Preguntas y problemas de “Crecimiento de Películas finas”

1. ¿Cuáles son las dos grandes categorías de procesos de vacío?

El material particulado es un conjunto de partículas sólidos y líquidos emitidos directamente al

aire. Tales como el Diesel, debido a que son forma y composición variada para su identificación
se han clasificado en termino de su diámetro.

2. ¿Cuáles son las tres etapas de la fabricación de películas finas mediante proceso de vacío?

Cámara de vacío

Sustractor

Fuente de vapor

3. ¿Qué procesos son los mejores para fabricar películas finas de metal? ¿Por qué?

Un análisis del uso de tres metales principales como son el cobre, cromo, níquel que se aplican
como procesos de posición para protección de aceros ante la presencia de ambientes
agresivos e interiores de la industria metalmecánica. Las películas delgadas son capas de
materiales delgados con espesores que van desde algunos cuantos nanómetros hasta algunos
cientos de micrómetros, las cuales son creadas por condensación una a una de materia, como
átomos o moléculas.

4. ¿Cuáles son los regímenes de vacío y en qué se diferencian?

La partícula solida en estado coloidal es tan fina que esta electrostáticamente descompensada.
Por ello se forma a su alrededor una capa fija. Cuando se dispone de un floculo o agregado con
una densidad en un medio liquido de densidad p, donde a> el floculo cae en el seno del
liquido con una velocidad U so.

5. ¿Cuáles son los supuestos básicos de la teoría cinética de los gases?

El postulado básico de a teoría cinética de los gases es que las direcciones y las magnitudes de
las velocidades de las moléculas están distribuidas al azar explica el comportamiento y
propiedades microscopias de los gases

6. ¿Cómo se relaciona la presión macroscópica con la velocidad media microscópica de las

moléculas de gas?

En el marco de la teoría cinética, la presión de un gas es explicada como el resultado

macroscópico de las fuerzas implicadas por las colisiones de las moléculas del gas con las
paredes del contenedor. La presión puede definirse por lo tanto haciendo referencia a las
propiedades microscópicas del gas.
7. ¿Por qué las bombas UHV no pueden exponerse a presiones atmosférica después de haber
sido encendidas?

Los gases son ionizados igual que en un medidor de iones. Solo deja pasar iones con la misma
relación m/e. Tiene una multiplicadora de electrones y no simplemente m. Esto significa
de iones doblemente cargados aparecerán a mitad del espectro, por ejemplo
CO no sólo da un pico en m=28, también lo da en m=14, debido a la doble
ionización.
Después del recocido, la señal de H2O disminuirá notablemente y
predominará las señales de hidrógeno atómico y CO. Si hay fugas en el
sistema aparecerán picos en 28 y 32

8. ¿Por qué las bombas de flujo viscoso suelen estar conectadas a las cámaras de
procesamiento de vacío mediante una tubería larga y fina, pero las bombas UHV deben
conectarse directamente a la cámara con una gran entrada como en la figura 1?
9. Puede ser más difícil evacuar una cámara de procesamiento del ambiente en verano que en
invierno si el clima del edificio no está bien controlado. ¿Por qué?

Considerando que las temperaturas deben ser mayores a 0 °C, se necesita definir el intervalo
de tiempo en el cual se alcanza la temperatura más alta para la toma de mediciones por lo que
se determina para la toma de mediciones por lo que se determina que para el dominio de (0,3)
la funciones tiene una monotonía creciente.

10. ¿Qué papel desempeñan las energías superficiales en la variación de la barrera a la

nucleación para la formación de núcleos de película delgada en comparación con los núcleos
de masa?

11. En los procesos de vacío, los núcleos se forman de forma homogénea en un sustrato.
¿Desde dónde llega la mayor parte del flujo atómico a medida que el núcleo crece?

Las ondas más informativas son generadas por terremotos profundos, 30 km o más debajo de
la superficie de la Tierra (donde el manto es relativamente más homogéneo) y registrado por
los sismógrafos a medida que alcanzan la superficie, en todo el mundo.

12. ¿Qué significa decir que una película crece epitelialmente sobre un sustrato?

el espesor de la película aumenta lo cual resulta en una competencia entre la energía de

deformación y la energía superficial para determinar la orientación de la película en
crecimiento. Con el incremento en el espesor la energía de deformación llega a ser mayor que
la energía superficial favoreciendo la formación de planos con energía de deformación muy
baja con el espesor de la película, debido a que mientras más se aleja del sustrato disminuye el
efecto que este ejerce sobre la película por la diferencia de los parámetros de red y los
defectos cristalinos permitiendo que los átomos que llegan a la película crezcan con una
orientación preferencial determinada.

13. Para la evaporación, ¿a qué régimen de vacío se evacuan las cámaras de procesamiento?
¿Qué presión máxima se recomienda? ¿Por qué?

Su elevada eficiencia se debe al uso de una soplante rotativo o compresor de vapor, que
permite incrementar el calor latente del mismo por la acción mecánica.

