para cerrar en seguida y no dejar a la unión tiempo
de enfriarse mucho.
Sin embargo, entre cada dos tanteos sucesivos, hará falta verificar el valor de la
corriente de colector que nos indica el estado de su régimen térmico.
Habrá que comenzar por tanto con una sensibilidad holgada para no estropear el
galvanómetro.
La presencia de UB en el circuito de medida apenas cambia el valor de la tensión
inversa UBC; se puede (como en “a”) llevar la corrección UBClps(Θj) para pasar desde
Js bajo Us ~ 1 voltio).
Los chasis con hembrillas múltiples destinados a las manipulaciones en los tran-
sistores (que hay actualmente en el comercio y que hemos indicado ya a propósito de
nuestras medidas dinámicas) van provistos de interruptores tripolares y permiten la
medida térmica simplificada descrita anteriormente.
c. Medida de la constante K
Si la medida de γ no presenta dificultades, la de K es más delicada: exige valorar
la temperatura de la unión, y para que sea válida es necesario hacerla en las con-
diciones de refrigeración del funcionamiento real.
Para poder aplicar directamente la teoría del calentamiento acumulativo expuesta
en el capítulo VIII, hay que verificar también si la refrigeración sigue sensiblemente la
ley de la conducción metálica (ver capítulo VIII.2). Si con el régimen térmico perma-
nente se trazan Uc y Jc:
La medida de Jσ o de J5 permitirá valorar Θ, y calcular K.

Resulta interesante hacer esta medida con Θα débil para obtener una separación
Θ, — Θa lo mayor posible, evitando el embalamiento y sin alcanzar Θy, que no conviene
rebasar.
El orden de magnitud de la potencia disipada límite teórica, para una Θa elegida, será
apreciado como en el capítulo VIII.4, partiendo del valor medio de K indicado por
el fabricante. Si se polariza el transistor con JB = constante se tendrá s ~ β y habrá
que comenzar por una potencia Wd muy inferior al valor límite así apreciado.
Se puede realizar una polarización con UB = constante, sin microamperímetro en el
circuito de polarización para reducir el valor de Rh, intercalando una resistencia con-
veniente Rb para trabajar con una s pequeña y para evitar el embalamiento térmico,
admitiendo desde el principio una potencia disipada mayor.
Nota-Se prefiere ahora utilizar la característica UcB = f (Θ) del diodo “Colector-
Base” con JcB en sentido directo = constante, para calcular la temperatura de
la unión con el corte de emisor (es decir, al desaparecer la potencia disipada
en el colector). Los dos métodos propuestos anteriormente (UcB = f(t) con el
osciloscopio y el método de cero) pueden ser adaptados también a la medi-
da de UcB.
140
PUNTO DE POLARIZACION
Sin embargo, como esto exige el trazado de una nueva característica, función
de la temperatura, operación muy larga, hemos preferido utilizar la caracte-
rística Jσ = f(Θ) necesaria de todas formas para la determinación de “γ”
IX.3 Punto de polarización con fuente única, que permite obtener un punto de
reposo y un factor de estabilidad térmica S dados
Cuando la potencia disipada en colector se hace importante ya no se puede re-
currir a la polarización por la inserción de una gran resistencia rp entre la fuente de
alimentación y la base.
Esta resistencia se designa por Rb en nuestras fórmulas, lo que implica, para realizar
un factor de estabilidad s conveniente, tener resistencias muy grandes Re y, como con-
secuencia, tensiones muy elevadas de alimentación, que llevan a rendimientos in-
aceptables.
Pare realizar una polarización de fuente única se tiene entonces que recurrir al
puente RγR2, como se ve en la figura IX.3.L
El problema se plantea generalmente de la manera siguiente: determinar las resis-
tencias Rl9 R2, Re y a la fuente única U para realizar, con Θo dada (= 25°, por ejemplo):
1. ° con una tensión de alimentación Ua y una resistencia Rc dadas, un punto de
reposo determinado N (JB,N — JCfN) y
2. ° un factor S de estabilidad térmica determinado.
Tenemos que demostrar primero que este método de polarización satisface la hipó-
tesis admitida en el capítulo VIII.l para definir el factor de estabilidad térmica S,
a saber: polarización por fuente de fuerza electromotriz Uo = constante.
En el esquema de la figura IX.3.1-α ánotemos:
Como este es el caso general, admitimos que la resistencia interna de la fuente

única U es despreciable ante las demás. El teorema de Thevenin (ver capítulo XIV.6
del tomo I) nos permitirá llevar el esquema de la figura IX.3.1 al esquema “b” y
también establecer rápidamente las relaciones buscadas.
(b)
(o)
Fig. 1X3.1 Puente de polarización R,, R2 con fuente única U.
14I
En el esquema “b”, el sistema de polarización que da JB y lleva a los bornes de salida

B y M está sustituido por una fuente de tensión, de fuerza electromotriz:
y resistencia interna
Uo = constante si U también lo es.

Sean:
y
Afota.-No podemos emplear los parámetros diferenciales rE y rB del transistor más que
si se trata de variaciones Δ7f y ΔJ5 alrededor del punto de reposo considerado
y en la medida en que estas variaciones sean suficientemente débiles para poder
confundir, en particular, el arco que corresponde a la característica UB = /(Jb )
con el segmento de la tangente en el punto de reposo (ver capítulo VI).
Si se cumplen estas condiciones, podremos escribir:
Por el contrario, en ningún caso podemos remplazar UEB por los productos
JB rB y Je γe , expresiones que carecen de sentido. Como ha sido definido el factor
S y partiendo de las variaciones del punto de soporte, escribimos:
y
Teóricamente no podemos escribir que en la medida en la que el factor de esta-
bilidad S permite limitar convenientemente la derivación del punto de soporte
(condición generalmente cumplida). Frecuentemente
y
y escribiremos:
Si el puente debe conseguir una s determinada, tendremos:
142
PUNTO DE POLARIZACION
Pongamos
y anotemos
(1)
y (2)
Por otra parte:
sustituyendo
tenemos
(3)
y (4)
Las cuatro relaciones anteriores nos permiten elegir un parámetro arbitrariamente;

generalmente, es el valor de la tensión UMB el que habrá interés en fijar.
¿Cuáles son las consideraciones que presiden la elección de
El valor de Ub -n nos vendrá dado por la característica Jb = J(Ub ) en el punto de

reposo impuesto.
Por tanto, en definitva, es el valor de Re el que fijamos al elegir UMB. Como hemos
visto en el capítulo IX. 1, la presencia de Re tiene una importancia doble en el estable-
cimiento del régimen térmico del transistor:
l.° fija el factor S para el porcentaje de contrarreacción de intensidad que limita el
aumento de la corriente de colector, pero también
143
2? hace bajar la tensión Uc para U = constante, en función de este aumento.

La segunda misión no es del todo despreciable; en lo que concierne a las previsiones
de los márgenes térmicos, partiendo de la teoría clásica del caldeo acumulativo, los
términos que no se han tenido en cuenta suelen estar compensados por la reducción
de la potencia disipada, que también ha sido despreciada.
Desde este punto de vista no tendremos interés en adoptar una resistencia Re dema-
siado baja.
Añadamos que para obtener una S determinada cuanto mayor sea Re mayor será
Rb. Como no conocemos generalmente los parámetros rB ni así como tampoco
la tensión UB-N más que con poca precisión, cuanto mayores sean Re y Rb mejor ase-
guradas quedarán nuestras previsiones.
Hay también otro aspecto del problema que tiene su importancia y que milita también
en favor de una resistencia Rb suficientemente grande.
Una elevada capacidad de desacoplo en los extremos de Re suprime la contrarreac-
ción en alterna, pero la resistencia Rb presenta una derivación para la señal IB de ata-
que, de la que una parte se perderá en el acoplo por capacidad.
Si pe es la resistencia de entrada en alterna [ρe¿ ~ rB + rE (1 + β)] y IB - la señal
de ataque, la parte útil será:
Pero, como es natural, las ventajas que presenta un buen factor de estabilidad tér-
mica S, una seguridad aumentada en lo que concierne al embalamiento térmico y una
baja pérdida sufrida por la señal de ataque, son características que hay que “sacrificar”.
Cuanto mayor sea Re más importante deberá ser U para asegurar la misma organiza-
ción en continua del transistor.
En los equipos miniaturizados, sobre todo, este aspecto del problema también cuen-
ta mucho.
Como la potencia necesaria para el funcionamiento del transistor es:
la potencia total del puente será:
El rendimiento de la instalación se puede definir escribiendo:
Cuando Á,/,2 + A^2 es despreciable ante RJE2
144
VALORES LIMITES QUE NO SE DEBEN REBASAR
Para aumentar el rendimiento hace falta reducir la diferencia U -1 í/α| ante í/α, es de-
cir, Re. Como siempre, se impone una elección.
Pensamos que en lo concerniente al papel de Re, en el margen de seguridad térmica
que aporta, es prudente admitir en clase A:
Por otra parte, se puede hacer rápidamente un cálculo completo en cada caso par-
ticular para elegir el punto óptimo según las características exigidas y con conoci-
miento de causa.
Cuando la carga resistiva Rc de colector no es despreciable, se puede alimentar el
puente, no desde el polo negativo de la fuente U, sino desde el colector.
De esta forma se añade a la contrarreacción de intensidad otra de tensión que mejora
el factor S; la supresión de esta contrarreacción de tensión alterna exige el empleo de
un transformador de acoplo.
IX.4 Otros valores límites que no se deben rebasar

Para que un transistor permita un funcionamiento seguro y duradero, es decir, para
que sus características no cambien y la duración “de su vida” sea efectivamente muy
larga, como suele suceder, hay que respetar primeramente los márgenes térmicos, de
los que ya hemos hablado extensamente en los capítulos anteriores.
Pero téngase presente que nos hará falta también respetar los valores límites absolu-
tos indicados por el fabricante del transistor, independientemente de las preocupaciones
relativas a los márgenes térmicos.
Los datos técnicos del constructor indican:
l.° que la corriente de colector no debe sobrepasar: Jcj y
2? que la tensión límite de colector es: UcJ.
Cuando la tensión inversa existente en los bornes de una unión excede un determi-
nado valor crítico se produce una ionización acumulativa que llega rápidamente a la
perforación de la unión.
Al igual que en los tubos de gas, esta “perforación” no es en sí destructiva, pero por
lo menos es muy peligrosa para la unión debido a la energía que se disipa, que puede
calentar mucho la unión incluso antes de producirse la perforación.
La zona normal de trabajo del transistor en la red Jc = f(Uc) con JB = constante
puede completarse (figura IX.4.1) con la denominada zona de avalancha. Por encima de
una determinada tensión que depende de la estructura del transistor, de la intensidad
de la corriente que atraviesa la unión, etc. la pendiente de la característica Jc =
= J(UC) varía más o menos bruscamente: con un pequeño aumento de la tensión crece
considerablemente la corriente.
Ahora bien, en cuanto se amortigua el fenómeno de avalancha, el parámetro a
aumenta velozmente y tiende hacia 1, de manera que el factor S de estabilidad aumenta
y reduce los márgenes térmicos; la corriente de colector puede aumentar con bastante
velocidad para ocasionar un calentamiento peligroso de la unión antes del embala-
miento y la perforación.
En el caso de polarización con corriente de emisor constante S = 1 y se podrá, en
145
Fig. IX.4.1
1. zona de funcionamiento normal
2. zona de avalancha
rigor, tomar la tensión de perforación como valor límite, pero éste será entonces absolu-
to, para no rebasar en ningún momento (ni siquiera con un valor de pico de muy corta
duración).
El margen de seguridad que se habrá de imponer será tanto mayor cuanto más lo sea
el factor S de estabilidad.
Algunos fabricantes representan mediante un gráfico la tensión límite en función de
la resistencia RB.
En la práctica, no hay que rebasar la tensión que lleva el punto de funcionamineto
a la zona donde la disminución del parámetro Rc comienza a perturbar el funciona-
miento del equipo.
Nos proponemos volver sobre este problema en el tercer volumen, cuando tratemos
de los circuitos de conmutación, particularmente en el caso de una carga inductiva.
146
CAPITULO X
Ejemplo numérico de la predeterminación de

los márgenes térmicos y de la deriva en clase A
Estudiaremos un OC70, cuya red Jc = f(Uc) con JB = constante y la característica

