PEC1: Fundamentos de componentes

y circuitos electrónicos (Enunciado)

Profesores responsables
Profesor responsable:
● Dr. Pere Tuset <​peretuset@uoc.edu​>
Profesores colaboradores:
● Dr. Marc Bara <​mbara@uoc.edu​>

Presentación
Esta PEC se focaliza en diferentes aspectos de la microelectrónica actual, desde conceptos
relacionados con las tecnologías de fabricación de los elementos más fundamentales de estos
dispositivos, pasando por su utilización en puertas lógicas y funciones elementales, hasta llegar al
estudio de subsistemas electrónicos con funciones específicas como sumadores, contadores,
registros, etc. Es muy importante que se conozca el material base facilitado en la asignatura, en
concreto la PEC contiene un conjunto de cuestiones y problemas relacionados con los contenidos
de los Módulos 1, 2 y 3.

Competencias
● Saber las características generales y el comportamiento básico de los materiales
semiconductores.
● Conocer qué efectos intervienen en el diseño de circuitos integrados CMOS.
● Saber describir subsistemas secuenciales, como los registros, registros de desplazamiento y
contadores.
● Saber utilizar subsistemas ampliamente utilizados por operaciones combinacionales, como
la suma, la resta y la comparación.
● Saber usar otros tipos de subsistemas con circuitos integrados comerciales, y como
escalarlos en número de bits mediante conexiones en cascada.

Objetivos
● Conocer las tecnologías y materiales empleados en la fabricación de circuitos integrados.
● Entender el proceso básico de fabricación de los circuitos monolíticos de silicio.
● Conocer los fundamentos de los circuitos basados en tecnología MOS.
● Aprender las características de comportamiento de los circuitos creados con tecnología
CMOS.
● Asimilar el estudio de la escala de integración de circuitos intermedia.

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Recursos
Los recursos que se recomienda utilizar para esta PEC son los siguientes:
● Recursos básicos:
○ Los módulos 1, 2 y 3 de los materiales.
● Recursos complementarios:
○ Comentados en el texto.

Criterios de valoración
● Razonar la respuesta en todos los ejercicios. Las respuestas sin justificación no recibirán
puntuación.
● La valoración se indica en cada uno de los subapartados.

Formato y fecha de entrega

● Hay que entregar la solución en un fichero PDF.
● Se entregará a través de la aplicación de Entrega y registro de EC del apartado Evaluación
de su aula.
● Para dudas y aclaraciones sobre el enunciado, diríjase al consultor responsable de su aula.
● La fecha límite de entrega es el ​13 de octubre​ (a las 23:59 horas).

Descripción de la actividad
Esta PEC está compuesta por diferentes tipos de actividades, en concreto:
● Preguntas (30%): ​Encontraréis una serie de afirmaciones, respecto temas que debemos
asimilar, y se trata que razonéis por qué cada una de ellas es cierta o falsa. El objetivo es
asimilar conceptos mediante el razonamiento de diferentes características de un circuito, su
funcionamiento, ventajas o inconvenientes de una cierta tecnología, etc. Hay que razonar
siempre cada una de las tres opciones de respuesta; las respuestas no razonadas se
calificarán con cero puntos.
● Problemas (40%): ​Se os plantea una actividad concreta, que tendréis que trabajar a partir
de conocimientos del material de la asignatura y/u otras fuentes de información.
● Cuestiones de investigación (30%): ​Encontraréis algunas cuestiones abiertas, sin una
solución cerrada y única, donde tendréis que hacer investigación de información, material o
datos, para trabajar conceptos clave de la microelectrónica de hoy en día.

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Enunciado

Preguntas (30%)

Pregunta 1 (10%): Determina si cada una de las siguientes afirmaciones son CIERTAS o FALSAS
con respecto a semiconductores PN. Razona adecuadamente tus respuestas.

a) ​Los átomos que se añaden al semiconductor para aumentar la presencia de portadores

se denominan impurezas.
b) ​En la zona central de la unión PN se establecen portadores, que inducen una carga
eléctrica (negativa en el semiconductor P y positiva en el semiconductor N).
c) ​Para polarizar en directa una unión PN, se debe aplicar siempre una tensión superior a 0
V al material P.

