INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

UNIDAD ZACATENCO

INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA

MATERIA: DISPOSITIVOS
GRUPO: 5CV8
TURNO: VESPERTINO

ALUMNOS:
• GARAY LÓPEZ ALDO ARTURO BOLETA: 2019302548
• RAMÍREZ VELÁZQUEZ LUIS ARTURO BOLETA: 2019301915

TITULAR.- ARÉVALO GONZÁLEZ ELIZABETH

PRÁCTICA 1

OCTUBRE, 2020
 Práctica 1: CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
DEL DIODO CON SEÑAL DE CD y CA.
EAG-2020-1 1/4
OBJETIVO: El alumno armará los circuitos que le permitan obtener las
características eléctricas de diodos de Si (silicio), el LED o bien el diodo de
conmutación; con señal en CD y CA (con señal sinusoidal); como voltajes,
corrientes, resistencia interna y potencia de consumo. E interpretará las
mediciones realizadas con el multímetro y/u osciloscopio. También reportará los
resultados medidos en tablas y/o gráficas según lo indique el desarrollo.
MARCO TEÓRICO

• Investigar las características de funcionamiento y limitaciones de los

diodos de silicio (Si), y LED rojo de baja intensidad o bien del diodo de
conmutación en CD y CA (con señal sinusoidal).

Características de funcionamiento y limitaciones del diodo de silicio

Tensión umbral.
En la región directa, la tensión a partir de la cual la corriente empieza a
incrementarse
rápidamente se denomina tensión umbral del diodo, que es igual a la barrera de
potencial.
El análisis de circuitos con diodos se dirige normalmente a determinar si la tensión
del diodo es mayor o menor que la tensión umbral. Si es mayor, el diodo conduce
finalmente; si es menor, lo hace pobremente. Definimos la tensión umbral de un
diodo de silicio de la siguiente forma:
Vk= 0.7 V
Aunque los diodos de germanio raramente se emplean en diseños nuevos, se
pueden encontrar todavía en circuitos especiales o en equipos antiguos. Por esta
razón, conviene recordar que la tensión umbral de un diodo germanio es,
aproximadamente, de, 0,3V. Esta tensión umbral es una ventaja y obliga a
considerar el uso del diodo de germanio en ciertas aplicaciones.
Disipación de potencia.
Se puede calcular la disipación de potencia de un diodo de la misma forma que se
hace para una resistencia. Es igual al producto de la tensión por la corriente del
diodo. Expresándolo
matemáticamente: PD = VDID
La limitación de potencia es la máxima potencia que el diodo puede disipar con
seguridad sin acortar su tiempo de vida o degradar sus características de operación.
Su definición es:
Pmax=(Vmax)(Imax)
La zona directa:
En la zona directa tenemos dos características importantes:
• Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensión umbral Vk) para que
conduzca bien en polarización directa (zona directa).
• Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente como
una resistencia).
La zona inversa:
En polarización inversa teníamos una corriente que estaba formada por la suma de
los valores de la corriente Is y la corriente de fugas If: Hay que tener cuidado, no
hay que llegar a VR porque el diodo se rompe por avalancha (excepto si es un
Zener).

Curva característica del diodo.

El funcionamiento de un diodo común de silicio se puede apreciar observando la
curva característica que se crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien
de forma inversa.
En ambos casos la curva gráfica muestra la relación existente entre la corriente y la
tensión o voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.

El diodo ideal y sus aproximaciones

Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio, y cada una de
ellas es útil en ciertas condiciones.
Primera aproximación:
Es la aproximación más simple. Esta aproximación consiste en suponer que en la
zona directa el diodo se comporta como un conductor perfecto (resistencia nula) y
en la zona inversa como un aislante perfecto (resistencia infinita). Este diodo no
existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal. Cuando la tensión es
muy elevada y la corriente muy pequeña el diodo real se comporta como un diodo
ideal.
Polarización directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.
Polarización inversa: Es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.
Segunda aproximación:
En esta aproximación se tiene en cuenta la tensión de codo. Cuando menor es la
tensión aplicada mayor es el error que se introduce con el modelo ideal, por lo cual
este puede ser útil. La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal
que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensión umbral para el silicio, porque
suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomaría el valor de
0,3 V).
Tercera aproximación.
En esta aproximación se tiene en cuenta la tensión de codo. Cuando menor es la
tensión aplicada mayor es el error que se introduce con el modelo ideal, por lo cual
este puede ser útil.
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V
(este valor es el valor de la tensión umbral para el silicio, porque suponemos que el
diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomaría el valor de 0,2 V).
Las únicas limitaciones son:
1.- La corriente a través del Zener no debe ser inferior a su corriente mínima. En
pocas palabras, para una tensión de entrada mínima y una corriente de carga
máxima, la corriente del diodo Zener debe ser, al menos, I DMIN.
2.- La potencia que debe disipar el diodo debe ser inferior a su potencia máxima:
Potencia Máx. = Imax * VD

