UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍA FISICAS Y FORMALES

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA INDUSTRIAL

CURSO: Electrotecnia Industrial

TEMA: Dispositivos semiconductores-circuitos electrónicos básicos

INGENIERO: Siles Nates, Fernando David

GRUPO: 07

INTEGRANTES:

● Ccoscco Laruta, Cristopher Brayan

● Rivas Ururi, Giancarlo

● Machaca Condori , Alexander David

● Valdivia Manchego, Angel Ronaldo

AREQUIPA-PERÚ

2021
 PRÁCTICA N°10:
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES-CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
4404151 electrotecnia Industrial
Semana N°9 (Del 18 al 23 de Octubre), Fase II, 2021-Par

Docente: Dr. Fernando D. Siles Nates

1. OBJETIVOS
● Analizar y aplicar los conceptos elementales de los diodos
● Reforzar los conocimientos teóricos mediante la experiencia práctica virtual
2. EQUIPOS Y MATERIALES A UTILIZAR
● PC o LAPTOP con acceso a internet
● Software de simulación de circuitos eléctricos (Multisim, Proteus, entre otros)
● Plataforma virtual Blackboard
3. MARCO TEÓRICO

DIODO IDEAL
El diodo ideal es un dispositivo de dos termínales que tiene el símbolo y las características siguientes:

Proporciona una base comparativa respecto de las características de un dispositivo real. En forma
ideal un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la fecha en el símbolo, se comporta
como circuito cerrado para la región de conducción, y actuará como un circuito abierto al intentar
establecer corriente en dirección opuesta. Para el diodo ideal:

Rdirecto = 0 Ω (corto circuito)

Rinverso = α Ω (circuito
abierto)

DIODO SEMICONDUCTOR

Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo material base Ge
o Si. Los e- y los huecos en la región de conducción se combinarán, dando como resultado una
carencia de portadores en la región cercana a la unión. Esta región de iones positivos y negativos
recibe el nombre de región de agotamiento por ausencia de portadores en la misma.
Dr. Fernando D. Siles Nates
La aplicación de un voltaje implica tres posibilidades:
No hay polarización (VD = 0v)
Polarización directa (VD > 0v)
Polarización inversa (VD < 0v)

SIN POLARIZACIÓN
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la región de
agotamiento pasarán directamente al material tipo p. Supondremos que todos los portadores
minoritarios del material tipo n que se encuentran en la región de agotamiento debido a su
movimiento aleatorio pasarán directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios
(electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas de atracción de la capa de iones
positivos en el material tipo n, así como la capa de iones en el material tipo p, para emigrar hacia el
área más allá de la región de agotamiento del material tipo p. Sin embargo el número de portadores
mayoritarios es tan grande en el material tipo n que invariablemente habrá un pequeño número de
portadores mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de la región de
agotamiento y llegar al material tipo p. En ausencia de un voltaje de polarización aplicado el flujo
neto de carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es cero.

CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA

Al aplicar un potencial externo y con la terminal positiva conectado al material tipo n y la terminal
negativa conectado al material tipo p, eI número de iones positivos en la región de agotamiento del
material tipo n, aumentará debido al mayor número de iones libres arrastrados hacia el potencial
positivo. El número de iones negativos se incrementará en el material tipo p. El efecto es un
ensanchamiento de la región de agotamiento que establece una barrera demasiado grande para
que los portadores mayoritarios puedan superarla reduciendo el flujo de los mismos.
Las características de un diodo de germanio o de silicio tienen la forma general mostrada en la
figura # 1. Note el cambio en la escala para ambos en la columna vertical y horizontal. En la región
de polarización inversa la comerte de saturación inversa es justamente constarte de 0 V al potencial
Zener. En la región de polarización directa la corriente crece realmente rápidamente cuando se
incrementa un poco el voltaje en el diodo. Note que la curva está subiendo casi verticalmente a un
voltaje de polarización directa de menos de 1 V.
La componente del diodo en polarización directa se limitará solamente por la red en que el diodo es
conectado o por la máxima comento o por el valor de potencia del diodo.

CARACTERÍSTICAS DE DIODOS DE GERMANIO Y SILICIO

La resistencia de DC o Estática de un diodo en un punto de la curva característica está determinada
por la proporción del voltaje del diodo en ese punto, dividido por la comente del diodo. Esta es:

𝑉𝐷
𝑅𝑑=
𝐼𝐷
 La resistencia de AC o Dinámica a un particular voltaje y comente del diodo puede ser determinada usando una línea
tangente dibujada como esta en la figura #1. El resultado del voltaje (∆𝑉 ) y corriente (∆𝐼) de desviación puede ser
determinado siguiendo la ecuación aplicada:

∆𝑉
𝑅 𝑟𝑑 =
∆𝐼

4. CASOS PRÁCTICOS -SIMULACIÓN

● Revisar el caso aplicativo dado en el archivo de PPT de la práctica propuesta y plantearlo

nuevamente.

