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Ing.

José Arturo Marín Thames


 Los C.I son una colección de elementos
discretos (resistores, diodos, transistores,
etc.) fabricados sobre una pieza de material
semiconductor por lo general silicio que
normalmente se llama Circuito Integrado.

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 El C.I. se encuentra dentro de un encapsulado
plástico o de cerámica con terminales que
permiten conectarlo con otros dispositivos.

ELECTRÓNICA DIGITAL I 3
 Se clasifican según la forma en que se
montan sobre las tarjetas de circuito impreso
(PCB Printed Circuit Board) y pueden
clasificarse en:
1. Encapsulado de inserción
2. Encapsulado de montaje superficial.

DIP SMT
ELECTRÓNICA DIGITAL I 4
 Los encapsulados de inserción disponen de
pines que se introducen en los orificios de
las tarjetas de circuito impreso y se sueldan
en la cara opuesta.
 El encapsulado DIP (Dual In Line Package)
es el más común y recibe ese nombre
porque esta formado por dos hileras
paralelas de terminales.

ELECTRÓNICA DIGITAL I 5
 Las terminales están numeradas en sentido
opuesto a las manecillas del reloj cuando se ven
desde arriba en relación con una muesca o
punto identificador.
 Los encapsulados DIP se encuentran de 14, 16,
20, 24, 28, 40 y 64 terminales.

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 Se conoce como SMT (Surface
Mount Technoogy).
 Esta tecnología permite ahorrar
espacio en placa impresa,
debido a que no se necesita
perforaciones para montarlos.
 Los pines de los encapsulados
se sueldan a las pistas de una
de las caras de la tarjeta,
dejando espacio libre para
añadir otros componentes en la
otra cara.
 Los pines al situarse uno más
cerca del otro permiten que los
chips sean más pequeños.

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 Los 3 tipos más comunes de SMT son:
1. SOIC (Small Outline I.C.) terminales en forma de
ala de gaviota.
2. PLCC (Plastic Lead Chip Carrier) los pines
envuelven la parte inferior del encapsulado en
forma de J.
3. LCCC (Leadless Ceramic Chip Carrier) los pines
poseen contactos metálicos que se introducen
en el cuerpo cerámico.

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 El pin 1 se reconoce porque se coloca un punto o
marca en el centro de unos de los lados.
 La numeración es ascendente en sentido contrario a
las manecillas del reloj mirando la parte superior del
encapsulado.

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ESCALA DE APLICACIÓN NÚMERO DE
INTEGRACIÓN COMPUERTAS
SSI (Small Scale Compuertas Lógicas, Flip
10
Integration) Flops.
Codificadores,
MSI (Medium Scale Decodificadores,
10 - 100
Integration) contadores, registros,
multiplexores, etc.
LSI (Large Scale
Integration) Memorias 100 - 10000

VLSI (Very Large Scale


Integration) Memorias, FPGA 10000 - 100000

ULSI (Ultra Large Scale


Microprocesadores,
Integration) ≥ 100000
microcontroladores

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 La tensión nominal de alimentación de los C.I.
TTL (Transistor Transistor Logic) es de 5
Voltios de tensión continua.
 Los chips de tecnología CMOS
(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
están disponibles en diferentes tensiones
+5 V, +3,3 V, +2,5 V, +1,2 V.

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 Existen 4 especificaciones para los niveles
lógicos 0 y 1:
1. VIL = Rango de Voltaje de entrada baja
2. VIH = Rango de Voltaje de entrada alta
3. VOL = Rango de Voltaje de salida baja
4. VOH = Rango de Voltaje de salida alta

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ELECTRÓNICA DIGITAL I 13
ENTRADA SALIDA

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 El ruido es una tensión no deseada que se induce
en los circuitos eléctricos y que puede ser nocivo
para el correcto funcionamiento del circuito.
 Para no verse afectados por el ruido los circuitos
lógicos deben tener cierta inmunidad al ruido que
es la capacidad de tolerar fluctuaciones de tensión
en sus entradas.

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 Es la medida de la inmunidad al ruido de un
circuito y se expresa en Voltios.
 Se especifican dos valores de margen de
ruido:
1. Nivel Alto: VNH = V OH min – VIH min
2. Nivel Bajo: V NL = V IL max – V OL max

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 Cuando en la salida de una compuerta tenemos un
estado lógico “1” circula una corriente I CCH
 Cuando en la salida el estado lógico es “0” circula
una corriente I CCL
 Se especifica que la disipación de potencia
promedio para una compuerta es:

 P D = V CC I CC
 I CC = (I CCH + I CCL) /2
 La disipación de potencia en las compuertas TTL
es constante dentro de su rango de frecuencia de
operación.
 En los CMOS la potencia disipada aumenta con la
frecuencia.