Jb =f(UB) con Uc = 4 V = constante están representadas en la figura X.O.L
Esta red ha sido trazada por puntos en Θα = 23° y a Wc < 20 a 25 mW y extra-
polada, completándola por algunos puntos a Wc > 25 mW, hallados muy rápidamente
Fig. X.0.1 OC70

“α ” Red Jc =f(Uc) ∞n Jb = constante (por puntos); <¡>a = 23°
1 cuadrado: 1 voltio y un mA
“b ” Característica Jb — f(Ub ) ∞n Uc = 4 voltios = constante, y <1>O = 23°
7 cuadrado = 0,1 voltio y 25 μA
PREDETERMINACION DE MARGENES TERMICOS
(después de la puesta bajo tensión), para reducir al máximo el error debido al calen-
tamiento.
Fig. X.0.2 Características Jc = f (Uc) con Jb = constante, d>y ~ <Dα = 25°, levantados con el oscilógrafo:
Jb = 60-140-250 μA.
Escalas: 1 cuadrado = 3,4 V y 2,6 mA
Oscilógrafo Philips GM 5606
La figura X.0.2 reproduce una superposición de los tres oscilogramas que representan
parcialmente la misma red; las características han sido trazadas con el osciloscopio
Philips, modelo GM 5606, con Θa = 25°C, utilizando para cada característica de un
solo semiciclo una tensión alterna de 50 Hz, lo que permite admitir Θj ~ Θa (duración
de la aplicación de la tensión para cada característica: 1/30 de segundo después de su
refrigeración completa). Las dos redes se confunden prácticamente.
Supongamos que Rc = 100 Ω y que el problema planteado exige un punto de repo-
so: JB~N = 140 μA con U^N = 9,5 V, lo que da JC.N = 5,9 mA y conduce a Ua = 10,1
voltios.
Supongamos también que el equipo deba estar previsto para funcionar de una manera
continua con:
Anotemos que en la zona del punto de soporte TV (140 μA, 5,9 mA):
El fabricante indica para el 0070:/^ < 0,4°/mW y ΘJtmáx = 75°.

Admitiendo para el primer margen térmico:
Θj no debe pasar de 65°C. La potencia teórica límite en Θa = 40°C (rejilla figura

VIIL4.1)es:
148
MEDIDAS Y CALCULOS PRELIMINARES
La potencia disipada directa Wd, de 56 mW, parece pues aceptable.
X.1 Medidas y cálculos preliminares

a. La curva Jσ = f(Θ) del transistor utilizado está representada en la figura X.l.l.
Fig. x.l.1
Jσ=f(<S>) OC70.
1 cuadrado: 2° y 10 μA.
Anotemos que de 40 a 50°, por ejemplo, γ es ligeramente menor; para colocamos

en el caso más desfavorable, admitiremos γ = 7850, lo que corresponde a la zona pro-
bable de Θj.
Anotemos 7σX) = 6 μA.
149
En Θo = 25°, con U5 = 10 voltios: se mide/ = 6,3 μA.

Para simplificar nuestras medidas, admitiremos a continuación Jσ = 0,95 /, de una
manera uniforme.
b. Resistencia térmica K
Para todos nuestros ensayos y verificaciones experimentales, hemos colocado el tran-
sistor en una estufa de convección natural (pero que presenta el inconveniente de exi-
gir tiempos relativamente largos para el establecimiento de los regímenes con Θα regula-
ble). Nos hemos asegurado de que la refrigeración de la unión sigue sensiblemente la
ley de la conducción metálica, calculando K por la fórmula:
para Wc igual, sucesivamente, a 50, 77 y 95 mW; los valores de K eran ~ O,35°/mW

con un 5 % de precisión.
Para la medida con Wc = 77 mW tenemos:
Θα = 23° = constante JB = 143 μA = constante Uc = 9,5 V = constante
En el comienzo:/, = 6 mA.
En régimen estable Jc = 8,1 mA. La curva iσ = f(t) trazada con el osciloscopio ha
dado Ja(Θj) = 37 μA. La medida por el método de cero (galvanómetro AOIP modelo
G225 y chasis de hembrillas múltiples de los Establecimientos Bertin, París) ~ 38 μA.
X.2 Trazado de la red universal con γ = 7850 y Θo = 25°. Determinación del factor
de estabilidad térmica 5. Trazado de la curva de calentamiento ¿(Θ) y verificación
del primer margen térmico teórico: ΘJimúx - Θj
Partiendo de la tabla de la figura VIIL3.4-Ó se puede formar rápidamente la de la
figura X.2.1, correspondiente a y = 7850 (mediante la regla de cálculo, como es na-
tural).
La red universal representada en la figura X.2.2 puede formarse también rápidamente
sin utilizar de hecho más que las dos columnas IV y VI a 20° de la tabla anterior.
En efecto, basta con trazar las dos rectas horizontales, con Θc = constante (50, 60,
etcétera) la distancia determinada cada vez por ζSQi>c = K-S-W^ = constante, corresr
pondientes a Θc dada.
Los valores de = K · ^Vd-c con = 20° = constante determinarán los puntos
(círculos en la figura) de la curva ζi()- f = JXζd-¿ con Θac = 20 = constante.
Se encontrará en las otras curvas (con Θac = 30, 40, etc.) llevando a la izquierda
los puntos de la anterior a la distancia dada por el segmento que representa = 10°.
150
RED UNIVERSAL: CURVA DE CALENTAMIENTO
Fig. X.2.1
151
Fig. X.2.2
Red universal 0O = 25° γ = 7,850
1 cuadrado = 2,5o
log. de ζd-c 1 cuadrado = 0,1
152
CALCULO DEL PUNTO DE POLARIZACION
Anotemos que
Pensemos que es prudente tomar normalmente para el segundo margen térmico:
Sin embargo, teniendo en cuenta las medidas precisas de los parámetros y la presencia
de una carga resistiva Rc = 100 Ω que sin ser gran cosa se sumará a R& nos contenta-
remos con:
lo que nos da
Extrapolando entre las curvas universales a Θac = 50° y 40° tendremos:
de donde
Admitiremos S = 12.
Se puede trazar ahora la curva teórica ζ(Θ) utilizando la columna III de la tabla de
la figura X.2.1; ésta nos da δ(Θ) para el trazado de:
Sirviéndonos de la rejilla de la figura VIIL4.1 se encuentra rápidamente la curva teó-

rica buscada (figura X.2.3-f S = 12) que indica por la intersección con γ = Θ - 40°
el valor teórico de:
Θj en funcionamiento ~ 66,5°, lo que conduce a un margen teórico de 8,5°.
X.3 Cálculo del punto de polarización. Apreciación de los términos correctivos;

verificación experimental
a. Para el cálculo del puente, recapitulemos:
JB-n = 140 μA U^N = 9,5 V Rc = 100 Ω
La figura X.0.1 (red) da U^N = -0,24 V
Jc -n = 5,9 mA Ua = -10,1 V β ~ 40 JE~N ~ 6 mA
Tomaremos UMB 6. UEB (ver capítulo IX.3) o sea ~ 1,5 V.
153
Fig. X.3.1 Curvas de calentamiento ζ(d>) teóricas (t) y trazadas experimentalmente (e) para S = 12 y
S = Smax = β.
OC70 γ = 7,850 K = O,35°/mW.
puntos con círculo: previsiones teóricas sin correcciones.
cruz: medidas.
154
Fijemos U = 11,5 voltios, lo que nos da UEM = RJe = 11,5 -10,1 = 1,4 V.
Notemos que en el punto de reposo considerado:

rB es del orden de los 300 Ω
y rE es del orden de los 5 Ω
valores dados por las medidas dinámicas.
Nota. Se pueden también hallar admitiendo los valores medios indicados por el fabri-
cante del transistor. Se trazan los valores de referencia (para Uc y Jc de referen-
cia); los gráficos He = JXJC) con Uc = constante y HE = j\U¿) con Jc = cons-
tante, lo que da el fabricante, y las tablas de la figura VII. 1.1 que permiten
esta apreciación.
Tenemos que conseguir S = 12
tomaremos Rb = 3650 - 300 = 3350 Ω
b. Términos correctivos y verificación experimental

Antes de evaluar los términos correctivos debemos recordar que para simplificar las
fórmulas hemos admitido [δ(Θ) — 1] a δ(Θ) lo que es del todo aceptable para tempe-
raturas Θ relativamente elevadas; cuando Θ no es más que de 40°, en el caso numérico
estudiado δ(Θ) = 3,6; a 50°, ó(50) = 7,5 y la unidad cuenta.
155
Interpolando δ(Θ) entre 60° y 70°:
y ΔJC(ΔΘ) teórico es de s · JSQ[δ(0) — 11 = 12 · 6,3 · 25 · 10“3 = 19 mA.
Las medidas dinámicas han dado:
y
Como no se trata aquí de un cálculo exacto, sino más bien de un orden de magnitud,
se puede apreciar rc muy bien, sea procediendo como para rB y rE o valorando gráfica-
mente, según la red de salida JCUC, los valores de:
La baja de rc debida a ΔΘ puede ser despreciada o valorada por la relación exponen-

cial de ρs, admitiendo para γ' 3.000 de una manera uniforme
El parámetro β permanece sensiblemente constante en la zona considerada.
A este aumento de la corriente de colector correspondería una reducción
que acarrea otra de:
Como es natural, se trata aquí de una primera apreciación, porque si admitimos una
baja de nos haría falta admitir otra de Δ Jc y de Δ Uc calculadas anteriormente. Por
otra parte, el efecto acumulativo realmente poco sensible con diferencias bastante dé-
biles, entra también en juego.
Pero podemos siempre verificar en qué medida esta primera indicación se acerca
a la realidad.
156
Sea Θ/ = 66,55 — 2,5, por ejemplo, = 64’
ΔJC(ΔΘ) teórico: 1,2 · 6,3 · 21 ~ 1,6 mA

admitiremos para Δ, Jc + Δ2/c ~ 0,3 mA
ΔJC' ~ 1,9 mA Jc' = 7,8 mA ΔUC' = 335 · 1,9 · 10’3 ~ 0,65 V
Uc = 9,5 - 0,65 ~ 8,85 V Wc = 8,85 · 7,8 ~ 69 mW
o sea ζ = 69 · 0,35 ~ 24°
La recta horizontal ζ = 24 = constante y la recta y = Θ — 40° se cortan en Θj ~

