Tiristores y Triacs - Henri Lilen (E-Pub - Me)

—
HENRI ULEN
CIRCUnECA DE
ELECTRONICA
MARCOMBO
BOIXAREU I
TIristores
y triacs
Tiristores
y tríacs
Henri Lilen
Alfaomega marcombo
Edición original publicada por
MARCOMBO, S A.
Ha redon a. España Derechos reservados
© 1996 ALFAOMEGA GRUPO EDITOR, S A de C V

Apartado Postal 7.1*267, 0 3 3 I I México, DI
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Registro No 2 3 1 7
ISBN 970-15-0)86-1
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parcial o total por cualquier medio, mecánico, eléctrico, de
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Impreso por [mpreandes Presencia S.A.
Í N D I C E
Prefacio.................................................................................................................................... 15
Capitulo 1. Introducción ............................................................................................. 17
1. ¿Qué es el tiristor?......................................................................................... 17
2. La familia de los dristores............................................................................. 18
3. El mercado de los tiristores........................................................................... 19
Capítulo 2. Teoría del tiristor...................................................................................... 21
1. Estructura y símbolo............................................................................................... 21
2. El tiristor bajo tensión (en estado de bloqueo)............................................ 22
3. El tiristor bajo tensión directa...................................................................... 23
4. Principio de cebado por puerta.................................................................... 23
5. ¿Cómo puede cebarse un tiristor?......................................................................... 25
6. Curva característica del tiristor . .......................................................... 25
7. Definición de los símbolos............................................................................. 26
8. Acción de la puerta........................................................................................ 29
9. Corrientes de fuga............................................................................. 31
Capítulo 3. Fabricación del tiristor............................................................................. 32
1. Técnica de difusión-aleación.................................................................................. 32
2. Técnica “todo difusión”.......................................................................................... 32
3. Estructura planar (de barrera aislante)................................................................ 35
4. Vidriado.................................................................................................................. 36
5. Estructura epitaxial................................................................................................ 37
6. Contactos................................................................................................................. 37
6.1. Ensamble por soldadura blanda................................................................... 38
6.2. Ensamble por soldadura fuerte..................................................................... 38
6.3. Ensamble por presión . ............................................................. . 40
7. Encapsulado............................................................................................................. 40
Capítulo 4. El tiristor en conmutación................................................................................. 41
1. Cebado por puerta................................................................................................... 41
2. Importancia de la velocidad de crecimiento de la corriente ... 43
3. Características de puerta....................................................................................... 45
4. Corriente de enganche y corriente demantenimiento.......................................... 46
5. Extinción (descebado)............................................................................................. 47
6. Límites de frecuencia.............................................................................................. 49
7. Pendiente de tensión............................................................................................... 50
8. Régimen de conducción directa.................................................................... 5T
10 TIRISTORES Y TRIACS
9. Influencia de la temperatura................................................................................... 52
9.1. Temperatura de la unión................................................................................. 53
9.2. Temperatura de la cápsula.............................................................................. 54
10. Potencia disipada.................................................................................................... 54
10.1 Resistencia térmica............................................................................................ 54
10.2. Impedancia térmica....................................................................................... 55
11. Corriente media máxima......................................................................................... 56
Capítulo 5. Diferentes tipos de tiristores .................................................................... 57
1. Tiristores de frecuencia industrial.......................................................................... 57
2. Tiristores sensibles ................................................................................................. 58
3. Tiristores rápidos...................................................................................................... 59
4. El DarUstor............................................................................................................... 59
4.1. Características di/dt......................................................................................... 59
4.2. Cebado del Darlistor........................................................................................ 61
4.3. Condiciones de cebado ................................................................................... 63
5. El tiristor complementario...................................................................................... 64
6. El tiristor de puerta doble........................................................................................ 64
7. El tiristor bloqueable............................................................................................... 65
7.1. Funcionamiento................................................................................................ 66
• 7.2. Característica de puerta.................................................................................... 68
7.3. Circuitos de mando.......................................................................................... 70
8. El tiristor con unión de puerta.................................................................. . 70
9. El tiristor de puerta alejada.................................................................................... 72
10. Fototiristores............................................................................................................. 73
Capítulo 6. El triac......................................................................................................... 74
1. Definición................................................................................................................... 74
2. Estructura................................................................................................................. 76
3. Cebado del triac........................................................................................................ 76
3.1. Cebado en el cuadrante I (+ +)....................................................................... 76
3.2. Cebado en el cuadrante II (H-----)................................................................. 76
3.3. Cebado en el cuadrante III (------)................................................................. 77
3.4. Disparo en el cuadrante IV (— +).................................................................. 78
4. Corriente de mantenimiento y corriente de enganche.......................................... 79
5. Característica de puerta................................................................................ 79
6. Efecto de la derivada de la tensión con respecto al tiempo, dv/dt. . 80
6.1. Aplicación de dv/dt sin conducción previa.......................................... 80
6.2. dv/dt en conmutación....................................................................................... 80
6.3. Importancia de la estructura del elemento.................................................... 82
6.4. Importancia del circuito de utilización................................................ 82
6.5. Importancia del nivel de conducción, de la velocidad de decrecimiento de la
corriente y de la temperatura.................................................... 82
7. La di/dt en los triacs....................................................................................... 83
Capítulo 7. Elementos de disparo................................................................................. 85
1. El diac........................................................................................................................ 85
2. El conmutador unilateral de silicio (SUS).............................................................. 85
3. El conmutador bilateral de silicio (SBS)................................................................ 87
4. El transistor uniunión (UJT)................................................................................... 88
IX DICE II
4.1. Estructura del UJT......................................................................................... 88

4.2. Funcionamiento del UJT................................................................................ 89
5. El transistor uniunión programable (PUT).......................................................... 90
5.1. Funcionamiento del PUT............................................................................... 90
5.2. Programación................................................................................................... 9|
6. Disparador asimétrico............................................................................................. 93
7. El diodo Shockley (diodo de 4 capas o diodotiristor)........................................... 93
8. Disparo por elementos de película gruesa. . . . . . . 94
Capitulo 8. Elementos complejos con tiristores......................................................... 95
1. Quadracs................................................................................................................... 95
2. Conjunto diodo más tiristor................................................................................... 95
3. Puentes mixtos........................................................................................................ 96
4. Acopladores ópticos con tiristores......................................................................... 96
5. Relés estáticos . 97
6. Módulo de encendido para motores de explosión................................................ 97
Capítulo 9. Gobierno de tiristores y triacs. Principios.............................................. 98
1. Disparo en c.c........................................................................................................... 98
1.1. Ejemplo de circuito....................................................................................... 98
1.2. Ejemplo de cálculo..................................................................................... 100
2. Disparo en c.a..........................................................................................................102
2.1. Ejemplo de..........................................................................................cálcuto
103
3. Disparo por impulsos o trenes de ondas...............................................................103
3.1. Disparo por impulso único............................................................................103
3.2. Disparo por trenes de ondas . ........................... . 105
Capítulo 10. Gobierno de tiristores y triacs: circuitos de todo onada . . 108
1. Interruptores aleatorios........................................................................................108
2. Montaje de interruptores aleatorios.....................................................................108
3. Impedancia Z de disparo...............................................................................111
4. Interruptores serie y paralelo...............................................................................117
Capitulo 11. Gobierno de tiristores y triacs:mando síncrono . . . . 113
1. Fundamentos...........................................................................................................113
2. Detector de cero-comparador...............................................................................115
3. Interruptores síncronos.........................................................................................116
Capitulo 12. Gobierno de tiristores y triacs: variación de potencia por
mando síncrono .................................................................................120
1. Fundamentos de los sistemas de mando-regulación............................................120
2. Control por paquetes de semiondas o de períodos enteros . . . . 122
3. Variante para el gobierno de dos tiristores..........................................................124
4. Control por paquetes de períodos enteros mediante un circuito integrado (uA
742)...........................................................................................................................125
Capitulo 13. Gobierno de tiristores y triacs: variación de potencia por ángulo de
conducción...................................................................................................127
1. Principios.................................................................................................................127
2. Cebado por red RC y rectificación de ondacompleta.........................................130
12 T1R1STORES Y TRIACS
3. Disparo por circuito desfasador . 131

4. Disparo mediante circuitos con semiconductores (generalidades) . . 132
5. Disparo por UJT.....................................................................................................134
5.1. Fundamentos..................................................................................................134
5.2. Determinación práctica del circuito............................................................135
5.3. Sincronización del UJT.................................................................................137
6. Disparo mediante SUS y SBS.......................................................................... 138
7. Disparo por diac.....................................................................................................140
8. Disparo por diodo Shockley................................................................................140
9. Disparo por lámpara de neón................................................................................140
10. Disparo por transistores........................................................................................141
11. Disparo en onda completa mediantetiristor de arrastre . . . . 143
12. Gobierno por un circuito especial (Ll).................................................................144
Capítulo 14. Gobierno de tiristores y triacs: disparo por amplificador magnético .......146
1. Disparo por inductancia saturable........................................................................146
2. Amplificador magnético.........................................................................................146
3. Mando continuamente variable.............................................................................148
4. Gobierno por todo o nada......................................................................................150
Capitulo 15. Gobierno de tiristores y triacs: disparo de triacs . . . 151
1. Disparo por impedancia . 151
2. Disparo por transformador auxiliar.....................................................................151
3. Disparo por c.c........................................................................................................151
4. Disparo por circuitos transistorizados..................................................................151
5. Disparo por transistor uniunión............................................................................152
6. Disparo por diac.....................................................................................................153
6.1. Histéresis.........................................................................................................154
7. Disparo por diodo asimétrico................................................................................155
8. Disparo por dispositivos de películagruesa . 155
Capítulo 16. Extinción del tiristor..............................................................................156
1. Generalidades..........................................................................................................156
2. Reimplantación de la tensión directa....................................................................157
3. Modos de extinción..............................................................................................158
4. Extinción mediante circuitos LC.........................................................................160
5. Apertura de tiristores bloqueables.......................................................................162
5.1. Apertura por capacidad................................................................................162
5.2. Apertura por inductancia..............................................................................163
5.3. Circuito con transistor uniunión..................................................................163
5.4. Circuito de extinción compatible con el montaje de la carga en el
circuito de cátodo.......................................................................................... 165
5.5 Utilización de una fuente auxiliar de tensión negativa . . . . 165
Capitulo 17. Dispositivos de protección.....................................................................166
1. Protección contra di/dt..........................................................................................166
2. Protección contra dv/dt.........................................................................................166
3. Bloqueo con carga inductiva..................................................................................168
4. Diagramas de cálculo de la red RC...................................................................- 1 7 0
5. Protección de tiristores bloqueables.....................................................................173
ÍNDICE n
Capítulo 18. Aplicaciones con relés estáticos e interruptores . . . . 174

1. Cargadores de baterías..................................................................................174
1.1. Características de carga de las baterías....................................................174
1.2. Cargadores simples.......................................................................................175
1.3. Cargadores “profesionales” . ......................................................176
2. Encendido de motores de explosión..............................................................183
2.1. Un dispositivo sencillo................................................ 183
2.2. Sistemas con tiristores bloqueables.....................................................184
3. Ondulador (convertidor c.c./c.a.)..........................................................................186
4. Barrido de líneas en TV.........................................................................................187
5. Detector fotosensible..............................................................................................189
6. Montajes con captador fotoeléctrico.....................................................................189
7. Detección de fases en una red trifásica........................................................191
8. Contadores en anillo......................................................................................191
8.1. Doble década en anillo...................................................................................194
8.2. Contador reversible.......................................................................................195
8.3. Visualización..................................................................................................195
9. Gobierno de transductores electromecánicos a potencia constante . . 196
10. Conmutación complementaria (báscula)..............................................................197
11. Protección por cortocircuito (sistema “crow-bar")............................................198
12. Temporizadores y relojerías..................................................................................199
12.1. Temporización elemental............................................................................199
12.2. Temporización elemental de tres minutos.................................................199
12.3. Circuito con tiristor complementario.........................................................201
12.4. Relojería con avisador.................................................................................201
13. Aplicaciones del diodo Shockley...........................................................................202
13.1. Generador diente de sierra.........................................................................202
13.2. Generadores de impulsos RC......................................................................202
13.3. Generadores de impulsos LC......................................................................203
13.4. Lectura-escritura de memorias de ferritas................................................203
13.5. Mando de relés.............................................................................................204
13.6. Estroboscopio...............................................................................................204
13.7. Disparo de una alimentación de emergencia.............................................205
14. Gobierno de un motor de Hmpiaparabrisas......................................................205
15. Aplicaciones de los fototiristores . ................................................206
15.1. Esquemas de principio................................................................................206
15.2. Generadores de impulsos............................................................................207
15.3. Gobierno de potencia con o sin temporización.................................208
15.4. Automatismo con fototiristores . ...........................................208
15.5.................................................................................................... Circuitos lógicos
..................................................................................................................... . 210
15.6. Flash electrónico de arrastre para fotografía...................................211
15.7. Dispositivo de alarma sonora......................................................................212
16. Mando por puerta lógica......................................................................................212
Capítulo 19. Aplicaciones: control de potencia y regulación por conmutación y variación
del ángulo deconducción..........................................215
1. Variaciones de potencia por ángulo de fase......................................................215
1.1. Montaje básico con diac................................................................................215
1.2. Graduador de
luz o variador simple de velocidad . . . . 216
2. Graduador regulado de luz para fotografía................................................217
14 TIRISTORES Y TRIAOS
3. Variador de velocidad con quadrac......................................................................217

4. Variadores de velocidad con tiristores paramotores universales . . 217
4.1. Variador simple, media onda........................................................................219
4.2. Variador semionda disparado por transistores.................................219
4.3. Variador semionda de disparo por lámpara de neón . . . . 220
4.4. Variador semionda con regulación somera de velocidad . . . 221
4.3. Regulador semionda con mejor control de la velocidad . . . 222
4.6. Variador onda completa con lámpara de neón...........................................222
4.7. Variador onda completa de conmutación rápida........................................223
4. N. Variador onda completa con compensación de carga . . . .
224
4.9. Componentes..................................................................................................224
5. Alimentación estabilizada con prerregulación....................................................225
6. Regulación de la temperatura...............................................................................22S
6.1. Circuitos sencillos..........................................................................................22S
6.2. Gobierno en c.a. con tiristor . . . . . . . . . 230
6.3. Mando por sistema de "escalón y rampa" . . . . . . 230
6.4. Mando proporcional......................................................................................230
6.5. Regulación de temperatura con mando proporcional (montaje síncrono! 235
7. Gobierno de cargas inductivas en c.a.................................................................. 235
7.1. Circuito con UJT y tiristor auxiliar ............................................................235
7.2. Circuito con oscilador independiente......................................................... 236
7.3. Circuitos con tiristores auxiliares.................................................................239
S. Rectificadores controlados.....................................................................................240
Capitulo 20. Gobierno de tiristores y triacs con circuitos integrados . . 242
1. introducción.............................................................................................................242
2. Control con circuitos integrados ULN 2300 ................................................. 243
3. Mando síncrono con circuito integrado CA 3059 245
3.1. Funcionamiento del C1..................................................................................247
3.2. Sistema de protección....................................................................................24S
3.3. Histéresis: su* misión ...................................................................................249
3.4. Regulación de temperaturapor todo o nada................................................250
3.5. Control proporcional.....................................................................................250
3.6. Control por períodos enteros .......................................................................251
3.7. Control "mini-maxi".....................................................................................253
3.S. Conmutación secuencia!................................................................................254
3.9. Cómo aislar eléctricamenteel captador........................................................256
3.10. Comparador industrial................................................................................256
3.11. Gobierno por disparo único...................................................................... 257
3.12. Control de flash............................................................................................259
3.13. Un conmutador casi perfecto......................................................................261
4. Mando síncrono con el iiA 742 261
Bibliografía....................................................................................................................265
PREFACIO
Con la aparición del transistor empieza, en 1948, la era de los semiconductores, que en
muy pocos años revoluciona completamente todos los dominios de la electrónica. Los
minúsculos dispositivos a base de yerman ¡o, silicio y arseniu- ro de galio, iti> solo
reemplazan con ventaja a las válvulas o tubos de vacío o de gas, sino que además vienen a
abrir nuevas aplicaciones a nuestra técnica.
El tiristor resulta ser algo más que un simple sustituyeme mejorado del ti- ratrón. Sus
características permiten usarlo de las jornias más diversas y siempre con un máximo de
fiabilidad y de precisión.
El tiristor puede considerarse como una pareja de transistores de distintas polaridades
con dos elementos en común, de los tres que componen cada transistor. Esta concepción
facilita mucho el análisis de su funcionamiento.
La excelente obra de Hcnri LILEN permite comprender fácilmente todos los aspectos
anatómicos y fisiológicos de los tiristores. El lector penetra así de lleno en el dominio de los
tiristores y asimila fácilmente roda la exposición de sus características y funcionamiento.
Habiendo adquirido de este modo una sólida base de conocimientos, no tendrá ninguna
dificultad para entender las muy numerosas aplicaciones de este elemento que. funcionando
por todo o nada, puede servir igualmente como interruptor o como rectificador de c.a. o, por
el contrario, de convertidor c.c.-c.a.: que puede estabilizar tanto una tensión como una
temperatura y que puede usarse igualmente para variar la velocidad de un motor eléctrico o
para la lectura y grabación de memorias toroidales.
Para exponer tal cantidad de complejos problemas con un máximo de claridad y método
era necesario tener la experiencia didáctica y el talento de Hcnri LILEN quien, desde hace
años, es redactor en jefe de la revista Électronique et Microélectronique Industrielles, cuyo
importante papel en el progreso de nuestra técnica es de todos conocido. Por tanto, estamos
persuadidos de que quien haya leído atentamente esta obra sabrá aplicar eficazmente los
conocimientos que de ella habrá adquirido.
E. AISBERG
CAPITULO 1
INTRODUCCIÓN
1. ¿Qué es el tiristor?
Conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un

componente idóneo en electrónica de potencia. El triac, por su parte, no es sino la variante
bidireccional.
El tiristor, concebido en un principio como equivalente de estado sólido para
reemplazar al tiratrón a gas, se ha impuesto rápidamente en toda una serie de dominios
de los que los más importantes son, a parte de la conmutación pura y simple, la variación
de velocidad de motores y la graduación de luz.
En efecto, el tiristor permanece normalmente bloqueado hasta el momento en que
se le hace conducir actuando sobre su electrodo de disparo. Puesto que ese momento se
puede fijar con toda precisión, es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades de
corriente (o de potencias) en su valor medio.
Fundamentalmente son dos los modos posibles de funcionamiento. Sea, por
ejemplo, la onda alterna rectificada de la figura 1 a; gracias al tiristor se puede no dejar
pasar más que algunas semiondas, bloqueando las otras: se obtendría entonces la onda de
la figura 1 b, en la que se han suprimido las semiondas 2, 4, 6 y 7.
Se puede igualmente no desbloquear el tiristor hasta un poco después del principio
de cada semionda, como se indica en la figura 1 c; de esa forma sólo se dispone de una
parte de la potencia total, como puede verse mejor en el caso de una semionda, en la
figura 1 ti, en esta modalidad de funcionamiento se actúa pues sobre los ángulos de
conducción de corriente y de bloqueo, variándolos a voluntad como ya se hacía con el
tiratrón.
Pero el tiristor presenta sobre el antiguo tiratrón una serie de ventajas, debidas
precisamente al hecho de que constituye un elemento de estado sólido: innecesidad de
precalentamiento, volumen reducido, fuerte resistencia a los choques y aceleraciones,
posibilidad de trabajo en todas las posiciones, insensibilidad a las sobrecargas, fiabilidad,
vida media muy larga, velocidad elevada de conmutación, caída de tensión directa muy
baja y poca depencia de la corriente, etc.
Todo esto explica el hecho de que el tiristor haya conquistado o esté en vías de
hacerlo, nuevos y vastos dominios tales como la alimentación, la televisión en color, el
automóvil, la optoelectrónica, la lógica industrial, la regulación, automatismos, telefonía,
etc.
El tiristor, obtenido en los Estados Unidos por la firma General Electric hacia 1957,
abordó el mercado europeo hacia 1959-1960. Su nombre se incluye
2
18 TIRISTORES > TRIA CS
entre los de esos nuevos componentes que han revolucionado el desarrollo de la

electrónica desde que en 1948 se encontró esc elemento extraordinario llamado transistor.
1
2 3 4 5 6 7 8 9
1 0
/WYVVYYYYA
©
3 9 1 0
A A A____
Fig. 1-1. — El tiristor actúa esencialmente en dos
modalidades distintas. Siendo, en (a), la onda de
entrada, el tiristor suprime, en (b), algunos semi-
©
periodos de ella, mientras que en (c) subsisten todos
5 4 5 6 7 8 9
© Potencia
los semiperiodos aunque no completos, como puede
apreciarse mejor en el detalle (d).
Potencia A disponible
Suprimida /
A
1
Angulo de ‘ Angulo de (d)

bloqueo conducción
2. La familia de los tiristores
El término "tiristor" designa a toda una familia de elementos semiconduc tores

cuyas características son similares, en principio, a las de las antiguas válvu las
"tiratrones". El nombre de tiristor proviene justamente de la contracción de //Vatrón y
transflor.
El tiristor tiene dos estados estables que dependen de los efectos de realimen tación
de las uniones en la estructura PNPN; estas uniones pueden ser dos o más, y los elementos
pueden ser uni- o bidireccionales, con dos o más terminales, dis tinguiéndose entonces
entre "Jimios" (dos terminales), "triodos" (tres terminales) y "tetrodos" (cuatro
terminales).
Dentro de esta gran familia cabe distinguir:
— Los tiristores propiamente dichos, que son los elementos mas conocidos y que en
lengua inglesa se denominan "Silicon controlled rectijier" o SCR. Se trata de elementos
unidireccionales, con tres terminales (ánodo, cátodo y puerta) bloqueados en el tercer
cuadrante, por lo que también se les llama "tiristores triodos de bloqueo inverso" (reverse
blocking triode thyristors).
— Los triaos, que derivan de los anteriores con la diferencia de ser bidireccionales, se
denominan también "tiristores triodos bidireccionales". Su nombre usual proviene de la
contracción de "triode AC su'itcb".
— Los fototiristores o tiristores fotosensibles. El término inglés es “Hght activated
Silicon controlled switch" o LA SCR (según GE).
— Los tiristores bloqueables, llamados también de "gain de commande á Pouver- ture"
(“GCO" de Si lee, por ejemplo).*
*Tiristores con puerta de extinción (“nute turn-off switch''). GTO que los franceses denominan a
veces con el nombre Silcc de GCO. |.Y. del T.)
INTRODUCCIÓN 19
— El conmutador unilateral de silicio. “SUS'', de "Silicon unilateral switch

— El conmutador bilateral de silicio, “5/Í5". de “Silicon bilateral switch".
— El riristor tetrodo de dos electrodos de mando, o "SCS", de "Silicon controlled switch"’.
— El diodo Shock ley, o diodo tiristor, también llamado diodo de cuatro capas.
— Etcétera.
Sucesivamente iremos estudiando cada uno de estos tipos, haciendo especial

hincapié en el estudio del tiristor propiamente dicho como elemento clave para llegar a
una perfecta comprensión general del funcionamiento de toda la familia.
3. El mercado de los tiristores
El mercado de los tiristores está en plena expansión. En los Estados Unidos las
ventas alcanzaron un importe total de 70 millones de dólares en 1970. lo que representa un
aumento del 10 % sobre las ventas globales del año anterior.
Estas ventas se reparten sobre una producción del 100 %, como sigue:
— Tiristores de baja corriente (< 1 A) y poca tensión: 25 r/c;
— Triacs (hasta más de 40 A): 2 0 % ;
— Tiristores de I a 35 A: 3 0 % .
— Tiristores de potencia (por encima de los 35 A. con una gama privilegiada entre 100 y
200 A): 25 %.
En comparación con los tiristores, el ritmo de crecimiento de los triacs resulta muy
rápido:
— En 1968, los triacs representaban sólo un 5 9r de las ventas totales de tiristores.
— En 1969, el porcentaje pasaba a ser del 11 %.
— En 1970, el porcentaje pasaba al 17 %, con 12 millones de dólares de ventas, siempre
en los Estados Unidos.
Fig. 1-2. — Crecimiento probable

del m e r c a d o del tiristor y del
triac.
Año
Hacia el año 1977 se calcula que se equilibrarán las ventas de tiristores y triacs (fig.
1-2).
¿Qué industrias son las que usan corrientemente elementos del grupo de los
tiristores? En un mercado del 100 %, en valor comercial, tenemos en los Estados Unidos
para 1970:
• 47 % en control industrial y bienes de equipo;

• 14% en máquinas calculadoras y de gestión;
• 13 % en comunicaciones;
• 9 % en encendido de automóvil;
• 7 % para equipos de medida;
• 4 % para el gran público;
• 4 % para la iluminación industrial;
• 2 % en electrodomésticos.
Los tiristores (y los triacs) se han impuesto, como puede verse, en la industria (47
%) y en especial para lo relativo al control de velocidad en motores, en alimentaciones,
onduladores y en el control de temperatura.
P
Fig. 2-1. — Estructura y símbolo de! tiristor. N

— P
Puerta N
T
Cátodo
Los dos terminales principales son el de ánodo y el de cátodo, y la circulación entre

ellos de corriente directa (electrones que van del cátodo al ánodo o corriente que va de
ánodo a cátodo) está controlada por un electrodo de mando llamado “puerta” (“gate” en
inglés).
El tiristor es un elemento unidireccional; una vez aplicada la señal de mando a la
puerta, el dispositivo deja pasar una corriente que sólo puede tener un único sentido. Por
ello a veces se designa al tiristor por lo que constituye, de hecho, su definición, rectificador
controlado, traducción incompleta del inglés, “Silicon controlled rectifier” de ahí las siglas
de SCR.
El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbi-
trariamente como sigue:
— Rectificación: consiste en usar la propiedad de funcionamiento unidireccional del
dispositivo, el cual realiza entonces la función de un diodo;
— Interrupción de corriente: usado como interruptor, el tiristor puede reemplazar a los
contactores mecánicos;
— Regulación: la posibilidad de ajustar el momento preciso de cebado permite emplear
el tiristor para gobernar la potencia o la corriente media de salida;
— Amplificación: puesto que la corriente de mando puede ser muy débil en comparación
con la corriente principal, se produce un fenómeno de amplificación en corriente o en
potencia. En ciertas aplicaciones esta “ganancia” puede ser de utilidad.
p
2
TI KISTO RES Y TRIACS
N2 ^
2
P
1 p
2
1. El tiristor bajo tensión (en estado de bloqueo)
N
1
Para simplificar el siguiente análisis admitiremos que el cátodo del tiristor está
siempre a masa y que la puerta no está conectada (“dotando").
En estas condiciones, se puede comparar el tiristor a tres diodos conectados en
oposición (fig. 2-2). En efecto, las capas y P|N-j forman diodos que ase guran el aguante en
tensión del dispositivo. De esta forma:
— Si el ánodo es positivo, el elemento está polarizado directamente, pero el diodo P]N 2
bloquea la tensión aplicada;
— Si, por el contrario, el ánodo es negativo, los diodos P L.N¿ y P,Ni tienen polarización
inversa. Por ser débil la tensión de avalancha de PjNi, su pape! es despreciable y es P-
JNÜ el que ha de limitar la corriente inversa de fuga.
Anodo
Anodo
P2
Diodo P2 N2
2
Diodo P>N2
P
\
i Diodo P]
Fig. 2-2. — Las tres uniones del tiristor pueden representarse mediante tres diodos equiva-
lentes.
Anodo
+ Anodo
Ifi
1*2
J
3
N2
Puerta -2
— Puerta
' J1
«1
Cátodo Cátodo
Fig. 2-3. — El tiristor es equivalente a una combinación de dos transistores, uno PNP y otro
NPN.
La tensión máxima viene limitada, prácticamente, por la tensión de avalancha de los

diodos PLNJ y PIN2.
TEORÍA DEL TIRÍSTOR 23
2. El tirisfor bajo tensión directa
Se comprenderá mejor el funcionamiento del tiristor si nos referimos al mon taje

con dos transistores, PNP y NPN, de la figura 2-3, que resulta equivalente. Estos dos
transistores están conectados de forma que se obtenga una realimentación positiva.
Supongamos que sea positiva la región PL> con relación a la Nj. Las uniones J;! y Ji
emiten portadores, positivos y negativos respectivamente, hacia las regio nes Ni> y Pi-
Estos portadores, tras su difusión en las bases de los transistores, lle gan a la unión Jo,
donde la carga espacial crea un intenso campo eléctrico.
Siendo la ganancia de corriente que da la fracción de la corriente de hue cos
inyectada en el emisor y que llega al colector del PNP, y siendo por otro lado « t la
ganancia de corriente que da la fracción de la corriente de electrones inyec tada en el
emisor que llega al colector del NPN, podemos escribir:
Ies - - «oí v
y Ici — aJ.Y
La corriente total de ánodo IA es evidentemente la suma de ICi e Ice» a la que hay

que sumar la corriente de fuga residual que pasa por la unión central Jj y a la que
llamaremos ICx- Se tiene entonces:
IA — «JA -j- CI-JIA H- ICX
lo que nos da:
_____Icx
1A =
_____
1 — («i + «Ü)
Ahora bien, en muchos transistores de silicio la ganancia a es baja para valores
reducidos de corriente, aumentando cuando crece la corriente. Luego, si Iex es reducida,
el denominador de la fracción anterior se acerca a 1 (para co rrientes débiles) y la
corriente IA es apenas mayor que la corriente de fuga.
Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece pues bloqueada
presentando una elevada impedancia.
Cuando aumenta, por cualquier motivo, la corriente de fuga I cx, aumentan la
corriente y la ganancia. La suma «i + « 2 tiende entonces a 1 y la corriente IA tiende a
infinito. En realidad, esta corriente toma un valor muy alto, limitado sólo por el circuito
externo.
El tiristor está entonces en estado conductor (también se dice que está des bloqueado
o disparado).
Hagamos observar que este tipo de cebado por aumento de la corriente de fuga —
esto es, en general, por aumento de la tensión aplicada entre ánodo y cátodo del elemento
— es desaconsejable en la mayoría de los casos.
3. Principio de .cebado por puerta

El cebado por puerta es el método más usual de disparo de tiristores. El razonamiento
siguiente aparecerá mucho más claro si nos referimos a la figura 2-4. Una vez polarizado
directamente el tiristor se inyecta un impulso positivo de
24 TIRISTORES Y TR1ACS
mando en su puerta (este ataque es en corriente, denominándose I G a esta última). El

transistor NPN designado Ti recibe una corriente de base I G, pasando a ser su corriente
de colector de IGpi, donde Pi es la ganancia de corriente de este tran sistor (montaje en
emisor común). Esta corriente se inyecta a su vez en la base
Fig. 2-4. — Montaje equivalente de un tiristor que explica el fe

nómeno del cebado.
del transistor T2 (PNP) que entrega entonces una corriente de IGPI^ 2 (siendo p2 la
ganancia de corriente de T2). Esta corriente, que aparece en el colector de T 2, vuelve a
aplicarse a la base de Ti.
Hay que considerar entonces dos casos:
1. ° El producto pij^ es inferior a 1, en cuyo caso el elemento no se ceba;
2. ° El producto piP-j tiende a la unidad, con lo que se realiza el proceso de am -
plificación y el elemento bascula al estado conductor.
Estas dos condiciones (P^ < 1 y Pip 2 —* 1) caracterizan el estado del tiristor en
función de la corriente. En efecto, la ganancia p de un transistor de silicio crece
normalmente, por lo general, en función de la corriente (fig. 2-5). Así pues:
— Si la corriente de puerta es débil, el producto p^ es inferior a la unidad y no se ceba el
elemento;
— Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante elevadas
para que el producto pip2 tienda a 1.
Fig. 2-5. — La ganancia de corriente P de un tran-

sistor de silicio depende por lo general de la co-
rriente de emisor.
En cuanto se produce el cebado, la realimentación hace que los dos transis tores
conduzcan a saturación (por cuanto la corriente de colector de uno se inyec ta
sistemáticamente en la base del otro). Una vez en conducción, los transistores se
mantienen ya en ese estado, incluso aunque desaparezca el impulso inicial de puerta,
hasta que el circuito exterior deje de mantener la corriente IA-
TEORÍA DEL T1RISTOR 25
4. ¿Cómo puede cebarse un tiristor?
Como ya hemos visto, el tiristor puede adoptar uno de estos estados:

— de bloqueo, cuando está polarizado en sentido inverso;
— de bloqueo o de conducción, cuando la polarización es directa, según que esté cebado
o no.
En este último caso, para hacerlo pasar del estado de bloqueo al de conduc ción se
recurre, como se ha dicho ya, a la propiedad esencial del transistor de si licio: la de poseer
una ganancia de corriente que crece con la corriente de emisor, IE.
Por tanto, se pueden usar todos los medios capaces de provocar un aumento de la
corriente IE- Los más importantes son:
• La tensión. Cuando aumenta la tensión ánodo-cátodo del tiristor, llega un mo mento
en que la corriente de fuga es suficiente para producir un brusco aumento de la corriente
IE.
Esta forma de disparo se usa sobre todo con los diodos de 4 capas (diodos-
tiristores).
• La derivada de la tensión. Ya se sabe que una unión PN presenta una cierta capacidad.
Así, pues, si se hace crecer bruscamente la tensión ánodo-cátodo, esta capacidad se carga
con una corriente:
i = C dv/dt
Y, si esta corriente i es suficientemente elevada, provocará el cebado del tiristor.

• La temperatura. La corriente inversa de fuga de un transistor de silicio aumen ta al
doble, aproximadamente, cada 14° C (al aumentar la temperatura). Cuando la corriente
alcanza un valor suficiente, se produce el disparo del tiristor por los mismos fenómenos
ya vistos.
• El efecto transistor. Es la forma clásica de gobernar un tiristor.
En la base del transistor equivalente se inyectan portadores suplementarios que
provocan el fenómeno de cebado (la base es la puerta del tiristor).
• El efecto fotoeléctrico. La luz, otra de las formas de energía, puede también provocar
el cebado del tiristor al crear pares electrón-hueco. En este caso se em plea un fototiristor,
que es un tiristor con una “ventana” (esto es una lente trans parente que deja pasar los
rayos luminosos) en la región de puerta.
5. Curva característica del tiristor
En la figura 2-6 se ha dibujado la curva característica típica de un tiristor

(elemento unidireccional), representándose la corriente IA en función de la diferencia de
tensión ánodo-cátodo.
Cuando es nula la tensión V, lo es también la corriente I A. Al crecer la tensión V en
sentido directo — se la designará como VF, siendo F la inicial de “for-
ward" (directo, en inglés) — se alcanza un valor mínimo (V,,) que provoca el ce bado; el
tiristor se hace entonces conductor y cae la tensión ánodo-cátodo mien tras aumenta la
corriente IA. Por lo mismo que hemos dicho de la tensión, a esta corriente directa la
llamaremos IF.
Fig. 2-S. — Curva característi-

ca de un tiristor.
Si se polariza inversamente el tiristor, aplicándole una tensión V u (donde R es la

inicial de “reverse", esto es, inverso en inglés) observaremos la existencia de una débil
corriente inversa de fuga (esta corriente inversa recibirá el símbolo tj¡) hasta que se
alcanza un punto de tensión inversa máxima que provoca la destrucción del elemento.
El tiristor es pues conductor sólo en el primer cuadrante. El disparo ha sido
provocado en este caso por aumento de la tensión directa.
La aplicación de una corriente de mando en la puerta desplaza, como vere mos,
hacia la derecha el punto de disparo V,f.
6. Definición de los símbolos
La curva característica del tiristor puede pues dividirse en ó regiones, de tas que 4
están situadas en el primer cuadrante. A continuación definiremos los sím bolos
principales relativos a puntos notables de esta curva (fig. 2-6).
Debido a que la mayor parte de la bibliografía existente sobre tiristores pro cede de
EE.UU., se han conservado aquí las designaciones simbólicas del inglés. El lector podrá así
referirse directamente a los documentos originales cuya lista se encontrará en la
bibliografía, o en cualquier trabajo, en general, del otro lado del Atlántico. *
Las magnitudes directas llevarán el índice F (de forward) y las inversas R (de
reverse). El siguiente cuadro resume el significado de las abreviaturas usadas:
Símbolo Palabra inglesa Significado
AV Average Media
D Direct Continua
F Forward Sentido directo
G Gate Puerta
H Hold Mantenimiento
L Latching Enganche *
M Máximum Máxima
N Negative Negativa
P Peak Pico o cresta
R (1.er lugar) Reverse Inversa
R (2.° lugar) Recurrent Recurrente
S Surge Accidental
W Working De servicio
CORRÍ ENTE DIRECTA MEDIA

Se define así el valor medio de los valores instantáneos de corriente directa ánodo-cátodo
en el tiristor, para un intervalo dado de tiempo. Su símbolo es I K A \-
ti
1FAV — ¡ íi(.
CORRIENTE ACCIDENTAL DE PICO

Es el valor que puede alcanzar una punta de corriente ánodo-cátodo en for ma
accidental, esto es, transitoriamente y no de modo recurrente. Su símbolo es Ip S¡u y
define pues el valor máximo admisible de las extracorrientes, en el curso de regímenes
transitorios aleatorios.
CORRIENTE MÁXIMA DE PUERTA
L.a corriente máxima de puerta se simboliza 1<;KS, y es el valor máximo ins-
tantáneo que puede alcanzar una punta de corriente en el electrodo de mando del tiristor.
Este valor define también el valor máximo de la corriente de mando en ré gimen de
impulsos de muy corta duración.
TENSIÓN DIRECTA DE DISPARO
La tensión directa de disparo V,f (o también Vnn) es la tensión directa por encima
de la cual se ceba el tiristor por disparo directo.
TENSIÓN INVERSA DE RUPTURA
La tensión inversa que produce la ruptura del elemento se designa como V,¡,;.
TENSIÓN INVERSA RECURRENTE
La tensión inversa recurrente es V,!WM„ Se define así el valor máximo que puede
tomar la amplitud de la tensión inversa periódica aplicada entre el ánodo y cátodo del
tiristor. i
TENSIÓN INVERSA RECURRENTE DE PICO
La tensión inversa recurrente de pico es y es el valor máximo que pue
den alcanzar las puntas recurrentes de tensión inversa.
,f
Véase la nota al pie de la página 2S. ( V. del T.)
Este valor es numéricamente superior al valor máximo de tensión inversa del

tiristor (valor de pico máximo).
TENSIÓN INVERSA TRANSITORIA O ACCIDENTAL
La tensión inversa transitoria o accidental es V KSM. Este valor limita la tensión
inversa cátodo-ánodo a la que puede someterse el tiristor, durante un intervalo dado de
tiempo.
TENSIÓN DIRECTA DE PICO EN BLOQUEO
La tensión directa de pico en estado de bloqueo es V DWM (o también VFDM)- Su valor
fija un límite a la tensión máxima aplicable entre ánodo y cátodo del tiristor, con puerta
flotante, sin riesgo de disparo.
Esta tensión es pues ligeramente inferior a la tensión de disparo en ausencia de
señal de mando.
POTENCIA TOTAL DISIPADA
La potencia total disipada en el tiristor es PTOT- En ella se consideran todas las
corrientes: directa, media e inversa (IFAV e IRU); de fuga, directa e inversa (IF1> e IR); de
mando (IG); corriente capacitiva, etc.
Su valor permite calcular el radiador, si es que el tiristor precisa de uno.
POTENCIA MEDIA DISIPABLE DE PUERTA
La potencia media disipable de puerta es P GAV. Es el valor de la potencia disipada en
la unión puerta-cátodo.
POTENCIA DE PICO DE PUERTA
La potencia de pico de puerta es P GFS. Corresponde a la potencia máxima disipada
en la unión puerta-cátodo, en el caso de aplicarse una señal de disparo no continua.
Su valor es superior al de PQAV y su límite depende de las condiciones de cebado.
TIEMPO DE INTEGRACIÓN
Es el tiempo en el que se calcula el- valor medio, o el eficaz, de la potencia disipada.
Se le designa por tint.
En el caso de los tiristores, este tiempo suele fijarse en 20 ms. No obstante, será
necesario tener en cuenta la relación existente entre el período de la señal y estos 20 ms
para efectuar cualquier cálculo.
CORRIENTE DE ENGANCHE*
La corriente de enganche IL es la corriente IA mínima que hace bascular el tiristor
del estado de bloqueo al de conducción. Su valor es por lo general de dos o tres veces la
corriente de mantenimiento, definida a continuación.
CORRIENTE DE MANTENIMIENTO
Para conservar su estado de conducción el tiristor debe suministrar una corriente
de ánodo, IA, mínima que recibe el nombre de corriente de mantenimiento, I n. A veces se
denomina también a esta corriente, corriente hipo-estática.
TENSIÓN DE ENGANCHE
A la corriente IL de enganche le corresponde una tensión de enganche Vj,.
* “Courant d’accrochage”. Respetamos el texto francés advirtiendo al lector que esta

corriente se denomina también “principal de cebado". (N. del T.)
TEORIA DEL TIRISTOR 29
TENSIÓN DE MANTENIMIENTO
Del mismo modo, se podría definir una tensión de mantenimiento V n que sería la
tensión que, aplicada al ánodo, permitiría el paso de la corriente IH de mantenimiento.
CORRIENTE DE PUERTA
La corriente de puerta se designa IG.
En una serie dada de tiristores — teniendo en cuenta la dispersión de las
características — el valor máximo necesario para asegurar el cebado de cualquier
elemento se designa IGT.
TENSIÓN DE CEBADO
A esta corriente IGT Je corresponde una tensión de cebado V GT (que en los
dispositivos de uso corriente se aproxima a 1 V).
TENSIÓN MÁXIMA EN LA PUERTA SIN DISPARO
Finalmente, la tensión máxima aplicable a la puerta sin provocar el disparo se
simboliza por VGn. Esta tensión se define a la temperatura máxima y es siempre muy
inferior a la tensión de cebado (puede ser, por ejemplo, de 0,3 V).
Las restantes abreviaturas y notaciones, entre ellas las dinámicas, se irán explicando
a medida que vayan haciendo su aparición.
7. Acción de la puerta
Si se aplica una señal de mando a la puerta del tiristor se modifica la tensión de

cebado de éste, tal como muestra las curvas de la figura 2-7.
Tensión ánodo-cátodo (V)

Fig. 2-7. — La tensión de retorno Vd del tiristor es función de la corriente de puerta.
Cuando es nula la corriente IG de puerta, el tiristor no se ceba hasta que se alcanza

la tensión de disparo entre ánodo y cátodo del elemento.
A medida que aumenta la corriente de puerta IG, disminuye el valor de la tensión de
disparo del tiristor. Eirel límite, el tiristor se comporta como un diodo, esto es, para una
corriente de puerta suficientemente elevada, la menor tensión de ánodo provoca la
conducción en el tiristor.
30 rmisTOREs r TRIACS
Para prevenir los posibles cebados esporádicos del tiristor se puede conectar un
resistor en paralelo con la unión puerta-cátodo (fig. 2-8). Esto es especialmente
interesante cuando la ganancia (1 del transistor NPN (del par equivalente) es ele vada.
(Por lo general suele ser más elevada que la ganancia (■$ del PNP.)
Fíg. 2-8. — Montaje equivalen-

te de un tiristor formado por
una pareja de t r a n s i s t o r e s
PNP-NPN y una terminación
resistiva en la base del NPN.
Por otra parte, casi todos los fabricantes integran ya un resistor de difusión entre la
puerta y el cátodo del tiristor: esta tecnología es la que se conoce como “shorted emitter”,
con un cortocircuito puerta-emisor, y más adelante nos ocuparemos de su estudio. Al
aumentar el valor de la corriente de puerta necesaria
Fig. 2-9. — Dos m é t o d o s de

medida de la corriente de fu-
ga, el denominado de c.c. (a)
y el osciloscopio (b).
para el cebado del tiristor, este resistor en paralelo mejora las características del
elemento en bloqueo, y aumenta la inmunidad ante transitorios parásitos. La re sistencia
depende de la temperatura y de las tolerancias de fabricación, y varía mtre los valores
extremos R(¡ (mín.) y Ri; (máx.).
rtORlA Dl l. TIRtSTOR 31
8. Corrientes de fuga
De hecho, las corrientes de fuga en el tiristor imponen algunas de las limitaciones

inherentes a este dispositivo. Estas corrientes de fuga son:
• La corriente directa de fuga, IKn;
• La corriente inversa de fuga, I«.
Para su medida pueden usarse dos métodos diferentes:
— El llamado método </e corriente continua en el que se usa un generador de tensión
variable, voltímetro y amperímetro ftig. 2-9 a).
— El método conocido como del osciloscopio que permite la medida de los va lores de pico
(lig. 2-9 b) y el trazado rápido y completo de la curva característica. El generador de
tensión se obtiene por rectificación de media onda de una tensión senoidal.
CAPÍTULO 3
FABRICACIÓN DEL TIRISTOR
Para la fabricación de tiristores se usan diversas técnicas que a continuación iremos

examinando sucintamente.
1. Técnica de difusión-aleación
Sea por ejemplo la estructura de difusión-aleación de la figura 3-1. La parte

principal de ese tiristor está constituida por un disco de silicio cortado de un monocristal
de tipo N. Dos de las uniones se obtienen en una única operación de difusión con galio, el
cual dopa con impurezas de tipo P las dos caras de la pastilla.
Cátodo
Electrodo
de mondo
Oro-antimonio (puerta)
\ MOLIBDENO
Silicio de Fig. 3-1. — Estructura física de un tiristor de
tipo N Cb- Zona P difusión-aleación.
- Zona N
- Zona P
Aluminio
MOLIBDENO
Anodo
Sobre una de las caras así obtenidas se forma una unión, por aleación, con un
contacto oro-antimonio, a fin de obtener la estructura final PNPN.
Los contactos de ánodo y cátodo se realizan mediante discos de molibdeno cuyos
coeficientes de dilatación se acercan al del silicio.
La conexión de puerta se fija a la capa intermedia de tipo P mediante un hilo de
aluminio.
2. Técnica “todo difusión”
De hecho, la técnica de difusión-aleación no se utiliza ya sino para ciertos ti ristores

de gran potencia. Para dispositivos rápidos o de mediana intensidad re sulta de difícil
aplicación, y además no se puede usar para los “darlistors” y los
mmmm. FABRICACIÓN DEL TIRISTOR 33
triacs. Por esto tiende a ser de empleo general la técnica “todo difusión”; su difi cultad
principal reside en los contactos, cuya realización resulta más delicada que en el caso de
aleación.
En la figura 3-2 se pueden seguir las etapas fundamentales en la fabricación de un
dispositivo obtenido únicamente por difusión (el ejemplo concreto que hemos escogido es
un triac de mediana potencia).
Difusión P w///////m% y
Capas P
Oxidación Si Oj
_C3___F71
Apertura de ventanas N
—ES—wwAmv ‘ i t q —
Difusión N y reoxidación ■ ■ ■ titr Zonas N
fea . . ------
luiftd—Q—Umoil—0—ihwrimii fttl-
Apertura de ventanas P +
r.v,v>v::;,'4-
B—r-ES29-
Difusión P +
Fig. 3-2. — Etapas básicas en la fabricación de un triac «todo difusión-.
Como en el caso de difusión-aleación, las dos capas P se obtienen por difu sión
profunda de galio o de aluminio, mientras que las capas N son más locali zadas y se
obtienen mediante el sistema de máscaras de óxido, tan conocido en el proceso “planar”.
El inconveniente está en la multiplicidad de las operaciones a realizar, de ahí el
interés por otros métodos tales como el de difusiones simultáneas, que ha puesto a punto
y usado profusamente la firma Silec Semi-Conducteurs. El principio consiste en utilizar la
diferencia existente entre los coeficientes de difusión de los dopantes P y N para obtener
en una sola operación las tres o cuatro capas necesarias. En la figura 3-3 puede verse la
simplificación que así se obtiene.
De todas formas, cualquiera que sea la técnica empleada, siempre se apro vecha la
elasticidad que procura el uso de máscaras de óxido para integrar resis tores entre las
zonas de cátodo y puerta. Estos resistores, cuyo valor es de al gunos cientos de ohm,
permiten mejorar sensiblemente el comportamiento en
3
' Y tu LL =3—
Difusión Si N
3___rjn ____ca
Fig. 3-3, — Gracias a un artificio tecnológico se puede reducir el numero de etapas en la fa

bricación de un elemento -todo difusión».
Cátodo Puerta Anodo
Contacto de puerta
SJ “Technologíe a courts-circuils d'émetteurs." (N. del T.)

