Objetivo

*Conocer los distintos dispositivos de electrnica de potencia que existen , conocer su

funcionalidad as mismo como las aplicaciones que tienen .

Marco Terico:
La Electrnica de Potencia se utiliza para diferenciar el tipo de aplicacin que se los da a
dispositivos electrnicos, en este caso para transformar y controlar voltajes y corrientes de
niveles significativos. Se diferencia as este tipo de aplicacin de otras de la electrnica
denominadas de baja potencia o tambin de corrientes dbiles
En este tipo de aplicacin se reencuentran la electricidad y la electrnica, pues se utiliza el control
que permiten los circuitos electrnicos para controlar la conduccin (encendido y apagado) de
semiconductores de potencia para el manejo de corrientes y voltajes en aplicaciones de potencia.
Esto al conformar equipos denominados convertidores estticos de potencia.
De esta manera, la electrnica de potencia permite adaptar y transformar la energa elctrica para
distintos fines tales como alimentar controladamente otros equipos, transformar la energa
elctrica de continua a alterna o viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento de
mquinas elctricas, etc. mediante el empleo de dispositivos electrnicos, principalmente
semiconductores.
Introduccin

Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de
potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triaca, diac, conmutador
unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo
Shockley.

Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble
puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona

la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales.

El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja
impedancia (conduccin).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia.
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de
bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de
conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor
disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden clasificar en tres
grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:

Dispositivos no controlados:

En este grupo se encuentran los Diodos

Los estados de conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de
potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control externo.

Dispositivos semicontrolados:
en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores,
-SCR (Silicon Controlled Rectifier)
- TRIAC (Triode of Alternating Current).
En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se debe a una seal de control externa
que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro
lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene
control externo de la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.

Dispositivos totalmente controlados:

-MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),
- IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros.
Diodo de Potencia
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites de tensin y corriente,
permite la circulacin de corriente en un nico sentido. Detalles de funcionamiento, generalmente
despreciados para los diodos de seal, pueden ser significativos para componentes de mayor
potencia, caracterizados por un rea mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor longitud
(para soportar tensiones inversas ms elevada)

nodo (A)

P+ 10 m

Depende
N- de la

tensin

N+

Catodo (K)

Dispositivos SemiControlados:
SCR:

Rectificador Controlado de Silicio

De las siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier, es el miembro ms conocido de la familia de
los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es ms frecuente hablar de tiristor que de SCR.
El SCR es uno de los dispositivos ms antiguos que se conocen dentro de la Electrnica de Potencia.
Adems, contina siendo el dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia, es el
dispositivo que permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor
circulacin de corriente.
El SCR est formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-.
teniendo 3 terminales: nodo A y ctodo K, por los cuales circula la corriente principal y la puerta
que cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en sentido nodo-
ctodo

CARACTERISTICAS
En su estado de apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensin directa y no conducir
corriente. asi si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloque independientemente del
signo de la tension V.
El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conduccion ON aplicando un pulso de
corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo intervalo de tiempo, posibilitando
que pase al estado de bloqueo directo. la caida de tensin directa en el estado de conduccion ON es
de pocos voltios 1-3 v.
Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccion estado ON aunque la
corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta. Unicamente
cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia
del circuito de potenci, el SCR pasara a estado de bloqueo.
TRIAC:
Triode of Alternating Current"
Es un dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor
convencional es que ste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra
decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR en
direcciones opuestas.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y ctodo) y puerta. El
disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.

CARACTERISTICAS
Una de las caractersticas de este dispositivo es que es muy compacto requiriendo nicamente un
nico circuito de control, dado que solo dispone de un terminal de puerta, sin embargo, tal y como
est fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de potencia muy reducida. en
general est pensado para aplicaciones de pequea potencia, con tensiones que no superen los
1000 V y corrientes mximas de 15A.
Es usual el empleo de TRIACs en la fabricacin de electrodomsticos con control electrnico de
velocidad de motores y aplicaciones de iluminacin, con potencias que no superan los 15 KW. la
frecuencia mxima a la que pueden trabajar es tambin reducida, normalmente los 50-60Hz de la
red monofsica
Dispositivos Totalmente Controlados.
GTO ( gate turn-off thyristor)
El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. la puesta permite controlar las dos
transiciones: paso de bloqueo a conduccin y viceversa.
El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los tiristores. Su
caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a travs de seales
adecuadas en el terminal de puerta G. El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo
que est directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente
entre puerta y ctodo.

