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UNIVERSIDAD DE ORIENTE

NUCLEO DE SUCRE
ESCUELA DE CIENCIAS
DEPARTAMENTO DE FSICA
TPICOS ESPECIALES EN LA FSICA I

MTO
DOS
DE
ESTUD
IO DE
LA
ESTRU
CTURA
ELECT
RNIC
A DE
LOS
SOLID
OS

PROFESOR:
NEY LUIGI

REALIZADO POR:
BR. RUIZ, LEONEL J.
C.I. 19.488.578

CUMANA, AGOSTO DE 2015

ESTADOS ELECTRNICOS EN UN CRISTAL.


Podemos considerar el cristal como una red regular formada por un nmero grande
de tomos. Si la constante de red es muy grande (>> que el radio atmico), los niveles de
energa de un electrn de valencia en el cristal son los mismos que los del tomo aislado.
Cada uno de estos niveles de energa i tendr una degeneracin igual a la de ese nivel en
el tomo aislado gi multiplicada por el nmero de tomos en el cristal. O sea que cada uno
de estos niveles tiene una degeneracin enorme en un sistema de N tomos (Nnumero de
Avogadro). A medida que se reduce la constante de red la degeneracin de los niveles se
comienza a romper y cada uno se separa en Ngi niveles. La separacin entre niveles es muy
pequea (<< i) y se habla de bandas. Cuando la constante de red es del orden del dimetro
atmico, estas bandas pueden llegar a superponerse.
Esto se debe a que un nivel de energa es perturbado si las funciones de onda de ese
nivel atmico se superponen apreciablemente. Esta superposicin ocurre a distancias
mayores para los orbitales atmicos ms extendidos. O sea que para una distancia
determinada los niveles de energa superior forman, en general, bandas ms anchas .
Para describir cualitativamente las propiedades electrnicas de un cristal, debemos
considerarla estructura de bandas a la distancia de equilibrio r 0 entre iones (r0 es la distancia
del primer vecino en la estructura cristalina) y tener en cuenta que los niveles de energa
son ocupados siguiendo el principio de exclusin de Pauli. Nuestro material ser aislante si
existe un intervalo >> kBT entre el nivel ocupado ms alto y la siguiente banda de
niveles. Si el nivel ocupado ms alto est en una banda no totalmente ocupada, o si existe
otra banda que se superpone, se trata de un metal. Esto se debe a que en este caso el cristal
tiene numerosos niveles accesibles, incluso para excitaciones muy chicas en energa.
La funcin de onda asociada a cualquiera de estos niveles de energa en cualquier
banda, es una funcin que se extiende por toda la red y la probabilidad tiene la misma
simetra que la red cristalina. En este sentido el electrn que ocupa ese nivel no est
asociado con ningn tomo en particular de la red, son estados colectivos.

APROXIMACIN DE ELECTRN LIBRE.


La idea de que la alta conductividad de los metales se debe a un nmero grande de
electrones cuasi libres, fcilmente movibles, es la aproximacin terica ms simple a este
problema.

Suponiendo que los electrones de conduccin no interactan entre s ni con los


ncleos que forman la red, tenemos un caso similar al de un gas ideal de partculas libres.
En particular, como los electrones siguen la funcin de distribucin de Fermi, este
problema se reduce al caso de un gas ideal de fermiones. Esta aproximacin es muy grosera
y no sirve para calcular, por ejemplo, como se distribuye la carga electrnica en un slido,
pero es suficientemente buena como para reproducir propiedades cinticas de los electrones
de conduccin.
Si el potencial en que se mueven los electrones V(r) es constante, se pueden ignorar
todos los trminos del hamiltoniano, excepto el de energa cintica:
N

i =1

2 2
( r 1 r N )= ( r 1 r N )
2 m r 2i

La solucin que se plantea es una superposicin de soluciones para electrones libre,


la funcin de onda es:
( r 1 r N ) = 1 ( r 1 ) 2 ( r 2 ) N ( r N )
Donde cada factor representa una onda plana
k =e ikr (1)
De energa
2 k 2
(k )=
(2)
2m
La energa total del gas ideal de electrones es:
2 k i2
( k ) =
2m
i
En la aproximacin de electrones libres, la respuesta del cristal cuando se aplica un
campo externo, elctrico o magntico, es idntica a la respuesta de una partcula aislada en
presencia de ese campo.
La conductividad elctrica de este gas ideal de electrones puede estimarse en forma
cualitativa teniendo en cuenta que la intensidad de corriente en un material se define como
I = N e v (3)

