UNIVERSIDAD AUTONOMA DE NUEVO LEN

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

Materia: Diseo de Sistemas Electrnicos de Potencia
M.C. Ovidio A. Ochoa Ochoa
Hora: V1-V3
Saln: Elec1
Actividad 5
Tiristores y Optoacopladores

Alumno: Javier de Jess Flores Cruz.

Matrcula: 1517671
Carrera: IMTC
Correo: javier.florescrz@uanl.edu.mx

TIPOS DE TIRISTORES
La corriente andica requiere un tiempo finito para propagarse hasta toda el
rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta, cuando se inicia la
seal de compuerta para encender el tiristor. Los fabricantes usan diversas
estructuras de compuerta para controlar la di/dt, el tiempo de encendido y el
tiempo de apagado. Los tiristores pueden encenderse con facilidad con un
impulso corto. Para apagarlos, requieren circuitos especiales de control, o
estructuras internas especiales para auxiliar en el proceso de apaga- do. Hay
varias versiones de tiristores con capacidad de apagado, y el objetivo de todo
dispositivo nuevo es mejorar la posibilidad de apagado. Con el advenimiento de
nuevos dispositivos con posibilidades tanto de encender como de apagar, el
dispositivo que slo tiene posibilidad de encender se llama "tiristor
convencional" o slo "tiristor". Otros miembros de la familia de tiristor, o
rectifica- dores controlados de silicio (SCR, de silicon-controlled rectifier) han
adquirido otros nombres, basados en acrnirnos. Dependiendo de la
construccin fsica y el comportamiento en el encendido y el apagado, se
pueden clasificar los tiristores, en forma amplia, en 13 categoras:

Tiristores controlados por fase

Esta clase de tiristores suele funcionar a la frecuencia de lnea, y se apagan
por conmutacin natural. Un tiristor inicia la conduccin en sentido directo,
cuando se aplica un pulso de disparo de corriente de la compuerta al ctodo, y
se llega y se mantiene con rapidez a la conduccin total, con una cada
pequea de voltaje en sentido directo. No puede hacer que su corriente regrese
a cero mediante una seal en su compuerta; en lugar de ello, se basa en el
comportamiento natural del circuito para que la corriente llegue a cero. Cuando
la corriente andica baja a cero, el tiristor recupera su capacidad en unas
pocas decenas de microsegundos de voltaje de bloqueo en sentido inverso, y
puede bloquear la corriente en sentido directo hasta que se aplique el siguiente
pulso de encendido. El tiempo de apagado t q es del orden de 50 a 100 S.
Es ms adecuado para aplicaciones con conmutacin de baja velocidad, y
tambin se le llama tiristor convertidor. Como un tiristor es bsicamente un
dispositivo controlado hecho de silicio, tambin se le llama rectificador
controlado de silicio (SCR). El voltaje V t en estado de encendido vara,
normalmente desde unos 1.15V para 600 V hasta 2.5 V para dispositivos de
4000 V, Y para un tiristor de 1200 V, 5500 A, ese voltaje suele ser 1.25V. Los
tiristores modernos usan una compuerta amplificadora donde se controla el
encendido de un tiristor auxiliar TA mediante una seal de compuerta, y a
continuacin la salida amplificada de TA se aplica como seal de compuerta al
tiristor principal TM' La compuerta amplificadora permite tener unas
caractersticas dinmicas altas con tasas dv/dt tpicas de 1000 V/S y tasas
di/dt de 500 A/S, y simplifica el diseo del circuito porque reduce o minimiza el
inductor limitador de la tasa di/dt y los circuitos de proteccin contra la tasa
dv/dt.

 BCT
El BCT es un concepto nuevo para control por fase con alta potencia. Es un
dispositivo nico que combina las ventajas de tener dos tiristores en un
encapsulado, permitiendo disear equipos ms compactos, simplificando el
sistema de enfriamiento y aumentando la fiabilidad del sistema.