Pregunta 2 (10%): ​Determina si cada una de las siguientes afirmaciones son CIERTAS o FALSAS
con respecto a transistores MOSFET y puertas CMOS. Razona adecuadamente tus respuestas.

a) ​En un transistor MOSFET, en la zona de saturación la corriente de drenador es

proporcional a una constante.
b) ​En un transistor MOSFET, con la tensión de puerta podemos regular el paso de corriente
entre drenador y fuente, y por tanto decimos que el transistor es una fuente de corriente
controlada por tensión.
c)​ L
​ os transistores nMOS contienen dos regiones tipo N altamente dopadas.

Pregunta 3 (10%): Determina si cada una de las siguientes afirmaciones son CIERTAS o FALSAS
con respecto a subsistemas típicos de circuitos integrados. Razona adecuadamente tus respuestas.

a) ​Un interruptor analógico es un componente que se comporta de manera similar a un relé

mecánico, pero como está basado en dispositivos de estado sólido, no tiene partes
móviles, la conmutación se consigue a nivel eléctrico.
b) ​Un multiplexor es un sistema con dos grupos de entradas (que podemos llamar x e y) y
una salida z. El valor de la salida corresponde al de una de las entradas x. La entrada x
que corresponderá al valor de la salida se selecciona en función del valor de la señal y.

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 c) ​En Complemento a 2, podemos hacer una resta negando primero todo el substraendo, y
utilizando un sumador como acarreo de entrada a 1.

Problemas (40%)

Problema 1 (10%): ​Típicamente el retardo de propagación se considera una característica no

deseada de las puertas lógicas. Hay ciertas situaciones, sin embargo, en que puede ser de utilidad.
Tomaremos como ejemplo el circuito de la Figura 1.

Figura 1. Circuito del Problema 1.

a) ​Si las puertas lógicas de este circuito tuvieran un retraso de propagación cero, el circuito
no tendría ningún tipo de función útil. Para verificar esto, analiza su respuesta en estado
permanente a una señal de entrada en estado “alto”, y después a una señal en estado
“bajo”. ¿En qué estado se encuentra la salida de la puerta AND?
b) ​Ahora considera que el retraso de propagación de una puerta lógica es de ∆ segundos, y
que la señal de entrada es una señal de reloj cuadrada de período T. Asumimos que ∆
<< T. Dibuja el diagrama de tiempo (5 períodos) de cada una de las salidas de las
puertas NOT y de la salida “Output”.
c) ​¿Qué función hace este circuito? ¿Cómo podríamos sintetizar una señal de salida más
corta o más larga?

Problema 2 (15%): ​En la Figura 2 se os presenta un circuito basado en transistores MOSFET.

Considera que el transistor T​3​presenta una resistencia en conducción mucho mayor que T​1​y T​2​.

a) Explica el estado de conducción de todos los transistores en cada uno de los diferentes
estados lógicos.

b) Determina la función lógica que implementa el circuito de la Figura 2.

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 c) Explica las diferencias entre los MOSFET de deplexión y los de enriquecimiento
(consulta bibliografía externa si es necesario). Muestra los diferentes símbolos usados
en los esquemáticos según el tipo de MOSFET.

Figura 2. Circuito del Problema 2.

Problema 3 (15%): En la Figura 23 del módulo 3 podemos encontrar la representación del circuito
integrado 74180, mostrado también en la Figura 3 de este documento. Teniendo en cuenta todas
sus entradas y salidas, trabaja las siguientes cuestiones haciendo uso de este tipo de circuito
integrado como bloque fundamental:

a) Diseña un circuito generador de paridad impar, para transmitir palabras de 16 bits.

b) Diseña un circuito comprobador de paridad en el receptor.

c) Estima el número de puertas lógicas y el número de transistores MOSFET, tipo nMOS y

pMOS, que compondrían este circuito. (Razona tus hipótesis).

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 Figura 3. Pines del circuito integrado 74180.