FABRICACIÓN DEL TIRISTOR 35
3. Estructura planar (de barrera aislante)
El proceso en la estructura planar de barrera aislante es una variante del seguido en

la “todo difusión”, y en esencia es el siguiente (fig. 3-5):
Se parte de un sustrato de silicio N que se oxida por las dos caras; luego se abren
ventanas en las dos caras y se hace la primera difusión P.
Una difusión muy larga a muy alta temperatura permite que se unan las zonas P.
fssr ÍI02
J
. yim.ii - ~ a '. .
VL TTI A '¡r..
t) Oxidación rr Placa de silicio N
\\’AT vr'-vt w-vww v\v\ v SIO?
cm
2) Apertura de
ventanas en el óxido y Frr
difusión P PI
«WlYTVrtu uí
3] Se elimina el óxido del
fondo y nueva difusión
P
NP NP
4} Oxidación,
apertura de ventanas
y difusión PN
Puerta
S) Corte de dados Eje de
corte
Anodo
Fig. 3-5. — Proceso de fabri-
cación de un t i r i s t o r planar.
Cátodo Unión de emisor N
Unión
Óxido Puerta
directa
bloqueada
TS
lJ\| N
Unión
Ni ^ -p-
Anodo
Vleta en corte
Vista en planta P'
Luego se elimina totalmente el óxido de una de las caras y se abren venta nas en la
otra. Se procede entonces a una nueva difusión P que aísla unas zonas de tipo N.
Tras reoxidación, se abren ventanas que dejen paso a una última difusión N, con lo
que sólo queda ya terminar el tiristor: establecer las metalizaciones (con tactos de
electrodos), cortar los dados y encapsularlos.
La técnica planar, bien adaptada a producciones de grandes series y a tiristores de

baja potencia, está no obstante limitada a tensiones relativamente cor tas (inferiores a 200
V). El óxido asegura una cierta pasivación de las uniones en superficie, lo que permite el
empleo de cápsulas de plástico.
4, Vidriado*
Cuando no se usa la tecnología planar se asegura la protección superficial de las

uniones mediante algún tipo de barniz o un elastómero de silicona. No obs tante, a
imitación del proceso planar, los fabricantes han tratado de obtener pro tecciones
minerales. Pueden considerarse distintas soluciones:
— La oxidación, por distintos sistemas y medios;
— Depósitos superficiales de silicio, aluminio, nitruros, etc.;
— Finalmente, el empleo de vidrio.
Este último método es, sin duda, el más interesante y el más usado. Consiste en
recubrir la pastilla de silicio (wafer), con sus tiristores ya realizados, mediante una capa
de un vidrio especial, de varias decenas de mieras de espesor. El proceso seguido para
depositar este vidrio es el indicado en la figura 3-6.
Según el tipo de vidrio usado se puede conducir de dos formas diferentes la
utilización de esta protección por “vidriado”:
— En un caso, el coeficiente de dilatación del vidrio se adapta perfectamente al del
silicio y se pueden disponer sin riesgos capas espesas de varias decenas de
Grabado de surcos
Depósito de polvo de vidrio
Fusión del vidrio
Fig. 3-6. — La técnica llamada de «vidriado» consiste en proteger la pastilla mediante un de

pósito vitreo.
* El nombre del proceso, registrado por Silec es “glassivation” donde se aprecia una raíz “glace”
traducible por “vidrio”. Puesto que no se trata de una vitrificación en la que todo el conjunto se
transforma en vidrio, sino que más bien es una vitrificación superficial, nos parece más correcto
adoptar el término “vidriado” para designar este proceso. (N. del T.)
mieras, sin que se produzcan fisuras ni despegues. Este tipo de vidrio suele tener un
punto elevado de fusión y se aplica, en general, antes de la realización de los contactos.
— El segundo caso se refiere a los vidrios de punto de fusión menor que sólo pue den
usarse en capas delgadas.
La puesta a punto de las técnicas de vidriado es una tarea muy delicada pero los
resultados están a la altura de las dificultades. Los productos vidriados resul tan ser muy
fiables y se pueden usar cápsulas de plástico con un comportamiento excelente en
ambientes cálidos y húmedos.
Fig. 3-7. — T i r i s t o r epitaxial

multicapa.
5. Estructura epitaxial
En tecnología epitaxial se parte de un sustrato P + , esto es, de un sustrato

fuertemente dopado (fig. 3-7), sobre el que se depositan epitaxialmente capas su cesivas N
y P, o N o P solamente, para limitarnos a los elementos actualmente comercializados.
Se oxida entonces la plataforma superior, se abren las ventanas adecuadas y se
introduce el dopado N+ para constituir las regiones N de emisor (cátodo). Luego se
conforman los bordes para llegar a la estructura “mesa” que se puede apreciar en la
figura.
Añadamos que la tecnología epitaxial sólo se ha usado como alternativa del método
de aleación, en la realización de la capa N de cátodo, y se puede decir que no ha
encontrado ninguna otra aplicación en la fabricación de tiristores normales.
6. Contactos
El papel de los contactos realizados sobre cada una de las caras de la pas tilla de
silicio es doble. Por una parte, estos contactos han de asegurar el paso de la corriente,
presentando una resistencia óhmica tan débil como sea posible;
por otra parte permiten también la evacuación del calor producido esencialmente a nivel
de las uniones.
La dificultad estriba en e! hecho de que el silicio es un material difícilmente
soldable, particularmente frágil y con un coeficiente de dilatación bastante bajo.
En la práctica se pueden distinguir tres tipos de contactos, según que el ensamble se
realice por soldadura blanda, soldadura fuerte o presión.
6.1. Ensamble por soldadura blanda
Este método se emplea ampliamente en la fabricación de tiristores y triaos de

mediana potencia. La obtención de una capa soldable sobre silicio se consigue a menudo
por depósito de níquel “químico” seguido de un tratamiento térmico.
No obstante, también se usan otros métodos: evaporación térmica o pulverización
catódica de metales tales como el cromo o el modibdeno. seguida de un depósito de cobre,
plata, etc.
Las ventajas de la soldadura blanda residen esencialmente en los bajos costes que
resultan al usar materiales poco onerosos y series grandes de producción. El principal
inconveniente aparece al aumentar las dimensiones {dispositivos de potencia), pues se llega
entonces al problema de la "fatiga térmica”.
6.2. Ensamble por soldadura fuerte
En este caso no se puede hacer soportar al silicio los esfuerzos resultantes de la

diferencia de dilatación entre el silicio y el cobre que. por lo general, constituye el soporte.
Se usan entonces “contra-electrodos” de molibdeno o de tungsteno, cuyos coeficientes de
dilatación son semejantes al del silicio.
Fig. 3-8. — Ejemplo de tiristor

ensamblado por presión (con
órganos de presión interiores
en la cápsula).
En cuanto a los materiales utilizabies en la soldadura, debe hacerse mención especial

del aluminio (o aluminio-silicio) que se alea a la vez al silicio y al molibdeno. Conviene
también señalar la existencia de mezclas eutécticas oro-estaño y oro-germanio, muy
usadas en estos tipos de ensambles.
Puerta
Fíg. 3-9. — Corte de un tiristor RCA

en cápsula TO-5.
Fig. 3-10. — Corte de un tiristor en

cápsula -press-fit».
Fig. 3-11. — Tiristor planar montado

en cápsula de plástico con radiador
de aleta.
Los inconvenientes y las ventajas son simétricos de los apuntados en el caso

precedente: buen comportamiento en fatiga térmica pero precio de coste elevado.
6.3. Ensamble por presión
De introducción más reciente, este tipo de montaje se presenta de dos formas

diferentes, según que los órganos de presión sean interiores o exteriores a la cápsula (fig.
3-8). Para que los resultados obtenidos sean adecuados, las superficies en contacto han de
ser rigurosamente planas. La pastilla de silicio se puede tratar como en los casos
precedentes aunque ios depósitos no tienen por qué ser soldables.
Los resultados obtenidos pueden ser muy buenos en cuanto a fatiga térmica. La
simplificación que supone la supresión de soldaduras queda compensada por la
complicación mecánica del ensamble.
Esta tecnología se emplea sobre todo en los conjuntos de gran potencia; una de las
soluciones utilizadas a menudo en ese caso es el empleo de cápsulas planas ligeramente
deformables con elementos externos de presión.
7. Encapsulado
El encapsulado de tiristores y triacs varía mucho según se trate de productos de

pequeña, mediana o gran potencia. A grosso modo podemos distinguir:
-—■ Las cápsulas con hilos terminales; las más conocidas son las TO-5 y TO-18, con una
versión “plástica”, la TO-92. A propósito de estas cápsulas, conviene hacer notar que la
evacuación de calor no se obtiene sólo por convección natural, sino también por
conducción al soporte mediante los terminales. La potencia disipable podrá así variar
considerablemente con la longitud de estos hilos y con la capacidad de disipación del
soporte.
Además, en una variante del TO-5 conviene incluso soldar la cápsula a un
refrigerador para poder obtener la potencia máxima anunciada.
— Las cápsulas atornillables: se usan mucho en los diodos, desde algunos amperes hasta
centenas de amperes. Su empleo es menos general en tiristores y triacs pero aún dominan
la gama situada por encima de 15 ó 20 A. Han de asociarse a radiadores de impedancia
térmica adecuada.
— Las cápsulas planas: son en primer lugar las TO-66 y TO-3, heredadas de los
transistores. Ofrecen sobre todo la ventaja de ser bien conocidas, pero tienden a
cambiarse por cápsulas de plástico, que resultan muy satisfactorias en combinación con
elementos vidriados. .
Un ejemplo típico es la TO-220, cada vez más usada en la gama de 6 a 15 A. Este
tipo de cápsula permite automatizar un tanto los métodos de ensamble. La cápsula de
plástico se suele obtener por “transferencia” usando resinas de silicona o, más
frecuentemente, epóxidos. La fijación en un punto cualquiera resulta por demás cómoda,
y ocupan poco volumen. Finalmente, algunos modelos van aislados, lo que permite usar
un chasis o soporte cualquiera como refrigerador. Las figuras 3-9 a 3-11 ilustran distintos
modos de encapsulación.
CAPITULO 4
EL TIRISTOR EN CONMUTACIÓN
Tras haber definido en los capítulos precedentes lo que es el tiristor, vamos a

examinar aquí su comportamiento dinámico.
1. Cebado por puerta
En la mayoría de las aplicaciones se utiliza un impulso en la puerta para cerrar

(poner en conducción) el tiristor. No obstante, este impulso sólo afecta a la parte del
cátodo vecina al electrodo de mando; por consiguiente, el paso del tiristor del estado de
bloqueo al de conducción está limitado en principio a esta superficie inicialmente cebada
que se denomina zona primaria de cebacio.
La conducción, reducida en principio a ese estrecho canal, se propagará al resto del
dispositivo con una velocidad finita, del orden de 0,1 mm/ps (fig. 4-1).
Se puede pues considerar que la entrada en conducción del tiristor pasa por dos
etapas bien diferenciadas:
a) Creación de una zona primaria de conducción;
b) Propagación del estado conductor al resto del dispositivo.
Resulta evidente que el tiempo de cierre no puede ser nulo, ni siquiera despreciable.
Se le suele denominar t,)n y descomponerlo en dos períodos que son:
• Tiempo de precondicionamiento*, t<¡ C'delay time"): es el tiempo que transcurre
desde que el flanco de ataque de la corriente de puerta alcanza la mitad de su valor final
(50 %) hasta que la corriente de ánodo I A alcanza el 10 % de su valor máximo sobre una
carga resistiva (fig. 4-2).
Este tiempo depende mucho de la corriente de mando, y sobre todo del tiempo de
subida de esta corriente, pero depende poco de la tensión ánodo-cátodo (si es superior a,
por ejemplo, 200 V); varía desde 0,2 ps para los tiristores pequeños, a I ps,
aproximadamente, para los de media potencia (35 A, por ejemplo) y hasta 5 ps para los
tiristores de potencia. La figura 4-3 muestra la variación de tA en función de la corriente
de mando, IG, para un tiristor normal de 35 A.
• Tiempo de subida, tr: es el tiempo necesario para que la corriente de ánodo I A pase del
10 al 90 % de su valor máximo sobre una carga resistiva. (Se podría
* Denominado corrientemente también “tiempo de retardo'*. (N. del T.)

ooo €>#•
del plasma (ps) »
Propagación
P
NP
Fig. 4-1. — D i s p a r o del tirís-

Transmisión de portadores tor: la zona de conducción se
Propagación del plasma
propaga a una velocidad apro-
ximada de 0,1 mm/ns (a). Curva
c a r a c t e r í s t i c a de cebado (b).
'oN-'d ♦V
EL TIRISTOR EN CONMUTACIÓN 43
también considerar el paso de la caída de tensión en el tiristor, del 90 al 10 % de su valor

inicial.)
Como en el caso precedente, la amplitud de la señal de puerta juega un papel
importante en la duración de tr (fig. 4-4).
La suma de -)- tr — t0„. Transcurrido ese tiempo de cierre, el tiristor se satura: es el
tiempo ttc.
Fig. 4-3. — Representación de t.i en

función de la corriente de puerta l<¡
de un tiristor de 35 A.
2. Importancia de la velocidad de crecimiento de la corriente
Durante el cebado, según hemos dicho, la zona de conducción se reduce a una parte
del cátodo vecina al electrodo de mando. Si el circuito exterior impone durante esta fase
un crecimiento rápido de la intensidad, la densidad de corriente en la zona de cebado
puede alcanzar un valor importante.
Paralelamente, el descenso de la caída de tensión en el tiristor, durante la
conmutación del estado bloqueado al conductor, no se efectúa en forma instantánea. Por
consiguiente, habrá momentos en que se presenten simultáneamente valores elevados de
corriente y de tensión.
En función de estos dos parámetros, la potencia instantánea podrá alcanzar valores
muy altos (fig. 4-5). La energía disipada, en un volumen reducido daría lugar entonces a
un calentamiento considerable que, de alcanzar el límite térmico crítico, destruiría la
zona conductora por fusión del silicio: es la destrucción por di/dt.
La medida de la di/dt se efectúa mediante el montaje de la figura 4-6. Las
características normalizadas de la prueba precisan que:
— El tiempo ti debe ser superior a 1 ps;
— El valor máximo IFM debe ser superior o igual a dos veces la corriente media
nominal del tiristor (normas JEDEC), o incluso a tres veces dicha corriente según la
norma alemana DIN;
— La frecuencia de repetición ha de ser de 50 ó 60 Hz;
— La temperatura de la unión debe ser máxima;
— La tensión inicial debe ser igual a la tensión directa de cresta en el estado de bloqueo.
44 TIRlSTORES Y TRIAOS
Fig. 4-4. — Familia de curvas de disparo por impulsos de tiristores del tipo C 10. Las curvas
se han trazado para diferentes valores de tensión y corriente ánodo-cátodo.
Fig. 4-5. — Variación de la potencia

instantánea obtenida en la apertura
de un dispositivo Darlistor DT2100,
de Silec Semi-Conducteurs.
La di/dt depende también de las condiciones de la puerta. El convenio, gene-

ralmente, consiste en alimentar la puerta a 20 V con un resistor en serie de 20 Q (o en
hacer IG algunas veces mayor que la IG mínima de cebado).
En la práctica, la di/dt admisible evoluciona tal como muestra, por ejemplo, la
curva de la figura 4-7 (para un tiristor 2N690 de Sescosem), en función de la tensión
antes del cebado, y con una corriente de puerta inferior o igual a 0,4 A.
La figura 4-8 da igualmente, a título de ejemplo, los límites admisibles de corriente
tras el cebado, para un 2N5204-07 de Sescosem.
~~n
Ten nes i de >ba
sic a t cc do
e
6Q0
V
120
0V
Alim ntaci de j a 10
e ór pi e V
r
—
R
eslst icia — 20 O i r
Tiempo de sub e la ----------------------
corriente — O.t _____ _______1___t
da
0,1 0,2 0,4 0,8 1 2 8 10 20

[2~N 3 2 0 4 - 0 7 I t (JJ*)
46 TiRISTORES Y TRIACS
a) El proceso de fabricación implica una cierta dispersión de las características (por lo

que se delimita un área que englobe las características a una temperatura dada);
b) La gama de temperaturas admisibles en funcionamiento (por ejemplo, —40 a + 125°
C).
• Para altas temperaturas decrece la V G (para I<; dada) y aumenta la sensibilidad
(menor IG de cebado);
• Para bajas temperaturas, el fenómeno es a la inversa.
Pj med < 1W ¡G
mil. :ZÍ Ve
míi. T 10 V
Impulso de 0 0,5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4,5 5

puerta
Tensión directa móxima en puerta Vrcy (V)
Fjg. 4-9. — Curvas características de puerta de un tiristor TS 435 en las que pueden verse las zonas
de cebado, posible y seguro, asi como las potencias máximas de pico admisibles
en función del ancho del impulso de mando.
Puesto que las corrientes y tensiones de puerta que provocan el cebado varían con
la temperatura y la fabricación, hay que definir una superficie S. en el plano corriente-
tensión de puerta (IG, VG), en la que quede garantizado el disparo de ese tipo de tiristor.
En la práctica conviene recordar que la corriente y la tensión de cebado disminuyen
al aumentar la temperatura. La figura 4-Ó especifica además el límite de potencia
disipable en la puerta.
3. Corriente de enganche y corriente de mantenimiento
Para que se produzca el cebado, el tiristor debe conducir una corriente suficiente,
cuyo valor mínimo recibe el nombre de corriente de enganche (I,.).
El tiristor no se cebará sí se suprime el impulso de puerta antes de que la corriente de
ánodo alcance el valor IL, que varía con el ancho y la intensidad de corriente del impulso
de mando (fig. 4-10).
Este valor es en general de dos a tres veces el valor de la corriente de
mantenimiento IH que, una vez desaparecido el impulso de puerta, es ya suficiente para
mantener el cebado.
EL T1 KISTOR EN CONMUTACIÓN 47
Ftg, 4-10. — Variación de la corriente prin-

cipal de cebado con el ancho del impulso
de mando.
4. Extinción (descebado)
La extinción del tiristor se produce cuando se reduce la corriente de ánodo por

debajo de Iu, corriente de mantenimiento, o, simplemente cuando se anula la corriente de
ánodo, IA.
Tras la extinción, no obstante, no se puede volver a aplicar la tensión positiva antes
de un cierto tiempo tor, so pena de que el tiristor vuelva a conducir. Re- firámosnos a la
figura 4-11.
Descebamos el tiristor en el momento tú la corriente disminuye siguiendo la
pendiente di/dt; la tensión en el tiristor, que era VA (un poco más de 1 V) disminuye
también ligeramente.
En el instante t->, se invierte la corriente; si el tiristor fuera perfecto se bloquearía

instantáneamente; ahora bien, el tiristor se comporta como un cortocircuito, durante el
tiempo /2, t3, bloqueándose bruscamente en
En ese momento observamos un salto de tensión, y a menudo una sobreoscilación o
una oscilación debida a las inductancias y capacidades repartidas. La
II m E IÓN /
/c
DRRIE / TENS /ADA /
NT APLIC EVO /
INICIA ENSI '//'/,
DE NL ampli-
L ON
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7/
■ / / \
irtflu
/ /
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/
Li I i
m T n
w "'•Linit*
nii.
Fig. 4-12. — Factores principales que

influyen sobre el tiempo de extinción
del tiristor.
tq a re
tq d 725V 1
o.s
0 so 100 150
HVJ)'C
Fig. 4-13. — Variación relativa del tiempo de extinción tq en función de la temperatura de

unión virtual t (Vi) en un TS 435 FH de SSC.
EL TIRISTOR EN CONMUTACIÓN 49
INTENSIDAD Y DERIVADA DE CORRIENTE

Cuanto más intensa es la corriente, más portadores minoritarios hay, a nivel de las
uniones a bloquear, y más largo es e! tiempo de extinción.
Por otra parte, una pendiente di/dt débil de bajada permite la desaparición de los
portadores minoritarios de una forma gradual, antes de la extinción.
TENSIÓN INVERSA
Un aumento, de 0 a 100 V por ejemplo, de la tensión inversa reduce el tiempo de
extinción. Una tensión superior no tiene ya efectos apreciables.
5. Límites de frecuencia
No debe olvidarse que existe una clasificación de los tiristores según su tiempo de
apertura. En general, se suelen considerar:
• Los de corto tiempo de apertura: son los llamados tiristores rápidos;
• Los que no se exigen, por sus condiciones de utilización (por ejemplo, en la red, a 50
Hz), características especiales de apertura. En ese caso, el tiempo de apertura puede
superar los 100 LIS: son los tiristores que definiremos como “lentos” a falta de otra
tecnología más específica.
Fig. 4-14. — Respuesta de la tempe-

ratura de la unión a un impulso de
corriente (a). Una frecuencia de re-
currencia demasiado elevada provo-
ca un aumento catastrófico de la tem-
peratura de la unión (b).
Incluso con los tiristores rápidos, ¡a frecuencia de trabajo no puede superar ciertos
valores; el límite es imputable a la duración del proceso de apertura del dispositivo, en las
condiciones de utilización. Así la frecuencia podrá rara vez superar los 10.000 Hz.
El hecho de trabajar a frecuencias importantes impone en efecto al tiristor fuertes
solicitaciones en cuanto a la di/dr, ahora bien, podríamos decir que el
4
5P TtRi STORES Y TRIACS
dispositivo "conserva en la memoria" el calentamiento producido por esta di/dt, puesto

que no tiene entonces tiempo de disipar el exceso de calorías producidas (fig. 4-14).
Hemos visto antes, que la temperatura era un parámetro que jugaba un papel
importante en la limitación del tiempo de apertura. Existe pues un momento en el que las
interacciones entre la potencia y el tiempo de apertura limitan la frecuencia de trabajo.
Esto es lo que muestra la figura 4-15 que da un ejemplo de evolución comparada entre
diferentes parámetros, en particular la frecuencia de trabajo. Es de notar la fuerte
disminución de la capacidad de conducción del elemento — en este caso un Darlistor.
componente capaz de grandes prestaciones — con los valores altos de di/di y las
frecuencias crecientes.
6. Pendiente de tensión
Una velocidad excesiva de crecimiento de la tensión aplicada entre ánodo y cátodo

— es la dv/dt — amenaza con provocar el cebado del tiristor bloqueado, en ausencia de
señal de puerta.
Fig. 4-15. — Limites admisibles

de corriente de pico y de fre-
cuencia p a r a un Darlistor de
SSC (trazo continuo) y para un
dispositivo clásico (trazo
discontinuo).
Condiciones: t e m p e r a t u r a de
la cápsula 40a C, generador de
puerta 20 V, 20 tJ, tr = 1 ps
(tensión y tiempo de apertura
correspondientes a los valores
nominales p a r a el elemento).
‘“lO 20 50 10* 1QS 101
Este fenómeno se debe a la capacidad interna del tiristor que se carga con una
corriente i — Cdv/dt la cual, si dv/dt es grande, puede ser suficiente para lograr el cebado.
La dv/dt admisible varía considerablemente con la temperatura tal como muestra la
figura 4-16 para un C 35 de General Electric.
Generalmente, aumenta con todo lo que tiende a dificultar el cebado. Así, por
ejemplo, la introducción de un resistor en paralelo con la puerta, que reduce la
sensibilidad del tiristor, mejora la relación dv/dt. Gracias a la tecnología "short- cd
emitter" se fabrican actualmente tiristores que soportan 500 V/ps.
Una polarización negativa de puerta desempeña el mismo papel (fig. 4-17) e
igualmente aumenta la inmunidad a los ruidos, pero esta técnica es poco cómoda de
aplicar.
Por otra al crear una corriente capacitiva aplicada a la puerta,
actúa sobre varía mucho cuando la
1
00 d v
di UU
Fig. 4 - 1 7 . — Influencia de la
*0 polarización negativa sobre un tiristor
de aleación (sin cortocircuito de
20 emisor).
5 10 20 50 100 200 1000 2000

Corriente negativa de puerta i (mA)
Fig. 4-18. — Ensayo de dv/dt:

el tiristor ceba a 50 V/ps cuan-
do la tensión final es de 500
volt, mientras que cuando esta
tensión es de 300 V el tiris-
tor soporta 100 V/ps.
7. Régimen de conducción directa
El tiristor en conducción directa presenta una caída de tensión relativamente

pequeña. Esta caída es función de la intensidad de corriente. Las figuras 4-19 y 4-20
muestran su evolución para tiristores de 35 A eficaces.
Este comportamiento impone unas pérdidas de potencia que calientan el elemento,
limitando así sus posibilidades de conducción para una temperatura dada.
8. Influencia de la temperatura
Los límites de funcionamiento de un tiristor se definen por una magnitud esencial:

la temperatura máxima admisible en la unión. Puede ser de 125 o de 150° C. Las
especificaciones técnicas de cada tipo de tiristor dan los valores límites de la temperatura
de trabajo, que pueden ser, por ejemplo, de — 55° C a + 125° C.
La energía eléctrica disipada en el tiristor, independientemente del sentido en que
circule la corriente, aparece en la forma de energía térmica a nivel de las uniones, de
forma que la potencia total perdida en el cristal implica una elevación de temperatura de
la unión.
Esta cantidad de potencia disipada no representa de hecho más que una ínfima
parte de la potencia total puesta en juego en el circuito, pero no debemos
Fig. 4-19. — Corriente de pico

en un t i r i s t o r T S 4 3 5 F A d e
S S C e n f u n c i ó n de la caída
de tensión de pico (valores
máximos).
0,5 1 2 3 i
Caída máxima de tensión en el tiristor (VFM) V
EL T1RISTOR EN CONMUTACIÓN 53
olvidar que el nivel energético a partir del cual se efectúa la elevación de la temperatura
de la unión viene fijado por la temperatura ambiente. Por consiguiente, la temperatura de
unión puede alcanzar valores relativamente elevados, sobre todo si tenemos en cuenta que
las temperaturas ambientes industriales suelen ser, con bastante frecuencia, del orden de
los 50 ó 60° C.
Fig. 4-20. — Corriente de pico en

el estado conductor de alto nivel
en función de la caída de tensión
de pico en el mismo elemento 35
A ef tipo TS435.
Así pues, en el caso de un tiristor, si la temperatura de la unión no debe sobrepasar

los 125° C, por ejemplo, habrá que asegurar su eficaz refrigeración fijando el tiristor
sobre un radiador, refrigerado a su vez ya sea por las corrientes de convección del aire
ambiente, sea por una corriente forzada de aire o incluso por circulación de agua.
Conviene pues definir las principales magnitudes térmicas características.
8.1. Temperatura de la unión

Esta temperatura, simbolizada Tj, no es medible directamente, por lo que es preciso
determinarla en función de la temperatura ambiente y de las imposiciones eléctricas.
En régimen permanente se establece un equilibrio térmico entre las uniones y el
aire ambiente que circula en torno al radiador del tiristor. Este equilibrio se obtiene
cuando la energía térmica radiada en cada segundo por el radiador compensa
exactamente la potencia disipada en el cristal. La cantidad de calor que se
desprende del cristal es proporcional a la diferencia existente entre la temperatura de la

unión y la del ambiente.
Por analogía con la ley de Ohm podemos entonces asignar carácter de diferencia de
potencial térmico a esta diferencia de temperatura, y definir una corriente de conducción
térmica como la cantidad de calor que escapa, cada segundo, del radiador.
A partir de ello se impone, por sí misma, la noción de resistencia térmica; esta
resistencia es la que determina la circulación térmica entre la unión y el ambiente, y se
mide en grados Celsius por watt (°C/W).
Hay que hacer notar que para un solo impulso de calor, la temperatura de la unión
evoluciona tal como indica la figura 4-21.
8.2. Temperatura de la cápsula

La temperatura de la cápsula, T r (C inicial de “case”) es la que se mide en la
cápsula que encierra el cristal, en el punto más caliente, esto es, en el punto más cercano a
las uniones, accesible no obstante desde el exterior.
9. Potencia disipada
La potencia disipada en la unión de un tiristor depende de las cinco causas si-

guientes:
1. " Las pérdidas por conducción directa;
a
2. Las pérdidas por conmutación durante el cebado;
a
3. Las pérdidas por conmutación durante la extinción;
4.11 Las pérdidas durante el bloqueo;
5.a Las pérdidas en el circuito de puerta.
Los fabricantes suelen dar unas familias de curvas que indican la potencia media
disipada por un cierto tiristor, en función del ángulo de conducción (cuyo significado
veremos más adelante), cuando se trabaja en régimen senoidal (frecuencia hasta de 400
Hz, por ejemplo).
En la figura 4-22 se puede ver un ejemplo de una familia de curvas de este tipo.
10.1. Resistencia térmica

Esta potencia disipada se manifiesta bajo la forma de calor, que eleva la tem-
peratura de la unión T.t. En la práctica se usa la ecuación:
Tj — Tc = P R„
donde:
T, es la temperatura de la unión, en grados C.
Tr es la temperatura de la cápsula, en grados C.
P es la potencia media disipada en la unión, en watt;
RÍA es la resistencia térmica unión-cápsula, en grados C por watt (°C/W). y esto en
régimen estable.
EL T1RISTOR EN CONMUTACIÓN 55
Esta ecuación sirve para calcular la potencia máxima admisible en c.c. cuando se
toma T.T ~ temperatura máxima.
Fig. 4-21. — Respuesta de la tempe-

ratura de la unión a un impulso de
energía.
Fig. 4-22. — Potencia media disipada en

función de la corriente directa media
para distintos valores del ángulo de con-
ducción en tiristores de la serie C35.
10.2. Impedancia térmica

Si se trabaja en régimen transitorio, por ejemplo en régimen de impulsos, la
temperatura de la unión sobrepasa los valores que permite calcular la fórmula anterior.
Es necesario entonces recurrir a la noción de impedancia térmica. La mayoría de
los fabricantes dan el valor de la impedancia térmica Z,h en régimen transitorio en forma
de una curva como la de la figura 4-23.
Impedancia térmica del tiristor montado sobre

Impedancia una aleta de 100 x 100 mm (unión a
ambiente)
Fig. 4-23. — lippedancia térmi-

ca t r a n s i t o r i a de tiristores
C35, de General Electric.
(unión a cápsula)
Con un tiempo de funcionamiento t suficiente, la expresión siguiente da la

diferencia de temperatura unión-cápsula.
Tj — Tc = P Zth
donde P es la potencia media disipada durante el tiempo t.
10. Corriente media máxima
Partiendo de la máxima temperatura de cápsula admisible, se establece una familia

de curvas que dan la corriente media directa que puede suministrar un tiristor en
régimen recurrente (fig. 4-24).
Fig. 4-24. — Corriente directa media

(valor máximo) para tiristores de la
serie C 35 en función del ángulo de
conducción.
Esas curvas se han trazado en función del ángulo de conducción, para tiristores C
35 (35 A eficaces) de General Electric. Vemos que, de 35 A en c.c., la corriente pasa a 13
A, por ejemplo, para un ángulo de conducción de 60°.
No obstante, sólo son válidas cuando se puede despreciar el fenómeno de di/dt. En el
caso de conducciones no repetitivas, o en régimen senoidal no permanente, es necesario
calcular los límites admisibles teniendo en cuenta las formas de onda, las pérdidas y la
impedancia térmica.
CAPÍTULO 5
DIFERENTES TIPOS DE TIRISTORES
La palabra “tiristor” es en definitiva el nombre genérico de toda una familia de

componentes semiconductores, dotados de ciertas características comunes. En la
descripción que aquí damos distinguiremos entre:
— Los tiristores propiamente dichos (con los dispositivos de optoelectrónica); y
luego, en capítulos sucesivos:
— El triac;
— Los elementos de disparo;
— Los elementos compuestos.
1. Tiristores de frecuencia industrial
Son los elementos más utilizados. Se destinan al funcionamiento en c.c. o a

frecuencias de hasta 400 ó 1 000 Hz. Su sensibilidad es más bien media, a fin de evitar los
disparos esporádicos por tensiones parásitas. Todos poseen una misma estructura, con la
puerta próxima al cátodo, y se emplea abundantemente en ellos la técnica de los
cortocircuitos de emisor.
La gama de los productos disponibles es muy amplia. En intensidades de corriente,
se extiende desde algunos cientos de miliampere hasta las centenas de ampere; en
tensiones, llega hasta los 2 000 V, e incluso hasta 3 000 ó 4 000 V.
La elección de un modelo, con destino a una aplicación dada, debe hacerse teniendo
en cuenta, en especial, los criterios siguientes:
— Tensión bloqueable: el elemento debe poder bloquear una tensión máxima superior,
no sólo al valor de cresta de la red usada sino también a los valores máximos de las
sobretensiones parásitas o de conmutación.
— Intensidad de corriente: es necesario considerar no sólo el valor medio o eficaz sino
también el valor de pico, que puede llegar a ser muy alto cuando sea pequeño el ángulo de
fase. Tampoco debe olvidarse la posibilidad de una sobrecarga, por ejemplo un
cortocircuito. Es a menudo este último punto el que determina el calibre del tiristor en las
instalaciones de potencia.
— Parámetros de conmutación (dv/dt; di/dt): en general, los elementos de uso corriente
presentan unas características suficientes para frecuencias bajas o de red y cargas
normales. No sucede lo mismo cuando se trata ya de frecuencias elevadas, en las que estos
parámetros cobran una importancia primordial.
58 TI RI STORES Y TRIACS
— Sensibilidad: contrariamente a lo que acostumbran ciertos usuarios — quienes

piensan que siempre es posible “empobrecer” cualquier tiristor colocando un resistor
entre puerta y cátodo — es preferible utilizar elementos cuya sensibilidad no sea
demasiado grande; la inmunidad frente a parásitos será así mejor. No obstante, es preciso
asegurarse de que los valores de IH (corriente de mantenimiento) y de Ifj (corriente de
enganche) resulten adecuados para el montaje considerado.
— Cápsula: además de las consideraciones económicas, la elección es función sobre todo
de su facilidad de empleo. A este respecto, hay que recordar que las cápsulas aisladas
(aunque sean algo más caras) simplifican con frecuencia el problema de la evacuación de
calorías en régimen de funcionamiento.
2. Tiristores sensibles
Son elementos de baja potencia, utilizados mayormente en circuitos electrónicos de

baja tensión. Su estructura suele ser del tipo planar o, más recientemente, del tipo mesa-
vidriado. La intensidad de la corriente de mando suele ser de algu-
Fig. 5-1. — Estructura del 1CD.
ñas decenas de microampere, con tensiones de puerta del orden de 0,7 volt. Su empleo en
la red de c.a. a 50 Hz tropieza con ciertas dificultades debidas precisamente a su gran
sensibilidad; de ahí el interés por un dispositivo que permite soslayar este inconveniente:
el ICD (Integrated Control Device*).
CARGA
Fig. 5-2. — Aplicación del ICD. Usando sólo un
condensador y un resistor puede montarse un va-
ríador de velocidad para gobernar un motor de
una perforador rotativa, por ejemplo. Al final de
esta obra se encontrarán esquemas de montajes
clásicos equivalentes con los que puede estable-
cerse la comparación.
Patente y marca registradas por Hutson Industries.

DIFERENTES TIPOS DE TIRISTORES 59
En suma, se trata de una estructura compuesta, formada por un tiristor sensible

que gobierna el elemento principal a través de la capa bU. Un “cortocircuito” variable
con la temperatura permite además el correcto funcionamiento del conjunto a
temperaturas relativamente elevadas (fig. 5-1).
El elemento comercializado permite controlar una corriente de 6 A en red de c.a. de
110 ó 220 V. La corriente de mando es de aproximadamente 25 pA (figura 5-2).
A pesar de ciertas similitudes, el ICD es muy diferente del Darlistor, que des-
cribiremos posteriormente. Con respecto a éste, el ICD tiene la ventaja de necesitar
menos silicio para la estructura de mando; de ahí la posibilidad de la fabricación de
elementos pequeños sin gravar demasiado los costes.
3. Tiristores rápidos
La elaboración de tiristores rápidos se enfrenta a dos tipos de dificultades. Por un

lado, las relativas a la obtención de tiempos cortos de descebado; por otro, las
introducidas por unos circuitos de utilización que imponen, además de la rapidez,
exigencias particularmente severas de conmutación.
En esencia, la disminución del tiempo de descebado de un tiristor se logra
disminuyendo la vida media de los portadores inyectados en las bases.* Para ello basta
incluir “trampas”, principalmente de oro, en el silicio. Según la cantidad de oro que
exista — función de la temperatura de difusión — será menor o mayor la vida media de
los portadores. Pero las limitaciones aparecen pronto. En efecto, el aumento de la rapidez
se traduce en una degradación de las características de bloqueo y sobre todo, en un
aumento de la caída de tensión directa. Se trata pues de respetar este compromiso y
buscar por un mejor control de los diferentes parámetros la obtención de características
superiores.
Es así como se pueden fabricar hoy día tiristores de media potencia con tiempos de
descebado inferiores a 5 ps sin perder, no por ello, la capacidad de bloqueo por encima de
700 V.
De todos modos, las restricciones impuestas por el circuito aumentan con la
potencia y por esto los tiristores rápidos de fuerte intensidad suelen ser ya del tipo
Darlistor.
4. El Darlistor
Fabricado por la firma Silec Semi-Conducteurs, el Darlistor, cuyo nombre proviene

de la contracción de Darlington (autor de un circuito clásico bien conocido) y de tiristor,
se presenta al usuario como un tiristor rápido de altas prestaciones.
4.1, Características di/dt

Para aumentar las prestaciones de un tiristor es necesario mejorar sus carac-
terísticas en di/dt. En efecto, como se recordará de lo dicho en el apartado 2 del capítulo 4,
el hecho de que la zona primaria de cebado sea una estrecha franja
* Se entiende de los transistores cuyo conjunto equivale a un tiristor (véase Fig. 2-41. (N. del
T.) '
60 T1RISTORES Y TR1ACS
de cátodo próxima a la puerta hace que sea posible la destrucción del elemento por
disipación excesiva de potencia (figs. 5-3 y 5-4) en volumen reducido.
Se puede retardar la aparición de este fenómeno destructivo variando la velocidad
de propagación de la zona de cebado, la cual aumenta cuando crece la
Fig. 5-3. — En el cierre de un tiristor, la corriente

(curva a, 200 A por cuadro, di/dt = 800 A/ps) y
la tensión (curva b, 100 V por cuadro) producen
una potencia cuyo valor de pico puede alcanzar
cotas considerables como se aprecia en la figura
siguiente.
“sensibilidad” del transistor superior.* Este resultado puede lograrse reduciendo el ancho
de base Pr, disminuyendo la densidad de los cortocircuitos de emisor (figura 5-5) y
manteniendo una vida media alta de los portadores, lo cual, desafortunadamente,
redunda en detrimento del tiempo de extinción tq y de la resistencia a rampas de tensión
directa (dv/dt).
Fig. 5-4. — Potencia de p i c o

correspondiente a las curvas de
la f i g u r a precedente: en este
caso alcanza, como se ve, un
valor de 27,5 kW.
0 0,4 0,8 1,2 1,6 2

* (/-)
Parece pues claro que las altas prestaciones en di/dt son incompatibles con las de
velocidad de crecimiento de la tensión directa y de tiempo de extinción.
No obstante, el Darlistor permite conciliar estas dos exigencias, por estar, en
realidad, constituido por dos tiristores (fig. 5-6) integrados en la misma pastilla de silicio:
1. El tiristor de mando: su característica principal es la de ser sensible, por lo que
basculará en primer lugar cuando se aplique un impulso de mando a la puerta,
absorbiendo una parte de la energía de conmutación. Su corriente principal servirá como
corriente de disparo para el segundo tiristor (tiristor principal);
* Se refiere al transistor NPN del montaje equivalente al tiristor. El autor usa constantemente de esta
equivalencia, aludiendo una y otra vez al “emisor”, “las bases”, etc. (N. del T.)
2. El tirístor principal: su cebado provoca la extinción del tiristor auxiliar, que dispone
entonces de una importante fracción del tiempo de conducción del elemento para volver
al estado de bloqueo inicial.
CONTACTO de puerta CONTAC

TO
de cátodo
F¡g. 5-5. — La situación des-

crita por las curvas anteriores
es tanto más grave cuanto que
la corriente de p u e r t a sólo o
o
afecta a una región restringida
que determina la zona primaria W
de cebado.
El tiristor principal posee una zona primaria de cebado con una superficie
importante, gracias a la corriente elevada de disparo que recibe, lo cual constituye una
ventaja esencial del montaje. Además, su sensibilidad es escasa debido a cortocircuitos
existentes entre emisor y base. Por consiguiente soportará perfectamente altas dv/dt
además de presentar un tiempo muy corto de extinción, características que se
encontrarán en definitiva en la asociación Darlistor.
Fig. 5-6. — El Darlistor es un conjunto de dos t¡-

ristores: el tiristor de disparo o tiristor auxiliar, Ti,
que es más sensible y posee un corto tiempo de
cebado, y el tiristor principal de potencia, Ts, que
es poco sensible y de cebado menos rápido que Ti,
pero con unas excelentes características en cuan-
to a dv/dt y al tiempo de apertura Tq.
4.2. Cebado del Darlistor

La presentación del Darlistor es idéntica a la de un tiristor clásico; esto es, hay tres
conexiones accesibles: el cátodo, el ánodo y la puerta (fig. 5-7). No se imponen pues
restricciones suplementarias y el elemento puede dispararse siguiendo los métodos
clásicos (transformador de impulsos entre cátodo y puerta o cualquier otro sistema
tradicional).
El impulso aplicado en la puerta ceba en primer lugar al tiristor auxiliar. La
técnica de fabricación, la estructura misma del elemento son tales que el tiristor auxiliar
presenta un tiempo de cebado inferior al del tiristor de potencia. La co-
62 TIRISFORES Y TRIACS
rriente principal del tiristor auxiliar se inyecta en la puerta del de potencia, y puede verse
que se produce una amplificación en las corrientes de disparo (fig. 5-8), con una ganancia
considerable que asegura la inyección de una corriente muy elevada en puerta del
elemento de potencia. El componente, por tanto, soporta unas di/dt muy superiores a las
admisibles por un elemento clásico.
Puerta del Darlistor

Contacto de cátodo
Fig. 5-7. — Estructura del Dar-

listor integrado.
auxiliar
Fig. 5-8. — Efecto de la amplificación de la corriente

de puerta en el Darlistor. Siendo la escala de tiempos
de 1ps/cuadro, tenemos, en a la corriente de puerta
del tiristor auxiliar (1 A/cuadro), y en b la corriente
que realmente se inyecta en la puerta del tiristor
principal (escala de 10 A por cuadro).
No obstante, hay que advertir que puede aparecer una reacción diferente de la
producida por los tiristores clásicos, sobre el propio circuito de disparo. En la figura 5-9
a se ha representado un Darlistor con un posible circuito elemental de mando. En el
esquema simplificado equivalente (fig. 5-9 b) puede estudiarse el
Fig. 5-9. — Circuito de disparo

del Darlistor: (en a); y en b el
esquema e q u i v a l e n t e simpli-
ficado.
DIFERENTES TIPOS DE TIR1STORES 63
comportamiento del sistema frente a la señal de puerta, siendo el resistor r 2;j una
impedancia parásita de integración cuyo valor es del orden de la fracción de ohm.
Cuando conduce el tiristor auxiliar, su corriente principal pasa por r 23 imponiendo
una contratensión /23r23 al circuito de cebado. Por esta razón, en cuanto se cierra el
elemento auxiliar, se observa una disminución de la señal de cebado,
Fig. 5-10. — Se aprecia aquí la deformación de

la corriente de puerta del tiristor auxiliar, fe-
nómeno éste característico del Darlistor. Sien-
do la escala de tiempos de un microsegundo
por cuadro, tenemos en a la corriente de puer-
ta del tiristor auxiliar sin corriente de mando,
en b la corriente de puerta en régimen de con-
ducción con un generador de puerta de 50 V, y
en c con un generador de 30 V. Vemos en este
último caso que la corriente de puerta pasa
por un valor negativo.
la cual puede incluso llegar a anularse y hasta a cambiar de signo (fig. 5-10). La
deformación es tanto más pequeña cuanto mayor es la tensión del generador. El fenómeno
es característico del Darlistor, pero no indica absolutamente nada, a priori, sobre su
funcionamiento.
4.3. Condiciones de cebado

Para admitir di/dt del orden de los 50 a 100 A/ps, los tiristores clásicos necesitan una
señal “fuerte” de mando, de 1 A, con un flanco ascendente muy corto (inferior a 1 ps), de
forma que se ensanche al máximo la zona primaria de cebado.
El Darlistor, aunque menos exigente, no ha sido concebido para impulsos de mando
muy inferiores — en amplitud o en velocidad de subida — a los de los ti ristores clásicos.
En efecto, si se intenta obtener las máximas prestaciones posibles (más de 400 A/ps), es
necesario conservar la ventaja que supone la amplificación de la corriente de puerta, y no
perderla a nivel del circuito de mando del conjunto.
Por otro lado, una señal demasiado “floja” se traducirá en una dispersión de los
tiempos de cebado que resultará indudablemente molesta a la hora de asociar varias
unidades en serie o en paralelo.
Por tanto, aunque se hayan podido obtener funcionamientos satisfactorios (di/dt —
500 A/ps) con señales de puerta de flancos de subida superiores a 10 ps, para amplitudes
de 300 A, es aconsejable limitarse a las especificaciones, que indican unas características
para el generador de E — 20 V, R = 20 £i, tr = — 1 ps.
En definitiva, podemos decir que el Darlistor, en razón de sus especiales ca-
racterísticas, es adecuado para aplicaciones difíciles, como la descarga de líneas de
retardo para moduladores de radar, troceo de corriente continua para vehículos de
tracción eléctrica, etc.
64 TIR1 STORES Y TR1ACS
5. El tiristor complementario
La estructura descrita hasta ahora es la utilizada en la casi totalidad de los

tiristores actuales. No obstante, se puede imaginar un elemento complementario, que se
obtendría por doble difusión N en el silicio de tipo P y posterior realización del ánodo por
difusión P localizada (fig. 5-11).
Fig. 5-11. — Tiristor complementario (con puerta de ánodo).
Un elemento de este tipo simplificaría ciertos montajes a la vez que podría

presentar características interesantes en conmutación. No obstante, su fabricación
presenta una serie de dificultades tecnológicas que elevan considerablemente su coste.
6. El tiristor de puerta doble
El tiristor de doble puerta (fig. 5-12) es un elemento de tecnología planar en el que

las tres uniones están situadas sobre la misma cara de la pastilla de silicio (figura 5-13).
Anodo Anodo
Puerta
de
ánodo
Puerta
de
cátodo
Cátodo
Anodo
Puerta Fig. 5-12. — Tiristor de doble puerta:
de en a, representación de principio, en
ánodo b esquema equivalente y en c su
Puerta símbolo.
de
cátodo
Cátodo
En él se tiene acceso a las cuatro zonas del tiristor. La zona N 2 (puerta de ánodo) va
soldada a la cápsula, mientras que las Ni (cátodo), Pi (puerta de cátodo) y P¡> (ánodo)
van unidas a los terminales aislados de una cápsula RO 38 m (TO-18 con cuatro
terminales de conexión).
Fig. 5-13. — En a, estructura real del tiristor de doble puerta (llamado a veces tiristor tetrodo).
En b, señales de disparo y en c señales de apertura.
Se pueden utilizar los dos transistores, NIPIN2 y P2N2P1; sus ganancias respectivas
de corriente varían entre 10 y 80, para el NPN y entre 0,2 y 2 para el PNP, según las
características de difusión.
El disparo del tiristor se puede efectuar inyectando corriente en la puerta de cátodo
(la tensión de la puerta de cátodo es superior a la tensión de cátodo) o en la puerta de
ánodo (VGA < VA).
También se puede bloquear el tiristor, en tanto que la corriente principal no supere
los 50 mA, inyectando una corriente de sentido inverso a la de disparo en una u otra de
las puertas.
Este tipo de tiristor se caracteriza por el débil valor de las corrientes de disparo
necesarias (IGTC < 1 pA e IGTA <100 pA) lo que hace posible su utilización en contadores
en anillo o como transistor uniunión programable.
7. El tiristor bloqueable
El tiristor bloqueable puede:

