Electronica II Problemas Resueltos y Propuestos 7 1 1 PDF

ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL
FACULTAD DE INGENIERA EN ELECTRICIDAD Y COMPUTACION
ELECTRÓNICA II: PROBLEMAS

RESUELTOS Y PROPUESTOS
(BORRADOR 7.1)
PROFESOR: ING. GÓMER RUBIO ROLDÁN
OCTUBRE 2014
1
Contenido
1. POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT Y FETs ................................................. 3
2. AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL CON BJT Y FETs ............................... 43
3. RESPUESTA DE FRECUENCIA ............................................................................... 82
4. AMPLIFICADORES DE POTENCIA....................................................................... 145
4.1. AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A ............................................................ 145
4.2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE B ............................................................ 167
5. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL ............................................................................ 189
6. AMPLIFICADOR OPERACIONAL .......................................................................... 218
6.1. OPAMP REAL ........................................................................................................ 218
2
1. POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT Y FETs
Problema No. 1.1

En el siguiente circuito, determinar los puntos de operación (ID, VDS) de
los transistores.
Datos.- Q1: IDSS = 10mA, VP = -4V;
Q2: IDSS = 5mA, VP = -5V;
Q3: k = 0.3mA/V², VT = 2V
Como G y S están cortocircuitados: 𝑉𝐺𝑆2 = 0𝑉

𝑉𝐺𝑆1 2
𝐼𝐷2 = 𝐼𝐷𝑆𝑆2 (1 − ) = 5𝑚𝐴
𝑉𝑝
Vs = 0.5*ID2 = (0.5) (5) = 2.5V 𝑉𝐺𝑆2 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑉𝐺𝑆2 = 0 = 𝑉𝐺 – 2.5V 𝑉𝐺 = 2.5V 𝑽𝑮𝟐 = 𝑽𝑮𝟏 = 𝟐. 𝟓𝐕
𝑉𝑆1 = 1 ∗ 𝐼𝐷 1 𝑉𝐺𝑆1 = 𝑉𝐺1 – 𝑉𝑆1 𝑉𝐺𝑆1 = 2.5 – 𝐼𝐷 1
𝑉𝐺𝑆1 2
𝐼𝐷 1 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 (1 − )
𝑉𝑃1
𝑉𝐺𝑆1 2
𝐼𝐷 1 = 10(1 − )
−4
2.5 – VGS1 = 10(1 + 0.25VGS1)²
2.5 – VGS1 = 10(1 + 0.5VGS1 + 0.0625VGS1²)
2.5 – VGS1 = 10 + 5 VGS1 + 0.625VGS1²
3
0 = 7.5 + 6* VGS1 + 0.625* VGS1²
−6 ± (62 − (4 ∗ 0.625 ∗ 7.5))½

𝑉𝐺𝑆1 =
2 ∗ 0.625
VGS1a = -8.123V VGS1b = -1.477V
0 < | VGS1| < | Vp1| 0 < 1.477 < 4 VGS1= -1.477V
ID1= 2.5– VGS1 ID1= 2.5 + 1.477 ID1 = 3.977mA
IX = ID1 + ID2 Ix = 5 + 3.97 Ix = 8.97mA
POR MALLA: 18 – ID1 – VDS1 – Ix*1 = 0
18 – 3.977 – 8.97*1 = VDS1 VDS1 = 5.05V
VDS1sat = 4V VDS1 no está saturado
VDS1 + 1* ID1 = VDS2 + ID2*0.5
5.05 + 3.977 = VDS2 + 5*0.5
5.05 + 3.977 – 5*0.5 = VDS2
VDS2 = 6.527 V
VG3 = VDS2 + ID2*0.5
VG3 = 6.527 + 5*0.5
VG3 = 9.027 V
VS3 = 0 V
VGS3 = VG3 – VS3 VGS3 = 9.027 V
ID3 = k*(VGS3 – Vt)² ID3 = 0.3*(9.027 – 2)²
ID3 = 14.81mA
VDS3 – 18 + ID3*0.8 = 0
VDS3 = 18 – 14.81*0.8
VDS3 = 6.152 V
4
Problema No. 1.2
En el circuito dado:
a) Determine el valor de VDD (asuma que todos los transistores están en
región activa y que VDSQ1 = 8V).
b) Calcule los puntos de operación (ID,VDS) para Q1, Q2, Q3.
Datos: Q1:IDSS1 = 8mA, VP = -4V;

Q2: IDSS2 = 2mA; Vp = -2V;
Q3: IDSS3= 8mA; VT = -4V
VGS2 = VG2 – VS2

VG2= 0 ^ VS2 = 0
VGS2 = 0V
ID2 = ID1
𝑉𝐺𝑆2
𝐼𝐷 2 = 𝐼𝐷𝑆𝑆2 (1 − )2 ID2 = IDSS2
𝑉𝑃2
ID2 = ID2 = 2mA
VGS1 = VG1 – VS1 VS1 = VDS2

VGS1 = 0 – VDS2
5
𝑉𝐺𝑆1 𝑉𝐺𝑆1
𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷𝑆𝑆1 (1 − )2 2𝑚𝐴 = 8𝑚𝐴(1 − )2
𝑉𝑃1 −4
2mA = 8mA*(1 + 0.25* VGS1)² 2 = 8*(1 + 0.5 VGS1 + 0.0625

VGS1²)
2 = 8 + 4 VGS1 + 0.5 VGS1²
0 = 6 + 4 VGS1 + 0.5 VGS1²
−4 ± (4² − (4 ∗ 0.5 ∗ 6))½
𝑉𝐺𝑆1 =
2 ∗ 0.5
−4 ± 2
𝑉𝐺𝑆1 =
1
VGS1a = -2V VGS1b = -6V
0 < | VGS1| < |Vp1| 0 < |2| < |4|
VGS1 = VG1 – VS1
-2 = 0 – VS1 VS1 = 2V VS1= VDS2
VDS2 = 2 V
Q2: VDS2 = 2V; Id2 = 2mA; VGS2 = 0V

Q1: VDS1 = 8V; Id1 = 2mA; VGS1= -2V
POR MALLA: VDD - VDS1 – VDS2 = 0

VDD = 8 + 2
VDD = 10V
VGS3 = VG3 – VS3 VGS3 = VDS2 - 0

VGS3 = 2V
𝑉𝐺𝑆3 2
𝐼𝐷3 = 𝐼𝐷𝑆𝑆3 (1 − 𝑉𝑃3
)2 𝐼𝐷3 = 8(1 − −4
)2
ID3 = 8*(1.5)² ID3 = 18mA

VDD – (200* ID3) – VDS3 = 0 VDS3 = 10 – (200*18mA)
VDS3 = 6.4V
Q3: VDS3 = 6.4v; ID3 = 18mA
6
Problema No. 1.3
En el siguiente circuito, calcular el punto de operación del transistor
Q 3.
Q1: Q2: Q3:

IDSS =10mA IDSS =8mA K=0.3
Vp= -4V Vp= -5V Vt= 1V
DIODO
Vz= 4V
Vd= 0.7V
Análisis para Q1
VGS1= VS1 -> VGS1=0V
Si VGS1=0 -> ID1= IDSS1
Análisis para Q2
VGS2= VS2 -> VGS2=0V
Si VGS2=0 -> ID2= IDSS2
Del gráfico se observa:
Id= ID1-ID2
Id= IDSS1- IDSS2=10mA-8mA
VDS2= VD+ R3* Id
VDS2= 0.7V+ 4.7K(2mA)
VDS2=10.1V
7
VDS1=+V- VDS2
VDS1= 20V- 10.1V
VDS1= 9.9V
VDS1= Vp1- VGS1=4V
VDS2= Vp1- VGS2=5V
Análisis para Q3
VG3= R3*Id VS3=R4* ID3 -> VGS3= (R3*Id- R4* ID3)
ID3= K(VGS3-VT)2
ID3= 4.52mA
VDS3=+V-(R5+R4) ID3 -> VDS3=10.06V
VGS3= 4.88V
8
Problema No. 1.4
Determine los puntos de operación de los transistores M1 y Q1:
Datos.- β = 20; IDSS = 5ɱA ; Vp = 1V
Se abre
Se abre
9
+
IX
Q1 ID -
+VDS-
Q2 IC
0
+VCE-
IB
+VGS- IE
+
-
𝐼𝐷 = 𝐼𝐵
𝐼𝑋 = 𝐼𝐷 + 𝐼𝐶
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑉𝐺 = 40 [𝑉]
𝑉𝑆 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 = 0.7 + (𝛽 + 1)𝐼𝐵 = 0.7 + 21𝐼𝐵
𝑉𝐺𝑆 = 40 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸
𝑉𝐺𝑆 = 40 − 0.7 − 𝐼𝐸
𝑉𝐺𝑆 = 39.3 − (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝑉𝐺𝑆 = 39.3 − 21𝐼𝐵
𝑉𝐺𝑆 = 39.3 − 21𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐷
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 5 ∗ 10−3 (1 − )
−1
𝐼𝐷 = 5 ∗ 10−3 (12 + 2𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐺𝑆 2 )
39.3 − 𝑉𝐺𝑆
= 5 ∗ 10−3 + 10 ∗ 10−3 𝑉𝐺𝑆 + 5 ∗ 10−3 𝑉𝐺𝑆 2
21
𝑉𝐶𝐸 = −9.92[𝑉]
Como es NPN el voltaje debe ser 𝑉𝐶𝐸 ( +). Cuando es PNP el voltaje 𝑉𝐶𝐸 debe ser
(-) sino el transistor está saturado.
10
Se asume que el 𝑉𝐶𝐸 = 0 y se vuelven a realizar los cálculos.
40 − 𝐼𝑋 (1𝑘) − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 (1𝑘) = 0
𝑉𝐷𝑆 = 40 − 24.906 − 0.7 − 24.906
𝑉𝐷𝑆 = −10.51[𝑉]
El transistor Q1 está saturado ya que 𝑉𝐷𝑆 debe ser (+) en el MOSFET de

agotamiento
𝑉𝐷𝑆𝑆𝐴𝑇𝑈𝑅𝐴𝐶𝐼Ó𝑁 = |𝑉𝐺𝑆 | − |𝑉𝑃 | = |14.39| − |−1| = 13.39[𝑉]
𝑉𝐷𝑆𝑆𝐴𝑇 = 13.39[𝑉]
0
40 − 𝐼𝑋 (1𝑘) − 𝐼𝐸 (1𝑘) − 𝑉𝐶𝐸 = 0
40 − 𝐼𝑋 − 𝐼𝐸 = 0
𝐼𝑋 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐷 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 40 − 𝐼𝑋 = 40 − (𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 )
𝐼𝐸 = 40 − (𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵 )
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
(𝛽 + 1)𝐼𝐵 = 40 − 𝐼𝐵 − 20𝐼𝐵
21𝐼𝐵 = 40 − 21𝐼𝐵
42𝐼𝐵 = 38.814
𝐼𝐵𝑄 = 0.924ɱ𝐴 = 𝐼𝐷𝑄
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵𝑄
𝐼𝐶𝑄 = (20)(0.924)
𝐼𝐶𝑄 = 18.48ɱ𝐴
𝐼𝐸𝑄 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵𝑄
𝐼𝐸𝑄 = (21)(0.924) = 19.404ɱ𝐴
11
Problema No18.
En el siguiente circuito determine los puntos de operacionde Q1(ID,VDS) ,
Q2(IC,VCE)
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 5𝑚𝑎
Q1 {𝑉
𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 = 3𝑣
𝑉 = 0.7𝑣
Q2 { 𝐵𝐸
𝛽 = 100
𝐼𝐷 = 𝐼𝐵
𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐷
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐷
𝑉𝐺 = 20 𝑦 𝑉𝑠 = 0.7 + 5𝑘𝐼𝐸
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑆 = 19.3 − 505𝑘𝐼𝑑
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝
19.3 − 505𝑘𝐼𝐷 2
𝐼𝐷 = 5𝑚(1 − )
3
𝐼𝐷 = 5𝑚(168.33𝑘𝐼𝐷 − 5.43)2
𝐼𝐷 = 5𝑚(28335𝑀𝐼𝐷 2 − 1828.06𝑘𝐼𝐷 + 29.48)
𝐼𝐷 = 141675𝑘𝐼𝐷 2 − 9140.3𝐼𝐷 + 147.42𝑚
0=141675𝑘𝐼𝐷 2 − 9141.3𝐼𝐷 + 147.42𝑚
12
𝐼𝐷 = 0.033𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 19.3 − 505𝑘𝐼𝐷 = 2.635𝑉
𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐷 = 3.3𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 20 − 1𝑘(𝐼𝐷 + 𝐼𝑐) − 5𝑘𝐼𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 20 − 1𝑘(3.333𝑚) − 5𝑘(3.333𝑚)
𝑉𝐶𝐸 = 20 − 3.333 − 16.665 = 2𝑚𝑉
Respuestas
𝑃𝑄1(0.033𝑚𝐴, 2.635𝑣)
𝑃𝑄2(3.3𝑚𝐴 ,2𝑚𝑉)
Problema No 5.
Determinar Vo1 y Vx
Datos:
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8𝑚𝐴 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 2𝑚𝐴 Q3:[𝑉𝑏𝑒 = 0.7𝑣 ; 𝛽 = 200]

Q1:{ Q2:{
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 = −4𝑣 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 = −2𝑣
Hallar Vo1
13
VGS2 = 0 ID2 = IDSS = 2mA VGS1 = Vx – 0.7 – 1K
(201IB3)
ID1 = ID2 + IB3 Asumo Ib3 despreciable; ID1=ID2 VG=0, VS
= 0.7 + 1.5k(201IB)
𝑉𝐺𝑆1 2
ID1 = IDSS (1 - 𝑉𝑃
) VGS1 = -0.7 – 1K (201 IB3)
𝑉𝐺𝑆1 2
ID1 = 8mA (1 - )
−4
Reemplazando en las ecuaciones:

𝑉𝐺𝑆1 2
2mA = 8mA (1 + 4
)
𝑉𝐺𝑆1 𝑉𝐺𝑆12
2mA = 8mA (1 + 2
+ 16
)
2mA = 8mA + 4 VGS1 + 0.5 VGS12

0 = 6mA + 4.0049 VGS1 + 0.5 VGS12
Soluciones
VGS11 = -2V tomando este valor que no se excede de Vp
VGS12 = -6V
Reemplazando los datos en la ecuación (3)
VGS1 = -Vs , entonces Vs = 2V
𝑉𝑠−0.7
IE3 = 201(1.5)𝐾
2−0.7
IE3 = 301.5𝐾
1.3
IE3 = 301.5𝐾 = 4.31𝑚𝐴
IE3 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵3 Vo1 = 1.5K(1.80𝑛𝐴)

𝐼𝐵3
IE3 = 201𝐾 Vo1 = 2.7µV
36.31𝜇𝐴
IE3 = 201𝐾
14
Problema No 6.
En el siguiente circuito, encontrar los puntos de operación de los transistores.
Datos: MOSFET: ID=5 mA, Vp=3 V BJT: =100
El circuito equivalente quedara así:

𝑉𝐺 = 20 𝑦 𝑉𝑠 = 20 − 1𝐼𝑟2
𝑉𝐺𝑆 = 20 − (20 − 1𝐼𝑟2 )
𝑉𝐺𝑆 = 1𝐼𝑟2
IG=0  ID=Is e
ID=IB
𝐼𝑟2 = 𝐼𝐷 + 𝐼𝑐
𝐼𝑟2 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐵
𝐼𝑟2 = 𝐼𝐵 ( + 1)
𝐼𝑟2 = 101𝐼𝐷
𝑉𝑔𝑠
𝑉𝑔𝑠 = 101𝐼𝐷 → 𝐼𝐷 = 101
Ahora:
𝑉𝑔𝑠 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠𝑠 (1 − 𝑉𝑝
)
15
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 5(1 − )
3
𝐼𝐷 = 5(1 − 0.33𝑉𝐺𝑆 )2
𝐼𝐷 = 5 (1 − 0.66𝑉𝐺𝑆 + 0.1109𝑉𝐺𝑆 2 )
𝐼𝐷 = 5 − 3.33𝑉𝐺𝑆 + 0.5545𝑉𝑔𝑠 2
𝑉𝑔𝑠
101
= 5 − 3.33𝑉𝑔𝑠 + 0.5545𝑉𝐺𝑆 2
0 = 5 − 3.34𝑉𝐺𝑆 + 0.5545𝑉𝐺𝑆 2
3.34 ± √−3.342 − 4(0.5545)(5)
𝑉𝐺𝑆 =
2(0.5545)
3.34 ± 0.2561
𝑉𝐺𝑆 =
1.109
𝑉𝐺𝑆 = 3.24 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 2.78 𝑉

2.78
𝐼𝐷 =
101
𝐼𝐷 = 𝐼𝐵 = 27.53 𝑚𝐴
𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 100(27.53 𝑚𝐴) 𝐼𝐸 = 101(27.53 𝑚𝐴)
𝐼𝑐 = 2.75 𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 2.778 𝑚𝐴
Por mallas:
20 − 1𝐼𝑟2 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 (0.050) = 0
𝑉𝐶𝐸 = 20 − 101𝐼𝐵 − 𝐼𝐸 (0.050)
𝑉𝐶𝐸 = 20 − 2.778 − 0.13
𝑉𝐶𝐸 = 17.083 𝑉 𝑍𝑜𝑛𝑎 𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎
Por malla:
20 − 1𝐼𝑟2 − 𝑉𝑆𝐷 − 0.050𝐼𝐸 − 0.7 = 0
20 − 101𝐼𝐵 − 𝑉𝑆𝐷 − 0.050𝐼𝐸 − 0.7 = 0
𝑉𝑆𝐷 = 20 − 2.778 − 0.13 − 0.7
𝑉𝑆𝐷 = 16.39 𝑉
𝑉𝐷𝑆 = −16.39 𝑉 𝑍𝑜𝑛𝑎 𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎
16
Problema No 7.
En el siguiente circuito:
a) Calcule VDS, ID, VCE y Ic.
b) Si VCEsat=0, calcule Rb mínima para saturar al transistor.
Datos: IDSS=10mA, Vp= -4V =50

Solución:
El circuito queda así:
1. 2.
Trabajando con 1.
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 ; 𝑉𝐺 = 0 𝑉𝑠 = 1.5𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 0 − 1.5𝐼𝐷
−𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 =
1.5
17
−𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
= 10(1 − )
1.5 −4
−0.67𝑉𝐺𝑆 = 10(1 + 0.25𝑉𝐺𝑆 )
−0.67𝑉𝐺𝑆 = 10 + 5𝑉𝐺𝑆 + 0.625𝑉𝐺𝑆 2
0 = 10 + 5.67𝑉𝐺𝑆 + 0.625𝑉𝐺𝑆 2
−5.67 ± √5.672 − 4(10)(0.625)
𝑉𝐺𝑆 =
2(0.625)
−5.67 ± 2.67
𝑉𝐺𝑆 =
1.25
𝑉𝐺𝑆 = −6.672𝑉 𝑉𝐺𝑆2 = −2.4𝑉
−𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 =
1.5
−(−2.4)
𝐼𝐷 =
1.5
𝐼𝐷 = 1.6𝑚𝐴
Por malla:
24 − 6.2𝐼𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 1.5𝐼𝐷 = 0
24 − 6.2(1.6) − 1.5(1.6) = 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐷𝑆 = 24 − 9.42 − 2.4

𝑉𝐷𝑆 = 11.68 𝑉
PQ : (ID =1.6mA, VDS=11.68 V)

Trabajando con 2.
24 − 1(51)𝐼𝐵 − 0.7 − 300𝐼𝐵 = 0

24 − 0.7
𝐼𝐵 =
300 + 51
23.3
𝐼𝐵 =
351
𝐼𝐵 = 66.38𝑢𝐴
𝐼𝐶 = (𝐼𝐵 ) 𝐼𝐸 = ( + 1)𝐼𝐵
𝐼𝑐 = 50(66.38𝑢𝐴) 𝐼𝐸 = (51)66.38𝑢𝐴
𝐼𝑐 = 3.31𝑚𝐴 𝐼𝑒 = 3.38𝑚𝐴
18
Por malla:
24 − 1𝐼𝑒 − 𝑉𝑐𝑒 − 4𝐼𝑐 = 0
𝑉𝑐𝑒 = 24 − 3.38 − 13.24
𝑉𝑐𝑒 = 7.38 𝑉
Parte b:
𝑅𝑏𝐼𝑏 − 4𝐼𝑐 = 0.7
𝑅𝑏(66.38𝑢𝐴) − 4(3.31𝑚𝐴) = 0.7
13.94
𝑅𝑏 =
66.38𝑢𝐴
𝑅𝑏 = 210𝑘
4
Pero: 5
(24) = 𝑉𝑟4𝑘
𝑉𝑟4𝑘 = 19.2
19.2
𝐼𝑐 =
4
𝐼𝑐 = 4.8 𝑚𝐴
𝐼𝑐 = 𝐼𝐵
𝐼𝐵 = 946𝑢𝐴
24 − 𝑉𝑟1𝑘 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑟4𝑘 = 0 𝑉𝐶𝐸 = 0

𝑉𝑟1𝑘 = 24 − 19.2
𝑉𝑟1𝑘 = 4.8 𝑉
24 = 4.8 + 0.7 + 𝑉𝐵
𝑉𝐵 = 24 − 5.5
𝑉𝐵 = 18.5 𝑉
𝑉𝐵
𝑅𝐵 =
𝐼𝑏
18.5
𝑅𝐵 =
96𝑢𝐴
𝑅𝐵 = 192.71𝑘
19
Problema No 8.
En el circuito mostrado a continuación, calcular los puntos de operación tanto del
BJT como del FET
Datos:
IDSS=10mA
Vp=-5
Β=180
En análisis DC se abren los capacitores y redibujando el circuito se obtiene lo

siguiente:
Aplicando Thevenin
obtenemos lo siguiente:
16∗51
𝑉𝑇𝐻 = 500∗51=1,4809V
500∗51
𝑅𝑇𝐻 = = 46.2795𝑉
551
Redibujamos y obtenemos lo
siguiente:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝐼𝑥 = 𝐼𝐷 − 𝐼𝐵
𝑉𝐺 = 𝑉𝑇𝐻 = 1.4809𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 1.4809 − (𝐼𝐷 + 𝐼𝑐)
Aplicando mallas:
16 − 𝑉𝐵𝐸 + 2𝐼𝑥 − 16 = 0
20
2𝐼𝑥 = 0.7 ⟶ 𝐼𝑥 = 𝑚𝐴
𝐼𝑥 = 𝐼𝐷 − 𝐼𝐵
𝐼𝐵 = 𝐼𝐷 − 0.35
𝐼𝑐 = 180(𝐼𝐷 − 0.35) = 180𝐼𝐷 − 63

𝐼𝐸 = 181(𝐼𝐷 − 035) = 181𝐼𝐷 − 63.35
𝑉𝐺𝑆 = 1.4809 − 𝐼𝐷 − 𝐼𝑐
𝑉𝐺𝑆 = 1.4809 − 𝐼𝐷 − 180𝐼𝐷 + 63
𝑉𝐺𝑆 = 64.4809 − 181𝐼𝐷
Aplicando shotky:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 10(1 − ) = 10(1 + 0.2𝑉𝐺𝑆 )2
−5
𝐼𝐷 = 10(1 + 0.4𝑉𝐺𝑆 + 0.04𝑉𝐺𝑆 2 )
64.4809 − 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 =
181
Igualando las ecuaciones se obtiene lo siguiente:
0 = 9.6438 + 4.0055𝑉𝐺𝑆 + 0.4𝑉𝐺𝑆 2
Resolviendo la ecuación general se obtiene:
−4.0054 ± 0.7836
𝑉𝐺𝑆 =
0.8
−4.0054 + 0.7836
𝑉𝐺𝑆1 = = −4.027
0.8
−4.0054 − 0.7836
𝑉𝐺𝑆2 = = −5.986
0.8
0 < |𝑉𝐺𝑆 | < |𝑉𝑝|
Por lo tanto 𝑉𝐺𝑆 = −4.027
21
64.4809 − 𝑉𝐺𝑆 64.4809 + 4.0273
𝐼𝐷 = = = 0.3785𝑚𝐴
181 181
ID= 0.3785mA
𝐼𝐵 = 𝐼𝐷 − 𝐼𝑋 = 0.3785 − 0.35 = 0.0285𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = (180)(0.0285) = 5.13𝑚𝐴
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 = (181)(0.0285) = 5.1585𝑚𝐴
Por mallas:
16 − 𝑉𝐸𝐶 − 𝐼𝑐 − 𝐼𝑦 = 0
16 − 𝐼𝑐 − 𝐼𝐷 − 𝐼𝑐 = 𝑉𝐸𝐶
𝑉𝐸𝐶 = 16 − 5.13 − 0.3785 − 5.13
𝑉𝐸𝐶 = 5.3625𝑉 𝑜 𝑉𝐶𝐸 = −5.3625𝑉
Se debe recordar que el voltaje VCE es negativo debido a que es una

configuración PNP.
22
Problema No 9.
En el circuito mostrado a continuación, calcular los puntos de operación tanto
para el BJT como para el FET.
Datos
β=100
IDSS=10mA
Vs=4
Al realizar el análisis DC se abren los capacitores, por lo que al aplicar Thevenin

y redibujar el circuito, se obtiene:
(−20)(615𝑘)
𝑉𝑇ℎ = = −12𝑉
(615𝑘 + 410𝑘)
(410)(615)
𝑅𝑡ℎ = = 246𝑘
(410+615)
𝑉𝐺 = 0
𝑉𝑠 = 2𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
= 10(1 − + )
2 2 16
0 = 10 − 5.5𝑉𝐺𝑆 + 0.625𝑉𝐺𝑆 2
Aplicando la ecuación general se tiene:
5.35 ± √−5.52 − 4(0.625)(10)
𝑉𝐺𝑆 =
2(0.625)
𝑉𝐺𝑆 = 2.57 → 𝐼𝐷 = 1.285𝑚𝐴
𝐼𝐷 = 𝐼𝐸 = 1.285𝑚𝐴
23
𝐼𝐸
𝐼𝐵 = = 12.72𝑢𝐴
𝛽+1
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 1.27𝑚𝐴
Por mallas:
2𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑏𝑒 − 𝑉𝑡ℎ + (𝑅𝑡ℎ)(𝐼𝑏) = 0
𝑉𝐷𝑆 = −(0.7 − 12 + 24𝐾(0.0127) + (2 ∗ 0625))
𝑉𝐷𝑆 = 5.61𝑉
−2𝐼𝑑 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐸𝐶 − 4𝐼𝑐 + 20 = 0
𝑉𝐸𝐶 = 20 − 2(1.285) − 5.61 − 4(1.27)
𝑉𝐸𝐶 = 6.75𝑉
𝑉𝐸𝐶 = −6.75𝑉 Recordar que es una configuración PNP.
24
Problema No 10.
Para el siguiente circuito calcule el punto de operación de cada transistor,
indicando en que zona se encuentran operando.
Datos:
Q1: IDSS=10 mA, |Vp=5V|
Q2: β=100
𝑉𝐺 = 15𝑉
ID 𝑉𝑆 = 1.5(𝐼𝐷 + 𝐼𝐵 )
𝑉𝐺𝑆 = 15 − 1.5(𝐼𝐷 + 𝐼𝐵 )
𝑉𝐺𝑆 2
IE 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 + )
5
IB 15 = 𝐼𝐸 (1) + 3.1 + 0.7 + 100𝐼𝐵 + 1.5(𝐼𝐷 + 𝐼𝐵 )
11.2 = 100𝐼𝐵 + 1.5𝐼𝐵 + 1.5𝐼𝐷 + 101𝐼𝐵

