FÍSICA DEL

MICROMUNDO

Por: SIDNEY BLANDÓN ROMAÑA

FORO MÓDULO 2: ELECTRONES EN CRISTALES

1). Una conclusión que podemos sacar del estudio del modelo de Kronig-Penney es que las bandas
de energía aparecen cuando los átomos se acercan entre sí para formar un sólido. Una banda es
un conjunto de niveles de energía que están tan juntos entre sí que parecen un continuo. Los
electrones siguen una estadística denominada estadística de Fermi-Dirac, y según esta estadística,
cuando se forman las bandas, existe un nivel de energía denominado nivel de Fermi tal que, en el
cero absoluto, todos los niveles de energía por debajo de este nivel estarían ocupados, y todos los
niveles de energía por encima de este valor estarían desocupados. La diferencia de energía entre
el más alto nivel ocupado y el más bajo nivel desocupado es la banda prohibida. La banda inferior,
llena de electrones, se denomina banda de valencia, la banda superior, vacía, se denomina banda
de conducción. El nivel de Fermi se encontraría en la mitad entre la banda de valencia y la de
conducción. Consulte y de una breve explicación de las diferencias entre un metal, un aislante y un
semiconductor en cuanto a la relación entre la banda de valencia, la banda de conducción y la
brecha de energía. Consulte el valor de la banda prohibida para para el Si y el GaAs. En cada caso,
¿cuál sería la longitud de onda de un fotón que tuviera esta energía? ¿A qué región del espectro
electromagnético correspondería? Consulte qué es un semiconductor directo e indirecto y a cuál
de los dos corresponde tanto el Si como el GaAs. Con base en esto, discuta cuál de los dos
funciona mejor como detector de radiación y cuál como emisor.

SOLUCIÓN:

*Consulte y de una breve explicación de las diferencias entre un metal, un aislante y un

semiconductor en cuanto a la relación entre la banda de valencia, la banda de conducción y la
brecha de energía
Material Definición Diferencias con respecto a la teoría de bandas

Metal Son todos aquellos materiales que son
muy buenos conductores de electricidad y
calor, que generalmente se encuentran en
estado sólido a temperatura ambiente.
En los metales la separación entre la banda de
valencia y banda de conducción es muy
pequeña, tanto que los electrones que se
encuentran en estado de reposo pueden pasar
de una banda a la otra con poco nivel de energía
de excitación.

Aislante Reciben este nombre todos los materiales
que ofrecen alta resistencia al paso de
electricidad y calor.
Semiconductor Estos materiales se caracterizan por
cambiar sus propiedades de conductividad
dependiendo de los factores a los que se
vean expuestos
En los aislantes se encuentra la mayor
separación entre la banda de valencia y la banda
de conducción, esta separación recibe el nombre
de brecha de energía. Por más que los
electrones sean excitados ellos se mantienen en
estado de reposo impidiendo en estos
materiales tanto la conductividad eléctrica como
la calórica.
En los semiconductores encontramos una
separación menor que en los aislantes entre las
bandas de valencia y de conducción, ha esta
separación se da el nombre de banda prohibida
ó gap. En estos materiales los electrones pueden
 superar esta barrera cuando son excitados con la
suficiente energía.
*Consulte el valor de la banda prohibida para para el Si y el GaAs. En cada caso, ¿cuál sería la
longitud de onda de un fotón que tuviera esta energía? ¿A qué región del espectro
electromagnético correspondería?

Banda prohibida para el silicio 1.11 eV

Banda prohibida para el GaAs 1.43 eV

Cálculo de la longitud de onda para Si :

De E=h.c/λ

despejamos λ = h.c/E

Donde h=6.63x10-34J.s
c=3x108m/s
E=1.11eV
Antes convertimos los eV a J así: 1eV equivale a 1.602x10 -19J entonces 1.11eV son 1.778x10-19J

Por lo tanto λ = (6.63x10-34J.s) (3x108m/s) /1.778x10-19J

λ = 19.89x10 -26 m/1.778x10-19
λ = 11.186x10 -7m

Cálculo de la longitud de onda para GaAs :

De E=h.c/λ

despejamos λ = h.c/E

Donde h=6.63x10-34J.s
c=3x108m/s
E=1.43eV
Antes convertimos los eV a J así: 1eV equivale a 1.602x10 -19J entonces 1.43eV son 2.291x10-19J

Por lo tanto λ = (6.63x10-34J.s) (3x108m/s) /2.291x10-19J

λ = 19.89x10 -26 m/2.291x10-19
λ = 8.681x10 -7m

Dentro del espectro electromagnético el Si y GaAs están ubicados en la región correspondiente a la

luz visible

*Consulte qué es un semiconductor directo e indirecto y a cuál de los dos corresponde tanto el Si
como el GaAs. Con base en esto, discuta cuál de los dos funciona mejor como detector de
radiación y cuál como emisor.

