Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia

19 de abril de 2021

Grupo N° 9
Natalia Viviany Patiño Torres. Cód. 201821745;
Natalia.patino01@uprc.edu.co

LABORATORIO N° 3 ELECTRÓNICA I.
APLICACIÓN CON DIODOS.
Abstract:. In this practice we become familiar with the IV. MATERIALES/EQUIPOS
different applications with diodes and the OrCad
simulator which allows us to measure in a real way the ¥ Equipo de cómputo con el simulador ORCAD
behavior of voltage, power and current in electronic Cadence en versiones 16 o 17, con todas las
elements such as the diode. librerías incluidas.

I. INTRODUCCIÓN V. PROCEDIMIENTO
En esta práctica nos familiarizamos con las
diferentes aplicaciones con diodos y el simulador V.1.1 RECORTADOR TIPO SERIE:
OrCad el cual nos permite medir de forma real el
comportamiento que tienen la tensión, potencia y V.1.1.1 Actividad 1
corriente en elementos electrónicos como el diodo.
En este caso observaremos cómo se comportan los
diodos como recortadores, multiplicadores,
sujetadores y cambiadores de nivel,
II. OBJETIVOS.
Objetivos Específicos.

¥ Reforzar los conocimientos adquiridos acerca del

funcionamiento del diodo y sus aplicaciones.

¥ Realizar la implementación y comprender el

funcionamiento de diversos circuitos recortadores,
cambiadores de nivel y multiplicadores de tensión.
FIGURA 1. MONTAJE CIRCUITO RECORTADOR SERIE

¥ Identificar y obtener los parámetros de rendimiento

de diferentes configuraciones de recortadores y
cambiadores de nivel.

III. MARCO TEÓRICO

NVPT.2020-2
 5.7 𝑉
𝑤𝑡1 = 𝑠𝑒𝑛−1 ( ) = 0.34254663
16.97 𝑉

0.34254663
𝑡1 = = 908𝑢𝑠
𝑤

𝑤𝑡2 = 𝜋 − 𝑤𝑡1 = 2.79904602

2.79904602
𝑡2 = = 7.42𝑚𝑠
𝑤

T= 16.67 ms
FIGURA 2. FORMA DE ONDA CIRCUITO RECORTADOR SERIE w= 376.99 rad/ s
908𝑢
1
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 16.97 𝑉𝑠𝑒𝑛[376.99𝑡] − 5𝑉 − 0.7𝑉
16.67𝑚𝑠 7.42𝑚
𝑉𝑑𝑐 = 2.8594 𝑉
Parámetro Teórico Simulación %Error 1
1 𝑡2 2
Vpp 11.27 V 11.215 V 0.49% 𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ ∫ 𝑉𝑜 2 [ 376.99𝑡]𝑑𝑡]
𝑇 𝑡1
27.42𝑚
Vdc 2.8594 V 3.011 V 5.3 % 1
𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ ∫ 16.972 [ 376.99𝑡] − 5
16.67𝑚 7.42𝑚
Vrms 8.28 V 5.165 V 37.6 % 1
2
TABLA 1. PARÁMETROS DEL RECORTADOR SERIE EN LA CARGA
− 0.7𝑑𝑡]
Datos Teóricos:
Vm= 12√2 Vrms=8.28 V
Vm= 16.97 V
V.1.1.2 Actividad 2 [ se invierte la polaridad de la
Vpp = Vm-V[fuente]-V[umbral] fuente de 5V]
VPP=16.97 V- 5V-0.7 V
Vpp= 11.27 V

1 𝑡+𝑇
𝑇 ∫𝑡 𝑉𝑜[𝑤𝑡] − 𝑉 − 𝑉𝛾 𝑑𝑤𝑡 , 𝑤𝑡1 < 𝑤𝑡 < 𝑤𝑡2
𝑉𝑑𝑐 = { }
0 , 𝑤𝑡2 < 𝑤𝑡 < 𝑇

Para (wt1, wt2)

FIGURA 3. MONTAJE CIRCUITO RECORTADOR SERIE CON FUENTE DC
1 𝑤𝑡2 DE 5V INVERTIDA
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 𝑉𝑚𝑠𝑒𝑛[𝑤𝑡] − 𝑉 − 𝑉𝛾
𝑇 𝑤𝑡1

