Prctica 03 06 octubre 17/ 2013 periodo 2013/03

Informe de la Prctica 06:MOSFET Como

Interruptor.
Eric Santiago Granda, Daniel Ramrez Castaeda.
Laboratorio Electrnica Anloga II, Escuela de Mecatrnica, Facultad de Minas
Universidad Nacional de Colombia Sede Medelln
Resumen Este documento contiene los resultados experimentales y de simulacion de un amplificador
basado en un transistor de efecto de campo (MOSFET tipo enriquecimiento) y su implementacin prctica
como un interruptor operando en sus regiones de corte y saturacin. Dicho funcionamiento se lleva a cabo
implementando un circuito de regulacin de velocidad sncrono que simula el comportamiento elemental de
un motor en AC, el cual consiste en una etapa de comparacin de una seal rectificada de la red, un detector
de cruce por cero de ancho de pulso variable y un shopper DC usando untransistor MOSFET.
Palabras Clave voltaje Mximo de compuerta fuente, corriente Mxima de dreno, regin de corte , regin
de saturacin, voltaje umbral, ciclo de dureza, circuitos sincronos.

Abstract This document contains the experimental results and

simulation of an amplifier based on a field effect transistor and its
practical implementation as a switch operating in its cutting and
saturation regions. Such operation is carried out by implementing a
control loop speed that simulates the behavior synchronous
elemental an AC motor, which consists of a step of comparing a
rectified signal from the network, a zero crossing detector width
variable pulse and DC shopper using a MOSFET transistor.

Un sistema interruptor de carga controlado se basa en un

sistema que conecta o desconecta una fuente de
voltaje a una carga, permitiendo o no el paso de corriente a
traves de ella a partir de una senal de control

.Index Terms Maximum gate voltage source, Maximum

current drain, cutting region, saturation region, threshold
voltage, cycle strength, synchronous circuits.
I. INTRODUCIN
Actualmente para los circuitos electronicos es necesario
tener disposicin de tecnicas de control, de la energia
consumida, esto debido a que cada vez se requiere mucha
eficiencia en potencia de los equipos, tanto por la autonomia
de las baterias de los dispositivos portatiles como para
aprovechar de manera eficiente los recursos energeticos que
permitan la reduccin los impactos ambientales al usarlos
dispositivos.
Seguidamente, una de las tecnicas usadas para alcanzar esta
eficiencia en energa la idea es
conectar y desconectar cargas de los circuitos con el uso
sistemas de interrupcion de carga. Esto ahora se logra con
dispositivos semiconductores que han reemplazado a los
relevos como dispositivos interruptores debido a su lentitud en
la respuesta, vida util limitada, y las desventajas encontradas
en los dispositivos
electromecnicos.

Figura 1. Interruptor con MOSFET.

La ilustracion 1 muestra un ejemplo de un Interruptor
electronico usando transistor MOSFET de canal N que se
identifica como elemento de paso (Permite o impide el paso
de corriente), el control es conectado a la
compuerta del transistor.

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Este tipo de interruptor se prefiere ser realizado con
transistores de canal N dado que tiene varias ventajas sobre
los de canal P.
A. .Procedimiento Terico.

Si VR>Vcomp entonces V0 = 0V
Si Vcomp>VR entonces V0 = V2
Ciclo de dureza
B. Simulacin.
4
3

U1A
LM324

V+
OUT

+
1
V3

- 11

7Vdc

V-

R1
D1
D1N4002
V1

R6
110

1k

D2
D1N4002

R7

0 0.8K
R2
470

FREQ = 60
VAMPL = 15
D3
D4
VOFF = 0.000000001
D1N4002
D1N4002

M1
R5
4.7k

R4
1k

Figura 2. Detector de cruce por cero.

IRF150

0
0

V2
7Vdc

En la grafica 2 se pueden identificar 3 etapas: la etapa de

rectificacin de onda competa con puente de diodos y una
divisin de voltaje dada por R6 y R1; la etapa de comparacin
con LM324, donde R3 y R4 hacen una divisin de voltaje en
V2 para compararlo con la sea rectificada. La resistencia R4
es un potencimetro de 5K para controlar el voltaje a
comparar y as el ciclo de dureza de la seal en la salida
LM324; y la etapa de interruptor con MOSFET donde se
remplaza el motor por una resistencia de 120.

Figura 3. Esquema del detector de cruce por cero para la

simulacin.
15V

10V

5V

0V

-5V
0s
V(D2:2)

10ms
V(R2:2)

20ms

30ms

40ms

50ms

60ms

70ms

80ms

90ms

100ms

Time

Debido a que las corrientes en la etapa de comparacin son de

magnitudes pequeas al igual que en el GATE del MOSFET,
no se necesita una etapa de acoplamiento.

Figura 4.Seal rectificada(verde) y seal de entrada(rojo).

8.0V

4.0V

De la hoja de datos de un transistor MOSFET IRF 630 se

tienen los siguientes parmetros:
0V

Voltaje Umbral
: 4V
Resistencia DS
: 0,4
El voltaje mximo
de dreno fuente: 200V
La corriente Mxima de dreno : 9A
El voltaje Mximos de compuerta fuente
: 20V
La potencia mxima disipada : 75W
Se determina la relacin entre la resistencia R4 y el ciclo de
dureza.