Características de funcionamiento y limitaciones del LED rojo

de baja intensidad
Al polarizar directamente el diodo led se provoca una producción de fotones como
consecuencia de la recombinación entre electrones y huecos. Se debe considerar
que la intensidad de la luz se relaciona con la cantidad de corriente que fluye a
través del dispositivo, así también una relación en la longitud de onda que
corresponde a cada color.
Si se va incrementando la tensión de polarización el diodo led comienza a emitir
fotones y al observar un haz de luz significa que se alcanzó la tensión de
encendido, por lo tanto, conforme se va incrementando la tensión de polarización
se aumenta la intensidad de luz emitida. Considerando que, al aumentar la tensión
y por lo tanto la intensidad de luz emitida, también se tiene una variación al
aumento de la intensidad de la corriente y puede verse disminuida por la
recombinación Auger.
Es importante recordar que un LED tiene una caída de voltaje de 1.5 a 2.5V al ser
polarizado directamente (La caída de voltaje varía dependiendo del tamaño del
led, color, composición y otros factores).
Led Rojo
Formado por GaP consiste en una unión p-n obtenida por el método de
crecimiento epitaxial del cristal en su fase líquida, en un substrato.
La fuente luminosa está formada por una capa de cristal p junto con un complejo
de ZnO, cuya máxima concentración está limitada, por lo que su luminosidad se
satura a altas densidades de corriente. Este tipo de Led funciona con baja
densidades de corriente ofreciendo una buena luminosidad, utilizándose como
dispositivo de visualización en equipos portátiles. El constituido por GaAsP
consiste en una capa p obtenida por difusión de Zn durante el crecimiento de un
cristal n de GaAsP, formado en un substrato de GaAs, por el método de
crecimiento epitaxial en fase gaseosa. Actualmente se emplea los Led de GaAlAs
debido a su mayor luminosidad.
El máximo de radiación se halla en la longitud de onda 660 nm.
POLARIDAD DE UN DIODO LED
Un diodo LED únicamente puede ser polarizado directamente, esto quiere decir que
conduce corriente y emite luz, mientras que al ser polarizado inversamente no
conduce corriente y no emite luz.

Limitantes de los LED´s

1. Mayor costo: Los LED´s de lata brillantez necesarios para la iluminación general
son más costosas pero cada día van bajando el precio. En muchos casos hay que
sumar los drivers que tampoco son baratos.
2. Rendering de color: Los LED´s pueden variar ampliamente en el color aparente
(temperatura de color) y como afectar en color de los objetos y la gente en un
determinado espacio (rendimiento de color). la estabilidad es una potencial
limitante. Es preciso tener lámparas y luminarias de una sola marca y modelo para
disminuir drásticamente este problema.
3. Incompatibilidad en control. Debido al amplio rango de dispositivos, no todas las
lámparas LED son dimmeables y aunque pueden atenuarse muchas entregan
pobre desempeño. Hoy día es más factible comprar “sistemas completos” (módulo
LED, driver LED y dimmer LED) que aseguran compatibilidad.
4. Las desventajas del diodo LED son que su potencia de iluminación es tan baja,
que su luz es invisible bajo una fuente de luz brillante y que su ángulo de
visibilidad está entre los 30° y 60°. Este último problema se corrige con cubiertas
difusores de luz.

• Investigar que es y cómo se obtienen la recta de carga y el punto de

operación, en un dispositivo semiconductor PN de dos terminales con
señal en CD y CA (con señal sinusoidal).

Recta de carga y punto de operación en dispositivo PN en cd.

La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la

corriente y la tensión del diodo. Las rectas de carga son especialmente útiles para
los transistores, por lo que más adelante se dará una explicación más detallada
acerca de ellas.

Estas son las distintas formas de analizar los circuitos con diodos:

▪ EXACTA POR TANTEO: Ecuación del diodo exponencial y ecuación de la

malla.
▪ MODELOS EQUIVALENTES APROXIMADOS: 1ª aproximación, 2ª
aproximación y 3ª aproximación.
▪ DE FORMA GRÁFICA: Recta de carga.

Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de

forma gráfica, esto es calculando su recta de carga.

Si de la ecuación de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuación de

una recta, que en forma de gráfica sería:
A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa.

El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solución, el punto

Q, también llamado "punto de trabajo", “punto de operación” o "punto de
funcionamiento". Este punto Q se controla variando VS y RS.

Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y
se le llama "Saturación".

• Investigar que es y cómo se calculan la resistencia estática y

dinámica, en un dispositivo semiconductor PN de dos terminales en
CD y CA (con señal sinusoidal).

Resistencia estática y dinámica en dispositivo PN en cd.

Resistencia estática.
Si el diodo está trabajando en DC, en un punto de trabajo determinado y constante
(V,I) de la característica, el diodo presentará una resistencia también constante
llamada resistencia estática. El valor de esta resistencia será: 𝑅 = 𝑉 − 𝑉𝐷 /𝐼
El valor de esta resistencia varía considerablemente con el punto de trabajo(V,I) del
diodo. Así, si el punto de trabajo es 𝑉1, 𝐼1, la resistencia estática será: 𝑅1 = 𝑉1 −
𝑉𝐷 𝐼1
En otras palabras, la resistencia estática de un diodo se define como la relación
entre la tensión y la corriente (V/I). En un punto cualquiera de la característica
tensión-corriente del diodo, la resistencia es igual a la inversa de la pendiente de la
línea que une el punto de funcionamiento con el origen. Es decir, que la resistencia
estática mide la oposición que presenta el diodo al paso de la corriente continua.
Resistencia dinámica.
Si el diodo trabajo con voltajes variables, es decir que el punto de trabajo (V.I) se
va a mover con el tiempo por la curva característica, la resistencia que va a
presentar el diodo también va a variar, dependiendo esta del punto de trabajo en
cada instante. A esta resistencia se le denomina resistencia dinámica y tiene un
valor dado por: 𝑟𝐷 = ∆𝑉 ∆𝐼 En otras palabras, la resistencia dinámica se define como
la oposición que presenta el diodo al paso de una señal alterna o variable en tiempo.

