ESTRUCTURA CRISTALINA

GENERALIDADES. La mayoría de los denominados “materiales de ingeniería” son sólidos. Por ello es
necesario conocer los factores o causas que implican la existencia del estado sólido y sus propiedades.

En la naturaleza, la materia se presenta en tres estados fundamentales: Sólido; líquido y gaseoso.

Estos pueden caracterizarse en función de dos propiedades microscópicas, que son: cohesión y ordenamiento
atómico (o molecular). La tabla Nº 1 muestra como se puede definir los estados de la materia en función de
tales propiedades.

Propiedades Estados
Microscópicas Sólido Líquido Gaseoso
Ordenamiento Alto (*) Parcial No existe
Cohesión Muy alta Alta No existe

En la tabla se indica que el estado sólido se caracteriza por tener átomos ordenados y unidos
mediante una alta fuerza de cohesión. Existen, sin embargo, excepciones: los vidrios y los líquidos
subenfriados, que tienen átomos unidos por altas fuerzas cohesivas y que sin embargo no muestran
ordenamiento. Eso hace que a veces se hable de estado vítreo y que se considere sólidos sólo a los materiales
con alto ordenamiento atómico, como los metales, por ejemplo. En ingeniería comúnmente no se hace esta
consideración y se acepta que son sólidos los materiales con alta cohesión atómica, de la que derivan las
propiedades mecánicas que se mencionó en el capítulo precedente. En este capítulo se hablará solo de
materiales ordenados a escala atómica.

Un gran grupo de átomos ordenados según cierto patrón de ordenamiento, se denomina cristal.
De allí surge un criterio para definir dos grandes estados de la materia:
§ Estado cristalino, cuando existe ordenamiento atómico
§ Estado amorfo, cuando no existe este orden.

En base a esta última definición, existen dos tipos de sólidos: cristalinos y amorfos o vidrios.

ENLACES ATÓMICOS Y COORDINACIÓN. La cohesión es producto de las atracciones interatómicas,

las que a su vez dependen de la estructura electrónica de los átomos. El mecanismo que genera las atracciones
interatómicas es el establecimiento de fuerzas (enlaces) entre átomos, por acción de los electrones de valencia.
Los estudiantes que han cursado química saben que una configuración electrónica particularmente estable es
la de “capa llena”, es decir aquella en que todos los orbitales correspondientes al último nivel cuántico
principal, albergan dos electrones. No nos extenderemos en ese sentido, sino sólo estableceremos una regla
nemotécnica:
• Todos los átomos, cuando entran en relación con otros átomos tienden a adquirir la
configuración de “capa llena”, esto es a llenar los orbitales de la última capa.
Esta regla se conoce como “Regla de los Octetos”, ya que la mayoría de los átomos al entrar en
combinación, completa la última capa con ocho electrones.

Para que un átomo adquiera la configuración de “capa llena”, tiene que ceder; captar o compartir
electrones. Cuando sucede cualquiera de los dos primeros casos, resultan iones estables de carga neta positiva
o negativa. En el último caso se requiere de la formación de un orbital molecular que albergue los electrones
compartidos. En los tres casos se generan fuerzas de atracción entre átomos, que se conocen como enlaces.

ENLACE IÓNICO. Este enlace es el resultado de la atracción electrostática de iones de carga opuesta. Se
produce entre átomos de gran diferencia de electronegatividad ( E.N. > 1.7 en la escala de Pauling). Es muy
fuerte y no direccional. Lo anterior, lo explicaremos con un ejemplo:

El sodio y el cloro, al combinarse, se enlazan iónicamente. Para que ello suceda, el sodio que tiene
una configuración electrónica 1s2, 2s2, 2p6, 3s1; pierde el electrón 3s y queda con una carga neta positiva,
convertido en un ión Na+. El cloro por su parte tiene una configuración 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p5. Esto le posibilita
acomodar el electrón perdido por el sodio en la posición 3pz, convirtiéndose en el ión Cl-. Entre ambos iones
(Na+ y Cl-) se establece una fuerza de naturaleza electrostática, que los mantiene en una posición relativa fija,
impidiendo que se separen. Tal es el enlace Na+ -- Cl-

Examinemos algo más el caso anterior. Es claro que una carga eléctrica “puntual”, produce un
campo eléctrico radial, de manera que es posible esperar que más de un ión cloro se asocie a un ión central de
sodio. Se asociarán tantos como sea espacialmente posible, sin que la repulsión entre los iones de cloro
interfiera. El único requisito que debe cumplirse es que el total de las cargas positivas sea igual al total de las
cargas negativas. En la naturaleza el cloruro de sodio se presenta como un cristal iónico, en que cada ión Na+
está rodeado de seis iones Cl- y cada ión Cl- esta rodeado de seis iones Na+. Esto puede observarse en la
figura.

Na+

Cl-

Figura 1 Compuesto iónico NaCl

Veamos ahora cual es la longitud del enlace iónico, o dicho de otra manera, cual es la distancia de
equilibrio entre iones de carga opuesta. El enlace iónico –ya lo dijimos- es la fuerza que mantiene unidos a
dos iones. Esta fuerza es de naturaleza electrostática, de manera que tiene la expresión:

q1 q 2
Fa = k
a2
En esta expresión Fa es la fuerza de atracción entre los iones; k es una constante; q1 y q2 son las
cargas de los iones y a es la distancia entre ellos. En el sistema de unidades CGS, k = 1.

Si recordamos que q = Ze, en que Z es la valencia del ión y e es la carga del electrón, la expresión
precedente se reduce a:

Z1 Z2e 2
Fa = −
a n+1
Cuando la distancia decrece, llega un momento en que las nubes de electrones comienzan a
repelerse. Esta fuerza de repulsión –se ha determinado- responde a la relación:

nb
Fr = −
a n+1
En esta expresión a y b son constantes.

Si se representa ambas fuerzas (Fa y Fr) en función de la distancia a, se obtiene la figura 2.

 F

Fa
Resultante Fa - Fr

ao
Figura 2
a

Fr

En la figura se observa que si a = ao à Fa = Fr . Esto significa que ao es la distancia de equilibrio.

Es fácil deducir que ao es la distancia entre el centro de los iones que participan en el enlace. A la conclusión
anterior se puede llegar también mediante consideraciones energéticas.

Si la energía necesaria para separar dos iones, desde “a” hasta una distancia infinita es:
∞
E= ∫
0
FdA

Entonces:
∞ ∞ Z 1 Z 2 e 2 nb
E= ∫
0
( Fa + Fr )dA = ∫0
(−
a2
− n+1 )dA
a

Z1Z 2 e b
E= − + n
a a
Graficando la expresión anterior, se obtiene la figura:
E E

a
a
. r+
ao Figura 3.b

Figura 3.a r-

Sabemos que la condición de equilibrio corresponde al nivel mínimo de energía. Este mínimo se
da a la distancia de equilibrio. La distancia ao es también la longitud de enlace o la suma de los radios iónicos,
como se observa en la figura 3.b.

