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Semiconductores Intrinsecos Exctrinsecos Tema-02 PDF
Semiconductores Intrinsecos Exctrinsecos Tema-02 PDF
Reig 05/06
– Introducción
– Densidad de Estados (DeE)
– Función de distribución de Fermi-Dirac
– Densidad de portadores en semiconductores intrínsecos.
Nivel de Fermi
– Semiconductores extrínsecos: tipo p y tipo n
– Densidad de portadores en semiconductores extrínsecos
– Nivel de Fermi en semiconductores extrínsecos
Introducción
Objetivo
Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco dopados
Motivo
Poder determinaran los comportamientos característicos tensión/corriente de los dispositivos
Esquema
Densidad de estados ⎫
⎪
× ⎬ ⇒ Densidad de portadores
Probabilidad de ocupación ⎪⎭
Densidad de estados
Definición
La densidad de estados es el número de
estados electrónicos posibles por unidad
de volumen y por unidad de energía.
En un metal (los electrones son libres):
3
π ⎛ 8m ⎞ 2
N (E ) = ⎜ ⎟ E [1]
2 ⎝ h2 ⎠ Apéndice C
K. Kano
N p (E ) = p
EV − E para E < EV [3]
2 ⎜⎝ h 2 ⎠⎟
Densidad de portadores
3
∞ ⎛ E − EF ⎞ ⎛ 2πm kT ⎞ ∗ 2
n = ∫ Nn (E ) ×fC (E ) dE = ... = NC exp⎜ − C ⎟ con NC = 2⎜⎜ ⎟⎟ n
[7]
⎝ kT ⎠ 2
EC
⎝ h ⎠
Densidad efectiva de estados
de la banda de conducción
3
⎛ EF − EV ⎞ ⎛ 2πm kT ⎞ ∗ 2
Semiconductores extrínsecos
Los semiconductores extrínsecos se forman añadiendo pequeñas cantidades de impurezas
a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento eléctrico al alterar la
densidad de portadores de carga libres.
Estas impurezas se llaman dopantes. Así, podemos hablar de semiconductores dopados.
En función del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n.
Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo p los de la III
II III IV V VI
p n
estados localizados
(cargas fijas)
ionización completa
estados localizados
(cargas fijas)
huecos
¡no generan
ionización completa electrones!
n0 = + ⎢⎜ ⎟ + ni ⎥
2
[17]
2 ⎣⎢⎝ 2 ⎠ ⎦⎥
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education
/semicon/fermi/levelAndDOS/index.html
Ejemplo
Sea una muestra de silicio a 300K.
a) Calcule la densidad de portadores intrínsecos.
b) Calcule la densidad de electrones y huecos si se dopa con fósforo en una
concentración de 1017 cm-3.
c) Calcule la posición de los niveles de Fermi intrínseco y extrínseco.
a) Utilizando la ecuación [9]:
Eg 1.12 eV
− − −6
ni2 = NC NV e kT
= 3.22 ⋅ 1019 cm − 3 × 1.83 ⋅ 1019 cm − 3 × e 86.2 ⋅10 µeV ⋅K -1 × 300K
→ ni ≅ 1010 cm − 3
= (10 cm − 3 )
2 10 2
n0 ≅ ND = 10 cm 17 -3
; p0 ≅ n i = 10 3 cm − 3
17 −3
ND 10 cm
c) El nivel de Fermi intrínseco se localizará en el
centro de la banda prohibida. El extrínseco: EC
n N
EF − Ei = kT ln 0 ≅ kT ln D EF
ni ni Ei 0.403 eV
−1 1017 E g= 1.12eV E g/2 = 0.56 eV
= 86.2 µeV ⋅ K × 300 K × ln 10 EV
10
17
10
= 0.025 eV × ln 10 = 0.403 eV
10
Tema 2: Semiconductores intrínsecos y extrínsecos 11/13
Electrónica de dispositivos Dr. C. Reig 05/06
En semiconductores extrínsecos:
n0 ⋅ p0 = ni2
semiconduc tor tipo n semiconduc tor tipo p
n N p N
EF − E i = kT ln 0 ≅ kT ln D E i − EF = kT ln 0 ≅ kT ln A
ni ni ni ni
ni2 ni2
n0 ≅ ND y p0 ≅ p0 ≅ N A y n0 ≅
ND NA
Tema 2: Semiconductores intrínsecos y extrínsecos 12/13
Electrónica de dispositivos Dr. C. Reig 05/06
Varias técnicas:
– Durante el crecimiento
– Difusión
– Implantación iónica
Estudiaremos:
– Aplicaciones
– Sistemas/métodos/tecnologías
– Teoría
– Ejemplos