Escuela De Ingeniería Electrónica

Universidad San Luís Gonzaga de Ica”

INFORME:
“Diseño fuente de poder Flyback.”

INTEGRANTE:
Sergio Augusto Baldeón Chuquihua.

Docente:
ING. JORGE KONG.

Sección:
A

CICLO:
VIIIEE

Laboratorio:
N° 3

Curso:
ELECTRONICA DE POTENCIA II.

2020

Facultad de ingeniería mecánica y eléctrica

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INTRODUCCIÓN
El convertidor flyback es un derivado de la topología buck-boost y comparten el mismo
inconveniente: la energía es solo recogida desde la fuente durante el periodo de tiempo en
estado ON del transistor MOSFET. Después, durante el periodo OFF, esta energía del
devanado primario es enviada desde el inductor hacia la salida. Esta es una característica
única de las topologías flyback y buck-boost.
El transformador flyback no funciona como un transformador común, donde la corriente
primaria y la secundaria fluyen al mismo tiempo, y solo una pequeña parte de esta energía es
almacenada en el transformador (corriente de magnetización). Un transformador flyback se
parece más a múltiples inductores en el mismo núcleo.

MARCO TEÓRICO

Los transformadores flyback son usados para almacenar energía. Esta energía es almacenada
en el entrehierro del núcleo. Este transformador debería ser diseñado para minimizar la
inductancia de fuga, las pérdidas en el devanado y las pérdidas del núcleo. La inductancia de
fuga es la parte de la inductancia primaria que no se acopla mutuamente a la inductancia
secundaria. Es importante mantener la inductancia de fuga lo más baja posible porque reduce
la eficiencia del transformador y puede causar picos en el drenaje del transistor. La
inductancia de fuga puede verse como parte de la energía almacenada en el transformador
que no será transferida al secundario ni a la carga. Esta energía necesita ser disipada en el lado
del primario por medio de una red externa snubber. Cuando el MOSFET está ON, y un voltaje
es aplicado en el devanado primario, la corriente primaria incremente linealmente. El cambio
de la corriente de entrada está determinado por el voltaje de entrada, la inductancia del
transformador primario, y el periodo de tiempo ON del MOSFET. Durante este tramo de
tiempo, la energía es almacenada en el núcleo del transformador, la salida del diodo D1 está
polarizada inversamente y la energía no es transferida a la carga. Cuando el MOSFET está OFF,
el campo magnético empieza a reducirse, lo que invierte la polaridad a través del bobinado
primario y secundario.

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DESARROLLO Y PROCEDIMIENTO

Se tiene una fuente de 24 voltios continuo y se necesita una salida de 32 voltios en una
resistencia de 20 ohm. Con dicha información, diseñe una fuente de poder Flyback de tal
forma que fluya corriente permanentemente por Lm, la corriente mínima en Lm debe ser un
20% de su corriente media. El rizado de la tensión de salida debe ser menor del 1%, considere
la relación de vueltas del transformador N1/N2=0.5 y una frecuencia de conmutación de 30
KHz
Calcule el valor de la inductancia Lm, el ciclo de trabajo que se debe utilizar y la capacidad del
condensador de salida. Luego compruebe los parámetros requeridos y compárelos con los
resultados de su simulación.

PROCEDIMIENTO TEORICO

SOLUCION:

EXTRAYENDO DATOS

VS = 24V
VO = 32V
R = 20 OHMIOS

𝑁1
= 0.5 N =0.5
𝑁2

F = 30KHZ 30000HZ

(20%) (𝐼𝑚𝑖𝑛−𝑙𝑚 ) = 𝐼𝑑𝑐−𝑙𝑚

.∆𝑉0 < 1%

1
T= = 3.33x10−5 𝐻𝑍 PERIODO DE CONMUTACION DEL CIRCUITO
30000

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HALLANDO EL CICLO DE TRABAJO

𝑽𝟎 𝟑𝟐
D= 𝟏 = 𝟏
𝑽𝟎 +𝑽𝑺 ( ) 𝟑𝟐+𝟐𝟒( )
𝒏 𝟎.𝟓

D = 0.4 CICLO DE TRABAJO (D)