Resumiendo, enlace iónico es la fuerza necesaria para separar dos iones desde la distancia de
equilibrio hasta el infinito.
ENLACE COVALENTE. Cuando la diferencia de electronegatividad entre los iones es menor a 1.7 en la
escala Pauling, estos comparten los electrones para adquirir la configuración estable de capa llena. Si los
electrones compartidos se alojan en uno o más orbitales moleculares, ubicados en ambos átomos, se establece
uno o más enlaces covalentes.

La fuerza que une los átomos es, también en este caso de naturaleza electrostática; pero a
diferencia del enlace iónico, no se establece entre iones, sino entre una zona de alta carga negativa, que es el
orbital molecular y dos cargas puntuales positivas, que son los núcleos atómicos. La figura 4 muestra un
modelo gráfico de este enlace.
Orbital molecular ión
Figura Nº 4
−
+ +

Los enlaces covalentes son muy fuertes, ya que las distancias de equilibrio suelen ser muy
pequeñas. Son de tipo direccional, pues la posición de los átomos es fija respecto del orbital molecular y se
producen en general para moléculas discretas.

La alta energía del enlace covalente se puede inferir del alto punto de fusión de algunos cristales
covalentes como el diamante y el cuarzo, pues la fusión de estos implica la ruptura de enlaces covalentes.

ENLACE METÁLICO. El enlace metálico no se puede explicar con un modelo tan sencillo como el de
enlace covalente o iónico. El modelo que explicaremos aquí es una primera aproximación a este tipo de
enlace.

Cuando existen átomos que ejercen muy baja atracción sobre sus átomos de valencia y cuando no
es posible que dos átomos puedan establecer un orbital molecular estable, ubicado entre los átomos y que
albergue electrones compartidos, los electrones se deslocalizan. Esto significa que pasan a pertenecer
simultáneamente a un gran grupo de átomos. Como cada átomo - aporta uno o más electrones a este gran
orbital, esto genera un gran número de electrones deslocalizados. Este orbital especial se conoce como “nube
electrónica” y como se ha dicho, no pertenece a ninguno de los átomos del material, sino a todos. Lo anterior
sucede en un cristal metálico. Este tipo de cristales se puede considerar como un grupo ordenado de cationes
(átomos que han perdido sus electrones de valencia), rodeado por todos lados por electrones libres. Tal como
se muestra en la figura 5.

- - -
-
- - - -
- - - -
- - -
- - - -
Figura 5. Cationes metálicos en una nube electrónica
El enlace se establece entre la “nube” de carga negativa y los cationes. Por estar los electrones
deslocalizados en la nube, el enlace metálico es adireccional.
El modelo de enlace recién descrito explica muchas de las propiedades de los metales, por
ejemplo:
• Ductilidad y maleabilidad. Un metal puede deformarse plásticamente sin que se rompan los
enlaces, ya que los cationes pueden moverse y reordenarse, sin que por ello deje de existir atracción entre
ellos y la nube electrónica.
 • Brillo. Los electrones libres pueden activarse energéticamente por absorción de luz de cualquier
longitud de onda y reemitir también en cualquier longitud.
• Alta conductividad eléctrica y térmica. Los electrones libres pueden migrar en el cristal sin
oposición, conduciendo así la electricidad y los cationes pueden vibrar y transmitir vibraciones con entera
libertad, transmitiendo así el calor.

FUERZAS DE VAN DER WAALS O ENLACES SECUNDARIOS. Existe otro tipo de fuerzas a nivel
microscópico, que no une átomos, sino moléculas entre si. Estas fuerzas son de naturaleza electrostática y su
magnitud es mucho menor que la de los enlaces primarios. Se les denomina genéricamente Fuerzas de Van
der Waals y se pueden clasificar en tres tipos:

a) Fuerzas ión – dipolo y dipolo – dipolo. Se producen entre una molécula polar (con momento
dipolar) y un ión o entre dos moléculas polares.
b) Fuerzas de London. Se producen entre moléculas apolares (simétricas), por polarización
momentánea debido a movimiento de electrones.
c) Puente de hidrógeno. Se produce en hidruros fuertemente polares, en los cuales el protón (H+),
por su pequeño diámetro puede ubicarse casi equidistante de dos centros de carga negativa
(polos negativos), de moléculas distintas, generando así una fuerte atracción entre ellas.

NÚMERO DE COORDINACIÓN. Al explicar los enlaces se usó modelos que involucraban, en general,
dos átomos, pero en algunos casos nos salimos de ese esquema y consideramos un grupo mayor de átomos,
con cierto patrón de ordenamiento. Ahora se intentará explicar la causa de este ordenamiento.

En un grupo de átomos, cualquiera de ellos (el átomo “central”) está rodeado por cierto número
de átomos más cercanos (periféricos). La cantidad de átomos más cercanos a un átomo central, se conoce
como número de coordinación (NC). Este depende de dos factores principales:
• Cantidad de enlaces covalentes del átomo central
• Acomodamiento atómico

La cantidad de enlaces covalentes del átomo central o covalencia en función de la cantidad de

electrones de su última capa, de manera de cumplir con la regla de los octetos. Así los átomos de los
elementos del grupo I al IV pueden participar de 1 a N enlaces (N es el número del grupo) y los de los
elementos de los grupos V al VIII pueden establecer 8-N enlaces covalentes.

El acomodamiento atómico depende de la relación de radios del átomo central respecto a los
periféricos (r / R). A manera de ejemplo veamos que relación de radios implica el número de coordinación
NC = 6. Para que el átomo central esté rodeado de seis átomos periféricos, este debe ubicarse en el centro y
los periféricos en los vértices de un octaedro regular, tal como se muestra en la figura 6.

R+r
R

Figura 6.a Figura 6.b

 De la figura 6.b, se puede obtener la siguiente expresión:

r+R 1
=
r cos 45°

r
De aquí: = 2 − 1 = 0.414
R
En conclusión, el mayor valor que puede tomar la r/R, para que exista un número de coordinación
igual a seis es 0.414.

EJEMPLO DE APLICACIÓN

Determinar la relación r/R, para que exista un número de coordinación de cuatro.

