Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
Célula Solar iluminada

Funcionamiento
Energía Solar Fotovoltaica de una célula solar

Fabricación

Oscar Perpiñán Lamigueiro

http://oscarperpinan.github.io

1 / 67
Teoría de Semiconductores

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Fabricación
Teoría de Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Fabricación
Bandas de energía
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I En un sólido el número de átomos es tan elevado Teoría de

Semiconductores
que los niveles de energía forman bandas continuas Conducción eléctrica
Semiconductores

de energía. Dopaje de semiconductores

Unión p-n

I Los electrones asociados a los átomos del sólido Diodo

Unión P-N
llenan estas bandas en orden ascendente. iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

† http://commons.wikimedia.org/
4 / 67
Bandas de energía
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I La banda de mayor energía completamente ocupada Teoría de

se denomina banda de valencia (electrones ligados a Semiconductores
Conducción eléctrica

átomos). Semiconductores
Dopaje de semiconductores

I La siguiente banda, parcialmente ocupada o vacía, se Unión p-n

Diodo

denominada banda de conducción (electrones Unión P-N

iluminada
desligados de átomos).
Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

† http://commons.wikimedia.org/
5 / 67
Bandas de energía
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I Estas bandas pueden estar separadas por otra banda Teoría de

Semiconductores
de energías que corresponde a estados no Conducción eléctrica
Semiconductores

permitidos (banda prohibida), o pueden estar Dopaje de semiconductores

Unión p-n

solapadas permitiendo una transición fácil de una a Diodo

otra. Unión P-N

iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

† http://commons.wikimedia.org/
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Conductores, aislantes y semiconductores
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Las propiedades eléctricas del sólido dependen de esta Semiconductores
Conducción eléctrica
posición relativa entre bandas. Semiconductores
Dopaje de semiconductores

I En un conductor la Eg es muy baja y los electrones Unión p-n

Diodo

circulan fácilmente por la banda de conducción. Unión P-N

iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

7 / 67
Conductores, aislantes y semiconductores
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Las propiedades eléctricas del sólido dependen de esta Teoría de

Semiconductores
posición relativa entre bandas. Conducción eléctrica
Semiconductores

I En un aislante se necesita una cantidad de energía Dopaje de semiconductores

Unión p-n

muy alta para que los electrones puedan acceder a la Diodo

Unión P-N
banda de conducción (Eg > 5 eV) iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

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Conductores, aislantes y semiconductores
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro
Las propiedades eléctricas del sólido dependen de esta
posición relativa entre bandas. Teoría de
Semiconductores
Conducción eléctrica
I En un semiconductor la Eg es baja (Eg < 5 eV): los Semiconductores

electrones pueden «saltar» a la banda de conducción

Dopaje de semiconductores
Unión p-n

con un aporte energético.

Diodo

Unión P-N
I Eg (Si) = 1,12 eV iluminada

I Eg (AsGa) = 1,4 eV Funcionamiento

de una célula solar

Fabricación

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Teoría de Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Fabricación
Red cristalina de Si (T = 0 K)
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

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Generación de electrón-hueco (T > 0 K)

I Cuando se rompe un enlace, un

electrón y un hueco quedan libres
para moverse por el material
(conducción intrínseca).

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Generación de electrón-hueco (T > 0 K)

I Cuando se rompe un enlace, un

electrón y un hueco quedan libres
para moverse por el material
(conducción intrínseca).
I Esta circulación es aleatoria, sin
una dirección predeterminada: no
es aprovechable en un circuito
externo.

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Generación de electrón-hueco (T > 0 K)

I Cuando se rompe un enlace, un

electrón y un hueco quedan libres
para moverse por el material
(conducción intrínseca).
I Esta circulación es aleatoria, sin
una dirección predeterminada: no
es aprovechable en un circuito
externo.
I La densidad intrínseca de huecos
y electrones es idéntica (depende
de la temperatura y de Eg ).

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Recombinación de un par electrón-hueco

I Se producen encuentros
electrón-hueco que restablecen un
enlace con liberación de energía
(Eg ) en forma de calor.

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Recombinación de un par electrón-hueco

I Se producen encuentros
electrón-hueco que restablecen un
enlace con liberación de energía
(Eg ) en forma de calor.
I Para evitar la recombinación es
preciso dirigir el movimiento de
electrones y huecos mediante un
campo eléctrico.

