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Programador de memoria con EEPROM

28C16
Cristian Rodrigo Bustamante Porras.
Universidad Nacional de Colombia.
Bogotá. Colombia.
25 de noviembre de 2019.

Resumen—Una aplicación de las memorias EE- II. M EMORIA EPROM

PROM es el diseño de publiks de letras programables.
A continuación se muestra el proceso para guardar
dichas letras, y mostrarlas en orden para dar un
mensaje.
Las memorias EPROM son borrables, y sus prin-
cipales tipos son: las borrables por luz ultravioleta
Palabras clave—Dirección, palabra, byte, lectura, (UV PROM) y las borrables eléctricamente (EE-
escritura, pulso negativo
PROM)

I. M EMORIA PROM

La memoria PROM usa un mecanismo para alma- III. M EMORIA EEPROM

cenar bits. Una vez programada, no se puede revertir
el proceso. Por ejemplo, en la imagen se ve una
matriz MOS de una memoria con hilos fusibles.
Una vez la memoria es programada, los hilos se Esta clase de memorias se pueden borrar y pro-
funden con una corriente adecuada, y se evita la gramar mediante impulsos eléctricos. Su ventaja
sobreescritura. es que se pueden reprogramar rápidamente en el
circuito final.

IV. EEPROM 28C16

La memoria seleccionada es la EEPROM 28C16,

que es una memoria de baja potencia, de 16K
Figura 1: Matriz PROM MOS con hilos fusibles. organizada de manera de 2048 palabras de 8 bits.
[1] Es de tecnología CMOS no volatil.
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VI-C. Protección a escritura

La escritura está protegida sí:

Vcc está por debajo de 3.8 V

Ha transcurrido menos de 5 ms despues de
llegar a 3.8 V en Vcc
OE está en bajo, CE en alto o WE en alto.

Figura 2: Diagrama memoria EEPROM 28C16 [2] VI-D. Limpieza

V. C ONFIGURACIONES DE LOS PINES La memoria se limpia sí CE está en bajo y si se

aplica una tensión de 12 V en OE, y se aplica un
Cuadro I: Configuración de pines [2] pulso bajo de 10 ms a WE.
Pin Name Function
Cuadro II: Modos de operación [2]
A0 - A10 Addresses
CE Chip Enable Mode CE OE WE I/O
OE Output Enable Read VIL VIL VIH DOUT
WE Write Enable Write(2) VIL VIH VIL DIN
I/O0 - I/O7 Data Inputs/Outputs Standby/Write Inhibit VIH X(1) X High Z
NC No Connect Write Inhibit X X VIH
DC Don’t Connect Write Inhibit X VIL X
Output Disable X VIH X High Z
Chip Erase VIL VH(3) VIL High Z
VI. M ODOS DE FUNCIONAMIENTO
1. X can be VIL or VIH.
2. Refer to AC Programming Waveforms.
VI-A. Lectura 3. VH = 12.0V ± 0.5V

Cuando CE y OE están en bajo, y WE está en
alto, los datos almacenados en el lugar determinado
por los pines de de dirección se ve reflejada en la
salida. La salida es de alta impedancia si CE u OE
están en alto.
Así pues, es posible guardar letras en la memoria
para luego ser leídas. Sin embargo, se necesita que
un contador de la secuencia de números para que
las letras salgan en orden.

VI-B. Escritura VII. C ONTADOR

Un pulso bajo en WE o en CE con OE en alto,
y WE y CE en bajo (respectivamente) inicia la
escritura. La dirección es tomada en el último frente
de bajada y los nuevos datos son tomados en el
primer frente de subida.
Para el contador se aplicó un circuito 74191, que
es un contador programable, sincrónico y reversible.
Esta configurado para contar de 0000 a 1111. La
señal de reloj es otorgada por un circuito integrado
555 operando como astable.
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Cuadro IV: Valores de entrada para cada letra

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 L
0 1 1 1 0 0 1 C
0 1 1 1 1 1 1 O
1 1 1 1 1 0 1 G
1 1 1 1 0 0 1 E
0 0 0 0 0 0 0
1 1 1 1 0 0 1 E
0 1 1 1 0 0 0 L
Figura 3: Circuito contador 0 0 0 0 0 0 0
0 1 1 1 0 0 1 C
1 1 1 1 0 0 1 E
VIII. C IRCUITO FINAL 1 1 1 1 1 1 1 B
0 1 1 1 1 1 1 O
Así pues, es posible guardar palabras (bytes) en
diferentes direcciones, y luego estas mostrarlas en
orden mediante el contador.
Primero hay que poner al circuito para la protec-
ción de escritura. Luego escribir la dirección y el
mensaje, escribir mediante un pulso. Por último,
cuando ya todas las letras estén almacenadas en
la memoria, poner al circuito en modo lectura y
conectar el contador para que reproduzca en orden
el mensaje.

Cuadro III: Posiciones de memoria en las que se

guardan las letras
D3 D4 D5 D6 L
0 0 0 0 C
Figura 4: Letra C almacenada en la dirección 0000
0 0 0 1 O
0 0 1 0 G
0 0 1 1 E
0 1 0 0
0 1 0 1 E
0 1 1 0 L
0 1 1 1
1 0 0 0 C
1 0 0 1 E
1 0 1 0 B
1 0 1 1 O

A continuación se muestran algunos ejemplos de

letras almacenadas en la memoria. Figura 5: Letra E almacenada en la dirección 0100
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R EFERENCIAS

[1] T. Floyd, M. Caño, and E. de Turiso, Fundamentos

de sistemas digitales. Pearson Educación, 2000.
[Online]. Available: https://books.google.com.co/books?id=
pNIcAAAACAAJ
[2] Atmel Corporation, “16K (2K x 8) Parallel EEPROMs
AT28C16,” 1998.

Figura 6: Letra G almacenada en la dirección 0011

Figura 7: Letra O almacenada en la dirección 0001

Por último, a continuación se muestra el circuito

final publik de letras:

Figura 8: Publik de letras programable