IS
11.2 = 202.5𝐼𝐵 + 1.5𝐼𝐷
(11.2 − 1.5𝐼𝐷 )
𝐼𝐵 =
202.5
1.5
𝑉𝐺𝑆 = 15 − 1.5𝐼𝐷 − (11.2 − 1.5𝐼𝐷 )
202.5
𝑉𝐺𝑆 = 15 − 1.5𝐼𝐷 − 0.083 + 0.011𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 14.917 − 1.489𝐼𝐷
14.917 − 𝑉𝑔𝑠
𝐼𝐷 =
1.489
14.917 − 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2

= 10 (1 + )
1.489 5
𝑉𝐺𝑆 = −11.6829 ó 0.00388
Con 𝑉𝐺𝑆 = 0.00388𝑉 → 𝐼𝐷 = 10.02𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 < 0 → 𝑄1 𝑒𝑛 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒
25
Circuito equivalente:
15−3.1−0.7
𝐼𝐸 = 101.5 = 5.6𝑚𝐴
1+
101
𝑉𝐶𝐸 = −15 + 𝐼𝐸 + 3.1 = −14.9𝑉
IE Puntos de operación:
𝑃𝑄1 = (0, 14.9𝑉)
𝑃𝑄2 = (5.6𝑚𝐴, −6.3𝑉)
Problema No 10.
Para el siguiente circuito calcule el punto de operación de cada transistor,

indicando en que zona se encuentran operando.
Datos:
Q1: IDSS=10 mA, |Vp=5V|
Q2: β=100
VCC
15V
R5
R2 1kΩ
R1 1kΩ
3MΩ
+ D1
ID
IG=0 - 3.1V
Q1
IE
IB
R4
Q2
R3 100kΩ
ID + IB 1.5kΩ IC
26
Q1 está en corte, ya que la corriente debe ir desde Vcc hasta tierra y el FET
canal-p no permita que fluya la corriente en ese sentido.
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐸𝐵

𝐼𝐸 = 𝑅4 +𝑅3
𝑅5 + 𝛽+1
15−3.1−0.7
𝐼𝐸 = 101.5 =5.6mA
1+
101
VCE = 15 − (5.6)(1) − 3.1 = −6.3V
5.6
𝑉𝑅3 = 1.5 ( ) = 0.083 V
101
𝑉𝐷𝑆 = 14.9 V
𝑷𝑸𝟏 = (𝟎 , 𝟏𝟒. 𝟗 𝐕)
𝑷𝑸𝟐 = (𝟓. 𝟔𝐦𝐀 , 𝟏𝟒. 𝟗 𝐕)
27
Problema No 23.
Dispositivo Valor
V 24[V]
|Vp| 4[V]
VBE 0.7[V]
IDSS 1[mA]
β 100
R1 1[MΩ]
R2 1.5[KΩ]
R3 2.2[KΩ]
Encontrar el valor de IE en Q2 R4 8.2[kΩ]
a) 0.35mA R5 2.2[kΩ]
b) 0.07mA
c) 1.9mA
d) 2.09mA
+Vcc
R2
ID
Q1
VS Q2
R1
IDR3
IG = 0
VG IE
ID
R4
R5
𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − ) 𝐸𝑐. 1
𝑽𝑷
𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑽𝑺
𝑽𝑮 = 𝑹𝟒 𝑰𝑫
𝑽𝑺 = (𝑹𝟑 + 𝑹𝟒 )𝑰𝑫
𝑽𝑮𝑺 = 𝑹𝟒 𝑰𝑫 − (𝑹𝟑 + 𝑹𝟒 )𝑰𝑫
28
𝑽𝑮𝑺 = −𝑹𝟑 𝑰𝑫
Reemplazando VGS en la ecuación 1
−𝑹𝟑 𝑰𝑫 𝟐
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − )
𝑽𝑷
El JFET (Q1) es de canal tipo n => VP = - 4[V]
Reemplazando valores:
𝟐. 𝟐𝑰𝑫 𝟐
𝑰𝑫 = 𝟏 (𝟏 − )
𝟒
𝑰𝑫 = 𝟏 − 𝟏. 𝟏𝑰𝑫 + 𝟎. 𝟑𝟎𝟐𝟓𝑰𝑫 𝟐
𝟎. 𝟑𝟎𝟐𝟓𝑰𝑫 𝟐 − 𝟐. 𝟏𝑰𝑫 + 𝟏 = 𝟎
Resolviendo la ecuación cuadrática:
𝑰𝑫𝟏 = 𝟔. 𝟒𝟖[𝒎𝑨] ⟹ 𝑽𝑮𝑺 = −𝟐. 𝟐(𝟔. 𝟒𝟖) = −𝟏𝟒. 𝟏𝟔[𝑽] > 𝑽𝑷

𝑰𝑫𝟐 = 𝟎. 𝟓𝟏𝟒𝟑[𝒎𝑨] ⟹ 𝑽𝑮𝑺 = −𝟐. 𝟐(𝟔. 𝟒𝟖) = −𝟏. 𝟏𝟑[𝑽] < 𝑽𝑷
𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟏𝟒𝟑[𝒎𝑨]
Calculando el valor de la corriente de emisor:

𝑽𝑺 − 𝑽𝑩𝑬 − 𝑰𝑬 𝑹𝟓 = 𝟎
𝑽𝑺 = (𝟖. 𝟐 + 𝟐. 𝟐)(𝟎. 𝟓𝟏𝟒𝟑) = 𝟓. 𝟑𝟓[𝑽]
𝑽𝑺 − 𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑬 =
𝑹𝟓
𝟓. 𝟑𝟓 − 𝟎. 𝟕
𝑰𝑬 =
𝟐. 𝟐 ∗ 𝟏𝟎𝟑
𝑰𝑬 = 𝟐. 𝟏𝟏[𝒎𝑨]
29
Problema No 24.
Dispositivo Valor
V 24[V]
|Vp| 4[V]
VBE 0.7[V]
IDSS 1[mA]
β 100
R1 1[MΩ]
R2 1.5[KΩ]
R3 2.2[KΩ]
Determine el voltaje VE de Q1 R4 8.2[kΩ]
a) 2.1V R5 2.2[kΩ]
b) 5.34V
c) 6V
d) 4.6V
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅5
𝑉𝐸 = (2.11𝑚𝐴)(2.2𝑘Ω)
𝑽𝑬 = 𝟒. 𝟔𝟓[𝑽]
30
Problema No 25.
Dispositivo Valor
V 24[V]
|VP| 4[V]
VBE 0.7[V]
IDSS 1[mA]
β 100
R1 1[MΩ]
R2 1.5[KΩ]
R3 2.2[KΩ]
R4 8.2[kΩ]
Calcular el voltaje VDS1 en Q1
R5 2.2[kΩ]
a) 17.9V
b) 11.3V
c) 4.7V
d) 23,3V
ANÁLISIS DC
𝑄1
𝑉𝐺𝑆1 = 𝑉𝐺1 − 𝑉𝑆1
𝑉𝐺𝑆1 = 𝐼𝐷1 𝑅4 − (𝑅4 𝐼𝐷1 + 𝑅3 𝐼𝐷1 )
𝑉𝐺𝑆1 = −𝐼𝐷1 𝑅3
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
𝑣𝑔𝑠 2
𝐼𝐷1 = 1𝑚𝐴 (1 − )
−4
31
−16𝑣𝑔𝑠
= 1𝑚𝐴 (𝑉𝐺𝑆 2 + 8𝑉𝐺𝑆 + 16)
𝑅3
−7.27𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 2 + 8 𝑉𝐺𝑆 + 16
𝑉 2 𝐺𝑆 + 15.27 𝑉𝐺𝑆 + 16
𝑉𝐺𝑆 = −1.13 [𝑉]
𝐼𝐷1 = 0.51𝑚𝐴
𝑉𝐶𝑂𝐷𝑂 = |𝑉𝑃 | − |𝑉𝐺𝑆 |
= 4 − 1.13
𝑉𝐶𝑂𝐷𝑂 = 2.87
𝐿𝑉𝐾: 24 − 𝑅2 𝐼𝐷1 − 𝑉𝐷𝑆1 − (𝑅3 + 𝑅4 )𝐼𝐷1 = 0
24 − 0.765 − 5.304 = 𝑉𝐷𝑆1
𝑉𝐷𝑆1 = 17.93
𝑉𝐶𝑂𝐷𝑂 < 𝑉𝐷𝑆1
2.87 < 17.93
32
Problema No 26.
Calcular en el
transistor Q2 el valor
de VCE
a) 23.3V
b) 11.3V
Dispositivo Valor
V 24[V]
c) 19.4V |Vp| 4[V]

d) 17.9V VBE 0.7[V]
IDSS 1[mA]
Β 100
R1 1[MΩ]
R2 1.5[KΩ]
R3 2.2[KΩ]
R4 8.2[kΩ]
R5 2.2[kΩ]
ANÁLISIS DC 𝑅4 𝐼𝐷1 + 𝑅3 𝐼𝐷1 − 0.7 − 𝑅6 𝐼𝐸 = 0
(10.4)𝐼𝐷1 = 0.7 + 2.2𝐾 𝐼𝐸
5.304 − 0.7 = 2.2𝐾 𝐼𝐸
𝐼𝐸 = 2.09𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 2.07𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 20.7𝜇𝐴
24 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑅5 𝐼𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 19.4[𝑉]
33
Problema No 34.
En el siguiente circuito, la corriente continua ID en el transistor Q2 es:
*VGSQ: VGS en el punto de operación de Q2

a) 4.4 mA
b) 4.6 mA ELEMENTO VALOR
c) 0.3 mA R1 1MΩ
d) 1.3 mA R2 100KΩ
R3 5KΩ
R4 1KΩ
R5 8KΩ
R6 2KΩ
+Vcc 22V
K 0.3mA/V2
VT 1V
VGSQ 2V
Q1 Β=100
34
Problema No 35.
En el siguiente circuito, el voltaje continuo VDS del transistor Q2 es:
ELEMENTO VALOR
R1 1MΩ
R2 100KΩ
R3 5KΩ
R4 1KΩ
R5 8KΩ
*VGSQ: VGS en el punto de operación de Q2 R6 2KΩ
a) 22 V +Vcc 22V
b) 11 V K 0.3mA/V2
c) 3 V VT 1V
d) 20.5 V VGSQ 2V
Q1 Β=100
COMO SE PIDE VDS SE DEBE ANALIZAR EL CIRCUITO EN DC DEBIDO A ESTO
LOS CAPACITORES SE ABREN
𝑅2
𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝑐𝑐 ( )
𝑅1 + 𝑅2
100𝐾
𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝑐𝑐 ( )
1𝑀 + 100𝐾
𝑉𝑡ℎ = 2 𝑉
35
𝑅𝑡ℎ = 𝑅1 ||𝑅2
𝑅𝑡ℎ = 90.9𝐾
+VDS-
𝐼𝐵 ≅ 0
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑇𝐻 − 0
𝑉𝐺𝑆 = 2𝑉
𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
𝐼𝐷 = (0.3𝑚)(2 − 1)2
𝐼𝐷 = 0.3𝑚
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑅3 𝐼𝐷 = 0
22 − (5𝐾)(0.3𝑚) = 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐷𝑆 = 20.5 𝑉
36
Problema No 22.
Determine la corriente ID en (DC) del transistor Q1
Dispositivo Valor
V 24[V]
|Vp| 4[V]
VBE 0.7[V]
IDSS 1[mA]
β 100
R1 1[MΩ]
R2 1.5[KΩ]
R3 2.2[KΩ]
a) 6.49mA
R4 8.2[kΩ]
b) 2.02mA
R5 2.2[kΩ]
c) 0.51mA
d) 2.24Ma
𝐼𝐺 = 0
𝑅4 𝐼𝐷 − 0 − 𝑉𝐺𝑆 − 𝑅3 𝐼𝐷 − 𝑅4 𝐼𝐷 = 0
𝑉𝐺𝑆 = −𝑅3 𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = −2.2𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃
−2.2𝐼𝐷 2
𝐼𝐷 = 1(1 + )
4
𝐼𝐷 = 0.3𝐼𝐷 2 − 1.1𝐼𝐷 + 1
0 = 0.3𝐼𝐷 2 − 2.1𝐼𝐷 + 1
𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟏𝒎𝑨
37
Problema No 30.
Dado 𝑉𝑝 = −5𝑉, 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴, 𝛽 = 180.

Calcule el Punto de operación de Q1
𝐼𝐷 = 0.456 𝑚𝐴 𝐼𝐷 = 0.3784 𝑚𝐴
a) { 𝑉𝐺𝑆 = −5.324 𝑉 c) {𝑉𝐺𝑆 = −4.0272 𝑉
𝑉𝐷𝑆 = 9.7929 𝑉 𝑉𝐷𝑆 = 9.7929 𝑉
𝐼𝐷 = 0.3784 𝑚𝐴 𝐼𝐷 = 0.278 𝑚𝐴
b) {𝑉𝐺𝑆 = −3.056 𝑉 d) {𝑉𝐺𝑆 = −4.585 𝑉
𝑉𝐷𝑆 = 8.7929 𝑉 𝑉𝐷𝑆 = 9.078 𝑉
I1 Ie
IB
IG
ID Ic
38
𝑉𝐺 = 𝑅1 ∗ 𝐼𝐺
𝐴𝑠𝑢𝑚𝑖𝑚𝑜𝑠 𝐼𝐺 = 0 ⇒ 𝑉𝐺 = 0
𝑉𝑠 = 𝑅6 (𝐼𝐷 + 𝐼𝑐 )
0.7
𝑉𝐸𝐵 = 0.7 = 𝐼1 ∗ 𝑅4 ⇒ 𝐼1 = = 0.35
2𝐾
𝐼1 + 𝐼𝐵 = 𝐼𝐷 ⇒ 𝐼𝐵 = 𝐼𝐷 − 𝐼1
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ⇒ 𝛽(𝐼𝐷 − 𝐼1 )
𝑉𝑠 = 𝑅6 (𝐼𝐷 + (𝛽(𝐼𝐷 − 𝐼1 ))) ⇒ 𝑅6(𝐼𝐷 + 𝛽𝐼𝐷 − 𝛽𝐼1 ) ⇒ 𝑅6(𝛽 + 1)𝐼𝐷 − 𝑅6𝛽𝐼1
𝑉𝑠 = 1(181)𝐼𝐷 − 1 ∗ 180(0.35)
𝑉𝐺𝑆 = 0 − 181𝐼𝐷 + 63[𝑉]
2
𝑉𝐺𝑆 −181𝐼𝐷 + 63 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) ⇒ 10 (1 − )
𝑉𝑝 −5
2
181𝐼𝐷
𝐼𝐷 = 10 (1 − + 12.6) ⇒ 10(13.6 − 36.2𝐼𝐷 )2
5
⇒ 10(184.96 − 984.64𝐼𝐷 + 1310.44𝐼𝐷2 )
𝐼𝐷 = 1849.6 − 9846.4𝐼𝐷 + 13104.4𝐼𝐷2
0 = 1849.6 − 9847.4𝐼𝐷 + 13104.4𝐼𝐷2
𝐼𝐷1 = 0.3810 𝑚𝐴
𝐼𝐷2 = 0.3703𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −181𝐼𝐷 + 63[𝑉] ⇒ −181(0.3703) + 63[𝑉]

𝑉𝐺𝑆 = −4.0243[𝑉]
16 − 𝑉𝐸𝐵 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑅6 ∗ (𝐼𝐷 + 𝐼𝐶 ) = 0
16 − 0.7 − 1(181)𝐼𝐷 + 1 ∗ 180(0.35) = 𝑉𝐷𝑆
16 − 0.7 − 181(0.3703) + 63[𝑉] = 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐷𝑆 = 11.057[𝑉]
𝐼𝐵 = 𝐼𝐷 − 𝐼1 = 0.3703 − 0.35 = 0.0203𝑚𝐴 → 𝑃𝑜𝑑𝑖𝑎𝑚𝑜𝑠 𝐴𝑠𝑢𝑚𝑖𝑟 𝐼𝐵 = 0
𝐼𝐶 = 180 ∗ 0.0203 = 3.654𝑚𝐴; 𝐼𝐸 = 3.6743𝑚𝐴
39
Problema No 31.
Dado 𝑉𝑝 = −5𝑉, 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴, 𝛽 = 180.

Calcule el Punto de operación de Q2
𝐼𝐸2 = 4.1534 𝑚𝐴
𝐼𝑐2 = 5.179 𝑚𝐴
a) 𝐼𝐵2 = 29.799 𝑉
𝑉𝐸𝐶2 = 5.221 𝑉
{ 𝑉𝐸𝐵 = 0.6 𝑉
𝐼𝐸2 = 5.1572 𝑚𝐴
𝐼𝑐2 = 5.1287 𝑚𝐴
b) 𝐼𝐵2 = 28.50 𝑉
𝑉𝐸𝐶2 = 5.364 𝑉
{ 𝑉𝐸𝐵 = 0.7 𝑉
𝐼𝐸2 = 3.2780 𝑚𝐴
𝐼𝑐2 = 5.122𝑚𝐴
c) 𝐼𝐵2 = 24.092 𝑉
𝑉𝐸𝐶2 = 4.172 𝑉
{ 𝑉𝐸𝐵 = 0.5 𝑉
𝐼𝐸2 = 2.354 𝑚𝐴
𝐼𝑐2 = 5.229 𝑚𝐴
d) 𝐼𝐵2 = 23.709 𝑉
𝑉𝐸𝐶2 = 2.210 𝑉
{ 𝑉𝐸𝐵 = 0.7 𝑉
40
Problema No 32.
Dado 𝑉𝑝 = −5𝑉, 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴, 𝛽 = 180.

Determine 𝑉𝐷𝑆𝐶𝑂𝐷𝑂 de Q1
a) 1.567 V
b) 0.9728 V
c) 0.853 V
d) Ninguna de las anteriores
41
Problema No 33.
a) Calcule los puntos de operación de Q1, Q2, Q3
b) Encuentre Vx
Datos: Q1: IDSS= 8mA, Vp= -5V; Q2: K= 0.3 mA/𝑉 2 , VT= 2V; Q3:
β=
42
2. AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL CON BJT
Y FETs
Problema No12.
En el siguiente circuito, asumiendo que los transistores se encuentran en la zona
lineal, determine Zi, Zo, Av (Vo/Vi).
Datos
Q1: 𝐼𝐷𝑆𝑆1 = 10 [𝑚𝐴], 𝑉𝐺𝑆1 = −2[𝑉], 𝑉𝑃1 = −4 [𝑉].
Q2: 𝐼𝐷𝑆𝑆2 = 4 [𝑚𝐴], 𝑉𝑃2 = −5 [𝑉]
Q3: 𝐼𝐸 = 1 [𝑚𝐴], 𝛽 = 100
Solución:
Análisis DC:
43
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 0,026 𝑘
1 𝑚𝐴
2 𝐼𝐷𝑆𝑆1 𝑉𝐺𝑆1
𝑔𝑚 = − (1 − ) = 2,5
𝑉𝑃1 𝑉𝑝1
Análisis AC:
150 ||(𝑟𝑒 + 1)(𝛽 + 1)
𝐴𝑣𝑄1 = 1
𝑔𝑚1
+ 150 ||(𝑟𝑒 + 1)(𝛽 + 1)
𝐴𝑣𝑄1 = 0.994
1
𝐴𝑣𝑄3 =
𝑟𝑒 + 1
𝐴𝑣𝑄3 = 0.975
𝐴𝑣 = 𝐴𝑣𝑄1 ∗ 𝐴𝑣𝑄3 = 0.969
10
𝑍𝑖 = = 1666.67 𝑀Ω
1 − 𝐴𝑣𝑄1
1
𝑔𝑚
||150
𝑍𝑜 = ( + 𝑟𝑒) ||1 = 0.029 𝑘Ω
𝛽+1
44
Problema No11.
En el siguiente circuito, asumiendo que los transistores se encuentran en la zona
lineal, determine Zi, Zo, Av.
Datos. Q1: 𝑘 = 0.3 𝑚𝐴/𝑣 2 , 𝑉𝑡 = 2 [𝑉], 𝑉𝐺𝑆 = 3 [𝑉] Q2: 𝛽 = 80
Solución:
Análisis DC:
20 𝑅𝐵2
𝑉𝑅𝐵2 = = 4𝑉
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝑅𝐵2 − 0,7 = 3,3 𝑉
𝑉𝑅𝐸
𝐼𝐸 = = 3,3 𝑚𝐴
𝑅𝐸
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 0.00787 𝑘
3,3 𝑚𝐴
𝑔𝑚 = 2𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) = 0,6
Análisis AC:
𝑅𝑓𝑀𝑂 ≈ 𝑅𝑓
𝑅𝑓𝑀𝑂 ≈ 10 𝑀
𝑅𝑓𝑀𝑂 ||𝑅𝐷 ||𝑅𝐵1 ||𝑅𝐵2 ||[𝑟𝑒 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )](𝛽 + 1)
𝐴𝑣𝑄1 = 1
𝑔𝑚
+ 𝑅3
45
𝐴𝑣𝑄1 = - 3,68
𝑅𝐸 ||𝑅𝐿
𝐴𝑣𝑄2 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 ||𝑅𝐿
𝐴𝑣𝑄2 = 0.985
𝐴𝑣 = 𝐴𝑣𝑄1 ∗ 𝐴𝑣𝑄2 = −3,62
𝑅𝑓
𝑅𝑓𝑀𝑖 =
1 − 𝐴𝑣𝑄1
𝑅𝑓𝑀𝑖 = 2.14 M
𝑍𝑖 = 𝑅𝑓𝑀𝑖
𝑍𝑖 = 2.14 𝑀Ω
𝑅𝑓𝑀𝑂 ||𝑅𝐷 ||𝑅𝐵1 ||𝑅𝐵2
𝑍𝑜 = [ + 𝑟𝑒] ||𝑅𝐸
𝛽+1
𝑍𝑜 = 0.0936 𝑘Ω
46
Problema No13.
Para el siguiente circuito determine:
a) La expresión literal y valor numérico para la impedancia de entrada Zi.
b) La expresión Literal y valor numérico para la impedancia de salida Zo.
c) La expresión Literal y valor numérico para la ganancia de voltaje Av.
Datos Q1: 𝑘 = 0.3 [𝑚𝐴/𝑉 2 ], 𝑉𝑇 = 2 [𝑉], 𝑉𝐺𝑆 = 5 [𝑉].

