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Introduccion:
La juntura PN, se define como la frontera entre una zona o
region semiconductora tipo p y una zona o region tipo N
formadas en el mismo cristal.
Un analisis completo del dispositivo de juntura PN esta dividido
en cuatro partes. La primera trata sobre el analisis
electrostatico, esto es, el estudio de la densidad de carga fija, el
campo electrico y el potencial electrostatico, que son fenomenos
que existen dentro de un dispositivo o en condiciones de
equilibrio (sin excitacion externa), y estado estable (excitacion
con una fuente de d.c.). Las siguientes 3 partes estan dedicados
al modelamiento del dispositivo de juntura PN en estado estable
(d.c.), pequena senal y respuesta en frecuencia (a.c.)
ND y NA
ND
x
Juntura Metalurgica (ND-NA=0)
(a)
ND - NA
(b)
ND - NA
ND - NA
Perfil real
Perfil idealizado
X
(a)
(b)
Fig. Perfiles de dopaje para : (a) Una juntura abrupta y (b) Una juntura gradual
La ecuacion de Poisson
Esta ecuacion relaciona el gradiente del campo electrico con la
carga espacial. Es punto de partida para obtener soluciones
cuantitativas para las variables electrostaticas.
E = / Ks o
Donde:
= dE/dx = - d V/dx=
ND - NA
ND
(a)
-NA
LADO P
Ec
(b)
EFi
EF
Ev
LADO N
Ec
EF
EFi
Ev
(c)
Fig. Construccion detallada del diagrama de bandas en estado de equilibrio de una juntura PN
(a) Perfil de dopaje para una juntura PN abrupta
(b) Diagrama de bandas para dos semiconductors aislados
(c ) Alineamiento del nivel de fermi
Ec
EF
EFi
(d)
Ev
Fig. (d) Diagrama de bandas completo
LADO N
LADO P
qVbi
(a)
Diagrama de bandas
qVbi
Ec
EF
EFi
Ev
V
(b)
Potencial
electrostatico
Vbi
x
E
-Xpo
(c )
Campo Electrico
Xno
x
(d)
Densidad de carga fija en
Funcion de la posicion
+
-
P
-
- + - + - +
- + - + - +
- + - + - +
N
+ - + - +
+ - +- +
+ - +- +
(a)
-(se difunden)
- + - +
+ - + - + - + - + - + - + (se difunden)+
+ - + - +
+ - +- +
+ - +- +
(b)
- + - +
- +- +
- +- +
(c )
- + - + - + - + - + - +
-xpo
+
+
+
X=0
xno
(d)
+xno
V(xno)
Contacto
ohmico
A(cm )
N
X=0
x
-
VA
Fig.: Diodo de juntura con contactos ohmicos y con
tension de polarizacion VA
ND - NA LADO N
ND
x
-NA
(a)
(b)
-xpo
qND
xno
-qNA
E
(c )
-xpo
xno
V
Vbi
(d)
-xpo
xno
Fig. Analisis electrosttico para una juntura abrupta, usando la aproximacin por deplexion
(a)Perfil de dopaje de la juntura (b) densidad de carga fija (c ) campo elctrico y (d) poten
electrostatico
- qNA,
qND,
0,
- xpo x 0
0 x xno
x - xpo
x > xno
Campo elctrico (E ):
dE / dx=
- qNA/Ks o ,
- xpo x 0
qND/Ks o ,
0 x xno
0,
x - xpo y
x > xno
E(x) = - (q ND / Ks o) (xno x)
para
E(x) = - (q ND / Ks o) (xpo + x)
para
0 x xno
-xpo x 0
- xpo x 0
. (1)
0 x xno . (2)
para
0 x xno (4)
(5)
1/2
1/2
1/2
(Caida de voltaje
Contacto
ohmico despreciable)
(caida de voltajeContacto
despreciable) ohmico
A(cm )
P
-xp
Region
de
deplexion
N
xn
X=0
VA
1/2
1/2
VA=0
Wdo
VA<0
VA> 0
VA>0
VA=0
x
VA<0
GRACIAS