UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA, ELECTRICA, ELECTRONICA Y

IMFORMATICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

SEGUNDO INFORME FINAL

ESPECIALIDAD: Ingeniería Electrónica

ASIGNATURA: Laboratorio De Fundamentos Electrónicos
ALUMNOS:
 Edyson Romario Torres Centeno 144162
 Joel Huamán Zarate 170449
1. OBJETIVOS

 Determinar experimentalmente, a través de mediciones de resistencia con

un ohmímetro, los terminales de un diodo semiconductor.
 Obtener experimentalmente la curva característica “I-V” del diodo
semiconductor.

2. INTRODUCCION

El diodo semiconductor es un dispositivo de dos terminales, uno de ellos

denominado ánodo (A) y el otro denominado cátodo (K). Este dispositivo sólo
permite la conducción de la corriente en una dirección lo cual coincide con la
dirección de la flecha de su símbolo.

Está conformado por dos estructuras semiconductoras de material germanio

(Ge), silicio (Si)

3.EQUIPOS Y MATERIALES

1 Panel de montaje de circuitos.

1 Fuente de alimentación 0 – 30 V.
1 Miliamperímetro.
1 Multímetro.
Cables conectores de equipos
1 Diodo de Silicio código 1N4001 o reemplazo.
1 Resistor de
1K / 0.5W .
4. HOJA DE DATOS EXPERIMENTALES:

5. Tabular y graficar en un sólo papel milimetrado las 2 regiones de polarización del

diodo para obtener su curva característica I-V. Usar 2 tipos de escalas de corriente, una
en mA para la región directa y en A para la región inversa. Usar los datos de las
tablas N° 3 y 4.

6. Para la curva característica obtenida anteriormente, indicar para el valor de V = 0.72

V el valor de la resistencia estática y dinámica.
Para V = 0.72V:
0.72 V
Resistencia estática: =5.5 3 8 k Ω
13 0⋅10−6 A
 0.03 V
Resistencia dinámica: =2.222 k Ω
13.5⋅10−6
7. Teniendo en cuenta que la resistencia promedio (r AV) de un diodo es definido entre
dos puntos de trabajo y asumiendo que dichos puntos son: V1 = 0.62 V y V2 = 0.72 V;
entonces usando la curva característica obtenida experimentalmente, modelar el diodo
para el caso que tenga una fuente VT, una resistencia rAV y un diodo ideal. Nota: asumir
VT como la prolongación de la recta de conducción que corta al eje de las abcisas.

8. ¿Aumenta o disminuye la resistencia dinámica de un diodo al disminuir la

intensidad de corriente del punto de trabajo del diodo? Conteste esta pregunta
analizando la pendiente de la curva experimental obtenida en diferentes puntos de
trabajo.

1. Indicar un valor aproximado de resistencia que presenta el diodo polarizado

inversamente.
R=∞

2. Explicar el por qué aparece la corriente inversa de saturación del diodo.

El diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de
la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos lados de la unión
produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada
corriente inversa de saturación.

9. Indicar algunas observaciones, recomendaciones y conclusiones.

Observación:
Se observa que el Generador de ondas no siempre genera señales perfectas

Recomendaciones:
Se recomienda antes de usar los equipos electrónicos Haberse informado sobre
la. Función y el correcto funcionamiento

Conclusiones:
- Se concluye que en el osciloscopio se puede Visualizar una señal con una
frecuencia hasta 1000k Hertz
- Se concluye que la Fuente de alimentación Tiene un máximo de voltaje de
generación 30 v
- Se logró verificar que al medir las tensiones generadas Por el generador de
tensión es similar a la indicada en el generador