UN MOSFET ES UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR UTILIZADO PARA LA CONMUTACION Y
AMPLIFICACION DE SEÑALES.
EL NOMBRE COMPLETO, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR
(METAL OXIDE SEMI CONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR).
CARACTERISTICAS
UN TRANSISTOR MOSFET TIENE 3 PATILLAS.EL MOSFET CONDUCE CORRIENTE ELECTRICA
ENTRE DOS DE SUS PATILLAS CUANDO APLICAMOS TENSION EN LA OTRA PATILLA.
CONTROLADOS POR UNA TENSION DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA ( 1012 Ω )
CONSUMO BAJO DE ENERGIA
SENSIBILIDAD ESTATICA
POSEEN DOS TIPOS N Y P
ES UN DISPOSITIVO UNIPOLAR: LA CONDUCION SOLO ES DEBIDA A UN TIPO DE
PORTADOR.
VENTAJAS DE LOS MOSFET FRENTE A LOS BJT
LA VELOCIDAD DE CONMUTACION PARA LOS MOSFET ESTA EN EL ORDEN DE LOS NANO
SEGUNDOS, POR ESTO LOS MOSFET SON MUY UTILIZADOS EN CONVERTIDORES DE PEQUEÑA POTENCIA Y ALTA FRECUENCIA.
LOS MOSFET NO TIENEN EL PROBLEMA DE SEGUNDA RUPTURA
MAYOR AREA DE FUNCIONAMIENTO CIRCUITO DE MANDO MAS SIMPLE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA
DESVENTAJAS
LOS MOSFET TIENEN EL PROBLEMA DE SER MUY SENSIBLES A LAS DESCARGAS
ELECTROESTATICAS Y REQUIEREN UN EMBALAJE ESPECIAL ES RELATRIVAMENTE DIFICIL SU PROTECCION LOS MOSFET SON MAS CAROS QUE SUS EQUIVALENTES LA RESISTENCIA ESTATICA ENTRE DRENADOR SURTIDOR ES MAS GRANDE LO QUE PROVOCA MAYORES PERDIDAS DE POTENCIA CUANDO TRABAJA EN CONMUTACION TIPOS DE MOSFET MOSFET DE DEPLEXION: EXISTE UN CANAL POR EL CUAL CIRCULA LA CORRIENTE, AUNQUE NO SE APLIQUE EN LA PUERTA MOSFET DE ACUMULACION: EL CANAL POR EL CUAL CIRCULA LA CORRIENTE SE CREA CUANDO SE LE APLICA UNA TENSION A LA PUERTA. A SU VEZ, DENTRO DE LOS TRANSISTORES MOSFET DE ENREQUISIMIENTO PODEMOS DISTINGUIR DOS TIPOS: DE CANAL “N” O DE CANAL “P”.
REGIONES DEE TRABAJO DE LOS MOSFET
LA CURVA CARACTERIUSTICA NOS DA INORMACION DE COMO VARIA LA INTENSIDAD
ESTADO DE CORTE
CUANDO LA TENSION DE LA PUERTA ES IDENTICA A LA DEL SUSTRATO, EL MOSFET ESTA EN
ESTADO DE NO CONDUCION: NINGUNA CORRIENTE FLUYE ENTRE FUENTE Y DRENADOR, AUNQUE SE APLIQUE UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL ENTRE AMBOS. TAMBIEN SE LLAMAN MOSFET A LOS AISLADOS POR JUNTURA DE DOS COMPONENTES.
SATURACION
CUANDO LA TENCION ENTRE DRENADOR Y FUENTE SUPERA CIERTO LIMITE, EL CANAL DE
CONDUCCION BAJO LA PUERTA SUFRE UN ESTRANGULAMIENTO EN LAS CERCANIAS DEL DRENADOR Y DESAPARECE.LA CORRIENTE ENTRE FUENTE Y DRENADOR NO SE INTERRUMPE, YA QUE ES DEVIDA AL CAMPO ELECTRICA ENTRE AMBOS, PERO SE HACE INDEPENDIENTE DE LA DIFERENCIA DE POTENCIAL ENTRE AMBOS TERMINALES.
APLICACIONES
EL MOSFET ES FRECUENTEMENTE USADO COMO AMPLIFICADOR DE POTENCIA
RESISTENCIA CONTROLADA POR TENSION
CIRCUITO DE CONMUTACION DE POTENCIA (HEXFET ,FREDFET,ETC.)
MESCLADORES DE FRECUENCIA, CON MOSFET DE DOBLE PUERTA
PRECAUCIONES EN EL USO DE TRANSISTORES
EL TERMINAL PUERTA AL AIRE ES MUY SENSIBLE A LOS RUIDOS.
EL OXIDO SE PUEDE LLEGAR A PERFORAR POR LA ELECTRICIDAD ESTATICA DE LOS DEDOS.A VECES SE INTEGRAN DIODOS ZENER DE PROTECCION. EXISTE UN DIODO PARASITO ENTRE FUENTE Y DRENADOR EN LOS MOSFET DE ENREQUESIMIENTO.