FUNDACIÓN UNIVERSITARIA SAN GIL – UNISANGIL

TRABAJO PRE- PREPARCIAL 2

1. Se considera la unión abrupta PN en una barra de un monocristal de Silicio

con: Nd = 2*1022 m-3 y Na = 6*1024 m-3, ni = 1,8*1019 m-3. Ɛ`= 10 y el área de la
sección recta de la barra es A= 0,5 mm2. Determinar a 400 K:
a. La diferencia de potencial de barrera V0
b. la diferencia entre Ei y EF en la región n y en la región P.
c. Hacer una gráfica aproximada del ejercicio anterior.
d. La anchura de W.
e. La posición –Xp y Xn de las zonas P y N respectivamente.
f. Las cargas contenidas en la barrera Q+ y Q-.
g. El campo eléctrico máximo en la unión., Eo

2. En una unión PN de un semiconductor ni=2*1020m-3, Ɛ`=12. En la siguiente

tabla se relacionan las conductividades y movilidades de las dos regiones del
semiconductor. La sección recta del diodo es A=1,7 mm2

P N
Conductividad σ 6*102 (Ω.m)-1 3*104 (Ω.m)-1
Movilidad μ 0,15 m2/V.S 0,25 m2/V.S

Encontrar:
a. El potencial de contacto
b. La capacidad de transición

3. A temperatura ambiente en un semiconductor se conocen los siguientes

parámetros:
EVP = 0
ECP = 40 kT
EFN – Ein = 10kT
Eip – EFP = 7kT
W = 5 μm

a. Dibujar el diagrama de bandas.

b. Calcular Vo
c. Calcular el Campo Ei

4. Con un semiconductor de ni = 1.5*1016 m-3, EG = 60 kT, se realizó una unión

p+-n no polarizada (Na = 3*1022 m-3, Nd = 4*1021 m-3) a 300ºK.

a. Dibujar el diagrama de bandas (en unidades kT).

5. Calcular Is del Diodo y la Resistencia del Diodo si se trabaja con

polarización inversa.

6. Determinar la Intensidad que recorre el circuito si se trabaja con un diodo

de Silicio y de Germanio. Compare los resultados y concluya por qué puede
suceder esto.
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7. Determinar la corriente del diodo ID, y el voltaje, si un diodo es

caracterizado con la siguiente gráfica, usando el circuito del ítem anterior con
un VS= 1V y la resistencia de carga de 4kΩ. Las coordenadas están dadas ID
en mA y VD en V.

8. Calcular la capacitancia que es necesaria conectar al circuito para que se

obtenga en Vout una señal de salida rectificada con rizado inferior al 3 %
respecto a una señal continúa ideal. Datos: Vint = A sen wt, f = 60 Hz, R = 200
K