SOLUCIÓN

Para que el átomo central esté rodeado de cuatro átomos periféricos, debe ubicarse en el centro de
un tetraedro regular y los periféricos en los vértices. Esto se muestra en las figuras 7.a y 7.b

2R

α
β

Figura 7.a
R+ r
Figura 7.b

De la figura 7.b, se puede obtener la relación:

r+R 2R r + R 2 senα r 2senα

= ⇒ = ⇒ = −1
senα senβ R senβ R senβ

Pero para un tetraedro regular: = 35.2º y = 109.5º

Entonces:
r
= 0.225
R
 En los ejercicios anteriores se ha desarrollado un método geométrico para la relación de radios
(r / R), que corresponde a un determinado número de coordinación. Esta información se completa en la tabla
siguiente.
Relación r / R N. de C. Disposición de los átomos exteriores
< o.115- 2 En línea con el átomo central
de 0.115 a 0.225- 3 En los vértices de un triángulo equilátero
de 0.225 a 0.414- 4 En los vértices de un tetraedro regular
de 0.414 a 0.732- 6 En las esquinas de un octaedro regular
de 0.732 a 1- 8 En los vértices de un cubo
1 12 Estructura FCC ó HCP

GEOMETRÍA DE LOS CRISTALES

Como ya se dijo, los materiales de ingeniería son sólidos cristalinos y amorfos. Son cristalinos todos
los metales y aleaciones metálicas; muchos cerámicos y muy pocos polímeros. Entre los polímeros cristalinos
encontramos el llamado “cristal líquido”, que no es un líquido, sino un material sólido que al pasar al estado
líquido mantiene su cristalinidad y de allí viene su nombre. Pero se usa en estado sólido, para pantallas de
televisores; computadores y como “display” en aparatos electrónicos; calculadoras; relojes digitales; etc. Son
materiales amorfos el vidrio y algunos otros cerámicos vitrificados, como los esmaltes, la loza y la gran
mayoría de los polímeros. Para aclarar los términos precedentes, se explicará lo que es un cristal y por
defecto, se entenderá lo que es un material amorfo.

Un cristal es un numeroso conjunto de átomos; de iones o de moléculas ordenados en todas las

direcciones del espacio. Cuando se dice numeroso, se está hablando de muchos miles de millones o de
cantidades aún mayores de estos tipos de partículas. En la figura 1 se muestra una “celda unitaria” de un
cristal iónico de cloruro de sodio, con el fin de explicar como es físicamente un material cristalino. Mas
adelante se definirá el concepto de celda unitaria o “celda unidad”.

Cl-

Na+

Figura 8 Celda unitaria del cloruro de sodio

En la figura precedente se muestra que en un cristal, en este caso iónico, los iones están
perfectamente ordenados, esto es, se va a encontrar que se repiten los iones a distancias regulares, en
cualquier dirección del espacio, como se muestra en la figura 9.

a
a

a
a

Figura 9 Repetición a distancias regulares de los iones

 Esta repetición cíclica que se muestra en las tres direcciones del espacio, se da en un cristal en
cualquier otra dirección. En tal caso se mantiene la repetición a distancias regulares, pero esas distancias son
diferentes al valor “a”. Para verificar lo anterior, se pide a los estudiantes probar en las direcciones
diagonales. En la figura 8 se muestra también que la celda unitaria tiene una forma geométrica simple, en este
caso un cubo. En general las celdas unitarias tienen formas simples de “paralelepípedos”, es decir de figuras
geométricas de seis caras, que son paralelas e iguales de a pares. Así, apilando celdas unitarias, una al lado o
encima de otra, tal como se hace con las cajas en un almacén, se puede llenar todo el espacio sin dejar
intersticios y formar un cristal. Ahora se puede definir celda unitaria o celda unidad: Ella es la figura
geométrica asociada al menor conjunto de átomos ordenados, que al repetirse en todas las direcciones del
espacio originan un cristal. Hay sólo siete formas posibles para una celda unidad. Ellas se definirán con ayuda
de la figura 10.
C

a
Figura 10 Celda unitaria genérica
c β α
γ
B

A b
En la figura 10 se muestra que la forma y las dimensiones de una celda unitaria se pueden definir en
base a seis parámetros. Tres de ellos son longitudes (a; b; c) y los otros tres son ángulos (α; β; γ).
Combinando adecuadamente estos parámetros se puede llegar a generar las siete formas que puede tener una
celda unidad como ya se dijo.

En la tabla 3 (página siguiente) se muestra, en la segunda columna, las combinaciones de parámetros

que ya se indicó. En la primera columna se indica el sistema cristalino (la forma de la celda unitaria) que se
origina de una combinación particular de parámetros y en la tercera columna se muestra las redes espaciales
de átomos que pueden originarse cuando estos ocupan sólo los vértices de esas celdas unitarias (redes
simples) y cuando ocupan otras posiciones cristalográficas de las celda (centro de las caras; centro del cuerpo
y centro de las bases). Como se ve, a cada forma de la celda unitaria corresponde un “sistema cristalino”, de
manera que existen sólo siete sistemas cristalinos. Y todos los cristales de la naturaleza tienen celdas unitarias
de alguna de estas siete formas.

SISTEMA PARÁMETROS REDES DE BRAVAIS FORMA CELDA

Cúbico α = β = γ = 90º Simple
a=b=c Centrada en el cuerpo
Centrada en las caras
Tetragonal α = β = γ = 90º Simple
Cúbica
a=b≠c Centrada en el cuerpo
Ortorrómbico α = β = γ = 90º Simple
a≠b≠c Centrada en el cuerpo
Centrada en las bases
Centrada en las caras
Romboédrico α = β = γ ≠ 90º Simple
a=b=c Tetragonal
Hexagonal α = β = 90º, γ = 120º Simple
a=b≠c
Monoclínico α =γ = 90º, β ≠ 90º Simple
a ≠b≠c Centrado en las bases
Triclínico α ≠ β ≠ γ ≠ 90º Simple
a ≠b≠c
Hexagonal
 Los metales comunes cristalizan en alguno de estos sistemas, como se muestra en la tabla 4.

Sistema cúbico Sistema hexagonal Sistema tetragonal

Centrado en el cuerpo Centrado en las caras
Hierro (T < 910ºC) Aluminio Berilio Estaño
Molibdeno Hierro (T > 910ºC) Cobalto S. Romboédrico
Cromo Níquel Magnesio
Antimonio
Tungsteno Cobre Titanio (T < 882ºC)
Bismuto
Sodio Paladio Cinc
Mercurio
Potasio Plata Zirconio
S. Ortorómbico
Titanio (T > 882ºC) Platino
Oro Uranio
Plomo

En relación a lo anterior, se puede entonces definir un sistema cristalino como la forma de la celda
unitaria que al repetirse en el espacio, forma un cristal y como red cristalina se entiende el arreglo de puntos
en el espacio, que al ser ocupados por átomos originan el cristal.

