PROBLEMAS BLOQUE IV

Problemas Tema 13

Conductividad eléctrica y materiales

conductores
Problema 1.- a) ¿Cuál será la función de Fermi para una energía kT por
debajo de la energía de Fermi?. b) Encontrar la temperatura a la cual
existe una probabilidad del 2% de que un estado con una energía 0’3 eV
por encima del nivel de Fermi esté ocupado por un electrón.

Dato: k= 8,62 x 10-5 eV/K

a)
1
F (E) = ( E − E F ) / kT
e +1

EF − kT − EF
E = EF − kT = −1
kT

1
F( E ) = −1= 0'73 ⇒ 73 %
e +1

b)
1 2 1
F (E) = ; =
e ( E − E F ) / kT +1 100 e ( E F + 0 '3− E F ) / kT + 1

1
0,02 = ⇒ 50 = e 0,3 / kT + 1 ⇒ 49 = e 0,3 / kT
e 0 , 3 / kT
+1

0,3
ln 49 = 0,3
ln e ⇒ 3,89182 =
kT
8,617 x10 −5.T

0,3
T= = 894,58º K = 621º C
3,3535 x10 − 4

1
Problema 2.- Suponiendo que todos los electrones de valencia
contribuyen a la corriente, calcule: a) la movilidad de un electrón de cobre
y b) la velocidad de deriva de los electrones en un alambre de cobre de 1
metro, al aplicar 10 V.
Datos: Cu (fcc) con a= 3,61 x 10-8 cm; σ = 5,98 x 105 Ω -1.cm –1;
e = 1,6 x 10-19 C)
La valencia del Cu es uno; por tanto, el número de electrones de valencia
es igual al número de átomos de Cu en el material.

a) Dado que el Cu presenta una estructura fcc, hay 4 átomos por celdilla
unidad.

(4át / c.u ) x(1 electrón / át )

n= −8 3
= 8,50 x10 22 cm − 3
(3,61x10 cm) / c.u

σ 5,98 x105
µ= = 22 −19
≈ 44 cm 2 / Ω.C = 44 cm 2 / V .s
n.e (8,50 x10 )(1,6 x10 )

b) El campo eléctrico es:

V 10
ε= = = 0,1V / cm
l 100

vd
µ= ⇒ vd = 44 x0,1 = 4,4 cm / s
ε
Problema 3.- Calcule la conductividad eléctrica del cobre puro a: a) 400º
C, y b) –100ºC.
Datos: ρ 25ºC = 1,67 x 10 –6 Ω.cm y α = 0,0039)

a) Tª = 400 ºC:

ρ = ρ0 (1 + α∆T ) = (1,67 x10−6 )[1 + 0,0039(400 − 25)] = 4,113x10−6 Ω.cm

1
σ= = 2,43 x105 Ω −1.cm −1
ρ
b) Tª = - 100 ºC:

ρ = ρ0 (1 + α∆T ) = (1,67 x10−6 )[1 + 0,0039(−100 − 25)] = 8,56 x10−7 Ω.cm

1
σ= = 11,68 x105 Ω −1.cm −1
ρ

2
Problema 4.- A temperatura ambiente, la conductividad eléctrica y la
movilidad electrónica para el aluminio son respectivamente 3,8 X 107
(Ω cm) -1 y 0,0012 m2/V·s. Calcular:
a) El número de electrones libres por m3 de aluminio a temperatura
ambiente.
b) El número de electrones libres por átomo de aluminio.

