UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE HONDURAS EN EL VALLE DE SULA-UNAH VS

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA INDUSTRIAL

PRÁCTICA: #1

LABORATORIO: Diodo Union P-N

CATEDRÁTICO DE CLASE TEÓRICA: Obed Martinez

SECCIÓN DE CLASE TEÓRICA: 1600

INSTRUCTOR: Marlon Solís

SECCIÓN DE LABORATORIO: 1500

NOMBRE: Daniel Rodriguez

NÚMERO DE CUENTA: 2018303199

SAN PEDRO SULA, CORTÉS, HONDURAS, 13/10/2022

LIE314- Laboratorio de electrónica I

  INTRODUCCIÓN
En este informe de laboratorio consideramos formalmente la unión p-n en diodos, Tema sobre el que
trabajaremos conceptual y científicamente. Varios estudios sobre el tema. Ese diodo es un dispositivo
que ayuda a conducir la corriente en una dirección solo cuando polarizado hacia adelante y cuando está
polarizado hacia atrás, ayuda a corregir la caída de voltaje. Impresión. Sin embargo, debemos hacernos
la siguiente pregunta: ¿cuándo ¿Está polarizado un diodo? ¿Cuándo se polariza un diodo? Cómo debería
saberlo ¿Son correctos este tipo de medidas? Estas preguntas son sólo un mínimo. Parte de lo que debe
cubrirse con el informe de pasantía es adónde iremos. Conceptos de la vida real, análisis de lo anterior
con especificidad Materiales de medida y algunos elementos útiles para la elaboración de un circuito
donde podemos obtener una imagen más clara de los diodos y los suyos funciones

OBJETIVOS:
Analizar el diodo al variar voltaje en la fuente.
Comprender como se comporta el voltaje en el ánodo y cátodo de un diodo con una señal senoidal.
Mostrar cómo se comporta la corriente y voltaje en el diodo polarizado tanto en directa como en inversa.

 Materiales y Equipo:
 Simulador Multisim
 1 multímetro Digital.
 Diodo 1N4001.
 Diodo 1N34a.
 Fuente de Voltaje DC.
 Osciloscopio.
 Generador de funciones.

MARCO TEÓRICO
Materiales Semiconductores:
En la naturaleza existen diferentes elementos químicos puros que se pueden clasificar de
acuerdo a su conductividad en: Conductores, Semiconductores y dieléctricos o aislantes.

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 La gran mayoría de los dispositivos electrónicos se encuentran hechos de materiales
semiconductores entre los que destacan el Silicio y el Germanio. También existen otros
elementos como el Arsénico y el Galio que sirven para formar estructuras moleculares
especiales llamadas impurezas.

Materiales tipo N y P:
Un material tipo N es aquel material semiconductor que se le agregan impurezas de forma
tal que su estructura molecular se convierte en negativa o sea que es capaz de donar
electrones, se dice que este tipo de material presenta electrones libres en su estructura
molecular.
Un material tipo P es aquel material semiconductor que se le agregan impurezas de forma tal
que su estructura molecular se convierte en positiva o sea que es capaz de aceptar electrones,
se dice que este tipo de material presenta huecos en su estructura molecular.

Diodo de unión P-N:

Figura 1: Estructura interna diodo de Unión P-N y Símbolo

El Diodo es un dispositivo de dos terminales llamadas ánodo y cátodo que se caracteriza

porque solo deja pasar la corriente en una dirección.
Cuando el voltaje en el ánodo es mayor al voltaje en el cátodo el diodo conduce y se dice que
está en polarización directa, cuando el voltaje en el ánodo es menor al voltaje en el cátodo el
diodo no conduce y se dice que está en polarización inversa.
Como lo indica su símbolo el diodo solo conduce la corriente de ánodo a cátodo y no al revés.
Cuando el diodo conduce presenta una pequeña caída de tensión en sus terminales cuyo valor
depende del material semiconductor con que este está construido.

Material Semiconductor Voltaje de juntura Directo

Silicio 0.7 v
Germanio 0.3 v
Tabla 1:Voltajes de Conducción de Diodos según su material

En la Figura 2 se presenta la curva característica de los diodos según su material, en esta se

observa el valor que tiene que tener el voltaje para que el diodo pueda conducir.