Semiconducto Definición Ejemplo

r
 Directo Son los semiconductores que necesitan absorber GaAs(Arseniuro de Galio)
solo el valor de energía igual al gap ó energía
prohibida para saltar a la banda de conducción
Indirecto Los semiconductores de gap indirecto además de Si (Silicio)
obtener la energía del gap también necesitan
alinear sus bandas de energía cambiando el
vector de onda del electrón para hacer el salto de
la banda de valencia a la banda de conducción.

*En pruebas realizadas en la absorción de grandes cantidades de energía el semiconductor de GaAs

ha probado tener mayor resistencia a las radicaciones, dado que este semiconductor puede
funcionar en altas frecuencias, permitiendo un valor más alto en la velocidad alcanzada por los
electrones comparado con el Si. Por lo tanto, las propiedades del GaAs hacen que se convierta en
un excelente detector de radiación infrarroja y de rayos X, aunque todavía se sigue usando el Si
como detector de radiación debido al menor precio que tiene en comparación del GaAs. Es
importante resaltar que dentro de la clasificación de los semiconductores encontramos la categoría
de los optoelectrónicos que son dispositivos hechos con semiconductores capaces de emitir
corriente eléctrica cuando son se exponen a radiación luminosa y es aquí en esta categoría donde el
GaAs resulta ser mucho más eficiente que el Si.

2) Mediante cálculos de primeros principios, usando la Teoría del Funcional de la Densidad

(DFT,
por sus iniciales en inglés), es posible definir la estructura cristalina de un material. La Tabla 1
muestra datos obtenidos para la energía total por átomo, Etot , como una función del
parámetro de red, a, cuando se supone que el cobre (Cu) tiene una estructura cúbica simple
(Fig. 1a). La Tabla 2 muestra la misma información cuando se supone que el cobre tiene una
estructura cúbica centrada en las caras (Fig. 1b).

Fig. 1 a) Red cúbica simple. Tomada dehttp://www.mim-us.es/estructuras_cristalinas/caracteristicas.html b) Red

cúbica centrada en las caras. Tomada de http://www.mim-us.es/estructuras_cristalinas/redes_de_bravais.html.

Tabla 1. Energía total por átomo vs. parámetro de red para el cobre en una estructura cúbica simple.

a angstroms  2.20 2.25 2.30 2.35 2.40 2.45 2.50 2.55 2.60 2.65
 Etot eV  -2.90 -3.08 -3.20 -3.28 -3.30 -3.29 -3.26 -3.21 -3.15 -3.10

Tabla 2. Energía total por átomo vs. parámetro de red para el cobre en una estructura cúbica centrada en
las caras (fcc).

a angstroms  3.54 3.56 3.60 3.64 3.68 3.72 3.76 3.80

Etot eV  -3.702 -3.738 -3.760 -3.770 -3.764 -3.749 -3.728 -3.698

Grafique los datos anteriores y discuta cuál sería la estructura del cobre, cúbica simple o cúbica
centrada en las caras?

SOLUCIÓN

Atomo de Cobre estructura cúbica simple

3
Parametro de red (a: angstroms)

2.5

1.5

0.5

0
-2.9 -3.08 -3.2 -3.28 -3.3 -3.29 -3.26 -3.21 -3.15 -3.1
Energia total del Cu (eV)
 Atomo de cobre estructura cúbica centrada
en las caras
Parametro de red (a:angstroms) 3.85
3.8
3.75
3.7
3.65
3.6
3.55
3.5
3.45
3.4
-3.702 -3.738 -3.76 -3.77 -3.764 -3.749 -3.728 -3.698
Energia total del Cu

*Después de comparar los valores de parámetros de red que resultan del cálculo de la DFT y hacer
la conversión de unidades de angstrom a metros, se puede concluir que la estructura cristalina del
cobre (Cu) es la cúbica centrada en sus caras FCC debido a que los valores que aparecen en la
tabla 2 están más cercanos al parámetro de red estimado para el cobre que es de 3,62x10 -10m.