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INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA


DE BIOTECNOLOGIA

DEPARTAMENTO DE BIOINGENIERIA
ACADEMIA DE BIOINGENIERIA

MANUAL DE PRACTICAS PARA EL


LABORATORIO DE ELECTRNICA I

TIPO DE UNIDAD DE APRENDIZAJE:


TEORICO-PRACTICO
HORAS PRCTICA/SEMANA: 3.0

Elaborado por:
M. en C. Engelbert Eduardo Linares Gonzlez

PLAN 2006

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ACADEMIA DE BIOINGENIRA

Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

INDICE
Indice

Prologo

Practica #1: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

Practica #2: EL DIODO COMO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA Y ONDA


COMPLETA

13

Practica #3: EL DIODO COMO LIMITADOR DE TENSIN

21

Practica #4: TRANSISTOR BJT

29

Practica #5: POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

36

Practica #6: EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

42

Practica #7: EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

50

Practica #8: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA SCR,


TRIAC, DIAC

57

Practica #9: APLICACIONES CON OPTO-ELECTRNICA

67

Practica #10: PROYECTO DE LABORATORIO

75

APENDICE A REGLAMENTO INTERNO DEL LABORATORIO

76

APENDICE B VALORES ESTNDAR DE RESISTENCIAS

78

APENDICE C VALORES TPICOS DE CONDENSADORES

79

APENDICE D HOJAS DE DATOS DE FABRICANTE

80

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

PROLOGO
El presente manual de prcticas correspondiente a la asignatura terica practica
de Electrnica I plan 2006, comprende la cantidad de nueve prcticas y un
proyecto final definido como practica diez que corresponden al curso de un
semestre de la materia.
Estos ejercicios fueron clasificados como bsicos y describen la operacin de los
elementos electrnicos usuales, las prcticas presentan la operacin y diseo en
ciertas condiciones de trabajo, los dispositivos y la de aplicacin corresponden
tanto a la utilizacin de los dispositivos en prototipos elementales que
ejemplifican el uso de estos, as como a la presentacin de un proyecto personal a
desarrollarse en las ltimas sesiones del laboratorio.
Bajo lo anterior descrito, este manual completa la serie de actividades tericopracticas que proporcionan al alumno de la materia de Electrnica I, las
habilidades necesarias para el manejo de los dispositivos electrnicos ms usuales
en el rea de la Ingeniera en Biomdica.

M. en C. Engelbert Eduardo. Linares G.

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

PRACTICA No 1 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES


OBJETIVO GENERAL
Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva
caracterstica.

OBJETIVOS PARTICULARES

Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multmetro.

Determinar el estado del diodo (conduccin) aplicando la polarizacin directa e


inversa.

Construir la curva caracterstica (real) de los diodos semiconductores.

INTRODUCCIN
Unas cuantas dcadas que han seguido a la introduccin del transistor, hacia finales de
los aos cuarenta, han sido testigos de un cambio asombroso en la industria de la
electrnica. La miniaturizacin que se ha lograda nos ha dejado sorprendidos de sus
alcances. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces
ms pequea que un solo elemento de las redes iniciales. El tipo ms simple de
dispositivo constituido como un semiconductor es el diodo que desempea un papel
importante en los sistemas electrnicos; Con sus caractersticas que son muy similares a la
de un interruptor, aparece en una amplia variedad de aplicaciones que van desde las ms
sencillas a las ms complejas.
El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo P con uno tipo N, construidos
de la misma base: germanio (Ge) o silicio (Si), mediante tcnicas especiales. En el
momento en que son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de
la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a
la unin. A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de
agotamiento o de empobrecimiento, o barrera de unin, debido a la disminucin de
portadores en ella.

Figura 1.

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En la figura 1, se muestra el smbolo y el aspecto fsico de un diodo rectificador, la flecha


que simboliza el nodo representa la direccin del "flujo convencional de corriente y el
ctodo se identifica con una banda en los diodos pequeos.
La aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales permite tres posibles
polarizaciones:
Sin polarizacin ( V D = 0 . ); Polarizacin directa (VD>0 .) y Polarizacin inversa
(VD<0 .)
Un diodo semiconductor tiene polarizacin inversa cuando se asocia el material tipo P a
un potencial negativo y el material tipo N a un potencial positivo.
La polarizacin directa se da cuando se aplica un voltaje positivo al material tipo P y un
potencial negativo al material tipo N.
A la corriente que existe bajo las condiciones de polarizacin inversa se le llama corriente
de saturacin inversa (IS). Mediante el empleo de la fsica del estado slido se ha llegado
a encontrar que la corriente a travs del diodo semiconductor es una funcin del voltaje
aplicado entre sus terminales, de la siguiente manera:

ID= IS [ e KV/T- 1]
ID: es la corriente en el diodo, medida en amperes.
IS: es el valor de la corriente de saturacin inversa, es del orden de los nanoamperes o de
microamperes.
K: es una constante que depende tambin del material del dispositivo, 11600/ con =1
para Ge y =2 para Si.
T: es la temperatura ambiente expresada en K, (K = C + 273).

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MATERIAL

4 Diodo de Silicio IN4001 o IN4004.

4 Diodos Zener a 9 volts.

2 Diodos de Germanio 0A90.

4 LED de diferente color.

1 Resistor de 220 a 1/2 W.

1 Resistor de 1 K a 1/2 W.

1 Resistor variable de 10K.

Tablilla de experimentacin (protoboard).

Multmetros; Analgico y Digital.

Fuente de voltaje variable de 0 a 30 V.

Generador de seales.

Osciloscopio.

Tres puntas para osciloscopio.

Juego de alambres para conexin.

DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACIN DE TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS.
a) Por observacin, identifique las terminales que corresponden el nodo y Ctodo
de los distintos diodos que esta utilizando, realice un dibujo anotando sus
observaciones.
b) Empleando el MULTIMETRO ANALGICO, como primera prueba, ajuste el
multimetro en la funcin de OHMS, conecte las puntas de medicin en los
extremos del diodo; en polarizacin directa y polarizacin inversa, como se indica
en la figura 2, reporte en cada caso el valor de resistencia registrado por el
multimetro.

Figura 2. Conexin del ohmetro en la identificacin de polaridad de diodos.

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c) Con un MULTIMETRO DIGITAL en funcin de "DIODO", realice la medicin


del voltaje de conduccin (V0), conecte las puntas de medicin en los extremos del
diodo; en polarizacin directa y polarizacin inversa, , reporte en cada caso el
valor de conduccin registrado por el multimetro.
Nota: Tome en cuenta la polaridad de las terminales del multmetro.
EXPERIMENTO 2.

CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR.

a) Empleando un diodo rectificador, arme el circuito que se muestra en la figura 3,


cuide que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada.

Figura 3. Circuito bsico de polarizacin directa.


b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensin de la fuente V1 en
incrementos de 0.1 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conduccin,
anote los valores de VD e ID, en la tabla 1.
TABLA 1
ID

mA

VD

VOLTS

c) Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior.


d) Realice el procedimiento del inciso b, con una de carga RL de 1 K, como se
muestra en la figura 4, mida el voltaje del diodo VD, la corriente ID, registre sus
datos en la tabla 2.

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VOLTMETRO
XMM2

AMPERMETRO
XMM1

D1
V1

12 V

R1

1.0k

Figura 4. Circuito bsico de polarizacin directa con una resistencia de carga.


TABLA 2
ID

mA

VD

VOLTS
e) Repita el inciso b y c, empleando el Diodo Emisor de Luz (LED), como se muestra
en la figura 5 y anote las mediciones en la tabla 3.

Figura 5. Circuito bsico de polarizacin de un LED con resistencia de carga.


TABLA 3
ID

mA

VD

VOLTS
f) Construya las graficas de la curva caracteristica de los diodos en polarizacin
directa con los valores obtenidos de las tablas anteriores.

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g) Arme el circuito de la figura 6, utilizando un diodo de Germanio.

AMPERMETRO
XMM1

VOLTMETRO
XMM2

P1
10 K
1
4

50%
D1

V1

8V

R1

1.0k

Figura 6. Circuito bsico de polarizacin de un diodo de germanio con variacin de


corriente.
h) Ajuste el valor de la fuente de alimentacin a 8 Volts y utilizando la resistencia
variable de 10K, ajuste esta resistencia desde su valor mximo hasta un valor en
el que se puedan obtener valores de corriente ID.
i)

Obtenga los diferentes valores de voltaje en las terminales del diodo al variar la
resistencia, hasta obtener valore de la tensin de conduccin, registre los valores.

EXPERIMENTO 3. CARACTERIZACIN DE UN
POLARIZACIN INVERSA.

DIODO ZENER EN

a) Seleccione el diodo Zener de 10 volts y construya el circuito que se muestra en la


figura 7.
AMPERMETRO
XMM1

R1

VOLTMETRO
XMM2

1.0k
V1

D1
Zener

15 V
0

Figura 7. Circuito bsico regulador a base de un diodo zener.

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b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar


los 15 volts, y obtenga los valores VAB indicados en la parte superior de la tabla 4 y
anote los valores de la corriente ID correspondiente a cada voltaje VAB indicado.
c)

Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar


los 15 volts, y obtenga los valores ID indicados en la parte media de la tabla 4 y
anote los valores de voltaje VAB correspondiente a cada valor de la corriente ID
indicado.
TABLA 4

Voltaje de fuente V1

VAB
0.0
2.0
6.0
7.0
10.0

IDmA

RZ

2.0
5
10
20
30
40
50
60
d) Para cada valor de VAB y su correspondiente ID, calcule la resistencia RZ del diodo
( RZ = VAB/ID ), anote sus resultados en la columna correspondiente.

EXPERIMENTO 4. CARACTERIZACIN
POLARIZACIN DIRECTA

DE

UN

DIODO

ZENER

EN

a) Arme el circuito como se muestra en la figura 5.


AMPERMETRO
XMM1

R1

VOLTMETRO
XMM2

1.0k
V1

Zener
D2

15 V

Figura 5. Circuito bsico regulador a base de un diodo zener.

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b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar

los 15 volts, obtenga los valores VAB indicados en la parte superior de la tabla 5,
anote los valores de corriente ID correspondiente a cada valor de voltaje VAB
indicadoy obtenga el valor de la resistencia del diodo RZ.
TABLA 5

VAB
I mA
RZ

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

c) Grafique la resistencia del diodo en funcin del voltaje tanto para la configuracin
de polarizacin Directa como en polarizacin Inversa.

EXPERIMENTO 5. CARACTERISTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN


FRECUENCIAS ALTAS.
a) Utilice el diodo de Germanio y construya el circuito que se muestra en la figura 6.