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 Figura 2: Curva característica para diodos de distintos materiales

El diodo se debe probar en el parámetro de semiconductores y solo indicará un valor cuando

se conecta el terminal positivo del multímetro al ánodo y el terminal negativo al cátodo y
aparecerá en el display el voltaje de juntura del dispositivo. El diodo rectificador puede tener
diferentes características físicas de acuerdo a la corriente que puede admitir, pero la
apariencia más común es la de la figura 2, En el cual la terminal más cercana a la franja es el
cátodo.

Figura 3: Apariencia común de los diodos de Unión PN

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 INSTRUCCIONES GENERALES: En todo procedimiento debe de evidenciar su trabajo
por lo que se deben tomar capturas del circuito, lecturas, imágenes y cálculos que
validen su autoría y, que deben incluirse en su reporte para ser calificados.

1. Dados los diagramas de la Fig.4 determinar la polaridad de los diodos propuestos y

determinar según su caída de voltaje su modo de operación y las terminales del
mismo.

Figura 4: Diodo a) 1N4001 b) 1N34a

Voltaje en terminales:0.5v Voltaje en terminales: 0.3v

Modo de operación: _Directa _ Modo de operación: Directa _

2. Cambie la polaridad de las puntas del multímetro en la conexión de los diodos

rectificadores y anote el registro de voltaje que aparece en la pantalla del multímetro.

Diodo 1N4001 Diodo 1N34a

Voltaje en terminales: 0L Voltaje en terminales: 0L

Modo de operación: _Inversa _ Modo de operación: Inversa _

5

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 Figura 5: Montaje 1

5. Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensión de la fuente V1 de

acuerdoa la tabla 2 en volts, anote los valores de VD e ID, en la tabla 2.

ID 0 0.15 0.17 0.85 0.98 1.9 84.5 118 158.4 190 mA

VD 0.0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.7 0.9 1 1.2 1.4 V
Tabla 2: Mediciones de montaje 1

6. Realizar el montaje del circuito que se muestra en la Fig. 6 utilice un diodo

rectificador 1N4001.

Figura 6: Montaje Diodo 1N4001

7. Medir los parámetros para llenar la tabla 3.

Parámetro a medir Valor medido

𝑉𝐸𝑛𝑡(𝑉) 12.15
𝑉𝐷(𝑉) 0.58
𝑉𝑆𝑎𝑙(𝑉) 11.54
𝐼𝐷(𝑚𝐴) 11.5
Tabla 3: Mediciones paso 4

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 8. Cambie la polaridad del diodo rectificador en el circuito montado en el inciso anterior
y luego mida los parámetros para llenar la Tabla 4.

Parámetro a medir Valor medido

𝑉𝐸𝑁𝑇(𝑉) 12.1
𝑉𝐷(𝑉) 12.15
𝑉𝑆𝐴𝐿(𝑉) 0
𝐼𝐷(𝑚𝐴) 0
Tabla 4: Mediciones paso 5

9. Realizar el montaje de la Figura 6, pero ahora con el diodo 1N34a, repita únicamente
el paso 7.

10. Realizar el montaje del circuito que se muestra en la Fig. 6 ajustando el voltaje de
pico a pico del generador de funciones en 12 V y la frecuencia a 60 Hz con una onda
senoidal. (Utilizar diodo 1N4001)

Figura 7: Montaje paso 7

11. Conecte el Canal 1 del osciloscopio en el nodo correspondiente al ánodo del diodo;
tome captura o dibuje de pantalla la gráfica obtenida. En su gráfico se deben observar
las escalas.

Forma de onda de voltaje en el ánodo.

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 12. Apague el canal 1 y conecte el canal 2 del osciloscopio en el nodo correspondiente al
cátodo del diodo y tome captura o dibuje de pantalla de la gráfica obtenida. En su
gráfico se deben observar las escalas.

Forma de onda de voltaje en el cátodo.