~ 64°, lo que permite admitir 2,5° como orden de magnitud probable de la corrección
la curva real de calentamiento se encontrará por debajo de la curva teórica y los mar
genes térmicos reales serán superiores a las previsiones teóricas.
Las medidas efectuadas confirman estas conclusiones. Hemos anotado: U = 11,5 =
= constante.
Al aplicar la tensión con Θfl = 23° Uc = 9,4 V Jc = 6 mA
En régimen estable con Θa = 40° = constante; Uc = 8,8 V;/c = 7,6 mA.
Hemos completado estas medidas para trazar la curva real ζ(Θ) reproducida en la
figura X.3.1 (e — S = 12) por las halladas a continuación:
Θa = 30° Js = 40 μA Θj ~ 51°
Θa = 45° Js = 180μA Θj ~ 72° extrapolando
la curva de la figura X.l.l para y = 7850.
Cuando los parámetros, sobre todo K, son desconocidos y poco precisos y cuando,
por ello, los márgenes térmicos que se han impuesto son grandes, se pueden despreciar
estas correcciones. Hemos querido mostrar sobre todo, en un ejemplo numérico, de
una parte la importancia de la presencia de una R, incluso relativamente débil y, de
otra, la posibilidad de valorar los términos correctivos y su influencia para el problema
desde más cerca.
Con una S mayor y sobre todo con un valor menor de Re la curva real se aproximaría
a la teórica y podría incluso colocarse por debajo de ésta.
Así es como con JB = constante y S = Smáx = β con Rc = 0, la curva ζ(Θ) experi-
mental se encuentra muy por encima de la teórica (ver figura X.3.1, ‘t” y “e” S = 40).
El punto estudiado es:

JB = 143 μA = constante Uc = 9,5 V = constante Θa = 23° = constante
Al aplicar tensión Jc = 6 mA
En régimen estable: Jc = 8,1 mA Θj ~ 50°
157
lo que da:
a 40°: 2,2°
a 50°: 5,4°
a 60°: 12,5°
y a 70°: 26°
La intersección de esta curva con y = Θ — 23 nos da:
Θj ~ 47°
En realidad Θj ~ 50°
Se puede predeterminar el orden de magnitud de esta separación observando que

incluso a 47°,
se hace un término importante:
lo que conduce a:
y
En realidad, el calentamiento es mayor porque el efecto acumulativo aumenta la
pendiente de la curva ζ(Θ) = 1 con más rapidez (Θac menor).
Pasando ligeramente Θa = 23° (24° aproximadamente) vigilando la aguja del mili-
amperímetro Jc hemos visto esta última partir bruscamente y hemos podido evitar
el embalamiento cortando en seguida la alimentación.
En lo que concierne al punto de funcionamiento N (9,5 V - 5,9 mA) a 40° con
S = 12 y el punto calculado en el apartado anterior, la deriva desplaza el punto de
reposo desde N a N' (figura X.0.1).
Hará falta verificar si, de acuerdo con la carga alterna y la importancia de la señal
de ataque, esta deriva es aceptable.
En caso negativo se podrá recurrir a una S menor; observemos sin embargo, que en
presencia de una señal la potencia disipada de colector disminuye, así como el ca-
lentamiento y la deriva.
X.4 Ejercicios y trabajos prácticos

(I) Tomar el estudio y la verificación experimental del ejemplo numérico descrito
anteriormente para un punto de reposo:
158
(II) Volver a hacer el estudio completo del amplificador del capítulo III.4 con:
Ru — 1000 Ω ly = 3 mA
Θα° < 45°
Márgenes térmicos > 10°.
Cálculo, realización y verificación experimental.
159
CAPITULO XI
Montaje simétrico “push-push ” con válvulas de vacío
Antes de abordar el montaje simétrico con transistores, nos parece necesario volver
a las válvulas de vacío para presentar el problema de una manera más detallada y com-
pleta, en sustitución del capítulo XII.3 del tomo primero.
Para predeterminar las magnitudes (tensiones y corrientes) y los elementos constitu-
tivos, según el problema planteado, ¿hay que trazar la característica dinámica de la
válvula?
¿Se puede admitir siempre una carga óhmica para la válvula cuando la del transfor-
mador ideal es también óhmica? ¿Cómo valorarla?
Estas diferentes preguntas pueden ser planteadas cualesquiera que sean los elemen-
tos empleados (válvulas de vacío, transistores, etc.).
En algunos catálogos y obras que tratan de la amplificación en baja frecuencia se
considera que el montaje simétrico (“push”)-con cada válvula (o transistor) sin consu-
mir más que en un semiarrollamiento primario— basta con llevar la carga del se-
cundario Rv al semiprimario (A,/2 espiras), lo que nos da (transformador ideal:, rl9 r2
y fugas despreciadas):
donde
En un transformador ideal, en funcionamiento normal, siendo la carga del secundario

Rv llevada al primario (TV, espiras):
Rp = RPfj4 se convierte en la carga por cada válvula en alterna. El problema no es

simple y el razonamiento no es exacto en la mayor parte de los casos usuales (clases
A, Axy AB).
Siempre no sucede todo como si no hubiera más que un transformador con N2 es-
piras en el secundario y Nx/2 en el primario. Si hay equivalencia en lo que concierne a
ciertos aspectos del funcionamiento, no hay siempre identidad; en particular, el razo-
namiento simplificado en clase B, en red idealizada, no puede aplicarse siempre al pro-
blema real en clase B o AB, bajo pena de grandes errores.
Trataremos de poner en evidencia estas trampas y las conclusiones que resultan.
FUNCIONAMIENTO EN CLASE A
Las clases utilizadas prácticamente en montaje simétrico son A, y en particular^,

y AB, porque en estos últimos casos se puede desbordar ampliamente la zona lineal para
aumentar la potencia puesta en juego por cada válvula, atenuando mucho la distorsión
que resultaría en una válvula empleada separadamente (o montada en paralelo con otra,
pero sin acoplarla simétricamente).
Recordemos que:
- en clase A la corriente de reposo es importante, la zona de funcionamiento es lineal,
la válvula (o el transistor) consume durante todo el ciclo.
- en clase A, la corriente de reposo es todavía relativamente importante, el punto figu-
rativo desborda la zona lineal hacia las corrientes débiles, pero sin anularse.
- en clase AB la corriente de reposo es realmente baja, el punto figurativo atraviesa
toda la zona lineal de las corrientes débiles y la corriente consumida por la válvula
durante una fracción de la alternancia se anula.
La clase B (polarización de bloqueo, corriente de reposo nula) no se utiliza normal-
mente para transmitir las señales sinusoidales o periódicas porque produce demasiada
distorsión no lineal que ya no se atenúa en el montaje simétrico (los armónicos impares
no se eliminan).
En clase A, Al y AB, debido a que las dos válvulas consumen a la vez durante más
o menos tiempo, cada semiarrollamiento sufre la influencia del otro y apenas se puede
ignorar este mismo acoplo aunque se admita un transformador ideal.
XI. 1 Funcionamiento en clase A

Siendo el régimen sinusoidal, tanto para el transformador como para la válvula (al-
rededor del punto de reposo), si FσiG2 es sinusoidal, el problema es muy simple.
La figura XI. 1.1 muestra, por un lado, las corrientes totales Jp consumidas en cada
instante (A XM y A2M) y, por el otro, las corrientes sinusoidales
que se establecen en cada semiarrollamiento alrededor de la corriente de reposo Jo.

Teniendo en cuenta los sentidos de las corrientes instantáneas Jp(t) en cada semipri-
mario, el efecto sobre el receptor Ru (a través de los amperiosvuelta, el flujo y el se-
cundario) es el mismo que si la diferencia id = Jpl - Jp2 apareciera en un semiarrolla-
miento ficticio equivalente (Nfl espiras). De ahí la noción de corriente diferencial.
Si consideramos el régimen sinusoidal que se establece alrededor de la corriente de

reposo Jo en cada semiarrollamiento real, tenemos en el primario real una corriente
primaria Z,(z) sinusoidal:
161
MONTAJE SIMETRICO “PUSH-PUSH”
Tenemos para el primario real:
y para cada semiprimario real:
en donde Vp[ y VP2 son las tensiones de placa sinusoidales que se establecen en los
bornes de los semiarrollamientos reales alrededor de la tensión de reposo por cada vál-
vula UpQ Ua si r,/2 es despreciable, como lo admitimos en primera aproximación:
transformador ideal).
El lugar geométrico ip(t) = f[ vp(t)\ en la red de características Up será por tanto
vft) = Rpp/2 · ip(z), es decir un segmento de recta de carga “Rpjl” que pasa por el
punto de reposo No (figura XI. 1.1).
Así, en clase A, en alterna, el receptor de cada válvula está constituido por una resis-
tencia igual
No hay, por tanto, problemas particulares para la predeterminación de las magnitu-

des o de los elementos constitutivos de una amplificador “push” en clase A (push-pull
o en contrafase).
Como la pendiente dinámica es constante y además la misma para las dos válvulas
en la zona de funcionamiento así limitada, una tensión asimétrica que ataque a las vál-
vulas no ejercerá ninguna acción sobre el receptor: producirá corrientes idénticas y de
sentido opuesto en cada semiarrollamiento.
Por eso, en la polarización automática, el condensador en bornes de la resistencia
común de polarización Rk, es inútil.
XI.2 Primario real, ficticio equivalente, corriente consumida por la válvula en otras
clases que en la “A”
En lo que concierne al receptor Rv del equipo simétrico que constituye un “push”,
cualquiera que sea la clase (A, AAB, B o C), la noción de corriente diferencial i =
= Jpx - JP2 en un semiprimario ficticio equivalente sigue siendo válida.
Al ser periódicas las corrientes Jpft) y Jp2(t) tenemos (ver capítulo XII.2 del tomo I):
162
PRIMARIO REAL, FICTICIO EQUIVALENTE
Fig. XI. 1.1

Clase A: semiprimario ficticio recorrido por Id
Nx - r: primario real recorrido por i, = id/2.
Nx No Ñ2: iP = i, =f(Vp) en la recta de carga RPP/2 que pasa por n0.
163
con:
En lo que concierne al receptor Rv, pero también al flujo, los amperiosvuelta y la

tensión existente en los bornes del primario real (v, = vpp), nos enfrentamos con un
régimen armónico, es decir, con una superposición de regímenes sinusoidales y volvere-
mos a tener la clase A para cada régimen sinusoidal (con ω, 3ω, 5ω... etc.).
Resulta cómodo entonces introducir un primario ficticio equivalente recorrido en su
totalidad por una corriente primaria:
con la misma tensión en sus bornes que el primario real y que asegure un funciona-
miento idéntico en lo que concierne al receptor Rv.
Las tensiones existentes en los semiarrollamientos reales, tensiones consideradas al

rededor del punto de soporte de la válvula (~ í/fl) serán:
Esta relación es válida cualquiera que sea la clase de funcionamiento de las válvulas.
La resistencia
se podría llamar “carga” por semiequipo del montaje simétrico (destinado a fin de cuen-
tas a alimentar Rf).
Pero la corriente primaria /, (del enrollamiento primario ficticio equivalente) igual
en cada instante a la superposición de
es decir, a la superposición de las semicorrientes consumidas por las válvulas (corrien-

tes consideradas alrededor de la de reposo 70) no se confunden en cada instante ni con
ipl, ni con iP2, salvo en clase A, donde las corrientes son constantemente iguales.
Así, el lugar geométrico:
164
FUNCIONAMIENTO EN CLASE A
en clases A, y AB está representado por una curva que no puede ser confundida con un
segmento de recta ni se puede decir que todo sucede en la válvula como si su carga
fuera óhmica.
XI.3 Funcionamiento en clase A,