Datos: El aluminio cristaliza en el sistema FCC, con un parámetro de red

de 0,405 nm y tiene un peso atómico de 27.
La relación entre la movilidad y conductividad eléctrica es: σ = n· e · µ.

a)
σ = n.e.µ ⇒ 3,8 x10 7 (Ω.m) −1 = n ⋅ 1,6 x10 −19. 0,0012 m 2 / V .s
n = 1,98 x10 29 m −3

b) El volumen de la celdilla será:

Vceldilla = a 3 = (0,405 x10 −9 m) 3 = 6,643 x10 −29 m 3

Por lo que por celdilla tendremos los siguientes electrones libres:

6,643 x10 −29 m 3 ⋅ 1,98 x10 29 m −3 = 13,15 e −

Y al ser una celdilla FCC, que tiene 4 átomos por celdilla,

e − libres / átomo Al = 13,15 / 4 = 3,29

3
 Problemas Tema 14

Materiales y dispositivos semiconductores

Problema 1.- Calcular la resistividad eléctrica del silicio a 300 ºK.

Datos: n i = 1016 m-3; e = 1,60 x 10-19 C; µ n = 0,135 m2/(V·s), y

µ p = 0,048 m2/(V·s).

1 1 1
ρ = = = = 3,415 x10 3 Ω⋅m
σ ni ⋅ q ⋅ (µ n + µ p ) 1'6 ⋅10 ⋅ (0'135 + 0'048)
−3

Problema 2.- La resistividad eléctrica del silicio puro a temperatura

ambiente (300 K) es 3,415 x 103 Ω·m. Calcular la conductividad eléctrica
a 200 ºC (473 K).

Datos: E g del Si= 1,1 eV ; k = 8,62 x 10-5 eV/K.

En este problema usaremos la Ecuación:

− Eg
σ = σo exp
2kT

y obtendremos dos ecuaciones simultáneas:

− Eg
σ 473 = σ o exp
2kT473

− Eg
σ 300 = σo exp
2kT300

Dividiendo la primera ecuación entre la segunda para eliminar σ o ,

obtenemos
σ 473  − Eg Eg 
= exp  + 
σ 300  2kT473 2kT300 

σ 473  − 11
'  1 1 
= exp   − 
σ 300  2 ⋅ 8'62 ⋅ 10
−5
 473 300  

σ 473 σ 473
ln = 7'777 = e 7,777
σ 300 σ 300

σ 473 = σ 300 ( 2385) = 1

3'415 ⋅ 103
(2385) = 0.698 (Ω ⋅m )
−1

La conductividad eléctrica del silicio aumenta aproximadamente unas

2400 veces cuando la temperatura pasa de 27 a 200 ºC.
4
Problema 3.- A través de un cubo de Germanio de 10 mm de longitud de
arista, pasa una corriente de 5,6 mA cuando se aplica una diferencia de
potencial de 8,5 mV entre dos de sus caras paralelas. Suponiendo que los
portadores de carga son electrones con una movilidad de 0,41 m2 V-1s-1:
a) Calcular la densidad de portadores. b) Calcular el tiempo de relajación
si la masa efectiva del electrón en germanio es 0’12 m o , siendo m o la
masa del electrón libre (m o =9,11x 10-28 g).

Datos: e = 1,60 x 10-19 C

a)
I 5'6 ⋅10 −3
j = = = 56 A / m2
S (10 ⋅ 10 )
−3 2

v 8'5 ⋅ 10−3
ε = = = 0'85 V / m
x 10 ⋅ 10− 3
j 56
σ = = = 65'88 Ω −1 m −1
ε 0'85
σ 65'88
n = = = 1021 m − 3
e ⋅ µn (1'6 ⋅10 )⋅ 0'41
−19

b)
e ⋅τ µn ⋅ m*
µn = ⇒ τ =
m* e

0'41 ⋅ 012 ' ⋅ 10 −31

' ⋅ 911
τ = = 2'8 ⋅ 10 −13 s
' ⋅ 10 −19
16

Problema 4.- La conductividad eléctrica de un semiconductor es de 0,66

Ω-1·m-1. Si la relación entre las movilidades de electrones y huecos es de
20, siendo el número de electrones igual a 1019 m-3 y el de huecos igual a
1020 m-3, calcular las respectivas movilidades de huecos y electrones.