Q2: ℎ𝑓𝑒 = 100, ℎ𝑖𝑒 = 1[𝑘Ω]
Solución
re = 0.0099 [𝑘Ω]
𝑅𝐸 ||𝑅𝐿
𝐴𝑣𝑄2 = − = −0.98
𝑟𝑒 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑅𝑓2
𝑅𝑓2𝑀𝑖 = = 50 𝑘Ω
1 − 𝐴𝑣𝑄2
𝑔𝑚 = 2𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) = 1.8
𝑅𝑓1𝑀𝑂 ||𝑅1||[𝑟𝑒 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿)](𝛽 + 1)
𝐴𝑣𝑄1 = − 1
𝑔𝑚
+ 𝑅𝑠
47
𝐴𝑣𝑄1 = −17.63
𝐴𝑣 = 𝐴𝑣𝑄1 ∗ 𝐴𝑣𝑄2 = 17.28
𝑅𝑓1
𝑍𝑖 =
1 − 𝐴𝑣𝑄1
𝑍𝑖 = 5.37 [𝑀Ω]
𝑅𝑓1𝑀𝑂 ||𝑅1 ||𝑅𝑓2𝑀𝑖
𝑍𝑜 = [ + 𝑟𝑒] ||𝑅𝑒
𝛽+1
𝑍𝑜 = 0.11 [𝑘Ω]
Problema No14.
Determine:
𝐴𝑉 =? ?, 𝑍𝑖 =? ?, 𝑍𝑜 =? ?
Datos K=0,3[mA/𝑉 2 ], 𝑉𝑇 = 2[𝑉], 𝑉𝐺𝑆 = 3[𝑉],

β=99, hie=1k
𝑔𝑚 = 2(3)(3 − 2) = 0.6 𝑚𝐴/𝑉 2

´
𝑅𝐷
Δv1= 1+𝑔𝑚𝑅𝑠
1
𝑅𝐷´ =15II1.5IIΔv21II10MII(1+1)= 15II1.5II0.087II10000II2=0.078
0.33II1.1 0.33II1.1 0.25
Δv21 = 1 = 0.02
= 0.02
= -12.6
+0.01
100
48
0.078
Δv1 = = -0.074
1+0.6(0.1)
0.01
Δv2 = 0.01+0.01
= 0.5
Δv = (−0.074)(0.5) = 0.04
10M
Zi=0.074= 135M
(15II0.087II1.5+1)
Zo=0.01II 100
= 0.0052k =5.2
Problema No15.
En el siguiente circuito calcular:
a) Av=Vo/Vi*
b) Zi
c) Zo
Datos.- Q1: gm=6uV

Q2: hfe=100, hie=1K
Rd2=R1||R2
Rd2=4K
Zi=RG=0.5MΩ
Zo=RC=2.2K
1𝑘
𝑟𝑒 = = 9.90𝑚
101
49
𝑉𝑜
𝐴𝑣 =
𝑉𝑖
(𝑅𝑐||𝑅𝑙)
𝐴𝑣1 = − 𝑟𝑒
= −202
(𝑅𝑑||𝑅𝑑2|+𝑟𝑒)
𝐴𝑣2 = − 1 =-0.0134
𝑔𝑚
𝑅𝑔
𝐴𝑣3 = 𝑅𝑔+𝑅𝑖 = 999𝑢
𝐴𝑣 = 202 ∗ 0.0134 ∗ 999𝑢

𝑨𝒗 = 𝟐. 𝟕𝟎𝟒 ∗ 𝟏𝟎−𝟑
Problema No16.
Para el siguiente circuito encuentre:
a) La expresión literal y valor numérico para la ganancia de voltaje 𝐴𝑣 = 𝑉𝑜⁄𝑉𝑖.
b) La expresión literal y valor numérico para la impedancia de entrada 𝑍𝑖.

c) La expresión literal y valor numérico para la impedancia de salida 𝑍𝑜.
d) La expresión literal y valor numérico para la ganancia de corriente 𝐴𝑖 = 𝐼𝑜⁄𝐼𝑖.
𝐷𝐴𝑇𝑂𝑆:
𝑄1 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴, 𝑉𝑝 = −5𝑉, 𝐼𝐷𝑄 = 2.5𝑚𝐴
𝑄2 𝛽 = 100; 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉; 𝐼𝐵𝑄 = 31.62𝜇𝐴
50
Análisis DC
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0 − 𝑅4 𝐼𝐷 = −𝑅4 𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
− = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑅4 −5
𝑉 2 𝐺𝑆 + 12.5 𝑉𝐺𝑆 + 25
𝑉𝐺𝑆 = − 2.5[𝑉]
𝑔𝑚 = 2 𝑚 ; 𝑟𝑒 = 8 Ω
𝑅7 𝐼𝐼 𝑅9
𝐴𝑉1 = ≅1
(𝑅7 𝐼𝐼 𝑅9 ) + 𝑟𝑒
𝑅3 𝐼𝐼 𝑅5 𝐼𝐼 𝑅6 𝐼𝐼 (𝑟𝑒 + (𝑅7 𝐼𝐼 𝑅9 ) ) (𝛽 + 1)
𝐴𝑉2 = ≅ 2.7
1⁄ + 𝑅
𝑔𝑚 4
𝐴𝑉𝑇 ≅ −2.7
𝑍𝑖 ≅ 𝑅2 = 1𝑀
𝑅5 𝐼𝐼 𝑅6 𝐼𝐼 𝑅3
𝑍𝑜 = 𝑅7 𝐼𝐼 [𝑟𝑒 + ]
𝛽+1
51
Problema No17.
Asumiendo que los transistores se encuentran en la zona activa. Determine
𝑉
𝑍𝑖 , 𝑍𝑜 , 𝐴𝑉 ( 𝑜⁄𝑉 )
𝑖
𝑘 = 0.3 𝑚𝐴⁄ 2
𝑉
𝑄1 : { 𝑉𝑇 = 2𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 3𝑉
𝑄2 ∶ 𝛽 = 80
Solución:
Se procede a realizar el análisis en AC
𝑅𝑓
𝑍1 =
1 − 𝐴𝑉𝑀
52
𝑅𝑓
𝑍2 = 1
1−𝐴
𝑉𝑀
𝑉2
𝐴𝑉𝑀 =
𝑉1
𝑔𝑚 = 2𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )
𝑔𝑚 = 2(0.3)(3 − 2)
𝑔𝑚 = 0.6 𝑚𝐴⁄𝑉
Asumo que 𝑍2 es grande por lo tanto usando el siguiente circuito tenemos:

𝑉2 = −0.6 𝑉𝐺𝑆 (6.525) = −3.915 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑖 − 0.1 (0.6𝑉𝐺𝑆 ) = 𝑉𝑖 − 0.06 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝑖
𝑉𝐺𝑆 =
1 + 0.06
𝑉𝐺𝑆 = 0.943𝑉𝑖
𝑉2 = −3.915𝑉𝐺𝑆 = (−3.915)(0.943𝑉𝑖 )
𝑉1 = 𝑉𝑖
Reemplazando 𝑉2 𝑦 𝑉1 en 𝐴𝑉𝑀
𝑉2 (−3.915)(0.943𝑉𝑖 )
𝐴𝑉𝑀 = = = −3.693
𝑉1 𝑉𝑖
𝐴𝑉𝑀 = −3.693
Reemplazando 𝐴𝑉𝑀 𝑒𝑛 𝑍1 𝑦 𝑍2
𝑅𝑓 10𝑀 10𝑀
𝑍1 = = = = 2.13𝑀
1 − 𝐴𝑉𝑀 1 − (−3.693) 1 + 3.693
𝑍1 = 2.13𝑀Ω
𝑅𝑓 10𝑀
𝑍2 = 1 = 1 = 7.869𝑀
1− 1−
𝐴𝑉𝑀 −3.693
𝑍2 = 7.869𝑀Ω
Como 𝑧2 ≫ 6.52𝑘 entonces se puede concluir que esta correcto lo que se asumió
anteriormente.
53
𝑍𝑖 = 𝑍1
𝑍𝑖 = 2.13𝑀Ω
Para hallar 𝑍𝑜 se analiza el siguiente circuito:
Si 𝑉𝑖 = 0 → 𝑉𝐺 = 0
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 0.1(0.6)𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐺𝑆 (1 + 0.06) = 𝑉𝐺
Si 𝑉𝐺 = 0 𝑦 𝑉𝑖 = 0 → 𝑉𝐺𝑆 = 0
𝐼𝑂𝐶𝐶 = 81 𝐼𝑆
7.74 + 1𝑘
𝑍𝑜 = 𝐼𝐼 1𝑘 = 0.108 𝐼𝐼 1𝑘 = 0.0973𝑘Ω = 97.3Ω
81
𝑍𝑜 = 97.3Ω
𝑉
Para hallar 𝐴𝑉 ( 𝑜⁄𝑉 )
𝑖
𝑉𝑜 = 0.5(81𝐼𝑆 )
𝑉2 = 41.5𝐼𝑆
𝑉𝑂 0.5(81𝐼𝑆 )
= = 0.976 = 𝐴𝑉2
𝑉2 41.5𝐼𝑆
𝑉2 𝑉𝑂
𝐴𝑣 = ∗ = (−3693)(0.976) = −3.60
𝑉𝑖 𝑉2
𝐴𝑣 = −3.60
54
Problema No19.
Para el siguiente circuito se pide:
a) Graficar el circuito equivalente en AC
b) La expresión literal y el valor numérico de la ganancia de voltaje Av =Vo/Vi
c) La expresión literal y el valor numérico para la impedancia de entrada Zi
d) La expresión literal y el valor numérico para la impedancia de salida Zo
e) La expresión literal y el valor numérico para la ganancia de corriente
Ai=Io/Ii
+Vcc
R2 R5 R8
2kΩ 2kΩ 1kΩ
C6
Q3
C2 R4 C4
RL
2kΩ
Q1 300kΩ
Q2
C1 R7
100kΩ
R1
Vi 3MΩ R3
1kΩ C3 R6
1kΩ C5
55
56
R4
Vx 1kΩ Vy
+
R2
2kΩ R5 R7
Vgs gmVgs 2kΩ 100kΩ hie2
R1 hie ibhfe ibhfe2
Vi 3MΩ
-
Zmo
Zmi Vo
R8 RL
a) Circuito equivalente en AC
1kΩ 2kΩ
b) Ganancia de voltaje Av =Vo/Vi
Vo Vo Vy Vx
Av = = ( )( )( )
Vi Vy Vx Vi
Vy
Amiller =
Vx
Suposición:
Vy
| | ≫ 1 → Zmo ≅ R 4
Vx
R4
Zmi =
|1 − Av|
Vx = −ID (R 2 ‖Zmi ‖hie ) ; ID = gmVGS = gmVi

Vx R4
= −gm(R 2 ‖Zmi ‖hie ) ; Zmi = Vy
Vi (V )
x
𝑉𝑥
𝑉𝑦 = −𝐼𝐶1 𝑅𝑒𝑞 ; 𝐼𝐶1 = 𝛽1 𝐼𝐵1 ; 𝐼𝐵1 =
ℎ𝑖𝑒1
𝑉𝑦 𝛽1
=− 𝑅
𝑉𝑥 ℎ𝑖𝑒 𝑒𝑞
𝑅𝑒𝑞 = 𝑍𝑚𝑜 ‖𝑅5 ‖𝑅7 ‖[ℎ𝑖𝑒 + (𝛽2 + 1)(𝑅8 ‖𝑅𝐿 ) ; 𝑍𝑚𝑜 ≅ 𝑅4
𝑉𝑦
𝑉𝑜 = 𝐼𝐸2 (𝑅8 ‖𝑅𝐿 ) ; 𝐼𝐸2 = (𝛽2 + 1)𝐼𝐵2 ; 𝐼𝐵2 =
ℎ𝑖𝑒2 + (𝛽2 + 1)(𝑅8 ‖𝑅𝐿 )
𝑉𝑜 (𝑅8 ‖𝑅𝐿 )(𝛽2 + 1)

=
𝑉𝑦 ℎ𝑖𝑒2 + (𝑅8 ‖𝑅𝐿 )(𝛽2 + 1)
Evaluando las ecuaciones:
𝑉𝑂 (1‖2)(121)
= = 0.9378
𝑉𝑦 1 + (1‖2)(121)
𝑅𝑒𝑞 = 300‖2‖100‖[1 + 121(1‖2)] = 1.903[𝑘Ω]
𝑉𝑦 100
=− (1.903) = −95.13 ⇒ |−95.13| ≫ 1 ; 𝑠𝑢𝑝𝑜𝑠𝑖𝑐𝑖ó𝑛 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎
𝑉𝑥 2
300
𝑍𝑚𝑖 = = 3.153[Ω]
95.13
57
𝑉𝑥
= −(0.2)(2 ∥ 3.153 ∥ 2) = −0.152
𝑉𝑖
𝐴𝑣 = (0.9878)(−95.13)(−0.152)
𝐴𝑣 = 14.28
c) Impedancia de entrada:
𝑍𝑖 = 𝑅1 = 3[𝑀Ω]
d) Impedancia de salida:
[ℎ𝑖𝑒2 + (𝑅7 ∥ 𝑅5 ∥ 𝑍𝑚𝑜 )]
𝑍𝑂 = 𝑅8 ∥ [ ]
𝛽1 + 1
[1 + (100 ∥ 2 ∥ 300)]
𝑍𝑂 = 1 ∥ [ ]
121
𝑍𝑂 = 1 ∥ 0.02436 = 0.02378[𝑘Ω]
𝑍𝑂 = 23.78[Ω]
e) Ganancia de corriente:
𝑍𝑖
𝐴𝑖 = −𝐴𝑉 ( )
𝑅𝐿
3 ∗ 103 𝑘
𝐴𝑖 = −(14.28) ( )
2𝑘
𝐴𝑖 = −214.20
AMPLIFICADORES MULTIETAPAS
Problema No20.
Dado el siguiente ejercicio:
a) Calcular los puntos de operación Q1 y Q2
b) Calcular Av, Zo.
DATOS:
Q1(VT=1V, K=0.3mA/V2)
Q2 (hfe=100, VEB=0,7V) Vcc=22v
58
ANÁLISIS DC
Capacitores: Circuito Abierto
100
VTH= 22( 1𝑘+100
) = 2V = VG1
VGS1 = VG1 - VS1 = 2 - 0 = 2V
ID1 =k(VGs1 - VT)2 ID1 = 0.3m(2 -1)2= 0.3mA
m1: -22 + 5(0.3) + V1= 0
V1= 22 -1.5 = 20.5V
IB ≈ 0
59
m2: V1-22+0,7 +1IE = 0
IE= 0.8mA IC= (β)IB IE= (β + 1)IB
IC= (β/β + 1)IE =0,79mA
IB = 7,9uA
Q1 (ID=0.3mA, VG1 = 2V) Q2 (IC=0.79mA, VCE = 19.62V)
ANÁLISIS AC
26𝑚𝑉
re = IeDC
= 32.5Ω
Zo = 2kΩ
𝑉𝑥 𝑉𝑦 𝑉𝑜 100𝑘//1𝑘 (5K//((1k // 2k+32.5)(β+1)) 1//2

ΔvT= Δv1Δv2 Δv3= 𝑉𝑖 𝑉𝑥 𝑉𝑦
= − (100𝑘//1𝑘 +1𝑘) ( 1 ) (1//2 +0.032)
+0
gm
ΔvT= -(0.98)(2.78)(0.95) = 2,58
Obs. la ganancia es negativa por que la configuración es Source Común.
60
Problema No 21.
En el siguiente circuito determinar:
a) Punto de operación
b) Av1, Av2, Zi, Zo1, Zo2
DATOS: hFE=100, VBE= 0.7V, VZ=10 RZ= 1K
ANALISIS EN DC
30 − (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝑅𝐸 − 0.7 − 𝑅𝑍 𝐼𝐵 − 10 + 5 = 0
30 − (100 + 1)𝐼𝐵 (0.1) − 0.7 − 𝐼𝐵 − 10 + 5 = 0
10.1𝐼𝐵 + 𝐼𝐵 = 24.7
24.7
𝐼𝐵 = = 2.23𝑚𝐴
11.1
𝐼𝐶 = (𝛽)𝐼𝐵 = (100)2.23𝑚𝐴 = 0.22𝐴
30 − (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐶 − (𝛽)𝐼𝐵 𝑅𝐶 + 20 = 0

30 − (101)(2.23)(0.1) − 𝑉𝐸𝐶 − (100)(2.23)(0.01) + 20 = 0
𝑉𝐸𝐶 = 25.25𝑉
𝑄1 = (0.22𝐴, 25.25𝑉)
Análisis AC
26𝑚𝑉 26
𝑟𝑒= = = 0.12
𝐼𝐸 (𝐷𝐶) 225.23
61
𝑉01 𝑉𝑏
𝐴𝑣1 = ∗
𝑉𝑏 𝑉𝑖
𝑉01 𝑅𝐸 100
= = = 0.999
𝑉𝑏 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 0.12 + 100
𝑉𝑏 1𝐾II(100)100.12 909.19
= = = 0.999
𝑉𝑖 100 + (1𝐾II(100)100.12) 909.29
𝐴𝑣1 = 0.999 ∗ 0.999 = 0.999
𝑉02 𝑉𝑏
𝐴𝑣2 = ∗
𝑉𝑏 𝑉𝑖
𝑉02 𝑅𝑐 10
= = = 0.099
𝑉𝑏 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 0.12 + 100
𝑉𝑏 1𝐾II(100)10.12 503
= = = 0.999
𝑉𝑖 100 + (1𝐾II(100)10.12) 503.1
𝐴𝑣2 = 0.099 ∗ 0.999 = 0.0989
Zi  1k
Zo1  10
Zo2  100 
62
Problema No 27.
Dispositivo Valor
V 24[V]
|Vp| 4[V]
VBE 0.7[V]
IDSS 1[mA]
β 100
R1 1[MΩ]
R2 1.5[KΩ]
R3 2.2[KΩ]
Calcular el valor de AVT de todo el sistema (Análisis Ac) R4 8.2[kΩ]

a) 2 R5 2.2[kΩ]
b) 0.96
c) 7
d) Ninguna de las anteriores
En AC
R= R4|| Rmo||R2||R5= 8.2||Rmo||1.5||2.2

R= 0.8KΩ
63
𝑉𝑜 𝑅𝑠
𝐴𝑣1 = = 1
𝑉𝑖 + 𝑅𝑠
𝑔𝑚
Rs=Rmi || (Rmo || R+Re)(hfe+1) Rmi--> ∞ , Rmo-->∞

Rs=(R+re)(hfe+1)= 82.05K
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝑒(𝐷𝐶)
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 12.4Ω
2.09𝑚𝐴
𝑑
𝑔𝑚 = [𝐼 (1 − 𝑉𝐺𝑆 /𝑉𝑝 )2 ]
𝑑𝑉𝐺𝑆 𝐷𝑆𝑆
2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = (1 − )
|𝑉𝑝 | 𝑉𝑝
1 11.3
𝑔𝑚 = 2 ( ) (1 − (− ))
4 −4
𝑔𝑚 = 0.358𝑚𝑠
1
= 2.78𝐾
𝑔𝑚
→ 𝐴𝑣1 = 0.967
𝑅
𝐴𝑣2 = = 0.985 → 𝐴𝑣𝑇 = 𝐴𝑣1 ∗ 𝐴𝑣2 = 0.96
𝑅+𝑟𝑒
64
Problema No28.
Dispositivo Valor
V 24[V]
|Vp| 4[V]
VBE 0.7[V]
IDSS 1[mA]
β 100
R1 1[MΩ]
R2 1.5[KΩ]
Calcular el valor de Zi(Análisis Ac) R3 2.2[KΩ]
a) 1 MΩ R4 8.2[kΩ]
b) 2 MΩ R5 2.2[kΩ]
c) 25MΩ
d) 1.5 MΩ
1
𝑍𝑖 = 𝑅𝑚𝑖 → ∞ = = 25𝑀Ω
1 − 0.96
65
Problema No29.
Dispositivo Valor
V 24[V]
|Vp| 4[V]
VBE 0.7[V]
IDSS 1[mA]
β 100
R1 1[MΩ]
R2 1.5[KΩ]
Calcular el valor de ZO(Análisis AC) R3 2.2[KΩ]
a) 0.038kΩ R4 8.2[kΩ]
b) 100kΩ R5 2.2[kΩ]
c) 2MΩ
d) 32kΩ
Analisis AC
1
= 2.78
𝑔𝑚
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = 𝐼 ⇒ 2.09𝑚𝐴 = 12.4 𝑜ℎ𝑚 1
𝐸(𝐷𝐶) 𝑔𝑚
𝑍𝑜 = 𝑅𝑜 ∥ (ℎ𝑓𝑒+1 + 𝑟𝑒 )
2
𝜕 𝑉
𝑔𝑚 = [𝐼 (1
2𝑉𝐺𝑆 𝐷𝑆𝑆
− 𝑉𝐺𝑆 ) ] ⇒ 𝑔𝑚 =
𝑝 2.78
𝑍𝑜 = 0.8 ∥ ( + 0.0124)
2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆 101
(1 − 𝑉𝑝
)
|−𝑉𝑝 | = 0.038𝐾Ω
1 −11.3
𝑔𝑚 = 2∗ (1 − ) ⇒ 𝑔𝑚 = 0.358
4 −4
66
Problema No 33.
Vi
En el siguiente circuito, la impedancia de entrada Zi = , para una frecuencia de
Ii
operación en banda media es:
a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)
i) 1 MΩ
j) 100 KΩ
k) 91 KΩ ELEMENTO VALOR
l) 1.1 MΩ R1 4K Ω
R2 0.8KΩ
R3 2KΩ
R4 2KΩ
R5 4KΩ
R6 2KΩ
+Vcc 22V
K 0.3mA/V2
VT 1V
VGSQ 2V
Q1 Β=100
67
Problema No 36.
Vo
En el siguiente circuito, la ganancia de Voltaje total AVT = Vi
, para una
frecuencia de operación en banda media es:

a) 2.7
b) 2
ELEMENTO VALOR
c) 1.5
d) 1 R1 1MΩ
R2 100KΩ
Mediante las siguientes ecuaciones podemos obtener ie R3 5KΩ
que necesario para el cálculo re y de gm que son R4 1KΩ
necesarios para calcular la ganancia. R5 8KΩ
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐶𝐶 + 𝑅3 𝐼𝐷 − 𝑅4 𝐼𝐸 = 0 R6 2KΩ

