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Escuela Politécnica Nacional

Práctica 6: POLARIZACION Y
AMPLIFICACION CON FETs
Jonathan Joaquín Guerrero Morales, Paul Panchi Molina
Ingeniería en Telecomunicaciones
(Escuela Politécnica Nacional, jonathan.guerrero02@epn.edu.ec,
paul.panchi@epn.edu.ec)

Resumen— En el presente trabajo se trabajará en preparatorio. Calcular el error y

circuitos donde ocuparemos fuentes de voltaje, justificarlo.
resistencias y capacitores, además
del uso de un transistor JFET y Error
donde veremos el uso de dicho Valores Teórico Practico Relativo (
transistor. Er ¿
VD 8[V] 7.37[V] 8.54%
Abstract-- on the present work we VG 3[V] 2.96[V] 1.35%
will work in circuits where we will VS 10[V] 9.64[V] 3.73%
occupy voltage sources, resistors and
capacitors, in addition to the use of a ID 0.75[mA] 0.73[mA] 2.74%
JFET transistor and where we will IG 0[mA] 0[mA] 0%
see the use of said transistor.
IS 0.75[mA] 0.73[mA] 2.74%
I. INTRODUCCION Circuito 1

Se ocupará además de los elementos conocidos

como resistencias, fuentes de Error
voltaje, capacitores, el transistor Valores Teórico Practico Relativo (
JFET, donde su función es la de Er ¿
dejar pasar corriente haciendo una VD 10[V] 9.18[V] 8.93%
VG 12[V] 14.92[V] 19.57%
variación de voltaje. El FET posee
VS 25[V] 23.6[V] 5.93%
3 terminales los cuales son drenaje,
ID 6[mA] 5.97[mA] 0.5%
fuente y compuerta.
IG 0[mA] 0[mA] 0%
II. OBJETIVOS IS 6[mA] 5.99[mA] 0.2%
 Analizar e implementar circuitos de
polarización para JFET
 Revisar la temática de amplificadores con
JFET
Circuito 2
Error
Valores Teórico Practico Relativo (
Er ¿
VD 8[V] 6.92[V] 5.60% Circuito 3
VG 0.75[V] 0.63[V] 12%
VS 0[V] 0[V] 0%
ID 5[mA] 5[mA] 0%
IG 0[mA] 0[mA] 0%
Circuito 4
IS 5[mA] 5[mA] 0%

III. INFORME
1. Tabular un cuadro en el cual consten los
valores medidos, los teóricos del
 2

Circuito 5
Error
Valores Teórico Practico Relativo (
Er ¿
VDS 8[V] 7[V] 14.28%
IDS 0.75[mA] 0.7[mA] 6.67%

Circuito 6

Los errores presentes en las mediciones pueden

deberse básicamente a que, al ser la primera vez
que trabajamos con los JFET, tuvimos que, en
primer lugar, ver la disposición de los pines de este
dispositivo, estos se los determino mediante el uso
del multímetro además de la visualización de la
Datasheet de este, esto pudo haber interferido un
poco en su funcionamiento por el constante
contacto que tuvo los pines con los diferentes
elementos utilizados en la práctica.

Además, cabe recalcar que en el laboratorio no se

trabaja con condiciones ideales, es decir,
trabajamos en condiciones reales de temperatura y
ambiente, lo cual no es tomado en cuenta al
momento de realizar los cálculos teóricos por lo
que, si bien no varían de forma radical, si existe
una pequeña diferencia entre las mediciones
obtenidas y los cálculos previamente realizados.

Por último, otro factor que pudo influir en la toma

de medidas es la apreciación del instrumento ya
que en ocasiones no llegaba a la escala deseada.

2. Consultar sobre el diseño de los

diferentes tipos de configuraciones de
amplificadores con JFET y MOSFET. [1]
Configuraciones con JFET
Error
Valores Teórico Practico Relativo (
Er ¿
VDS 25[V] 26.6[V] 6.02%
IDS 1.1[mA] 1.48[mA] 25.67%

Configuración con Mosfet

Error
Valores Teórico Practico Relativo (
Er ¿
VDS 25[V] 21.1[V] 18.48%
IDS 0[A] 3.46[uA] 0%

3. Graficar en hojas de papel milimetrado
las señales observadas en el osciloscopio.
Gráficas en anexo
IV. CONCLUSIONES
 Guerrero Jonathan
o Al ocupar elementos análogos,
además del JFET, existirá pequeños
errores de medida o percepción de
los datos.
o El funcionamiento de JFET
efectivamente es controlado por
tensiones.
o Los JFET permiten retener la carga
cierto tiempo gracias a su alta
impedancia de entrada.
 Paul Panchi Molina
o El transistor JFET tiene una gran
impedancia de entrada lo que es muy
buscado en la práctica.
o Debido a la configuración interna del
transistor JFET las ganancias de
voltaje son bajas, en algunos casos
puede llegar a atenuar la señal.
o En la región de saturación el JFET
presenta características lineales, las
mismas que son utilizadas con
propósitos de amplificación. Se
puede decir que el transistor opera en
esta región como una fuente de
corriente controlada por voltaje
V. RECOMENDACIONES
3
Jonathan Guerrero
 Se recomienda manejar cuidadosamente
los JFET usando pinzas o manilla
magnética.
 Se recomienda obtener los valores
adecuados de voltajes de salida y entrada
para su posterior cálculo de ganancia.
 Se recomienda obtener correctamente las
corrientes para verificar que el JFET está
en buen estado
Paul Panchi Molina
 Debería sugerirse a la catedra que se
controle de mejor manera las fechas de
los laboratorios para poder recibir al
menos algo del tema de la práctica antes
de realizarla.
 Sería una buena idea colocar la versión
completa del software Proteus en las
maquinas del laboratorio ya que de esta
forma se podría guardar las simulaciones
realizadas en la clase.
 Verificar que todos los elementos a ser
usados en la práctica sean del mismo
valor o similar a los usados en las
simulaciones con la finalidad de no tener
valores muy dispersos al realizar los
cálculos y así no tener mucho error.
VI. BIBLIOGRAFIA
[1]. A. B. H. Monografias.com, «Conceptos
de Electrónica. Dispositivos electrónicos
y Análisis de circuitos (página 2) -
Monografias.com». [En línea].
Disponible en:
https://www.monografias.com/trabajos8
9/conceptos-electronica-teoria-
circuitos/conceptos-electronica-teoria-
circuitos2.shtml. [Accedido: 01-ene-
2020].
[2]. [1] R. Boylestad y Nashelsky,
Electrónica: Teoría de circuitos y
Dispositivos electrónicos, México:
PEARSON EDUCACIÓN, 2004.
[3]. [2] T. Floyd, Dispositivo Electrónicos,
México: PEARSON EDUCACIÓN,
2008.