• Dispararse, si se aplica un impulso positivo a su electrodo de mando;
• Bloquearse de nuevo, si se aplica un impulso negativo a este mismo electrodo de
mando.
Esta propiedad es consecuencia de que al abrir el circuito, el elemento proporciona
una ganancia de corriente. El origen de las distintas siglas utilizadas para designar este
tiristor es:
— GTO = gate turn-off switch;
— GCS = gate controlled switch;
— GCO := gain de courant á l’overture.* (Nombre registrado por S.S.C.)
* Traducido literalmente: ganancia de corriente en la apertura. (N. del T.)
5
66 TIRlSTORES Y TRIACS
7.1. Funcionamiento
El disparo de un tiristor de este tipo sigue siendo clásico. Para bloquearlo de nuevo,
actuando sobre su electrodo de mando, es necesario hacer intervenir una ganancia de
corriente en la apertura (GCO) definida por:
QQQ _ Ip (corriente principal)

lo (necesaria para anular IF)
Gráficamente, las cosas suceden como sigue (fig. 5-14). La recta de carga del
tiristor corta a su característica en dos puntos: A (bloqueo) y B (estado conductor), para
IG = 0; estos dos puntos de funcionamiento son pues posibles.
Fig. 5-14. — Principio de funcionamiento del tiristor bloqueable.
Para IG positiva, el codo de la curva característica (punto de disparo) se desplaza

hacia la izquierda; así, cuando este codo es tangente a la recta de carga sólo existe un
punto de funcionamiento, el punto B.
Pero cuando IG se hace negativa, el punto de disparo se desplaza hacia la derecha y
la corriente de mantenimiento (IJI3) aumenta simultáneamente. En el límite, la curva
característica (IG apertura, en la figura) resulta de nuevo tangente a la recta de carga, a su
derecha, y sólo resulta posible el punto A de trabajo: el tiristor se bloquea de nuevo.
Así, pues, se obtiene la apertura para un valor de I G que confiere a la corriente IJI
un valor igual a la intensidad de corriente de trabajo.
Volviendo a la explicación del funcionamiento del tiristor (fig. 5-15), pode-
mos escribir que, en ausencia de corriente de mando I G, la corriente de base del NPN es
igual a la corriente de colector del PNP:
1 ( 1 ------( * N P N ) ---- I c o l — I «PNP 4" Ico 2
donde l,o es la corriente de fuga de la unión central del tiristor.
G
NPN
Fíg. 5-15. — Esquema equivalente de un ti-

ristor bloqueable, idéntico al de un tiristor
clásico, como puede verse.
Podemos pues escribir:

1.0 1 4" 1( 0 2
I— 1 ------ («NPN + «P.\p)
y, llamando I,,.0 a la suma de Icoi y de Lo2, y 2a a la suma de aNPN y ai>j¡P:

IfL'O
I= I —2a
Cuando ordenamos el disparo, aplicamos en la puerta una corriente I G que queda

multiplicada por la ganancia del transistor NPN. Esa corriente se suma a la corriente de
fuga hro:
, ____ Itro 4“ IíJ «NPN
1 — 2a
Pero para lograr de nuevo el bloqueo hacemos I,; < 0; puesto que en ese momento,
= 0, por estar a 0 V la unión central del tiristor, llegamos a:
I _ «NPN
GCO — IG ~ 2a — 1
Fig. 5-16."—‘Estructura del GTO (tiristor bloqueable).
En la práctica se puede considerar que, en la apertura, la puerta deriva una

corriente suficiente para provocar la desaturación del transistor NPN y, en consecuencia,
la extinción del tiristor.
La estructura del GCO tiene así pues la forma representada en la figura 5-16.
7.2. Característica de puerta

En régimen dinámico, para IF = 0, la característica de puerta es la de un diodo de
baja tensión, mientras que para una corriente principal del orden de la nominal
encontramos en la figura 5-17 las características en función de VG, obtenidas
experimentalmente para un tiristor de GCO de 5 A de Silec.
Fig. 5-17. — En el ejemplo ad-

junto, para Ve = •—4 V, la co-
rriente la máx. es de 1 A para
lograr la apertura del elemento.
En ese instante se pasa del
punto A al B en la característica
estática del «diodo de mando».
VELOCIDAD DE APERTURA
Se definen tres fases en la apertura del circuito principal (fig. 5-18). Siendo el
instante t = 0 el momento en que se aplica el impulso de apertura en la puerta, se
distinguen:
• De IF a 0,9 -IF — td — tiempo de retardo o de almacenamiento;
• De 0,9-IF a 0,1 -IF = tf = tiempo de caída;
• De 0,1 • IF a I¿ = tiempo de anulación, siendo If la intensidad establecida cuando la
tensión es máxima.
La medida de los tiempos de apertura se efectúa mediante el circuito de la figura 5-
19. La red RC limita la derivada de la tensión dv/dt, mientras que el diodo zener suprime
cualquier sobretensión esporádica debida a cargas inductivas.
Cuando K está abierto, se controla el cierre del tiristor bloqueable mediante Tj.
Cuando está conduciendo, K aplica la tensión negativa de apertura; las curvas resultantes
se dan en la figura 5-20, tomadas de S.S.C. (estudio citado en las referencias
bibliográficas).
Se ve que los tiempos de retardo y de caída varían muy poco a partir de una cierta
tensión de puerta VG (off). Por el contrario, y para el tiristor considerado, por debajo de 4
V el tiempo de retardo aumenta considerablemente, para alcanzar las decenas de
microsegundos cuando nos encontramos en el límite de apertura; la potencia disipada en
conmutación es entonces grande; resulta de ello el calentamiento del elemento y su
destrucción.
Fig. 5-19. — Esquema experimental para estudiar la velocidad de apertura del GTO.
Es pues necesario abrir lo más rápidamente posible, es decir, aplicar en la puerta

una tensión suficiente, aunque siempre inferior a la de ruptura del diodo emisor-puerta.
CORRIENTE DE ANULACIÓN
Se debe a la corriente capacitiva a través del dispositivo, al subir de nuevo la
tensión. Si C es la capacidad del elemento, la corriente de anulación será I, =
= C-dv/df, puesto que C es una constante propia del tiristor, dv/dt no debe nunca ser
superior al valor que da, para /,, la intensidad suficiente para el recebado.
No obstante, con relación al tiristor clásico, la característica en dv/dt es mejor,
siempre que se tenga la precaución de prolongar el impulso negativo en la puerta durante
la subida de la tensión.
id.ir (H*I
<1
1 *
0, 6■
0,6-
0, <-
Ct2
T T---r 1 ----1 ----1 ----r T vG torr)

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Fig. 5-20.—Tiempo de almacenamiento (t.i) y de caída (tr) de un tiristor GCO.
7.3. Circuitos de mando

El control de cierre se efectúa como para un tiristor clásico. No obstante, es
necesario hacer notar que, en razón de sus elevadas prestaciones, un dispositivo de este
tipo exige potencias de mando sensiblemente mayores que las utilizadas para los
elementos clásicos. Por ejemplo, pueden ser valores típicos para un tiristor GTO de 7 A
eficaces, un impulso de 250 mA y 20 ps de duración. La tensión correspondiente no
difiere de la usada para otros tipos de tiristor, y permanece siempre inferior o igual a 3 V.
Salvo por esta circunstancia, pueden servir todos los circuitos recomendados pata
los tiristores clásicos. Por el contrario, a menudo nos veremos obligados, en las diferentes
aplicaciones posibles, a encontrar un circuito que pueda provocar tanto la apertura como
el cierre del elemento. Esto tiene el mérito de resolver el problema de la sincronización de
esos dos instantes, y simplifica a menudo el montaje.
El control de apertura, que da lugar a diversos circuitos, será examinado junto con
el bloqueo de los tiristores clásicos.
8. El tiristor con unión de puerta
El tiristor con unión de puerta {“junction gate thyristor”) no existe en versión

comercializada, como tal; no obstante debemos citarlo aquí (fig. 5-21).
Cuando la puerta está alimentada, su corriente IG polariza en sentido directo a la
unión ¿le puerta PiN;t del elemento auxiliar PJN^PJN;;. Esta estructura PNPN se ceba
pues de forma clásica. En consecuencia disminuye la caída de tensión en ella y la
polarización de la zona Pi, situada a la derecha del esquema (elemento auxiliar), pasa al
valor de la tensión de ánodo.
DIFERENTES TIPOS DE TIR!STORES 71
Ahora bien, !a zona Pt de la izquierda está al potencial de cátodo: se establece pues

un gradiente transversal de potencial, y una corriente recorre transversalmente la capa
Pt. El extremo de la derecha de la unión P)Ni del elemento principal queda entonces
polarizado en sentido directo; se inyectan electrones en este nivel y éstos provocan la
conducción del elemento principal.
Fig. 5-21. — El tiristor con unión de puerta

se compone de un elemento principal y otro
secundario. (Este elemento se cita sólo con
vistas at posterior estudio del triac ya que
en realidad no existe en el comercio.)
Elemento principal
Cátodo
N
1
P
1
n Fig. 5-22. — Tiristor de puerta alejada (“re-
2
mote gate thyristor-).
Electrones
p
2 n
Anodo Puerto
9. El tiristor de puerta alejada
Se da la designación de tiristor de puerta alejada a un elemento que puede

dispararse sin que exista contacto directo alguno con las zonas de puerta normales (figura
5-22). En inglés se denomina “remóte gate thyrisíor".
En este elemento, la corriente de puerta IG polariza en sentido directo la unión P N3; 2
se emiten electrones desde N hacia P (corriente de P a N:í) y la unión P N se encarga de

3 2 2 2 2
recogerlos.
© ©
Puerta Luz Cátodo
Ondas Anodo
luminosas
\
_3)
Puerta
Ja
1
Cátodo uzmmmmmFtizL
Anodo, cápsula y radiador
O LASCR
Fig. 5-23. — Símbolo del fototírístor con conexión de puerta (a). Estructura (b) y aspecto físico
del LASCR de GE.
En efecto, esta última unión actúa como un colector, incluso con una polarización
directa; ello se debe a la presencia del campo eléctrico que existe en ese nivel y que actúa
en el mismo sentido que una polarización inversa aplicada a P N2, polarización normal
2
para un colector.
Los electrones que salen de N son captados, como se dijo, por P2 N2 , por lo que la
3
corriente a través de esta unión aumenta y provoca el fenómeno de avalancha.
10. Fototiristores
Para disparar un tiristor se inyecta una corriente en la base de los transistores que
lo constituyen, lo que produce su saturación. Ahora bien, la exposición del elemento a la
luz puede equivaler a una corriente en la base; en efecto, la iluminación crea pares
electrón-hueco que separa el campo eléctrico a nivel de la unión y los inyecta en la base
del transistor considerado, en forma de portadores mayo- ritarios, creando así la
corriente de base.
Esta corriente será tanto más importante cuanto más pares electrón-hueco se creen
y cuanto mejor los recojan las uniones. El máximo se obtiene escogiendo la longitud de
onda óptima, cercana a 1 ¡mi, y exponiendo a la radiación luminosa la mayor superficie
de unión posible, con polarización inversa.
Además es necesario, evidentemente, que las estructuras tiristores utilizadas sean
muy sensibles {que correspondan a corrientes de disparo inferiores a, por ejemplo, 20
pA). Resulta pues imposible usar cortocircuitos de emisor y habrá que proteger el
dispositivo contra parásitos.
Los primeros fototiristores comercializados eran de tecnología planar. También se
pueden usar estructuras mesa-vidriadas que permiten obtener, gracias a ciertos artificios
complementarios, dispositivos utilizables a tensiones y temperaturas más elevadas.
Aunque parezca superfíuo disponer un electrodo de mando en un dispositivo
optoelectrónico, este electrodo presenta la ventaja de permitir el gobierno de la
sensibilidad del dispositivo. A veces se emplean las denominaciones “diodo” y “triodo”
respectivamente, para designar al fototiristor sin y con electrodo de mando.
En el esquema de la figura 5-23 se ha representado, además del símbolo general del
fototiristor, su estructura y una de las modalidades de montaje. Se trata, en este caso, de
un LASCR (“light activated SCR”), de GE.
Finalmente, hagamos notar que el fototiristor es el primer elemento conmutable
por luz que posee dos estados estables.
CAPITULO 6
EL TRIAC
El triac pertenece a la familia de los tiristores, ya que se trata en definitiva de un

tiristor bidireccional; pero dada su importancia, le dedicaremos aquí un capítulo especial.
1. Definición
El triac es un elemento semiconductor de tres electrodos, uno de los cuales es de

mando (la puerta) y los otros dos son los principales de conducción. El elemento puede
pasar de un estado de bloqueo a un régimen conductor, en los dos sentidos de
polarización (cuadrantes I y III, fig. 6-1) y volver al estado de
Jf Fig. 6-1. — Características del

Puerta triac (a) y símbolo (b).
bloqueo por inversión de la tensión o por disminución de la corriente por debajo del valor
de mantenimiento, In.
El triac es, pues, la versión bidireccional del tiristor; en su representación eléctrica
se le puede comparar a la asociación en antiparalelo de dos tiristores (figura 6 -2 ),
presentando no obstante dos ventajas fundamentales sobre este montaje en el que sólo se
podría gobernar las puertas mediante un transformador de impulsos:
— El circuito de mando resulta más sencillo al no existir más que un electrodo de
disparo;
EL TRIAC 75
Fig. 6-2. — Puede compararse el triac a la asocia-

ción en antiparalelo de dos tiristores.
Estructura cara
superior
Fig. 6-3. — Estructura de un triac típico.
Fig. 6-4. — Pueden definirse cuatro cuadrantes de

polarización p a r a caracterizar el funcionamiento
del triac.
CUADRANTE v2 VG NOTACIÓN
1 >o4- >0 r + +
II > °4- <o - + —
III <0 <o 7 —
IV <0
>o ± — +
3.1. Cebado en el cuadrante I (4- -f)
El triac se dispara como un tiristor normal. La zona Pi es la puerta y la unión NiPi

inyecta portadores, produciéndose el disparo del tiristor entre P y Ni (figura 6-5). La
2
corriente IG mínima de disparo es función de la repartición de los cortocircuitos entre Ni

y Pi, es decir, del valor de la resistencia R situada entre la puerta y el ánodo Ai. En este
cuadrante, el triac se comporta pues como el tiristor NIPIN P2.
2
1.2. Cebado en el cuadrante II (H---------)

La corriente de disparo circula de Pi a N4, y ceba el tiristor N PIN P (figura 6 -6 ).
4 2 2
Debido a la geometría del elemento, la corriente principal de N PIN P polariza las

4 2 2
bases PJN y el tiristor NIP]N P bascula a su vez. Este último, normal-

2 2 2
EL TRIAC 77
mente de menor impedancia, provoca la apertura de N PIN-JP (por IH) a menos que se
4 2
mantenga la corriente de puerta.

La corriente principal circula, pues, como ocurría en el cuadrante (I) entre P y NL 2
3.3. Cebado en el cuadrante Itl (--------------)
La situación aquí es un poco más compleja. Refirámosnos al esquema de la figura

6-7. El potencial de Pi es superior al de N4; la unión P N tiene pues polarización directa e
4 4
inyecta portadores. Ahora bien, el tiristor que queremos cebar es el formado por las
capas N3 P2 N2 P1 (cátodo en N3, ánodo en P^.
Fig. 6-6. — Cebado del t r i a c

en el segundo cuadrante.
La unión eficaz de puerta de ese tiristor es el diodo N PL>; para que se produzca el
3
disparo es pues necesario que esa unión N 3 P2 inyecte sus portadores. El razonamiento
que sigue se comprenderá mejor refiriéndose al esquema de la figura 6 -8 .
El transistor T está formado por las capas N P N2 , y T por las capas P2 N2 P1 ; el
4 4 4 2
resistor R es la impedancia de cortocircuito entre N y P3. Para que se cebe el tiristor Th

3 2
es necesario que la corriente de emisor de T que circula por R dé una polarización

2
suficiente de la unión puerta-cátodo de Th (tiristor con cortocircuito de emisor).

2
Tenemos pues:
IB2 — aje
IE2 — P2IB2 —— ctiPalc
78 TIR!STORES Y TRIAOS
donde:
IK2 es la verdadera corriente de puerta de Th2;
IG es la corriente inyectada en la puerta del triac.
Es de hacer notar que el transistor Ti tiene polarización directa en sus uniones
colector-base y emisor-base; está pues en saturación, y ai es un valor impuesto. En
general ai(3 no difiere mucho de la unidad, con lo que el triac presenta en este cuadrante
2
una sensibilidad relativamente cercana a la que presenta en los cuadrantes precedentes.
Fig. 6-7. — Cebado en el ter-

cer cuadrante.
Fig. 6-8. — E s q u e m a equiva-

lente para el estudio del ceba-
do de triacs en el tercer cua-
Th
| UAAAA-1-------------------- < Puerta
i-
T
1 (°ÍI h)
drante.
-WAV
R
£2
A2 ( V 2 < O )
Resumiendo, el cebado de Th se logra mediante una corriente I

2 E2 creada por IG en
los transistores Ti y T2.
3.4. Disparo en el cuadrante IV (---------b)

El proceso de disparo es idéntico al del tercer cuadrante, siendo ahora la . capa Ni la
que juega el papel que anteriormente desempeñaba la capa N4.
No obstante, la zona N;jP N2Pi susceptible de cebarse está bastante alejada
2
geométricamente; la sensibilidad se verá pues reducida proporcionalmente.

EL TRfAC 79
2. Corriente de mantenimiento y corriente de enganche
Las definiciones dadas anteriormente para las corrientes de mantenimiento (III) y

de enganche (IL) en el tiristor siguen siendo válidas aquí. No obstante, en este caso hay
que definir sus valores en cada cuadrante de cebado.
3. Característica de puerta
Puede pues dispararse un triac mediante una corriente de puerta positiva o

negativa. Las curvas que dan la intensidad de puerta en función de la polarización
puerta-“cátodo” adoptan la misma forma, en los dos sentidos de conducción, que las de
un diodo (fig. 6-9).
Más exactamente, se encuentran en ellas dos regiones, una correspondiente a un
diodo normal, y otra, cerca del origen, que es sensiblemente resistiva.
Las curvas correspondientes a corrientes de puerta positiva y negativa no
Fig. 6-9. — Característica de puerta del triac con polarización directa (zona A) o inversa
(zona B), manteniendo los electrodos principales en circuito abierto.
so TIRl STORES Y TRIACS
son rigurosamente superponibles, y pueden presentar inclinaciones diferentes, según el

sentido de polarización de las salidas Si y S2.
La sensibilidad difiere pues, según el cuadrante, pero vemos que una corriente de
puerta suministrada en forma de impulsos de 100 mA a 3 V, por ejemplo, bastará en
todos los casos para disparar el triac cuya curva hemos representado.
4. Efecto de la derivada de la tensión con respecto al tiempo, dv/dt
En los triacs se distinguen en general dos tipos de condiciones, en cuanto a la

variación de tensión:
a) dv/dt aplicada sin conducción previa;
b) dv/dt aplicada tras conducción, llamada también “dv/dt en conmutación".
c) Aplicación de dv/dt sin conducción previa

Podemos usar aquí de la analogía con los tiristores, ya que el fenómeno es idéntico.
(La única diferencia es que, para los triacs, la restricción se impone en ambos sentidos de
conducción.)
Cuando se aplica una rampa de tensión (dv/dt) en polarización directa, a partir del
nivel cero, a un triac (o un tiristor), la zona desierta se establece en la capa de puerta sólo
cuando se han evacuado las cargas móviles por la corriente:
I = C (unión)
Lo que equivale a la introducción de una corriente de puerta igual a C-^-.

Por consiguiente, para valores suficientemente elevados de dv/dt, el triac puede bascular
al estado de conducción directa.
La solución de este problema reside en el empleo de la técnica de cortocircuitos de
emisor. En el caso del triac es pues necesario disponer cortocircuitos en las capas N y Ni
3
ya que el riesgo de disparo por dv/dt existe tanto para un sentido de conducción como
para el otro. En los esquemas precedentes se han representado ya estos cortocircuitos de
emisor.
6.1. dv/dt en conmutación

Consideremos un triac en estado conductor, por ejemplo, cuando conduce el tiristor
NIPIN P de la figura 6 -1 0 .
2 2
La distribución de las cargas en las capas Pi y N es función del nivel de corriente y

2
de los dopados (fig. 6-11 á). Si se polariza bruscamente el elemento en sentido opuesto, de
bloqueo, la distribución de las cargas ha de evolucionar hasta alcanzar la configuración
de la figura 6 - 1 1 b.
Es evidente que el exceso de cargas almacenadas entre las dos posiciones límites
debe desaparecer durante la conmutación; una parte de estas cargas se evacúa por la
comente circulante (carga recuperada) y el resto se reabsorbe por recombinación.
Ahora bien, este exceso de cargas es fundamental en la conmutación del triac. En
efecto, la aplicación de la tensión inversa a N1 P1 N2 P2 se hace a una cier
1
77777777
¿i- / — i------------------ r 1
rrf
N
2
nnnnr ■» 1 2
\ v---------
Está claro que el tiristor N3 P2 N2 P1 se cebará si el número de cargas inyectadas es

suficiente. El límite tolerable por el triac, de esta “dv/dt en conmutación" será pues en
general bastante menor que el de dv/dt “estática” (sin conducción previa).
El valor de dv/dt en conmutación vendrá esencialmente determinado por la cantidad
de carga inyectada a partir del tiristor N1 P1 N2 P2 hacia el N3 P2 N2 P1 .
(T) E.STADO DE CONDUCCIÓN
Fig. 6-11. — Distribución de cargas en el triac conductor de la figura precedente (a). Para
llegar al bloqueo es necesario imponer una nueva distribución de cargas (b).
Si se ha insistido sobre este fenómeno es porque no es raro encontrar triacs que

posean una característica excelente en cuanto a dv/dt (sin conducción previa), superior a
los 100 V/ps, pero que presenten, a la vez, un límite en conmutación de algunos volt por
microsegundo, o incluso menos. Es pues necesario distinguir bien, a nivel de utilización,
estos dos tipos de restricciones, a pesar de la infortunada similitud existente entre sus
denominaciones. La dv/dt en conmutación se asemeja más, en efecto, al fenómeno de
rebloqueo de los tiristores que a la dv/dt clásica.
6.2. Importancia de la estructura del elemento

Sin pretender abordar un estudio demasiado complejo es importante hacer notar
que la estructura geométrica del elemento (distribución de las capas) juega un papel
importantísimo en la definición de las características de conmutación del triac. Citemos,
por ejemplo, el Alternistor de S.S.C. cuyas mejores características de la dv/dt en
conmutación se deben simplemente a una diferente concepción geométrica.
6.3. Importancia del circuito de utilización

No todos los tipos de circuitos de utilización imponen restricciones en cuanto a la
dv/dt; en general éstas se presentan sólo cuando se usan cargas inductivas (figura 6 -1 2 ).
En ese caso, los desfases pueden introducir tensiones de conmutación prohibitivas y
se hace imperativa la necesidad de proveer un circuito de protección (RC) en función de
las características del triac.
Fig. 6-12.-—Cuando la carga es inductiva (a), los desfases (b) pueden llegar a imponer una
derivada de conmutación excesiva al triac (c).
6.4. Importancia del nivel de conducción, de la velocidad de decrecimiento de la

corriente y de la temperatura
Las figuras 6-13 a 6-15 dan algunas curvas típicas de la influencia de distintos
parámetros sobre la dv/dt de conmutación.
Los factores más significativos son la velocidad de decrecimiento de la corriente y la
temperatura. Conviene pues prestar especial atención a estos parámetros. Una de las
medidas de mayor efecto que pueden adoptarse es limitar la temperatura del triac
asociándole un disipador de calor o cualquier sistema adecuado de evacuación térmica.
EL TRIAC 83
5. La di/dt en los triaos
En los triacs encontramos de nuevo todos los aspectos relativos a la di/dt,

anteriormente presentados para los tiristores: riesgo de cebado local asociado a la
aparición de puntos calientes, etcétera.
No obstante, el triac puede presentar, en régimen de di/dt algunos fenómenos
propios y característicos. En efecto, su estructura geométrica, comparada con la del
tiristor, es relativamente más compleja, y esto sobre todo en la región de puerta. La
creación de puntos calientes en sus alrededores puede modificar considerablemente las
características de las uniones en la zona de mando.
Fig. 6-13. — Cuarto más elevada sea la corriente

anterior a la conmutación del triac, menor es la
dv/dt que soporta el elemento en la conmutación.
Í; 0 20 40 60 80 100
5 -*
~o Corriente antes de la conmutación (A)
Fig. 6-14. — El aumento de la

temperatura también contribu-
ye a reducir la dv/dt de con-
mutación del triac.
Fig. 6-15. — Finalmente, la ve-

locidad de decrecimiento de la
corriente influye notablemente
sobre la dv/dt de conmutación.
1 2 5 10 20 50 100 200 500

di^ y'dt ( A/ms )
84 TIRlSTORES Y TRIAOS
Debido a esto se puede observar una evolución de las corrientes de disparo del triac,
en régimen de di/di abusivo, en el sentido de una disminución de sensibilidad del elemento
(aumento de la corriente de disparo); una solicitación aún más fuerte, debida, sea a un
nivel aún mayor de di/dt, sea a una duración superior, puede provocar una degradación
de la característica de tensión (que se manifiesta en general en la tensión directa del
tiristor clásico constituyente del triac). El estado final es idéntico al de los tiristores:
aparición de un canal de fusión que perfora de lado a lado la pastilla de silicio.
CAPÍTULO 7
ELEMENTOS DE DISPARO
Vamos a examinar en este capítulo los diferentes componentes clásicos o especiales,

utilizados para el disparo de tiristores y triacs. Los esquemas eléctricos correspondientes
se describirán en un capítulo posterior dedicado al gobierno de tiristores.
1. El diac
El diac es un elemento simétrico que no posee, por tanto, polaridad. Su nombre

proviene de la contracción de “Diode Alternative Current”. Su estructura es muy simple
ya que se obtiene por doble difusión de impurezas de tipo opuesto al del sustrato (fig. 7-
1).
La tensión de disparo se suele escoger cercana a los 30 V. Es difícil obtener
tensiones sensiblemente más bajas con una resistencia negativa suficiente, mientras que el
empleo de valores más elevados reduciría las posibilidades de control.
Los diacs son muy utilizados para realizar variadores de potencia muy simples.
Permiten obtener, con condensadores de poco volumen (por ejemplo, 0,1 pF y 35 V)
corrientes de disparo de valor elevado. A menudo se presentan en cápsulas del tipo DO-7.
2. El conmutador unilateral de silicio (SUS)
Destinado esencialmente al disparo de tiristores, el conmutador unilateral de silicio

(“Silicon unilateral switch" = SUS) está constituido por un tiristor miniatura, con puerta
de ánodo, al que asocia, entre puerta y cátodo, un diodo de avalancha de baja tensión (fig.
7-2).
Algunas de las características típicas de este elemento, tomadas de un D 13 D 1 de
General Electric, son las siguientes: •
• Tensión de disparo Vs = 6 a 10 V.
• Corriente en el momento de disparo Is = 0,5 mA máx.
• Tensión de mantenimiento V¡j = aproximadamente 0,7 V a 25° C.
• Corriente de mantenimiento IH = 1,5 mA máx.
• Caída de tensión directa (para IF — 200 mA) = 1,75 V.
• Tensión inversa Vu = 30 V.
• Pico de los impulsos V = 3,5 V mín.
0
Fig. 7-1. — Curva característica

de un diac (a), y símbolos más
usuales (b). (No se ha respetado
la escala por necesidad del
dibujo.)
Ánodo
Ánodo 9
1>
Puerta o
Cátodo Cátodo
CIRCUITO EQUIVALENTE
Fig. 7-2. — Conmutador unila- SIMBOLO
teral de silicio (SUS) y curva
característica correspondiente.
Este último dato es uno de los más importantes, y se mide montando el SUS en el
circuito de la figura 7-3; se ve que, en efecto, nos evalúa la aptitud del SUS para controlar
tiristorcs.
Comparado con el UJT, el SUS se dispara a una tensión fija, determinada por su
diodo de avalancha, y su corriente Is resulta mayor, y muy cercana a In. Estos datos
limitan la frecuencia (tanto alta como baja) de trabajo del elemento.
_____¡turf___________- \
Fig. 7-3. — Circuito básico de lOOkn montaje del SUS. _
v
'c
Entrada ZZ — Pue ■ría : ■ p v" & Sa"da
0,1HF
15 V
3. El conmutador bilateral de silicio (SBS)
El conmutador bilateral de silicio (“.Silicon bilateral switch” SBS), derivado

del SUS, se compone de dos SUS idénticos en antiparalelo (fig. 7-4).
Funciona pues en los dos sentidos, como su nombre indica, y se aplica sobre todo al
control de triacs. En ese caso, el montaje de principio es idéntico al de la
88 T1RISTORES Y TRIACS
figura 7-3, siendo la única diferencia la tensión de c.c. de ataque que habrá de sustituirse
por una tensión alterna.
Las especificaciones del SBS son idénticas a las del SUS; no obstante, la noción de
tensión inversa VR pierde todo significado, como es obvio.
4. El transistor uniunión (UJT)
4.1. Estructura del UJT

El transistor uniunión o UJT (fig. 7-5) es un elemento compuesto por dos bases, B] y
B2, entre las que va situada una resistencia de silicio de tipo N. Esta resistencia se
denomina de interbase (RBB); a 25° C, su valor está comprendido entre 4,7 y 9,1 kQ.
Fig. 7-5. — Transistor uniunión:

símbolo (a), esquema eléctrico
equivalente (b), y presentación
en cápsula TO-18 ó TO-5.
Hilo de Al. aleado
Fig. 7-6, — E s t r u c t u r a de un
transistor u n i u n i ó n de barra.
Fig. 7-7. — E s t r u c t u r a de un
UJT planar.
En un punto determinado de esta resistencia va colocado un diodo PN cuyo ánodo

hace de emisor.
La resistencia RBB puede obtenerse mediante una barra (fig. 7-6) o un cubo de
silicio; la unión de emisor se realiza entonces por aleación con un hilo de alu
ELEMEN TOS DE DISPARO 89
minio. Esta tecnología confiere unas características medianas de corriente inversa al

diodo emisor-base y una gran dispersión de la tensión de pico cuyo significado veremos
más adelante.
La tecnología planar permite obtener (fig. 7-7) elementos con corrientes inversas
extremadamente débiles y tensiones de pico bien centradas. La incorporación de un anillo
de cobertura garantiza mejor estabilidad de las características en función de la
temperatura.
4.2. Funcionamiento del UJT

El UJT se polariza normalmente como indica la figura 7-8. La base B se lleva a 2
una tensión positiva (VBB = 5 a 30 V). Por la resistencia Rmns circula en-
©
Fig. 7-8. — Polarización del UJT (a), esquema equivalente (b) y curva característica de emisor (c).
*
pBB■. El cátodo del diodo emisor se encuentra a una

tonces una corriente IBa = RBB
tensión:
Ri
Vc = TI VBB-
Ri “b R2 BB
Cuando la tensión de emisor VE es inferior a Vc, el diodo tiene polarización
inversa, por lo que sólo circula una corriente muy débil de fuga, IEBO- Cuando
VE es superior a Vc, el diodo tiene polarización directa y circula una corriente IK
que inyecta portadores minoritarios en la resistencia Rt. Ésta queda entonces mo-
dulada, y disminuye su valor; la tensión Vc disminuye también por consiguiente;
si VE es constante, IE aumenta, lo que contribuye a disminuir aún más Rt.
El fenómeno es acumulativo y se produce en cuanto IE supera el valor de la
corriente de pico IP. La corriente IE está limitada por la resistencia Ri que es en-
tonces de algunos ohm.
La tensión VE de disparo de pico es igual a Vr y viene dada por la relación:
VP — q VBB + VD
donde •
• VD es la caída de tensión en el diodo emisor cuando pasa por él la corriente I P; esto es,
alrededor de 0,5 V a 25° C.
^ VS Fig. 7-9. — Circuito básico de
WW
montaje del transistor uniunión
con programable (PUT) (a), y es-
Rr = /?! * R 2 quema equivalente (b).
O R, + R2
• ^BB
-
S
R^ + R2
©
La puerta de ánodo GA está polarizada a la tensión V s mediante el divisor

potenciométrico RI-R2.
Cuando la tensión de ánodo, VE, es inferior a Vs, el diodo ánodo-puerta de ánodo,
tiene polarización inversa; sólo circula pues por él una corriente de fuga (inferior a 10
nA).
Cuando la tensión de ánodo VE supera a V8, circula una corriente entre ánodo y la
puerta de ánodo, que sirve para el disparo del tiristor. La corriente de ánodo necesaria
para el disparo es la corriente de pico Ip; ésta es tanto más débil cuanto mayor es la
resistencia RG (fig- 7-11). *
* Puesto que en castellano se utilizan de preferencia las siglas originarias en inglés, UJT y PUT,
conservaremos estas abreviaturas en vez de sus traducciones que podrían desorientar al lector. (N.
del T.)
Una vez en conducción el tiristor, la tensión de puerta de ánodo es de alrededor de 0,5 V.

El generador de tensión Vs entrega, pues, a través de RG, una
Va —VGA . Esta corriente es de sentido contrario a la de disparo;
corriente IGA =
Ro
es una corriente de apertura para el tiristor.
Fig. 7-10 — Curvas características del PUT.
Fig. 7-11. — E v o I u c i o n de la
corriente de pico de dos PUT
(elementos PUT 1, 1A, 2 y 2A de
SSC)t en función del valor del
resistor R<; de puerta (según el
esquema equivalente de la
figura 7-9 b).
1 2 4 5 10 20 40 SO 100 200 500

Resistencia de puerta P { PO
Si la corriente principal IE es demasiado grande, la corriente IGA no bastará para

bloquear de nuevo el tiristor; pero si disminuye, I E pasará por un valor para el que IGA
permitirá la apertura del tiristor. Este valor de I E es la corriente de valle Iv; ésta será
tanto mayor cuanto menor sea la resistencia R(; (fig. 7-12).
4.3. Programación
El ajuste de la resistencia Rc, y de la tensión Vs permite determinar I de pico, Iv y q.
Con el montaje de la figura 7-13 se puede regular separadamente I de pico e I de
valle. En el disparo (I de pico), el diodo MT 14 tiene polarización inversa y el PUT
presenta una I de pico correspondiente a RG =100 kí), luego débil. En el momento del
descebado, el diodo MT 14 tiene polarización directa y el PUT presenta entonces un
valor alto de I de valle, correspondiente a los resistores de 1 . 2 kQ en paralelo.
92 TIR1 STORES Y TRIACS
Fig. 7-12. — E v o l u c i ó n de la
corriente de valle en los PUT 2 y
2A en función del valor del
resistor Ro de puerta de acuerdo
con el esquema equivalente de la
figura 7-9 b.
-tío v
Fig. 7-13. — Circuito que permite la regulación por

separado de las corrientes de pico y de valle del
PUT.
•tío V
Fig. 7-14. — Circuito de programación de un PUT,

de bajo consumo.
El circuito, no obstante, tiene un consumo apreciable; para disminuirlo, se puede

recurrir a la variante de la figura 7-14. En el momento de disparo (1 de picó) el diodo
zener M6,2Z está polarizado a una tensión inferior a la tensión zener y se tiene R G = 1
MQ/2. En cambio, en la apertura (I de valle), el diodo opera en la zona de descarga zener
y su impedancia es sólo de algunas decenas de ohm.
5. Disparador asimétrico
La firma General Electric anuncia, bajo la referencia ST 4, otro elemento, muy

semejante al diac, aunque asimétrico.
La curva típica, dada en la figura 7-15, es, en efecto, asimétrica. Sus tensiones
características de disparo están comprendidas, para V st entre 14 y 18 V, y entre 7 y 9 V
para VS2.
Fig. 7-15. — Símbolo (a) de un

disparador asimétrico y pre-
sentación en cápsula de plástico
(c); en (b), curva característica
de un ST4 de GE.
El elemento, capaz de entregar cerca de 200 mA en c.c. (valor máximo), conmuta en

1 ps máx. para el disparo, y en 30 ps máx. para la apertura. Pueden disipar, como máximo,
350 mW de valor medio. Se presenta en cápsula epóxica TO-98, con dos terminales.
La ventaja principal sobre el diac es que permite una notable simplificación de los
circuitos de disparo, como veremos más adelante, puesto que es insensible al fenómeno de
histéresis clásico del diac.
6. El diodo Shockley (diodo de 4 capas o diodo tiristor)
El diodo Shockley, también llamado diodo de cuatro capas o diodo tiristor, es un

dispositivo bipolar PNPN comparable en todos los aspectos con un tiristor del que sólo se
dispusiera de los terminales de cátodo y ánodo.
En efecto, cuando se aplica entre cátodo y ánodo una tensión creciente, pero inferior
a un cierto valor de umbral, Vs, su resistencia es elevada y sólo pasa una corriente de unos
pocos microamperes (fig. 7-16). Este es su primer estado estable, el de bloqueo.
Al alcanzar la tensión el valor Vs abordamos la segunda zona, en la cual el diodo
presenta una resistencia negativa. Este estado es inestable. La resistencia del diodo cae
entonces rápidamente y, a partir del punto In, no vale más de unos pocos ohm; el diodo es
ahora plenamente conductor y permanece así mientras subsista una corriente igual o
superior a la de mantenimiento, Iu. Ésta es la tercera zona, en la cual es estable de nuevo el
elemento; la caída de tensión, en esa zona de trabajo, es del orden de 1 volt para el
germanio, y de 1,3 a 1,7 V para el silicio.
94 T1R1 STORES Y TRIAOS
El bloqueo se efectúa reduciendo la corriente por debajo de su valor de man-

tenimiento, IH, o disminuyendo la tensión por debajo de VH-
Las tensiones de umbral Vs suelen ser del orden de 20 a 100 V mientras que I n se
sitúa normalmente entre 1 y 50 mA.
Este elemento se presta a toda una gama de aplicaciones, a base de esquemas muy
sencillos, como veremos en la segunda parte de esta obra.
Fig. 7-16. — El diodo Schock-

ley es análogo a un tiristor
pero es un elemento bipolar.
También se le puede comparar
a ia asociación de dos transis-
tores.
7. Disparo por elementos de película gruesa
Du PONT DE NEMOURS introdujo en 1972 una pasta, destinada a la fabricación de

circuitos híbridos de película gruesa, dotada de una curiosa propiedad de conmutación: el
Tyox.
Este producto se aplica, por serigrafía, sobre un sustrato aislante, alúmina por
ejemplo, de forma, pues, totalmente habitual. Bajo la influencia de un aumento de
temperatura, y alrededor de los 70 a 80° C, su resistencia disminuye bruscamente. Ahora
bien, esta elevación de temperatura se puede obtener simplemente por el paso de una
corriente debida a una tensión creciente.
Basta pues sustituir el diac de un circuito clásico de gobierno de un tiristor por un
elemento Tyox. En efecto, la tensión creciente del condensador produce la circulación de
una corriente por la pasta, que se calienta y conmuta luego; su resistencia pasa así de
varios centenares de kilohm a unos cientos de ohm, por ejemplo. El condensador se
descarga entonces en el circuito de puerta, tras lo cual cae la tensión aplicada al Tyox que
se enfría y vuelve a su estado primitivo de alta resistencia.
Así es ya una red pasiva completa, realizable en circuito híbrido de película gruesa,
lo que constituye el dispositivo de disparo. El hecho es suficientemente importante como
para señalarlo. Además, siendo sensible a la temperatura, el elemento Tyox puede
eventualmente constituir un captador que gobierne un proceso de regulación.
CAPÍTULO S
ELEMENTOS COMPLEJOS CON TIRISTORES
A base, fundamentalmente, de tiristores, tríacs y diodos, los fabricantes producen

dispositivos complejos que tienden, ya sea a simplificar los esquemas de aplicación y ia
utilización práctica de los elementos, sea a satisfacer una aplicación en particular (barrido
de líneas en televisión, relés estáticos, etc, i.
1. Quadracs
Ya que corrientemente se utiliza un diac para disparar el triac, parece lógico

concebir un elemento complejo con estos dos componentes: es el denominado quadrac,
cuyo esquema de principio se da en la figura 8 -1 .
Fig. B - t , — El quadrac es un conjunto de un trine

y un diñe.
2, Conjunto diodo más tirlstor
Este conjunto, que aparece con mucha frecuencia en los montajes prácticos usuales,
se puede obtener tanto por asociación de un diodo y un liristor en Ja misma cápsula como
por integración en una misma pastilla de ambas estructuras (figura 8 -2 ).
En este último caso conviene '‘desacoplar" cuidadosamente el diodo y el tiristor
para evitar un efecto análogo a la "th\ ídi en conminación" de los trtaes. Esto se puede
lograr por difusión localizada de oro o bien por "arado"* y vidriado.
• "Sillohnufíe". trazado de suncos en la superficie de l;i pastilla. (N, títl T.)

Una de las numerosas aplicaciones de este elemento es el barrido de líneas en

televisión, y la firma RCA ha dado ya el ejemplo presentándolo bajo la designación de
ITR (Integrated Thyristor-Rectijier).
Fig. 8-2. — Conjunto diodo-tiristor en antiparalelo (a) y estructura física (b).
3. Puentes mixtos
Se trata de un conjunto de dos diodos y dos tiristores en la misma cápsula (figura 8-
3). El montaje resulta facilitado en gran medida por estar eléctricamente aislada de los
componentes la superficie de refrigeración de la cápsula. Los modelos comerciales
permiten gobernar motores del orden de un caballo de potencia (lavadoras, por ejemplo).
Fig. 8-3. — Puente mixto con dos diodos y dos ti

ristores.
4. Acopladores ópticos con tiristores
La reunión en una misma cápsula de un fototiristor y un diodo electrolumi-

niscente (LED, en inglés) constituye un acoplador óptico. El sistema permite obtener un
buen aislamiento galvánico entre el circuito principal y el de mando.
La intensidad de disparo necesaria es del orden de 50 mA, y se obtienen
aislamientos de unos 2 000 V. No obstante, es necesario cuidar de proteger bien el circuito
contra parásitos, ya que los fototiristores son elementos sensibles, sobre todo en caliente.
ELEMENTOS COMPLEJOS CON TIRISTORES 97
En otros casos están separados el fototiristor y el diodo luminiscente, a fin de que

puedan usarse como detector de posición o como captador, cuyas aplicaciones son muy
numerosas.
5. Relés estáticos
Las propiedades inherentes a los tiristores y triacs los convierten en excelentes relés
estáticos, tanto para continua como para alterna. Las ventajas, con respecto a los relés
mecánicos, son las siguientes:
— Gran rapidez de maniobra;
— Ausencia de desgaste;
—- Ausencia de chispa (atmósfera explosiva);
— Posibilidad de funcionamiento en atmósfera corrosiva;
— Funcionamiento silencioso.
Además, disparándolos al paso por cero de la tensión se suprimen todos los
parásitos de radiofrecuencia.
El principal inconveniente reside en el precio, sensiblemente más alto que el de sus
homólogos mecánicos. Esto se debe, especialmente, al hecho de que la capacidad de
sobrecarga de los semiconductores es bastante débil para tiempos del orden de las
centenas de milisegundos, lo que obliga a sobredimensionar mucho las pastillas usadas.
Fig. 8-4. — El módulo de encendido para motores

de explosión de RCA se presenta en cápsula TO-8
modificada con cuatro terminales.
6. Módulo de encendido para motores de explosión
Otro elemento complejo, destinado especialmente en este caso a una sola aplicación,
el encendido de motores de explosión, es el introducido por RCA. Se trata de un conjunto
de dos diodos y un tiristor, montados como se indica en la figura 8-4.
CAPITULO 9
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS. PRINCIPIOS
Siendo el sistema utilizado para disparar tiristores la aplicación de una señal en la

puerta, se distinguen tres modalidades de disparo, según la forma de esta señal:
1. — Corriente continua;
2. — Corriente alterna;
3. — Impulsos o trenes de ondas.
1. Disparo en c.c.
Las condiciones de disparo en c.c. vienen precisadas por un gráfico típico, como el
de la figura 9-1 (relativo a los tiristores de la familia C 35 de General Electric, es decir, al
2N681).
Este gráfico da la tensión puerta-cátodo en función de la corriente positiva de
puerta y para una corriente nula de ánodo (ánodo flotante). Para todos los tiristores de
una misma familia, los valores límites están comprendidos entre las curvas A y B.
Por otra parte, la porción de curva marcada C representa la tensión directa de pico
máxima admisible VGF> mientras que D indica la potencia de pico máxima admisible.
Cuanto más baja sea la temperatura de la unión, más hay que aumentar el nivel de
la orden de disparo. Por otro lado, la tensión creciente de ánodo aumenta la sensibilidad
de cebado. .
Estas curvas se refieren al primer cuadrante. En el tercer cuadrante, la tensión de
puerta no debe nunca exceder los valores límites impuestos por el fabricante; en efecto,
una corriente inversa de puerta incrementaría peligrosamente la disipación.
1.1. Ejemplo de circuito

El montaje de la figura 9-2 representa un circuito clásico de disparo. Si trazamos la
recta de carga del circuito de disparo, debe cortar la característica de puerta en la región
marcada “zona preferente de cebado”, lo más cerca posible de la curva D (fig. 9-3). La
derivada de la corriente IG ha de ser del orden de varios ampere por segundo a fin de
reducir al mínimo el tiempo de respuesta.
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS. PRINCIPIOS 99
Esto es especialmente importante cuando la carga tiene una componente capacitiva,

o cuando se sitúa una red RC en paralelo con el tiristor o el triac (las razones serán
examinadas en el capítulo dedicado a la protección de estos elementos).
La velocidad de establecimiento de IG constituye entonces una protección contra la
fatiga del tiristor o del triac por las bruscas variaciones di/dt de la corriente de ánodo
introducidas por las cargas y descargas capacitivas, como se ha visto anteriormente.
El cálculo práctico del circuito de mando debe hacerse pues teniendo en cuenta
estas consideraciones. A fin de ilustrar este tema, vamos a proceder al cálculo real de un
circuito de cebado sencillo, alimentado en corriente continua.
Fig. 9-1. — Curvas características de disparo en c.c. de los tiristores de la familia C 35.
¡00 TIR1STORES Y TRIACS
f?A
Fig. 9-2. — Circuito clásico de

disparo.
Fig. 9-3. — Determinación del punto de funcionamiento del tiristor en el cebado (caracterís-
ticas de puerta).
1.2. Ejemplo de cálculo

Tomamos este ejemplo de RTC. Supongamos que se trata de cebar un tiristor
BTY79 (RTC) a partir de una fuente de tensión continua de unos 6 V (figura 9-4). La
potencia media máxima de puerta que no debemos sobrepasar es PGAV = 0,5 W, lo que
corresponde a los valores mínimos tomados en la curva V = 2 V e l0 = 75 mA.
0
GOBIERNO DE TIR!STORES Y TRIACS. PRINCIPIOS 101
Fig. 9-4, — Circuito de cebado en

c.c. (a). Especificaciones
máximas y tolerancias aplicables
en el caso de cebado en
c.c. (b).
El valor mínimo que debe tener la tensión del generador Vs viene entonces
dada por:
VR (miri) = Rs (max) ■ + V0
o sea,
Vs (min) — (27 + 2,7)-0,075 + 2 ^ 4,2 V
El valor máximo de Vs {max) corresponde a PGAV — 0,5 W. Gráficamente vemos
que la impedancia máxima de puerta del tiristor es R, ; (max) — 32 Q, valor
sensiblemente igual a la pendiente media dv/di de la porción de característica de
impedancia máxima utilizada.
102 TIR1STORES Y TRIACS
Ahora bien, la potencia máxima disipada en la puerta, si Rr, (max) R* (min)

es: D¡ \ — í Vs tmax) \"
Pors (max) - (Rs (min) + R(; (max)¡ ■ RG (max)
Fig. 9-5. — Circuito de cebado

en c.a.
o sea, igualando esta expresión a PGAV (.max) del tiristor (0,5 W):
Vs (max) = [Rs (min) + R0 (max)] V —

Vs (max) = \/4 X_24 X 0,5 ^ 7 V La fuente de 6 V ofrece
pues todas las garantías de funcionamiento.
2. Disparo en c.a.
Para el cebado en c.a., el circuito básico pasa a ser el de la figura 9-5. En ese caso:
— La excursión inversa de la tensión de puerta debe permanecer inferior al valor
máximo admisible, lo que explica la utilización del diodo de protección D.
— La potencia de ataque máxima de pico PGB S (max) puede aumentarse a condición de
no sobrepasar la potencia media de puerta.
El valor de Vs (miri) es entonces el mismo que el calculado anteriormente para el
disparo en c.c. El valor de Vs (max) viene dado por:
Vs (max)/\/2 Rs
P<;AV (max) ~ RG
(miri) + RG
que representa la potencia media máxima disipada en la puerta durante un período
completo. La relación cíclica efectiva para el cebado está definida por:
Potencia media por período „ - ñ
--------—.-----■ 100 %,
Potencia de pico
esto es:
(VS/V'2)2RC, (RS 4- RG)2
100 = 25 %.
2 (Rs + Rg)2 V2s RG
GOBIERNO DE TIR1STORES Y TRIAOS. PRINCIPIOS 103
Comprobamos así que la potencia media por período (puesto que una de las
semiondas está bloqueada) es igual a la que se obtendría con impulsos rectangulares de
una duración igual a un cuarto de período, y de amplitud Vs.
2.1. Ejemplo de cálculo

Prácticamente encontramos, con los mismos valores que anteriormente, que:
VSeff (min) = 4,2 V
y
esto es: Vs (max) = V 16.24.0,5 - 13,8 V
Vsefr (max) = 9,8 V.