Cuestiones de investigación (30%)

Cuestión: ​En la siguiente dirección el fabricante de circuitos Intel nos habla de los pasos de su
proceso de ​fabricación de chips:

http://www.intel.com/content/www/us/en/history/museum-making-silicon.html

También podemos encontrar un video didáctico de su proceso de fabricación en ​tecnología de 22

nm​:

http://newsroom.intel.com/docs/DOC-2476

y una explicación en el documento PDF:

http://download.intel.com/newsroom/kits/chipmaking/pdfs/Sand-to-Silicon_22nm-Version.pdf

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Respecto a este fabricante, en agosto 2014 tuvimos noticias sobre el lanzamiento en producción de
su proceso de fabricación en ​tecnología de 14 nm​:

http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2014/08/11/intel-discloses-newest-micro
architecture-and-14-nanometer-manufacturing-process-technical-details

y un video explicativo de Intel en:

http://youtu.be/ov4m-SeLc5I

Esta tecnología de 14 nm se incorporó durante 2015 a los productos de marcas como Samsung y
Apple, ésta última utilizándose en sus MacBook Pro:

http://global.samsungtomorrow.com/samsung-announces-mass-production-of-industrys-first-14nm-fi
nfet-mobile-application-processor/

http://www.everymac.com/systems/apple/macbook_pro/specs/macbook-pro-core-i7-3.1-13-early-20
15-retina-display-specs.html

Y también supuso una nueva arquitectura en Intel denominada “Skylake”, en Agosto 2015:

http://www.techpowerup.com/213616/intel-to-debut-its-core-skylake-processors-at-gamescom-2015.
html

En agosto de 2016 se presentó la evolución de esta arquitectura con el nombre “Kaby Lake”:

http://www.techradar.com/news/computing-components/processors/kaby-lake-intel-core-processor-7
th-gen-cpu-news-rumors-and-release-date-1325782

En agosto 2017 se presentó la actualización de Kaby Lake con el nombre de “Kaby Lake Refresh”:

http://wccftech.com/intel-8th-gen-cpu-launch-kaby-lake-cannonlake-coffee-lake/

En un sector donde la innovación es constante, en seguida se habló de “Coffee Lake”. En

septiembre 2018 se anunció el lanzamiento al mercado:

https://www.techradar.com/news/intel-coffee-lake-release-date-news-and-rumors

Y a continuación “Coffee Lake Refresh” en octubre 2018:

https://newsroom.intel.com/news-releases/intel-announces-worlds-best-gaming-processor-new-9th-
gen-intel-core-i9-9900k/

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En 2019 se recibieron más notícias, como fue “Cannon Lake”, y más recientemente ​la primera
generación de 10nm​ llamada “Ice Lake”,

https://www.theverge.com/2019/5/28/18639317/intel-10nm-10th-gen-core-ice-lake-cpu-processor-la
ptop-launch-thunderbolt-3-sunny-cove

https://www.techradar.com/news/intel-ice-lake

A pesar de esta evolución en los últimos años, en 2020, y dada la situación del mercado, se está
hablando ya de atrasos en los lanzamientos de Intel:
https://hardzone.es/noticias/procesadores/intel-roadmap-2020-2021/

En esta cuestión se te pide:

a) ​Relaciona en detalle todas las etapas de este proceso de fabricación en ​tecnología de

22 nm​ con las diferentes etapas descritas en el módulo 1, similitudes y diferencias.
b) ​Describe (a partir de estos documentos o de otros que encuentres) en qué consiste el
proceso conocido como ​“wafer sort” ​o​ “on-wafer testing”​, y su finalidad.
c) ​Cuando se habla de “tecnología de 22 nm”, o “tecnología de 14 nm”, ¿a ​qué
dimensiones ​nos referimos?
d) ​¿Qué mejoras principales se han conseguido o introducido para reducir las dimensiones
de 22 nm a 14 nm, y más recientemente a 10 nm​?
e) ​¿Qué ​ventajas tendrá el hecho de disponer de un ​proceso de fabricación de 10 nm​?
(Justifica tus razonamientos y explicaciones con fuentes bibliográficas).
f) ​¿Qué procesos de fabricación se esperan ​en los próximos años​, y de ​qué
dimensiones​? (Justifica tus razonamientos y explicaciones con fuentes bibliográficas).

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