UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Fundada en 1551
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA

“INFORME FINAL DE
CONFIGURACIÓN DARLINGTON”

INTEGRANTE

Rojas Carbajal Yury Michael - 15190173

PROFESOR
Ing. Ponce

CURSO
Laboratorio de Circuitos Electrónicos 2

Lima - Perú
2017
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

1) TEMA: Configuración Darlington

2) OBJETIVOS:

 Comprender el uso de la configuración Darlington y sus aplicaciones.

 Determinar las características de un amplificador de corriente.

3) MARCO TEORICO:

Transistor Darlington

Estructura interna, configuración de patillas, ganancia de corriente

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente.
Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Ver la figura.
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
La ecuación de ganancia de un transistor típico es: IE= β x IB (Corriente de colector es igual a beta por la
corriente de base).
Entonces analizando el gráfico:

Reemplazando en la ecuación anterior el valor de IE1 (ver ecuación (1)) se obtiene la ecuación final de
ganancia del transistor Darlington.

Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un transistor
corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (la ganancias se multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (β = 100) conectados como un transistor Darlington y
se utilizara la fórmula anterior, la ganancia sería, en teoría: β2 x β1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es
una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.

1
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy
pequeñas.
Muy importante:
La caída de tensión entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta de la
suma de las caídas de tensión de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a
emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente
y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma
configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores
individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un
mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse
fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones
base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par Darlington se
halla multiplicando las de los transistores individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando la
intensidad de la base por la beta total.

Si β1 y β2son suficientemente grandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicación aproximada de la base-emisor de tensión. Ya que hay dos uniones

entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de
ambas tensiones base-emisor:

Para la tecnología basada en silicio, en la que cada VBEi es de aproximadamente 0,65 V cuando el
dispositivo está funcionando en la región activa o saturada, la tensión base-emisor necesaria de la pareja
es de 1,4 V.
Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensión de saturación. El transistor de salida
no puede saturarse (es decir, su unión base-colector debe permanecer polarizada en inversa), ya que su
tensión colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensión base-emisor y la tensión colector-
emisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal. (En
ecuaciones, , así siempre.) Por lo tanto, la tensión de
saturación de un transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio) más alto que la tensión de
saturación de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector
iguales, este inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington
comparado con un único transistor.

2
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

4) INSTRUMENTOS:

 Transistor 2N2222 y Protoboard

 Condensador y Resistencias

 Multitester y Osciloscopio

 Generador de Señales y Fuente DC

3
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

5) PROCEDIMIENTO:
Compare sus datos teóricos con los obtenidos en la experiencia

DATOS TEORICOS:
ANALISIS EN CC

De la figura anterior se tiene lo siguiente:

(7.5𝐾)(12𝐾)
𝑅𝐵𝐵 = (𝑅1||𝑅2) + 𝑅3 = + 100𝐾 = 104.6𝐾
7.5𝐾 + 12𝐾
𝑅2 × 𝑉𝐶𝐶 12𝐾
𝑉𝐵𝐵 = = 15 × = 9.23𝑉
𝑅1 + 𝑅2 7.5𝐾 + 12𝐾
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵2 𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸2 + 𝐼𝐸2 𝑅𝐸
𝐼𝐶1
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅 + 2𝑉𝐵𝐸2 + 𝐼𝐶2 𝑅𝐸
𝛽1 𝐵𝐵
𝐼𝐵2
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅 + 2𝑉𝐵𝐸2 + 𝐼𝐶2 𝑅𝐸
𝛽1 𝐵𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 2𝑉𝐵𝐸2 9.23 − 2(0.7)
𝐼𝐶2 = 𝑅𝐵𝐵 = 104.6𝐾 = 5.18𝑚𝐴
𝛽1𝛽2
+ 𝑅𝐸 (100)(100)
+ 1.5𝐾