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Teoría de Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Fabricación
Definición
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

El dopaje de semiconductores consiste en introducir de Teoría de

Semiconductores
forma controlada impurezas en el cristal para alterar las Conducción eléctrica
Semiconductores
bandas de energía. Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

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Tipo n
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

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Tipo n
I Los átomos de Fósforo tienen cinco
electrones de valencia (uno más
que el silicio).
Tipo n
I Los átomos de Fósforo tienen cinco
electrones de valencia (uno más
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con átomos de Fósforo, el quinto
electrón no queda bien integrado
en la red.
Tipo n
I Los átomos de Fósforo tienen cinco
electrones de valencia (uno más
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con átomos de Fósforo, el quinto
electrón no queda bien integrado
en la red.
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportación energética
(menor que Eg ).
Tipo n
I Los átomos de Fósforo tienen cinco
electrones de valencia (uno más
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con átomos de Fósforo, el quinto
electrón no queda bien integrado
en la red.
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportación energética
(menor que Eg ).
I El quinto electrón queda libre
pero la carga positiva (ión P+ ) está
ligada a la red cristalina.
Tipo n
I Los átomos de Fósforo tienen cinco
electrones de valencia (uno más
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con átomos de Fósforo, el quinto
electrón no queda bien integrado
en la red.
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportación energética
(menor que Eg ).
I El quinto electrón queda libre
pero la carga positiva (ión P+ ) está
ligada a la red cristalina.
I La densidad de electrones
(portador mayoritario) es superior
a la de huecos
Tipo p
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

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Tipo p

I Los átomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
Tipo p

I Los átomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con átomos de Boro, hay un enlace
sin cubrir (hueco).
Tipo p

I Los átomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con átomos de Boro, hay un enlace
sin cubrir (hueco).
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportación energética
(menor que Eg ).
Tipo p

I Los átomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con átomos de Boro, hay un enlace
sin cubrir (hueco).
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportación energética
(menor que Eg ).
I El hueco queda libre pero la carga
negativa (ión B− ) está ligada a la
red cristalina.
Tipo p

I Los átomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con átomos de Boro, hay un enlace
sin cubrir (hueco).
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportación energética
(menor que Eg ).
I El hueco queda libre pero la carga
negativa (ión B− ) está ligada a la
red cristalina.
I La densidad de huecos (portador
mayoritario) es superior a la de
electrones
Teoría de Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Fabricación
Unión p-n
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

21 / 67
Conducción en una unión p-n
Célula Solar

Oscar Perpiñán
I Al unir un semiconductor tipo p con otro tipo n, se Lamigueiro

produce un desequilibrio: Teoría de

I Corriente de Difusión Semiconductores
Conducción eléctrica
I Corriente de Arrastre Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

22 / 67
Corriente de Difusión
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro
I Difusión de portadores mayoritarios
Teoría de
I Movimiento de huecos desde cristal p a cristal n, Semiconductores
dejando iones con carga negativa. Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

23 / 67
Corriente de Difusión
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro
I Difusión de portadores mayoritarios
Teoría de
I Movimiento de huecos desde cristal p a cristal n, Semiconductores
dejando iones con carga negativa. Conducción eléctrica
Semiconductores
I Movimiento de electrones desde cristal n a cristal p, Dopaje de semiconductores

dejando iones con carga positiva.

Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

23 / 67
Corriente de Arrastre
Célula Solar

Oscar Perpiñán
I Los iones fijos cercanos a la unión generan un Lamigueiro

campo eléctrico de arrastre en sentido opuesto a la Teoría de

difusión: barrera de potencial Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

24 / 67
Corriente de Arrastre
Célula Solar

Oscar Perpiñán
I Los iones fijos cercanos a la unión generan un Lamigueiro

campo eléctrico de arrastre en sentido opuesto a la Teoría de

difusión: barrera de potencial Semiconductores
Conducción eléctrica

I Los portadores minoritarios que atraviesan la Semiconductores

Dopaje de semiconductores

unión se recombinan en la zona cercana a la unión Unión p-n

Diodo

despoblada de portadores y con iones cargados Unión P-N

ligados a la red. iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

24 / 67
Equilibrio en una unión p-n
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I El equilibrio se alcanza al compensarse los Teoría de

Semiconductores
movimientos de difusión y de arrastre. Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

† Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

25 / 67
Polarización en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
Polarización en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
I Diferencia de potencial con lado p
positivo respecto al lado n: unión
p-n está polarizada en directa.
Polarización en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
I Diferencia de potencial con lado p
positivo respecto al lado n: unión
p-n está polarizada en directa.
I En estas condiciones se reduce la
barrera de potencial y, en
consecuencia el valor del campo
eléctrico de la zona de unión.
Polarización en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
I Diferencia de potencial con lado p
positivo respecto al lado n: unión
p-n está polarizada en directa.
I En estas condiciones se reduce la
barrera de potencial y, en
consecuencia el valor del campo
eléctrico de la zona de unión.
I La corriente de arrastre disminuye
y no puede compensar la corriente
de difusión.
Polarización en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
I Diferencia de potencial con lado p
positivo respecto al lado n: unión
p-n está polarizada en directa.
I En estas condiciones se reduce la
barrera de potencial y, en
consecuencia el valor del campo
eléctrico de la zona de unión.
I La corriente de arrastre disminuye
y no puede compensar la corriente
de difusión.
I Convenio: la corriente entra por
zona p y sale por zona n.
Polarización en inversa

I Si la diferencia de potencial
aplicada consigue que la zona p
esté a menor tensión que la zona
n, la unión queda polarizada en
inversa.
Polarización en inversa

I Si la diferencia de potencial
aplicada consigue que la zona p
esté a menor tensión que la zona
n, la unión queda polarizada en
inversa.
I En estas condiciones la barrera de
potencial en la unión queda
reforzada y el paso de portadores
de una a otra zona queda aún más
debilitado.
Polarización en inversa

I Si la diferencia de potencial
aplicada consigue que la zona p
esté a menor tensión que la zona
n, la unión queda polarizada en
inversa.
I En estas condiciones la barrera de
potencial en la unión queda
reforzada y el paso de portadores
de una a otra zona queda aún más
debilitado.
I La corriente que atraviesa la unión
en polarización inversa es de muy
bajo valor.
Teoría de Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Fabricación
Definición
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores

I El dispositivo electrónico basado en una unión p-n se Unión p-n

Diodo

denomina diodo. Unión P-N

iluminada
I La zona p del diodo es el ánodo y la zona n es el
Funcionamiento
cátodo. de una célula solar

Fabricación

Anodo Catodo ID
+ −

29 / 67
Ecuación del Diodo
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

V
ID = I0 · [exp( ) − 1] Teoría de
m · VT Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
I I0 : corriente de saturación en oscuridad del diodo, Unión p-n
Diodo
I V: tensión aplicada al diodo Unión P-N
iluminada
I m: factor de idealidad del diodo (1 o 2)
Funcionamiento
de una célula solar

kT Fabricación
VT =
e

VT (300 K) = 25,85 mV

I k: constante de Boltzmann
I T: temperatura del diodo (en grados Kelvin)
I e: carga del electrón
30 / 67
 Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores
Conducción eléctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unión p-n
Diodo
Corriente

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

0.0 0.2 0.4 0.6

Tensión (V)

31 / 67
Teoría de Semiconductores

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Fabricación
Efecto fotoeléctrico
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I Efecto fotoeléctrico: los electrones se desplazan a la Teoría de

Semiconductores
banda de conducción por el aporte energético de
Unión P-N
fotones (Ef = hλ·c ). iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

33 / 67
Unión p-n iluminada
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I Al iluminar una unión p-n, el campo eléctrico de la Teoría de

Semiconductores
unión conduce los portadores y dificulta la Unión P-N
recombinación. iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

34 / 67
Corriente de Iluminación
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I La fotocorriente es ahora aprovechable por un Teoría de

Semiconductores
circuito externo (corriente de iluminación, corriente de
Unión P-N
generación) iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

35 / 67
Tensión en Terminales
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro
I La presencia de tensión en los terminales de la
unión (por ejemplo, caída de tensión en una Teoría de
Semiconductores
resistencia alimentada por la fotocorriente) favorece Unión P-N
la recombinación (corriente de oscuridad o corriente de iluminada

Funcionamiento
diodo). de una célula solar

Fabricación

36 / 67
Absorción de luz y generación de portadores
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
I Si el fotón es poco energético (Ef < Eg ) no interactúa Semiconductores

con el semiconductor (como si fuese transparente) Unión P-N

iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

37 / 67
Absorción de luz y generación de portadores
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
I Si el fotón es poco energético (Ef < Eg ) no interactúa Semiconductores

con el semiconductor (como si fuese transparente) Unión P-N

iluminada
I Fotones con Ef > Eg : Funcionamiento
de una célula solar
I Los fotones más energéticos (baja longitud de onda)
Fabricación
son absorbidos en la superficie (no rompen enlace)
I Los fotones menos energéticos (alta longitud de
onda) penetran en el interior hasta romper un
enlace.