NVPT.2020-2
 T= 16.67 ms
w= 376.99 rad/ s
908𝑢
1
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 16.97 𝑉𝑠𝑒𝑛[376.99𝑡] + 5𝑉 − 0.7𝑉
16.67𝑚𝑠 7.42𝑚
FIGURA 4. FORMA DE ONDA CIRCUITO RECORTADOR SERIE CON
FUENTE DC INVERTIDA 𝑉𝑑𝑐 = 2.8594 𝑉

1
1 𝑡2 2
Parámetro Teórico Simulación %Error 𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ ∫ 𝑉𝑜 2 [ 376.99𝑡]𝑑𝑡]
𝑇 𝑡1
27.42𝑚
Vpp 21.27 V 21.182 V 0.413 % 1
𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ ∫ 16.972 [ 376.99𝑡] + 5𝑉
16.67𝑚 7.42𝑚
Vdc 6.7660101V 8.03365 V 18.7% 1
2
Vrms 8.51 V 11.4885 V 34.9% − 0.7𝑉 𝑑𝑡]
TABLA 2. PARÁMETROS DEL RECORTADOR SERIE EN LA CARGA

Datos Teóricos: Vrms=8.51 V

Vm= 12√2
Vm= 16.97 V

Vpp = Vm-V[fuente]-V[umbral] V.1.2 RECORTADOR TIPO PARALELO:

VPP=16.97 V + 5V-0.7 V
Vpp= 21.27 V V.1.2.1 Actividad 3.

1 𝑡+𝑇
𝑇 ∫𝑡 𝑉𝑜[𝑤𝑡] + 𝑉 − 𝑉𝛾 𝑑𝑤𝑡 , 𝑤𝑡1 < 𝑤𝑡 < 𝑤𝑡2
𝑉𝑑𝑐 = { }
0 , 𝑤𝑡2 < 𝑤𝑡 < 𝑇

Para (wt1, wt2)

1 𝑤𝑡2
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 𝑉𝑚𝑠𝑒𝑛[𝑤𝑡] + 𝑉 − 𝑉𝛾
𝑇 𝑤𝑡1 FIGURA 5. MONTAJE CIRCUITO RECORTADOR PARALEO

5.7 𝑉
𝑤𝑡1 = 𝑠𝑒𝑛−1 ( ) = 0.34254663
16.97 𝑉

0.34254663
𝑡1 = = 908𝑢𝑠
𝑤

𝑤𝑡2 = 𝜋 − 𝑤𝑡1 = 2.79904602

2.79904602 FIGURA 6. FORMA DE ONDA MONTAJE CIRCUITO RECORTADOR
𝑡2 = = 7.42𝑚𝑠 PARALEO
𝑤

NVPT.2020-2
 𝑉𝑑𝑐 = 6.7665 𝑉
Parámetro Teórico Simulación %Error
1
Vpp 11.97 V 12.660 V 5,76%
1 𝑡2 2
𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ ∫ 𝑉𝑜 2 [ 376.99𝑡]𝑑𝑡]
Vdc 6.767 V 7.8005 V 15% 𝑇 𝑡1
27.42𝑚
1
Vrms 8.51V 8.99345 V 5.64% 𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ ∫ 16.972 [ 376.99𝑡] + 5𝑉
16.67𝑚 7.42𝑚
TABLA 3. PARÁMETROS DEL RECORTADOR PARALELO 1
Datos Teóricos: 2
− 0.7𝑉 𝑑𝑡]
Datos Teóricos:
Vm= 12√2 Vrms=8.51 V
Vm= 16.97 V
V.1.2.2 Actividad 4. Se invierte la polaridad
Vpp = Vm-V[fuente]-V[umbral] del diodo
VPP=16.97 V - 5V
Vpp= 11.97 V

1 𝑡+𝑇
∫𝑡 𝑉𝑜[𝑤𝑡] − 𝑉 − 𝑉𝛾 𝑑𝑤𝑡 , 𝑤𝑡1 < 𝑤𝑡 < 𝑤𝑡2
𝑉𝑑𝑐 = {𝑇 }
0 , 𝑤𝑡2 < 𝑤𝑡 < 𝑇

Para (wt1, wt2)