Dato: e = 1,60 x 10-19 C;

µn
= 20
µp

σ = σn + σ p = ( n ⋅ e ⋅ µn ) + (p⋅e⋅µ ) p

σ = σn +σ p = (n ⋅ e ⋅ 20 µ p ) + [p ⋅ e ⋅ µ ]
p =µ p .e (20 n + p )

σ 0'66
µp = = = 13'75 ⋅ 10− 3 m 2V −1s −1
e(20n + p ) 1'6 ⋅ 10 −19
(
20.1019 + 1020 )
µ n = 20µ p = 20 x 13'75 ⋅ 10−3 = 275 x 10-3 m 2V −1s −1
5
Problema 5.- Para el sodio se han determinado experimentalmente las
siguientes magnitudes:

Resistividad 4,7x10-8 Ω·m

Coeficiente de Hall - 2,5x10-10 m3·C-1
Longitud de onda crítica 210 nm
Densidad 971 Kg·m-3

Calcular:
a) La densidad de electrones.
b) El tiempo de relajación.
c) El número de electrones por átomo disponibles para la conducción.

Datos: e = 1,60 x 10-19 C; m*= m o =9,11x 10-28 g; Pat Na = 23

a)
1
RH =
n⋅e
1 1
n = = −10 = 2'5 ⋅ 10 28 m −3
RH ⋅ e 2'5 ⋅ 10 ' ⋅ 10 −19
⋅ 16
b)
e ⋅τ
µn =
m*
1
σ = n ⋅ e ⋅ µn =
ρ
1 1
µn = = = 188 m 2 ⋅ V −1 ⋅ s −1
n⋅e⋅ρ 2'5 ⋅ 10 ⋅1'6 ⋅ 10 −19 ⋅4'7 ⋅ 10 −8
28

µn ⋅ m* 188 ⋅ 9'11 ⋅ 10−31

τ = = = 1'07 ⋅ 10− 9 s
e 1'6 ⋅ 10−19
c)
NA = 6'023 ⋅ 10 23 atm. pesan 0'023 Kg.

nº atm. d ⋅NA 971 ⋅ 6'023 ⋅ 10 23

= = = 2'54 ⋅ 10 28 atm / m 3
m3 P.atm. 23 ⋅ 10 −3

n ºe − / m 3 n ºe − 2'5 ⋅ 10 28
= = ≈ 1 e − / atm.
n ºatm / m 3 n ºatm 2'54 ⋅ 10 28

6
Problema 6.- Un disco de silicio es dopado con 1021 átomos de
fósforo/m3. Suponga la total ionización de los átomos dopantes. Calcular:
a) La concentración de portadores mayoritarios.
b) La concentración de portadores minoritarios.
c) La resistividad eléctrica del silicio dopado a temperatura ambiente (300
K).
Datos: e = 1,60 x 10-19 C; n i (Si)=1,5 x 1016 m-3 ; µ n = 0,135 m2/(V·s);
µ p = 0,048 m2/(V·s)

Puesto que el dopado del silicio se realiza con fósforo, un elemento del
grupo V, el silicio dopado es del tipo n.

a)
nn = Nd = 10 21 m −3
b)

pn =
ni2
=
(1'5 ⋅10 )
16 2
= 2'25 ⋅1011 m −3
21
Nd 10
c)
1 1
ρ = = = 0'0463 Ω ⋅ m
e ⋅ µn ⋅ nn 1'6 ⋅ 10 −19
⋅ 0'135 ⋅ 1021

Problema 7.- Una oblea de silicio dopada con fósforo tiene una
resistividad eléctrica de 8,33 x 10-5 Ω·m a 27 ºC. Suponga que las
movilidades de los portadores de carga tienen valores constantes de
0,135 m2/(V·s) para los electrones y de 0,048 m2/(V·s) para los huecos.
a) ¿Cuál es la concentración de portadores mayoritarios (portadores por
m3) si se supone que la ionización es completa?.
b) ¿Cuál es la relación de átomos de fósforo a silicio en este material?.