• Investigar que es y cómo se calculan la potencia promedio, en un

dispositivo semiconductor PN de dos terminales en CD y CA (con
señal sinusoidal).
Es la cantidad total de potencia “útil” que consume un equipo eléctrico, esto
quiere decir que la potencia en kW es la realmente utilizada para realizar el
trabajo.
Dicho en otras palabras, P(kW) (Potencia útil que disipan los equipos en calor
o trabajo) es igual a la potencia en P(kVA) menos Q(kVAR) (Potencia campos)
utilizada esta ultima para la formación de los campos eléctrico y magnético de
sus componentes, kW = kVA-kVAR.
La potencia activa P(kW), es utilizada tanto en circuitos DC (Corriente directa)
como en AC (Corriente Alterna).
En un circuito DC, la potencia activa P (kW) es igual a la potencia aparente
S(kVA) es decir, P (kW) = S (kVA), porque en circuitos de corriente continua,
no existe el concepto de kVAR, lo cual indica que tampoco existe el concepto
de s(kVA).
Por otro lado en circuitos de corriente alterna AC si existen el concepto de
kVAR. Por lo tanto el valor promedio de la potencia activa seria P(kW) =
S(kVA)-Q(kVAR)
 Potencia en corriente continua

𝑃 =𝑉∙𝐼
𝑃 = 𝑉 2 /𝑅
Potencia en corriente alterna

𝑃 = 𝑉𝑒 ∙ 𝐼𝑒 ∙ cos⁡(𝜙)

• Realizar la simulación de los circuitos para obtener las características

eléctricas del diodo de (Si) y del LED o bien del diodo de conmutación
en CD y CA (con señal sinusoidal).
• Traer hojas de especificaciones de los diodos de (Silicio y LED rojo
baja intensidad o bien del diodo de conmutación), que se emplearán
en la práctica.
Para el diodo usaremos el de la marca “ComChip” y el LED usaremos “Vishay”
 General Purpose Plastic Rectifier COMCHIP
www.comchiptech.com

1N4001 thru 1N4007

Reverse Voltage: 50 to 1000V
Forward Current: 1.0A

Features DO-41
- Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
- Low reverse leakage 1.0 (25.4)
Min.
- High forward surge capability
- High temperature soldering guaranteed: 350°C/10 0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
Seconds, 0.375" (9.5mm) lead length Dia.
- Guardring for overvoltage protection
0.205 (5.2)
0.160 (4.1)
Mechanical Data
- Case: JEDEC DO-41 molded plastic body
- Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
1.0 (25.4)
- Polarity: Color band denotes cathode end Min.
0.034 (0.86)
- Mounting Position: Any 0.028 (0.71)
- Weight: 0.012 oz., 0.3 g Dia.

- Weight: 0.34 g

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N
Parameter Symb. Unit
4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V
* Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V
* Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V
* Maximum average forward rectified current
IF(AV) 1.0 A
0.375" (9.5mm) lead length at TA = 75°C
* Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
IFSM 30 A
superimposed on rated load (JEDEC Method) TA = 75°C
* Maximum full load reverse current, full cycle
IR(AV) 30 µA
average 0.375" (9.5mm) lead length TL = 75°C
RθJA 50
Typical thermal resistance (1) °C/W
RθJL 25
* Maximum DC blocking voltage temperature TA +150 V
* Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG –50 to +175 °C

Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A VF 1.1 V

* Maximum DC reverse current TA = 25°C 5.0
IR µA
at rated DC blocking voltage TA = 125°C 50
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz CJ 15 pF
Note: (1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted *JEDEC registered values

MDS0312002A Page 1
Schottky Barrier Rectifier COMCHIP
www.comchiptech.com

Ratings and Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)

Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive

Fig. 1 – Forward Current Derating Curve Peak Forward Surge Current
1.0 30
60HZ Resistive or TA = 75°C
Average Forward Rectified Current (A)

Inductive Load 8.3ms Single Half Sine-Wave

Peak Forward Surge Current (A)

(JEDEC Method)
0.8 25
0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0mm)
Copper Pads

0.6 20

0.4 15

0.2 10
0.375" (9.5mm)
Lead Length
0 5.0
0 25 50 75 100 125 150 175 1 10 100
Ambient Temperature (°C) Number of Cycles at 60HZ

Fig. 3 – Typical Instantaneous

Forward Characteristics Fig. 4 – Typical Reverse Characteristics
20 1,000
10
Instantaneous Reverse Current (µA)
Instantaneous Forward Current (A)

TJ = 150°C
100

TJ = 25°C
1 Pulse Width = 300µs
10
1% Duty Cycle TJ = 100°C

1
0.1
TJ = 25°C
0.1

0.01 0.01
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 0 20 40 60 80 100
Instantaneous Forward Voltage (V) Percentage of Peak Reverse Voltage (%)