1 𝑤𝑡2
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 𝑉𝑚𝑠𝑒𝑛[𝑤𝑡] − 𝑉 FIGURA 7. MONTAJE CIRCUITO RECORTADOR PARALELO
𝑇 𝑤𝑡1

5.7 𝑉
𝑤𝑡1 = 𝑠𝑒𝑛−1 ( ) = 0.34254663
16.97 𝑉

0.34254663
𝑡1 = = 908𝑢𝑠
𝑤

𝑤𝑡2 = 𝜋 − 𝑤𝑡1 = 2.79904602

2.79904602
𝑡2 = = 7.42𝑚𝑠
𝑤
FIGURA 8. FORMA DE ONDA CIRCUITO RECORTADOR PARALELO

T= 16.67 ms
w= 376.99 rad/ s Parámetro Teórico Simulación %Error
908𝑢
1
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 16.97 𝑉𝑠𝑒𝑛[376.99𝑡] + 5𝑉 − 0.7 𝑉.
16.67𝑚𝑠 7.42𝑚 Vpp 22.67 V 22.582 V 0.38%

NVPT.2020-2
 1
Vdc 3.4063 V 3.0285 V 11% 1 𝑡2 2
𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ ∫ 𝑉𝑜 2 [ 376.99𝑡]𝑑𝑡]
𝑇 𝑡1
Vrms 8.51 V 8.988 V 5.6% 0.00195
1
TABLA 4. PARÁMETROS DEL RECORTADOR DIODO INVERTIDO. 𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ ∫ 16.972 [ 376.99𝑡] + 10𝑉
16.67𝑚 0.006299
1
Datos Teóricos: 2
Vm= 12√2 − 1.4𝑉 𝑑𝑡]
Vm= 16.97 V
Vrms=169.4 mV
Vpp = Vm-V[fuente]+V[umbral]+
V[Diodo]
VPP=16.97 V + 5V+ 0.7 V
V.1.2.3 Actividad 5. Se adiciona una fuente
Vpp= 22.67V
DC

1 𝑡+𝑇
𝑇 ∫𝑡 𝑉𝑜[𝑤𝑡] − 𝑉 + 𝑉𝛾 𝑑𝑤𝑡 , 𝑤𝑡1 < 𝑤𝑡 < 𝑤𝑡2
𝑉𝑑𝑐 = { }
0 , 𝑤𝑡2 < 𝑤𝑡 < 𝑇

Para (wt1, wt2)

1 𝑤𝑡2 FIGURA 9. MONTAJE CIRCUITO RECORTADOR PARALELO
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 𝑉𝑚𝑠𝑒𝑛[𝑤𝑡] − 𝑉 + 𝑉𝛾 𝑑𝑤𝑡
𝑇 𝑤𝑡1

11.4 𝑉
𝑤𝑡1 = 𝑠𝑒𝑛−1 ( ) = 0.7366
16.97 𝑉

0.7366
𝑡1 = = 1.95𝑚𝑠
𝑤

𝑤𝑡2 = 𝜋 − 𝑤𝑡1 = 2.3749 FIGURA 10. MONTAJE CIRCUITO RECORTADOR PARALELO

2.79904602
𝑡2 = = 6.299𝑚𝑠
𝑤
Parámetro Teórico Simulación %Error

Vpp 11.67 V 11.464V 1.7%

T= 16.67 ms
w= 376.99 rad/ s
1.95𝑚
Vdc 369.22𝑚𝑉 329.317mV 12%
1
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 16.97 𝑉𝑠𝑒𝑛[376.99𝑡] − 10𝑉
16.67𝑚𝑠 6.299𝑚 Vrms 169.4 mV 176.37mV 4.1%
+ 1.4 𝑉. TABLA 5. PARÁMETROS DEL RECORTADOR
𝑉𝑑𝑐 = 369.22𝑚𝑉
Datos Teóricos:
Vm= 12√2

NVPT.2020-2
 Vm= 16.97 V

Vpp = Vm-V[fuente]+V[umbral]+ V.1.3 CAMBIADORES DE NIVEL:

V[Diodo]
VPP=16.97 V - 5V- 0.7 V V.1.3.1 ACTIVIDAD 6. Usando resistencia
Vpp= 11.67V de carga de 51k.

