Problemas de Los Examenes Del Curso 2.011-2.012

2014-2015
FUNDAMENTOS DE INGENIERA ELECTRNICA I

Aurelio Garca Marcos
PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL

CURSO 2011-2012
Con los problemas y ejercicios originales
PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012
PRIMERA SEMANA
FEBRERO CURSO 2011-2012

PREGUNTA
1- Se conectan en cascada tres amplificadores con las siguientes caractersticas:
1. Amplificador 1: Avo1 10;
2. Amplificador 2: Avo 2 20;
3. Amplificador 3: Avo3 30;
Ri1 3k;
Ri 2 2k;
Ri 3 1k;
Ro1 100
Ro 2 200
Ro 3 300
Calcular los parmetros del modelo simplificado del amplificador en cascada

suponiendo que los amplificadores estn conectados en el orden 1, 2, 3.
A)
B)
C)
D)
Ri
Ri
Ri
Ri
3k;
300;
2k;
200;
Ro
Ro
Ro
Ro
300;
3k;
200;
2k;
Avo
Avo
Avo
Avo
4731
4348
3348
4438
EJERCICIO
1.4. Se conectan en cascada tres amplificadores con las siguientes caractersticas.
1. Amplificador 1: Avo1 =10, Ri1 =1 k, Ro1 =100
Calcular los parmetros del modelo simplificado del amplificador en cascada,
suponiendo que los amplificadores estn conectados en el orden 1, 2, 3.
Respuesta Ri =1 k, Ro =300 , Avo =5.357.
Planteamiento del problema:
En este tipo de problemas (amplificador en cascada), se construye un amplificador
equivalente, de tal forma que la entrada del segundo se conecta a la salida del
primero, la entrada del tercero a la salida del segundo y as sucesivamente.

Resolucin de la pregunta:
Representando la cascada de los amplificadores dados:
La impedancia de entrada de la cascada es igual a la impedancia de entrada del

primer amplificador:
Ri Ri1 3k
Ri 3k
La impedancia de salida de la cascada es igual a la impedancia de salida del ltimo

amplificador:
R0 Ro3 300
Ro 300
La ganancia de tensin de la cascada es igual al producto de las ganancias de cada

amplificador:
Avo Av1 Av 2 Av 3 Avo1
Ri 2
Ri 3
2000
1000
Avo 2
Avo3 10
20
30 4762
Ro1 Ri 2
Ro 2 Ri 3
100 2000 200 1000
Avo 4.762
La respuesta es:
A) Ri 3k
Ro 300
Avo 4.762

Resolucin del ejercicio:
Procediendo de forma anloga tendremos:

La impedancia de entrada de la cascada es igual a la impedancia de entrada del
primer amplificador:
Ri Ri1 1k
Ri 1k
La impedancia de salida de la cascada es igual a la impedancia de salida del ltimo

amplificador:
R0 Ro3 300
Ro 300
La ganancia de tensin de la cascada es igual al producto de las ganancias de cada

amplificador:
Avo Av1 Av 2 Av 3 Avo1
Ri 2
Ri 3
2000
3000
Avo 2
Avo 3 10
20
30 5.357
Ro1 Ri 2
Ro 2 Ri 3
100 2000 200 3000
Avo 5.357
La respuesta es:
Ri 3k
Ro 300
Avo 5.357
10

PREGUNTA
2- Un diodo tiene un tiempo de transicin de 10 ns. Hallar los valores para los
parmetros del circuito equivalente en pequea seal rd y Cdif , si I DQ 8mA ,
Suponiendo un coeficiente de emisin n 1, y una temperatura de 300 K.
A)
B)
C)
D)
rd 1,17,
Cdif 2037 pF
rd 3,25,
Cdif 3077 pF
rd 12,5,
Cdif 1118 pF
rd 5,20,
Cdif 1920 pF
EJERCICIO
3.21. Cierto diodo tiene un tiempo de transicin de 10 ns. Hallar los valores para los
parmetros del circuito equivalente en pequea seal rd y Cdif , si I DQ 5mA ,
Suponiendo un coeficiente de emisin n 1, y una temperatura de 300 K.
Respuesta rd 5,2 y Cdif 1920 pF .

Nos piden la resistencia dinmica y la capacidad de difusin.
- La resistencia dinmica viene dada por:
(n
rd
nVT
I DQ
=>
Dnde:
Coeficiente de emisin)
( VT Tensin Trmica)
( I DQ Corriente en el punto de trabajo)
- La capacidad de difusin viene dada por:
Cdif
T I DQ
=>
VT
( T Tiempo de transito)
Dnde:
( I DQ Corriente punto de trabajo)

( VT Tensin Trmica a 300 K)
11

- Para la resistencia dinmica tenemos:
n 1
(n
VT 26mV
( VT Tensin Trmica)
Siendo
I DQ 8mA
Sustituyendo valores:
rd
nVT 1* 26 *10 3V
3,25
8 *10 3 A
I DQ
rd 3,25
- Para la capacidad de difusin tenemos:

T 10
I DQ 8mA
Siendo
VT 26mV
Sustituyendo valores en la expresin de la capacidad de difusin:

Cdif
T I DQ 10 *10 9 s * 8 *103 A
3,077 *10 9 F
3
VT
26 *10 V
Cdif 3.077 pF
La respuesta es:
B) rd 3,25,
Cdif 3077 pF
12

- Para la resistencia dinmica tenemos:
n 1
(n
VT 26mV
( VT Tensin Trmica)
Siendo
I DQ 5mA
rd
nVT 1 * 26 *10 3V
5,2
5 *10 3 A
I DQ
rd 5,2
- Para la capacidad de difusin tenemos:

T 10ns
I DQ 5mA
Siendo
VT 26mV
Sustituyendo valores en la expresin de la capacidad de difusin:

Cdif
T I DQ 10 *10 9 s * 5 *10 3 A
1,923 *10 9 F
3
VT
26 *10 V
Cdif 1923 pF
La respuesta es:
rd 5,2,
Cdif 1923 pF
13
14

PREGUNTA
3- Se est diseando un transistor NMOS en el que iD 0,5mA cuando
vGS vDS 5V . Adems las condiciones de fabricacin nos dan qu KP 50A / V 2 y
Vto 1V . Suponiendo que 0 , calcular la proporcin anchura-longitud necesaria
para el transistor.
A)
B)
C)
D)
W / L 2,25
W / L 1,25
W / L 3,25
W / L 0,95
PROBLEMA
5.7. Se necesita un transistor NMOS para el que iD 0,5mA cuando vGS vDS 5V .
Las restricciones de fabricacin nos dan KP 50A / V 2 y Vto 1V . Suponer que
0 . Calcular la proporcin anchura-longitud necesaria para el transistor. Si
L 2 m, cul es el valor de W? Repetir el problema para 0,05.