37 / 67
Absorción de luz y generación de portadores
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
I Si el fotón es poco energético (Ef < Eg ) no interactúa Semiconductores

con el semiconductor (como si fuese transparente) Unión P-N

iluminada
I Fotones con Ef > Eg : Funcionamiento
de una célula solar
I Los fotones más energéticos (baja longitud de onda)
Fabricación
son absorbidos en la superficie (no rompen enlace)
I Los fotones menos energéticos (alta longitud de
onda) penetran en el interior hasta romper un
enlace.
I Pérdidas:
I Diferencia de índices de refracción: pérdidas de
reflexión
I Parte de los portadores generadores se recombinan
dentro del dispositivo: pérdidas por recombinación

37 / 67
Teoría de Semiconductores

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Fabricación
Teoría de Semiconductores

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Curva IV y Puntos Característicos
Influencia de Temperatura y Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la célula

Fabricación
Característica I-V de iluminación
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I = IL − ID Teoría de
Semiconductores

e·V
   
Unión P-N
ID = I0 · exp −1 iluminada
m · k · Tc Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
Influencia de Temperatura y
Radiación
Isc
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la
Impp célula

3 Fabricación

2
Potencia (W)
Corriente (A) MPP

0 Vmpp Voc

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

40 / 67
Isc y Voc
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Corriente de Cortocircuito
Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
Isc = IL iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Tensión de Circuito Abierto Curva IV y Puntos

Característicos
Influencia de Temperatura y
Radiación
Cálculo del MPP

k · Tc
 
IL Circuito equivalente de la

Voc = m · · ln +1 célula

e I0 Fabricación

Ecuación general

e · (Voc − V )
  
I = Isc · 1 − exp
m · k · Tc

41 / 67
Punto de máxima potencia
Célula Solar

Oscar Perpiñán
0 < V < Vmpp Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores
dP dI I
>0⇒ >− Unión P-N
iluminada
dV dV V
Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
Influencia de Temperatura y
Isc Radiación
Cálculo del MPP
Impp Circuito equivalente de la
célula
3
Fabricación

2
Potencia (W)
Corriente (A) MPP

0 Vmpp Voc

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

Tensión de célula (V)
42 / 67
Punto de máxima potencia
Célula Solar

Oscar Perpiñán
V=Vmpp Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores
dP dI I
=0⇒ =− Unión P-N
iluminada
dV dV V
Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
Influencia de Temperatura y
Isc Radiación
Cálculo del MPP
Impp Circuito equivalente de la
célula
3
Fabricación

2
Potencia (W)
Corriente (A) MPP

0 Vmpp Voc

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

Tensión de célula (V)
43 / 67
Punto de máxima potencia
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro
Vmpp < V < Voc
Teoría de
Semiconductores
dP dI I
<0⇒ <− Unión P-N
iluminada
dV dV V
Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
Influencia de Temperatura y
Isc Radiación
Cálculo del MPP
Impp Circuito equivalente de la
célula
3
Fabricación

2
Potencia (W)
Corriente (A) MPP

0 Vmpp Voc

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

Tensión de célula (V)
44 / 67
Factor de forma y Eficiencia
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
I Factor de Forma Semiconductores

Unión P-N
Impp · Vmpp iluminada
FF =
Isc · Voc Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
Pmpp = FF · Isc · Voc Influencia de Temperatura y
Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la
I Eficiencia célula

Fabricación

Impp · Vmpp
η=
PL
Impp · Vmpp
η=
A·G

45 / 67
Eficiencia de células

http://www.nrel.gov/ncpv/
Teoría de Semiconductores

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Curva IV y Puntos Característicos
Influencia de Temperatura y Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la célula

Fabricación
Radiación
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I Corriente de cortocircuito proporcional a Teoría de

Semiconductores
intensidad de radiación Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
Gef de una célula solar
∗
Isc = Isc · ∗ Curva IV y Puntos
Característicos
G Influencia de Temperatura y
Radiación
Cálculo del MPP

I Relación logarítmica con tensión de circuito abierto: Circuito equivalente de la

célula

Fabricación
mkT
Voc2 = Voc1 + · ln(G2 /G1 )
e
I El factor de forma aumenta ligeramente
I La eficiencia crece de forma logarítmica hasta
determinado nivel.