La potencia de pico máxima PGKS (max) definida anteriormente es entonces de:
P„„s (max) = (yvlí)- ~ 2 w-
Vemos pues que es 4 veces mayor que PGAV (0,5 W), lo que corresponde
efectivamente a una relación cíclica de 25 %, sin sobrepasar la potencia media admisible.
3. Disparo por impulsos o trenes de ondas
3.1. Disparo por impulso único

Cuando se usan impulsos de una o varias decenas de microsegundos de duración —
según el tiristor — se suele considerar que el disparo se hace en c.c. Por tanto, lo que
estudiaremos aquí será el caso de impulsos cortos.
El cebado por impulsos permite una potencia de pico superior a la potencia media
de puerta admisible y pueden aplicarse criterios de tolerancia más amplios al circuito de
disparo.
Además, es posible reducir a un valor mínimo el retardo entre la señal de puerta y
la subida de la corriente de ánodo, lo que permite obtener una sincronización muy
precisa.
Finalmente, se reduce la disipación debida al incremento de la corriente residual en
las proximidades del nivel de cebado.
Estas tres razones explican la preferencia que se concede, cuando es posible hacerlo,
a esta modalidad de disparo, que proporciona a la vez una disminución en la potencia
disipada y en la precisión del disparo.
El tiempo de retardo, r¿, disminuye cuando se aumenta la amplitud del impulso de
mando y tiende a 0,2 ó 0,5 ps para impulsos de 500 mA o más.
En la práctica es conveniente tener en cuenta los principios siguientes para obtener
resultados óptimos (en los casos más generales): •
• El circuito de puerta debe atacarse, preferentemente, con un generador de corriente;

• La comente de mando debe ser bastante mayor que la especificada como mínima,
IGT; por ejemplo, entre 3 y 5 IGT (fig. 9-6);
• El tiempo de subida debe ser lo más corto posible, de 0,1 a 1 ps, sobre todo si el
tiristor debe soportar una fuerte rampa de corriente tras el cebado;
• La duración del impulso debe ser tal que la corriente de mando permanezca por
encima de IGT en tanto no se alcance la corriente de enganche anódica. Conviene además
reservarse un margen de seguridad, que es obligatoriamente importante en el caso de
circuitos con carga inductiva en los que los fenómenos son más complejos.
Fig. 9-6. — Forma del impulso

de corriente de puerta.
Así, por ejemplo, en el caso de la figura 9-7, la corriente en el tiristor es la suma de

dos corrientes, ii -f i2, debidas, la primera a la descarga del circuito RC y la segunda a la
carga inductiva.
h »2 *
Fig. 9-7. — Comportamiento del circuito en el cebado del tiristor.
Por esto, y si L/R ^ rC, el impulso de disparo no puede cesar en el instante ti, pues
en el t2 la corriente de ánodo IA se hace inferior a la de mantenimiento In y se descebaría el
tiristor.
GOBIERNO DE TIRlSTORES Y TRIAOS. PRINCIPIOS IOS
CASO DEL TIRISTOR

En el tiristor el impulso debe ser positivo con relación al cátodo. Cuando se usa
alimentación en c.a., el impulso deberá intervenir al menos una vez en cada periodo
puesto que el tiristor se desceba al término de cada semionda positiva de la corriente de
carga.
Si no se dispone más que de impulsos negativos y puede tolerarse la caída de tensión
suplementaria de un diodo en serie, es posible controlar el tiristor con un esquema como
el de la figura 9-8.
Fig. 9-8. — Disparo del tiristor por impulsos ne-

gativos.
CASO DEL TRIAC

Para el triac, el impulso de disparo debe presentarse a cada semiperiodo, pu-
diendo ser indistintamente de polaridad positiva o negativa. Hay que considerar tres
casos:
a) Disparo por impulsos siempre positivos (l.er y 4.° cuadrantes). El inconveniente reside
en la menor sensibilidad que presenta el elemento en el 4." cuadrante. No obstante, esta
forma de disparo es muy cómoda cuando se dispone de una fuente de mando
suficientemente potente.
b) Disparo por impulsos siempre negativos (2.° y 3." cuadrantes). El inconveniente es la
corriente de enganche, IL, cuyo valor es más elevado en el segundo cuadrante. De todas
formas, no es muy aconsejable este tipo de control cuando la carga es inductiva.
c) Disparo por impulsos alternativamente positivos y negativos. Es recomendable en este
caso el uso de impulsos positivos durante las semiondas positivas de la tensión de
alimentación y de impulsos negativos para las semiondas negativas. Esto conduce al
disparo en las condiciones más favorables (1." y 3." cuadrantes).
3.2. Disparo por trenes de ondas

En el funcionamiento en c.a. con cargas inductivas y un triac (o dos tiristores
montados en antiparalelo), la corriente en el elemento inductivo persiste algún tiempo
después de la vuelta a cero de la primera semionda de tensión en la que se produjo el
cebado (el desfase corresponde poco más o menos al ángulo cp del eos qp de la carga).
Puede suceder entonces que esa corriente no se anule hasta después de pasado el
siguiente impulso de disparo del triac; por consiguiente, el triac (o uno de los tiristores)
permanecerá cebado hasta pasado el impulso y se bloqueará luego, no existiendo entonces
posibilidad alguna de recebado antes de la llegada de la
106 TIR1STORES Y TRIACS
Fig. 9-9. — Si se hace trabajar

un triac en c.a. sobre carga in-
ductiva, el desfase puede ser
tal que se produzca rectifica-
ción (a), si el control se hace
por impulsos cortos aislados
(b). Para evitar este fenómeno
se p u e d e prolongar la dura-
ción de los i m p u l s o s (c) o
usar t r e n e s de impulsos (d).
Fig. 9-10. — C i r c u i t o s prác-

ticos con transformadores de
impulsos, con dos (a) o un úni-
co secundario (b y c).
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS. PRINCIPIOS 107
semionda siguiente, de igual polaridad que la primera. Resulta pues una rectificación de
corriente que puede deteriorar los circuitos conectados en la rama. Esto es lo que
muestran las curvas correspondientes de la figura 9-9, en a y b, para los impulsos de
disparo correspondientes.
Transí.
Fig. 9-11. — Otros ejemplos de disparo: para dos tiristores en antiparalelo con diodos de pro-
tección (a); para un triac (b); el aislamiento entre generador de impulsos y la etapa de po-
tencia se logra en todos los casos mediante el empleo de un transformador.
Para evitar este fenómeno es necesario:

— O bien ampliar la duración de cada impulso (curva c);
— O bien enviar trenes de impulsos repetitivos hasta el término de cada semionda
(curva d).
Esta segunda solución presenta la ventaja de consumir poca energía, en valor
medio, del circuito de mando. Además facilita el ataque al triac (o a los tiristores) por
transformador, con lo que se le aísla de los circuitos de control.
En el caso del triac pueden usarse también trenes de ondas senoidales de frecuencia
relativamente elevada (algunas decenas o incluso centenas de kilohertz) lo que hace
posible el empleo de un transformador sin características especiales.
En las figuras 9-10 y 9-11 pueden verse algunos de los circuitos básicos posibles.
CAPÍTULO 10
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS: CIRCUITOS

DE TODO O NADA
Tras haber expuesto en el capítulo anterior los fundamentos del gobierno de

tiristores y triacs vamos a presentar aquí los circuitos correspondientes. Para ello
estableceremos una clasificación con los puntos siguientes:
1. — Circuitos de mando por todo o nada (relés estáticos).
2. — Variadores de potencia por supresión de semiperíodos o de períodos enteros.
3. — Variadores de potencia por actuación sobre el ángulo de conducción.
4. — Disparo por inductancia saturable.
5. — Disparo de triacs.
Dada la importancia del tema se le dedicarán varios capítulos.
1. Interruptores aleatorios
Se entenderán como tales los circuitos que permiten a un tiristor o triac funcionar
como interruptor, es decir, de forma que el elemento:
— Permanezca cerrado en tanto que dure una orden de cierre aplicada al mismo;
— Se abra al desaparecer dicha orden.
Esta función es similar a la que desempeña un relé electromecánico, de ahí el
nombre de “relé estático” con que se designan frecuentemente estos circuitos.
2. Montaje de interruptores aleatorios
La orden de cierre para el dispositivo de mando aleatorio se aplica mediante un

pequeño interruptor auxiliar S según el esquema general, para un tiristor, de la figura 10-
1.
En el caso del tiristor la tensión de mando ha de ser positiva con relación al cátodo.
Si la tensión de alimentación que debe interrumpirse procede de una rectificación, al
tiristor se extinguirá por sí mismo; una vez abierto S, en cuanto se anule la corriente.
z S,?
+ o-l 1-ar tt CIRCUITOS DE TODO O NADA 109
At-
r-n i de alimentación es continua, o si no se anula en cada período la
Si la tensión
corriente de la "O
t______1 carga, habrá que incorporar un circuito de extinción h de cuya descripción
nos ocuparemos
—1-----Jmás adelante (fig. 10-1 b).
En
—® el caso del triac se puede usar cualquiera de los tres tipos de mando in dicados en
la figura 10-2. t f
Ah CARGA CARGA
1----1 °
n
Ah
Ar
ÍZZ3 o
O--------------
©©
Fig. 10-t.<—Relé estático con un tiristor alimentado en c.a. (a) o en c.c. (b). En este último
caso se precisa incluir un circuito de extinción simbolizado por el rectángulo «h».
Fig. 10-2. — Tres son las variantes de los relés

estáticos con triac.
El propio interruptor S puede ser también un elemento semiconductor: un

transistor PNP o NPN o un pequeño tiristor o triac auxiliar.
La figura 10-3 resume estas distintas posibilidades para el gobierno de un triac
(para un tiristor las posibilidades se reducen a la parte izquierda, cuadro A, de la figura),.
La potencia de mando (fuente indicada a la izquierda en los esquemas de las figuras
10-3) puede ser externa, o tomada directamente de la tensión de alimentación,
rectificándola o no.
Una solución particularmente interesante es la que consiste en tomar la energía de
mando del ánodo del tiristor, o del electrodo k-> del triac, con las siguientes ventajas:
A) Sólo se necesita usar dos hilos entre el interruptor principal (tiristor o triac) y el
circuito de mando;
A l
1
2 G GT >cc
+ + Débi
l Débil
Medi Débil
a
A «G
2
G T Lee
+ — Medi Fuert
a e
Medi
a Débil
«G
A2 G T I..c
+ Débil Débil
+
Fuert Medi
+ e a
Fig. 10-3. — Diferentes configuraciones posibles del circuito de mando de puerta de un triac
montado como relé estático. En esta figura, I GT es la corriente mínima de puerta que asegura
el cebado e llc< es la corriente mínima de ánodo que asegura un cebado estable.
CARGA CARGA
Fíg. 10-4. — Dos hilos únicamente unen al tiristor ( a ) o el triac ( b ) al circuito de mando.
(Como en los otros esquemas, los elementos dibujados a trazos representan otras posibles
disposiciones de la carga, por ejemplo, o componentes eventualmente necesarios
en el montaje.)
CIRCUITOS DE TODO O NADA 111
3. Impedancia Z de disparo
La impedancia Z puede ser un simple resistor R s. Puesto que la caída en Rs se hace

prácticamente nula en cuanto se ceba el tiristor, la corriente de puerta se establece al
valor justo necesario para asegurar el cebado.
Si el valor de Rs resulta demasiado alto, el tiristor no se cebará hasta que la tensión
de alimentación Vs no alcance un valor superior a Rs 1GT (I(;T = sensibilidad de puerta del
tiristor). En consecuencia, se producirá una pérdida de ángulo de conducción, a, al
principio de cada semiperíodo, lo que implica una ligera pérdida de potencia y, sobre
todo, la aparición de un frente abrupto de tensión, fuente indudable de parásitos.
En el caso del triac hay que destacar que este circuito conduce al disparo en el 1." y
3."r cuadrante, es decir, en las condiciones más favorables.
Para evitar la pérdida de un ángulo de conducción no despreciable al principio de
cada semiperíodo se puede sustituir el resistor Rs por un condensador Cs. La corriente de
puerta será entonces IG = Cs dv/dt.
Fig. 10-5. — Condiciones de

extinción y r e c e b a d o de un
triac en cada semionda, tras la
aplicación de la orden de cierre:
con un resistor Rs (a) o con un
condensador Cs (b).
©
Con res/sfor Rt
Con condensador C*
Carga Carga
1N1695
Interruptor serie Interruptor paralelo
Fig. 10-6. — En a, el interruptor en serie con la puerta ordena la entrada en conducción del
tiristor al cerrarse, mientras que en b el tiristor entra en conducción cuando se abre
el interruptor.
112 T1RISTORES Y TR1ACS
La dv/dt es máxima en las cercanías del cero de tensión V, y por tanto para el valor
teórico (2 ir/T). Vmax. El disparo tiene lugar pues siempre en las proximidades del
comienzo de cada semiperíodo (fig. 10-5) siempre que:
"" Vef ‘ 2n V2’

donde Im es la sensibilidad de puerta en el caso más desfavorable.
Por ejemplo, para t ^ 20 ms y V ef = 220 V se obtiene un valor de C. en microfarad,
superior o igual a 10 IGT (donde I se expresa en ampere).
4. Interruptores serie y paralelo
En el montaje de la figura 10-6 a el interruptor Si va colocado en serie con la

puerta, por lo que el funcionamiento es el descrito más arriba.
En la figura 10-6 b, en cambio, se ha dispuesto el interruptor (designado S_.) en
paralelo; el disparn ti^ní* así lugar en la apertura de S2.
CAPITULO II
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS:

MANDO SÍNCRONO
1. Fundamentos
Como se indicaba en la figura 10-4 b, puede sustituirse ventajosamente un

interruptor mecánico de c.a. por un triac o una combinación de dos liristorcs, En lo
sucesivo, los esquemas representarán el caso del triac, entendiéndose que pueden ponerse
en su lugar dos liristorcs en antiparalelo, sin más que interponer un transformador de
mando con dos arrollamientos secundarios.
Cuando se abre el interruptor de control S, el triac continúa conduciendo hasta que
termina el semiperiodo de corriente. El bloqueo se hace pues siempre en las proximidades
dei cero de corriente en la carga, lo que evita la aparición de parásitos de ruptura.
Cuando se mantiene cerrado el interruptor S. el triac se desceba al final de cada
semiperíodo. Si permanece la corriente de puerta, o si el cebado es por condensador serie, el
triac se cebará de nuevo en cuanto empiece el semiperíodo siguiente, luego sin crear
tampoco parásitos de conmutación.
No obstante, subsiste un cierto riesgo de generación de parásitos en el instante mismo
de cierre de S si este cierre se hace en forma aleatoria (esto es, con una elevada
probabilidad de poner en conducción el triac en un momento en que la tensión presenta un
valor importante). Este inconveniente se puede evitar si se preve algún dispositivo que
impida el disparo fuera de aquellos instantes en que !a tensión es muy reducida. Ésta es la
misión de los “interruptores síncronos” que describiremos a continuación.
La figura 11-1 es el esquema de un circuito de uso muy corriente que permite realizar
esta función. Las formas de onda con él obtenidas son las representadas en Ja figura 11 -2,
El circuito consta, en esencia, de:
— Un detector de cero de tensión. P, conectado a la entrada de la red (caso 1) o bien al
ánodo A2 dd triac {caso 11);
— Un comparador O cuya salida sólo se activa cuando el detector indica un paso por cero
de la tensión (o un paso por debajo de una cierta tensión de umbral V*, de algunos volt);
— Un interruptor de mando S con el que se puede inhibir la salida del comparador, al
situarlo en su posición de “reposo";
— Un generador de corriente de puerta, controlado por la salida dei comparador.
Mientras S permanece cerrado el comparador Q está inhibido y la corriente de
puerta es nula (triac no conductor). La apertura de S pone en servido a O;
114 TlHíSTORES r TRIACS
pero la salida de este último no se activará sino en las proximidades del instante t de paso
por cero de la tensión de red (detectado por P).
El condensador C], situado a !a entrada dei detector, introduce un libero desfase con
el fin de asegurar el disparo efectivo del triac, haciendo llegar el impulso de mando cuando
existe ya alguna tensión en el elemento.
CARGA
Fig. 11-1. — Esquema de bloques de un interruptor síncrono con triac.
APERTURA da S CIERRE de S
Fig. 11-2.—Curva* relativas al funcionamiento del circuito de la figura precedente sobre

car ga resistiva con débil componente inductiva.
Modo i. — Si la alimentación del detector se toma directamente de la red (caso J)t los
impulsos de puerta cesarán poco después del paso por cero de la tensión (la duración del
impulso de puerta viene fijada por el condensador Ci), Esta modalidad de disparo es válida
cuando se trata de una carga resistiva o ligeramente inductiva (eos rp cercano a I),
Modo //. — Si la carga es fuertemente inductiva resulta indispensable prolongar el

impulso de puerta durante una importante fracción de cada semionda. En régimen estable
esto no presenta ningún inconveniente, pero en cambio sí existe el riesgo de que la apertura
del interruptor de mando se realice dentro del ángulo ip bajo una tensión no nula.
GOBIERNO DE nmSTORES > TRtACS; MANDO SÍNCRONO 115
Si esta probabilidad de error se considera prohibitiva es preferible usar un impulso

breve en d cero de tensión para el primer cebado dd triac y, una vez logrado éste,
prolongar el impulso de corriente de puerta hasta el termino de cada semionda.
Para lograr esto basta tomar la señal Vi para el detector a partir del ánodo A, dd
triac (caso II de la figura).
Mientras el triac no conduzca, d detector estará alimentado 3 través de la carga y
funcionará al paso por cero de la tensión de red tras la apertura Ue S. Una vez cebado el
triac se anula la tensión aplicada al detector con lo que la corriente de puerta se mantiene
durante todo el tiempo que permanezca abierto S,
Finalmente otra posible solución para el funcionamiento sobre carga inductiva es la
de usar como generador de corriente de puerta un liristor o un triac auxiliar, que
permanecerá cebado hasta el término dd semiperíodo.
2. Detector de cero-comparador
El detector-comparador puede ser uno cualquiera de los circuitos representados

en la figura 11-3. Los esquemas a y b corresponden a dos circuitos en que el detector es un
puente rectificador de onda completa y el comparador un simple transistor T(,
En la figura a, d puente rectificador P está alimentado por un devanado (flotante) dd
transformador; d transistor Tj funciona como amplificador de tensión sobre el resistor
mientras la tensión alterna Vj sea superior a la tensión de umhral V s (proporcional a la
tensión directa base-emisor V|(í;, de Ti), d transistor conduce y mantiene baja la tensión Y*
de salida. Si está abierto S. \\ subirá a 4- V„ durante los cortos intervalos de tiempo en que
V> es inferior a V*.
El montaje es interesante cuando se exige que el circuito de disparo esté aislado de los
cables de red.
En Ja figura b d puente rectificador está alimentado directamente por la red (o por la
tensión de ánodo de Ad a través del resistor R|. El transistor T t funciona siempre en emisor
común durante la semionda positiva y su tensión de emisor permanece fija en
aproximadamente 0,7 volt positivo, debido al diodo Di del puente. En cambio, durante la
semionda negativa T, funciona en base común y el emisor queda alimentado a través de Rt.
Para evitar la disimetría de fases entre las sem¡ondas positivas y las negativas es
preferible usar el transistor T, como etapa de ataque para un transistor suplementario T-j
montado en emisor común.
En las figuras 11-3 a y h el transistor Ti es un NPN. Se podría igualmente invertir los
tipos de transistor (PNP en lugar de NPN y viceversa), invirtiendo también las polaridades
de) puente y de la alimentación V„; la señal X de salida seria entonces de polaridad
opuesta.
El esquema de la figura 11-3 c corresponde a un detector-comparador con dos
transistores complementarios; Ti conduce durante las sem ¡ondas negativas y T 2 durante
las positivas. Si está abierto S, aparecerá en X una señal mientras estén bloqueados los dos
transistores. Ti y T2, lo que corresponde al paso por cero (o por una tensión inferior a V s)
de la tensión de red.
116 TIRISTORES Y TRfACS
Fig. 11-3.—Tres esquemas típicos de circuitos detectores de cero-compare dores para el dis-
paro síncrono.
3. Interruptores síncronos
En las figuras 11-4, 11-5 y 11-6 se dan algunos ejemplos de esquemas de interruptores
síncronos realizados según el principio que acabamos de analizar.
El esquema de la figura 11-4 corresponde al interruptor síncrono obtenido partiendo
del detector-comparador de la figura ll-3a y el mando de puerta Ai de la figura 1U-3. El
circuito opera según el “modo V* y su salida son pues impulsos de corta duración.
Si la alimentación de c.c. se loma mediante un transformador Tr y se interpone un
transformador de impulsos TjCa entre ei transistor de mando y la puerta del triac,
quedará todo el circuito de mando aislado de la red.
No obstante, por el hecho de operar en modo I, el circuito está previsto en principio
para carga resistiva. En la figura 11-5 se indica una modificación que consiste en usar un
pequeño triac auxiliar a la salida del circuito para atacar a un triac de mayor potencia.
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS: MANDO SINCRONO 117
Fig. 11*4.— Interruptor síncrono aislado da La red y operando según el modo I descrito en
el texto (carga resistiva).
CARGA CARGA
Fig. 11-5,*—Variantes del Interruptor síncrono precedente para carga de 100 A con compo-
nente: (a) débil o (b) fuertemente inductiva.
En d circuito a d triac auxiliar amplifica y alarga el impulso de corriente de puerta,

con lo que la carga puede ya presentar una componente inductiva.
En c\ esquema b se ha montado un triac auxiliar en la contüg.uraüián. Cl da )a figura
[0*3. con Jo que la carga puede ser incluso fuertemente inductiva. Por otra parte, las
excelentes características en dv/dt de los "Alternistors” TKAL recomendados en estos
montajes se prestan bien a este tipo de funcionamiento sobre carga inductiva.
118 riRÍSTORES y TRIACS
La figura 11-6, finalmente, da dos ejemplos de interruptores síncronos que operan en

“modo II", por io que son pues utilizables con una carga de eos q cualquiera (por ejemplo,
un motor).
CARCA
Ftg. 11-6. — Ejemplos de Interruptorei síncronos operando según el modo H descrito en ef

tonto.
El circuito a emplea el detector-comparador de la figura 11-36 y la salida de tipo A2

de la figura 10-3,
El circuito b emplea el mismo puente rectificador en la función de detección de cero y
en la de mando de puerta, de tipo C2 (véase la figura 10-3). (La protección contra Ja di/di
es algo peor que en el montaje at debido a la subida relativamente lenta de la corriente de
puerta.)
La firma Silec Semi-Conducteurs ha puesto a punto un sistema basado en un
principio diferente. Consiste en disparar el triac T t mediante el tirístor auxiliar, el cual,
como muestra la figura 11-7, lleva una puerta de ánodo.
Para que circule corriente entre los electrodos g y k de T* y, por tanto, se aplique
corriente de puerta a Tt a través del puente rectificador P, la caída de tensión V 4 en Ti ha
de ser inferior en valor absoluto a la diferencia de tensión v entre ánodo a y cátodo k de TV
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIACS: MANDO SINCRONO 119
Si se escoge para v un valor de, por ejemplo, 3 V, el disparo do T s no se producirá

más que en los instantes en que el valor de la tensión de alimentación alterna descienda por
debajo de unos 2 V. Se obtiene pues un disparo a tensión nula mientras se aplique una
tensión v entre terminales del tiristor T^,
CAflGA
Flg. 11-7. — Sistema de mando síncrono desarrollado por Sílec Semí-Conducteurs,
La tensión v puede ser positiva de c,c. También se puede emplear una tensión alterna
procedente de un oscilador T3í lo que permite aislar los circuitos de mando. En este caso, !a
señal V, puede ser la tensión de alimentación del oscilador.
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T.emoo
-
Fig. 12-1. — Principios relativos al control de potencia: (a); por todo o nada (b); por impul-
sos de ancho variable (c); por impulsos de frecuencia variable (d); por ángulo de conducción
para un tiristor (e); con diodo inverso (f); para un triac, o en onda completa (g); por conmu-
tación síncrona (a tensión nula) (h).
VARIACIÓN DE POTENCIA POR MANDO SINCRONO 121
• En c.a., y en control de media onda, aplicar las semiondas con un ángulo de fase
variable (e).
• Actuar de idéntica forma en onda completa, dejando siempre intacta una de las
semiondas (/).
• Actuar sobre el ángulo de fase de las dos semiondas (#).
• Conmutar a tensión nula y aplicar períodos o semiondas enteras (/*).
Fig. 12-2. — Circuitos básicos en

el control de potencia: por ángulo
de fase en media onda (a); con
diodo en antiparalelo (b); por
t r i a c o en onda completa (c);
con c a r g a alimentada en c.c.
(d).
Según el caso y las necesidades se puede montar la carga como indican los esquemas
de la figura 12-2, de los que pueden aún encontrarse otras variantes. En ella encontramos
otra vez algunas de las ondas dibujadas en la figura anterior. Con el puente rectificador que
eventualmente puede añadirse se obtienen por ejemplo los esquemas de la figura 12-3.
122 TÍRISTORES r TRIACS
Fig. 12-3. — Configuraciones clásicas: con llristor y carga en c.a, (s)¡ o en c.c. (b); con dos
Ur i atores y carga en c.a, {c) o en c.c. (d); con triac (o).
Fíg. 12-4. — Principio del r e c o r t e asincrono por

muillvibrador. Los terminales de salida se conec-
tan a los correspondiente* de los montajes de las
figuras 11-4 y 11-7.
1. Control por paquetes de semiondas o de períodos enteros
Cuando e! tiempo de respuesta de! sistema puede superar en mucho □! período de ta

c,a. de alimentación sin inconvenientes, el método de variación de potencia más usual y
cómodo es ei indicado en (6), en la figura 12-1» o el circuito mejorado, con control a tensión
nula (caso h).
Para obtener este último circuito basta usar uno de ios interruptores síncronos
descritos en el capítulo precedente, sustituyendo S por un control electrónico. Se puede por
ejemplo usar un muítivibrador (fig. 12-4) conectado en Y en el esquema 11-4 y sus
variantes 11-6 ó 11-7. E) tiempo Tu en la figura 12-5, determina el número de semiondas
que recibe la carga y el tiempo fija el número de semiondas "suprimidas” dentro de cada
período de recorte.
Gracias al funcionamiento síncrono del interruptor a triac se hace siempre pasar un
número entero de semiondas, cualesquiera que sean la fase, período o Tactor de simetría
del muítivibrador.
No obstante, este número puede ser par o impar. Se ve claramente en ia figura 12-5
(curvas r) que un número impar de semiondas introduce en la carga una componente
continua. Si esto fuera perjudicial (como suele ocurrir cuando el cir
cuito de utilización lleva bobinas) sería preferible recurrir a un recorte por períodos
enteros (curvas d de la figura 12-5).
Una de las soluciones consiste en obtener la señal de recorte a partir de un generador
de escalera cuyos “escalones” tengan una duración igual al período de la tensión de red (fig.
12-6).
TENSIÓ
N DE
RED
Señal de
recorte
® _r © — © asincrono
A.
V n2 CORRIENTE en
la carga
— (supresión de
semiondas)
\
CORRIENTE en
la carga
(supresión de
períodos)
SEÑAL de
© —l recorte
síncrono
Fig. 12-5. — Principio de la variación de potencia por supresión de semiondas o de periodos

enteros.
Fig. 12-6. — Recorte síncrono por

paquetes de semiondas
enteras, aplicable igualmente a
los esquemas 11-4 a 11-7.
Para períodos no muy largos de recorte (hasta de 0,5 s), este generador puede estar
constituido simplemente por un detector de pico media onda de gran constante de tiempo
seguido de un sistema de descarga con un transistor uniunión (figura 12-7).
En cualquier caso, estos circuitos pueden incluirse en una cadena de regulación. La
tensión de c.c. Vr, procedente de un captador, controla la relación de forma de la señal de
recorte, actuando sobre las duraciones de las señales del multivibrador (fig. 12-4) o sobre el
valor de umbral del comparador O, en el circuito de la figura 12-6.
Otra solución sería conservar el recorte síncrono de la figura 12-4, pero conformando
la salida del interruptor síncrono de modo que el disparo del triac en una semionda
imponga automáticamente la conducción del mismo durante la semionda siguiente.
La figura 12-8 es el esquema de un circuito de mando por períodos enteros (pares de
semiondas) para un triac. La presencia de una señal X de mando en la
i 24 T1RISTORES Y TRIACS
puerta del liristor Th, precisamente al principio de una semionda positiva, provoca su
conducción y, por tanto, también la del triac, Éste aplica la tensión a la carga R L,
permitiendo Ea carga de C a través de R y D durante esta semionda. Al terminar ésta se
bloquea el triac, pero en cuanto empieza la semionda negativa vuelve a cebarse por efecto
de la corriente de descarga de C.
Flg. 12-7, — P a r a obtener la

Sincronización en p e r i o d o *
completos (y no en semionda*}
■e puede recurrir a este món-
tale con UH siempre que el
periodo de recorte no exceda
de 0,5 s.
Fig. 12-0. — Circuito de mando de puerta para pe

ciados completos.
La conducción del trjac en la semionda positiva implica pues automáticamente su

conducción durante la siguiente semionda negativa. Hay que notar que el disparo del triac
tiene lugar por extracción de corriente de puerta, con los inconvenientes ya señalados.
Hay que destacar también que este circuito dificulta la protección contra las dv/dt de
tensión por redes RC en paralelo con el triac.
2. Variante para el gobierno de dos tiristores
Puede usarse un sistema análogo para el control síncrono por períodos enteros de dos
tiristores, tal como indica Ja figura 12-9. Los tiristores principales son Th 2 y Th.-ii la
corriente de mando ataca a la puerta de Th- a través del condensador Ci, que introduce un
desfase de 90°. La corriente de puerta es así máxima en el momento preciso en que el ánodo
de Th- empieza a ser positivo con respecto al cátodo; el tiristor empezará pues a conducir
precisamente al principio de la semionda positiva.
El diodo Di protege la unión cátodo-puerta contra la inversión de polaridad en las
semiondas negativas. Se usa aquí un zencr a fin de suministrar simultáneamente una
tensión continua para Thj; el resistor R, en serie con Q, reduce entonces las corrientes de
pico debidas a eventuales transitorios en la red.
Cuando conduce, el tiristor auxiliar Th] (que no tiene efecto alguno mientras no esté
disparado) e o ríete ircuita la unión cátodo-puerta de Th-, manteniendo así bloqueado a este
tiristor.
Finalmente, el segundo tiristor de potencia Th 3 es un elemento gobernado por Tho.

En efecto, cuando conduce este último, aparece una tensión en la carga, que sirve
justamente para cargar el condensador C2 con una polaridad constante garantizada por la
presencia del diodo D2. Al término de la semionda considerada se descarga C2 gobernando
la conducción de Th3 al invertirse la tensión de red.
Fig. 12-9. — Principio del mando

síncrono de los tiristores Th> y
Thi (a), y variante para asegurar
el desbloqueo del tiristor auxiliar
(b).
Como variante de este montaje se puede recurrir al esquema de la figura 12-9 b en el

que se ha dispuesto un resistor en serie con la carga. La caída de tensión que en él se produce
sirve para cargar el condensador C2. A pesar de la necesidad de adaptar el resistor a la carga
usada, resulta a veces interesante este montaje debido a que la disipación queda reducida
con bajos niveles de corriente.
En la figura 12-10 se incluyen algunas curvas que ilustran el funcionamiento de estos
circuitos. Se verá que, según que esté o no disparado Thi, la carga recibe períodos completos
o una corriente nula.
Tensión
de red
«wvww (Mando de ,
Aplicación de puerta l
serial de puerta aplicado i
Serial de mando
aplicada después
a Thi del principio oe
antes del - I Fig. 12-10. — Curvas caracte-
principio ciclo
/ rísticas de tensión y comente
Tensión de /
ánodo de obtenidas en los montajes de
Thi las figuras precedentes.
Corriente en
la carga
Corriente de puerta de Thj
3. Control por paquetes de períodos enteros mediante un circuito integrado

(pA 742)
En el circuito integrado pA 742, de Fairchild, se obtiene el disparo a tensión nula por

períodos enteros mediante un condensador de memoria, Cj, y un interruptor de dos
niveles que descarga parcialmente el condensador al principio de
126 TtR/STORES Y TRJACS
cada semionda y, luego lo descarga ya totalmente al principio de la semionda siguiente (fig.

12-11),
En la figura 12-12 se representa el esquema de principio de este “interruptor de dos
niveles”. El detector de cero está formado por los dos transistores Tj y T=
1
i | syn CARGA
I_______________I
Fíg, 12-11. — Esquema sinóptico del JJA 742 aplicado a un montaje típico.
interruptor fíe dos niveles
Fíg. 12-12. — Interruptor de

dos niveles del pA 742,
que hacen entrar en conducción, respectivamente, a al principio de la semionda positiva y a

T¡ ai principio de Ja semionda negativa (T 3 y Tt son tiristores con puerta de ánodo), El
diodo zencr tiene la misión de limitar a unos 8 V la tensión residual de C, tras la semionda
negativa. La corriente de disparo para la semionda positiva siguiente la suministra ia carga
residual correspondiente a esa tensión.
En el capítulo 20 se encontrarán algunos esquemas de aplicación de este circuito
integrado que se cita aquí por lo especial de sus características.
CAPÍTULO 13
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS: VARIACIÓN

DE POTENCIA POR ÁNGULO DE CONDUCCIÓN
1. Principios
Si la variación ha de producirse con una constante de tiempo relativamente corta

(por ejemplo, si se trata de variaciones de luz en un sistema de iluminación) es necesario
recurrir al recorte de las semiondas de tensión alterna. Lo más cómodo, cuando se emplean
interruptores con tiristores o triacs, es adoptar las modalidades / o # de la figura 12-1.
Las relaciones entre potencia suministrada a la carga (resistiva, en los casos
considerados) y máxima potencia posible, y entre tensiones, de cresta Vp (máxima en estado
conductor), Vp, (eficaz) y media, vienen indicadas en las figuras 13-1 en función del ángulo
de conducción (a) o de bloqueo (tp), según que se trabaje con semiondas o con períodos
completos.
El recorte de la onda de la tensión de alimentación introduce armónicos de orden
elevado que pueden perturbar la recepción de las ondas radioeléctricas. Es pues necesario
dotar a los circuitos variadores de potencia por recorte de tensión de un filtro
antiparasitario del que se indican dos esquemas posibles en la figura 13-2.
El principio general del gobierno por ángulo de conducción consiste en retardar
sistemáticamente el instante de disparo introduciendo una constante de tiempo, obtenida
por lo general mediante un circuito RC (fig. 13-3).
En efecto, el condensador se carga a través del resistor R s, retardando el momento en
que se alcanza la tensión de cebado. La forma de onda de la señal de salida es entonces sólo
una fracción de la semionda positiva, reduciéndose así el valor medio de la corriente en la
carga.
La temporización depende de:
• La constante de tiempo Rs C;
• La pendiente de la tensión de ánodo.
En este circuito, el diodo D t descarga el condensador durante el semiperíodo negativo

evitando la aplicación de una fuerte tensión negativa a la puerta.
Actuando sobre el resistor Rs disponemos pues de un medio cómodo para hacer
variar el ángulo de conducción. En el montaje de la figura 13-4, este resistor R es un
potenciómetro y el ángulo de bloqueo a, durante el cual no puede pasar corriente, varía
aproximadamente entre 0 y 180°.
= Bfigulo de bloqueo
Ot - ángulo de conduce MÍ n
@ Angulo do bloqueo * (grados) FJg. 13-1. — C u r v a s características

del control do potencia por ángulo
Ó = ángulo de bloqueo do conducción en se m ion da (a) y en
-<* ángulo de Conducción (^+*<=100*
onda completa (b).
Angulo de bloqueo <t> (grados)
El diodo Da sirve para cargar negativamente la armadura superior del condensador

durante el semiperíodo negativo, lo que permite que el ciclo empiece siempre a partir de un
nivel constante de carga.
Como la corriente de cebado la suministra la tensión de red a través del resis tor R, el
condensador debe permitir una corriente de carga grande comparada con l OTj aún para
ángulos pequeños de conducción.
VARIACIÓN DE POTENCIA POR ÁNGULO DE CONDUCCIÓN 129
Fig. 13-2. — Dos ejemplos de

filtros antipara el tari os usados
junto con el mando por ángu-
lo de fase. En a, filtro de una
célula para débiles potencias
(L es de unos pocos mili he n-
ry) y de p é r d i d a s elevadas;
C: y R- sirven para amortiguar
CARGA L/a
las oscilaciones con, por ejem-
plo, C = 0,2 uF y ft = 270 Q,
En b, montaje de dos células
para p o t e n c i a s mayores; L
puede ser de a l g u n o s mili-
henry.
Fig. 13-3.—-Principio del man-

do retardado, debido a la car-
ga del condensador C.
ti
ISO TIRISTORES Y TRIACS
Hagamos notar la diferencia esencial entre los dos circuitos precedentes:

—■ En la figura 13-3 el resistor de puerta está alimentado directamente por la tensión
alterna Vs.
— En la figura 13-4 en cambio, el resistor de puerta está conectado al ánodo del liristor;
por tanto, la puerta se alimenta a través de la carga.
Fig. 13-4. — Disparo retardado

con alimentación a la puerta a
través de la carga.
< 1B0"
Tensión en la canga
2. Cebado por red RC y rectificación de onda completa
El mismo principio de cebado puede aplicarse a un sistema con un único liristor en
el que se alimenta la carga con tensión rectificada de onda completa.
El artificio consiste en disponer el tiristor en la diagonal de un puente rectificador
(fig, 13-5), En este caso, la carga no puede ser inductiva.
VARIACIÓN DE POTENCIA POR ANGULO DE CONDUCCIÓN i$1
3, Disparo por circuito desfasador
Este montaje no se aplica más que para el caso tic alimentación en c.a., aunque la
carga recibe la alimentación en c.c. (fig. 13-6).
La red desfas adora lleva una bobina o un condensador. Al electrodo de mando se le
aplica una tensión alterna desfasada con respecto a la que ataca al ánodo.
Fig. 13-6. — Principio d*l disparo por red daifa «adora.
El potenciómetro Rc sirve para ajustar el ángulo de conducción entre 0 y 180°, para

cada una de las semíondas. El transformador con toma intermedia debe suministrar una
tensión de pico V€ igual o superior a 25 V, dependiendo el valor exacto de la misma del tipo
de tiristor usado. Puesto que el desfase varía con la frecuencia, deben respetarse algunas
otras condiciones:
• La L o la C del desfasador se escogen de forma que, siendo F la frecuencia de
alimentación, en hertz.
2JIFC 2
o
2 JI FL ---------------9
donde:
C =■ capacidad, en farad;
L = inductancia, en henry.
• El resistor serie de puerta, R*, medido en ohm, debe cumplir la relación:
Vi: — 20
R« —
0,2
132 TIRISTORES Y TRlACS
• Finalmente, el resistor de temporización R<; debe ser:
Re > 2jpC o R0 > 2 iFL-10
4. Disparo mediante circuitos con semiconductores (generalidades)
Si bien los circuitos de disparo RC presentan ía ventaja de su sencillez, también

presentan dos tipos de inconvenientes:
— La red RC debe adaptarse a cada tipo de tiristor.
— Toda la corriente de cebado pasa por el resistor, que disipa así una potencia no siempre
despreciable.
La solución inversa, que consistiría en acumular la energía útil, para suministrarla
bajo forma de impulso en el momento deseado, permitiría, por el contrario:
• Sobrealimentar la puerta, lo que está autorizado hacer en régimen de impulsos,
Consecuentemente se podrían aceptar tolerancias muy amplias para las características del
circuito de disparo;
• Reducir la potencia consumida al valor de la potencia estrictamente necesaria (o casi);
• Todo esto usando sólo componentes modestos, incluso para el caso de liristores
importantes.
Este funcionamiento se logra, naturalmente, acumulando la energía necesaria en un

condensador que se descargará después sobre el circuito de puerta del tiristor, a través de
un dispositivo ltad hoc”,
Por lo general este último será un circuito de relajación que aproveche los fenómenos
de resistencia negativa. Conviene entonces examinar aquí sus características generales.
Consideremos pues el relajador de la figura 13-7 a; el dispositivo tiene una tensión de
disparo Vs, una corriente de disparo 1S, y una tensión y una corriente de mantenimiento, Vn
e Ix¡.
Su curva característica se ha representado en b con dos rectas de carga co-
rrespondientes a dos valores diferentes de resistencia. Si aumentamos Ri al valor máximo
que mantienen las oscilaciones, vemos que su recta de carga corta a la curva característica
del dispositivo en un punto (1) en que la pendiente de la resistencia negativa es igual a la de
la recta de carga de R2, Ese punto, situado muy cerca de V s y de ís no es, empero,
exactamente el mismo, ya que Jas especificaciones de estos parámetros se dan para el punto
preciso en que la pendiente de Ja característica es vertical, lo que representa una
resistencia dinámica nula.
Cuando se alcanza el punto de disparo (1), el punto de trabajo se desplaza a (2),
descargando así el condensador con una punta de corriente ip y produciendo una punta de
tensión ep en el resistor de carga Rj (en el que se incluye igualmente la impcdancia
presentada por la puerta del tiristor). La descarga del condensador lleva de nuevo el punto
de trabajo de (2) a (3) donde la pendiente de la resistencia negativa es otra vez tangente a la
recta de carga. El punto de trabajo pasa entonces de (3) a (4), el condensador vuelve a
cargarse a través de Ri y la oscilación prosigue.
Rg- 13-7. — Principio del disparo de tirístores por generador de Impulsos.
Si se modifica Ri haciendo que tome el mínimo valor que permite la oscilación, su

nueva recta de carga corta a la característica del dispositivo en el punto (3). Todo valor
inferior tiende a dejar el dispositivo en conducción, en un punto de funcionamiento estable
situado entre {2) y (3). Por el contrarío, si aumentamos Rj por encima del valor máximo
que permite la oscilación, el dispositivo queda en un punto de funcionamiento estable
situado entre (1) y el origen.
Un parámetro muy importante y que no está especificado en muchas ocasiones es el
tiempo de conmutación o tiempo de subida. Un dispositivo que conmute lentamente de (1) a
(2) no llegará jamás a este punto, ya que el condensador se irá descargando gradualmente;
el punto de trabajo cortará a la característica en algún lugar entre (1) y (2). Este tiempo de
conmutación puede ser un importante factor restrictivo si no resulta despreciable
comparado con la constante de tiempo de descarga CR^. Para valores grandes de CRa,
superiores a 10 veces el tiempo de conmutación, la tensión de impulsión, ep es simplemente
igual a la diferencia entre la tensión de disparo Va y la caída de tensión directa en
conducción VF.
En estas condiciones, podemos determinar la amplitud de pico del impulso de
corriente examinando el punto de corte de la recta de carga con la característica.
Cuando CR2 es pequeña, del orden del tiempo de conmutación, ep e ip se ven
reducidos simultáneamente por i a resistencia aportada durante la conmutación por el
dispositivo.
Como ios efectos del tiempo de conmutación no aparecen siempre con cía-
Caracte
rística UJT SUS Diac Neón
v. v, vs V/
1» I, h ras
vn
V„ VH %
1, hi
eP Voai % e„ h
ir
Precisadas ya estas pocas nociones, vamos a examinar ahora las condiciones de

cebado, usando distintos elementos, y empezaremos por el transistor uniunión,
5. Disparo por ÜJT
5.1. Fundamento»
El transistor uniunión (UJT) se utiliza muy frecuentemente en el disparo de tiristores

pues permite realizar un excelente relajador con muy pocos componentes.
El circuito básico utilizado para el disparo de tiristores es sencillamente un circuito
de relajación como el de Ja figura 13-8, En este circuito el condensador Ci se carga a través
de Ri hasta que la tensión de emisor alcanza el nivel V ti; en ese momento, el UJT bascula y
se descarga sobre Rni. Cuando la tensión de emisor cae a un valor de unos 2 V, el emisor
deja de conducir, el transistor uni- uníón se bloquea, y vuelve a empezar el ciclo.
El período de oscilación T, que es prácticamente independiente de la tensión de
alimentación y de la temperatura, viene dado por:
T - 4- - R! C, l0gp - 1 = 2,3 Rj Ct logio . 1

t I — ti 1 — ri
Para un valor nominal aproximado de la relación intrínseca q de 0,63:
T = R, Ci.
Las condiciones de establecimiento de un circuito de disparo con UJT no son muy
rigurosas. Generalmente se limita Rj¡i a un valor inferior a 100 íí aunque pueden
encontrarse en ciertas aplicaciones valores de 2.000 ó 3.000 Q.
VARIACIÓN DE POTENCIA POR ANGULO DE CONDUCCIÓN 135
El resistor Ri tiene un valor comprendido entre 3 kí¿ y 3 MQ; el límite inferior para
R| se debe al hecho de que Ja recta de carga de Ri y V t debe cortar a la curva característica
de emisor en 3 puntos para que el UJT bascule.
*V,
Hicin
la puerie
d*i Itrlator
Fig. 13-B. — El UJT como ge-

nerador de impule oí.
*Jl______/l
El límite superior de Ri está determinado de forma que la corriente de pico de emisor
permanezca superior a [,, a fin de que pueda bascular el transistor uni- unión.
La tensión de alimentación debe situarse en una gama comprendida entre 10 y 35 V;
esta gama está determinada, por abajo por el mínimo valor aceptable de la señal de disparo
obtenida, y, por arriba por la potencia máxima admisible por el UJT,
Si se aplica el impulso de salida (Vm) del circuito de la figura 13-8, directamente o por
medio de resistores en serie, a las puertas de fos tirisiores, el valor de RBI ha de ser lo
bastante pequeño para evitar que la tensión continua producida por la corriente de
interbase tome un valor superior a la tensión máxima de puerta VC.T que no ceba el tiristor
(para la temperatura de unión máxima a la que debe funcionar el dispositivo).
5,2, Determinación práctica del circuito