𝑅3 𝐼𝐷 − 𝑉𝐵𝐸 +Vcc 22V
𝐼𝐸 =
𝑅4 K 0.3mA/V2
1.5 − 0.7
𝐼𝐸 = VT 1V
1𝐾
𝐼𝐸 = 0.8𝑚 𝐴 VGSQ 2V
26𝑚 𝑉 Q1 Β=100
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸
26𝑚 𝑉
𝑟𝑒 =
0.8𝑚
𝑟𝑒 = 32.5
𝑔𝑚 = 2𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )
𝑔𝑚 = 2(0.3𝑚)(2 − 1)
𝑔𝑚 = 0.6𝑚
68
El cálculo de la ganancia para este circuito está dado por:
Vo
A vT = = ACC ∗ ASC
Vi
Donde la ganancia de colector común de la segunda etapa es aproximadamente
uno (acc ≅ 1). Para el análisis de ganancia de la primera etapa:
𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ′
ASC = 1
𝑔𝑚
+ 𝑅𝑆 ′
𝑅𝑆 ′ = 0
𝑅𝐿 ′ = [(𝑅4 ||𝑅6 ) + 𝑟𝑒 ](𝛽 + 1)
𝑅𝐿 ′ = [(𝑅4 ||𝑅6 ) + 𝑟𝑒 ](𝛽 + 1)
𝑅𝐿 ′ = 69.9𝐾
𝑅𝐷 = 𝑅3 = 5𝐾
1
= 1.6𝐾
𝑔𝑚
5𝐾||69.9𝐾
ASC =
1.6𝐾
ASC = 2.91
AVT ≅ ASC
AVT ≅ 2.91
Si se quiere ser preciso con los valores podemos calcular la ganancia de la
segunda etapa acc
𝑅𝐸 ′
ACC =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 ′
ACC = 0.95
Vo
A vT = = ACC ∗ ASC
Vi
AvT = 0.95 ∗ 2.91
AvT = 2.7
69
Problema No 37.
Vo
En el siguiente circuito, La impedancia de salida Zo = Io
, para una frecuencia
de operación en banda media es:

a) 0.66 KΩ
b) 2 KΩ
c) 73.01 Ω ELEMENTO VALOR
d) 100 Ω R1 1MΩ
R2 100KΩ
𝐼𝐷 = 𝑘( 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑇 )2 = 0.3 (2 − 1) = 0.3 𝑚𝐴 R3 5KΩ
R4 1KΩ
𝐴𝑠𝑢𝑚𝑜 𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐷 R5 8KΩ
R6 2KΩ
𝑉𝑅3 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅3 = 1.5 𝑉
+Vcc 22V
K 0.3mA/V2
𝑉𝐵 = 𝑉𝑐𝑐 – 𝑉𝑅3 = 20.5 𝑉
VT 1V
VGSQ 2V
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑏𝑒 − 𝑉𝐵
𝐼𝐸 = = 0.8 𝑚𝐴 → 𝐼𝐵 = 7.9 𝑛𝐴 Q1 Β=100
𝑅4
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 32.5 Ω
𝐼𝐸
𝑅3
𝑍𝑜 = [𝛽+1 + 𝑟𝑒 ] ∥ R4 ∥ R6 = 73 Ω
70
Problema No 38.
Vi
En el siguiente circuito, la impedancia de entrada Zi = , para una frecuencia de
Ii
a) 2.1 KΩ
b) 1 KΩ
c) 250 KΩ ELEMENT VALOR
d) 239 KΩ O
R1 2.1MΩ
𝑍𝑖 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 R2 270KΩ
(2.1)(0.27) R3 2.4KΩ
𝑍𝑖 = = 0.239𝑀 = 239 𝐾Ω
2.1 + 0.27
R4 1.5KΩ
R5 10KΩ
R6 47KΩ
R7 1.1KΩ
R8 2.4KΩ
Rin 1KΩ
RL 1KΩ
Q2 IDSS=8ma
VP=-4V
Q1 β=120
+V +16Vdc
71
Problema No 39.
Vo
En el siguiente circuito, la impedancia de salida Zo = Io
, para una frecuencia de
a) 1 KΩ
b) 0.7 KΩ
c) 2.1 MΩ
ELEMENTO VALOR
d) 2.28 KΩ
R1 2.1MΩ
R2 270KΩ
R3 2.4KΩ
R4 1.5KΩ
R5 10KΩ
R6 47KΩ
R7 1.1KΩ
R8 2.4KΩ
Rin 1KΩ
RL 1KΩ
Q2 IDSS=8ma
VP=-4V
Q1 β=120
+V +16Vdc
72
Problema No 40.
Vo
En el siguiente circuito, la ganancia de voltaje AVT = Vi
, para una frecuencia de
a) 2.56
b) 1
c) 0.5
d) 10 ELEMENTO VALOR
R1 2.1MΩ
R2 270KΩ
R3 2.4KΩ
R4 1.5KΩ
R5 10KΩ
R6 47KΩ
R7 1.1KΩ
R8 2.4KΩ
Rin 1KΩ
RL 1KΩ
Q2 IDSS=8ma
VP=-4V
Q1 β=120
+V +16Vdc
73
Problema No 41.
Io
En el siguiente circuito, la ganancia de corriente Ai = Ii
para una frecuencia en
banda media es:
a) -0.65
b) -2.2
c) -1
ELEMENTO VALOR
d) -0.01
R1 2.1MΩ
R2 270KΩ
R3 2.4KΩ
R4 1.5KΩ
R5 10KΩ
R6 47KΩ
R7 1.1KΩ
R8 2.4KΩ
Rin 1KΩ
RL 1KΩ
Q2 IDSS=8ma
VP=-4V
Q1 β=120
+V +16Vdc
74
Problema No 42.
En el siguiente circuito, la corriente continua ID en el transistor Q2 es:
a) 4.10 mA
b) 1.21 mA
c) 2.4mA
d) 10 mA ELEMENTO VALOR
R1 2.1MΩ
R2 270KΩ
R3 2.4KΩ
R4 1.5KΩ
R5 10KΩ
R6 47KΩ
R7 1.1KΩ
R8 2.4KΩ
Rin 1KΩ
RL 1KΩ
Q2 IDSS=8ma
VP=-4V
Q1 β=120
+V +16Vdc
75
Problema No 43.
En el siguiente circuito, el voltaje continuo VDS del transistor Q2 es:
ELEMENTO VALOR
R1 2.1MΩ
R2 270KΩ
R3 2.4KΩ
R4 1.5KΩ
R5 10KΩ
R6 47KΩ
R7 1.1KΩ
R8 2.4KΩ
a) 3.40 V Rin 1KΩ
b) 6.64 V RL 1KΩ
c) 6.15 V Q2 IDSS=8ma
d) 1.82 V VP=-4V
Q1 β=120
𝑅2
Rth = R1||R2 = 0.239MΩ 𝑉𝐺𝑆 = 𝑅1+𝑅2
𝑉𝑐𝑐 = 1.823𝑉 +V +16Vdc
𝑉𝑠 = 𝑅4 𝐼𝐷 𝑉𝐺𝑆 = 1.823 − 1.5𝑘𝐼𝐷
1.823−1.5𝑘 𝐼𝐷 2
𝐼𝐷 = 8𝑚 ( 1 − −4
) = 8𝑚 ( 1 + 0.456 − 0.375𝑘 𝐼𝐷 )2
𝐼𝐷 = 8𝑚 ( 1.456 − 0.375𝑘 𝐼𝐷 )² = 8𝑚 (2.12 − 1092𝐼𝐷 + 140.625𝑘 𝐼𝐷 2 )

𝐼𝐷 = 0.016 − 8.736 𝐼𝐷 + 1125 𝐼𝐷 2
0 = 0.016 − 9.736𝐼𝐷 + 1125 𝐼𝐷 2
𝐼𝐷1 = 6.45𝑚𝐴 𝑰𝑫𝟐 = 𝟐. 𝟐𝟏𝒎𝑨
𝑉𝐺𝑆1 = −7.852𝑉 𝑽𝑮𝑺𝟐 = −𝟏. 𝟒𝟗𝟐𝑽
Como se puede observar se elige el Id2 porque el Vgs1 es muy pequeño a
Vp.
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅3 𝐼𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑅4 𝐼𝐷 = 0
𝑉𝐷𝑆 = 16 − 5.304 − 3.315
𝑽𝑫𝑺 = 𝟕. 𝟑𝟖𝟏𝑽
76
Problema No 44.
En el siguiente circuito, el voltaje continuo VE del transistor Q1 es:
a) 4.53 V
b) 13.19 V
c) 13.89 V
d) 9.35 V
ELEMENTO VALOR
R1 2.1MΩ
𝑅𝑡ℎ = 𝑅5 𝑙𝑙 𝑅6 = 8.25𝑘Ω
R2 270KΩ
𝑅6
𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝑐𝑐 = 13.19𝑉
𝑅5+𝑅6 R3 2.4KΩ
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅7𝐼𝐸 − 𝑉𝑡ℎ − 𝑅𝑡ℎ 𝐼𝐵 − 0.7 = 0 R4 1.5KΩ
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑡ℎ − 0.7 2.11
𝐼𝐸 = = = 1.8𝑚𝐴 R5 10KΩ
𝑅𝑡ℎ 1.17𝑘
𝑅7 + 𝐵+1
R6 47KΩ
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅7 𝐼𝐸 = 𝑽𝑬 = 𝟏𝟒. 𝟎𝟐𝑽
R7 1.1KΩ
R8 2.4KΩ
Rin 1KΩ
RL 1KΩ
Q2 IDSS=8ma
VP=-4V
Q1 β=120
+V +16Vdc
77
Problema No 62.
En el siguiente circuito calcule la ganancia ∆V
Q1: hie1 =0.524 K, hf e1 =100, β1 =100
Q2: hie2 =9.42 K, hf e1 =100, β2 =100
Solución:
Análisis AC:
𝑟𝑒1 = 0.00518𝑘 𝑟𝑒2 = 0.0932𝑘
78
𝑉𝑜 𝑉𝑦 𝑉𝑥
𝐴𝑣 =
𝑉𝑦 𝑉𝑥 𝑉𝑖
Primera etapa: es una configuración emisor común; por lo tanto:

𝑉𝑜 𝑅𝑐′
=−
𝑉𝑦 𝑟𝑒2 + 𝑅𝑒′
𝑅𝑒 ′ = 1.8 ⊥ 3.9 ⊥ 3.9 ⊥ 3.9 ⊥ 𝑟𝑒1(𝐵 + 1)
𝑅𝑒 ′ = 1.8 ⊥ 3.9 ⊥ 3.9 ⊥ 3.9 ⊥ 0.0051(101)
𝑅𝑒 ′ = 0.30𝑘
Por lo tanto:
𝑉𝑜 1.3 ⊥ 2
=−
𝑉𝑦 0.0932 + 0.30
𝑉𝑜
= −2
𝑉𝑦
Segunda etapa: también es una configuración emisor común:
𝑉𝑦 𝑅𝑐′
=−
𝑉𝑥 𝑟𝑒1 + 𝑅𝑒′
𝑅𝑐 ′ = ((𝑟𝑒1(101) ⊥ 3.9 ⊥ 3.9 ⊥ 3.9) + 1.8 + 𝑟𝑒2)(101) ⊥ 2
𝑅𝑐 ′ = (0.37 + 1.8 + 𝑟𝑒2)(101) ⊥ 2
𝑅𝑐 ′ = 228.8 ⊥ 2
𝑅𝑐 ′ = 1.98𝑘
𝑉𝑦 1.98𝑘
=−
𝑉𝑥 0.00518𝑘
𝑉𝑦
= −382.75
𝑉𝑥
Tercera etapa: es un divisor de tensión:

𝑉𝑥 𝑅𝑥
=
𝑉𝑖 3.9 + 𝑅𝑥
2
𝑅𝑥 = (( + 𝑟𝑒2 + 1.8) ⊥ 3.9 ⊥ 3.9) ⊥ 𝑟𝑒1(101)
101
𝑅𝑥 = ((1.91 ⊥ 3.9 ⊥ 3.9) ⊥ 𝑟𝑒1(101)
𝑅𝑥 = 0.96 ⊥ 𝑟𝑒1(101)
𝑅𝑥 = 0.96 ⊥ 0.52
𝑅𝑥 = 0.33𝑘
Por lo tanto:
79
𝑉𝑥 0.33𝑘
=
𝑉𝑖 3.9𝑘 + 0.33𝑘
𝑉𝑥
= 0.0778
𝑉𝑖
𝑉𝑜 𝑉𝑦 𝑉𝑥
𝐴𝑣 =
𝑉𝑦 𝑉𝑥 𝑉𝑖
𝐴𝑣 = (−2)(−382.75)(0.0778)
𝐴𝑣 = 60(𝑉)
Problema No 45.
Determinar Av, Zi, Zo
Datos: Q1: K= 0.3mA/𝑣 2 , VT= 2v, VGS= 3v; Q2: β=99
80
Problema No 45.
Encuentre una expresión literal y los valores para Av, Zo, Zi
Datos: Q1: K= 0.3 mA/𝑉 2 , VT= 2V; Q2, Q3: β= 100
81
3. RESPUESTA DE FRECUENCIA
Problema No 45.
Determine el punto de operación de Q1.
𝐼𝑑 = 22 [𝑚𝐴]
a){
𝑉𝐶𝐸 = 12 [𝑉]
𝐼𝑑 = 0.004 [𝐴]
b){
𝑉𝐶𝐸 = 7.96 [𝑉]
𝐼𝑑 = 6.1 [𝑚𝐴]
c){
𝑉𝐶𝐸 = 12 [𝑉]
Dispositivo Valor
En análisis DC, los capacitores se abren.
Vcc 24[V]
𝑅2 1.87
𝑉𝐵 = 𝑉𝑐𝑐 ∗ = 24 ∗ = 4.78 𝑉 Rs 100[Ω]
𝑅2 + 𝑅1 1.87 + 7.5
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸 VBE 0.7[V]
4.78 − 0.7 β 100

𝐼𝐸 = = 4.1𝑚𝐴
1𝐾 R1 7.5[KΩ]
R2 1.87[KΩ]
𝛽 100
𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = ∗ 4.1𝑥10−3 = 4.06𝑚𝐴 RE 1[KΩ]
𝛽+1 101
RC 3[kΩ]
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 7.72 𝑉
CE 54.4[F]
𝑷𝑸𝟏 = (𝟒. 𝟎𝟔𝒎𝑨, 𝟕. 𝟕𝟐 𝑽)
Cs 50.42[F]
Cc 1.32 [F]
RL 1[KΩ]
82
Problema No 46.
gm=3mA/V
a) Encontrar las frecuencias de corte en baja frecuencia.
b) Graficar bode |Δv| vs f.
c) Determinar la función de transferencia Δv(s).
1
𝑓𝑖 = = 3.38 𝐻𝑧
2𝜋(0.6 + 1000)103 (0.047𝑥10−6 )
83
1
𝑓𝑠1 = = 15.92 𝐻
2𝜋(0.5𝑥103 )(20𝑥10−6 )
Para determinar fo, asumo Cs -> cortocircuito
 Xcs a la frecuencia de fo
1 1
2𝜋𝑓𝑜𝐶𝑠
≪ 2𝜋𝑓𝑜𝐶𝑜 => 𝐶𝑠 ≫ 𝐶𝑜
Se cumple aceptablemente, luego, asumo que Cs se cortocircuita
Cs: cortocircuito; Vgs=0 => gmVgs=0
Y por lo tanto la fuente se abre. Luego:
1
𝑓𝑜 = 2𝜋(5+10)103 (5𝑥10−6 )
𝑓𝑜 = 2.12 𝐻𝑧
Redibujando el circuito:
𝑉𝑜𝑐𝑎 = 3𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎(0.5) = 1.5𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎 = 𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎𝑅𝑠
𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎 = 𝑉𝑔 − 𝑉𝑠𝑐𝑎 = 𝑉𝑔 − 0.5(3)𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎 = 𝑉𝑔 − 1.5𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎 = 𝑉𝑔 − 𝑅𝑠𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎
→ 𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎(1 + 𝑔𝑚𝑅𝑠) = 𝑉𝑔
84
1000
2.5𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎 = 𝑉𝑔 => 𝑉𝑔𝑠𝑐𝑎 = 0.4 ( 𝑉𝑖) = 0.4𝑉𝑖
1000+0.6
𝑉𝑜𝑐𝑎 = 1.5(0.4𝑉𝑖) = 0.6𝑉𝑖
𝐼𝑜𝑐𝑐 = 3𝑉𝑔𝑠𝑐𝑐 = 3(𝑉𝑔 − 𝑉𝑠𝑐𝑐) = 3𝑉𝑔 − 0 = 3𝑉𝑖
𝑔𝑚𝑉𝑔𝑅𝑠
𝑉𝑜𝑐𝑎 =
1 + 𝑔𝑚𝑅𝑠
𝐼𝑜𝑐𝑐 = 𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠𝑐𝑐
𝐼𝑜𝑐𝑐 = 𝑔𝑚𝑉𝑠
𝑔𝑚𝑉𝑔𝑅𝑠
𝑍1 =
(1 + 𝑔𝑚𝑅𝑠)𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠
𝑅𝑠
𝑍1 =
1 + 𝑔𝑚𝑅𝑠
0.6𝑉𝑖
𝑍1 = = 0.20𝐾
3𝑉𝑖
Se ha encontrado Voca e Iocc en términos de Vi, porque Vi es el único parámetro

que no cambia si abro o cortocircuito la salida. Se debe de tomar muy en cuenta
que no es lo mismo los parámetros en C.A. que en C.C. (Vgsca≠Vgscc)
Calculando la frecuencia de corte:
1
𝑓𝑠2 =
2𝜋𝑍1𝐶𝑠
1
𝑓𝑠2 =
2𝜋(0.20𝑥103 )(20𝑥10−6 )
85
𝑓𝑠2 = 39.88 𝐻𝑧
Grafica de bode: aquí se necesita encontrar los valores de la magnitud en

|Δv|=> Δvmax
Δvmin
Δvmax => el circuito tendrá a los capacitores en cortocircuito
Cs->0
Ci->0
Co->0
𝑉𝑜
= ∆v
𝑉𝑖
En forma general:
𝑉𝑜 = −𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠𝑅𝑙′
∆𝑣 ′ = −𝑔𝑚𝑅𝑙′ (Si existe un Cs)
1000
𝑉𝑜 = −3𝑉𝑔𝑠(3.3) = −9.9𝑉𝑔𝑠 = −9.9(𝑉𝑔 − 𝑉𝑠) = −9.9 ( ) 𝑉𝑖 = −9.9𝑉𝑖
1000.6
∆𝑣 = −9.9
86
|∆𝑣|𝑑𝐵 = −19.91 𝑑𝐵
Grafico de Bode
ganancia (dB)
0 50 100 150 200 250

frecuencia (Hz)
Chequeando el resultado para comparar con lo asumido:
• Ci: fs2=39.88 Hz
fs1=15.92 Hz
1
𝑋𝑐𝑖 = = 84.91𝐾
2𝜋(39.88)(0.047𝑥10−6 )
𝑉𝑖 1000
𝑉𝑔
= (1000+84.91) = 0.92 => está cercano a 1, que fue lo que nos dice el
cortocircuito Ci
Esto quiere decir que asumir Ci en cortocircuito fue correcto
𝑋𝑐𝑖 ≪ (𝑅𝑠 + 𝑅𝑔)
𝑉𝑖
A fsi ya el efecto no es tan despreciable, sin embargo 𝑉𝑔
= 0.83 , y esto es que
para más del 71% de la señal Vi lo asumido es correcto.
87
• Co: fs2=39.88 Hz
fs1=15.92 Hz
1
𝑋𝑐𝑜 = = 0.798𝐾
2𝜋(39.88)(5𝑥10−6 )
𝑋𝑐𝑜 ≪ 𝑅𝑙 => asumir Co en cortocircuito es correcto
A fs2 el efecto puede ser ya considerado, sin embargo el error que se introduce
es Δv≈-10.59, es decir 6% de error. Lo asumido es correcto.
Podría considerarse entonces que, en realidad, la frecuencia encontrada de esta

forma, sobre todo fs1, es una frecuencia minima. Viéndolo desde un diseño:
Cs seria el minimo valor
Cs entre estas frecuencias, se supone que Cs esta desde un circuito abierto hasta
en corto = 0 no es necesario hacer un cálculo. Sin embargo, a fo=2.12 Hz.
Función de transferencia:
𝑠
𝑘(1 + )
𝑠1
∆𝑣 = 𝑠 𝑠 𝑠
(1 + 𝑠2)(1 + 𝑠3)(1 + 𝑠4)
𝑠1 = 2𝜋(15.92) = 100
𝑠2 = 2𝜋(2.12) = 13.3
𝑠3 = 2𝜋(3.38) = 21.2
𝑠4 = 2𝜋(39.88) = 251
𝑠
𝑘(1 + 100)
(1 + 13)(1 + 21)(1 + 251)
88
1 1
𝑘(𝑠 + 100)
∆𝑣 = 1 1 1 1 1 1
(𝑠 + 13)(𝑠 + 21)(𝑠 + 251)
1
𝑘 100
lim ∆𝑣 = 1 1 1 = 685𝑘 = 9.9
𝑠→∞ (13)(21)(251)
𝑘 = 14.45𝑥10−3
𝑠
−(15𝑥10−3 )(1 + 100)
(1 + 13)(1 + 21)(1 + 251)
Problema No 47.
ℎ𝑓𝑒 = 60, ℎ𝑖𝑒 = 2𝑘 ; 𝐶𝑐𝑒1 = 𝐶𝑐𝑒2 = 2𝑝𝐹
𝐶𝑤1 = 𝐶𝑤2 = 𝐶𝑤3 = 5𝑝𝐹 ; Cbe1=80pF
𝐶𝑏𝑐1 = 𝐶𝑏𝑐2 = 3𝑝𝐹 ; Cbe2=4pF
a) Encontrar las frecuencias de corte en alta y baja frecuencia
89
b) Graficar bode |Δv| vs f
c) Determine el ancho de banda del circuito
d) Si se desea una fh=200KHz, rediseñe el circuito (realice los cálculos necesarios)
f1 (asumo C2 en cortocircuito):
1
𝑓1 =
2𝜋𝑅1𝐶1
𝑅1 = 100‖10‖2 = 1.64𝐾
1
𝑓1 = = 194.09 𝐻𝑧
2𝜋(1.64𝑥103 )(0.5𝑥10−6 )
Verifico que Xc2 -> 0
1
𝑋𝑐2 = = 27.3 Ω
2𝜋(194.09)(30𝑥10−6 )
𝑅𝑒1 = 1𝑘 ≫ 27.3 Ω → 𝑙𝑜 𝑎𝑠𝑢𝑚𝑖𝑑𝑜 𝑒𝑠 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑒𝑐𝑡𝑜
f2:
1
𝑓21 = = 5.3 𝐻𝑧
2𝜋(1)(30𝑥10−6 )𝑥103
1
𝑓22 =
2𝜋𝑅2𝐶2
ℎ𝑖𝑒 2
𝑅2 = ‖1𝑘 = ‖ 1 = 0.032𝑘
ℎ𝑓𝑒 + 1 61
𝑓22 = 167.1 𝐻𝑧
1
𝑋𝑐𝑠1 = 2𝜋(0.5𝑥10−6 )(167.1) = 1.9𝑘4.
f3: (asumo C4 cortocircuito)
1
𝑓3 =
2𝜋𝐶3𝑅3
𝑅3 = 5 + 100‖10‖2 = 6.64𝑘
90
1
𝑓3 =
2𝜋(0.123𝑥10−6 )(6.64𝑥103 )
𝑓3 = 194.9 𝐻𝑧
Verificación:
1
𝑋𝑐3 = = 87.52 Ω
2𝜋(9.33𝑥10−6 )(194.9)
0.5𝑘 ≫ 87.52 → 𝑙𝑜 𝑎𝑠𝑢𝑚𝑖𝑑𝑜 𝑒𝑠 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑒𝑐𝑡𝑜
f4:
1
𝑓41 =
2𝜋(0.5𝑥103 )(9.33𝑥10−6 )
𝑓41 = 34.12 𝐻𝑧
1
𝑓42 =
2𝜋𝑅4𝐶4
5‖100‖10 + 2
𝑅4 = ‖0.5 = 0.0731𝑘
61
1
𝑓42 = = 233.35 𝐻𝑧
2𝜋(0.0731𝑥103 )(9.33𝑥10−6 )
f5:
1
𝑓5 = = 194.33 𝐻𝑧
2𝜋(2.5 + 2)(0.182𝑥10−6 𝑥103 )
𝑉𝑜
∆𝑣 =
𝑉𝑖
𝑉𝑜 2.5‖2
= − 2 = −33.3 = ∆𝑣2
𝑉2
60
91
𝑉2 5‖10‖100‖2
=− 2 = −37.04 = 𝛥𝑣1
𝑉𝑖
60
𝑉𝑜
∆𝑣𝑡 = = 1233.4 → ∆𝑣𝑑𝐵 = 61.82 𝑑𝐵
𝑉𝑖
𝐶𝑚1 = (1 + ∆𝑣1)𝐶𝑏𝑐1
92
1
𝐶𝑚2 = (1 + ) 𝐶𝑏𝑐1
∆𝑣1
𝐶𝑚3 = (1 + ∆𝑣2)𝐶𝑏𝑐2
1
𝐶𝑚4 = (1 + ) 𝐶𝑏𝑐2
∆𝑣2
𝐶𝑚2 + 𝐶𝑚3 + 4𝑝𝐹(𝐶𝑏𝑒2) + 𝐶𝑐𝑒1
𝐶𝑚4 + 𝐶𝑐𝑒2(2𝑝𝐹)
𝐶𝑚1 = (1 + 37.04)(3𝑥10−12 ) = 114.12𝑝𝐹
1
𝐶𝑚2 = (1 + ) (3𝑥10−12 ) = 3.08𝑝𝐹
37.04
𝐶𝑚3 = (1 + 33.43)(3𝑥10−12 ) = 103.29𝑝𝐹
𝐶𝑚4 ≅ 3𝑝𝐹
𝐶1 = 𝐶𝑤1 + 𝐶𝑚1 + 𝐶𝑏𝑒1 = 5 + 114.12 + 80 = 199.12 𝑝𝐹
𝐶2 = 𝐶𝑚2 + 𝐶𝑚3 + 𝐶𝑤2 + 𝐶𝑐𝑒1 + 𝐶𝑏𝑒2 = 3.08 + 103.29 + 5 + 2 + 4 = 117.37 𝑝𝐹
𝐶3 = 𝐶𝑚4 + 𝐶𝑐𝑒2 + 𝐶𝑤3 = 3 + 2 + 5 = 10 𝑝𝐹
1
𝑓1 =
2𝜋𝑅1𝐶1
𝑅1 = 10‖100‖2‖∞ = 1.64𝑘
1
𝑓1 = = 4.87𝑥105 𝐻𝑧
2𝜋(199.12𝑥10−12 )(1.64𝑥103 )
¡Esto no existe! Se podría tomar a f1 como una década encima de 4.88x105 Hz,
porque R1 -> ∞
1
𝑓2 =
2𝜋𝑅2𝐶2
𝑅2 = 5‖10‖100‖2 = 1.23𝑘
93
1
𝑓2 = = 1.1𝑥106 𝐻𝑧
2𝜋(1.23𝑥103 )(117.37𝑥10−12 )
1
𝑓3 = = 1.43𝑥1010 𝐻𝑧
2𝜋(2.5‖2)(10𝑥10−12 )
Grafica de bode
Grafico de Bode
Ganancia dB
frecuencia Hz
𝑓𝑡 = 𝛽𝑓𝑏
1
𝑓𝑏1 = = 9.59𝑥105 𝐻𝑧
2𝜋(2𝑥103 )(80 + 3)𝑥10−12
1
𝑓𝑏2 = = 1.136𝑥107 𝐻𝑧
2𝜋(2𝑥103 )(4 + 3)𝑥10−12
𝑓𝑡1 = (60)(9.59𝑥105 ) = 5.75𝑥107 𝐻𝑧
𝑓𝑡2 = (1.136𝑥107 )(60) = 6.816𝑥108 𝐻𝑧
Ancho de banda
∆𝐵 = 9.59𝑥105 − 233.35
∆𝐵 = 9.587𝑥105 𝐻𝑧
Si se desea una fh=200KHz
94
𝑓ℎ = 2𝑥105 𝐻𝑧
Coloco un capacitor C6 a la salida
1 1
𝑓ℎ = 2𝑥105 = =
2𝜋𝑅6𝐶6 2𝜋(1.1𝑥103 )𝐶6
1
𝐶6 = = 7.23𝑥10−10 𝐹
2𝜋(1.1𝑥103 )(2𝑥105 )
Debido a que C3=10pF
𝐶𝑜𝑢𝑡 = 707 𝑝𝐹
95
Problema No 48.
Calcular y graficar Bode en alta y baja frecuencia
ANALISIS DC:
Ib= 16,34 uA
hie=1,59k
ANALISIS AC:
−100𝑖𝑏 (4∥2.2)
𝐴𝑣` = (1.59+1(1)(101)𝑖𝑏) = −1.38
8 ∥ (1,59 + 101)
𝑉𝑠´ = 𝑉𝑠 = 7,35 𝑉𝑠
8 + 102,59 + 1
96
𝑉𝑜
𝐴𝑣 = = −1,38(7,35) = −10,14
𝑉𝑠
𝐴𝑣𝑑𝑏 = 20 log(10.14) = 20.13 𝑑𝑏
1
𝑓𝑠 =
2𝜋𝑅1𝐶𝑠
𝑅1 = 1 + 8 ∥ [1,59 + 2(101)] = 8,69
1
𝑓𝑠 = = 1,85𝐻𝑧
2𝜋(8,69)(10𝑢)
1
𝑓𝐸 =
2𝜋𝑅𝑒´𝐶𝑒
𝑅𝑒 = 1
1
𝑓𝐸 = = 7,95𝐻𝑧
2𝜋(1)(20𝑢)
1
𝑓𝑒 =
2𝜋𝑅2𝐶𝐸
1∥8+1,59
𝑅1 = [ + 1] ∥ 1 = 0,5
101
1
𝑓𝑠 = 2𝜋(0,5)(20𝑢)
= 15,92𝐻𝑧
1
𝑓𝑜 =
2𝜋𝑅1𝐶𝑠
1
𝑓𝑠 = = 25,67𝐻𝑧
2𝜋(6,2)(1𝑢)
𝐶𝑚𝑖 = 𝐶𝑏𝑐(1 + 𝑘)
𝐶𝑚2 = 𝐶𝑏𝑒(1 + 1⁄𝑘 )
97
𝑉𝑜
𝑘= = 1,38
𝑉𝑖
𝐶𝑚𝑖 = 1,5𝑝𝐹(1 + 1,38)

