Materiales semiconductores

Los semiconductores son aquellos que tienen una conductividad entre un aislante y un conductor.
Poseen 2 clases: de un solo cristal (germanio y silicio), con estructura repetitiva, y compuesto,
hechos de 2 o más materiales diferentes (semiconductores).

Bandas de energía
La estructura de la banda de energía de un sólido determina si es un conductor, aislante o
semiconductor. Dentro de cada estructura atómica hay niveles específicos de energía (relacionado a
capa y electrón), entre los niveles existen brechas de energía.
+Alejado de electrón---> mayor energía.
En un cristal el campo eléctrico producido por los electrones
de los átomos vecinos modifica los niveles energéticos de los
electrones de los átomos de sus alrededores. +ancha brecha
de energía--->mayor posibilidad de que la energía se libere
en forma de ondas luminosas visibles o invisibles (infrarrojas).

Dependiendo de la distancia interatómica y del número de electrones de enlace, pueden formarse

distintos conjuntos de bandas que pueden estar llenas, vacías o tener separaciones entre
bandas/zonas prohibidas, formándose bandas de valencia, bandas de conducción y bandas
prohibidas.

Banda de valencia (BV): conjunto de energía que poseen los electrones de valencia.
Banda de conducción (BC): conjunto de energía que poseen los electrones para desligarse de sus
átomos.
Banda prohibida: diferencia de energía entre la banda de valencia y banda de conducción.

Semiconductores extrínsecos: son aquellos materiales semiconductores que tienen un

relativamente grande espacio de banda en comparación con los semiconductores típicos, éstos
poseen bandas prohibidas con una gran energía, superior a 2 eV. Tienen propiedades electrónicas
que se ubican entre los típicos semiconductores y aislantes, permiten que los dispositivos operen
voltajes, corrientes y temperaturas mucho más altos. Ellos son clave para hacer luces LED y rayos
láser color azul y verde, además de ciertas frecuencias de radio como radares, de aplicación militar,
entre otros.

Materiales
 Diamante.
 Carburo de silicio (SiC).
  Nitruro de aluminio (AIN).
 Nitruro de Galio (GaN).
 Nitruro de boro (BN).
 Sulfuro de Zinc (ZnS).

Aislante
La energía de la banda de conducción es mucho mayor que la energía de la
banda de valencia (brecha prohibida grande), los electrones de valencia no
pueden llegar a la banda de conducción que estará vacía, por eso el aislante no
conduce electricidad, solo a temperaturas muy altas.

Conductor
Generalmente metales, la energía de la banda de valencia es mayor que la
de los electrones de la banda de conducción (se superponen) y muchos
electrones de valencia conducen fácilmente (banda prohibida pequeña o
nula).

Semiconductor
La banda de conducción sigue siendo mayor que la banda de valencia (brecha
más pequeña), al incrementar la energía, los electrones de valencia saltan a la
banda de conducción y pueden circular por el medio, cuando un electrón salta
desde la banda de valencia a la de conducción deja un hueco en la banda de
valencia. Éstos se dividen en 2:

Materiales intrínsecos:
Es un material semiconductor hecho solo de un tipo de átomo, es cuando se
encuentra en estado puro y no contiene ninguna impureza. La cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia será igual a la
cantidad de electrones libres presentes en la banda de conducción.
Átomos y electrones de valencia: tetravalente = 4, trivalente = 3, pentavalente
= 5. Valencia: potencial requerido para quitar cualquiera de los electrones de
valencia de los niveles de energía del átomo.

Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones de valencia,

forma 4 enlaces covalentes (cada átomo posee 8 electrones en su
capa externa) formando celosía, así
los electrones no se muevan
fácilmente y el material en
condiciones normales se comporte
como aislante.
 Al aumentar la temperatura los electrones ganan energía, algunos
enlaces covalentes se rompen y varios electrones (de la banda de
valencia) se liberan del núcleo, éstos saltan a la banda de conducción e
intervienen en la conducción eléctrica.

En el GaAs hay compartición entre

dos átomos diferentes, cada uno
rodeado por átomos del tipo
complementario, donde el arsénico
aporta 5 electrones y el galio solamente 3. El enlace covalente
es fuerte, puede que los electrones de valencia absorban mucha energía, capaz de romper el
enlace y tener estado libre (portadores intrínsecos).