La determinación práctica de un circuito de disparo se hace fácilmente partiendo de
familias de curvas como las de la figura 13-9, relativas al UJT tipo 2N2647. '
1
3
6
T
I
R
IS
T
O
R
E
S
V
T
R
Í
A
C
S
Flg, 13-ft. — Familia de curvas para determinar las condiciones de disparo seguro en un tlrlstor medíante un UÍT (2NZ64Í).
Estas curvas indican la tensión de alimentación mínima, Vi, necesaria para obtener
un cebado seguro en la gama de temperatura mencionada, en función de la capacidad de
emisor Ci y de la resistencia RBl o del transformador de acoplo.
El resistor Ri no interviene mientras que permita la ose ilación: generalmente se
aconseja intercalar un resistor en serie con la base 2 o con la alimentación, de 100 íí o más
para evitar cualquier posible avalancha térmica.
5.3. Sincronización del UJT

Se puede sincronizar un UJT mediante un impulso que reduzca la tensión ín- terbase
o la de alimentación, y esto en cualquier momento del ciclo (fig. 13-10). Este impulso
reduce, en efecto, la tensión de pico, Vp, de disparo del UJT.
Fig. 13-10, — Sincronización

de un UfT.
En la hgura 13*11 se han indicado dos formas de obtener la sincronización a partir

de la red. Se utiliza una tensión rectificada de onda completa, obtenida por ejemplo de un
puente, tanto para La tensión de alimentación como para la sincronización del circuito de
disparo.
El diodo zencr Zj sirve para limitar y regular los picos de tensión. Al término de cada
semionda la tensión de la base 2 de Qi cae a cero, lo que provoca el disparo de Qi- Los
condensadores C] están pues descargados al empezar cada semiperíodo, por lo que los
circuitos están sincronizados por la tensión de red
US TÍRtSTORES Y TRIACS
En el esquema a se obtiene un impulso de salida al final de cada semionda. lo que

produce d cebado del Liristor que deja pasar una pequeña corriente a la carga* Si no se
desea que ocurra esto, se puede utilizar un segundo UJT para descargar el condensador al
final de cada semiperíodo (en £>)■
zm £TD
--------
C. A.
rectificada
onda
completa
Hacia
<■ puerta
del tirtator
©
M nnn
Hacia
la puerta
d*l nnator
Fig. 13-11* — Dos formas do sincronizar un UJT a partir de fa red.
El diodo y el condensador C2 suministran una tensión de alimentación de c.c*

constante a 02, La tensión existente en Q* cae a cero al término de cada semionda, lo que
produce la descarga de Cif más a través de Qt que a través de la carga Rm* Hay que
escoger Oí de modo que su relación intrínseca q sea superior a la de 02.
6. Disparo mediante SUS y SBS
El conmutador unilateral (SUS) se usa para disparo de tiristores según el esquema de

principio de la figura 13-12. El SUS proporciona impulsos de salida de amplitud superior a
3,5 V (en los terminales de un resistor RH de 20 ü) capa
ces de disparar prácticamente cualquier tipo de tiristor. Además puede asegurarse la

sincronización aplicando una señal positiva a la puerta.
En la figura 13-13 se da un esquema práctico de montaje. La puerta del SUS vuelve a
la línea superior de alimentación lo que permite dispararlo en cada semiperíodo (por
ejemplo, en el negativo) de la tensión de alimentación; al hacerlo, descarga el condensador
que luego se cargará de nuevo a partir de un nivel fijo, durante los semiperíodos positivos.
El disparo por conmutador bilateral o SBS, que no es sino la asociación en
antiparalelo de dos SUS, se basa en los mismos principios (fig. 13-14).
SUS
Fig. 13-12. — Circuito de disparo con

SUS.
Puerta
(sincronización)
í
Carga
A130
<70kn
2<0V IMO SCR G20D Fig. 13-13. — Circuito comple-
'V/
é- 7" «GE) to con triac y SUS.
c. sus R
1
<*2p D13D1 100Q
F-
SBS
Fig. 13-14. — Esquema de principio

para el disparo por SBS.
La figura 13-15 da un ejemplo de montaje en el que se ha incluido un filtro simple

antiparasitario; el acceso a la puerta se ha dejado disponible. No obstante, este circuito
sigue siendo de principio, ya que en realidad adolece de una histé- resis cuyas causas
veremos más adelante. Comprobaremos que ha desaparecido aquí el diodo D de la figura
13-13; con elementos bidireccionales su empleo carecería de sentido.
140 TlRfSTORES Y TRfACS
Fig. 13'15. — Esquema prácti-

co de utilización del SBS- La
puerta queda disponible para
una eventual sincronización.
7. Disparo por diac
El disparo por diac se basa en los mismos principios y su empleo residía muy simple,
por Jo que veremos una gran variedad de esquemas de aplicación. En Ja figura 13-16 se ha
representado un esquema de principio.
En el capítulo dedicado al disparo de triacs volveremos a ocuparnos con más detalle
de este método para examinar un fenómeno específico, el de la histeresis.
Fig. 13-16. — Esquema de principio

para el disparo con diac.
8. Disparo por diodo Shockley
También el diodo de cuatro capas puede servir para disparar un tiristor, aunque el
circuí lo es sensiblemente más complejo (fig. 13-17),
El diodo de cuatro capas Di suministra una onda diente de sierra (V A) que se
superpone a la tensión continua ajustable aplicada al cátodo de D 2 para gobernar su salida
de bloqueo. Las variaciones de tensión que resultan en Vi¡ se aplican a la puerta del tiristor
gobernado.
9. Disparo por lámpara de neón
La lámpara de neón presenta aproximadamente las mismas características básicas

que un diac, por un precio menor. No obstante, la corriente que suministra es bastante
débil y la tensión de cebado elevada. Una lámpara tipo 5AH (de GE), por ejemplo, se ioniza
entre 60 y 100 V y suministra una corriente de pico de 25 mA mín, sobre una carga de 20
ÍL
Fig. 13-17. — Disparo por dio-

do Shockley.
Carga
Fig. 13-18. — Utilización de pilotos

de neón, para disparo de un tiristor
(j>) Carga (a) o un triac (b).
Se puede pues recurrir a este tipo de gobierno por razones de economía, cuando se
ataque un tiristor de corriente de puerta IGT débil, y cuando se admitan grandes márgenes
de tolerancia. En la figura 13-18 se dan dos esquemas de montaje.
10. Disparo por transistores
Por su rapidez, los transistores pueden suministrar impulsos de mando con tiempos
de subida di/dt muy cortos, inferiores en mucho a los 0,5 a 5 us característicos de la
mayoría de los sistemas de disparo precedentes. Por ello, la Ge-
¡4
2
TI
♦ V* > 2 * V
RI
S
T
HICIA l'4 O
puerta del
tJriator R
E
_nL S
Y
T
Ir
ip * 1 A
p 0,2 p» Rl
ip - í pe A
C
S
®
©
®
Fig. 13-19, — Oscilador de bloqueo controlado por multivibrador y empleado para disparar un tíristor,
neral Electric propone dos circuitos transistorizados, uno con un oscilador de bloqueo, y otro
con un flip-flop.
El oscilador de bloqueo (fig. 13-19) está controlado por un multivibrador y produce
impulsos de 1 A con un tiempo de subida de 0,2 ps y un ancho de 3 microsegundos.
El flip-flop (fig. 13-20), controlado por un UJT, produce ondas cuadradas de ± 7 V y
más de 800 mA.
Estos dos circuitos permiten usar el tiristor como interruptor en una red de c.a.
conservando aislado el devanado de mando, que funciona en c.c.
Modificando el montaje, estos mismos circuitos podrían servir para funcionamiento
en onda completa, por control de apertura, control de cierre, o gobierno por impulsos.
Hacia las puertas de los tiristores
\mmmm
Fig. 13-20. — Tiristores disparados por un flip-flop controlado por un UJT.
11. Disparo en onda completa mediante tiristor de arrastre

En el siguiente montaje (fig. 13-21) puede verse la forma de utilizar un tiristor
llamado principal, SCR2» para disparar otro tiristor, denominado de arrastre, con el mismo
ángulo de fase. Naturalmente cada uno de estos tiristores funciona en un semiperíodo de
diferente polaridad.
Cuando SCR2 está bloqueado, el condensador se carga y descarga a la frecuencia de
la red, sin que sea suficiente su tensión para cebar a SCRi.
Cuando SCR2 se hace conductor, gracias al circuito independiente de cebado que se
simboliza en el esquema por un rectángulo, la situación evoluciona de tal modo que la
tensión del condensador C se hace proporcional al ángulo de conducción de SCR2.
Esta situación implica entonces la conducción de SCRi, con el mismo ángulo que
SCRj.
i 44 TIR1ST0RES Y TRÍACS
12, Gobierno por un circuito especial (L1)

Pueden también concebirse circuitos de mando muy especializados, como el
designado L1 y producido por S.S.C„ en forma mono bloque. Este circuito opera por
variación del ángulo de conducción y ha sido diseñado para cubrir prácticamente lodos los
casos posibles de regulación y variación de potencia.
De hecho combina las siguientes características:
— Variación del ángulo de conducción de 0 a 180° eléctricos;
— Linealidad de la relación tensión de mando (0 a 5 V)/caída media de tensión en d
tiristor gobernado;
Cirtmlü de arrastre Circuito principal

Fig. 13-21. — Mando en onda completa con tiristor do arrastre.
— Trenes de impulsos de disparo suministrados durante d ángulo de conducción, de

potencia y rapidez suficientes para disparar tiristores, triacs o Altemistors de hasta 300 A,
en las mejores condiciones para evitar la fatiga en d\/di\
ALIME
N
V-------Ti mui mui
11“ íz. 13 %
TACIO 1+1
Ajuste jglf cero
SINCRONl Común,
-t ZACIÓN 7 montajes
I !II | trifásicos
í OSCILADOR \ |
INTEGR m OE CLOQUEO j
RECTIFI-
CA DOfl
A'
OOR
1o 2 COMPA
Red RADOR
^R^FL
no - < M J i + fi 9 Tensión do
5 „ Onda completa mando [0s5 V)
A . Media onde
Fig. 13-22. — Esquema do principio del circuito de mando L1.
Fig. 13-23. — Esquema básico para el montaje del circuito L1 en un sistema de variación de
potencia en monofásico.
Fig. 13-24. — Montaje del circuito L1 en trifásico.
— Aislamiento entre el circuito de mando y los tiristores gobernados.

En la figura 13-22 se da el esquema del circuito, indicando los números de
identificación de los terminales. Estos números se han incluido también en los esquemas de
aplicación para variación de potencia en monofásico, con dos tiristores en antiparalelo (fig.
13-23), y en trifásico con tres combinaciones tiristor- diodo (fig. 13-24).
10
CAPÍTULO 14
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS: DISPARO

POR AMPLIFICADOR MAGNÉTICO
1. Disparo por inductancia saturable
La inductancia saturable puede controlarse en c,c. o en c.a. y con ella se cb- tienen
ondas de frente abrupto.
Por lo general se la utiliza en forma de amplificador magnético (fig. 14-1), elemento
del que recordaremos a continuación las características fundamentales.
2. Amplificador magnético
Sea el amplificador magnético representado simbólicamente en la figura 14-2 a, con

un devanado de trabajo y otro de mando. El ciclo de liisléresis de su circuito magnético,
supuesto sin pérdidas, puede representarse como en !a figura 14-2/?.
Fig. 14-1. —Una señal de c.c. permite con-

trolar eí cebado de un tiristor actuando so-
bre la saturación de un bobinado con núcleo
saturable. Los resistores ñ y RL limitan la
corriente cuando se produce la saturación
del núcleo.
DISPARO POR AMPLIFICADOR MAGNÉTICO 147
Resistor
de carga
(en realidad
el tiristor)
(en el
devan
ado U
(en la
carga
R)
trabaj
o)
Fig. 14-2. — Montaje de un amplificador magnético (a) y curva característica de un circuito

magnético que se supone sin pérdidas (b). En (c) y (d) se representan las formas de onda
obtenidas con el amplificador bloqueado y parcialmente desbloqueado.
¡48 T1RISTORES Y TRlACS
La tensión de alimentación de c.a., u, y la corriente í del circuito de la figura vendrán

relacionadas por la expresión:
u = R¡'+n (d^/dt).
Mientras no se sature el circuito magnético, el punto de trabajo se desplazará sobre
la parte OA del ciclo en las sem ¡ondas positivas (las negativas [as bloquea el diodo). La
permeabilidad n es alta ya que la relación dB/dH tiene un valor muy grande; el devanado
presenta pues una impedancia muy elevada.
Si se hace circular ahora por el devanado de mando una corriente de c,c. que
produzca ampervuellas positivos, el punto de trabajo se desplazará a la zona AB y el
circuito magnético habrá entrado en saturación.
Puesto que dB/dH tiende a cero en esta zona, también tenderá a cero d$/dt y
quedará toda la tensión u aplicada a la carga R. Las formas de onda correspondientes son
las de las figuras 14-2 c y d, y, como puede verse, resultan muy adecuadas para gobierno de
tiristores.
No obstante, y éste es un punto importante, al no ser el ciclo real de histeresis como
el ideal de la figura sino más bien rectangular, interviene también en el proceso el
magnetismo remanente: La consecuencia es que el amplificador magnético permanece
saturado, y por tanto desbloqueado, en ausencia de corriente de mando.
Veamos ahora cómo se emplea el amplificador magnético.
3. Mando continuamente variable
En la figura 14-3 se ha representado un circuito típico de disparo por amplificador

magnético, que opera en un solo semiperíodo.
La señal de disparo aparece entre hs salidas (31 y (4) del transformador Tj. Cuando
no está saturado el circuito magnético de T-, su devanado 3-4 presenta una alta impedancia
a la señal de disparo, con Jo que la caída de tensión en Rri resulta débil.
Fig. 14-3. — Disparo por amplificador magnético en semíonda.

DISPARO POR AMPLIFICADOR MAGNÉTICO 149
En cambio, cuando se satura el núcleo de T 2, disminuye fuertemente la impedancia

de su devanado 3*4, apareciendo en R3 una caída de tensión que provoca el cebado.
El resistor limita a un valor aceptable la corriente de puerta; el resistor Ra, por su
parte, limita la tensión de puerta que produce la corriente de magnetización del devanado
3-4 de T*. evitando que el tiristor pueda dispararse antes de la saturación de T-j. El diodo
CR^. cumple dos finalidades diferentes: evitar la aplicación de tensión inversa a la puerta
del tiristor, y oponerse al paso por el devanado 3-4 de una corriente inversa que llevaría
fuera de saturación al núcleo de
La señal de mando se aplica a uno de los devanados 5-6 ó 1-2 de Tj, El devanado 1-2
funciona como “entrada de restitución”, dcsaturando el núcleo durante el semiperiodo
negativo. La tensión de dcsaturación aplicada puede regularse mediante el potenciómetro
Ri que fija también el ángulo de conducción del tiristor durante el semiperíodo positivo.
En lugar de R¡ pueden utilizarse igualmente otros circuitos, por ejemplo, una etapa
amplificadora transistorízada. Puesto que la potencia la suministra el devanado 5-6 de Ti,
este montaje no precisa fuente de tensión auxiliar.
Erlradfl
de
sarval
Fíg, 14*4. — Mando por circui-

to m a g n é t i c o saturable, en
todo o en nada: montajes pa- Ri
Carga
ralelo (a) o en serle (b). -
CP*
SCR,
“Vi Tj .
-vliSIIV-
t=f
.1 Entrad
L
a de
Mortaje serie sartal
150 TtHÍSrotUiS Y TftlACS
La entrada 1 {devanado 5-6 de TJ actúa sobre la fuerza magnetomotriz, gobernando

la corriente que recorre este devanado controlando el nivel de flujo magnético en el circuito
y determinando así el ángulo de conducción del tiristor. La corriente de gobierno de!
circuito l ha de obtenerse de una fuente externa o de un generador de corriente (un
transductor por ejemplo).
Es posible añadir otros devanados suplementarios a Ts si se desean gobernar varios
tiristores montados en serie o en paralelo. También se pueden añadir a T- otros devanados
de mando. Usando dos o más circuí LOS idénticos se pueden lograr funcionamientos bi o
polifásicos.
4. Gobierno por todo o nada

En el circuito precedente, el núcleo magnético saturable debía ser suficientemente
grande para permitir al devanado de salida proporcionar, sin saturarse. Ja tensión de
puerta durante un semiperíodo completo.
Para aplicaciones sencillas de control por todo o nada, el montaje de la figura 14-4
permite utilizar un circuito magnético más pequeño y por consiguiente más barato, puesto
que el devanado de salida no tiene que suministrar la señal de puerta durante lodo un
semiperíodo. Además, este tipo de circuito presenta la ventaja de no necesitar
transformador de alimentación auxiliar.
En la figura 14-4 a vemos que se ha conectado un devanado del transformador
saturable T, directamente entre puerta y cátodo del liristor SCRi. Si T no está saturado, la
corriente que atraviesa R|, y CR, circula igualmente por la puerta de SCR, durante la
primera parte del semiperíodo positivo, lo que produce el cebado de! tiristor.
Cuando T está saturado, !a corriente que atraviesa Ri, R- y CRj se encuentra
derivada de la puerta por la débil impedancia que entonces presenta el! devanado de T. En
ese momento puede hacerse conductor el tiristor aplicando una tensión positiva a la
entrada de la señal de mando.
El condensador Cj es de filtrado de la señal de puerta, para evitar que puedan cebar
a! tiristor los ocasionales impulsos esporádicos existentes en la tensión alterna de
alimentación.
En la figura 14-4 6 se presenta un circuito sensiblemente diferente; en él se conecta
un devanado del transformador saturable T. en serie con el condensador C L■ y la puerta de
SCR2.
Cuando T- no está saturado, la corriente que circula por Rn y CRj carga el
condensador Q. durante la primera parte del semiperíodo positivo; T, se satura desde c!
principio de éste, permitiendo la descarga rápida del condensador en el circuito de puerta.
Jo que provoca el cebado.
Cuando T$ está inicialmente saturado al principio del semiperíodo positivo, su
devanado deriva la corriente de C;, el cual no puede pues cargarse.
El resistor de protección R, impide que la tensión de puerta ídebida a la corriente que
circula por R ,) llegue a superar la máxima admisible.
Estando saturados T. puede cebarse el tiristor aplicando tensión positiva al devanado
de entrada.
Estos dos montajes permiten usar el tiristor como interruptor de c.a. con un
devanado de mando aislado que opera en c.c.
Los circuitos podrían modificarse de modo que operaran tanto en onda completa
como en mando de apertura, de cierre, o en régimen de impulsos.
CAPÍTULO Í5
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS:

DISPARO DE TRIAOS
Se puede pasar muy fácilmente de los circuitos anteriores — algunos de los cuales se
aplican por demás específicamente al triac — a la versión con este tipo de tiristor
bidireccionaL Esto es Jo que muestran los siguientes esquemas, a los que pasamos una
rápida revista.
1, Disparo por impedancia
EJ caso más sencillo de contactor estático gobernador por todo o nada es el

correspondiente al circuito de la figura 15-1 a. La impedancia Z puede ser una resistencia o
mejor una capacidad, como se indicó en el párrafo 3 del capitulo 10,
2, Disparo por transformador auxiliar
La figura 15-1 b representa también un circuito de mando por todo o natía con la
posibilidad de aislamiento entre la orden de control y el circuito de potencia, La tensión en
el secundario del transformador debe ser de 10 V aproximadamente para que constituya,
con el resistor R, una fuente de corriente de impedancia interna no despreciable.
3. Disparo por ex.
El montaje elemental de la figura 15-1 c permite obtener, con una fuente de c.c, y
gracias a las propiedades de triac, un sencillo circuito de conmutación para c.a. En este
caso, como en el anterior, el resistor R tiene por misión transformar la fuente de tensión
continua en una fuente de corriente.
4. Disparo por circuitos transistor izados
Las técnicas anteriores de disparo conducen inmediatamente, por evolución, al

esquema de la figura 15-2 ÍJ, En él se sustituye el interruptor por un transistor operando en
conmutación. El circuito resultante puede funcionar por todo o nada
152 T1RISTORES Y TRiACS
O permitir una variación dd ángulo de conducción si se sincronizan los impulsos aplicados

a Ja base del transistor con la fase de la tensión de alimentación.
Derivado dei modo de ataque precedente, el esquema de la figura 15-2 b conduce al
aislamiento entre el circuito de mando y el de potencia. El montaje se presta a un
funcionamiento por todo o nada con el que puede lograrse una regulación fina de la
corriente de la carga variando la frecuencia de la señal aplicada a la base del transistor.
©©
Fig. 15-1,— Disparo de tríaos por i m peda tic i a (a), transformador auxiliar (jbjj o fuá n te da
corriente continua (c).
0 ©
Fig. 15-2. — Disparo de un triac por transistor (a), y con transformador de aislamiento fb).
5. Disparo por transistor uní unión
Como en el caso de tiristores clásicos, el transistor uniunión puede ser un demento

básico para la variación de potencia en c.a. (figura 15-3), La alimentación para clUJT,
asegurando ct control (tanto sobre el semiperíodo positivo
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRiACSi DISPARO DE TRIACS ¡5.1
como sobre el negativo de la tensión de red) mediante el potenciómetro P, El esquema

permite pasar muy fácilmente de los circuitos a tiristores a sus equivalentes con triacs.
6. Disparo por diac
Esta forma de disparo ha sido ya considerada. Recordemos aquí d esquema de

principio (fig. 15-4) y las curvas características.
En el circuito de la figura 15-4 el diac gobierna a un triac que alimenta en c.a. a Ja
carga. La potencia que ésta recibe varía efectivamente eun d ángulo de conducción
impuesto por el potenciómetro.
Fig, 15-4. -— Circuito de disparo por diodo simétrico (a la izquierda) y curvas características de la
tensión do red y las tensiones en el condensador y el diodo simétrico (a Ja derocha).
En cuanto se conecta la tensión, o para ser mas exactos, en cuanto se presen ta el

primer semiperíodo, el condensador C empieza a cargarse a través dd potenciómetro P y ct
resistor serie. Cuando alcanza, en su carga, la tensión de disparo dd diac (alrededor de 30
V) este último se hace conductor y el condensador se descarga sobre el circuito de puerta
del triac, que se dispara, alimentando así la carga.
Cuanto más baja sea la resistencia en serie con el condensador, más rápidamente se
alcanzará Ja tensión de 30 V y antes se disparará el triac. inversamente, cuanto mayor sea
la resistencia serie, menos potencia recibirá la carga.
6.1. Hiatéreais
Este circuito sufre, no obstante, de una histéresis la cual hace que para una misma
potencia, el ajuste del potenciómetro difiera según se esté reduciendo n aumentando la
potencia en ía carga. Es Ea carga residual del condensador la que da lugar a este
fenómeno.
Fig. 15-5.'—Ciclo de carga del condensa-

dor del esquema precedente (explicación
def fenómeno de Maté re sis).
Fig. 15-6. — Esquema de histéresis reduci-

da y curvas de carga del condensador de
temporizadon. El montaje se denomina de
doble constante de tiempo.
En efecto, refirámosnos a la curva de Ja figura 15-5. El desfase existente entre la

tensión de red y la del condensador se debe a la constante de tiempo RC; si ésta es elevada,
el disparo del triac se produce al final del semiperíodo, en el punto A (Vjm dei diac). La
pequeña superficie limitada por las tres curvas y con vértice en A representa la potencia
aplicada a la carga.
La descarga brusca del condensador permite que el siguiente semiperíodo ne gativo
de carga, empiece a partir de otro nivel diferente. El segundo punto de dis paro, B se
alcanza pues antes: realmente, si hubiésemos seguido la curva a tra zos, el disparo habría
debido producirse en C, Este punto B representa el momento estable de disparo.
GOBIERNO DE TIRISTORES r rfllACS: DISFARO DE TRIAOS ¡55
Esta diferencia entre Jos puntos de disparo regulado y rea! constituye el fenómeno
llamado histéresis. Para evitarlo sería necesario que ía carga de partida de C se mantuviera
constante.
Esto se logra recurriendo a una doble constante de tiempo (fig, 15-6), Cuando C;
dispara el diac, C] Je suministra un refuerzo de tensión que acerca considerablemente los
puntos de disparo deseado y real.
7. Disparo por diodo asimétrico

Justamente para evitar este fenómeno de histéresis, o al menos para reducirlo hasta
hacerlo despreciable, la compañía CE ha desarrollado un diodo asimétrico, el ST 4,
Fig, 15-7, — Mando por diodo asimétrico (a), del que se da en (b) la curva característica. En
fe) formas tipleas de onda y en (d) potencia suministrada por el triac en función de la resis-
tencia introducida por el potenciómetro.
Con el uso de este elemento, el circuito se reduce en dos componentes con respecto al
montaje con diac de iguales prestaciones (fig. 15-7) además de no presentar histéresis,
como se desprende de la observación de las curvas de la figura.
8. Disparo por dispositivos de película gruesa
Ya hemos visto que la firma Pu Pont de Nemours ha obtenido una pasta especial
ulílizablc según Jos procesos clásicos de serigrafía. Esta sustancia encuentra aplicación en
la obtención de elementos que pueden sustituir al diac en cualquier esquema previsto en
principio para él.
CAPÍTULO 16
EXTINCIÓN DEL TIRISTOR
1. Generalidades
Para estudiar la extinción del tiristor, esto es, su retorno del estado conductor al de
bloqueo, refirámonos a las curvas de Ja figura 16-1.
Fíg. 16-1, — Ondas caracterís-

ticas de la extinción de un li-
ria* or
Si Ja tensión aplicada ai elemento cambia de sentido y lo polariza inversamente. la

corriente directa se anula, alcanzándose un valor débil de corriente inversa ir. I.as cargas
acumuladas en la conducción del tiristor se eliminan entonces parcialmente, pudiéndose así
definir un tiempo i,r de recuperación inversa (de h a t:t).
Las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusión. Cuando su numero es
suficientemente bajo, la puerta recupera su capacidad de gobierno: puede entonces volver a
aplicarse la tensión directa sin riesgos de un nuevo cebado. Este tiempo se denomina de
recuperación de puerta y se simboliza como t,„,
La duración total del proceso de bloqueo será pues el tiempo fny/i
IitVF — frr T
EXTINCIÓN DEL TIRISTOR 15 7
Este tiempo de extinción depende de muchos parámetros y crece con:

• El aumento de la temperatura de la unión (fig. 16-2);
• El aumento de la corriente directa (A, fig. 16-1);
• El incremento de Ja pendiente negativa de la corriente directa (B).
• La disminución de la corriente inversa de pico (í^);
• La disminución de la tensión inversa (C);
• El incremento de la impedancia externa de puerta;
• El aumento de la polarización positiva de puerta.
Fig. 16-2. — Variación del tiempo de bloqueo con

la temperatura.
Fig. 16-3. — Transcurrido el tiempo de extinción,

que en este caso es de 15 ris, la tensión directa
sólo puede volver a aplicarse respetando una ve-
locidad máxima de variación que prolonga asi la
duración efectiva del etc lo.
2. Reimplantación de la tensión directa
Una vez bloqueado el tiristor puede aplicarse de nuevo tensión directa, pero sólo con
una dv/dt progresiva (zona D, fig. 16-1) so pena de provocar un nuevo cebado. La dv/dt
máxima será por ejemplo de 25 V/ps (para un BTY .79. de RTC) (fig. 16-3).
Recordemos que este tema se abordó ya en el capítulo 4.
15S T¡JUSTORES Y TRIAOS
3. Modos de extinción
I} Cuando opera en c,a„ la extinción de) tiristor se produce en forma automática cada
vez que se invierte la tensión aplicada.
2) Cuando el tiristor opera en c.c. se puede provocar la extinción:
• Mediante un contacto mecánico;
• Por conmutación forzada
Esto es lo que pasaremos a examinar seguidamente.
4
fúg, 16-4, — C i n c o formas de
extinción: por interrupción del
circuito de ánodo ( a ) ; por cor-
tocircuito del tiristor f b j : por
aplicación de una corriente inversa
m e d i a n t e una tensión auxiliar
fe); o m e d i a n t e un condensador
(d); en (e) se de una variante de
0 e s t e último caso con mando por
apertura de un pulsador.
Una simple y mera interrupción del circuito provoca Ta extinción del tiristor (figura
l6-4¿r). Cor toe i re uit ando lo (en b) se obtiene también el mismo efecto. En el esquema de
la figura 16-4 c se utiliza una fuente de tensión auxiliar que se sustituye en d por un
condensador previamente cargado. En e, el condensador C se carga cuando conduce el
tiristor y se descarga al cerrar el pulsador P. (En este último caso, si la tensión de
alimentación es demasiado débil podemos adoptar un circuito mejorado que permita cargar
el condensador a una tensión superior a la de la alimentación.)
A partir de este último esquema podemos avanzar un paso más y sustituir el
interruptor mecánico por un tiristor auxiliar. Se llega entonces ai montaje clásico de la
figura 16-5; el funcionamiento es simétrico; supongamos que conduce el tiristor SCR T
mientras que SCRj está bloqueado: el condensador C se carga a la tensión E, con la
polaridad indicada. Si se aplica entonces una señal de mando en la puerta de SCR L. se
dispara este tiristor. descargándose a su través el condensador y polarizando inversamente
a SCR,, que se bloquea. Inmediatamente des-
EXTINCIÓN DEL TIRISTOR 159
pues se vuelve a cargar el condensador por R T, con una constante de tiempo := = R, C; un

impulso aplicado en la puerta de SCRi lo cebará, provocando el fenómeno inverso.
Fig. 16-5. — Extinción por tirlator auxiliar. Loa resistores Ri y R- son de Igual valor.
El condensador C debe tener un valor lal que las cargas Or a evacuar en la

conmutación no afecten prácticamente a su propia carga, Or = CE; en la práctica, es
necesario que se cumpla Or > 1Ü GT. La constante de tiempo Ri C (ó R* C) debe permitir
el bloqueo del tiristor lo que equivale en definió va a imponer ÍOFP < < 0,7 Ri C, Por otra paite,
la dVüfdt, que vale aproximadamente E/(Ri CJ al paso por el punto cero, debe permanecer
suficientemente baja.
Desde luego, los elementos han de ser capaces de soportar los impulsos de corriente y
tensión necesarios para el buen funcionamiento del circuito. Finalmente, Ja constante de
tiempo CRj debe permitir la carga del condensador antes de Ja siguiente conmutación.
Este condensador C, por la misión que cumple, recibe el nombre de condensador de
conmutación.
Flg. 16-6. -— Otros dos ejemplos de extinción. En (a) se utiliza un tiristor auxiliar en paralelo
con ef condensador de conmutación. En (b) se ha sustituido el tiristor de la figura 16-5 por un
simple transistor con su correspondiente red de polarización.
160 TiRISTORES Y TRtACS
En la figura 16-6 a se da otro esquema, con un resistor y un condensador. Al

principio están bloqueados los tiristorcs Thi y Th 2; cuando se aplica un impulso a la puerta,
Tl^ se dispara cargándose el condensador C con la polaridad indicada, tras lo cual, al
hacerse iguales las tensiones de cátodo y de ánodo de Thls éste se bloquea por sí mismo. Un
segundo impulso VC2 dispara entonces el
Fig, 16-7, — Transistor conmu-

tador para e x t i n c i ó n del ti-
ristor.
V coTeCtor bese
tiristor Th^; el condensador C se descarga a su través, con lo cual Th 2 se bloquea Juego a su

vez.
El principio de funcionamiento del circuito de la figura 16-6 b no difiere
prácticamente en nada del de la figura 8-11 a. Simplemente se ha sustituido el tiristor
auxiliar por un transistor.
Es evidente que pueden reemplazarse igualmente por transistores los contactos
mecánicos representados inicial mente, tal como muestra la figura 16-7.
4. Extinción mediante circuitos LC
La extinción de un tiristor puede lograrse medíante circuitos oscilantes, tanto en serie

como en paralelo. Consideremos d esquema de la figura 16-8; en un principio el tiristor está
bloqueado. E! condensador C se carga por la resistencia Z A, con la polaridad indicada. En
ese momento un impulso Vr, ceba el tiristor: C se descarga y el circuito LC empieza una
oscilación. Para un valor conveniente de C y en cuanto se produce la primera inversión de
la corriente Ic, la corriente directa Ip del tiristor •— suma de Je y de ID — cae por debajo de
la corriente de mantenimiento IH- Consecuentemente d tiristor se bloquea y puede empezar
un nuevo ciclo.
EXTINCIÓN DEL TIRISTOR 161
Otro tipo de circuito, llamado circuito Morgan, recurre a un autotransforma- dor de

núcleo saturable toroidál como elemento de control para la carga y descarga de!
condensador (fig. 16-9 u). Para facilitar'la comprensión de los fenómenos que se presentan
hemos dibujado en Ja figura 16-9 b el ciclo de histéresis del toro magnético, indicando los
diferentes tiempos del proceso.
Fjg, 16-6, — Extinción por circuito oscilante serle.
En el instante tti, la puerta del tiristor recibe un impulso de cebado; la tensión en el

punto B del esquema se hace rápidamente igual a la del punto A, esto es, igual a la alia
tensión UA, si despreciamos la caída en el tiristor. El condensador C u que estaba cargado
con la polaridad indicada, se descarga sobre el arrollamiento n¡ y el tiristor Th. Siendo h la
corriente del devanado n, e Ís la del devanado ti*, obtenemos; tute > thte\ siendo negativos
los ampervucltas, el circuito magné-
Fjg. 16-9. — Principio del circuito «Morgan- con aulotransformador (a] y ciclo de histéreeis
de su núcleo magnético (b).
tico tiende hacia !a saturación negativa, alcanzándola en el instante ti. Consecuentemente, el

devanado /it se presenta como una impedancia prácticamente nula.
Pero la descarga del condensador no puede proseguir indefinidamente, y a!
disminuir la corriente u es la corriente i2 (corriente directa que alimenta el tiristor) la que
predomina; en e! instante t>¿ tenemos; nJi < n-J~, ¿,os ampervueltas mag-
n
162 TiRlSTORES Y TRIA CS
«eticantes se han hecho positivos; al desempeñar el devanado n2 el papel de primario. el

condensador se carpa de forma que V,.- > VA. En el instante /;í se alcanza la saturación
positiva y la impedancia del núcleo magnético cae de nuevo a un valor prácticamente nulo;
se descarga pues el condensador y se invierte la corriente de n^. Ahora bien, Ja tensión de
carga del condensador puede llegar a ser varias veces el valor de la alta tensión; es más de
lo que se necesita para bloquear el tiristor. La corriente de descarga se anula en d instante
el núcleo se desatura y puede volver a iniciarse un nuevo ciclo.
El circuito es pues atractivo, pero hay que hacer notar que no puede usarse el núeleo
magnético como elemento de cebado pura el mismo tiristor.
Existen múltiples variantes y combinaciones de estos montajes. Citaremos, para
terminar este capítulo, los montajes con transformador, en los que el impulso de disparo o
de bloqueo se aplica a través de un transformador.
5. Apertura de tiristores bioqueables

En Jos tiristores bioqueables (de GCO, GTO o GCS), el bloqueo se efectúa aplicando
un impulso negativo a la puerta. La utilización, para lograr esto, de una fuente de corriente
daría lugar a una disipación importante de potencia, por lo que se recurre a una fuente de
tensión.
Cuando se usa un generador de tensión constante, éste debe tener una impedancia
de salida tal que la corriente suministrada pueda alcanzar, durante 2 ó 3 ps, 1/3 de ],IWJt
siendo ]w„,r la corriente que cireula por el dispositivo en el instante anterior a Ja apertura.
En cuanto la característica puerta-cátodo haya recuperado su posición de bloqueo, la
fuente no suministrará más que la corriente de fuga de la unión cátodo-puerta, esto es, una
corriente muy débil. El valor de la tensión negativa impuesta al electrodo de mando debe
estar comprendido entre ó y 8 V y en ningún caso debe pasar de 10 V; la duración del
impulso negativo debe ser de unos 20 a 30 us, para permitir al dispositivo recuperar sus
propiedades de bloqueo.
Por ejemplo, una fuente de tensión negativa destinada a cortar mediante un tiristor
de GCO una corriente continua de 5 A, con una reaplícación de tensión de 500 V, puede
tomarse de — 8 V previendo 30 us de duración para el impulso, La alimentación está
constituida de forma tal que puede suministrar durante 3 us una intensidad de J,5 A sin
que Ja tensión correspondiente baje en más dei 20 %.
El esquema simplificado del circuito es el que se da en la figura ló-lOí?; en ese
circuito el impulso de mando para el tiristor se toma a través de un transistor; la
conducción del tiristor se interrumpe al cerrar el relé R que conecta la fuente de tensión
entre el cátodo y la puerta del elemento.
5.1. Apertura por capacidad
La red de extinción a condensador, obtenida directamente mediante el montaje

precedente, presenta un cierto número de ventajas. El principio de funcionamiento es la
descarga de un condensador, que presenta en los primeros microsegundos las
características de una alimentación a tensión constante (fig, 16-10 b). Por otra parte, este
condensador puede suministrar una corriente importante durante el tiempo necesario para
la extinción, y conservar una carga suficiente para permitir la reaplicación de la tensión
sobre el ánodo del tiristor bloqueare
EXTINCIÓN DEL TllilSTOR 163
La corriente de cebado para el dispositivo proviene del condensador C a través del

resistor R; es necesario además que C esté cargado al terminar el tiempo de conducción,
esto es, que se cumpla: RC < tiempo de conducción, Y aun se debe tomar otra precaución: al
abrir el liristor, ha de ser CR más pequeño que
Fig, 16-10. — Principio dei mando de la apertura de un liristor bloqueable (a): vahante con
condensador (b); montaje a emplear cuando la tensión sea demasiado baja (e).
el tiempo de no conducción, para permitir el disparo en et período siguiente. El valor de C

viene condicionado por el valor de energía necesario para la extinción, y, en la práctica, se
sitúa entre 0.2 y I uF, E! circuito permite un funcionamiento correcto basta una frecuencia
de repetición de 100 kHz,
Cu ando se dispone de una tensión demasiado débil es posible recurrir a una variante;
el circuito de la figura 16-10 c; Ja disposición del circuito LC permite la carga de C a un
valor cercano a 2 V)1T.
5.2. Apertura por ¡ndu clan cía

En este tipo de circuito se utiliza la energía almacenada en una bobina para provocar
!a apertura del liristor bloqueable {fig. 16-11 a). La corriente necesaria para el disparo se
suministra al entrar en conducción el transistor; en ese mismo período la bobina L
almacena una energía que se restituirá más tarde al circuito, cuando ya no conduzca el
transistor.
Los circuitos de este tipo están algo más limitados en frecuencia que los precedentes;
caso de usarse una frecuencia fija puede ser interesante la variante de la ñgura 16-11 h.
5.3. Circuito con transistor uniunión

Este circuito es aplicable a los tiristores bloqucables de baja potencia que exijan una
corriente de mando más bien débil (inferior a 50 mA}. Esta limitación se debe a que la
corriente de carga del condensador pasa a través del resistor de emisor (fig, 16-11 o).
No obstante, ofrece la ventaja de constituir, con un número muy escaso de elementos,
un oscilador de relajación de potencia aprcciable cuya relación cíclica de impulsos puede
variarse modificando ios resistores Rt y R?.
T
1
R
I
S
T
O
R
E
S
Y
F¡0- 16*11> — Apertura de un (Tristor GTO: por bobina (a), y variante en (b)r por transistor un i unión (c); cuando la carga se sitúa en
el circuito de cátodo ftf): mediante una fuente auxiliar (e).
EXTINCIÓN DHL TIRISTOR 165
5.4. Circuito de extinción compatible con el montaje de la carga

en el circuito de cátodo
Cuando existen motivos que exigen poner a masa un lado de la carga es forzoso
situarla en el circuito de cátodo del tiristor. También en este caso se puede provocar la
apertura del tiristor {fig. 16-11 d).
En el circuito de Ja figura se suministran los impulsos de apertura y cierre por vías
separadas. Si la carga es inductiva, la extinción del tiristor de potencia se provocará al
hacer conducir Xh]T por la descarga de la bobina. Puede disponerse, entre cátodo y puerta,
un diodo zener de 10 V para evitar que el final de la descarga de ¡a bobina provoque un
suministro excesivo en la zona de ruptura de la unión puerta-cátodo. Si la carga es
esencialmente resistiva puede disponerse un condensador en paralelo que asegure la punta
de corriente necesaria para la apertura del circuito, al entrar Tli, en conducción.
Este montaje presenta algunos inconvenientes en cuanto a la obtención de la señal de
disparo; en efecto, el impulso debe atravesar la carga, lo que puede constituir una
limitación para este tipo de circuito.
5.5. Utilización de una fuente auxiliar de tensión negativa

En muchos casos puede ser interesante usar una fuente auxiliar de tensión negativa,
si se dispone de ella. El montaje que se propone deriva directamente del primero que
citamos, pero incorpora un transistor para asegurar la apertura y el cierre del tiristor
(figura 16-11 é).
Durante todo el tiempo que conduce el transistor, el tiristor se mantiene abierto y,
cuando el transistor deja de conducir se dispara el circuito de potencia.
CAPITULO 17
DISPOSITIVOS DE PROTECCIÓN
Los tiristorcs y triacs admiten, además de los dispositivos usuales de protección

(radiadores, fusibles, etc.}, el empleo de circuitos encargados de limitar los efectos de la
dv/dt y de Jas sobre intensidades. Esos son ios temas principales que abordan este capítulo.
1, Protección contra di/dt

Si la carga tiene componente capacitiva puede establecerse bruscamente una
intensidad elevada de corriente en el momento mismo en que empieza el cebado del tiristor.
La derivada di/dt impuesta al tiristor puede rcsulLar perjudicial, como se expuso en el
capítulo 4, apartado 2.
Si hay riesgo de aparición de di/dt elevadas será necesario asegurarse del rápido
establecimiento a un valor suficientemente alto de la corriente de puerta de cebado.
Si se presentara el caso en que la di/dt pudiese llegar a sobrepasar el valor límite
indicado por el fabricante, se podría proteger el tiristor añadiendo una pequeña
inductancia en serie.
Lo mejor parece ser el uso de una inductancia saturable. Mientras no está saturada,
la inductancia deja pasar sólo una intensidad reducida de corriente; una vez saturada, se
convierte en un cortocircuito. En definitiva, lo que se consigue es retardar el
establecimiento de la corriente principal (figura 17-1). El tiristor, tras este retardo, disipa
una potencia menos importante ya que la superficie conductora es mayor, con lo que podrá
aceptar valores más altos de energía.
2, Protección contra dv/dt

Las subidas muy bruscas de la tensión aplicada al tiristor bloqueado pueden llegar a
provocar recebados intempestivos (véase capítulo 4, apartado 7).
La brusca conexión a red de circuitos próximos con carga inductiva, o las variaciones
bruscas de una fuerza contraelectromotriz (de una carga constituida, por ejemplo, por el
rotor de un motor con colector) pueden dar lugar a variaciones bruscas de la tensión de
alimentación del tiristor (o tríac). Si este se encuentra bloqueado, las derivadas dv/dt
correspondientes pueden producir un cebado automático, tal como hemos visto.
DISPOSITIVOS DE PROTECCIÓN 167
Fig. 17-1. — Caída de tensión en un tiristor en el momento del cebado y corriente sin (a) y
con (b) inductancia saturable.
El método más corrientemente empleado para limitar la velocidad de subida de la

tensión consiste en colocar un condensador en paralelo con el tiristor (o triac). Pero este
condensador, al descargarse bruscamente en el cebado, introduciría una sobreintensidad y
una di/dt excesivas que podrían dañar el tiristor.
Es pues necesario limitar la corriente de descarga situando un resistor R (de 20 a 100
ohm) en serie con el condensador. El circuito RC resultante debe colocarse en paralelo con
el tiristor y lo más cerca posible de él.
Por otra parte, en la figura 17-2 puede verse cómo esta red facilita el cebado sobre
carga inductiva al establecer inmediatamente una corriente superior a la corriente
principal mínima de cebado I L, necesaria para que el tiristor mantenga la conducción al
desaparecer el impulso de puerta.
Fig. 17-2. — Protección de un

tiristor por red RC y efectos
beneficiosos s o b r e la di/dt
para cargas inductivas.
Puede perfeccionarse aún el método introduciendo, únicamente en el caso del

tiristor, un diodo en paralelo con R, como indica la figura 17-3. De este modo no interviene
el resistor R más que en la descarga de C, esto es, durante el cebado, y puede dársele un
valor relativamente alto (de 1 0 0 Í2 o más), protegiendo eficaz
mente al tiristor contra las di/di de descarga. En cambio, y gracias al diodo, cada vez que se
produzca un aumento de la tensión de ánodo el condensador quedará conectado
directamente en paralelo con el tiristor.
Diodo Fíg. 17-3. — Protección en dv/dt del tiristor.