OSCILOSCOPIO
XSC1

GENERADOR DE
SEALES
XFG1

G
T

R1
220
6

Figura 6. Circuito bsico de operacin de un diodo de germanio sometido a variaciones


de frecuencia.
b) Ajuste la salida del generador a una seal senoidal de 5 VPP, partiendo de 10 Hz,
realice incrementos en la frecuencia hasta un maximo de 20 MHz.

c) Con el osciloscopio, observe y registre el voltaje pico de la seal de salida


obtenida en la resistencia, realice 10 lecturas a diferentes frecuencias.
d) Remplace el diodo de germanio por el diodo de Silicio y repita los incisos b y c,
anote sus observaciones para cada caso.

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ANLISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

CUESTIONARIO
1. Qu son los materiales semiconductores intrnsecos y extrnsecos?
2. Qu significa polarizacin directa y polarizacin inversa de un diodo?
3. Cul es la importancia de los semiconductores?
4. Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.
5. Explique qu pasa si se aumenta el voltaje de polarizacin inversa a un diodo
semiconductor y se tiene una sobrecarga.
6. Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente.
7. Describa el comportamiento de un diodo ideal
8. Explique cmo afecta la temperatura a un material semiconductor.
9. Explique que es la regin ZENER.
10. Qu es resistencia esttica y resistencia dinmica?
11. Describa la electroluminiscencia en un LED.
12. Cuales son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio.
13. Explique la respuesta de conduccin de corriente de un semiconductor sujeto a
frecuencias altas.

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PRACTICA No 2 EL DIODO COMO RECTIFICADOR DE MEDIA


ONDA Y ONDA COMPLETA
OBJETIVO GENERAL
Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor como elemento de rectificacin
para una seal senoidal e interpretar la respuesta caracterstica.
OBJETIVO PARTICULAR.
Utilizar el diodo semiconductor como rectificador de media onda y sus
diferentes configuraciones para rectificacin de onda completa.
Identificar las etapas de una fuente de voltaje regulada.
Experimentar con los elementos que conforman cada una de las etapas de la
fuente de voltaje regulada.
Observar y medir las formas de onda en la salida de cada uno de los
rectificadores: de media onda, de onda completa, con filtro capacitivo, y con
dispositivo regulador de voltaje.
INTRODUCCIN
Diodo Rectificador.
El diodo es el dispositivo semiconductor ms antiguo y utilizado, conduce en un sentido,
y se opone a la circulacin de corriente en el sentido opuesto figura 1.

Figura 1. Estructura fisica de los diodos rectificadores.


Polarizacin directa de un diodo. Si se conecta la fuente de tensin al diodo de forma que
el potencial negativo este unido al ctodo y el positivo al nodo se dice que el diodo est
en polarizacin directa. Al aplicar est tensin el diodo conduce.

- Tensin de umbral, Es la tensin, en polarizacin directa, por debajo de la cual la


corriente es muy pequea (menos del 1% del valor nominal). Por encima de esta tensin
la corriente sube rpidamente. Esta tensin es de 0,2-0,3 V en los diodos de Germanio y
de 0,6-0,7 V en los diodos de Silicio.

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- Resistencia interna. Cuando el diodo trabaja en la zona de polarizacin directa, con


pequeas variaciones de tensin la corriente aumenta rpidamente, lo nico que se opone
al paso de la corriente es la resistencia de las zonas "P" y "N", a la suma de estas
resistencias se le llama resistencia interna del diodo, rB = rp + rn El valor de esta
resistencia depende del nivel de dopado y del tamao de las zonas "P" y "N".
Normalmente la resistencia de los diodos rectificadores es menor de 1 ohmio.
APROXIMACIONES DEL DIODO RECTIFICADOR.
Primera aproximacin: el diodo ideal.
Es la aproximacin mas simple; se utiliza para obtener respuestas rpidas y es muy til
para la deteccin de averas, esta aproximacin consiste en suponer que en la zona directa
el diodo se comporta como un conductor perfecto resistencia nula y en la zona inversa
como un aislante perfecto con resistencia infinita, cuando la tensin es muy elevada y la
corriente muy pequea el diodo real se comporta como un diodo ideal.
Segunda aproximacin.
En esta aproximacin se tiene en cuenta la tensin de umbral. Cuando menor es la
tensin aplicada mayor es el error que se introduce con el modelo ideal, por lo cual este
puede ser til.
Tercera aproximacin.
Se tiene en cuenta la resistencia interna del diodo, rB, adems de la tensin de umbral.
Una vez que el diodo entra en conduccin se considera que la tensin aumenta
linealmente con la corriente.
Especificaciones de un diodo rectificador.
Tensin inversa de ruptura: la tensin inversa de ruptura es la mxima tensin en sentido
inverso que puede soportar un diodo sin entrar en conduccin; esta tensin para un
diodo rectificador es destructiva, por ello cuando se disea un circuito siempre se utiliza
un factor de seguridad que no est determinado, sino que depende del diseador.
Corriente mxima de polarizacin directa: es el valor medio de corriente para cual el
diodo se quema debido a una excesiva disipacin de potencia. Este valor nunca se debe
alcanzar, al igual que en el caso de la tensin inversa de ruptura se utiliza en diseo un
factor de seguridad que suele ser 2. Este valor est expresado en la hoja de caractersticas
del diodo referido a alimentacin monofsica, a resistiva, 50 o 60 Hz y a 75 C de
temperatura.
Celda de tensin con polarizacin directa: esta medida se realiza con una seal alterna y
se obtiene la celda de tensin con polarizacin directa, para un valor determinado de
corriente y una temperatura de 25 C.
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Corriente inversa mxima: es la corriente con polarizacin inversa para una tensin
continua determinada que viene indicada en la hoja de caractersticas del diodo.
Rectificacin: un circuito rectificador es un circuito que convierte potencia de CA en
potencia de CC con el cual se puede suprimir la fuerza electro motriz inversa o bien
disponer las conexiones del circuito de modo que las dos mitades de la onda circulen en
el mismo sentido en el circuito receptor.
Existen tres configuraciones bsicas de rectificadores que son las siguientes: media onda;
onda completa con derivacin central y onda completa.
Diodo Zener.
El diodo tener es un dispositivo donde la contaminacin se realiza de tal forma que la
tensin caracterstica de ruptura o avalancha, Vz, es muy pronunciada, si la tensin en
inverso excede la tensin de ruptura, el diodo normalmente no se destruye, esto siempre
que la corriente no exceda un mximo predeterminado y el dispositivo no se
sobrecaliente.
Cuando un portador generado en forma trmica atraviesa la barrera de la unin y
adquiere energa del potencial aplicado, el portador choca con iones en el cristal e imparte
suficiente energa para romper un enlace covalente, adems del portador original se
genera un nuevo par electrn-hueco que puede tomar suficiente energa del campo
aplicado para chocar con iones en otro cristal y crear nuevos pares electrn-hueco, esta
accin continua y as se rompen los enlaces covalentes; este proceso se conoce como
multiplicacin por avalancha o ruptura por avalancha.
La caracterstica de un diodo Tener tpico se muestra en la figura 2, La estructura fisica se
muestra en la figura 3, la mxima corriente inversa IZmx, que puede soportar el diodo
depende del diseo y la construccin de este, la corriente de prdida (IZmin) por debajo
del vrtice de la curva caracterstica generalmente se supone que es 0.1 IZmx, la utilizacin
de Izmir asegura que la curva de avalancha permanezca paralela al eje iD entre IZmax e
Izmir, la cantidad de potencia que el diodo puede soportar es PZ=IZmaxVZ.

Figura 2.

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Figura 3. Diodo zener

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MATERIAL

Osciloscopio.
Multmetro.
Puntas de prueba.
Generador de seales.
Fuente de voltaje.
1 Clavija.
1 Transformador de 120 VCA a 12VCA 18VCA en el secundario con derivacin
central a 500 mA.
Un puente rectificador a 1 A.
6 Diodos 1N4004.
2 pares de Diodos zener para 3, 9 y 12 volts.
1 Capacitor de 1000 F a 25 V.
2 circuitos integrados LM7812 o LM7808 con hojas de caractersticas.
Resistencias varias, mayores a 1K.
Tablilla de experimentacin (protoboard).

DESARROLLO
EXPERIMENTO 1.

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.

a) Arme el circuito rectificador de media onda que se muestra en la figura 4.

Figura 4. Circuito bsico de un rectificador de media onda.


b) Con en osciloscopio obtenga en la resistencia RL la seal de salida , dibuje la
forma de onda en la resistencia RL asi como en el diodo D1
c) Con el voltmetro, primero en modo de CD y despus en modo de CA, mida el
voltaje de salida en los puntos A y B.
d) Repetir los procedimientos b) y c), polarizando el diodo inversamente.

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EXPERIMENTO 2. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA (seal pulsante).


a) Arme el circuito rectificador de onda completa que se muestra en la figura 5,
emplee la derivacin central del transformador.

Figura 5. Circuito bsico de un rectificador de onda completa.


b) Con en osciloscopio, mida la seal en los puntos A y B , dibuje la forma de onda
obtenida.
c) Con el voltmetro, primero en modo de CD y despus en modo de CA, mida el
voltaje entre los puntos A y B.
d) Repita los incisos b) y c), polarizando los diodos inversamente.
EXPERIMENTO 3. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA A PARTIR DE UN PUENTE
DE DIODOS.
a) Armar el circuito rectificador de onda completa que se muestra en la figura 6.

Figura 6. Circuito bsico de un rectificador de onda completa empleando puente de


diodos.
b) Con el osciloscopio, observe la forma de onda en los puntos A y B, dibuje la forma
de onda.
c) Usando el voltmetro en modo de CD, mida el voltaje en los puntos A y B.
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EXPERIMENTO 4. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA A PARTIR DE UN PUENTE


DE DIODOS Y CAPACITOR.
a) Utilizando las hojas de datos tcnicos de fabricacin, identificar las terminales del
puente rectificador, dibuje e indique a que polaridad corresponde cada terminal,
agregue al circuito rectificador de voltaje el capacitor (filtro), teniendo cuidado de
respetar la polaridad de las terminales, como se muestra en la figura 7.

Figura 7. Circuito bsico de un rectificador de onda completa empleando puente de


diodos acoplado a un capacitor.
b) Con el osciloscopio, mida la seal de salida en los puntos A y B, dibuje la forma
de onda obtenida.
c) Con el multmetro, mida el voltaje y la corriente en la resistencia RL.
d) Con el osciloscopio, mida el factor de rizo presente en el voltaje de salida.
e) Obtener la diferencia y el porcentaje de error entre el factor de rizo terico y el
medido experimentalmente.

EXPERIMENTO 5. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA A PARTIR


CIRCUITO REGULADOR.

DE UN

a) Utilizando las hojas de datos tcnicos de fabricacin, identificar las terminales del
regulador de voltaje.
b) Agregar al circuito del experimento 4, el regulador de voltaje
identificadas sus terminales, como se muestra en la figura 8.

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previamente

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Figura 8. Circuito bsico de un rectificador de onda completa empleando puente de


diodos acoplado a un circuito regulador de voltaje.
c) Con el osciloscopio observe, dibuje y mida la seal de salida que se obtienen entre
los puntos A y B, C y D.
d) Con el osciloscopio, mida el factor de rizo presente en el voltaje de salida.