48 / 67
Influencia de la Radiación
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
iluminada
4
Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
3 Influencia de Temperatura y
Corriente (A)

Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la
célula
2

Fabricación

1
G(W m2)
200
400
600
0 800
1000
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
Tensión (V)

49 / 67
Temperatura
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
iluminada
I Se estrecha el salto entre banda de valencia y Funcionamiento
conducción: aumenta ligeramente la fotocorriente de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
I Disminuye linealmente la tensión de circuito Influencia de Temperatura y
Radiación

abierto: Cálculo del MPP

dVoc /dTc = −2,3 mV ◦C−1

Circuito equivalente de la
célula

Fabricación
I Disminuye el factor de forma y la eficiencia:
dη/dTc = −0,4 % ◦C−1

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Influencia de la Temperatura
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
3
de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
Influencia de Temperatura y
Corriente (A)

Radiación

2 Cálculo del MPP

Circuito equivalente de la
célula

Fabricación

Ta(°C)
0
20
40
0

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensión (V)

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Condiciones Estándar de Medida
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
I Irradiancia: G∗ = 1000 W m−2 con incidencia normal. iluminada

Funcionamiento
I Temperatura de célula: Tc∗ = 25 ◦C. de una célula solar
Curva IV y Puntos
I Masa de aire: AM = 1.5 Característicos
Influencia de Temperatura y
Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la
∗ ∗ ∗
Pmpp = Impp · Vmpp célula

Fabricación

∗ · V∗
Impp mpp
η∗ =
A · G∗

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Teoría de Semiconductores

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Curva IV y Puntos Característicos
Influencia de Temperatura y Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la célula

Fabricación
Método Simplificado: Factor de Forma
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Constante Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar
∗
FF = FF Curva IV y Puntos
Característicos
Influencia de Temperatura y
Radiación
Cálculo del MPP
∗
Impp
Impp Circuito equivalente de la

= ∗
célula

Isc Isc Fabricación

∗
Vmpp
Vmpp
= ∗
Voc Voc

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Procedimiento
Célula Solar

Oscar Perpiñán
I Calcular Voc a la temperatura Tc : Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores
∗ dVoc
Voc = Voc + · (Tc − Tc∗ ) Unión P-N
dTc iluminada

I Calcular Vmpp a la temperatura Tc : Funcionamiento

de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
∗
Vmpp Influencia de Temperatura y
Radiación
Vmpp = Voc · ∗ Cálculo del MPP
Voc Circuito equivalente de la
célula

I Calcular Isc a la radiación Gef . Fabricación

∗Gef
Isc = Isc ·
G∗
I Calcular Impp a la radiación Gef
∗
Impp
Impp = Isc · ∗
Isc
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Ejercicio de Cálculo
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
iluminada

De una célula de 100 cm2 y Isc

∗ = 3 A, I ∗
mpp = 2.7 A ,
Funcionamiento
de una célula solar
∗ ∗
Voc = 0.6 V, Vmpp = 0.48 V, calcular suponiendo factor de Curva IV y Puntos
Característicos

forma constante: Influencia de Temperatura y

Radiación
Cálculo del MPP
∗ , FF∗ , η ∗
I Pmpp Circuito equivalente de la
célula

I Impp , Vmpp cuando Tc = 60°C y G = 800 W/m2 . Fabricación

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Teoría de Semiconductores

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Curva IV y Puntos Característicos
Influencia de Temperatura y Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la célula

Fabricación
Circuito equivalente
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I Rs Teoría de
Semiconductores

ID + Unión P-N
iluminada

IL D Rp V Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos

− Influencia de Temperatura y
Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la
célula

I Ecuación general Fabricación

V + I · Rs V + I · Rs
I = IL − I0 · [exp( ) − 1] −
m · VT Rp
I Ecuación simplificada

V − Voc + I · Rs
I = Isc [1 − exp( )]
m · Vt
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Resistencia Serie: Curva IV
Célula Solar

