Laboratorio Electrónica II, Ingeniería Energías

Renovables Eduardo Esteban Rodríguez

Barrera Ing. Electrónico

Práctica VII: Transistores FET

Objetivo:

Obtener la respuesta las características de voltajes y corrientes de los transistores Mosfet,

usando un simulador de circuitos electrónicos e implementando la topología básica de los
Mosfet, para comprobar la conmutación con respecto a los datos entregados en los
datasheet.

Materiales (Hardware computacional y software)

Sistema de cómputo básico.

Simulador de circuitos Electrónicos (Cualquier software de simulación con licencia de uso
libre, LTspice como ejemplo).

Materiales Físicos
3 Transistores Mosfet de canal N
2 Fuentes de Alimentación (fuente de DC para simulación)
1 Graficador de Barrido de DC (para simulación)

Procedimiento

Armar el circuito que se muestra en la figura 1 (configurar en simulador), que corresponde

un circuito rectificador de media onda.

Figura 1. Circuito de transistor Mosfet como interruptor.

Observar y describir el voltaje y corriente de cada uno de los valores de VGS y
componentes del circuito (Resistencia y diodo). Medir el voltaje de CD en la resistencia.

Armar los circuitos que se muestran en la figura 1 (configurar en simulador), agregando

diferentes mosfet (2N7085,2N7078). Investigue sus hojas de datos y obtenga los VGS
(Threshold) o voltaje umbral.

En el simulador hacer que el circuito vaya incrementando de .1v

En el simulador hacer que incremente de .2v

Observar y describir el voltaje de cada uno de los mosfet de enriquecimiento.

.