Fig. 6 – Typical Transient Thermal

Fig. 5 – Typical Junction Capacitance Impedance
100 100
TJ = 25°C
Transient Thermal Impedance (°C/W)

f = 1.0MHZ
Vsig = 50mVp-p
Junction Capacitance (pF)

10

10

1 0.1
0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V) t -- Pulse Duration (sec)

MDS0312002A Page 2
 TLDR5800
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
High Intensity LED, Ø 5 mm Clear Package
FEATURES
• Exceptional brightness
(IVtyp = 2500 mcd at IF = 20 mA)
• Narrow viewing angle (ϕ = ± 4°)
• Low forward voltage
• 5 mm (T-1¾") clear package
• Very high intensity even at low drive currents
19223 • Deep red color
• Categorized for luminous intensity
DESCRIPTION
• Outstanding material efficiency
This LED contains the double heterojunction (DH) GaAlAs on
GaAs technology. • Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
This deep red LED can be utilized over a wide range of drive
current. It can be DC or pulse driven to achieve desired light
APPLICATIONS
output.
• Bright ambient lighting conditions
A clear 5 mm package is used to provide an extremely high
light intensity of more than 2000 mcd at a very narrow • Battery powered equipment
viewing angle. • Indoor and outdoor information displays
• Portable equipment
PRODUCT GROUP AND PACKAGE DATA
• Telecommunication indicators
• Product group: LED
• General use
• Package: 5 mm
• Product series: standard
• Angle of half intensity: ± 4°

PARTS TABLE
LUMINOUS INTENSITY WAVELENGTH FORWARD VOLTAGE
(mcd) at IF (nm) at IF (V) at IF
PART COLOR TECHNOLOGY
(mA) (mA) (mA)
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.
TLDR5800 Red 1000 2500 - 20 - 648 - 20 - 1.8 2.2 20 GaAIAs on GaAs
TLDR5800-AS12Z Red 1000 2500 - 20 - 648 - 20 - 1.8 2.2 20 GaAIAs on GaAs

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)

TLDR5800
PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL VALUE UNIT
Reverse voltage (1) VR 6 V
DC forward current IF 50 mA
Surge forward current tp ≤ 10 μs IFSM 1 A
Power dissipation PV 100 mW
Junction temperature Tj 100 °C
Operating temperature range Tamb -40 to +100 °C
Storage temperature range Tstg -55 to +100 °C
Soldering temperature t ≤ 5 s, 2 mm from body Tsd 260 °C
Thermal resistance junction/ambient RthJA 350 K/W
Note
(1) Driving the LED in reverse direction is suitable for a short term application

Rev. 1.9, 16-Mar-15 1 Document Number: 83004

For technical questions, contact: LED@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
 TLDR5800
www.vishay.com
Vishay Semiconductors

OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)

TLDR5800, RED
PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT
Luminous intensity IF = 20 mA IV 1000 2500 - mcd
Dominant wavelength IF = 20 mA λd - 648 - nm
Peak wavelength IF = 20 mA λp - 650 - nm
Angle of half intensity IF = 20 mA ϕ - ±4 - deg
Forward voltage IF = 20 mA VF - 1.8 2.2 V
Reverse current VR = 6 V IR - - 10 μA
Junction capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Cj - 50 - pF

LUMINOUS INTENSITY CLASSIFICATION

GROUP LUMINOUS INTENSITY (mcd)
STANDARD MIN. MAX.
EE 1000 2000
FF 1350 2700
GG 1800 3600
HH 2400 4800
II 3200 6400
KK 4300 8600
LL 5750 11 500
MM 7500 15 000
NN 10 000 20 000
Note
• Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of ± 11 %.
The above type numbers represent the order groups which include only a few brightness groups. Only one group will be shipped on each
bag (there will be no mixing of two groups in each bag).
In order to ensure availability, single brightness groups will not be orderable.
In a similar manner for colors where wavelength groups are measured and binned, single wavelength groups will be shipped on any one
bag. In order to ensure availability, single wavelength groups will not be orderable.

TYPICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)

60 10 000
Tamb ≤ 85 °C
50
IF - Forward Current (mA)

tp/T = 0.01
IF - Forward Current (mA)

1000 0.02
40 0.05
0.1
30 100

20 1
10 0.5 0.2
10

0
0 20 40 60 80 100 1
0.01 0.1 1 10 100
96 11489 Tamb - Ambient Temperature (°C)
95 10025 tp - Pulse Length (ms)

Fig. 1 - Forward Current vs. Ambient Temperature for AlInGaP Fig. 2 - Forward Current vs. Pulse Length

Rev. 1.9, 16-Mar-15 2 Document Number: 83004

For technical questions, contact: LED@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
 TLDR5800
www.vishay.com
Vishay Semiconductors

0° 10° 20° 10
30°

IV rel - Relative Luminous Intensity

IV rel - Relative Radiant Intensity

red

ϕ - Angular Displacement
40° 1
1.0

0.9 50°
0.1
0.8 60°

70°
0.7
80°
0.01
0.1 1 10 100
0.6 0.4 0.2
95 10016 IF - Forward Current (mA)
95 10022

Fig. 3 - Relative Luminous Intensity vs. Angular Displacement Fig. 6 - Relative Luminous Intensity vs. Forward Current

