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Solución
1. Hallamos VGS
VGS = VG – VS
Vs=0V, VG=0V
VGS=0V
2. Comparamos VGS con Vt: 0V< 1V. El MOSFET está en corte
Rpta: IDQ=0A,
VDSQ=0V.
1. Hallamos VGS
VGS = VG – VS
Vs=0V, VG=2.5V
VGS=2.5V
2. Comparamos VGS con Vt: 2.5V> 1V.
3. El MOSFET está en la zona saturación o en la zona óhmica.
4. Suponemos que está en la zona saturación
Calculamos 𝐼𝐷
𝑚𝐴
𝐼𝐷 = 2 2 (2.5 − 1)2
𝑉
𝐼𝐷 = 4.5𝑚𝐴
5. Hallamos VDS
𝑉𝐷𝑆 = 5𝑉 − (4.5𝑚𝐴)(2𝑘Ω)
𝑉𝐷𝑆 = −4𝑉
El resultado es ilógico porque el voltaje en la resistencia de 2KΩ es 9V y el VDD
es 5V.
6. Para comprobar VDS con VG-Vt, -4V< 2.5V-1V. Por lo tanto se encuentra en
la zona óhmica.
7. Hallamos ID en la zona óhmica:
𝑚𝐴
𝐼𝐷 = 2 2 [2(2.5𝑉 − 1𝑉)𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 2 ] primera ecuación
𝑉
10. Comprobamos que el otro resultado es errado. 2.8> 2.5𝑉 − 1𝑉 esto indica
que está en la zona de saturación y por pasos anteriores se ha demostrado que
no se encuentra en la zona de saturación si no en la zona óhmica
Rpta: IDQ=2.28mA
VDSQ=0.44V