EXPERIMENTO 6. REGULADOR DE VOLTAJE EMPLEANDO DIODO ZENER.


a) Seleccione el diodo Zener de 3 volts y construya el circuito de la figura 9.

Figura 9. Circuito regulador de voltaje bsico, empleando diodo zener.


b) Partiendo de cero volts, vari el voltaje de la fuente de alimentacin hasta obtener
una corriente de 20 mA en el diodo zener, para cada incremento del voltaje de
alimentacin mida el voltaje en la resistencia de carga, mida la corriente en el
diodo zener y en la resistencia de carga, y anote los resultados.

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c) Calcule el intervalo de variacin de voltaje (VAB ) en los puntos A y B, el cual


debera estar dentro del intervalo de +/- 0.1 volts.
d) Con el multimetro mida la corriente IZ en el diodo zener y la corriente total IT .
e) Repita los incisos b), c) y d) para los diodos zener de 9 y 12 volts.

ANALISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

CUESTIONARIO

1. Explique porqu en el puente rectificador de onda completa se rectifican los dos


ciclos, tanto el positiva como el negativo, y tambin explique porque la seal de
salida es una seal rectificada positiva.
2.

Cmo podramos obtener un voltaje rectificado negativo?

3. Investigar que otros tipos de circuitos rectificadores existen en el mercado


nacional y explique ventajas y desventajas.

4. Explique como se puede reducir el factor de rizo.


5. Cul es la ventaja de utilizar un regulador de Circuito Integrado?
6. Explique cual es la diferencia entre las series 78xx y 79xx, de los circuitos
reguladores de voltaje.
7. Explique las ventajas y deventajas de utilizar diodos zener como elementos de
regulacin de voltaje.

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PRACTICA No 3 EL DIODO COMO LIMITADOR DE TENSIN


OBJETIVO GENERAL
Describir el funcionamiento del diodo semiconductor como un circuito que limita
(recorta) y fija un nivel de voltaje.

OBJETIVOS PARTICULARES

Para los recortadores serie y paralelo, determinar la respuesta de salida.

Observar el efecto de limitacin directa e inversa para fijadores de nivel de tipo


negativo y positivo; determinar la respuesta en el circuito aplicado.

INTRODUCCION
Los circuitos recortadores se utilizan para la transmisin de la porcin de onda (forma de
onda) que est situada por encima o por debajo de un nivel de referencia
predeterminado. Los recortadores tambin se llaman limitadores de tensin figura 1 .

Figura 1. Representacin de un recortador de voltaje.


En el caso de un diodo ideal:
El estado ON (de paso, de polarizacin directa) puede ser considerado como un corto
circuito.
El estado OFF (de bloqueo, de polarizacin inversa) puede ser tratado como un circuito
abierto.
Existe variedad de redes de diodos que se llaman recortadores y tienen la capacidad de
recortar una posicin de la seal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma
de onda alterna.

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Existen dos categoras generales de recortadores: serie y paralelo. La configuracin en


serie es donde el diodo est en serie con la carga, mientras que en paralelo tiene un diodo
en una trayectoria paralela a la carga.

RECORTADOR SERIE:
Cuando se tiene el diodo en forma directa sugiere que la seal de entrada debe ser
positiva para encenderlo. La fuente DC requiere que el voltaje de entrada sea mayor que
el voltaje en el circuito. La regin negativa de la seal de entrada est presentando al
diodo hacia el estado apagado, soportado ms aun por la fuente DC.

Para un voltaje mayor de entrada que el de la fuente interna del circuito el diodo est en
estado de corto circuito, mientras que para los valores de entrada menores esta en circuito
cerrado o apagado.

RECORTADOR PARALELO:
El anlisis de la configuraciones en paralelo es muy similar a la que se aplica a las
configuraciones en serie.
La polaridad de la fuente DC y la direccin del diodo sugieren que el diodo est en
estado encendido para la regin negativa de la seal de entrada.
Debido a que la fuente DC se encuentra obviamente presionando al diodo para
permanecer en estado de circuito cerrado, el voltaje de entrada debe ser mayor que el de
la fuente interna para que el diodo este en estado apaga. Cualquier voltaje de entrada
menor que el de la fuente interna hace que el diodo este en corto circuito figura 2.

Figura 2. Respuesta de un circuito recortador de voltaje.

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CAMBIADORES DE NIVEL:
Una red cambiador de nivel es la que cambia una seal a un nivel diferente. La red debe
tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo; pero tambin puede usar una fuente
de DC independiente para introducir un cambio de nivel de de adicional.
La magnitud de R y C debe elegirse de tal formar que la constante de tiempo t = RC es lo
suficiente grande para asegurar que el voltaje a travs del capacitor no se descargue de
manera significativa, durante el intervalo en que el diodo no esta conduciendo. A travs
de todo el anlisis se asumir que para propsitos prcticos, el capacitor se cargara o
descargar totalmente en cinco constantes de tiempo.
Durante el periodo en que el diodo esta en estado encendido, se asumir que el capacitor
se cargar de manera instantnea al nivel de voltaje que determine la red.
Se supondr que cuando el diodo esta en estado apagado el capacitor se mantendr en el
nivel de voltaje que se establece. A travs de todo el anlisis debe mantenerse un
continuo cuidado de la posicin y la polaridad de referencia para la salida, para asegurar
que los niveles correctos de salida se estn obteniendo.
Se debe tener en mente la regla general de que la excursin total de voltaje de salida debe
ser igual a la excursin de voltaje de la seal de entrada.

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

1 Transformador de 120 VCA a 12 VCA 18 VCA en el secundario con derivacin


central a 500 mA.
Osciloscopio con puntas de medicin.
Fuente regulada de 0 a 30 V.
Resistencias de 120 K a 1/2 W.
Dos diodos semiconductores 1 N5625.
Dos interruptores de un polo un tiro.
Un potencimetro de 2.5 K a 2W.
Cuatro bateras de 1.5V.
Porta bateras.
10 capacitores electrolticos de diferentes valores.
Tablilla de experimentacin (protoboard).

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DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. CAMBIADOR DE NIVEL
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 3, verifique la polaridad del
diodo.

Figura 3. Circuito bsico de un cambiador de nivel.

b) Con el transformador de 12 o 18 VCA, alimente al circuito, mida con el


multimetro el voltaje en la resistencia de carga.
c) Conecte la fuente V1 ajustandola a 1.5 volts en serie con el diodo, auxilindose con
el osciloscopio, observe la seal de salida entre el catodo del del diodo y en la
salida de voltaje negativo de la fuente en serie, dibuje la seal resultante, mida el
voltaje en la resistencia R1.

d) Remplace la fuente V1 de 1.5 volts por una fuente de 3 volts, conectela en serie
con el diodo, con el osciloscopio, observe la seal de salida en los extremos del
diodo y la fuente en serie, dibuje la seal obtenida, mida el voltaje en la
resistencia R1.
e) Calcule la amplitud de la seal de salida en el arreglo serie realizados
anteriormente, determine el porcentaje de error entre la seal experimental y la
calculada.

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EXPERIMENTO 2. RECORTADOR POLARIZADO


a) Construya el circuito mostrado en la figura 4.

Figura 4. Circuito bsico de un recortador polarizado con una fuente de cd.

b) Verifique que los interruptores S1 y S2 sean normalmente abiertos, ajuste el


voltaje de la fuente de cd a un valor de 3 volts.
c) Ajuste la perilla del potencimetro de tal forma que el voltaje en cada extremo del
potencimetro sea igual.
d) Cierre el interruptor S1, por medio del osciloscopio observe y mida el voltaje de
salida en los puntos A y B dibuje la forma de onda resultante.
e) Abra el interruptor S1 y cierre el interruptor S2, nuevamente con el osciloscopio
mida el voltaje de salida en los puntos A y b, dibuje la forma de onda resultante.
f) Cierre ambos interruptores S1 y S2, con el osciloscopio mida el voltaje de salida en
los puntos A y b, grafique la forma de onda resultante.
g) Partiendo de los tres volts en la fuente de voltaje, incremente el voltaje hasta
visualizar en el osciloscopio una seal continua sin ondulaciones.
EXPERIMENTO 3. CAMBIADOR DE NIVEL POSITIVO.
a) Construya el circuito mostrado en la figura 5, verifique la polaridad correcta del
capacitor y del diodo, como se muestran.

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Figura 5 Circuito bsico de un cambiador de nivel.


b) Calcular los valores de la resistencia R1 y del capacitor C1, de tal manera que la
constante de tiempo del circuito , sea equivalente a la frecuencia de 60Hz, con
este clculo se obtiene que el capacitor no descargue antes de que la seal de
entrada complete el ciclo.
Nota:
T >> 5
c) Con el osciloscopio obtenga la amplitud y la forma de onda de la seal de salida
en los extremos del diodo D1, anote sus resultados.
d) Calcule teoricamente el voltaje en el diodo y compare los resultados obtenidos
experimentalmente.
e) Calcule el porcentaje de error en los resultados tericos cuando se analiza el
circuito con el modelo del diodo ideal y los resultados experimentales.

EXPERIMENTO 4. CAMBIADOR DE NIVEL NEGATIVO.


a) Construya el circuito mostrado en la figura 5, verifique la polaridad correcta del
capacitor y del diodo, como se muestran.

Figura 5. Circuito bsico de un cambiador de nivel.

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b) Ajuste la fuente de alimentacin V1 a 1.5 volts, realice incrementos de 0.5 volts


hasta obtener 6 volts, a cada incremento mida con el osciloscoipo el voltaje pico a
pico, dibuje la forma de onda resultante.
c) Calcule experimentalmente el voltaje de salida en el diodo, compare los resultados
obtenidos con los resultados experimentales.
d) Calcule el porcentaje de error en los resultados tericos cuando se analiza el
circuito con el modelo del diodo ideal y los resultados experimentales.
e) Determinar en forma precisa el cambio de nivel obtenido en este circuito .

ANALISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

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CUESTIONARIO
1. Explique la relacin que existe entre el voltaje de salida en un recortador
polarizado con respecto a la polarizacin del diodo.
2. Explique la diferencia entre las formas de onda de salida de los recortadores de
tipo positivo y los recortadores de tipo negativo.
3. Explique la relacin entre la seal de salida y los voltajes de polarizacin de los
diodos en un circuito recortador polarizado tipo positivo con doble diodo.
4. Calcule la corriente mxima que pasa a travs del potencimetro de 2.5 K .
5. Explique que sucede cuando a travs del potencimetro se obtiene un
desequilibrio de voltaje entre la rama positiva y la rama negativa.
6. Explique en que etapa del experimento 2, se requiere obtener la mxima corriente
en el potencimetro.
7. Explique porque es necesario elegir correctamente los valores del capacitor y la
resistencia en los circuitos de cambio de nivel.
8. Investigue dos aplicaciones de circuitos de cambio de nivel en instrumentacin
Biomdica.
9. Explique en que momento se observa directamente en el osciloscopio el cambio de
nivel.
10. Cmo contribuye la fuente de voltaje en serie con el diodo en el cambio de nivel?
11. Se puede disear un cambiador de nivel de tal manera que pueda modificar el
nivel tanto positiva como negativamente?