La relacin anchura longitud viene dada por:
( KP Constante dada por el fabricante)
W
2K
KP
Dnde:
( K Constante de la corriente de drenaje)
Para calcular K primero hay que determinar la regin de funcionamiento, y

partiendo de la corriente de drenaje en cada regin se calcula la constante K.
Regin
Corte
Corriente
Constante de corriente de drenaje
iD 0
iD K vGS Vto 1 vDS

2
Saturacin
Activa
2
iD K 2vGS Vto vDS vDS
1 v DS
iD
vGS Vto 2 1 vDS
2v
GS
15
iD
2
Vto v DS vDS
1 vDS

Hay que comenzar por identificar la regin de funcionamiento:
vGS Vto
=>
Que el transistor trabaja en la regin de saturacin
vDS vGS Vto ,
En la regin de saturacin la corriente de drenaje viene dada por:

iD K vGS Vto 1 vDS
2
=>
vGS Vto 2 1 vDS
Como =0, sustituyendo tendremos:

iD
0,5 *10 3 A
K
31,25A / V 2
2
2
vGS Vto 5V 1V
Sustituyendo ste valor en la relacin anchura-longitud:

2
6
W 2 K 2 * 31,25 *10 A / V
1,25

50 *106 A / V 2
L KP
La respuesta es:
B)
W
1,25
L
16
iD

a) Para 0
Hay que comenzar por identificar la regin de funcionamiento:
vGS Vto
=>
vDS vGS Vto ,

iD K vGS Vto 1 vDS
2
=>
vGS Vto 2 1 vDS
Como =0, sustituyendo tendremos:

K
iD
0,5 *10 3 A
31,25A / V 2
2
2
vGS Vto 5V 1V

W
2
6
2 K 2 * 31,25 *10 A / V
1,25
50 *106 A / V 2
KP
Para L 2 m
=>
W 2,5m
La respuesta es:
W 2,5m
17
iD

a) Para 0,05
La regin de funcionamiento es la misma ya que:
vGS Vto
=>
vDS vGS Vto ,

iD K vGS Vto 1 vDS
2
=>
vGS Vto 2 1 vDS
Como 0,05 , sustituyendo tendremos:

K
iD
vGS Vto 2 1 vDS
0,5 *10 3 A
25A / V 2
2
5V 1V 1 0,05 * 5V

2
6
W 2 K 2 * 25 *10 A / V
1

50 *10 6 A / V 2
L KP
Para L 2 m
=>
W 2 m
La respuesta es:
W 2 m
18
iD

PREGUNTA
4- Un determinado CI est formado por puertas lgicas, cada una de las cules
consume 0,1 mW de potencia esttica. La mxima disipacin de potencia esttica
admisible para el chip es de 20W, cul es el nmero mximo de puertas que puede
contener el chip?
A)
B)
C)
D)
N
N
N
N
80000
950000
120000
200000
EJERCICIO
6.9. Suponga que un determinado CI est formado por puertas lgicas, cada una de
las cuales consume 0,25 mW de potencia esttica. La mxima disipacin de
potencia esttica admisible para el chip es de 20 W (esta cantidad no resulta extraa
como disipacin de los circuitos integrados de un computador). Cul es la cantidad
mxima de puertas que puede contener el chip?
Respuesta 80.000 (cantidad considerablemente inferior al nmero de puertas que
contienen los chips de computador de alto rendimiento).

En este tipo de problemas, para calcular el nmero de puertas, lo que hay que hacer
es dividir la potencia admisible del chip entre la potencia que consume cada puerta;
es decir:
n puertas
19
Wtotal
Wconsumida

n puertas
20W
200.000
0,1mW
La respuesta es:
D) N 200.000
n puertas
20W
80.000
0,25mW
La respuesta es:
N 80.000
20

PREGUNTA
5- Las seales de entrada de un amplificador diferencial son:
v1 t 0,7 cos30t 25sen150t
v2 t 0,7 cos30t 25sen150t
Hallar la expresin para la tensin en modo comn, vicm y la diferencial, vid
A)
B)
C)
D)
vid 0,7 cos30t ,
vid 2,8sen30t ,
vid 25sen30t ,
vid 1,4 cos30t ,
vicm 25 cos150t ,
vicm 25sen150t ,
vicm 1,4sen150t ,
vicm 25sen150t ,

Cmo la tensin de entrada diferencial y tensin de entrada en modo comn, vienen
dadas por:
vid vi1 vi 2
vicm
1
vi1 vi 2
2
Solo hay que sustituir valores en ambas expresiones para calcular las tensiones
pedidas.
21

Puesto que la tensin de entrada diferencial y tensin de entrada en modo comn,
son:
vid vi1 vi 2
vicm
1
vi1 vi 2
2
vid 0,7 cos30t 25sen150t 0,7 cos30t 25sen150t 1,4 cos30t
vicm
1
0,7 cos30t 25sen150t 0,7 cos30t 25sen150t 25sen150t
2
La respuesta es:
D) vid 1,4 cos30t ,
22
vicm 25sen150t ,

PROBLEMA 1
Sea el amplificador en emisor comn de la figura:
Supngase que, para =300, el punto Q resultante es I CQ 4,24mA y VCE 6,51V .
RB
VT 300 * 0,026V
1839,6
I CQ
4,24mA
1
1
3,33k
1 / R1 1 / R2 1 / 10k 1 / 5k
RL
1
1
667
1 / RL 1 / RC 1 / 2k 1 / 1k
Mtodo rpido de comprobar las respuestas: En la pregunta 6- nos piden AV y en la

pregunta 7- nos piden la ganancia de corriente Ai y la ganancia de potencia G . Por
lo qu en las respuestas se ha de verificar la relacin G Av Ai
23

6- Hallar los valores de AV , AVO , Z in y Z o
A)
B)
C)
D)
AV
AV
AV
AV
119, AVO 63, Z in 11,2k; Z o 1,8k

109, AVO 163, Z in 1185; Z o 1k
208, AVO 2,22, Z in 600; Z o 120
55, AVO 77, Z in 7,3k; Z o 12k
Resolucin:
AV
R
300 * 667
vo
L
108,8
1839,6
vin
r
AV
vo
R
300 *1k
C
163
vin
r
1839,6
Z in
1
1
1185
1 / RB 1 / r 1 / 3333 1 / 1839,6
Z o RC 1k
La respuesta es:
B)
AV 109, AVO 163, Z in 1185; Z o 1k
24

7- Hallar los valores de Ai y G
A)
B)
C)
D)
Ai
Ai
Ai
Ai
64,6;
16,6;
94,7;
22,4;
G 7039
G 5117
G 9811
G 1134
Resolucin:
La ganancia de corriente viene dada por:
Ai
Z
1185
io
AV in 109 *
64,6
RL
2k
iin
La ganancia de potencia viene dada por el producto entre la ganancia de tensin y la

ganancia de corriente
G AV Ai 109 * 64,6 7041
La respuesta es:
A)
Ai 64,6;
25
G 7039

8- Si vs t 0,001senwt V , hallar la expresin de vo t
A)
B)
C)
D)
vo t 122senwt V
vo t 72,5 coswt mV
vo t 76,6 senwt mV
vo t 67,6senwt mV
Resolucin:
Tenemos por definicin que:
AV t
vo t
vs t
De donde:
vo t AV t * vs t
Sustituyendo datos:
vo t AV t * vs t 109 * 0,001senwt V 109senwt mV
La respuesta es:
vo t 76,6 senwt mV
Vemos que la respuesta que nos dan por buena no corresponde con la solucin
hallada, es uno ms de los muchos fallos en este tipo de exmenes.
26