Los metales son en general policristalinos, es decir, están formados por muchos microcristales
orientados en cualquier dirección del espacio. Esto se muestra en la figura 11. Las líneas negras que en la
figura rodean cada microcristal o “grano” se denominan límites de grano. En los límites de grano, los átomos
están desordenados y por lo tanto no responden al patrón cristalino de ninguno de los granos vecinos. Quizás
todos nosotros hemos podido observar un recubrimiento de cinc sobre una lámina de acero. En este
recubrimiento se observan a simple vista, zonas de una tenuemente distinta coloración. Ellos son granos de
cinc, un metal de granos gigantes. En otros metales, como el hierro o el cobre, los granos son más pequeños y
no es posible observarlos a simple vista, sino mediante un microscopio óptico. Además para distinguirlos se
debe preparar el metal, puliéndolo y atacándolo químicamente con un reactivo adecuado, para delinear los
límites de grano o para obtener una coloración diferente en los distintos granos.

Figura 11 Estructura granular de un metal

(con grieta intergranular)

La naturaleza cristalina de los metales determina alguna de sus propiedades (en el caso indicado en la
figura, la posibilidad de fracturarse a través de los límites de grano). La deformación plástica y la fractura de
los materiales metálicos, entre otros, son fenómenos que dependen fuertemente de la estructura y la
orientación cristalina. Por lo tanto es conveniente identificar en un cristal diferentes direcciones y planos
cristalinos. El sistema de notación para direcciones y planos se denomina: “índices de Miller” y se describe a
continuación.

INDICES DE MILLER

Este sistema de notación es sencillo para el sistema cúbico. Cada plano cristalino se indica por tres
dígitos o índices encerrados en un paréntesis redondo, así: (h k l). Cada dirección se designa también por tres
dígitos, pero encerrados en paréntesis cuadrado, así: [h k l]. Ahora veremos como se determinan esos índices.
 z

(0, 0, a) (0, a, a)
Primer paso (planos y direcciones):
(a, 0, a)
(a, a, a) Se designan los distintos puntos de la celda
unitaria por sus coordenadas, según el
sistema cartesiano (x, y, z). Como la celda
cúbica tiene parámetro de celda “a”, según
se muestra en la figura 5, los puntos
considerados tienen las coordenadas que se
(0, a, 0) y indica.

(a, 0, 0)
x (a, a, 0)
a

(0, 0, 1) (0, 1, 1) Segundo paso (planos y direcciones):

(1, 0, 1) Se considera que el lado de la celda

(1, 1, 1) cúbica vale la unidad (a = 1), entonces
los puntos considerados tienen ahora
las coordenadas que se indican en la
figura 6

(0, 1, 0) y
Tercer paso (direcciones):
(1, 0, 0)
(1, 1, 0) Se toman los componentes del vector dirección,
x
a=1 tal como ya se indicó: “h” en la dirección del eje
“x”; “k” en la dirección del eje “y”; “l” n la
dirección de “z”. Entonces las direcciones
indicadas serán:
z
A Componentes: 1; 1; 0
Índices de Miller: [1 1 0]
(notese que no hay comas entre los dígitos, en los
D índices de Miller y que se usa paréntesis cuadrado
para indicar que se trata de una dirección)

B B Componentes: 1 ; 1; 1
Índices de Miller: [111]
C
C Componentes: 1; 0 ;½
y (el sistema de índices de Miller no acepta
fracciones, luego hay que amplificar por dos)
A
Índices de Miller: [201]
x
D Componentes: -1 ; 1 ; 0
como no se puede colocar el signo antes de cada
Figura 12 Determinación de los índices de Miller de una dirección índice, este se coloca arriba de el, entonces se
tiene:
Índices de Miller [1 10]
 Normalmente no se indican los ejes al determinar los índices de las direcciones y por comodidad el
origen se coloca en el punto de partida del vector dirección. Entonces para ejercitarse se propone a los
estudiantes determinar las direcciones indicadas en la figura 13.

[ ]

[ ] [ ] [ ]
[ ]
[ ]

[ ]

Figura 13

En el caso de los planos cristalinos, se procede en una forma diferente: Para determinar los
índices de Miller de un plano, se encuentra las intersecciones de ese plano con los ejes A, B y C. Se calcula el
recíproco del valor de esas intersecciones y se forma el conjunto de enteros más pequeños, que guarden entre
si igual relación que los recíprocos. Este conjunto se denomina “índices de Miller” y se denota con la
expresión: (h, k, l). La unidad en cualquier eje es el módulo del vector base, en esa dirección. La figura 14
muestra un plano genérico que intersecta con los ejes cristalinos.

1/l=3

v v v
(a , b , c )
B

1/k=4
A 1/h=2
Figura 14 Obtención de los índices del plano (6 3 4)

En la figura 9, el conjunto de intersecciones es:

2 4 3

El conjunto de recíprocos de las intersecciones es:

1/2 1/4 1/3

Amplificando se encuentra el conjunto de enteros más pequeños que está en la misma relación de
los recíprocos, que es:
 12 / 2 = 6; 12 / 4 = 3; 12 / 3 = 4

Entonces los índices de Miller del plano considerado son: (6 3 4).

Nótese que para determinar los I. de M., hemos amplificado el conjunto de recíprocos por su
máximo común divisor, en este caso 12. Nótese además que este sistema de notación asigna iguales I. de M. a
todos los planos paralelos.

De igual forma que en el caso de las direcciones, si hay un índice negativo el signo menos se coloca
arriba del índice, pero ahora los índices se encierran en paréntesis redondo para indicar que se trata de un
plano. Entonces:
[ h k l ] es una dirección
( h k l ) es un plano

Para ejercitarse en el uso de los índices de Miller para planos, se identificará los planos mostrados en
las figuras 15; 16 y 17.

Intersecciones: 1 ; 1 ; ½

Inversos: 1 ; 1 ; 2

Índices de Miller: ( 1 1 2)

Nótese que no hubo necesidad de amplificar

B

A
Figura 15

Intersecciones: 1 ; ∞ ; 1

Inversos: 1 ; 0 ; 1

Índices de Miller: ( 1 0 1)
Notese que se habría obtenido el mismo
resultado si el origen se hubiera tomado en la
posición ( 0, 1, 0), es decir en el vértice
B
posterior – inferior - derecho

A
Figura 16
 C

Es claro que ahora debemos tomar el origen en la

posición (1, 1, 1), entonces:

Intersecciones: - 1 ; - 1 ; -1

Inversos - 1 ; - 1 ; -1

Índices de Miller: (1 1 1 )
B

A
Figura 17

Índices de Miller para sistema hexagonal

Para designar los planos y direcciones en sistema

c
hexagonal se puede usar tres dígitos, considerando sólo el
paralelepípedo formado por los ejes a1; a2 y c, que se
muestran en la figura 18 o se puede usar una notación de
cuatro dígitos, considerando los cuatro ejes indicados en la
figura, con el procedimiento que se describirá a continuación.