1.2 2.4
red red

IV rel - Relative Luminous Intensity

Irel - Relative Luminous Intensity

1.0 2.0

0.8 1.6

0.6 1.2

0.4 0.8

0.2 0.4
IFAV = 10 mA, const.
0 0
600 620 640 660 680 700 10 20 50 100 200 500 IF (mA)
95 10018 - Wavelength (nm) 95 10262 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 tP/T

Fig. 4 - Relative Intensity vs. Wavelength Fig. 7 - Relative Luminous. Intensity vs.
Forward Current/Duty Cycle

100 2.0
red
IV rel - Relative Luminous Intensity

red
IF - Forward Current (mA)

1.6

1.2
10

0.8

0.4

1 0
1 1.5 2 2.5 3 0 20 40 60 80 100
95 10014 VF - Forward Voltage (V) 95 10015 Tamb - Ambient Temperature (°C)

Fig. 5 - Forward Current vs. Forward Voltage Fig. 8 - Relative Luminous Intensity vs. Ambient Temperature

Rev. 1.9, 16-Mar-15 3 Document Number: 83004

For technical questions, contact: LED@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
 TLDR5800
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
PACKAGE DIMENSIONS in millimeters

C A

± 0.15
Ø 5.5
Parabolic lens
(4.9)

± 0.15

± 0.3
7.7

< 0.7
± 0.3

8.7
12.7
± 0.55
35.7

Ø 5 ± 0.15 Area not plane

1.1 ± 0.25
1 min.

technical drawings
according to DIN
+ 0.15 + 0.15 specifications
0.5 - 0.05 0.5 - 0.05

Drawing-No.: 6.544-5310.01-4 2.54 nom.

Issue: 4; 19.05.09
95 11476

TAPE DIMENSIONS in millimeters

±1 ±2
12.7 ± 1
0.3 ± 0.2
9 ± 0.5
12 ± 0.3
+1
- 0.5
18

Angle φ = α / 2

0.9 max.
Ø 4 ± 0.2
+ 0.6
2.54 - 0.1

5.08 ± 0.7 6.35 ± 0.7

12.7 ± 0.2
Measure limit over 20 index-holes: ± 1
9511389
Reel
(Mat.-no. 1764)
Quantity per:
1000

94 8172

Option Dim. “H” ± 0.5 mm

AS 17.3
Explanation
12 - cathode leaves first
21 - anode leaves first

Rev. 1.9, 16-Mar-15 4 Document Number: 83004

For technical questions, contact: LED@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
 TLDR5800
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
AMMOPACK TAPE

Tape feed

Diodes: anode before cathode

Phototransistors: emitter before collector
Code 21
Adhesive tape

Identification label
Label Reel
Diodes:
cathode before anode
C Phototransistors:
collector before emitter
Code 12
Paper

A
Tape
B 94 8671
94 8667-1

Fig. 9 - Tape Direction Fig. 10 - LED in Tape

Note
• The new nomenclature for ammopack is e.g. ASZ only, without
suffix for the LED orientation. The carton box has to be turned to
the desired position: “+” for anode first, or “-” for cathode first.
AS12Z and AS21Z are still valid for already existing types, BUT
NOT FOR NEW DESIGN.

Rev. 1.9, 16-Mar-15 5 Document Number: 83004

For technical questions, contact: LED@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
 Legal Disclaimer Notice
www.vishay.com
Vishay
Disclaimer
ALL PRODUCT, PRODUCT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE TO IMPROVE
RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.

Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively,
“Vishay”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other
disclosure relating to any product.

Vishay makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or
the continuing production of any product. To the maximum extent permitted by applicable law, Vishay disclaims (i) any and all
liability arising out of the application or use of any product, (ii) any and all liability, including without limitation special,
consequential or incidental damages, and (iii) any and all implied warranties, including warranties of fitness for particular
purpose, non-infringement and merchantability.

Statements regarding the suitability of products for certain types of applications are based on Vishay’s knowledge of typical
requirements that are often placed on Vishay products in generic applications. Such statements are not binding statements
about the suitability of products for a particular application. It is the customer’s responsibility to validate that a particular
product with the properties described in the product specification is suitable for use in a particular application. Parameters
provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance may vary over time. All
operating parameters, including typical parameters, must be validated for each customer application by the customer’s
technical experts. Product specifications do not expand or otherwise modify Vishay’s terms and conditions of purchase,
including but not limited to the warranty expressed therein.

Except as expressly indicated in writing, Vishay products are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining
applications or for any other application in which the failure of the Vishay product could result in personal injury or death.
Customers using or selling Vishay products not expressly indicated for use in such applications do so at their own risk. Please
contact authorized Vishay personnel to obtain written terms and conditions regarding products designed for such applications.

No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document or by
any conduct of Vishay. Product names and markings noted herein may be trademarks of their respective owners.

Material Category Policy

Vishay Intertechnology, Inc. hereby certifies that all its products that are identified as RoHS-Compliant fulfill the
definitions and restrictions defined under Directive 2011/65/EU of The European Parliament and of the Council
of June 8, 2011 on the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment
(EEE) - recast, unless otherwise specified as non-compliant.

Please note that some Vishay documentation may still make reference to RoHS Directive 2002/95/EC. We confirm that
all the products identified as being compliant to Directive 2002/95/EC conform to Directive 2011/65/EU.