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸2 + 𝐼𝐶2 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸2 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶2 𝑅𝐸 = 15 − (5.18𝑚)(1.5𝐾) = 7.23𝑉
𝐼𝐶2 5.18𝑚
𝐼𝐶1 = = = 5.18𝜇𝐴
𝛽2 100
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸2 + 𝐼𝐸2 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸1 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸2 − 𝐼𝐶2 𝑅𝐸 = 15 − 0.7 − (5.18𝑚)(1.5𝐾) = 6.53𝑉

4
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

ANALISIS EN AC:

De la figura anterior:

𝑖𝐸1 = 𝑖𝑏1 + 𝑖𝑐1 = 𝑖𝑏1 + 𝛽𝑖𝑏1 (𝛽 + 1)𝑖𝑏1

𝑖𝐸1 ≅ 𝑖𝑐1 ≅ 𝛽𝑖𝑏1
𝑖𝐸2 ≅ 𝑖𝑐2 ≅ 𝛽𝑖𝑏2
Hallando re1 y re2:
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉 26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒1 = = = 𝐼𝐶2 = 𝛽2.
𝐼𝐶1 𝐼𝐵2 𝐼𝐶2
𝛽2

𝑟𝑒1 = 𝛽2. 𝑟𝑒2 = 847

𝑟𝑒2 = 4.99 ≅ 5
Encontrando la relación 𝑖3 a 𝑖𝑏1

𝑖3 𝑅3 = 𝑖𝑏1 𝑟𝑒1 𝛽1 + 𝑖𝑏2 𝑟𝑒2 𝛽2

𝑖3 𝑅3 = 𝑖𝑏1 𝛽2. 𝑟𝑒2 𝛽1 + 𝑖𝑏2 𝑟𝑒2 𝛽2
𝑖3 𝑅3 = 2𝑖𝑏1 𝑟𝑒2 𝛽2𝛽1
2𝑖𝑏1 𝑟𝑒2 𝛽2𝛽1
𝑖3 =
𝑅3
Hallando 𝑖𝑓 :

𝑖𝑓 = 𝑖3 + 𝑖𝑏1

2𝑖𝑏1 𝑟𝑒2 𝛽2𝛽1

𝑖𝑓 = + 𝑖𝑏1
𝑅3
2𝑟𝑒2 𝛽2𝛽1
𝑖𝑓 = 𝑖𝑏1 ( + 1)
𝑅3

5
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

2𝑟𝑒2 1
𝑖𝑓 = 𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1 ( + )
𝑅3 𝛽2𝛽1
Hay que tomar en cuenta que:
2𝑖𝑏1 𝑟𝑒2 𝛽2𝛽1
𝑖3 + 𝑖𝑐2 = + 𝑖𝑏2 𝛽2
𝑅3
2𝑖𝑏1 𝑟𝑒2 𝛽2𝛽1
𝑖3 + 𝑖𝑐2 = + 𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1
𝑅3
2𝑟𝑒2
𝑖3 + 𝑖𝑐2 = 𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1 ( + 1)
𝑅3
El voltaje de entrada Vg es:

𝑉𝑔 = 𝑖𝑓 𝑅𝑓 + 𝑖𝑏1 𝑟𝑒1 𝛽1 + 𝑖𝑏2 𝑟𝑒2 𝛽2 + (𝑖3 + 𝑖𝑐2 )(𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )

𝑉𝑔 = 𝑖𝑓 𝑅𝑓 + 𝑖𝑏1 𝑟𝑒1 𝛽1 + 𝑖𝑏1 𝛽1𝑟𝑒2 𝛽2 + (𝑖3 + 𝑖𝑐2 )(𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )

2𝑟𝑒2 1 2𝑟𝑒2
𝑉𝑔 = (𝑖𝑏1 𝛽1𝛽2 ( + )) 𝑅𝑓 + 2𝑖𝑏1 𝛽1𝑟𝑒2 𝛽2 + (𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1 ( + 1)) (𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑅3 𝛽1𝛽2 𝑅3