En ambos casos se procede inicialmente de la misma

manera que se indicó para obtener los índices en sistema
a3
cúbico, es decir, considerando sólo la celda que se muestra
con líneas llenas. Entonces el plano de la figura 14 corta al eje
a1 en el valor 1; al eje a2 en el valor 1 y es paralelo al eje c,
esto es, lo corta en el infinito. Los inversos respectivos son: a2
1; 1 y 0, por lo que en notación de tres dígitos, ese plano sería
( 1 1 0 ). En términos genéricos, los índices de Miller se
designan como ( h k l ), de manera que entonces: h = 1; k = 1 a1
y l = 0 , en este caso. Si se desea usar una notación de cuatro Figura 18 Celda unitaria hexagonal
dígitos, como se acostumbra para indicar que se trata de un
plano en una estructura hexagonal, el cuarto dígito, llamado
“i”, se obtiene por la expresión: i = - (h + k ) y se coloca en el tercer lugar. De manera que el plano en
cuestión sería (112 0 ).

Figura 19 designación de un plano Figura 20 designación de una dirección

 En el caso de las direcciones en notación de cuatro dígitos, se procede en forma diferente. La
dirección mostrada en la figura 20, en tres dígitos sería [011], pero en cuatro pasa a ser [1 2 1 3]. Para hacer
esta transformación se considera que en notación de tres dígitos, la dirección es [ H K L] y que en notación de
cuatro es [ h k i l ], entonces para pasar de una a otra notación se usa la fórmula de transformación:

h = 1/3 (2 H – K )
k = 1/3 (2 K – H)
i = - (h + k )
l = L

Se recomienda comprobar la transformación que ya se hizo para verificar que [011] y [1 2 1 3]

representan a la misma dirección en sistema hexagonal. Además se propone representar y transformar a cuatro
dígitos las siguientes direcciones hexagonales: [ 1 1 2 ]; [ 1 1 1]; [ 1 0 0 ] y [1 10] .

DIFRACCIÓN DE RAYOS X. La difracción de rayos X es una técnica que se usa para conocer la geometría
de los cristales. En este curso se abordará el tema en forma muy superficial, sólo con el objeto de
complementar el tema de cristalografía.

Los rayos X son un tipo de radiación electromagnética, de longitud de onda comprendida entre
0.1 A y 10 A. Como cualquier otra radiación E.M., los rayos X son difractados por una “rejilla de difracción”.
Para que exista difracción, la radiación debe tener una longitud de onda comparable a la distancia entre líneas
de la rejilla. Los planos atómicos cumplen esta condición frente a los R-X y por lo tanto los difractan.

Explicaremos ahora como se produce la difracción: Los rayos X que inciden sobre una red de
átomos, excitan los electrones de estos. Al volver los electrones a su estado energético inicial, emiten una
radiación de la misma longitud de onda del rayo incidente, en cualquier dirección. En otras palabras, una red
de átomos dispersa el haz de R-X incidente en todas direcciones. Si un haz incide sobre un plano atómico, las
únicas radiaciones que sufren interferencia constructiva son aquellas que tienen un ángulo de reflexión igual
al ángulo de incidencia como se muestra en la figura 21. En ella, AA’ = BB’, por lo que los rayos que venían
en fase, siguen en fase, es decir, interfieren constructivamente.

A B’

B A’ Figura 21

LEY DE BRAGG. Supongamos que un haz de rayos-X, paralelo y monocromático (λ= constante), incide
sobre un grupo de planos igualmente espaciados y se refleja con interferencia constructiva. (ver figura 22)

θ θ
θ Figura Nº 22
a c
b
 Se produce interferencia constructiva sólo cuando: ab + bc = nλ , con n entero.

Pero .... ab = bc = d senθ

De allí: nλ = 2 d senθ

La expresión anterior se conoce como Ley de Bragg. En dicha expresión, “n” es un entero
positivo; λ es la longitud de onda de los R-X; “d” es la distancia interplanar y θ es el ángulo de incidencia del
haz, respecto al plano.

EJEMPLO DE APLICACIÓN

Sobre los planos (110) de un cristal de Fe (BCC), incide un haz de rayos-X de longitud de onda λ =
1.54 A. ¿qué ángulos de reflexión producen interferencia positiva?. El radio atómico del Fe es 1.241 A.

Solución:

Aplicando la Ley de Bragg, tenemos: nλ = 2dsenθ →

nλ
θ = Arcsen( )
2d

a 4R
Pero: d= = = 2.028 A
h +k +l
2 2 2
3 h + k + l2
2

De esto: θ = Arcsen ( 0.379 n)

Si n = 1, se tiene la reflexión de primer orden para: θ = Arcsen (0.379) = 22.3º

Si n = 2, se tiene la reflexión de segundo orden para: θ = Arcsen ( 0.758) = 49.3º

Si n = 3, el argumento de la función Arcsenθ, se hace mayor a uno, por lo tanto no existe, en este caso,
reflexión de orden tres o superior.
El ejercicio anterior muestra lo que ocurre con un haz monocromático. Veamos ahora que sucede cuando
incide un haz blanco ( de distintas longitudes de onda), sobre un plano atómico particular.

Supongamos que mantenemos fijo un cristal y hacemos incidir sobre él un haz blanco, formando un
ángulo de 60º respecto de los planos (100), espaciados entre si 2 A, y deseamos conocer qué longitudes de
onda sufren interferencia constructiva.

3
Usando la Ley de Bragg, tenemos: nλ = 2 dsenθ = 2 ⋅ 2 ⋅ = 3.465 A
2

De esto: - Se tiene una reflexión de primer orden para λ = 3.405 A

- Se tiene una reflexión de segundo orden para λ = 1.732 A
- Se tiene una reflexión de tercer orden para λ = 1.155 A

De este resultado se deduce que un plano produce muchas reflexiones a un haz blanco, por lo que para
limitar su número conviene cortar el haz, de manera que λ ≥ λo

METODO DE LAUE. Este método sirve especialmente para determinar orientaciones cristalinas.

En el método de Laue existen dos técnicas:

• Reflectante, para cristales opacos a los rayos-X
• De transmisión, para cristales no opacos a los rayos-X
 En el método reflectante se usa un haz continuo con λ ≥ λo. Las reflexiones aparecen como puntos en
una película fotográfica. (ver figuras 23.a y 23.b)

a
e

c d
b

Figura 23.a Aparato de Laue

a) Filamento; b) Anticátodo; Figura 23.b Fotografía obtenida por el método de Laue
c) Tubo colimador, d) Cristal
e) Película fotográfica

En este método, la orientación de una familia de planos cristalinos se obtiene relacionando

geométricamente la posición de los puntos de la película con las dimensiones de la cámara de Laue, como
veremos a continuación.

EJEMPLO DE APLICACIÓN

Determine la orientación de los planos {111} del hierro, respecto de un haz de rayos-X, de
longitud de onda λ ≥ 0.5 A, si este se refleja, en una reflexión de primer orden, a un punto situado a 5 cm del
centro de la cámara. La distancia entre la placa y el cristal es de 10 cm. Determine también la longitud de la
onda reflejada.

