C2.

PROPIEDADES ELÉCTRICAS
PORTADORES DE CARGA Y CONDUCCIÓN ELÉCTRICA
 Q 
En Física se define la densidad de corriente J como: J u
At
donde se supone que una carga q atraviesa una superficie A en un tiempo ∆t,
siendo el vector unitario u el de la dirección de movimiento de las cargas.

q q vd
A q
q q

Aplicando un campo E para mover las cargas: vd∆t

Q qnAvd t
J   qnvd
At At
siendo n la densidad volúmica de cargas y vd la velocidad adquirida por éstas
(llamada velocidad de deriva ó velocidad límite).
Asimismo se define la movilidad µ como: v

E
dando lugar a la conocida ley de Ohm

J E
siendo  la conductividad eléctrica
  nq 
Dependiendo del valor de  los materiales se clasifican en

106 100 10-6 10-18 S/m

conductores semiconductores aislantes

En los metales las cargas que se mueven son los electrones, pero en general,
vamos a tener electrones, huecos y iones como posibles portadores de carga,
por lo que en el caso más general

 total   i   ni qi i
i i
1 S (Siemens) = 1 -1
NIVELES Y BANDAS DE ENERGÍA

- No todos los electrones están disponibles para la conducción. ¿ ?

- La disponibilidad y su densidad (número de portadores por unidad de
volumen) depende de su posición en energía.
 Ejemplo con n=12 átomos

Tenemos n átomos, pero

Al acercarse unos átomos
al estar mutuamente
a otros comienza una
alejados los niveles
cierta interacción que
energéticos de los
modifica ligeramente las
electrones son los mismos
energías de cada nivel
en todos ellos e iguales a
dando lugar a n niveles
los del átomo aislado.
parecidos pero
ligeramente separados en
energía.
En un átomo aislado no puede
haber ningún electrón con una
energía intermedia entre éstas

Cuando el número de átomos que interaccionan,

n, es del orden de NA, es decir, una porción
macroscópica de un material  los n niveles de
cada grupo son tan numerosos que pueden
considerarse como un continuo  Cada grupo de
éstos forma una BANDA DE ENERGÍA

En un sólido con n átomos no

puede haber electrones con una
energía dentro del "gap"
Foto cortesía de José Antonio Sánchez Gómez
Admitimos la existencia de BANDAS: OK

Las bandas de energía solamente nos determinan la energía y el número de

electrones que caben en ellas, pero no si efectivamente hay electrones allí.
(Informan del edificio pero no de los inquilinos).

El hecho verdadero de que en un estado de energía E (en principio perteneciente a

una banda) haya un electrón viene determinado por una función de probabilidad
llamada función de Fermi T=0K T>0K

1
f (E) 
eE  EF  kT  1
A T = 0, EF (energía del nivel de Fermi)
representa el nivel por debajo del cual todos los
niveles están ocupados y por encima del cual
todos están vacíos.
Al aumentar la temperatura esta diferencia se
suaviza.
 Estructura de bandas a T = 0

Metal Aislante Semiconductor

Primera banda vacía

(banda de conducción)

Última banda llena

(banda de valencia)

Energía Nivel de Fermi

Pregunta fácil: ¿Dónde está el nivel de Fermi en aislantes y semiconductores?

Típicamente:
Eg < 2 eV semiconductores
Eg > 2 eV aislantes
La energía térmica sirve para poblar niveles superiores al nivel de Fermi

Un aislante (izq.) y un semiconductor (der.)

Un metal posee la última banda se diferencian exclusivamente por la relación
parcialmente llena entre kT y el tamaño del gap.

k = constante de Boltzmann = 1.3810-23 J/K

T = temperatra absoluta

Ambos son aislantes a T = 0

 Efecto Hall
Cuando es necesario determinar el tipo mayoritario de portadores (electrones
o huecos), la concentración y la movilidad, es necesario realizar medidas
complementarias a las de conductividad eléctrica. Esta medida se basa en el
efecto Hall.

RH I x Bz
VH 
d
1
RH 
nq

e   RH 
nq
 CONDUCTORES
Metales  en general buenos conductores.

Los efectos más notables sobre la conductividad (= 1/) son los
ocasionados por los defectos en la red cristalina (aumento de temperatura,
presencia de impurezas y trabajo en frío).