La capacidad de cambiar las características de un material mediante

la adición de una impureza se llama purificación o dopado. Los
materiales conductores tienen un coeficiente de temperatura positivo,
mientras que los semiconductores tienen uno negativo
Ejemplos:
 Silicio (Si), germanio (Ge), arseniuro de Galio (GaAs).

Materiales extrínsecos
Tienen un pequeño porcentaje de impurezas. Se les introduce una alteración a la estructura
molecular cristalina del silicio o del germanio, permitiendo el paso de la corriente eléctrica en una
sola dirección (la estructura molecular se dopa). Posee elementos trivalentes o pentavalentes.
Dependiendo de si está dopado de elementos trivalentes o pentavalentes, se dividen en tipo N y tipo
P.

 Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos

pentavalentes. El donante aporta electrones en exceso, los cuales, al no
encontrarse enlazados, se mueven fácilmente por la red cristalina
aumentando conductividad. El material tipo N se llama átomo donador.
Ejemplos: P, Ar, Sb.

 Semiconductor tipo P: se emplean elementos trivalentes. Puesto que no

aportan los 4 electrones necesarios para los 4 enlaces covalentes, en la red
cristalina estos átomos originan huecos que aceptan el paso de electrones
que no pertenecen a la red cristalina. Esto hace que al material tipo P
también se le llame átomo receptor.
Ejemplos: B, In, Ga.

Efecto de dopado en conductividad

relativa.
Flujo de electrones contra flujo de huecos.
Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía para romper su enlace covalente y llenar el
vacío creado por un hueco, entonces se creará un hueco en la banda covalente que cedió el
electrón, existiendo una transferencia de electrones y huecos.

Portadores mayoritarios y minoritarios

Intrínseco: no. de electrones libres en Ge o Si se debe solo a los electrones en la banda de valencia.
Los vacíos que quedan en la estructura de enlace covalente representan fuente limitada de huecos.
En uno extrínseco tipo n, el no. de huecos no cambia mucho (respecto al intrínseco), al electrón se
le llama portador mayoritario y al hueco
minoritario, mientras que en el tipo p es al
revés.
Cuando el quinto electrón de un átomo
donador abandona el átomo padre, el átomo
que queda adquiere una carga positiva neta.

Sistemas cristalinos
Un sólido cristalino se construye a partir de la repetición en el espacio de una estructura elemental
paralelepipédica denominada celda unitaria. En función de los parámetros de red (longitudes de los
lados) y de los ángulos que forman, hay 7 sistemas cristalinos y se dividen en cúbico, hexagonal,
tetragonal, trigonal, rómbico, monocíclico y triclínico.

Redes de Bravais
Una red de Bravais es un arreglo infinito de puntos discretos con un ordenamiento y orientación, que
parece exactamente la misma desde donde la veamos. En 1848 el físico Auguste Bravais descubrió
que sólo hay 14 redes únicas en 3-D. Para determinar completamente la estructura cristalina
elemental de un sólido, además de definir la forma geométrica de la red, es necesario establecer las
posiciones en la celda de los átomos o moléculas que forman el sólido cristalino; lo que se
denominan puntos reticulares. Las alternativas son las siguientes:
 P: Celda primitiva o simple en la que los puntos reticulares son sólo los vértices del
paralelepípedo.
 F: Celda entrada en las caras, que tiene puntos reticulares en las caras, además de en los
vértices. Si sólo tiene puntos reticulares en las bases, se designan con las letras A, B O C
según sean las caras que tienen los dos puntos reticulares.
 B: Celda centrada en el cuerpo, que tiene un punto reticular en el centro de la celda, además
de los vértices.
 C: Primitiva con ejes iguales y ángulos iguales ó hexagonal doblemente centrada en el
cuerpo, además de los vértices.

Sistema cristalino cúbico Red 1 (P) Red 2 (B) Red 3 (F)

En el sistema isométrico los tres ejes cristalográficos, todos los lados
tienen la misma longitud y cortan a los ángulos rectos (90°).