La figura XI.3.1 muestra las corrientes totales Jpx(t) y Jp2(t) consumidas realmente
por cada válvula, las corrientes Z/Z) que se establecen en cada semiprimario real alre-
dedor de la corriente de reposo 70, la corriente diferencial ift) y la corriente primaria
Z,(z) = i/2 considerada en un primario ficticio equivalente y que no puede ser confun-
dida con las corrientes ip[ ó iP2.
La figura XI.3.1 da también el lugar geométrico ip = βvp)9 teniendo vp la forma de
Z,(Z), puesto que vft) = RP[J2 · /,(/)-
El punto figurativo ip = f(vp) se desplaza en la red JP,UP por una curva que pasa por
Af0 y las intersecciones de las verticales trazadas desde C y D con las características en:
es decir, Nx y N2.
La recta de carga “RPÍJ2” será tangente en No a la curva que representa el lugar
geométrico del punto figurativo JP,UP\ β = arc tg 2/Rpp.
Los segmentos NC y ND representan los valores de pico de la tensión
En la apreciación de la corriente diferencial id se puede detener prácticamente (en los

casos usuales) en el término fundamental, lo que da:
con
La tensión primaria K, será sensiblemente sinusoidal; los armónicos impares no dan,

en los casos usuales, más que un bajo porcentaje de distorsión.
Debemos añadir que la clase Ax se utiliza poco, porque la AB es bastante más inte-
resante, como veremos más adelante.
La hemos estudiado sobre todo para poner mejor en evidencia la confusión posible
entre la corriente primaria = id/2 y las ip por válvula.
Cuando se conoce Rpp, la tensión de ataque KGlG2 así como (que determina No
165
Fig. XI.3.1 Clase At
N—f = semiprimario ficticio recorrido por w

N,/2-f = primario ficticio recorrido por i, = id/ 2
N,N0N2:iP:f(vP)
N\ N'o N\: recta de carga RPP/2 que pasa por No
166
FUNCIONAMIENTO EN CLASE AB
partiendo de Ua y rj2\ hemos supuesto rx ~ 0) se puede apreciar gráficamente el valor

aproximado de F, e II y, por consiguiente, de:
La apreciación gráfica aproximada puede ser hecha de la manera siguiente: Se tra-

zará la recta RPJ1 que pasa por No (punto de reposo); las intersecciones Nt' y N2 con
las características de Ug = Um ± VGlG2y/2/2 que determinan los valores de pico de
las corrientes i'PÍ e (N2DQ') en el caso de una carga por válvula igual a RPIJ2.
Se admitirá:
Las separaciones entre los puntos Nlt N2 y TV/, N2 serán tanto mayores cuanto más
bajo sea el punto TV0, mayor la señal de ataque KCi g 2 y las características menos incli-
nadas sobre la horizontal. Se tomará:
Veremos que en clase AB las predeterminaciones son más rápidas y precisas
XI.4 Funcionamiento en clase AB

La figura XI.4.1 muestra, como en clase At, las corrientes JP1 y JP2 (consideradas
respecto al eje M: AXM y A2M\ las corrientes ip\t) e ip2(f) (consideradas alrededor de
la corriente de reposo 70 respecto a los ejes Af, y Af2) y la corriente diferencial i/t) =
= (/,, -JP2 = iPi + iP29 relacionada al eje M: AM).
El punto TV, corresponde al valor de pico de Jpl , que se confunde con el valor de pico
de id, porque en ese instante
Generalmente, la región que corresponde sensiblemente a LNXL de la figura XI.4.1

es lineal y la parte LNXL de la corriente Jp¿t) (confundida con Zrf) es prácticamente sinu-
soidal; la corriente por válvula se desvía a continuación cada vez más de la sinusoide
pero, en lo que concierne a la corriente diferencial Id, la desviación es corregida por la
corriente suministrada por la segunda válvula:
y los puntos A se encuentran prácticamente en un arco de sinusoide. Las corrientes id

e Z, = Z</2 se hacen prácticamente sinusoidales y se puede escribir:
167
Como en clase A,, aquí no se puede confundir la corriente /, prácticamente sinusoi-

dal, con la corriente ip consumida por la válvula; por lo contrario, en los dos casos las
tensiones vp son sensiblemente sinusoidales y
La construcción de la corriente id (/, = ij2) muestra que en clase Ax (si la zona NXL
es lineal) lo alto de la sinusoide será más deformado que en la clase AB, que por otra
parte admite una señal de ataque mayor.
La figura XI.4.2 representa los oscilogramas de la corriente Jp(t) y de la tensión Vp(t)
= Vx(t)/2 con la escala de la red JP,UP.
En el instante considerado í:
- KB representa: vp(t) = Vx \f2¡2 · sen ωz, tensión prácticamente sinusoidal en los bor-
nes del semiprimario;
- FB representa: Up(t) = Ua- vp(z), tensión de placa;
- KH representa: Jp(t), corriente consumida por la válvula 1.
En el instante t + T/2 tendremos respectivamente: KXBX,FXBX,KXHX.
El lugar geométrico ip = f(yp) confundido con Jp = es una curva que pasa por
los puntos JVj, 7V0, N2 y es tangente a la recta de carga “Rpfj2” en No. Las caracterís-
ticas dinámicas por válvula, “d,” y “d2”, as^ como la característica diferencial “t/”,.es
decir, id = f(yg), están representadas en la figura XI.4.2.
Fig. XI.4.1
168
Para predeterminar gráficamente el punto Nx, cuando se conoce Rpp, Ug0, Ua, y la se-
ñal de ataque KGiσ2, basta observar que:
Fig. XI.4.2 JC. Clase AB
Es decir, que:
Bastará, por tanto, con trazar la recta Rpp/4 que pasa por N (y no por NQ) para en-
contrar Nx, intersección con la característica en:
169
Carga óptima
¿Cómo elegir la carga Rpp que permita poner en juego el máximo de potencia mo-
dulada Wm = VJX, compatible con el buen funcionamiento de la válvula y el mínimo
de distorsión no lineal, manteniendo el buen rendimiento de este montaje?
Cuando se dispone de la red JP,UP un tanteo muy rápido resuelve gráficamente el
problema.
El valor de Ua nos da el punto N en el eje de las Up\ bastará con buscar la posición
del segmento NNX para llegar al máximo del producto CN por Nx C que representa el
producto Kj/,, es decir, la potencia modulada puesta en juego.
El gráfico de la figura XI.4.2 muestra que este producto aumenta cuando el ángulo
a determinado por la recta NNX disminuye, puesto que CN crece rápidamente y NXC
disminuye muy ligeramente; no hará falta, como es natural, penetrar en la zona de
desecho y rebasar los valores de las corrientes admisibles.
La posición del segmento NNX determina el valor de:
Queda la elección de U^, que fija la tensión de entrada KGlC2 necesaria:
Prácticamente se fijará el punto de reposo NQ en la característica a partir de la cual

comienza un claro estrechamiento de la red.
Elegir este punto un poco más alto de lo que haría falta no es apenas molesto; el valor
de II4J ligeramente más bajo es preferible al más alto, que aumentaría la distorsión no
lineal.
Por lo demás, es posible trazar la configuración aproximada de las características
dinámicas por válvula: y “d2” y verificar si la dinámica diferencial “t/”, para
UgQ dada, está representada sensiblemente por una recta.
Hay que añadir que en clase B, en el límite, No se convierte en TV y la curva TV,TV0
se confunde con la recta NXN que representa Rpp/4. Pero entonces el codo de la carac-
terística dinámica ya no se compensa y la deformación que resulta tiene la forma de la
figura XI.5.1; ya no se puede considerar el régimen como sinusoidal y las fórmulas es-
tablecidas dejan de ser válidas.
Rendimiento
La potencia modulada por válvula (sería más claro decir “por semiequipo Push-push”)
es:
170
La potencia anódica absorbida por válvula:
El rendimiento al nivel de una válvula triodo:
Sería de 7f /4 ( ~ 78,5 %) si no se pudiera alcanzar el eje de las Jp.

En realidad será siempre bastante más bajo.
En el caso de las válvulas triodo no se puede rebasar la característica con Ug = 0
y a veces hace falta detenerse antes a causa de la distorsión.
En el caso de las válvulas pentodo, en general, la zona de desecho es la que consti-
tuye la primera frontera: a la potencia absorbida por el ánodo hay que añadir la absor-
bida por la pantalla, que no es siempre despreciable.
En los casos de los tetrodos de haces dirigidos, el rendimiento es mejor, debido sobre
todo a la zona de desecho menor.
Ejemplo numérico
El caso numérico estudiado corresponde a dos pentodos de salida EL84 apareadas
y un transformador de salida de buena calidad (Millereux, tipo XH 8010 B):
lo que nos da:
La figura XI.4.3 representa a la escala de la red trazada el lugar geométrico del punto
figurativo en la red JP,UP, así como las características dinámicas por válvula y
para el equipo “d”.
171
Fig. XI.4.3 EL84

Escalas:
Jp un cuadrado = 5mA
UP un cuadrado = 20V
Ug un cuadrado = 2V
172
La tensión de ataque: VGG = 10,3 V

de donde:
Vv (en extremos de RG)
Medidas
por fuente separada
(distorsión en %)
Sin señal:
Potencia disipada en reposo por cada válvula:

W de ánodo =
W de pantalla
En funcionamiento:
Potencia absorbida por cada válvula:

W anódica
W de pantalla
Potencia modulada por cada válvula:
Potencia disipada por el ánodo:
Rendimiento al nivel de la válvula
173
IK/ del receptor
Rendimiento al nivel del receptor:
Observemos que
anódica es de
de pantalla
Sin embargo, el valor de pico de Jk por cada válvula alcanza los 87 + 15 = 102 mA.
En sus hojas técnicas, el constructor no precisa si son aceptables estos picos de for-
ma sinusoidal.
Las válvulas que hemos estudiado no han modificado sus características después
de un funcionamiento continuo de 10 horas durante 6 días (VGG = 10,3 V a 1.000 Hz).
XL5 Polarización automática