CARACTERISTICAS
El proceso de encendido es similar al del tiristor. las caracteristicas de apagado son un poco
diferentes. cuando un voltaje negativo es aplicado a travez de las terminales puerta G y catodo C o
K, la corriente en la puerta ig, crece.
cuando la corriente en la puerta G alcanza su maximo valor, IGR, la corriente de anodo comienza a
caer y el voltaje a traves del dispositivo VAK, comienza a crecer el tiempo de caida de la corriente
de anodo es abrupta, tipicamente menor a 1 us. despues de esto, la corriente de anodo varia
lentamente y esta porcion de la corriente de anodo es conocido como corriente de cola.
IGBT ( insulated gate bipolar transistor)
El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica
como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.
Este dispositivo posee la caracterstica de las seales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo.
El circuito de excitacin de IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las de BJT.
CARACTERISTICAS
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en
muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente conmutada,
control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en
muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de
cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en
estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura secundaria como los
BJT.
MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistors)
Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los
procesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET son transistores controlador por
tension, esto se debe al aislamiento (oxido de silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo

Existen dos tipos bsicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p , si bien en electrnica de
potencia los mas comunes son los primeros, por presentar menores perdidas y mayor velocidad de
conmutacin, debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros.

CARACTERISTICAS

Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que pueden manejar es
bastante reducida
Sin embargo, son los transistores ms rpidos que existen, con lo cual se utilizan en aplicaciones
donde es necesario altas velocidades de conmutacin (se pueden llegar a tener aplicaciones que
trabajan a 1MHz, algo impensable para los bipolares).
El consumo de corriente de puerta es pequeo y se simplifica el diseo del circuito de disparo
driver y control correspondiente.
TABLAS
COMPARACION ENTRE VARIOS TRANSISTORES DE POTENCIA
Regiones de utilizacin:
En funcin de las caractersticas de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas zonas,
parametrizadas por la tensin, la corriente y la frecuencia de trabajo. Una clasificacin cualitativa
se presenta en la siguiente figura:

Aplicaciones de los Dispositivos de Electrnica de Potencia

La electrnica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnologa moderna y se
utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluye:

Controles de calor
Controles de iluminacin
Controles de motor
Fuente de alimentacin
Sistema de propulsin de vehculos
Sistemas de corriente directa de alto voltaje ( HVDC por sus siglas en ingls)
Conclusiones:
Dentro de este reporte uno puede llegar a la conclusin que debido a la gran variedad de
dispositivos en la actualidad esta disciplina est cobrando cada vez ms importancia ya que tanto
los distintos tipos y clasificaciones de transistores y tiristores son esenciales para conocer el
funcionamiento de un Diseo Electrnico de Potencia as como las aplicaciones que tienen en el
mundo cotidiano as mismo poder implementarlos en nuevos diseos y hacer que la electrnica
tenga mas versatilidad.

Referencia Bibliogrfica
MUHAMMAD H. RASHID, Electrnica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
http://www.unicrom.com/Tut_scr_curva_caracteristica.asp

http://tec.upc.es/el/TEMA-2%20EP%20(v1).pdf

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/enica_pot.htm
 Universidad Autnoma de Nuevo Len
Facultad de Ingeniera Mecnica y Elctrica

Diseo de Sistemas Electrnicos de

Potencia

Reporte de Dispositivos de Potencia

M.C. Fernando Trevio Martnez

Nombre: Tomas Anthony Alvira Castillo

Matricula: 1544910
Hora: N1 (L, M,V)
Carrera: Ing. Electrnica y Comunicaciones
6/Septiembre/2017