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 Un cambio de nivel de salida siempre se
produce un cierto tiempo después que se
ha realizado un cambio de nivel en la
entrada.
 Este tiempo de retardo temporal se
denomina Retardo de Propagación.
 t PHL : Tiempo entre un impulso de entrada y
un impulso de salida cuando existe un
cambio de Alto a Bajo.
 t PLH : Tiempo entre un impulso de entrada
y un impulso de salida cuando existe un
cambio de Bajo a Alto.

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ENTRADA

SALIDA

El retardo de propagación limita la frecuencia de trabajo de una compuerta

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 Cuando la salida de una compuerta lógica
se conecta a una o más entradas se genera
una carga en la puerta excitadora.
 El límite para el número de entradas de
carga que se puede excitar se denomina
FAN OUT de la compuerta.

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 Los transistores empleados en la lógica
CMOS se pueden considerar como carga
capacitiva a la compuerta excitadora.
 Cuando se agregan más compuertas de
carga, la capacitancia total aumenta puesto
que estas se encuentran en paralelo.

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 El aumento de capacitancia aumenta los
tiempos de carga y descarga.
 Esto reduce la frecuencia máxima a la que
la compuerta puede funcionar.

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 La carga en los transistores de tecnología
son predominantemente resistiva.
 Las compuertas se comportan mayormente
como fuente de corriente o sumidero de
corriente, si están en estado lógico ALTO o
BAJO respectivamente.

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 Cuantas más cargas se conectan a la
compuerta excitadora mayor es la carga de
la misma.
 La caída de tensión de la compuerta
excitadora aumenta, lo que reduce VOH
 Si el número de compuertas es excesivo la
tensión cae por debajo de VOH min.

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SERIE DESCRIPCIÓN APLICACIÓN
Bajo consumo de energía Circuitos de baja
74L frecuencia con baterías

74H Alta velocidad mayor disipación de Circuitos de


potencia conmutación
74S (Schottky) Alta velocidad, menor Circuitos de propósito
consumo de potencia que series general
anteriores
74LS Alta velocidad, bajo consumo de Circuitos de propósito
energía. Serie más común. general
74AS (Schottky Avanzada) Mayor velocidad, Circuitos de
menor consumo de potencia. Mayor conmutación de alta
FAN OUT velocidad.

74ALS Mejor producto velocidad potencia. Circuitos de


Serie más rápida. conmutación de alta
velocidad.

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Parámetro 74 74L 74H 74S 74LS 74AS 74ALS
Retardo de
9 33 6 3 9,5 1,7 4
propagación (ns)
Disipación de
10 1 23 20 2 8 1
potencia (mW)
Producto Velocidad
90 33 138 60 19 13,6 4,8
Potencia (pJ)
Máxima frecuencia
35 3 50 125 45 200 70
de reloj (MHz.)
Factor de carga de
10 20 10 20 20 40 20
salida
V OH min 2,4 2,4 2,4 2,7 2,7 2,5 2,5
V OL máx. 0,4 0,4 0,4 0,5 0,5 0,5 0,4
V IH min 2 2 2 2 2 2 2
V IL máx. 0,8 0,7 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8

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Parámetro 4000B 74HC 74HCT 74ACT 74AHC 74AHC
T
Retardo de
9 33 6 3 9,5 1,7
propagación (ns)
Disipación de
10 9 5 9 7 8
potencia (nW)
Máxima frecuencia
16 8 50 125 45 200
de reloj (MHz.)
Factor de carga de
50 50 50 100 100 100
salida
V OH min 4,4 4,4 4,4 4,4 4,4 4,4
V OL máx. 0,33 0,33 0,33 0,33 0,33 0,33
V IH min 3,15 3,15 3,15 3,15 3,15 3,15
V IL máx. 1,35 1,35 1,35 1,35 1,35 1,35

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 La disipación de potencia de un C.I CMOS
sería muy baja siempre y cuando se
encuentre la condición de corriente continua.
 La potencia disipada aumenta en proporción
a la frecuencia en la que los circuitos cambian
de estado.
 Por ejemplo una compuerta NAND CMOS que
tiene una PD= 10nW para corriente directa
tendrá 0.1mW para 100KHz y de 1mW a
1MHz.

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