La polarización automática común del montaje simétrico “push” en clase A no
plantea problemas.
Si la tensión de polarización elegida es ¿40, la intersección de la característica
Jp = con Ug0 = constante y la recta de carga en continua (en el caso de estar
cargada por transformador, será prácticamente una vertical que pasa por Ua,0) nos da el
punto de reposo NQ.
Jk -nqí corriente catódica de reposo por cada válvula ( = + J^Nq cuando se trata
de la válvula pentodo) es constante, independiente de la señal en clase A.
En presencia de señal, la tensión en los extremos de RK será ondulada y se podrá
considerar como la superposición de una tensión media de reposo = constante)
y otra sinusoidal VRK.
En la medida en que este montaje es realmente simétrico y la zona lineal, el condensa-
dor de desacoplo CK será inútil, como hemos mensionado anteriormente.
En clase A, y sobre todo en clase AB, la corriente media JK será función de la señal
y el valor absoluto de la tensión URK aumentará con la señal, de manera que para una
señal importante se puede encontrarar demasiado cerca de la clase B y resultar una
deformación, como se ve en la figura XI.5.1.
Para conservar la polarización de —10,6 V del caso numérico estudiado anteriormen-
te, por ejemplo, siendo la señal:
174
POLARIZACION AUTOMATICA
es necesaria una resistencia:
siendo JKq el valor medio de la corriente catódica absorbida por la válvula cuando la
señal es precisamente:
Este valor medio es
Rk será por tanto
En reposo (en ausencia de señal de ataque) el punto de reposo se encontrará más

arriba, como es natural. Será determinado por la intersección de la recta Ug = —Rk Jp
y de la característica dinámica dx (figura XI.4.3) en el sistema de ejes Jp,Ug\ en realidad
la característica dinámica que corresponde al N0' (punto buscado) pasa ligeramente
por encima de la que corresponde a No (-10,6 V).
Fig. XI.5.1 “Push-push ”: deformación en clase B
El trazado nos da -9 V.
Cuando la señal varíe desde 2 x 5,15 hasta 0, la polarización (el punto de reposo)
pasará de -10,6 V a -9 V aproximadamente; este pequeño deslizamiento no suele
acarrear distorsión alguna apreciable.
Medidas: RK = 160 Ω VG = 2 x 5,15 V - 1.000 Hz.
Ua = 260 V (de manera a encontrar las tensiones de reposo de 250 V por referencia
al cátodo). Haremos notar:
175
En reposo:
(distorsión en %)
Conservando í/α = 250 V, las diferencias son despreciables
Fig. XI.5.2
Mecanismo de la deformación para vrk en ausencia de Ck
vrk - tensión periódica que aparece en los extremos de Rk recorrida por la suma de las corrientes ik,
e ík 2 (no deformadas).
S - corriente sinusoidal en el receptor en ausencia de la tensión vrk (Ck en las extremidades de Rk ).
y II - corrientes que nacen en los semiarrollamientos del primario y que son debidas a la acción de la ten-
sión única vrk en las válvulas I y II, pero en presencia de señal.
r - suma de las corrientes I y II.
d - aspecto deformado de la corriente que resulta en el receptor.
176
POLARIZACION AUTOMATICA
En clase AB con gran señal, a veces es necesario desacoplar la resistencia de pola-

rización Rk mediante una gran capacidad CK.
Este desacoplo puede parecer inútil, ya que la tensión de ondulación vRK que ataca a
las válvulas de una manera asimétrica; en efecto, una tensión asimétrica en funciona-
miento simétrico no tendría ninguna acción sobre el receptor, porque los efectos idén-
ticos sobre los semiarrollamientos se anulan.
Como lo indica la figura XI.5.2, la corriente iRK resultante de la suma de las corrien-
tes iK de las válvulas es de la frecuencia f = 2/ donde f es la frecuencia de la señal de
ataque VGG. Como esta última es importante, la acción de la alternancia vRK en oposición
de fase se ejerce siguiendo la gran pendiente de la zona de funcionamiento; en el mismo
momento en la otra válvula la señal simétrica VGG lleva el funcionamiento a una zona de
muy pequeña pendiente (casi al corte) de manera que la acción resultante puede, en
definitiva, deformar la corriente en el receptor, como indica la figura XI.5.2.
En esta última no hemos representado más que el mecanismo del fenómeno, que
queda más o menos atenuado por el efecto de esta forma de “contrarreacción”.
Pero la deformación puede ser importante, alcanzando el 50 % del valor de pico y
un porcentaje de distorsión del orden de 20 %.
El condensador de desacoplo se hace por tanto indispensable en clase AB.
Sin embargo, cuando se trabaja muy cerca de la clase B, la deformación que resul-
ta, como en la figura XI.1.5, puede ser en cierto modo corregida por la tensión de
ondulación vRK que tiende a aumentar la corriente anódica alrededor de cero; en este
caso es más interesante no desacoplar la resistencia RK. Pero en lo que se refiere a las
válvulas de vacío se puede en general elegir una tensión de polarización conveniente
para llegar al mismo porcentaje de distorsión que con polarización fija.
177
CAPITULO XII
Montaje simétrico con transistores en clase AB;

carga por transformador con punto medio
El problema es en principio el mismo que con válvulas de vacío.

Sin embargo, la necesidad de tener en cuenta al mismo tiempo la característica de
salida y la de entrada, así como el problema de calentamiento, más delicado que en
clase A, hacen más difícil el método de predeterminación de los elementos constitutivos.
En particular, además de los márgenes térmicos de la clase A, hay que imponer un
tercer margen para evitar el embalamiento térmico del transistor al cortarse la señal;
este tercer margen es en la práctica tan importante como los dos primeros.
Por otra parte, la importancia relativa de las magnitudes de reposo no es la misma
en el caso de los transistores y las consecuencias que de ello resultan comlican la deter-
minación del punto de soporte que, por lo contrario, se encontrará en general muy cerca
de la clase B.
XII. 1 Potencia disipada directa Wd

En clase B, con una corriente de pico JCtCr determinada, correspondiente a una señal
dada, siendo Rcc la carga “colector-colector” y supuesto su régimen sinusoidal, tenemos:
a) la potencia modulada por cada transistor:
en donde /, = corriente primaria
por cada transistor
Como ya hemos indicado a propósito de las válvulas, será más exacto decir: potencia
modulada por semiequipo “push-push” al nivel de los transistores.
POTENCIA DISIPADA DIRECTA Wd
b) la potencia absorbida por el transistor (desdeñando JB ante 7C):
c) la potencia disipada:
(1)
Así, la potencia disipada Wd = jXJCtC¡) Pasa por un máximo para
O sea para (2)
Es conveniente considerar como referencia el valor que se puede llamar ‘‘potencia

modulada teórica límite” ·. Wmih y que corresponde, para Ua y Rcc dadas, a la intersec-
ción de la recta RJ4 que pasa por el punto Ua,0 (o sea N en la figura XIII. 1.1) con el
eje de Jc.
Para este punto límite teórico:
Prácticamente no se podrá admitir nunca y habrá incluso que guardar un margen de

seguridad además de la zona de desecho; en los transistores del tipo OC de Miniwatt,
por ejemplo, sería prudente limitarse a UCtCr — 0,5 a — 1 voltio.
Considerando este punto teórico límite como referencia, la potencia disipada es la
mayor para:
179
MONTAJE SIMETRICO CON TRANSISTORES
lo que corresponde a La potencia disipada máxima:
(3)
Si la señal es variable (en los límites que incluyen el valor 2/nJi, como suele suceder)
habrá que colocarse en el caso más desfavorable admitiendo para Wd su valor máximo.
Cuando la señal es constante la fórmula (1) permite el cálculo exacto.
Hay que notar, sin embargo, que en realidad Wd es algo mayor, porque la corriente
de colector no tiene la forma de un arco de sinusoide y su valor excede un poco de
Jcjn (ver capítulo XI.4). Pero como se trabaja en definitiva muy cerca de la clase B,
el error cometido es insignificante.
Recordemos que el rendimiento “teórico límite” es:
Si este rendimiento es mejor que el límite de la clase A ideal (= 50 %), que es lo que
interesa en un equipo transistorizado, la potencia de salida modulada es la que se puede
poner en juego para una potencia disipada autorizada
Sean D — potencia disipada
W — potencia de salida
el rendimiento η = W/(D + l·V).
Lo que cuenta en definitiva es la relación:
Ahora bien, la expresión η/(l - η) aumenta mucho más rápidamente que η

Así, para η(A) = 0,5 y η(B) = 0,785:
Para una potencia disipada determinada el sistema en contrafase permite una poten-
cia modulada tres veces mayor.
El gráfico de la figura XII. 1.1 indica la forma de la variación de la relación
en función de la relación IIVIK,./.
En reposo, si J^NQ es la corriente de colector de reposo, la potencia disipada directa es
(despreciando r,/2 del transformador).
180
POTENCIA DISIPADA INVERSA
Fig. XII. 1.1 “Push-push”

Potencia disipada “directa” (relacionada con la potencia modulada limite por transistor) en función de la
potencia modulada (relacionada también con la potencia modulada limite).
XII.2 Potencia disipada inversa; tercer margen térmico a respetar

Para simplificar los cálculos tenemos que admitir, por un lado, la hipótesis del régimen
sinusoidal en clase B, y por otro, la noción de los parámetros medios que dan un factor
de estabilidad térmica S medio.
La primera hipótesis sólo da un error despreciable, y aunque las variaciones de los
parámetros (β, rB, rE) sean importantes en función de la temperatura y debido a la
zona de funcionamiento, habitualmente muy ancha, el sentido de estas variaciones es
tal que 5 varía poco en definitiva.
Para una señal determinada tenemos:
1. Cuando el transistor funciona escribiremos, siendo Ws la potencia disipada inversa

correspondiente a
181
2. Cuando el transistor está bloqueado s = 1 (no hay efecto transistor, ni tampoco

reacción interna).
La potencia disipada inversa Hζ =
aumenta cuando la señal disminuye.

Cuando s es suficientemente grande ante 1, para simplificar las fórmulas remplacemos
s - I por s + I y pongamos:
El razonamiento anterior no es válido ni en el límite, es decir, en el punto de repo-

so, ni para señales débiles, porque en clase AB ya no se puede admitir que el transistor
no conduce durante una alternancia de cada dos. Además, en la zona de las corrientes
de colector muy débiles, los parámetros cambian radicalmente; en particular el β de
algunos transistores aumenta grandemente y para otros este parámetro se anula por
completo.
Para la señal teórica límite tendríamos:
de donde
El límite teórico superior de s' tendrá lugar para a = 0 si s > 2, de donde s' <
< (s + l)/2.
Téngase presente que cuando a = 0 el punto figurativo está en NQ (punto de reposo)
y, como hemos precisado anteriormente, las condiciones de funcionamiento y los pa-
rámetros cambian radicalmente, de manera que nos hace falta estudiar por separado
la curva de calentamiento en esta zona.
Pero una vez tomada esta precaución, como la señal es variable, podemos colocar-
nos en el caso más desfavorable de la fórmula, que da para el límite superior en fun-
cionamiento: s' = (s + 1 )/2.
En reposo, admitiendo un factor de estabilidad térmica sr:
182
POTENCIA DISIPADA INVERSA
Según la importancia de la potencia directa disipada en reposo (H^,r = Ua'J^N^ y

según el valor de en particular si sr es > s [pero también cuando sr > s'
puede tener lugar al cortar bruscamente la señal un embalamiento teórico.
El mecanismo de este problema se explica en la figura XII.2. L
Si en presencia de la señal la temperatura de la unión Θy es > Θc>r (en donde Θcr es
la temperatura crítica de la curva de calentamiento en reposo), la desaparición brusca
de la señal hará pasar el punto figurativo (ζ,Θ) de la curva (1) a la (2) en la parte situa-
da al otro lado del punto crítico Cr y se producirá el embalamiento.
Por tanto, hay que asegurar también allí un cierto margen de seguridad:
(III)
La figura XII.2.1 muestra que a una temperatura ambiente determinada le puede co-
rresponder un régimen estable en reposo y en presencia de una señal el paso del reposo
al funcionamiento se efectúa sin incidente, pero el corte brusco de la señal da lugar al
embalamiento.
Fig. xn.2.i
Mecanismo del embalamiento térmi∞ y corte de la señal.
1 - curva (JQ) en presencia de señal.
2 - curva (JQ) en reposo.
183
XII.3 Proyecto de amplificador “push-push” transistorizado