Datos: e = 1,60 x 10-19 C; Pat Si = 28,08 g/mol; densidad Si= 2,33

g/cm3; N A = 6,023 x 1023 .

a) El fósforo produce un semiconductor de silicio de tipo n. Por tanto, la

movilidad de los portadores de carga se supone será la de los electrones
en el silicio a 300 K, que es de 0’1350 m2/(V·s). Así :
1
ρ =
nn ⋅ e ⋅ µn
1 1
nn = = = 5'56 ⋅ 1023 m − 3
ρ ⋅ e ⋅ µn −5 −19
8'33 ⋅ 10 ⋅ 1'6 ⋅ 10 ⋅ 0'135

b) Suponiendo que cada átomo de fósforo provee un portador de carga,

habrá 5’56·1023 átomos de fósforo/m3 en el material. Para calcular el
número átomos/m3 para el silicio puro, necesitamos conocer la densidad
del Si = 2’33 g/cm3, y su masa atómica= 28’08 g/mol.

7
 atomos Si N A ⋅ dm 6'023 ⋅ 10 23 ⋅ 2'33 ⋅ 10 6
= = = 5 ⋅ 10 28 atomos Si / m 3
m3 Ma 28'08

Así la relación de átomos de fósforo a silicio será:

5'56 x 10 23 atomos P / m3
= 111
' x 10 −5 atomos P / atomos Si
5,00 x 10 28 atomos Si / m 3

Problema 8.- Un semiconductor de silicio se dopa con 1,4 x1016 átomos

de boro/cm3 y 1,0 x 1016 átomos de fósforo/cm3 a 27 ºC. Suponiendo la
completa ionización de los átomos dopantes. Calcular:
a) Las concentraciones de los portadores mayoritarios y minoritarios.
b) Las movilidades de los electrones y de los huecos.
c) La resistividad eléctrica.
Datos: ni (Si) = 1,50 x 1010 cm-3

a) Concentración del portador mayoritario. La concentración neta de los

iones es igual a la concentración del ion aceptor menos la concentración
del ion donor. Así,

pp ≅ Na − Nd ≅ 14
' ⋅1016 atomos de B / cm 3 − 10
' ⋅1016 atomos de P / cm 3

pp ≅ Na ≅ 4'0 ⋅ 1015 cm − 3

Concentración del portador minoritario: Los electrones son los portadores

minoritarios. Así,

np
 n2 
=  i  =
(1'50 ⋅10 ) 10 2
= 5'6 ⋅ 104 cm − 3
 Na  4 ⋅ 1015

b) Movilidades de electrones y huecos. Para los electrones, usando la

concentración total de impurezas C T = 2’4·1016 iones/cm3 y la figura ⇒
µ n = 900 cm 2 / ( V ⋅ s) y para los huecos, usando C T = 2’4·1016 iones/cm3
y la figura ⇒ µ p = 300 cm 2 / ( V ⋅ s) .

8
 900

300

2,4 x 10 16

c) Resistividad eléctrica: El semiconductor dopado es de tipo p:

1 1
ρ = = −19 = 5'2 Ω ⋅ m
e ⋅ µ p ⋅ pp ' ⋅ 10 ⋅ 300 ⋅ 4'0 ⋅ 1015
16

Problema 9.- a) Calcular la conductividad eléctrica intrínseca del GaAs:

a) A temperatura ambiente (27 ºC); b) A 70 ºC; c) ¿Qué fracción de
corriente es transportada por los electrones en el GaAs intrínseco a
temperatura ambiente (27 ºC)?