Solución

La figura 24 muestra la trayectoria de los rayos que produjeron la reflexión citada.

Plano {111}

θ β
5 cm
α
Figura 24 Reflexión de rayos-X en una cámara de Laue
θ

10 cm

En la figura 24:
• β es el ángulo entre el plano (111) y la superficie del cristal (orientación)
• θ es el ángulo entre el haz y el plano (111)
• α es el ángulo entre el rayo incidente y el reflejado. Este ángulo puede ser evaluado de los datos
del problema.
 5
De la figura precedente: α = Arctg = 26.6º
10
α
β = = 13.3º
2
180 − α
θ= = 90 − β = 76.7º
2

De la ley de Bragg: nλ = 2dsenθ ; para n = 1 → λ = 3.21 A

El método de transmisión de Laue es esencialmente igual al de reflexión. Difiere sólo en que

la placa se coloca al lado contrario de la fuente de rayos-X. Esto posibilita localizar planos que forman
ángulos muy pequeños con el haz incidente.

MÉTODO DEL CRISTAL GIRATORIO. Este método sirve para identificar planos cristalinos. En el se utiliza
un haz monocromático que incide sobre un cristal que gira respecto a un eje perpendicular al haz. Las reflexiones
aparecen como puntos en una película fotográfica colocada tal como se indica en la figura 25.

d
b (e)
a c

Figura 25 Esquema de la cámara para cristal giratorio a) Haz incidente; b) Cristal;

c) Imagen de reflexión; d) Película fotográfica; e) Imagen obtenida.

MÉTODO DE DEBYE SCHERRER. El método del cristal giratorio exige disponer de cristales de un tamaño
que haga posible su manejo e inserción en la cámara. Como esto no siempre es posible, se desarrolló como
alternativa el método de Debye-Scherrer. En este, se usa un pequeño receptáculo que contiene cristal pulverizado,
sobre el que incide un haz monocromático. Las reflexiones aparecen como líneas continuas en una cinta
fotográfica que rodea el receptáculo, tal como indica la figura 26.

Figura 26. Esquema de la cámara de Debye-Scherrer. a) recipiente con polvo de

cristal; b) Superficie cónica formada por las reflexiones de los planos {hkl}; c) cinta
fotográfica; d) Impresión en la cinta; e) Trozo de la cinta mostrando líneas de reflexión.

Para calcular el ángulo de reflexión se usa la distancia S entre la línea y el punto de salida
del haz (ver figura).
 S S
De allí: 2θ = → θ=
R 2R
(R es el radio de la cámara)

Este es el método más usado de los tres mencionados y tiene múltiples aplicaciones, por
ejemplo: Determinación de estructuras; Identificación de elementos; Identificación de fases cristalinas; etc.

EJEMPLO DE APLICACIÓN

En un ensayo de difracción de rayos-X a polvos de hierro ( BCC, Rat = 1.241 A); se obtuvo
el “patrón” de difracción que se muestra en la figura 27, en que las medidas se dan en centímetros (se indican
sólo las primeras cinco líneas). Determine los planos asociados a dichas líneas, si el ensayo se hizo en una
cámara de 5 cm de radio y se usó R-X de una longitud de onda de 0.40 Amstrongs.
1.42
1.0

1.75

2.03
2.24

Figura Nº 27 Patrón de difracción del Fe, usando R-X de λ = 0.4 A

Solución

De la Ley de Bragg; de la ecuación de la distancia interplanar y de la relación geométrica de

la cámara de Debye - Scherrer, tenemos:

2a S
h2 + k 2 + l 2 = sen
nλ 2R

Usando los datos del problema y considerando n = 1:

S
h 2 + k 2 + l 2 = 14.2 sen
10

Entonces:

• Para la primera línea h2 + k2 + l2 ≈2 → {110}

• Para la segunda línea h2 + k2 + l2 ≈4 → {200}
• Para la tercera línea h2 + k2 + l2 ≈6 → {211}
• Para la cuarta línea h2 + k2 + l2 ≈8 → {220}
• Para la quinta línea h2 + k2 + l2 ≈ 10 → {310}

No todos los planos cristalinos producen reflexión, pues algunos planos de bajos índices de
Miller son interferidos por planos paralelos de índice mayor, en la tabla siguiente:
 ESTRUCTURA CRISTALINA INDICES DE LOS PLANOS REFLECTORES
Cúbica simple todos los valores de (h2 + k2 + l2), excepto 7; 15; 23.....
Cúbica centrado en el cuerpo (BCC) h + k + l es par
Cúbica centrado en las caras (FCC) h, k, l todos pares o todos impares
Diamante h + k + l es impar o múltiplo par de dos

PROBLEMAS PROPUESTOS

1. Un haz de rayos-X, con λ ≥ 0.4 A incide paralelo a la dirección [110] en un monocristal de cobre (FCC;
Rat = 1.278 A). Determine la longitud de onda reflejada por los planos (111)
3. Un haz de rayos-X, con λ = 2.556 A, paralelo al plano (110) incide en la dirección [hkl], en un
monocristal de cobre. Determine los índices de esa dirección si el haz es reflejado por los planos (020)
4. Un monocristal de hierro (BCC, Rat = 1.241 A) está orientado de modo que la dirección [100] es paralela
al haz de R-X en la cámara de Laue. Determine todos los planos que producen reflexión hacia una placa
de 12 cm por 9 cm, ubicada a 10 cm del cristal, entre este y la fuente de radiación. Nota: Investigue sólo
los planos en que h; k ó l son menores o iguales a tres.
5. Dibuje aproximadamente el patrón de difracción del sodio (BCC; Rat = 1.857 A), que se obtiene al
efectuar un ensayo por el método de Debye-Scherrer, con R-X de λ = 0.5 A. Nota: investigue sólo los
planos en que h; k ó l son menores o iguales a tres.
6. Explique mediante un gráfico adecuado, por qué no aparece la reflexión de los planos (100) y (110) en
difracción por el método de Debye-Scherrer, en los metales de estructura FCC.
7. Confeccione una tabla con los primeros quince planos reflectores en el sistema BCC. Ídem, para el
sistema FCC y para el sistema del diamante.

DEFECTOS CRISTALINOS

Hasta ahora se ha considerado sólo cristales perfectos, esto es, todos los átomos del cristal están
ubicados exactamente en las posiciones determinadas pos una red cristalina perfecta. En la naturaleza no
existen estos cristales. Los defectos y cristalinos son en gran medida los responsables de las propiedades
mecánicas y eléctricas de los materiales.