PROBLEMA 2
El FET de la figura tiene Vto 2V e I DSS 4mA
PROBLEMA
5.68. El FET de la Figura P5.68 tiene Vto 2V e I DSS 4mA . Si I DQ 9mA, hallar el
valor de R2 suponiendo que el dispositivo trabaja en la regin de saturacin. Cul
es el valor mximo de RD permitido si el punto de trabajo debe permanecer en la
regin de saturacin?
Estamos ante un circuito de cuatro resistencias en el que tendremos:
R2
RS I DQ
R2 R1
Tensin puerta-fuente:
VGSQ VSS
Tensin drenador-fuente:
VDSQ VSS RD RS I DQ
Adems, en la regin de saturacin tenemos:

I DSS KVto2
Teniendo en cuenta que:

I DQ K VGSQ Vto
Podemos determinar VGSQ :

VGSQ Vto
27
I DQ
K
(1)
(2)

9- Suponiendo que I DQ 9mA , hllese el valor de R2 suponiendo que el dispositivo
trabaja en la regin de saturacin.
A)
B)
C)
D)
R2
R2
R2
R2
2,30M;
112k;
1M;
12M;
Resolucin:
En primer lugar tenemos:
I DSS KVto2
=>
I DSS
4mA 1mA / V 2
2
Vto
2V 2

I DQ K VGSQ Vto
Podemos determinar VGSQ :

I DQ
VGSQ Vto
2V
9mA
1V
1mA / V 2
Cmo adems en el circuito, en la ecuacin (1) tenemos qu:

VGSQ VSS
R2
RS I DQ
R2 R1
Sustituyendo valores y resolviendo, determinamos que:

1V 20V
R2
103 * 9mA
6
R2 10
1V 9V 20V
1V 2V
R2
R2 10 6
=>
R2
R2 10 6
1VR 2 10 6 2VR 2
La respuesta es:
C)
R2 1M
28

10- Cul es el valor mximo de RD permitido si el punto de trabajo debe
permanecer en la regin de saturacin?
A)
B)
C)
D)
RD max
RD max
RD max
RD max
889
1,6k
435
2,5k
Resolucin:
Para que el dispositivo funcione en saturacin requerimos:
VGSQ 1V Vto 2V
VDSQ VGSQ Vto 1V 2V 3V
Teniendo en cuenta la ecuacin (2):

VDSQ VSS RD RS I DQ
20 RD RS I DQ 3
RD RS I DQ 20 3
RD
17
RS
I DQ
Por lo tanto:
RD
17V
103 1889 1000 889
9mA
La respuesta es:
A)
RDMax 889
29
30
SEGUNDA SEMANA
FEBRERO CURSO 2011-2012
31
32
33
34

PREGUNTA
1- El circuito de la figura emplea realimentacin negativa. Suponiendo que los
amplificadores operacionales son ideales, y usando la restriccin del punto suma,
analizar el circuito para hallar el valor de vo .
A) VO 11V
B) VO 1V
C) VO 11V
D) VO 12V
PROBLEMA
2.10. Cada uno de los circuitos mostrados en la Figura P2.10 emplea realimentacin
negativa. Suponer que los amplificadores operacionales son ideales, y utilizar la
restriccin del punto suma. Analizar los circuitos para hallar el valor de vo para
cada circuito.
Planteamiento del Problema:

En este tipo de problemas hay que aplicar las leyes de Kirchhoff:
Para ello s sealizan los nodos y corrientes, despus se analiza el nodo del puntosuma donde io 0 , seguido el nodo donde el potencial es igual que en el nodo del
punto-suma y posteriormente el resto de nodos segn el sentido de la corriente.
35

Sealando las corrientes y los nodos:
Por la restriccin del punto-suma, tenemos:

i0 0
VA VB 5V
Nodo C:
VA VC i1R 2mA * 3k 6V
De dnde:
VC VA 6V 5V 6V 1V
Cmo:
Vo VC 1V
La respuesta es:
B) Vo 1V
36

Resolucin del problema:
Sealando las corrientes y los nodos:
Por la restriccin del punto-suma, tenemos: ( i0 0 ; VA VB )

Nodo B:
5V VB 0
=>
VB 5V
i0 0
Nodo A:
VA VB 5V
i1 2mA
Nodo C:
VA VC i1R 2mA * 3k 6V
=>
Cmo:
Vo VC 1V
La respuesta es:
B) Vo 1V
37
VC VA 6V 5V 6V 1V
38

PREGUNTA
2- Se dispone de un diodo a una temperatura de 30 C. Sbitamente se le aplica una
corriente directa de 1000 mA y la tensin pasa a ser de 0,75 V. Al pasar varios
minutos el diodo se calienta debido a la disipacin de potencia y la tensin baja
hasta 0,55 V. Calcular la temperatura final del diodo.
A)
B)
C)
D)
T final 100 C
T final 80 C
T final 150 C
T final 130 C
PROBLEMA
3.7. Cierto diodo est a una temperatura de 25 C. De repente, se le aplica una
corriente directa de 100 mA y la tensin pasa a ser de 0,65 V. Tras varios minutos,
el diodo se calienta debido a la disipacin de potencia y la tensin es de 0,45 V.
Averiguar la temperatura del diodo.

A medida que el diodo se calienta, su tensin directa disminuye aproximadamente
2mV / C . As, la variacin de la temperatura viene dado por:
T V / 2mV / C
T Variacin de temperatura
V Tensin inicial Tensin final
39

Sustituyendo valores en la expresin:
T V / 2mV / C
Tendremos:
T 0,75V 0,55V ) /(2mV / C 0,2V /(2mV / C ) 100 C.
La temperatura del diodo final es:

T final Tinicial T 30 C 100 C 130 C.
La respuesta es:
D) T final 130 C.

Sustituyendo valores en la expresin:
T V / 2mV / C
Tendremos:
T 0,65V 0,45V ) /(2mV / C 0,2V /(2mV / C ) 100 C.
La temperatura del diodo final es:

T final Tinicial T 25 C 100 C 125 C.
La respuesta es:
T final 125 C .
40

PREGUNTA
3- Un transistor npn tiene un valor de 100 . Determinar su regin de
funcionamiento si I B 55A e I C 2,5mA
A)
B)
C)
D)
Se halla en la regin de saturacin

Se halla en la regin activa
Nos falta informacin para poder afirmar en que regin se halla
Se halla en la regin de corte
EJERCICIO
4.9. Un transistor npn tiene un valor de 100 . Determinar la regin de
funcionamiento si (a) VBE 0,2V , y VCE 5V ; (b) I B 50A e I C 2,0mA ; (c)
VCE 5V , y I B 50A .
Respuesta (a) Corte; (b) Saturacin; (c) Activa.