13. Encienda ambos canales y del voltaje en los nodos correspondientes al ánodo y
cátodo, y tome captura o dibuje de pantalla de la gráfica obtenida ambas formas de
onda en una misma gráfica.
Forma de onda de voltaje en el ánodo y cátodo.

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 ANÁLISIS DE RESULTADOS
1. Investigue y describa como mínimo tres aplicaciones del diodo semiconductor:

 Se utiliza como rectificador de media onda u onda completa. Se aplica en el proceso de

conversión de corriente alterna (AC) a corriente directa (DC).
 Multiplicador de tensión. Por ejemplo se puede duplicar o triplicar un voltaje DC.
 Se puede aplicar para estabilizar un voltaje.
 Como diodo de capacidad variable ante variaciones de la tensión aplicada .

2. Explique como afecta la temperatura a un material semiconductor.

Los aumentos de temperatura reducen la banda prohibida de un semiconductor, afectando de este

modo la mayor parte de los parámetros del material semiconductor.

3. ¿Explique de que material semiconductor están compuestos los diodos 1N4001 Y el

1N34a a partir de los pasos 1 y 2 y de los voltajes medidos en los incisos 8 y 10?
Regularmente están fabricados de silicio o germanio

4. Grafique la curva característica del diodo semiconductor a partir de los datos de la

tabla 2 del inciso 5. (Puede hacerlo en Excel o manual). ¿Cumple con lo estudiado
teóricamente?

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 5. ¿Qué comportamiento tendría la gráfica si en el inciso 5 se invirtiera la polaridad
del diodo? ¿Por qué creé que no se realizó en el laboratorio? Esquematícela
incluyendo el voltaje de ruptura del diodo según hoja de datos.

Alcanza el voltaje de ruptura y nos sube la corriente

6. Explique qué pasa con los parámetros medidos en el inciso 7 con respecto de los del
inciso 8 al invertir la polaridad del diodo. ¿Cumple esto con lo estudiado
teóricamente?
Al invertir la polaridad el diodo estaría en inversa, por lo que seria 0.

7. Explique a que se debe que en el inciso 8 el voltaje del diodo rectificador sea el mismo
de la fuente. ¿Este voltaje puede dañar el diodo rectificador?
Si se alcanza el voltaje de ruptura si se daña.

8. En el circuito montado en el inciso 10, explique la forma de onda de voltaje obtenida

con el osciloscopio a la salida del circuito en paso 12
La forma de onda era senoidal. El diodo se cargaba y se descargaba en el ciclo
positivo y negativo respectivamente. Por lo que nos da una señal de semiciclo
positivo y el negativo nulo.

9. Con respecto a la lectura del osciloscopio obtenida en los incisos 11, 12 y 13 ¿Qué
representa las diferencias de amplitud entre la señal de voltaje de la fuente y la señal
de voltaje de la resistencia de la gráfica del inciso 13?

Que en el diodo hay una caída de voltaje, esto es V fuente menos 0.7V

CONCLUSIONES
 En conclusión, la importancia del cómo polarizamos un diodo radica en que en directa el diodo conducirá, de lo
contrario no lo hará y de esto dependerá la salida de tensión que pueda tener en mi sistema. Además de que al
estar polarizado en inversa no podrá rectificar la tensión, cosa que si sucede en inversa.
 Además, evidenciamos como un diodo en inversa puede no conducir perfectamente hasta que supere cierta
cantidad de voltaje en donde pueda vencer esa barrera en donde la corriente se comporta estable, aunque asciende
paulatinamente.
 Finalmente entendimos de que si no ubicábamos las terminales positivas en el ánodo y negativas en el cátodo
relacionado del multímetro al diodo no podremos calcular experimentalmente ningún valor.

REFERENCIAS

Floyd, T. L. (2008). Dispositivos electrónicos. México: PEARSON EDUCACIÓN. ROBERT L. BOYLESTAD, L. N. (2009).
Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México: PEARSON EDUCACIÓN. DÍAZ P. SERGIO (2022) Práctica
#1: Diodos Unión P-N
MANUAL DE LABORATORIO Práctica #1: Diodos Unión P-N

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