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Modelo Del Gas de Electrones

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Conductividad eléctrica: Modelo de Drude* Modelo del gas de electrones

*
Rafael Ramón Rey González
rrreyg@unal.edu.co

* Basado en un gran número de presentaciones y archivos encontrados en internet.

Conductividad eléctrica: Modelo de Drude
Capítulo 1: Solid state Physics. Neil Ashcroft & N. David Mermin

Elementos metálicos

Conductividad en materiales
En todos los materiales la conducción de carga se realiza mediante "portadores de carga".
En los metales, los portadores son electrones En líquidos suele haber transporte de carga por iones de ambos signos En algunos sólidos también se produce transporte de carga por iones. Este proceso es generalmente de tipo intersticial como ocurre con iones Na+ y K+ en SiO2 y de oxígeno en ZrO2.

Conductividad eléctrica .

Modelo de Drude Interpretación clásica del fenómeno de transporte de carga en un sólido Drude desarrolló su modelo en 1900 de la conductividad eléctrica y térmica aplicando la teoría cinética de los gases .

. No sienten el campo generado por los iones. la interacción e-e es despreciable (gas ideal de electrones o aproximación de electrón independiente). Los electrones colisionan con los iones y defectos de la red La población de electrones está descrita por la estadística de Maxwell-Boltzmann. Los electrones están confinados en el metal.Hipótesis del modelo de Drude Los electrones se pueden mover casi libremente entre los átomos de la red.

Conductividad eléctrica El flujo de carga eléctrica en un material es el producto de: n número de portadores de carga por unidad de volumen (densidad) q carga eléctrica de cada uno μ movilidad de los portadores de carga j = nqμ ¿densidad electrónica? ¿velocidad de los portadores? .

Densidad de electrones n Z número de electrones de valencia ρm densidad A masa atómica Número de Avogadro (átomos/mol) * (ρm/A)* número de electrones que aporta cada átomo .

Densidades de electrónes libres .

entonces su valor medio está determinado por la equipartición de la energía 1 2 3 mv = k BT 2 2 y obedece a la distribución 3 r − E (v ) k BT ⎛ m r dn = f MB (v ) = N ⎜ ⎜ 2πk T dv B ⎝ ⎞ ⎟ e ⎟ ⎠ 2 .Velocidad de los electrones La velocidad de los electrones está determinada por la teoría de gases ideales.

τ Tiempo de relajación: Tiempo promedio entre colisiones υ velocidad media de los electrones Valores estimados λ Valores con una alta dependencia de la temperatura .Camino libre medio: distancia media recorrida entre colisiones.

La velocidad media de los electrones es nula. . <v >= 0.Movimiento en ausencia de campo eléctrico Ver simulación El movimiento es al azar lo que determina que no hay un desplazamiento efectivo en alguna dirección.

La velocidad media de los electrones en este caso es la velocidad de arrastre.Movimiento en presencia de campo eléctrico En este caso hay un desplazamiento efectivo en la dirección opuesta al campo eléctrico. generando un trasporte efectivo de carga El efecto global por las colisiones con la red es similar al roce viscoso d 2x v eE + = − 2 dt τ m . experimentado por cada electrón.

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Ley de Ohm A ΔV I ∞ V r r E = ρ⋅ j La inversa de la resistividad es la conductividad eléctrica y también es característica del material: Se define movilidad como el cociente de la velocidad de deriva con el campo aplicado .

en forma cualitativa. el fenómeno de la resistencia eléctrica Predice buenos valores para la conductividad .Aciertos del modelo de Drude Es consistente con la Ley de Ohm Explica.

Fallas del modelo de Drude .

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62 X 10 2 s ne τ 7 −1 −1 σ = neμ = = 2.42 X 10 Ω m m .Ejercicio Estimar la conductividad típica de un metal a 295 K suponiendo un camino libre medio de alrededor de 1 nm y un número de electrones de valencia de alrededor de 1029 m-3 Respuesta: 1 3 2 mvD = k BT 2 2 vD = 1.16 X 10 m s 5 −15 λ v= τ ⇒ τ = 8.

Efecto Hall clásico (1879) Objetivo: detectar posibles efectos de magnetoresistencia ρ = ρ (H ) hilo metálico r E jx = σ 0 E r H r E ? Resultado del experimento: nulo ρ = ρ0 = 1 / σ 0 ! .

Hall (1879)) Explicación del resultado nulo: r er r e r FL = − v × H = vHu y c c r H r r Fy = −eE y u y ++++++++++r ++ ++++++++++ + Fy Ey ________________________ r FL Ex En una situación estacionaria r r FL + Fy = 0 jx = σ 0 Ex ρ ( H ) = ρ0 . H.El efecto Hall clásico El experimento de Hall (E.