A. S upongamos Rcc y Ua conocidas
La solución de los problemas térmicos y en particular del problema del tercer margen
térmico será favorecida por el funcionamiento más cercano posible a la clase B.
La potencia directa máxima:
Para una corriente de colector de reposo J^ = 0,1 JCtb por ejemplo, la potencia
disipada directa de reposo será la misma que la potencia disipada directa máxima en
funcionamiento:
Como a veces sr es. > (s + 1 )/2, nqs hará falta llevar el punto de reposo bastante
más bajo que 0,1 JCi/ si queremos trabajar con temperaturas ambiente elevadas.
Pero en la elección nos veremos limitados por la aparición de la distorsión no lineal
(sobre todo con señales débiles); como en el caso de las válvulas, el funcionamiento
muy cerca de la clase B deforma la corriente primaria (ver figura XI.-5.1).
La característica Jc = f(JB) de los transistores de potencia presenta generalmente
una fuerte curvatura con corrientes elevadas; esta última puede ser compensada por la
curvatura de la característica de entrada JB = JlUB\ con la condición de que el ataque
se haga muy cerca del “mando de tensión”.
La resistencia de ataque pQ deberá ser relativamente baja para hacer que la carac-
terística dinámica,
sea lo más lineal posible, quedando compensada la influencia del codo por el montaje
simétrico.
1. RESISTENCIA DE ATAQUE Y PUNTO DE SOPORTE
Si el ataque de la fuerza electromotriz K10 (p1<0 = 0) se hace por un transformador

separador (r, - r2 - n = NÁ/N2) y si la polarización está realizada por el puente
como en el esquema de la figura XIII.0.1, en clase B se tiene:
despreciando Re y la influencia de la tensión de ondulación que aparece en bornes de

Re cuando esta última no está desacoplada.
El condensador de desacoplo existente entre Bo y masa permitirá escribir:
184
PROYECTO DE AMPLIFICACION “PUSH-PUSH” TRANSISTORIZADO
Este desacoplo permite a veces mejorar el porcentaje de distorsión, suprimiendo la

tensión de ondulación de 2f, debida a la caída de tensión Rb·iB, baja en general.
La característica de entrada UB = /(/^) y la característica dinámica Jc = f(JB) para
UA y RCc dadas (figura XIII. 1.1) permiten trazar la característica Jc = f(UB) y
con (figura XIII. 1.3)
La intersección de la prolongación de la parte recta de la característica Jc =

con el eje de las UB es la que determinará la tensión de reposo UB~No, es decir, el punto
de reposo NQ.
El conocimiento del valor exacto de J^No presenta una cierta importancia porque
determina la potencia disipada en reposo l·Vdtr, punto de partida de la curva ζ(Θ) que
permite apreciar el tercer margen térmico: Θc>r-Θj.
Habida cuenta del bajo valor de esta corriente, la extrapolación no es fácil; la me-
dida rápida con Uc dada y UB-No hallada, como se indica a continuación, nos suminis-
trará su valor exacto y nos permitirá apreciar con más seguridad el término Wdir.
La tensión í^-y0 se determina en frío (~ Θo) lo que permite eventualmente aportar
una corrección suprimiendo del valor encontrado:
donde
y
Esta corrección, aunque generalmente pequeña, no es de despreciar, porque permite
rebajar el valor de VVd,r; el punto de reposo se rebaja y se impone una nueva medida
de J'c^No·
2. FACTOR DE ESTABILIDAD Y CALCULO DEL PUENTE
a) Si la señal es fija, es decir, si JCiCr es conocida y constante, se calculará por cada

transistor:
y se admitirá
185
si s es suficientemente grande ante 1;

en caso contrario:
b) Si la señal es variable sólo podremos colocarnos en el caso más desfavorable con

potencias disipadas directa e inversa. Es de observar, por lo demás, que estos valores
máximos o limites no se producen con el mismo valor de señal y que el caso real será
siempre bastante más favorable.
En el caso de señal variable admitiremos:
La red universal nos permitirá calcular s' si se le impone al segundo margen térmico:
(II)
deduciéndosele el valor de s a realizar.
El trazado de la curva de calentamiento en funcionamiento (curvas (1) de la figura
XIII.3.2) permitirá apreciar Θj y el primer margen térmico:
(I)
Si esta última no es suficiente, se modificarán s, JCtCr o Ua. El valor de s permitirá
calcular el de a.
Hará falta entonces determinar ρQ' en continua para calcular:
y pues
Si el mando se efectúa por un excitador p0' = Rb + r2/l, en donde r2 es la resis-

tencia del devanado secundario.
Tenemos interés en tomar para Re el valor más bajo posible, incluso fuera de todas las
preocupaciones del rendimiento. La resistencia Re será recorrida por una corriente
media:
186
y tendremos en los bornes de la resistencia Re (como en el caso de RK en las válvulas

de vacío con polarización automática) una tensión media de:
Esta última, al separarse de la fuerza electromotriz fija de polarización llevada por el

puente:
constante
reducirá la tensión UB-n 0, lo que puede llevar pronto a la deformación de la clase B

como en la figura XL5.1.
En el caso de las válvulas, podemos a veces impedir los efectos de deslizamiento me-
diante la elección de una polarización más baja en reposo (valor absoluto de menor).
En el caso de los transistores, un aumento, incluso pequeño, de la tensión UEB llega
muy rápidamente a un gran aumento de la potencia disipada Wd>r y para mantener
el tercer margen térmico Θcz - Θj sólo nos queda modificar sr9 es decir, aumentar Re,
lo que anula el efecto buscado.
Nos hará falta, por tanto, reducir al máximo el valor de Re y por consiguiente el de
Rb que tomaremos lo menor posible para a dada y también, en el caso del mando por
excitador, para r2 dada; allí, como en alterna, daremos preferencia a los excitadores
de baja resistencia. Muy a menudo la ligera deformación resultante de la aparición de la
tensión UEM podrá ser corregida, en cierta medida, por la tensión de ondulación vRe
siguiendo el mecanismo expuesto (figura XI.5.2), con la condición de no desacoplar
la resistencia Re.
Después de haber elegido Rb y calculado Re se podrá determinar el valor del factor
de estabilidad en reposo sr.
No podemos aplicar aquí directamente la fórmula establecida para un transistor
aislado, o sea:
El circuito en continua se presenta como en la figura XII.3.1, en el caso de un mando

por excitador. Se puede considerar que sólo un transistor de cada dos funciona en pre-
sencia de señal; en reposo, los dos consumen.
187
Las ecuaciones se transforman en:

1. como antes.
2.
de donde:
Llamando:
y
encontramos
Conociendo sr podremos trazar la curva teórica ζ(Θ) en reposo; la red universal nos
permitirá, por lo demás, valorar directamente la temperatura crítica en reposo Θcr
correspondiente a ζdtr y SJC ·
Aunque los términos correctivos: Δ^ (debido a la variación de rc), Δ3/c (debido
a Δβ) y Δ Wc (debido a la compensación por la caída de tensión de colector) suelen ser
relativamente pequeños, el término
es generalmente importante cuando RB' es escasa.
188
Es conveniente valorar esta corrección para apreciar en qué medida reduce el tercer
margen térmico.
Una vez verificado este tercer margen térmico, Θc,r - Θy, se podrá calcular el puente.
Bastará hallar:
y calcular:
U es la tensión de la fuente única ~ Ua.

En realidad, U = Ua + Ra · JRe media.
El término UME = ReJRe media, en donde JR media ~ J^r/Tij depende de la importan-
cia de la señal y es prudente tenerlo en cuenta cuando no es despreciable ante í/fl.
Por lo contrario, el término Rb·JB~NQ no suele ser despreciable y tendremos en de-
finitiva:
B. Elección de los valores de la tensión de alimentación Ua y de la carga “colector-

colector” Rcc
Cuando la señal es variable, las magnitudes Ua y Rcc están ligadas por la relación:
y (potencia modulada teórica límite) queda determinada.
Entonces se puede fijar la potencia modulada máxima admitiendo un margen

de seguridad para tener en cuenta la zona de desecho y el deslizamiento eventual de la
red en caliente. Si se admite para este margen la tensión de un voltio:
189
El constructor indica los valores límites que no se deben rebasar para Uc y Jc en ré

gimen sinusoidal, y habremos de respetarlos también, admitiendo
(ver capítulo IX.4)
en donde Uc,l es la tensión de colector limite indicada por el constructor (Kcbjk X
donde Jc,l es la corriente de colector límite indicada por el constructor

Admitiendo para Jl la mayor intensidad aceptable de colector, o sea, JCtb y por tanto
el menor valor de Ua que permita obtener Wm¡i = Ua2lRCc impuesta por la potencia di-
sipada directa, que no se quiere rebasar, se llega al triángulo 0-1-2 (figura XII.3.2),
que representa WmiL·
Fig. XII.3.2
Uaj: Ua límite
Ud: margen de seguridad (zona de desecho)
190
Admitiendo la tensión de alimentación Ua lo mayor posible, o sea:
y con ello la menor intensidad Jh se llega al triángulo 0-3-4.

Entre estos dos casos límites son posibles soluciones intermedias.
Volveremos a enumerar algunas consideraciones que pueden presidir esta elección.
Cuanto mayor sea la tensión í/α, menor será la reducción de la potencia modulada
debida al margen de seguridad relativa de la zona de desecho y más cerca estará Wmm
de
Por lo contrario, cuanto más elevada sea í/α, mayor será la potencia directa disipada
en reposo Wdtr y este aspecto del problema no se debe despreciar, sobre todo cuando la
temperatura ambiente es elevada.
Cuanto mayor sea Ji mayor será la diferencia entre la potencia modulada límite
Wm>i y la potencia modulada máxima Wm>w, pero el tercer márgen térmico será tanto
más fácil de respetar.
191
CAPITULO XIII
Proyecto de un paso “push-push99 transistorizado;

ejemplo numérico.
La carga está constituida por un transformador de salida Audax TRS54; cuyas

características son:
El equipo debe estar concebido para asegurar un funcionamiento continuo en

Θa «C 40°, la señal periódica de B.F. (100 Hz en 5,000 Hz) puede tomar valores que
varíen de una manera cualquiera.
Indicar el valor máximo admisible de la señal con un mínimo de distorsión no lineal.
El “push” será atacado por un paso excitador Audax TRS 3; sus características son:
Se utilizarán dos transistores equilibrados del tipo OC72. Esquema de la fig. XIILO.l.
Fig. xni.o.i
CALCULOS PRELIMINARES
XIII. I Cálculos preliminares

a. Red Je características JB = f(UB) y Jσ=f(&) del diodo B-C, γ, K.
La figura XIII. 1.1 representa la red Jc = f (Uj con JB = constante trazada con
Fig. Xin.1.1 Ub =J(Jb ); Uc = -IV Θo = 23° 1 cuadrado = 100 μA y 0,1 V y Jc =flVc) aJβ = constante.
193
PASO “PUSH-PUSH” TRANSISTORIZADO
el oscilógrafo, con f = 50 Hz, la duración de la aplicación de la tensión después de

la refrigeración completa es para cada característica del orden de 1/30 de segundo
(Θa ~ 22°).
Como hemos indicado en el capítulo X, se puede trazar la parte interesante de esta
red por medio de puntos, tomando ciertas precauciones; sin embargo, el OC72 se
calienta más rápidamente y este procedimiento es aquí más delicado, más largo y menos
preciso.
En la misma figura se encuentra la característica JB = f(UB) a Uc = — 1 voltio y
Θa ~ 22°.
La figura XIII. 1.2 representa la característica Jσ = f(Θ) (con Us = — 1 voltio),
que permite determinar el valor medio de γ; este gráfico permitirá valorar también la
temperatura de la unión Θj por apreciación de la corriente de saturación.
Esto nos da JσQ (Θo = 25°): 6 μA
Fig.Xin.1.2 Ja = f(Q) OC72

1 cuadrado = 10 μA y 2 grados
194
entre 50° y 60°:
Con Us = —7,5 volt, para Θq = 25°: J8q ~ 6,3 μA.