Son adecuados en aplicaciones tales como compensadores estticos de voltamperes reactivos (VAR), interruptores estticos, arrancad ores suaves y
controles de motor. La especificacin mxima de voltaje puede ser hasta de 6.5
kV a 1.8 kA, Y la especificacin mxima de corriente puede ser hasta 3 kA a 1.8
kV. El comportamiento elctrico de un BCT corresponde al de dos tiristores en
antiparalelo, integrados en una oblea de silicio. Cada mitad de tiristor funciona
como el tiristor de oblea completa correspondiente, con respecto a sus
propiedades estticas y dinmicas. La oblea del BCT tiene regiones andicas y
catdicas en cada cara. Los tiristores A y B se identifican en la oblea con las
letras A y B, respectivamente. El dispositivo debe tener una gran uniformidad
entre las dos mitades, respecto a parmetros de dispositivo como carga de
recuperacin inversa y cadas de voltaje en estado de encendido.
Encendido y apagado. Un BCT tiene dos compuertas: una para encender e
iniciar el flujo de la corriente en sentido directo, y una para corriente en sentido
inverso. Este tiristor enciende con un pulso de corriente a una de sus
compuertas. Se desactiva si la corriente andica baja del valor de la corriente
de detencin, por el comportamiento natural del voltaje o la corriente.

Tiristores de conmutacin rpida

Se usan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad, con conmutacin

forzada Tienen un tiempo corto de apagado, por lo general de 5 a 50 S,
dependiendo del intervalo de voltaje. La cada de voltaje en estado de
encendido vara, aproximadamente en funcin inversa del tiempo de encendido
t q . A esta clase de tiristor tambin se le llama tiristor inversor. Estos tiristores
tienen alta tasa dv/dt, normalmente de 1000 V/S, y tasa di/dt de 1000 A/S. El
apagado rpido y la alta di/dt son muy importantes para reducir el tamao y el
peso de los componentes de conmutacin o del circuito reactivo. El voltaje en
estado de encendido, de un tiristor de 1800 V - 2,200 A suele ser de 1.7 V. Los
tiristores inversores, con posibilidades muy limitadas de bloqueo en sentido
inverso, normalmente de 10 V Y que tienen un tiempo de apagado muy corto,
de 3 a 5 s, se llaman tiristores asimtricos (ASCRS).

LASCR
Este dispositivo enciende por irradiacin directa, con luz, de la oblea de silicio.
Los pares electrn-hueco que crea la radiacin producen la corriente de
disparo, bajo la influencia del campo elctrico. La estructura de la compuerta se
disea para proporcionar la sensibilidad suficiente para hacer la activacin con
fuentes luminosas normales y para obtener grandes capacidades de las tasas
di/dt y dv/dt. Los LASCR se usan en aplicaciones de alto voltaje y gran
corriente, por ejemplo HVDC, transmisin y compensacin de potencia o VAR
reactivos. Un LASCR ofrece un aislamiento elctrico completo entre la fuente
luminosa de activacin y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de
potencia, que flota a un potencial hasta de algunos pocos kilovolts. La
especificacin de voltaje de un LASCR podra llegar a 4 kV a 1500 A, con
potencia de la luz de activacin menor a 100 mW. La di/dt normal es 250 A/ms
y la dv/dt podra ser hasta de 2000 V/s.

Tiristores de trodo bidireccional

Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y se usa normalmente para
control por fase. Se puede considerar como dos SCR conectados en
antiparalelo con una conexin de compuerta comn. Como un TRIAC es un
dispositivo bidireccional, no se puede decir que sus terminales sean nodo y

ctodo. Si la terminal

MT 2 es positiva con respecto a la terminal MT 1 , el

TRIAC se puede encender aplicando una seal positiva entre la compuerta G y

la terminal MT 1 . Si la terminal MT 2 es negativa con respecto a la terminal
MT 1 , se enciende aplicando una seal negativa entre la compuerta G y la
terminal

MT 1 . No es necesario tener las dos polaridades de seal de

compuerta, y un TRIAC se puede encender con una seal de compuerta que

puede ser positiva o negativa.

RCT
En muchos circuitos de convertidor e inversor se conecta un diodo antiparalelo
a travs de un SCR para permitir un flujo de corriente en sentido inverso,
causada por carga inductiva, y para mejorar los requisitos de apagado del
circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo en sentido inverso
del SCR en 1 o 2 V bajo condiciones de estado estable. Sin embargo, bajo
condiciones transitorias el voltaje puede subir hasta 30 V debido a voltaje
inducido en la inductancia parsita del circuito, en el interior del dispositivo. Un
RCT es un compromiso entre las caractersticas del dispositivo y los requisitos
del circuito; se puede considerar como un tiristor con un diodo antiparalelo
incorporado.
AI RCT tambin se le llama ASCR, o tiristor asimtrico. El voltaje de bloqueo en
sentido directo vara de 400 a 2000 V, Y la especificacin de corriente va hasta
500 A. El voltaje tpico de bloqueo en sentido inverso es de 30 a 40 V. Como la
relacin de corriente en sentido directo a travs del tiristor, entre la corriente en
sentido inverso de un diodo est fija para determinado dispositivo, sus
aplicaciones se limitan a diseos de circuitos especficos.