Hall (1879)) Voltaje y coeficiente Hall r H ++++++++++r ++ ++++++++++ + Fy Ey ________________________ r FL Ex como la fuerza total transversal es cero: r r FL + Fy = 0 e eE y = vH c Coeficiente Hall H Ey = jx nec Ey Voltaje transversal o Hall VH Acceso a la carga y concentración de portadores !!! 1 =− RH = α H = jx H nec . H.El efecto Hall clásico El experimento de Hall (E.

Efecto Hall: Experimentos −1 RH = ⎯H →∞ → ⎯ ⎯ HJ x nec Ey RH independiente de H para campos grandes (ωcτ >>1) eHτ ωcτ = mc .

Modelo del gas de electrones • • • Capítulo 1: Solid state Physics. David Mermin Capítulo 6: Solid-State Physics. Harald Ibach & Hans Lüth Capítulo 6: Introduction to Solid State Physics. Charles Kittel . An introduction to Principles of Materials Science. Neil Ashcroft & N.

Esto hace que el camino libre medio de los electrones del gas cuántico sea dos órdenes de magnitud más grande que el parámetro de red. la existencia de aislantes y por otro el signo positivo del coefficiente Hall observado en muchos metales. . en contra de las predicciones del modelo de Drude.Modelo de Sommerfield Es la versión cuántica del gas de electrones libres que incorpora el principio de exclusión de Pauli. A pesar de ello. La función de distribución clásica de Maxwell Boltzmann del modelo de Drude se reemplaza por la distribución de Fermi-Dirac en el modelo cuántico que introduce la energía de Fermi como la escala nueva de energía que domina las propiedades electronicas incluso a temperatura ambiente ya que es mucho mas pequeña que la temperatura de Fermi. este modelo todavía seguía sin explicar dos observaciones importantes. Por un lado. dando lugar al gas de electrones degenerado tal y como se realizó en el átomo.

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Condiciones de frontera: Paredes rigidas .

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Condiciones periódicas Las soluciones de la ecuación de onda son: .

y.z) es entero .El momento lineal es: Los posibles valores de k son: donde ni (i=x.

punto.Cada vector de onda. ocupa un volumen en el espacio k dado por Si hay N electrones entonces a T=0K .

Se debe cumplir que: La energía total del sistema en el estado fundamental es .

Encontrar la densidad de estados para un gas de electrones bidimensional y unidimensional .

Densidad de estados Para un cristal con dimensiones macroscópicas el espacio k se llena densamente. esto es: Como V ⎛ 2mE ⎞ N= 2⎜ 2 ⎟ 3π ⎝ h ⎠ 3 2 la densidad de estados es (3D): dN V ⎛ 2m ⎞ 1 2 D( E ) ≡ = E 2 ⎜ 2 ⎟ dE 2π ⎝ h ⎠ .

obtenemos: ET 3 = nE 5 F La presión es: 3 ∂E F 3 ⎛ 2 ⎛ dE ⎞ ⎞ = − n⎜ − P ≡ −⎜ EF ⎟ ⎟=− n 5 ∂V 5 ⎝ 3V ⎠ ⎝ dV ⎠ 2E P= 3V .Capacidad calorífica – calor específico Para T=0K ET = ∫ EF o E • D ( E )dE 3 = nK B T F 5 En el caso de un sistema 3D.

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¿Cómo podemos crear un gas de electrones 2D?. .

Nanoestructuras 200 Hilo cuántico 200 Pozo cuántico (a) (b) Punto cuántico 200 (c) Representación esquemática de las principales nanoestructuras desarrolladas usando materiales semiconductores .

Presentación Semiconductores de Lilia Meza .

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Puntos cuánticos Micrografía electrónica de barrido de un arreglo de puntos cuánticos en una estructura de InSb. Espejo Trabajo final . Modelo de un arreglo de puntos cuánticos C.

Heterouniones semiconductoras crecidas por MBE .

Gas de electrones bidimensional Silicon MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) n ≈1013cm−2 Heterouniones semiconductoras n ≈ 1011 cm −2 Superficie de Helio líquido n ≈ 109 cm −2 .

Springer) . Luth.MOSFET: Diagrama de bandas SiO2 5000 A Silicon MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) n ≈ 1011 − 1013 cm −2 conduction band energy gap εF oooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooo valence band p-Si εF Al situación de equilibrio (Consultar: “Solid State Physics”. H Ibach & H.

MOSFET: Variación de n mediante un potencial de “gate” SiO2 2D electron gas (inversion layer) gate conduction band energy gap valence band εF eVG p-Si Al .

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