Conductividades a temperatura ambiente

Regla de Matthiessen

   i

t  vibraciones  impurezas  deformacion´

 Metales puros y algunas aleaciones 
la resistividad varía de forma casi lineal con la temperatura por encima de
unos -200 ºC
  AT  B
T aumenta  vibraciones aumentan y número de vacantes aumenta

´
´

Cuando el comportamiento es lineal   0 1  0 T  T0 

( = coeficiente de variación térmica de
la resistividad)
1   
aunque siempre se podrá expresar como 0   
0   T T T0
si nos referimos a una temperatura determinada
 Para las aleaciones, la variación de la resistividad viene dada por una función
de la concentración de impurezas. A bajas concentraciones de forma lineal.

La dependencia con la temperatura

se hace menos notable a medida
que la concentración de impurezas
aumenta, lo que puede ser
aprovechado desde el punto de
vista práctico

Nichrome = aprox. 80% Ni, 20% Cr (aleación de bajo coeficiente térmico)

 Conductores
Una ecuación semiempírica que puede servir para predecir la resistividad de
una aleación monofásica es la regla de Nordheim, que relaciona la
resistividad con la fracción atómica (X) de soluto

impurezas  CX (1  X )
La constante C se denomina coeficiente de Nordheim (representa la
efectividad del soluto en aumentar la resistividad). Para X<<1, impurezas CX
La resistividad de una aleación de composición X es

  matrix  CX (1  X )
 Conductores
Sorpresas con la existencia de fases ordenadas

Cu Cu
Cu Cu

Au

Cu Cu

Cu Cu
 Los electrones pueden sufrir dispersión en las dislocaciones, en las fronteras
de grano, … en general en cualquier defecto

Para una determinada aleación o metal, si aumentamos la densidad de dislocaciones

(aumento de %CW)  aumentará su resistividad

%CW = cold work ; porcentaje de trabajo en frío

La regla de Nordheim es aplicable solamente a soluciones sólidas (sistemas
monofásicos). En sistemas polifásicos pueden funcionar expresiones del tipo
de “regla de mezclas”, aunque habrá que tener especial cuidado en el caso
de que las conductividades o resistividades sean muy diferentes, de forma
que las líneas de campo eléctrico dejen de ser paralelas.

  
caso a) eff  V  V  eff 
 V    V
caso b)  eff   V   V   
eff 
V    V
 caso c)
L

A
 N fibras en paralelo,
(a) cada una de las cuales
 es una asociación en
serie de resistencias
 
A/N L
R
(b)
L
A
(a) A two phase solid. (b) A thin fiber cut out from the solid.

 V L    V L  R fiber V L   V L

R fiber   Rsolid   
A / N  A / N  N A A
 eff L eff  V  V
por definición Rsolid 
A
 Conductores
La resistividad de un sistema binario eutéctico, con solubilidades parciales en el
estado sólido, y con resistividades del mismo orden para las dos fases será:
 SEMICONDUCTORES
Los valores intermedios de conductividad de los semiconductores no justifican su
gran relevancia tecnológica.
Semiconductor intrínseco  dopaje  Semiconductor extrínseco

Semiconductor intrínseco:

ne  nh

  ne qe e  nh qh h
Semiconductores extrínsicos tipo n (los portadores mayoritarios son electrones)

Impurezas del grupo V: P, As , Sb

Semiconductores extrínsicos tipo n (portadores mayoritarios electrones)

ne  nh
Semiconductores extrínsicos tipo p (los portadores mayoritarios son huecos)
Semiconductores extrínsicos tipo p
La conductividad eléctrica de los semiconductores depende fuertemente de la
temperatura.

Logaritmo de la concentración de electrones (n) o de huecos (p)

Conductividad intrínseca

Eg
ln   C 
2kT
  ne qe e  q 

  nh qh e  q 
y despreciando la variación de la
movilidad con la temperatura

Eg
ln ne  ln nh  C 
2kT
Dieléctricos: Relaciones para medios continuos

Relación entre campos: D E  P

Medios lineales: P  0 E (  susceptibilidad dieléctrica)

D   0 E   0  E   0 1    E   0 r E   E

r : permitividad dieléctrica relativa r  1

0 : permitividad del vacío

 : permitividad dieléctrica absoluta  = 0 r

 Dieléctricos
Los dieléctricos son materiales eléctricamente polarizables mediante la aplicación de
un campo eléctrico
dipolo p  qd polarización P
p i

V

Q A Como >0, el dieléctrico

Q A C   incrementa la capacidad
C  0 V l del condensador sin
V l aumentar el volumen del
componente
Para un mismo voltaje V, la presencia del dieléctrico disminuye el campo eléctrico en el interior del condensador (el campo de
polarización es opuesto al aplicado; D es cte a través del condensador, pero E disminuye en el interior del dieléctrico)
 Ante un mismo campo eléctrico aplicado, los materiales polarizables (o dieléctricos)
presentan en su interior un campo eléctrico menor que si no pudieran polarizarse ... por lo
que resisten mejor ante voltajes eléctricos altos.