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PRACTICA No 4 TRANSISTOR BJT


OBJETIVOS
Identificar al transistor como un dispositivo semiconductor, cuyo funcionamiento
depende del tipo de configuracin de polarizacin en que se conecte.
OBJETIVOS PARTICULARES

Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor, Colector y Base)


Analizar el funcionamiento del transistor en configuracin base comn.
Trabajar el transistor bipolar NPN y PNP como conmutador con niveles lgicos.

INTRODUCCIN
El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura 1:

Figura 1 Zonas que conforman al transistor

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el


"Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja,
mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia.
En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque tambin podra ser
un PNP.
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones; una entre el emisor
y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los
diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados:
"Diodo de emisor" y "Diodo de colector". El transistor NPN, primeramente cuando est
sin polarizar se produce una "Difusin", donde los electrones cruzan de la zona N a la
zona P, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan.

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Esto hace que en las uniones entre las zonas N y P generen iones positivos y negativos.
Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera
de potencial de a 0.7 V (para el Si). Se crean dos uniones una unin E-B y otra unin CB.
Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen
resultados nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones:

Base comn (BC).


Emisor comn (EC).
Colector comn (CC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona ACTIVA:

UE en Directa y Uc en Inversa.

AMPL FICADORES

Zona de SATURACIN:

UE en Directa y Uc en Directa.

CONMUTACIN

Zona de CORTE:

UE en Inversa y Uc en Inversa.

CONMUTACIN

Zona ACTIVA INVERTIDA:

UE en Inversa y Uc en Directa.

SIN UTILIDAD

Con esto vemos que el transistor puede trabajar de cuatro formas diferentes.
El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE.
Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse.

Figura 2 Polarizacin del transistor.


Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE, despus ese
electrn baja la barrera de potencial de la Uc para salir por el colector.

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Figura 3 Barrera de potencial en el transistor.

Este es el efecto transistor de N a P tiene que subir la barrera de potencial pero luego es
ms de los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombinan en
la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor figura 3.
La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el
"Efecto transistor", la base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es
la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (por
ejemplo el 1%), el emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un
dispositivo de control.

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Fuente de alimentacin de CD. variable.


Osciloscopio con puntas de medicin.
Generador de funciones.
Fuente regulada de 0 a 30 V, y Multmetro digital.
Resistencias de varios valores a 1/2 W.
Un transistor 2N3905.
Un transistor 2N3902.
Un transistor 2N2222.
Un potencimetro de 2500 W a 2W.
Cuatro bateras de 1.5V.
Porta bateras para AA.
Tablilla de experimentacin (protoboard).

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DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACIN FSICA DEL TRANSISTOR.

2N2222

a) Con el multmetro identifique las terminales y el tipo de transistor de los


solicitados en la practica, posteriormente dibuje cada terminal como lo muestra la
figura 4.

Figura 4.
EXPERIMENTO 2. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR NPN.
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 5.

Figura 5. Circuito de polarizacin a un transistor NPN.

b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constantes, ajuste el potencimetro R1 con la
perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ;
para cada incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor
mximo del potencimetro.
c) Construya una tabla y grafique los resultados con ejes R1 vs IE y R1 vs IC.

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EXPERIMENTO 3. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR PNP.


a) Construya el circuito que se muestra en la figura 6.

Figura 6. Circuito de polarizacin a un transistor PNP.


b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constantes, ajuste el potencimetro R1 con la
perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ,
a cada incremento mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del
potencimetro.

c) Realice por lo menos cinco variaciones en el potencimetro R1 desde su


valor mnimo hasta su valor mximo, a cada variacin obtenga los
parmetros de polarizacin de emisor mxima, mida VEB, VCB y VCE, anote
sus resultados.
d) Retire la fuente V2, obtenga de manera experimental el valor de ICBO.

EXPERIMENTO 4 TRANSISTOR REGIN CORTE Y SATURACIN


a) Construya el circuito que se muestra en la figura 7.
b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.

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Figura 7. Configuracin del transistor en corte y saturacin.

c) Con el multmetro mida el valor del voltaje VBE en los puntos A y B, el valor del
voltaje de salida VCE, el voltaje VBC y las corrientes IB e IC.
d) Realice una tabla con sus lecturas.
EXPERIMENTO 5 CIRCUITO DE CONMUTACIN EMPLEANDO UN TRANSISTOR
a) Construye el circuito que se muestra en la figura 8.
b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.
c) Alimente el circuito con el generador de seales ajustndolo a una onda tipo
cuadrada de 3 Hz de frecuencia y un valor de amplitud de 7 volts pico a pico.
d) Partiendo de la frecuencia de 3 Hz realice incrementos en el orden de 10 Hz hasta
un valor de 100 Hz.
e) Con el osciloscopio, mida el voltaje de salida colector emisor, observe el
comportamiento del LED, explique lo que sucede.
f) Con el multmetro mida los voltajes VBE, Vc y las corrientes IB e IC para cada
incremento de frecuencia.

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Figura 8. Configuracin del transistor en corte y saturacin con led indicador.

ANALISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

CUESTIONARIO
1. Indique en que seccin de las curvas de operacin del transistor se encuentran las
zonas de saturacin y de corte.
2. Explique porque en cada una de las curvas de operacin del transistor existe una
relacin de voltaje con respecto a la corriente.
3. Indique cuales son los parmetros que se deben considerar para variar la regin
de trabajo en un transistor.
4. Explique a que se le denomina corriente de fuga en un transistor.
5. De las corrientes que circulan a travs del transistor, Cul es la mayor, cual es la
menor y cuales son relativamente cercanas en magnitud?
6. Explique cual es la utilidad de conocer los puntos de operacin del transistor.
7. Explique en que consiste polarizar correctamente al transistor y mencione cuantas
configuraciones de polarizacin se pueden realizar.

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PRACTICA No 5 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

OBJETIVO GENERAL
Comprobar experimentalmente el funcionamiento de las distintas configuraciones de
polarizacin para transistores BJT.
OBJETIVO PARTICULAR

Para el circuito de Polarizacin Fija, determinar las respuestas de las variables en


la polarizacin del transistor.

Para los circuitos de Polarizacin Estabilizada por Divisor y Polarizacin con


retroalimentacin determinar las respuestas de las variables para determinar la
polarizacin del transistor.

INTRODUCCIN.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos
capas de material tipo N y una capa tipo P, o bien, de dos capas de material tipo P
y una tipo N. al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo
transistor PNP figura 1.
Transistor

Transistor

NPN

PNP

Figura 1 Tipos de transistores


Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura anterior se indican
mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base.
La abreviatura BJT, del transistor bipolar de unin (del Ingles, BipolarJunctionTransistor),
suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de
que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material
polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces
se considera un dispositivo unipolar.

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Configuracin de Base Comn


Para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN. La terminologa
de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada
como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal
ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra
En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que
la unin emisor - base se polariza directamente, la regin activa se define mediante los
arreglos de polarizacin, en el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del
emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector y se debe a la corriente de
saturacin inversa IC0.

Configuracin de Emisor Comn


Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace
referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a
la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de
caractersticas para describir por completo el comportamiento de la configuracin de
emisor comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de
salida o colector-emisor.
En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se
encuentra polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra
polarizada directamente.

Configuracin de Colector Comn


La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de
acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una
baja impedancia de salida, contrariamente a las de las configuraciones de base comn y
de un emisor comn figura 2.

Figura 2. Circuito de polarizacin colector comn

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MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Fuente de alimentacin variable de CD.


Osciloscopio con puntas de medicin.
3 puntas para osciloscopio.
Resistencias de distintos valores.
7 Transistores 2N222.
Potencimetros de 5 K, 10 K , y 50 K.
Protoboard.
Alambres para conexin
2 Multmetros.

DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. POLARIZACIN FIJA
a) Construya el circuito mostrado en la figura 3.

Figura 3. Circuito de polarizacin fijo.

b) Calcule los valores de las resistencias de polarizacin RB y RC, de tal manera


que el transistor se encuentre operando en la regin activa.
c) Calcule tericamente y mida experimentalmente las corrientes Ib e Ic, y el
voltaje VCE, compare sus resultados tericos con los experimentales y calcule el
porcentaje de error.
d) Realice la grfica del punto de trabajo para este experimento.
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EXPERIMENTO 2. POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE.


a) Construya el circuito que se muestra en la figura 4.

Figura 4. Circuito de polarizacin por divisor de voltaje.

b) Calcule los valores de las resistencias de polarizacin R1, R2, RC Y RB, de tal
manera que el transistor se encuentre operando en la regin activa.
c) Calcule tericamente el valor de las corrientes de base, colector y emisor,
adems el voltaje VcE.,
d) Con el multmetro mida en el circuito el valor de las variables calculadas
anteriormente, con los valores experimentales compare los resultados tericos y
obtenga el porcentaje de error.
e) Muestre en una tabla los resultados obtenidos, as como el clculo del
porcentaje de error.

EXPERIMENTO 3. POLARIZACIN CON RETROALIMENTACIN


a) Construya el circuito que se muestra en la figura 5.
b) Ajuste el potencimetro R1 a su valor mnimo, realice por lo menos 5
variaciones en el potenciometro desde su valor minimo hasta su maximo valor,
a cada variacin, con el multimetro, registre el valor de la corriente de base.

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c) Empleando otro multimetro, registre la corriente en el colector del transistor


para cada incremento del potencimetro R1.
d) Calcule la corriente de base IB y el voltaje entre colector y emisor VcE ; mida
estas variables en el circuito y compare sus resultados tericos con los
experimentales, calcule el porcentaje de error.

Figura 4. Circuito de polarizacin con retroalimentacin.

ANALISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

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CUESTIONARIO
1. Explique de qu manera se ve afectada la corriente de base en cada una de las
polarizaciones desarrolladas en esta prctica.
2. Explique qu es una configuracin estable.
3. Cmo se comprueba que el circuito est polarizado?
4. Cmo se puede obtener el parmetro hfe en forma experimental?
5. Explique la relacin que existe entre la corriente de base y la corriente de emisor
y explique cmo se pueden obtener en forma experimental.
6. Dibuje los diagramas de los circuitos de la prctica para configuracin de
colector comn y para configuracin de base comn.
7. Explique cmo se comportan los factores de estabilidad SI , Sv , SB, en cada uno
de los experimento realizados.
8. Que representa el parmetro BETA en un transistor y cual es el efecto que ejerce
la temperatura sobre el transistor.
9. Explique el efecto de la corriente de saturacin inversa.