𝐶𝑚𝑖 = 3,57𝑝𝐹
1
𝐶𝑚2 = 1,5𝑝𝐹 (1 + )
1,38
𝐶𝑚2 = 2,58𝑝𝐹
𝐶1 = 𝐶𝑤1 + 𝐶𝑚𝑖 + 𝐶𝑏𝑒
𝐶1 = (4 + 3,57 + 48)𝑝𝐹 = 55,57𝑝𝐹
𝐶2 = 𝐶𝑤2 + 𝐶𝑚2 + 𝐶𝑐𝑒 =
𝐶2 = (8 + 2,58 + 6)𝑝𝐹 = 16,58𝑝𝐹
𝑅2 = 4 ∥ 2,2 = 1,42𝑘Ω
8
𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝑠
8+1
1∗8
𝑅𝑡ℎ = ( ) = 0,85
1+8
1
𝑓𝐻𝑖 = =
2𝜋(0,85 ∥ 102,59)(55,57)
𝑓𝐻𝑖 = 3,25𝑀𝐻𝑧
1
𝑓𝐻𝑜 = =
2𝜋(1,42)(16,58𝑝)
𝑓𝐻𝑜 = 6,76𝑀𝐻𝑧
98
𝑓𝑇 = 𝛽𝑓𝛽 = 200𝑀𝐻𝑧
99
Problema No 49.
Determinar Frecuencia de Corte FL, FH y Ancho de Banda
𝛽 = 60
ℎ𝑖𝑒 = 2𝐾
𝐶𝑤1 = 4𝑝𝐹 𝐶𝑤2 = 6𝑝𝐹 𝐶𝑤3 = 8𝑝𝐹
𝐶𝑏𝑐 = 1,5𝑝𝐹 𝐶𝑏𝑒 = 48𝑝𝐹 𝐶𝑐𝑒 = 6𝑝𝐹
𝑉𝑜 = −(2,5 ∥ 2)(100𝑖𝑏2)
𝑉𝑜 = 2(𝑖𝑏2)𝑉𝑖 = −(5 ∥ 9 ∥∥ 2)(60𝑖𝑏1)𝑉𝑖 = 2𝑖𝑏1
𝑉𝑜 𝑉0 𝑉1
= × =
𝑉𝑖 𝑉1 𝑉𝑖
𝑉𝑜 60(2,5 ∥ 2) (5 ∥ 9 ∥ 2)(60)
= (− ) × (− )=
𝑉𝑖 2 2
𝑉𝑜
= 12,36
𝑉𝑖
𝑉𝑜
20log( 𝑉𝑖 ) = 21,84
100
1
𝑓𝑠 =
2𝜋𝑅1𝐶𝑠
𝑅1 = 9 ∥ [2 + 61] = 7,8
1
𝑓𝑠 = = 40,8𝐻𝑧
2𝜋(7,8)(0,5)
1
𝑓𝐸 =
2𝜋𝑅1𝐶𝑠
1
𝑓𝑠 = = 3,18𝐻𝑧
2𝜋(1)(50𝑢)
1
𝑓𝑒 =
2𝜋𝑅1𝐶𝑠
𝑅1 = (9 + 2) ∥ [1 ∥ 61] = 0,15
1
𝑓𝑠 = = 21,2𝐻𝑧
2𝜋(0,15)(50𝑢)
1
𝑓𝑜1 =
2𝜋𝑅3𝐶𝑜1
𝑅3 = 5 + 9 ∥ [2 + 0,5(61)] = 12,04
1
𝑓𝑠 = = 66,1𝐻𝑧
2𝜋(12,04)(0,2𝑢)
1
𝑓𝑒2 =
2𝜋𝑅4𝐶𝑒2
𝑅4 = ((5 ∥ 9 + 2)/61) ∥ 0,5 = 47,6
1
𝑓𝑒2 = 2𝜋(47,6)(100𝑢)
= 1592,3𝐻𝑧
1
𝑓𝑜2 = = 35,4𝐻𝑧
2𝜋(4,5)(1𝑢)
1
𝑓𝐸2 = = 3,18𝐻𝑧
2𝜋(0,5)(100𝑢)
𝑉𝑜 60(2.5 ∥ 2)
𝐾2 = = = 33.3
𝑉1 2
𝑉1 60(2 ∥ 9 ∥ 2)
𝐾1 = = = 37
𝑉𝑖 2
101
𝐶𝑚1 = 1,5𝑝[1 + 37] = 57𝑝𝐹
1
𝐶𝑚2 = 1,5𝑝 [1 + ( )] = 1,54𝑝𝐹
37
𝐶𝑚3 = 1,5𝑝[1 + 33,3] = 51,45𝑝𝐹
1
𝐶𝑚4 = 1,5𝑝 [1 + ( )] = 1,54𝑝𝐹
33,3
𝐶1 = 𝐶𝑤1 + 𝐶𝑏𝑒 + 𝐶𝑚1 = [4 + 48 + 57] = 109𝑝𝐹

𝐶2 = 𝐶𝑚2 + 𝐶𝑐𝑒 + 𝐶𝑤2 + 𝐶𝑚3 = [1,54 + 6 + 6 + 51,45] = 65𝑝𝐹
𝐶3 = 𝐶𝑚4 + 𝐶𝑤3 + 𝐶𝑐𝑒 = [1,54 + 8 + 6] = 15,54𝑝𝐹
1
𝑓1 = = 0,89𝑀𝐻𝑧
2𝜋(1,64)(109𝑝)
1
𝑓2 = = 1,97𝑀𝐻𝑧
2𝜋(1,24)(65𝑝)
1
𝑓3 = = 9,32𝑀𝐻𝑧
2𝜋(1,1)(15,54𝑝)
1
𝑓𝛽1,2 = = 1,6𝑀𝐻𝑧
2𝜋(2)(1,5 + 48)
𝑓𝜏1,2 = 𝛽𝑓𝛽 = 93𝑀ℎ𝑧
102
103
Problema No 50.
En el siguiente circuito, determinar los valores de las resistencias R1, R2, Rd y
R4, para que se cumplan las siguientes condiciones de diseño:
Vcc=24v , Vds=8V, Zi=1M, Zo=10K, Av=-8,

Q1:|Vp|=4v, Idss=8mA
DC
Zo=Rd=10K
𝑉𝑔𝑠 2
𝐼𝑑 = 𝐼𝑑𝑠𝑠(1 − 𝑉𝑝
)
Vgs=Vg-Vs
𝑉𝑔𝑠 2
𝐼𝑑 = 8𝑚𝐴(1 − −4
)
𝑅2
𝑉𝑔𝑠 = 24 − 𝐼𝑑𝑅𝑠 (1)
𝑅1+𝑅2
8
𝐼𝑑 = 16 (4 + 𝑉𝑔𝑠)2
1
𝐼𝑑 = 2 (16 + 8𝑉𝑔𝑠 + 𝑉𝑔𝑠 2 )
Vcc- RdId – Vds - RsId=0

2Id = 16 + 8Vgs + Vgs 2 (2)
24-RdId-8-RsId=0
16-Id(Rd+Rs)=0
16
𝐼𝑑 = 𝑅𝑑+𝑅𝑠 (3)
AC
104
Zi=R1||R2
1M=R1||R2
𝑅1𝑅2
1𝑀 = 𝑅1+𝑅2 (4)
Vx=Vi(R1+R2)1000
=R1R2
De (6)
𝑉𝑥
𝑉𝑖
= (𝑅1 + 0.198𝑅1)1𝑀 = 𝑅1(01989𝑅1)
R1=6.0505MΩ
2𝐼𝑑𝑠𝑠 𝑉𝑝+𝑉𝑔𝑠
𝑔𝑚 = | −𝑉𝑝
( 𝑉𝑝 ) | (5)
4+𝑉𝑔𝑠
Av=-8=-gm(Rd||Rl) 1.37 = |4 ( 4
)|
8
𝑔𝑚 = 𝑅𝑑||𝑅𝑙 1.37 = 4 + 𝑉𝑔𝑠
8
𝑔𝑚 = = 1.37 𝑉𝑔𝑠 = −2.63 [𝑉]
5.83
En (1) Reemplazo en (2)

24𝑅2
−2.63 = = −6.6 2𝐼𝑑 = 16 + 8𝑉𝑔𝑠 + (𝑉𝑔𝑠)2
𝑅1+𝑅2
𝑅2
0.1654 = 2𝐼𝑑 = 16 − 21.04 + 6.92
𝑅1+𝑅2
(𝑅1 + 𝑅2)1654 = 𝑅2 𝐼𝑑 = 0.94𝑚𝐴

𝑅2(1 − 0.1654) = 0.1654𝑅1
0.8346𝑅2 = 0.1654𝑅1
𝑅2 = 0.198𝑅1 (6)
Reemplazo R1 en (6) Reemp. Id y Rd en (3)

16
R2=0.198(6.0505M) 𝑅𝑑 + 𝑅𝑠 = 𝐼𝑑
R2=1.2MΩ 𝑅𝑠 = 17.02 − 10
𝑹𝒔 = 𝟕. 𝟎𝟐𝑲
105
Problema No 51.
R1= 10 k
Vce= 10V
F2= 20 HZ.
AV= -10
Ic= 5mA.
𝑹𝒄 𝒉𝒊𝒆 𝒉𝒊𝒆
𝑨𝒗 = 𝒓𝒆 = +
𝒓𝒆 𝒇𝒇𝒆+𝟏 𝟏𝟎𝟏
𝑰𝟔𝒎𝒗
𝒉𝒊𝒆 =
𝑰𝒃𝒐𝒄
Hallar R1, R2, Rc, Re, Cs, Co, Ce
β=100
Análisis DC
Ic=5mA
(𝛽+1)𝐼𝑐
20-Ic.Rc-10-Ie.Re=0 𝐼𝑒 = 𝛽
= 5.05𝑚𝐴.
5
10-Rc-5.05Re=0 : I 𝐼𝑏 = 100 𝑚𝐴 = 50µ𝐴
106
Si lo hacemos independiente de β: 10R2= (β+1) Re; 10R2=101Re : II
ya que como demostramos más adelante, no se puede simplificar.
R2
𝑉𝑓ℎ = 20. Condicion de Li=10R1R2
𝑅1+𝑅2
20.𝑅2
𝑉𝑓ℎ − 07 − 50.5𝑅𝑒 = 0  − 0.7 = 5.05𝑅𝑒 : III
𝑅1+𝑅2
Análisis AC
βIb. (Rc||Rl)
𝐴𝑣 =
𝐼𝑏. ℎ𝑖𝑒
5𝑚𝐴
𝐼𝑏𝑐 = = 50µ𝐴
100
26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒 = = 0.52𝐾
50µ𝐴
+100. (𝑅𝑐||𝑅1)
𝐴𝑣 = +10 =
0.52𝐾
𝑅𝑐. 𝑅𝑙 10. 𝑅𝑐 0.52
𝑅𝑐11𝑅𝑙 = = =
𝑅𝑐 + 𝑅𝑙 10 + 𝑅𝑐 10
10𝑅𝑐 = 0.52 + 0.052𝑅𝑐
1 𝑅𝑐 = 0.05227𝐾 = 52.5
2 𝑅𝑒 = 1.922𝐾
𝑉𝑓ℎ − 𝐼𝑏𝑅𝐻 − 0.7 − 𝑉𝑒 = 0
20𝑅2 𝑅1𝑅2
− 0.05 − 0.7 − 5.05 ∗ 1.928 = 0
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
20𝑅2 𝑅1𝑅2
− 0.05 − 10.4364
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
101𝑅𝑒
De II  𝑅2 = = 10.1 ∗ 1.928 = 19.473𝐾 R2=19.473K
10
20𝑅2
De III  − 0.7 = 5.05 ∗ 1.928
𝑅1+𝑅2
20∗19.473
19.473∗𝑅1
= 10.4364
398.46=203.228+10.4364R1
R1=17.844K
1
𝐿𝑖 = 𝑅1||𝑅2||ℎ𝑖𝑒 = 1 1 1 = 10
𝑅1
+ 𝑅2 + ℎ𝑖𝑒
1 10(𝑅1 + 𝑅2) 10
𝑅1+𝑅2 1 = 10 → 1= +
+ ℎ𝑖𝑒 𝑅1 + 𝑅2 0.52
𝑅1𝑅2
107
Como va a salir negativo no se cumple esta conclusión
𝐿𝑖 = 0.493𝐾
Fe=frecuencia de corte
(𝑅1||𝑅2+ℎ𝑖𝑒)∗𝑅𝑒
Req=Reflejada al emisor =𝑅𝑒𝑞 = 𝑅1 𝑅2
( | )+ℎ𝑖𝑒+𝑅𝑒(𝐵𝐻)
(9.31 + 0.52)1.928
𝑅𝑒𝑞 = = 0.09266𝐾
9.31 + 0.52 + 1.928(101)
1 1
𝐹𝑒 = → 𝐶𝑒 = = 85.88𝜇𝐹
2𝜋𝑅𝑒𝑞 ∗ 𝐶𝑒 2𝜋 ∗ 92.66 ∗ 20
𝐶𝑒 = 85.88𝜇𝐹
𝑓𝑒⁄
Para 𝑓 = 10 (una década antes) 𝑓𝑜 = 2𝐻𝑍
1
𝑓𝑜 = = 7.91𝜇𝐹
2𝜋 ∗ 2(52.3 + 10.000)
𝐶𝑜 = 7.91𝜇𝐹
Puede asumirse también 𝑓𝑠 ≈ 𝑓𝑜

1
𝑓𝑠 =
2𝜋(𝑙𝑖)𝐶𝑠
1
𝐶𝑠 = = 161𝜇𝐹
2𝜋 ∗ 2 ∗ 493
𝐶𝑠 = 1.61𝜇𝐹
108
Problema No 52.
• Grafique en Bode en alta y baja frecuencia
• Rediseñe el circuito para fL=500Hz y fH=100KHz
Cbe = 40 pF; Cbc = 3pF; Cce = 1 pF; Cwi = 5 pF y Cwo = 7 pF.
Análisis DC
Análisis Ac
109
Se encuentra el Av
Av(dB)= 20 log (66.08)= 36.40 dB
Respuesta de baja frecuencia

Cs:
Asumir Ce, Cc en corto circuito
110
Comprobamos:
1
Xce = = 4.35KΩ
2π(1,83)(20x10−3
Como observamos Xce > Re, Asumimos bien
Cc: asumir Ce, Cs en corto circuito
Ce:
CE:
1
fLCE =  3.979 Hz
2 220mF 
Respuesta de alta frecuencia
111
1x10−3
𝑓B = 2π(1,656)(1.5+4.8)
= 1.942KHZ 𝑓T = hfe fB = 194.2MHZ
112
Rediseño
Baja Frecuencia
fc=500Hz
1 1
𝑓𝑒 = , 𝐶𝑒 = = 𝟏𝟐. 𝟕𝟗µ𝑭
2𝜋(𝑅𝑒𝑞 )𝐶𝑒 2𝜋(0.02488)(103 )500
1
𝑓𝑐 = 𝑓0 = 50𝐻𝑧 , 𝐶𝑠 = = 𝟎. 𝟑𝟑𝟑µ𝑭
2𝜋(8.6976)(103 )50
1
𝐶0 = = 𝟎. 𝟓𝟏𝟑µ𝑭
2𝜋(6.2)(103 )50
Altas Frecuencias
1
fH= 100KHz 𝑓𝐻 =
2𝜋𝑅𝑒𝑞( 𝐶𝑖 +𝐶)
1
𝐶𝑖 + 𝐶 = = 2.7516 𝑛𝐹
2𝜋(0.5784)(106 )100
C = 2.7516 𝑛𝐹 − 182.65 𝑝𝐹 = 𝟐. 𝟓𝟔𝟗𝟔 𝒏𝑭
Tengo que poner una capacitancia en paralelo de C=2569.6pF. A la
entrada del amplificador. Esta capacitancia no interfiere en baja
frecuencia, pues es un sistema abierto, ya que Kc es muy grande.
113
Problema No 53.
Se desea diseñar un amplificador basado en el circuito mostrado de tal forma
que las frecuencias de corte para baja sean: fLCs= 2 Hz;fLCc= 30 Hz;fLCe= 400
Hz.
Para el
diseño
considere lo siguiente:
* Q1: 𝛽 = 100 VBE= 0,7 V

* Vcc= 24 V ; Rs= 100 Ω (Resistencia de la fuente alterna) ;
RL= 1 KΩ (Resistencia de la carga).
* Vc= Vcc/2 para tener igual excursión alterna máxima alrededor del punto
de operación.
* ICQ= 4 mA; R1= 4R2 y RC= 3RE.
* Cbe= 40pF; Cbc= 3pF; Cce= 1pF; Cwi= 5pF; Cwo= 7 pF.
Determine los valores de RC, RE, R1, R2, CS, CE, CC.
𝑅𝐶 = 3 𝑘𝛺
𝑅𝐸 = 1 𝑘𝛺
𝑅1 = 7.5 𝑘𝛺
𝑅2 = 1.87 𝑘𝛺
𝐶𝑆 = 50.42 𝜇𝐹
𝐶𝐸 = 54.4 𝜇𝐹
{ 𝐶𝐶 = 1.32 𝜇𝐹
Determine las frecuencias de corte en alta Fhci; Fhco.
𝐹ℎ𝑐𝑖 = 4.928 𝑀𝐻𝑧
a) {
𝐹ℎ𝑐𝑜 = 19.246 𝑀𝐻𝑧
𝐹ℎ𝑐𝑖 = 400𝐻𝑧
b) {
𝐹ℎ𝑐𝑜 = 344 𝐻𝑧
114
𝐹ℎ𝑐𝑖 = 4.928 𝑘𝐻𝑧
c) {
𝐹ℎ𝑐𝑜 = 29.246 𝑀𝐻𝑧
Análisis DC
𝑅2 𝑅2 𝑅2
VTHV= 24( 𝑅1+𝑅2
) = 24(
4𝑅2+𝑅2
)= 24( 5𝑅2) = 4.8V
𝑅1𝑅2 4𝑅2𝑅2 4𝑅2𝑅2
R1||R2 = ( 𝑅1+𝑅2
)= ( 4𝑅2+𝑅2
)= ( 5𝑅2 )=0.8R2
RCIC= 1/2(Vcc) (Criterio de Diseño)

RC = 0.5(24) / 4 = 3KΩ
RE= RC/3 = 1KΩ
IC=4mA
IB= IC/ β = 40uA
IE= β+1/ β= 4.04mA
4.8 - O.8R2IB - 0.7 - REIE = 0

R2 = 4.8 - 0.7 - 1(4.04) /0.8(40x10-3) = 1.87KΩ
R1 = 7.48 KΩ
re= 26mV/ IE= 26/4.04 = 6.43Ω
Valores de las capacitancias:
1
𝐶𝑒 = = 54.36𝑢𝐹
2𝜋(400𝐻𝑧)(7.32)
(Rs||R1||R2)
𝑅𝑒𝑞𝑐𝑒 = ( + 𝑟𝑒) ||𝑅𝑒 = 7.32Ω
β+1
1
𝐶𝑠 = = 𝟓𝟎. 𝟒𝟐𝒖𝑭
2𝜋(2𝐻𝑧)(1.58𝑘)
𝑅𝑒𝑞𝑐𝑠 = (R1||R2||(r𝑒 + 𝑅𝑒)(β + 1)) + Rs = 1.58𝑘Ω
115
1
𝐶𝑐 = = 𝟏. 𝟑𝟐𝒖𝑭
2𝜋(30𝐻𝑧)(4𝐾)
𝑅𝑒𝑞𝑐𝑐 = 𝑅𝑐 + 𝑅𝐿 = 4𝐾Ω
AV = Rc || RL / re + Re = -0.01
(Rs||R1||R2)
RL= β+1
+ 𝑟𝑒 = 7.38
RC|| RL = 7.32
116
Problema No 54.
Determine las frecuencias de corte en baja.
Dispositivo Valor
Vcc 24[V]
Rs 100[Ω]
VBE 0.7[V]
β 100
R1 7.5[KΩ]
R2 1.87[KΩ]
RE 1[KΩ]
RC 3[kΩ]
CE 54.4[F]
a) Cs 50.42[F]
Cc
𝐹𝐿𝐶𝑠 = 28𝐻𝑧 1.32 [F]
{ 𝐹𝐿𝐶𝑐 = 0.13 𝐾𝐻𝑧
𝐹𝐿𝐶𝑒 = 400RL 𝐻𝑧 1[KΩ]
𝐹𝐿𝐶𝑠 = 1.5 𝐻𝑧
b) { 𝐹𝐿𝐶𝑐 = 3 𝑀𝐻𝑧
𝐹𝐿𝐶𝑒 = 12 𝑚 𝐻𝑧
𝐹𝐿𝐶𝑠 = 2 𝐻𝑧
c){𝐹𝐿𝐶𝑐 = 0.003 𝐾𝐻𝑧
𝐹𝐿𝐶𝑒 = 0.4 𝐾𝐻𝑧
ANÁLISIS DC
𝑅2
VTHV= 24( 𝑅1+𝑅2
) = 4.79V
RTH= R1||R2 = 1.50Ω
4.8 - 1.5IB - 0.7 - 1IE = 0

