TRANSISTORES - Amplificadores con

FET.
Lenin Llumiquinga, Alex Loachamin, David Mera
Departamento de Elétrica y Electrónica
Universidad de la Fuerzas Armadas ESPE
Sangolquí, Ecuador

I. OBJETIVO
-Resolver y simular (LTSPICE) ejercicios correspondientes a trasistores tipo FET.

II. MARCO TEÓRICO

Conclusiones y conceptos importantes.

1. El parámetro de transconductancia gm está determinado por la relación del cambio de

la corriente de drenaje asociado con un cambio particular del voltaje de la compuerta a
la fuente en la región de interés. Cuanto más pronunciada es la pendiente de la curva de
ID contra VGS, mayor es el nivel de gm. Además, entre más cerca está el punto o región
de interés a la corriente de saturación IDSS, mayor es el parámetro de
transconductancia.

2. En hojas de especificaciones, gm aparece como yfs.

3. Cuando VGS es de la mitad del valor de estrangulamiento, gm es de la mitad del valor

máximo.

4. Cuando ID es de un cuarto del nivel de saturación de IDSS, gm es de la mitad el valor

en condición de saturación.

5. La magnitud de la impedancia de salida es similar a la de los BJT convencionales.

6. En hojas de especificaciones la impedancia de salida rd se da como 1/yo. Cuanto más

horizontales son las curvas de características de drenaje, mayor es la impedancia de
salida.

7. La ganancia de voltaje de las configuraciones de polarización fija y de

autopolarización (una capacitancia de puenteo en la fuente) del JFET es la misma.

8. La red equivalente de ca de un MOSFET tipo enriquecimiento es el misma que la que

se

empleó para los FJET y los MOSFET tipo empobrecimiento. La única diferencia es la
ecuación para gm.
9. La magnitud de la ganancia de redes con FET en general varía entre 2 y 20. La
configuración de autopolarización (sin capacitancia de puenteo en la fuente) y la de
fuente seguidor son configuraciones de baja ganancia.

10. No hay desfasamiento entre la entrada y la salida de las configuraciones en fuente-

seguidor y en compuerta común. Las otras tienen un desfasamiento de 180°.

11. La impedancia de salida de la mayoría de las configuraciones del FET está

determinada

principalmente por RD. Para la configuración en fuente-seguidor está determinada por

RS y gm.

12.Cuando busque fallas en cualquier sistema electrónico o mecánico siempre busque

primero las causas más obvias.

Las ecuaciones para este tema se pueden visualizar en la figura 1.

Fig. 1. Ecuaciones

Tambien se observa en la siguiente tabla 1.

TABLA I. Tabla 8.1.
TABLA 2. Tabla 8.2.

III. DOCUMENTACIÓN DE LOS EJERCICIOS

V  1V
5. Para un JFET que tiene gm  6mS en GS Q ,¿Cual es el valor de I DSS si
VP  2.5V ?. Hecho por Lenin Llumiquinga.

 VGS Q 
2 I DSS
gm  1  
VP VP 

2I   1V 
6mS  DSS 1  
2.5V   2.5V 
Despejando I DSS
6mS  2.5V
 I DSS
  1V 
21  
  2.5V 
I DSS  12.5mA

8. Una hoja de especificaciones proporciona los siguientes datos(con una corriente

de drenaje de la lista):
y fs  4.5mS yos  25mS

En la corriente del drenaje a la fuente que aparece en la lista, determine:Hecho

por Lenin Llumiquinga.
A. gm.
gm  y fs  4.5mS

B. rd .
 1
rd 
yos
1
rd 
25S
rd  40 K

18.Determine Zi, Zo y Av para la red de la figura 8.73 si I DSS  12mA,VP  6V y

yos  40S . Hecho por Lenin Llumiquinga.

Fig. 2. Fig.8.73 Amplificador de polarización fija para los problemas 17 y 18.

 VGS Q  1.5V
 VGS Q 
2 I DSS
gm  1  
VP  V 
 P 
2(12mA)   1.5V 
gm  1  
 6V   6V 
gm  3mS
Zi

Zi  RG  1M
Zo

Zo  RD rd
1
Zo  RD
yOS
1
Zo  1.8K
40 S
Zo  1.8K 25 K
Zo  1.68K

Av   gm RD rd 
Av  (3mS )1.68 K 
Av  5.04

Para las simulacion de la ganacia de voltaje se implemetos el circuito de la figura 3.

Fig. 3. Circuito Simulado en LTSPICE.

Para las simulaciones de impedancias se implemento el circuito de la figura 4.

Fig. 4. Circuito Simulado en LTSPICE.

Valores simulados en LTSPICE se observan en la figura 5.
Fig. 5. Valores simulados.

Registro de datos:

Dato Calculado Simulado

Zi
1Mohms 1e+006ohms

Zo
1.68Kohms 1698.11ohms

Av
-5.04 -5.0802

IV. CONCLUSIONES
-El análisis de ca de los JFET y los MOSFET tipo empobrecimiento es el mismo.

- La impedancia de entrada para la mayoría de las configuraciones con FET es bastante

alta. Sin embargo, es muy baja para la configuración en compuerta común.

V. REFERENCIA

[1] R. Boylestd, Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, Mexico: PEARSON, 2009.

[2] Mónica Liliana González,LTSPICE Análisis de circuitos y dispositivos

electrónicos.Universidad nacional de la plata,2018.