En este tipo de problemas hay que tener en cuenta las condiciones que ha cumplir el
transistor en cada regin, estas son:
Regin funcionamiento
Transistor npn
Condiciones
Observaciones
I C I B
I B 0;
VBE VCC RB I B ;
VCE 0,2V
VCE VCC RC I C
I B 0;
VBE VCC RB I B ;
VBE 0,7V
I B I C 0
VCE VCC RC I C ;
VCE 0,2V
I B 0;
I B 0;
IC 0
VBE 0,5V ; VBC 0,5V ;
VCE VCC
Regin Activa
Regin de Saturacin
Regin de Corte
En la tabla anterior, tambin figuran las correspondientes ecuaciones, aunque en

este caso no son necesarias.
41

Dado qu se cumple que:

IB 0
=>
Regiones de funcionamiento la Activa y/o la de Saturacin
Y adems tenemos que:

I B 100 * 55A 5,5mA
I C 2,5mA
Por lo tanto:
I B I C 0
=>
Que la regin de funcionamiento es la de saturacin
La respuesta es:
A) Se halla en la regin de saturacin
42

a) VBE 0,2V , y VCE 5V ;
Como:
VBE VBC VCE
=>
VBC VBE VCE 0,2V 5V 5,2V
=>
Que funciona en la regin de corte
Se verifica que:
VBE 0,5V ;
VBC 0,5V
Regin de Corte
b) I B 50A e I C 2,0mA ;
Como:
I B 50A 0
I B 100 * 50A 5,0mA I C
Se verifica:
IB 0
=>
Que funciona en la regin de Saturacin
I B I C
Regin de Saturacin
c) VCE 5V , y I B 50A .
Como se verifica que:
IB 0
=>
Que funciona en la regin Activa
VCE 0,2V ,
Regin Activa
43
44

PREGUNTA
4- Un chip de un computador contiene 20000 puertas, que tienen una disipacin de
potencia esttica igual a cero. En el caso peor la salida de cada puerta oscila a
150MHz. La disipacin de potencia dinmica total que se permite para el chip es de
10W. Si la tensin de alimentacin es de 5 V, determinar la carga permitida para
cada puerta.
A)
B)
C)
D)
CL
CL
CL
CL
130 fF
800 pF
40 fF
150 pF

En este tipo de problemas la potencia dinmica disipada viene dada por:
f
Pdin f * C L * VSS
La frecuencia
CL La capacidad de carga
VSS La tensin de alimentacin
Siendo
Despejando la capacidad de carga en la expresin de la potencia dinmica:

CL
Pdin
2
f * VSS
45

Sustituyendo valores, la capacidad de carga del chip es:
CL
10W
2,67 pF
2
150 *106 Hz 5V
Por lo que la capacidad de carga por puerta ser:

C L puerta
CL
133 fF
20000 puertas
La respuesta es:
A)
C L puerta 133 fF
46

PREGUNTA
5- Un amplificador presenta una ganancia de corriente en cortocircuito de 9.
Cuando el amplificador funciona con una carga de 100 , la ganancia de corriente
es de 7. Calcular la resistencia de salida del amplificador.
A)
B)
C)
D)
R0
R0
R0
R0
200
250
350
150
PROBLEMA
1.39. Un amplificador presenta una ganancia de corriente en cortocircuito de 10.
Cuando el amplificador funciona con una carga de 50 , la ganancia de corriente es
de 8. Calcular la resistencia de salida del amplificador.
Puesto que la relacin entre la ganancia de corriente en carga y la ganancia de

corriente en abierto cortocircuito, viene dada por la expresin:
Ai
Ganancia de corriente en carga.
Aisc Ganancia de corriente en cortocircuito.

Ai Aisc
Ro
Ro RL
Donde:
Ro
Resistencia de salida.
RL Carga.
Puesto que:
Ro
1
Ro RL
=>
Ai Aisc
47

- Representando el amplificador en cortocircuito, tenemos:
Dnde:
Ai
iO Aisc ii
Aisc 9
ii
ii
- Representando el amplificador del enunciado en carga, tenemos:
Como la ganancia de corriente en carga viene dada por:

Ai
io Aisc ii RO
RO
Aisc
ii
ii RO RL
R0 RL
Dnde, nos dicen que:

Ai 7
Aisc 9
RL 100
48

Ai Aisc
Ro
Ro RL
7 RO 700 9 RO
=>
79
=>
RO
RO 100
9 7RO 700
La respuesta es:
C) R0 350
49

Del planteamiento de este tipo de problemas tenemos:
Ai
Ganancia de corriente en carga.
Aisc Ganancia de corriente en cortocircuito.

Ai Aisc
Ro
Ro RL
Donde:
Ro
Resistencia de salida.
RL Carga.
Sustituyendo valores, en la relacin entre la ganancia en carga y la ganancia en

cortocircuito:
Ai Aisc
Ro
Ro RL
Ro
Ro 50
=>
8 10
=>
Ro 200
De donde:
8 Ro 400 10Ro
2 Ro 400
La respuesta es:
Ro 200
50

PROBLEMA 1
Consideremos el seguidor de fuente de la figura, siendo VDD 15V ; RL 1k,
R1 R2 1M . El transistor NMOS tiene KP 50A / V 2 , 0, L 1,5m,
W 150m y Vto 1V .
KP
2K
=>
KP W
2 L
50A / V
150m
2,5mA / V 2
1,5m
Los valores del punto Q deben satisfacer la ecuacin:

I DQ K VGSQ Vto
Despejando VGSQ :
VGSQ Vto
I DQ
K
VG VDD *
R2
106
15V * 6
7,5V
R1 R2
10 106
VS 4,5V
VS VG VGSQ
VGSQ Vto
I DQ
K
1V
51
10mA
1V 2V 3V
2,5mA / V 2

6- Hallar el valor de RS para I DQ 10mA
A)
B)
C)
D)
RS
RS
RS
RS
350
400
450
150
Resolucin:
VG VDD *
R2
106
15V * 6
7,5V
R1 R2
10 106
VS 4,5V
VS VG VGSQ
VGSQ Vto
I DQ
K
1V
10mA
1V 2V 3V
2,5mA / V 2
Puesto que:
RS
VS
4,5V
450
I DQ 10mA
La respuesta es:
C)
RS 450
52

7- Calcular la ganancia de tensin AV
A)
B)
C)
D)
AV
AV
AV
AV
0,72
0,99
1,29
0,18
Resolucin:
g m 2 KP W / L I DQ 2 * 50 *106 150 / 1,5 10 0,316S

AV
vo
g m RL
vin 1 g m RL
RL
AV
1
1
310,34
1 / rD 1 / RS 1 / RL 1 / 1 / 450 1 / 1000
vo
g m RL
0,316 * 310
0,989
vin 1 g m RL 1 0,316 * 310
La respuesta es:
B)
AV 0,99
53

8- Calcular la resistencia de entrada, Rin
A)
B)
C)
D)
Rin
Rin
Rin
Rin
0,5M
2M
1,5M
137,3k
Resolucin:
Rin R1 // R2
1
RR
10 6 *106
1 2 6
0,5 *10 6 0,5M
1 / R1 1 / R2 R1 R2 10 106
La respuesta es:
A)
Rin 0,5M
54

