UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA – ARGENTINA 1

E LECTRÓ NICA A PLICADA III

T RABAJO P RÁCTICO N O 7 -
AMPLIFICADOR DE POTENCIA
Bertinatti, Ariel Córdoba, Darío Michalik, Luciano
Legajo: 63026 Legajo: 61956 Legajo: 64582

I. INTRODUCCIÓN
Las aplicaciones con amplificadores de potencia abarcan una
amplia gama de áreas, tales como telecomunicaciones, radar,
etc. Existen, por lo tanto, una gran variedad de los mismos,
con diferentes requisitos de funcionamientos, de tecnología y
requerimientos de diseño. Elección del transistor de potencia
Se planteará en este trabajo práctico el diseño e De la lista de posibles transistores para la etapa de salida,
implementación de un amplificador de frecuencia con las recomendados por la cátedra, se elige el 2N3866.
siguientes características: De la hoja de datos del transistor se extrae:
• Vcc=12V  Pout = 1W
 Vcc = 28V
• Rl=50ohms
 Ic max = 400 mA
• Pout=1W
 F max = 400MHz
• Pin=1 a 5mW  Gain min = 10 dB @ 400MHz
 Efficiency = 45%
Diagrama en bloques
Para lograr el objetivo de ganancia del sistema, se buscará un
numero de etapas de amplificación que sea lo más eficaz y
económico posible. Aclarando también, que al aumentar
dichas etapas habrá que generar más cantidad de redes de
adaptación.

Fig.1. Diagrama en bloques del amplificador.

II. DESARROLLO
Cálculo de ganancia
La relación entre la potencia de salida y de entrada se define
como ganancia.
La potencia de entrada del amplificador será la misma que
entrega el oscilador Clapp que funciona como generador. El
circuito utilizado entrega 800mV rms a una carga de 50Ω, por
lo tanto la potencia de entrada es aproximadamente 6mW. Sin
embargo se considerará que es 1mW para asegurar las
especificaciones de diseño:

Fig.2. Curvas del transistor 2N3866

En decibeles la ganancia será:

1
2 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA – ARGENTINA

Los valores de impedancia de salida y entrada del transistor, La corriente eficaz de salida es:
extraida de la hoja de datos de SOLID STATE Inc., son:

 Zin= (20 – j30)

 Zout= (72 - j450)

La tensión aproximada de entrada será:

Entonces

Transistor BFR96

Primero se analiza que la potencia que esta etapa debe

entregar al 2N3866 es:

Asumiendo que la pérdida por inserción de la red adaptadora

Fig.3. Curvas de impedancias del transistor 2N3866. será de 0,5dB, que es igual a:

Estos valores son aproximados ya que no existen datos

certeros de las impedancias de entrada y salida de este
transistor en clase C, operando a 100 MHz, para una Vce de
12V.
Con estos datos, la ganancia que tendrá el transistor es la Del datasheet se extraen los parámetros S del transistor para:
siguiente:
VCE= 5V
IC= 50 mA
f= 100MHz
| S11| = 0,35 ϕ= -140°
En decibeles será: | S21| = 21,1 ϕ= 106°
| S12| = 0,032 ϕ= 64°
| S22| = 0,33 ϕ= -81°

La impedancia de entrada y salida para señales débiles e

impedancia normalizada en 50Ω:
La impedancia que ve el colector para la potencia de 1W:

Zi = (26.45 – j13.57)Ω

A partir de Zo se obtiene:

2
 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA – ARGENTINA 3

Se analiza que la potencia que esta etapa debe entregar al

BFR 90 es:

Como los parámetros S están detallados a Vce=5V: Asumiendo que la pérdida por inserción de la red adaptadora
será de 0,5dB, que es igual a:

Por lo que se está dentro de los límites del transistor cuya

potencia máxima es de 0,5W. Del datasheet se extraen los parámetros S del transistor:
Se calcula la ganancia máxima Gp:
VCE= 5V
IC= 10 mA
f= 100MHz
| S11| = 0,65 ϕ= -39,9°
| S21| = 12,44 ϕ= 145,2°
| S12| = 0,02 ϕ= 70,3°
| S22| = 0,88 ϕ= -16,2°

La impedancia de entrada y salida para señales débiles e

impedancia normalizada en 50Ω:
A su vez, la potencia de entrada será:

A partir de Zi y Pin se obtiene:

A partir de Zo se obtiene Vo e Icq:

Análisis del factor de estabilidad de Rollet:

Donde

Como los parámetros S están detallados a Vce=5V:

Por lo tanto habrá que diseñar una red de neutralización

porque no cumple con la condición de estabilidad absoluta. La Por lo que se está dentro de los límites del transistor cuya
cual consta de una realimentación entre colector y base de una potencia máxima es de 250mW.
resistencia de 1K y un capacitor entre 1.5pF a 5pF. Se calcula la máxima ganancia Gp:

Transistor BFR90

3
4 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA – ARGENTINA

Se utilizaran chokes de 4 uHy.

A su vez, la potencia de entrada será:

Se debe considerar que la entrada será de 1mW

A partir de Zi se obtiene:

Análisis del factor de estabilidad de Rollet:

Donde

Fig.4. Polarización del transistor 2N3866.

Polarización del BFR96

Los criterios que se tienen en cuenta para la polarización son:
Amplificador Clase A
Rendimiento del 50%

Por lo tanto habrá que diseñar una red de neutralización

porque no cumple con la condición de estabilidad absoluta. La Por lo tanto:
cual consta de una realimentación entre colector y base de una
resistencia de 1K y un capacitor entre 1.5pF a 5pF.

Polarización de los transistores

Polarización del 2N3866
Los criterios que se tienen en cuenta para la polarización son:
Se elige el mínimo hFE de la hoja de datos:
hFE=30
 Amplificador Clase C
 VCEQ=12V
 ZL=

Por lo tanto:
Por Ley de Kirchoff:

Reactancia del choque RF:

4
 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA – ARGENTINA 5

-Análisis en AC:

El capacitor de desacople de emisor valdrá:

Análisis en DC:

Las bobinas de choque: 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 0,6𝑉 ≅ 𝑉𝐿

Se elige el mínimo hFE de la hoja de datos: hFE=25

𝑅𝐵 = 1,4𝐾Ω

Se usarán chokes de 4 uHy. Por Ley de Kirchhoff:

Fig.5. Polarización del transistor BFR96.

El capacitor de desacople de emisor valdrá:

Polarización del BFR90

Los criterios que se tienen en cuenta para la polarización son:
Amplificador Clase A
Rendimiento del 50%

5
6 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA – ARGENTINA

Las bobinas de choque:

Fig.8. Red de adaptación 2.

 Red 3
Se usarán choques de 4 uHy. Deberá adaptar la impedancia de salida del transistor BFR96
a la impedancia de entrada del transistor 2N3866.

Fig.9. Red de adaptación 3.

 Red 4
Adapta la impedancia de salida del 2N3866 a la carga.

Fig.6. Polarización del transistor BFR90.

Circuitos de adaptación
Estos circuitos se implementarán para adaptar las impedancias Fig.10. Red de adaptación 4.
de cada etapa de amplificación y obtener máxima transferencia
de energía. III. IMÁGENES
 Red 1
Deberá adaptar la impedancia de salida del oscilador Clapp a
la impedancia de entrada del transistor BFR90.

Fig.7. Red de adaptación 1. Fig.11. Placa funcionando.

 Red 2
Deberá adaptar la impedancia de salida del transistor BFR90
a la impedancia de entrada del transistor BFR96.

6
 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA – ARGENTINA 7

Fig.12. Potencia entregada.

IV. CONCLUSIONES
Es imprescindible la puesta a punto correcta de las redes de
adaptación de cada etapa, ya que de no serlo, la transferencia
de potencia no es la mejor.
A su vez, los valores de los inductores de las redes también
deben estar bien medidos, esto se llevó a cabo con un VNA, lo
que aseguró el valor da cada uno.
Finalmente, un amplificador de potencia para RF posee una
complejidad mucho mayor que el mismo para LF a la hora de
calcularlo e implementarlo.
Es muy importante también el correcto diseño del PCB,
evitando muchos recorridos en las pistas, ya que a esa
frecuencia puede interferir con el funcionamiento del
amplificador.