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PRACTICA No 6 EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR


DIFERENCIAL
OBJETIVO GENERAL:
Describir el funcionamiento del transistor como amplificador diferencial construido
con componentes discretos.

OBJETIVOS PARTICULARES

Definir las caractersticas a CD y CA de un amplificador diferencial.


Medir las corrientes en un amplificador diferencial.
Medir y calcular el voltaje de salida Va de un amplificador diferencial en
diferentes condiciones.

INTRODUCCIN
Amplificador diferencial
El circuito amplificador diferencial es una conexin extremadamente comn utilizada
en circuitos integrados esta conexin se puede describir al considerar el amplificador
diferencial bsico que se muestra en la figura 1.

Figura 1. Circuito de un amplificador diferencial.

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Observe que el circuito posee dos entradas separadas, dos salidas separadas y los
emisores estn conectados entre si, mientras que la mayora de los circuitos
amplificadores diferenciales utilizan dos fuentes de voltaje, el circuito puede operar
utilizando solo una de ellas. Es posible obtener un nmero de combinaciones de
seales de entrada si una seal de entrada se aplica a cualquier entrada con la otra
entrada conectada a tierra, la operacin se denomina " terminal simple'.
Si se aplican dos seales de entrada de polaridad opuesta, la operacin se denomina
"terminal doble'. Si la misma entrada se aplica a varias entradas, la operacin se
denomina " modo comn'. En una operacin de terminal simple, se aplica, una sola
seal de entrada. Sin embargo, gracias a la configuracin de emisor comn, la seal de
entrada operar en ambos transistores, lo que da como resultado una salida en ambos
colectores figura 2.

Figura 2. Amplificador diferencial con seal en sus entradas.


En la operacin de terminal doble, se aplican dos seales de entrada, la diferencia de
las dos entradas ocasiona las salidas de ambos colectores debido a la diferencia de las
seales aplicadas a ambas entradas. En la operacin de modo comn, la seal de
entrada comn resulta en seales opuestas en cada colector; estas seales se cancelan
de forma que la seal de salida resultante es cero.
Como una cuestin prctica las seales opuestas no se cancelan del todo y se obtiene
una pequea seal resultante. La principal caracterstica del amplificador diferencial es
la ganancia muy alta que se tiene cuando se aplican seales opuestas a las entradas, en
comparacin con la ganancia tan pequea que se obtiene de las entradas comunes. La
relacin de esta ganancia diferencial a la ganancia comn se denomina rechazo de
modo comn.

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MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Un osciloscopio.
Un generador de seales
2 Fuente regulada de 0 a 30 VCD.
2 Resistencias de 1 K, 47 K, 10 K y otros valores.
2 Capacitores de 1 F, 470 F, 12 nF.
6 Transistor 2N222.
6 Transistores BC547 o BC548.
1 Transformador de 127 VCA a 12 VCA a 500mA con derivacin central.
2 Potencimetros de 10 K y 50 K.
Protoboard
Multmetro.
Un juego de cables para conexin.
Tres puntas para osciloscopio.

DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACIN DEL TRANSISTOR.
a) Seleccione CUATRO pares de transistores, con el multmetro mida su beta (hfe)
anotando sus resultados en la tabla 1, compare sus resultados con los datos del
fabricante.
Tabla 1. Valores experimentales y tericos de las betas de los transistores.
TRANSISTOR

TIPO NUMERO

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FABRICANTE

VALOR hfe

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EXPERIMENTO 2. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL EN CD.

a) Construya el circuito mostrado en la figura 3, utilizando 2 transistores con una


beta similar, considere valores de Rc1 = Rc 2 = RE = 12 k .

IC2

RC

Vo

IB1
------------>

VI 1

<------------

IE1

T2

IE2

---------->

RC

IB2

T1
-

<-----------

IC1

<------------

+ vcc=15V

V2

<----------+

RE

<-------------

IEE

-VEE = 15V

Figura 3. Amplificador diferencial con entradas en cd.


b) Con el multmetro mida el voltaje de salida V0, las corrientes de emisor IE1, 1E2,
IEE, las corrientes de colector Ic1, Ic2 y las corrientes de base IB1, IB2; para los
siguientes casos:
1) V1 = V2 = 1.5 volts (Utilizando una sola fuente de voltaje)
2) V1 > V2 (V1 = 3.0V, V2 = 1.5V)
3) V1 < V2 (V1 = 1.5V, V2 = 3V)
c) Realice una tabla con los datos obtenidos.

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EXPERIMENTO 3 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON ENTRADAS A TIERRA.


a) Construya el circuito mostrado en la figura 4, utilizando valores de Rc2 = RE = 12 k,
y valores de RB1 = RB2 = 27 K.

IC

IB1

<------------

+VCC = 15V

IB2

V0
T2

<------------

T1

----------->

RC

IE 1
---------->

IE 2
<---------RB2

RE

<------------

RB1
IEE

-VEE = 15

Figura 4. Amplificador diferencial.


b) Calcule tericamente las corrientes de emisor IE1, IE2, IEE , la corriente de colector
IC, y las corrientes de base IB1, IB2,
c) Con el multmetro obtenga el valor de las corrientes anteriormente indicadas.
d) Elabore una tabla indicando los valores de corriente obtenidos tericamente y
los valores experimentales, determine el porcentaje de error.
e) Empleando como minimo 4 transistores con valor de beta (hfe) diferente, repita
el experimento.

EXPERIMENTO 4: AMPLIFICADOR DIFERENCIAL EN CA.


a) Construya el circuito que se muestra en la figura 5.

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Figura 5. Amplificador diferencial con entradas en ca.


b) Ajuste la salida del generador de seales a una onda senoidal de 10 Hz, a su
mnima amplitud de salida y conctelo al devanado primario del
transformador.
c) Partiendo del valor mnimo del generador de seales, ajuste la salida hasta
obtener una amplitud de 5 volts pico a pico en el devanado secundario del
transformador.
d) Con el osciloscopio obtenga las formas de onda y los valores pico a pico de
voltaje VBE1, VBE2, VCE1, VCE2.
e) Obtenga la forma de onda del voltaje de salida (V0) entre los puntos A y B,
anote sus observaciones.
f) Calcule la ganancia de los transistores Q1 y Q2 (Vsal/V1 y Vsal/V2).

NOTA: Si la seal registrada por el osciloscopio es muy pequea, puede desistir del empleo
del transformador, conecte directamente la salida del generador a la entrada del circuito.

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EXPERIMENTO 5: AMPLIFICADOR DIFERENCIAL EN MODO COMN EN CA.


a) Construya el circuito que se muestra en la figura 6.
b) Ajuste los voltajes de VCC= 10V y VEE= -10V.
g) Ajuste el generador de seales a una onda senoidal de 1 KHz, a mnima
amplitud, conecte al devanado primario del transformador.
c) Partiendo de una amplitud mnimo en el generador de seales, ajuste hasta
obtener una amplitud de 5 volts pico a pico en el devanado secundario del
transformador, realizado lo anterior conectelo a las entradas del amplificador
diferencial.
d) Con el osciloscopio observe y mida la amplitud de la seal presente en las
bases de los transistores Q1, Q2 , compare con la seal de entrada.
e) Con el osciloscopio observe la forma de onda y mida la amplitud de la seal
presente en; VC1, VC2, el voltaje de salida Vo (en los puntos A y B), anote las
mediciones en una tabla y dibuje la forma de onda correspondiente.
f) Calcule las ganancias de los transistores Q1 y Q2, anote sus valores.

Figura 5. Amplificador diferencial con entradas en modo comn a ca.

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ANALISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

CUESTIONARIO
1. Cual es la aplicacin de un amplificador diferencial.
2. Explique los efectos que produce la resistencia de emisor RE de un amplificador
diferencial.
3. Cuando V1 es menor que V2 en el amplificador diferencial del experimento 2,
Cul es la polaridad de V0 y por qu?
4. En el experimento 2 indique de que otra manera se le llama a la entrada V1.
5. Explique qu es el CMRR de un amplificador diferencial y cmo debe ser
numricamente.
6. Explique que es la ganancia en modo comn y ganancia en modo diferencial.

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PRACTICA No 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


OBJETIVO GENERAL
Determinar el funcionamiento de un transistor de efecto de campo
OBJETIVOS PARTICULARES

Determinar la dependencia exponencial dada por la ley de SHOCKLEY entre la


corriente I0 y el voltaje VGS.

Determinar la curva de transferencia del transistor FET.

Comprobar el efecto de amplificacin

INTRODUCCIN:
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolar (NPN y PNP), llamados as
porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este
inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que
existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama
transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por
una barrita de material P N, llamada canal, que rodeada en parte de su longitud por
un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin P-N.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada
puerta (g-gate) en el collar figura 1.

Figura 1. Estructura del transistor FET


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Figura 2. Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal N.

La figura 2, se muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de


un FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.
La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N
entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.
Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa
estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas
desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin.
Si Vds se hace positiva (Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre
sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en
toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la
ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.

Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la
tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara
substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin
aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la
conductancia de ste disminuye.
El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un
momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero
que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces
se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off),
llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el
comportamiento casi lineal y el casi saturado.

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Figura 3. Zonas de funcionamiento del JFET

Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta


penetra ms en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona
de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin
negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero
an inferiores figura 3.
El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del
canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra
siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta
impedancia de entrada.

MATERIAL Y EQUIPOS EMPLEADOS

1 Generador de funciones
1 Osciloscopio.
3 puntas para osciloscopio.
1 Fuente de voltaje variable.
6 Transistores 2N5457, 2N5458 2N5484.
Resistencias de 12 K, 27 1/2watt.
3 Bateras de 1.5 V.
1 Portapilas.
Tablilla de experimentacin (Protoboard).
Multimetro Digital.
1 Juego de alambre para conexin.

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DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR FET I.
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 4.

Figura 4. Polarizacin del transistor fet con terminal Gate a tierra.

b) Conecte la terminal G a tierra.


c) Ajuste la fuente de alimentacin a su valor mnimo, incremente el voltaje de
entrada en intervalos de 0.5 Volts, hasta alcanzar 5 Volts, a partir de este valor,
realice incrementos a intervalos de 2 Volts hasta alcanzar 15 Volts.
d) Con el multmetro mida el valor de la corriente lDSS, a cada incremento de
voltaje.
e) Obtenga la curva de operacin del FET con los valores obtenidos anteriormente.
f) Determine el voltaje de estrechamiento VP utilizando la curva de transferencia
del FET.