14. Los materiales fuente de evaporación se calientan a temperaturas para las que sus
presiones de vapor de equilibrio son de 10-4 Torr o más. ¿Cómo se compara este valor con el
valor de las presiones base de la pregunta anterior? ¿Por qué serían mejores las presiones
base más bajas?
15. ¿Por qué las aleaciones y los compuestos son difíciles de evaporar a partir de una fuente?
¿Cuál es la solución para obtener películas de aleaciones por evaporación? ¿Películas de
compuestos?
La tecnología de obtención de películas delgadas de materiales de cualquier naturaleza se
puede decir que está muy avanzada. Esto se debe al enorme desarrollo que se está llevando a
cabo en el campo de las técnicas de deposición. Estas son muy numerosas y la mayoría están
desarrolladas por completo, existiendo una gran cantidad de trabajo experimental realizado en
cada caso. Este trabajo pretende dar una visión general de los principios y aplicaciones más
extendidas en lo que se refiere a las técnicas empleadas hoy en día (características, equipos,
materias primas

16. ¿Por qué la uniformidad del espesor de la película es más difícil en la evaporación que en el
sputtering? ¿Cómo se puede superar este reto?

El proceso de sputtering consiste en la extracción de átomos de la superficie de un electrodo

debido al intercambio de momento con iones que bombardean los átomos de la superficie. Se
caracteriza por utilizar campos magnéticos transversales a los campos eléctricos en la
superficie del blanco, la aplicación de este campo magnético transversal da lugar a cambios
importantes en el proceso básico de sputtering. Los electrones secundarios generados en el
blanco no bombardean el substrato debido a que son atrapados en trayectorias cicloidales
cerca del blanco, así disminuye la temperatura a la que se calienta el substrato y disminuye el
daño por radiación.

17. ¿Qué régimen de vacío se utiliza normalmente en el sputtering?

consiste en la extracción de átomos de la superficie de un electrodo debido al intercambio de

momento con iones que bombardean los átomos de la superficie. Con esta definición está
claro que el proceso de sputtering es básicamente un proceso de ataque, frecuentemente
utilizado para la limpieza de superficies y la delineación de pistas. Sin embargo, como en el
proceso de sputtering se produce vapor del material del electrodo, es también un método
utilizado en la deposición de películas, similar a la evaporación

18. ¿Por qué se utiliza a menudo el sputtering reactivo para pulverizar películas de óxido?

Se depositaron películas de (Ti, Al) N sobre sustratos de acero AISI 4140 con una razón de
presión parcial de nitrógeno a argón (PN2/Par) de aproximadamente 0,1, potencias de 90 y
100 w y temperaturas del sustrato entre 260 y 320 °C
19. ¿Se prefiere normalmente la evaporación o el sputtering para fabricar películas a partir de
materiales fuente de aleación?

El material que va a ser depositado como cátodo en la descarga luminosa. El material es

transportado desde el blanco hasta el substrato donde se forma la película. De esta forma se
depositan películas de metales puros o aleaciones utilizando descargas de gases nobles

20. ¿Qué significa "acondicionar" un blanco para sputtering

En el proceso de sputtering básico, una placa llamada blanco (o cátodo) es bombardeada por
iones energéticos generados en una plasma de descarga luminiscente, situado frente al blanco.
El proceso de bombardeo provoca la eliminación, es decir, “pulverización”, de los átomos del
blanco, que se pueden condensar en un sustrato como una película delgada

21. ¿Cómo afecta la presión del gas de procesado en el sputtering a la velocidad de deposición
de una película? ¿Por qué?

22. Calcule la trayectoria libre media a una colisión para moléculas de aire a temperatura
ambiente en un vacío de 1023 Torr.

23. Si la presión dentro de un tanque lleno de propano es de 200 psi en un día caluroso de
verano (38oC), ¿cuál es la presión del mismo tanque en un día frío de invierno (-29oC)?
Cuando se llena un depósito de propano, la tienda utiliza una escala para determinar cuándo
está lleno. ¿Cuál es el cambio de peso cuando un tanque vacío de vacío de 5 litros se llena de
propano? (Hunt: buscar la fórmula química del propano)

24.La cámara de vacío más grande del mundo tiene un volumen de 8000 pies cúbicos. Cuando
se evacua, tarda 3 h. ¿Cuántas moléculas se evacúan? (de 30 toneladas a 2 g)
25. Calcule el flujo molecular del aire en una bomba (área de entrada = 10 cm2) a 300 K en
mol/s frente a la presión de 760 a 10-6 Torr.

26. a. Una cámara utilizada para la deposición se evacua a 6.4*10-6 Torr. Utilizando la ley de
los gases ideales, calcule el número de moléculas por unidad de volumen (en cm-3 para el aire)
en la cámara. b. Si se carga una oblea de 2 pulgadas de diámetro en la cámara, calcule la
velocidad a la que los átomos inciden en la superficie de la oblea.

27. Calcule la concentración de impurezas en una película utilizando la ecuación dada con un
vacío de 10-6 Torr y una muestra que se está haciendo con una tasa de deposición de 10
átomos/s.