Vishay Intertechnology, Inc. hereby certifies that all its products that are identified as Halogen-Free follow Halogen-Free
requirements as per JEDEC JS709A standards. Please note that some Vishay documentation may still make reference
to the IEC 61249-2-21 definition. We confirm that all the products identified as being compliant to IEC 61249-2-21
conform to JEDEC JS709A standards.

Revision: 02-Oct-12 1 Document Number: 91000

Material
Debido a las clases en línea, la práctica es simulada y se emplearon los siguiente
materiales y softwares.
Software:
• Multisim
• Word para hacer la práctica
Materiales en simulación
• Diodo 1N4004
• Resistencia de 330 Ω con 5% de tolerancia.
• Multímetro digital
DESARROLLO:

Características del diodo con señal de CD

1.0 Proponer el dispositivo (diodos de Si comercial y valores de resistencias
comerciales) que se deseen emplear en la práctica, y consultar las hojas de
especificaciones del diodo (de Si y LED o bien diodo de conmutación) que se
utilizará para el desarrollo de la práctica. Preferentemente que los diodos y
resistores sean a ½W o más Watts; por ejemplo, un resistor de 220Ω±5% a ½W.
Proponemos un resistor de 330Ω±5%, diodo 1N4004 y LED rojo.
1.1 Reportar el valor comercial del resistor o resistores a emplear, así como la
serie (matricula o número de parte) de los diodos y las características eléctricas
que proporcionan los fabricantes de los diodos. Realizar una tabla que contenga la
información que proporciona el fabricante, para el buen funcionamiento, de cada
uno de los diodos a utilizar.
1.1.2 Haciendo uso del multímetro digital en el modo de operación de diodo,
identificar las terminales de los diodos a utilizar. Dibujando cada uno de los diodos
y reportando la lectura que se observa en el multímetro, en las dos combinaciones
posibles de medición.
1.2. Armar el circuito como se muestra en la fig. 1; realizar y registrar las
mediciones, como se indica en la tabla 1, sin omitir las unidades. Realizar el
circuito con el Diodo de Si y posteriormente con el LED rojo o bien con el diodo de
conmutación.
Fig. 1 Circuito de prueba
+
A
+ Vs

D V
R
 Tabla 1 Mediciones del diodo en polarización directa.

Vs VD ID VR VDLED IDLED VRLED

0 0 0 0 0 0 0
0.2 0.199511 1.482E-06 0.000488977 2.00E-01 1.9707E-10 6.61E-08
0.4 0.382754 5.2259E-05 0.017246 4.00E-01 3.94E-10 1.32E-07
0.6 0.482154 0.00035711 0.117846 0.6 6.00E-10 1.99E-07
0.8 0.525846 0.00083077 0.274254 0.8 8.55E-10 2.81E-07
1 0.551347 0.00136 0.448653 1.00E+00 3.43E-09 1.13E-06
2 0.609965 0.004212 1.39 1.67 9.99E-04 3.30E-01
3 0.637527 0.007159 2.362 1.74 3.82E-03 1.26
4 0.655633 0.010134 3.344 1.77 6.76E-03 2.23
5 0.669133 0.013124 4.331 1.788 9.73E-03 3.212
1.3 Invertir la polaridad de la
fuente y realizar el mismo procedimiento que en el punto anterior 1.2. Reportando
los resultados en la tabla 2.
 NOTA: Si se utiliza
el
microamperímetro,
no olvidar cambiar
las puntas, con
respecto a la
polaridad de la
fuente, para evitar
dañarlo, así como
seleccionar la
escala adecuada.

Tabla 2 Mediciones del diodo en polarización inversa.

VS VD ID VDLED IDLED
-1 -1.00E+00 3.30E-08 -1 9.88E-10
-2 -2 3.40E-08 -2 2.02E-09
-3 -3 3.50E-08 -3 2.98E-09
-4 -4 3.60E-08 -4 3.95E-09
-5 -5 3.70E-08 -5 4.97E-09

1.4 Realizar la gráfica (VD vs ID), para cada uno de los diodos; considerando los
valores medidos en cada uno de ellos; tanto en polarización directa como en
polarización inversa, de acuerdo a los valores reportados en la tabla 1 y 2.
Preferentemente graficar en papel milimétrico, considerando el eje vertical para la
corriente del diodo (ID) y el eje horizontal para Voltaje del diodo (VD), tanto para el
diodo de silicio, como para el LED rojo o bien para el diodo de conmutación. No
omitir los valores medidos y ni las unidades en cada una de las gráficas.

CURVA DEL DIODO

0.014
CORRIENTE DE DIODO (AMP)

0.012
0.01
0.008
0.006
0.004
0.002
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
VOLTAJE DEL DIODO (VOLTS)
 CURVA DEL LED
CORRIENTE DE LED (AMP) 0.012
0.01
0.008
0.006
0.004
0.002
0
0 0.5 1 1.5 2
VOLTAJE DE LED (VOLTS)

POLARIZACIÓN INVERSA
3.75E-08
CORRIENTE DEL DIODO (AMP)

3.70E-08
3.65E-08
3.60E-08
3.55E-08
3.50E-08
3.45E-08
3.40E-08
3.35E-08
3.30E-08
3.25E-08
-6.00E+00 -5.00E+00 -4.00E+00 -3.00E+00 -2.00E+00 -1.00E+00 0.00E+00
VOLTAJE DEL DIODO (VOLTS)