Según su extensión en el espacio, podemos clasificar los defectos cristalinos en cuatro

grandes grupos, a saber:
• Defectos puntuales
• Defectos de línea
• Defectos de superficie
• Defectos volumétricos

DEFECTOS PUNTUALES. Este tipo de defectos afecta sólo puntos reticulares. Se los puede dividir en
cinco grupos
§ Vacancias
§ Átomo sustitucional
§ Átomo intersticial
§ Defecto de Schottky
§ Defecto de Frenkel

VACANCIAS. Es el defecto más simple, pues constituye la ausencia de un átomo de un punto reticular que
debiera estar ocupado. Las vacancias pueden resultar de una cristalización imperfecta o de vibraciones
térmicas. Pueden ser simples (figura 28) o condensarse formando huecos múltiples, cuando existen dos o más
muy cercanas.
 Figura 28 Vacancia simple Figura 29 Doble vacancia condensada

La existencia de vacancias en un cristal explica el fenómeno de difusión reticular, como se

explicará más adelante.

Dependencia del número de vacancias de la temperatura. Supóngase que en un cristal existen no

posiciones atómicas, ocupadas por n átomos y nv vacancias. Supóngase además que los lugares vacantes son
creados por migración de los átomos hacia la superficie, como muestra la figura 30.

(a) (b) (c)

Figura 30 Generación de una vacancia
El número de vacancias respecto al número de posiciones atómicas en un cristal está dado por la
expresión:
Qf Q
nv − −
f

=e N o kT
=e RT
no
En esta expresión: nv es el número de vacancias de equilibrio; no es el número de posiciones
atómicas; R es la constante universal de los gases (R = 1.987 cal /mol ºK); T es la temperatura en grados
Kelvin y Qf es la “energía de activación” para formar vacancias. Los valores de Qf son característicos para
cada metal y se pueden conseguir en bibliografía.

EJEMPLO DE APLICACIÓN
La energía de activación para formar un mol de vacancias, para el cobre vale 20000 cal /
mol. Calcular la concentración de vacancias de equilibrio a 300 ºK; 1355 ºK y 0 ºK .

Solución: A 300 ºK nv / no = e-20000 / 600 = 4.45 x 10-15

A 1355 ºK nv / no = e-20000 / 2710 = 7.6 x 10-4
A 0 ºK nv / no = e-∞ = 0

ATOMO INTERSTICIAL. Este defecto consiste en la ubicación de un átomo extraño en un intersticio de la

red cristalina . Este defecto también provoca endurecimiento de los metales. Una distribución homogénea de
átomos intersticiales da origen a una solución sólida intersticial.

(a) (b)

Figura Nº 31 a) Átomo sustitucional, b)Átomo Intersticial

DEFECTOS DE LINEA: DISLOCACIONES. Existe una gran diferencia entre los valores teóricos y los
valores reales del esfuerzo de fluencia en los metales. Por ejemplo en el magnesio la fluencia se presenta a
100 lb / pulg2 y el esfuerzo teórico de fluencia es del orden de 106 lb / pulg2.

Examinemos este caso con mas detalle. Si se somete a tracción una probeta pulimentada de un
material que presenta fluencia prolongada, se observa que en la fluencia aparece una serie de líneas a 45º
respecto a la dirección de la tracción ( líneas de Lueders). Estas líneas coinciden con la dirección del esfuerzo
máximo cortante, para esfuerzos principales en una sola dirección, y su aparición sugiere deslizamiento de
planos cristalinos.

Supongamos que tenemos una probeta formada por un monocristal de magnesio (HCP), en que los
planos básales compactos forman un ángulo de 45º con la dirección de tracción, y supongamos que la fluencia
se produce por deslizamiento de un plano compacto sobre otro ( ver figura 32)

r 2r

Figura 32 Deslizamiento de planos compactos.

a) Antes de deslizar, b) Posición de deslizamiento

La deformación angular (γ), es en este caso aproximadamente γ = r/2r = ½. Ademas se sabe que para
el magnesio, el modulo de elasticidad para corte (G) vale 2.5*106 psi, de manera que el esfuerzo de corte
teorico, para producir el deslizamiento es:

τt = γ G = ½ 2.5 x 106 = 1.25 x 106

Y como el esfuerzo de corte en la fluencia real es:

1 1
τ r = σ o sen(2θ ) = σ o sen90º = 50 lb / pu lg 2
2 2
Entonces la discrepancia entre el valor teórico y el valor real del esfuerzo de fluencia es del orden de 104.

En todos los metales la discrepancia entre el valor teórico y el valor real de fluencia es parecido a
este. La discrepancia se debe a que hemos considerado un cristal perfecto, en que todos los átomos de un
plano compacto se mueven en la misma medida, respecto a los átomos de un plano paralelo inmediato, lo que
implica rotura de muchos enlaces. En la realidad el deslizamiento se produce, como veremos mas adelante
con la rotura de unos pocos enlaces.

En la actualidad se acepta que el deslizamiento de planos se produce debido a la existencia de un

defecto cristalino llamado dislocación.

En forma genérica definiremos dislocación como una discontinuidad en la red cristalina, que se
produce a lo largo de una línea ( dirección). Esta discontinuidad puede ser de dos tipos:
§ Interrupción de un plano de átomos. En este caso se ha habla de dislocación de borde
§ Deslizamiento simultaneo de un grupo de planos, respecto a otro grupo de planos, en una
magnitud que varia de cero hasta una distancia atómica. En este caso se habla de
dislocación de hélice (figura 33).
 a

Figura 33 Dislocación de borde. Figura 34 Dislocación de hélice

a) Plano atómico extra a) Línea de dislocación
b) Línea de dislocación

DISLOCACIÓN DE BORDE. Consideremos un cristal cúbico simple perfecto, en dos dimensiones (figura
35.a). En dicha figura se ha dibujado un circuito cerrado, en sentido horario, llamado circuito de Burgers.
Nótese que el circuito considera el mismo numero de átomos en cada dirección, hasta cerrarse en el mismo
átomo en que comenzó. En caso de existir una dislocación de borde( figura 35.b), el circuito no se cierra. El
r
vector b , que une el ultimo, con el primer átomo del circuito se denomina vector de Burgers. Su modulo es
una distancia atómica y su dirección están dados por la posición del ultimo y primer átomos de circuito de
Burgers. Si aplicamos un esfuerzo de corte en la forma que indica la figura 23.c, los planos atómicos que
están por debajo del plano m-n, se irán reacomodando por movimiento sucesivo de los átomos sombreados de
la figura, hasta que la dislocación llegue al extremo del cristal (figuras 23c, d y e. Véase que la dislocación se
ha movido en sentido contrario al movimiento de los átomos.

τ τ τ
m n

τ τ τ

(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 35 a) Circuito de Burgers, b)Vector de Burgers c), d), e) Movimiento
de una dislocación de borde bajo la aplicación de un esfuerzo cortante positivo

Una dislocación de borde queda totalmente definida por su vector de Burgers, de la siguiente
manera:
§ La dirección de la dislocación es perpendicular al vector de Burgers y paralela al plano de
deslizamiento ( plano m-n)
§ El movimiento de la dislocación, bajo un esfuerzo de corte positivo, se efectúa en la
dirección del vector de Burgers, sobre el plano de deslizamiento
§ La energía de la dislocación es proporcional al cuadrado del vector E α b2
 De la figura 35 es fácil inferir que bajos esfuerzos de corte pueden producir deslizamiento de planos
cristalinos, cuando en un cristal existen dislocaciones.