Datos: e = 1,60 x 10-19 C; n i = 1,4 x 1012 m-3 ; µ n = 0,85 m2/(V·s);

µ p = 0,042 m2/(V·s); E g = 1,35 eV ; k = 8,62 x 10-5 eV/K.

a) σ a 27 º C

σ = ni ⋅ e ⋅ (µn + µ p ) = 1'4 ⋅ 1012 ⋅ 1'6 ⋅ 10−19 ⋅ (0'85 + 0'042) = 1'998 ⋅ 10−7 (Ω ⋅ m )−1

b) σ a 70 º C

− E g / 2 kT
σ = σoe
σ 343
=
[
exp − 1'35 / (2 ⋅ 8'62 ⋅ 10 −5 ⋅ 343) ]
σ 300 [
exp − 1'35 / (2 ⋅ 8'62 ⋅ 10 −5 ⋅ 300) ]
σ 343 = σ 300 e 3' 272 = 1'998 ⋅ 10 −7 ⋅ 26'364 = 5'267 ⋅ 10 −6 (Ω ⋅ m )−1
σn ni ⋅ e ⋅ µn 0'85
= = = 0'9529
σn + σ p ni ⋅ e ⋅ (µn + µ p ) 0'85 + 0'042

Un 95’3% de corriente es transportado por electrones

9
Problema 10.- Calcular el número de electrones de conducción por
átomo de aluminio si su coeficiente de Hall es de – 0,28 x10-10 m3C-1.

Datos: Al (FCC); Pat = 27; densidad = 2,7 g m-3; e = 1,60 x 10-19 C;

N A = 6,023 x 1023.

1 1
n = = = 2'232 ⋅ 10 29 1 / m 3
RH ⋅ e −10
0'28 ⋅ 10 ⋅ 1'6 ⋅ 10 −19

no ⋅ M a 4 ⋅ 27 ⋅ 10 −3
V = = = 6'63 ⋅ 10 − 29 m3
d ⋅NA 2700 ⋅ 6'0248 ⋅ 10 23

n ⋅V 2'23 ⋅ 10 29 ⋅ 6'63 ⋅ 10 −29

N = = = 3'7 e −
4 4

Problema 11.- Calcular el band gap de un material que sólo absorbe

fotones de longitud de onda inferior a 300 nm.
Datos: h = 6,623 x 10-34 J.s ; c = 3 x 108 m/s ; e = 1,60 x 10-19 C.;

c hc
Ve = hν = h ⇒ V = GAP =
λ λe

6'6 ⋅ 10 −34 ⋅ 3 ⋅ 10 8
V = = 4125
' eV
' ⋅ 10 −19 ⋅ 300 ⋅ 10 −9
16

Problema 12.- Calcular el número de átomos de Silicio por metro

cúbico. La densidad del silicio es 2,33 g/cm3, y su masa atómica de 28,08
g/mol.

Datos: N A = 6,023 x 1023.

atomos Si N A ⋅ dm 6'023 ⋅ 10 23 ⋅ 2'33 ⋅ 10 6

= = = 5 ⋅ 10 28 atomos / m 3
m3 Ma 28'08

10
Problema 13.- Calcular la resistividad de un substrato de silicio dopado
con 1018 at/cm3 de elemento dopante tipo donor a temperatura ambiente.

Resistividad eléctrica: El semiconductor dopado es de tipo n:

1 1
ρ = = = 2,1 x 10 −3 Ω ⋅ cm
nn ⋅ e ⋅ µ n −19
10 ⋅1'6 ⋅10 ⋅ 2976
18

Problema 14.- Calcular la resistividad de un sustrato de GaAs dopado

con 1018 at/cm3 de elemento dopante tipo aceptor, a temperatura
ambiente.

1 1
ρ = = = 0,033 Ω ⋅ cm
p⋅e⋅µp 1018 ⋅1'6 ⋅10 −19 ⋅189,39

11
Problema 15.- Calcular la resistividad a 350 K de un semiconductor
extrínseco tipo-n dopado con 10 16 at/cm3.

Dato: µ n = 868 cm2/V.s

1 1
ρ = = = 0,720 Ω ⋅ cm
n ⋅ e ⋅ µn 1016 ⋅1'6 ⋅10 −19 ⋅ 868

Problema 16.- Si la conductividad intrínseca de un semiconductor InSb

es de 2 x 104 (Ω ·m)-1 a temperatura ambiente, y de 4,6 x 104 (Ω ·m)-1 a
125°C, determinar su intervalo de energías prohibido (Eg) sabiendo que
responde a una ley logarítmica del tipo:

Dato: k = 8,62 x 10-5 eV/K.