Sistema cristalino Red 4 (P)

hexagonal
Tiene 4 ejes. Tres ejes de igual longitud se encuentran en un
plano y se cruzan en un ángulo de 120° (entre los extremos).
El cuarto eje es más largo o corto que los otros y forma con ellos
ángulos rectos.

Sistema cristalino trigonal

Red 5 (P)

Los ángulos entre los ejes del cristal, en el sistema trigonal, son idénticos,
pero diferentes de 90°, y las tres dimensiones del cristal unitario son
idénticas. El sistema de ejes romboedrales es de difícil uso, y generalmente se suele
evadir utilizarlo. su lugar, se prefiere disponer de un sistema de ejes hexagonales.

Romboédrico Hexagonal

Al describir la estructura de un sólido cristalino con simetría

romboédrica los cristalógrafos prefieren describir la
estructura con una celda unitaria hexagonal no primitiva.
Relación existente entre la celda romboédrica primitiva y una
celda hexagonal.
Red 6 (P) Red 7 ( B)
Sistema cristalino tetragonal
Dos ejes son iguales y uno diferente (más corto o más
largo) pero todos ellos perpendiculares entre sí.
 Sistema cristalino rómbico Red 8 (P) Red 9 (C) Red 10 (B) Red 11 (F)
En el sistema rómbico (ortorrómbico)
los ejes de referencia son desiguales
y perpendiculares entre sí.

Sistema cristalino monoclínico Red 12 (P)

Red 13 (C)
Dos de tres ejes de referencia desiguales se cortan
oblicuamente (no de 90°) y el tercero es
perpendicular al plano de los otros
dos.

Sistema cristalino triclínico

Red 14 (P)
Los tres ejes cristalográficos son todos los desiguales en la
longitud y se cortan a tres ángulos diferente (cualquier ángulo
diferente de 90°).

Orden en
la materia--->sin orden: gases monoatómicos, orden de corto alcance: materiales amorfos, orden de
largo alcance: materiales cristalinos (monocristalinos y policristalinos), cristalinos líquidos: orden de
corto y largo alcance (pequeños volúmenes).

Material cristalino
Es la repetición infinita de unidades idénticas en el
espacio. Su estructura es una red con átomos anclados a
cada punto. El grupo de átomos es la base y el arreg lo
de puntos es la red.

Material amorfo
Muestra ordenamiento de átomos o iones de corto
alcance (vidrios y geles). Se obtienen restringiendo a los
átomos para que no ocupen sus posiciones periódicas
“regulares”, carecen de formas bien definidas.
Ejemplos:
 Plásticos o polímeros: polietileno, polipropileno, nailon, PET.
 Vidrios: cuarzo.
 Tejido biológico: piel, cabellos, córnea.
 Carbonos y metales: silicio y germanio.
Diferencia entre material amorfo y cristalino
Estructura
La gran diferencia entre ambos (y la más importante), es su estructura, los materiales amorfos no
tienen una estructura ordenada ni forma definida, mientras que los cristalinos tienen forma regular y
ordenada formando redes cristalinas.

Difracción
También se pueden diferenciar por el espectro de difracción
(enviar un haz de radiación sobre el sólido y tomar medidas a
diferentes ángulos, en un amplio rango angular, para reducir
la disposición de átomos en el sólido objeto de estudio) de
rayos X. Los sólidos cristalinos presentan picos de difracción
muy agudos mientras que los amorfos dan espectrogramas
con picos muy anchos. Los sólidos cristalinos pueden ser
formados por compuestos iónicos como la fluorita (CaF2),
por sólidos covalentes 3D como el diamante, por moleculares como azufre y por metales.

Calorimetría
Consiste en medir la cantidad de calor captado o cedido por
el sólido estudiado al solidificarse. En uno amorfo, la
disposición regular de sus átomos hace que posea una alta
entropía (mucho desorden) con respecto al sólido cristalino,
que está demasiado ordenado. A la hora de la cristalización,
la alta entropía hace que la variación de calor sea muy suave
y así esté muy extendido en un gran rango de temperaturas. Aunque, el calor específico del sólido
cristalino durante la cristalización muestra un pico estrecho bien definido a una temperatura
concreta (temperatura de cristalización).