POLARIZACIÓN INVERSA LED

6.00E-09
CORRIENTE LED (AMP)

5.00E-09

4.00E-09

3.00E-09

2.00E-09

1.00E-09

0.00E+00
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0
VOLTAJE LED (VOLTS)

Debido a la escala automática que genera la aplicación, en la polarización inversa

se ve como una línea con pendiente negativa pronunciada, pero con la escala
correcta se vería de la forma correcta.
1.5 A Partir de la gráfica realizada en papel milimétrico, efectuar los cálculos
correspondientes para obtener la resistencia estática (RD), resistencia dinámica
(rD) y potencia de consumo PD para cada uno de los diodos. Anexar los cálculos
realizados, sin omitir las unidades.
Resistencia estática del diodo. Potencia de consumo del diodo.
𝑉1 0 𝑃1 = (𝑉1)(𝐼1) = (0)(0) = 0𝑊
𝑅1 = = =0
𝐼1 0
𝑃2 = (𝑉2)(𝐼2) = (199.511𝑚𝑉)(1.482𝜇𝐴)
𝑉2 199.511𝑚𝑉 = 295.675𝜂𝑊
𝑅2 = = = 134622.807Ω
𝐼2 1.482𝜇𝐴
𝑃3 = (𝑉3)(𝐼3) = (382.754𝑚𝑉)(52.259𝜇𝐴)
𝑉3 382.754𝑚𝑉 = 20𝜇𝑊
𝑅3 = = = 7324.173Ω
𝐼3 52.259𝜇𝐴
𝑃4 = (𝑉4)(𝐼4) = (482.154𝑚𝑉)(357.11𝜇𝐴)
𝑉4 482.154𝑚𝑉 = 176.182𝜇𝑊
𝑅4 = = = 1350.155Ω
𝐼4 357.11𝜇𝐴
𝑃5 = (𝑉5)(𝐼5) = (525.846𝑚𝑉)(830.77𝜇𝐴)
𝑉5 525.846𝑚𝑉 = 436.857𝜇𝑊
𝑅5 = = = 632.962Ω
𝐼5 830.77𝜇𝐴
𝑃6 = (𝑉6)(𝐼6) = (551.347𝑚𝑉)(1.36𝑚𝐴)
𝑉6 551.347𝑚𝑉 = 749.831𝜇𝑊
𝑅6 = = = 405.402Ω
𝐼6 1.36𝑚𝐴
𝑃7 = (𝑉7)(𝐼7) = (609.965𝑚𝑉)(4.212𝑚𝐴)
𝑉7 609.965𝑚𝑉 = 2.569𝑚𝑊
𝑅7 = = = 144.81 Ω
𝐼7 4.212𝑚𝐴
𝑃8 = (𝑉8)(𝐼8) = (637.527𝑚𝑉)(7.159𝑚𝐴)
𝑉8 637.527𝑚𝑉
𝑅8 = = = 89.052Ω = 4.564𝑚𝑊
𝐼8 7.159𝑚𝐴
𝑃9 = (𝑉9)(𝐼9)
𝑉9 655.633𝑚𝑉
𝑅9 = = = 64.696Ω = (655.633𝑚𝑉)(10.134𝑚𝐴) = 6.644𝑚𝑊
𝐼9 10.134𝑚𝐴
𝑉10 669.133𝑚𝑉 𝑃10 = (𝑉10)(𝐼10)
𝑅10 = = = 50.985Ω = (669.133𝑚𝑉)(13.124𝑚𝐴) = 8.781𝑚𝑊
𝐼10 13.124𝑚𝐴
Resistencia dinámica del diodo.
∆𝑉 𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑚𝑖𝑛
𝑅𝐷 = =
∆𝐼 𝐼𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝑚𝑖𝑛
∆𝑉 669.133𝑚𝑉 − 199.511𝑚𝑉
𝑅𝐷 = =
∆𝐼 13.124𝑚𝐴 − 1.482𝜇𝐴
𝑅𝐷 =35.787 Ω
Resistencia estática del LED. 𝑉7 1.67𝑉
𝑅7 = = = 1672.043 Ω
𝐼7 998.778𝜇𝐴
𝑉1 0
𝑅1 = = =0 𝑉8 1.74𝑉
𝐼1 0
𝑅8 = = = 455.735Ω
𝑉2 200𝑚𝑉 𝐼8 3.818𝑚𝐴
𝑅2 = = = 1014.893𝑀Ω 𝑉9 1.77𝑉
𝐼2 197.065𝜌𝐴
𝑅9 = = = 261.873Ω
𝐼9 6.759𝑚𝐴
𝑉3 400𝑚𝑉
𝑅3 = = = 1014.896𝑀Ω 𝑉10 1.788𝑉
𝐼3 394.129𝜌𝐴 𝑅10 = = = 183.723Ω
𝐼10 9.732𝑚𝐴
𝑉4 600𝑚𝑉
𝑅4 = = = 1000.80𝑀Ω Resistencia dinámica del LED.
𝐼4 599.52𝜌𝐴
𝑉5 800𝑚𝑉 ∆𝑉 𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑚𝑖𝑛
𝑅5 = = = 935.812𝑀Ω 𝑅𝐷 = =
𝐼5 854.872𝜌𝐴 ∆𝐼 𝐼𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝑚𝑖𝑛
∆𝑉 1.788𝑉 − 200𝑚𝑉
𝑉6 999.999𝑚𝑉 𝑅𝐷 = =
𝑅6 = = = 291.459𝑀Ω ∆𝐼 9.732𝑚𝐴 − 197.065𝜌𝐴
𝐼6 3.431𝜂𝐴
𝑅𝐷 = 163.173Ω

1.6 Trazar la recta de carga y remarcar el punto de operación (Q) en la gráfica que
se obtuvo con los datos de la tabla. Anexar los cálculos realizados para obtener
las coordenadas.