rápid
3. Bloqueo con carga inductiva
Supongamos un triac operando en c.a, sobre una carga inductiva que introduzca un
desfase de 90° entre tensión y corriente. La situación se resume en las curvas de la figura
17-4 donde se han representado la tensión y la corriente de red y ¡a tensión aplicada a los
terminales dei triac. Se verá que cuando la corrien-
Fig. 17-4. — Caracteristicas de conmuta-

ción en dv/dt del triac.
te pasa por cero (punto A), toda la tensión de la red aparecerá en los terminales del triac,
con una fuerte dv/dt (punto B) capaz de cebar de nuevo el elemento.
En este caso se hace necesario el empleo de una red de protección contra derivada y
sobretensiones, como se indicó anteriormente. Esta red condensador-resistor produce la
dv/dt (figura 17-5) a un valor admisible. Por otro lado, en la figura 17-6 puede observarse
que la dv/dt aumenta con la frecuencia, lo cual resulta bastante obvio.
Recordemos que estos problemas se han estudiado con anterioridad en el capítulo 6 ,
destinado al triac.
Fig. 17-5. — P r o t e c c i ó n del

triac en dv/dt.
1 di/dt en conmutación
Fig. 17-6. — La dv/dt crece

Va eviden temen te con la fre-
cuencia.
170 TIR1 STORES Y TRIACS
4. Diagramas de cálculo de la red RC
La compañía RCA propone un sistema para el cálculo de la red RC de protección, en

su nota de aplicaciones AN 4745, 1971 (“Analysis and design of snub- ber networks for
dv/dt suppression in triac circuits”, por J. E. Wojslawowicz).
Los valores de R y C se obtienen en función de la corriente I en la carga (en ampere
eficaces) y de la dv/dt admisible, para distintos valores de la tensión de cresta, a partir del
esquema de cálculo de la figura 17-7.
Fíg. 17-7. — Esquema con las bases de cálculo de

las redes de protección en dv/dt a partir de los
ábacos siguientes.
dy _ Vz-Vj Vi. ti al 10 % de la
dt~ c2 - tf tensión de pico
-
Vi. ti al 63 % de la k
tensión de pico
Fig. 17-8. — Abaco para el cálculo de la red RC de protección contra la dv/dt para tensión
de pico de 200 V (120 V de servicio).
Estos valores se han establecido para el caso más desfavorable que se pueda dar: con
carga puramente inductiva, es decir, con coseno qi = 0. Para valores mejores del eos tp la
tensión de cresta se reduce en la misma proporción; por ejemplo, si a eos cp = 0 le
corresponden 200 V de cresta, a eos tp = 0,7 deben corresponderá 200 X 0,7 = 140 V.
Los tres ábacos de las figuras 17-8, 17-9 y 17-10 corresponden a diferentes tensiones;
— 200 V de cresta para el primero (120 V de servicio).
— 400 V de cresta para el segundo (220 V de servicio).
— 800 V de cresta para el tercero (380 V de servicio).
G
oc
o
O
>
Fig. 17-9. — Abaco para 400 V de pico (220 V de servicio).
Las rectas de trazo lleno se refieren al condensador C y las de trazo discontinuo al

resistor R.
Para utilizar los ábacos, basta elegir el diagrama correspondiente a la tensión
deseada y proceder como sigue:
a) Trazar una vertical a partir del valor nominal previsto de corriente;

b) Anotar la intersección de esta vertical con la recta oblicua de la dv/dt admisible, en
trazo lleno, obteniendo en ordenadas, en la escala de la izquierda, el valor de C en
microfarad;
172 TIR/STORES Y TRIACS
Fig. 17-11. — Protección de los GTO: por zener (a), por diodo montado en antiparalelo (b), o
por diodo de recuperación en paralelo con la carga inductiva (c).
c) Anotar la intersección con la recta de dv/dt a trazo discontinuo, leyendo el valor de R en

ohm en la escala de la derecha.
Por ejemplo, para operación a 120 V (200 V de cresta), en el ábaco 17-8
encontramos, para eos cp = 0, 40 A eficaces y dv/dt admisible de 5 V/ps, C = = 180 nF y R =
340 Q.
5. Protección de tiristores bloqueables
La protección será más o menos importante según que el circuito sea resistivo,
capacitivo o inductivo. Las exigencias más severas las imponen los circuitos inductivos y,
según el caso concreto, se considerará el empleo de un zener, un diodo en antiparalelo y un
condensador, o un diodo de recuperación (figura 17-11).
CAPÍTULO 18
APLICACIONES CON RELÉS ESTÁTICOS

E INTERRUPTORES
Las aplicaciones de los tiristores y triacs pueden clasificarse, para mayor comodidad,
en las siguientes:
1) Conmutación estática;
2) Mando por ángulo de fase;
3) Mando por conmutación a tensión nula;
4) Aplicaciones diversas.
En las referencias bibliográficas se encontrará un gran número de esquemas de
aplicación que sería inútil repetir aquí. En especial, resultará muy interesante la consulta
de las obras de General Electric y de RCA, así como la de los diversos documentos y
“rapports” de aplicación editados por las diferentes compañías existentes; en ellos se
encontrará una impresionante cantidad de circuitos cuyo funcionamiento ha sido
debidamente comprobado.
Así, pues, no estudiaremos aquí sino un número muy limitado de esquemas, escogidos
en función, sobre todo, de su interés como ejemplo (circuitos “clásicos” o básicos) y
también de su originalidad. Los esquemas cuyo origen no se especifique debe entenderse en
general que proceden de GE o RCA.
Este capítulo trata exclusivamente del estudio de aquellos esquemas en que se
emplean tiristores o triacs como interruptores o relés estáticos, dejando para el capítulo
siguiente los circuitos de control de potencia, síncronos o por ángulo de conducción.
1. Cargadores de baterías
1.1. Características de carga de las baterías

Se considera que una batería está cargada cuando la tensión en bornes de cada uno
de sus elementos llega a ser superior a un valor dado, que depende del tipo de acumulador
y de la acidez del electrólito. Para una batería de acumuladores de plomo, este valor suele
ser de 2,75 V por célula.
Se considera que la batería está descargada cuando su tensión se hace inferior a un
cierto valor dado, en el que influyen los mismos factores anteriormente citados: 1,75 V por
célula suele ser un valor corriente para acumuladores de plomo.
La característica de carga es importante por cuanto repercute sobre la vida media y
la capacidad de la batería. La curva A de la figura 18-1 representa una
APLICACIONES CON RELES ESTATICOS E INTERRUPTORES 175
característica de carga aconsejable: por debajo de 1,75 V/clemento, la corriente de carga

puede alcanzar un valor igual a 2,5 veces la corriente correspondiente a la tensión de 2,4
V/elemento, mientras que cuando esta tensión sea de 2,75 V la corriente de carga habrá de
ser nula.
Sea, por ejemplo, una batería de 100 Ah (ampere-hora):
— Hasta alcanzar 1,75 V/elemcnto, la corriente de carga Ic= 20 A (1/5 de la capacidad);
— A 2,4 V/elemento, I = 8 A (1/12 de la capacidad);
0
— A 2,75 V/elemento, Ic = 0.
En la misma figura 18-1, la curva B corresponde a una carga “rápida” que
generalmente no se suele recomendar sino en caso de emergencia, mientras que la curva C
representa la modalidad de carga llamada en “paralelo": en ella, el cargador está conectado
permanentemente a la batería. La tensión se limita entonces a 2,3 V por elemento para
evitar que hierva el electrólito y se libere gas, mientras que la corriente no excede, en ningún
caso, el 75 % de la correspondiente a una carga normal a 2,4 V.
Fig. 18-1. — Características de c a r g a de

una batería de plomo.
1.2. Cargadores simples
En la figura 18-2 se da el esquema de un cargador de baterías para 12 V. El puente

rectificador suministra c.c. a partir de los 20,9 V del secundario del transformador.
Esta corriente ondulada carga el condensador Ci a través de R„; cuando la tensión es
suficiente, el diodo D dispara el tiristor empezando entonces la carga de la batería. El
ángulo de conducción del tiristor es prácticamente de 180°.
Cuando la batería está cargada, la tensión en sus bornes es de 14,3 V. Esta tensión
hace que pasen a saturación los dos transistores anteriores bloqueados, lo que provoca el
cortocircuito del condensador Ci que no puede ya volver a cargarse, y el tiristor queda
bloqueado. Al mismo tiempo se enciende el indicador; uno de 100 ó 150 mA será suficiente
(esa corriente sigue cargando la batería, como se ve en el esquema).
776 TIR!STORES Y TRIACS
Para 6 V el circuito corresponde al montaje de la figura 18-3 cuyo funcionamiento es

idéntico. Otra versión distinta incluye por ejemplo un segundo tiristor para detectar el
final de la carga (fig. 18-4). Un indicador luminoso, situado en vez del resistor R, de 47 Í3,
indicará que la batería está cargada: en este caso la corriente que por él circula va
directamente a masa.
Ii
Fig. 18-2. — Cargador simple para una batería de 12 V.
1.3. Cargadores «profesionales»
Los dos cargadores “profesionales” que se describen aquí han sido estudiados por
Motorola.
CARGADOR DE 5 A
Este cargador de 5 A es la variante “económica” del circuito, más complejo, que
discutiremos más adelante. Permite:
APLICACIONES CON RELÉS ESTATICOS E INTERRUPTORES 177
— Una regulación en corriente ajustable entre 0 y 5 A;

— Una limitación de la tensión de carga, fijada en 8,2 V o 16,4 V según que se trate de
cargar baterías de 6 o de 1 2 V.
Fig. 18-4. — Cargador simple con detección de fin de carga por tiristor.
Su construcción sólo requiere componentes relativamente baratos, en especial

semiconductores de cápsula de plástico. Su esquema es el de la figura 18-5. La corriente de
carga depende del ángulo de abertura del tiristor el cual está gobernado a su vez por el
transistor uniunión tipo 2N4870, la fuente de corriente 2N4402 y la tensión de referencia
fijada por el potenciómetro Pj.
El resistor de 0,5 Q (20 W) crea una caída de tensión que da una medida de la
corriente de carga. Esta tensión se aplica, como realimentación, al generador
Fig. 18-5. — Cargador profesional económico de 5 A para baterías de 6 ó 12 V.
v¿
m TIRISTORES Y TR1ACS
do corriente 2N4402, constituyendo así la regulación en corriente del cargador.

La limitación en tensión se logra de la manera siguiente: Se considera que la caída
media de tensión en el tiristor es mayor cuando la batería está más descargada, y tanto
menor cuanto más cargada esté la batería; el circuito formado por el diodo ¡tener Zj, los
potenciómetros P- y PBf el resistor Ri y el condensador C’i actúa entonces como detector de
tensión.
Cuando la batería está cargada, la caída de tensión en el condensador Ci será débil y,
gracias a los divisores P- (para ó V) o Ri t P:[ (para 12 V) el zener se bloqueará en cuanto la
tensión en bornes de la batería sobrepase el umbral lijado, con lo que el transistor 2N4400
conmutará a cero la referencia de corriente.
Las curvas de la figura 18-6 ilustran las características de carga, trazadas para
diversas intensidades nominales de corriente. Las limitaciones en tensión y corriente
resultan muy eficaces. La tensión de carga se limita a unos 9 V cuando Ja batería es de 6 V
y a 15 V para el caso de una batería de 12 V.
Fifj TR-6. -— C a r g a d o r profesional

economice de 5 A para balerías de
6 ó 12 V.
Se notará, no obstante, que no se ha estabilizado previamente la tensión de red en

este tipo "económico" de cargador. Por tanto las variaciones de la red impondrán una
traslación horizontal de Jas curvas dadas.
CARGADOR DE 20 A
El cargador profesional de 20 A se destina a baterías de 6 , 12 ó 24 V. La corriente
nominal es ajustablc en forma continua, entre 0 y 20 A, y se mantiene constante durante
todo el proceso de carga.
El final de la carga se limita a 8,5 V (batería de 6 V), 16,5 V (para una batería de 12
V) o 33 V (batería de 24 V). Por otra parte, la curva de carga puede ser del tipo "normar'
(curva A), o del tipo "rápido" (curva B).
En la figura 18-7 se da el diagrama de bloques del cargador de 20 A. El puente
rectificador comprende dos diodos y dos liristores. los primeros del tipo IN3492, y los
segundos MCR 2935-3. Esta forma de puente permite usar un transformador de
alimentación de mínimas dimensiones ya que trabaja en condiciones opumas.
APLICACIONES CON RELÉS ESTÁTICOS E INTERRUPTORES 17 9
Las distintas regulaciones se logran mediante dos bucles de realimentación:

• La primera, de regulación en corriente, mantiene la corriente constante e igual a una de
referencia;
• La segunda, de regulación en tensión, pone a masa la referencia cuando se alcanza la
tensión máxima de carga. Además sirve también para modelar la curva de carga según se
desee un tipo “normal” o “rápido”.
r2*\^SCR2 7
Batería S~
6. 12 o 24 V"¡T"
Red
220
V
Fig. 18-7. — Esquema sinópti- Carga normal
co de un cargador profesional -VWSArv^

de 20 A: en él se emplea un -AVAV»
Cl lineal, el MC 1435, doble Carga rápida
amplificador operacional.
Referencia
de tensión
máxima
0
-WAV *
6V
~VAAV-
°
12
Ref de corriente
V
En la figura 18-8 se da el circuito completo del aparato. Se ve en seguida que los dos
bucles de realimentación citados usan cada uno un amplificador operacional. Estos dos
amplificadores constituyen el circuito integrado MC 1435.
La medida de la corriente de carga la realiza el transformador Tr¡ cuyo primario va
colocado en cl circuito de alimentación c.a. de baja tensión. La bobina Li limita las
corrientes de cresta en los tiristores mientras que el diodo Rt es un cortocircuito para la
3
corriente reactiva almacenada por Li. Así resulta que la intensidad media de corriente es la
misma en los circuitos de c.a. (secundario del transformador de alimentación) y de c.c.
La referencia de corriente la suministra el potenciómetro P,; esta referencia se aplica
al circuito integrado MC 1435/2. La señal amplificada de salida se aplica, a través del zener
Zr„ al circuito de mando de los tiristores; este último, compuesto por los transistores Tx a
Tr„ la traduce linealmente en magnitudes de ángulo de conducción.
Cuando se hace positiva la tensión en cl ánodo del diodo D l0, el transistor T;
{ conmuta, haciéndose conductor; entonces, un impulso de disparo pasa por T y Tr„ y se 4
aplica a los tiristores; el condensador C gobierna el ancho de este impulso.

)7
En cada período de la tensión alterna de red, el transistor T, se bloquea cuando la

tensión pasa por cero, y se vuelve a cargar el condensador Cu-,: el resis-
ISO TIRlSTORES Y TRIACS
tor R3 1 Jo une a los + 12 V de alimentación, mientras que el diodo Di„ y la unión base-
emisor de T lo conectan a masa.
3
Si el valor instantáneo de la tensión de alimentación supera ía del diodo zencr ZH, el
transistor T, conduce, invirlícndo, gracias a Cm la polarización de ánodo de Dn>, lo que
provoca el bloqueo de TV A continuación, C Jí; se descarga, repitiéndose el ciclo en cada
semiperíodo.
Li = 1.6 mH no saturada a 00 A
de pico e ief. =30 A
Fig. 18-8. — Esquema eléctri-

co del c a r g a d o r profesional
de 20 A para baterías de 6,
12 ó 24 V.
Para ajustar el potenciómetro P se lleva la referencia de corriente a su valor

3
máximo, dejando el circuito de salida abierto (sin carga): el ángulo de apertura del tiristor
debe ser entonces de 25°.
La medida de la corriente de carga se hace a partir del transformador Traque
funciona como transductor, dando una señal que se rectifica en el puente de diodos Di a D,
y se aplica como realimentación, a través de R» y a la en
¡$2 mu S TORES Y TRtACS
irada del amplificador de corriente. La ganancia de éste depende de R^ y su estabilidad, de

la red R-*, Cu y DT. Esta red actúa a modo de regulador proporcional (integrador-
derivador).
La referencia para la limitación en tensión, que depende de R,JT Rrrí ó Ru según la
tensión nominal de la batería, se aplica a la entrada del amplificador MC 1435/1, La salida
de este MC 1435 I controla a su ve/ !a referencia de corriente P| a través de Dn.
La tensión en bornes de la batería en carga ataca, como reaUmentación a través de
Rn y ¡Ej, al MC 1435/1. Si es superior a la tensión de referencia más la tensión de /ener de
Z1( la salida del MC 1435 I pasa a cero y anula la referencia de corriente,
1.a ganancia en c.c. del amplificador de tensión viene dada por R| T y Rn, y determina
a su vez la característica de la carga. La estabilidad esta garantizada por C,„ actuando i a
real internación como proporcional integrativa.
Finalmente, la alimentación suministra — ó V gracias a los diodos zener Z L y Z3, a
partir de los -j- 12 V, y con relación al nivel 0 intermedio.
Las curvas de la figura 18-9 ilustran el comportamiento del cargador de 20 A bajo
diversas condiciones de servicio. Se apreciará que las variaciones eventuales de la tensión
de red no tienen aquí influencia alguna sobre la carga, ni en tensión ni en corriente.
Limiiacldft TeneiOn ojullarfa

para ba tartas
F<g. 18-9- — Características de carga del

cargador de 20 A de Ta figura precedente.
Fig, 18-10. — Principio del en*

cendido por lirislor en un mo-
tor de euplosión.
Transformador
«lavador
APLICACIONES CON RELÉS ESTArreos E INTERRUPTORES ÍSS
2. Encendido de motores de explosión
2.1. Un dispositivo sencillo

El sistema representado en la figura 18-10 es d más simple existente para encendido
electrónico de motores de explosión. Un imán, fijo a un árbol giratorio, induce a cada giro
una tensión que va cargando el condensador C a través del diodo Di {sólo para i as
alternancias positivas, ya que las negativas se cortocircuí- tan directamente a masa).
Este mismo imán, actuando luego sobre el devanado de puerta, dispara el tiristor,
que descarga bruscamente a C; en el secundario del transformador elevador aparece una
alta tensión que producirá la chispa de encendido. La posición del devanado de puerta
determina e) momento del encendido. La chispa aparece incluso a bajo régimen de vueltas.
(El conjunto de tiristor y diodos se puede encontrar además en el mercado en una misma
cápsula, fabricada por RCA para este uso específico.)
La descarga del condensador da una onda de frente abrupto de subida, capaz de
perforar ciertos dieléctricos (depósitos de grasa en las bujías) o de compensar ciertas
pérdidas (cables). Por tanto se obtienen arranques que a veces resultan espectaculares.
Así pues se ha intentado encontrar aplicaciones a este montaje de principio con lo que
se ha llegado a realizaciones comerciales que inicialmcntc se destinaron a vehículos de dos
ruedas y a la navegación marítima.
Por ejemplo, la Sociedad Novt-P.D, y el centro de Investigaciones y Ensayo de Ja
Sociedad Motobécane estudiaron conjuntamente un esquema de este tipo (figura 18-11). El
condensador tiene aquí una capacidad de 0,47 pF; no obstante, se trata sólo de un valor
indicativo. En efecto, es posible, y deseable, poder jugar con los diversos valores según los
resultados que se busquen; así, según que se trate del encendido de un velomotor o de un
motor fuera borda, las características serán diferentes. Igualmente, para una cierta
máquina, no se razonará de la misma forma si lo que se desea es vencer los arranques
difíciles (chispa seca y breve) o, por el contrario, obtener prestaciones espectaculares (tren
prolongado de chispas). '
Una de las originalidades del dispositivo consiste, como se ve en el esquema, en
permitir Ja generación de una serie de chispas oscilantes mediante un diodo montado en
antiparalelo con el tiristor. Este tren de chispas oscilantes tiene una importancia capital
para el encendido de la mezcla.
La representación del volante magnético se ha hecho en corte, lo que permite hacer
bien patente el principio de funcionamiento del captador de reluctancia variable. El
gobierno de la puerta del tiristor se hace pues directamente, sin contacto mecánico alguno y
sin necesidad de pasar por ningún amplificador intermedio. El conjunto es absolutamente
autónomo y se aplica muy extensamente, no sólo a los cidomotores, sino también a los
motores fuera borda; además permite usar el nuevo tipo de bujías de electrodos planos*
que son prácticamente de duración ilimitada.
* Bujías reden temen te ¿parecidas en el mercado, que asan como electrodos unas cha pas de
superficie sensiblemente mayor que /os electrodos usuales (N. de/ T.)
184 TÍRIST0RE5 Y TRIACS
2.2. Simtemas con tirístoros btoqueables

La creación del tiristor bloqucablc ha dado Jugar al nacimiento de otra familia de
sistemas de encendido electrónico en los que no sólo se controla el principio sino también el
fina! del tren de chispas.
Se llega entonces a un esquema extremadamente sencillo y en el que pueden
agruparse todos los elementos en el volante magnético — caso de usarse — incluida la
bobina (figura 18-12 a y b) de encendido, del tipo clásico de débil impedancia.
El instante de desbloqueo del GCO se controla con una precisión superior a un grado
de ángulo, gracias a un saliente que actúa sobre la reluctancia de un circuito magnético.
Este circuito da una oscilación completa que desbloquea y vuelve a bloquear el tiristor de
forma que la corriente en el primario tiene et aspecto de la curva de la figura 18-12 d.
Aparte de la mejora conseguida en cuanto al volumen ocupado, el sistema posee otra
ventaja inherente: Ea de que el conjunto está enteramente blindado, y le es pues
prácticamente imposible radiar parásitos.
Por otra parte, el error en cuanto al momento de disparo de la chispa queda muy
reducido, lo que favorece una buena combustión del gas, tema que parece
TTT
Fig, 18-11. — Principio del en-

cendido electrónico por descarga
de un condensador, aplicado a
un volante magnético (a), y
utilización en un ciclo- motor M
otobé cañe (b).
Inducido pera Cnmpena Detalle

I» enrg* del del teptedor
condensador 400 V
de itero
APLICACIONES CON RELES ESTÁTICOS E INTERRUPTORES 185
Fig. 18-12. — Novi P.B. ha reali-

zado un montaje aún más evolu-
cionado y simple mediante el em-
pleo de un tiristor bloqueable, en
este caso un GCO 4007, de Si-
lec. El esquema, cuyas bases de
operación se dan en (b), puede
aplicarse a un volante magnético
(a) en el que pueden reunirse to-
dos los componentes (que son
mínimos) incluida la bobina. Las
señales de bloqueo y de disparo
(c) proceden de un captador de
reluctancia variable cuyo principio
de funcionamiento es aparente; la
corriente primaria tiene la forma
de la curva (d).
Fig. 18-13. — Sistema de en-

cendido propuesto por Motorola,
con un tiristor bloqueable.
preocupar cada vez más a las autoridades y especialistas en contaminación atmosférica.

Motorola propone igualmente un circuito con un tiristor bloqueable (figura 18-13),
disparado por un microrruptor que puede muy bien reemplazarse por un captador
magnético o fotoeléctrico. Cuando se cierra el microrruptor se bloquea el transistor y el
condensador C transmite un impulso de cebado al tiristor bloqueable. Cuando se abre de
nuevo el microrruptor, el transistor pasa otra vez a conducir, descargando C que estaba
cargado a la tensión de alimentación.
El impulso que resulta, aplicado al electrodo de mando del tiristor, provoca el
bloqueo de éste. La interrupción de la corriente del primario da lugar a una fuerte
sobretensión que origina el tren de chispas. El resistor R conectado a la
186 T1R1 STORES Y TR1ACS
puerta del tiristor sirve de hecho para hacer conducir a este elemento antes incluso de que
se cierre el microrruptor. La bobina almacena así energía en forma magnética, durante un
tiempo relativamente importante.
3. Ondulador
(convertidor c.c./c.a.)
En el montaje de la figura 18-14 se muestra cómo puede obtenerse una tensión

alterna a partir de una fuente de c.c. Los dos tiristores están montados en paralelo y se les
hace conducir alternativamente; de este modo alimentan el primario del transformador
con potencia de c.a.
La conmutación se efectúa mediante el condensador Ci, como se indicó en el capítulo
consagrado al bloqueo de tiristores. Supongamos que, siendo conductor SCRi, entra a su
vez en conducción SCR2 : el condensador Ci se descargará a través de SCRj provocando
una corriente inversa en esc tiristor, que se bloqueará. La tensión de Ci, aproximadamente
igual a —2 Ero (siendo Ecu la tensión de c.c.) se aplica en inversa a SCRi durante un tiempo
suficiente para que éste recupere totalmente su poder de bloqueo.
Fig. 18-14. — Ondulador a tiristores

en montaje paralelo.
Simultáneamente, SCR^ crea otra vía de descarga para Ci, a través del trans-
formador Ti y la inductancia L. La misión de esta última consiste en alargar la descarga
para permitir la recuperación del tiristor.
Una vez que la tensión de Ci ha pasado de — 2 E ro a 0 V, el condensador empieza a
cargarse en sentido opuesto hacia + 2 E,„; en ese momento es máximo el flujo en L, en
razón del desfase tensión-corriente. Esta energía inductiva así almacenada se envía luego al
condensador.
Un montaje paralelo de este tipo trabaja a una frecuencia estable fácilmente
controlable y es insensible a las cargas resistivas, pero resulta sensible a las inductivas y
regula muy mal en tensión.
Para frecuencias superiores se suele preferir el equivalente serie (fig. 18-15) que exige
componentes reactivos importantes pero ofrece una buena regulación en tensión.
Fig. 18-15. — Ondulador a ti

ristores, montaje serie.
4. Barrido de líneas en TV
Parece ser que fue RCA la que promovió originariamente el empleo del tiristor para
el barrido horizontal en tubos de televisión. Por esto hemos tomado de RCA el montaje
siguiente.
En el circuito (figura 18-16) se utilizan dos “ITR”, ya descritos en el capítulo 8
(párrafo 2), compuestos cada uno de un tiristor y un diodo en antiparalelo.
188 T1R1 STORES Y TRIACS
El par (SCR 40640 más diodo 40442) gobierna la ida del barrido, esto es, la corriente
en la bobina de deflexión LY. El par (SCR 40641 más diodo 40643) controla el retorno del
barrido.
La primera parte del barrido la realiza el diodo DT recibiendo la corriente
decreciente, que proviene de LY. Poco antes de que se anule esta corriente se dispara el
tiristor SCRT (aplicando un impulso positivo en su puerta) que tomará el relevo.
Inmediatamente antes de terminar el barrido, SCR c se hace conductor a su vez,

debido a la acción del oscilador de barrido. Se descarga entonces el condensador CR a través
de LR, terminando así el barrido al enviarse esta corriente a LY.
Este impulso polariza inversamente el tiristor SCR T que se bloquea, y luego, cuando
desaparece el impulso, la energía almacenada por el campo magnético de LY da lugar al
nacimiento de una corriente que vuelve a cargar C K y CA durante la mitad del retomo de
barrido. Se produce entonces una se mióse ilación, por Dt> que completa ya este retorno de
barrido bloqueando a la vez a SCRc.
El diodo DT vuelve a conducir cuando se hace máxima la corriente inversa en LY, La
inductanda L^ permanece conectada a la alimentación mientras está cerrado el par SCRc y
Dc, almacenando una energía que se usará para recargar y C*.
5. Detector fotosensible
Poniendo una célula fotoeléctrica en lugar del resistor de la red de tempes rización se
podrá disparar el triac por luz (figura 18-17 a) o por oscuridad (£»)- La carga es aquí una
lámpara de incandescencia de 600 W.
Fig. 10-17. — C o n t r o l por captador

fotosensible actuando por luz (a) o
por oscuridad (b).
6. Montajes con captador fotoeléctrico

En los drcuitos de Ja figura 18-18 el tiristor está controlado por un fototransistor
BPX 25 de RTC> '
En el circuito a el transistor BFY 52 conduce cuando se ilumina el fototransistor,
alimentando e! circuito de puerta del tiristor. Éste se dispara y aplica la tensión de
alimentación a la carga.
En el circuito b se produce la situación inversa: la tensión de alimentación queda
aplicada a la carga sólo cuando el fototransistor está en la oscuridad. En efecto, cuando se
le ilumina, el BFY 52 conduce y cortocírcuita a masa la puerta del tiristor.
iW TIRISTORES ) TRIACS
t50V .5CV
Fig, 10-IB. — A partir de una

fuente de alimentación de c.c.
el foto transistor provoca el ce-
bado del tirisíor por presencia
©® (a) o por ausencia (b) de luz.
En (c) la alimentación se ob-
tiene directamente de la red
de c . a - , cebando al tirisíor el
folotransistor cuando r e c i b e
iluminación.
Fase A «i 100kO o
-----vW—
r©“t +2ftVs
Pu la odor
Fig, 10-19. — Un orden incorrecto de AA 107 o 109
‘ para 115 V
sucesión en las fases A y B de ti red
(S
Th
trifásica d i s p a r a el tirisíor que „ *2
alimenta una luz piloto o un dispositivo B Cl S1kO
de a l a r m a o de conmutación Cj
30 oF (60 HÍ] I0nF
electromecánica. 4,7nF«00Hí)
Cí
Neutr
500 nF
o ——
*
Conviene resallar que estos dos circuitos funcionan evidentemente por lodo o nuda, y
que, una vez disparado el lirisior. es necesario corlar la alimentación, al menos durante un
instante, para lograr bloquearlo de nuevo. Con ci circuito c esto no es indispensable ya que
la alimentación se hace en c.a.
La carga recibe energía cuando se ilumina el folotransistor; la iluminación mínima
para disparar el tirisíor es de aproximadamente 700 lux.
No obstante, la alimentación no la recibe la carga sino por semiperíodos, o más
exactamente, a unos 6° a partir de cada principio de semíonda, en el sentido positivo, ya
que en el otro sentido lo que se produce es el bloqueo del tirjstor. El diodo zener y el
transistor TR, protegen ai folotransistor contra sobrecargas eventuales.
7. Detección de fases en una red trifásica
Es a menudo conveniente, en una instalación industrial, distribuir correctamente las

fases de una red trifásica. El tiristor resulta un medio sencillo de verificar esta distribución,
disparando en caso de error una señalización, alarma o por ejemplo un dispositivo
automático de inversión, a relés.
Sea pues el esquema de la figura 18-19 que tomamos de Solid State Products Irte.
(S.S.P.I.). El tiristor Th, polarizado mediante el resistor R3, está normalmente bloqueado. A
la entrada correspondiente se aplica una fase cualquiera A, de la red, de forma que circula
una corriente de 1,15 mA por el resistor Ri, que será pues de 100 kíi para una tensión
eficaz de 115 V.
En cuanto a la fase B, atraviesa el circuito R2-CI cuya impcdancia es de 100 kQ a la
frecuencia considerada, y suministra igualmente una corriente de 1,15 mA pero desfasada
-f- 60°.
Supongamos que A deba adelantar a B en 120°: gracias al desfase suplementario de
60°, las dos corrientes estarán pues en oposición (120 -f 60 = 180°) y se anularán. Luego I3 =
Ix -(- I2 = 0; el tiristor permanecerá bloqueado.
Si se produce algún error y se invierten las conexiones (esto es, si B precede ahora a
A) el desfase total resultante será de 120 — 60= 60°, e Ij se sumará vectorialmente a I2 para
dar una corriente total de I3 = 2 mA, suficiente para disparar el tiristor.
Alimentada por una fuente de tensión continua, la luz testigo se encenderá y
permanecerá encendida mientras no se actúe sobre el pulsador. Si la fuente de
alimentación es de c.a., será necesario que esta tensión permanezca aproximadamente en
fase con B, para que la conmutación del tiristor se produzca al iniciarse cada semionda
positiva. Para bloquear el tiristor basta restablecer el orden correcto de fases.
Los condensadores C3 y C2 eliminan los transitorios que pudieran introducir la
alimentación o la red de trifásica. Añadamos que puede reemplazarse la lámpara testigo
por un elemento cualquiera cuyo consumo no exceda de 250 niA a 75° C sin necesidad de
cambiar ninguno de los tiristores utilizados.
8. Contadores en anillo
El contador en anillo de la figura 18-20 a, igualmente tomado de S.S.P.I. y realizado

mediante tiristores planar, puede trabajar a frecuencias de hasta 200 kHz.
Cuando se alimentan los circuitos, los tiristores permanecen bloqueados. Un impulso
de -f 15 V, 1 ps de duración, aplicado a la entrada de “restitución hace conducir a Thx; en
ese momento, su tensión de ánodo cae a aproximadamente 1 V, y el condensador C 2 se G
descarga sobre Rr2, polarizando el cátodo del diodo DG2 a + 1 V. Este diodo queda pues
polarizado inversamente, y por tanto bloqueado.
Los otros dos diodos que siguen a los tiristores Th2 y Th3, Dr,i y D,¡3, están igualmente
polarizados inversamente; su tensión de cátodo es la misma que la de ánodo del tiristor
correspondiente, esto es de -f 28 V ya que los dos tiristores *
* Usamos “restitución” para denominar la “puesta en servicio”, y “reposición” para la “puesta a

cero”. (N. del T.)
192 TIR1STORES Y I RIACS
están bloqueados. Un impulso aplicado a ia entrada de “cuenta", siempre que su tensión

esté comprendida entre +5 y + 10 V, no podrá transmitirse sino por y atacar a ThL.; ese
tiristor pasará al estado conductor.
El condensador CAit conectado al ánodo de Th2l so descargará entonces sobre el
tirisíor y se aplicará un impulso positivo instantáneo de 28 V a todos los cátodos; Th¡, cuyo
ánodo está fijo a un potencial de H IV gracias a CAlr se bloqueará, Observemos, en efecto,
que los cátodos están efectivamente conectados a masa, aunque a través de una inductancia
LK.
Rutttuclftit „ f2tv>
+isv iüi y
Fiq, 16-20. — Esqueja báíica de un

contador cíclico de tres etapas
(a) y de tos circuitos
complementarios de reposición
(b) y de restitución (c).
Una vez descargado ei condensador C A? y cargado de nuevo el C Ai a + 28 V,

Comprobamos que ha habido efectivamente una conmutación. El siguiente impulso
aplicado a la entrada provocará ios mismos fenómenos, bloqueando Th;- y Th-, etcétera.
La reposición del contador se hace interrumpiendo la alimentación (4- 28 V)
durante un instante; otro método consiste en añadir el circuito de la figura 18-20 b al
contador en anillo; la reposición se logrará entonces aplicando un impulso a la entrada de
‘Veposición1*. Después no permanecerá en conducción el tirisror Tht ya que su resistor de
carga limita la corriente a un valor inferior al umbral de mantenimiento, siendo de hecho
el condensador el que suministra el impule reposición.
Finalmente, el circuito de la figura 18-20 c permite conmutar automáticamente Thi
tras una reposición a cero; su ubicación en el circuito general viene dada por las letras que
identifican sus conexiones. Cuando todos los tiristores están bloqueados no circula
corriente alguna por el resistor RK, y el transistor Qt per
APLICACIONES CON RELÉS ESTATICOS E INTERRUPTORES /V.V
manece también en bloqueo; por tanto quedan los + 28 V aplicados a la entrada de

“restitución” haciendo conducir a Thi.
En cuanto conduce uno de los tiristores, la caída de tensión en R K, de un volt, hace
que Qt pase a saturación, quedando su ánodo prácticamente a masa; el diodo D s queda
pues bloqueado (fig. 18-20 á) y la entrada de “restitución" no juega ya papel alguno.
Veamos por último algunos detalles complementarios: la constante de tiempo Ri, C A
ha de ser superior a 4 ps para que los tiristores tengan tiempo de volver a bloquearse.
Recordemos a propósito de ello que se trata en este caso de tiristores planares, luego de
elementos más rápidos que los tiristores normales. Por otra parte, es necesario que se
cumpla LK > 4 R2j, CA para amortiguar las oscilaciones entre LK y CA en cada conmutación;
el diodo DK evita cualquier riesgo de polarización negativa de los cátodos de los tiristores,
lo que les desbloquearía prematuramente. Por último, los resistores R<- han de tener un
valor suficientemente
Entrada
Fig. 18-21. — Esquema de un contador directo en anillo de tres etapas. Adviértase que los ti-
ristores SC 60, que son de SGS-Fairchild, asi como los otros semiconductores indicados, van
provistos de un resistor Rr, interno (a). En (b) se da el esquema de una doble década reali-
zada utilizando las mismas células.
13
194 TIR!STORES Y TR1ACS
elevado a fin de limitar la corriente de carga a un nivel que no permita el cebado del
siguiente tiristor.
8.1. Doble década en anillo

A base de un esquema de principio idéntico, pero aumentando el número de etapas,
se obtiene una doble década (fig. 18-21) dotada de una reposición a cero, RAZ, y de un
circuito de transferencia de información (dicho de otro modo, circuito de acoplamiento).
En este circuito, tomado de S.G.S. (Electronique Industrielle, julio/agosto de 1967), la
reposición está asegurada por el transistor Tr de la figura 18-22 b.
Mientras se efectúa la cuenta, Tr trabaja a saturación, y cortocircuita a masa los
cátodos de los tiristores, a la vez que asegura la alimentación de los circuitos de mando de
puertas. Aplicando un impulso negativo a la base de Tr, o también accionando un pulsador
que cortocircuite momentáneamente su base y su emisor (durante algunas centenas de
microscgundos), el transistor se bloqueará dejando así de alimentar las etapas del
contador. El condensador Cr se cargará entonces, por el resistor R u y el diodo Dc, a unos 36
V positivos.
Cuando termina el impulso de reposición, el transistor Tr pasa de nuevo a
saturación, mientras se descarga el condensador C c sobre el diodo D, la unión cátodo-
puerta de Th„ (en paralelo con la cual se encuentra un resistor R, ;o) y el resistor Rr que
limita la corriente dc descarga. El tiristor Th 0 se ceba entonces y la década queda lista para
funcionar.
El mismo transistor Tr puede servir para varias décadas, modificando sólo los
valores de los resistores R„ y R,,. En cuanto a la red formada por D c, Cc y Re, se repetirá
tantas veces como décadas existan.
CIRCUITO DE ACOPLAMIENTO
El circuito de acoplamiento es el esquematizado en la figura 18-22 a. El transistor Tr
está normalmente saturado cuando se lleva el ánodo del tiristor Th» al potencial de más
alta tensión, o cuando se ceba este tiristor (su tensión de ánodo varía entonces entre 0,6 y 1
V).
♦ 36V
Fig. 18-22. — Circuitos de acoplo (a) y de reposición a cero (b) de la década de la figura
precedente.
Cuando se presenta el 10,'' impulso de conmutación se ceba Th y y, por tanto. el

potencial de ánodo de Th(l (punto Aft) pasa a un valor negativo. — V. Resulta entonces una
polarización en sentido directo del diodo Dplt y el impulso negativo se aplica a la base del
transistor Tr que se bloquea durante un tiempo suficiente para conmutar el primer tiristor
de la siguiente década. El diodo Dj, sirve para proteger la unión base-emisor del transistor.
8.2. Contador reversible

E! contador que acabamos de analizar sólo puede contar en un único sentido. Para
obtener un contador reversible que posea dos entradas distintas de impulsos, una para
contar y otra para descontar, basta añadir un puerta de diodos en cada etapa. Se llega así,
para el caso de tres etapas, al contador de la figura 18-23.
El principio de funcionamiento es rigurosamente el mismo. Así, el diagrama de
bloques de un contador reversible de 2 décadas corresponde al de la figura 18-24; si bien
los circuitos de acoplamiento y de reposición siguen siendo los mismos, naturalmente, es
necesario doblar el número de los primeros y disponer de circuitos de acoplamiento para
cada vía, directa e inversa (suma y resta). Además, es preciso el circuito de transferencia
directo durante !a resta — y viceversa — lo que se logra mediante un circuito de inhibición
constituido por un simple biesta- ble sometido a los impulsos de mando de suma (cuenta
directa) asociando una posición estable a cada vía (directa o inversa).
+ 36 v
Fig. 18-23. — Esquema da un contador reversible, en anillo, de tres etapas. Las puertas de
diodos empleadas para la resta van marcadas con un trazo sobre la D.
8.3. Vísualizacíón
Con el contador en anillo de liristores se puede prescindir perfectamente de la etapa de
potencia, indispensable en todo contador de básculas a transistores. Se puede así controlar
directamente las válvulas indicadoras numéricas de cá-
F¡g. 18-24. — Diagrama sinóptico de una doble década reversible y principio del control di-
recto de un indicador numérico de cátodo frió.
todo frío, tal como se indica esquemáticamente en la figura 18-24. Los impulsos a contar
deben tener aquí una recurrencia máxima de 1 kHz y un tiempo de subida menor o igual a
100 ns.
9. Gobierno de transductores electromecánicos a potencia constante
El circuito que describimos ha sido estudiado por S.S.P.I. para gobernar un contador
electromecánico rápido: a cada impulso (aun cuando no fuera de duración constante)
aplicando a la entrada corresponde a la salida una energía constante, suministrada en
forma de impulsos. En el campo inmediato de aplicación de este circuito se encuentran
prácticamente todos los dispositivos con electroimán: perforación de bandas o fichas y
lectura de las mismas, martillos de impresoras electromecánicas, sistemas de marcado,
sistemas paso a paso, etc.
El tiristor empleado (fig. 18-25 a) es un modelo AA1 14, en cápsula TO-I8. que se
dispara mediante un impulso de unos 5 a 10 mA (según que la duración del mismo supere
los 20 ps o 1 ps) y capaz de suministrar un impulso de 10 A durante 10 ms.
En reposo — tiristor sin excitar — el condensador Ci se carga a los 4- 28 V de la
tensión de alimentación, por el resistor Rj. Cuando se ceba Thi, Cj se descarga sobre el
circuito de utilización y en cuanto la corriente de descarga disminuye, Th, se bloquea, ya
que la corriente que lo alimenta, igual a + 28 V/Ri = = 1,5 mA, es inferior a la de
mantenimiento (siempre que haya desaparecido, se entiende, el impulso de mando).
APLICACIONES CON RELÉS ESTÁTICOS E INTERRUPTORES 197
La constante de tiempo Ri Ci, de 0,9 s, puede resultar excesiva para la carga del
condensador; para disminuirla y dejarla en 10 ms, conviene añadir al circuito precedente el
transistor Qi (figura 18-25 b). Éste conduce y pasa a saturación sólo cuando está bloqueado
Thi, cortocircuitando entonces Rx.
El impulso de salida dura, en nuestro caso, 15 ms, y su energía, que depende del valor
de Ci, permanece constante, cualquiera que sea la duración del impulso de mando. Si éste
fuera demasiado breve, la carga inductiva podría retardar el cebado de Th x, de donde el
empleo de R3 que, con impulsos de entrada superiores a 100 ps, podría perfectamente
suprimirse. Finalmente, Dx y R2 impiden toda oscilación y proporciona^ una vía de baja
impcdancia para la corriente de carga de Cx.
Fig. 18-25. — Circuito de ali-

mentación a una carga con po-
tencia de impulsos constante (a),
y variante para reducir la
constante de tiempo de carga del
condensador.
10. Conmutación complementaria (báscula)
El dispositivo de conmutación complementaria S.S.P.I. es del tipo “báscula”.

Permite, por ejemplo, la visualización del estado de un circuito empleando un detector o un
captador cualquiera: alto o bajo, para niveles, “go” o “no-go”* para comparadores; tensión
o ausencia de tensión para bobinas, motores, etc.
El circuito (figura 18-26) comprende dos tiristores Thx y Th2, alimentados en c.a. a
través de dos indicadores de señalización. Una señal de menos de 1 mA y 1 V aplicada a la
entrada ceba a Thx y se enciende la lámpara Lx: la tensión de ánodo de Thx, de 1,5 V
aproximadamente, se transmite a la puerta de Th2; pero gracias al divisor formado por R2 y
R» la tensión realmente aplicada a esta puerta resulta demasiado débil para cebar a Th 2: la
lámpara L2 permanece así apagada.
Cuando la señal de entrada es inferior al umbral de excitación del tiristor Thi, se
produce, naturalmente, la situación inversa. En ese caso, toda la tensión se encuentra en el
ánodo de Thj, y la fracción que se aplica a Th2 es suficiente para hacerlo conductor. Lx
permanece apagada, y se enciende Lo.
Estos dos indicadores son lámparas de 6,3 V. Debido al fenómeno de recti-
* Control "pasa” "no pasa”. (N. del T.)