GTO
Como un SCR, un GTO se puede encender aplicando una seal positiva a la
compuerta. Sin embargo, el GTO puede abrirse con una seal negativa de

compuerta. Un GTO es un dispositivo que no retiene, y se puede construir con

especificaciones de corriente y voltaje parecidas a las de un SCR. Un GTO se
enciende aplicando un pulso positivo corto, y se apaga con un pulso negativo
corto a su compuerta. Los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los SCR:
1) eliminacin de componentes de conmutacin, en la conmutacin forzada,
que dan como resultado una reduccin de costo, peso y volumen; 2) reduccin
de ruido acstico y electromagntico, por la eliminacin de reactores de
conmutacin; 3) apagado ms rpido que permite altas frecuencias de
conmutacin, y 4) mejor eficiencia de convertidores. En aplicaciones con baja
potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los transistores
bipolares: 1) mayor especificacin de voltaje de bloqueo, 2) alta relacin de
corriente pico controlable a corriente promedio; 3) alta relacin de pico de
corriente de sobrecarga entre corriente promedio, normalmente de 10:1;4) alta
ganancia en estado encendido (corriente andica y corriente de compuerta);
600 en forma tpica, y 5) una seal pulsada de compuerta de corta du- racin.
Bajo condiciones de inundacin sobrecarga, un GTO entra en mayor saturacin
debido a la accin regenerativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a
salir de la saturacin. Al igual que un tiristor, un GTO es un dispositivo con
retencin, pero tambin es un dispositivo que es posible apagar.

FET-CTH
Un dispositivo FET-CTH combina en paralelo a un MOSFET y un tiristor. Si se
aplica el voltaje suficiente a la compuerta del MOSFET, normalmente 3 V, se
genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene alta
velocidad de conmutacin, altas tasas di/dt; dv/dt. Este dispositivo puede
encenderse como los tiristores convencionales, pero no puede apagarse
mediante control de compuerta. Esto tiene aplicaciones cuando se debe usar
disparo ptico para dar aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de
control, y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

 MTO
El MTO fue desarrollado por Silicon Power Company (SPCO). Es una
combinacin de un GTO y un MOSFET, que juntos superan las limitaciones de
capacidad de apagado del GTO. El inconveniente principal de los GTO es que
requieren un circuito de encendido con grandes pulsos de corriente, para la
compuerta de baja impedancia. El circuito de la compuerta debe proporcionar
la corriente de apagado de compuerta, cuya amplitud pico tpica es 35% de la
corriente que se va a controlar. El MTO proporciona la misma funcionalidad que
el GTO, pero usa un control de compuerta que debe suministrar slo el voltaje
de nivel de seal necesario para encender y apagar los transistores MOS. Su
estructura es parecida a la de un GTO, y conserva las ventajas de los GTO de
alto voltaje (hasta 10 kV) Y gran corriente (hasta 4000 A). Los MTO se pueden
usar en aplicaciones de gran potencia, desde 1 a 20 MVA.

ETO
El ETO es un dispositivo hbrido de MOS y GTO en el que se combinan las
ventajas del GTO y del MOSFET. El ETO fue inventado en el Virginia Power
Electronics Center, en colaboracin con SPCO. El smbolo del ETO, su circuito
equivalente y la estructura pn se ven en la Un ETO tiene dos compuertas: una
normal, para encenderlo, y una con un MOSFST en serie, para apagarlo. Se
han demostrado ETO de alta potencia, con especificaciones de corriente hasta
de 4 kA Y de voltaje hasta de 6 kV.

lGCT

En el IGCT se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un

activador de compuerta en tarjeta de circuito impreso multicapa. El CGT es un
GTO de conmutacin permanente, con un pulso de corriente de compuerta
muy rpido y grande, tan grande como la corriente total especificada, que toma
toda la corriente del ctodo y la lleva a la compuerta aproximadamente en 1
S, para asegurar un apagado rpido. ste tambin puede tener un diodo
inverso integrado, indicado por la unin n+ n- p del lado derecho. En forma
similar a un GTO, MTO y ETO, la capa de acoplamiento n" distribuye el
esfuerzo dielctrico a travs de la capa n-, reduce el espesor de esa capa,
disminuye las prdidas por conduccin en estado de encendido, y hace que el
dispositivo sea asimtrico. La capa p del nodo se fabrica delgada y
ligeramente dopada, para permitir una remocin ms rpida de cargas, del lado
del nodo, durante el apagado.