Tecnológicamente son de gran relevancia:

- La constante dieléctrica.
- El campo eléctrico máximo antes de provocar conducción eléctrica (ruptura dieléctrica)

¿Porosidad?
Origen de la polarización macroscópica:
Electrones, iones, dipolos preexistentes (polarización electrónica, iónica,
orientacional),... pero dependiendo de su origen, la polarización no se adquiere
inmediatamente sino de forma retardada respecto de la aplicación del campo eléctrico.

Este retardo genera dependencias con la

frecuencia al trabajar en AC

'

''

Es un problema parecidísimo al de los desfases entre

voltajes y corrientes en los circuitos eléctricos AC
 Comportamiento dinámico de la permitividad (retraso de la polarización):
Excitación = Campo eléctrico externo E
Respuesta del material = Polarización P

E  E0 cos t
D  D0 cos(t   )  D0 cos  cos t  D0 sin  sin t
 D1 cos t  D2 sin t

D1   0 E0 D2   0 E0
Tangente de pérdidas = energía disipada por ciclo/energía almacenada por ciclo

D2  
tan   
D1  

La tangente de pérdidas es función de  y T.

Cada mecanismo de polarización genera un
máximo en las pérdidas (absorción de energía )
 r
r r
 Piezoelectricidad

Ciertos cristales , por ejemplo el cuarzo (SiO2) y el titanato de bario (BaTiO3), se

polarizan cuando se someten a una tensión mecánica, apareciendo unas cargas en
las superficies del cristal, que dan lugar a una diferencia de potencial.
De la misma forma, estos cristales sufren una deformación cuando son sometidos
a un cierto campo eléctrico
 Piezoelectricidad

Un cristal piezoeléctrica no puede ser centrosimétrico

estructura
tipo ClNa
 Piezoelectricidad

Un cristal piezoeléctrico no puede ser centrosimétrico

una celda unidad

hexagonal no tiene
centro de simetría
 Piezoelectricidad
Aplicaciones: generación y detección de ondas mecánicas (sonidos, ultrasonidos,
sonar,..), sistemas de ignición por descarga eléctrica, osciladores de frecuencia y
filtros, acelerómetros, ….)
 Piezoelectricidad
Elastic
Mechanical
waves in the
vibrations
solid
Piezoelectric
transducer

A B

Oscillator Oscilloscope

Los transductores piezoeléctricos se usan ampliamente para generar ondas mecánicas

ultrasónicas en sólidos y también para detectarlas. El transductor de la izquierda es excitado
con una fuente AC y vibra mecánicamente. Estas vibraciones están acopladas al sólido y
generan ondas elásticas. Cuando las ondas alcanzan el otro extremo, hacen vibrar el
transductor de la derecha, que convierte las vibraciones en una señal eléctrica.
 Ferroeléctricos
Ciertos cristales están permanentemente polarizados incluso en ausencia de un
campo aplicado.
La polarización aparece debido a una separación neta de las cargas positivas y
negativas en el cristal. Estos cristales se denominan ferroeléctricos (en analogía
con los cristales ferromagnéticos)

El BaTiO3 posee diferentes

estructuras por encima y
por debajo de 130 ºC
Temperatura de Curie

P
 Ferroeléctricos
Todos los ferroeléctricos son piezoeléctricos, pero no todos los piezoeléctricos
son ferroeléctricos.

Propiedades
piezoeléctricas del BaTiO3
por debajo de su
temperatura de Curie
 Piroeléctricos
El BaTiO3 es también piroeléctrico: cuando el cristal se calienta, este se expande
y cambia la distancia relativa entre los iones y apareciendo un cambio en la
polarización.

Temperature change = T

Heat
P V

The heat absorbed by the crystal increases the temperature by T which

induces a change P in the polarization. This is the pyroelectric effect. The
change P gives rise to a change V in the voltage which can be measured.