-4.0V
0s
V(R2:2)

10ms
V(R7:2)

20ms
V(U1A:OUT)

30ms

40ms

50ms

60ms

70ms

80ms

90ms

100ms

Time

Figura 4.Grafica de simulacin del voltaje rectificado (azul),

del voltaje de comparacin (amarillo) y del voltaje en la salida
del LM324 (verde)

8.0V

V0: voltaje a la salida del LM324

VR: voltaje rectificado de entrada

4.0V

Vcomp: voltaje de comparacin

0V

-4.0V
0s
V(U1A:OUT)

10ms
20ms
V(R6:2)- V(M1:d)

30ms

40ms

50ms
Time

60ms

70ms

80ms

90ms

100ms

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Figura 5. Grafica de simulacin de la cada de voltaje en el
motor(rojo) y de la seal a la salida del LM324 (verde).

Figura 6. Seal en la salida de la etapa de rectificacin (azul)

y seal en la salida del amplificador operacional (amarillo).

C. Experimento.

El experimento consisti en realizar el montaje del circuito

de la ilustracion 1 teniendo en cuenta que la seal
sinusoidal correspondiera
a la salida de 9v RMS de un transformador.
Se Realizo inicialmente el montaje del circuito sin el
Transistor MOSFET, ni el motor ni el diodo D6 y
Se analizo Cmo funcionaba el circuito del amplificador
operacional y la funcion que este cumplia.La seal
sinusoidal al pasar por el puente de diodos fue recorada en
su parte negativay se mantuvo su voltaje pico. El papel que
formaban las resistencias R1 y R6 era un arreglo como
divisin de voltaje y asi disminuir la seal rectificada.El
amplificador operacional cumpli el papel de comprar la
seal rectificada con el voltaje dado por el arreglo e
resistencias R3 y R4 como divisin del voltaje de
polarizacin y definieron el voltaje umbral.
Si este voltaje es aproximadamente cero, el amplificador
tendr en su salida una cada de voltaje de cero voltios ya
que el voltaje rectificado ser mayoral voltaje de umbral.
La seal a la salida del amplificador fue una seal cuadrada
cuyo ciclo de dureza estaba dado segn el voltaje en la
salida fue igual al voltaje de polarizacin.
Se Realiz el montaje del circuito del MOSFET operando
como interruptor y se utilizo en primer lugar una
resistencia de 120 Ohm como equivalente del motor.
II. RESULTADOS EXPERIMENTALES

Los resultados experimentales se recopilan en una serie de

fotografas tomadas durante la prctica.

Figura 7. Seal en la salida del amplificador (azul) y cada de

voltaje en el motor (amarillo).
.

III. COMPARACIN DE RESULTADOS

De acuerdo con la graficas 4 y 6, la grafica de simulacin nos
indicaque el voltaje pico de la seal en la salida del
amplificador operacional esta cerca de los 6 voltios, pero en la
grafica dada por el osciloscopio esta seal tiene un nivel de
DC con respecto a la referencia y su voltaje pico es
aproximadamente de 5,6 voltios. Tambien se ve que la seal
rectificada en la grafica de simulacin tiene un voltaje pico de
4,2 voltios, lo que ocurre de manera similar en la grafica del
osciloscopio. Por otra parte se puede ver en la grafica de
simulacin que cuando el voltaje de umbral se superior al
voltaje rectificado el tenemos un voltaje en la salida del
amplificador operacional y asi mismo ocurre en la grafica del
osciloscopio. Y mientras el voltaje de umbral sea mayor asi
mismo ser mayor el ciclo de dureza.
En la grafica 5 nos damos cuenta que la seal simulada para
el voltaje en el motor tiene un voltaje pico de 7 voltios y se
encuentra en fase con la seal que entra en el gate del
MOSFET, pero en la grafica 7 el voltaje en el motor tiene un
voltaje pico de 6,4 voltios y adems esta en contrafase con
respecto a la seal que entra en el gate del MOSFET. Este
resultado se debe a que la referencia del osciloscopio invierte
la seal..

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CONCLUSIONES
Los errores obtenidos se deben a que no se usaron los valores
de las resistencias calculados y se usaron resistencias
aproximados que se encontraban en el laboratorio.
Se pudo observar experimentalmente el
funcionamiento del transistor MOSFET en las regiones de
corte y saturacin.
Se logro establecer el concepto de detector de cruce por cero y
de circuitos sncronos.
Se implement un circuito de regulacin de velocidad
sncrono que simula el comportamiento elemental de un motor
en AC
Es preferible usar transistores de canal N dado que en estos
los portadores mayoritarios de carga son los electrones y
tienen una mayor movilidad que los huecos y en el canal P y
Lo que se traduce en mejor velocidad de cambio de estado,
menor y menor capacitancia
en la compuerta. Ademas debido a que los transistores canal N
son mas comunmente utilizados, causan que
sean mas baratos que los de canal P.
Se tener en cuenta la limitaciones de Corriente y de voltaje
que tiene el MOSFET para manejar

Cargas, respetando el voltaje mximo de dreno fuente, La

corriente Mxima de dreno, El voltaje Mximo de compuerta
fuente y La potencia mxima disipada
REFERENCIAS
[1] Malik, N. Circuitos Electronicos. Anlisis, Simulacin Y Diseo. Prentice
Hall, 1996
[2] Boylestad, N. Electronica: Circuitos y Dispositivos. Prentice Hall
Latinoamerica. 2005

Eric Santiago Granda Tobn: 1037620403, 04, Ingeniera

Elctrica, 6
Daniel Ramrez Castaeda:1042064102, 04, Ingeniera
Elctrica, 6.