2𝑟𝑒2 1 2𝑟𝑒2
𝑉𝑔 = 𝑖𝑏1 𝛽1𝛽2 [( + ) 𝑅𝑓 + 2𝑟𝑒2 + ( + 1) (𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )]
𝑅3 𝛽1𝛽2 𝑅3
Hallando la impedancia de entrada Zi:
𝑒2 2𝑟 1 𝑒2 2𝑟
𝑉𝑔 𝑖𝑏1 𝛽1𝛽2 [( 𝑅3 + 𝛽1𝛽2) 𝑅𝑓 + 2𝑟𝑒2 + ( 𝑅3 + 1) (𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )]
𝑍𝑖 = = 2𝑟 1
𝑖𝑓 𝑖 𝛽2𝛽1 ( 𝑒2 + )
𝑏1 𝑅3 𝛽2𝛽1

1 1
1 + (𝑅3 + 2𝑟 ) (𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑒2
𝑍𝑖 = 𝑅𝑓 + 1 1
(𝑅3 + 2𝑟 )
𝑒2 𝛽2𝛽1

𝒁𝒊 = 𝟕. 𝟐𝟔𝑴
Hallando 𝑖𝑂

(𝑖3 + 𝑖𝑐2 )(𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 )

𝑖𝑂 =
(𝑅2 + 𝑅1 + 𝑅𝐸 + 𝑅𝐿 )

(𝑖3 + 𝑖𝑐2 )(𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 )𝑅𝐿 (𝑖3 + 𝑖𝑐2 )(𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )

𝑖𝑂 = =
(𝑅2 + 𝑅1 + 𝑅𝐸 + 𝑅𝐿 )𝑅𝐿 (𝑅2 + 𝑅1 + 𝑅𝐸 )𝑅𝐿
2𝑟
𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1 ( 𝑅3𝑒2 + 1) (𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑖𝑂 =
(𝑅2 + 𝑅1 + 𝑅𝐸 )𝑅𝐿

El voltaje de salida es:

𝑉𝑂 = 𝑖𝑂 𝑅𝐿
2𝑟
𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1 ( 𝑅3𝑒2 + 1) (𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑉𝑂 = × 𝑅𝐿
(𝑅2 + 𝑅1 + 𝑅𝐸 )𝑅𝐿
6
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

2𝑟𝑒2
𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1 ( + 1) (𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑅3
𝑉𝑂 =
(𝑅2 + 𝑅1 + 𝑅𝐸 )

La ganancia de voltaje
2𝑟
𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1( 𝑒2+1)(𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑅3
𝑉𝑂 (𝑅2+𝑅1+𝑅𝐸 )
𝐴𝑉 = = 2𝑟 1 2𝑟
𝑉𝑔 𝑖𝑏1 𝛽1𝛽2 [( 𝑒2 + ) 𝑅𝑓 + 2𝑟𝑒2 + ( 𝑒2 + 1) (𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )]
𝑅3 𝛽1𝛽2 𝑅3

1
𝐴𝑉 = 1 1
( + )𝑅 +1
𝑅3 2𝑟𝑒2 𝛽1𝛽2 𝑓
(𝑅2 + 𝑅1 + 𝑅𝐸 ) [ 1 1 + 1]
( + )(𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑅3 2𝑟𝑒2

𝑨𝑽 = 𝟎. 𝟗𝟗
Hallando la ganancia de corriente
2𝑟
𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1( 𝑒2+1)(𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑅3
𝑖𝑂 (𝑅2+𝑅1+𝑅𝐸 )𝑅𝐿
𝐴𝑖 = = 2𝑟 1
𝑖𝑓 𝑖𝑏1 𝛽2𝛽1 ( 𝑒2 + )
𝑅3 𝛽2𝛽1

2𝑟
( 𝑅3𝑒2 + 1) (𝑅2||𝑅1||𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑖 = 2𝑟𝑒2 1
(𝑅2 + 𝑅1 + 𝑅𝐸 )𝑅𝐿 ( + )
𝑅3 𝛽2𝛽1

𝑨𝒊 = 𝟓𝟗𝟖. 𝟕
Para la impedancia de salida Zo

Graficando nuevamente el circuito, colocando una fuente Vo en la salida, haciendo corto en Vg y

retirando RL

Tendríamos:
𝑉𝑂 𝑉𝑂 − 𝑉2 𝑉𝑂 − 𝑉1
𝑖𝑜 = − 𝑖𝑏2 𝛽2 + +
𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸 𝑟𝑒2 𝛽2 𝑅3
𝑉𝑂 𝑉𝑂 − 𝑉2 𝑉𝑂 − 𝑉2 𝑉𝑂 − 𝑉1
𝑖𝑜 = + 𝛽2 + +
𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸 𝑟𝑒2 𝛽2 𝑟𝑒2 𝛽2 𝑅3
7
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

