NOMBRE: PRACTICAS: CONV:

CONVOCATORIA DICEMBRE 2002. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Tiempo estimado ( 2h 30) menos de 3 puntos no suma notas
(Puntuación asignatura: Examen(7.5)+ Prácticas (2.5)+ Simulación(2))

1.- Contesta si es verdadero o falso( las incorrectas restan)

Nº V F CONSTESTA MARCANDO CON UNA CRUZ SI ES VERDADERO O FALSO

1. El tiempo de encendido de un transistor es igual al tiempo de almacenamiento más el de subida

2. La VCEmax que puede soportar un transistor depende de la tensión de polarización b-e
3. El parámetro IL significa intensidad de mantenimiento del SCR
4. Un GTO es un transistor con entrada tipo Mos
5. VDRM es la máxima tensión en inverso que puedo soportar el SCR
6. El Ge es el elemento más utilizado en la fabricación de transistores de potencia
7. El gran inconveniente del GTO en que para hacerlo pasar a corte se necesitan intensidades de puerta muy
altas
8. Una red RC en paralelo con un SCR empeora el inicio de la conducción, haciendo que la corriente inicial
esté por debajo de la de enganche
9. IGBT es un tiristor con entrada tecnología bipolar y salida tecnología mos
10. Para limitar el efecto de la dv/dt sobre un semiconductor se coloca una red rc en paralelo
11. Un rect. totalmente controlado con carga muy inductiva trabaja en dos cuadrantes del plano V-I
12. Un rectificador semicontrolado solo puede trabajar en dos cuadrantes del plano V-I
13. La tensión media de salida de un rectificador controlado es inversamente proporcional a α
14. Si la Intensidad máxima a soportar por un diodo es muy elevada, se colocan varios en paralelo
15. La Rj-c depende del tipo de contacto ( mica, silicona etc)
16. La resistencia térmica del disipador a colocar interesa que sea lo mas alta posible para que así disipe mayor
potencia
17. En un rect. controlado el factor de potencia empeora cuando aumentamos el ángulo de retardo
18. El factor de forma es la Intensidad eficaz partido por la intensidad media
19. El factor de potencia es la potencia activa partida por la potencia aparente
20. Un troceador puede trabajar en dos cuadrantes
21. En un inversor con salida PWM los armónicos de salida se encuentran más alejados del fundamental
cuanto mayor es el número de impulsos
22. En un circuito inversor el indice de modulación en frecuencia determina el nº de pulsos a la salida
23. La distorsión de un amplificador clase A es mayor que la de clase B
24. El rendimiento de un amplificador en trabajando en clase A siempre es mayor que en clase B , pues
amplificamos la señal completa
25. La distorsión de cruce en un amplificador clase B se aumenta al polarizar en clase AB
26. La excursión máxima de la señal de salida ( tensión de pico) de un amplificador trabajando en clase B
contrafase alimentado con +Vcc y -Vcc es en el mejor de los casos 2*Vcc
27. Todos los dispositivos electrónicos introducen distorsión armónica, excepto cuando en clase A
28. El control todo o nada se suela utilizar habitualmente en control de temperatura
29. La conmutación natural en un SCR se divide en libre y asistida
30. En un sistema de potencia con rectificador- troceador e inversor, el factor de potencia es mejor que en el
caso de un rectificador controlado y un inversor.
31. El filtro por bobina tiene la ventaja de que elimina los picos de intensidad mejorando el factor de potencia.
32. El transistor BJT trabaja a mayores tensiones que un MOS
33. En un filtro LC la tensión media de salida coincide con el valor medio de la tensión
34. El valor eficaz total de la intensidad de salida se calcula solo teniendo en cuenta el valor eficaz de las
componentes alternas.
35. Cuando hay armónicos la corriente que circula por el conductor neutro, está formado por armónicos de
orden PAR

Test 2.5 puntos

 Examen Electrónica de Potencia. Departamento de Electrónica. Universidad de Jaén

2.-Una etapa de salida contrafase clase B alimentada por un voltaje de ±10 volt. alimenta a una carga de 10 Ω . Calcular la
potencia media máxima entregada a la carga para una Vomax=9.3volt., el rendimiento y la disipación de potencia
instantánea máxima de los transistores de salida y la potencia media máxima que disipan los transistores de salida
0.5 puntos
3.- En la figura se presenta un transistor en conmutación con Vcc=
208v. VCE(SAT) =0.9v VBE(SAT) =1.1v. y â= 10. tr= 1ìs tf=1.5 ìs.
Encontrar.

a.-Dibuja la disipación de potencia instantánea.

b.- Perdidas de potencia en conducción del colector
c.- Perdidas en conmutación y perdida de potencia total
0.5 puntos

4.- Una fuente de tensión periódica no sinusiodal tiene un desarrollo en

serie de V(t)= 10 + 10 cos(2pi50t - 25) + 15 cos (4pi50t + 20) Esta
tensión se conecta a una carga formada por una resistencia de 10 Ω y
una bobina de 10mH, conectada en serie. Calcular la expresión de la corriente de carga y la potencia absorbida por la carga.
0.5 puntos
5.- Sea un rectificador trifásico totalmente controlado( los diodos
los sustituimos por SCR´s) onda completa con α=90 Dibujar la
señal simple y compuesta y señala que elementos conducen en
cada instante. ( utiliza las graficas suninistradas)0.5 puntos

6.-Un convertidor como el de la figura V0=150v. Vg=40v.

L=200µH T=200µs.
a.- Tensión en extremos de la bobina
b.- Relación entre Vg,Vo y ciclo de trabajo. Determina el valor del
ciclo de trabajo y de Ton,
c.-Intensidad por la carga y por el diodo
d.-Intensidad por el transistor suponiendo que no existen perdidas
en el ciruito.
e.- Intensidad máxima y minima por la bobina
iL iD 0.75 puntos

7.- En el circuito de la figura dibuja las formas de onda indicadas.

VRL, Vth, VZ,Vc1 para un valor de p2 de 60k y una tensión de
entrada de 50 voltios de pico. Calcula el valor de la potencia en la
iS VO carga ( RL=60Ω)
Vg 0.75 puntos

8.- Dibuja la característica de control ( vdc,á) para un rectificador

totalmente controlado con carga muy inductiva y comenta los
diferentes modos de funcionamiento. 0.5 puntos

9.- Un tiristor tiene las siguientes características VDRM= 600 v. dv/dt)max= 25 v/ìs di/dt)max= 20 A/ìs y alimenta a una
carga resistiva de 100 Ω. Determinar el valor de la red RC a colocar como red snubber. ( nota la red snubber está formada
por Diodo, Rs,Cs) 0.5 puntos

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 Examen Electrónica de Potencia. Departamento de Electrónica. Universidad de Jaén

10.-Analizando la intensidad de salida de una de las ramas del secundario de un rectificador trifasico, obtenemos el
siguiente listado de la figura.)
0.5 puntos

a.- ¿ de que frecuencia es la señal de entrada al rectificador?

b.- Valor eficaz de la componente fundamental

c.- Corriente armónica eficaz

d.- Corriente eficaz total

e.- Factor de desplazamiento

f.- factor de potencia

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 Examen Electrónica de Potencia. Departamento de Electrónica. Universidad de Jaén

Cálculos:

500V

R T
S

0V

-500V
0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms
V(11) V(21) V(31)
Time

500V

0V

-500V

0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms

V(11)- V(21) V(11)- V(31) V(21)- V(31) V(21)- V(11) V(31)- V(11) V(31)- V(21)
Time

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