PROBLEMA 2
La tensin de salida de un amplificador operacional vara entre -10 y +10 V y puede
suministrar o absorber 25 mA. El slew-rate es de 10 V/s. Se usa el amplificador
operacional en la configuracin de la figura:
PROBLEMA
2.54. La tensin de salida de un amplificador operacional vara entre -10 y +10 V, y
puede suministrar o absorber 25 mA. El slew-rate es 10 V/s. Se utiliza el
amplificador operacional en la configuracin mostrada en la Figura P2.54.
(a) Hallar el ancho de banda de potencia del amplificador operacional.
(b) Para una frecuencia de 5 kHz y RL=100 , qu tensin mxima de salida es
posible sin distorsin?
(c) Para una frecuencia de 5 kHz y RL =10 k, qu tensin mxima de salida es
(d) Para una frecuencia de 100 kHz y RL =10 k, qu tensin mxima de salida es
Hay un error en el enunciado dnde dice El slew-rate es de 10 V/s, debe decir El

slew-rate es de 1 V/s
55

- En este tipo de problemas, normalmente hay que calcular el ancho de banda de
potencia, que viene dado por:
SR
f FP
SR
2VoMax
slew-rate (velocidad de subida)
Donde:
VoMax Tensin mxima de salida
- Para calcular la tensin mxima de salida sin distorsin, para una frecuencia y
carga dadas, hay que tener en cuenta cuando comienzan los recortes, ya que nos
limitan la tensin y la corriente.
Aplicando kirchhfoff, llegamos a:
1
1
io Vo
R2 RL
Si io ioMax (del recorte)
=>
VoMax
ioMax
1
1

Ro RL
- En ocasiones la frecuencia dada es superior a la calculada en el ancho de banda de

potencia, por lo que hay que calcular la tensin mxima de salida como:
VoMax
SR
2 * f FP
56

9- Hallar el ancho de banda de potencia del amplificador operacional.
A)
B)
C)
D)
f FP
f FP
f FP
f FP
53,9kHz
159Hz
1,59kHz
15,9kHz
Resolucin:
El ancho de banda de potencia viene dado por la expresin:
SR 1V / s
f FP
SR
2VoMax
f FP
Donde:
VoMax 10V
La respuesta es:
D)
f FP 15,9kHz
57
SR
1V / 10 6 s
15,9kHz
2VoMax 2 *10V

10- Para una frecuencia de 5kHz y RL 100 Qu tensin mxima de salida es
A)
B)
C)
D)
VoM
VoM
VoM
VoM
1,24V
4,98V
2,49V
9,23V
Resolucin:
Teniendo en cuenta que los recortes pueden comenzar cuando la tensin de salida
alcanza 10 V, o cuando la corriente de salida alcanza 25 mA.
i2
Vo
R2
io i2 iL
io
iL
1
Vo Vo
1
R RL
Vo Vo 2
R2 RL
R2 RL
R2 RL
Vo
RL
io Vo
R2 RL
100k 100
10V
100,1mA
R2 RL
100k *100
Se verificara que io 100,1mA I oMax 25mA . Por lo que no puede alcanzarse la

mxima tensin de salida posible VoMax 10V
Por lo que, en este caso la tensin mxima de salida, se da cuando io I o max :
Si en la expresin: io Vo
VoMax ioMax
R2 RL
despejamos Vo :
R2 RL
R2 RL
100k *100
25mA
2,497V
R2 RL
100k 100
La respuesta es:
C) VoM 2,49V
58

c) Para una frecuencia de de 5kHz y RL 10k, qu tensin mxima de salida es
Teniendo en cuenta que los recortes pueden comenzar cuando la tensin de salida
alcanza 10 V, o cuando la corriente de salida alcanza 25 mA.
i2
Vo
R2
io i2 iL
io
iL
1
R RL
Vo Vo
1
Vo Vo 2
R2 RL
R2 RL
R2 RL
Vo
RL
io Vo
R2 RL
100k 10k
10V
1,1mA
R2 RL
100k *10k
Como se verificara que io 1,1mA I oMax 25mA . Se puede alcanzar la mxima

tensin de salida posible VoMax 10V
La respuesta es:
C) VoMax 10V
Limitada por el mximo de la tensin de salida
59

d) Para una frecuencia de 100kHz y RL 10k, qu tensin mxima de salida es
En esta situacin la frecuencia que nos dan es superior al ancho de banda de
potencia calculado en el apartado a); es decir:
f 100kHz f FP 15,9kHz
Por lo que de la expresin, del ancho de banda de potencia:

f FP
SR
2Vo max
Despejando la tensin mx. de salida tendremos:

Vo max
SR
2f FP
Vo max
SR
10 6V / s
1,59V
2f FP 2 *100kHz
Vo max 1,59V
60
ORIGINAL
SEPTIEMBRE CURSO 2011-2012
61
62
63
64

PREGUNTA
1- Una fuente de 20 V suministra 1,5 A a un amplificador determinado. La potencia
de la seal de salida es de 3 W y la potencia de la seal de entrada es de 0,8 W.
Calcular la potencia disipada en el amplificador y su rendimiento.
E)
F)
G)
H)
Pd
Pd
Pd
Pd
33,42W ;
27,08W ;
22,33W ;
4,6W ;
8%
10%
12%
20%

Puesto que ha de verificarse:
Pi PS P0 Pd
Pd Pi PS P0
=>
Dnde:
Pi 0,8W
Potencia de entrada
PS VS I S 20V *1,5 A 30W
Potencia suministrada por la fuente
P0 3W
Potencia de salida
Pd ???
Potencia disipada
65

Por lo tanto:
Pd 0,8W 30W 3W 27,8W
El rendimiento viene dado como la relacin entre la potencia de salida y la potencia

suministrada por la fuente, es decir:
3W
P0
*100% 10%
*100%
30W
PS
La respuesta es:
B) Pd 27,08W ;
66
10%

PREGUNTA
2- Cul de los siguientes es un valor aproximado para la tensin trmica a una
temperatura de 300 K?
A)
B)
C)
D)
VT
VT
VT
VT
15mV
26mV
36mV
8mV
67

La tensin trmica a 300 K, tiene un valor aproximado a 26mV
La respuesta es:
B)
VT 26mV
68

PREGUNTA
3- Un transistor npn tiene un valor de 100. Determinar la regin de
funcionamiento si (a) VBE 0,3V y VCE 5V ; (b) I B 45A e I C 1mA
A)
B)
C)
D)
(a) Transistor en corte, (b) Transistor en saturacin

(a) Transistor en saturacin, (b) Transistor en regin activa
(a) Transistor en corte, (b) Transistor en regin activa.
(a) Transistor en regin activa, (b) Transistor en saturacin.
Anlisis del problema:
En este tipo de problemas hay que tener en cuenta las condiciones que ha cumplir el
transistor en cada regin, estas son:
Regin funcionamiento
Regin Activa
Regin de Saturacin
Regin de Corte
Transistor npn
Condiciones
Observaciones
I C I B
I B 0;
VBE VCC RB I B ;
VCE 0,2V
VCE VCC RC I C
I B 0;
VBE VCC RB I B ;
VBE 0,7V
I B I C 0
VCE VCC RC I C ;
VCE 0,2V
I B 0;
I B 0;
IC 0
VBE 0,5V ; VBC 0,5V ;
VCE VCC
En la tabla anterior, tambin figuran las correspondientes ecuaciones, aunque en

este caso no son necesarias.
69

a) Para un transistor npn con: VBE 0,3V y VCE 5V
VBE VBC VCE
=>
VBC VBE VCE 0,3V 5V 5,3V
Como se verifica que:

VBE 0,5V
=>
Que el transistor (a) est en la regin de corte
VBC 0,5V
b) Para un transistor npn con: I B 45A e I C 1mA . Tenemos que:

I B 100 * 45A 4,5mA
Puesto que:
IB 0
=>
I B I C
Que el transistor (b) esta en saturacin
La respuesta es:
A) (a) Transistor en corte, (b) Transistor en saturacin
70

PREGUNTA
4- Un JFET de canal tiene Vto 4V . Adems, iD 1mA para vGS 3V y vDS 5V .
Hallar I DSS para este dispositivo.
A)
B)
C)
D)
I DSS 101mA
I DSS 54mA
I DSS 16mA
I DSS 26mA

La corriente de saturacin con polaridad cero, viene dada por la expresin:
I DSS KVto2
Donde la constate K es funcin de la corriente y esta a su vez depende de la regin

de funcionamiento, de acuerdo a los valores de la siguiente tabla:
Regin
Corte
Tabla de condiciones
Condiciones
Corriente
vGS Vto
iD 0
hmica
vGS Vto
vGS vGS Vto
2
iD K 2vGS Vto v DS vDS
1 vDS
Saturacin
vGS Vto
vGS vGS Vto
iD K vGS Vto 1 vDS
Una vez comprobada la regin de funcionamiento, se calcula la constante K y se

sustituye dicho valor en la expresin:
I DSS KVto2
71

Nos estn pidiendo la corriente de saturacin con polarizacin cero, luego ya nos
estn indicando que la regin de funcionamiento es la de saturacin; no obstante
podemos comprobarlo:
Primero
vGS Vto
Segundo
vDS vGS Vto
La regin de funcionamiento es la de saturacin
Puesto que el valor de la corriente de saturacin con polarizacin cero viene dada
por:
I DSS KVto2
En la regin de saturacin para la corriente viene dada por:

iD K vGS vto
Despejando la constante de drenaje:

K
iD
vGS vto 2
Por lo tanto la corriente de saturacin con polaridad cero ser:

I DSS
iD
V2
vGS vto 2 to
I DSS
iD
1mA
V2
4V 2 16mA
2 to
2
vGS vto
3V 4V
La respuesta es:
C)
I DSS 16mA
72

PREGUNTA
5- Una capacidad de carga de 100fF es excitada por un inversor con una frecuencia
de 300 MHz y una amplitud de VDD = 2,5 V. Determinar la potencia disipada.
A)
B)
C)
D)
Pdin
Pdin
Pdin
Pdin
0,39mW
1,11mW
0,19mW
0,77mW

La potencia dinmica disipada viene dada por:
f
Pdin f * C L * VSS
Donde:
Frecuencia en MHz
CL Capacidad de carga en fF
VSS Tensin de alimentacin en V
El enunciado tiene un fallo, la frecuencia la han dado en Hz cuando queran darla en

MHz: f 300MHz
73

La potencia dinmica disipada viene dada por:
Pdin f * C L * VSS
Donde:
f 300 MHz
CL 100 fF
Pdin f * C L * VSS 300 *106 *100 *10 15 2,5 0,1875mW

2
VSS 2,5V
La respuesta es:
C)
Pdin 0,19mW
74

PROBLEMA 1
Considerar el circuito cargador de bateras de la figura adjunta, siendo los valores
correspondientes de Vm 22V , R 5 y VB 15V . Hallar la expresin de la
corriente como funcin del tiempo.

La ecuacin del circuito de la figura es:
Vm senwt VB it R
La corriente como una funcin del tiempo, ser:

i t
Vm senwt VB
R
75

6- Hallar la corriente de pico, suponiendo un diodo ideal
A)
B)
C)
D)
I Max 2,5 A
I Max 0,3 A
I Max 4,4 A
I Max 1,4 A
Resolucin:
La corriente mxima se da cuando el cociente de la expresin:
i t
Vm senwt VB
R
Sea mximo, y est ser mximo cuando el sen(wt) sea igual a 1. Por lo que la
intensidad mxima se expresar como:
i t
Vm VB
R
Sustituyendo valores en la expresin de la intensidad Max.

I Max
Vm VB 22V 15V 7V
1,4 A
R
5
5A
La respuesta es:
D)
I Max 1,4 A
76

7- Hallar la expresin de la corriente en funcin del tiempo
2VB Vm senwt
R
Vm sen wt
B) i t
R
VB senwt Vm
C) i t
2R
V senwt VB
D) i t m
R
A) i t
Resolucin:
En el anlisis del problema ya se obtuvo la expresin de la corriente en funcin del
tiempo, viene dada por:
i t
Vm senwt VB
R
La respuesta es:
D)
i t
Vm senwt VB
R
77

A condicin de que esta expresin se obtiene un resultado positivo.
De lo contrario, i (t) = 0. Para determinar el intervalo para el que el diodo est en el
estado en que debemos resolver esta ecuacin:
Provided that this expression yields a positive result.

Otherwise i(t) = 0. To determine the interval for which the diode is in the on state
we must solve this equation:
78

8- Hallar el porcentaje de cada ciclo en el que el diodo est con conduccin.
A)
B)
C)
D)
El porcentaje es del 25,3%

Resolucin:
Resolviendo encontramos dos races: t1 0,775 / w y t 2 2,37 / w radian.

T1 y T2 se indican en las formas de onda mostradas en la pgina anterior. El periodo
de la cermica de seno es T 2 / w . As, el porcentaje del tiempo que el diodo est
en conduccin es:
Diodo en conduccin
2,37 / w 0,775 / w
*100 25,3%
2 / w
La respuesta es:
A)
79

Solving we find two roots: t1 0,775 / w and t 2 2,37 / w radian.
T1 and t2 are indicated on the waveforms shown on the preceding page. The period
of the sine ware is T 2 / w . Thus the percentage of the time that the diode is on is.
Diode on
2,37 / w 0,775 / w
*100 25,3%
2 / w
80

PROBLEMA 2
Un amplificador presenta una resistencia de entrada de 30 , una resistencia de
salida se 15 y una ganancia de corriente en cortocircuito de 3000. La fuente de
seal presenta una tensin interna de 100mV rms, y una impedancia interna de 180
, la carga del amplificador es una resistencia de 10 .
Representando el amplificador en cortocircuito, tendremos:
Acoplando la fuente y la carga tendremos:
81

9- Hallar la ganancia de corriente y la ganancia de tensin del amplificador.
E)
F)
G)
H)
Ai
Ai
Ai
Ai
1200;
800;
1800;
1500;
AV
AV
AV
AV
800
650
600
300
Resolucin:
Como tenemos que:

Ai
i0
R0
15
Aisc
3000
1800
ii
R0 RL
15 10
AV Ai
RL
10
1800 600
Ri
30
La respuesta es:
C) Ai 1800;
AV 600
82