𝑉𝑂 𝑉𝑂 − 𝑉2 1 𝑉𝑂 − 𝑉1
𝑖𝑜 = + (1 + ) +
𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸 𝑟𝑒2 𝛽2 𝑅3
1 1 1 𝑉2 𝑉1
𝑖𝑜 ≅ ( + + ) 𝑉𝑂 + −
𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸 𝑟𝑒2 𝑅3 𝑟𝑒2 𝑅3

𝑉𝑂 − 𝑉2 𝑉𝑂 − 𝑉1 𝑉2 − 𝑉𝑂 𝑉2 − 𝑉1
𝑖𝑏1 𝛽1 = + = +
𝑟𝑒2 𝛽2 𝑟𝑒1 𝛽1 𝑟𝑒2 𝛽2 𝑟𝑒1 𝛽1𝛽2
𝑉2 − 𝑉1 𝑉2 1 𝑉𝑂 𝑉1
𝛽1 = (1 + ) − −
𝑟𝑒1 𝛽1 𝑟𝑒2 𝛽2 𝛽1 𝑟𝑒2 𝛽1𝛽2 𝑟𝑒2 𝛽1𝛽2
𝑉2 − 𝑉1 𝑉2 𝑉𝑂 𝑉1
≅ − −
𝑟𝑒1 𝛽2 𝑟𝑒1 𝛽2 𝑟𝑒2 𝛽1𝛽2 𝑟𝑒2 𝛽1𝛽2
1 1 𝑉𝑂
𝑉2 = (𝑉1 (1 + ) + )
2 𝛽1 𝛽1
1 𝑉𝑂
𝑉2 ≅ (𝑉1 + )
2 𝛽1
𝑉1 𝑉1 − 𝑉2 𝑉1 − 𝑉𝑂
+ + =0
𝑅𝑓 𝑟𝑒1 𝛽1 𝑅3

1 1 1 𝑉2 𝑉𝑂
( + + ) 𝑉1 − =
𝑅𝑓 𝑟𝑒1 𝛽1 𝑅3 𝑟𝑒1 𝛽1 𝑅3

1 1 1 𝑉2 1 𝑉𝑂 𝑉𝑂
( + + ) 𝑉1 − (𝑉1 + ) =
𝑅𝑓 𝑟𝑒1 𝛽1 𝑅3 𝑟𝑒2 𝛽1𝛽2 2 𝛽1 𝑅3

1 1 1 1 1
( + + ) 𝑉1 = 𝑉𝑂 ( − )
𝑅𝑓 2𝑟𝑒2 𝛽1𝛽2 𝑅3 𝑅3 𝛽1
1 1 1 𝑉𝑂 𝑉2 𝑉1
𝑖𝑜 = ( + + ) 𝑉𝑂 − (𝑉1 + ) −
𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸 𝑟𝑒2 𝑅3 𝛽1 2𝑟𝑒2 𝑅3
1 1
1 1 1 1 𝑉𝑂 (𝑅3 − 𝛽1)
𝑖𝑜 ≅ ( + + − ) 𝑉𝑂 −
𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸 𝑟𝑒2 𝑅3 2𝑟𝑒2 𝛽1 1 1 1
(𝑅 + 2𝑟 𝛽1𝛽2 + 𝑅3)
𝑓 𝑒2

1 1
𝑖𝑜 1 1 1 1 (𝑅3 − 𝛽1)
= + + − −
𝑉𝑂 𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸 𝑟𝑒2 𝑅3 2𝑟𝑒2 𝛽1 ( 1 + 1 1
+ 𝑅3)
𝑅 2𝑟 𝛽1𝛽2 𝑓 𝑒2