La medida de “X” en las condiciones de refrigeración del funcionamiento previsto
(estufa calorífuga de gran volumen de aire y de baja convección, pero que exige un
tiempo relativamente largo para alcanzar el equilibrio térmico), da:
b. Carga, potencia disipada directa máxima, tensión de alimentación Ua, potencia

modulada máxima y rendimientos
La carga útil:
La carga “colector — colector” (relativa al primario):
Si admitimos para el primer margen térmico:
con = 75° (indicado por el constructor);

Θ, en funcionamiento: 65°.
La rejilla de la figura VIII.4.1 da para Θa = 40° y Θy = 65°
Tomaremos para la potencia disipada directa máxima:
o sea 0,85 Wdi¡ aproximadamente.

Siendo la señal variable:
de donde Ua< 7,5 voltios.

Para Ua = 7,5 V, la red Jc, Uc de la figura XIII. 1.1 da
195
Imponiéndose un margen de seguridad razonable de 1 voltio (zona de desecho y

desplazamiento de la red debido al calentamiento) se puede admitir en realidad un
Jc>cr máximo de 87 mA (ver red : Nx)\ como la tensión UCtCr que corresponde es de
1 voltio, vcyj2 = 6,5 V y K, (o sea Vj = 6,5 y/l = 9,2 V.
La potencia modulada máxima por cada transistor será pues:
Vv (en los bornes del receptor R U)
y Wy (receptor)
La potencia absorbida por cada transistor:
Rendimiento al nivel del transistor:
Rendimiento al nivel del receptor:
La potencia disipada directa por transistor (correspondiente a la potencia modulada

máxima):
La señal JCtCr correspondiente a Wd>m = 75 mW (potencia disipada directa máxima)
lo que nos da Ue.Cr 2,75 V (ver red) y
por transistor
196
Fig. XIII. 1.3 “Push-push” de OC72

Características dinámicas (Ua = -1,5 V, Rcc = 303 Ω)JC = /(Ueb ).
y Je = flUJ Uo = Ueb + p ^Jb
Po = 162,5
escalas 1 cuadrado = 10 mA
1 cuadrado = 0,1 V
197
PASO “PUSM-PUSn” TRANSISTORIZADO
c. Resistencia de ataque p0, tensión de reposo de base UEB

Ataquemos el paso separador (rx = 200 Ω) por un generador de B.F. de resistencia
interna ps = 100 Ω.
La resistencia de ataque en alterna será, por tanto:
La característica de entrada UEb = f(Jβ) y los puntos de intersección de la recta

NNX con las características Jc = f(Uc) con JB = constante (figura XIII. 1.1) nos per-
mitirán trazar las características dinámicas Jc = f (UEB) y Jc f (U^) para pQ = 162,5
(figura XIII. 1.3).
La intersección de la prolongación de la parte recta de la característica Jc = f(Uq )
cornel eje de las Uo da la tensión de reposo UBE = UB-Nq .
Xni.2 Factor de estabilidad en funcionamiento. Cálculo de R^ trazado de la curva

y verificación de los dos primeros márgenes térmicos
a. Factor de estabilidad térmica, s

Siendo variable la señal, admitiremos a la vez:
Como el caso real, en lo que respecta a s', será siempre más favorable, tomaremos
para Θac — Θa, 10°, para disminuir a continuación el factor de estabilidad S si la
curva ζ Θ corregida indica un margen de seguridad demasiado reducido.
Para simplificar los cálculos, utilizaremos la red universal del OC70, estudiado en el
capítulo X [p = 7,850, valor aproximado de 7.700 dado por la curva Jo= f(Θ)\
Para ξd>c = 21 y Θac = 50 la red universal nos da
b. Elección del valor de la resistencia Re colocada entre el emisor y la masa

En continua, el valor de RB es de:
198
CALCULO DE Re
Los parámetros β, rB y rE del transistor (medidas dinámicas e interpolación) están

en la zona central: ¿4 ~ 5 V, ~ 30 mA a Θ ~ 50°.
Como hemos dicho en el capítulo XII.3 tenemos interés en elegir Rb (resistencia equi-
valente del puente en nuestro caso), relativamente baja, para conservar el valor de Rb
lo menor posible.
Ante 142,5 Ω tomaremos para Rb: 40 Ω, a reserva de admitir un puente de consumo
mayor, si la resistencia Re resultase demasiado fuerte.
Tomaremos Re ~ 4 Ω lo que conduce a:
c. Trazado de la curva ζ(Θ) correspondiente a Wdim.
199
La figura XIII.3.2 representa esta curva teórica (curva Wdtm — t).

La corrección Δ,7C no cuenta, porque ΔUB(Θ) sólo desplaza el punto de soporte,
lo que en funcionamiento apenas cambia la potencia disipada; y otro tanto sucede con
Δ37c .
La reducción de la potencia disipada, debida a la caída de tensión de alimentación
Ua(UEc),
correspondería a
o sea, 5 % aproximadamente.
Para mantener el margen de seguridad de 1 voltio (zona de desecho en caliente)

con la señal máxima = 87 mA de valor de pico, tomaríamos para la tensión U que
alimenta al puente:
lo que anula la compensación para Δí/C y aumenta también ligeramente la potencia

disipada.
Queda por valorar la corrección Δ2/c debida a la variación del parámetro rc, que en
este modo de funcionamiento (clase B) varía en la proporción de 1 a 100 aproxima-
damente.
Con Θj ~ 50° (medidas dinámicas de extrapolación)
Uc = 7,5 V Jc = 1 mA rc ~ 1 MΩ
Uc = 5,1 V Jc = 32 mA rc ~ 20 kΩ
Uc = 2,7 V Jc = 64 mA rc ~ 10 kΩ
Ante esta variación tan importante de rc para Θ, ~ constante, la influencia de la
temperatura cuenta poco, al menos entre 25° y 60°, pero la evaluación correcta del
aumento de la potencia disipada que resulta es muy difícil.
200
CORRECCION DE LA TENSION DE BASE
Para Uc ~ constante y s ~ constante, se puede admitir, si rc varía poco (rc, pará-

metro diferencial) Δl·Vc ~ s - Uc2 - Δ (l/rc).
Durante el semiciclo en que el transistor consume:
y rc = f(t), lo que es difícil traducir por una fórmula algebraica.

Apreciaremos la importancia de la corrección ΔWc(rc) simplificando arbitrariamente
el problema y describiendo, por ejemplo:
por un lado Wc (para t = 0, punto figurativo en N) = 0, lo que es muy próximo a la
realidad y por la otra, Wc(t) = s · v2(t) l/rc(t) = A - t, donde A es una constante, lo
que es del todo arbitrario y muy lejano de la realidad.
Cifrando la expresión:
llegamos a un valor medio de Δ W(rc) ~ 10 mW, o sea Δ ζ ~ 3 grados.

Trazaremos la curva teórica corregida admitiendo para
21 + 3 = 24°; lo que está representado en la figura XIII.3.2 en Wd¡m — te.
La curva trazada experimentalmente (Wdtm — e) pasa ligeramente por encima y da
para Θa = 40° Θy = 68,5°.
El primer margen térmico queda así reducido a: 75 — 68,5 = 6,5°, lo que es todavía
aceptable. Si se quiere conservar un margen de seguridad mayor se puede admitir para
Rb 20 ohmios, por ejemplo, y disminuir la tensión de alimentación del puente, limitando
la potencia modulada máxima en consecuencia o aumentar Re, lo que acarrea un
aumento del porcentaje de distorsión.
El segundo margen térmico sigue siendo superior a 10°.
Para las potencias moduladas superiores a 0,4 Wm>¡ la disipada directa Wd será
inferior a Wd,m y s' < s', que corresponde a Wd¡m (o sea 8); tendremos por tanto,
para estas potencias, condiciones de calentamiento más favorables que con l·Vdtm.
Para las potencias l·Vm < 0,4 Wm¡¡ (figura XII. 1.1) la disipada Wd disminuye muy
rápidamente y s' aumenta poco a poco desde 8 a un valor que no llegue a 13; tampoco
ahora los márgenes térmicos serán influenciados por los que corresponden a Wdtm
o al reposo.
XIIL3 Corrección de la tensión de soporte de base. Factor de estabilidad en reposo

y verificación del tercer margen teórico. Cálculo del puente
La polarización de base UB-n 0 determinada por la característica dinámica Uo = f(Jc)
de la figura XIII. 1.3, es de 190 mV en frío (Θo ~ 25°).
201
Para obtener la misma corriente de polarización de base JB en caliente bastará con

una tensión UBE menor.
En el caso de los transistores estudiados, el trazado experimental en la zona consi-
derada, nos da:
1,1 mV aproximadamente por grado.
Si admitimos = 650 bastaría con que
Aunque esta polarización acarrea un ligero aumento de la distorsión en señales dé-

biles, la admitiremos, ya que, reduciendo fuertemente la potencia disipada en reposo,
nos permite mejorar notablemente el tercer margen térmico.
Con UB ~ 190 mV: JB ~ 100 μA y Jc ~ 7 mA.

La medida directa nos da para UB = 150 mV Jc = 1,12 mA
o sea
a b
Fig. XIII.3.1
” interruptor tripolar cerrado: funcionamiento normal de “push-push”
” interruptor abierto: medida de 2 js
Mpp - masa de chasis del “push-push”
Mm - masa del chasis “medida” (Fig. IX.2.5)
202
CORRECCION DE LA TENSION DE BASE
Como veremos, la curva ζs(Θ) en reposo sube con mucha rapidez (sr > s') y admi-
tiremos para la zona de temperatura de 70° a 90° los valores de los parámetros de la
zona central de la red, o sea:
La red universal da para
Esta curva teórica se ha trazado de acuerdo con la figura XIII.3.2 (Wd¡r — t)

La corrección más importante es la debida a Δ UB(Θ):
Sin tener en cuenta otras correcciones (muy pequeñas respecto a la primera), la

ligera variación de la pendiente y la compensación (también débil) debida a la caída
de la tensión de colector (Re = 4 Ω y Rc = 9 Ω), la curva corregida por la adición de
Δ ζ, valorada anteriormente, se ha trazado con línea interrumpida (ver figura XIII.3.2)
(Wd,r - te).
203
La curva levantada experimentalmente (Wdjr — e) pasa un poco por encima y da

un tercer margen térmico.
lo que es poco, pero aceptable todavía (ver apartado siguiente: Medidas).