10- Si la fuente de alimentacin proporciona una tensin de 10 V y suministra una
corriente media de 2 A, calcular la potencia disipada en el amplificador.
E)
F)
G)
H)
Pd
Pd
Pd
Pd
18,5W
12,9W
9,1W
23,9W
Resolucin:
Puesto que:
Pi PS P0 Pd
Pd Pi PS P0
=>
Dnde:
G AV Ai 1800 * 600 108 *10 4
Vi VS
Ri
30
0,1
14,29mV
Ri RS
30 180
V 2 14,29 *10 3
Pi i
Ri
30
6,8W
P0 GPi 108 *10 4 * 6,8 *10 6 7,35W
PS VS I S 10 * 2 20W
Pd Pi PS P0 6,8 *10 6 W 20W 7,35W 12,65W
La respuesta es:
B) Pd 12,9
83
84
RESERVA
SEPTIEMBRE CURSO 2011-2012
85
86
87
88

PREGUNTA
1- Dos puntos de la regin de saturacin de un transistor NMOS son: ( vGS 2V ,
iD 1mA ) y ( vGS 3V , iD 4mA ). Suponer que 0 . Calcular los valores de vto y K
para este transistor.
A)
B)
C)
D)
vto 1V ,
K 0,5mA / V 5
vto 0,12V ,
K 0,75mA / V 5
vto 4,3V ,
K 1,5mA / V 5
vto 2,5V ,
K 3,5mA / V 5
Resolucin:
En la regin de saturacin, tenemos que iD K vGS vto 2 . Sustituyendo los valores
obtenemos dos ecuaciones:
1mA K 2 vto
4mA K 3 vto
Dividiendo la segunda entre la primera, se obtiene:

4
3 vto 2
2 vto 2
Resolviendo, determinamos que:
4 4 4vto vto2 9 6vto vto2

3vto2 10vto 7 0
vto
10 10 2 12 * 7 10 4
2,33V 1V
6
6
El nico resultado posible es Vto 1V , ya que para Vto 2,33V el primer punto no
estara en la regin de saturacin por no verificar:
vGS Vto
89

Sustituyendo en cualquiera de las dos ecuaciones que encontramos:
1mA K 2 vto
=>
1mA
1mA
1mA / V 2
2
2
2 vto 2V 1V
La respuesta es:
A)
Vto 1V
K 1mA / V 2
90

PREGUNTA
2- Dos transistores Q1 y Q2 conectados en paralelo son equivalentes a un solo
transistor, tal y como se ve en la Figura. Si los transistores tienen cada uno IES1 = IES2
= 1013 A, y 1 = 2 = 100, hallar IES y para el transistor equivalente. Suponer la
misma temperatura para todos los transistores.
A)
B)
C)
D)
150;
200;
100;
I ES 3 *10 12 A
300;
I ES 5,2 *1013 A
I ES 10 13 A
I ES 2 *10 13 A
Resolucin:
Sealizando las corrientes en ambos transistores:
Debido a que los transistores son idnticos y VBE es la misma para ambos
transistores, podemos concluir que IC1 = IC2 y IB1 = IB2. As tenemos:
eq
iC iC 1 iC 2 2iC 1
1 100
iB iB1 iB 2 2iB1
91

Por otra parte, tenemos:
iE iE1 iE 2
iE I ES1 expVBE / VT 1 I ES 2 expvBE / VT 1
iE I ES1 I ES 2 expVBE / VT 1 I ESeq expvBE / VT 1
As se concluye que:
I ESeq I ES1 I ES 2 2 *10 13 A
La respuesta es:
C)
100; I ES 2 *10 13 A
92

PREGUNTA
vD
nVT
3- Consideremos un diodo con polarizacin directa, de manera que iD I S exp
. Suponer que VT 0,026V y n 1. Qu incremento debemos aplicar a vD para

triplicar la corriente?
A)
B)
C)
D)
vD
vD
vD
vD
18mV
8,3mV
28,5mV
58,2mV
Resolucin:
Supongamos que tenemos VD1 para una corriente de iD1 y para VD 2 VD1 vD nos
dicen que iD 2 3iD1 , entonces podemos escribir:
iD 2 I S expVD1 vD / nVT 3iD1 3I S expVD1 / nVT
I S expVD1 / nVT expvD / nVT 3I S expVD1 / nVT
Simplificando:
expvD / nVT 3
Tomando logaritmos
vD / nVT ln3
vD nVT ln 3 1 * 0,026 ln 3 28,5mV
La respuesta es:
C)
vD 28,5mV
93
94

PREGUNTA
4- En el circuito de la figura adjunta se emplea realimentacin negativa. Utilizar la
restriccin del punto-suma (para ambos amplificadores operacionales) para obtener
Vo1
V
y A2 o 2 .
vin
vin
la expresin de las ganancias de tensin A1
A)
B)
C)
D)
A1 7 / 3;
A1 4 / 3;
A1 8 / 3;
A1 4 / 3;
A2
A2
A2
A2
5 / 3
7/3
7 / 3
8 / 3
Resolucin:
Sealizando las corrientes y los nudos:
Nudo A:
vin Riin
=>
iin
vin
R
iin i1 i2
95

Nudo B:
vB vo1
Adems:
vB i1 4 R
vB vC
Nudo C:
vC v3
i3
=>
vB vo1 vC v3
vo1 v3
=>
vo1
4R
i1
=>
A1
v3
R
i4 i3
v3
R
Nudo D:
v3 vD Ri4 R
v3
v3
R
=>
vD 2v3 2vo1
i2
vD i2 4 R
Cmo adems:
vD vo 2
=>
vo 2 2vo1
=>
iin i1 i2 0
vo 2
4R
Cmo:
iin i1 i2
iin
vo1 vo 2
0
4R 4 R
Por lo que:
vin vo1 2vo1
0
R 4R 4 R
=>
1
2
3
vin vo1 vo1 vo1
4
4
4
A1
96
4
3
vo1
4
vin
3

Por otra parte como:
A2
8
vo 2 2vo1
2 A1
3
vin
vin
A2
8
3
La respuesta es:
D)
4
8
A1 ; A2
3
3
97
98

PREGUNTA
5- Un amplificador determinado presenta una ganancia diferencial Ad 60.000 . Si
se interconectan los terminales de entrada y se les aplica una seal de 1,1 V se
genera una seal de salida de 0,11 V. Cules son la ganancia de modo comn de
amplificador y la CMRR, expresadas en dB?
I)
J)
K)
L)
Acm 10dB;
Acm 20dB;
Acm 20dB;
Acm 30dB;
CMRR 75dB
CMRR 116dB
CMRR 57 dB
CMRR 125dB
Resolucin:
La ganancia en modo comn del amplificador viene dada por:
Acm
Vocm 0,11
0,1
Vicm
1,1
La ganancia en modo comn en decibelios viene dada por:

AcmdB 20 log Acm 20 log 0,1 20dB
AcmdB 20dB
La razn de rechazo en modo comn viene dada por:

CMRRdB 20 log
Ad
Acm
CMRRdB 20 log
Ad
6 *10 4
20 log
115,56dB
Acm
0,1
La respuesta es:
B) Acm 20dB;
99
CMRR 116dB

