REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIÓN

UNIVERSIDAD JOSÉ ANTONIO PÁEZ

FACULTAD DE INGENIERÍA

Asignación N°27

Materiales I

Sección: 205N1
Equipo Número: 3
Integrantes: 2
Daniel Bolívar C.I: 22.518.988
Sergio Arias C.I:27.643.040

Valencia, 13 de abrir del 2021

PROBLEMA N° 12

Una atmosfera nitrurante introduce 0,4 % de N a la superficie de un acero BCC que

contiene 0,003 % de N. Se define la profundidad de endurecimiento como la distancia
por debajo de la superficie que contiene más de 0,03 % de N. Si la nitruración se
realiza a 700°C durante 3 horas, ¿cuál es el valor de la profundidad citada?

PROBLEMA N°31

Un engranaje fabricado en acero 1020 (0,20 % de C en peso) se cementa a 927 °C

(1700 °F). Calcule el contenido en carbono a 0,90 mm por debajo de la superficie del
engranaje después de 4,0 horas de cementación. Suponga que el contenido de carbono
en la superficie es de 1,00 % en peso. D (C en hierro γ) a 927°C es igual a 1,28 x 10-
11 m 2/seg

Respuesta

D 927 ° C =1,28 x 10−11 m2 / s

c s−c x x
=erf
c s−c o 2 √ Dt

c x =?

c s =1 %

c o =0.20 %

x=0.9 0 mm=9 x 10−4 m

1−c x 9 x 10−4 m
=erf
1−0. 20 4 h ×3600 s
√
2 (1,28 x 10−11 m 2 /s)(
1h
)

1−c x
=erf ⁡(1.048)
0.8
 z erf z

1 0.8427

1.048 x

1.1 0.8802
1.048−1 x−0.8427
=
1.1−1 0.8802−0.8427

x −0.8427
0. 48=
0.0375

x=(0. 48)(0.03 75)+ 0.8427

x=0.8607

Por tanto

1−c x
=erf ( 0.7823 )=0. 8607
0.8

c x =1−( 0. 8607 ) (0.8)

c x =0 .31 %

Calcule el contenido de carbono a 0,95 mm por debajo de la superficie del engranaje

después de 8 horas de cementación es de 0.31%
PROBLEMA N°90

¿Por qué los vidrios inorgánicos se forman en un enfriamiento relativamente de las

masas fundidas, mientras que es necesaria una solidificación rápida para formar
vidrios metálicos?

Respuesta

El vidrio inorgánico basado en óxidos que forman vidrios, sílice (SiO2), se

caracteriza en general como material cerámico (vidrio cerámico) y es otro ejemplo de
un material con estructura amorfa. En este tipo de vidrio, la subunidad fundamental
en las moléculas es el tetraedro de SiO41 . El esquema muestra los tetraedros Si–O
unidos vértices a vértice para formar un ordenamiento de largo alcance. En su estado
líquido y viscoso, las moléculas tienen una movilidad limitada y en general la
cristalización ocurre lentamente. Por tanto, una velocidad de enfriamiento modesta
suprime la formación de la estructura cristalina y, en lugar de ello, los tetraedros se
unen vértice con vértice para formar una red que carece de ordenamiento de largo
alcance.

Además de los polímeros y los vidrios, algunos metales tienen también la capacidad
para formar estructuras amorfas (vidrio metálico) en condiciones estrictas y a menudo
difíciles de cumplir. A diferencia de los vidrios, los metales contienen bloques
móviles muy pequeños cuando están fundidos. Como resultado de ello, es difícil
impedir que los metales cristalicen. Sin embargo, aleaciones como una de 78%-Fe-
9% Si-13% B, que contienen un alto porcentaje de semimetales, Si y B, pueden
formar vidrios metálicos por medio de la solidificación rápida a velocidades de
enfriamiento mayores de C/s. A velocidades de enfriamiento tan altas, los átomos
sencillamente no tienen tiempo suficiente para formar una estructura cristalina y en
lugar de ello forman un metal con estructura amorfa, esto es, están muy
desordenados. En teoría, cualquier material cristalino puede formar una estructura no
cristalina si se solidifica con suficiente rapidez desde un estado fundido.
PROBLEMA N°70

Compare los coeficientes de difusión de hidrogeno y nitrógeno en hierro FCC a 1000

°C y explique la diferencia entre los valores.

Respuesta

La temperatura a la que tiene lugar la difusión afecta de manera importante al valor

del coeficiente de difusión. A medida que aumenta la temperatura, el coeficiente de
difusión también aumenta, para todos los sistemas comparando los valores de 500°C
con los de 1 000°C.

PROBLEMA N°88

En el procesamiento de un semiconductor se desea dopar en forma selectiva distintas

regiones del sustrato semiconductor. Se desea difundir P en silicio en determinada
región sin que se difunda en otras regiones. Explique cómo se podría lograr esto.

Nota. La difusión de los iones dopantes es mucho menor en el óxido de silicioque el

silicio.

Respuesta

Los transistores bipolares planos microelectrónicos se fabrican en la superficie de una

oblea de un monocristal de silicio mediante una serie de operaciones que requieren
acceso a sólo una superficie de la oblea de silicio. En su fabricación, una isla
relativamente grande de silicio tipo n se forma primero en una base de sustrato de
silicio tipo p. Después se crean islas más pequeñas de silicio tipo p y tipo n en la isla
más grande tipo n. De este modo, las tres partes fundamentales del transistor bipolar
npn, el emisor, la base y el colector, se forman en una configuración plana. Como en
el caso del transistor bipolar npn individual, la unión emisor-base se polariza
directamente y la unión base-colector inversamente. Así, cuando los electrones del
emisor se inyectan en la base, la mayoría de ellos van al colector y sólo un pequeño
porcentaje (~ 1 a 5 por ciento) se recombina con los huecos de la terminal de la base.
El transistor bipolar plano microelectrónico puede entonces funcionar como un
amplificador de corriente en la misma forma que el transistor bipolar
microelectrónico individual.