1 𝑡+𝑇
∫𝑡 𝑉𝑜[𝑤𝑡] − 𝑉 + 𝑉𝛾 𝑑𝑤𝑡 , 𝑤𝑡1 < 𝑤𝑡 < 𝑤𝑡2
𝑉𝑑𝑐 = {𝑇 }
0 , 𝑤𝑡2 < 𝑤𝑡 < 𝑇

Para (wt1, wt2)

1 𝑤𝑡2 FIGURA 11. MONTAJE CAMBIADORES DE NIVEL.
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 𝑉𝑚𝑠𝑒𝑛[𝑤𝑡] − 𝑉 + 𝑉𝛾 𝑑𝑤𝑡
𝑇 𝑤𝑡1

5.7 𝑉
𝑤𝑡1 = 𝑠𝑒𝑛−1 ( ) = 0.34254663
16.97 𝑉

0.34254663
𝑡1 = = 908𝑢𝑠
𝑤

𝑤𝑡2 = 𝜋 − 𝑤𝑡1 = 2.79904602 FIGURA 12. FORMA DE ONDA CAMBIADOR DE NIVEL.

2.79904602
𝑡2 = = 7.42𝑚𝑠
𝑤
Parámetro Simulación

T= 16.67 ms Vpp 31.388 V

w= 376.99 rad/ s
1 908𝑢 Vdc -13.912 V
𝑉𝑑𝑐 = ∫ 16.97 𝑉𝑠𝑒𝑛[376.99𝑡] − 5𝑉 + 0.7 𝑉. TABLA 6. PARÁMETROS DEL CAMBIADOR DE NIVEL
16.67𝑚𝑠 7.42𝑚
𝑉𝑑𝑐 = 3.4063𝑉

1 V.1.3.2 ACTIVIDAD 7
1 𝑡2 2
𝑉𝑟𝑚𝑠 = [ ∫ 𝑉𝑜 2 [ 376.99𝑡]𝑑𝑡]
𝑇 𝑡1
1
908𝑢 2
1 2 [ 376.99𝑡] + 10
∫
𝑉𝑟𝑚𝑠 = [16.67𝑚 7.42𝑚 16.97 ]
𝑉 − 1.4𝑉 𝑑𝑡

Vrms=8.51 V

NVPT.2020-2
 FIGURA 16. FORMA DE ONDA CAMBIADOR DE NIVEL.

FIGURA 13. MONTAJE CAMBIADORES DE NIVEL. Parámetro Simulación

Vpp 32.190 V

Vdc 9.4241 V
TABLA 8. PARÁMETROS DEL CAMBIADOR DE NIVEL

V.1.3.4 ACTIVDAD 9.

FIGURA 14. FORMA DE ONDA CAMBIADOR DE NIVEL.

Parámetro Simulación

Vpp 31.508 V

Vdc 13.963 V FIGURA 17. MONTAJE CAMBIADORES DE NIVEL.

TABLA 7. PARÁMETROS DEL CAMBIADOR DE NIVEL

V.1.3.3 ACTIVIDAD 8

FIGURA 18. FORMA DE ONDA CAMBIADOR DE NIVEL

FIGURA 15. MONTAJE CAMBIADORES DE NIVEL.

Parámetro Simulación

Vpp 30.997 V

Vdc -18.384 V
TABLA 9. PARÁMETROS DEL CAMBIADOR DE NIVEL

NVPT.2020-2
 V.1.5 DISEÑO ASIGNADO

V.1.4 MULTIPLICADOR DE VOLTAJE V.1.5.1 ACTIVIDAD 11 fig. 12 Cod

201821745

V.1.4.1 ACTIVIDAD 10

FIGURA 21. FORMA DE ONDA FIG 12 GUIA.

FIGURA 19. MONTAJE MULTIPLICADORES.

FIGURA22. MONTAJE ORCAD

FIGURA 20. FORMA DE ONDA DE ENTRADA.