Eg
ln 2.10 4
= C−
2 ⋅ 8,62 x 10 −5 ⋅ 298

Eg
ln 4,6 x 10 4
= C−
2 ⋅ 8,62 x 10 −5 ⋅ 398

Que resulta,
Eg
9,903 = C−
0,0514
Eg
10,736 = C−
0,0686

y operando:

C= 13,225 y Eg = 0,17 eV

12
Problema 17.- Un semiconductor de GaAs se dopa para conseguir un
valor de conductividad de 4,35 (Ω.cm)-1 a 300 K expresada por la
ecuación: σ = N. e. µ. Calcular el orden de dopado, así como el tipo de
semiconductor obtenido (N o P).

Dato: e = 1,60 x 10-19 C

σ
σ = N .e.µ ⇒ = N ⋅ µ = 2,72 x 1019 (v ⋅ s ⋅ cm) −1
e
En la gráfica obtenemos que si dopamos con una impureza aceptora (tipo
p) para un orden de dopado de 1017 cm-3, la movilidad eléctrica de los
huecos será 272 cm2/v.s.

Nunca puede obtenerse la conductividad deseada empleando un

dopante tipo n.

Solución: Orden de dopado ≅ 10 17 cm-3; SE tipo-p.

13
 Problemas Tema 15

Materiales aislantes y dieléctricos

Problema 1.- Se quiere fabricar un condensador que puede almacenar

una carga Q= 4x10-5 C a un potencial V= 104 V. Si la separación entre
placas d=0,02 cm. ¿Calcular el área de las placas en caca caso?.
a. Entre placas tenemos espacio vacío ε r =1.
b. Con polietileno entre placas ε r =2,26.
c. Con titanato de Bario entre placas ε r =3000.

Dato: ε 0 = 8,85 x 10-12 (F/m).

Resolución:

Q 4 • 10 −5
C= = = 4 • 10 − 9 ( C / V ) = 4 • 10 − 9 F
V 10 4

A A Cd 4 • 10 −9 F × 0,02cm
a). C =ε = ε 0ε r ⇒ A = = = 904 cm 2
d d ε 0ε r −14
8,85 • 10 F / cm

b). Cd 4 • 10 −9 F × 0,02cm
A= = = 400 cm 2
ε 0ε r 8,85 • 10 −14 F / cm • 2,26

c). Cd 4 • 10 −9 F × 0,02cm
A= = = 0,3 cm 2
ε 0ε r 8,85 • 10 −14 F / cm • 3000

14
Problema 2.- Si el desplazamiento promedio de los electrones con
respecto al núcleo en un átomo de Cu es de d=1,18 x 10-8 Amstrong (1
Amstrong = 10-10m), cuando se aplica un campo eléctrico a una placa de
Cu. Calcular su polarización.
Datos: Z Cu =29; a = 3,615 Amstrong.

Resolución:
Como no tenemos iones ni moléculas, solamente existirá polarización
electrónica (Pe).
Pe / at Cu = Z • q • d

P=
∑µ
Volumen

Volumen de la celdilla unidad, cubo ⇒ V=a3=(3,615 x10-10)3 m3. El Cobre

tiene una estructura FCC, los átomos estarán situados en los vértices y en
los centros de las caras de la celdilla unidad.

nºat/c.unidad=8×(1/8)+6×(1/2)=4

4Z • q • d
P=
a3
4 × 29
P= • 1,6 × 10 −19 • 1,18 × 10 −18 = 4,65 x 10 −7 C / m 2 = Pe
(3,615 •10 ) −10 3

Problema 3.- La Polarización iónica (P I ) observada en un cristal de NaCl

es de 4,3 x 10-8 C/m2. Calcular el desplazamiento entre lo iones de Na+ y
Cl- sabiendo que la arista de la celdilla unidad es de 5,5 Amstrong y que
tenemos 4 átomos(iones) de Na+/c.unidad.