Los símbolos (⊥) y (T) indican respectivamente las dislocaciones de borde positiva y negativa. Esto
es, que el plano atómico extra se encuentra en el primer caso sobre y en el segundo caso bajo el plano de
deslizamiento

DISLOCACIÓN DE HELICE. Consideremos un cristal cúbico simple (36a) y asumamos que cada cubo de
la figura representa un átomo. En la figura 36a el circuito de Burgers se cierra, lo que implica inexistencia de
una dislocación. Si la parte anterior- superior del cristal se encuentra desviada, respecto a la parte anterior-
inferior en una distancia atómica (figura 36b), el circuito de Burgers no se cierra y por lo tanto encierra una
dislocación. Nótese que la dislocación existe sin que haya un plano atómico extra y que su dirección es
paralela al vector de Burgers

r (c)
(b)
(a) b
Figura Nº 36 a) Circuito de Burgers, b) Vector de Burgers, c) Línea de dislocación y plano deslizamiento

Una dislocación de hélice queda totalmente definida por el vector de Burgers, de manera tal que :
§ La dirección de la dislocación es paralela al vector de Burges y esta contenida en el plano
de deslizamiento.
§ Al aplicar un esfuerzo cortante positivo, la dislocación se mueve en dirección perpendicular
r r r r
a b , en el sentido del vector b × n donde n es la normal al plano de deslizamiento

El sentido de una dislocación de hélice es indicado por el sentido del vector de Burgers. Así pueden
existir dislocaciones de hélice “a la izquierda” y “a la derecha”, como se observa en las figuras 37a y 37b.

(a) (b)

Figura 37 a) Dislocación de hélice a la izquierda. La línea punteada genera un helicoide

similar al de un tornillo con hilo izquierdo. B) Dislocación de hélice a la derecha
 Durante mucho tiempo las dislocaciones aparecían sólo un modelo físico, capaz de explicar la baja
resistencia de los materiales, en comparación con los valores teóricos. Con la aparición del microscopio
electrónico, la existencia de dislocaciones quedó fuera de toda duda. Hoy la fotografía de dislocaciones es
cosa frecuente, de manera que ya nadie puede dudar de su existencia.

EJEMPLO DE APLICACIÓN

Si se acepta que la energía de una dislocación vale: E ≅ Gb , demostrar que una dislocación cuyo
2

vector de Burgers es a [110 ] no es estable y se descompone en: a

2 2
[ ]
[111] + a 11 1 , para alcanzar el
equilibrio, es decir, su estado de mínima energía.

Solución:

Para efectuar la demostración pedida basta verificar que la suma de las energías de las dislocaciones
producidas es menor que la energía de la dislocación inicial.
Se sabe que: E ≅ Gb 2 ,
a2 ⋅3 a2 ⋅3
de aquí a energía de las dislocaciones producidas es: E 2 ≅ G ( + ) = 1.5 ⋅ G ⋅ a 2 y la energía
4 4
de la dislocación inicial es: E1 ≅ 2 ⋅ G ⋅ a 2

Entonces E 2 < E1 , que es lo que se deseaba demostrar.

DEFECTOS DE SUPERFICIE. Cuando se ataca una probeta metálica perfectamente pulida, con una
solución ácida, se observa que está constituida por un gran número de microcristales o “granos” (figura 38).
Se observa además que cada grano está separado de los vecinos por líneas negras. Estas líneas que en la
observación microscópica se ven negras, corresponden al corte entre la superficie de la muestra y las
superficies alabeadas que delimitan cada microcristal. En metalografía se denomina a estas superficies,
“límites de grano” y por extensión se denomina de igual modo a las líneas que se observa al microscopio.

Límite de grano

Figura 39 Disposición de los

Figura 38 Micrografía de un metal puro
átomos en el límite de grano
Los límites de grano tienen el espesor de unos cuantos átomos, que no responden al patrón cristalino
de ninguno de los cristales vecinos, tal como muestra la figura 39. Este desorden les confiere un mayor nivel
energético que el resto de los átomos. La alta energía libre de los límites de grano tiene, entre otras, las
siguientes consecuencias:

• Regula el tamaño de grano

• Confiere alta actividad química a los átomos de estas regiones, como lo prueba el comportamiento
frente a los reactivos usados en metalografía.
 El defecto denominado límite de grano, se puede interpretar también como un complejo conjunto de
dislocaciones y como tal es responsable en gran parte de las propiedades mecánicas de los metales y
aleaciones.

El tamaño de grano es importante en algunas propiedades. A menor tamaño de grano los metales
son más duros y resistentes. La ASTM norma la medida del tamaño de grano con la siguiente relación:

N = 2 n −1 ,
en que N es la cantidad de granos que hay en un círculo de una pulgada cuadrada de
área medida en una fotomicrografía a cien aumentos y “n” es el “numero de grano
ASTM”, que en los aceros va normalmente de uno a ocho.

DEFECTOS VOLUMÉTRICOS. En este grupo se puede incluir defectos tan dispares como inclusiones;
grietas; poros; segregación intergranular, macrodefectos, etc. Pero el defecto volumétrico que se puede
considerar como defecto cristalino es la “macla”. Una macla es un conjunto de planos semideslizados que
separa dos regiones de un grano que tienen estructura cristalina normal. El maclado se produce por
deformación plástica y tiene lugar especialmente en los metales de estructura hexagonal compacta. En la
figura se muestra una macla formada por el desplazamiento conjunto de los planos (111) de un cristal FCC.
Nótese que basta un pequeño desplazamiento de cada plano, para que se forme la macla.
(110)

[112] (111)

Plano (111) [112 ]

(a)
(b)
Figura 40 Macla formada por los planos (111) en la dirección [11 2 ], en un cristal FCC a) Corte
de la macla según el plano (111), b) Descripción gráfica de la dirección y el plano de la macla
Conforme a lo ya expuesto, una macla es una zona distorsionada de una red cristalina, formada por
un conjunto de planos semidesplazados, que separa dos zonas no distorsionadas de un cristal. Si se pule y
ataca una muestra en que hubo deformación por maclado, se observa al microscopio una serie de rayas
paralelas que revelan el maclado. Esto diferencia esta deformación de la producida por deslizamiento simple
de planos, pues en esta última los planos deslizan en una magnitud equivalente a una distancia atómica, con lo
que la red se reordena y no quedan deformaciones al interior del cristal y no hay, por lo tanto, señales
perceptibles con un microscopio.