¡VX TíRfSTORES Y TRIACS
ficadón de media onda, introducido por los tir¡stores, estas lámparas no dan más que un
lerdo de su brillo normal, lo que prolonga considerablemente su vida media. Para obtener
el brillo nominal basta elevar a 9 V ia tensión alterna de alimentación.
Fig. 10-26. — Conjunto de c o n m u t a c i ó n

complementarla: según e x i s t a o no una se-
ñal de entrada, se encenderá una u otra de
las lámparas indicadoras.
La ventaja que supone usar tensión alterna consiste en la supresión de los circuitos
clásicos de extinción de los tiristores, repitiéndose el ciclo a la misma frecuencia que la de
la alimentación. La entrada puede atacarse mediante cualquier puente con tcrnustancia.
fotocélula, etc. Por otra parte, se obtiene un mando más preciso del nivel de disparo
usando tiristores más sensibles, del tipo A A 100. por ejemplo, para Tb 5. y aplicando una
polarización negativa a la puerta.
ti. Protección por cortocircuito (sistema "crow-bar”)
Hay muchos circuitos para los que resultan peligrosas Jas sobretensiones
accidentales. Un medio rápido y eficaz de protegerlos consiste en montar en paralelo con la
carga un tiristor que la cortocircuite en caso de peligro {fig, 18-27).
Fig, 16-27, — Si se p r o d u c e
una sobretensión accidenta!,
entra en conducción el tiristor,
cor toe i rcuí tan do la carga.
Este
m o n t a j e resume el principio
básica de los sistemas de
•crow-bar'.
En la figura 18-28 se da un circuito más sensible y rápido. Si la tensión con tinua de

24 V excede a este valor en una cantidad fijada por el potenciómetro R|. el UJT conduce,
cebando al tiristor.
Además, este mismo montaje resulta también eficaz contra sobrecorrlentes: un valor
excesivo de la corriente provocaría una caída de tensión en R3. A partir de una referencia,
fijada por RL>. el UJT^ se dispararía y el proceso sería el mismo. La sensibilidad típica
varía entre 1U0 y 500 mV.
APLICACIONES CON RELÉS ESTATICOS E INTERRUPTORES 19 9
Fig. 18-28. — El disparo del tiristor montado en paralelo con la carga se produce aquí tanto
por sobretensiones como por sobreintensidades accidentales.
12. Temporizadores y relojerías
12.1. Temporización elemental

El circuito, muy sencillo (fig. 18-29), funciona de la forma siguiente: al apretar el
pulsador de “encendido”, el condensador Ci se carga instantáneamente en los semiperíodos
negativos de la tensión de red a través del diodo Di y el resistor Ri y, simultáneamente, se
hace conductor el triac; Ci se descarga entonces sobre el resistor R y el diodo de disparo
2
D2.
Fig. 18-29. — Temporización

elemental.
En cuanto la tensión de C alcanza el valor de la tensión de avalancha de D 2, C se

2 2
descarga a través de este diodo sobre el circuito de puerta del triac, manteniéndolo así en
conducción. La duración de esta conducción es corta (inferior a 1 minuto) y la precisión
muy mediocre.
12.2. Temporización elemental de tres minutos
El circuito siguiente permite controlar la duración de una iluminación, durante tres
minutos aproximadamente (figura 18-30). Una rectificación de media onda efectuada por
el diodo D, junto con el resistor Rj y el condensador C 2, permite obtener una tensión
negativa con respecto al cátodo del triac. La tensión media que se alcanza en C es de unos 2
80 ó 100 V.
200 TIRISTORES Y TRÍACS
Fig. 18-30. —Tem poriza ción de tres minutos, perfectamente aplicable a un automático de es
calera.
En el estado de espera, d transistor G ;i conduce ya que su corriente de base se obtiene

de la tensión zener de a través del resistor R^; el condensador C no puede pues alcanzar
3
nunca la tensión de avalancha del diodo de disparo Ds. En cuanto se acciona el pulsador de
“encendido", C, se carga instantáneamente a través de R T, lo que produce la aparición de
una caída de tensión en Ru. El conjunto Qi Q£ se hace entonces conductor, permitiendo así
la conducción del triac. En efecto, la corriente de base necesaria para la conducción de Q :
( queda derivada
por el par Qi Q2, haciendo posible la carga de C3, que terminará alcanzando la tensión de
avalancha del diodo de disparo.
La descarga de C se hace sobre D.-„ manteniendo así la conducción del triac. Este
3
estado permanece mientras la tensión de C| sea superior a la tensión de cebado del testigo
de neón. La duración de la conducción se puede ajustar mediante R10.
Con sistemas numéricos se alcanzan tcmporizaciones más precisas, como veremos al
referirnos a un estudio de J. L. T ERREUX , de Texas Instruments (Electro- ñique Industrielle,
enero/febrero 1970), del que están extraídos los dos circuitos anteriores.
12.3. Circuito con tiristor complementario

El tiristor C 13 GE es complementario, muy sensible, con una débil corriente de fuga
y suministra 250 mA en c.c. (10 A máx.) con una disipación de 450 mW.
En el esquema de la figura 18-31 se usa este tiristor en un circuito de tem- porización.
Constituye el elemento de conmutación pero, dada la potencia que puede gobernar, ataca
directamente a la carga, en este caso la bobina de un relé.
Fig. 18-31. — Montaje de un tiristor

complementario c o m o temporizador kn
de 40 a 60 segundos.
Con el interruptor abierto, la tensión positiva continua queda aplicada al

condensador de 25 pF a través del diodo A 14 (y el resistor de 2,2 klí conectado al menos).
Si se cierra el interruptor, la armadura superior del condensador, conectada antes al
negativo, queda conectada al positivo (aproximadamente 12 V): esta tensión aparece en
serie con la que cargaba el condensador, lo que hace que el cátodo del diodo se encuentre
polarizado a + 24 V.
Por tanto, el condensador empieza a descargarse sobre el resistor de 1 Mí) en serie
con el de 3 Mí) y, cuando la puerta del tiristor queda polarizada directamente con relación
al ánodo, C 13 entra en conducción. La temporización, que es del orden de los 40 a 60 s con
los valores indicados en el esquema, es prácticamente independiente de la tensión de
alimentación.
12.4. Relojería con avisador

El circuito es el de la figura 18-32 (del laboratorio de aplicaciones de Silec Semi-
Conducteurs), en el que se aprovechan las diferencias de sensibilidad de puerta del triac
TDAL 221 en los cuadrantes l.° y 4." para hacer que la lámpara L brille primero a toda
potencia durante algunos minutos y luego quede alimentada únicamente en los
semiperíodos positivos. Esta fase de brillo reducido y ligero parpadeo es la que avisa de la
próxima extinción de la lámpara (o las lámparas).
Al cerrar el contacto momentáneamente el pulsador B, C\ se carga positiva-
202 T na STORES Y TM1ACS
Fig. 18-32. — Relojería con avisador. Antes de ta extinción, la lámpara L (o las lámparas si'
luadas en su Jugar) pierde brillo y parpadea Jigeramente.
mente, haciendo conducir a T5; Ca se carga, oscilando entonces el UJT, T;>, a una
frecuencia de 25 kHz. inyectando continuamente impulsos de disparo en la puerta del triac,
que conduce pues a cada semíonda.
A medida que C\ se va descargando sobre Rj, el potenciómetro P y Ja base de Ti. la
tensión en C va bajando gradualmente hasta que llega un momento en que Ja amplitud de
2
las puntas de corriente de! UJT resultan insuficientes para lograr el disparo del triac en ei
4." cuadrante. Es Ja fase de ‘'aviso 1’ en que el cebado se realiza sólo en las semiondas
positivas.
La duración de esta fase puede aumentarse algo aplicando a C una fracción de las
2
semiondas positivas de tensión mediante el condensador auxiliar C3.
13. Aplicaciones del diodo Shockiey
El diodo Shockiey, o diodo-liristor, se presta a un buen número de montajes en los

que puede usarse como elemento principal, tal como indican los esquemas siguientes
(lomados de ITT-Ittterrnetaíl: Elecironique Industrie!le, mayo de 1969).
Í3.1. Generador diente de sierra
El montaje fundamental del diodo de cuatro capas es el indicado en la figura 18-33 a.
La tensión continua (=t V) carga el condensador C a través de R r.; se escoge (+ V)
suficientemente grande para que la carga sea lineal, siendo la constante de tiempo Rj,C.
Cuando la tensión en C alcanza el valor de umbral V s, (siendo VK Ja tensión de disparo), se
desbloquea el diodo y C se descarga rápidamente, tras lo cual se vuelve a bloquear el diodo
(siempre que RL sea lo suficientemente elevada para que circule una corriente inferior a li¡,
pero lo bastante baja para que circule la corriente I ^ de conmutación). Luego vuelve a
comenzar el mismo ciclo.
13.2. Generadores de impulsos RC
Los cuatro circuitos siguientes derivan directamente (figs. 18-33 b a e) del anterior
esquema fundamental. No obstante, la tensión de conmutación es aquí superior a (-)- V); es
pues el impulso de entrada el que dispara el diodo Shockiey atacando el cátodo o el ánodo a
través de un condensador. El diodo
APLICACIONES CON RELÉS ESTÁTICOS E INTERRUPTORES 20J
clásico que aparece en estos esquemas sirve para aumentar la impedancia aparente para
los impulsos. Las aplicaciones de estos montajes quedan en el campo de la generación o
amplificación de impulsos.
Fig. 18-33. — Esquema básico de

montaje del diodo Shockley como
g e n e r a d o r diente de sie/ra (a) y
variantes RC para obtención de
impulsos (b a e).
T r
Ri
♦v.-----------WW
u* u
13.3. Generadores de impulsos LC

El impulso aplicado al cátodo de D, (figura 18-34 CÍ) conmuta de la misma forma al
diodo, ya que (4- V) es inferior a Vs. Gracias al circuito resonante LC, aparece a la salida
una semioscilación (incluso se aprecia una ligera sobreoscilación al final del ciclo); luego el
diodo se bloquea de nuevo.
La oscilación propia del circuito tiende a recargar C al valor -f- V, pero con la
polaridad opuesta. No obstante, en cuanto cesa esta oscilación, C se recarga a través de R.
que debe ser suficientemente elevada para limitar la corriente por debajo de 1|(.
Como variantes, se han incluido los esquemas de las figuras 18-34 b y c, con circuito
resonante de carga, que pueden cargar C a dos veces (-f- V) si es suficiente el factor de
calidad Q. La resistencia de L ha de ser lo bastante grande para limitar la corriente
circulante por debajo de In, y el ánodo de D, debe permanecer negativo el tiempo necesario
para que el diodo pase claramente al estado de bloqueo, lo que limita la frecuencia de
funcionamiento del sistema.
13.4. Lectura-escritura de memorias de ferritas

Si Vs > (+ V), el impulso aplicado a D lo dispara (figura 18-35 a) y se descarga C; Li
4
constituye una carga inductiva, y de su valor depende la forma del impulso de escritura o
de lectura que se produzca en la línea de ataque a las
204 TIRlSTORES Y TRIACS
ferritas. El producto Ri.C ha de ser tal que el condensador C se cargue en un tiempo

inferior al marcado por la frecuencia de trabajo.
13.5. Mando de relés
De nuevo, si V¡; > (-}- V), el impulso negativo aplicado al cátodo de lo disparará,
excitando así al relé Kf mientras que un impulso idéntico, pero aplicado al ánodo, hará
volver todo al estado de reposo. El diodo absorbe los transitorios inversos debidos a la
bobina del relé (figura 18-35 b),
13.6. Estroboscopio
Los diodos Shock ley se usan aquí para obtener un oscilador de relajación que
suministre impulsos de más de 150 V a un ritmo de varios centenares por segundo, según
las constantes del circuito (figura 18-36). Dada la tensión requerido, se han tenido que
disponer dos diodos en serie, cada uno con su resistor paralelo de ecualización.
Fig. 18-36. — A p l i c a c i ó n al
control de un estroboscopio de
los diodos de cuatro capas.
13.7. Disparo de una alimentación de emergencia

Si fallara la tensión normal de alimentación (figura 18-37) disminuiría la tensión en
A, provocando el disparo del diodo de cuatro capas, que conectaría entonces la carga a la
alimentación de emergencia.
Fig. 18-37. — Circuito de emergencia para la pues-

ta en servicio de una alimentación auxiliar en caso
de accidente.
14. Gobierno de un motor de limpiaparabrisas
El antiguo sistema tradicional de gobierno para un limpiaparabrisas de automóvil

consiste en insertar un resistor en serie con el motor que permita reducir su velocidad.
Ahora bien, si lo que se quiere es limitar el número de pasadas no es lógico recurrir a una
reducción de la velocidad del movimiento; antes al contrario. se trata más bien de
mantener idéntica duración de la pasada, independientemente de la velocidad, actuando
sólo sobre los tiempos de paro.
La forma de conseguir esto es, por ejemplo, mediante el circuito de la figura I8-38. El
interruptor S, es el de puesta en marcha y S es un conmutador sín-
2
Fig. 18-38. — Con este circuito puede controlarse el número de pasadas de un limpiaparabri-
sas actuando sólo sobre el tiempo de reposo.
20á TIR/STORES )' ’JRIACS
crono gobernado por el rotor del motor correspondiendo la posición a a Ja tic reposo y b a
la de Lrabajo.
Al cerrar $: queda bajo tensión el L'JT. el cual dispara a! lirisior una ve/ cargado Q.
La conducción del liristor pone en marcha el motor, !o que hace que pase a la posición h.
En ese mismo me miento el tirisior deja de conducir por quedar cortocircui- lado,
recibiendo la alimentación el motor ¡H>r e! pumo h del conmutador.
Al retornar las escobillas del iimpiaparabrisas, pasa de nuevo Sj a la posición ÍÍ
(conmutador abierto), con io que el motor se para, y permanece así hasta que se recargue
Ci<
15, Aplicaciones de los fototiristores

Los montajes que se proponen aquí están inspirados en las aplicaciones del LASCII
de GE. del BPY 7fi de Telefunkett y de los elementos S.S PJ. en particular.
IS.T. Esquemas de principio

Los esquemas de la figura IK-3Ó indican algunos circuitos fundamentales con
fototiristores. En a, el fototiristor está alimentado en e.a.; así. pues, mientras recibe liii, una
semionda de cada período completo pasará por el elemento,; hacia la carga. En />, la
alimentación es en ce, por lo que hay que disponer un sistema de extinción que será de todo
punto similar a los adoptados por los tirjsio- res; por ejemplo, podrá ponerse simplemente
un interruptor o tm pulsador en serie con la carga.
Fig. 18-39." Circuitos can fa-

mecas (inhibición) menos (inhibición) menos (inhibición)
totiristares: can alimentación de
c.a, (a), c.c. (b). o mixta (c); con
salida separada (d). salida par
diada (a); montaje can carga
inductiva [f).
4 la moas o el minos A le masa o el menos

(inhibición) (inhibición)
Si se quiere evitar tener que cortar una corriente demasiado intensa, se puede
recurrir al esquema de la figura c en el que el resistor Rj, conectado a una fuente de tensión
continua, no deja pasar sino una débil corriente de mantenimiento que basta interrumpir
para bloquear el semiconductor; la carga, por su parte, está alimentada en c.a. (un diodo
serie precede al fototiristor para evitar el paso de la corriente continua hacia la carga).
Las dos figuras siguientes, 18-39 d y e, constituyen, en cierto modo, esquemas de
circuitos lógicos: en d, la señal útil se toma de la salida, eventualmente a través de un diodo
(e) con lo que se obtiene un montaje similar al de la figura 18-39 <•. Si la carga es inductiva,
conviene montar un diodo en paralelo, para prevenir cualquier incidente debido a los
transitorios de conmutación (en /).
En todos estos circuitos, la carga sólo está alimentada cuando el fototiristor recibe la
iluminación; con el montaje de la figura 18-40 a, inversamente, la carga recibe energía sólo
mientras el fototiristor permanezca en la oscuridad; cuando se le ilumina, conduce,
cortocircuitando la carga. Por último, la carga puede situarse indistintamente en una línea
de c.a. (en h) o en una de c.c. (en c).
%
0
Fig. 18-40. — El fototiristor en paralelo con una carga la cortocircuita al recibir iluminación (a).
La carga puede ser de c.a. (b) o en c.c. (c).
15.2. Generadores de impulsos

Las aplicaciones del fototiristor como generador de impulsos resultan útiles en
contadores, o para selección, marcado y, en general, en la resolución de ciertos problemas
de automática. Cuando se oculta o ilumina bruscamente el fototiristor, da un impulso de
salida, y uno solo; este impulso puede ser negativo (fig. 18-41 a) o positivo (figura 18-41 b).
En la figura 18-41 a el fototiristor está normalmente iluminado, y deja pasar una
corriente muy débil — menor de 100 pA— que al atravesar Ri impide que se cargue Ci. Si
se interrumpe esta iluminación, Q se carga al valor de la tensión
208 TÍRIST0RE5 Y TR1ACS
Flg. 1B-41. — Fototiristores en (a generación de

imputaos: (a) negativos, (b) positivo a- El fototiris-
tor se designa Th,
positiva a través de R¡; el restablecimiento de la iluminación permitirá a CT descargarse,

con Jo que aparecerá un impulso negativo a la salida.
Inversamente, en la figura 18-41 b ei fototíristor está normalmente en lo oscuridad y
C2 está cargada. Cuando se ilumina el fototíristor, el condensador se descarga sobre y la
carga. La señal de salida es en cualquier caso independíente de la iluminación.
15.3. Gobierno de potencia con o sin temporización

En combinación con tiristores clásicos, el Fototíristor puede gobernar potencias muy
elevadas. En la figura 18-42 se dan dos circuitos, con fototiristor controlado por
iluminación (en a) y por oscuridad (en b).
Usando alimentación en c.c. se llega a Jos esquemas de la figura 18-43. En a, Ci se va
cargando cuando el fototíristor recibe iluminación, a través de Ri y Ru y; al alcanzar un
umbral dado de tensión, dispara al tiristor, que alimenta la carga. La aplicación de la
tensión a la carga está pues temporizada; la reposición en cí estado de no conducción se
hace por interrupción de un contacto de pulsador.
En la figura 18-43 b, el fototíristor no suministra sino el impulso de disparo para el
tiristor de potencia, que a su vez controlará una temporización idéntica a la obtenida en el
esquema anterior. En este caso la carga estará alimentada, a cada iluminación del
fototíristor, durante un tiempo previamente determinado, ya que al conducir e! segundo
tiristor Th2 queda bloqueado Thi.
15.4, Automatismo con fototiristores

Mediante dos fototiristores, tipo 3P 30 de S.S.PJ. puede realizarse un dispositivo
automático que detecte dos niveles, alto y bajo, por ejemplo. Cada uno de estos
fototiristores recibe la iluminación de una Fuente que se oculta cuando se alcanza o
sobrepasa el nivel deseado (figura 18-44).
Fig. 18-42. — Idea básica del control

de fuertes potencias con fototiristo-
res para el control de tiristores clási-
cos, con excitación por luz (a) o por
r\j Alimentación
oscuridad (b).
El interés del circuito reside en el sistema de alimentación de la carga. En efecto, por

ésta sólo pasa una corriente rectificada cuando el nivel ha decrecido hasta alcanzar el
umbral “bajo”; pero la alimentación persiste hasta que se alcanza de nuevo en la subida el
nivel “altoLos fototiristores Ptj y Ptj, en cápsula TO-18, están alimentados en c.a., y
pueden dar hasta 300 mA en c.c. y 5 A de pico.
Supongamos pues que se han pasado los dos niveles: Ptj y PtL., no iluminados, están
bloqueados. Si el nivel desciende por debajo del umbral “alio”, se ilumina Pt, que conduce
y carga el condensador C3 a la tensión de cresta, a través del diodo Dl. con las polaridades
indicadas.
Luego, al continuar decreciendo el nivel, Pto recibe a su vez luz, cuando se alcanza el
nivel de umbral “bajo”; se desbloquea el fototiristor y pasa por la carga una corriente
alterna rectificada en media onda. Esta corriente continúa circulando incluso después que
el nivel ascendente haya alcanzado el umbral “bajo”: en efecto, la tensión de c.c. presente
en el condensador C;t, aplicada al ánodo de Pt-_. a través de R. t, impide que se descebe este
tiristor cuando ya no recibe iluminación.
Cuando se alcanza de nuevo el umbral “alto" se bloquea Pt,, siguiéndole Ptj. Los
resistores Rt y Rj suministran las polarizaciones de puerta, mientras que Ci y C L.
cortocircuitan los posibles transitorios que podrían cebar prematuramente los
fototiristores. Finalmente, el diodo D, sólo es imprescindible en caso de carga inductiva.
210 TIRtSTORES Y TRIACS
15.5, Circuitos lógicos
Un circuito Y con tototu ¡stores adopta el aspecto indicado en la fie. 18-45 a la luz
debe incidir simultáneamente sobre todos los elementos fotosensibles para que se cierre el
circuito. En cambio, en la figura ¡8-45 cada cnirada esta dotada de una memoria con lo
que se i lejía a un circuito Y vet ¡tendal, en el que los
APLICACIONES CON RELÉS ESTÁTICOS E INTERRUPTORES 211
Fig. 18-45. — Circuitos lógicos

con fototiristores: c i r c u i t o Y
(a), Y secuencial (b), O (c);
flip-flop (d).
tiristorcs entran en conducción independientemente unos de otros, aunque la carga sólo

recibe energía cuando han conmutado todas las puertas Y.
El circuito O se obtiene poniendo en paralelo tantos fototiristores como se desee
(figura 18-45 c); en la figura 18-45 d se da el esquema de un flip-llop: el condensador de
conmutación C\ desceba uno de los fototiristores cuando entra en conducción el segundo
por recibir iluminación.
15.6. Flash electrónico de arrastre para fotografía
Este flash de arrastre o “esclavo”, es el representado en la figura 18-46. Cuando el
interruptor está cerrado, el condensador se carga a 300 V por R,. y C. a unos 20 V gracias
a R« y R:t.
Cuando se dispara el flash principal entra en conducción el fototiristor, y Q se
descarga sobre el primario del transformador T,. En el secundario aparece una muy alta
tensión (M.A.T.) que provoca una descarga en la válvula de destellos. Dicha válvula
descarga a C| mientras que el circuito resonante C-T, polariza inversamente y bloquea al
LASCR.
En caso de emplear un resistor puerta-cátodo debe ajustarse de forma que el
fototiristor no se dispare con la iluminación ambiente; una precaución sería montar en
paralelo una inductancia de al menos 1 henry que aparece como impcdancia débil para la
luz visible y como impedancia muy elevada para un destello.
212 TIRlSTORES Y TRiACS
atan 2W
Fig. 18-46. —■ Realización de

un flash esclavo para fotogra-
fía, controlado por un f l a s h
principal no representado.
15.7. Dispositivo de alarma sonora
El fototiristor tetrodo de la figura 18-47 alimenta, cuando se le ilumina, ai UJT moni

ado como generador de ondas diente de sierra.
La red R¡ y Ct impide cualquier cebado intempestivo. Para cortar la señal sonora hay
que interrumpir la alimentación o bien aplicar un impulso de bloqueo a la pucriu de ánodo
lo que puede lograrse mediante un montaje con cerradura de seguridad, por ejemplo. El
consunto en reposa es del orden de los 10 uA.
Fig, 16-47, — Dispositivo de Alarma

sonora con fototiristor tetrodo.
Por último se puede introducir en serie con la puerta de cátodo un contacto sensible a
las sacudidas con lo que la señal sonora se disparará igualmente cuando se produzca un
movimiento brusco,
16. Mando por puerta lógica
Se puede obtener fácilmente un mando por todo o nada usando circuitos lógicos
integrados, por ejemplo Jos de la serie clásica 54/74. No obstante, ya que estos circuitos sólo
suministran una débil corriente de salida, es necesario recurrir a algún dispositivo de
adaptación intermedio (“interfacO,
En la figura 18-48 se ve una puerta NO-Y, de un NO-Y cuádruple SN 7400, seguida

de un “buflfer” 2N5449 que ataca al triac. Cuando A o B están a masa, la salida de la
puerta pasa a - f 5 V , desbloqueando sucesivamente al transistor y al triac. Cuando ambas
entradas, A y B, están a -f 5 V el sistema está bloqueado. Es siempre una corriente negativa
la que provoca la conducción del triac, para ambos sentidos de conducción.
Alimentación para
el C.l.
F¡g. 18-46. — Gobierno de un

triac mediante una puerta lógi-
ca tipo 54/74 TTL.
Fig. 18-49. — Versión mejora-

da del c i r c u i t o de la figura
precedente.
—----------- Carga -
r Control de fase
T1 01 1N2069
í
D2
1N29865 lí@
;ci
0,2
^Í F
2 N 5449
Fig 18-50. — Control de inhibición o habilitación para un sistema de disparo con UJT a par-
tir de una puerta lógica 54/74.
214 TI ¡USTORES Y TR1ACS
En la figura 18-49 se verá un esquema algo más complejo, que da una señal de
disparo de 10 V y que funciona en forma inversa, con respecto al precedente. Si A y/o B
están a — 5 V, la puerta SN54/74 queda bloqueada. Si A y/o B se ponen a masa, la puerta
se desbloquea, siguiéndola en esto el transistor y el triac. Para reducir la potencia de
mando del triac es necesario recurrir a un tercer circuito en el que se produce el disparo
usando, no ya una tensión continua, sino un impulso (figura 18-50). El transistor uniunión
da un impulso que se transmite, por medio de un transformador de aislamiento, a la puerta
del triac. Cuando está a masa una cualquiera de ías entradas de la puerta lógica, su salida
pasa 4- 5 V, lo que desbloquea el transistor QÜ y pone a masa la base del transistor
uniunión; es un control de inhibición que impide la conducción de! triac.
CAPITULO 19
APLICACIONES: CONTROL DE POTENCIA

Y REGULACIÓN POR CONMUTACIÓN
Y VARIACIÓN DEL ÁNGULO DE CONDUCCIÓN
1. Variadores de potencia por ángulo de fase
1.1. Montaje básico con diac

El triac del esquema de la figura 19-1 está gobernado por un diac y alimenta a la
carga en c.a. La potencia que se aplica a esta última varía efectivamente con el ángulo de
conducción.
Fig. 19-1. — Esquema básico del con-

trol por diac de un triac.
El condensador C empieza a cargarse en cuanto se conecta el circuito o, para ser más

exactos, en cuanto se presenta la primera semionda, a través del resistor R. Cuando la
tensión alcanza en el condensador el umbral de disparo del diac (de unos 30 V), éste
conduce, descargándose el condensador sobre el circuito de puerta del triac. Este último se
ceba entonces alimentando la carga.
Cuanto menor sea el valor del resistor serie antes se alcanzará en el condensador la
tensión de 30 V y antes se disparará el triac. Inversamente, una elevada resistencia serie
tendrá por efecto reducir la potencia entregada a la carga.
El montaje, no obstante, presenta un fenómeno de histéresis. siendo distinto el ajuste
del potenciómetro, a potencias iguales, según que se esté aumentando o disminuyendo la
potencia en la carga. Como ya hemos visto (capítulo 15, apartado 6) este fenómeno tiene su
origen en la carga residual del condensador.
216 Ti RI STORES Y TRIACS
1.2. Graduador de luz o variador simple de velocidad

Partiendo de estos esquemas puede montarse fácilmente un graduador de luz en el
que la carga esté constituida por una lámpara de incandescencia de 100 W, por ejemplo, o
un variador de velocidad para una perforadora eléctrica (figura 19-3).
El triac ha de ir montado siempre en un radiador adecuado. Cuando se trata de
elementos tales como el TYAL 223 B se los puede atornillar directamente sobre una placa
de cobre de 5 X 5 cm, por ejemplo.
Fíg, 19-2. — Cómo Intercalar un

limpie filtro antiparásito LC.
Fig. 19-3, — Montaje destinado o variar

la iluminación obtenida de una lámpara
de incandescencia o la velocidad de un
motor eléctrico; el circuito funciona
perfectamente a condición de prever un
radiador para e( triac, según la corriente
que se te pida.
Carga L
Fig. 19-4.-—Otro circuito de un variador de velocidad para un motor.

CONTROL DE POTENCIA Y REGULACIÓN 217
Si la carga es un motor universal, y por tanto es inductiva, es de temer que se

produzcan disparos esporádicos por derivada (dv/dt). En ese caso basta montar una red RC
de protección en paralelo con el triac para paliar ese defecto (figura 19-4).
2. Graduador regulado de luz para fotografía
El regulador de iluminación para fotografía que se representa en la figura 19-5

utiliza un triac controlado por un conmutador bilateral (SBS). El condensador de la red de
temporización, de 0,2 pF, se carga a tensión constante a partir de los zener Zj y Zo (uno
para cada polaridad de la tensión) y dispara, primero al SBS, y luego al triac.
Lámpara de incandescencia
Fig. 19-5. — Graduador de luz con

regulación en función de las
variaciones de red, realizado con
un triac y un SBS.
Por otra parte, la tensión de red se aplica al resistor R2 a través de R3 y P,. La caída
de tensión en R2 da una polarización previa al SBS, variable en función de la tensión de red
y que actúa en un sentido tal que tiende a corregir las variaciones de esta última.
3. Variador de velocidad con quadrac
El quadrac, que está constituido por la asociación de un diac y un triac en la misma

cápsula, puede usarse para realizar un variador de velocidad como el representado en la
figura 19-6. Se ha previsto la incorporación de una red R-, C 3 en paralelo con el
semiconductor, en razón de la carga inductiva. Los potenciómetros R, y R3 sirven para el
ajuste, aproximado y fino, de la velocidad de rotación del motor.
4. Variadores de velocidad con tiristores para motores universales
Estos esquemas que a continuación se discuten se aplican a motores universales de

poca potencia y son del tipo de media onda (un solo semiperíodo) como en la figura 19-7 a,
o de onda completa (figura 19-7 b).
218 T/RISTORES Y TR/ACS
Fig. 19-6. — El e m p l e o del

quadrac puede simplificar aún
más la realización de un varia-
dor de v e l o c i d a d (o de un
regulador de iluminación) en
cuanto incorpora un triac y un
diac.
Red de
alterna
Angulo
de apertura
loa tlristores
tL
Impulso de mando
Fig. 19-7. — Esquema de prin-

cipio de los montajes en media
onda (a) y onda completa (b) para
variadores de velocidad; curvas
resultantes de variación de
velocidad (c).
T
>
«a
<v
>
o
cT
•o
30 60 90 120 150 180

© Angulo de conducción (°)
4.1. Variador simple, media onda

Este primer circuito, notable por su sencillez (figura 19-8) es útil para control de
motores de escasa potencia, con carga constante. Es particularmente eficaz para bajas
velocidades ya que se pueden obtener ángulos de conducción de menos de 90° en los
tiristores.
Fig. 19-8. — Variador de velocidad de

media onda simple, sin regulación.
Tensión de Cl
Angulo de
conducción
Cuando se aplica la semionda positiva de red, comienza a cargarse el condensador Ci

a través de la red Rt-R_. y del diodo Di. La tensión de Ci se transmite a la puerta del tiristor
Th que entra en conducción en cuanto se alcanza su umbral de disparo. En ese momento
queda aplicada al motor el resto de la semionda de tensión de red.
Durante la semionda negativa se descarga Ci a través de Ri, R- y R :t, ya que el diodo
está bloqueado (lo mismo que el tiristor). El ajuste del ángulo de conducción se hace pues
mediante la constante de tiempo Ri R_. Cj. Cuando se introduce el máximo de resistencia
en cl circuito, el ángulo, e igualmente la velocidad del motor, son mínimos.
Puesto que el circuito no provee regulación de velocidad es necesario evitar que cl
motor se embale en ausencia de carga; en efecto, el tiristor soportaría mal fuertes
sobrecargas que durasen más de algunos pocos segundos.
4.2. Variador semionda disparado por transistores

En la figura 19-9 encontramos un esquema algo más completo, que usa un par de
transistores para paliar la dispersión de características de puerta del tiristor Th. No
obstante, volvemos a encontrar la misma red de diodo Di, resistor R- y potenciómetro Rj,
que sirve para cargar el condensador C t. Cuando la carga de ese condensador alcanza el
nivel de disparo del transistor Ti, éste se hace conductor, disparando a su vez a To. Gracias
a un efecto de avalancha, estos dos transís-
no TiRJSTORES Y TRIACS
lores se saturan rápidamente y C| se descarga a través de T 2 suministrando la corriente de

mando para la puerta del tiristor Th.
Con los valores del esquema, el umbral de disparo está lijado aproximadamente en 8
V. El ángulo máximo de conducción alcanzable es de 170° y se puede efectuar
perfectamente e! ajuste a bajas velocidades (ángulos de conducción inferiores a 90°).
Fíg, I&-9. — Dos transistores

permiten aquí el mando preci-
so del ángulo de apertura del
tiristor
Tsnsiin (fe al
une ntacJdn
Corrie
nte de
puerto
4.3, Variador semionda de disparo por lámpara de neón

Aqui se utiliza una lámpara de neón como elemento de conmutación (figura 19-10).
Se puede reconocer inmediatamente en Ja figura la misma red de carga dd condensador
que discutíamos en los esquemas precedentes; cuando la tensión en este condensador
alcanza el umbral de ionización deJ tubo de neón, éste se dispara y, por tanto, se descarga a
su través el condensador, suministrando al t¡- rístor el impulso necesario para su cebado.
La descarga impulsional de Ci prosigue hasta que se alcanza a su vez la tensión de
mantenimiento del neón; luego, al continuar decreciendo la tensión, se apaga el tubo, En
cuanto el tiristor se hace conductor, cortocircuíta toda esta red, en la que sólo queda
entonces aplicada su pequeña tensión residual. El condensador termina su descarga sobre
el resistor R:Jl
El uso de un tubo de neón permite un excelente rechazo de ruidos espurios y evita
cualquier disparo espontáneo del tiristor. No obstante, Ja característica del tubo de neón
(umbral de disparo relativamente alto) limita el margen de ajuste del ángulo de conducción
del tiristor entre 30° y 150°. para el caso del esquema de la figura.
Fig. 19-10. — Variador de ve-

locidad de m e d i a onda con
lámpara de neón.
4.4. Variador semionda con regulación somera de velocidad

La fuerza contraelectromotriz (f.c.e.m.) producida por un motor universal es función
de su velocidad; se debe al hecho de que el motor sigue girando una vez bloqueado el
tiristor, y a que subsiste un cierto magnetismo remanente; el motor funciona entonces como
generador.
Esta f.c.e.m. puede pues usarse para traducir eventuales variaciones de velocidad
debidas a variaciones de carga, con lo que llegamos al esquema de la figura 19-11.
Fig. 19-11. — La f u e r z a con-

traelectromotriz del motor queda
aplicada al tiristor, produ-
ciéndose una cierta regulación
que p u e d e p a l i a r eventuales
variaciones de la carga.
La red de disparo del tiristor está constituida por el resistor R t y por el po-
tenciómetro R2. Durante el semiperíodo positivo de la tensión de alimentación, se compara
una parte de esta tensión de red, tomada en el cursor del potenciómetro, con la f.c.e.m.
desarrollada en el motor. Si la primera es superior a la segunda, el tiristor se dispara y
aplica el resto de la semionda al motor.
Por otra parte, R2 sirve igualmente para el gobierno nominal de la velocidad. No
obstante, y debido a que la tensión de puerta es senoidal, y en fase con la de red, el ángulo
mínimo de apertura del tiristor no es sino de 90°. En efecto, sólo
222 TIR1 STORES Y TRIAOS
se puede aumentar este ángulo de conducción, ya que la tensión de cresta se presenta

justamente a 90°.
Naturalmente, el funcionamiento, que es erróneo en ausencia de carga y a bajas
velocidades, se estabiliza en cuanto se trabaja en condiciones normales.
4.5. Regulador semionda con mejor control de la velocidad

El esquema siguiente representa una variante del circuito de la figura 19-9, al que se
le ha añadido una red de regulación (figura 19-12). Esta red está constituida esencialmente,
por el resistor R7 (montado en serie con el motor) que suministra una tensión de
realimentación; esta tensión, proporcional a la corriente de pico en el motor, carga
mediante el diodo Dj al condensador Cj.
, MOTOR universal
2N406 R6 S150O
02 <V2W
Fig. 19-12. — Montaje con red de

regulación. El resistor serie R7
suministra la tensión de re-
alimentación n e c e s a r i a para
esta regulación.
Tensión * de C1 Tensión/'. / de C1 ' •

V.
Corriente de puerta. Corriente de puerta.

Carga débil Carga fuerte
R3. R4. R5. R6 tolerancia 5 %
Rl=75kO(120V) 150kO (240V)
El funcionamiento del resto del circuito es fácil de entender: la polarización inicial así
creada se opone a la tensión de mando, de modo que compense las variaciones de velocidad.
Para lograrlo se la aplica en la base de la red de polarización y R,. Así, si la carga del motor
aumenta, su velocidad disminuye, disminuye la f.c.e.m. y aumenta la corriente: luego, la
tensión de C2 crece (positiva) y, en consecuencia, los transistores se disparan antes.
La superioridad de este sistema reside en su gran elasticidad puesto que se llega sin
dificultad a obtener regulaciones en una amplia gama de velocidades. Conviene, no
obstante, adaptar al motor el valor de RT: 0,1 a I Í1 según la potencia.
4.6. Variador onda completa con lámpara de neón

Abordaremos ahora la descripción de un primer circuito de variador de onda
completa. Es de nuevo una lámpara de neón la que, cuando se ilumina, gobierna el disparo
de los dos tiristores (fig. 19-13) y volvemos a encontrar el mismo circuito R,, Rj de carga del
condensador Cj.
CONTROL DE POTENCIA Y REGULACIÓN
Sea pues el momento en que la red pasa por su semiperíodo positivo: Ci se carga y
luego, en cuanto se alcanza la tensión de ionización del tubo de neón, se descarga por este
tubo y el diodo Di hacia la puerta de Thj; este tiristor se hace conductor y cortocircuita el
primario del transformador T! cuyo secundario ataca al tiristor Thx.
<H
MOTOR
NEON
NE-63 T1 A
>
k
D1
í
R2” 2»
1N3754 *^Th
1
Fig. 19-13. — V a r i a d o r de
«ED a
kD2
í TK2
onda completa con mando por

lámpara de neón.
Red
T eoeioo en el
motor í\ ,
w
Tensión en
el condensador
Debido a la carga alterna de Ci se presenta una cierta histéresis. Se observará la

ventaja principal de este montaje: la separación de los circuitos de puerta. Así. el ángulo de
conducción resulta ajustable entre 30 y 150° aproximadamente: con el ángulo de
conducción máximo se aplica al motor un 95 % de la potencia de entrada.
4.7. Variador onda completa de conmutación rápida

El empleo de transistores permite aumentar la velocidad — y la precisión — de la
conmutación (figura 19-14); además, sirviendo estos transistores de referencia de tensión,
se pueden obtener ángulos máximos de conducción.
El umbral de disparo de los transistores Qi y Q 2 depende del valor del resistor R.<; la
red de mando está formada, por otra parte, por los resistores R, y R 2 y el condensador Ci.
El puente de diodos Di a D 4 sirve para alimentar en alterna rectificada los transistores;
cuando se alcanza la tensión de umbral de éstos (aquí de unos 8 V), se descarga el
condensador Ci a través del primario del transformador Ti, disparando el tiristor que está
montado en el sentido de paso de la corriente. El ángulo de conducción máximo es de 170°.
V22J 1 TIRISTORES Y TRiACS
(V) Componentes
(A)
Todas las fi-
guras excepto Figuras 19-12 y Diodos Tiristores
19-12 y 19-13 19-13
120 1 1,5 1N3755 2N3528

120 3 5 1N3755 2N3228
120 7 10 1N3755 2 N 3869
240 1 1.5 1N3756 2N3529
240 3 5 1N3756 2N3525
240 7 1N3756 2N3670
10 Fig. 19-14* — Los transistores
pírmUeo obtener también en
este caso un disparo rápido y
preciso.
Tensión
aohíftd
s *1
menor
Impulses
de
Conmvl
4.8. Variador onda completa con compensación de carga

Es un circuito derivado del de la figura 19-12, pero que posee además una red de real
¡mentación destinada a compensar eventuales variaciones de carga (figura 19-15). Aunque
no utiliza más que un solo tiristor, el motor recibe alimentación alterna debido a la
rectificación de onda completa.
El resistor serie RT depende de la potencia del motor considerado y varía entre 0.1 y l
£2; suministra la tensión de rcalimentación necesaria para ia regulación. según un proceso
idéntico al que hemos examinado anteriormente.
4.9. Componentes
Los diodos, tiristores y transistores utilizados en estos montajes son tipos RCA cuya
designación damos, para diodos y tiristores, en la tabla siguiente, en fundón de la corriente
y tensión de c.a, que admiten.
CONTROL DE POTENCIA Y REGULACIÓN ■>>*
Fig. 19-15. — Variador de onda

c o m p l e t a con compensación
de las variaciones de la carga.
Tensión de
alimentación Tensión aplicada
Comente de puerta Corriente de puerta

Carga débil Carga fuerte
Las eventuales indicaciones diferentes se hacen sobre los propios esquemas o se

precisan en el texto; por otra parte, hemos incluido también en los esquemas los valores de
algunos resistores que vienen determinados por las corrientes y tensiones de alimentación.
5. Alimentación estabilizada con prerregulación
El transistor regulador serie de una fuente de alimentación estabilizada debe

absorber una potencia variable en función de: •
• Las variaciones de la carga;

• Las variaciones de la tensión de red, o de alimentación.
Fig. 19-16. — En este esquema

sinóptico de una fuente de ali-
mentación e s t a b i l i z a d a con
prerregulación se podrá apreciar
la existencia de un regulador
c o n t r o l a d o por la corriente o
la tensión de salida, asi como el
elemento de regulación previo.
15
22
6
5FH106 A B S5*f) +55V SFMIÜÓ
+ 5SV SFMIÜó
TI
<3
T íTSH " - /-1 ""*v ^ ¿5Vcf
O 100 ^4
Rf
S
T
I---------—Lvvww—._—^—-—-—i—i -L----------------—J & O
ikfi «V R
tW vi . ^X>-%A
E
S
SN Í055
xxv^v Y
T
R
Í
A
C
S
fig. 19-17. — La referencia para las tensiones auxiliares necesarias al funcionamiento del ampfifícador se sitúa entre los dos
resistores de 0,1 £í y 50 MSh En estas condiciones es suficiente el empleo de un solo transistor regulador,
cualesquiera que sean las exigencias de regulación de la fuente.
Es pues imprescindible prever los casos extremos, sobredimensionándolo, a menos

que se le haga preceder de una prerregulación, cuyo principio es el indicado en la figura
19-16.
El tiristor está controlado por las variables del sistema y recorta la tensión de
alimentación no regulada para suministrar al regulador serie la potencia exactamente
necesaria. En cualquier caso, el transistor regulador no disipa por tanto más que una
potencia reducida, lo que permite:
• Un montaje más compacto;
• Una economía en cuanto a potencia.
El circuito propuesto ha sido estudiado en el “Centro de FPA” de Angers. por M. Guy
REGNIER (Electronique lndustrielle, núm. 120/1969).
El circuito de regulación de salida se compone (figura 19-17) de dos bucles o cadenas
de reacción y utiliza dos tensiones auxiliares con referencia sobre la tensión de salida (+ 14
V y — 14 V).
El primer bucle regula en tensión. Un puente de resistores formado por Ri, Rl. y RJ.J
(ajuste de la tensión de salida), que controla el amplificador diferencial, detecta el error
cometido. El amplificador diferencial pilota el transistor-regulador Tr, por medio de los
amplificadores de corriente (T:{ y T|). Gracias al resistor de 50 mí) en paralelo, que también
se usa para el amperímetro, se logra aumentar la regulación.
El segundo bucle regula en corriente. La tensión de error es la caída en el resistor de
0,1 í) en serie con la carga, que, después de amplificada por T« y T t. actúa sobre el
Darlington T* del regulador. El umbral de regulación en corriente se fija por medio de R r2
(250 í)).
La tensión sin regular se obtiene de una rectificación de onda completa (fi-
Fig. 19-18. — En este circuito, la rectificación se hace mediante un par de tiristores cuyo án-
gulo de conducción está controlado por la tensión de operación del transistor regulador (ten-
sión emisor-colector estabilizada a unos 8 V).
■? >á TJRlSTORES Y THIA CS
gura 19-18), Los reí; tifie ado res clásicos (diodos) se han reemplazado por dos liristores
2N4I70 cuyo ángulo de conducción viene fijado en función de la caída de tensión en el
regulador. Esta tensión se ha ajustado a 8 V mediante los resistores Rrí y Rft.
El error que se produzca en torno a este valor se detecta mediante T., que modifica la
tensión de carga de la red de temportación formada por R — 220 kL> y C 0,18 uF,
determinando el ángulo de apertura de los lili stores por medio de! transistor uníunión Tu,
El circuito Dt-Dii-Dn-TiJ, permite obtener una sincronización del disparo en cada
semíonda. El diodo OA 210, en paralelo con Ja bobina de filtro, está destinado a suprimir
las sobretensiones inversas en cada disparo de Jos ti ristores.
Las demás características, a saber, resistencia interna, estabilidad térmica y
respuesta en frecuencia, son las usuales corrientes y ampliamente suficientes para un
aparato de laboratorio.
6, Regulación de la temperatura
La regulación de temperatura es una de las aplicaciones óptimas de tirislo- res y

trines, y da lugar a un número considerable de circuitos que por lo general derivan de los
estudiados anteriormente. Describiremos aquí algunos, y más adelante veremos otros en el
capítulo destinado al control de tríacs mediante circuitos integrados.
6.1, Circuitos sencillos

En Ja figura 19^*19 se dan dos circuitos muy simples, tomados de S.S.P.L Un
termistor RA constituye, con el resistor variable R]¡, un puente que polariza la puerta del
liristor; al producirse algún cambio en la temperatura varía la resistencia de RA y, a partir
de un cierto umbral, el liristor se hace conductor.
0
+ 5V — i 5v o—
Fíg. 19-19. — Circuitos de re-

gulación de t e m p e r a t u r a sin
(a) o con [b] diodos de correc-
ción de la deriva.
Estos dos circuitos pueden recibir la alimentación en c.c. — para lograr una memoria
— o en e.a.i en este caso ya no se producirá efecto de memoria y el tiristor permanecerá en
conducción sólo mientras se sobrepase el valor de umbral; si Ja temperatura a que se
somete la sonda disminuye, el tiristor se vuelve a bloquear al traspasarse este umbral en
sentido inverso.
R2 3000 0
5W Ajuste de ta
—rWWS—*--r- temperatura
C
O
Potenciómetro N
T
Termistor R
O
L
D
E
P
O
120 V T
E
N
CI
A
Y
R
E
G
U
L
A
CI
Ó
N
22
9
Fig. 19-20. — Control de potencia para un sistema de calefacción con disparo por aumento (a) o disminución (b) de la temperatura.
230 TiR¡STORES Y 1RIACS
Este mismo circuito puede alimentar cargas previstas para c.c,, ya que la corriente
que atraviesa el tiristor es unidireccional (una de las semiondas queda bloqueada). En caso
de cargas inductivas será no obstante conveniente disponer un diodo de protección, en
paralelo con la carga alimentada en c.a.
Sin diodos de corrección (en n), las variaciones de temperatura ambiente entre — 65
y q- 125° C se traducen en un error equivalente a 5o C a nivel de la sonda, o a 0.5° C para
una variación de 20° C sobre la ambiente.
La inclusión de tres diodos de germanió (en />}, cuyo coeficiente de temperatura es de
— 2 mV/° C. permite llevar este error a 0,5° C. En efecto, supongamos que R.* — Rn a 25°
C; en el punto medio imaginario, B, la tensión es nula, pero se tendrán aproximadamente
-É 0,5 V en A, por la caída directa en los diodos (I V en total); esta tensión es también la
necesaria, aproximadamente, para disparar el tiristor. Ahora bien, esta tensión en A varía
en unos — 3 mV/"C, va lor exactamente igual al del coeficiente de temperatura del tiristor
usado, de donde resulta la compensación buscada.
6.2. Gobierno en c.a. con tiristor
Los circuitos siguientes» de RCA, son algo más complicados. La potencia de e.a.
(figura 19-20) se aplica a la carga cuando aumenta la temperatura (en el primer caso) o
cuando disminuye (en el segundo).
El termistor está montado en un puente, controlando unos transistores que, a su vez,
gobiernan el tiristor. El ángulo de conducción varía entre 0 y 180°, para los semiperíodos
positivo y negativo.
La red AI3 permite, cuando se la conecta como se indica, enclavar el tiristor una vez
que se haya cebado,
6.3. Mando por sistema de «escalón y rampa»
En el sistema de “escalón y rampa” (GE), el escalón es una tensión de referencia, de
nivel ajustablc, y la rampa una de tensión que se superpone al escalón para disparar el
tiristor en un punto umbral fijo.
Esta rampa puede ser lineal o no, pudiendo ser coscnoidai. por ejemplo (figura 19-21
a) e incluso se puede invertir todo el conjunto (figura 19-21 b)t produciéndose el disparo al
cruzar la línea de umbral en sentido opuesto.
Así, pues, es una señal positiva de entrada la que establece el nivel del esca lón;
cuando se debilita esta señal, el escalón baja y se produce antes el disparo, con lo que
aumenta la potencia entregada a la carga.
La variación absoluta de nivel de señal, necesaria para cubrir toda la gama de
regulación, es igual a la amplitud de la rampa. Su variación relativa viene determinada por
la relación entre amplitud de la rampa y nivel de disparo, y se expresa corrientemente en
forma de tanto por ciento. De hecho, la ganancia del sistema depende finalmente de la
pendiente de la rampa.
En la figura 19-22 se encontrará un circuito basado en este principio, tomado de GE.
Puede gobernar 1,2 kW, con una precisión que depende, en definitiva, de ía carga y del
captador usado.
6.4. Mando proporcional
El circuito de mando proporcional de la figura 19-23 asegura la regulación entre 30 y
250° C, aproximadamente. El circuito ha sido estudiado por Texas Instruments Franee (J.
L. TERREÜX, Electronique ¡ndusíríélle, julio/agosto 1969).
Fig. 19-21. — Principio del control por

• rampa y escalón», con una rampa po-
sitiva (a) o negativa (b)
Fig. 19-22. — Aplicación del principio

de control por escalón y rampa a un
triac para un sistema regulador de
temperatura, de 1,2 kW.
Nivel de disparo del UJT

Escalón
Tensión de emisor del UiT-
Carga
-niii
12 kW
Red 120 V
TRIAC
2J
2
Ti
Ri
S
T
O
R
E
S
Y
T
Rt
A
C
S
Ftg. 19-23* — Sistema de mando proporcional de temperatura con un circuito integrado.