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EXPERIMENTO 2. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR II.


a) Construya el circuito mostrado en la figura 5.
b) Ajuste las fuentes VDD y VGG a 0 volts.
c) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.25
volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.25 volts).
d) Partiendo de cero volts, ajuste en intervalos de tres volts la fuente VDD hasta
obtener valores de VDS de 0 a 15 Volts.
e) Mida la corriente lD a cada incremento de VDS.
f) Obtenga de manera terica la corriente ID y el voltaje VDS.
g) Obtener el porcentaje de error entre los resultados
experimentalmente y los resultados calculados tericamente.

obtenidos

Figura 5. Polarizacin del transistor fet con polaricazin en terminal Gate.


h) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.5
volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.5 volts).
i)

Repita los incisos d), e), f) y g), obtenga el porcentaje de error.

j)

Localizar el punto Q de trabajo en la grafica de transferencia.

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EXPERIMENTO 3 AMPLIFICADOR DE SEAL EMPLEANDO EL TRANSISTOR FET.


a) Construya el circuito que se muestran en la figura 6.

Figura 6. Amplificador de seal empleando el transistor fet.

b) Con el osciloscopio observe la forma de onda y obtenga la amplitud de la seal


de salida presente en el punto V0.
c) Obtenga tericamente el valor de V0 , utilizando el equivalente del FET.
d) Compare la seal de salida Vo con respecto a la seal de entrada de la fuente,
anote los cambios observados (fase, amplitud, forma, etc).
e) Grafique la seal de salida con respecto a la seal de entrada.

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ANALISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

CUESTIONARIO
1. Explique la diferencia entre un transistor BJT y un transistor FET.
2. Indique los elementos que determinan el punto de trabajo en un transistor FET.
3. Enuncie tres ejemplos de aplicacin para transistores FET.
4. Explique la operacin del FET en las zonas de corte y saturacin en las curvas
de caractersticas.
5. Explique porqu un FET tiene alta impedancia de entrada.
6. Enuncie los tipos de FET que conoce.
7. Describa la ecuacin de SHOCKLEY.
8. Cuales son las ventajas que presenta el FET con respecto a un BJT.
9. Explique cual es el efecto que tiene la carga esttica en el FET.
10. Explique como opera el FET en la regin de agotamiento.

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PRACTICA No 8 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE


POTENCIA SCR, TRIAC, DIAC
OBJETIVO GENERAL:
Conocer el funcionamiento y aplicacin de los elementos electrnicos ms comunes
para el manejo y control de potencia elctrica.
OBJETIVOS PARTICULARES

Identificar los parmetros fundamentales de los elementos de potencia Diodos,


SCR, DIAC, TRIAC, en las hojas de especificaciones del fabricante.
Llevar a cabo la prueba de los dispositivos mencionados.
Comprobar la operacin de los tiristores en corriente directa y alterna.
Implementar y experimentar aplicaciones.

INTRODUCCIN
Diodos de Potencia
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad ( o de
recuperacin rpida) y Schottky, los diodos de uso general estn disponibles hasta
3000V, a 3500, y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar
hasta 3000 V, 1000 A, el tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 S, los
diodos de recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores
de potencia a altas frecuencias, un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo,
los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de
recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga
aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A, un diodo
conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada
de voltaje en directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V, si el
voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en
modo de bloqueo.

Figura 1. Diodo de Potencia, estructura y smbolo elctrico.

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Tiristor (SCR)
Es un dispositivo electrnico que tiene dos estados de funcionamiento: conduccin y
bloqueo, posee tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y compuerta (G), la conduccin
entre nodo y ctodo es controlada por la terminal de compuerta, se dice que es un
dispositivo unidireccional, debido a que el sentido de la corriente es nico.
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio
con una tercera terminal para efecto de control, se escogi el silicio debido a sus
propiedades de alta temperatura y potencia, la operacin bsica del SCR es diferente a
la del diodo semiconductor de dos capas, cuenta con cuatro capas y una tercera
terminal denominada compuerta, determina cuando el rectificador conmuta del estado
de circuito abierto al de circuito cerrado, se debe tener en cuenta que no basta con la
polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo, en la regin de conduccin la
resistencia dinmica del SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1 ohms, la resistencia inversa es
tpicamente de 100 K ohms o ms.

Figura 2. Tiristor (SCR), estructura fica y smbolo elctrico.


La interpretacin directa de la curva del tiristor nos dice lo siguiente: cuando la tensin
entre nodo y ctodo es cero, la intensidad de nodo tambin lo es, hasta que no se
alcance la tensin de bloqueo (VBo), el tiristor no se dispara, cuando se alcanza dicha
tensin, se percibe un aumento de la intensidad en nodo (IA), disminuye la tensin
entre nodo y ctodo, comportndose as como un diodo polarizado directamente.

Figura 3. Curva caracterstica del SCR.

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Si se quiere dispara el tiristor antes de llegar a la tensin de bloqueo, ser necesario


aumentar la corriente de compuerta, la tensin de cebado ocurre cuando se polariza
inversamente, se produce una dbil corriente inversa (corriente de fuga) hasta que
alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del
componente.
DIAC
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de
sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su
tensin de cebado o de disparo, hasta que la tensin aplicada entre sus terminales
supere la tensin de disparo, la intensidad que circula por el componente es muy
pequea, al superar dicha tensin la corriente aumenta bruscamente.

Figura 4. DIAC, estructura fsica y smbolo elctrico.


La aplicacin ms conocida de este componente es el de control de regular la potencia
de una carga.

Figura 5. Curva caracterstica del DIAC


TRIAC
El TRIAC es fundamentalmente un DIAC, con una terminal de compuerta para
controlar las condiciones de encendido bilateral del dispositivo en cualquier direccin,
en otras palabras, para cualquier direccin, la corriente de compuerta puede controlar
la accin del dispositivo en una forma muy similar a la mostrada para un SCR, sin
embargo, las caractersticas del TRIAC en el primer y tercer cuadrante son algo
diferentes de las del DIAC, la corriente de sostenimiento en cada direccin, no esta
presente en las caractersticas del DIAC.

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Figura 6. TRIAC, estructura fsica y smbolo elctrico.


Para cada direccin de conduccin posible hay una combinacin de capas de
semiconductor cuyo estado ser controlado por la seal aplicada a la terminal de
compuerta.

Figura 7. Curva caracterstica del TRIAC

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Un osciloscopio.
Un generador de seales
2 Fuentes reguladas de voltaje 0 a 30VCD.
2 Resistencias de 220, 470, 560, 1K, 5.1K, 10K, 15, 100 y otros
valores.
2 Fotorresistencias.
2 Presets o potencimetros de 10K, 500K, 1M.
2 Capacitores de 0.027F, 0.33F, 33F, 47F, 100F, 220F, 470 F, 12 nF.
2 Diodos rectificadores 1N4002
4 Diodos Rectificadores 1N4004
3 Diodos LED varios colores.
2 SCR MCR106 o C106 o TIC106 .

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2 SCR 2N1596, 2N6071


2 TRIAC Q2015L6 o Q2008L4.
1 Transformador de 127 VCA a 12 o 18 VCA a 500mA con derivacin central.
4 interruptores un polo un tiro.
2 Cable de lnea con clavija.
4 Fusibles a 2 Amp.
2 porta fisibles.
1 Foco neon.
1 Foco de 100W con socket y cable de conexin.
2 Contactos con cable.
1 motor de CA (opcional).
2 Protoboard.
Multmetro.
Un juego de cables para conexin.
Tres puntas para osciloscopio.

DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1 MULTIPLICADOR DE VOLTAJE.
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 8, verifique la polaridad
correcta de los capacitores.
C

C1

C3
5

+
Linea de
alimentacin
127 VCA

47uF-POL

220uF-POL
D2
1N4004

D1
1N4004

12 O 18
VCA

D3
1N4004

D4
1N4004

MULTIMETRO
XMM1

C2

C4

100uF-POL

470uF-POL

Figura 8. Circuito multiplicador de voltaje.

b) Calcule tericamente los voltajes entre los puntos A-B, C-D y A-E.
c) Con el multmetro mida los voltajes en los puntos A-B, C-D y A-E.
d) Compare sus valores experimentales con sus valores tericos y obtenga el
porcentaje de error.

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EXPERIMENTO 2 DOBLADOR DE VOLTAJE.


a)

Construya el circuito mostrado en la figura 9, verifique la polaridad correcta de


los capacitores.

C1

D3
5

33uF-POL

MULTIMETRO
XMM1

1N4004

D1
1N4004

C3
33uF-POL

+
Linea de
alimentacin
127 VCA

12 O 18
VCA

+
SALIDA
-

D2
1N4004

C4
33uF-POL

C2

D4

1N4004

33uF-POL

Figura 9. Circuito doblador de voltaje


b) Calcule tericamente el voltaje de salida.
c) Con el multmetro mida el voltaje de salida.
d) Compare los valores experimentales con los valores tericos, obtenga el
porcentaje de error.

EXPERIMENTO 3. CIRCUITO DE CONTROL EMPLEANDO EL SCR.


d) Construya el circuito mostrado en la figura 10.

R1
560

R3
220

LED1

S1
3

S2
7

R2

G
6

V1
12 V

10K
50%

Figura 10. Circuito bsico de control empleando un SCR.


e) Alimente el circuito con la fuente de cd a 12 volts, ajuste el valor de la
resistencia R2 para que no exista cada de voltaje en ella.
f) Mida y registre el voltaje entre el nodo y el ctodo del SCR.
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g) Cierre los interruptores S1 y S2, compruebe la activacin del SCR ( el led debe
de encender).
h) Con el multimetro obtenga los voltajes en las terminales del SCR, anote sus
resultados.
i)

Ajuste el potencimetro R2 a su valor mnimo, posteriormente realice


variaciones en el potenciometro hasta que el led encienda, obtenga el valor de la
corriente en la terminal de compuerta al momento de encender el led.

j)

Con el multimetro, obtenga las mediciones de; IG, VAK e IK, desde 0 volts hasta
que el led enciende, construya la grafica de operacin del SCR.

EXPERIMENTO 4. CIRCUITO DE CONTROL EN CA, EMPLEANDO EL SCR


a) Construya el circuito mostrado en la figura 11.
LED2

S2

A1

16

R1
560
S1
9

127 VCA

12 o 18
VCA

15

R3
220

V1
12 V

10K
50%

R4

11
5

5.1k

R2

R5
1.1k

Figura 11. Circuito de control en ca, empleando el SCR.


b) Ajuste la fuente de voltaje V1 a 12 volts, cierre el interruptor S1 y deje abierto el
interruptor S2, observe con el osciloscopio la seal entre los puntos A y C,
dibuje la forma resultante.
c) Cierre el interruptor S2, a partir de cero vari poco a poco el potencimetro R2,
observe con el osciloscopio la seal resultante entre los puntos B y C
d) Con el multimetro obtenga los valores de IG e IK.