MCT
En un MCT se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro
capas, y una estructura de compuerta de MOS. Como el IGBT, combina las
ventajas de las estructuras bipolares de unin con las de efecto de campo, y es
una mejora respecto a un tiristor con un par de MOSFET que lo enciendan y
apaguen. Aunque hay varios dispositivos en la familia del MCT con
combinaciones distintas de estructuras de canal y de compuerta, el MCT del
canal p se menciona mucho en las publicaciones. La estructura NPNP se
puede representar con un transistor NPN Q1, y un transistor PNP Q2' La
estructura de compuerta de MOS se puede representar con un MOSFET MI de
canal p, y un MOSFET M2 de canal n. Debido a que la estructura es NPNP, y
no es la estructura PNPN de un SCR normal, el nodo sirve como terminal de
referencia, con respecto a la cual se aplican todas las seales de compuerta.
Supongamos que el MCT est en su estado de bloqueo en sentido directo, y se
aplica un voltaje VGA negativo. Se forma un canal p (o una capa de inversin)
en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente, desde el
emisor p E2 de Q2 (S} de fuente, de MOSFET M] de canal p), por el canal p
hasta la base B1 p de Q1 (drenaje DI del MOSFET MI de canal p). Este flujo de
huecos es la corriente de base para el transistor NPN Q1' El emisor n+ El de

Q1 inyecta entonces electrones que alcanzan la base n B2 (y el colector n C1),

lo cual hace que el emisor p de E2 inyecte huecos en la base n B1, de modo
que el transistor PNP Q2 se activa y retiene al MCT. En resumen, una voltaje
de compuerta VGA negativo activa el MOSFET MI de canal p y con ello
proporciona la corriente de base para el transistor Q2' Supongamos que el
MCT est en su estado de conduccin, y que se aplica un voltaje positivo VGA'
Se forma un canal n en el material p dopado, y hace que los electrones pasen
lateralmente de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 de canal n), a
travs del canal n hacia el emisor ',muy dopado, E2 de Q2 (drenaje D2 del
MOSFET M2 de canal n). Este flujo de electrones desva a la corriente de la
base del transistor PNP Q2, de tal modo que se apaga su unin de base y
emisor, y no quedan disponibles huecos para ser recolectados por la base BI p
de QI (y por el colector C2 de Q2)' La eliminacin de esta corriente de huecos
en la base p B1 hace que se apague el transistor NPN Q1 y el MCT regresa a
su estado de bloqueo. En resumen, un pulso positivo VGA en la compuerta,
desva la corriente que enciende a la base de Q1 y con ello apaga al MCT.

SITH
El SITH, llamado tambin diodo controlado-limado (FCD, de filed-controlled
diode) fue intro- ducido por Teszner en la dcada de 1960. Un SITH es un
dispositivo de portadores minoritarios. En consecuencia, tiene baja resistencia
o cada de voltaje en estado activo, y se puede fabricar con mayores
especificaciones de voltaje y corriente. Tiene grandes velocidades de conmutacin y mayores capacidades de las tasas dv/dt y di/dt. El tiempo de
conmutacin es del orden de 1 a 6 S. La especificacin de voltaje puede
llegar hasta a 2500 V,Y la de corriente se limita a 500 A. Este dispositivo tiene
una sensibilidad extremadamente alta al proceso, y pequeas perturbaciones
en su manufactura producen grandes cambios en sus caractersticas. Con la
llegada de la tecnologa SiC se ha fabricado un SITH 4H- SiC con voltaje de
bloqueo en sentido directo de 300 V.

Tipos de Optoacopladores
Los Optoacopladores tienen un acoplamiento ptico y, al mismo tiempo, un
aislamiento elctrico. Por ello tambin se les conoce como
OPTOAISLADORES. El acoplamiento se efecta en el rango del espectro infrarojo a partir de dispositivos emisores de luz, usualmente IRED (infra-rojo) LEDs
(diodos emisores de luz), actuando como emisores y utilizando dispositivos
detectores de luz (optodetectores), actuando como receptores .

Fototransstor. Se compone de un optoacoplador con una etapa de salida

formada por un transistor BJT.

Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada

por un triac.

Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se

encuentra un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero
conmuta al triac slo en los cruce por cero de la corriente alterna.

Optotiristor: Diseado para aplicaciones donde sea preciso un aislamiento

entre una seal lgica y la red.