FIGURA 23. FORMA DE ONDA DE SALIDA

V.1.6 ACTIVDADES
FIGURA 20. FORMA DE ONDA Vsal.
COMPLEMENTARIAS
V.1.6.1.1 Circuito Triplicador y
Se observa que con el paso del tiempo la señal se estabiliza Cuadriplicador
aproximadamente en 32.594 V. se duplica el Vm.

FIGURA 24. MONTAJE CIRCUITO TRIPLICADOR.

NVPT.2020-2

FIGURA 25. MONTAJE CIRCUITO CUADRUPLICADOR.
FIGURA 26. FORMA DE ONDA CIRCUITO TRIPLICADOR [AZUL] Y
CUADRUPLICADOR [VERDE].
FIGURA 27. DATOS SIMULACION MONTAJE CIRCUITO
TRIPLICADOR[AZUL] Y CUADRUPLICADOR [VERDE].
VI. ANÁLISIS DE RESULTADOS.
VI.1.1 Realice una comparación entre los datos
teóricos de simulación y prácticos de cada
uno de los recortadores simulados o
implementados.
VII.
VI.1.2 Realice un análisis de la conducción y
polarización del diodo en cada montaje.
VI.1.3 Realice un análisis de la incidencia que
tiene la capacitancia en los circuitos
cambiadores de nivel y multiplicadores de
voltaje.
VI.1.4 CONCLUSIONES
VI.1.4.1 Los circuitos recortadores son los que
pueden quitar la parte negativa o
positiva de una señal de entrada de
corriente alterna y convertirla en una
NVPT.2020-2
señal de salida de corriente directa con
cierto voltaje, gracias a la ayuda de la
polarización del diodo utilizado.
VI.1.4.2 En circuitos multiplicadores se tiene
que tener en cuenta el numero de
diodos y condensadores puestos ya
que son indispensables para el
montaje de estos circuitos, y así poder
obtener voltajes mayores que los
aplicados desde el trasformador.
VI.1.4.3 Se concluye que los diodos de
pequeña señal o de propósitos están
optimizados para trabajar altas
frecuencias,
VI.1.4.4 Se concluye que los circuitos
cambiadores de nivel añaden un nivel
de corriente continua al voltaje ac,
puede ser positivo o negativo.
VI.1.4.5 En circuitos sujetadores se observa
que al combinar un resistor con un
condensador la señal desplaza la
forma de onda a un nivel dc diferente,
sin cambiar la apariencia de la señal.
INVESTIGACIÓN.
VII.1.1 ¿Qué Implicación Tiene El Aumento De
Las Frecuencias En Las Fuentes De
Alimentación Ac En Cada Uno De Los
Circuitos Implementados En Esta Práctica?
R/ Los circuitos con diodos de propósito
general por sus características trabajan con
un ancho de banda entre 1Hz hasta
aproximado 20Hz, si se manejan otro
ancho de banda, el diodo ya no funcionara
debido a que el diseño del diodo funciona
bajo un ancho banda recomendada,
también se distorsionara la forma de onda
de señal.
VII.1.2 ¿Qué Aplicaciones Prácticas Pueden Tener
Los Circuitos Analizados En Esta Práctica?
 R/ Estos circuitos tienen un sin número de
aplicaciones unas de ellas por ejemplo
pueden ser aplicados en configuraciones de
protección, detectar la polaridad de un
circuito
VIII. BIBLIOGRAFÍA

VIII.1.1.1 BOYLESTAD, Robert L. Electrónica:

Teoría de Circuitos. Editorial Prentice
Hall, 1995.
VIII.1.1.2 GUTIÉRREZ, Humberto. Electrónica
análoga: teoría y laboratorio. Ed.
Humberto Gutiérrez. 1996
VIII.1.1.3 MALVINO, Albert Paul. Principios
de electrónica. Editorial McGraw-
Hill, 1991.
VIII.1.1.4 MILLMAN, Jacob. Electrónica
integrada. Editorial Hispano
Americano, 1986.
VIII.1.1.5 RASHID, Muhammad.
Microelectrónica Circuits Analysis &
Design, 2011.

NVPT.2020-2