GRÁFICOS:

COMENTARIO:
se puede observar en la gráfica que el voltímetro y el voltaje ambos tienen una relación directa
COMENTARIO:
Se observa la siguiente corriente en amperímetro y el voltaje, la relación que tienen son directamente
proporcionales es decir que si la corriente aumenta también el voltaje.

CASO PROPUESTO N°1 :

o Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Utilizando los instrumentos de medición, se pide completar la siguiente tabla:

Considerar un diodo de tipo : 1N4149
Anotar los resultados y construya las graficas : VR vs. ID , VR vs. VD y VD vs. ID. Hacer
comentarios respectivos de los datos encontrados.
CASO PROPUESTO N°2 :
Construya el circuito de la figura
 Se pide:
o Registrar el valor medido del resistor
o Mida el voltaje VR ( Voltaje de Resistencia) calcule la corriente de saturación inversa
con la ecuación
𝐼𝐷 = 𝑉𝑅
𝑅𝑚𝑒𝑑 || Rm

CASO PROPUESTO N°3 :

De la librería de DIODOS de MULTISIM , seleccionar 5 tipos diferentes de diodos y ejecutar
las pruebas respectivas para determinar la curva característica de DIODO utilizando el
ANALIZADOR DE CORRIENTE - VOLTAJE tomar como referencia el ejercicio resuelto en clase.

COMPORTAMIENTO DEL DIODO 1N4004G

FIG. Curva característica del diodo 1N4004G

El 1N4004G es un rectificador de recuperación estándar con terminaciones axiales con un

encapsulado moldeado de epoxi, todas las superficies externas son resistentes a la corrosión y las
terminaciones tienen un acabado listo para soldadura. Este rectificador de unión difusa es apto
para aplicaciones de propósito general y baja potencia.
 · Cátodo indicado por banda de polaridad
· Tensión inversa de pico no repetitivo de 480V
· Valor eficaz RMS de tensión inversa de 280V

COMPORTAMIENTO DEL DIODO 1N5406G

FIG. Curva característica del diodo 1N5406G

El 1N5406G es un diodo rectificador estándar con terminales estañados sin plomo en carcasa
plástica moldeada de grado de inflamabilidad UL94V-0 y polaridad de banda del cátodo.
Terminales soldables según el estándar MIL-STD-202, método 208. Alta capacidad de corriente y
baja caída de tensión directa. Baja corriente de fuga inversa.
· Unión difusa

· Valor eficaz RMS de tensión inversa de 420V

· Capacitancia total típica de 25pF
· Resistencia térmica típica de unión a ambiente de 15°C/W

COMPORTAMIENTO DEL DIODO 1N4005G

FIG. Curva característica del diodo 1N4005G

Esta gama de productos de los semiconductores son rectificadores estándar diseñados
específicamente para aplicaciones de baja potencia y uso general. Con un acabado que garantiza
que sus superficies externas sean resistentes a la corrosión y los cables de terminal sean fácilmente
soldables, este producto ofrece un producto eficaz y fiable a sus clientes.

• inversores de alta frecuencia

• diodos de libre circulación

• diodos de protección de polaridad

COMPORTAMIENTO DEL DIODO 1N4001G

FIG. Curva característica del diodo 1N4001G

El 1N4001G es un rectificador de recuperación estándar con terminaciones axiales con un

encapsulado moldeado de epoxi, todas las superficies externas son resistentes a la corrosión y las
terminaciones tienen un acabado listo para soldadura. Este rectificador de unión difusa es apto
para aplicaciones de propósito general y baja potencia.
· Cátodo indicado por banda de polaridad

· Tensión inversa de pico no repetitivo de 60V

· Valor eficaz RMS de tensión inversa de 35V

COMPORTAMIENTO DEL DIODO 1N4935G

FIG. Curva característica del diodo 1N4935G

Ya sea que esté trabajando en un nuevo diseño o en la compra, un Semiconductor le proporciona

diodos y rectificadores estándar de la industria, diodos de señal pequeños, diodos Schottky y
diodos Zener. Los componentes ofrecen la mejor combinación disponible de calidad,
características y opciones de encapsulado

CONCLUSIONES

● La cantidad de corriente que se debe considerar es importante al obtener los elementos

necesarios para montar el circuito.
● Los rectificadores de onda completa son más efectivos que los rectificadores de media
onda porque estos usan más voltaje.
● Usar un rectificador de onda completa es mucho mejor que usar un puente de diodo,
porque se obtiene la señal con mejor continuidad.
● Con estos circuitos se ha comprobado y confirmado la teoría impartida en clase y se
reconoce la importancia de los diodos.

RECOMENDACIONES

● Se recomienda utilizar el valor teórico, porque nos ayudará a reducir los errores que
recopilamos datos.
● Se recomienda controlar con precisión la resistencia a utilizar porque podemos quemar
algunos elementos en la simulación, depende de su voltaje y valor actual y nos puede dar
errores.
● Se recomienda saber armar un circuito ya que esto reducirá el tiempo de la práctica y será
más fácil de ejecutar.
● Se recomienda verificar que todos los materiales estén correctos, porque nos ayudará a
obtener mejores resultados.