Resolución:

n º c arg as 4 × 1 carga por ion de Na +

Z= = = 2,4 × 10 28 cargas / m 3
Volumen (
5,5 × 10 −10
3
)
PI 4,3 × 10 −8
PI = Z • q • d ⇒ d = = −19
= 11,2 × 10 −18 = 11,2 • 10 −8 Amstrong .
Z • q 2,4 × 10 • 1,6 × 10
28

15
Problema 4-. Calcular la máxima polarización por unidad de volumen y la
carga máxima que se puede almacenar por cm2 para el BaTiO 3 ,
conociendo los desplazamientos y las aristas de la celdilla unidad.

Resolución:

nº de cargas / unidad volumen ?

Tenemos 3 iones distintos con 3 desplazamientos diferentes.

¿Cuantos de los distintos iones tenemos en la c.u.?

at Ba2+ / c.u. = 8/8 =1

El átomo de Ba2+ no contribuye, no se mueve, los dipolos son debidos a

Ti4+ y a O2-.

at Ti4+ / c.u. =1 ; tienen desplazamiento 0,06 Å.

at O2- / c.u. = 6/2 =3. No todos estos oxígenos son iguales. Tienen
distintos desplazamientos:

Los que están situados por arriba y por debajo del plano:

at O2- (1) / c.u. = 2/2 =1, tienen desplazamiento 0,06 Å.

Los que están situados en los laterales, en el mismo plano horizontal

con el Ti4+

at O2- (2) / c.u. = 4/2 =2, tienen desplazamiento 0,09 Å.

Cargas que nos proporcionan cada tipo de iones:

nº c arg as 1at × 4c arg as

P = ×q×d = × 1,6 × 10 −19 • 0,06 × 10 −10 = 0,06015 C / cm 2
Debida a Ti 4+ Vol c.u. 4,03 × 10 • 3,98 × 10 −10 • 3,98 × 10 −10
−10

nº c arg as 1at × 2c arg as

PO 2− (1) = ×q×d = −10 −10 −10
× 1,6 × 10−19 • 0,06 × 10−10 = 0,03 C / m 2
Vol.c.u. 4,03 × 10 • 3,98 × 10 • 3,98 × 10

nº c arg as 2at × 2c arg as

PO2− ( 2) = ×q×d = × 1,6 × 10 −19 C × 0,09 × 10 −10 m = 0,09 C / m 2
Vol.c.u. 4,03 × 10 • 3,98 × 10 −10 • 3,98 × 10 −10
−10

PT = PTi + PO1 + PO2 = 0,18015 C / m 2 = 1,8015 × 10 −5 C / cm 2

Qmax = PT • A = 1,8015 × 10 −5 • 12 = 1,8015 × 10 −5 C

16
 Problemas Tema 16

Propiedades magnéticas

Problema 1.- Calcular el valor teórico para la M s (A/m) y la B s (T) para

el hierro puro, suponiendo que todos los momentos magnéticos debidos a
los 4 electrones desapareados 3d del hierro, están alineados en presencia
de un campo magnético.
Utilizar B s = µ o M s , asumiendo que µ o H es despreciable. El hierro tiene
una celdilla unidad cúbica centrada en el cuerpo con una constante de red
a = 0’287 nm.

Datos: µ 0 =4π x 10-7 T⋅ m/A; 1 MB = 9,27 x 10-24 A.m2

El momento magnético de un átomo de hierro se asume que tiene cuatro

magnetones de Bohr. De este modo:

 2 atomos 

 Celdilla unidad   4 magnetones de Bohr   9'27 ⋅ 10 − 24 A ⋅ m 2 
Ms =  3     
 ( 2'87 ⋅ 10 m)     Magneton de Bohr 
−10 Atomo
 
 Celdilla unidad 

 0'085 ⋅ 10 30 
= 
 m3


( 4) ( 9'27 ⋅ 10 − 24
A ⋅ m 2 ) = 315
' ⋅ 10 6 A / m

Bs ≈ µo M s ≈ 4 ⋅ π ⋅ 10 −7 ⋅ 315
' ⋅ 10 6 ≈ 396
' T

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Problema 2.- El Fe (bcc) tiene una magnetización de saturación Ms=
3,15 x 106 A/m. ¿Cuál es el número promedio de MB/at (magnetones de
Böhr por átomo) que contribuye a esa magnetización?.

Datos: a = 0,287 nm; 1 MB = 9,27 x 10-24 A.m2

La magnetización por saturación M s en amperios por metro puede ser

calculada por la ecuación siguiente:

 Atomos   N µ B magnetones de Bohr   9'27 ⋅ 10 −24 A ⋅ m 2 

Ms =      
 m3   Atomo   Magneton de Bohr 

= respuesta en ( A / m)

( nº de atomos / m )
2 atomos / BCC celda unidad
Densidad atomica 3
=
( 2'87 ⋅ 10 −10
m) / celda unidad
3

= 8'46 ⋅ 10 28 atomos / m 3

Nosotros reordenaremos esa ecuación y la utilizaremos para resolver Nµ B .

Tras sustituir los valores de M s , la densidad atómica y µ B , podemos
calcular el valor de Nµ B .

Ms 3'15 ⋅ 10 6 A / m
Nµ B = =
( )
Atomos / m 3 (µ B ) ( )(
8'46 ⋅ 10 28 atomos / m 3 9'27 ⋅ 10 − 24 A ⋅ m 2 )
Nµ B = 4 µ B / atomo

Problema 3.- Calcular el valor numérico del magnetón de Böhr utilizando

la relación: 1 MB = eh/4πm.

Datos: e=1,6 x 10-19 C; m = 9,11 x 10-31 Kg; h = 6,63 x 1034 J⋅ s

e⋅h ' ⋅ 10 −19 ⋅ 6'63 ⋅ 10 34

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µB = = = 9'27 ⋅ 10 − 24 C ⋅ J ⋅ s / kg
4⋅π ⋅ m 4 ⋅ π ⋅ 911
' ⋅ 10 −31

µB = 9'27 ⋅ 10 −24 A ⋅ m2

Las unidades son consistentes, como se indica a continuación:

C⋅J ⋅s ( A ⋅ s) ( N ⋅ m) ( s) A ⋅ s ⋅ ( kg ⋅ m ⋅ m)
= = ⋅ s = A ⋅ m2
kg kg kg ⋅ s 2

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Problema 4.- Calcular la magnetización de saturación teórica y la
inducción de saturación para la magnetita FeO⋅Fe 2 O 3 , si la constante de
red de esta ferrita es de 0,839 nm.

Datos: La magnetita presenta una estructura de espinela inversa.

Utilizar B s = µ o M s , asumiendo que µ o H es despreciable
1 MB = 9,27 x 10-24 A.m2

El momento magnético de una molécula de FeO⋅Fe 2 O 3 es debido a los 4

magnetones de Böhr del ion Fe2+, ya que los electrones desapareados de
los iones Fe3+ se cancelan unos a otro. Como hay ocho moléculas de
FeO⋅Fe 2 O 3 en una celda unidad, el momento total por celda es:

4 magnetones de Bohr 8 subceldas 32 magnetones de Bohr

=
subcelda celda unidad celda unidad

Entonces

 32 Magnetones de Bohr / celda   9'27 ⋅ 10 − 24 A ⋅ m 2 

M =     = 5'0 ⋅ 10 5 A/ m
 ( 8'39 × 10 −10 m) / celda unidad   Magneton de Bohr 
3
 

B s en la saturación, asumiendo que todos los momentos están alineados,

y despreciando los términos H, viene dado por la ecuación B s ≈ µ o M.

 4π × 10 −7 T ⋅ m  5'0 × 10 5 A
Bs ≈ µ0 M ≈     = 0'63 T
 A   m 

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