Oscar Perpiñán
I Resistencia de contactos metálicos con el Lamigueiro

semiconductor Teoría de
I Resistencia de capas semiconductoras Semiconductores

Unión P-N
I Resistencia de malla de metalización iluminada

Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
Característicos
Influencia de Temperatura y
4 Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la
célula
3
Fabricación
Corriente (A)

2 Rs(Ω)
1e−04
1 0.001
0.01

−1

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensión (V)
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Resistencia Serie: Curva PV
Célula Solar

Oscar Perpiñán
I Resistencia de contactos metálicos con el Lamigueiro

semiconductor Teoría de
I Resistencia de capas semiconductoras Semiconductores

Unión P-N
I Resistencia de malla de metalización iluminada

Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
2.0 Característicos
Influencia de Temperatura y
Radiación
Cálculo del MPP
1.5 Circuito equivalente de la
célula

Fabricación
Potencia (W)

1.0
Rs(Ω)
0.5 1e−04
0.001
0.01
0.0

−0.5

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensión (V)
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Resistencia paralelo: Curva IV
Célula Solar

Oscar Perpiñán
I Fugas de corriente en bordes de célula Lamigueiro

I Cortocircuitos metálicos Teoría de

I Caminos de difusión en fronteras de grano Semiconductores

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar
Curva IV y Puntos
4 Característicos
Influencia de Temperatura y
Radiación
3 Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la
célula
Corriente (A)

2
Fabricación
Rp(Ω)
1 1
10
100
0

−1

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensión (V)

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Resistencia paralelo: Curva PV
Célula Solar

Oscar Perpiñán
I Fugas de corriente en bordes de célula Lamigueiro

I Cortocircuitos metálicos Teoría de

I Caminos de difusión en fronteras de grano Semiconductores

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar
2.0
Curva IV y Puntos
Característicos
Influencia de Temperatura y
1.5 Radiación
Cálculo del MPP
Circuito equivalente de la
1.0 célula
Potencia (W)

Fabricación
Rp(Ω)
0.5
1
10
0.0 100

−0.5

−1.0

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensión (V)

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Teoría de Semiconductores

Unión P-N iluminada

Funcionamiento de una célula solar

Fabricación
 Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
iluminada

Funcionamiento
de una célula solar

Fabricación

https://www.youtube.com/watch?v=BZKEkwOJ9Nw
https://www.youtube.com/watch?v=fZ1SC-vUe_I

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Purificación de silicio
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I El silicio puede extraerse de la cuarzita obteniendo Teoría de

Silicio de grado metalúrgico (98% pureza). Semiconductores

Unión P-N
I Para la industria de la electrónica se necesita silicio iluminada

de grado electronico (nivel de impureza por debajo Funcionamiento

de una célula solar
de 10−9 , 9 nueves). Fabricación
I Para las células solares puede utilizarse silicio de
grado solar (nivel de impureza algo mayor, 10−5 , 5
nueves).
I Al mezclar silicio con acido clorhídrico se produce
triclorosilano, que es destilado para eliminar
impurezas.
I Al unir silano de cloro con hidrógeno se obtiene de
vuelta silicio, válido para células policristalinas
(varios cristales en cada célula)

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Formación de obleas
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

I Para obtener mayor pureza se emplea el silicio Teoría de

Semiconductores
monocristalino (un sólo cristal) obtenido mediante el Unión P-N
proceso de Czochralski o similar (se utiliza una iluminada

semilla de cristal para crecer silicio a muy alta Funcionamiento

de una célula solar
temperatura). Fabricación

I El lingote resultante debe ser cortado en obleas de

200 − 500 µm.
I Las obleas son sometidas a limpieza para eliminar
impurezas por el cortado.
I A continuación, son dopadas con Fósforo y Boro
para crear la unión p-n.
I Se limpian los bordes para evitar la formación de
cortocircuitos entre las zonas p y n.

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Formación de células
Célula Solar

Oscar Perpiñán
Lamigueiro

Teoría de
Semiconductores

Unión P-N
I Se añaden los contactos posterior (alto iluminada

recubrimiento) y anterior (optimización para obtener Funcionamiento

de una célula solar
baja Rs y poco sombreado) empleando aleaciones de Fabricación
plata y aluminio.
I Para reducir las pérdidas por reflexión se añade una
capa antireflectante con (p.ej) óxido de Titanio (color
azulado).
I Si es posible, se textura la superficie (creación de
mini pirámides).

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