ACTIVID

AD
SISTEMAS
MICROELECTROMECÁ
Efraín Zapata Rey
NICOS
5600247
Daniel Ricardo Avila
5600264
 ARTÍCULOS
CONSULTADOS

SPIN-COATING
Ultrathin Film Organic
ELECTRODEPOSICIÓ
Transistors: Precise Control of
N
Electrodeposition and
Semiconductor Thickness via
properties of NiW
Spin-Coating
films for MEMS
Spray Pirolisis application
Películas de ZnO piezoeléctricas
depositadas por Spray Pirólisis US
SOL-GEL
SOL-GEL FABRICATION
OF PZT THICK FILMS FOR
MEMS
 1. Articulo
Transistores Orgánicos de Película Ultra-Fina

➢ Propiedades únicas al momento

de construir sensores
ultrasensibles, para múltiples
aplicaciones

➢ Fabricación de dispositivos muy

transparentes y económicos en
relación con el consumo de Organic Thin Film Transistor.OTFT
materiales. [1] [2]

[1] Ultrathin Film Organic Transistors: Precise Control of Semiconductor Thickness via Spin-Coating. Page 3
[2] Mitsubishi Chemical- Center For advanced materials. Available
Técnica
SPIN
COATING
Sustrat
o Cantidades
Dióxido de Silicio Solución Precursora Fueron utilizados 8 μ L de
modificados por OTS solución para hacer la
(octadecyl trichlorosilane) deposición sobre una base
[3] de 4 cm × 4 cm a partir del
método de spin coating [5]

Estructura molecular del

NDI3HU-DTYM2 and NDI(2OD)
(4tBuPh)-DTYM2 [4]

[3] [4] [5] Ultrathin Film Organic Transistors: Precise Control of Semiconductor Thickness via Spin-Coating. Page
2,Page 3
Técnica
SPIN
COATING Deposición de solución
precursora cuando el motor
del spin coater está rotando

La fuerza tangencial
rompe la barrera
hidrofóbica del sustrato

Esparcimiento de la solución [7] Procedimiento empleado en

permitiendo formación de Spin Coating.
película ultrafina [6
]

[6][7] Ultrathin Film Organic Transistors: Precise Control of Semiconductor

Thickness via Spin-Coating. Page 2,Page 3
 Parámetros [8] Aplicaciones [9]

Grosor de la
Película nm Son mecánicamente flexibles

rp ➢ Televisores con pantallas

Tasa de Rotación enrollables
m
➢ Teléfonos inteligentes
Concentración de mg/
plegables.
la solución ml ➢ Sensores Altamente Sensibles
y finos

[8] Ultrathin Film Organic Transistors: Precise Control of Semiconductor Thickness via Spin-Coating. Page 2,Page 3
[9]
 2. Articulo
Electrodeposición y propiedades de las películas de NiW
para su aplicación en MEMS
➢ Las películas de aleaciones de Níquel-
Tungsteno ofrecen microestructuras con
alta resistencia mecánica, resistencia al
desgaste, alta resistencia térmica y
estabilidad frente a la deformación
➢ El proceso permite la deposición de
capas de NiW homogéneas de 12 um de
espesor

[10] Electrodeposition and properties of NiW films for MEMS application . Page 2
 Técnica Electrodeposición
Es un proceso por el cual un recubrimiento metálico es
aplicado sobre una superficie a través de una corriente
eléctrica, generalmente continua.

Proceso electrodeposición
[]
Electroforesis como alternativa a los tratamientos convencionales. Available https://www.interempresas.net/TTS/Articulos/356270
[11] POST-PROCESO PARA FABRICACIÓN ADITIVA: ELECTRODEPOSICIÓN. Available https://eddm.es/blog-ingenius/
 Electrodeposición

Electrolito Ánodo
Cátodo
superficie donde se superficie donde se produce
Solución que contiene presenta la reacción de la reacción de oxidación. El
los iones de metal que se reducción también ánodo puede ser activo o
desea depositar. conocido como electrodo inerte. Cuando es inerte,
de trabajo. este no sufre ningún
cambio químico durante el
proceso.
 Procedimiento

Baño de galvanoplastia La temperatura de

Se preparó el electrolito con funcionamiento del baño era
Níquel concentrado 80 g/l y de 50 ◦C y el pH estaba en el
Tungsteno 4.2–20 g/l rango
estabilizados con ácido cítrico de 2,4-3,2.

Se utilizaron obleas de
silicio oxidado de 100 mm
como sustratos.

El electrolito se hizo circular

mediante una bomba
La concentración de magnética centrífuga..
tungsteno varió en el rango
de 5 a 20% en peso

[12] Electrodeposition and properties of NiW films for MEMS application . Page 2
 Resultados

La galvanoplastia de capas de Más dureza, menor tensión y Se demostró que el aumento

NiW muestran una mejora
esencial
de las propiedades mecánicas,
como una mayor dureza, una
menor tensión y una mejor
elasticidad.
mejor comportamiento
elástico en comparación con
el níquel puro.
contenido de tungsteno de
3,2 % en peso.
de contenido de tungsteno
puede lograrse mediante
densidades de corriente muy
bajas

[13] Electrodeposition and properties of NiW films for MEMS application . Page 4
3. Articulo
Películas de ZnO piezoeléctricas depositadas por Spray Pirólisis
US
➢ EL óxido de Zinc es un
compuesto con propiedades
interesantes por lo que ha sido
estudiado los últimos años

➢ Variación del Spray Pirólisis

denominada Spray Pirólisis
Ultrasónico
Tecnica De Spray Pirolisis [15]

[14] Películas de ZnO piezoeléctricas depositadas por Spray Pirólisis US. Available
on::https://www.researchgate.net/publication/317038441.Page 3
Técnica Sustrato
Hecho de Vidrio y de
Silicio tipo N (Dopado con
Spray Pirólisis US Fósforo)

Solución Acetato de zinc

Precursora deshidratado
metanol como solvente.
Esquema del Sistema
implementado

[16] Películas de ZnO piezoeléctricas depositadas por Spray Pirólisis US.

Available on::https://www.researchgate.net/publication/317038441.Page 3
 Parametros
Distancia de la boquilla al
cm 1-1.5 sustrato

ºC 425-450 Temperatura del sustrato

M 90-180 Concentración

ml/min 328 a 492 Flujo del gas portador

s 90 a 180 Tiempo de depósito

[17] Películas de ZnO piezoeléctricas depositadas por Spray Pirólisis US.

Available on::https://www.researchgate.net/publication/317038441.Page 3
 Aplicaciones

Sensor
De gas, luminiscencia
y radiación
Celdas Solares
Conductor transparente
en las capas que lo
conforman
Transductores Químicos
Dispositivos Resonadores
Biosensores

[18] Películas de ZnO piezoeléctricas depositadas por Spray Pirólisis US.

Available on::https://www.researchgate.net/publication/317038441.Pagina 2 y 3
4. Articulo
Fabricación por sol-gel de películas gruesas de PZT para MEMS
Fabricación de película de
1 500 nm de densidad
sin grietas

Descubrimiento de un factor
2 clave para obtener películas
gruesas

Se midieron y compararon
propiedades dieléctricas y
3 piezoeléctricas
de las películas con diferentes
espesores

[19] SOL-GEL FABRICATION OF PZT THICK FILMS FOR MEMS

 Técnica Sol- Gel
El método sol-gel es un proceso químico en fase húmeda ampliamente
utilizado en la ciencia de los materiales. En el proceso sol-gel consta de
varios pasos.

[20] Metodo sol gel.. Available Https://www.goconqr.com/es/diagrama/7189600/metodo-sol-gel

Introducción al estudio de los Mater.. Available https://www.researchgate.net/publication/336340968
 Sol-Gel
El precursor de alcóxido de sílice líquido
reacciona con el agua y se producen las Mezcla
reacciones de hidrólisis y policondensación
la poli-condensación del alcóxido de sílice
produce partículas coloidales que se enlazan unas
con otras para formar una estructura Gelificación
tridimensional
Este proceso de envejecimiento consta de tres
pasos: continuación de la polimerización, Envejecido.
sinéresis y maduración

Un camino alternativo para acelerar el secado es

añadir aditivos químicos controladores del secado Secado

Un camino alternativo para acelerar el secado es

añadir aditivos químicos controladores del secado Secado

[21] Metodo sol gel.. Available Https://www.goconqr.com/es/diagrama/7189600/metodo-sol-gel

 Procedimiento
Se disolvió acetato de
plomo(II) trihidratado, en
1 metanol. Con ácido acético en
etanol

2 Ciclo de temperatura

Las muestras fueron pulidas a

3 200◦C con los campos
eléctricos.

[21] SOL-GEL FABRICATION OF PZT THICK FILMS FOR MEMS

 Resultados
Las capas gruesas
Se obtuvieron películas tienen buenos
más gruesas coeficientes
aumentando la piezoeléctricos en
concentración de sol comparación con las
películas con capas
finas

Capas individuales más

gruesas y sin grietas Se encontró que el
factor clave en la
obtención de películas
gruesas sin grietas era
elegir un perfil de
calentamiento
El grosor máximo de la adecuado,
capa individual fue de
500 nm

[22] SOL-GEL FABRICATION OF PZT THICK FILMS FOR MEMS

GRACIAS
POR SU
ATENCIÓN