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EXPERIMENTO 4. CIRCUITO DE CONTROL EN CD EMPLEANDO EL TRIAC.


a) Construya el circuito que se muestra en la figura 12.
LED1

S1
R1

R2

510

10K

VGG
12 V

R3

MT1

560

50%

VDD
12 V
2

MT2
0

Figura 12. Circuito de control en cd empleando el TRIAC.


b) Con el interruptor S1 abierto, ajuste la fuente de voltaje VDD a 12 volts, as como
la fuente VGG a 12 volts, posteriormente cierre el interruptor S1.
c) Ajuste el potencimetro R2 a su valor mximo, verifique que el TRIAC no se
encuentre activo (conduccin), de no ser as, abra y cierre el interruptor S1
hasta que el TRIAC retorne a su estado de bloqueo (sin conducin).
Nota: En caso de que con este procedimiento no logre que el TRIAC retorne al
estado de bloqueo, apague la fuente VDD y encindala nuevamente.
d) Disminuya gradualmente el valor del potencimetro R2, con el multmetro
mida la corriente y el voltaje de la terminal de compuerta, anote en una tabla
sus resultados.
e) Determine tericamente el valor del voltaje en el que el
conduccin.

TRIAC entra en

EXPERIMENTO 5. CONTROL DE CORRIENTE EN CA.


a) Construya el circuito que se muestra en la figura 13.
S1

F1
1

SCR

2 Amp

Neon

R1
10k

V1
120 V
60 Hz
0Deg

R2
500 K

50%

SALIDA
MOTOR
LAMPARA

C1

0.33uF-POL
250V

Figura 13. Circuito de control de corriente en ca, acoplado a una carga.

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b) Conecte una carga ( motor o lmpara) en la terminal de salida (toma corriente).


c) Conecte el circuito a la lnea de alimentacin de 127 Vca , cierre en interruptor
S1.
d) Partiendo del valor mnimo en el potencimetro R2, varielo gradualmente
hasta que entre en conduccin el TRIAC, con el multmetro mida la corriente en
la terminal de compuerta del TRIAC.
e) Construya una tabla con los valores de corriente y voltaje obtenidos.
EXPERIMENTO 6. CONTROL DE CORRIENTE EN CA ACOPLADO A UNA CARGA.
f) Construya el circuito que se muestra en la figura 14.
S1

F1
1
6

L1
100W

2 Amp
V1
120 V
60 Hz
0Deg

LDR
3

R1
1M
50%

R2
5

100k

D2
7

R3
15k

1N4002

SCR
R5
1.1k

Figura 14. Circuito de control de corriente, acoplado a una carga y activado por LDR.
g) Conecte el circuito a la lnea de alimentacin de 127 VCA, y cierre el interruptor
S1.
h) Cubra la fotorresistencia, de tal forma que no este en contacto con la luz, y
ajuste el potencimetro R1 hasta que la lmpara se apague.
i)

Descubra la fotorresistencia y verifique que la lmpara L1 encienda, de no ser


asi, vari el potencimetro hasta que la lmpara encienda, en el instante de
encendido mida la corriente de activacin de compuerta y el voltaje entre el
nodo y el ctodo del SCR.

j)

Realice variaciones de luz y sombra sobre la fotorresistencia y observe el efecto


en la lmpara y anote sus observaciones.

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

ANALISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

CUESTIONARIO

1. Describa por lo menos 10 componentes de potencia adicionales a los vistos en


los experimentos.
2. Explique las caractersticas de un circuito electrnico para ser considerado
componente de potencia.
3. Investigue el trmino Sistemas de Control Electrnico de Potencia.
4. Explique la diferencia entre un circuito electrnico de alta potencia y un circuito
electrnico de baja potencia.
5. Describa las principales caractersticas entre un DIAC, TRIAC y SCR.
6. Describa en que otras aplicaciones electrnicas se utilizan los SCR.
7. Explique cmo afecta la temperatura a los elementos electrnicos de potencia.
8. Dibuje un diagrama de bloques de una fuente de CD a CA y explique el
funcionamiento en cada etapa.
9. Explique el funcionamiento de una fuente conmutada.
10. Comente la importancia de la electrnica de potencia en la ingeniera
biomdica.

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

PRACTICA No 9 APLICACIONES CON OPTO ELECTRNICA


OBJETIVO GENERAL:
Conocer el funcionamiento de los elementos Fotoelectrnicos y Circuitos Integrados
ms comunes y la aplicacin como elementos de aislamiento en el manejo de potencia
elctrica.
OBJETIVOS PARTICULARES

Construir un sensor de presencia infrarrojo.


Medir los voltajes y las corrientes que maneja un sensor infrarrojo.
Implementar y experimentar aplicaciones.

INTRODUCCIN
Foto Diodos
El foto diodo, se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una
caracterstica que lo hace muy especial; es un dispositivo que conduce una cantidad de
corriente elctrica de acuerdo a la cantidad de luz que incide sobre el, esta corriente
elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo (est corriente se llama,
corriente de fuga), en sentido opuesto a la corriente en los diodos semiconductores
normales.
La foto diodos se pueden utilizar como dispositivos de deteccin de luz, que
convierten la luz incidente en energa elctrica. Si el foto diodo queda conectado de
manera que circule por el una corriente en el sentido de la flecha, la luz que lo incide
no tendr efecto sobre el, y se comportara como un diodo semiconductor normal, la
mayora de los fotodiodos estn equipados con una lente que concentra la cantidad de
luz incidente, de manera que su reaccin a la luz ser mas evidente.

Figura 1. Estructura fsica del foto diodo.

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

Foto Transistor
Un fototransistor es en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede
trabajar de dos maneras diferentes:
1. Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn).
2. Como foto transistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base (IB) (mudo iluminacin).
Se pueden utilizar las dos formas de empleo del fototransistor simultneamente,
aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la terminal de base sin conectar
(IB=0), si se desea aumentar la sensibilidad del transistor debido a la baja iluminacin,
se puede incrementar la corriente de base (IB) con ayuda de alguna polarizacin
externa, el circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor comn con un
fotodiodo conectado entre la base y el colector con el ctodo del foto diodo conectado
al colector del transistor y el nodo a la base.
El foto transistor es muy utilizado en aplicaciones donde la deteccin de iluminacin
es muy importante, como el foto diodo tiene un tiempo de respuesta muy corto,
teniendo un flujo de corriente mucho mayor que el foto diodo.
En la figura 2, se aprecia el circuito equivalente de un foto transistor, se observa que
esta compuesto por un foto diodo y un transistor, la corriente que entrega el foto diodo
circula hacia la base del transistor, se amplifica veces y es la corriente que puede
entregar el dispositivo.
Nota: , es la ganancia de corriente del foto transistor.

Figura 2. Estructura fsica del foto transistor.

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

CIRCUITOS INTEGRADOS
La rpida expansin de requerimientos de circuitos ms pequeos, livianos y
complejos provoc la necesidad de colocar no uno sino cientos de transistores en una
sola pastilla de silicio, cuando se coloca ms de un elemento en un circuito integrado, el
dispositivo resultante se conoce como Circuito Integrado (CI) figura 3.

Figura 3. Seccin transversal de un transistor npn


Fabricado en un CI.

El termino sin modificar, CI, se utiliza para describir aquellos circuitos integrados
compuestos de menos de 60 elementos, si un circuito integrado contiene ms de 60
pero menos de 300 elementos, se utiliza el termino escala de integracin media (MSI,
mdium-scale integration), si el nmero de elementos es mayor que 300 pero menor que
1000, el circuito es de escala de integracin grande (LSI, Large-scale integration), la escala
de integracin muy grande (VLSI, Very large scale integration) se refiere a aquellos
circuitos integrados con ms de 1000 elementos.
Los circuitos integrados pueden ser lineales o no lineales, dependiendo de la relacin
entre formas de onda en la salida y en la entrada. Los circuitos integrados lineales (CIL)
se disean para reemplazar circuitos estndar y se utilizan como bleques para construir
sistemas ms complejos, uno de los circuitos analgicos ms utilizados es el
amplificador operacional (amp-op) de manera ideal, este amplificador tiene ganancia
infinita, impedancia de entrada infinita e impedancia de salida cero, los amplificadores
operacionales prcticos tienen caractersticas de desempeo que se acercan bastante a
las de los amplificadores operacionales ideales.
Se puede fabricar un circuito complejo en un circuito integrado simple de silicio, tal
circuito puede estar compuesto de transistores, resistores y capacitares, todos ellos lo
bastante pequeos como para caber en el circuito integrado.

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MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Resistencias de 220, 680, 1K,10KW, 47KW, 1MW,


2 potencimetros de 10Kw, 10K,1 MW, 2M, 4.7MW
2 Capacitores de 47nF, 33mF, 100mF, 220mF.
2 C.I. 4093B.
3 C.I. 555.
2 MOC 3010.
2 OptoTriac.
8 Transistores 2n2222,
3 Fototransistores.
3 Fotodiodos receptores de infrarrojo.
3 Diodos emisor de luz infrarroja.
3 Diodos LED azul o blanco.
2 Diodos rectificador 1N4001.
1 Relevador de 12 volts.
2 interruptores un polo un tiro.
2 Cable de lnea con clavija.
2 Protoboard.
Multmetro.

DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1 CIRCUITO DE CONTROL POR ACOPLE PTICO.
a) Construya el circuito mostrado en la figura 4.
VCC

S1
R2
100 K

1
2

R1
220
V1
12 V

VCC

VCC 5V

VCC 5V

R3
680

R5
680

Q1
6

50%

R4

1.0k

D1
IR

LED1

FT

2N2222

0
0
0

3 cm

Figura 4. Acople ptico entre un foto transistor y un foto diodo.


f) Coloque el LED infrarrojo frente a la ventana del foto transistor, una distancia
de 3 a 5 centmetros.

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

g) Sin obstruir el paso de luz entre el emisor y el receptor, cierre el interruptor S1,
asegrese que el LED de salida D3 est encendido.
h) Obstruya el paso de luz entre el receptor y el emisor, observe el efecto sobre el
LED D3.
i)

Ajuste el potencimetro R3 hasta conseguir que el LED se apague.

j)

Con el multmetro mida la cada de voltaje y la corriente en el LED infrarrojo y


en el fototransistor.

k) Registre sus resultados en la tabla siguiente:


SENSOR
D1
Sin
Obstruccin
Con
Obstruccin

VOLTAJE
Transmisor

VOLTAJE
Receptor

CORRIENTE
Transmisor

CORRIENTE
Receptor

EXPERIMENTO 2. CIRCUITO DE POTENCIA CONTROLADO POR ACOPLE


PTICO.
a) Construya el circuito mostrado en la figura 5, este circuito es complemento al
circuito armado en el experimento 1.
b) Conecte la carga L1 en las terminales de salida de el relevador.

VCC

S1

R1
220

V1
12 V

R3
680

R5
680

D2

1N4001

S2
CR

2M 50%

Q1

D1
IR

R6

LED1
2N2222

12

V2
0

FT

L1
100 W

10

Q2

1.0k

5V
VCC

R4

50%

11

VCC
5V

R2
100 K

VCC
5V

2N2222
0

120 V
60 Hz
0Deg

13

0
0
0

Figura 5. Circuito de potencia controlado por acople ptico.

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

c) Ajuste la sensibilidad de la etapa de potencia con la perilla del potencimetro


R6, obstruya el paso de luz entre emisor y receptor.
d) Con el Multmetro mida las corrientes de base y colector de los transistores Q1
y Q2, as como las cada de voltaje entre base y emisor, complete la tabla
siguiente:

Transistor
Q1
Sin
obstruccin
Con
obstruccin
Transistor
Q2
Sin
obstruccin
Con
obstruccin

EXPERIMENTO 3
a) Construya
separado.

Corriente de Base
IB

Corriente de Colector

Voltaje Base-Emisor

IC

VBE

Corriente de Base
IB

Corriente de Colector

Voltaje Base-Emisor

IC

VBE

CIRCUITOS INTEGRADOS Y OPTOACOPLADORES.


los

circuitos mostrados en las figuras

6 y 7 y prubelos por

14
P1
1M

50%
R1
10k

CI 4093B

10

9
12

11

13

T1

R2

V1
12 V

C2
100uF-POL

0
0

C1
47k
47nF

0
0

10

R3
220
6

B
0

MOC

Figura 6. Circuito de acople ptico por circuito integrado.

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R3
1.1M

P2
5M
50%

R2
47k

R1
1.1M

RST

DIS

THR

TRI

CON

R4

1.0k

Q2

Q3

10

C2
220uF-POL

C1
33uF-POL

V1
12 V

2N2222

GND

2N2222
1

OUT

LM555CM

Q1

U1

VCC

R5
220

2N2222

B
0
11

OPTOTRIAC

V2
9

120 V
60 Hz
0Deg
0
12

L1

M1
MOTOR

5V_1W
100 W

Figura 7. Circuito de control de potencia activado por temporizador.


b) Con las hojas de datos del fabricante, identifique las terminales y
especificaciones de cada uno de los semiconductores mostrados, explique el
significado de cada terminal de los circuitos integrados.
c) Ajuste las fuentes de alimentacin a los valores que se muestran en los
diagramas. Ajuste la sensibilidad del circuito mostrado en la figura 6 por
medio del potencimetro P1.
d) Ajuste la sensibilidad del circuito mostrado en la figura 7 por medio del
potencimetro P2, conecte las terminales de salida marcadas como A y B en el
MOC (figura 6) con las entradas A y B del circuito mostrado en la figura 7,
guardando la debida correspondencia.
e)

Dirija el haz luz del control remoto hacia el fototransistor T1, observe el efecto
sobre el motor al presionar cualquier tecla.

f) Dibuje el diagrama a bloques correspondiente al circuitos construidoeriores.


g) Explique el funcionamiento de cada etapa, y comente alguna otras aplicaciones.

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ANALISIS DEL EXPERIMENTO


Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.

CUESTIONARIO
11. Explique que es el efecto fotoelctrico.
12. Comente el efecto fotoelctrico en un semiconductor.
13. Explique que es la electroluminiscencia.
14. Enuncie cinco componentes fotoelctricos que no se hayan visto en la prctica.
15. En el experimento 2, cuando no existe obstruccin en el paso de luz entre el
emisor y el receptor, el transistor Q1 se encuentra________________y el
transistor Q2 est________________, por lo tanto el relevador est
_________________, por consecuencia el foco est_________________.
16. En el experimento 2, al obstruir el paso de luz entre el emisor y el receptor los
estados de los transistores cambian, por consecuencia el relevador
________________ y el foco__________________.
17. Explique el rango de la luz visible en el espectro electromagntico.
18. Determine las longitudes de onda para los diodos Infrarrojo, azul y verde.
19. Explique que es el LASER.
20. Describa que es un circuito integrado.
21. Explique la diferencia entre los circuitos integrados Lineales y los circuitos
integrados No Lineales.
22. Explique las tecnologas de diseo de circuitos integrados MSI, LSI y VLSI.

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PRACTICA No 10 PROYECTO DE LABORATORIO


OBJETIVO GENERAL:
Aplicacin de los conceptos expresados en el curso para la realizacin de un proyecto
prctico que sea utilizado para la construccin de un instrumento o un dispositivo
electrnico o bien un circuito de aplicacin biomdico.
OBJETIVOS PARTICULARES

Diseo y construccin del dispositivo.


Desarrollo de la memoria de clculo del prototipo.
Puesta en marcha y pruebas de funcionamiento.
Exposicin del proyecto y recomendaciones del mismo a futuro.

INTRODUCCIN
Indicar y justificar el porque del proyecto elegido, puede ahondarse en el tema con un
prembulo histrico.

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO


Indicar detalladamente el material utilizado.

DESARROLLO EXPERIMENTAL
Indicar la serie de pruebas que se realizaron antes de la puesta en marcha del
prototipo, anexar tablas, graficas de funcionamiento, fotos, etc.

BIBLIOGRAFIA
Anexar las referencias consultadas en la realizacin del prototipo.

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

APENDICE A
REGLAMENTO INTERNO DE LOS LABORATORIOS
DEL DEPARTAMENTO DE BIOELECTRNICA
1) Para tener acceso al laboratorio en horas de clase y tiempo libre, es
indispensable el uso de bata, material de trabajo y herramienta mnima necesaria.
2) La tolerancia de entrada al laboratorio es de 10 min. Posteriormente se
prohibir el acceso.
3) Colocar las mochilas en los anaqueles correspondientes. Prohibido colocarlas en
pasillos y mesas de trabajo.
4) Al inicio de la sesin de laboratorio se deber revisar el correcto funcionamiento
de los equipos electrnicos, reportando de inmediato cualquier anomala a los
profesores encargados del laboratorio.
5)

Prohibido fumar, consumir alimentos y bebidas en el interior del laboratorio.

6) No se permitir la estancia de alumnos, sin que haya un profesor responsable


en los laboratorios del departamento en horas fuera de las asignadas oficialmente.
7)

No se permiten visitas durante la sesin de trabajo y actitudes fuera de lugar.

8)

Prohibido escuchar msica.

9) En las sesiones que se lleven acabo en los laboratorios de Electrnica y


Circuitos, se deber traer de manera individual como material indispensable:
a)
b)
c)
d)
e)
f)

Multimetro.
Protoboard.
Pinzas y desarmadores necesarios.
3 puntas de osciloscopio (sin atenuar).
3 pares de puntas banana caimn.
Traer un trozo de franela por equipo.

NOTA: De no traer el material, NO se podr realizar la prctica correspondiente,


quedando esta NO aprobada.
10) Utilizar solo las puntas adecuadas para cada equipo de laboratorio.
11) Ser responsabilidad de los usuarios cualquier dao a los equipos y la
reparacin de los mismos, causado por mal uso y negligencia en el manejo.

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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

12) No se permite la salida de equipo de medicin, herramientas y computadoras


de los laboratorios del departamento.
13) Se prohbe hacer uso del cautn en las mesas de trabajo, para ello, existen mesas
asignadas.
14) Prohibido dejar pertenencias en el laboratorio y equipo encendido por ms de
10 minutos, sin que est presente algn integrante del grupo de trabajo, de lo
contrario, sern sancionados sin derecho a prstamo. NOTA: Si incurren por ms de
dos ocasiones, no se permitir la entrada.
15) El prstamo de material solo se realizar por el interesado mostrando la
credencial oficial y vigente de UPIBI. No se aceptarn credenciales de otra ndole.
16) Se multar cada vez que NO se devuelva el material prestado en un perodo
mximo de dos das hbiles, entregando en cantidad, el doble del mismo.
17) Al trmino de la sesin:
-

Limpiar el lugar de trabajo y pizarrn.


Apagar el equipo y los contactos mltiples.
Colocar las sillas en su respectivo lugar.
Cerrar las ventanas.
No olvidar sus pertenencias.

M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez

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APENDICE B
VALORES ESTADAR DE LAS RESISTENCIAS DISPONIBLES
COMERCIALMENTE

OHMS

0.10
0.11
0.12
0.13
0.15
0.16
0.18
0.20
0.22
0.24
0.27
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
0.47
0.51
0.56
0.62
0.68
0.75
0.82
0.91

1.0
1.1
1.2
1.3
1.5
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1

KILOHMS K

10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91

100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
300
330
360
390
430
470
510
560
620
680
750
820
910

M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez

1000
1100
1200
1300
1500
1600
1800
2000
2200
2400
2700
3000
3300
3600
3900
4300
4700
5100
5600
6200
6800
7500
8200
9100

MEGAOHMS M

10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91

100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
300
330
360
390
430
470
510
560
620
680
750
820
910

1.0
1.1
1.2
1.3
1.5
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
910

10
11
12
13
15
16
18
20
22

78

UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE BIOTECNOLOGIA


DEPARTAMENTO DE BIOINGENIERA
ACADEMIA DE BIOINGENIRA

Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

APENDICE C
VALORES TIPICOS DE CONDENSADORES
MARCADO
COMERCIAL

PICOFARADIOS

NANOFARADIOS

MICRO
FARADIOS

1
10
47
100
470
102
152
182
222
272
332
362
392
432
472
562
682
822
103
153
223
333
393
473
563
683
823
104
154
224
334
474
564
684
824
105
225

1
10
47
100
470
1.000
1.500
1.800
2.200
2.700
3.300
3.600
3.900
4.300
4.700
5.600
6.800
8.200
10.000
15.000
22.000
30.000
39.000
47.000
56.000
68.000
82.000
100.000
150.000
220.000
330.000
470.000
560.000
680.000
820.000
1.000.000
2.200.000

1P
10P
47P

0.000001
0.000010
0.000047
0.0001
0.00047
.001
0.0015
0.0018
0.0022
0.0027
0.0033
0.0036
0.0039
0.0043
0.0047
0.0056
0.0068
0.0082
0.01
0.015
0.022
0.033
0.039
0.047
0.056
0.068
0.082
0.1
0.15
0.22
0.33
0.47
0.56
0.68
0.82
1.0
2.0

M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez

1n
1n5
1n8
2n2
2n7
3n3
3n6
3n9
4n3
4n7
5n6
6n7
8n2
10n
15n
22n
33n
39n
47n
56n
68n
82n
100n
150n
220n
330n
470n
560n
680n
820n
1M
2M2

79

UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE BIOTECNOLOGIA


DEPARTAMENTO DE BIOINGENIERA
ACADEMIA DE BIOINGENIRA

Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I

APENDICE D
HOJA DE DATOS DE FABRICANTES
Este apndice contiene copias de hojas de datos representativos para diodos,
transistores, reguladores de tensin, dispositivos opticos y amplificadores
operacionales.
La informacin est tomada de los manuales de datos de los fabricantes, en algunos
casos, slo se presenta informacin seleccionada con el fin de dar una muestra de los
datos disponibles.
El apndice no se presenta como un sustituto de los manuales de datos apropiados, se
insta al estudiante a que obtenga copias de estos manuales, aqu slo se incluye una
breve muestra de las hojas necesarias para resolver los problemas.

M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez

80