donde I es la densidad de corriente, N es el numero de portadores por unidad de


volumen, en este caso los portadores son electrones de carga e y con velocidad promedio v.
Al aplicar un campo electrico E al gas ideal de electrones, estos sufren una aceleracion
eE/m, donde m es la masa del electrn. El gas de electrones libres llega al equilibrio
termico por choques inelsticos entre s, pero en el tiempo que hay entre choques no hay
interaccion entre ellos. Para estimar la conductividad electrica, vamos a considerar que la
velocidad de salida luego del choque entre un par de partculas no est correlacionada (ni
en direccion ni en magnitud) con las velocidades iniciales. Solo tienen cierta probabilidad
de tener determinada velocidad final, de acuerdo con la funcion de distribucin de
velocidades; esto es vlido, en promedio, para un numero grande de partculas.
La aproximacin que se plantea para la ecuacion de movimiento de estos electrones,
es la de un sistema con un trmino de friccion. Tenemos un sistema con una distribucin de
impulsos p, si aplicamos una fuerza externa fext y si los electrones tienen un tiempo medio
libre entre colisiones, la ecuacion de movimiento para el conjunto de electrones con
impulso en el intervalo (p,p+dp) es:
dt
dp ( t )= p ( t+dt ) p ( t )=f ext dtp (t)

El factor dt/ da la probabilidad de choque en el intervalo de tiempo dt y el segundo


trmino resta la contribucion, al intervalo (p,p+dp) de la distribucin de impulsos, de los
electrones que sufrieron un choque. Su impulso final esta distribuido con orientacion al azar
y su contribucion al intervalo se puede despreciar. La ecuacion de movimiento es
dp(t)
p(t)
=f ext
dt

Si , recobro la ecuacion de movimiento sin el trmino de friccion, si dp(t)/dt


= 0 describo el estado estacionario. En nuestro caso, para calcular una corriente estacionaria
es
p=mv= f ext =eE
Reemplazando en 3 se tiene
2 E
I =Nev=N e =E(4 )
m
Donde el ltimo termino es la definicin de conductividad, de aqu se obtiene
N e2
=
(5)
m

Tenemos que aclarar que depende fuertemente de la temperatura y de las


caractersticas del material. Se puede ver que esta estimacin es buena para metales simples
(en donde la aproximacin de gas libre de electrones es buena para muchos fenmenos).
Podemos usar la ecuacion 5 y valores conocidos de conductividad electrica para calcular ,
tiempo medio libre del electrn.
Para calcular correctamente la velocidad promedio de los electrones y la
conductividad electrica es necesario considerar la ecuacion de transporte. Para dar
simplemente una idea del tipo de clculo que hay que realizar, diremos que en el caso de un
campo electrico constante en el tiempo y uniforme en el espacio la funcion de distribucin
de estados en el espacio de las fases cumple la ecuacion de transporte de Boltzman:
f f 0
eE p f 0=
(6)

Y de aqu se obtiene que


eEv
f =f 0 1
usando lafuncion de MaxwellBoltzman
kT

[
[

f =f 0 1( 1f 0 )

eEv
usando lafuncion de FermiDirac
kT

Una vez obtenida la funcin f de distribucin fuera del equilibrio, se puede calcular
la velocidad promedio
3
vf ( v ) g (v ) d v

v
(8)
f ( v ) g( v)d 3 v
Este resultado es vlido solo cuando vale la aproximacin de un gas ideal de Fermi
para los electrones, el resultado se modifica en el caso de tener que considerar otras
aproximaciones para un electrn en una red cristalina.

LA APROXIMACIN DE ENLACES FUERTES


Esta aproximacin se plantea cuando los orbitales atomicos de cada tomo que
forma el cristal tienen poca superposicion con los orbitales atomicos de los primeros
vecinos en la red. En la aproximacin de enlaces fuertes la idea es representar los estados
electronicos de la red (que son funciones extendidas a todo el cristal) por funciones tales
que cerca de un ion se parezcan a un estado atomico. Este metodo da una buena

aproximacin para calcular la estructura de bandas en aisladores y en metales de transicion,


donde solo hace falta tener en cuenta una correccion debido a la superposicion de los
orbitales atmicos ms externos, los 3d.
Si a(r l) es un orbital atomico para un tomo localizado en l, se puede construir
la siguiente funcion que verifica el teorema de Bloch
1
K ( r ) =
eikI a ( r1 ) (9)