1
𝑍𝑂 = 1 1
1 1 1 1 ( − )
𝑅3 𝛽1
𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸
+ 𝑟𝑒2
+ 𝑅3
− 2𝑟 𝛽1 −
𝑒2 1 1 1
(𝑅 +2𝑟 𝛽1𝛽2+𝑅3)
𝑓 𝑒2

1
𝑍𝑂 ≅ 1 1
1 1 1 ( − )
𝑅3 𝛽1
𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸
+ 𝑟 + 𝑅3 −
𝑒2 1 1 1
(𝑅 +2𝑟 𝛽1𝛽2+𝑅3)
𝑓 𝑒2

𝒁𝑶 = 𝟎. 𝟕

8
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

DATOS EXPERIMENTALES:
PUNTOS DE REPOSO:

𝑽𝑨 = 𝟗. 𝟒𝟕𝑽 𝑽𝑩 = 𝟗. 𝟓𝟖𝑽 𝑽𝑪 = 𝟖. 𝟑𝟗𝑽 𝑽𝑪𝑪 = 𝟏𝟓𝑽

𝑽𝒄𝒆𝟏 = 𝟔. 𝟑𝟖𝑽 𝑽𝒄𝒆𝟐 = 𝟕. 𝟎𝟒𝑽

GANANCIAS:

𝑽𝑶 𝟏. 𝟑𝟗𝟒𝑽 𝒊𝑶 𝟏𝟏𝟔. 𝟐𝟏𝟐𝝁

𝑨𝑽 = = = 𝟎. 𝟗𝟖𝟔 𝑨𝒊 = = = 𝟒𝟔𝟏. 𝟏𝟕
𝑽𝒈 𝟏. 𝟒𝟏𝟒𝑽 𝒊𝒇 𝟐𝟓𝟓. 𝟔𝟕𝟖𝒏

IMPEDANCIA DE ENTRADA:

𝑽𝒈
𝒁𝒊 = = 𝟓. 𝟓𝟑𝑴
𝒊𝒇

Con el potenciómetro de 10k mida la impedancia de salida mediante el método de máxima

transferencia de potencia.

𝒁𝑶 = 𝟏𝒌

ANCHO DE BANDA:

𝒇𝑳 = 𝟗𝑯𝒛 𝑩𝑾 = 𝟐𝟎𝟎𝒌𝑯𝒛 − 𝟗𝑯𝒛 = 𝟏𝟗𝟗𝟗𝟗𝟏𝑯𝒛

𝒇𝑯 = 𝟐𝟎𝟎𝒌𝑯𝒛

El voltaje pico que obtuvimos fue de 2.8v por lo que se tomo el 70%.

Las frecuencias 𝑓𝐿 y 𝑓𝐻 se obtuvieron cuando la señal de entrada estaba en 1.96V.

1. Dibuje algunos esquemas prácticos en donde se encuentra la configuración Darlington.

 Circuito indicador contaminación agua mediante Par de Darlington

A continuación veremos el funcionamiento de un circuito indicador de la contaminación. Cuando el LDR
está a oscuras (en agua contaminada) su resistencia es alta. La corriente que circula por la base es
insuficiente para encender el transistor, y la bombilla del indicador se apaga. Sin embargo en agua
menos contaminada, la resistencia LDR disminuye. Esto permite que circule la suficiente corriente de
base para activar el transistor. La corriente del colector del transistor pasa por la bambilla del indicador
haciendo que se encienda.

9
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

Si al indicador de contaminación estudiado anteriormente le ponemos un Par de Darlington, ahora el

circuito sería mucho más sensible (podría detectar cambios más pequeños de la intensidad de la luz)

La amplificación de un único transistor no suele ser suficiente en un circuito. Sin embargo, si se alimenta la
base de un segundo transistor con la corriente amplificada de un transistor, se puede aumentar la
amplificación muchas veces. Si ganancia de cada transistor del esquema es de 100, por ejemplo, entonces
la ganancia combinada es superior a 10.000. A este método de conectar transistores se le conoce por el
nombre de Par Darlington. Si al indicador de contaminación estudiado anteriormente le ponemos un Par
de Darlington, ahora el circuito sería mucho más sensible (podría detectar cambios más pequeños de la
intensidad de la luz).