HALLANDO EL RIZADO DE LA TENSIÓN

.∆𝑉0 < 1%
Tomamos el menor valor

.∆𝑽𝟎
. = 𝟎. 𝟎𝟎𝟗𝟗𝟗𝟓
𝑽𝟎

HALLANDO LA CAPACIDAD DEL CONDENSADOR DE SALIDA

𝑫𝑽
C = 𝑹𝑭∆𝑽𝟎
𝟎

𝟎.𝟒
C= 𝟐𝟎𝒙𝟑𝟎𝟎𝟎𝟎𝒙𝟎.𝟎𝟎𝟗𝟗𝟗𝟓

C = 6.670x𝟏𝟎−𝟓

C = 66uf

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HALLANDO EL VALOR DE LA CORRIENTE MEDIO EN LA LM

𝑽𝟐𝟎
CORRIENTE MEDIO Idc_lm =
𝑽𝑺 𝒙𝑫𝑹

𝑽𝟐𝟎
Idc_lm =
𝑽𝑺 𝒙𝑫𝑹

𝟑𝟐𝟐
Idc_lm =
𝟐𝟒𝒙𝟎.𝟒𝒙𝟐𝟎

Idc_lm = 5.33A

HALLANDO LA CORRIENTE MÍNIMA EN LM QUE DEBE SER UN 20% DE SU CORRIENTE MEDIA

(20%) Idc_lm= 𝐼min _lm

20𝑥5.33
. = 1.066A
100

𝐼min _lm = 1.066𝐴

AHORA LO REEMPLAZAMOS EN LA ECUACION

Para hallar

. ∆𝑖_𝑙𝑚 variación de la corriente

∆𝒊_𝒍𝒎
. 𝐼min _lm = Idc_lm -
𝟐

. ∆𝒊_𝒍𝒎 = 𝟐( Idc_lm - 𝐼min _lm )

.∆𝒊_𝒍𝒎 = 2(5.33 − 1.066)

. ∆𝒊_𝒍𝒎 = 2(4.264)

.∆𝒊_𝒍𝒎 = 8.528

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HALLANDO EL VALOR DE LA INDUCTANCIA LM

𝑽𝑺 𝑫
LM = ∆
𝒊_𝒍𝒎 𝒇

24𝑥0.4
lm= 8.528𝑥30000

lm = 3.752x10−5

lm = 37.52uH

MEDIANTE EL SIMULADOR

✓ Procedemos a dibujar el circuito en el simulador, en la librería extraemos

los componentes a utilizar:
▪ 1 transformador.
▪ 1 Mosfet.
▪ 1 Resistencia
▪ 1 condensador
▪ 1 fuente de dc.
▪ 1 inductancia.
▪ 1 diodo.

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Una vez armado el circuito configuramos cada componente con su valor dado. Al
mosfet se le instala un bloque de control para los pulsos de disparo, para que
estén sincronizado

✓ Ya armado el circuito y respetando las orientaciones de referencia.

Insertamos probadores de tensión y corriente en los puntos de medidas
solicitadas y activamos el comando de simulación y nos aparece los
gráficos de tensión y corriente solicitados.

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Procedemos hallar el ciclo de trabajo (D)

le damos zoom para poder ver bien la gráfica de corriente

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Grafica de TON

TON = 1.33x𝟏𝟎−𝟓

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Grafica de T

.𝑇 = 3.33𝑥10−5

LA DIVISION DE 𝑻𝒐𝒏 𝑌 𝑻 𝐷𝑂𝑆 𝐷𝐴𝑅𝐴 𝐸𝐿 𝐶𝐼𝐶𝐿𝑂 𝐷𝐸 𝑇𝑅𝐴𝐵𝐴𝐽𝑂

1.33𝑥10−5
D=
3.33𝑥10−5

D= 0.4

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HALLANDO LA CAPACIDAD DEL CONDENSADOR DE SALIDA

C = 6.65x𝟏𝟎−𝟓

Condensador = 66uf

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Hallando CORRIENTE MEDIO

Idc_lm = 5.22A

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Hallando el valor de Corriente mínimo

.𝑰𝐦𝐢𝐧 _𝐥𝐦 = 1.105A

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HALLANDO EL VALOR DE LA INDUCTANCIA LM

LM =3.41x10−5
LM=34UH

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Conclusiones

VALOR TEÓRICO VALOR SIMULADO

✓ D = 0.4 --- D = 0.4

✓ C = 66uf --- C = 66UF

✓ Idc_lm = 5.33A ---- Ldc_lm = 5.33A

✓ 𝐼min _lm = 1.066𝐴 ------ Imin_lm = 1.105A

✓ .∆𝒊_𝒍𝒎 = 8.528

✓ lm = 37.52uH ----- lm =34uH

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