4.8 - 1.5 (IE/ β+1) - 0.7 - 1IE = 0
IE = 4.03mA
117
re= 26mV/ IE= 26/4.03 = 6.45Ω
Valores de Frecuencias
1
𝑓𝐿𝐶𝑒 = = 0.4𝐾𝐻𝑧
2𝜋(54.4𝑢)(7.32)
(Rs||R1||R2)
𝑅𝑒𝑞𝑐𝑒 = ( + 𝑟𝑒) ||𝑅𝑒 = 7.32Ω
β+1
1
𝑓𝐿𝐶𝑠 = = 2𝐻𝑧
2𝜋(50.42𝑢)(1.58𝑘)
𝑅𝑒𝑞𝑐𝑠 = (R1||R2||(r𝑒 + 𝑅𝑒)(β + 1)) + Rs = 1.58𝑘Ω
1
𝑓𝐿𝐶𝑐 = = 30𝐻𝑧
2𝜋(1.32𝑢)(4𝐾)
𝑅𝑒𝑞𝑐𝑐 = 𝑅𝑐 + 𝑅𝐿 = 4𝐾Ω
118
Problema No 55.
Determine el ancho de banda del circuito.
Dispositivo Valor
Vcc 24[V]
Rs 100[Ω] a)
VBE 0.7[V] Bw=
β 100 19.
25 MHz R1 7.5[KΩ]
b) Bw= 400 MHz R2 1.87[KΩ]
c) Bw= 4928 KHz RE 1[KΩ]
RC 3[kΩ]
CE 54.4[F]
Cs 50.42[F]
Cc 1.32 [F]
RL 1[KΩ]
119
Problema No 56.
En el siguiente circuito, Determine el ancho de banda BW dado que la respuesta
de frecuencia en alta es 1.2Mhz:
*Asuma Resistencia en el emisor de Q1 y Q2 Re = 2Ω
ELEMENTO VALOR
Ri 1KΩ
R1 4KΩ
a) 1.2Mhz R2 0.8KΩ
b) 1.1942Mhz R3 2KΩ
c) 1.105Mhz R4 2KΩ
d) 1.1998Mhz R5 4KΩ
R6 2KΩ
R7 2 KΩ
R8 0.8KΩ
RL 5KΩ
Cs1 470uF
CE1 47uF
Cs2 33uF
CE2 1uF
Co 470uF
β (Q1 Y Q2) 100
Análisis DC
120
Primer análisis:
Rth=R1||R4 -> Rth=1.333KΩ
𝑅4
𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝐶𝐶 (𝑅 ) = 5𝑉
1 +𝑅4
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = = 52.225𝜇𝐴
𝑅𝑇𝐻 + (𝑅𝐸 + 𝑅2)(𝛽 + 1)
𝐼𝐸 = 5.2748𝑚𝐴 𝐼𝐶 = 5.2225𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅3 𝐼𝑐1 − 𝑉𝑐𝑒 + 𝑅2 + 𝑅𝑒𝐼𝑒 = 0
26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒 = = 497,85Ω
𝐼𝐵
Segundo análisis:
𝑅4
𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝐶𝐶 ( ) = 5𝑉
𝑅1 + 𝑅4
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = = 52.225𝜇𝐴
𝑅𝑇𝐻 + (𝑅𝐸 + 𝑅2)(𝛽 + 1)
𝐼𝐸 = 5.2748𝑚𝐴 𝐼𝐶 = 5.2225𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅3 𝐼𝑐1 − 𝑉𝑐𝑒 + 𝑅2 + 𝑅𝑒𝐼𝑒 = 0
26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒 = = 497,85Ω
𝐼𝐵
Análisis AC:
121
1
𝑓𝐿𝐶𝑜 = = 0.048375𝐻𝑧
2𝜋𝐶𝑂 (𝑅7 + 𝑅𝐿 )
𝐴𝑠𝑢𝑚𝑜 → 𝑓𝐿𝐶𝑒1 > 𝑓𝐿𝐶𝑠1
1
𝑓𝐿𝐶𝑠1 = = 0.1465𝐻𝑧
2𝜋𝐶𝑠1 {[(ℎ𝑖𝑒1 + (𝑅𝐸 + 𝑅2 )(𝛽 + 1))||𝑅𝑇𝐻1 ] + 𝑅𝑖 }
1
𝑓𝐿𝐶𝑒1 = (𝑅𝑖 ||𝑅𝑇𝐻1 )+ℎ𝑖𝑒1 +𝑅𝐸 (𝛽+1)
= 273.26𝐻𝑧
2𝜋𝐶𝑒1 [ 𝛽+1
||𝑅2 ]
𝐴𝑠𝑢𝑚𝑜 → 𝑓𝐿𝐶𝑒2 > 𝑓𝐿𝐶𝑠2

1
𝑓𝐿𝐶𝑠2 = = 1.4562𝐻𝑧
2𝜋𝐶𝑠2 {[(ℎ𝑖𝑒2 + (𝑅𝐸 + 𝑅8 )(𝛽 + 1))||𝑅𝑇𝐻2 ] + 𝑅3 }
1
𝑓𝐿𝐶𝑒2 = (𝑅3 ||𝑅𝑇𝐻2 )+ℎ𝑖𝑒2 +𝑅𝐸 (𝛽+1)
= 10.916𝐾𝐻𝑧
2𝜋𝐶𝑒2 [ 𝛽+1
||𝑅8 ]
𝐵𝑊 = 𝑓𝐻 − 𝑓𝐿 = 1.189𝑀𝐻𝑧
122
Problema No 57.
En el siguiente circuito, La Frecuencia de corte es:
*Asuma Resistencia en el emisor de Q1 y Q2 Re = 2Ω
ELEMENTO VALOR
a) 6 Khz Ri 1KΩ
b) 4 Khz R1 4KΩ
c) 5.8 Khz R2 0.8KΩ
d) 10 Khz R3 2KΩ
R4 2KΩ
R5 4KΩ
R6 2KΩ
R7 2 KΩ
R8 0.8KΩ
RL 5KΩ
Cs1 470uF
CE1 47uF
Cs2 33uF
CE2 1uF
Co 470uF
123
Problema No 58.
En el siguiente circuito, determine la respuesta de frecuencia en alta dado su
ancho de banda BW=10Mhz :
*Asuma Resistencia en el emisor de Q1 y Q2 ELEMENTO VALOR

Re = 2Ω Ri 1KzΩ
*Asuma que el circuito esta operando R1 4KΩ
normalmente. R2 0.8KΩ
R3 2KΩ
a) 9.99Mhz R4 2KΩ
b) 10Mhz R5 4KΩ
c) 9.87Mhz R6 2KΩ
d) 9.97Mhz R7 2 KΩ
R8 0.8KΩ
RL 5KΩ
Cs1 470uF
CE1 47uF
Cs2 33uF
CE2 1uF
Co 470uF
124
Problema No 59.
En el siguiente circuito, la ganancia |Av|db es:
Asuma resistencia en el emisor de Q1 y Q2 Re = 2Ω

a) 51 db
ELEMENTO VALOR
b) 35 db
Ri 1KΩ
c) 61 db
R1 4KΩ
d) 72 db
R2 0.8KΩ
R3 2KΩ
R4 2KΩ
R5 4KΩ
R6 2KΩ
R7 2 KΩ
R8 0.8KΩ
RL 5KΩ
Cs1 470uF
CE1 47uF
Cs2 33uF
CE2 1uF
Co 470uF
125
Problema No 60.
Vo
En el siguiente circuito, la ganancia de Voltaje total AVT = Vi
para una
frecuencia en banda media es:
*Asuma resistencia en el emisor de Q1 y Q2 Re = 2Ω
ELEMENTO VALOR
a) 1153
Ri 1KΩ
b) 2551
R1 4KΩ
c) 3575
R2 0.8KΩ
d) 1222
R3 2KΩ
R4 2KΩ
R5 4KΩ
R6 2KΩ
R7 2 KΩ
R8 0.8KΩ
RL 5KΩ
Cs1 470uF
CE1 47uF
Cs2 33uF
CE2 1uF
Co 470uF
126
Problema No 61.
En el siguiente circuito, la respuesta en alta frecuencia es:
*Asuma resistencia en el emisor de Q1 y Q2 Re = 2Ω

*Asuma que el circuito se encuentra operando
correctamente. ELEMENTO VALOR
Ri 1KΩ
a) 3.55Mhz R1 4KΩ
b) 30.94 Mhz R2 0.8KΩ

c) 22.28Mhz R3 2KΩ
d) 4.21Mhz R4 2KΩ
R5 4KΩ
R6 2KΩ
R7 2 KΩ
R8 0.8KΩ
RL 5KΩ
127
Cs1 470uF
CE1 47uF
Cs2 33uF
CE2 1uF
Co 470uF
Cw1=Cw2=Cw3 5pf
Cbe1 80pF
Cbe2 4pF
Solución:
𝐶ℎ1 = 𝐶𝑤1 + 𝐶𝑏𝑒1 = 5𝑝𝐹 + 80𝑝𝐹 = 85𝑝𝐹
𝐶ℎ2 = 𝐶𝑤2 + 𝐶𝑏𝑒2 = 5𝑝𝐹 + 4𝑝𝐹 = 9𝑝𝐹
𝐶ℎ𝑜 = 𝐶𝑤3 = 5𝑝𝐹
a)
𝑍1 = 𝑅2 ⊥ 𝑅3 ⊥ 𝑅𝑒(𝐵 + 1)
𝑍1 = 0.66𝑘 ⊥ 0.002𝑘(101)
𝑍1 = 0.154𝑘
1
𝑓=
2𝜋(1𝑘 ⊥ 0.154𝑘)(85𝑝𝐹)
128
1
𝑓=
2𝜋(0.133𝑘)(85𝑝𝐹)
𝑓 = 14𝑀𝐻𝑧
b)
𝑍2 = 𝑅6 ⊥ 𝑅7 ⊥ 𝑅𝑒(𝐵 + 1)
𝑍2 = 1.33𝑘 ⊥ .002𝑘(101)
𝑍2 = 0.175𝑘
1
𝑓2 =
2𝜋(2𝑘 ⊥ 0.175𝑘)(9𝑝𝐹)
1
𝑓2 =
2𝜋(0.161𝑘)(9𝑝𝐹)
𝑓2 = 109.7𝑀𝐻𝑧
c)
1
𝑓3 =
2𝜋(5𝑘 ⊥ 2𝑘)(5𝑝𝐹)
1
𝑓3 =
2𝜋(1.42𝑘)(5𝑝𝐹)
𝑓3 = 22.28𝑀𝐻𝑧
Respuesta: la frecuencia de corte en alta es 14 MHz
129
3.1) En el circuito de la figura:
a) Calcule el punto de polarización del transistor JFET ( ID, VDS1)

b) Calcule el punto de polarización del BJT (IC, VCE2)
c) Dibuje el circuito para frecuencias medias. Calcule las impedancias Z1, Z2, Zi.
d) Calcule la frecuencia de corte superior utilizando el método de las constantes
de tiempo.
e) Calcule la frecuencia de corte inferior asociada a los condensadores C1 y C2.
Utilice el método de las constantes de tiempo. C3= C4 ∞
Datos:
Idss=10[mA], Vp= -3[V], VBE=0.6 [V], β=200
Cgs1 =1[pF], Cgd10, Cu2=0, Cπ2=0.5 [pF]
130
ANÁLISIS DC
𝑉𝑔 = 0 𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝑔 − 𝑉𝑠 𝑉𝑔𝑠 = −𝑅2 𝐼𝐷

2 2
𝑉𝑔𝑠 𝑅2 𝐼𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 + ) 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 −
𝑉𝑝 𝑉𝑝
2𝑅2 𝐼𝐷 𝑅2 𝐼𝐷 2
+( ) )
3 3
0.0427𝐼𝐷 2 − 3.13𝐼𝐷 + 10 = 0 𝐼𝐷 = 3.34[𝑚𝐴]
𝑉𝑐𝑐 − (𝑅3 + 𝑅2 )𝐼𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 𝑉𝑑𝑠 = 15 − (3𝐾 + 620)(3.34𝑚𝐴) =

2.92[𝑉]
131
𝑄1 (2.92[𝑣], 3.34[𝑚𝐴])
𝑉𝑐𝑐 𝑅4 15(25𝐾)
𝑉𝑇𝐻 = = = 3[𝑉]
𝑅5 +𝑅4 100𝐾+25𝐾
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅4 ||𝑅5 = 100𝐾||25𝐾 = 20𝐾
𝑉𝑇𝐻 −0.6 3−0.6

𝐼𝐵 = )(𝛽+1)
= = 1.95[𝑢𝐴]
𝑅𝑇𝐻 +(𝑅6 10𝐾+(6𝐾)(201)
𝐼𝐶 = 0.391[𝑚𝐴] 𝐼𝐸 = 0.393[𝑚𝐴]
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅7 𝐼𝐶 − 𝑅6 𝐼𝐸 = 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 15 − (15𝐾)(𝑂. 391𝑚𝐴) − (6𝑘)(0.393𝑚𝐴) = 6.7[𝑉]
𝑄2 (6.7[𝑉], 0.391[𝑚𝐴])
ANALISIS DE FRECUENCIA MEDIA
ℎ𝑖𝑒 = = = 20 ℎ𝑓𝑒 = 𝛽
𝐼𝐵𝐷𝐶 1.95𝑚𝐴
132
−ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 𝑅7 (𝑅3 ||𝑅4 ||𝑅5 )𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑅1
𝐺𝑣 =
ℎ𝑖𝑒 𝑖𝑏 𝑉𝑔𝑠 𝑅𝑔 +𝑅1
𝑍𝑖 = 𝑅1 𝑍1 = 𝑅3 || 1⁄𝑔𝑚 𝑍2 = 𝑅4 ||𝑅5 ||ℎ𝑖𝑒
ANALISIS DE FRECUENCIA BAJA
1
𝑓𝐿𝐶1 = 2𝜋(𝑅 𝑓𝐿𝐶2 =
𝑔 +𝑅1 )𝐶1
1
2𝜋(𝑅3 +(𝑅4 ||𝑅5 ||ℎ𝑖𝑒))𝐶2
ANALISIS EN FRECUENCIA ALTA
133
1 1
𝑓𝐻𝐶𝑔𝑠 = 𝑓𝐻𝑐𝜋2 =
2𝜋𝑅1 𝐶𝑔𝑠 2𝜋(𝑅3 ||𝑅4 ||𝑅5 ||ℎ𝑖𝑒)𝐶𝜋2
134
3.2) El circuito de la figura es un amplificador multi-etapa con transistores
bipolares.
a) Obtenga el punto de polarización de ambos transistores.

b) Dibuje el circuito equivalente en frecuencias medias. Calcule Zi (Vg/IRg), Z2
(Vb2/Ib2), Z3 (Vo/Ie) y Gv.
c) Calcule las frecuencias de corte superior.
d) Calcule las frecuencias de corte inferior.
DATOS:
Considere C1=C3∞ , Cu1=0.5pF , Cπ1= Cπ2= Cu2 =0
VBE=0.6[V] β=200
ANALISIS DC
135
𝑉 𝑅 15(15𝐾)
𝑉𝑇𝐻 = 𝑅 𝑐𝑐+𝑅2 = 30𝐾+15𝐾
= 5[𝑉]
1 2
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1 ||𝑅2 = 30𝐾||15𝐾 = 10𝐾

𝑉𝑇𝐻 −0.6 5−0.6
𝐼𝐵2 = )(𝛽+1)
= = 2.47[𝑢𝐴]
𝑅𝑇𝐻 +(𝑅4 10𝐾+(8.8𝐾)(201)
𝐼𝐶2 = 0.494[𝑚𝐴] 𝐼𝐸2 = 0.497[𝑚𝐴]
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅3 (𝐼𝐵1 + 𝐼𝐶2 ) − 0.6 − 𝑅5 (𝛽 + 1)𝐼𝐵1 = 0
𝑉𝑐𝑐 −𝑅3 𝐼𝐶2 −0.6 15−(10𝐾)(0.494𝑚𝐴)−0.6

𝐼𝐵1 = 𝑅3 +𝑅5 (𝛽+1)
= (10𝑘)+(4.7𝑘)(201)
= 9.90[𝑢𝐴]
𝐼𝐶2 = 1.98[𝑚𝐴] 𝐼𝐸2 = 1.99[𝑚𝐴]
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅3 𝐼 − 𝑅4 𝐼𝐸2 = 𝑉𝐶𝐸2
𝑉𝐶𝐸2 = 15 − (10𝐾)(0.494𝑚𝐴 + 9.91𝑢𝐴) − (8.8𝑘)(0.497𝑚𝐴) = 5.79
136
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅5 𝐼𝐸1 = 𝑉𝐶𝐸1 𝑉𝐶𝐸1 = 15 − (4.7𝐾)(1.99𝑚𝐴) = 5.64[𝑉]
𝑸𝟏 (𝟏. 𝟗𝟖[𝒎𝑨], 𝟓. 𝟔𝟒[𝑽]) 𝑸𝟐 (𝟎. 𝟒𝟗𝟒[𝒎𝑨], 𝟓. 𝟕𝟗[𝑽])
ANALISIS EN FRECUENCIA MEDIA
ℎ𝑖𝑒1 = = 2.62𝐾 ℎ𝑖𝑒2 = = 10.5𝐾
𝐼𝐵1𝐷𝐶 𝐼𝐵2𝐷𝐶
(ℎ𝑓𝑒+1)(𝑅5 ||𝑅𝐿 ) 𝑖𝑏1 −ℎ𝑓𝑒2 𝑖𝑏2 (𝑅1 ||𝑅2 ||𝑅3 ) 𝑅1 ||𝑅2 ||𝑅3
𝐺𝑉 = 𝑅 ||𝑅
[( 5 𝐿)+ℎ𝑖𝑒1]𝑖𝑏1 ℎ𝑖𝑒2 𝑖𝑏2 𝑅𝑔 +(𝑅1 ||𝑅2 ||𝑅3 )
ℎ𝑓𝑒+1
𝑅5 𝑅𝐿
𝑍2 = + ℎ𝑖𝑒1 𝑍3 = [(𝑅𝑔 ||ℎ𝑖𝑒1) + (𝑅1 ||𝑅2 ||𝑅3 ) +
ℎ𝑓𝑒+1
ℎ𝑖𝑒2] (ℎ𝑓𝑒 + 1)||𝑅5
𝑅5 𝑅𝐿
𝑍=[ + ℎ𝑖𝑒1] ||(𝑅1 ||𝑅2 ||𝑅3 )||ℎ𝑖𝑒2
ℎ𝑓𝑒+1
ANALISIS DE FRECUENCIA EN BAJA
137
1
𝑓𝐿𝐶2 = 2𝜋((𝑅
𝐺 ||𝑅1 ||𝑅2 )+(𝑅3 ||𝑍2 ))𝐶2
1
𝑓𝐿𝐶4 = 2𝜋(𝑍
3 +𝑅𝐿 )𝐶4
138
1
𝑓𝐻𝐶𝑢1 = 2𝜋(𝑍||𝑅
𝑔 )𝐶𝑢1
139
3.3) El circuito de la figura es un amplificador multi-etapa de gran ancho de
banda.
a) Obtenga las tensiones V1 y V2 en corriente continua. Desprecie la corriente de

base de Q1 y Q2
b) Obtenga el punto de polarización de ambos transistores.
c) Dibuje el circuito equivalente para frecuencias medias. Calcule la ganancia Gv.
d) Calcule Zi y Ze
e) Calcule la frecuencia de corte inferior utilizando el método de las constantes
de tiempo.
f) Dibuje el equivalente para frecuencias altas y calcule la frecuencia de corte
superior.
140
ANALISIS DC
Subiendo que las corrientes base de cada transistor son despreciables, la

corriente que pase por R1 es igual a la corriente que pasa por las resistencias R2 y
R3. Como las resistencias son iguales entonces tendremos la misma caída de
tensión en cada una. Son 3 resistencias entonces cada una tiene una caída de
5[v].
Vb1=10[V] y Vb2=5[V]
5−0.7
𝑉𝑏2 − 0.7 − 𝑅𝐸 𝐼𝐶 = 0 5 − 0.7 − (4.3𝐾)𝐼𝑐 = 0 𝐼𝑐 = 4.3𝑘
= 1[𝑚𝐴]
𝑉𝑏1 − 0.7 − 𝑉𝐶𝐸− 𝑅𝐸 𝐼𝐶 = 0 𝑉𝑏1 − 0.7 − 𝑅𝐸 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸2
𝑉𝐶𝐸2 = 10 − 0.7 − (4.3𝐾)(1mA)=5[V]
𝑉𝑐𝑒1 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝑐 𝐼𝑐 − 𝑉𝐶𝐸2 − 𝑅𝐸 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸1 = 15 − 2.3 − 4.5 − 5 𝑉𝐶𝐸1= 3.2[V]
141
𝑄1 (1𝑚𝐴, 3.2𝑉) 𝑄2 (1𝑚𝐴, 5V)
ANALISIS DE FRECUENCIA MEDIA
ℎ𝑓2
𝑅𝑐 − ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏1 ℎ𝑖𝑒1 ℎ𝑓2+1 𝑖𝑏2 𝑅1 ||𝑅2
𝐺𝑣 =
ℎ𝑖𝑒1 𝑖𝑏1 ℎ𝑖𝑒2 𝑖𝑏2 𝑅𝑔 + (𝑅1 ||𝑅2 )
𝑍𝑖 = 𝑅1 ||𝑅2 ||ℎ𝑖𝑒2 𝑍𝑒 = 0
ANALISIS DE FRECUENCIA BAJA
1
𝑓𝐿𝐶𝑖 =
2𝜋(𝑅𝑔 +(𝑅1 ||𝑅2 )𝐶𝑖
ANALISIS DE FRECUENCIA EN ALTA
142
1
𝑓𝐻𝐶𝜋1 = 2𝜋(𝑅
𝑔 ||𝑅1 ||𝑅2 ||ℎ𝑖𝑒2)𝐶𝜋1
1
𝑓𝐻𝐶𝜋1 = 2𝜋𝑅
𝑒𝐶𝜋2
143
3.4) El circuito mostrado es un amplificador en configuración cascada, constituido
mediante transistores BJT, considere el valor de 𝐶2 muy grande y que se conocen
ℎ𝑖𝑒1 y ℎ𝑖𝑏2 .
a) Exprese literalmente la ganancia de voltaje desde Vi hasta Vo.

b) Encuentre literalmente la respuesta en baja frecuencia del circuito.
c) Encuentre literalmente las frecuencias de corte en alta frecuencia,
considerando la existencia de y como capacitancias parasitas.
d) Si no existe, determine literalmente la respuesta en alta de frecuencia.
e) Grafique la ganancia de voltaje respecto de la frecuencia para el literal b) y c).
144
4. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
4.1. AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A
90. En el siguiente circuito, determine R₂ para obtener la máxima

excursión de salida.
145
91. Diseñar un amplificador que ceda el máximo de potencia, sin
distorsión a una carga de Rι=750Ω. Se ha escogido ICQ= 0.2 A para
ubicar el punto Q.
a) Obtener la línea de carga alterna que satisfaga este requerimiento de

potencia.
- La línea de carga DC.
- Los valores de VCEQ, R1, R2, R3, R4.
- Máxima excursión de salida
Nota: asuma VR4= 3V y R₁ II R₂ = 45Ω
b) Suponga que este máximo requerimiento se lo quiere proporcionar a una

carga de 5Ω a través de un transformador. Obtener:
- El número de vueltas que satisfaga esa línea de carga alterna para
máxima potencia.
- La eficiencia.
- Los valores R₁, R₂, R4, requeridos
- Nota: asuma VRE= 3V.
146
92. En el siguiente circuito, determinar:
Datos.- Q3: hfe= 50, hie= 8.66Ω
a) Pin
b) a= N₁/N₂=? para un correcto acoplamiento de carga.
c) Si 𝑎2 = 15, halle Vsmáx para evitar distorsión en Vo.
d) MES (máxima excursión de salida sin distorsión)
147
93. Para el circuito de la figura, la potencia entregada a la carga es
0.3W. Determine:
a) La eficiencia.
b) La potencia que disipa el transistor.
Datos.- N₁/N₂=4/1, hfe= 60
148
Problema No 63.
Dado el siguiente circuito clase A. Determine el valor de la resistencia R2
a) 67.5𝑘Ω
b) 678.5Ω
c) 575.5𝑘Ω
d) 88.5𝑘Ω
e) 178𝑘Ω
𝑁1 : 𝑁2
149
Problema No 64.
Dado el siguiente circuito. Determine la eficiencia máxima si 𝑉𝐸𝐵 :0.7V, 𝛽 = 100 y
𝑅𝑝 = 1
• 𝜂𝑚á𝑥 = 13.59%
• 𝜂𝑚á𝑥 = 25.45%
• 𝜂𝑚á𝑥 = 18.20%
• 𝜂𝑚á𝑥 = 30.99%
• 𝜂𝑚á𝑥 = 43.10%
2: 1
150
Problema No 65.
Dispositivo Valor
hfe 100
VEB 0.7[V]
RB1 3.6[kΩ]
RB2 20[kΩ]
RE 4[Ω]
RL 4[Ω]
Transformador Valor
Rp 1[ Ω ]
Rs 0.1[Ω]
Np 3000
Ns 750
Determine el punto de operación de Q2.
𝐼𝐶𝑄 = 1 [𝑚𝐴]
a){
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 12 [𝑉]
𝐼𝐶𝑄 = 1.21[𝐴]
b){
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 43.92[𝑉]
𝐼𝐶𝑄 = 6.1 [𝑚𝐴]
c){
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 31.5 [𝑉]
151
Problema No 66.
Transformador Valor
Rp 1[ Ω ]
Rs 0.1[Ω]
Np 3000
Ns 750
Dispositivo Valor
hfe 100
VEB 0.7[V]
RB1 3.6[kΩ]
RB2 20[kΩ]
RE 4[Ω]
RL 4[Ω]
Encontrar los valores de Vcep e ip del circuito
(considerar recta de carga)
𝑖𝑝 = 1.83 [𝐴]
a){
𝑉𝑐𝑒𝑝 = 129.3 [𝑉]
𝑖𝑝 = 1.21[𝐴]
b){
𝑉𝑐𝑒𝑝 = 50[𝑉]
𝑖𝑝 = 620 [𝑚𝐴]
c){
𝑉𝑐𝑒𝑝 = 43.92 [𝑉]
Problema No 67.
Transformador Valor
Rp 1[ Ω ]
Rs 0.1[Ω]
152
Np 3000
Ns 750
Dispositivo Valor
hfe 100
VEB 0.7[V]
RB1 3.6[kΩ]
RB2 20[kΩ]
RE 4[Ω]
RL 4[Ω]
Calcul
ar las potencia del circuito
Pin ,Po
𝑃𝑖𝑛 = 603[𝑚𝑊]
a){
𝑃𝑜 = 0.768 [𝑊]
𝑃𝑖𝑛 = 61[𝑊]
b){
𝑃𝑜 = 0.0123[𝐾𝑊]
𝑃𝑖𝑛 = 620 [𝐾𝑊]
c){
𝑃𝑜 = 768.8 [𝑚𝑊]
153
Problema No 68.
En el siguiente circuito amplificador clase A, la corriente ICQ= 4.3 mA, encuentre
la potencia PL máxima para estas condiciones.
ELEMENTOS
a) 14.46 W TRANSISTOR Q1
b) 28.93 W β 25
c) 14.42 W VBE 0.7 V
d) 28.84 W TRANSFORMADOR
RP 40Ω
N1 74
N2 14
154
Problema No 69.
En el siguiente circuito amplificador clase A, la corriente ICQ= 4.3 mA, determine
el Vi para obtener la potencia máxima en la salida.
ELEMENTOS
TRANSISTOR Q1
a) 24.35 mV,
β 25
b) 29.85 mV
VBE 0.7 V
c) 24.98 mV
TRANSFORMADOR
d) 30.96 mV
RP 40Ω
N1 74
N2 14
155
Problema No 70.
En el siguiente circuito amplificador clase A, determine la eficiencia de potencia,
para estas condiciones.
ELEMENTOS
TRANSISTOR Q1
β 25
VBE 0.7 V
a) 22%
TRANSFORMADOR
b) 25%
RP 40Ω
c) 30%
N1 74
d) 40%
N2 14
156
Problema No 71.
En el siguiente circuito amplificador clase A, determine la eficiencia de potencia,
para estas condiciones.
a) 11%
b) 20%
c) 6.5%
ELEMENTOS
d) 26%
TRANSISTOR Q1
K 0.03
𝐴
𝑉2
VT 3V
TRANSFORMADOR
RP 3Ω
RS 0.25 Ω
N1 2
N2 1
157
Problema No 72.
En el siguiente circuito amplificador clase A, determine la potencia máxima en la
salida.
a) 2.3 W
b) 9.3W
c) 1.4W
d) 5.6 W ELEMENTOS
TRANSISTOR Q1
K 0.03
𝐴
𝑉2
VT 3V
TRANSFORMADOR
RP 3Ω
RS 0.25 Ω
N1 2
N2 1
158
Problema No 73.
En el siguiente circuito amplificador clase A, determine el V1 para obtener una
eficiencia de 26%.
a) 2.3 Vp
b) 3 Vp
c) 2.5 Vp
d) 2 ELEMENTOS
TRANSISTOR Q1
K 0.03
𝐴
𝑉2
VT 3V
TRANSFORMADOR
RP 3Ω
RS 0.25 Ω
N1 2
N2 1
159
Problema No 74.
En el siguiente circuito amplificador clase A, Si V1= 1Vp, determine la Potencia
en la Carga y la eficiencia del circuito para estas condiciones.
ELEMENTOS
TRANSISTOR Q1
K 0.03
𝐴
𝑉2
VT 3V
TRANSFORMADOR
RP 3Ω
RS 0.25 Ω
a) 1.04W, 4% N1 2
b) 1.44W, 7% N2 1
c) 0.36W, 1.6%
d) 0.26W, 1.2%
160
Problema No 75.
Para el siguiente circuito determine el valor de V1(RMS) para que la eficiencia
del circuito sea máxima .
*Asuma ganancia total del circuito 3000
a) 14 Vrms
b) 10 Vrms
c) 5 Vrms
d) 7Vrms
ELEMENTOS
TRANSISTOR Q1
β 150
VBE 0.7 V
TRANSFORMADOR
N1 400
N2 100
161
94. Dado el siguiente circuito, encontrar:
a) La máxima potencia que se puede desarrollar en la carga sin
saturación o corte
b) La máxima eficiencia del circuito.
c) La potencia disipada en el transistor (PQDC)
Datos.- Resistencia del primario= 10Ω, U2=N1/N2= 4/1
162
95. En este amplificador de clase A la corriente ICQ=0.5 A. Calcular:
a) La máxima potencia de salida disponible.
b) La eficiencia del sistema.
c) La potencia disipada en el transistor.
Datos.- hfe=49, U2=N1/N2=4/1
163
96. Dado el siguiente circuito, encontrar:
a) La máxima potencia simétrica en la carga RL= 3Ω.

