Proceso de manufactura

Material semiconductor

Material Inicial

Silicio Germanio
Si Ge
Tratamiento químico

La materia prima se somete primero a

una serie de reacciones químicas y a
un proceso de refinación de zona para
formar un cristal policristalino del
nivel deseado de pureza.
 Semiconductor
Policristalino

Se lleve a cabo la formación de un

solo cristal de germanio o silicio. Esto
se puede lograr usando la técnica de
Czochralski o la de zona flotante.

Crecimiento
Epitaxial
Crecimiento
Epitaxial
 Denominamos epitaxia a una tecnología que está relacionada muy de cerca con el crecimiento de
cristales, involucrando el crecimiento de capas delgadas de semiconductor monocristalino. El
crecimiento epitaxial permite controlar los perfiles de dopado, optimizando así la fabricación de
dispositivos y circuitos. En un proceso epitaxial, el substrato de la oblea actúa como la semilla en el
crecimiento de un cristal. Los procesos epitaxiales se diferencian de las técnicas antes mencionadas,
en que la capa epitaxial puede crecerse a temperaturas substancialmente más pequeñas que las del
punto de fusión del material.

Tipos de crecimiento epitaxial

Homoepitaxia: es un tipo de epitaxia Heteroepitaxia: es un tipo de

que se realiza con un solo material, epitaxia que se realiza con un solo
en el que se produce una película material, en el que se produce una
cristalina sobre un sustrato o película película cristalina sobre un sustrato o
del mismo material película del mismo material.

Métodos para realizarlo

En fase vapor (VPE). En fase líquida (LPE). Por haces moleculares (MBE).

Semiconductor
Monocristalino

CORTAR Y LIMPIAR
PULIR
Cortadas las obleas, las dos caras de estas son tratadas con una mezcla
de Al2O3 y glicerina para producir una superficie plana homogénea con
un error de "2 μm. Esta operación daña y contamina la superficie y El paso final en la obtención de las
bordes de la oblea. Para reparar estos daños, las obleas son tratadas obleas es el pulido, cuyo propósito es
mediante ataques químicos. obtener una superficie especular
dónde puedan definirse los detalles
de los dispositivos electrónicos.
Universidad Tecnológica de Panamá
Facultad Eléctrica

Fundamentos de Electrónica

Integrantes:

Gaitán Guillermo 8-935-2019

André Ureña 8-910-1219

Investigación

“Proceso de Manufactura

de material semiconductor”

Profesor
David Córdoba

I semestre

AÑEXO
Aplicaciones del crecimiento Epitaxial
La epitaxia se utiliza en los procesos de fabricación basados en silicio para los transistores de
unión bipolar (BJT) y los modernos semiconductores de óxido de metal complementarios
(CMOS), pero es particularmente importante para los semiconductores compuestos como el
arseniuro de galio.
La epitaxia se usa en nanotecnología y en la fabricación de semiconductores. De hecho, la
epitaxia es el único método asequible de crecimiento de cristales de alta calidad para muchos
materiales semiconductores.
La heterotopotaxia es un proceso similar a la heteroepitaxia, excepto que el crecimiento de
película delgada no se limita al crecimiento bidimensional; el sustrato es similar solo en
estructura al material de película delgada.
La pendeo-epitaxia es un proceso en el cual la película heteroepitaxial está creciendo vertical y
lateralmente al mismo tiempo.