N l
Este tipo de funcion nos dice que en cada tomo predomina un orbital atomico,
que sera una aproximacin local bastante buena para la solucin de la ecuacion de
Schrodinger. A su vez, estos orbitales estan multiplicados por un factor de fase e ik.l, que
tiene en cuenta el desfasaje de k(r) entre celdas de la red.
Si el Hamiltoniano de la red cristalina es:
2 2
H=
+V ( r ) (10)
2m
El valor de la energa, para la funcin de onda (6) se calcula como:

k ( r ) H (r ) k (r )dr

(k )=
(11)
k ( r ) k (r )dr
Si la superposicin entre orbitales atmicos de tomos vecinos no es grande, el
denominador ser aproximadamente 1. Esto se deduce introduciendo la solucin (6) en el
denominador:
l l} {{e} ^ {ik(l-l
rl right ) {} rsub {a} rsup <?> left (r-l right ) dr
k ( r ) k ( r ) dr= N1 a
Teniendo en cuenta que los orbitales atomicos son soluciones ortonormales del
Hamiltoniano de un tomo, la integral del segundo trmino vale 0 o 1 segn que ll o
l=l. Cuando l o l son distintos la integral es aproximadamente nula, debido a que la
superposicion de orbitales entre distintos tomos de la red es chica.
Si el denominador de 2.34 es aproximadamente 1, tenemos:

l } {{e} ^ {ik(l-l
rl right ) H left (r right ) {} rsub {a} rsup <?> left (r-l right ) dr} = {1} over {N} sum from {h} {{
1

( k ) a
N l

Con h = a ( r + h ) H ( r ) a ( r ) dr (13)

Debido a la periodicidad de la red, las distintas integrales h dependen solo de la


posicion relativa de los tomos, h=l-l. Supongamos que las autofunciones atomicas a(r)
no se modifiquen al poner cada tomo en el cristal, eso implica que se cumple la ecuacion:

2
+V a ( r ) a ( r ) = a a ( r ) (14)
2m

Donde Va(r) es el potencial de un tomo aislado situado en r=0. Se supone que las
autofunciones a ( r ) estn localizadas en cada tomo, es decir que a ( r ) es
despreciable cuando

r a , donde a es el parmetro de red. Para calcular los

consideremos que:
h = a ( r + h ) H ( r ) a ( r ) dr = a ( r + h ) [ H a ( r ) + V ]
a ( r ) dr
Con V= V(r) Va(r)
Ahora se calcula

a ( r +h ) H a ( r ) a ( r ) dr= 0asisih=0
h 0
a ( r +h ) V a ( r ) dr 0 si h=0
Debido a que V~Va en las cercanias del atom h=0. De aqui se obtine que
0 a
h a ( r+ h ) [ V ( r )V a ( r ) ]
a ( r ) dr (15)
Estas integrales sern distintas de cero solo cuando se considere superposicin de
funciones entre tomos primeros vecinos. Tambien esperamos que solo se superpongan los
orbitales de la banda ms externa. Las otras bandas, correspondientes a niveles atmicos de

anergia ms bajos, no alcanzan a superponerse a la distancia de equilibrio interatomica. O


sea que h cuenta solo a los primeros vecinos y
( k ) a + h ekh
nv

Donde no son los primeros vecinos en un cristal con parmetro de celda a.


Las integrales h = son todas iguales entre si y los niveles de energa estn dados
por:
( k ) = a 2 ( cos ( k x a ) +cos ( k y a ) +cos ( k z a ) ) (16)
Si a la distancia de equilibrio entre tomos las bandas electrnicas se superponen,
se cendra que plantear el problema con una combinacin lineal de orbitales atmicos
(mtodo LCAO). Las soluciones son del tipo:
1
k ( r )=
e ikl (m)

a (r l)
N lm
donde el ndice m indica numero del orbital del tomo en l.
Es importante tener en cuenta que orbitales localizados no significa que el electrn
est localizado. El electrn esta descripto por una funcion de Bloch y por lo tanto el nico
cambio de la funcion, de celda a celda, es en la fase. Esto implica que el electrn tiene la
misma probabilidad de estar localizado en cualquiera de las celdas.

OTROS mtodos PARA CALCULAR DOS


Existen muchas aproximaciones para calcular la estructura de bandas de un cristal.
En los dos puntos anteriores se presentaron las dos aproximaciones extremas para el caso
de un electrn en la red cristalina: el electrn levemente perturbado y el electrn
fuertemente ligado. En aproximaciones intermedias, y siempre para el caso de un electrn,
podemos citar muchos metodos, por ejemplo:

El metodo de Wigner y Seitz, que consiste en dividir el espacio en celdas, dentro de


cada una se plantea una superposicion de armonicos esfericos para representar el
potencial local u(r) y la solucin general es de la forma:
ikr
k ( r )=e uk (r )
Una vez planteada k(r) se deben empalmar las soluciones ( y su derivada deben
ser continuas) en los bordes de las celdas.

El problema de este metodo es que introduce estas condiciones en la zona en que el


potencial es ms plano y las funciones de onda se parecen ms a las de electrones libres.

Para resolver este problema se plantea el metodo del pan dulce (muffin-tin). Es
decir los armnicos esfericos se plantean para la region central de la celda y el
espacio intermedio se ocupa con ondas planas. Tambien se resuelve imponiendo las
condiciones de empalme. En general, todos estos problemas se resuelven
numericamente.