b) La relación que debería tener el transformador para obtener la
máxima potencia de salida.
c) Icmáx y la potencia disipada en el transistor para PLmáx.
Datos: ß=24, U2=N1/N2= 4/1
164
97.Dado el siguiente circuito, determinar:
a) Vo/Vs
b) Po/Ps
Datos.- hfe= 100, U2=N1/N2=3/7
165
98. Dado el siguiente circuito y la corriente del colector Ic=130 mA,
determinar:
a) Los valores R1, R2, R3
b) La recta de carga
c) La eficiencia del circuito
Datos.- hfe= 22, U2= N1/N2= 3/1
166
4.2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE B
99. Dado el siguiente circuito y una Pomáx=20W, determinar:

a) Vcc
b) Ic
c) Vin
d) La potencia disipada en cada transistor.
167
100. dado el siguiente circuito, determinar:
a) la eficiencia
b) La potencia disipada por cada transistor
c) Vi(rms) máx
d) La eficiencia cuando Vi= Vi(rms) máx
Nota: para los literales a) y b) asuma Vi= 12Vrms
168
101. En el siguiente circuito, asumiendo condiciones óptimas de
operación, determine:
a) PL
b) Pin (DC)
c) Eficiencia(η)
d) Potencia disipada en cada transistor
169
102. En el siguiente circuito, asumiendo Vi=8 Vrms, determine:
a) PL
b) Pin (DC)
c) Eficiencia(η)
170
103. En el siguiente circuito, asumiendo Vcc= 40V y Vi= 18 Vrms,
determine:
a) PL
b) Pin (DC)
c) Eficiencia (η)
171
105. En el siguiente circuito, determinar:
a) Los puntos de operación (VCE, IC) de los transistores
b) PLmáx
b) Pinmáx
c) Vimáx
d) Potencia máxima que podría disipar uno de los transistores de salida
Datos.- hfe1=hfe2=100 y hfe3=hfe4=50
172
106. En el amplificador, si Q₁ tiene una corriente de colector máxima de
100mA y una potencia de disipación de 600 mW, determinar la
potencia máxima en la carga.
si
Datos.- hfe3=hfe4=20
173
107. En el circuito mostrado, si VCE= 18 Voltios, determinar:
a) La caída de voltaje en R2
b) La corriente a través de Q2
c) La impedancia a la entrada del circuito (después de Vi)
d) La ganancia de voltaje (Vo/Vi)
e) La máxima potencia disipada en la carga
Datos.- R1=R4= 120Ω, R2= 5.6Ω, R6=R7=0.68Ω y RL= 8Ω, ß= 50
174
Problema No 76.
Dado el siguiente circuito clase AB .Determine el valor de VCEQ1 y la corriente de
colector ICQ1
𝐼𝐶𝑄1 = 1 [𝑚𝐴]
a){
𝑉𝐶𝐸𝑄1 = 12 [𝑉]
𝐼𝐶𝑄1 = 0[𝐴]
b){
𝑉𝐶𝐸𝑄1 = 12.5[𝑉]
𝐼𝐶𝑄1 = 10 [𝑚𝐴]
c){
𝑉𝐶𝐸𝑄1 = 2.5 [𝑉]
175
Problema No 77.
Dado el siguiente circuito, en condiciones de máxima eficiencia, determine la
potencia de entrada Pin y la potencia de salida Po.
𝑃𝑖𝑛 = 99[𝑊]
a){
𝑃𝑜 = 7.81 [𝑘𝑊]
𝑃 = 23.5[𝑊]
b){ 𝑖𝑛
𝑃𝑜 = 0.0123[𝐾𝑊]
𝑃𝑖𝑛 = 620 [𝐾𝑊]
c){
𝑃𝑜 = 768.8 [𝑚𝑊]
𝑃 = 0.98 [𝑊]
d){ 𝑖𝑛
𝑃𝑜 = 770 [𝑚𝑊]
176
Problema No 78.
Dado el siguiente circuito, determine la eficiencia máxima
a) 𝜂𝑚á𝑥 = 13.59%
b) 𝜂𝑚á𝑥 = 25.45%
c) 𝜂𝑚á𝑥 = 18.20%
d) 𝜂𝑚á𝑥 = 78.07%
e) 𝜂𝑚á𝑥 = 43.10%
177
Problema No 79.
Del siguiente circuito Amplificador clase B, encontrar la expresión (ecuación) en
el análisis AC para la recta de carga.
Nota: asuma
R3=R4 y
Vcc1=Vcc2
a) Vce −
VCEQ = −Ic (R 3 + R 5 ) + ICQ (R 3 + R 5 )
b) Vce − VCEQ = −Ic (R 4 + R 3 ) + ICQ (R 4 + R 5 )
c) VCEQ − Vce = −ICQ (R 4 + R 3 ) + Ic (R 4 + R 3 )
d) VCEQ − Vce = −ICQ (R 4 + R 5 ) − Ic (R 4 + R 5 )
e) VCEQ − Vce = +ICQ (R 4 + R 3 ) − Ic (R 4 + R 3 )
178
Problema No 80.
Del siguiente circuito amplificado clase B, encontrar 𝑃𝑜 𝑚á𝑥 (Nota: No hace falta
valor de 𝛽).
a) 58.90 [W]
b) 54.76 [W]
c) 52.35 [W]
d) 50.68 [W]
e) 56.43 [W]
179
Problema No 81.
En el siguiente circuito amplificador clase B, determine la potencia máxima de
salida.
a) 30.9 W ELEMENTOS
b) 39.1 W TRANSISTOR Q1,Q2
c) 34.6 W K 2
𝐴
𝑉2
d) 36.8 W VT 1[ V]
180
Problema No 82.
En el siguiente circuito amplificador clase B, determine el Vcc necesario para una
eficiencia de 50% si su potencia de salida es 40[W].
a) 40 [V], ELEMENTOS
b) 25 [V] TRANSISTOR Q1,Q2
c) 15 [V] K 2
𝐴
𝑉2
d) 20[V] VT 1[ V]
181
Problema No 83.
En el siguiente circuito amplificador clase B, determine la eficiencia del circuito y
la potencia de salida Po para un V1(pico)= 10V
a) 28.6%, 5.54[W] ELEMENTOS

b) 31.4%, 6.25[W] TRANSISTOR Q1,Q2
c) 50.3%, 7.55[W] K 𝐴
2 𝑉2
d) 78.5%, 5.54[W]
VT 1[ V]
182
Problema No 84.
En el siguiente circuito amplificador clase B, determine la potencia máxima de
salida para tener la máxima eficiencia.
a) 54.9[W]
b) 70.7[W]
c) 56.3[W]
d) 55.5[W]
183
Problema No 85.
En el siguiente circuito amplificador clase B, determine la potencia que entregan
las fuentes de alimentación, cuando Vi=10sin wt(V).
a) 23.9 [W]
b) 70.7[W]
c) 23.6[W]
d) 54.9[W]
184
Problema No 86.
En el siguiente circuito amplificador clase B, determine el máximo valor que
puede tomar Ve(t) cuando V1 = 10 sin wt(V).
a) 10 Vp
b) -10 Vp
c) -20 Vp
d) -30Vp
185
Problema No 87.
En el siguiente circuito amplificador clase B, determine la potencia máxima AC
que se desarrolla en RL
a) 57.7 [W]
b) 58.3[W]
c) 61.3 [W]
d) 60 [W]
186
Problema No 88.
puede tomar Ve(t) (voltaje en emisor), para la máxima eficiencia del circuito.
a) 34[Vpico]
b) 39[Vpico]
c) 29[Vpico]
d) 30[Vpico]
187
Problema No 89.
puede tomar Ve(t)(voltaje emisor) para V1p=5V y –Vcc1 =Vcc2= -40V
a) 4.95[V]
b) 7.85[V]
c) 6.85[V]
d) 12.95[V]
188
5. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Problema No 109.
En el siguiente circuito amplificador diferencial, el valor de R que permite una
razón de rechazo en modo común de 40dB es:
a) 7.4 KΩ
ELEMENTOS
b) 5.5 KΩ
TRANSISTOR
c) 3.4 KΩ
Q1,Q2
d) 6.5 KΩ
β 60
VBE 0.7 V
189
Problema No 110.
En el siguiente circuito Amplificador Diferencial, Determine la Ganancia

Diferencial
a) -267 ELEMENTOS
b) 267 VCC 10[V]
c) -182 RC1 10 KΩ
d) 182
RC2 17.2
KΩ
RD 18.6
KΩ
RE 10 KΩ
VD 0.7[V]
VBE 0.7[V]
hie 5KΩ
hfe 200
190
Problema No 111.
En el siguiente circuito Amplificador Diferencial, Determine la Ganancia
Diferencial.
ELEMENTOS
a) 442
b) 332 TRANSISTOR Q1,Q2
c) 632 β 100
d) 580 VBE 0.7 V

TRANSISTOR Q3
K 0.39
VT 3[V]
rDS 100K
191
Problema No 112.
En el siguiente circuito Amplificador Diferencial, Determine la Ganancia en Modo
Común.
ELEMENTOS
a) 465
TRANSISTOR
b) 0
Q1,Q2
c) 100
β 100
d) 332
VBE 0.7 V
TRANSISTOR
Q3
K 0.39
VT 3[V]
rDS 100K
192
Problema No 113.
En el siguiente circuito amplificador diferencial, determine la corriente I en DC
a) 6.5 ELEMENTOS
b) 3.2 TRANSISTOR Q1,Q2

c) 1.4 β 100
d) 2.2 VBE 0.7 V
TRANSISTOR Q3
K 0.39
VT 3[V]
rDS 100K
193
Problema No 114.
En el siguiente circuito amplificador diferencial, determine la ganancia diferencial.
a) 331.7
b) 0
c) 1 ELEMENTOS
d) 444.2 TRANSISTOR Q1,Q2
β 100
VBE 0.7 V
TRANSISTOR Q3
β 100
VBE 0.7 V
hoe 10-7 mΩ
194
Problema No 115.
En el siguiente circuito Amplificador Diferencial, Determine la Ganancia en Modo
Común.
a) 331.7
b) 0 ELEMENTOS
c) 1 TRANSISTOR Q1,Q2
d) 444.2 β 100
VBE 0.7 V
TRANSISTOR Q3
β 100
VBE 0.7 V
hoe 10-7 mΩ
195
Problema No 116.
En el siguiente circuito amplificador diferencial, determine la ganancia diferencial.
a) 150
b) 0 ELEMENTOS
c) 1 TRANSISTOR Q1,Q2
d) 300 β 80
VBE 0.7 V
TRANSISTOR Q3
β 80
VBE 0.7 V
hoe 5uΩ
196
Problema No 117.
En el siguiente circuito amplificado diferencial, encontrar los valores de todas las
resistencias.
𝑅1 = 10.03𝐾 𝑅1 = 15.03𝐾 𝑅1 = 10.50𝐾 𝑅1 = 5.03𝐾

𝑅2 = 10.03𝐾 𝑅2 = 15.03𝐾 𝑅2 = 10.50𝐾 𝑅2 = 5.03𝐾
𝑅 = 18.46𝑘 𝑅 = 18.46𝑘 𝑅 = 18.46𝑘 𝑅 = 18.46𝑘
a. 3 b. 3 c. 3 d. 3
𝑅4 = 18.40𝐾 𝑅4 = 18.40𝐾 𝑅4 = 18.40𝐾 𝑅4 = 18.40𝐾
𝑅5 = 1𝑘 𝑅5 = 1.5𝑘 𝑅5 = 10𝑘 𝑅5 = 0.5𝑘
{𝑅6 = 0.286𝐾 {𝑅6 = 0.226𝐾 {𝑅6 = 0.386𝐾 {𝑅6 = 0.286𝐾
197
Problema No 118.
Hallar la corriente de cola (la que pasa a través de la resistencia R2)
Dispositivo Valor
Rc1 21k
Rc2 21k
VEB 0.7[V]
a) 0.28 [mA]
b) 0.63 [mA]
c) 0.7[A]
d) 0.56 [mA]
e) 1 [mA]
198
Problema No 1119.
Calcule la ganancia AVD y AVMC del sistema
𝐴𝑉𝐷 = −555 Dispositivo Valor

a){
𝐴𝑉𝑀𝐶 = −1.2
Rc1 21k
𝐴𝑉 = −322
b){ 𝐷
𝐴𝑉𝑀𝐶 = 1 Rc2 21k
𝐴𝑉𝐷 = −226 VEB 0.7[V]
c){
𝐴𝑉𝑀𝐶 = −0.525
199
Problema No 120.
Calcule la relación de rechazo en modo común CMRR:
a) -52.7 [db] Dispositivo Valor

b) 60[db] Rc1 21k
c) 0.7[db] Rc2 21k
d) 52.68 [db] VEB 0.7[V]
e) 1 [db]
200
Problema No 121.
Calcule el punto de operación de Q3:
𝐼𝐶𝑄3 = 1 [𝑚𝐴]
a){ Dispositivo Valor
𝑉𝐶𝐸𝑄3 = 12 [𝑉]
𝐼𝐶𝑄3 = 1.36[𝑚𝐴] Q1,Q2,Q3
b){
𝑉𝐶𝐸𝑄3 = 7.16[𝑉] β 80
𝐼𝐶𝑄3 = 0.5 [𝑚𝐴]
c){ VEB 0.7[V]
𝑉𝐶𝐸𝑄3 = 11.3 [𝑉]
Q3
1/hoe 100k
201
Problema No 122.
Calcule la ganancia AVD y AVMC del sistema
𝐴𝑉𝐷 = −651𝑥10−6
a){ Dispositivo Valor
𝐴𝑉𝑀𝐶 = −1.2
𝐴𝑉 = −45.5 Q1,Q2,Q3
b){ 𝐷
𝐴𝑉𝑀𝐶 = −1
β 80
𝐴𝑉𝐷 = 97.56
c){ VEB 0.7[V]
𝐴𝑉𝑀𝐶 = −643.5𝑥10−6
Q3
1/hoe 100k
202
Problema No 123.
Para el circuito calcule el valor del CMMR
a. -52.7 𝑥10−6] Dispositivo Valor

b. 21 𝑥10 −3
Q1,Q2,Q3
c. 6.59 𝑥10 −6
β 80
d. 130.5 𝑥10−3 VEB 0.7[V]
e. 151.6𝑥10−3 Q3
1/hoe 100k
7.2) En el siguiente circuito mostrado, determine:
203
a) los puntos de operación de Q1, Q2, Q3
b) Ganancia diferencial Ad
c) Ganancia en modo común Ac
d) CMRR en dB
Datos.- 𝑄1 , 𝑄2 , 𝑄3 : 𝑉𝑒𝑏 = 0.7 [𝑉] , ℎ𝑓𝑒 = 160

𝑍1: 𝑉𝑍1 = 4.7𝑉, 𝑟𝑑 = 10 Ω,
1
ℎ𝑜𝑒3
= 30𝐾
204
4.7 − 140𝐼𝑒3 − 0.7 = 0 → 𝐼𝑒3 = 28.57 [𝑚𝐴]
𝛽
𝐼𝐶3 = 𝛽+1 𝐼𝑒3 → 𝐼𝐶3 = 28.394 [𝑚𝐴]
𝐼𝐶3
𝐼𝑒1 = 𝐼𝑒2 = = 14.197 [𝑚𝐴]
2
𝐼𝐶1 = 𝐼𝐶2 = 14.1089[𝑚𝐴]
𝐼𝐵1 = 𝐼𝐵2 = 88.18 [µ𝐴]
26𝑚
𝑟𝑒 = = 294 [Ω]
𝐼𝑏
𝛽 𝑅𝑐 160 (0.5)
𝐴𝑑 = = = 𝟑𝟒. 𝟖𝟕
𝑟𝑒 + 𝑅4 0.294 + 2
205
𝑅𝑑 ||2𝐾 = 9.95 [Ω]
26𝑚
ℎ𝑖𝑒3 = = 0.146 [𝑘Ω]
𝐼𝑏3
𝑉𝑝 = 30𝐼𝑥 + 0.14(161 𝐼𝑏3 + 𝐼𝑥 )
𝐼𝑝 = 𝐼𝑥 + 160 𝐼𝑏3
−22.696 𝐼𝑏3 = 0.14 𝐼𝑥 → 𝐼𝑥 = −162.117 𝐼𝑏3
𝑉𝑝 = 30(−162.117 𝐼𝑏3 ) + 22.54 𝐼𝑏3 + 0.14(−162.117 𝐼𝑏3 ) = 4763.68 𝐼𝑏3

𝐼𝑝 = −1621175 𝐼𝐵3 + 160 𝐼𝐵3 = −2.1175 𝐼𝑏3
𝑉𝑝
𝑅𝑡ℎ = = 2296.89 [kΩ]
𝐼𝑝
𝑅𝑐 500
𝐴𝑐 = =
2𝑅𝑡ℎ 2(2296.89 𝑘)
= 𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟏𝟎𝟖𝟖𝟒𝟐
𝐴𝑑
𝐶𝑀𝑅𝑅𝑑𝑏 = 20 log | | = 𝟏𝟏𝟎. 𝟏𝟏𝟑
𝐴𝑐
206
En el siguiente circuito mostrado, encuentre:
a) Ganancia diferencial Ad
b) Ganancia modo comun Ac
c) CMRR
Datos: Q1,Q2,Q3,Q4: β=200, Vbe=0.7
J1: Idss=12mA, Vp=-4, rds=100kΩ
𝑉𝑔𝑠 = 0 → 𝐼𝑑 = 𝐼𝑑𝑠𝑠 = 12[𝑚𝐴]

𝐼𝑑
𝐼𝑒2 = 𝐼𝑒4 = = 6[𝑚𝐴]
2
𝐼𝑒2 𝐼𝑒4
𝐼𝑒1 = 𝐼𝑏2 = 𝐼𝑒3 = 𝐼𝑏4 = = = 29.85 [𝜇𝐴]
𝛽+1 𝛽+1
26𝑚 26𝑚
ℎ𝑖𝑒2 = ℎ𝑖𝑒4 = = = 0.871[𝑘Ω]
𝐼𝑏2 𝐼𝑏4
𝐼𝑒1 𝐼𝑒3
𝐼𝑏1 = 𝐼𝑏3 = = = 0.1485[𝜇𝐴]
𝛽+1 𝛽+1
26𝑚
ℎ𝑖𝑒1 = ℎ𝑖𝑒3 = = 175.071 [𝑘Ω]
𝐼𝑏1
207
𝑅𝑐1 𝛽 (𝛽 + 2)
𝐴𝑑 = = 1153.8
𝑟𝑒1 + (𝛽 + 1)𝑟𝑒2
𝑅𝑐1
𝐴𝑐 ≈ − = −0.05
2𝑅𝑑𝑠
𝐴𝑑
𝐶𝑀𝑅𝑅𝑑𝑏 = 20 log | | = 87.26
𝐴𝑐
En el siguiente circuito, determinar:

a) hie (Q3) y gm (Q1 y Q2)
b) Ganancia diferencial Ad
c) Ganancia modo común Ac
d) CMRR (dB)
208
Datos: Vz=5.6[V]; Vd=0.7[V]; Rd=0[Ω]
Q1,Q2: K=42 [mA/V2 ]; VT=-1.4[V]
209
12 − 𝐼𝑒 𝑅4 − 0.6 − 5.6 = 0 ; 𝐼𝐸 𝑅4 = 5.8 [𝑚𝐴] 𝐼𝑒 = (𝛽 + 1)𝐼𝑏 ; 𝐼𝑏 = 57.42 [𝜇𝐴]
𝐼𝑐 = 𝛽 𝐼𝐵 = 5.74 [𝑚𝐴]
𝐼𝑐 2
𝐼𝐷1 = 2
= 2.87 [𝑚𝐴]; 𝐼𝐷1 = 𝑘(𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑇 )
2.87 = 42(𝑉𝐺𝑆 + 1.4)2 ; 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 ; 𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑆

2.87 = 42(−𝑉𝑠 + 1.4)2
𝑉𝑠1 = 1.14
𝑉𝑠2 = 1.66
𝑔𝑚 = 2𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) = 2(42)(−1.14 + 1.1) = 𝟐𝟏. 𝟖𝟒𝒎𝒔
𝐴𝑑 = −𝑔𝑚𝑅𝑑 = −𝟖𝟕. 𝟑𝟔
210
26𝑚
ℎ𝑖𝑒 = = 𝟎. 𝟒𝟓𝟐 [𝒌Ω];
𝐼𝐵3
𝑉𝑜
𝑅𝐸 =
𝐼𝑜
𝐼𝑜 = 𝐼1 + 100𝐼𝐵3
𝐼2 = 𝐼1 + 101 𝐼𝐵3
𝑀𝑎𝑙𝑙𝑎1:
−𝐼𝐵3 (150 + 0.452) − 𝐼2 = 0
= 150.45 𝐼𝐵3 − 𝐼1 − 101 𝐼𝐵3 = 0
𝐼1 = −251.45 𝐼𝐵3
𝑉𝑜 − 𝐼1 (50) + 𝐼𝐵3 (150 + 0.452) = 0
𝑉𝑜 + 12572.5 𝐼𝐵3 + 154.45 𝐼𝐵3 = 0
𝑉𝑜 = −12726.95 𝐼𝐵3
𝐼𝑜 = −251.45 𝐼𝐵3 + 100 𝐼𝐵3
𝐼𝐵3 = 6.603𝑥10−3 𝐼𝑜
𝑉𝑜 = −12726.45 (−6.603𝑥10−3 𝐼𝑜)
𝑉𝑜
= 84.03𝐾
𝐼𝑜
211
𝑟𝑑
𝐴𝑐 = − = −23.80𝑚
2𝑅𝐸
𝐴𝑑
𝐶𝑀𝑅𝑅𝑑𝑏 = 20 log | 𝐴𝑐 | = 71.29
212
Dado el siguiente circuito amplificador diferencial:
a) Calcular el CMRR
b) Graficar Vo(t)
Datos: hfe=100, hoe=10-7 ohm, Vbe=0.7
213
𝑅6
𝑉𝑇𝐻 = −20 ( ) = −12.5
𝑅6 + 𝑅7
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅6 ||𝑅7 = 3.75[𝑘Ω]
𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 𝑅𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝑆 = 0
−12.5 − 𝐼𝐵 (3.75) − 0.7 − 101(1)𝐼𝐵 − (−20) = 0
𝐼𝐵3 = 64.91 [𝜇𝐴]
𝐼𝐶3 = 𝛽𝐼𝐵 = 6.49 [𝑚𝐴]
𝐼𝐸3 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 = 6.55[𝑚𝐴]
𝐼𝐶3
= 𝐼𝐸1 = 𝐼𝐸2 = 3.25[𝑚𝐴]
2
𝐼𝐶1 = 𝐼𝐶2 = 3.22 [𝑚𝐴]
𝛽
𝐼𝑐 = 𝐼 = 0.99𝐼𝐸
𝛽+1 𝐸
0 − 𝐼𝐵1 𝑅3 − 0.7 − 𝑉𝐸1 = 0
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
3.22𝑚 = 100𝐼𝐵
𝐼𝐵 = 32.2 [𝜇𝐴]
𝑉𝐸1 = −32.2(1) − 0.7 = −0.73[𝑉]
214
20 − 𝐼𝐶1 𝑅1 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐸1 = 0
20 − (3.22)6 + 0.7 = 𝑉𝐶𝐸1
𝑉𝐶𝐸1 = 1.41 [𝑉] = 𝑉𝐶𝐸2
𝑉𝑜𝐷𝐶 = 20 − 𝐼𝐶! 𝑅1 = 0.717[𝑉]
215
𝑀𝑎𝑙𝑙𝑎 3:
𝑉𝐶 − 𝑉𝐶𝐸3 − 𝐼𝐸3 𝑅𝑠 − (−20) = 0
𝑉𝐶𝐸3 = −0.73 − 6.55 + 20 = 12.72[𝑉]
26𝑚
ℎ𝑖𝑒1 = = 0.81 [𝑘Ω]
𝑖𝐵
𝛽 𝑅𝑐 100 6
𝐴𝑑 = = = 331.49
𝑅𝑖 + ℎ𝑖𝑒 1 + 0.81
26𝑚
ℎ𝑖𝑒3 = = 0.4 [𝑘Ω]
𝐼𝐵3
𝑉𝑜 1
𝑅𝐸 = ; = 10000 [𝑘Ω]
𝐼𝑜 ℎ𝑜𝑒
216
1) 𝐼𝑜 = ℎ𝑓𝑒 𝐼𝐵3 + 𝐼1 = 100 𝐼𝐵3 + 𝐼1
2) 𝐼2 = 𝐼𝑜 + 𝐼𝐵3 = 101 𝐼𝐵3 + 𝐼1
−𝐼𝐵3 (𝑅7 ||𝑅6 + ℎ𝑖𝑒3 ) − 𝐼2 𝑅𝑠 = 0; 𝑅7 ||𝑅6 = 3.75[𝑘Ω]
−𝐼𝐵3 (3.75 + 0.4) − (101 𝐼𝐵3 + 𝐼1 )(1) = 0
𝐼1 = 105.15 𝐼𝐵3
𝑀𝑎𝑙𝑙𝑎 2:
1
𝑉𝑜 − 𝐼1 ( ) + 𝐼𝐵3 (ℎ𝑖𝑒3 + 𝑅7 ||𝑅6 ) = 0
ℎ𝑜𝑒
𝑉𝑜 = 1000𝐼1 − 4.15 𝐼𝐵3
𝑉𝑜 = −1051504.15 𝐼𝑏3
𝐼𝑜 = 100𝐼𝐵3 − 105.15 𝐼𝐵3 = −5.15 𝐼𝐵3
𝑉𝑜
𝑅𝐸 = = 204.18 [𝑀Ω]
𝐼𝑜
𝑅𝑐
𝐴𝑐 = 𝛽 = 1.469 𝑚
𝑅𝑖 + 2𝑅𝐸
𝐴𝑑
𝐶𝑀𝑅𝑅𝑑𝑏 = 20 log (| |) = 107.06
𝐴𝑐
217
6. AMPLIFICADOR OPERACIONAL
6.1. OPAMP REAL
𝑽𝒐 −𝜟𝒗𝑹𝟏 𝑹𝒇
6.1 Demostrar que: 𝜟𝑽 = =
𝑽𝒔 𝑹𝟐𝑹𝒇+(𝑹𝟏+𝑹𝟑)(𝑹𝟐+𝑹𝒇)+ 𝜟𝒗𝑹𝟏𝑹𝟐
218
6.2. Calcular:
a) Vo/Vs.
b) Si se quitan los resistores de 1k y 3k dejando R=∞ en lugar de 1k y
3k, calcular Vo.
219
6.3. Para el amplificador mostrado, asumiendo una resistencia de
entrada infinita, una resistencia de salida cero, y una ganancia
diferencial finita:
𝑽𝒐
𝚫𝐕 = :
𝑽𝟏−𝑽𝟐
a) Obtener una expresión para la ganancia ΔVf= Vo / Vs

b) Demostrar que cuando ΔV → ∞ (en el límite), ΔVf = n+1.
220
1) Obtenga la curva de transferencia Vo vs. Vs
221
Problema No 124.
Dado el siguiente circuito, determine:
a) Vx, Vy e 𝑰𝑳 en términos de Vi
b) El intervalo de Vi para el cual son válidas las expresiones anteriores
Datos.- β=200, |VBE|= 0.7[V]; OPAMs ideales
Suponemos que Q1 esta operando en Zona Lineal.
Dado que el OPAM opera con +15V y -15V tomamos el valor de +15V, este valor
se vera reflejado en la salida del amplificador ya que tomando este valor
tendremos una caída de voltaje positiva en nuestro transistor y por consiguiente
una Ib mayor a cero.
Vo = Voltaje de salida en el transistor
222
Vo = 15V
Si Vo=15
Vi – Vo + 0.7 > 0
Vi > 14.3
Opam 1: Comparador
𝑉1+ = 𝑉𝑖
𝑉1− = 𝑉𝑜 − 𝑉𝑏𝑒
𝑉1− = 𝑉𝑜 − 0.7
𝑉1+ − 𝑉1− = ∆𝑉
∆𝑉 > 0 𝑒𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝑉𝑜 = 15
∆𝑉 < 0 𝑒𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝑉𝑜 = −15
𝑉𝑖 − 𝑉𝑜 + 0.7 = ∆𝑉
15 − 𝑉𝑥 = 1𝑘(𝐼𝑒𝑄1 )
200 𝑉𝑖
𝑉𝑥 = 15 − 1𝑘 ∗ ∗
201 1𝑘
𝑽𝒙 = 𝟏𝟓 − 𝟎. 𝟗𝟗𝟓 𝑽𝒊
0≤Vi≤7.6 V
223
Opam 2: Asumiéndolo en Zona Lineal
𝑉2+ − 𝑉2− = 0
𝑉2+ = 𝑉2−
𝑉𝑦 = 𝑉𝑥
𝑽𝒚 = 𝟏𝟓 − 𝟎. 𝟗𝟗𝟓 𝑽𝒊
15 − 𝑉𝑦
= 𝐼𝑒
1𝑘
𝛽
𝐼𝑐 = 𝐼𝑒
𝛽+1
200 15 − 𝑉𝑦
𝐼𝑐 = 𝐼𝐿 = ∗
201 1𝑘
(15 − 15 + 0.995)
𝐼𝐿 = 0.995 ∗
1𝑘
𝑰𝑳 = 𝟎. 𝟗𝟗𝑽𝒊
224
Problema No 125.
Obtener Vx y Vz en función de Vi. Asuma que Vi=Sen (2𝝅60t).
Datos.- R1=R3=R4=R5=R6=R8=R9; R2=2R1; R7=2R1
𝑉𝑥 = 2.5 − 0.5𝑉𝑖
a) {
𝑉𝑜 = 0.5𝑉𝑖 + 5 − 7.5𝑉𝑖 + 75
𝑉𝑥 = 3.5 − 1.5𝑉𝑖
b) {
𝑉𝑜 = 0.5𝑉𝑖 + 5 − 7.5𝑉𝑖 + 75
𝑉𝑥 = −0.5 + 0.5𝑉𝑖
c) {
𝑉𝑜 = 0.5𝑉𝑖 + 5 − 7.5𝑉𝑖 + 75
𝑉𝑥 = 3.5 − 1.5𝑉𝑖
d) {
𝑉𝑜 = −0.5𝑉𝑖 − 5 + 7.5𝑉𝑖 + 75
225
OPAMP 1: ZONA LINEAL
𝑣1+ = 𝑣1−
5= 𝑣1−
𝑉𝑜1 − 𝑣1−
= 𝑖𝑥
2𝑅1
𝑉𝑜1 − 𝑣1−
= 𝑖𝑦
2𝑅1
𝑉𝑖 − 𝑣1−
=𝑖
𝑅1
𝑖 = - (ix + iy)
𝑉𝑖−𝑉1− (𝑉𝑜1−𝑉1−)
𝑅1
=- 𝑅1
Vi = -(Vo1-𝑉1− + 𝑉1− )
Vi = -Vo1
𝑉𝑖−𝑉𝑥 (𝑉𝑥−𝑉1−)
=-
𝑅1 𝑅1
Vo1 = 2Vx -𝑉1−

Vi = - (2Vx -𝑉1− )
Vx = -0.5Vi + 0.5 𝑉1−
Vx= 2.5 - 0.5Vi
OPAMP 2: ZONA LINEAL
𝑣2+ = 𝑣2−
Vo1= 𝑣2−
𝑉𝑠−𝑉2− (𝑉2− −0)
=
2𝑅1 𝑅1
Vs= 3 𝑉2−
𝑉𝑜−𝑉𝑠 𝑉𝑠 (𝑉𝑠+𝑉2−)
= +
𝑅1 𝑅1 2𝑅1
Vo - 3 𝑉2− = 3 𝑉2− + 𝑉2−

Vo = 7 𝑉2− = 7 Vo1
Vo= - 7Vi
226
Problema No 126.
𝟏
Diseñe un OPAMP que cumpla con: 𝑽𝒐 = −𝟐(𝑽𝟏 − 𝟑 𝑽𝟐)
R12=2 R11, Gráfico es la respuesta.
227
Problema No 127.
Obtener Vo en función de Vi.
Vo
Datos.- R2=R4=R7=10R1; R6=R5=2R1; R3=R8
20
a) Vo=21Vi
20
b) Vo=− 21Vi
21
c) Vo=20Vi
21
d) Vo=− 20Vi
228
𝑉𝑜1 − 𝑉1− 𝑉𝑖 − 𝑉1−
= −
10𝑅1 𝑅1
𝑉𝑜1 − 𝑉1− = 10𝑉𝑖 + 10 𝑉1−
𝑉𝑜1 = −10𝑉𝑖 + 11𝑉1−
𝑉1+ = 𝑉𝑜
𝑉𝑜 − 𝑉2− 𝑉2−
=
2𝑅1 2𝑅1
𝑉𝑜 = 2𝑉2−
𝑉2+ = 𝑉𝑜1
𝑉2+ = 𝑉2−
𝑉𝑜
𝑉𝑜1 =
2
𝑉1+ = 𝑉1−
𝑉𝑜1 = −10𝑉𝑖 + 11 𝑉𝑜
𝑉𝑜
𝑉𝑜1 = = 10𝑉𝑖 + 11 𝑉𝑜
2
𝑉𝑜
10𝑉𝑖 = 11𝑉𝑜 −
2
21
𝑉𝑖 = 𝑉𝑜
20
20
𝑉𝑜 = 𝑉𝑖
21
229
Problema No 128.
En el siguiente circuito con amplificadores operacionales, determine la
expresión de V1(t).
a) V1 = −2 ∫ Vi1 dτ
b) 𝑽𝟏 = −𝟎. 𝟓 ∫ 𝑽𝒊𝟏 𝒅𝝉
c) 𝑉1 = 0.5 ∫ 𝑉𝑖1 𝑑𝜏
𝑑𝑉𝑖1
d) 𝑉1 = −0.5 𝑑𝜏
Circuito Integrador
𝑣+ = 𝑣− = 0
𝑉1−0
1 = - 𝑉𝑖𝑅 ; V1 = - 𝑆𝑅1𝐶1
𝑉𝑖
𝐶1𝑆
1 1
V1(t) = - 𝑅1𝐶1
∫ 𝑉𝑖 (𝑡)𝑑𝑡; V1(t) = -
2
∫ Vi (t)dt
V1(t) = - 𝟎. 𝟓 ∫ 𝐕𝐢 (𝐭)𝐝𝐭
230
Problema No 129.
En el siguiente circuito con amplificadores operacionales, determine la
expresión de V2(t).
1
a) 𝑉2 = −3𝑉1 − 2 𝑉𝑖2
𝒅𝑽𝟏 𝟏
b) 𝑽𝟐 = −𝟑 𝒅𝝉
− 𝟐 𝑽𝒊𝟐
𝑑𝑉1 1
c) 𝑉2 = +3 𝑑𝜏
− 2 𝑉𝑖2
𝑑𝑉𝑖2
d) 𝑉2 = −3𝑉1 − 𝑑𝜏
𝑉𝑖
V1 =- 𝑆𝑅1𝐶1
Expresión del ejercicio 5
𝑣+ = 𝑣− = 0
𝑉2 𝑉𝑖2 𝑉1
=- ( + 1 )
𝑅2 𝑅3
𝐶2𝑆
𝑉2 𝑉𝑖2 𝑉𝑖1
− 𝑅2
= − 𝑅3
+ SC2 V1 ; V1 = − 𝑆𝐶1𝑅1
𝑅2𝐶2 𝑅2
V2 = − 𝐶1𝑅1
Vi − 𝑅3
Vi2
3 30
V2 = − 2
Vi − 60
Vi2
V2 = -1.5 Vi – 0.5 Vi2
Problema No 130.
231
En el siguiente circuito con amplificadores operacionales, determine el
mínimo valor que toma Vo(t), dado las Vi1 y Vi2.
a) -15[V]
b) -6[V]
c) -10[V]
d) -9[V]
𝑉𝑖1 − 𝑉 − 𝑉1+
= ; 𝑅6 = 𝑅7 = 𝑅5 = 𝑅4
𝑅6 𝑅7
𝑉𝑖1 = 2𝑉 +
𝑉2 − 𝑉 − 𝑉𝑜 − 𝑉 −
= −
𝑅5 𝑅4
𝑉2 = −𝑉𝑜 + 2𝑉 −
𝑉+ = 𝑉−
𝑉2 = −𝑉𝑜 + 𝑉𝑖1
𝑉𝑜 = 𝑉𝑖1 − 𝑉2
𝑉𝑜 = 𝑉𝑖1 − (−1.5𝑉𝑖1 − 0.5 𝑉𝑖2)
𝑉𝑜 = 2.5𝑉𝑖1 + 0.5𝑉𝑖2
Valor mínimo: observando las gráficas dadas (valores picos) tomamos el valor de
Vi2 (por ser negativo) y el máximo de Vi1 (por ser positivo)
232
Vo = (2.5)(6) + 0.5 (-12) = 15-6
Vo =9V
233
Problema No 131.
En el siguiente circuito, determine la expresión que relaciona a Vi con I.
𝟏
a) 𝐑
1
b) R1
1
c) 1 + R1+R2
1
d) - R
234
Problema No132.
En el siguiente circuito, determine la salida Vo en términos de Vi.
𝐙
a) 𝟐 𝐑
Z
b) 2 R1
Z
c) 1 + 2 R
Z
d) −2 R
235
Al tener realimentación negativa, se asume que el circuito opera en la zona
activa:
𝑉𝑖− 𝑉 − 𝑉𝑜− 𝑉 − 𝑉−
+ =
𝑅 𝑅 𝑍
−𝑉 + 𝑉 + − 𝑉𝑜
=
𝑅1 𝑅1
𝑉 + = 0.5 Vo
𝑉𝑖 𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝑉𝑜
- + - =
𝑅 2𝑅 𝑅 2𝑅 2𝑍
𝑉𝑖 1
𝑅
=Vo ( 2Z
)
𝑉𝑜 2𝑍
=
𝑉𝑖 𝑅
236
Problema No 133.
En el siguiente circuito, considere V1=8 Sen (wt) [V], Vcc=15V.
Determine Va, Vb, Vc.
R2 R4
Va Vb
10k 20k
R3 30k
-Vcc Vc
lm741
R1 4
2 V- 5
-
50k
6
V1 3 1
+ 7
U1 V+
+Vcc
a) Va= 0[Vp], Vb= 8/5[Vp], Vc= -88/15 [Vp]

b) Va= 8[Vp], Vb= -8/5[Vp], Vc= -88/15 [Vp]
c) Va= 0[Vp], Vb= -8/5[Vp], Vc= -88/15 [Vp]
d) Va= 0[Vp], Vb= 8/5[Vp], Vc= 88/15 [Vp]
𝑉1 − 0 0 − 𝑉𝑏
=
𝑅1 𝑅1
𝑉1 −𝑉𝑏
=
𝑅1 𝑅1
8 −𝑉𝑏
=
50 10
8
𝑉𝑏 = −
5
0 − 𝑉𝑏 𝑉𝑏 − 0 𝑉𝑏 − 𝑉𝑐
= +
𝑅2 𝑅3 𝑅4
−𝑉𝑏 𝑉𝑏 𝑉𝑏 −𝑉𝑐
= + +
𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅4
−𝑉𝑏 𝑉𝑏 𝑉𝑏 −𝑉𝑐
= + +
10 30 20 20
𝑉𝑐 1 1
= 𝑉𝑏 (1 + + )
2 3 2
𝑉𝑐 11
= 𝑉𝑏
2 3
𝑉𝑐 11 8
= ∗ −
2 3 5
237
88
𝑉𝑐 = −
15
Va =0
238
Problema No 134.
En el siguiente circuito, determine el mínimo valor que toma Va(t).
Considere Vcc=15V
C1
20uF
+6v R3 D1
Diodo ideal
-Vcc
40k
lm741
R1 -Vcc
2 4 5 Vo
Vs -
V- R4 lm741
50k Va
6 2 4 5
-
20k V-
3 1 6
+
U2
7 3 1
V+ +
+Vcc
R2 50k U3
7
V+
+Vcc
Vs(V)
t(s)
1 3
a) -15[V]
b) -4[V]
c) -0[V]
d) -8[V]
𝑉𝑠 − 0 0 − 𝑉𝑎
=
50𝑘 1/𝑠𝐶1
𝑉1
= −𝑉𝑎 𝑠𝐶1
50𝑘
𝑉𝑠
𝑉𝑎 = −
50𝑘 ∗ 20𝑢 ∗ 𝑠
𝑉𝑠
𝑉𝑎 = − ∶ 𝐼𝑛𝑡𝑒𝑔𝑟𝑎𝑑𝑜𝑟
𝑠
𝑉𝑎 = ∫ 𝑉𝑠 (𝑡)𝑑𝑡
Va = -8 V
Problema No 135.
239
En el siguiente circuito con amplificadores operacionales, determine el
mínimo valor que toma Vo(t). Considere Vcc=15V
C1
20uF
+6v R3 D1
Diodo ideal
-Vcc
40k
lm741
R1 -Vcc
2 4 5 Vo
Vs -
V- R4 lm741
50k Va
6 2 4 5
-
20k V-
3 1 6
+
U2
7 3 1
V+ +
R2 50k +Vcc U3
7
V+
+Vcc
Vs(V)
a) 4[V]
b) 2[V] 4
c) 0[V] 1 3
t(s)
d) -2[V]
240
Problema No 137.
Dadas las gráficas de Va, Vb y Vc, grafique Vo1 y Vo2.
+15v
R1
2 Etapa 2
-
200k
C1 Vo1
VA +15v R11
+12v 3
10uF +
11k
- Etapa 1 R10 1k
R2 R7
-15v
VB
Vx
100k 5k
+
R6
-15v
C2
10k
20uF
+15v
+15v
Etapa 4
R3 -
Etapa 3
VC - Vo2
R8
50k
R4 Vy +
5k
+12v + R9
10k -15v
10k
R5
2k
-15v
241
242

Electronica II Problemas Resueltos y Propuestos 7 1 1 PDF

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ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL

FACULTAD DE INGENIERA EN ELECTRICIDAD Y COMPUTACION

ELECTRÓNICA II: PROBLEMAS

PROFESOR: ING. GÓMER RUBIO ROLDÁN

1. POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT Y FETs ................................................. 3

2. AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL CON BJT Y FETs ............................... 43

3. RESPUESTA DE FRECUENCIA ............................................................................... 82

4. AMPLIFICADORES DE POTENCIA....................................................................... 145

4.1. AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A ............................................................ 145

4.2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE B ............................................................ 167

5. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL ............................................................................ 189

6. AMPLIFICADOR OPERACIONAL .......................................................................... 218

6.1. OPAMP REAL ........................................................................................................ 218

Problema No. 1.1

Como G y S están cortocircuitados: 𝑉𝐺𝑆2 = 0𝑉

2.5 – VGS1 = 10 + 5 VGS1 + 0.625VGS1²

−6 ± (62 − (4 ∗ 0.625 ∗ 7.5))½

VGS1a = -8.123V VGS1b = -1.477V

0 < | VGS1| < | Vp1| 0 < 1.477 < 4 VGS1= -1.477V

ID1= 2.5– VGS1 ID1= 2.5 + 1.477 ID1 = 3.977mA

IX = ID1 + ID2 Ix = 5 + 3.97 Ix = 8.97mA

POR MALLA: 18 – ID1 – VDS1 – Ix*1 = 0

18 – 3.977 – 8.97*1 = VDS1 VDS1 = 5.05V

VDS1sat = 4V VDS1 no está saturado

VDS1 + 1* ID1 = VDS2 + ID2*0.5

5.05 + 3.977 = VDS2 + 5*0.5

5.05 + 3.977 – 5*0.5 = VDS2

VG3 = VDS2 + ID2*0.5

VG3 = 6.527 + 5*0.5

VGS3 = VG3 – VS3 VGS3 = 9.027 V

ID3 = k*(VGS3 – Vt)² ID3 = 0.3*(9.027 – 2)²

Datos: Q1:IDSS1 = 8mA, VP = -4V;

VGS2 = VG2 – VS2

ID2 = ID2 = 2mA

VGS1 = VG1 – VS1 VS1 = VDS2

2mA = 8mA*(1 + 0.25* VGS1)² 2 = 8*(1 + 0.5 VGS1 + 0.0625

Q2: VDS2 = 2V; Id2 = 2mA; VGS2 = 0V

POR MALLA: VDD - VDS1 – VDS2 = 0

VGS3 = VG3 – VS3 VGS3 = VDS2 - 0

ID3 = 8*(1.5)² ID3 = 18mA

Q1: Q2: Q3:

El transistor Q1 está saturado ya que 𝑉𝐷𝑆 debe ser (+) en el MOSFET de

𝑉𝐺𝑆 = 19.3 − 505𝑘𝐼𝐷 = 2.635𝑉

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8𝑚𝐴 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 2𝑚𝐴 Q3:[𝑉𝑏𝑒 = 0.7𝑣 ; 𝛽 = 200]

Reemplazando en las ecuaciones:

2mA = 8mA + 4 VGS1 + 0.5 VGS12

IE3 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵3 Vo1 = 1.5K(1.80𝑛𝐴)

Datos: MOSFET: ID=5 mA, Vp=3 V BJT: =100

El circuito equivalente quedara así:

𝑉𝐺𝑆 = 20 − (20 − 1𝐼𝑟2 )

𝑉𝐺𝑆 = 3.24 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 2.78 𝑉

Datos: IDSS=10mA, Vp= -4V =50

24 − 6.2𝐼𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 1.5𝐼𝐷 = 0

24 − 6.2(1.6) − 1.5(1.6) = 𝑉𝐷𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 24 − 9.42 − 2.4

PQ : (ID =1.6mA, VDS=11.68 V)

24 − 1(51)𝐼𝐵 − 0.7 − 300𝐼𝐵 = 0

24 − 𝑉𝑟1𝑘 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑟4𝑘 = 0 𝑉𝐶𝐸 = 0

En análisis DC se abren los capacitores y redibujando el circuito se obtiene lo

𝐼𝑐 = 180(𝐼𝐷 − 0.35) = 180𝐼𝐷 − 63

Igualando las ecuaciones se obtiene lo siguiente:

0 = 9.6438 + 4.0055𝑉𝐺𝑆 + 0.4𝑉𝐺𝑆 2

Resolviendo la ecuación general se obtiene:

ID3 = k(VGS3 – Vt)² ID3 = 0.3(9.027 – 2)²

2mA = 8mA(1 + 0.25 VGS1)² 2 = 8*(1 + 0.5 VGS1 + 0.0625