 Proyecto de un robot de juguete que busca la luz

El robot debe “buscar” un haz luminoso (de una linterna), seguirlo y desplazarse hacia él debido al par
Darlington que este produce y que provoca la sensibilidad al circuito. Si el haz de luz se mueve o
interrumpe, el robot tiene que dejar de desplazarse hacia delante y empezar a buscar la luz otra vez.

10
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

2. ¿Qué modificaciones haría al circuito experimentado? ¿Por qué?

Como vemos, de acuerdo a los datos: la impedancia de entrada es alta, la impedancia de salida es
baja; La ganancia de corriente es grande en comparación con la ganancia de voltaje que es muy
pequeña.
Para lograr una óptima ganancia, se haría haciendo corto la R3, la ganancia de corriente disminuirá,
pero hará que también la ganancia de voltaje disminuya. Por ende, solo modificaríamos la
capacitancia de entrada, con un valor mínimo del capacitor haría disminuir la ganancia de corriente
y ya no presentaría una respuesta en frecuencia baja.

11
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

3. De acuerdo al experimento, cuales son las conclusiones.

 El amplificador tipo Darlington no es un amplificador de voltaje, debido a que el voltaje en la

salida fue menor al voltaje en la entrada.
 El amplificador tipo Darlington, es un amplificador de corriente. Esto se pudo comprobar debido
a que la corriente de salida fue mucho mayor que la corriente de entrada.
 Seguir al pie de la letra el circuito sino no se lograra la configuración Darlington como se quiere,
es indispensable el uso de los transistores correctamente (emisor, colector y base).
 La impedancia obtenida en la entrada era muy grande a diferencia de la salida; eso es lo que se
pudo obtener del teorema de máxima transferencia al poner el potenciómetro.
 La corriente obtenida indirectamente en la entrada era muy pequeña, estaba en el orden de
los microamperios, la corriente medida indirectamente en la salida era muy grande en
comparación con la entrada; estamos hablando de una amplificación muy alta.
 La configuración tiene un ancho de banda muy grande: 199991Hz a diferencia de la figuración
tipo cascada.
 Una conexión Darlington de transistores proporciona un transistor que tiene una ganancia de
corriente muy elevada, se reconoce a la red como emisor-seguidor. El voltaje de salida siempre
es ligeramente menor que la señal de entrada, debido a la caída de la base al emisor, pero la
aproximación por lo general es buena. A diferencia del voltaje del colector, el voltaje está en
fase con la señal. Esto es, tanto como mantendrán sus valores pico positivo y negativo al mismo
tiempo. El transistor bipolar como amplificador y el circuito amplificador en emisor común.
Podemos fijar el punto de trabajo del transistor, dejando accesible el terminal de base para
poder introducir la señal de entrada, y el del colector para poder extraer la de salida, y trabajar
así, en pequeña señal, en la configuración de emisor

RECOMENDACIONES
- Los valores hallados en un simulador al ponerlos en experimentación pues pueden variar debido a
los dispositivos electrónicos que se usen.

- Comprar dispositivos electrónicos de buena calidad ayudaran a que lo experimental se asemeje

mas a lo medido en el simulador.

- Fijarse que los instrumentos de medición estén bien calibrados para a la hora de las mediciones
todo este correctamente medido.

- No alarmarse si los datos obtenidos varian demasiado ya que debido a los dispositivos que se
usen esto puede suceder.

- Seguir al pie de la letra el circuito sino no se lograra la configuración Darlington como se quiere,
es indispensable el uso de los transistores correctamente (emisor, colector y base).

12
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
 CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

CONCLUSIONES
- Vemos que no hay una ganancia de voltaje considerable ya que el circuito se basa en ganancia de
corriente.

- Notamos que los valores teóricos difieren de los experimentales debido a que los dispositivos
tienen un margen de error.

- La configuración Darlington es tanto para ganar voltaje como para ganar corriente.

13
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
CONFIGURACION DARLINGTON FIEE - UNMSM

14
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2