CONTROL DE POTENCIA V REGULACIÓN 233
La temperatura de funcionamiento se fija mediante el potenciómetro R«. Éste

desequilibra un puente resistivo, y la tensión generada por el termopar vuelve a
equilibrarlo. En efecto, la tensión de desequilibrio (equivalente a la temperatura deseada)
se opone a la del termopar, amplificándose la diferencial entre estas dos tensiones en el C 1
lineal SN72709N cuya ganancia es. aproximadamente de 1200.
Este amplificador controla el oscilador con UJT por medio de un generador de
corriente variable Qi que carga el condensador C,. Este último se descarga sobre el UJT
cuando su tensión alcanza el valor de la tensión de pico V p. El impulso así obtenido en el
resistor R,S1, amplificado por Q:1, hace conducir al triac.
La alimentación del oscilador con UJT y el mando del triac se obtienen mediante una
tensión troceada a 100 Hz. El termopar genera una tensión de 40 uV/ /° C. Es pues
importante que la deriva introducida por el amplificador integrado sea despreciable frente
a la tensión del termopar. Para lograrlo se pueden considerar dos soluciones:
— Conservar el amplificador a temperatura constante;
— Usar un SN72709AN cuya deriva térmica esté garantizada a un valor medio de 1
uV/°C.
Para mejorar las características térmicas, se han escogido de un 1 9£ los resistores R,
a R1 3 , y también R25. Además, su coeficiente de temperatura ha de ser del orden de 10*10 -ft.
Por demás, basta modificar los valores de R> y R ;, para aumentar la gama de regulación;
por ejemplo, con resistores de 2 0 Í2 se pueden alcanzar los 500° C.
Fig. 19-24. — F u e n t e de ali-

mentación del esquema de la
figura precedente.
Las tensiones de alimentación se obtienen de un transformador (fig. 19-14) cuyo punto

medio se une a la red y al terminal MTi del triac. Los dos conden-
234 TiHtSTORES Y TRIACS
CARGA
Fig. 13-26* — Circuitos destinados al regulador proporcional: convertidor tempera tura-tiempo

(dibujo superior); interruptor a triac con disparo a tensión nula [dibujo inferior).
sadores Ci y C;} deben conectarse lo más cerca posible de las tomas de alimentación del
SN72709AN, para evitar los riesgos de oscilación por mal desacoplo de la alimentación y el
cableado.
6.5. Regulación de temperatura con mando proporcional (montaje síncrono)
La figura 19-25 resume el principio general en que se basa el mando proporcional de
un sistema eléctrico de calefacción con conmutación a tensión nula.
El circuito para disparo a tensión nula puede ser de cualquiera de los tipos descritos
como “interruptores síncronos” en los capítulos correspondientes ( 1 1 y 12). El circuito
quedará inhibido cíclicamente durante un tiempo variable por las señales procedentes de
un convertidor tcnsión/tiempo que está controlado a su vez por el termistor Th.
La figura 19-26 da algunos circuitos simples, por ejemplo (a y b) que constituyen :
a) Un convertidor temperatura-tiempo;
b) Un interruptor de triac con disparo a tensión nula.
Los mismos bloques básicos pueden servir para gobernar un sistema de calefacción
con radiadores trifásicos como el de la figura 19-27.
7. Gobierno de cargas inductivas en c.a.

%
En el caso de cargas inductivas alimentadas en c.a.
• Es preferible obtener la sincronización a partir de la tensión de red;
• La orden de mando aplicada a la puerta ha de estar presente durante gran parte
del tiempo de conducción.
Resistencias
Fig. 19-27. — Control de temperatura en trifásico con elementos de la figura precedente.
7.1. Circuito con UJT y tiristor auxiliar

Los esquemas, en este caso, pueden presentar una cierta complejidad. No obstante, el
de la figura 19-28 sigue siendo relativamente sencillo. Un tiristor auxiliar sirve para el
mando del triac.
m T¡KISTORES y TRIACS
7.2. Circuito con oscilador independiente

En d esquema de la figura 19-29. tomado de SG5 (Electronique /miustñtUe. diciembre
de 1966), se usa un oscilador independiente. El circuito comprende un monoestable
sincronizado a 1 0 0 Hz y un oscilador que funciona a frecuencia de unos 30 kHz.
UJT 2N2W6CE SCR GE-CZID
Tr.oc SC^OD GE Dt ■ 06 ATS D GE

Fig. 19-2B. — Cuando la carga es Inductiva, es preferible obtener la sincronización a partir de
la tensión de red.
El muí ti vibrador está formado por los irunsistores O u Oj. ü¡; combinando los
distintos elementos PKP y NPN su consigue hacer variar muy fácil mente el ángulo de
apertura de los ciristores hasta Jos valores extremos.
i.a rectificación de la tensión de red de 50 Hz — previamente reducida a 24 V ef.
mediante un transformador que no se representa — permite disponer de Una tensión
ondulada con componente de c.a. de 100 Hz. Esta tensión se aplica a la ha-'C de! transistor
0 ¡ que permanece pues bloqueado durante ! ms aproximadamente cada 10 ms: se sigue
pues que Jos transistores 0¡* y O.i permanecen también bloqueados en una primera etapa.
Pero transcurrido un cierto tiempo (de lemporizaciónj, que depende de los valores de C, de
R , y de! ajuste de! potenciómetro P. los transistores Oí > Os se hacen conductores,
saturándose,
En ese momento la base de! transistor Q, queda polarizada por la corriente que
atraviesa el diodo zencr Z; el transistor oscila entonces a una frecuencia de unos 30 kH/. Se
puede ver pues que el transistor oscilador Qi entrega 100 trenes de onda por secundo,
siendo estos trenes de una duración variable que depende esencialmente del ajuste deí
potenciómetro I1.
Las tensiones a 30 kHz que aparecen en bornes de ios secundarios n del
o
C
O
SI
R
O
L
Ü
E
P
O
T
E
N
CI
A
Y
R
E
G
U
L
A
CI
Ó
N
23
7
Fig. 19-29. — Esquema de principio de un montaje en el que los tiristores van controlados por un oscilador independiente. El modu
lador permite regular la potencia que se suministra realmente a la carga (a). Esquema eléctrico completo correspondiente al diagra
ma de bloques anterior (b).
238 TIRISTORES Y TRlACS
Fig. Í9-30. ■—Esquema de

principio deí montaje con
tiristores piloto. Estos últimos
atacan a una carga resistiva y
controlan a Jos tíristores de
potencia (s). Esquema comple-
to del circuito de mando con
tiristores piloto. El ángulo de
apertura se controla medíante
el potenciómetro P (b).
transformador Tr, se rectifican mediante los diodos D:» y luego, tras filtrado (células Ci-
Ru-Ria), se aplican entre puerta y cátodo de los tiristores a gobernar.
7.3. Circuitos con tiristores auxiliares

El uso de tiristores auxiliares para el control de tiristores de potencia que alimentan
cargas inductivas ha conducido a la realización de un conjunto cuyo esquema se da en la
figura 19-30 (misma referencia SGS que el esquema anterior).
R = 10 O para tiristores de 1 a 35 A ef.

Fig. 19-31. — Rectificación de onda completa monofásica con un puente mixto y un circuito
L1 (a). Rectificación trifásica onda completa, con tres circuitos L1 (b). (Los números de los
terminales del circuito L1 están detallados en la figura 13-22.)
Este circuito es de aplicación más flexible que el precedente, aun requiriendo sólo un
pequeño número de componentes.
El modulador se compone esencialmente de un circuito que funciona a 100 Hz,
sincronizado mediante la tensión de red después de una rectificación de
—
--------—J 3 ’
o
ONDULADOR sa -3 &
SIMÉTRICO o CARGA
ConUo! Control
de pfllínqjs tfe frecuencia
Fig. 19-33. — Diagrama de bloques de un conversor de frecuencia con potencia de salida re-
gulable.
flED SO Hz
VI OI OR
Fig. 19-34. — Diagrama de bloques de un sistema de control para un motor síncrono trifásico.
ción se puede hacer variable manualmente (fuente variable de alimentación) o por medio
de una tensión de realimentación de c.c. (fuente regulada).
El ya mencionado circuito L1 de S.S.C. (capítulo 13, apartado 12) puede ser de
utilidad para controlar estos rectificadores, como se indica en los esquemas de la figura 19-
31.
El esquema (a) se aplica al control de un puente mixto en monofásica, onda completa,
mientras que el montaje (b) se refiere a una rectificación trifásica. En ambos casos el
control se hace por tensión de c.c. (que en el caso de una regulación sería una fracción de la
tensión de salida).
La figura 19-32 muestra las conexiones a efectuar en el circuito L1 para obtener un
ajuste manual, por potenciómetro, de la tensión c.c. de salida.
Conversión de frecuencia. — Disponiendo un ondulador tras el rectificador
controlado (capítulo 18, apartado 13) se obtiene un conversor de frecuencia, de potencia de
salida ajustable (figura 19-33). Este montaje permitirá en especial la variación o la
regulación de la velocidad de motores síncronos de gran potencia (figura 19-34).
16
CAPÍTULO 20
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS

CON CIRCUITOS INTEGRADOS
1. Introducción
Muchos fabricantes de circuitos integrados han desarrollado unidades especialmente

concebidas para simplificar el gobierno de tirisiores y triacs. Entre estos circuitos cabe
citar los siguientes:
— El ULN 2301 de SPRAGUE, un simple amplificador-detector para disparo de tiristores
de media onda, y el ULN 2300 que contiene además un pequeño tiristor capaz de
suministrar impulsos de 3 A de pico durante 10 ps;
— El CA 3059, de RCA, que emplea impulsos breves y positivos para el disparo de triacs
(cuadrantes I y IV) a tensión cero, según el esquema clásico del control síncrono expuesto
en el capítulo 11, apartado 1;
—'El pA 742, de F A I R C H I L D , que además de cumplir estas mismas funciones presenta
la ventaja de poder variar la potencia por períodos enteros (véase capítulo 12, apartado 4 y
las figuras 12-9 y 12-10);
— Y finalmente ios L 046A y L 046B, de SGS-ATES, destinados al gobierno de triacs por
variación del ángulo de conducción y por paquetes de semiondas a tensión cero,
respectivamente, y cuya interesante originalidad es la de suministrar impulsos de salida de
polaridades opuestas, con lo que el disparo de los triacs se hace en ios cuadrantes más
favorables {I y III).
Hay que reconocer, sin embargo, que estos circuitos integrados no han tenido el éxito
esperado. La razón hay que atribuirla probablemente a que, para el grado de precisión
normalmente exigido en aplicaciones industriales, pueden emplearse satisfactoriamente
circuitos muy simples realizados únicamente con componentes discretos.
Los circuitos integrados se han venido aplicando sobre todo al disparo a tensión nula
de triacs de media potencia, en sistemas monofásicos donde los circuitos de control son
relativamente complicados y donde no es necesario el aislamiento entre etapas de mando y
de potencia.
Para terminar esta introducción, mencionemos por fin la efímera existencia de los PA
424, PA 436 y PA 494, de General Electric.
GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAOS CON CIRCUITOS INTEGRADOS 243
2. Control con circuitos integrados ULN 2300
El ULN de Sprague incorpora ya un pequeño tiristor integrado (figura 20-1), y

funciona como disparador (trigger) de Schmitt.
De hecho, el diagrama de bloques de este circuito (figura 20-2) muestra que se
compone de un amplificador diferencial lineal, de un detector de media onda y del tiristor
mencionado. Así, una señal de 12 mV aplicada a la entrada, provoca el disparo del tiristor,
que es capaz de entregar 250 mA.
1 5 6 7
Esta tensión de 12 mV puede modificarse conectando redes resistivas externas entre

las salidas (6) y (7); un condensador montado entre esos mismos puntos modificará la
respuesta en frecuencia del sistema (que alcanza 150 kHz). La impedancia de entrada es de
70 kQ.
La tensión de disparo del tiristor integrado es del orden de 80 V y su corriente de
mantenimiento es de 1,3 mA. La ganancia del amplificador diferencial
es de 37 dB, valor típico, lo que significa que una señal de entrada de 40 mV da a la salida
(punto 6) 1,2 V.
El rectificador de media onda suprime las crestas negativas mientras que Jas
positivas disparan eí tirístor, el cual puede suministrar hasta 3 A durante 10 ps.
Finalmente, hay que observar que la tensión de alimentación puede ser de una sola paridad
{12 V), existiendo dos zcner integrados de estabilización en el dispositivo.
Así, este Cí puede controlar tiristores de potencia, como indica ei esquema de la

figura 20-3, en el que el elemento controlado trabaja a 1200 V c.a. y 475 A, La estabilidad
térmica entre 0 y 70° C se mantiene a un excelente nivel.
Pero nada impide usar directamente el tiristor integrado para los más diversos
sistemas de mando: control de electroimanes (por ejemplo, para martillos), de bobinas de
relés, según ei esquema de la figura 20-4. El ULN 2300 se presenta en cápsula de plástico
del tipo “dual-in-linc”, con 8 terminales.
Fíg. 20-3. — Control do un tiristor de gran potencia mediante un ULN 2300.

GOBIERNO DE TIRISTORES Y TR1ACS CON CIRCUITOS INTEGRADOS 245
J 230V
Fig. 20-4. — Utilización del tiristor incorporado en el ULN 2300 para el mando directo de
electroimanes.
3. Mando síncrono con circuito integrado CA 3059
En la figura 20-5 se ha representado el diagrama de bloques del CA 3059. Este CI se

alimenta directamente de la red de 117 ó 230 V (ya que lleva incorporada una unidad de
alimentación con diodo zener) siempre que se le dote del resistor externo serie
indispensable. Por otra parte, la salida es siempre de impulsos positivos, esto es, la
corriente se aplica a la puerta del tiristor siempre en el mismo sentido, cualquiera que sea
el sentido de la tensión de red en ese instante.
Fig. 20-5. — Diagrama de bloques del CA 3059 de RCA.

t-
J
i.
Ti
R
Í
S
T
O
R
E
S
Y
T
Fig, 20*8. — Esquema eléctrico del CA 3059 de RCA-

GOBIERNO DE TIRtSTORES Y TRÍACS CON CIRCUITOS INTEGRADOS 141
La tensión alterna de la red, reducida a + 8 V y —■ 8 V, se aplica al detector de paso

por cero que produce un impulso cada vez que se anula la tensión. Por otra parle, la salida
del mismo limitador de entrada se aplica a un puente di; diodos así como a un condensador
externo, de 100 pF; la tensión de alimentación para las otras etapas del CI es entonces de 6
V.
El amplificador "todo o nada” es fundamentalmente, un comparador diferencial. y
controla la etapa final que ataca a Ja puerta del tiristor gobernado. A esta etapa de salida
se la "autoriza” a funcionar cuando todas las entradas están altas.
Finalmente, un circuito de seguridad bloquea la salida en el caso de que el elemento
externo, sensor (temiistencia, por ejemplo) se cortara o cortocircuitase accidentalmente.
Así, pues, no aparece impulso a la salida más que si:
• La tensión de red pasa por cero;
• El amplificador “"todo o nada11 da salida alta:
• La tensión aplicada al terminal (1) está alta;
• La salida del circuito de seguridad está alta.
3.1. Funcionamiento del CI

Se comprenderá mejor el funcionamiento del CA 3059 si nos referimos en su estudio
al esquema eléctrico completo, que se da en la figura 20-6. El detector de tensión nula está
formado por los diodos D:t. Dt, Dr, y Df. y el transistor O,; el amplificador diferencial se
compone de los pares Oj-Qt y Qa-Gsí los transistores Od, OQa y On forman las etapas
piloto y de salida, mientras que Oj„. el díodu Di* y el zener D10 aseguran una protección
adecuada. Finalmente, los diodos D; y Día junto con un resistor y un condensador externos
conectados entre los puntos (5) y masa y (2) y masa (salida 7) constituyen la alimentación.
Fig. 20-7.■— Cada vez que la tensión de red pasa

por cero (curva de arriba) el CA 3059 suministra
un impulso de salida (abajo) siempre que se cum-
plan las demás condiciones.
Cuando están bloqueados Qa-Oi y Qi. aparece una tensión en la salida (4). El
transistor Oí está bloqueado cuando la tensión de red es inferior a la caída de tensión
producida por tres diodos de silicio (luego, a unos 2,1 V), independientemente de cual sea
la polaridad de la semionda considerada. El par Q--Oi está bloqueado cuando ia caída de
tensión en el termistor exterior, conectado entre
(13) y (7), supera a la tensión de referencia, aplicada entre (9) y (7).
Para poner en servicio c! circuito de protección se necesita unir (13) con
(14) . Finalmente, se consigue una histeresis, cuya misión ya veremos mas adelante.
disponiendo un divisor de tensión resistivo entre (13). (8) \ (7).
248 TtR¡STORES Y TRIACS
Así, pues, el CA 3059 suministra impulsos (figura 20-7) de 90 mA de cresta, al pasar

por cero la tensión, con una frecuencia de 50, 60 ó 400 Hz. Su corriente de entrada es débil,
del orden de I }iA máx. mientras que la salida permanece en 10 L I A máx. en estado de
bloqueo. Opera entre — 40 y + 85° C y se presenta en cápsula “dual-in-Iine”, con 14
terminales.
En principio, Ja carga que se aplique al liristor o triac debe ser resistiva. Si es
inductiva o si su factor de potencia es débil, puede ser necesario retardar ligeramente el
impulso de salida, ío que se logra conectando un condensador C x entre (5) y (7) (véase la
figura 20-5).
Finalmente, es posible suprimir e! funcionamiento por semiperíodos completos del
CA 3059 uniendo (12) con (7), esto es, poniendo fuera de servicio el detector de paso por
cero. La tensión de salida depende entonces del estado del comparador diferencial.
3,2, Sistema de protección

Para que funcione el sistema de seguridad, la resistencia del termistor debe ser
inferior a cuatro veces la resistencia del potenciómetro Rp, pues de lo contrario, el zener
D,r. podría quedar permanentemente bloqueado; este estado corresponde a Ja situación de
“circuito captador cortado”.
Sí fuera imposible reducir la impedancia del captador sería necesario recurrir a un
esquema algo diferente (figura 20-8) usando un transistor Q, y un diodo
Ftg. 20-8. — Móntale del CA 3059

como regulador por todo o nada
con circuito de seguridad
incorporado. (Este circuito
b l o q u e a la salida en caso de
cortocircuito o do interrupción
del elemento sensor de medida,
que es aquí un termistor.)
D¡ suplementarios. Entonces Q] sería llevado a saturación por Ja corriente que circula por
el termistor, cortocircuitando el punto (1) a masa. El captador, en este caso, podría
presentar impedancias superiores a 1 MQ,
Si el captador se corta, se bloquea Qi, y queda aplicada a (1) una corriente que
bloquea el CA 3059. Si se cortocircuita el captador, conduce el diodo Di que bloquea
igualmente el circuito. El diodo D3 tiene misiones de compensación termi-
CT
N R2
Sk I2k
£J 0
12 6* 12k
hfi kn 0
Tj 2Q
Okí C
CA 5059
ó
—
\>
< bo
tOkO *L
2W
Fig. 20-10. f— CA 3059 c o m o

regulador por todo o nado con
MT2
ftp histéresis.
CTN
15VJ
InF
f 10 11 3 12
(la salida se toma entonces en su colector). Finalmente, la eliminación completa «Je la

conmutación por semiperíodos se obtiene mediante un modo de funcionamiento llamado de
periodos completos, que veremos más adelante.
Fig, 20-11.— Para aumentar y,

eventual mente, afuste r la hia-
téresis, se puede r e c u r r i r a
e s t e montaje en e! que el CA 3
059 opera por todo o nado.
Fig. 20-12. ■— M o n la ¡ e funda-

mental del CA 3059 como re-
guiador por todo o nade; ob-
sérvese que se requiere un
mínimo de componentes peri-
féricos discretos. En (b) se da la
curva de respuesta que ca-
racteriza a una regulación par
todo o nade.
3.4. Regulación de temperatura por todo o nada

El esquema de la figura 20-12 a se indica cómo so realiza una regulación do
temperatura por todo o nada: el triac queda desbloqueado al paso por cero cuando la
tensión Vs excede a la tensión de referencia V !(. La curva característica de esta regulación
es la que se representa en la figura 2Ü-I2 b.
3.5. Control proporcional

En el caso de un sistema proporcional, la potencia aplicada a la carga se reduce
proporcionalmente a la tensión de error, que traduce la diferencia “tensión deseada -
tensión medida” (figura 20-13 a). En efecto, la oscilación alrededor de!
GOBIERNO DE TtRtSTORES Y TRIACS CON CIRCUITOS ÍNTEGRA DOS 251
punto de referencia, que caracteriza a los sistemas de regulación por todo a nada, se debe a
la inercia térmica del sistema de caldeo, y esta banda diferencial se puede reducir si nos
“anticipamos^ un poco, reduciendo gradualmente la potencia aplicada al acercarnos al
punto de referencia.
Consigna
n*mpa
I Diferencial <■ ~ 0.5 ^>C
Fíg. 20-13. — P a r a reducir el Nivel 1] £
N.vel 2 i 5
ancho diferencial inherente a la Nivel 3 ft
regulación por todo □ nade se
puede pasar a una regulación ^ bloqu^
proporcional (a). Para ello basta Tnaci» l/* 50% .75%.*
e bloqueada de la Dolencia rolitl
con superponer una rampa (b) a M MM) MgKI Potencia
la tensión de mando. * " ™ ^W”.TSSa
anticipando* asi la actuación del
1
regulador. Tiempo Tiempo —*
<
O
T
3 Fig. 20-14.— E s q u e m a de un
m generador de rampa.
jE
u
o
<
Para lograr esto hay que actuar sobre la relación tiempo cíe bloquco/ticmpo de
desbloqueo del triae, lo que se consigue superponiendo a la tensión de mando una onda
diente de sierra, esto es, aplicando una tensión en rampa a la entrada segunda del
amplificador diferencial (fig. 20-13 b), para elevar su umbral de disparo.
En la figura 20-14 se muestra el esquema del generador de rampa: es el con-
densador C, el que, cargándose a través de R(j y Ri, produce esa señal {cuya lineal idad no
tiene por qué ser excelente dada la alineal i dad del sistema térmico). La base de tiempos la
determinan y R ¡, y Ja tensión de disparo del diac 1N5411. Este ultimo se dispara a unos 32
V, sacando a O- del bloqueo, lo que permite la descarga de C\ (vuelta a cero de la rampa).
Gracias a R , la constante de tiempo puede variar entre 0,3 y 3 s: debe ser grande
comparada con el período de la tensión de red, pero siempre ha de permanecer por debajo
de la constante térmica del sistema controlado. La figura 20-15 muestra una aplicación de
este montaje.
3.6. Control por períodos enteros

Para eliminar totalmente la histéresis y la regulación por supresión de semiperíodos
— lo que dicho sea de paso, puede contribuir a crear una componente continua y cargar
peligrosamente los transformadores de potencia — se recurre al control por cielos
completos.
En esc caso se conecta el captador entre los puntos (7) y (9) tal como indica la figura
20-16, a fin de compensar la inversión de fase producida por el tiristor Yi. Aunque (12)
esté unido a (7), la carga se alimenta a cada paso por cero, pero ya no se puede poner en
funcionamiento el circuito de protección: no se conectan (13) y (14).
Cuando la temperatura medida es baja con respecto a la de referencia, la
GOBIERNO DE T IRIS TOBES Y TRIACS CON CIRCUITOS INTEGRADOS J5.í
resistencia del termistor es elevada, y aparece en l4j una señal de salida al pasar por cero la
tensión de red. Supongamos que en el semiperíodo considerado perma- ne/ca bloqueado Yi:
el triac se hace entonces conductor por efecto directo del semiperíodo de la tensión de red;
queda aplicada energía a la carga Rj.. y t se carga a la tensión de pico.
Durante el semiperíodo “negad vo'T, C se descarga a través de la puerta del triac y,
gracias a la red diodo-resistor-condensador, lo dispara: el funcionamiento es pues así
efectivamente sobre un período íntegro de la tensión de red. Se comprende que,
inversamente, cuando se alcanza la temperatura de referencia, el bloqueo tiene lugar de
igual forma, por períodos completos,
Finalmente, en la figura 20-17 se da una variante de este montaje en la que se pone
de nuevo en servicio el circuito de protección: un transistor suplemen-
Fig. 20-17. — V a r i a n t e (te la

regulación por períodos enter o s ,
que permite volver a poner en
funcionamiento el circuito de
seguridad. En mando
proporcional 9, 19 y 11 quedan
en circuito abierto, atacando
justamente por 9 el generador de
rampa.
taño, montado como inversor, ha permitido restablecer el esquema original de conexiones

para el captador. Este último esquema puede convertirse en un verdadero circuito de
control integral, con tal de que se ataque el punto (9) con una tensión de rampa, dejando
desconectados (10 y 11).
3.7. Control -mini-maxí»

Es fácil realizar un circuito de gobierno “mini-maxi” (figura 20-18): el motor 1 se
pone en marcha cuando la caída de tensión V s en el captador sobrepasa a la do referencia,
Via; Sl VB ¡>e hace inferior a la referencia V|lL¡, es el motor 2 el que arranca.
Puesto que los motores constituyen una carga inductiva, se han requerido dos tríacs
para cada circuito CA 3059. pero su conmutación se produce exactamente en el momento
preciso en que se anula la tensión de red; los triacs se han escogido de gran sensibilidad, y
la disipación en RTi] es de 2 W.
254 TIRf^TORES Y TRIACS
3.8. Conmutación secuencial

La conmutación secuencial de triacs permite usarlos para reemplazar conmutadores
mecánicos, relativamente frágiles. En el caso a que corresponde la figura 20-19. se
controlan así 25 kW, por fracciones de 5 kW, aplicando energía progresivamente a la
carga.
120V
Fíg. 20-16. — Realización de un

control mini-maxí para dos
motores. El circuito entra en
servicio según que la tensión VS
sea superior o inferior a las de
referencia VRt y VR2.
Se emplean aquí triacs de 40 A, de RCA. El transistor Q|, montado como fuente de

corriente constante, carga lineal mente el condensador C, mientras que O 2 sirve como
etapa tapón. Así. cuando el termostato restablece c) contacto llega una tensión en rampa a
¡a salida Et> que va disparando sucesivamente los triacs con unos 3 s de intervalo. Cuando
el termostato interrumpe el contacto, C se descarga a través de y Rj, y los triacs se
bloquean de nuevo, en orden inverso. Se observará, no obstante, que se producen disparos
por semiperíodos, debido, sobre todo, a las asimetrías inherentes al CA 3059, agravadas
por la aplicación de una rampa de débil pendiente en una de sus entradas.
El diagrama resultante es el que se da en la figura 20-20. Eventual mente puede
transformarse el esquema de la figura 20-19 en un regulador proporcional, capaz de poner
en servicio sólo las líneas necesarias.
G
O
B
I
E
R
N
O
D
E
T
1
R
IS
T
O
R
E
S
Y
T
R
I
A
O
S
C
O
N
C
I
R
C
Fig. 20-19. — Conmutación secuencial de triaca de 5 kW: ia potencia total en servicio llega aquí a 25 kW. U
I
T
O
256 TUUSTORES Y TRIACS
3,9. Cómo aislar eléctrica menta el captador

Ciertas aplicaciones pueden exigir ti aislamiento eléctrico entre captador y carga.
Esto se puede lograr fácilmente siguiendo las indicaciones del esquema de la figura 20-21.
El transformador de impulsos Ti separa la salida del CA 3059 de la puerta del tríac
mientras T2 desempeña la misma función entre el circuito integrado y la red; puesto que Tj
introduce un ligero desfase, se conecta un condensador Ci al punto (5) para obtener así un
sensible retardo en el impulso de salida aplicado a Yj.
Flg. 20-20. — Curva ca ráete rii-

lita del mando secuencial de
le figura precedente.
Fig. 20-21.— Una f o r m a de

■litar los circuitos do medida (o
captador) y de mando (CA 3059)
del circuito de potencia.
3.10. Comparador Industrial

El comparador diferencial que vamos a describir a continuación es perfectamente
adecuado para instrumentos de selección del tipo "pasa, no pasa". Por demás, se aplica
esencialmente en sistemas de selección industriales en los que no son condiciones
imperativas la rapidez o una gran resolución.
Para cumplir esta función, el CA 3059 ha de prescindir de su circuito detector de
paso por cero, lo que se logra uniendo (12) con (7), como en la figura 20-22.
Una de las ventajas de este montaje sobre los comparadores tradicionales estriba en
la alimentación, que no tiene por que realizarse en continua. No obstante, la corriente de
salida queda aquí limitada a unos 3 mA, en razón de ta
presencia de = 1 kíí. La sensibilidad es entonces de 50 mV para un tiempo de respuesta

superior a 20 ps (contra 2 raV y 90 ns para un comparador industrial clásico).
Fig, 20-22- — Concepción de un

comparador Industrial con
indicación de pasa-no p a s a .
3.11. Gobierno por disparo único

En el esquema de la figura 20-23 se da un montaje en el que un CA 3059 dispara un
tríac para una sola semíonda — negativa o positiva—* cuando se pulsa el interruptor PB-1
(con independencia del instante en que se hace esto): el tríac no dejará pasar más que un
semiperíodo, incluso aunque se deje pulsado el interruptor. Para volver a armar el circuito
bastará liberar PB-1.
Fig, 20-23- — Diagrama sinóptico

do un alaterna de mando de
disparo único.
17
25
8
TI
Rl
S
T
O
R
E
S
Y
T
RI
A
C
S
Fig. 20-24. — Esquema eléctrico de un sistema de mando por disparo único. Para facilitar el estudio de su funcionamiento se han di
bujado los circuitos del CA 3059.
GOBIERNO DE T/RISTORES Y TRIACS CON CIRCUITOS INTEGRADOS 259
Esta aplicación es útil para todos los sistemas en que exista un electroimán que
controle un martillo, por ejemplo, para impresión de resultados, perforación de tarjetas,
etcétera.
En el esquema, los dos flip-flops tendrán la salida baja antes de pulsar PB-1. El
transistor 0« será conductor, gracias a FF-1, y el comparador que forma parte de CA 3059
bloqueará la salida de impulsos del CI. Cuando se acciona el PB-1 se originan impulsos,
pero Qr. controla la aplicación de los mismos al triac: el primer impulso no sirve pues más
que para hacer bascular el flip-flop FF-1 que, a su vez, hace bascular a FF-2. Este último
saca entonces del bloqueo al transistor 07 (figura 20-24), que bloqueará todos los demás
impulsos. Cuando se libera PB-1, el circuito se rearma automáticamente; en la figura 20-25
se ha detallado el diagrama de tiempos.
Tensión
de red
50 Hz
Terminal 6
del CA 305S
FF1
Fig. 20-25. — D i a g r a m a de Terminal 9
tiempos relativo al control por
disparo único. pp^
Terminal 6
FF2
Terminal 9
Tensión
en la
carga Ri.
3.12. Control de flash
Sabemos que la resistencia de una lámpara de incandescencia es bastante más débil

en frío que en caliente; por consiguiente, exige siempre en el encendido una corriente de
pico de hasta 10 veces el valor de cresta en régimen estable. Cuando se producen
encendidos aleatorios, existe pues la posibilidad de llegar a la destrucción del triac que
controla a la lámpara en cuestión si se produce un “punto caliente” en el mismo, a menos
de que lo “sobredimensionemos” o que recurramos al montaje siguiente.
Según se ve en el esquema (figura 20-26), la conmutación se efectúa al pasar por cero
la tensión de red, lo que contribuye a disminuir la d i / d t , y por ende, la cresta de corriente
en el encendido. Además, esto suprime por añadidura los parásitos y aumenta
considerablemente la vida media de la lámpara. El montaje es pues adecuado para flash,
pudiendo suministrar de 10 a 120 destellos por minuto.
El estado del flip-flop FF-1 permite autorizar o bloquear el control de los triacs Yi c
Y2, gracias a los transistores Q, y Q 2, cuyas bases ataca: así hay siempre un triac en servicio
cuando pasa por cero la tensión de red.
2
6
0
TI
R
15
T
O
R
E
S
Y
T
R
l
A
12
0V
C
- S
S
Ü
Hí
Flg. 20-26, — Mando síncrono de un flash con lámparas de Incandescencia realizado medíante un CA 3059,
Añadiendo al circuito un tercer triac, junto con su lógica de mando, se podría

controlar, por ejemplo, un semáforo de tres colores.
3.13. Un conmutador casi perfecto

Este conmutador perfecto (casi) al que nos referimos sería el triac disparado en el
momento de tensión nula (cosa que no se sabe hacer con los interruptores mecánicos). El
esquema es el que se representa en la figura 20-27. Cuando el contacto eléctrico entre (14) y
(17) esté abierto, el primer paso de la tensión de red por el valor cero dará lugar a un
impulso que aparecerá en (4).
Fig. 20-27. — Realización de

conmutador que d i s p a r a al
paso por cero de la tensión de
red cuando se pone el interruptor
en la p o s i c i ó n de •abierto».
El esquema de la figura 20-28, como variante del anterior, funciona a la inversa: el

disparo se produce entonces cuando se cierra el contacto Sj. Con los triacs 2N5444
indicados aquí, la carga puede consumir hasta 40 A.
4. Mando síncrono con el uA 742
El pA 742 es un circuito integrado de Fairchild destinado al control síncrono de

tiristores y triacs por períodos enteros. El esquema de principio se incluyó en el capítulo 12,
apartado 4 (figura 12-11).
El circuito opera a 50 ó 400 Hz, se alimenta directamente de la red y se presenta en
una cápsula clásica DIL de 14 terminales.
La aplicación más elemental consiste en el control, sin histéresis, de un triac (figura
20-29). La alimentación procede directamente de la red a través del resistor Ron- El puente
de entrada, formado por cuatro resistores de 10 kíi, ataca a una etapa diferencial que
gobierna el funcionamiento del circuito. El resistor RSyx, finalmente, permite la
sincronización con el cero de tensión.
En el esquema de la figura siguiente (figura 20-30) se utiliza una fuente auxiliar de 24
V c.c. como alimentación del circuito integrado. El condensador de
Fig. 20-28. — Variante del

montaje precedente: el con-
mutador se activa aquí cuando el
interruptor cierra el circuito
eléctrico del terminal 13.
Fig. 20-29. — Mando s í n c r o n o , sin

histéresis, de un triac m e d i a n t e el
n A 742.
12 *A-*-
Fig. 20-30. — Mando s í n c r o n o con histéresis y alimentación separada.
0,33 |iF y el resistor de 100 íi establecen además una cierta histéresis en el circuito.
El condensador CST constituye el elemento de memoria y, recordémoslo, aparecía ya en las
figuras 12-9 y 12-10. Su valor es del orden de 0,47 uF y ha de
Alimentación en c.a. Rrm RSYN
50 Hz (V ef.) (kS2) (kQ)
24 1 2.2
110 10 10
220 22 22
En el esquema de la figura 20-31 vemos de nuevo un pA 742, alimentado

directamente por la red como en la figura 20-29, aunque el montaje en esta ocasión posee
histéresis.
Cuando no se trate ya de un triac sino de dos tiristores en antiparalelo, será preciso
emplear un transformador de impulsos, como se indica en la figura 20-32.
Fig. 20-31. — Mando con histéresis

y alimentación común.
Fig. 20-32. — Control de una pareja de tiristores en antiparalelo.
También puede recurrirse al empleo de un tiristor suplementario que permite además el

ataque a elementos de potencia montados en antiparalelo (fig. 20-33).
Finalmente, la figura 20-34 muestra cómo puede emplearse el pA 742 en la realización de
un control proporcional, siempre de tipo síncrono, claro está.
264 TIR!STORES Y TRIACS
Fig. 20-33. — Los tiristores de potencia en a nti paralelo se controlan aquí mediante un tiriator
auxiliar de ba¡a potencia.
En todos estos esquemas y siempre que la carga sea inductiva, debe emplearse la red
formada por el resistor de 100 0 y el condensador serie de 0,1 pF, en paralelo con el tiristor
o triac.
BIBLIOGRAFÍA
En primer lugar citaremos una obra muy completa (teoría y aplicaciones) que, en
general, hemos usado como referencia:
■ SCR Manual: Silicon cont rolle d rectifiet manual, including the triac and the industrie's
broadest Une of thyristor and rectifier components. Preparado por el Centro de ingeniería de
aplicación de Auburn, Nueva York, departamento de semiconductores de General
Electric■„
Vienen luego las siguientes obras de RCA (Radio Corporation of America) que
igualmente han servido de referencia general:
* Transistor, thryristor <£ diode manual. —-Technical series SOI 4.
* RCA Silicon power circuits manual,
* RCA power circuíts^ DC to microwave.
También son de apreciar los montajes simples y prácticos de:
* RCA xoiid-State hobby circuits manual;
* RCA Silicon controlled rectifier experimenier's manual.
Citemos también:
* Application des Semicoruiuctcttrs: ThyristotS, tomos 1 y 2, de La Radiotechniqiie.
* Notas de RCA, GE, Sescosem, Texas. Solid State Products Inc, (S.S.P.I.), Telefun- ken, SGS,
FajrcbUd, Motorola, RTC, etc.
* The mechantes and applications of power thyristors and diodes, por JANOS t>E WAR- DA,
vicepresidente y director general de Power Semiconducrors Inc. (PSI). — Publicación P.S.I.
núm. 7, del 2.68 (en particular un capítulo sobre la historia de ia física de semiconductores),
* Les thyristors, fonctionnement et utilisation, por M- GAUDRY, biblioteca técnica Philips,
Dunod.
■ Triac itriggering techniques, — Boletín CA-138, Texas Instruments!.
* Halbleiter: Applikationsbericht fotothyristor BPY 78 und se¡ne Anwendung, por F.
ECKOLDT, Telefunken.
* AmpUficateur magné fique et thyratron au silicium dans V industrie, por L. NOSBOM.
Editions Radio. Versión castellana por M arcombo, S. A., con el título El amplificador
magnético y el tiristor.
■ Le thyristor, définitions, protections. commandes, por G. MAGGHETTO, Presses Uní-
versitaires de Bruxelles.
■ Unas comunicaciones presentadas el 13 de mayo de 1970 ante la 8/ sección de la Socié té
F ranga ise des Electron iciens y la 5.' sección de estudios de la Socié té Frangotes des
Electroniciens eí des Radioelectriciens, y publicadas por la R.G.E„, tomo 79, número 11,
diciembre 1970, bajo el título general: Les thyristors et leurs applications en ¡noyenne
puissance et en signaux, Autores: M. GAUDRY, R, DUBOIS, R, BERLEÜUX, J- M. PETER.
* Finalmente toda una serie de artículos publicados en ia revista Electronique indus-
tríelle, hoy Electronique et Microélectronique Industrielies. (Société des Editions Radio), entre
los cuales:
— Les amplificateups magnefiquex: théorie et applications, por M. MAMÓN y H. LE- BLANC.
— Núm, 70, pág. 25, y DÚm. 71, pág, 65.
— Le Symistar, thyristor bidirectionnel, por j.-P. BlET. — Núm. 82, pág. 97.
26 ó TlRfSTORES Y TRIACS
— Perspectives d'applications du Symistor, por J. CHAUMT, — Núm, 83, pág. 163 y número
84, pág. 219.
— Le thyñstor et ses circuito de cominunde, por R. BEHXJOUX. — Núm. 87, pág. 396 y
número 8B, pág. 453.
— Utilisation du thyñstor dans ?alimentadon de charges ¡ndactives, por M. MAMÓN.
Número 88, pág. 465.
— Varieteurs-régulateurs de vitesse, por H. L. — Núm. 92. pág. 183.
— Contróleur de thyri'swrst por H. S CHRELUER . “ Núm, 94, pág, 355.
— Variateur de vítense ou de flux íumineux, por S. M. — Núm. 98, pág. 735.
— Le “Vañear", dispositif de commande de vite.rse pour véhicules électñques, por R. TOSAS.
— Núm. 99, pág. 771.
“ Thyristors et charges indúctiles: la régulatton en puissance, por F. D. — Núm. 99, página
809,
— Les thyristors h GCO, por M. BERLIOUX y P. ROSSETTI, — Núm. 100, pág. 9; número 101,
pág. 139 y número 102.
—- Le biswitch a électrode de commande, por B. CORDIER, — Núm. 100, pág. 71.
— Protection par thyñstor d'urte aíimentation régulée, por S. M. — Núm. 100, pág. 28.
— La commande des thyristors par ampíificateurs magnétiques, por M. MAMÓN. — Número
102, pág. 227.
— Le desamorrare des thyristors en courant continu, por L, P. — Núm, 102, pág- 277. “
Asservissement de la position d’un rotor, por T. W. —-Núm. 102, pág. 283.
—- Aíimentation stabilisée á thyristors et transistors, por H. SCHKEIBER. — Núm. 103, página
393.
— Cotttpteur en anneau a thyristors, por L. FIERRE.— Núm. 105, pág. 571,
— Le triac de puissance 200 A et 1 000 V, por G. GlL,—-Núm. 109, pág, 905,
“ Quesques idees d'appiication des thyristors classiqnes ou bloca bles, por F. CHARLES. “Núm,
l l t , pág. 125.
“ Quelques idees d'appiication des photothyrisiors, por F. C HARLES . —Núm. 112, página 213.
— Quelques idees d’application des photothyrisiors, por F. CHARLES. — Núm, 113, página
385.
— Ou en est rallumage électronique des moteurs n explosión?, por H. LTLEN, — Número
114, pág. 417.
■—1 L’ahernistor, thyñstor bidirectionnel, et ses applications, por R. BERUOUX. — Número
117, pág. 613 y núm. 118, pág. 701,
— Lklé/nent bis ta ble BR Y 39 et ses applications, por L. F IERRE . — Núm, 119, pág. 845, —-
Un C.L pour ¡a commande des triacs, por H. P ELLETIER . —* Núm. H6, pág. 561.
— Une aíimentation stabilisée á rendement máximo! (0 á 33 V et 1,5 A), por G. RÚC- NIER.
— Núm. 120, pág. 15.
-—'Wariateur de vitesse 15 et 70 kVA pour moteurs asynchrones a cage, por P. CALF- CHETIER .
— Núm. 120, pág. 51.
— Le phototransistor BP X 25 el ses applications, por L, PlERRE.—-Núm. 121, página 129.
— Schémas pro fiques de varia teurs de vitesse á thyristors pour moteurs universels, por L.
FIERRE.— Núm. ]22, pág, 193.
- — U n ind¡catear de tri industrie!, por H. SCHREIBER. —-Núm, 123, pág. 329 y número 124,
página 391.
— Conmmutaitón synchrone de thyristors (principe d'un réguíateur de température), por L. P.
—-Núm, 123, pág. 335.
— Un générateur d’itnpulsions breves et de forte intensité, por T. CLARIT. — Núm. 124,
página 449.
— 24 iapplications de la diode Shockley, por H. PELLETIER, — Núm. 123, pág. 313,
— Gradateurs de lumiere a triac commandé par diac, por L. PIERRE. —-Núm. 125, página
471.
-—Quelques nouveiles applications des thyristors complémen taires ou rapides, por R.
ROUHLOT. — Núm. 125, pág. 474.
BIBLIOGRAFÍA 267
— Une commtmde proporlionnelle de température, por J.-L. TERREUX. — Núm, 125, página 476,
— Régulo!ion de tensión efftcace ou de puissance a l'aide de ihyristors déclenchés por diac, SUS ou SBS,
por H, PELLETIER. — Núm, 126, pág. 535— Améíioration des dispositifs de sécurité pour br idear s á
mazout ou á gaz, por J.-P. PÉLLISSIER y M. GAMOUDI, — Núm. 127, pág. 59L
— Deux ehargeurs de butíeries professionnels, por R. ROULILOT. — Núm, 128, pág. 661. —-
Témporisations pour éclairage de coges d escaíier, moteurs et ventilatetirs, por J--L. TERREUX. —
Núm, 130, pág. 37.
— Le G-Mascope, un gadget psychédélique, por D. BURY, — Núm. 131, pág. 137,
— La praüque des ihyristors, por J.-M. PETER. — Núm. 132, pág. 159 y núm. 133, página 287.
— Un C.I. pour la commande des ihyristors et triaos á la tensión nulle, por R. Rou- BLOT . — Núm. ]
32, pág. 227 y núm. 133, pág. 319,
— Le PA 494, CA. détecteur de senil a hystérésis, por R. ROUBLOT. — Núm, 138, página 725.
— Le Dar listar, fhyristor rapide a hatttes performances, por R. PEZZARI y B, Mr ROER, Número 153,
pág, 31.
— Ce qu’il faut savoir sur le dv/dt des ihyristors, por J.-L. AVENTINI.—-Núm. 151, página 33,
El autor de este libro reitera su agradecimiento a todas las Compañías que le han
prestado documentos, estudios y elementos de muestra así como también a todos los
autores que aquí se han citado, gracias a todo lo cual se ha podido redactar esta obra.
T30/E1/R1/98
Esta edición se terminó de imprimir en febrero de 1998.
Publicada por ALFAOMEGA GRUPO EDITOR. S.A. de
C.V. Apartado Postal 73-267. 03311. México, D.F. La
impresión y encuadernación se realizaron en los talleres de
IMPREANDES PRESENCIA. S. A., Santafé de Bogotá.
Colombia, el tiro fue de I 000 ejemplares.

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Miembro de la Cámara Nacional de la Industria Editorial

Reservados todos los derechos. Prohibida su reproducción

Edición autonzada para venta en México, Colombia, Ecuador, Perú.

4.1. Estructura del UJT......................................................................................... 88

3. Disparo por circuito desfasador . 131

Capítulo 18. Aplicaciones con relés estáticos e interruptores . . . . 174

3. Variador de velocidad con quadrac......................................................................217

Conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un

entre los de esos nuevos componentes que han revolucionado el desarrollo de la

Angulo de ‘ Angulo de (d)

2. La familia de los tiristores

El término "tiristor" designa a toda una familia de elementos semiconduc tores

— El conmutador unilateral de silicio. “SUS'', de "Silicon unilateral switch

Sucesivamente iremos estudiando cada uno de estos tipos, haciendo especial

3. El mercado de los tiristores

Fig. 1-2. — Crecimiento probable

• 47 % en control industrial y bienes de equipo;

Fig. 2-1. — Estructura y símbolo de! tiristor. N

Los dos terminales principales son el de ánodo y el de cátodo, y la circulación entre

La tensión máxima viene limitada, prácticamente, por la tensión de avalancha de los

2. El tirisfor bajo tensión directa

Se comprenderá mejor el funcionamiento del tiristor si nos referimos al mon taje

La corriente total de ánodo IA es evidentemente la suma de ICi e Ice» a la que hay

3. Principio de .cebado por puerta

mando en su puerta (este ataque es en corriente, denominándose I G a esta última). El

Fig. 2-4. — Montaje equivalente de un tiristor que explica el fe

Fig. 2-5. — La ganancia de corriente P de un tran-

4. ¿Cómo puede cebarse un tiristor?

Como ya hemos visto, el tiristor puede adoptar uno de estos estados:

Y, si esta corriente i es suficientemente elevada, provocará el cebado del tiristor.

5. Curva característica del tiristor

En la figura 2-6 se ha dibujado la curva característica típica de un tiristor

Fig. 2-S. — Curva característi-

Si se polariza inversamente el tiristor, aplicándole una tensión V u (donde R es la

6. Definición de los símbolos

CORRÍ ENTE DIRECTA MEDIA

CORRIENTE ACCIDENTAL DE PICO

Este valor es numéricamente superior al valor máximo de tensión inversa del

* “Courant d’accrochage”. Respetamos el texto francés advirtiendo al lector que esta

Si se aplica una señal de mando a la puerta del tiristor se modifica la tensión de

Tensión ánodo-cátodo (V)

Cuando es nula la corriente IG de puerta, el tiristor no se ceba hasta que se alcanza

Fíg. 2-8. — Montaje equivalen-

Fig. 2-9. — Dos m é t o d o s de

De hecho, las corrientes de fuga en el tiristor imponen algunas de las limitaciones

FABRICACIÓN DEL TIRISTOR

Para la fabricación de tiristores se usan diversas técnicas que a continuación iremos

Sea por ejemplo la estructura de difusión-aleación de la figura 3-1. La parte

2. Técnica “todo difusión”

De hecho, la técnica de difusión-aleación no se utiliza ya sino para ciertos ti ristores

Fig. 3-2. — Etapas básicas en la fabricación de un triac «todo difusión-.

Fig. 3-3, — Gracias a un artificio tecnológico se puede reducir el numero de etapas en la fa

Cátodo Puerta Anodo

SJ “Technologíe a courts-circuils d'émetteurs." (N. del T.)

3. Estructura planar (de barrera aislante)

El proceso en la estructura planar de barrera aislante es una variante del seguido en

Vista en planta P'

La técnica planar, bien adaptada a producciones de grandes series y a ti- ristores de

Cuando no se usa la tecnología planar se asegura la protección superficial de las

Depósito de polvo de vidrio

Fusión del vidrio