Recta de carga del diodo

0.016
0.014
0.012
0.01
Amperes

0.008
0.006
0.004
0.002
0
0 1 2 3 4 5 6
Volts
 RECTA DE CARGA DEL LED
0.016

0.014

0.012

0.01
AMPERES

0.008

0.006

0.004

0.002

0
0 1 2 3 4 5 6
VOLTS

Para el diodo 1N4004

1. 𝑆𝑖 𝐼𝐷 = 0𝐴 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑜𝑟𝑑𝑒𝑛𝑎𝑑𝑎 𝑋1 , 𝑌1
𝑉𝑆 − 𝑉𝐷 − 𝑅𝐼𝑅 = 0
𝐼𝑅 = 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
𝑉𝑆 − 𝑉𝐷 − 𝑅(0) = 0
𝑉𝑆 − 𝑉𝐷 = 0𝑉
𝑉𝐷 = 𝑉𝑆 = 5𝑉 ∴ (5𝑉, 0𝐴)

2. 𝑆𝑖 𝑉𝐷 = 0𝑉 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑜𝑟𝑑𝑒𝑛𝑎𝑑𝑎 𝑋2 , 𝑌2
𝑉𝑆 − 𝑉𝐷 − 𝑅𝐼𝑅 = 0
𝐼𝑅 = 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
𝑉𝑅 4.33 𝑉
𝑉𝑆 − 0 − 𝑅𝐼𝐷 = 0 𝑅= = 13.124 𝑚𝐴 = 329.92 Ω
𝐼𝑅

𝑉𝑆 = 𝑅𝐼𝐷
𝑉𝑆 5𝑉
𝐼𝐷 = = = 15.15𝑚𝐴 ∴ (0𝑉, 15.15𝑚𝐴)
𝑅 329.92Ω
𝑉𝐷𝑄 = 0.669 V ; 𝐼𝐷𝑄 = 13.124𝑚𝐴
Para el LED rojo
1. 𝑆𝑖 𝐼𝐷 = 0𝐴 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑜𝑟𝑑𝑒𝑛𝑎𝑑𝑎 𝑋1 , 𝑌1
𝑉𝑆 − 𝑉𝐷 − 𝑅𝐼𝑅 = 0
𝐼𝑅 = 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
𝑉𝑆 − 𝑉𝐷 − 𝑅(0) = 0
𝑉𝑆 − 𝑉𝐷 = 0𝑉
𝑉𝐷 = 𝑉𝑆 = 5𝑉 ∴ (5𝑉, 0𝐴)

2. 𝑆𝑖 𝑉𝐷 = 0𝑉 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑜𝑟𝑑𝑒𝑛𝑎𝑑𝑎 𝑋2 , 𝑌2
𝑉𝑆 − 𝑉𝐷 − 𝑅𝐼𝑅 = 0
𝐼𝑅 = 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
𝑉𝑅 3.212𝑉
𝑉𝑆 − 0 − 𝑅𝐼𝐷 = 0 𝑅= = 9.732 𝑚𝐴 = 330.04 Ω
𝐼𝑅

𝑉𝑆 = 𝑅𝐼𝐷
𝑉𝑆 5𝑉
𝐼𝐷 = = = 15.14𝑚𝐴 ∴ (0𝑉, 15.15𝑚𝐴)
𝑅 330.04Ω
𝑉𝐷𝑄 = 1.78 V ; 𝐼𝐷𝑄 = 9.73𝑚𝐴

1.7 Anotar los comentarios y conclusiones, a partir de las observaciones que se

obtuvieron durante el desarrollo de la práctica.
Comentarios:
Debido a la contingencia tuvimos que hacer ésta práctica simulada y no nos
pareció la manera correcta de conocer bien al diodo, además de no tener el apoyo
directo del profesor para las dudas que nos surgían.
Conclusiones:
Al simular vimos cómo se comporta el diodo en Corriente Directa y que la curva
característica sale de acuerdo a las especificaciones del fabricante y, además, es
muy parecida, también comprobando con la ecuación de Shockey comprueba de
manera matemática y muy precisa el comportamiento de éste.

Bibliografía
Say, D. G. (2016, 27 mayo). Resistencia estática y dinamica de diodos. Recuperado de

https://es.slideshare.net/BasilioMndez/resistencia-esttica-y-dinamica-de-diodos

CARACTERISTICAS Y FUNCIONAMIENTO DEL DIODO. (2015, 11 febrero).

Recuperado de https://danieliyodiaz.wordpress.com/2015/02/11/caracteristicas-y-

funcionamiento-del-diodo/

Latam, M. (2020, 7 julio). Diodo LED. Recuperado de

https://www.mecatronicalatam.com/es/tutoriales/electronica/componentes-

electronicos/diodo/diodo-led/

Rectas de carga. (2015). Recuperado de

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina13.htm