Puesto que ha de verificarse:
CMRR 20 log
Ad
Acm
Puesto que el logaritmo del cociente es igual a la diferencia de los logaritmos:

20 log
Ad
20 log Ad 20 log Acm
Acm
Dnde:
20 log Ad 20 log 60.000 95,56dB
20 log Acm 20 log 0,1 20dB
Por lo tanto:
20 log Ad 95,56 20 115,56
La nica respuesta que verifica esta condicin es:

B) Acm 20dB;
CMRR 116dB
100

PROBLEMA 1
Se conecta un amplificador ideal de transconductancia que presenta una ganancia de
transconductancia en cortocircuito de 0,1 S, como muestra la figura adjunta.
101

6- Calcular la resistencia Rx vx / ix vista en bornes de entrada.
A)
B)
C)
D)
Rx
Rx
Rx
Rx
20
10
30
40
Resolucin:
Por otra parte al tratarse de un amplificador de transconductancia (Fuente de
corriente controlada por tensin), tenemos:
Analizando las corrientes

Nodo A:
ix Gmscvin
Nos piden:
Rx
vx
ix
Dnde:
vx vin
Por lo tanto:
Rx
vx
vin
1
1
10
ix Gmsc vin
Gmsc
0,1S
La respuesta es:
Rx 10
102

7- Recalcular si el amplificador presenta una resistencia de entrada de 1.000 , una
impedancia de salida de 20 y una ganancia de transresistencia en circuito abierto
de 10
A)
B)
C)
D)
Rx
Rx
Rx
Rx
2,23
4,57
2,32
4,28
Resolucin:
Representando el esquema del amplificador, tendramos:
Desde el circuito podemos escribir:

ii
vx
Ri
ix ii
v x Rmocii
Ro
=>
ix
R Rmoc
vx
ii o
Ro
R
o
De donde:
Rx
vx
Ri ii
Ri
1
1
1 R
ix Ri ii
R Rmoc Ri Ro Rmoc
moc
ii o
Ro
Ro Ri Ro Ri
Ro
Ro
Ro Ro
Rx
1
1
2,227
1
1 Rmoc
1
1
10 4

Ro Ri Ro Ri 20 103 20 *103
103

La respuesta es:
A)
Rx 2,23
104

PROBLEMA 2
La siguiente figura muestra el diagrama de circuito simplificado de un inversor
lgico:

Representacin de los circuitos en estado cerrado y abierto:
105

8- Suponiendo una carga en circuito abierto, hallar VOH y VOL
A)
B)
C)
D)
VOH
VOH
VOH
VOH
1V ;
5V ;
7V ;
4V ;
VOL 5V
VOL 1V
VOL 4V
VOL 7V
Resolucin:
Con el interruptor cerrado, tenemos:
VOL VDD
R2
250
5V
1V
R1 R2
1000 250
Con el interruptor abierto, la tensin de salida es VOH = 5 V.
La respuesta es:
B)
VOH 5V ; VOL 1V
106

9- Hallar el valor de t PD . Suponga un pulso de entrada que conmuta abruptamente
entre ambos niveles lgicos. Ntese que:
vo t 1 4 exp t /
Donde es la constante de tiempo del circuito, de 0,4ns.

A)
B)
C)
D)
t PD
t PD
t PD
t PD
1,38ns
11,3ns
0,83ns
6,12ns
Resolucin:
La figura muestra la forma de onda para la transicin de alto a bajo
Nos dicen que el voltaje de salida viene dado por

Vo t 1 4 exp t /
Donde:
-
es la constante de tiempo del circuito.
La constante de tiempo es el producto de la capacitancia y la resistencia de

Thevenin de la puerta con el interruptor cerrado.
La resistencia de Thevenin es la combinacin paralela de la 1 k y 250

resistencias que es 200 .
As tenemos RD C 200C 0, 4 ns . tPLH es el tiempo requerido en el voltaje de

salida para hacer la mitad de la transicin (momento en el que tenemos V o = 3V).
Es decir:
3 1 4 exp t PHL /
107

Resolviendo encontramos:
t PHL ln2 0,277ns
Ecuacin t PHL RDC ln0,5 0,6931RDC , se aplica para la transicin de bajo a alto
con RD = 1 kW. As en este caso tenemos:
t PLH RD C ln0,5 0,6931RD C 1,386ns
Finalmente tendremos:
t PD
1
t PHL t PLH 0,832ns
2
La respuesta es:
C)
t PD 0,832ns
108

10- Hallar la disipacin de potencia esttica si la salida est a nivel alto
A) 20 mV
B) 10 mV
C) 32 mV
D) 0 mV
Resolucin:
Puesto que cuando VOH 5V la corriente es nula; es decir; I DD 0 y la potencia
disipada, viene dada por P VDD I DD 0
- La disipacin de potencia esttica con la salida a nivel alto es cero.
La respuesta es:
D)
0mW
109

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FUNDAMENTOS DE INGENIERA ELECTRNICA I

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL

Con los problemas y ejercicios originales

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

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Calcular los parmetros del modelo simplificado del amplificador en cascada

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

La impedancia de entrada de la cascada es igual a la impedancia de entrada del

La impedancia de salida de la cascada es igual a la impedancia de salida del ltimo

La ganancia de tensin de la cascada es igual al producto de las ganancias de cada

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

Procediendo de forma anloga tendremos:

La impedancia de salida de la cascada es igual a la impedancia de salida del ltimo

La ganancia de tensin de la cascada es igual al producto de las ganancias de cada

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

Planteamiento del problema:

- La capacidad de difusin viene dada por:

( I DQ Corriente punto de trabajo)

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

( I DQ Corriente en el punto de trabajo)

- Para la capacidad de difusin tenemos:

( VT Tensin Trmica a 300 K)

Sustituyendo valores en la expresin de la capacidad de difusin:

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

( I DQ Corriente en el punto de trabajo)

- Para la capacidad de difusin tenemos:

( VT Tensin Trmica a 300 K)

Sustituyendo valores en la expresin de la capacidad de difusin:

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

Planteamiento del problema:

Para calcular K primero hay que determinar la regin de funcionamiento, y

Constante de corriente de drenaje

iD K vGS Vto 1 vDS

vGS Vto 2 1 vDS

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

Que el transistor trabaja en la regin de saturacin

vDS vGS Vto ,

En la regin de saturacin la corriente de drenaje viene dada por:

vGS Vto 2 1 vDS

Como =0, sustituyendo tendremos:

Sustituyendo ste valor en la relacin anchura-longitud:

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

Que el transistor trabaja en la regin de saturacin

vDS vGS Vto ,

En la regin de saturacin la corriente de drenaje viene dada por:

vGS Vto 2 1 vDS

Como =0, sustituyendo tendremos:

Sustituyendo ste valor en la relacin anchura-longitud:

PROBLEMAS DE LOS EXMENES DEL CURSO 2011-2012

Que el transistor trabaja en la regin de saturacin

vDS vGS Vto ,

En la regin de saturacin la corriente de drenaje viene dada por:

vGS Vto 2 1 vDS

Como 0,05 , sustituyendo tendremos:

vGS Vto 2 1 vDS

Sustituyendo ste valor en la relacin anchura-longitud: