Capítulo 1 Introducción

PREGUNTAS
1.1 ¿Qué es electrónica de potencia?

Se puede definir como la aplicación de la electrónica de estado sólido para el control y la

conversión de la energía eléctrica.

1.2 ¿Cuáles son los diversos tipos de tiristores?

Los tiristores se pueden dividir en once tipos:

a) Tiristor conmutado forzado.

b) Tiristor conmutado por línea.
c) Tiristor de abertura de compuerta (GTO, de sus siglas en inglés gate-turn-off thyristor)
d) Tiristor de conducción inversa (RCT, de sus siglas en inglés reverse-conducting thyristor)
e) Tiristor de inducción estática (SITR, de sus siglas en inglés static induction thyristor)
f) Tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT, de sus siglas en inglés gate-assisted
turn-off thyristor)
g) Rectificador fotoactivado controlado de silicio (LASCR, de sus siglas en inglés light-
activated silicon-controlled
h) Tiristor abierto por MOS (MTO, por rectifier (LASCR). sus siglas en inglés MOS turn-off)
i) Tiristor abierto por emisor (ETO, por sus siglas en inglés emitter turn-off)
j) Tiristor conmutado por compuerta integrada (IGCT, por sus siglas en inglés integrated
gate-commutated thyristor)
k) Tiristores controlados por MOS (MCT, por sus siglas en inglés MOS-controlled thyristor).

1.3 ¿Qué es un circuito de conmutación?

Un tiristor que conduce se puede apagar haciendo que el potencial del ánodo sea igual o menor
que el potencial del cátodo. Los tiristores conmutados por línea se apagan (o desactivan o
bloquean) debido a la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores de conmutación
forzada se apagan con un circuito adicional, llamado circuito de conmutación.

Es un circuito adicional que sirve para que el tiristor se desactive cuando este en conduccion.

1.4 ¿Cuáles son las condiciones para que conduzca un tiristor?

Un tiristor tiene 3 terminales un ánodo, un cátodo y una compuerta. Y conduce siempre y
cuando la terminal del ánodo este en un potencial mas alto que el cátodo y una pequeña
corriente pasa a traves de la terminal de la compuerta hacia el catodo.

1.5 ¿Cómo se puede abrir un tiristor?

Se puede abrir o desactivar haciendo que el potencial del ánodo sea igual o menor que el
potencial del cátodo.
CAPITULO 2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos
PROBLEMAS
2.1 El tiempo de recuperación en sentido inverso de un diodo es 𝑡𝑟𝑟 = 5µ𝑠, y la rapidez de bajada
de la corriente en el diodo es 𝑑𝑖/𝑑𝑡 = 80𝐴/µ𝑠. Si el factor de suavidad es SF = 0.5, determine

a) La carga almacenada 𝑄𝑅𝑅 .

b) La corriente pico en sentido inverso 𝐼𝑅𝑅 .

2.2 Los valores medidos de un diodo a 25°C de temperatura son:

𝑉𝐷 = 1.0 V cuando 𝐼𝐷 = 50 A

𝑉𝐷 = 1.5 V cuando 𝐼𝐷 = 600 A

Calcule: a) El coeficiente de emisión 𝑛

b) La corriente de fuga 𝐼𝑆 .
2.3 Se conectan dos diodos en serie y se mantiene igual el voltaje a través de cada uno de ellos,
conectando una resistencia de voltaje compartido, de tal modo que 𝑉𝐷1 = 𝑉𝐷2 = 2000𝑉 , Y
𝑅1 = 100𝑘𝛺. Las características 𝑣 − 𝑖 de los diodos se ven en la figura P2.3. Calcule las corrientes
de fuga de cada diodo, y la resistencia 𝑅2 a través del diodo 𝐷2.
Capítulo 3 Rectificadores con diodos
PREGUNTAS

1. ¿Qué es la relación de vueltas de un transformador?

la relación de vueltas de un transformador es el número de vueltas del devanado primario

dividido por el número de vueltas de la bobina secundaria; Esta relación proporciona el
funcionamiento esperado del transformador y la tensión correspondiente requerida en el
devanado secundario.

2. ¿Qué es un rectificador? ¿Cuál es la diferencia entre un rectificador y un convertidor?

El rectificador es un dispositivo electrónico que permite convertir la corriente alterna en

corriente continua.

El rectificador es uno de los tipos más habituales del convertidor.

3. ¿Cuál es la condición de bloqueo de un diodo?

Son dispositivos unidireccionales, esto quiere decir que no conduce si la corriente entra por
el cátodo del diodo.

4. ¿Cuáles son los parámetros de rendimiento de un rectificador?

Los parámetros de rendimiento son:

 El valor promedio del voltaje de salida o de carga, 𝑉𝑐𝑑 .

 El valor promedio de la corriente de salida o de carga,𝐼𝑐𝑑 .
 La potencia de salida en cd, 𝑃𝑐𝑑 .
 El valor rms del voltaje de salida,𝑉𝑟𝑚𝑠 .
 El valor rms de la corriente de salida, 𝐼𝑟𝑚𝑠 .
 La potencia de salida en ca, 𝑃𝑐𝑎 .
 La eficiencia, 𝑛.
 El valor efectivo(rms) del componente de ca en el voltaje de salida es:𝑉𝑐𝑎 .
 El factor de forma, FF.
 El factor de rizo, RF.
 El factor de utilización de transformador, 𝑇𝑈𝐹.
 El factor de desplazamiento, DF.
 El factor de potencia, PF.
 El factor de cresta, CF.
PROBLEMAS
3.1 Un rectificador monofásico en puente tiene una carga puramente resistiva 𝑅 = 10 𝛺, el
voltaje pico de suministro 𝑉𝑚 = 170 V y la frecuencia de suministro es 𝑓 = 60 𝐻𝑧. Calcule el
voltaje promedio de salida del rectificador, si la inductancia de la fuente es despreciable.
3.2 Repita el problema 3.1 cuando la inductancia de la fuente por fase (incluyendo la inductancia
de fuga del transformador) es 𝐿𝑒 = 0.5 𝑚𝐻.
3.3 Un rectificador de seis fases en estrella tiene una carga puramente resistiva de 𝑅 = 10 𝛺, el
voltaje pico de suministro es 𝑉𝑚 = 170 V, y la frecuencia de suministro es 𝑓 = 60 𝐻𝑧. Calcule el
voltaje promedio de salida del rectificador, si la inductancia de la fuente es despreciable.
3.4 Repita el problema 3.3, si la inductancia de la fuente (incluyendo la inductancia de fuga del
transformador) es 𝐿𝑒 = 0.5 𝑚𝐻 por fase.
Capítulo 4 Transistores de potencia
PREGUNTAS
1. ¿Qué es un transistor bipolar (BJT)?
Es un dispositivo de estado sólido que permite aumentar la corriente y disminuir el
voltaje, y que se forma agregando una segunda región n o p a un diodo de región pn.
Tiene tres terminales que son emisor colector y base.
2. ¿Cuáles son los tipos de BJT?
 Transistor NPN.
 Transistor PNP.
3. ¿Cuáles son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?
 Una de las diferencias es que el transistor NPN requiere una corriente positiva
a la base, mientras que un PNP requiere una corriente negativa a la base (la
corriente debe fluir desde la base a tierra).
 Otra diferencia es que en un transistor NPN, la corriente de salida fluye desde
el colector al emisor. En un transistor PNP, la corriente de salida fluye desde el
emisor al colector.
4. ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores NPN?
La configuración emisor común es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de
conmutación, por ende las características de entrada en un NPN es la relación que se
tiene entre la corriente base (IB) y el Comportamiento de la tensión VBE este último
en función de IB.
5. ¿Cuáles son las características de salida de los transistores NPN?
Viene a ser el comportamiento de la corriente IC, en función del voltaje colector –
emisor VCE.
6. ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT?
Las regiones de operación de los BJT son tres: de corte, activa y de saturación.
7. ¿Qué es la β de los BJT?
Es la relación de la corriente de colector (IC) y la corriente de base, se llama ganancia
de corriente en sentido directo
8. ¿Cuál es la diferencia entre beta(β), y beta forzada (𝛽𝐹 ) de los BJT?
El BF, es la relación de ICS (corriente de colector en la saturación) y la IB, lo cual esta
relación es cuando se analiza en el punto de saturación.
9. ¿Qué es la transconductancia de los BJT?

La transconductancia (gm), viene a ser la relación de IC con VBE, lo cual es una

constante para una representación o modelo de un BJT con generador de corriente.
PROBLEMAS
4.1 La beta (β) del transistor bipolar de la figura 4.7 varía de 10 a 60. La resistencia de carga es
𝑅𝐶 = 5𝛺. El voltaje de suministro es 𝑉𝐶𝐶 = 100𝑉, Yel voltaje de entrada al circuito de la base es
𝑉𝐵 = 8𝑉. Si 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 2.5 𝑉 y 𝑉𝐵𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 1.75 𝑉, determine a) el valor de𝑅𝐵 que cause la
saturación, con un factor de sobresaturación de 20; b) la (β) forzada, y e) la disipación de potencia
𝑃𝑇 en el transistor.
4.2 La beta (β) del transistor bipolar de la figura 4.7 varía de 12 a 75. La resistencia de la carga es
𝑅𝐶 = 5𝛺. El voltaje de suministro cd es 𝑉𝐶𝐶 = 40𝑉, y el voltaje de entrada al circuito de la base es
𝑉𝐵 = 6𝑉. Si 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 1.2 𝑉 y 𝑉𝐵𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 1.6 𝑉 V y 𝑅𝐵 = 0.7 n, determine a) el factor ODF; b) la
(β) forzada, y e) la disipación de potencia 𝑃𝑇 en el transistor.