Podemos calcular el puente:
Admitiendo para U: 7,8 V
XIIL4 Medidas, diferencias y conclusiones

La evaluación de la temperatura de la unión se puede hacer, conforme hemos indicado
en el apartado IX.2, bien trazando el oscilograma de 2Zσ(z) en el corte de la potencia di-
sipada, bien por el método de cero.
El esquema de la figura XIII.3.1 muestra las conexiones que hay que realizar para
utilizar el circuito de la figura IX.2Δ.
Se separa el punto medio del excitador del punto de unión RXR2 del puente, llegando
así a los puntos BQ y P, entre los cuales se intercala la resistencia de medida Po.
(I) Las masas Mpp (del chasis “push-push”) y Mm (del chasis “medida”) estarán
separadas y únicamente la masa Mpp estará unida a tierra para facilitar eventualmente
las diversas medidas a efectuar en el “push-push” en funcionamineto.
(II) Se unirá:
(1) El punto P del puente en Mm y el punto medio del excitador Bo con Bo del montaje
“medida”.
(2) Los puntos EXE2 (emisores del “push-push”) con E (punto superior del extremo
I del interruptor “medida”).
(3) El extremo de la resistencia RE (unida normalmente a Ex, E2) al punto inferior del
contacto I del interruptor “medida”.
El trazado de la curva ζ(Θ) en reposo (medida desde Θj para Θa dada) puede ser con-
trolada por la medida de la tensión en los extremos de Re (UME = Re-2·JE ~ 2RJ^\
se debe volver a encontrar el valor de Θj, medido directamente por la intersección de la
recta horizontal
constante
y de la recta
La figura XIII.3.2 (ver figura desdoblada al final del libro) representa las curvas
¿(Θ) calculadas sin corrección, corregidas y trazadas experimentalmente en funciona-
miento con Wd¡m y en reposo.
204
MEDIDAS, DIFERENCIAS Y CONCLUSIONES
La curva experimental en funcionamiento no difiere apenas de la teórica corregida.

Otro tanto sucede con lo que concierne a las curvas de reposo; en este caso por lo
demás, a pesar de la separación relativamente importante entre la curva teórica sin
corrección y la ya corregida, con la pendiente siendo sensiblemente la misma, la tem-
peratura crítica que indica la curva teórica sin corrección no difiere mucho de la críti-
ca que se puede deducir de la curva corregida.
Se puede marcar con buena precisión (0,5 a 1°) la temperatura ambiente en la que se
amortigua el embalamiento térmico en reposo, o sea Θac>r, observando un milivoltíme-
tro, conectado entre extremos de la resistencia cuando la temperatura ambiente sube
regularmente y muy lentamente (l° de 10 a 20 minutos).
Se comienza, como es natural, con una temperatura inferior a la predeterminada
teóricamente y se marca el momento en que la aguja del milivoltímetro, que sube muy
ligeramente, se acelera claramente.
En general, se tiene tiempo para cortar en seguida la alimentación y evitar cualquier
modificación de las características.
Sin embargo, es prudente hacer estos ensayos sistemáticamente con los transistores
destinados a la utilización; se pueden reservar para las verificaciones los elementos desti-
nados al estudio y puesta a punto.
Si se quiere no modificar, ni siquiera ligeramente, las características del transistor
estudiado, hay que limitar estas pruebas a las temperaturas críticas inferiores a los 90°,
para el germanio, y hay que tener mucho cuidado en cortar la alimentación en cuanto
se inicie la aceleración. También se pueden efectuar estas verificaciones al final del es-
tudio cuando una modificación de las características ya no es molesta.
La medida directa de Θacr nos da también el valor de Θcr, porque la tensión UEM
apreciada en el momento en que se inicia el embalamiento mide la corriente de emisor
Je ~ Jc, lo que permite calcular ζ(Θc>β) y ΘC(r, como hemos indicado anteriormente. En
nuestro caso:
de donde: y
En lo que concierne al tercer margen térmico, se puede proceder a una verificación

por recorte, aplicando el mismo método que para la medida de la temperatura am-
biente crítica en reposo.
La intersección de la vertical que pasa por Θcr y la curva ζ(Θ) en funcionamiento
determina la temperatura ambiente que lleva teóricamente al embalamiento y al corte
brusco de la señal.
En realidad, el corte, incluso brusco, de la señal puede iniciar una refrigeración más
205
o menos marcada antes de que la potencia disipada debida al régimen de reposo tenga
tiempo de manifestarse; tendremos así una mejora del margen real.
El gráfico de la figura XIIL3.2 muestra que en funcionamiento con Wd>m (Vu = o,5 V,
Jc,cr = 63,5 mA) para obtener Θj = Θc>r = 76° hay que partir de Θa = 45°.
Hemos regulado la subida de la temperatura ambiente a l° por minuto y hemos par-
tido de 43°, cortanfo bruscamente la señal cada 10 minutos para observar la aguja del
milivoltímetro UME que, en funcionamiento, indicaba 170 mV (~ Re · 2 · Jc<cjη). Al cor-
tar, la aguja desciende primero muy rápidamente y después marca una ligera detención
y vuelve a descender más lentamente.
Hacia los 47° aproximadamente (y no a los 45°) la aguja del milivoltímetro se inmo-
viliza a 96 mV durante más de un minuto, no sin algunas fluctuaciones esporádicas
de muy corta duración y muy baja amplitud (del orden de lmV), para volver a subir
primero muy lentamente y después acelerarse bruscamente.
Damos a continuación el porcentaje de distorsión para f = 1.000 Hz y Θa = 35°
(7?, desacoplada por 500 μF y Re sin desacoplar).
Vu en voltios 0,7 0,5 0,25
T% 1,5 1,6 1,9
XIIL5 Ejercicios y trabajos prácticos

Rehágase el estudio completo, teórico y experimental del presente capítulo para un
“push-push” de OC72 con refrigerador tipo 56200 y placa adicional de refrigeración
de 4 x 4 centímetros.
Θa < 45°. Márgenes térmicos > 10°.
Porcentaje de distorsión en 1.000 Hz con potencia modulada máxima: < 3 %.
Transformadores excitador y de salida: a elección.
206
Fig. XIII.3.2
“Push-push” de OC72.
Márgenes térmicos:
γ = 7700 K = O,28°/m W
t — curva teórica; calculados sin correcciones
te - curva (JQ>) teórica corregida; O puntos corregidos
e - curva (JQ>) trazada experimental mente; + temperatura de la unión o tem
peratura ambiente crítica, medidas.
1 ~ curvas para Wdm'
2 - curvas para Wdr.
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Reservados los derechos de edición, reproducción o

Depósito Legal: M. 10531.—1969 (II) Magallanes, 21 - MADRID (15)

La electrónica, cuyos orígenes son ya antiguos, evolucionó en un principio en un

VIII. 4 Primer margen térmico Θjmáx —Θj y potencia disipada directa

Agradecemos a nuestros alumnos Lacoste, Giraud y Edmond (de la promoción

Semiconductores. Conducción por electrones

Ll Corriente eléctrica; conductores y aislantes. Semiconductores: estructura mo-

Se puede ilustrar esta agitación electrónica, a escala atómica, como se ve en la

Que el electrón A vuelva o no a su lugar carece de importancia; de todos modos

Aislantes; Semiconductores; conducción intrínseca

de carga negativa que se denomina “laguna” o “hueco” y que corresponde a la pre-

A un desplazamiento del electrón del átomo “2” al átomo “1” corresponderá un

1.2 Impurezas; semiconductores contaminados “N” y “P”. Conducción a través

El semiconductor hecho impuro o impurificado se denomina “contaminado”, y es

Fig. I.2.2 Germanio p; en “b”: átomo ionizado de galio.

hace fundir añadiéndole un débil porcentaje de antimonio puro, se saca el monocristal

lados de la superficie de separación, del orden de algunas decenas de micrones, que

Si invertimos la polaridad reforzamos la acción de frenado de la barrera de poten-

Fig. I.3.5 Diodo de alto vacío.

Cuando se examina de cerca la forma experimental de la corriente inversa que

Fig. I.3.6 Corriente inversa Js en función de la tensión inversa Us.

Este aumento es sensiblemente proporcional al de la tensión, de forma que a partir

es muy elevada; para el germanio ps es de algunas decenas de megohmios a 25°C.

1.4 Corriente inversa y reacción térmica

La corriente de saturación Jσ es debida a la agitación térmica y es función creciente

cuando pasa la temperatura de θ oº aθº;

J es Jσ(θ 0) con Θ0 = 20° ó 25°. Así:

Si admitimos para la corriente inversa Js la fórmula:

donde ρs-0 es ρs a θ0º, traduce bien la relación experimental ρs — f(θ).

calentamiento debido a un aumento de la corriente inversa, y ΔJS = B·ΔΘ, para la ca-

Efecto transistor. Características estáticas

II.1 Efecto transistor; relaciones fundamentales

con a poco diferente de 1 (0,9 a 0,99).

respecto a la necesaria para el mando, de donde su calidad de relé y el efecto amplifica-

II.2 Montaje BC; características estáticas, resistencia interna, resistencia de entrada.

Fig. II.2.3 Red de características estáticas BC.

Contrariamente a lo que sucede en el caso de válvulas de vacío en donde |/J dis-

El parámetro corresponde a la ganancia de corriente en cortocircuito del mon-

Cuando se puede desdeñar la corriente inversa Js, las relaciones

permiten expresar en función de a.

Fig. II.2.6 OC70

La determinación gráfica de es más precisa, habida cuenta de su valor. Así, se

Si la influencia de la corriente inversa no es despreciable (en el capítulo VIII veremos

relación que expresa el efecto transistor en el montaje EC.

Esta relación es una recta en el sistema de ejes Jc y Uc

Se le llama también aquí recta de carga (fig. II.2.5).

la recta de carga y la característica Jc = f(UC) con la JB = constante = JB-N deter-

Fig. II.3.1 Montaje EC

Para el circuito de entrada tenemos la relación:

Para una ΔU0 suficientemente pequeña con Uc = constante, remplazaremos el arco

fácil comprobar que, si la señal de mando Δ U0 no es muy pequeña, no habrá propor-

presentará una distorsión no lineal.

y, respectivamente, las características JB = f(UB) con Uc - ΔUC = constante y con

El término V0/ρ0 de la ecuación (2) representa la corriente en cortocircuito de la

Se puede considerar la relación (2) como expresiva de que la corriente en corto-

Fig. II.4.1 "a” Generador de tensión; “b”Generador de corriente.

La corriente ro/po es un término ficticio que significa la diferencia entre la caracterís-

correspondiente a JB = Jb -n = constante. La misma red nos permite apreciar también,

II.5 Trabajos prácticos

los casos, indicar la temperatura ambiente media (tomada a veces durante la